ES2639733T3 - Método de división de sustrato - Google Patents

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Yoshimaro Fujii
Fumitsugu Fukuyo
Kenshi Fukumitsu
Naoki Uchiyama
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Hamamatsu Photonics KK
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Abstract

Un método de división de sustrato que comprende las etapas de: irradiar un sustrato semiconductor (1), teniendo el sustrato semiconductor (1) una cara frontal (3) sobre la que se forman una pluralidad de dispositivos funcionales, con luz láser (L) mientras que se posiciona un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato semiconductor (1) para formar una región procesada fundida (7, 13) debido a absorción multifotón solamente dentro del sustrato semiconductor (1), formando la región procesada fundida (7, 13) una región de punto de partida para el corte a lo largo de una línea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor (1) debe cortarse, dentro del sustrato semiconductor (1), una distancia predeterminada desde una cara incidente de luz láser del sustrato; colocar una película protectora (20) sobre la cara frontal (3) del sustrato semiconductor (1) después de dicha etapa de irradiación, para mantener el sustrato semiconductor (1); rectificar y a continuación grabar al aguafuerte una cara posterior (21) del sustrato semiconductor (1) después de la etapa de colocar la película protectora (19) sobre la cara frontal (3) del sustrato semiconductor (1) hasta alcanzar un espesor predeterminado, tras lo cual el sustrato semiconductor (1) está dividido en una pluralidad de chips por fracturas (15) generadas desde la región procesada fundida (7, 13) a lo largo de la línea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor (1) debe cortarse y que alcanzan la cara frontal (3) y la cara posterior (21) del sustrato semiconductor (3); fijar una película de expansión (23) a las caras posteriores de los chips después de la etapa de dividir el sustrato semiconductor (1) en los chips; retirar la capa protectora (19) de la cara frontal (3) del sustrato semiconductor (1); y expandir la película de expansión (23) después de la etapa de fijar la película de expansión (23) para separar los chips entre sí.

Description

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DESCRIPCION
Metodo de division de sustrato Campo tecnico
La presente invencion se refiere a un metodo de division de sustrato usado para dividir un sustrato tal como un sustrato semiconductor en una etapa de fabricacion de un dispositivo semiconductor o similar.
Antecedentes de la tecnica
Ya que los dispositivos semiconductores se han ido reduciendo en los ultimos anos, hay casos en los que un sustrato semiconductor se adelgaza hasta un espesor de varias decenas de micrometros en una etapa de fabricacion de un dispositivo semiconductor. Por tanto, cuando se corta y se divide con una cuchilla un sustrato semiconductor adelgazado, se produce astillado y craqueo mas que en el caso en el que un sustrato semiconductor es mas grueso, causando de este modo un problema que disminuye el rendimiento de los chips semiconductores obtenidos dividiendo el sustrato semiconductor.
Los metodos de division de sustratos semiconductores que pueden resolver dicho problema son los descritos en la Solicitudes de Patentes Japonesas abiertas a la inspeccion publica N.° SHO 64-38209 y SHO 62-4341.
En los metodos descritos en estas publicaciones, un sustrato semiconductor que tiene una cara frontal formada con un dispositivo funcional esta inscrito con una ranura por una cuchilla en el lado de la cara frontal, a continuacion una hoja adhesiva esta unida a la cara frontal, para mantener el sustrato semiconductor y la cara posterior del sustrato semiconductor es rectificada hasta que se expone la ranura formada de antemano, adelgazando de este modo el sustrato semiconductor y dividiendo el sustrato semiconductor.
El documento EP1022778A1 describe un metodo de division de una oblea y un metodo de fabricacion de un dispositivo semiconductor en el que las ranuras se forman en una superficie de una oblea, en el que los elementos semiconductores de la superficie se forman, a lo largo de llneas divisorias en cubos o llneas de separation de chips sobre la oblea. Las ranuras son mas profundas que el espesor de un chip acabado. Una hoja de sujecion esta unida en esa superficie de la oblea en la que se forman los elementos semiconductores. La superficie inferior de la oblea se lapea y se rectifica hasta el espesor del chip acabado, dividiendo de este modo la oblea en chips. Cuando la oblea se divide en chips, el lapeado y el rectificado continuan hasta que el espesor de la oblea se iguala al espesor del chip acabado, incluso despues de que la oblea se haya dividido en chips por el lapeado y el rectificado.
Descripcion de la Invencion
Sin embargo, si el rectificado de la cara posterior del sustrato semiconductor se realiza mediante rectificado superficial en los metodos descritos en las publicaciones anteriormente mencionadas, puede producirse astillado y craqueo en las caras laterales de la ranura formada de antemano en el sustrato semiconductor cuando la cara superficie-ranura alcanza la ranura.
A la vista de tal circunstancia, es un objeto de la presente invencion proporcionar un metodo de division de sustrato que pueda evitar que se produzca astillado y craqueo y adelgazar y dividir un sustrato.
Para conseguir el objeto anteriormente mencionado, el metodo de division de sustrato de acuerdo con la presente invencion se define en la revindication 1.
En la etapa de rectificado del sustrato, se rectifica el sustrato de tal manera que el sustrato alcanza un espesor predeterminado despues de que se forme la region de punto de partida para el corte. En el presente documento, incluso cuando la superficie del suelo alcanza la fractura generada desde la region de punto de partida para el corte que actua como punto de inicio, las superficies de corte del sustrato cortadas por la fractura permanecen en estrecho contacto entre si, mediante las cuales puede evitarse que el sustrato se astille y craquee despues del rectificado.
Esto puede evitar que se produzca el astillado y craqueo y puede adelgazar y dividir el sustrato.
En el presente documento, el punto de convergencia de la luz se refiere a un emplazamiento en el que la luz laser es convergente. El rectificado abarca raspado, rectificado, grabado al aguafuerte qulmico y similares. La region de punto de partida para el corte se refiere a una region que pasa a ser un punto de inicio para el corte cuando se corta el sustrato. Por lo tanto, la region de punto de partida para el corte es una parte a cortar en la que se va a realizar el corte en el sustrato. La region de punto de partida para el corte puede producirse formando continuamente una region modificada o formando intermitentemente una region modificada.
El sustrato abarca sustratos semiconductores tales como sustratos de silicio y sustratos de GaAs.
Ya que el sustrato puede rectificarse despues de formar el dispositivo funcional, se obtiene, por ejemplo, un chip
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adelgazado para ajustarse a un tamano menor de un dispositivo semiconductor. En el presente documento, el dispositivo funcional se refiere a dispositivos receptores de luz tales como fotodiodos, dispositivos emisores de luz tales como diodos, dispositivos de circuito formados como circuitos, etc.
Preferentemente, la etapa de rectificar el sustrato incluye una etapa de someter la cara posterior del sustrato a un grabado al aguafuerte qulmico. Cuando la cara posterior del sustrato se somete a grabado al aguafuerte qulmico, la cara posterior del sustrato se vuelve mas lisa de forma natural. Tambien, ya que las superficies de corte del sustrato cortadas por la fractura generada desde la region de punto de partida para el corte que actua como punto de inicio permanecen en estrecho contacto entre si, solo las partes de borde en la cara posterior de las superficies de corte son grabadas al aguafuerte selectivamente, para ser achaflanadas. Esto puede mejorar la resistencia a la rotura transversal de los chips obtenidos dividiendo el sustrato y evitar que se produzca astillado y craqueo en los chips.
Breve descripcion de los dibujos
La Figura 1 es una vista en planta de un objeto a procesar durante el procesamiento laser en el metodo de procesamiento laser de acuerdo con una realizacion de la presente invencion;
la Figura 2 es una vista en seccion del objeto a procesar tomada a lo largo de la llnea II-II de la Figura 1;
la Figura 3 es una vista en planta del objeto a procesar despues del procesamiento laser mediante el metodo de
procesamiento laser de acuerdo con la realizacion;
la Figura 4 es una vista en seccion del objeto a procesar tomada a lo largo de la llnea IV-IV de la Figura 3;
la Figura 5 es una vista en seccion del objeto a procesar tomada a lo largo de la llnea V-V de la Figura 3;
la Figura 6 es una vista en planta del objeto a procesar cortado por el metodo de procesamiento laser de acuerdo con la realizacion;
la Figura 7 es un grafico que muestra la relacion entre la intensidad de campo electrico y el tamano de punto de fisura en el metodo de procesamiento laser de acuerdo con la realizacion;
la Figura 8 es una vista en seccion del objeto a procesar en una primera etapa del metodo de procesamiento laser de acuerdo con la realizacion;
la Figura 9 es una vista en seccion del objeto a procesar en una segunda etapa del metodo de procesamiento laser de acuerdo con la realizacion;
la Figura 10 es una vista en seccion del objeto a procesar en una tercera etapa del metodo de procesamiento laser de acuerdo con la realizacion;
la Figura 11 es una vista en seccion del objeto a procesar en una cuarta etapa del metodo de procesamiento laser de acuerdo con la realizacion;
la Figura 12 es una vista que muestra una fotografla de una seccion de corte en una parte de una oblea de silicio cortada mediante el metodo de procesamiento laser de acuerdo con la realizacion;
la Figura 13 es un grafico que muestra las relaciones entre la longitud de onda de la luz laser y la transmitancia interna de un sustrato de silicio en el metodo de procesamiento laser de acuerdo con la realizacion; la Figura 14 es un diagrama esquematico del aparato de procesamiento laser de acuerdo con el Ejemplo 1; la Figura 15 es un diagrama de flujo para explicar el metodo de procesamiento laser de acuerdo con el Ejemplo 1;
la Figura 16 es una vista que muestra el sustrato semiconductor despues de una etapa de formar una region de punto de partida para el corte de acuerdo con el Ejemplo 1;
la Figura 17 es una vista para explicar una etapa de unir una pellcula protectora de acuerdo con el Ejemplo 1; la Figura 18 es una vista para explicar una etapa de rectificar el sustrato semiconductor de acuerdo con el Ejemplo 1;
la Figura 19 es una vista para explicar una etapa de unir una pellcula de expansion de acuerdo con el Ejemplo 1; la Figura 20 es una vista para explicar una etapa de pelar la pellcula protectora de acuerdo con el Ejemplo 1; la Figura 21 es una vista para explicar una etapa de expandir la pellcula de expansion y recoger los chips semiconductores de acuerdo con el Ejemplo 1;
la Figura 22 es una vista que muestra los chaflanes formados en las partes de borde en el lado de la cara posterior de las superficies de corte de los chips semiconductores despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor de acuerdo con el Ejemplo 1;
la Figura 23A es una vista para explicar un caso en el que una region procesada fundida permanece en una superficie de corte de un chip semiconductor despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor de acuerdo con el Ejemplo 1, mientras que una fractura alcanza la cara frontal antes de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor;
la figura 23B es una vista para explicar un caso en el que una region procesada fundida permanece en una superficie de corte de un chip semiconductor despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor de acuerdo con el Ejemplo 1, mientras que una fractura no alcanza la cara frontal antes de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor;
la Figura 24A es una vista para explicar un caso en el que una region procesada fundida no permanece en una superficie de corte de un chip semiconductor despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor de acuerdo con el Ejemplo 1, mientras que una fractura alcanza la cara frontal antes de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor;
la Figura 24B es una vista para explicar un caso en el que una region procesada fundida no permanece en una superficie de corte de un chip semiconductor despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor de
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acuerdo con el Ejemplo 1, mientras que una fractura no alcanza la cara frontal antes de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor;
la Figura 25A es una vista para explicar un caso en el que una region procesada fundida permanece en una parte de borde en el lado de la cara posterior de una superficie de corte de un chip semiconductor despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor de acuerdo con el Ejemplo 1, mientras que una fractura alcanza la cara frontal antes de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor;
la Figura 25B es una vista para explicar un caso en el que una region procesada fundida permanece en una parte de borde en el lado de la cara posterior de una superficie de corte de un chip semiconductor despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor de acuerdo con el Ejemplo 1, mientras que una fractura no alcanza la cara frontal antes de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor;
la Figura 26A es una vista en seccion de una parte marginal del sustrato semiconductor antes de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor de acuerdo con el Ejemplo 1;
la Figura 26B es una vista en seccion de la parte marginal del sustrato semiconductor despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor de acuerdo con el Ejemplo 1;
Mejores modos de realizacion de la invencion
A continuation, se explicara en detalle una realizacion preferente de la presente invencion con referencia a los dibujos. El metodo de division de sustratos de acuerdo con este metodo comprende las etapas de irradiar un sustrato con luz laser mientras que posiciona un punto de convergencia de luz dentro del sustrato, para formar una region modificada debido a la absorcion multifoton dentro del sustrato, formando de este modo una region de punto de partida par el corte; y despues rectificar el sustrato de tal manera que el sustrato alcance un espesor predeterminado.
En primer lugar, se explicara un metodo de procesamiento laser llevado a cabo en la etapa de formation de la region de punto de partida para el corte, un metodo de procesamiento laser llevado a cabo en la etapa de formacion de la region de punto de partida para el corte, la absorcion multifoton en particular.
Un material se vuelve opticamente transparente si su banda de absorcion EG es mayor que la energla de un foton hv. Por lo tanto, la condition bajo la cual la absorcion se produce en el material es hv > EG. Sin embargo, incluso cuando es opticamente transparente, el material produce absorcion en la condicion de hv > EG (n = 2, 3, 4, ...) si la intensidad de luz laser es muy alta. Este fenomeno se conoce como absorcion multifoton. En el caso de las ondas de pulso, la intensidad de la luz laser viene determinada por la densidad de potencia maxima (W/cm2) de la luz laser en un punto de convergencia de luz del mismo. La absorcion multifoton se produce, por ejemplo, a una densidad de potencia maxima (W/cm2) de 1 x 108 (W/cm2) o superior. La densidad de potencia maxima viene determinada por (energla por pulso de luz laser en el punto de convergencia de la luz)/(area transversal puntual del haz de luz laser por ancho de pulso). En el caso de una onda continua, la intensidad de la luz laser viene determinada por la intensidad del campo electrico (W/cm2) de la luz laser en el punto de convergencia de la luz.
El principio de procesamiento laser de acuerdo con la realizacion que utiliza tal absorcion multifoton se explicara con referencia a las Figuras 1 a 6. La Figura 1 es una vista en planta de un sustrato 1 durante el procesamiento laser; la Figura 2 es una vista en seccion del sustrato 1 tomada a lo largo de la llnea II-II de la Figura 1; la Figura 3 es una vista en planta del sustrato 1 despues del procesamiento laser; la Figura 4 es una vista en seccion del sustrato 1 tomada a lo largo de la llnea IV-IV de la Figura 3; la Figura 5 es una vista en seccion del sustrato 1 tomada a lo largo de la llnea V-V de la Figura 3; y la Figura 6 es una vista en planta del sustrato cortado 1.
Como se muestra en las Figuras 1 y 2, la cara frontal 3 del sustrato 1 tiene una llnea deseable 5 a lo largo de la cual el sustrato debe cortarse para cortar el sustrato 1. La llnea 5 a lo largo de la cual debe cortarse el sustrato es una llnea virtual que se extiende linealmente (el sustrato 1 tambien puede estar formado con una llnea real que actua como la llnea 5 a lo largo de la cual debe cortarse el sustrato). En el procesamiento laser de acuerdo con la presente realizacion, el sustrato 1 es irradiado con luz laser L de tal manera que un punto de convergencia de la luz P se posiciona dentro del sustrato semiconductor 1 en una condicion que provoca absorcion multifoton, para formar una region modificada 7. En el presente documento, el punto de convergencia de la luz es un lugar donde la luz laser L es convergente.
La luz laser L se desplaza relativamente a lo largo de la llnea 5 a lo largo de la cual debe cortarse el sustrato (en la direction de la flecha A), para desplazar el punto de convergencia de la luz P a lo largo de la llnea 5 a lo largo de la cual debe cortarse el sustrato. Esto forma la region modificada 7 a lo largo de la llnea 5 a lo largo de la cual el sustrato debe cortarse solamente dentro del sustrato 1 como se muestra en las Figuras 3 a 5 y la region modificada 7 forma una region 8 de punto de partida para el corte (parte a cortar). En el metodo de procesamiento laser de acuerdo con la presente realizacion, no se forma ninguna region modificada 7 al calentar el sustrato 1 haciendo que el sustrato 1 absorba la luz laser L. En su lugar, la luz laser L se transmite a traves del sustrato semiconductor 1, para generar absorcion multifoton dentro del sustrato semiconductor 1, formando de este modo la region modificada 7. Por lo tanto, la luz laser L es diflcilmente absorbida por la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1, por lo que la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 no se funde.
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Si existe un punto de inicio en un emplazamiento para cortar cuando se corta el sustrato 1, el sustrato 1 se fractura desde este punto de inicio y por tanto puede cortarse con una fuerza relativamente pequena como se muestra en la Figura 6. Esto hace posible cortar el sustrato 1 sin generar fracturas innecesarias en la cara frontal 3 del sustrato 1.
Parece que hay las siguientes dos formas de cortar el sustrato desde la region de punto de partida para el corte que actua como punto de inicio. El primer caso es donde, despues de formar la region de punto de partida para el corte, se aplica una fuerza artificial al sustrato, de modo que el sustrato se fractura desde la region de punto de inicio para el corte que actua como punto de inicio, a traves del cual se corta el sustrato. Este es el corte en el caso en el que el sustrato tiene un gran espesor, por ejemplo. La aplicacion de una fuerza artificial abarca la aplicacion de esfuerzo de flexion y esfuerzo de cizallamiento a lo largo de la region de punto de partida para el corte del sustrato, y el ejercicio de una diferencia de temperatura sobre el sustrato para generar tension termica, por ejemplo. El otro caso es donde se forma una region de punto de partida para el corte, de manera que el sustrato se fractura naturalmente en una direccion transversal (direction del espesor) del sustrato desde la region de punto de partida para el corte que actua como punto de inicio, a traves del cual se corta el sustrato. Esto se logra, por ejemplo, formando la region de punto de partida para el corte por una unica fila de regiones modificadas cuando el sustrato tiene un espesor pequeno y por una pluralidad de filas de regiones modificadas alineadas en la direccion del espesor cuando el sustrato tiene un gran espesor. Incluso en el caso de fracturacion natural, las fracturas no se extienden hasta la cara frontal en un emplazamiento no formado con la region de punto de partida para el corte en la parte a cortar, por lo que solo la parte correspondiente al emplazamiento formado con la region de punto de partida para el corte puede fracturarse. Por lo tanto, la fractura puede ser regulada bien. Tal metodo de fracturacion con controlabilidad favorable es bastante eficaz, ya que los sustratos semiconductores tales como obleas de silicio han sido recientemente aptos para volverse mas delgados.
La region modificada formada por absorcion multifoton en este ejemplo incluye los siguientes casos (1) a (3). Los casos (1) y (3) no se refieren a la presente invention:
(1) Caso en que la region modificada es una region de fisura que incluye una o una pluralidad de fisuras
Se irradia un sustrato (por ejemplo, vidrio o un material piezoelectrico fabricado con LiTaO3) con luz laser mientras que un punto de convergencia de luz se posiciona dentro del mismo en una condition con una intensidad de campo electrico de al menos 1 x 108 (W/cm2) en el punto de convergencia de la luz y un ancho de pulso de 1 ps o menos. Esta anchura de pulso es una condicion bajo la cual se puede formar una region de fisura solamente dentro del sustrato mientras se genera absorcion multifoton sin causar danos innecesarios al sustrato. Esto genera un fenomeno de dano optico debido a la absorcion multifoton dentro del sustrato. Este dano optico induce distorsion termica dentro del sustrato, formando de este modo una region de fisura en su interior. El llmite superior de la intensidad de campo electrico es 1 x 1012 (W/cm2), por ejemplo. El ancho de pulso es preferentemente de 1 ns a 200 ns, por ejemplo. La formation de una region de fisura debido a la absorcion multifoton se describe, por ejemplo, en "Internal Marking of Glass Substrate by Solid-state Laser Harmonics", Actas de la 45a conferencia de procesamiento de material laser (diciembre de1998), pags. 23-28.
Los inventores determinaron la relation entre la intensidad del campo electrico y la magnitud de la fisura mediante un experimento. La condiciones para el experimento son las siguientes:
(A) Sustrato: vidrio Pyrex (marca comercial registrada) (que tiene un espesor de 700 pm)
(b) Laser
Fuente de luz: laser semiconductor de bombeo
laser Nd:YAG
Longitud de onda: 1064 nm
Area transversal puntual de luz laser: 3,14 x 10-8 cm2
Modo de oscilacion: pulso Q-switch
Frecuencia de repetition: 100 kHz
Ancho de pulso: 30 ns
Salida: salida < 1 mJ/pulso
Calidad de la luz laser: TEM00
Caracterlsticas de polarization: polarization lineal
(C) Lente de convergencia de la luz
Transmitancia con respecto a la longitud de onda de luz laser: 60 %
(D) Velocidad de desplazamiento de un mesa de montaje que monta el sustrato: 100 mm/seg
En el presente documento, la calidad de la luz laser que es TEM00 indica que la convergencia de la luz es tan alta que la luz puede converger hasta aproximadamente la longitud de onda de la luz laser.
La Figura 7 es un grafico que muestra los resultados del experimento anteriormente mencionado. La abscisa indica la densidad de potencia maxima. Ya que la luz laser es luz laser de pulso, su intensidad de campo electrico esta
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representada por la densidad de potencia maxima. La ordenada indica el tamano de una parte de la fisura (punto de fisura) formada dentro del sustrato procesado por un pulso de luz laser. los puntos de fisura se reunen, para formar una region de fisura. El tamano de un punto de fisura se refiere al de la parte de las dimensiones del punto de fisura que produce la longitud maxima. Los datos indicados con clrculos negros en el grafico se refieren a un caso en el que la lente de convergencia de la luz (C) tiene un aumento de x 100 y una abertura numerica (AN) de 0,80. Por otra parte, los datos indicados con clrculos blancos en el grafico se refieren a un caso en el que la lente de convergencia de la luz (C) tiene un aumento de x 50 y una abertura numerica (AN) de 0,55. Se observa que comienzan a producirse puntos de fisura dentro del sustrato cuando la densidad de potencia maxima alcanza aproximadamente 1011 (W/cm2) y se hacen mayores a medida que disminuye la densidad de potencia maxima.
Un mecanismo mediante el cual se corta el sustrato tras la formacion de una region de fisura en el procesamiento laser de acuerdo con la presente realizacion se explicara con referencia a las Figuras 8 a 11. Como se muestra en la Figura 8, el sustrato 1 es irradiado con luz laser L mientras que posiciona el punto de convergencia de la luz P dentro del sustrato 1 en una condicion en la que se produce la absorcion multifoton, para formar una region de fisura 9 dentro del mismo a lo largo de la llnea a lo largo de la cual debe cortarse el sustrato. La region de fisura 9 es una region que incluye uno o una pluralidad de puntos de fisura. La region de fisura 9 forma una region de punto de partida para el corte. Como se muestra en la Figura 9, la fisura crece adicionalmente mientras se usa la region de fisura 9 como punto de inicio (es decir, usando la region de punto de partida para el corte como punto de inicio). Como se muestra en la Figura 10, la fisura alcanza la cara frontal 3 y la cara posterior 21 del sustrato 1. Como se muestra en la Figura 11, el sustrato 1 se rompe, para ser cortado. La fisura que alcanza la cara frontal y la cara posterior del sustrato puede crecer naturalmente o crecer cuando se aplica una fuerza al sustrato.
(2) Caso en el que la region modificada es una region procesada fundida
Se irradia un sustrato (por ejemplo, un material semiconductor tal como silicio) con luz laser mientras que un punto de convergencia de luz se posiciona dentro del mismo en una condicion con una intensidad de campo electrico de al menos 1 x 108 (W/cm2) en el punto de convergencia de la luz y un ancho de pulso de 1 ps o menos. Como consecuencia, el interior del sustrato se calienta localmente por absorcion multifoton. Este calentamiento forma una region procesada fundida dentro del sustrato. La region procesada fundida se refiere a una region una vez fundida y luego re-solidificada, una region justo en estado fundido o una region en el procedimiento de re-solidificacion desde su estado fundido, y tambien puede definirse como una region de cambio de fase o una region que ha cambiado su estructura cristalina. La region procesada fundida tambien puede considerarse como una region en la que una cierta estructura se ha transformado en otra estructura en estructuras monocristal, amorfas y policristalinas. Es decir, se refiere a una region en la que una estructura monocristal se ha transformado en una estructura amorfa, una region en la que una estructura monocristal se ha transformado en una estructura policristalina y una region en la que una estructura monocristal se ha transformado en una estructura que incluye una estructura amorfa y una estructura policristalina, por ejemplo. Cuando el sustrato es una estructura monocristal de silicio, la region procesada fundida es una estructura de silicio amorfo, por ejemplo. El llmite superior de la intensidad de campo electrico es 1 x 1012 (W/cm2), por ejemplo. El ancho de pulso es preferentemente de 1 ns a 200 ns, por ejemplo.
Mediante un experimento, los inventores han verificado que se forma una region procesada fundida dentro de una oblea de silicio.
La condiciones para el experimento son las siguientes:
(A) Sustrato: oblea de silicio (que tiene un espesor de 350 pm y un diametro exterior de 10,2 cm (4 pulgadas))
(b) Laser
Fuente de luz: laser semiconductor de bombeo
laser Nd:YAG
Longitud de onda: 1064 nm
Area transversal puntual de luz laser: 3,14 x 10-8 cm2
Modo de oscilacion: pulso Q-switch
Frecuencia de repeticion: 100 kHz
Ancho de pulso: 30 ns
Salida: 20 pJ/pulso
Calidad de la luz laser: TEM00
Caracterlsticas de polarizacion: polarizacion lineal
(C) Lente de convergencia de la luz Aumento: x50 AN: 0,55
Transmitancia con respecto a la longitud de onda de luz laser: 60 %
(D) Velocidad de desplazamiento de un mesa de montaje que monta el sustrato: 100 mm/seg
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La Figura 12 es una vista que muestra una fotografla de una seccion de corte en una parte de una oblea de silicio cortada por procesamiento laser en las condiciones anteriormente mencionadas. Se forma una region 13 procesada fundida dentro de una oblea 11 de silicio. El tamano de la region 13 procesada fundida formada en las condiciones anteriormente mencionadas es de aproximadamente 100 pm en la direccion del espesor.
Se explicara el hecho de que la region 13 procesada fundida se forme por absorcion multifoton. La Figura 13 es un grafico que muestra las relaciones entre la longitud de onda de la luz laser y la transmitancia dentro del sustrato de silicio. En el presente documento, se eliminan los respectivos componentes reflectantes en el lado de la cara frontal y en el lado de la cara posterior del sustrato de silicio, por lo que solo se representa la transmitancia dentro de la misma. Las relaciones anteriormente mencionadas se muestran en los casos en los que el espesor t del sustrato de silicio sea de 50 pm, 100 pm, 200 pm, 500 pm y 1000 pm, respectivamente.
Por ejemplo, se observa que la luz laser transmite a traves del sustrato de silicio en al menos un 80 % a 1064 nm, donde esta situada la longitud de onda del laser Nd: YAG, cuando el sustrato de silicio tiene un espesor de 500 pm o menos. Ya que la oblea 11 de silicio mostrada en la Figura 12 tiene un espesor de 350 pm, la region 13 procesada fundida debido a la absorcion multifoton se forma cerca del centro de la oblea de silicio, es decir, en una parte separada de la cara frontal por 175 pm. La transmitancia en este caso es 90 % o mayor con referencia a una oblea de silicio que tiene un espesor de 200 pm, por lo que la luz laser es absorbida solo ligeramente dentro de la oblea 11 de silicio y se transmite sustancialmente a traves de la misma. Esto significa que la region 13 procesada fundida no se forma por absorcion de luz laser dentro de la oblea 11 de silicio (es decir, no se forma por calentamiento usual con luz laser), sino por absorcion multifoton. La formacion de una region procesada fundida por absorcion multifoton se describe, por ejemplo, en "Processing Characteristic Evaluation of Silicon by Picosecond Laser", pre-publicacion del encuentro nacional de la sociedad de soldadura de Japon, n.° 66 (abril de 2000), pags 72-73.
En el presente documento, se genera una fractura en la direccion transversal mientras se usa una region procesada fundida como punto de inicio, por lo que la oblea de silicio se corta cuando la fractura alcanza la cara frontal y la cara posterior de la oblea de silicio. La fractura que alcanza la cara frontal y la cara posterior de la oblea de silicio puede crecer naturalmente o crecer cuando se aplica una fuerza a la oblea de silicio. La fractura crece naturalmente desde la region de punto de partida para cortar a la cara frontal y a la cara posterior de la oblea de silicio en cualquiera de los casos en los que la fractura crece desde la region procesada fundida en un estado fundido y en los que la fractura crece desde la region procesada fundida en el procedimiento de re-solidificacion desde el estado fundido. En cualquiera de estos casos, la region procesada fundida se forma solamente dentro de la oblea de silicio. En la seccion de corte despues de cortar, la region procesada fundida se forma solamente dentro de la misma como se muestra en la Figura 12. Cuando se forma una region procesada fundida dentro del sustrato, las fracturas innecesarias que se desvlan desde una llnea a lo largo de la cual debe cortarse el sustrato son diflciles de que se produzcan en el momento de la fractura, lo que facilita el control de la fractura.
(3) Caso en el que la region modificada es una region de cambio del Indice de refraccion (no referida a la invencion).
Se irradia un sustrato (por ejemplo vidrio) con luz laser mientras que un punto de convergencia de luz se posiciona dentro del mismo en una condicion con una intensidad de campo electrico de al menos 1 x 108 (W/cm2) en el punto de convergencia de la luz y un ancho de pulso de 1 ns o menos. Cuando se genera absorcion multifoton dentro del sustrato con un ancho de pulso muy corto, la energla causada por la absorcion multifoton no se transforma en energla termica, de modo que se induce un cambio estructural permanente tal como cambio de valencia ionica, cristalizacion u orientacion de polarizacion dentro del sustrato, por lo que se forma una region de cambio del Indice de refraccion. El llmite superior de la intensidad de campo electrico es 1 x 1012 (W/cm2), por ejemplo. El ancho de pulso es preferentemente 1 ns o menos, mas preferentemente 1 ps o menos, por ejemplo. La formacion de una region de cambio del Indice de refraccion por absorcion multifoton se describe, por ejemplo, en "Formation of Photoinduced Structure within Glass by Femtosecond Laser Irradiation", Actas de la 42a conferencia de procesamiento de materiales laser (noviembre de 1997), pags 105-111.
Los casos de (1) a (3) se explican como regiones modificadas formadas por absorcion multifoton en lo anterior. Cuando una region de punto de partida para el corte se forma como sigue en vista de la estructura cristalina del sustrato, su propiedad de escision y similares, el sustrato se puede cortar con una fuerza menor y una mayor precision mientras se usa la region de punto de partida para el corte como punto de inicio.
Es decir, en el caso de un sustrato hecho de un semiconductor monocristalino que tiene una estructura de diamante tal como silicio, la region de punto de partida para el corte se forma preferentemente en una direccion a lo largo del plano (111) (primer plano de escision) o plano (110) (segundo plano de escision). En el caso de un sustrato hecho de un semiconductor de un compuesto de la familia III-V que tiene una estructura tipo zinc tal como GaAs, la region de punto de partida para el corte se forma preferentemente en una direccion a lo largo del plano (110). En el caso de un sustrato que tiene una estructura cristalina hexagonal tal como zafiro (Al2O3), una region de punto de partida para el corte se forma preferentemente en una direccion a lo largo del plano (1120) (plano A) o plano (1100) (plano M) mientras se usa el plano (0001) (plano C) como plano principal.
Cuando el sustrato se forma con una orientacion plana a lo largo de una direccion a formar con la region de punto de
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partida para el corte (por ejemplo, en una direccion a lo largo del plano (111) en el sustrato de silicio monocristal) o una direccion ortogonal a la direccion a formar con la region de punto de partida para el corte, la region de punto de partida para el corte que se extiende a lo largo de la direccion a formar con la region de punto de partida para el corte puede formarse en el sustrato de una manera facil y precisa con referencia a la orientacion plana.
A continuacion, la presente invencion se explicara mas especlficamente con referencia a los Ejemplos.
Ejemplo 1
Se explicara el Ejemplo 1 del metodo de division de sustrato de acuerdo con la presente invencion. El ejemplo 1 se refiere a un caso en el que el sustrato 1 es una oblea de silicio (que tiene un espesor de 350 pm y un diametro exterior de (10,2 cm (4 pulgadas)) (el "sustrato 1" se denominara en lo sucesivo en el presente documento "sustrato semiconductor 1" en el Ejemplo 1), mientras que la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 esta formada con una pluralidad de dispositivos funcionales en un procedimiento de fabricacion de dispositivos.
En primer lugar, antes de explicar una etapa de formacion de una region de punto de partida para el corte dentro del sustrato semiconductor 1, se explicara un aparato de procesamiento laser empleado en la etapa de formacion de una region de punto de partida para el corte con referencia a la Figura 14. La Figura 14 es un diagrama esquematico del aparato 100 de procesamiento laser.
El aparato 100 de procesamiento laser comprende una fuente 101 de luz laser para generar luz laser L; Un controlador 102 de fuente de luz laser para controlar la fuente 101 de luz laser para regular la salida, la anchura de pulso, etc., de la luz laser L y similares; un espejo dicroico 103, dispuesto para cambiar la orientacion del eje optico de la luz laser L en 90° que tiene una funcion de reflejar la luz laser L; una lente 105 de convergencia de luz para converger la luz laser L reflejada por el espejo dicroico 103; una mesa de montaje 107 para montar un sustrato semiconductor 1 irradiado con la luz laser L convergente por la lente 105 de convergencia de la luz; una etapa 109 de eje X para mover la mesa de montaje 107 en la direccion del eje X; una etapa 111 de eje Y para mover la mesa de montaje 107 en la direccion del eje Y ortogonal a la direccion del eje X; una etapa 113 de eje Z para mover la tabla de montaje 107 en la direccion del eje Z ortogonal a las direcciones de los ejes X e Y; y un controlador 115 de etapa para controlar el movimiento de estas tres etapas 109, 111 y 113.
La direccion del eje Z es una direccion ortogonal a la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 y, por tanto, se convierte en la direccion de profundidad focal de la luz laser L incidente sobre el sustrato semiconductor 1. Por lo tanto, mover la etapa 113 del eje Z en la direccion del eje Z puede posicionar el punto de convergencia de la luz P de la luz laser L dentro del sustrato semiconductor 1. Este movimiento del punto de convergencia de la luz P en la direccion del eje X(Y) se efectua moviendo el sustrato semiconductor 1 en la direccion del eje X(Y) por la etapa 109 (111) del eje X(Y).
La fuente 101 de luz laser es un laser Nd:YAG que genera luz laser de pulso. Otros tipos de laser utilizables como la fuente 101 de la luz laser incluyen el laser Nd:YVO4, laser Nd:YLF y laser de zafiro de titanio. Para la formacion de una region procesada fundida, se emplean preferentemente el laser Nd:YAG, laser Nd:YVO4 y laser Nd:YLF. Aunque la luz laser de pulso se usa para procesar el sustrato semiconductor 1 en el Ejemplo 1, se puede usar luz laser de onda continua siempre que pueda darse absorcion multifoton.
El aparato 100 de procesamiento laser comprende adicionalmente una fuente 117 de luz de observacion para generar un haz de luz visible para irradiar el sustrato semiconductor 1 montado sobre la mesa de montaje 107 y un divisor 119 de rayos de luz visible dispuesto sobre el mismo eje optico que el del espejo dicroico 103 y la lente 105 de convergencia de luz. El espejo dicroico 103 se dispone entre el divisor de rayos 119 y la lente 105 de convergencia de luz. El divisor de rayos 119 tiene una funcion de reflejar aproximadamente la mitad de un haz de luz visual y transmitir la mitad restante a traves del mismo, y esta dispuesto de manera que cambia la orientacion del eje optico del haz de luz visual en 90°. Aproximadamente una media del haz de luz visible generado desde la fuente 117 de luz de observacion se refleja por el divisor de rayos 119, y por tanto, el haz de luz visible reflejado se transmite a traves del espejo dicroico 103 y la lente 105 de convergencia de luz, para iluminar la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 incluyendo la llnea 5 a lo largo de la cual el sustrato debe cortarse y similares.
El aparato 100 de procesamiento laser comprende ademas un dispositivo 121 de captation de imagenes y una lente 123 de formacion de imagenes que estan dispuestos en el mismo eje optico que el del divisor de rayos119, el espejo dicroico 103 y la lente 105 de convergencia de la luz. Un ejemplo del dispositivo 121 de captacion de imagenes es una camara CCD. La luz reflejada del haz de luz visual que ha iluminado la cara frontal 3 incluyendo la llnea 5 a lo largo de la cual el sustrato debe cortarse y similares se transmite a traves de la lente 105 de convergencia de la luz, el espejo dicroico 103, y el divisor de rayos 119 y forma una imagen por medio de la lente 123 de formacion de imagenes, mientras que la imagen formada de este modo es capturada por el dispositivo 121 de captacion de imagenes, para producir datos de formacion de imagenes.
El aparato 100 de procesamiento laser comprende ademas un procesador 125 de datos de formacion de imagenes para introducir los datos de formacion de imagenes emitidos desde el dispositivo 121 de captacion de imagenes, un
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controlador global 127 para controlar el aparato 100 de procesamiento laser como un todo y un monitor 129. De acuerdo con los datos de formacion de imagenes, el procesador 125 de datos de formacion de imagenes calcula los datos del punto focal para posicionar el punto focal de la luz visible generada desde la fuente 117 de luz de observacion sobre la cara frontal 3. De acuerdo con los datos del punto focal, el controlador 115 de etapa controla el movimiento de la etapa 113 de eje Z, de modo que el punto focal de luz visible este posicionado en la cara frontal 3. Por lo tanto, el procesador 125 de datos de formacion de imagenes funciona como una unidad de enfoque automatico. Tambien, de acuerdo con los datos de formacion de imagenes, el procesador 125 de datos de formacion de imagenes calcula los datos de formacion de imagenes tales como una imagen ampliada de la cara frontal 3. Los datos de las imagenes se envlan al controlador global 127, sometido a diversos tipos de procesamiento en el mismo, y luego se envlan al monitor 129. Como consecuencia, se muestra una imagen ampliada en el monitor 129.
Los datos del controlador 115 de etapa, datos de imagenes del procesador 125 de datos de formacion de imagenes y similares se introducen en el controlador global 127. De acuerdo con estos datos tambien, el controlador global 127 regula el controlador 102 de fuente de luz laser, la fuente 117 de luz de observacion y el controlador 115 de etapa, controlando de este modo el aparato 100 de procesamiento laser como un todo. Por lo tanto, el controlador global 127 funciona como una unidad de control.
Con referencia a las Figuras 14 y 15, se explicara una etapa de formacion de una region de punto de partida para el corte en el caso usando el aparato 100 de procesamiento laser anteriormente mencionado. La Figura 15 es un diagrama de flujo para explicar la etapa de formacion de una region de punto de partida para el corte.
Las caracterlsticas de absorcion de luz del sustrato semiconductor 1 se determinan mediante un espectrofotometro o similares, el cual no esta representado. De acuerdo con los resultados de la medicion, se elige una fuente 101 de luz laser que genera luz laser L que tiene una longitud de onda a la cual el sustrato semiconductor 1 es transparente o muestra una baja absorcion (S101). Posteriormente, se mide el espesor del sustrato semiconductor 1. De acuerdo con el resultado de la medicion del espesor y el Indice de refraccion del sustrato semiconductor 1, se determina la cantidad de movimiento del sustrato semiconductor 1 en la direccion del eje Z (S103). Esta es una cantidad de movimiento del sustrato semiconductor 1 en la direccion del eje Z con referencia al punto de convergencia de la luz P de la luz laser L posicionado en la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 con el fin de que el punto de convergencia de la luz P de la luz laser L se posicione dentro del sustrato semiconductor 1. Esta cantidad de movimiento se introducira en el controlador global 127.
El sustrato semiconductor 1 se monta sobre la mesa de montaje 107 del aparato 100 de procesamiento laser. Posteriormente, se genera luz visible a partir de la fuente 117 de luz de observacion, para iluminar el sustrato semiconductor 1 (S105 ). La cara 3 iluminada frontal del sustrato semiconductor 1 incluyendo la llnea 5 a lo largo de la cual el sustrato debe cortarse es capturada por el dispositivo 121 de captacion de imagenes. La llnea 5 a lo largo de la cual el sustrato debe cortarse es una llnea virtual deseable para cortar el sustrato semiconductor 1. En el presente documento, con el fin de evitar obtener chips semiconductores dividiendo el sustrato semiconductor 1 en los dispositivos funcionales formados sobre su cara frontal 3, la llnea 5 a lo largo de cual el sustrato debe cortarse se fija como una rejilla que discurre entre los dispositivos funcionales adyacentes entre si. Los datos de formacion de imagenes capturados por el dispositivo 121 de formacion de imagenes se envlan al procesador 125 de datos de formacion de imagenes. De acuerdo con los datos de formacion de imagenes, el procesador 125 de datos de formacion de imagenes calcula dichos datos de punto focal en el que el punto focal de la luz visible de la fuente 117 de luz de observacion se posiciona en la cara frontal 3 (S107).
Los datos del punto focal se envlan al controlador 115 de etapa. De acuerdo con los datos del punto focal, el controlador 115 de etapa mueve la etapa 113 del eje Z en la direccion del eje Z (S109). Como consecuencia, el punto focal de luz visible de la fuente 117 de luz de observacion esta situado en la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1. De acuerdo con los datos de formacion de imagenes, el procesador 125 de datos de formacion de imagenes calcula los datos de formacion de imagenes ampliadas de la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 que incluye la llnea 5 a lo largo de la cual debe cortarse el sustrato. Los datos de imagenes ampliadas se envlan al monitor 129 por medio del controlador global 127, por lo que una imagen ampliada de la llnea 5 a lo largo de la cual debe cortarse el sustrato y su vecindad se muestra en el monitor 129.
Los datos de cantidad de movimiento determinados en la etapa S103 se han introducido de antemano en el controlador global 127 y se envlan al controlador 115 de etapa. De acuerdo con los datos de cantidad de movimiento, el controlador 115 de etapa hace que la etapa 113 de eje Z mueva el sustrato 1 en la direccion del eje Z hasta una posicion en la que el punto de convergencia de la luz P de la luz laser L este posicionad dentro del sustrato semiconductor 1 (S111).
Posteriormente, la luz laser L se genera desde la fuente 101 de luz laser, para irradiar la llnea 5 a lo largo de la cual el sustrato debe cortarse en la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1. Despues, la etapa 109 del eje X y la etapa 111 del eje Y se desplazan a lo largo la llnea 5 a lo largo de la cual el sustrato debe cortarse, para formar una region procesada fundida en la llnea 5 a lo largo de la cual el sustrato debe cortarse, formando de este modo una region de punto de partida para el corte dentro del sustrato semiconductor 1 en la llnea 5 a lo largo de la cual debe cortarse el sustrato (S113).
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Lo anterior completa la etapa de formar una region de punto de partida para el corte, formando de este modo la region de punto de partida para el corte dentro del sustrato semiconductor 1. Cuando se forma la region de punto de partida para el corte dentro del sustrato semiconductor 1, se genera una fractura en la direccion del espesor del sustrato semiconductor 1 desde la region de punto de partida para el corte que actua como punto de inicio naturalmente o con una fuerza relativamente pequena ejercida sobre el mismo.
En el Ejemplo 1, la region de punto de partida para el corte se forma en una posicion proxima al lado de la cara frontal 3 dentro del sustrato semiconductor 1 en la etapa anteriormente mencionada de formar una region de punto de partida para el corte y se genera una fractura en la direccion del espesor del sustrato semiconductor 1 desde la region de punto de partida para el corte que actua como punto de inicio. La Figura 16 es una vista que muestra el sustrato semiconductor 1 despues de que se forma la region de punto de partida para el corte. Como se muestra en la Figura 16, las fracturas 15 generadas desde la region de punto de partida para el corte que actua como punto de inicio se forman como una rejilla a lo largo de las llneas a cortar y alcanzan solamente la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 pero no su cara posterior 21. Es decir, las fracturas 15 generadas en el sustrato semiconductor 1 separan una pluralidad de dispositivos funcionales 19 formados como una matriz en la cara frontal del sustrato semiconductor 1 entre si. Las superficies de corte del sustrato semiconductor 1 cortadas por las fracturas 15 estan en estrecho contacto entre si.
En el presente documento, "la region de punto de partida para el corte se forma en una posicion proxima al lado de la cara frontal 3 dentro del sustrato semiconductor 1" significa que una region modificada tal como una region procesada fundida que constituye una region de punto de partida para el corte se forma para desplazarse desde la posicion central en la direccion del espesor del sustrato semiconductor 1 (es decir, posicion de medio espesor) hacia la cara frontal 3. Es decir, se refiere a un caso en el que la posicion central de la anchura de la region modificada en la direccion del espesor del sustrato semiconductor 1 es desplazada hacia la cara frontal 3 desde la posicion central en la direccion del espesor del sustrato semiconductor 1 y no esta limitada al caso en el que la region modificada entera este situada en el lado de la cara frontal 3 desde la posicion central en la direccion del espesor del sustrato semiconductor 1.
La etapa de rectificar el sustrato semiconductor 1 se explicara con referencia a las Figuras 17 a 21. Las Figuras 17 a 21 son vistas para explicar las etapas respectivas que incluyen la etapa de rectificar el sustrato semiconductor. En el Ejemplo 1, el sustrato semiconductor 1 se adelgaza desde el espesor de 350 pm hasta un espesor de 50 pm.
Como se muestra en la Figura 17, una pellcula protectora 20 se fija a la cara frontal 3 del sustrato semiconductor despues de que se forma la region de punto de partida para el corte. La pellcula protectora 20 se usa para proteger los dispositivos funcionales 19 formados en la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 y que mantienen el sustrato semiconductor 1. Posteriormente, como se muestra en la Figura 18, la cara posterior 21 del sustrato semiconductor 1 se somete a rectificado superficial y a continuation a grabado al aguafuerte qulmico, por lo que el sustrato semiconductor 1 se adelgaza hasta el espesor de 50 pm. Como consecuencia, es decir, debido al rectificado de la cara posterior 21 del sustrato semiconductor 1, la cara posterior 21 alcanza las fracturas 15 generadas desde la region de punto de partida para el corte que actua como punto de inicio, por lo que el sustrato semiconductor 1 esta dividido en chips semiconductores 25 que tienen los respectivos dispositivos funcionales 19. Ejemplos del grabado al aguafuerte qulmico incluyen grabado al aguafuerte en humedo (HFHNO3) y grabado al aguafuerte con plasma (HBrCl2).
Despues, como se muestra en la Figura 19, se fija una pellcula de expansion 23 para cubrir las caras posteriores de todos los chips semiconductores 25. A continuacion, como se muestra en la Figura 20, la pellcula protectora 20 fijada para cubrir los dispositivos funcionales de todos los chips semiconductores 25 se desprende. Posteriormente, como se muestra en la Figura 21, la pellcula de expansion 23 se expande, de modo que los chips semiconductores 25 se separan entre si, y una placa 27 metalica circular de suction recoge los chips semiconductores 25.
Como se ha explicado anteriormente, el metodo de division del sustrato de acuerdo con el Ejemplo 1 puede rectificar la cara posterior 21 del sustrato semiconductor 1 despues de formar los dispositivos funcionales 19 en la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 en el procedimiento de fabrication del dispositivo. Tambien, debido a los siguientes efectos expuestos respectivamente por la etapa de formar una region de punto de partida para el corte y la etapa de rectificar el sustrato semiconductor, los chips semiconductores 25 adelgazados para responder al tamano mas pequeno de dispositivos semiconductores pueden obtenerse con un rendimiento favorable.
Es decir, la etapa de formar una region de punto de partida para el corte puede evitar fracturas innecesarias y la fusion desviada de una llnea deseable a lo largo de la cual debe cortarse el sustrato para cortar el sustrato semiconductor 1 y, por tanto, evitar que se produzcan fracturas innecesarias y fusion en los chips semiconductores 25 obtenidos dividiendo el sustrato semiconductor 1.
La etapa de formation de una region de punto de partida para el corte no funde la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 en la llnea a lo largo de la cual el sustrato debe cortarse y, por tanto, puede estrechar el hueco entre los dispositivos funcionales 19 adyacentes entre si, haciendo posible de este modo aumentar el numero de chips semiconductores 25 separados de un sustrato semiconductor 1.
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Por otra parte, la etapa de rectificado del sustrato semiconductor somete la cara posterior 21 del sustrato semiconductor 1 al rectificado superficial de tal manera que el sustrato semiconductor 1 alcance un espesor predeterminado despues de que se forme la region de punto de partida para el corte dentro del sustrato semiconductor 1. En el presente documento, incluso si la cara posterior 21 alcanza las fracturas 15 generadas desde la region de punto de partida para el corte que actua como punto de inicio, las superficies de corte del sustrato semiconductor 1 cortadas por las fracturas 15 estan en estrecho contacto entre si, por lo que se puede evitar que el sustrato semiconductor 1 se astille y se craquee debido al rectificado superficial. Por lo tanto, el sustrato semiconductor 1 puede hacerse mas delgado y dividido, evitando al mismo tiempo que se produzca el astillado y el craqueo.
El estrecho contacto de las superficies de corte en el sustrato semiconductor 1 tambien es eficaz para evitar que el polvo de la molienda provocado por el rectificado superficial entre en las fracturas 15 y evita la contaminacion de los chips semiconductores 25 obtenidos dividiendo el sustrato semiconductor 1 con el polvo de la molienda. De forma analoga, el estrecho contacto de las superficies de corte en el sustrato semiconductor 1 es eficaz para reducir el desprendimiento de los chips semiconductores 25 causado por el rectificado superficial en comparacion con el caso en el que los chips semiconductores 25 estan separados entre si. Es decir, como pellcula protectora 20, se puede usar una con una potencia de retencion baja.
Ya que la cara posterior 21 del sustrato semiconductor 1 esta sometida a grabado al aguafuerte qulmico, las caras posteriores de los chips semiconductores 25 obtenidos dividiendo el sustrato semiconductor 1 pueden hacerse mas suaves. Ademas, ya que las superficies de corte del sustrato semiconductor 1 causadas por las fracturas 15 generadas desde la region de punto de partida para el corte que actua como punto de inicio estan en estrecho contacto entre si, solo las partes de borde de las superficies de corte en el lado de la cara posterior se graban al aguafuerte selectivamente como se muestra en la Figura 22, por lo que se forman los chaflanes 29. Por lo tanto, se puede mejorar la resistencia a la rotura transversal de los chips semiconductores 25 obtenidos dividiendo el sustrato semiconductor 1 y se puede evitar que se produzca el astillado y el craqueo en los chips semiconductores 25.
La relacion entre el chip semiconductor 25 y la region 13 procesada fundida despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor incluye las mostradas en las Figuras 23A a 25B. Los chips semiconductores 25 mostrados en estos dibujos tienen sus respectivos efectos explicados mas adelante, y por tanto pueden usarse de acuerdo con diversas finalidades. La Figura 23A, 24A y 25A muestran el caso en el que la fractura 15 alcanza la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 antes de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor, mientras que las Figuras 23B, 24B y 25b muestra el caso en el que la fractura 15 no alcanza la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 antes de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor. Incluso en el caso de las Figuras 23B, 24B y 25B, la fractura 15 alcanza la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor.
En el chip semiconductor 25 que tiene la region 13 procesada fundida que permanece dentro de la superficie de contacto como se muestra en las Figuras 23A y 23B, la superficie de corte esta protegida por la region 13 procesada fundida, por lo que mejora la resistencia a la rotura transversal del chip semiconductor 25.
El chip semiconductor 25 en el que la region 13 procesada fundida no permanece dentro de la superficie de corte como se muestra en las Figuras. 24A y 24B es eficaz en el caso en el que la region 13 procesada fundida no influye favorablemente en el dispositivo semiconductor.
En el chip semiconductor 25 en el que la region 13 procesada fundida permanece en una parte de borde en el lado de la cara posterior de la superficie de corte como se muestra en las Figuras 25A y 25B, la parte de borde esta protegida por la region 13 procesada fundida, por lo que se puede evitar que se produzca el astillado y el craqueo en la parte de borde como en el caso en que la parte de borde del chip semiconductor 25 esta achaflana.
La rectilinearidad de la superficie de corte obtenida despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor mejora mas en el caso en el que la fractura 15 no alcanza la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 antes de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor como se muestra en las Figuras 23B, 24B y 25B que en el caso en el que la fractura 15 alcanza la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 antes de la etapa de rectificado del sustrato semiconductor como se muestra en las Figuras 23A, 24A y 25A.
Si la fractura alcanza o no la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 depende no solo de la profundidad de la region 13 procesada fundida desde la cara frontal 3, sino tambien del tamano de la region 13 procesada fundida. Es decir, cuando la region 13 procesada fundida se hace mas pequena, la fractura 15 no alcanza la cara frontal 3 del sustrato semiconductor 1 incluso si la profundidad de la region 13 procesada fundida desde la cara frontal 3 es pequena. El tamano de la region 13 procesada fundida puede ser controlado por la salida de la luz laser de pulso en la etapa de formacion de una region de punto de partida para el corte, por ejemplo, y se hace mayor y menor a medida que la salida de la luz laser de pulso es mas alta e inferior, respectivamente.
En vista de un espesor predeterminado del sustrato semiconductor 1 adelgazado en la etapa de rectificar el sustrato semiconductor, se prefiere que las partes marginales (partes perifericas exteriores) del sustrato semiconductor 1 se redondeen al menos en el grosor predeterminado mediante biselado de antemano (por ejemplo, antes de la etapa de
formar una region de punto de partida para el corte). Las Figuras 26A y 26B son respectivas vistas en seccion de una parte marginal del sustrato semiconductor 1 antes y despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor de acuerdo con el Ejemplo 1. El espesor del semiconductor 1 mostrado en la Figura 26A antes de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor es de 350 pm, mientras que el espesor del semiconductor 1 mostrado en la 5 Figura 26B despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor es de 50 pm. Como se muestra en la Figura 26A, una pluralidad de porciones redondeadas (siete aqul) se forman de antemano en la parte marginal del sustrato semiconductor 1 mediante biselado con un espesor de 50 pm cada uno, es decir, se hace que la parte marginal del sustrato semiconductor 1 tenga una forma ondulada. Como consecuencia, la parte marginal del sustrato semiconductor 1 despues de la etapa de rectificar el sustrato semiconductor 1 alcanza un estado redondeado por 10 biselado como se muestra en la Figura 26B, por lo que se puede evitar que el astillado y el craqueo se produzcan en la parte marginal, y la manipulacion puede facilitarse debido a una mejora de la resistencia mecanica.
Aplicabilidad industrial
15 Como se ha explicado anteriormente, la presente invencion puede adelgazar y dividir el sustrato evitando al mismo tiempo que se produzca el astillado y el craqueo.

Claims (4)

  1. 5
    10
    15
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    35
    REIVINDICACIONES
    1. Un metodo de division de sustrato que comprende las etapas de:
    irradiar un sustrato semiconductor (1), teniendo el sustrato semiconductor (1) una cara frontal (3) sobre la que se forman una pluralidad de dispositivos funcionales, con luz laser (L) mientras que se posiciona un punto de convergencia de luz (P) dentro del sustrato semiconductor (1) para formar una region procesada fundida (7, 13) debido a absorcion multifoton solamente dentro del sustrato semiconductor (1), formando la region procesada fundida (7, 13) una region de punto de partida para el corte a lo largo de una llnea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor (1) debe cortarse, dentro del sustrato semiconductor (1), una distancia predeterminada desde una cara incidente de luz laser del sustrato;
    colocar una pellcula protectora (20) sobre la cara frontal (3) del sustrato semiconductor (1) despues de dicha etapa de irradiacion, para mantener el sustrato semiconductor (1);
    rectificar y a continuacion grabar al aguafuerte una cara posterior (21) del sustrato semiconductor (1) despues de la etapa de colocar la pellcula protectora (19) sobre la cara frontal (3) del sustrato semiconductor (1) hasta alcanzar un espesor predeterminado, tras lo cual el sustrato semiconductor (1) esta dividido en una pluralidad de chips por fracturas (15) generadas desde la region procesada fundida (7, 13) a lo largo de la llnea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor (1) debe cortarse y que alcanzan la cara frontal (3) y la cara posterior (21) del sustrato semiconductor (3);
    fijar una pellcula de expansion (23) a las caras posteriores de los chips despues de la etapa de dividir el sustrato semiconductor (1) en los chips;
    retirar la capa protectora (19) de la cara frontal (3) del sustrato semiconductor (1); y
    expandir la pellcula de expansion (23) despues de la etapa de fijar la pellcula de expansion (23) para separar los chips entre si.
  2. 2. Un metodo de division de sustrato de acuerdo con la reivindicacion 1, en el que despues de formarse la region procesada fundida (7, 13) y antes de rectificar la cara posterior (21) del sustrato (1), el sustrato semiconductor (1) esta dividido por fracturas (15) generadas desde la region procesada fundida (7, 13) en una pluralidad de chips a lo largo de la llnea a lo largo de la cual el sustrato semiconductor (1) debe cortarse.
  3. 3. Un metodo de division de sustrato de acuerdo con las reivindicaciones 1 o 2, en el que la etapa de rectificar la cara posterior (21) del sustrato semiconductor (1) incluye una etapa de rectificar la etapa posterior (21) del sustrato semiconductor (1) de modo que la region procesada fundida (7, 13) permanezca en el sustrato semiconductor (1).
  4. 4. Un metodo de division de sustrato de acuerdo con las reivindicaciones 1 o 2, en el que la etapa de rectificar la cara posterior (21) del sustrato semiconductor (1) incluye una etapa de rectificar la cara posterior (21) del sustrato semiconductor (1) de modo que la region procesada fundida (7, 13) no permanezca en el sustrato semiconductor (1).
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Families Citing this family (310)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
ATE362653T1 (de) 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ES2356817T3 (es) * 2002-03-12 2011-04-13 Hamamatsu Photonics K.K. Método de corte de un objeto procesado.
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
US8685838B2 (en) 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
JP4342832B2 (ja) * 2003-05-16 2009-10-14 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
JP4494728B2 (ja) * 2003-05-26 2010-06-30 株式会社ディスコ 非金属基板の分割方法
CN1826207B (zh) * 2003-07-18 2010-06-16 浜松光子学株式会社 激光加工方法、激光加工装置以及加工产品
JP4563097B2 (ja) 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4601965B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
CN100428418C (zh) * 2004-02-09 2008-10-22 株式会社迪斯科 晶片的分割方法
JP4082400B2 (ja) * 2004-02-19 2008-04-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
JP2005252126A (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP4584607B2 (ja) * 2004-03-16 2010-11-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5138219B2 (ja) 2004-03-30 2013-02-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4536407B2 (ja) * 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
JP4694795B2 (ja) * 2004-05-18 2011-06-08 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
US7459377B2 (en) * 2004-06-08 2008-12-02 Panasonic Corporation Method for dividing substrate
JP4733934B2 (ja) * 2004-06-22 2011-07-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP4447392B2 (ja) * 2004-07-23 2010-04-07 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法および分割装置
EP1775059B1 (en) * 2004-08-06 2015-01-07 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and semiconductor device
JP2006108532A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの研削方法
JP4781661B2 (ja) 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4565977B2 (ja) * 2004-11-25 2010-10-20 株式会社東京精密 フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置
JP4762653B2 (ja) * 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP2007134454A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
KR100858983B1 (ko) * 2005-11-16 2008-09-17 가부시키가이샤 덴소 반도체 장치 및 반도체 기판 다이싱 방법
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP2007235069A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工方法
JP2007235068A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工方法
JP2007317747A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Seiko Epson Corp 基板分割方法及び液体噴射ヘッドの製造方法
JP5183892B2 (ja) 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
ES2428826T3 (es) * 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
KR101428823B1 (ko) * 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP2070636B1 (en) 2006-10-04 2015-08-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP4306717B2 (ja) * 2006-11-09 2009-08-05 セイコーエプソン株式会社 シリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法
US8530784B2 (en) * 2007-02-01 2013-09-10 Orbotech Ltd. Method and system of machining using a beam of photons
US7888236B2 (en) * 2007-05-14 2011-02-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication methods thereof
DE112008001389B4 (de) 2007-05-25 2024-01-18 Hamamatsu Photonics K.K. Schneidbearbeitungsverfahren
JP5336054B2 (ja) * 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP2009032970A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Rohm Co Ltd 窒化物半導体素子の製造方法
JP5449665B2 (ja) * 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5134928B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5054496B2 (ja) * 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5160868B2 (ja) * 2007-12-06 2013-03-13 株式会社ディスコ 基板への改質層形成方法
JP2009290148A (ja) * 2008-06-02 2009-12-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP5231136B2 (ja) * 2008-08-22 2013-07-10 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5692969B2 (ja) 2008-09-01 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム
DE102008052006B4 (de) 2008-10-10 2018-12-20 3D-Micromac Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Proben für die Transmissionselektronenmikroskopie
US20110300692A1 (en) * 2008-10-29 2011-12-08 Oerlikon Solar Ag, Trubbach Method for dividing a semiconductor film formed on a substrate into plural regions by multiple laser beam irradiation
KR101539246B1 (ko) 2008-11-10 2015-07-24 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 장치의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발광 장치
JP5254761B2 (ja) 2008-11-28 2013-08-07 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5241527B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
CN102307699B (zh) 2009-02-09 2015-07-15 浜松光子学株式会社 加工对象物的切断方法
WO2010098186A1 (ja) 2009-02-25 2010-09-02 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
JP5639997B2 (ja) 2009-04-07 2014-12-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5491761B2 (ja) 2009-04-20 2014-05-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5307612B2 (ja) * 2009-04-20 2013-10-02 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP5340807B2 (ja) * 2009-05-21 2013-11-13 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの加工方法
JP5340806B2 (ja) * 2009-05-21 2013-11-13 株式会社ディスコ 半導体ウエーハのレーザ加工方法
JP5340808B2 (ja) * 2009-05-21 2013-11-13 株式会社ディスコ 半導体ウエーハのレーザ加工方法
JP5537081B2 (ja) 2009-07-28 2014-07-02 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
EP2465634B1 (en) 2009-08-11 2021-11-10 Hamamatsu Photonics K.K. Laser machining device and laser machining method
JP5379604B2 (ja) 2009-08-21 2013-12-25 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びチップ
JP2011077235A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Nitto Denko Corp 素子保持用粘着シートおよび素子の製造方法
JP5595716B2 (ja) * 2009-11-18 2014-09-24 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP2011114018A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスの製造方法
JP5709370B2 (ja) * 2009-11-26 2015-04-30 株式会社ディスコ 切削装置及び切削方法
JP5149888B2 (ja) 2009-12-04 2013-02-20 リンテック株式会社 ステルスダイシング用粘着シート及び半導体装置の製造方法
DE102010009015A1 (de) * 2010-02-24 2011-08-25 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips
JP5710133B2 (ja) * 2010-03-16 2015-04-30 株式会社ディスコ ワークの分割方法
JP2011200926A (ja) * 2010-03-26 2011-10-13 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd レーザ加工方法及び脆性材料基板
JP5840828B2 (ja) * 2010-04-12 2016-01-06 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
US8950217B2 (en) 2010-05-14 2015-02-10 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed, method of cutting strengthened glass sheet and method of manufacturing strengthened glass member
JP5670647B2 (ja) 2010-05-14 2015-02-18 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5549403B2 (ja) * 2010-06-16 2014-07-16 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP5653110B2 (ja) 2010-07-26 2015-01-14 浜松ホトニクス株式会社 チップの製造方法
EP2600411B1 (en) 2010-07-26 2019-08-21 Hamamatsu Photonics K.K. Method for manufacturing light-absorbing substrate and method for manufacturing die for manufacturing light-absorbing substrate
WO2012014724A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 基板加工方法
EP2599577A4 (en) 2010-07-26 2016-06-15 Hamamatsu Photonics Kk LASER PROCESSING
WO2012014717A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
CN103025474B (zh) 2010-07-26 2015-04-01 浜松光子学株式会社 激光加工方法
JP5574866B2 (ja) 2010-07-26 2014-08-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5389264B2 (ja) 2010-07-26 2014-01-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5702556B2 (ja) 2010-07-26 2015-04-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5693074B2 (ja) 2010-07-26 2015-04-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US8841213B2 (en) 2010-07-26 2014-09-23 Hamamatsu Photonics K.K. Method for manufacturing interposer
EP2599582B1 (en) 2010-07-26 2020-03-25 Hamamatsu Photonics K.K. Substrate processing method
JP2012033668A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd レーザ加工方法
JP5584560B2 (ja) * 2010-08-31 2014-09-03 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザスクライブ方法
US8722516B2 (en) 2010-09-28 2014-05-13 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device
JP2012089709A (ja) * 2010-10-20 2012-05-10 Disco Abrasive Syst Ltd ワークの分割方法
KR101688591B1 (ko) 2010-11-05 2016-12-22 삼성전자주식회사 반도체 칩의 제조 방법
JP2012104644A (ja) * 2010-11-10 2012-05-31 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ破断方法およびウェーハ破断装置
JP5733954B2 (ja) * 2010-11-15 2015-06-10 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの分割方法
JP5758116B2 (ja) * 2010-12-16 2015-08-05 株式会社ディスコ 分割方法
JP5819605B2 (ja) * 2010-12-17 2015-11-24 株式会社ディスコ 基板の分割方法
JP5480169B2 (ja) * 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5503580B2 (ja) * 2011-03-17 2014-05-28 古河電気工業株式会社 脆性ウェハ加工用粘着テープ
US8538576B2 (en) * 2011-04-05 2013-09-17 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Method of configuring a dicing device, and a dicing apparatus for dicing a workpiece
JP5753734B2 (ja) * 2011-05-19 2015-07-22 日本特殊陶業株式会社 配線基板、多数個取り配線基板、およびその製造方法
JP2013008831A (ja) * 2011-06-24 2013-01-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP6388536B2 (ja) * 2011-06-27 2018-09-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 超音波振動子アセンブリ及びその製造方法
RU2469433C1 (ru) * 2011-07-13 2012-12-10 Юрий Георгиевич Шретер Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты)
JP2013042119A (ja) * 2011-07-21 2013-02-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法
US8575758B2 (en) * 2011-08-04 2013-11-05 Texas Instruments Incorporated Laser-assisted cleaving of a reconstituted wafer for stacked die assemblies
US8569086B2 (en) * 2011-08-24 2013-10-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device and method of dicing semiconductor devices
CN102990227A (zh) * 2011-09-08 2013-03-27 技鼎股份有限公司 单一波长多层雷射加工的方法
US20130095581A1 (en) * 2011-10-18 2013-04-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Thick window layer led manufacture
CN102515495B (zh) * 2011-12-13 2015-01-21 意力(广州)电子科技有限公司 面板玻璃多模加工方法及采用该方法加工的半成品
KR101909633B1 (ko) 2011-12-30 2018-12-19 삼성전자 주식회사 레이저 스크라이빙을 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 절단 방법
JP5969214B2 (ja) * 2012-01-30 2016-08-17 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP2013157455A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Hamamatsu Photonics Kk 半導体デバイスの製造方法
JP6012185B2 (ja) * 2012-01-30 2016-10-25 浜松ホトニクス株式会社 半導体デバイスの製造方法
JP2013157449A (ja) * 2012-01-30 2013-08-15 Hamamatsu Photonics Kk 半導体デバイスの製造方法
WO2013117667A1 (de) * 2012-02-10 2013-08-15 Arges Gmbh Kontrastierungsverfahren mittels laser sowie vorrichtung zur durchführung eines kontrasierungsverfahrens
JP5988601B2 (ja) * 2012-02-13 2016-09-07 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの分割方法
KR101883843B1 (ko) * 2012-02-16 2018-08-01 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자의 벽개면 형성 방법
JP5988603B2 (ja) * 2012-02-17 2016-09-07 株式会社ディスコ 光デバイスウェーハの分割方法
US10052848B2 (en) * 2012-03-06 2018-08-21 Apple Inc. Sapphire laminates
JP2013219076A (ja) * 2012-04-04 2013-10-24 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
WO2013150427A1 (en) * 2012-04-05 2013-10-10 Koninklijke Philips N.V. Led thin-film device partial singulation prior to substrate thinning or removal
JP2013219271A (ja) * 2012-04-11 2013-10-24 Disco Abrasive Syst Ltd 光デバイスウエーハの加工方法
JP6011002B2 (ja) * 2012-04-23 2016-10-19 セイコーエプソン株式会社 液体噴射ヘッドの製造方法、及び、液体噴射装置の製造方法
TWI581451B (zh) * 2012-05-21 2017-05-01 晶元光電股份有限公司 光電元件及其製造方法
US9266192B2 (en) 2012-05-29 2016-02-23 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for processing workpieces
CN103456847B (zh) * 2012-06-01 2017-12-26 晶元光电股份有限公司 光电元件及其制造方法
JP6001931B2 (ja) * 2012-06-14 2016-10-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2014011381A (ja) * 2012-07-02 2014-01-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP2014013807A (ja) * 2012-07-04 2014-01-23 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
KR20140006484A (ko) * 2012-07-05 2014-01-16 삼성전자주식회사 반도체 발광소자의 제조방법
JP6013858B2 (ja) * 2012-10-01 2016-10-25 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6087565B2 (ja) 2012-10-03 2017-03-01 株式会社ディスコ 研削装置および研削方法
JP2014082317A (ja) * 2012-10-16 2014-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP6026222B2 (ja) 2012-10-23 2016-11-16 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6064519B2 (ja) * 2012-10-29 2017-01-25 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法
US20140145294A1 (en) * 2012-11-28 2014-05-29 Nxp B.V. Wafer separation
US8809166B2 (en) * 2012-12-20 2014-08-19 Nxp B.V. High die strength semiconductor wafer processing method and system
JP6062287B2 (ja) * 2013-03-01 2017-01-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6113529B2 (ja) 2013-03-05 2017-04-12 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6158551B2 (ja) * 2013-03-26 2017-07-05 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
KR101857336B1 (ko) 2013-04-04 2018-05-11 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 기판을 분리시키기 위한 방법 및 장치
CN103400779B (zh) * 2013-07-09 2014-09-03 程君 一种半导体显示面板的制造方法
EP3025378B1 (en) 2013-07-22 2020-05-06 Lumileds Holding B.V. Method of separating light emitting devices formed on a substrate wafer
US20150034613A1 (en) * 2013-08-02 2015-02-05 Rofin-Sinar Technologies Inc. System for performing laser filamentation within transparent materials
US9102011B2 (en) 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for non-ablative, photoacoustic compression machining in transparent materials using filamentation by burst ultrafast laser pulses
CN103441103B (zh) * 2013-08-29 2016-06-01 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 晶圆切割方法
CN103441104B (zh) * 2013-08-29 2016-06-22 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 晶圆切割方法
JP6232230B2 (ja) * 2013-08-30 2017-11-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6257979B2 (ja) * 2013-09-24 2018-01-10 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
DE102014013107A1 (de) 2013-10-08 2015-04-09 Siltectra Gmbh Neuartiges Waferherstellungsverfahren
US10017410B2 (en) 2013-10-25 2018-07-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of fabricating a glass magnetic hard drive disk platter using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US11053156B2 (en) 2013-11-19 2021-07-06 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses
US10005152B2 (en) 2013-11-19 2018-06-26 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses
DE102013223637B4 (de) 2013-11-20 2018-02-01 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Behandeln eines lasertransparenten Substrats zum anschließenden Trennen des Substrats
US10144088B2 (en) 2013-12-03 2018-12-04 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
US9154678B2 (en) 2013-12-11 2015-10-06 Apple Inc. Cover glass arrangement for an electronic device
JP6341554B2 (ja) * 2013-12-19 2018-06-13 国立大学法人東京工業大学 半導体装置の製造方法
US9209082B2 (en) 2014-01-03 2015-12-08 International Business Machines Corporation Methods of localized hardening of dicing channel by applying localized heat in wafer kerf
JP6251574B2 (ja) 2014-01-14 2017-12-20 株式会社ディスコ 切削方法
JP6230422B2 (ja) * 2014-01-15 2017-11-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US9938187B2 (en) 2014-02-28 2018-04-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for material processing using multiple filamentation of burst ultrafast laser pulses
JP2015185831A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 旭化成株式会社 窒化物半導体発光素子
JP2015195106A (ja) 2014-03-31 2015-11-05 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP6324796B2 (ja) * 2014-04-21 2018-05-16 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP6319433B2 (ja) 2014-05-23 2018-05-09 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート
KR102355108B1 (ko) 2014-06-10 2022-01-24 린텍 가부시키가이샤 다이싱 시트
JP6305272B2 (ja) 2014-08-14 2018-04-04 株式会社ディスコ 搬送装置
JPWO2016027888A1 (ja) 2014-08-22 2017-06-01 リンテック株式会社 保護膜形成用シートおよび保護膜付き半導体チップの製造方法
US9601437B2 (en) * 2014-09-09 2017-03-21 Nxp B.V. Plasma etching and stealth dicing laser process
DE102014116957A1 (de) 2014-11-19 2016-05-19 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Optisches System zur Strahlformung
DE102014116958B9 (de) 2014-11-19 2017-10-05 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Optisches System zur Strahlformung eines Laserstrahls, Laserbearbeitungsanlage, Verfahren zur Materialbearbeitung und Verwenden einer gemeinsamen langgezogenen Fokuszone zur Lasermaterialbearbeitung
KR102138964B1 (ko) 2014-11-19 2020-07-28 트룸프 레이저-운트 시스템테크닉 게엠베하 비대칭 광학 빔 정형을 위한 시스템
JP6399913B2 (ja) 2014-12-04 2018-10-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2016115800A (ja) * 2014-12-15 2016-06-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
DE102014119581A1 (de) * 2014-12-23 2016-06-23 Wink Stanzwerkzeuge Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung von Stahlblechen für Stanzbleche
JP6399923B2 (ja) * 2014-12-24 2018-10-03 株式会社ディスコ 板状物のレーザー加工方法
WO2016103902A1 (ja) 2014-12-25 2016-06-30 デンカ株式会社 レーザーダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法
JP6391471B2 (ja) * 2015-01-06 2018-09-19 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
WO2016114934A1 (en) * 2015-01-13 2016-07-21 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and system for scribing brittle material followed by chemical etching
JP6438791B2 (ja) * 2015-02-06 2018-12-19 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
JP6395633B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6395632B2 (ja) 2015-02-09 2018-09-26 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6495056B2 (ja) * 2015-03-06 2019-04-03 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
JP2016171214A (ja) * 2015-03-12 2016-09-23 株式会社ディスコ 単結晶基板の加工方法
US9873170B2 (en) 2015-03-24 2018-01-23 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting element
JP6146455B2 (ja) * 2015-03-24 2017-06-14 日亜化学工業株式会社 発光素子の製造方法
JP6429715B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6494382B2 (ja) 2015-04-06 2019-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6425606B2 (ja) 2015-04-06 2018-11-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
DE102015004603A1 (de) 2015-04-09 2016-10-13 Siltectra Gmbh Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen
JP6456766B2 (ja) * 2015-05-08 2019-01-23 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6472333B2 (ja) 2015-06-02 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2017005158A (ja) 2015-06-12 2017-01-05 株式会社ディスコ ウエーハの裏面研削方法
US10406634B2 (en) 2015-07-01 2019-09-10 Apple Inc. Enhancing strength in laser cutting of ceramic components
JP6560040B2 (ja) 2015-07-06 2019-08-14 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6482423B2 (ja) 2015-07-16 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP6482425B2 (ja) 2015-07-21 2019-03-13 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6472347B2 (ja) 2015-07-21 2019-02-20 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP6727948B2 (ja) * 2015-07-24 2020-07-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、製造方法
JP6300763B2 (ja) 2015-08-03 2018-03-28 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP5900811B2 (ja) * 2015-08-28 2016-04-06 株式会社東京精密 半導体基板の割断方法
JP6523882B2 (ja) * 2015-09-02 2019-06-05 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN107922259B (zh) * 2015-09-04 2021-05-07 Ａｇｃ株式会社 玻璃板的制造方法、玻璃板、玻璃物品的制造方法、玻璃物品以及玻璃物品的制造装置
JP6605277B2 (ja) 2015-09-29 2019-11-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP6542630B2 (ja) 2015-09-29 2019-07-10 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP6605278B2 (ja) 2015-09-29 2019-11-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP6625854B2 (ja) * 2015-10-06 2019-12-25 株式会社ディスコ 光デバイスウエーハの加工方法
JP2017131949A (ja) * 2016-01-28 2017-08-03 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法
JP6644580B2 (ja) * 2016-02-24 2020-02-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ光照射装置及びレーザ光照射方法
JP6608732B2 (ja) * 2016-03-01 2019-11-20 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6157668B2 (ja) * 2016-03-02 2017-07-05 株式会社東京精密 ウェーハの加工方法及び加工装置
JP6128666B2 (ja) * 2016-03-02 2017-05-17 株式会社東京精密 半導体基板の割断方法及び割断装置
JP6666173B2 (ja) * 2016-03-09 2020-03-13 株式会社ディスコ レーザー加工装置
WO2017155104A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 浜松ホトニクス株式会社 レーザ光照射装置及びレーザ光照射方法
JP6690983B2 (ja) 2016-04-11 2020-04-28 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法及び実第２のオリエンテーションフラット検出方法
JP6633446B2 (ja) * 2016-04-27 2020-01-22 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6636384B2 (ja) 2016-05-13 2020-01-29 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6723644B2 (ja) 2016-05-16 2020-07-15 株式会社ディスコ エキスパンドシート
WO2017204326A1 (ja) 2016-05-27 2017-11-30 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタの製造方法
JP6341959B2 (ja) 2016-05-27 2018-06-13 浜松ホトニクス株式会社 ファブリペロー干渉フィルタの製造方法
JP6710457B2 (ja) 2016-06-01 2020-06-17 株式会社ディスコ エキスパンドシート、エキスパンドシートの製造方法、及びエキスパンドシートの拡張方法
DE102016111144B4 (de) * 2016-06-17 2024-03-07 Tdk Electronics Ag Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen und Bauelement
JP6103739B2 (ja) * 2016-06-20 2017-03-29 株式会社東京精密 ウェーハ加工方法及びウェーハ加工装置
JP2016201551A (ja) * 2016-06-20 2016-12-01 株式会社東京精密 半導体基板の微小亀裂形成方法及び微小亀裂形成装置
JP6276332B2 (ja) * 2016-07-04 2018-02-07 株式会社東京精密 ウェーハ加工システム
JP6713212B2 (ja) 2016-07-06 2020-06-24 株式会社ディスコ 半導体デバイスチップの製造方法
JP6745165B2 (ja) 2016-08-09 2020-08-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6276347B2 (ja) * 2016-08-18 2018-02-07 株式会社東京精密 ウェーハ加工システム
JP6746211B2 (ja) 2016-09-21 2020-08-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6276356B2 (ja) * 2016-09-21 2018-02-07 株式会社東京精密 ウェーハ加工方法
JP6775880B2 (ja) 2016-09-21 2020-10-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP6276357B2 (ja) * 2016-09-21 2018-02-07 株式会社東京精密 ウェーハ加工方法
JP6821245B2 (ja) * 2016-10-11 2021-01-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN110073468B (zh) 2016-11-02 2023-01-10 琳得科株式会社 切割片
JP6986393B2 (ja) * 2016-11-15 2021-12-22 ビアメカニクス株式会社 基板の加工方法
JP6814613B2 (ja) 2016-11-28 2021-01-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
US10163750B2 (en) * 2016-12-05 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package structure for heat dissipation
DE102016224978B4 (de) * 2016-12-14 2022-12-29 Disco Corporation Substratbearbeitungsverfahren
CN106654063B (zh) * 2016-12-28 2019-11-19 武汉华星光电技术有限公司 柔性oled显示面板的制作方法
JP6197970B2 (ja) * 2017-01-06 2017-09-20 株式会社東京精密 分割起点形成方法及び分割起点形成装置
DE102017200631B4 (de) * 2017-01-17 2022-12-29 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
JP6817822B2 (ja) * 2017-01-18 2021-01-20 株式会社ディスコ 加工方法
JP6858587B2 (ja) 2017-02-16 2021-04-14 株式会社ディスコ ウエーハ生成方法
JP6276437B2 (ja) * 2017-02-16 2018-02-07 株式会社東京精密 抗折強度の高い薄型チップの形成方法及び形成システム
JP6649308B2 (ja) * 2017-03-22 2020-02-19 キオクシア株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6957187B2 (ja) * 2017-04-18 2021-11-02 浜松ホトニクス株式会社 チップの製造方法、及び、シリコンチップ
JP6951124B2 (ja) 2017-05-23 2021-10-20 株式会社ディスコ 加工方法
JP2017224826A (ja) * 2017-06-27 2017-12-21 株式会社東京精密 抗折強度の高い薄型チップの形成方法及び形成システム
DE102017212858B4 (de) 2017-07-26 2024-08-29 Disco Corporation Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats
JP6980444B2 (ja) * 2017-07-28 2021-12-15 浜松ホトニクス株式会社 積層型素子の製造方法
JP6941022B2 (ja) 2017-10-06 2021-09-29 株式会社ディスコ 拡張方法及び拡張装置
KR102450776B1 (ko) * 2017-10-27 2022-10-05 삼성전자주식회사 레이저 가공 방법, 기판 다이싱 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 가공 장치
JP2018046291A (ja) * 2017-11-22 2018-03-22 株式会社東京精密 抗折強度の高い薄型チップの製造システム及び製造方法
JP6925945B2 (ja) * 2017-11-30 2021-08-25 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN108147363B (zh) * 2017-12-22 2019-09-20 烟台睿创微纳技术股份有限公司 一种mems晶圆芯片的分离方法
JP2018142717A (ja) * 2018-04-20 2018-09-13 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
DE102018111227A1 (de) * 2018-05-09 2019-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Durchtrennen eines epitaktisch gewachsenen Halbleiterkörpers und Halbleiterchip
JP2018133593A (ja) * 2018-05-22 2018-08-23 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP6593663B2 (ja) * 2018-06-28 2019-10-23 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
WO2020004210A1 (ja) * 2018-06-29 2020-01-02 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP7154860B2 (ja) 2018-07-31 2022-10-18 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6703073B2 (ja) * 2018-10-03 2020-06-03 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
JP6703072B2 (ja) * 2018-10-03 2020-06-03 株式会社東京精密 ウェハ加工方法及びウェハ加工システム
KR102697974B1 (ko) * 2018-11-21 2024-08-22 서울바이오시스 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 모듈
US11664276B2 (en) * 2018-11-30 2023-05-30 Texas Instruments Incorporated Front side laser-based wafer dicing
TWI681241B (zh) * 2018-12-04 2020-01-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置製作方法及使用該方法製作的顯示裝置
US10576585B1 (en) 2018-12-29 2020-03-03 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
US11024501B2 (en) 2018-12-29 2021-06-01 Cree, Inc. Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region
US10562130B1 (en) 2018-12-29 2020-02-18 Cree, Inc. Laser-assisted method for parting crystalline material
JP7176695B2 (ja) * 2019-03-07 2022-11-22 株式会社Nsc ガラス基板製造方法
JP2019096910A (ja) * 2019-03-13 2019-06-20 株式会社東京精密 レーザ加工システム
JP2019096911A (ja) * 2019-03-13 2019-06-20 株式会社東京精密 レーザ加工システム
JP2019161232A (ja) * 2019-04-22 2019-09-19 株式会社東京精密 レーザ加工システム
JP2019169719A (ja) * 2019-04-25 2019-10-03 株式会社東京精密 レーザ加工システム
US10611052B1 (en) 2019-05-17 2020-04-07 Cree, Inc. Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods
JP2019192937A (ja) * 2019-07-05 2019-10-31 株式会社東京精密 ウェーハ加工システム及びウェーハ加工方法
KR20210020683A (ko) * 2019-08-16 2021-02-24 삼성전자주식회사 반도체 기판 및 이의 절단 방법
JP7358193B2 (ja) 2019-10-28 2023-10-10 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP2020025142A (ja) * 2019-11-18 2020-02-13 株式会社東京精密 抗折強度の高いチップを得るためのウェーハ加工装置及びウェーハ加工方法
JP6653943B1 (ja) * 2019-12-25 2020-02-26 株式会社東京精密 抗折強度の高いチップを得る半導体ウェーハのレーザ加工装置
JP7290843B2 (ja) * 2020-01-24 2023-06-14 株式会社東京精密 亀裂進展装置及び亀裂進展方法
JP7217409B2 (ja) * 2020-01-24 2023-02-03 株式会社東京精密 亀裂進展装置及び亀裂進展方法
JP2020080409A (ja) * 2020-01-24 2020-05-28 株式会社東京精密 レーザ加工システム及びレーザ加工方法
JP2020074454A (ja) * 2020-01-24 2020-05-14 株式会社東京精密 チップ強度の向上を図るレーザ加工システム及びレーザ加工方法
JP7446673B2 (ja) 2020-02-21 2024-03-11 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7460274B2 (ja) 2020-02-21 2024-04-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7446672B2 (ja) 2020-02-21 2024-03-11 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN111298853B (zh) * 2020-02-27 2021-08-10 西人马联合测控（泉州）科技有限公司 芯片的切割成型方法以及晶圆
JP7370902B2 (ja) 2020-02-28 2023-10-30 株式会社ディスコ クラック検出方法
JP7401372B2 (ja) 2020-03-26 2023-12-19 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN111451646A (zh) * 2020-04-24 2020-07-28 苏州镭明激光科技有限公司 一种晶圆激光隐形切割的加工工艺
JP7442939B2 (ja) 2020-07-02 2024-03-05 株式会社ディスコ ウエーハの検査方法
CN113371989A (zh) * 2021-05-26 2021-09-10 苏州镭明激光科技有限公司 一种半导体芯片的裂片方法及裂片装置
JP2023023328A (ja) 2021-08-05 2023-02-16 株式会社ディスコ 検査装置
JP2023025742A (ja) 2021-08-11 2023-02-24 株式会社ディスコ 光照射装置
CN114815340A (zh) * 2022-05-19 2022-07-29 豪威半导体（上海）有限责任公司 Lcos显示器及其制作方法
US20230411169A1 (en) * 2022-06-15 2023-12-21 Western Digital Technologies, Inc. Semiconductor wafer thinned by horizontal stealth lasing
WO2024079849A1 (ja) * 2022-10-13 2024-04-18 株式会社レゾナック 薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法

Family Cites Families (452)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US456233A (en) * 1891-07-21 Lubricator
US3448510A (en) 1966-05-20 1969-06-10 Western Electric Co Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed
JPS4624989Y1 (es) 1967-08-31 1971-08-28
US3629545A (en) 1967-12-19 1971-12-21 Western Electric Co Laser substrate parting
GB1246481A (en) 1968-03-29 1971-09-15 Pilkington Brothers Ltd Improvements in or relating to the cutting of glass
US3613974A (en) 1969-03-10 1971-10-19 Saint Gobain Apparatus for cutting glass
JPS4812599Y1 (es) 1969-03-24 1973-04-05
JPS4812599B1 (es) 1969-07-09 1973-04-21
US3610871A (en) 1970-02-19 1971-10-05 Western Electric Co Initiation of a controlled fracture
US3626141A (en) 1970-04-30 1971-12-07 Quantronix Corp Laser scribing apparatus
US3824678A (en) 1970-08-31 1974-07-23 North American Rockwell Process for laser scribing beam lead semiconductor wafers
US3790744A (en) * 1971-07-19 1974-02-05 American Can Co Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate
US3909582A (en) 1971-07-19 1975-09-30 American Can Co Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate
US3790051A (en) * 1971-09-07 1974-02-05 Radiant Energy Systems Semiconductor wafer fracturing technique employing a pressure controlled roller
US3800991A (en) 1972-04-10 1974-04-02 Ppg Industries Inc Method of and an apparatus for cutting glass
NO134614C (es) 1972-10-12 1976-11-17 Glaverbel
JPS5628630B2 (es) 1973-05-30 1981-07-03
JPS5628630Y2 (es) 1974-10-30 1981-07-07
JPS5157283A (en) 1974-11-15 1976-05-19 Nippon Electric Co Handotaikibanno bunkatsuhoho
US4046985A (en) 1974-11-25 1977-09-06 International Business Machines Corporation Semiconductor wafer alignment apparatus
US3970819A (en) * 1974-11-25 1976-07-20 International Business Machines Corporation Backside laser dicing system
US4190759A (en) 1975-08-27 1980-02-26 Hitachi, Ltd. Processing of photomask
US4027137A (en) 1975-09-17 1977-05-31 International Business Machines Corporation Laser drilling nozzle
NL7609815A (nl) 1976-09-03 1978-03-07 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
JPS5333050A (en) 1976-09-08 1978-03-28 Hitachi Ltd Production of semiconductor element
US4092518A (en) * 1976-12-07 1978-05-30 Laser Technique S.A. Method of decorating a transparent plastics material article by means of a laser beam
JPS53141573A (en) 1977-05-16 1978-12-09 Toshiba Corp Pellet dividing method of semiconductor wafer
JPS53141673A (en) 1977-05-17 1978-12-09 Seiko Epson Corp Digital alarm watch with remaining time display using analogical pattern
JPS53114347A (en) 1977-12-07 1978-10-05 Toshiba Corp Working method for semiconductor device
JPS54161349U (es) 1978-04-29 1979-11-12
JPS54161349A (en) 1978-06-10 1979-12-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Three-dimensional cross type waveguide passage
US4242152A (en) 1979-05-14 1980-12-30 National Semiconductor Corporation Method for adjusting the focus and power of a trimming laser
JPS5628630A (en) 1979-08-16 1981-03-20 Kawasaki Steel Corp Temperature controlling method of high temperature high pressure reacting cylinder
JPS6041478B2 (ja) 1979-09-10 1985-09-17 富士通株式会社 半導体レ−ザ素子の製造方法
JPS5676522A (en) 1979-11-29 1981-06-24 Toshiba Corp Formation of semiconductor thin film
JPS6043236B2 (ja) 1980-03-12 1985-09-27 松下電器産業株式会社 レ−ザ加工方法
JPS56169347A (en) 1980-05-31 1981-12-26 Toshiba Corp Laser scribing device
US4336439A (en) * 1980-10-02 1982-06-22 Coherent, Inc. Method and apparatus for laser scribing and cutting
US4392476A (en) 1980-12-23 1983-07-12 Lazare Kaplan & Sons, Inc. Method and apparatus for placing identifying indicia on the surface of precious stones including diamonds
DE3110235A1 (de) 1981-03-17 1982-10-21 Trumpf GmbH & Co, 7257 Ditzingen "verfahren und vorrichtung zum brennschneiden mittels eines laserstrahls"
JPS5836939A (ja) 1981-08-26 1983-03-04 Toshiba Corp ガラスウエハの切断方法
JPS5854648A (ja) * 1981-09-28 1983-03-31 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 位置合わせ装置
JPS5857767A (ja) 1981-10-01 1983-04-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd レ−ザ装置
US4475027A (en) 1981-11-17 1984-10-02 Allied Corporation Optical beam homogenizer
JPS58181492A (ja) 1982-04-02 1983-10-24 グレタ−ク・アクチエンゲゼルシヤフト 干渉性のある光ビ−ムの焦点合せの方法および装置
JPS58171783A (ja) 1982-04-02 1983-10-08 Hitachi Ltd 磁気バブルメモリチツプ
JPS5916344A (ja) 1982-07-19 1984-01-27 Toshiba Corp ウエハのレ−ザスクライブ装置
JPS6054151B2 (ja) 1982-10-22 1985-11-28 株式会社東芝 レ−ザ切断方法
JPS5976687U (ja) 1982-11-17 1984-05-24 プレスコンクリ−ト工業株式会社 プレキヤスト側溝
JPS59141233A (ja) 1983-02-02 1984-08-13 Nec Corp 半導体装置の製造方法
JPS59150691A (ja) 1983-02-15 1984-08-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd レ−ザ加工機
JPH0611071B2 (ja) * 1983-09-07 1994-02-09 三洋電機株式会社 化合物半導体基板の分割方法
US4546231A (en) 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
JPS59130438A (ja) 1983-11-28 1984-07-27 Hitachi Ltd 板状物の分離法
US4650619A (en) * 1983-12-29 1987-03-17 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Method of machining a ceramic member
JPS60144985A (ja) 1983-12-30 1985-07-31 Fujitsu Ltd 半導体発光素子の製造方法
JPS60167351A (ja) 1984-02-09 1985-08-30 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路装置の製造方法
US4562333A (en) 1984-09-04 1985-12-31 General Electric Company Stress assisted cutting of high temperature embrittled materials
EP0180767B1 (en) 1984-10-11 1990-01-31 Hitachi, Ltd. Optical lens device
JPS6196439A (ja) 1984-10-17 1986-05-15 Toray Ind Inc レンズ欠点検査装置
JPS61112345A (ja) 1984-11-07 1986-05-30 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS61121453A (ja) 1984-11-19 1986-06-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd ぜい性薄板のブレイキング・エキスパンド方法
JPS61220339A (ja) 1985-03-26 1986-09-30 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体材料特性の制御方法
JPS61229487A (ja) * 1985-04-03 1986-10-13 Sasaki Glass Kk レ−ザビ−ムによるガラス切断方法
US4689491A (en) 1985-04-19 1987-08-25 Datasonics Corp. Semiconductor wafer scanning system
JPS624341A (ja) 1985-06-29 1987-01-10 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
KR890004933B1 (ko) * 1985-07-31 1989-11-30 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 터어보분자펌프
JPS6240986A (ja) * 1985-08-20 1987-02-21 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd レ−ザ−加工方法
JPH0732281B2 (ja) 1985-10-25 1995-04-10 株式会社日立製作所 劈開装置及び劈開方法
AU584563B2 (en) 1986-01-31 1989-05-25 Ciba-Geigy Ag Laser marking of ceramic materials, glazes, glass ceramics and glasses
JPH0750811B2 (ja) 1986-06-17 1995-05-31 松下電器産業株式会社 半導体レ−ザの劈開方法
JPS6384789A (ja) 1986-09-26 1988-04-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光加工方法
FR2605310B1 (fr) 1986-10-16 1992-04-30 Comp Generale Electricite Procede de renforcement de pieces ceramiques par traitement au laser
US4815854A (en) * 1987-01-19 1989-03-28 Nec Corporation Method of alignment between mask and semiconductor wafer
JPH0688149B2 (ja) 1987-03-04 1994-11-09 株式会社半導体エネルギ−研究所 光加工方法
JPS63278692A (ja) 1987-05-07 1988-11-16 D S Sukiyanaa:Kk レ−ザ−加工装置に於ける自動焦点機構
JPS63293939A (ja) 1987-05-27 1988-11-30 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
JPS6438209A (en) 1987-08-04 1989-02-08 Nec Corp Preparation of semiconductor device
JPS6438209U (es) 1987-08-29 1989-03-07
JPH01112130A (ja) 1987-10-26 1989-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 赤外光ファイバの評価方法
US5300942A (en) 1987-12-31 1994-04-05 Projectavision Incorporated High efficiency light valve projection system with decreased perception of spaces between pixels and/or hines
JPH01108508U (es) 1988-01-16 1989-07-21
US4981525A (en) * 1988-02-19 1991-01-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
JPH0256987A (ja) * 1988-02-23 1990-02-26 Mitsubishi Electric Corp 混成集積回路の実装方法
FR2627409A1 (fr) 1988-02-24 1989-08-25 Lectra Systemes Sa Appareil de coupe laser muni d'un dispositif d'evacuation des fumees
JPH01225510A (ja) 1988-03-04 1989-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体基板の切断分割方法
JPH01225509A (ja) 1988-03-04 1989-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体基板の分割方法
JPH01133701U (es) * 1988-03-07 1989-09-12
JPH0732281Y2 (ja) 1988-03-31 1995-07-26 株式会社東海理化電機製作所 オートマチツクシートベルト装置
US4908493A (en) 1988-05-31 1990-03-13 Midwest Research Institute Method and apparatus for optimizing the efficiency and quality of laser material processing
JP2680039B2 (ja) 1988-06-08 1997-11-19 株式会社日立製作所 光情報記録再生方法及び記録再生装置
US5017755A (en) 1988-10-26 1991-05-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of repairing liquid crystal display and apparatus using the method
US4982166A (en) 1989-03-01 1991-01-01 Morrow Clifford E Method and apparatus for combining two lower power laser beams to produce a combined higher power beam
JP2507665B2 (ja) * 1989-05-09 1996-06-12 株式会社東芝 電子管用金属円筒部材の製造方法
US5151135A (en) 1989-09-15 1992-09-29 Amoco Corporation Method for cleaning surfaces using UV lasers
JP2810151B2 (ja) 1989-10-07 1998-10-15 ホーヤ株式会社 レーザマーキング方法
JPH03177051A (ja) 1989-12-05 1991-08-01 Kawasaki Steel Corp 半導体ウエハの切断方法およびその装置
JP2765746B2 (ja) 1990-03-27 1998-06-18 科学技術振興事業団 微細修飾・加工方法
JPH0757427B2 (ja) 1989-12-08 1995-06-21 三菱電機株式会社 レーザ切断加工機
JP2891264B2 (ja) 1990-02-09 1999-05-17 ローム 株式会社 半導体装置の製造方法
US5124927A (en) 1990-03-02 1992-06-23 International Business Machines Corp. Latent-image control of lithography tools
US5132505A (en) 1990-03-21 1992-07-21 U.S. Philips Corporation Method of cleaving a brittle plate and device for carrying out the method
JPH03276662A (ja) 1990-03-26 1991-12-06 Nippon Steel Corp ウエハ割断法
JP2578379B2 (ja) 1990-04-27 1997-02-05 株式会社アルファ ロック用電子制御回路
JP2620723B2 (ja) 1990-05-24 1997-06-18 サンケン電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0437492A (ja) 1990-05-31 1992-02-07 Shunichi Maekawa 脆性材料の切断法
US5023877A (en) 1990-06-29 1991-06-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Miniature, optically pumped narrow line solid state laser
JP3024990B2 (ja) * 1990-08-31 2000-03-27 日本石英硝子株式会社 石英ガラス材料の切断加工方法
JP2610703B2 (ja) 1990-09-05 1997-05-14 住友電気工業株式会社 半導体素子の製造方法
TW207588B (es) 1990-09-19 1993-06-11 Hitachi Seisakusyo Kk
JPH04143654A (ja) 1990-10-05 1992-05-18 Hitachi Ltd 超音波探触子の走査装置
JPH04143645A (ja) 1990-10-05 1992-05-18 Nuclear Fuel Ind Ltd 融点測定方法
JPH04167985A (ja) 1990-10-31 1992-06-16 Nagasaki Pref Gov ウェハの割断方法
FR2669427B1 (fr) 1990-11-16 1993-01-22 Thomson Csf Dispositif de controle d'alignement de deux voies optiques et systeme de designation laser equipe d'un tel dispositif de controle.
JPH04188847A (ja) 1990-11-22 1992-07-07 Mitsubishi Electric Corp 粘着テープ
US5211805A (en) * 1990-12-19 1993-05-18 Rangaswamy Srinivasan Cutting of organic solids by continuous wave ultraviolet irradiation
JPH0639572A (ja) 1991-01-11 1994-02-15 Souei Tsusho Kk ウェハ割断装置
IL97479A (en) 1991-03-08 1994-01-25 Shafir Aaron Laser beam heating method and apparatus
JPH04300084A (ja) 1991-03-28 1992-10-23 Toshiba Corp レーザ加工機
JP3165192B2 (ja) 1991-03-28 2001-05-14 株式会社東芝 半導体集積回路装置の製造方法
US5171249A (en) 1991-04-04 1992-12-15 Ethicon, Inc. Endoscopic multiple ligating clip applier
JPH04339586A (ja) 1991-05-13 1992-11-26 Mitsubishi Electric Corp レーザ加工装置
JP3213338B2 (ja) * 1991-05-15 2001-10-02 株式会社リコー 薄膜半導体装置の製法
US5230184A (en) * 1991-07-05 1993-07-27 Motorola, Inc. Distributed polishing head
US5635976A (en) 1991-07-17 1997-06-03 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
JP3352712B2 (ja) 1991-12-18 2002-12-03 浩 天野 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
GB2263195B (en) * 1992-01-08 1996-03-20 Murata Manufacturing Co Component supply method
JP2627696B2 (ja) 1992-01-17 1997-07-09 コマツ電子金属株式会社 Ｃｚ法における融液レベル制御装置および制御方法
RU2024441C1 (ru) * 1992-04-02 1994-12-15 Владимир Степанович Кондратенко Способ резки неметаллических материалов
US5254149A (en) 1992-04-06 1993-10-19 Ford Motor Company Process for determining the quality of temper of a glass sheet using a laser beam
JP3101421B2 (ja) 1992-05-29 2000-10-23 富士通株式会社 整形金属パターンの製造方法
JP2924462B2 (ja) 1992-06-02 1999-07-26 富士ゼロックス株式会社 文書処理装置
JP3088193B2 (ja) * 1992-06-05 2000-09-18 三菱電機株式会社 Ｌｏｃ構造を有する半導体装置の製造方法並びにこれに使用するリードフレーム
US5812261A (en) 1992-07-08 1998-09-22 Active Impulse Systems, Inc. Method and device for measuring the thickness of opaque and transparent films
GB9216643D0 (en) * 1992-08-05 1992-09-16 Univ Loughborough Automatic operations on materials
US5265114C1 (en) 1992-09-10 2001-08-21 Electro Scient Ind Inc System and method for selectively laser processing a target structure of one or more materials of a multimaterial multilayer device
WO1994014567A1 (en) 1992-12-18 1994-07-07 Firebird Traders Ltd. Process and apparatus for etching an image within a solid article
JP3255741B2 (ja) 1992-12-22 2002-02-12 リンテック株式会社 ウェハダイシング方法、およびこの方法に用いる放射線照射装置ならびにウェハ貼着用粘着シート
JP2720744B2 (ja) 1992-12-28 1998-03-04 三菱電機株式会社 レーザ加工機
US5382770A (en) * 1993-01-14 1995-01-17 Reliant Laser Corporation Mirror-based laser-processing system with visual tracking and position control of a moving laser spot
US5359176A (en) 1993-04-02 1994-10-25 International Business Machines Corporation Optics and environmental protection device for laser processing applications
US5321717A (en) 1993-04-05 1994-06-14 Yoshifumi Adachi Diode laser having minimal beam diameter and optics
US5637244A (en) * 1993-05-13 1997-06-10 Podarok International, Inc. Method and apparatus for creating an image by a pulsed laser beam inside a transparent material
WO1994029069A1 (fr) * 1993-06-04 1994-12-22 Seiko Epson Corporation Appareil et procede d'usinage au laser, et panneau a cristaux liquides
JPH0775955A (ja) 1993-06-17 1995-03-20 Disco Abrasive Syst Ltd 精密切削装置
US5580473A (en) 1993-06-21 1996-12-03 Sanyo Electric Co. Ltd. Methods of removing semiconductor film with energy beams
JPH0729855A (ja) 1993-07-12 1995-01-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体ウエハのエキスパンデイング方法
US5699145A (en) 1993-07-14 1997-12-16 Nikon Corporation Scanning type exposure apparatus
JPH0732281A (ja) 1993-07-19 1995-02-03 Toyoda Mach Works Ltd ロボット制御装置
JP2616247B2 (ja) 1993-07-24 1997-06-04 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JPH0740336A (ja) 1993-07-30 1995-02-10 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの加工方法
GB2281129B (en) * 1993-08-19 1997-04-09 United Distillers Plc Method of marking a body of glass
JPH0776167A (ja) 1993-09-08 1995-03-20 Miyachi Technos Kk レーザマーキング方法
US5376793A (en) 1993-09-15 1994-12-27 Stress Photonics, Inc. Forced-diffusion thermal imaging apparatus and method
DE4331262C2 (de) 1993-09-15 1996-05-15 Wissner Rolf Lasermaschine zur Bearbeitung eines Werkstücks und Verfahren zur Steuerung einer Lasermaschine
US5424548A (en) 1993-09-21 1995-06-13 International Business Machines Corp. Pattern specific calibration for E-beam lithography
US5393482A (en) 1993-10-20 1995-02-28 United Technologies Corporation Method for performing multiple beam laser sintering employing focussed and defocussed laser beams
JP2760288B2 (ja) 1993-12-28 1998-05-28 日本電気株式会社 ビアホール形成法及びフィルム切断法
DE4404141A1 (de) * 1994-02-09 1995-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrahlformung, insbesondere bei der Laserstrahl-Oberflächenbearbeitung
US5631734A (en) 1994-02-10 1997-05-20 Affymetrix, Inc. Method and apparatus for detection of fluorescently labeled materials
US5521999A (en) 1994-03-17 1996-05-28 Eastman Kodak Company Optical system for a laser printer
JPH07263382A (ja) 1994-03-24 1995-10-13 Kawasaki Steel Corp ウェーハ固定用テープ
US5656186A (en) * 1994-04-08 1997-08-12 The Regents Of The University Of Michigan Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation
AU2359195A (en) 1994-04-19 1995-11-10 Thomas Jefferson University Viral ribonucleocapsid as an immunological enhancer
JP3800616B2 (ja) * 1994-06-27 2006-07-26 株式会社ニコン 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置
JPH0866790A (ja) 1994-08-30 1996-03-12 Sony Corp レーザ加工装置
US5504772A (en) 1994-09-09 1996-04-02 Deacon Research Laser with electrically-controlled grating reflector
US5776220A (en) * 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
US5622540A (en) * 1994-09-19 1997-04-22 Corning Incorporated Method for breaking a glass sheet
US5774222A (en) 1994-10-07 1998-06-30 Hitachi, Ltd. Manufacturing method of semiconductor substrative and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected
JP3374880B2 (ja) 1994-10-26 2003-02-10 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法、及び半導体装置
JP3535241B2 (ja) 1994-11-18 2004-06-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体デバイス及びその作製方法
JPH08148692A (ja) 1994-11-24 1996-06-07 Sony Corp 薄膜半導体装置の製造方法
US5543365A (en) * 1994-12-02 1996-08-06 Texas Instruments Incorporated Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon
JP2971003B2 (ja) 1994-12-22 1999-11-02 株式会社アドバンテスト レーザリペア装置のレンズの汚れを検出する装置
JPH08197271A (ja) 1995-01-27 1996-08-06 Ricoh Co Ltd 脆性材料の割断方法及び脆性材料の割断装置
US5841543A (en) 1995-03-09 1998-11-24 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for verifying the presence of a material applied to a substrate
JPH08264488A (ja) 1995-03-22 1996-10-11 Nec Corp ウェハスクライブ装置及び方法
JP3509985B2 (ja) 1995-03-24 2004-03-22 三菱電機株式会社 半導体デバイスのチップ分離方法
US5786560A (en) * 1995-03-31 1998-07-28 Panasonic Technologies, Inc. 3-dimensional micromachining with femtosecond laser pulses
KR0174773B1 (ko) 1995-03-31 1999-04-01 모리시다 요이치 반도체장치의 검사방법
JP2737744B2 (ja) 1995-04-26 1998-04-08 日本電気株式会社 ウエハプロービング装置
US5870133A (en) 1995-04-28 1999-02-09 Minolta Co., Ltd. Laser scanning device and light source thereof having temperature correction capability
US5663980A (en) 1995-05-22 1997-09-02 Adachi; Yoshi Semiconductor laser device having changeable wavelength, polarization mode, and beam shape image
JP3138613B2 (ja) 1995-05-24 2001-02-26 三菱電機株式会社 レーザ加工装置
JPH09150286A (ja) 1995-06-26 1997-06-10 Corning Inc 脆弱性材料切断方法および装置
KR100272785B1 (ko) 1995-06-27 2000-11-15 우찌가사끼 이사오 인쇄배선판용프리프래그,수지니스,수지조성물및상기물질을사용하여제조된인쇄배선판용적층판
JPH0917756A (ja) 1995-06-28 1997-01-17 Toshiba Corp 半導体用保護テープおよびその使用方法
KR970008386A (ko) 1995-07-07 1997-02-24 하라 세이지 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치
JPH0929472A (ja) 1995-07-14 1997-02-04 Hitachi Ltd 割断方法、割断装置及びチップ材料
JP2809303B2 (ja) 1995-07-28 1998-10-08 関西日本電気株式会社 ウェーハ割断方法
JPH09107168A (ja) 1995-08-07 1997-04-22 Mitsubishi Electric Corp 配線基板のレーザ加工方法、配線基板のレーザ加工装置及び配線基板加工用の炭酸ガスレーザ発振器
JP3923526B2 (ja) 1995-08-31 2007-06-06 コーニング インコーポレイテッド 壊れやすい材料の分断方法および装置
US6057525A (en) * 1995-09-05 2000-05-02 United States Enrichment Corporation Method and apparatus for precision laser micromachining
US5641416A (en) * 1995-10-25 1997-06-24 Micron Display Technology, Inc. Method for particulate-free energy beam cutting of a wafer of die assemblies
WO1997016387A1 (fr) 1995-11-03 1997-05-09 Anatoly Valentinovich Vasilev Procede de formation par laser d'une image dans des objets transparents
US5747769A (en) 1995-11-13 1998-05-05 General Electric Company Method of laser forming a slot
KR0171947B1 (ko) 1995-12-08 1999-03-20 김주용 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치
US5932119A (en) 1996-01-05 1999-08-03 Lazare Kaplan International, Inc. Laser marking system
JP3592018B2 (ja) 1996-01-22 2004-11-24 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ポリイミド接着シートおよびポリイミド用工程フィルム
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
JP3292021B2 (ja) 1996-01-30 2002-06-17 三菱電機株式会社 レーザ加工方法およびレーザ加工装置
JPH09213662A (ja) * 1996-01-31 1997-08-15 Toshiba Corp ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JPH09216085A (ja) 1996-02-07 1997-08-19 Canon Inc 基板の切断方法及び切断装置
JP3027768U (ja) 1996-02-08 1996-08-13 株式会社アールイシダ 健康スリッパ
WO1997029509A1 (en) 1996-02-09 1997-08-14 Philips Electronics N.V. Laser separation of semiconductor elements formed in a wafer of semiconductor material
US5925024A (en) 1996-02-16 1999-07-20 Joffe; Michael A Suction device with jet boost
AU1975197A (en) 1996-02-28 1997-10-01 Kenneth C. Johnson Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
JPH09306839A (ja) 1996-03-12 1997-11-28 Sharp Corp 半導体の溶融結晶化方法及び不純物活性化方法
JP3660741B2 (ja) 1996-03-22 2005-06-15 株式会社日立製作所 電子回路装置の製造方法
JPH11217237A (ja) 1996-03-25 1999-08-10 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザ加工用ガラス基材及びレーザ加工方法
AU1941397A (en) 1996-03-25 1997-10-17 Nippon Sheet Glass Co. Ltd. A laser processing method for a glass substrate, and a diffraction grating and a microlens array obtained therefrom
US5880777A (en) 1996-04-15 1999-03-09 Massachusetts Institute Of Technology Low-light-level imaging and image processing
US5807380A (en) 1996-04-26 1998-09-15 Dishler; Jon G. Optical guide and method for use in corrective laser eye surgery
JPH09298339A (ja) 1996-04-30 1997-11-18 Rohm Co Ltd 半導体レーザの製法
US6087617A (en) 1996-05-07 2000-07-11 Troitski; Igor Nikolaevich Computer graphics system for generating an image reproducible inside optically transparent material
JP3259014B2 (ja) 1996-07-24 2002-02-18 ミヤチテクノス株式会社 スキャニング式レーザマーキング方法及び装置
US5736709A (en) 1996-08-12 1998-04-07 Armco Inc. Descaling metal with a laser having a very short pulse width and high average power
JPH1071483A (ja) 1996-08-29 1998-03-17 Hitachi Constr Mach Co Ltd 脆性材料の割断方法
US6172757B1 (en) 1996-09-25 2001-01-09 Vanguard International Semiconductor Corporation Lever sensor for stepper field-by-field focus and leveling system
DK109197A (da) * 1996-09-30 1998-03-31 Force Instituttet Fremgangsmåde til bearbejdning af et materiale ved hjælp af en laserstråle
JPH10128567A (ja) * 1996-10-30 1998-05-19 Nec Kansai Ltd レーザ割断方法
DE19646332C2 (de) 1996-11-09 2000-08-10 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Veränderung des optischen Verhaltens an der Oberfläche und/oder innerhalb eines Werkstückes mittels eines Lasers
JPH10163780A (ja) 1996-12-04 1998-06-19 Ngk Insulators Ltd 圧電単結晶からなる振動子の製造方法
JP3468676B2 (ja) 1996-12-19 2003-11-17 リンテック株式会社 チップ体の製造方法
US5867324A (en) 1997-01-28 1999-02-02 Lightwave Electronics Corp. Side-pumped laser with shaped laser beam
JP3421523B2 (ja) 1997-01-30 2003-06-30 三洋電機株式会社 ウエハーの分割方法
US6312800B1 (en) * 1997-02-10 2001-11-06 Lintec Corporation Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip
JPH10305420A (ja) * 1997-03-04 1998-11-17 Ngk Insulators Ltd 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法
US6529362B2 (en) 1997-03-06 2003-03-04 Applied Materials Inc. Monocrystalline ceramic electrostatic chuck
US5976392A (en) 1997-03-07 1999-11-02 Yageo Corporation Method for fabrication of thin film resistor
US6228114B1 (en) 1997-04-01 2001-05-08 Joseph Y. Lee Adjustable corneal ring
US6525716B1 (en) 1997-04-01 2003-02-25 Casio Computer Co., Ltd. Handwritten data input device having coordinate detection tablet
AU7245098A (en) 1997-04-01 1998-10-22 Agris-Schoen Vision Systems, Inc. High-precision-resolution image acquisision apparatus and method
US6277067B1 (en) 1997-04-04 2001-08-21 Kerry L. Blair Method and portable colposcope useful in cervical cancer detection
US6467953B1 (en) * 1999-03-30 2002-10-22 Medical Solutions, Inc. Method and apparatus for monitoring temperature of intravenously delivered fluids and other medical items
JP3230572B2 (ja) 1997-05-19 2001-11-19 日亜化学工業株式会社 窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子
US6156030A (en) 1997-06-04 2000-12-05 Y-Beam Technologies, Inc. Method and apparatus for high precision variable rate material removal and modification
BE1011208A4 (fr) 1997-06-11 1999-06-01 Cuvelier Georges Procede de decalottage de pieces en verre.
JPH1110376A (ja) 1997-06-25 1999-01-19 Souei Tsusho Kk 割断加工方法
US6327090B1 (en) 1997-07-03 2001-12-04 Levelite Technology, Inc. Multiple laser beam generation
DE19728766C1 (de) 1997-07-07 1998-12-17 Schott Rohrglas Gmbh Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper
JPH1128586A (ja) 1997-07-08 1999-02-02 Keyence Corp レーザマーキング装置
US6294439B1 (en) * 1997-07-23 2001-09-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP3707211B2 (ja) 1997-07-24 2005-10-19 富士電機ホールディングス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体薄膜の製造方法
JPH1167700A (ja) 1997-08-22 1999-03-09 Hamamatsu Photonics Kk 半導体ウェハの製造方法
JP3498895B2 (ja) * 1997-09-25 2004-02-23 シャープ株式会社 基板の切断方法および表示パネルの製造方法
JP3208730B2 (ja) 1998-01-16 2001-09-17 住友重機械工業株式会社 光透過性材料のマーキング方法
US6392683B1 (en) 1997-09-26 2002-05-21 Sumitomo Heavy Industries, Ltd. Method for making marks in a transparent material by using a laser
JP3292294B2 (ja) 1997-11-07 2002-06-17 住友重機械工業株式会社 レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置
JP3231708B2 (ja) 1997-09-26 2001-11-26 住友重機械工業株式会社 透明材料のマーキング方法
JPH11121517A (ja) 1997-10-09 1999-04-30 Hitachi Ltd 半導体素子搭載装置および搭載方法
JPH11162889A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Sony Corp ウエハのブレーキング・延伸装置及び方法
JP3449201B2 (ja) 1997-11-28 2003-09-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
JPH11156564A (ja) 1997-11-28 1999-06-15 Toshiba Ceramics Co Ltd 耐熱性透明体およびその製造方法
JP3076290B2 (ja) 1997-11-28 2000-08-14 山形日本電気株式会社 半導体チップのピックアップ装置およびその方法
JP3532100B2 (ja) 1997-12-03 2004-05-31 日本碍子株式会社 レーザ割断方法
JPH11177176A (ja) 1997-12-10 1999-07-02 Hitachi Cable Ltd 半導体レーザ
SG71878A1 (en) 1997-12-11 2000-04-18 Sumitomo Chemical Co Propylene-based polymer composition and foamed article thereof
JP3604550B2 (ja) * 1997-12-16 2004-12-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
US6005219A (en) 1997-12-18 1999-12-21 General Electric Company Ripstop laser shock peening
JPH11204551A (ja) 1998-01-19 1999-07-30 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP3352934B2 (ja) 1998-01-21 2002-12-03 理化学研究所 高強度超短パルスレーザー加工方法およびその装置
JP3455102B2 (ja) 1998-02-06 2003-10-14 三菱電機株式会社 半導体ウエハチップ分離方法
JP4132172B2 (ja) 1998-02-06 2008-08-13 浜松ホトニクス株式会社 パルスレーザ加工装置
US6641662B2 (en) * 1998-02-17 2003-11-04 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and waveguide polarization mode converter using the same
JPH11240730A (ja) 1998-02-27 1999-09-07 Nec Kansai Ltd 脆性材料の割断方法
US6183092B1 (en) 1998-05-01 2001-02-06 Diane Troyer Laser projection apparatus with liquid-crystal light valves and scanning reading beam
US6057180A (en) 1998-06-05 2000-05-02 Electro Scientific Industries, Inc. Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output
JP3152206B2 (ja) 1998-06-19 2001-04-03 日本電気株式会社 オートフォーカス装置及びオートフォーカス方法
JP2000015467A (ja) 1998-07-01 2000-01-18 Shin Meiwa Ind Co Ltd 光による被加工材の加工方法および加工装置
US6181728B1 (en) * 1998-07-02 2001-01-30 General Scanning, Inc. Controlling laser polarization
JP2000183358A (ja) 1998-07-17 2000-06-30 Sony Corp 薄膜半導体装置の製造方法
JP3784543B2 (ja) 1998-07-29 2006-06-14 Ｎｔｎ株式会社 パターン修正装置および修正方法
JP3156776B2 (ja) * 1998-08-03 2001-04-16 日本電気株式会社 レーザ照射方法
JP3410371B2 (ja) 1998-08-18 2003-05-26 リンテック株式会社 ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法
US6407360B1 (en) 1998-08-26 2002-06-18 Samsung Electronics, Co., Ltd. Laser cutting apparatus and method
US6402004B1 (en) * 1998-09-16 2002-06-11 Hoya Corporation Cutting method for plate glass mother material
JP3605651B2 (ja) 1998-09-30 2004-12-22 日立化成工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2000124537A (ja) 1998-10-21 2000-04-28 Sharp Corp 半導体レーザチップの製造方法とその方法に用いられる製造装置
US6413839B1 (en) 1998-10-23 2002-07-02 Emcore Corporation Semiconductor device separation using a patterned laser projection
JP2000133859A (ja) 1998-10-27 2000-05-12 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置
US6172329B1 (en) * 1998-11-23 2001-01-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Ablated laser feature shape reproduction control
JP3178524B2 (ja) 1998-11-26 2001-06-18 住友重機械工業株式会社 レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材
KR100338983B1 (ko) 1998-11-30 2002-07-18 윤종용 웨이퍼분리도구및이를이용하는웨이퍼분리방법
US6252197B1 (en) * 1998-12-01 2001-06-26 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator
US6211488B1 (en) * 1998-12-01 2001-04-03 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe
US6420678B1 (en) * 1998-12-01 2002-07-16 Brian L. Hoekstra Method for separating non-metallic substrates
US6259058B1 (en) * 1998-12-01 2001-07-10 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Apparatus for separating non-metallic substrates
IL127388A0 (en) 1998-12-03 1999-10-28 Universal Crystal Ltd Material processing applications of lasers using optical breakdown
JP2000195828A (ja) 1998-12-25 2000-07-14 Denso Corp ウエハの切断分離方法およびウエハの切断分離装置
US6127005A (en) 1999-01-08 2000-10-03 Rutgers University Method of thermally glazing an article
JP2000219528A (ja) 1999-01-18 2000-08-08 Samsung Sdi Co Ltd ガラス基板の切断方法及びその装置
EP1022778A1 (en) * 1999-01-22 2000-07-26 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device
JP3569147B2 (ja) 1999-01-26 2004-09-22 松下電器産業株式会社 基板の切断方法
JP2000210785A (ja) 1999-01-26 2000-08-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 複数ビ―ムレ―ザ加工装置
KR100452661B1 (ko) * 1999-02-03 2004-10-14 가부시끼가이샤 도시바 웨이퍼의 분할 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP4040819B2 (ja) 1999-02-03 2008-01-30 株式会社東芝 ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法
JP4119028B2 (ja) 1999-02-19 2008-07-16 小池酸素工業株式会社 レーザーピアシング方法
JP2000237885A (ja) 1999-02-19 2000-09-05 Koike Sanso Kogyo Co Ltd レーザー切断方法
US6208020B1 (en) 1999-02-24 2001-03-27 Matsushita Electronics Corporation Leadframe for use in manufacturing a resin-molded semiconductor device
JP3426154B2 (ja) 1999-02-26 2003-07-14 科学技術振興事業団 グレーティング付き光導波路の製造方法
JP2000247671A (ja) 1999-03-04 2000-09-12 Takatori Corp ガラスの分断方法
TW445545B (en) * 1999-03-10 2001-07-11 Mitsubishi Electric Corp Laser heat treatment method, laser heat treatment apparatus and semiconductor device
JP3648399B2 (ja) 1999-03-18 2005-05-18 株式会社東芝 半導体装置
JP2000278306A (ja) 1999-03-26 2000-10-06 Mitsubishi Electric Corp Ａｔｍリングネットワーク
US6285002B1 (en) 1999-05-10 2001-09-04 Bryan Kok Ann Ngoi Three dimensional micro machining with a modulated ultra-short laser pulse
JP2000323441A (ja) 1999-05-10 2000-11-24 Hitachi Cable Ltd セラミックス基板上に形成した光導波回路チップの切断方法
US6555781B2 (en) 1999-05-10 2003-04-29 Nanyang Technological University Ultrashort pulsed laser micromachining/submicromachining using an acoustooptic scanning device with dispersion compensation
JP3555500B2 (ja) 1999-05-21 2004-08-18 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体及びその製造方法
US6562698B2 (en) * 1999-06-08 2003-05-13 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Dual laser cutting of wafers
US6420245B1 (en) 1999-06-08 2002-07-16 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Method for singulating semiconductor wafers
JP2000349107A (ja) 1999-06-09 2000-12-15 Nitto Denko Corp 半導体封止チップモジュールの製造方法及びその固定シート
US6344402B1 (en) * 1999-07-28 2002-02-05 Disco Corporation Method of dicing workpiece
TW404871B (en) 1999-08-02 2000-09-11 Lg Electronics Inc Device and method for machining transparent medium by laser
JP2001047264A (ja) 1999-08-04 2001-02-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置およびその製造方法ならびに電子機器
KR100578309B1 (ko) 1999-08-13 2006-05-11 삼성전자주식회사 레이저 커팅 장치 및 이를 이용한 유리 기판 커팅 방법
JP2001064029A (ja) 1999-08-27 2001-03-13 Toyo Commun Equip Co Ltd 多層ガラス基板及び、その切断方法
JP4493127B2 (ja) 1999-09-10 2010-06-30 シャープ株式会社 窒化物半導体チップの製造方法
US6229114B1 (en) * 1999-09-30 2001-05-08 Xerox Corporation Precision laser cutting of adhesive members
JP3932743B2 (ja) 1999-11-08 2007-06-20 株式会社デンソー 圧接型半導体装置の製造方法
JP4180206B2 (ja) 1999-11-12 2008-11-12 リンテック株式会社 半導体装置の製造方法
TR200201402T2 (tr) * 1999-11-24 2003-03-21 Applied Photonics, Inc. Metalik olmayan materyallerin ayrılması için yöntem ve cihaz.
JP5408829B2 (ja) 1999-12-28 2014-02-05 ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー アクティブマトリックス基板の製造方法
US6612035B2 (en) 2000-01-05 2003-09-02 Patrick H. Brown Drywall cutting tool
JP2001196282A (ja) 2000-01-13 2001-07-19 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2001198056A (ja) 2000-01-20 2001-07-24 Sanyo Electric Co Ltd 電気掃除機
JP2001250798A (ja) 2000-03-06 2001-09-14 Sony Corp ケガキ線で材料を分割する方法及び装置
DE10015702A1 (de) 2000-03-29 2001-10-18 Vitro Laser Gmbh Verfahren zum Einbringen wenigstens einer Innengravur in einen flachen Körper und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
WO2001074529A2 (en) * 2000-03-30 2001-10-11 Electro Scientific Industries, Inc. Laser system and method for single pass micromachining of multilayer workpieces
JP2001284292A (ja) * 2000-03-31 2001-10-12 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体ウエハーのチップ分割方法
AU2001254866A1 (en) 2000-04-14 2001-10-30 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Method for cutting out at least a thin layer in a substrate or ingot, in particular made of semiconductor material(s)
US6333486B1 (en) 2000-04-25 2001-12-25 Igor Troitski Method and laser system for creation of laser-induced damages to produce high quality images
US20020006765A1 (en) * 2000-05-11 2002-01-17 Thomas Michel System for cutting brittle materials
JP4697823B2 (ja) 2000-05-16 2011-06-08 株式会社ディスコ 脆性基板の分割方法
TW443581U (en) 2000-05-20 2001-06-23 Chipmos Technologies Inc Wafer-sized semiconductor package structure
JP2001339638A (ja) 2000-05-26 2001-12-07 Hamamatsu Photonics Kk ストリークカメラ装置
JP2001345252A (ja) 2000-05-30 2001-12-14 Hyper Photon Systens Inc レーザ切断機
JP2001354439A (ja) 2000-06-12 2001-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガラス基板の加工方法および高周波回路の製作方法
JP3650000B2 (ja) 2000-07-04 2005-05-18 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置の製造方法
US6399914B1 (en) 2000-07-10 2002-06-04 Igor Troitski Method and laser system for production of high quality laser-induced damage images by using material processing made before and during image creation
JP3906653B2 (ja) * 2000-07-18 2007-04-18 ソニー株式会社 画像表示装置及びその製造方法
US6376797B1 (en) * 2000-07-26 2002-04-23 Ase Americas, Inc. Laser cutting of semiconductor materials
JP2002047025A (ja) 2000-07-31 2002-02-12 Seiko Epson Corp 基板の切断方法、およびこれを用いた電気光学装置の製造方法とこれに用いるレーザ切断装置および電気光学装置と電子機器
JP2002050589A (ja) 2000-08-03 2002-02-15 Sony Corp 半導体ウェーハの延伸分離方法及び装置
US6726631B2 (en) * 2000-08-08 2004-04-27 Ge Parallel Designs, Inc. Frequency and amplitude apodization of transducers
US6325855B1 (en) 2000-08-09 2001-12-04 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Gas collector for epitaxial reactors
JP3479833B2 (ja) 2000-08-22 2003-12-15 日本電気株式会社 レーザ修正方法および装置
JP4762458B2 (ja) 2000-09-13 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP3626442B2 (ja) 2000-09-13 2005-03-09 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3751970B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-08 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4837320B2 (ja) 2000-09-13 2011-12-14 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP3722731B2 (ja) 2000-09-13 2005-11-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2003001458A (ja) 2000-09-13 2003-01-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP3408805B2 (ja) 2000-09-13 2003-05-19 浜松ホトニクス株式会社 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法
JP2002192371A (ja) 2000-09-13 2002-07-10 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP3761565B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2003039184A (ja) 2000-09-13 2003-02-12 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP4964376B2 (ja) 2000-09-13 2012-06-27 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP3761567B2 (ja) 2000-09-13 2006-03-29 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4659300B2 (ja) * 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
US20020046001A1 (en) 2000-10-16 2002-04-18 Applied Materials, Inc. Method, computer readable medium and apparatus for accessing a defect knowledge library of a defect source identification system
JP3660294B2 (ja) * 2000-10-26 2005-06-15 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6720522B2 (en) 2000-10-26 2004-04-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining
JP3332910B2 (ja) 2000-11-15 2002-10-07 エヌイーシーマシナリー株式会社 ウェハシートのエキスパンダ
JP2002158276A (ja) 2000-11-20 2002-05-31 Hitachi Chem Co Ltd ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置
US6875379B2 (en) * 2000-12-29 2005-04-05 Amkor Technology, Inc. Tool and method for forming an integrated optical circuit
US6545339B2 (en) 2001-01-12 2003-04-08 International Business Machines Corporation Semiconductor device incorporating elements formed of refractory metal-silicon-nitrogen and method for fabrication
JP2002226796A (ja) 2001-01-29 2002-08-14 Hitachi Chem Co Ltd ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置
TW521310B (en) 2001-02-08 2003-02-21 Toshiba Corp Laser processing method and apparatus
US6527965B1 (en) 2001-02-09 2003-03-04 Nayna Networks, Inc. Method for fabricating improved mirror arrays for physical separation
US6770544B2 (en) * 2001-02-21 2004-08-03 Nec Machinery Corporation Substrate cutting method
SG118117A1 (en) * 2001-02-28 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW473896B (en) 2001-03-20 2002-01-21 Chipmos Technologies Inc A manufacturing process of semiconductor devices
US6777645B2 (en) 2001-03-29 2004-08-17 Gsi Lumonics Corporation High-speed, precision, laser-based method and system for processing material of one or more targets within a field
US6932933B2 (en) 2001-03-30 2005-08-23 The Aerospace Corporation Ultraviolet method of embedding structures in photocerams
JP4091838B2 (ja) 2001-03-30 2008-05-28 富士通株式会社 半導体装置
JP2002035985A (ja) 2001-05-21 2002-02-05 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ加工装置及び加工方法
KR100701013B1 (ko) 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
JP2003017790A (ja) 2001-07-03 2003-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物系半導体素子及び製造方法
JP2003046177A (ja) 2001-07-31 2003-02-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザの製造方法
JP2003154517A (ja) 2001-11-21 2003-05-27 Seiko Epson Corp 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法
EP1329946A3 (en) 2001-12-11 2005-04-06 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including a laser crystallization step
US6608370B1 (en) * 2002-01-28 2003-08-19 Motorola, Inc. Semiconductor wafer having a thin die and tethers and methods of making the same
US6908784B1 (en) * 2002-03-06 2005-06-21 Micron Technology, Inc. Method for fabricating encapsulated semiconductor components
US6562696B1 (en) * 2002-03-06 2003-05-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for forming an STI feature to avoid acidic etching of trench sidewalls
JP4509720B2 (ja) 2002-03-12 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP3670267B2 (ja) 2002-03-12 2005-07-13 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2003338636A (ja) 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子
AU2003211575A1 (en) 2002-03-12 2003-09-22 Hamamatsu Photonics K.K. Semiconductor substrate, semiconductor chip, and semiconductor device manufacturing method
JP2003338468A (ja) 2002-03-12 2003-11-28 Hamamatsu Photonics Kk 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ES2356817T3 (es) * 2002-03-12 2011-04-13 Hamamatsu Photonics K.K. Método de corte de un objeto procesado.
JP2006135355A (ja) 2002-03-12 2006-05-25 Hamamatsu Photonics Kk 半導体基板の切断方法
JP3935186B2 (ja) 2002-03-12 2007-06-20 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
ATE362653T1 (de) * 2002-03-12 2007-06-15 Hamamatsu Photonics Kk Methode zur trennung von substraten
JP4358502B2 (ja) 2002-03-12 2009-11-04 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
US6787732B1 (en) 2002-04-02 2004-09-07 Seagate Technology Llc Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor
US6744009B1 (en) * 2002-04-02 2004-06-01 Seagate Technology Llc Combined laser-scribing and laser-breaking for shaping of brittle substrates
JP4111800B2 (ja) 2002-11-05 2008-07-02 アルパイン株式会社 車両間通信情報処理装置
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
WO2004050291A1 (ja) * 2002-12-05 2004-06-17 Hamamatsu Photonics K.K. レーザ加工装置
JP2004188422A (ja) * 2002-12-06 2004-07-08 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4334864B2 (ja) 2002-12-27 2009-09-30 日本電波工業株式会社 薄板水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法
JP4188847B2 (ja) 2003-01-14 2008-12-03 富士フイルム株式会社 分析素子用カートリッジ
US7341007B2 (en) 2003-03-05 2008-03-11 Joel Vatsky Balancing damper
FR2852250B1 (fr) 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
US8685838B2 (en) * 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
GB2404280B (en) 2003-07-03 2006-09-27 Xsil Technology Ltd Die bonding
CN1826207B (zh) * 2003-07-18 2010-06-16 浜松光子学株式会社 激光加工方法、激光加工装置以及加工产品
JP4563097B2 (ja) * 2003-09-10 2010-10-13 浜松ホトニクス株式会社 半導体基板の切断方法
JP2005086175A (ja) 2003-09-11 2005-03-31 Hamamatsu Photonics Kk 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子
JP4300084B2 (ja) 2003-09-19 2009-07-22 株式会社リコー 画像形成装置
CN100461561C (zh) * 2004-01-07 2009-02-11 浜松光子学株式会社 半导体发光元件及其制造方法
JP4601965B2 (ja) * 2004-01-09 2010-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4598407B2 (ja) 2004-01-09 2010-12-15 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4509578B2 (ja) 2004-01-09 2010-07-21 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
KR20070005712A (ko) * 2004-03-30 2007-01-10 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 반도체 칩
JP4536407B2 (ja) 2004-03-30 2010-09-01 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び加工対象物
JP5138219B2 (ja) 2004-03-30 2013-02-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4733934B2 (ja) * 2004-06-22 2011-07-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP4634089B2 (ja) * 2004-07-30 2011-02-16 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP1775059B1 (en) * 2004-08-06 2015-01-07 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and semiconductor device
JP4754801B2 (ja) 2004-10-13 2011-08-24 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4917257B2 (ja) * 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4781661B2 (ja) * 2004-11-12 2011-09-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4198123B2 (ja) * 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4776994B2 (ja) * 2005-07-04 2011-09-21 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP4749799B2 (ja) * 2005-08-12 2011-08-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4762653B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-31 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及びレーザ加工装置
JP4237745B2 (ja) 2005-11-18 2009-03-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4907965B2 (ja) * 2005-11-25 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4804911B2 (ja) 2005-12-22 2011-11-02 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP4907984B2 (ja) 2005-12-27 2012-04-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップ
JP5183892B2 (ja) * 2006-07-03 2013-04-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
JP4954653B2 (ja) * 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
KR101428823B1 (ko) 2006-09-19 2014-08-11 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치
JP5101073B2 (ja) 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5132911B2 (ja) * 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP4964554B2 (ja) * 2006-10-03 2012-07-04 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
EP2070636B1 (en) * 2006-10-04 2015-08-05 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method
JP4812599B2 (ja) 2006-11-17 2011-11-09 倉敷紡績株式会社 染料濃度測定方法及び装置
JP5336054B2 (ja) 2007-07-18 2013-11-06 浜松ホトニクス株式会社 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム
JP4402708B2 (ja) * 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
JP5225639B2 (ja) 2007-09-06 2013-07-03 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ素子の製造方法
JP5342772B2 (ja) * 2007-10-12 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5449665B2 (ja) 2007-10-30 2014-03-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5054496B2 (ja) 2007-11-30 2012-10-24 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物切断方法
JP5134928B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 加工対象物研削方法
JP5241525B2 (ja) 2009-01-09 2013-07-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5191958B2 (ja) 2009-06-19 2013-05-08 三菱電機ビルテクノサービス株式会社 エレベータ機器芯出し用基準線の設置方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8518800B2 (en) 2013-08-27
JP2011216912A (ja) 2011-10-27
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CN1728342A (zh) 2006-02-01
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CN101335235A (zh) 2008-12-31
EP1632997A2 (en) 2006-03-08
US8889525B2 (en) 2014-11-18
US20160343618A1 (en) 2016-11-24
JP2010068009A (ja) 2010-03-25
JP4908652B2 (ja) 2012-04-04
ES2285634T3 (es) 2007-11-16
JP4932955B2 (ja) 2012-05-16
EP1635390A2 (en) 2006-03-15
US20130012000A1 (en) 2013-01-10
US10622255B2 (en) 2020-04-14
EP1635390B1 (en) 2011-07-27
US9142458B2 (en) 2015-09-22
JP2005184032A (ja) 2005-07-07
US10068801B2 (en) 2018-09-04
JP2009206534A (ja) 2009-09-10
EP1635390A3 (en) 2006-05-03
KR20050075041A (ko) 2005-07-19
US9553023B2 (en) 2017-01-24
EP1494271A1 (en) 2005-01-05
EP2400539A3 (en) 2013-02-13
CN100485901C (zh) 2009-05-06
US20130009284A1 (en) 2013-01-10
US8519511B2 (en) 2013-08-27
JP4358762B2 (ja) 2009-11-04
US9287177B2 (en) 2016-03-15
US20160111333A1 (en) 2016-04-21
US20130015167A1 (en) 2013-01-17
US20160343617A1 (en) 2016-11-24
AU2003211763A1 (en) 2003-09-22
US20130316517A1 (en) 2013-11-28
CN1983557A (zh) 2007-06-20
EP1632997A3 (en) 2006-05-03
US20080090382A1 (en) 2008-04-17
CN1643656A (zh) 2005-07-20
EP3252806A1 (en) 2017-12-06
EP2194575B1 (en) 2017-08-16
US20180350682A1 (en) 2018-12-06
US8304325B2 (en) 2012-11-06
US20060121697A1 (en) 2006-06-08
CN101335235B (zh) 2010-10-13
US9711405B2 (en) 2017-07-18
DE60313900D1 (de) 2007-06-28
JPWO2003077295A1 (ja) 2005-07-07
US9543207B2 (en) 2017-01-10
US9543256B2 (en) 2017-01-10
US9548246B2 (en) 2017-01-17
US20100203707A1 (en) 2010-08-12
EP2400539A2 (en) 2011-12-28
KR100848408B1 (ko) 2008-07-28
ATE518242T1 (de) 2011-08-15
US20170271210A1 (en) 2017-09-21
ATE534142T1 (de) 2011-12-15
US20160343674A1 (en) 2016-11-24
US7566635B2 (en) 2009-07-28
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US8314013B2 (en) 2012-11-20
US8518801B2 (en) 2013-08-27
DE60313900T2 (de) 2008-01-17
US20050272223A1 (en) 2005-12-08
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