KR100715576B1 - 기판의 분할 방법 - Google Patents
기판의 분할 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100715576B1 KR100715576B1 KR1020047014158A KR20047014158A KR100715576B1 KR 100715576 B1 KR100715576 B1 KR 100715576B1 KR 1020047014158 A KR1020047014158 A KR 1020047014158A KR 20047014158 A KR20047014158 A KR 20047014158A KR 100715576 B1 KR100715576 B1 KR 100715576B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- region
- cutting
- starting point
- forming
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 463
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 91
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 208
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 158
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 19
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 5
- VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N ctk1a7239 Chemical compound C12=CC=CC=C2N2CC=CC3=NC=CC1=C32 VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 42
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 42
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 30
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000009754 Vitis X bourquina Nutrition 0.000 description 1
- 235000012333 Vitis X labruscana Nutrition 0.000 description 1
- 240000006365 Vitis vinifera Species 0.000 description 1
- 235000014787 Vitis vinifera Nutrition 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76886—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances
- H01L21/76892—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern
- H01L21/76894—Modifying permanently or temporarily the pattern or the conductivity of conductive members, e.g. formation of alloys, reduction of contact resistances modifying the pattern using a laser, e.g. laser cutting, laser direct writing, laser repair
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
- H01L2221/68336—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54453—Marks applied to semiconductor devices or parts for use prior to dicing
- H01L2223/5446—Located in scribe lines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
치핑이나 크래킹의 발생을 방지하고, 기판을 박형화하며 또한 기판을 분할할 수 있는 기판의 분할 방법을 제공한다. 이 기판의 분할 방법은, 표면(3)에 기능 소자(19)가 형성되어 있는 반도체 기판(1)의 내부에 집광점을 맞춰서 레이저 광을 조사함으로써, 반도체 기판(1)의 내부에 다광자 흡수에 의한 용융 처리 영역을 포함하는 개질 영역을 형성하고, 상기 용융 처리 영역을 포함하는 개질 영역으로써 절단 기점 영역을 형성하는 공정과, 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 반도체 기판(1)이 소정의 두께로 되도록 반도체 기판(1)의 이면(21)을 연마하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 반도체 디바이스의 제조 공정 등에 있어서 반도체 기판 등의 기판을 분할하기 위해 사용되는 기판의 분할 방법에 관한 것이다.
근래의 반도체 디바이스의 소형화에 수반하여, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서, 반도체 기판이 수 10㎛ 정도의 두께로까지 박형화되는 일이 있다. 이와 같이 박형화된 반도체 기판을 블레이드(blade)에 의해 절단하여 분할하면, 반도체 기판이 두꺼운 경우와 비교하여 치핑(chipping)이나 크래킹의 발생이 증가하여, 반도체 기판을 분할하는 것으로 얻어지는 반도체 칩의 수율이 저하된다고 하는 문제가 있다.
이와 같은 문제를 해결할 수 있는 반도체 기판의 분할 방법으로서, 일본특허 특개소64-38209호 공보나 특개소62-4341호 공보에 기재된 방법이 알려져 있다.
즉, 이러한 공보에 기재된 방법은, 표면에 기능 소자가 형성되어 있는 반도체 기판에 대하여 상기 표면측으로부터 블레이드에 의해 홈을 형성하고, 그 후에, 상기 표면에 점착 시트를 첩부하여 반도체 기판을 유지하고, 미리 형성된 홈에 이를 때까지 반도체 기판의 이면을 연마하는 것으로, 반도체 기판을 박형화하는 동시에 반도체 기판을 분할한다고 하는 것이다.
하지만 상기 공보에 기재된 방법에 있어서는, 반도체 기판의 이면의 연마를 평면 연삭에 의하여 행하면, 평면 연삭면이 반도체 기판에 미리 형성된 홈에 도달하였을 때, 상기 홈의 측면에서 치핑이나 크래킹이 발생할 우려가 있다.
그래서, 본 발명은 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 치핑이나 크래킹의 발생을 방지하고, 기판을 박형화하며 또한 기판을 분할할 수 있는 기판의 분할 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 기판의 분할 방법은, 기판의 내부에 집광점을 맞춰서 레이저 광을 조사하여, 기판의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질(改質) 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의하여, 기판의 절단 예정 라인을 따라 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과, 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 기판이 소정의 두께로 되도록 기판을 연마하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
이 기판의 분할 방법에 의하면, 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서는, 기판의 내부에 집광점을 맞춰서 레이저 광을 조사하여, 기판의 내부에 다광자 흡수라고 하는 현상을 발생시켜서 개질 영역을 형성하기 때문에, 이 개질 영역으로써, 기판을 절단해야 할 원하는 절단 예정 라인을 따르도록 기판의 내부에 절단 기점 영역을 형성할 수 있다. 기판의 내부에 절단 기점 영역이 형성되면, 자연적으로 또는 비교적 작은 힘에 의하여, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 기판의 두께 방향으로 균열이 발생한다.
그리고, 기판을 연마하는 공정에 있어서는, 기판의 내부에 절단 기점 영역을 형성한 후에, 기판이 소정의 두께로 되도록 기판을 연마하지만, 이 때, 연삭면이 절단 기점 영역을 기점으로 하여 발생한 균열에 도달해도, 이 균열에 의해 절단된 기판의 절단면은 서로 밀착된 상태이기 때문에, 연마에 의한 기판의 치핑이나 크래킹을 방지할 수 있다.
따라서 치핑이나 크래킹의 발생을 방지하고, 기판을 박형화하며 또한 기판을 분할할 수 있게 된다.
여기서, 집광점이란 레이저 광이 집광한 개소를 말한다. 또, 연마란, 절삭, 연삭 및 케미컬 에칭 등을 포함하는 의미이다. 또한, 절단 기점 영역이란, 기판이 절단될 때에 절단의 기점으로 되는 영역을 의미한다. 따라서 절단 기점 영역은 기판에 있어서 절단이 예정되는 절단 예정부이다. 그리고, 절단 기점 영역은, 개질 영역이 연속적으로 형성되는 것으로 형성되는 경우도 있고, 개질 영역이 단속적으로 형성되는 것으로 형성되는 경우도 있다.
또, 기판으로서는, 실리콘 기판이나 GaAs 기판 등의 반도체 기판이나, 사파이어 기판이나 A1N 기판 등의 절연 기판이 있다. 그리고, 기판이 반도체 기판의 경우의 개질 영역으로서는, 예를 들면 용융 처리한 영역이 있다.
또, 기판의 표면에는 기능 소자가 형성되어 있고, 기판을 연마하는 공정에서는 기판의 이면을 연마하는 것이 바람직하다. 기능 소자의 형성 후에 기판을 연마할 수 있기 때문에, 예를 들면 반도체 디바이스의 소형화에 대응하도록 박형화된 칩을 얻는 것이 가능해진다. 여기서, 기능 소자란, 포도다이오드 등의 수광 소자나 레이저 다이오드 등의 발광 소자, 혹은 회로로서 형성된 회로 소자 등을 의미한다.
또, 기판을 연마하는 공정은, 기판의 이면에 케미컬 에칭을 행하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다. 기판의 이면에 케미컬 에칭을 행하면, 기판의 이면이 보다 평활화되는 것은 물론이지만, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 발생한 균열에 의한 기판의 절단면이 서로 밀착되어 있기 때문에, 상기 절단면의 이면측의 에지부만이 선택적으로 에칭되어 모따기된 상태로 된다. 따라서 기판을 분할하는 것으로 얻어지는 칩의 항절(抗折) 강도를 향상시킬 수 있는 동시에, 칩에 있어서 치핑이나 크래킹의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법에 의한 레이저 가공 중의 가공 대상물의 평면도.
도 2는 도 1에 나타내는 가공 대상물의 Ⅱ-Ⅱ선에 따른 단면도.
도 3은 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법에 의한 레이저 가공 후의 가공 대상물의 평면도.
도 4는 도 3에 나타내는 가공 대상물의 Ⅳ-Ⅳ선에 따른 단면도.
도 5는 도 3에 나타내는 가공 대상물의 Ⅴ-Ⅴ선에 따른 단면도.
도 6은 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법에 의하여 절단된 가공 대상물의 평면도.
도 7은 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법에 있어서의 전계 강도와 크랙 스폿의 크기의 관계를 나타내는 그래프.
도 8은 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법의 제 1 공정에 있어서의 가공 대상물의 단면도.
도 9는 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법의 제 2 공정에 있어서의 가공 대상물의 단면도.
도 10은 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법의 제 3 공정에 있어서의 가공 대상물의 단면도.
도 11은 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법의 제 4 공정에 있어서의 가공 대상물의 단면도.
도 12는 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법에 의해 절단된 실리콘 웨이퍼의 일부에 있어서의 단면의 사진을 나타낸 도면.
도 13은 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법에 있어서의 레이저 광의 파장과 실리콘 기판 내부의 투과율과의 관계를 나타내는 그래프.
도 14는 실시예1에 관련된 레이저 가공 장치의 개략 구성도.
도 15는 실시예1에 관련된 레이저 가공 방법을 설명하기 위한 플로차트.
도 16은 실시예1에 관련된 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후의 반도체 기판을 나타내는 도면.
도 17은 실시예1에 관련된 보호 필름을 첩부하는 공정을 설명하기 위한 도면.
도 18은 실시예1에 관련된 반도체 기판을 연마하는 공정을 설명하기 위한 도면.
도 19는 실시예1에 관련된 확장 필름을 첩부하는 공정을 설명하기 위한 도면.
도 20은 실시예l에 관련된 보호 필름을 벗기는 공정을 설명하기 위한 도면.
도 21은 실시예1에 관련된 확장 필름을 익스팬드하여 반도체 칩을 픽업하는 공정을 설명하기 위한 도면.
도 22는 실시예1에 관련된 반도체 기판을 연마하는 공정 후의 반도체 칩의 절단면의 이면측의 에지부에 형성된 모따기를 나타내는 도면.
도 23a는 실시예1에 관련된 반도체 기판을 연마하는 공정 후의 반도체 칩의 절단면 내에 용융 처리 영역이 잔존하는 경우로서, 반도체 기판을 연마하는 공정 전에 균열이 표면에 도달하고 있는 경우를 설명하기 위한 도면.
도 23b는 실시예1에 관련된 반도체 기판을 연마하는 공정 후의 반도체 칩의 절단면 내에 용융 처리 영역이 잔존하는 경우로서, 반도체 기판을 연마하는 공정 전에 균열이 표면에 도달하고 있지 않는 경우를 설명하기 위한 도면.
도 24a는 실시예1에 관련된 반도체 기판을 연마하는 공정 후의 반도체 칩의 절단면 내에 용융 처리 영역이 잔존하지 않는 경우로서, 반도체 기판을 연마하는 공정 전에 균열이 표면에 도달하고 있는 경우를 설명하기 위한 도면.
도 24b는 실시예1에 관련된 반도체 기판을 연마하는 공정 후의 반도체 칩의 절단면 내에 용융 처리 영역이 잔존하지 않는 경우로서, 반도체 기판을 연마하는 공정 전에 균열이 표면에 도달하고 있지 않는 경우를 설명하기 위한 도면.
도 25a는 실시예1에 관련된 반도체 기판을 연마하는 공정 후의 반도체 칩의 절단면의 이면측의 에지부에 용융 처리 영역이 잔존하는 경우로서, 반도체 기판을 연마하는 공정 전에 균열이 표면에 도달하고 있는 경우를 설명하기 위한 도면.
도 25b는 실시예1에 관련된 반도체 기판을 연마하는 공정 후의 반도체 칩의 절단면의 이면측의 에지부에 용융 처리 영역이 잔존하는 경우로서, 반도체 기판을 연마하는 공정 전에 균열이 표면에 도달하고 있지 않는 경우를 설명하기 위한 도면.
도 26a는 실시예1에 관련된 반도체 기판을 연마하는 공정 전의 반도체 기판의 주변 가장자리부의 단면도.
도 26b는 실시예1에 관련된 반도체 기판을 연마하는 공정 후의 반도체 기판의 주변 가장자리부의 단면도.
도 27은 실시예2에 관련된 사파이어 기판의 평면도.
도 28은 실시예2에 관련된 절단 기점 영역을 형성하는 공정을 설명하기 위한 단면도.
도 29는 실시예2에 관련된 기능 소자를 형성하는 공정을 설명하기 위한 단면도.
도 30은 실시예2에 관련된 보호 필름을 첩부하는 공정을 설명하기 위한 단면도.
도 31은 실시예2에 관련된 사파이어 기판을 연마하는 공정을 설명하기 위한 단면도.
도 32는 실시예2에 관련된 확장 필름을 첩부하는 공정을 설명하기 위한 단면 도.
도 33은 실시예2에 관련된 보호 필름에 자외선을 조사하는 공정을 설명하기 위한 단면도.
도 34는 실시예2에 관련된 보호 필름을 벗기는 공정을 설명하기 위한 단면도.
도 35는 실시예2에 관련된 확장 필름을 익스팬드하여 반도체 칩을 분리하는 공정을 설명하기 위한 단면도.
이하, 도면과 함께 본 발명의 매우 적합한 실시 형태에 대하여 상세히 설명한다. 본 실시 형태에 관련된 기판의 분할 방법은, 기판의 내부에 집광점을 맞춰서 레이저 광을 조사하여, 기판의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하는 것으로 절단 기점 영역을 형성하는 공정과, 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 기판이 소정의 두께로 되도록 기판을 연마하는 공정을 구비하고 있다.
먼저, 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서 실시되는 레이저 가공 방법, 특히 다광자 흡수에 대하여 설명한다.
재료의 흡수의 밴드 갭(EG)보다 광자의 에너지(hν)가 작으면 광학적으로 투명해진다. 따라서, 재료에 흡수가 생기는 조건은 hν > EG 이다. 그러나, 광학적으로 투명하더라도, 레이저 광의 강도를 상당히 크게 하면 nhν > EG의 조건(n = 2, 3, 4, ···)에서 재료에 흡수가 생긴다. 이 현상을 다광자 흡수라 한다. 펄스파의 경우, 레이저 광의 강도는 레이저 광의 집광점의 피크 파워 밀도(W/㎠)로 결정되고, 예를 들면 피크 파워 밀도가 1×108(W/㎠)이상의 조건에서 다광자 흡수가 생긴다. 피크 파워 밀도는, (집광점에 있어서의 레이저 광의 1 펄스당의 에너지) ÷(레이저 광의 빔 스폿 단면적 ×펄스폭)에 의하여 구해진다. 또, 연속파의 경우, 레이저 광의 강도는 레이저 광의 집광점의 전계 강도(W/㎠)로 정해진다.
이와 같은 다광자 흡수를 이용하는 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공의 원리에 대하여, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 도 1은 레이저 가공 중의 기판(1)의 평면도이고, 도 2는 도 1에 나타내는 기판(1)의 Ⅱ-Ⅱ 선에 따른 단면도이고, 도 3은 레이저 가공 후의 기판(1)의 평면도이며, 도 4는 도 3에 나타내는 기판(1)의 Ⅳ-Ⅳ 선에 따른 단면도이고, 도 5는 도 3에 나타내는 기판(1)의 V-V 선에 따른 단면도이며, 도 6은 절단된 기판(1)의 평면도이다.
도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 기판(1)의 표면(3)에는, 기판(1)을 절단해야 할 원하는 절단 예정 라인(5)이 있다. 절단 예정 라인(5)은 직선 형상으로 뻗은 가상선이다(기판(1)에 실제로 선을 그어서 절단 예정 라인(5)으로 해도 된다). 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공은, 다광자 흡수가 생기는 조건으로 기판(1)의 내부에 집광점(P)을 맞춰서 레이저 광(L)을 기판(1)에 조사하여 개질 영역(7)을 형성한다. 또한, 집광점이란 레이저 광(L)이 집광한 개소를 말한다.
레이저 광(L)을 절단 예정 라인(5)을 따라(즉, 화살표 A 방향을 따라) 상대적으로 이동시킴으로써, 집광점(P)을 절단 예정 라인(5)을 따라 이동시킨다. 이로 써, 도 3 내지 도 5에 나타내는 바와 같이 개질 영역(7)이 절단 예정 라인(5)을 따라 기판(1)의 내부에만 형성되고, 이 개질 영역(7)을 가지고 절단 기점 영역(절단 예정부 : 8)이 형성된다. 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법은, 기판(1)이 레이저 광(L)을 흡수함으로써 기판(1)을 발열시켜서 개질 영역(7)을 형성하는 것은 아니다. 기판(1)에 레이저 광(L)을 투과시켜 기판(1)의 내부에 다광자 흡수를 발생시켜서 개질 영역(7)을 형성하고 있다. 따라서, 기판(1)의 표면(3)에서는 레이저 광(L)이 거의 흡수되지 않으므로, 기판(1)의 표면(3)이 용융하는 일은 없다.
기판(1)의 절단에 있어서, 절단하는 개소에 기점이 있으면 기판(1)은 그 기점으로부터 균열되므로, 도 6에 나타내는 바와 같이 비교적 작은 힘으로 기판(1)을 절단할 수 있다. 따라서, 기판(1)의 표면(3)에 불필요한 균열을 발생시키는 일 없이 기판(1)의 절단이 가능해진다.
또, 절단 기점 영역을 기점으로 한 기판의 절단에는, 다음의 2가지를 생각할 수 있다. 하나는, 절단 기점 영역 형성 후, 기판에 인위적인 힘이 인가되는 것에 의하여, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 기판이 균열되어 기판이 절단되는 경우이다. 이것은, 예를 들면 기판의 두께가 큰 경우의 절단이다. 인위적인 힘이 인가된다는 것은, 예를 들면 기판의 절단 기점 영역에 따라 기판에 굽힘 응력이나 전단 응력을 가하거나, 기판에 온도차를 줌으로써 열 응력을 발생시키거나 하는 것이다. 다른 하나는, 절단 기점 영역을 형성함으로써, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 기판의 단면 방향(두께 방향)을 향하여 자연스럽게 균열되고, 결과적으로 기판이 절단되는 경우이다. 이것은, 예를 들면 기판의 두께가 작은 경우에는, 1열의 개질 영 역에 의해 절단 기점 영역이 형성되는 것으로 가능해지며, 기판의 두께가 큰 경우에는 두께 방향으로 복수 열 형성된 개질 영역에 의해 절단 기점 영역이 형성되는 것으로 가능해진다. 또한, 이 자연스럽게 균열되는 경우에도, 절단하는 개소에 있어서, 절단 기점 영역이 형성되어 있지 않는 부위에 대응하는 부분의 표면상에까지 균열이 앞지르는 일이 없고, 절단 기점 영역을 형성한 부위에 대응하는 부분만을 분할 절단할 수 있으므로, 분할 절단의 제어를 잘 할 수 있다. 최근, 실리콘 웨이퍼 등의 기판의 두께는 작아지는 경향이 있기 때문에, 이와 같은 제어성이 좋은 분할 절단 방법은 대단히 유효하다.
그런데, 본 실시 형태에 있어서 다광자 흡수에 의하여 형성되는 개질 영역으로서는, 다음의 (1)∼(3)이 있다.
(1) 개질 영역이 하나 또는 복수의 크랙을 포함하는 크랙 영역의 경우
기판(예를 들면, 유리나 LiTaO3로 이루어지는 압전 재료)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에 있어서의 전계 강도가 1×108(W/㎠) 이상이고 또한 펄스폭이 1㎲ 이하의 조건으로 레이저 광을 조사한다. 이 펄스폭의 크기는, 다광자 흡수를 발생시키면서 기판의 표면에 쓸데없는 손상을 주지 않고, 기판의 내부에만 크랙 영역을 형성할 수 있는 조건이다. 이것에 의해, 기판의 내부에는 다광자 흡수에 의한 광학적 손상이라고 하는 현상이 발생한다. 이 광학적 손상에 의하여 기판의 내부에 열 왜곡이 유기되며, 이것에 의해 기판의 내부에 크랙 영역이 형성된다. 전계 강도의 상한치로서는, 예를 들면 1×1012(W/㎠)이다. 펄스폭은 예를 들면, 1㎱∼200㎱가 바 람직하다. 또한, 다광자 흡수에 의한 크랙 영역의 형성은, 예를 들면, 제45회 레이저 열가공 연구회 논문집(1998년. 12월)의 제23쪽 ∼ 제28쪽의 「고체 레이저 고조파에 의한 유리 기판의 내부 마킹」에 기재되어 있다.
본 발명자는, 전계 강도와 크랙의 크기와의 관계를 실험에 의하여 구하였다. 실험 조건은 다음의 같다.
(A) 기판: 파이렉스(등록 상표) 유리(두께 700㎛)
(B) 레이저
광원: 반도체 레이저 여기 Nd : YAG 레이저
파장: 1064nm
레이저 광 스폿 단면적: 3.14×10-8㎠
발진 형태: Q 스위치 펄스
반복 주파수: 100kHz
펄스폭: 30㎱
출력: 출력<1mJ/펄스
레이저 광 품질: TEM00
편광 특성: 직선 편광
(C) 집광용 렌즈
레이저 광 파장에 대한 투과율: 60 퍼센트
(D) 기판이 재치되는 재치대의 이동 속도: 100㎜/초
또한, 레이저 광 품질이 TEM00란 집광성이 높고 레이저 광의 파장 정도까지 집광 가능을 의미한다.
도 7은 상기 실험의 결과를 나타내는 그래프이다. 가로축은 피크 파워 밀도이고, 레이저 광이 펄스 레이저 광이므로 전계 강도는 피크 파워 밀도로 표시된다. 세로축은 1펄스의 레이저 광에 의해 기판의 내부에 형성된 크랙 부분(크랙 스폿)의 크기를 나타내고 있다. 크랙 스폿이 모여서 크랙 영역이 된다. 크랙 스폿의 크기는, 크랙 스폿의 형상 중 최대의 길이로 되는 부분의 크기이다. 그래프 중의 검정 동그라미로 나타내는 데이터는 집광용 렌즈(C)의 배율이 100배, 개구수(NA)가 0.80인 경우이다. 한편, 그래프 중의 흰색 동그라미로 나타내는 데이터는 집광용 렌즈(C)의 배율이 50배, 개구수(NA)가 0.55인 경우이다. 피크 파워 밀도가 1011(W/㎠) 정도로부터 기판의 내부에 크랙 스폿이 발생하고, 피크 파워 밀도가 커지는데 따라 크랙 스폿도 커지는 것을 알 수 있다.
다음에, 본 실시 형태에 관련된 레이저 가공에 있어서, 크랙 영역 형성에 의한 기판의 절단의 메커니즘에 대해 도 8∼도 11을 사용하여 설명한다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 다광자 흡수가 생기는 조건으로 기판(1)의 내부에 집광점(P)을 맞춰서 레이저 광(L)을 기판(1)에 조사하여 절단 예정 라인을 따라 내부에 크랙 영역(9)을 형성한다. 크랙 영역(9)은 하나 또는 복수의 크랙을 포함하는 영역이다. 이 크랙 영역(9)을 가지고 절단 기점 영역이 형성된다. 도 9에 나타내는 바와 같이 크랙 영역(9)을 기점으로 하여(즉, 절단 기점 영역을 기점으로 하여) 크랙이 더욱 성 장하고, 도 10에 나타내는 바와 같이 크랙이 기판(1)의 표면(3)과 이면(21)에 도달하며, 도 11에 나타내는 바와 같이 기판(1)이 균열됨으로써 기판(1)이 절단된다. 기판의 표면과 이면에 도달하는 크랙은 자연적으로 성장하는 경우도 있고, 기판에 힘이 인가되는 것에 의하여 성장하는 경우도 있다.
(2) 개질 영역이 용융 처리 영역의 경우
기판(예를 들면, 실리콘과 같은 반도체 재료)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에 있어서 전계 강도가 1×108(W/㎠) 이상이고 또한 펄스폭이 1㎲ 이하의 조건으로 레이저 광을 조사한다. 이것에 의해 기판의 내부는 다광자 흡수에 의해 국소적으로 가열된다. 이 가열에 의해 기판의 내부에 용융 처리 영역이 형성된다. 용융 처리 영역이란 일단 용융 후 재 고화된 영역이나, 바로 용융 상태의 영역이나, 용융 상태에서 재 고화된 상태의 영역이고, 상변화한 영역이나 결정 구조가 변화한 영역이라고도 할 수 있다. 또, 용융 처리 영역이란 단결정 구조, 비정질 구조, 다결정 구조에 있어서, 어떤 구조가 다른 구조로 변화한 영역이라고도 할 수 있다. 결국, 예를 들면, 단결정 구조로부터 비정질 구조로 변화한 영역, 단결정 구조로부터 다결정 구조로 변화한 영역, 단결정 구조로부터 비정질 구조 및 다결정 구조를 포함하는 구조로 변화한 영역을 의미한다. 기판이 실리콘 단결정 구조인 경우, 용융 처리 영역은 예를 들면 비정질 실리콘 구조이다. 전계 강도의 상한치로서는, 예를 들면 1×1012(W/㎠)이다. 펄스폭은 예를 들면 1㎱∼200㎱가 바람직하다.
본 발명자는, 실리콘 웨이퍼의 내부에서 용융 처리 영역이 형성되는 것을 실 험에 의하여 확인하였다. 실험 조건은 다음과 같다.
(A) 기판: 실리콘 웨이퍼(두께 350㎛, 외경 4 인치)
(B) 레이저
광원: 반도체 레이저 여기 Nd: YAG 레이저
파장: 1064nm
레이저 광 스폿 단면적: 3.14×10-8㎠
발진 형태: Q 스위치 펄스
반복 주파수: 100kHz
펄스폭: 30㎱
출력: 20μJ/펄스
레이저 광 품질: TEM00
편광 특성: 직선 편광
(C) 집광용 렌즈
배율: 50배
N. A. : 0.55
레이저 광 파장에 대한 투과율: 60 퍼센트
(D) 기판이 재치되는 재치대의 이동 속도: 100㎜/초
도 12는, 상기 조건에서의 레이저 가공에 의해 절단된 실리콘 웨이퍼의 일부에 있어서의 단면의 사진을 나타낸 도면이다. 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 용융 처 리 영역(13)이 형성되어 있다. 또한, 상기 조건에 의해 형성된 용융 처리 영역(13)의 두께 방향의 크기는 100㎛ 정도이다.
용융 처리 영역(13)이 다광자 흡수에 의해 형성된 것을 설명한다. 도 13은, 레이저 광의 파장과 실리콘 기판의 내부 투과율과의 관계를 나타내는 그래프이다. 단, 실리콘 기판의 표면측과 이면측 각각의 반사 성분을 제거하여, 내부만의 투과율을 나타내고 있다. 실리콘 기판의 두께 t가 50㎛, 100㎛, 200㎛, 500㎛, 1000㎛의 각각에 대하여 상기 관계를 나타내었다.
예를 들면, Nd : YAG 레이저의 파장인 1064nm에 있어서, 실리콘 기판의 두께가 500㎛ 이하인 경우, 실리콘 기판의 내부에서는 레이저 광이 80% 이상 투과하는 것을 알 수 있다. 도 12에 나타내는 실리콘 웨이퍼(11)의 두께는 350㎛이므로, 다광자 흡수에 의한 용융 처리 영역(13)은 실리콘 웨이퍼의 중심 부근, 즉 표면으로부터 175㎛의 부분에 형성된다. 이 경우의 투과율은, 두께 200㎛의 실리콘 웨이퍼를 참고로 하면 90% 이상이므로, 레이저 광이 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에서 흡수되는 것은 약간이고 거의가 투과한다. 이 사실은 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에서 레이저 광이 흡수되어, 용융 처리 영역(13)이 실리콘 웨이퍼(11)의 내부에 형성(즉 ,레이저 광에 의한 통상의 가열로 용융 처리 영역이 형성)된 것은 아니며, 용융 처리 영역(13)이 다광자 흡수에 의해 형성된 것을 의미한다. 다광자 흡수에 의한 용융 처리 영역의 형성은, 예를 들면 용접학회 전국 대회 강연 개요 제66집(2000년 4월)의 제72쪽 ∼제73쪽의 「피코 초 펄스 레이저에 의한 실리콘의 가공 특성 평가」에 기재되어 있다.
또한, 실리콘 웨이퍼는, 용융 처리 영역을 가지고 형성되는 절단 기점 영역을 기점으로 하여 단면 방향을 향해 균열을 발생시키며, 이 균열이 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면에 도달함으로써 결과적으로 절단된다. 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면에 도달한 이 균열은 자연적으로 성장하는 경우도 있고, 실리콘 웨이퍼에 힘이 인가되는 것에 의하여 성장하는 경우도 있다. 또한, 절단 기점 영역으로부터 실리콘 웨이퍼의 표면과 이면에 균열이 자연적으로 성장하는 경우에는, 절단 기점 영역을 형성하는 용융 처리 영역이 용융하고 있는 상태로부터 균열이 성장하는 경우와, 절단 기점 영역을 형성하는 용융 처리 영역이 용융하고 있는 상태로부터 재 고화될 때에 균열이 성장하는 경우의 어느 것이 있다. 단, 어느 쪽의 경우도 용융 처리 영역은 실리콘 웨이퍼의 내부에만 형성되며, 절단 후의 절단면에는 도 12와 같이 내부에만 용융 처리 영역이 형성되어 있다. 기판의 내부에 용융 처리 영역을 가지고 절단 기점 영역을 형성하면, 분할 절단시, 절단 기점 영역 라인으로부터 벗어난 불필요한 균열이 생기기 어려우므로 분할 절단 제어가 용이해진다.
(3) 개질 영역이 굴절률 변화 영역의 경우
기판(예를 들면, 유리)의 내부에 집광점을 맞추고, 집광점에 있어서의 전계 강도가 1×108(W/㎠) 이상이고 또한 펄스폭이 1㎱ 이하의 조건으로 레이저 광을 조사한다. 펄스폭을 극히 짧게 하여, 다광자 흡수를 기판의 내부에 발생시키면, 다광자 흡수에 의한 에너지가 열에너지로 전화(轉化)하지 않고, 기판의 내부에는 이온가 수 변화, 결정화 또는 분극 배향 등의 영속적인 구조 변화가 유기되어서 굴절률 변화 영역이 형성된다. 전계 강도의 상한치로서는, 예를 들면 1×1012(W/㎠)이다. 펄스폭은 예를 들면 1㎱ 이하가 바람직하고, 1ps 이하가 또한 바람직하다. 다광자 흡수에 의한 굴절률 변화 영역의 형성은, 예를 들면 제42회 레이저 열가공 연구회 논문집(1997년, 11월)의 제105쪽 ∼제111쪽의 「펨토 초 레이저 조사에 의한 유리 내부에의 광유기 구조 형성」에 기재되어 있다.
이상, 다광자 흡수에 의하여 형성되는 개질 영역으로서 (1)∼(3)의 경우를 설명하였으나, 기판의 결정 구조나 그 벽개성(劈開性) 등을 고려하여 절단 기점 영역을 다음과 같이 형성하면, 그 절단 기점 영역을 기점으로 하여, 한층 작은 힘으로, 더구나 정밀도 있게 기판을 절단하는 것이 가능해진다.
즉, 실리콘 등의 다이아몬드 구조의 단결정 반도체로 이루어지는 기판의 경우는, (111)면(제1벽개면)이나 (110)면(제2벽개면)을 따른 방향으로 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다. 또, GaAs 등의 섬아연광(閃亞鉛鑛)형 구조의 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로 이루어지는 기판의 경우는, (110)면에 따른 방향으로 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 사파이어(Al2O3) 등의 육방정계의 결정 구조를 갖는 기판의 경우는, (0001)면(C면)을 주면으로 하여 (1120)면(A면) 혹은 (1100)면(M면)에 따른 방향으로 절단 기점 영역을 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 상술한 절단 기점 영역을 형성해야 할 방향(예를 들면, 단결정 실리콘 기판에 있어서의 (111)면에 따른 방향), 혹은 절단 기점 영역을 형성해야 할 방향에 직교하는 방향을 따라 기판에 오리엔테이션 플랫을 형성하면, 그 오리엔테이션 플랫을 기준으로 하는 것으로, 절단 기점 영역을 형성해야 할 방향에 따른 절단 기점 영역을 용이하며 정확하게 기판에 형성하는 것이 가능해진다.
이하, 실시예에 의해, 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.
[실시예1]
본 발명에 관련된 기판의 분할 방법의 실시예1에 대해 설명한다. 실시예1에서는, 기판(1)을 실리콘 웨이퍼(두께 350㎛, 외경 4인치)로 하고(이하, 실시예1에서는 「기판(1)」을 「반도체 기판(1)」이라 한다), 디바이스 제작 프로세스에 있어서의 반도체 기판(1)의 표면(3)에 복수의 기능 소자가 매트릭스 형상으로 형성되는 것을 대상으로 한다.
먼저, 반도체 기판(1)의 내부에 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 대해 설명하지만, 그 설명에 앞서, 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서 사용되는 레이저 가공 장치에 대해 도 14를 참조하여 설명한다. 도 14는 레이저 가공 장치(100)의 개략 구성도이다.
레이저 가공 장치(100)는, 레이저 광(L)을 발생하는 레이저 광원(101)과, 레이저 광(L)의 출력이나 펄스폭 등을 조절하기 위해 레이저 광원(101)을 제어하는 레이저 광원 제어부(102)와, 레이저 광(L)의 반사 기능을 가지며 또한 레이저 광(L)의 광축 방향을 90°변경시키도록 배치된 다이크로익 미러(103)와, 다이크로익 미러(103)로 반사된 레이저 광(L)을 집광하는 집광용 렌즈(105)와, 집광용 렌즈(105)로 집광된 레이저 광(L)이 조사되는 반도체 기판(1)이 재치되는 재치대(107)와, 재치대(107)를 X축 방향으로 이동시키기 위한 X축 스테이지(109)와, 재치대 (107)를 X축 방향에 직교하는 Y축 방향으로 이동시키기 위한 Y축 스테이지(111)와, 재치대(107)를 X축 및 Y축 방향에 직교하는 Z축 방향으로 이동시키기 위한 Z축 스테이지(113)와, 이들 3개의 스테이지(109, 111, 113)의 이동을 제어하는 스테이지 제어부(115)를 구비한다.
Z축 방향은 반도체 기판(1)의 표면(3)과 직교하는 방향이므로, 반도체 기판(1)에 입사하는 레이저 광(L)의 초점 심도의 방향으로 된다. 따라서, Z축 스테이지(113)를 Z축 방향으로 이동시킴으로써, 반도체 기판(1)의 내부에 레이저 광(L)의 집광점(P)을 맞출 수 있다. 또, 이 집광점(P)의 X(Y)축 방향의 이동은, 반도체 기판(1)을 X(Y)축 스테이지(109)(111)에 의해 X(Y)축 방향으로 이동시킴으로써 행해진다.
레이저 광원(101)은 펄스 레이저 광을 발생하는 Nd : YAG 레이저이다. 레이저 광원(101)에 사용할 수 있는 레이저로서, 이 밖에, Nd : YVO4 레이저, Nd : YLF 레이저나 티타늄 사파이어 레이저가 있다. 용융 처리 영역을 형성하는 경우에는, Nd : YAG 레이저, Nd : YVO4 레이저, Nd : YLF 레이저를 사용하는 것이 적합하다. 실시예1에서는, 반도체 기판(1)의 가공에 펄스 레이저 광을 사용하고 있으나, 다광자 흡수를 일으킬 수 있으면 연속파 레이저 광이라도 된다.
레이저 가공 장치(100)는 또한, 재치대(107)에 재치된 반도체 기판(1)을 가시 광선에 의하여 조명하기 위해서 가시 광선을 발생하는 관찰용 광원(117)과, 다이크로익 미러(103) 및 집광용 렌즈(105)와 동일한 광 축상에 배치된 가시광용의 빔 스플리터(119)를 구비한다. 빔 스플리터(119)와 집광용 렌즈(105)의 사이에 다이크로익 미러(103)가 배치되어 있다. 빔 스플리터(119)는, 가시 광선의 약 절반을 반사하고 나머지 절반을 투과하는 기능을 가지며 또한 가시 광선의 광축 방향을 90°변경시키도록 배치되어 있다. 관찰용 광원(117)으로부터 발생한 가시 광선은 빔 스플리터(119)로 약 절반이 반사되며, 이 반사된 가시 광선이 다이크로익 미러(103) 및 집광용 렌즈(105)를 투과하고, 반도체 기판(1)의 절단 예정 라인(5) 등을 포함하는 표면(3)을 조명한다.
레이저 가공 장치(100)는 또한, 빔 스플리터(119), 다이크로익 미러(103) 및 집광용 렌즈(105)와 동일한 광 축상에 배치된 촬상 소자(121) 및 결상 렌즈(123)를 구비한다. 촬상 소자(121)로서는 예를 들면, CCD 카메라가 있다. 절단 예정 라인(5) 등을 포함하는 표면(3)을 조명한 가시 광선의 반사광은, 집광용 렌즈(105), 다이크로익 미러(103), 빔 스플리터(119)를 투과하여, 결상 렌즈(123)로 결상되어서 촬상 소자(121)로 촬상되어 촬상 데이터로 된다.
레이저 가공 장치(100)는 또한, 촬상 소자(121)로부터 출력된 촬상 데이터가 입력되는 촬상 데이터 처리부(125)와, 레이저 가공 장치(100) 전체를 제어하는 전체 제어부(127)와, 모니터(129)를 구비한다. 촬상 데이터 처리부(125)는, 촬상 데이터를 기초로 하여 관찰용 광원(117)에서 발생한 가시광의 초점을 표면(3) 상에 맞추기 위한 초점 데이터를 연산한다. 이 초점 데이터를 기초로 하여 스테이지 제어부(115)가 Z축 스테이지(113)를 이동 제어함으로써, 가시광의 초점이 표면(3)에 맞도록 한다. 따라서, 촬상 데이터 처리부(125)는 오토 포커스 유닛으로서 기능한 다. 또, 촬상 데이터 처리부(125)는, 촬상 데이터를 기초로 하여 표면(3)의 확대 화상 등의 화상 데이터를 연산한다. 이 화상 데이터는 전체 제어부(127)에 보내지고, 전체 제어부에서 각종 처리가 이루어져, 모니터(129)에 보내진다. 이로 인해, 모니터(129)에 확대 화상 등이 표시된다.
전체 제어부(127)에는, 스테이지 제어부(115)로부터의 데이터, 촬상 데이터 처리부(125)로부터의 화상 데이터 등이 입력되고, 이들 데이터를 기초로 하여 레이저 광원 제어부(102), 관찰용 광원(117) 및 스테이지 제어부(115)를 제어하는 것에 의하여, 레이저 가공 장치(100) 전체를 제어한다. 따라서, 전체 제어부(127)는 컴퓨터 유닛으로서 기능한다.
계속해서, 상술한 레이저 가공 장치(100)를 사용한 경우의 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 대하여, 도 14 및 도 15를 참조하여 설명한다. 도 15는, 절단 기점 영역을 형성하는 공정을 설명하기 위한 플로차트이다.
반도체 기판(1)의 광흡수 특성을 도시하지 않은 분광 광도계 등에 의하여 측정한다. 이 측정 결과에 의거하여, 반도체 기판(1)에 대하여 투명한 파장 또는 흡수가 적은 파장의 레이저 광(L)을 발생하는 레이저 광원(101)을 선정한다(S101). 계속하여, 반도체 기판(1)의 두께를 측정한다. 두께의 측정 결과 및 반도체 기판(1)의 굴절률을 기초로 하여, 반도체 기판(1)의 Z축 방향의 이동량을 결정한다(S103). 이것은, 레이저 광(L)의 집광점(P)을 반도체 기판(1)의 내부에 위치시키기 위해, 반도체 기판(1)의 표면(3)에 위치하는 레이저 광(L)의 집광점(P)을 기준으로 한 반도체 기판(1)의 Z축 방향의 이동량이다. 이 이동량은 전체 제어부(127)에 입 력된다.
반도체 기판(1)을 레이저 가공 장치(100)의 재치대(107)에 재치한다. 그리고, 관찰용 광원(117)으로부터 가시광을 발생시켜서 반도체 기판(1)을 조명한다(S105). 조명된 절단 예정 라인(5)을 포함하는 반도체 기판(1)의 표면(3)을 촬상 소자(121)에 의해 촬상한다. 절단 예정 라인(5)은, 반도체 기판(1)을 절단해야 할 원하는 가상선이다. 여기서는, 반도체 기판(1)을 그 표면(3)에 형성된 기능 소자마다 분할하여 반도체 칩을 얻기 위해, 절단 예정 라인(5)은, 인접하는 기능 소자 사이를 달리도록 격자 형상으로 설정된다. 촬상 소자(121)에 의하여 촬상된 촬상 데이터는 촬상 데이터 처리부(125)에 보내진다. 이 촬상 데이터에 의거하여 촬상 데이터 처리부(125)는 관찰용 광원(117)의 가시광의 초점이 표면(3)에 위치하는 것과 같은 초점 데이터를 연산한다(S107).
이 초점 데이터는 스테이지 제어부(115)에 보내진다. 스테이지 제어부(115)는, 이 초점 데이터를 기초로 하여 Z축 스테이지(113)를 Z축 방향으로 이동시킨다(S109). 이로 인해, 관찰용 광원(117)의 가시광의 초점이 반도체 기판(1)의 표면(3)에 위치한다. 또한, 촬상 데이터 처리부(125)는 촬상 데이터에 의거하여, 절단 예정 라인(5)을 포함하는 반도체 기판(1)의 표면(3)의 확대 화상 데이터를 연산한다. 이 확대 화상 데이터는 전체 제어부(127)를 통해 모니터(129)에 보내지고, 이로 인해 모니터(129)에 절단 예정 라인(5) 부근의 확대 화상이 표시된다.
전체 제어부(127)에는 미리 스텝 S103에서 결정된 이동량 데이터가 입력되어 있고, 이 이동량 데이터가 스테이지 제어부(115)에 보내진다. 스테이지 제어부 (115)는 이 이동량 데이터에 의거하여, 레이저 광(L)의 집광점(P)이 반도체 기판(1)의 내부로 되는 위치에, Z축 스테이지(113)에 의해 반도체 기판(1)을 Z축 방향으로 이동시킨다(S111).
계속해서, 레이저 광원(101)으로부터 레이저 광(L)을 발생시켜서, 레이저 광(L)을 반도체 기판(1)의 표면(3)의 절단 예정 라인(5)에 조사한다. 레이저 광(L)의 집광점(P)은 반도체 기판(1)의 내부에 위치하고 있으므로, 용융 처리 영역은 반도체 기판(1)의 내부에만 형성된다. 그리고, 절단 예정 라인(5)을 따르도록 X축 스테이지(109)나 Y축 스테이지(111)를 이동시켜서, 절단 예정 라인(5)을 따르도록 형성된 용융 처리 영역을 가지고 절단 예정 라인(5)에 따른 절단 기점 영역을 반도체 기판(1)의 내부에 형성한다(S113).
이상에 의해 절단 기점 영역을 형성하는 공정이 종료되며, 반도체 기판(1)의 내부에 절단 기점 영역이 형성된다. 반도체 기판(1)의 내부에 절단 기점 영역이 형성되면, 자연적으로 또는 비교적 작은 힘에 의해서, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 반도체 기판(1)의 두께 방향으로 균열이 발생한다.
실시예1에서는, 상술한 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서, 반도체 기판(1)의 내부의 표면(3)측에 가까운 위치에 절단 기점 영역이 형성되며, 이 절단 기점 영역을 기점으로 하여 반도체 기판(1)의 두께 방향으로 균열이 발생하고 있다. 도 16은 절단 기점 영역 형성 후의 반도체 기판(1)을 나타내는 도면이다. 도 16에 나타내는 바와 같이, 반도체 기판(1)에 있어서 절단 기점 영역을 기점으로 하여 발생한 균열(15)은, 절단 예정 라인을 따르도록 격자 형상으로 형성되며, 반도 체 기판(1)의 표면(3)에만 도달하고, 이면(21)에는 도달하고 있지 않다. 즉, 반도체 기판(1)에 발생한 균열(15)은 반도체 기판(1)의 표면에 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 기능 소자(19)를 개별적으로 분할하고 있다. 또, 이 균열(15)에 의해 절단된 반도체 기판(1)의 절단면은 서로 밀착하고 있다.
또한, 「반도체 기판(1)의 내부의 표면(3)측에 가까운 위치에 절단 기점 영역이 형성된다」는 것은, 절단 기점 영역을 구성하는 용융 처리 영역 등의 개질 영역이, 반도체 기판(1)의 두께 방향에 있어서 중심 위치(두께의 반의 위치)로부터 표면(3)측으로 치우쳐서 형성되는 것을 의미한다. 요컨대, 반도체 기판(1)의 두께 방향에 있어서의 개질 영역의 폭의 중심 위치가, 반도체 기판(1)의 두께 방향에 있어서 중심 위치로부터 표면(3)측으로 치우쳐서 위치하고 있는 경우를 의미하고, 개질 영역의 모든 부분이 반도체 기판(1)의 두께 방향에 있어서의 중심 위치에 대하여 표면(3)측에 위치하고 있는 경우에만 한정하는 의미는 아니다.
다음에, 반도체 기판(1)을 연마하는 공정에 대하여 도 17∼도 21을 참조하여 설명한다. 도 17∼21은 반도체 기판을 연마하는 공정을 포함하는 각 공정을 설명하기 위한 도면이다. 또한, 실시예1에서는 반도체 기판(1)이 두께 350㎛로부터 두께 50㎛로 박형화된다.
도 17에 나타내는 바와 같이, 상기 절단 기점 영역 형성 후의 반도체 기판(1)의 표면(3)에 보호 필름(20)이 첩부된다. 보호 필름(20)은, 반도체 기판(1)의 표면(3)에 형성되어 있는 기능 소자(19)를 보호하는 동시에, 반도체 기판(1)을 지지하기 위한 것이다. 계속해서, 도 18에 나타내는 바와 같이, 반도체 기판(1)의 이 면(21)이 평면 연삭되고, 이 평면 연삭 후에 이면(21)에 케미컬 에칭이 행해져서, 반도체 기판(1)이 50㎛로 박형화된다. 이로 인해, 즉 반도체 기판(1)의 이면(21)의 연마에 의하여, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 발생한 균열(15)에 이면(21)이 도달하고, 기능 소자(19) 각각을 갖는 반도체 칩(25)으로 반도체 기판(1)이 분할된다. 또한, 상기 케미컬 에칭으로서는, 웨트 에칭(HF·HNO3)나 플라즈마 에칭(HBr·Cl2) 등을 들 수 있다.
그리고, 도 19에 나타내는 바와 같이, 모든 반도체 칩(25)의 이면을 덮도록 확장 필름(23)이 첩부되며, 그 후, 도 20에 나타내는 바와 같이, 모든 반도체 칩(25)의 기능 소자(19)를 덮도록 첩부되어 있던 보호 필름(20)이 벗겨진다. 계속해서, 도 21에 나타내는 바와 같이, 확장 필름(23)이 익스팬드되어 각 반도체 칩(25)이 서로 이간되며, 흡착 콜릿(27)에 의하여 반도체 칩(25)이 픽업된다.
이상 설명한 바와 같이, 실시예1에 관련된 기판의 분할 방법에 의하면, 디바이스 제작 프로세스에 있어서 기능 소자(19)를 반도체 기판(1)의 표면(3)에 형성한 후에, 반도체 기판(1)의 이면(21)을 연마할 수 있다. 그리고, 절단 기점 영역을 형성하는 공정 및 반도체 기판을 연마하는 공정의 각각이 나타내는 이하의 효과에 의해, 반도체 디바이스의 소형화에 대응하도록 박형화된 반도체 칩(25)을 수율 있게 얻는 것이 가능해진다.
즉, 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 의하면, 반도체 기판(1)을 절단해야 할 원하는 절단 예정 라인으로부터 벗어난 불필요한 균열이나 용융이 반도체 기판 (1)의 표면(3)에 생기는 것을 방지할 수 있고, 반도체 기판(1)을 분리하여 얻어지는 반도체 칩(25)에 불필요한 균열이나 용융이 생기는 것을 방지하는 것이 가능해진다.
또, 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 의하면, 절단 예정 라인을 따르는 반도체 기판(1)의 표면(3)은 용융하지 않기 때문에, 인접하는 기능 소자(19)의 간격을 좁게 할 수 있어서, 1매의 반도체 기판(1)으로부터 분리되는 반도체 칩(25)의 수를 증가시키는 것이 가능해진다.
한편, 반도체 기판을 연마하는 공정에 있어서는, 반도체 기판(1)의 내부에 절단 기점 영역을 형성한 후에 반도체 기판(1)이 소정의 두께로 되도록 반도체 기판(1)의 이면(21)을 평면 연삭하지만, 이 때, 이면(21)이 절단 기점 영역을 기점으로 하여 발생한 균열(15)에 도달해도, 이 균열(15)에 의해 절단된 반도체 기판(1)의 절단면은 서로 밀착되어 있기 때문에, 평면 연삭에 의한 반도체 기판(1)의 치핑이나 크래킹을 방지할 수 있다. 따라서 치핑이나 크래킹의 발생을 방지하고, 반도체 기판(1)을 박형화하며 또한 반도체 기판(1)을 분할하는 것이 가능해진다.
상술한 반도체 기판(1)에 있어서의 절단면의 밀착은, 평면 연삭에 의해 생기는 연삭 찌꺼기가 균열(15) 내로 들어가는 것을 방지하고, 반도체 기판(1)을 분할하는 것으로 얻어지는 반도체 칩(25)의 연삭 찌꺼기 오염을 방지한다고 하는 효과도 나타낸다. 동일하게 반도체 기판(1)에 있어서의 절단면의 밀착은, 각 반도체 칩(25)이 서로 이간하고 있는 경우와 비교하여 평면 연삭에 의한 반도체 칩(25)의 칩 튐을 감소시킨다고 하는 효과도 나타낸다. 즉, 보호 필름(20)으로서 유지력을 억제 한 것을 사용할 수 있다.
또, 반도체 기판을 연마하는 공정에 있어서는, 반도체 기판(1)의 이면(21)에 케미컬 에칭을 실시하기 위해서, 반도체 기판(1)을 분할하는 것으로 얻어지는 반도체 칩(25)의 이면을 보다 평활화할 수 있다. 또한, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 발생한 균열(15)에 의한 반도체 기판(1)의 절단면이 서로 밀착하고 있기 때문에, 도 22에 나타내는 바와 같이, 상기 절단면의 이면측의 에지부만이 선택적으로 에칭되어 모따기(29)가 형성된다. 따라서 반도체 기판(1)을 분할하는 것으로 얻어지는 반도체 칩(25)의 항절 강도를 향상시킬 수 있는 동시에, 반도체 칩(25)에 있어서 치핑이나 크래킹의 발생을 방지하는 것이 가능해진다.
또한, 반도체 기판을 연마하는 공정 후의 반도체 칩(25)과 용융 처리 영역(13)의 관계로서는, 도 23a∼도 25b에 나타내는 것이 있다. 각 도면에 나타내는 반도체 칩(25)에는, 후술하는 각각의 효과가 존재하기 때문에, 여러 가지의 목적에 따라 가려 쓸 수 있다. 여기서, 도 23a, 도 24a 및 도 25a는, 반도체 기판을 연마하는 공정 전에 균열(15)이 반도체 기판(1)의 표면(3)에 도달하고 있는 경우이고, 도 23b, 도 24b 및 도 25b는, 반도체 기판을 연마하는 공정 전에 균열(15)이 반도체 기판(1)의 표면(3)에 도달하고 있지 않는 경우이다. 도 23b, 도 24b 및 도 25b의 경우에도, 반도체 기판을 연마하는 공정 후에는, 균열(15)이 반도체 기판(1)의 표면(3)에 도달한다.
도 23a 및 도 23b에 나타내는 바와 같이, 용융 처리 영역(13)이 절단면 내에 잔존하는 반도체 칩(25)은, 그 절단면이 용융 처리 영역(13)에 의해 보호받게 되 어, 반도체 칩(25)의 항절 강도가 향상된다.
도 24a 및 도 24b에 나타내는 바와 같이, 용융 처리 영역(13)이 절단면 내에 잔존하지 않는 반도체 칩(25)은, 용융 처리 영역(13)이 반도체 디바이스에 좋은 영향을 주지 않는 경우에 유효하다.
도 25a 및 도 25b에 나타내는 바와 같이, 용융 처리 영역(13)이 절단면의 이면측의 에지부에 잔존하는 반도체 칩(25)은, 해당 에지부가 용융 처리 영역(13)에 의해 보호받게 되고, 반도체 칩(25)의 에지부를 모따기한 경우와 동일하게, 에지부에 있어서의 치핑이나 크래킹의 발생을 방지할 수 있다.
또, 도 23a, 도 24a 및 도 25a에 나타내는 바와 같이, 반도체 기판을 연마하는 공정 전에 균열(15)이 반도체 기판(1)의 표면(3)에 도달하고 있는 경우와 비교하여, 도 23b, 도 24b 및 도 25b에 나타내는 바와 같이 반도체 기판을 연마하는 공정 전에 균열(15)이 반도체 기판(1)의 표면(3)에 이르고 있지 않는 경우 쪽이, 반도체 기판을 연마하는 공정 후에 얻어지는 반도체 칩(25)의 절단면의 직진성이 보다 향상된다.
그런데, 반도체 기판을 연마하는 공정 전에 균열(15)이 반도체 기판(1)의 표면(3)에 도달하는지의 여부는, 용융 처리 영역(13)의 표면(3)으로부터의 깊이에 관계되는 것은 물론이지만, 용융 처리 영역(13)의 크기에도 관계된다. 즉, 용융 처리 영역(13)의 크기를 작게 하면, 용융 처리 영역(13)의 표면(3)으로부터의 깊이가 얕은 경우라도, 균열(15)은 반도체 기판(1)의 표면(3)에 도달하지 않는다. 용융 처리 영역(13)의 크기는, 예를 들면 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서의 펄스 레이저 광의 출력에 의해 제어할 수 있고, 펄스 레이저 광의 출력을 올리면 커지고, 펄스 레이저 광의 출력을 낮추면 작아진다.
또, 반도체 기판을 연마하는 공정에 있어서 박형화된 반도체 기판(1)의 소정의 두께를 고려하여, 미리(예를 들면, 절단 기점 영역을 형성하는 공정 전에), 적어도 상기 소정의 두께 분만 반도체 기판(1)의 주변 가장자리부(외주부)에, 모따기 가공에 의해 둥그스름하게 해두는 것이 바람직하다. 도 26a 및 도 26b는, 실시예1에 관련된 반도체 기판을 연마하는 공정의 전후에 있어서의 반도체 기판(1)의 주변 가장자리부의 단면도이다. 반도체 기판을 연마하는 공정 전에 있어서의 도 26a에 나타내는 반도체 기판(1)의 두께는 350㎛이고, 반도체 기판을 연마하는 공정 후에 있어서의 도 26b에 나타내는 반도체 기판(1)의 두께는 50㎛이다. 도 26a에 나타내는 바와 같이, 반도체 기판(1)의 주변 가장자리부에는 미리, 두께 50㎛마다 모따기에 의해 둥그스름하게 한 것이 복수(여기서는 7개) 형성되며, 즉 반도체 기판(1)의 주변 가장자리부의 단면 형상은 파도형으로 형성된다. 이로 인해, 도 26b에 나타내는 바와 같이, 반도체 기판(1)을 연마하는 공정 후의 반도체 기판(1)의 주변 가장자리부는, 모따기에 의해 둥그스름하게 한 상태로 되기 때문에, 상기 주변 가장자리부에 있어서의 치핑이나 크래킹의 발생을 방지할 수 있고, 나아가서는 기계적인 강도의 향상에 의해 핸들링을 용이하게 할 수 있다.
[실시예2]
본 발명에 관련된 기판의 분할 방법의 실시예2에 대하여, 도 27∼도 35를 참조하여 설명한다. 실시예2는 기판(1)을 절연 기판인 사파이어 기판(두께 450㎛, 외 경 2인치)으로 하고(이하, 실시예2에서는 「기판(1)」을 「사파이어 기판(1)」이라 한다), 발광 다이오드로 되는 반도체 칩을 얻는 경우이다. 또한, 도 28∼도 35는, 도 27에 나타내는 사파이어 기판(1)의 XX-XX에 따른 단면도이다.
먼저, 도 28에 나타내는 바와 같이, 사파이어 기판(1)의 내부에 집광점(P)을 맞춰서 레이저 광(L)을 조사하여, 사파이어 기판(1)의 내부에 개질 영역(7)을 형성한다. 이 사파이어 기판(1)의 표면(3)상에는, 후의 공정에 있어서 복수의 기능 소자(19)를 매트릭스 형상으로 형성하고, 이 기능 소자(19)마다 사파이어 기판(1)의 분할을 행한다. 이 때문에, 각 기능 소자(19)의 사이즈에 맞춰 표면(3)측에서 보아 격자 형상으로 절단 예정 라인을 설정하고, 이 절단 예정 라인을 따라 개질 영역(7)을 형성하며, 이 개질 영역(7)을 절단 기점 영역으로 한다.
또한, 집광점(P)에 있어서의 피크 파워 밀도가 1×108(W/㎠) 이상이며 또한 펄스폭이 1㎲ 이하의 조건으로 사파이어 기판(1)에 레이저 광을 조사하면, 개질 영역(7)으로서 크랙 영역이 형성된다(용융 처리 영역이 형성되는 경우도 있다). 또, 사파이어 기판(1)의 (0001)면을 표면(3)으로 하고, (1120)면에 따른 방향과 상기 방향에 직교하는 방향으로 개질 영역(7)을 형성하면, 후의 공정에 있어서, 이 개질 영역(7)에 의한 절단 기점 영역을 기점으로 하여, 보다 한층 작은 힘으로, 게다가 정밀도 좋게 기판을 절단하는 것이 가능해진다. 이것은, (1100)면에 따른 방향과 상기 방향에 직교하는 방향으로 개질 영역(7)을 형성해도 동일하다.
개질 영역(7)에 의한 절단 기점 영역의 형성 후, 도 29에 나타내는 바와 같 이, 사파이어 기판(1)의 표면(3)상에, n형 질화 갈륨계 화합물 반도체층(이하「n형층」이라 한다)(31)을 두께 6㎛로 될 때까지 결정 성장시키고, 또한 n형층(31) 상에 p형 질화 갈륨계 화합물 반도체층(이하「p형층」이라 한다)(32)을 두께 1㎛로 될 때까지 결정 성장시킨다. 그리고, 격자 형상으로 형성된 개질 영역(7)에 따라 n형층(31) 및 p형층(32)을 n형층(31)의 도중까지 에칭하는 것으로, n형층(31) 및 p형층(32)으로 이루어지는 복수의 기능 소자(19)를 매트릭스 형상으로 형성한다.
또한, 사파이어 기판(1)의 표면(3)상에 n형층(31) 및 p형층(32)을 형성한 후에, 사파이어 기판(1)의 내부에 집광점(P)을 맞춰서 레이저 광(L)을 조사하여, 사파이어 기판(1)의 내부에 개질 영역(7)을 형성해도 된다. 또, 레이저 광(L)의 조사는, 사파이어 기판(1)의 표면(3)측으로부터 행해도 되고, 이면(21)측으로부터 행해도 된다. n형층(31) 및 p형층(32)의 형성 후에 표면(3)측으로부터 레이저 광(L)의 조사를 행하는 경우에도, 레이저 광(L)은 사파이어 기판(1), n형층(31) 및 p형층(32)에 대하여 광투과성을 갖기 때문에, n형층(31) 및 p형층(32)이 용융하는 것을 방지할 수 있다.
n형층(31) 및 p형층(32)으로 이루어지는 기능 소자(19)의 형성 후, 도 30에 나타내는 바와 같이, 사파이어 기판(1)의 표면(3)측에 보호 필름(20)을 첩부한다. 보호 필름(20)은, 사파이어 기판(1)의 표면(3)에 형성된 기능 소자(19)를 보호하는 동시에, 사파이어 기판(1)을 지지하기 위한 것이다. 계속해서, 도 31에 나타내는 바와 같이, 사파이어 기판(1)의 이면(21)을 평면 연삭하고, 사파이어 기판(1)을 두께 150㎛가 될 때까지 박형화한다. 이 사파이어 기판(1)의 이면(21)의 연마에 의하 여, 개질 영역(7)에 의한 절단 기점 영역을 기점으로 하여 균열(15)이 발생하고, 이 균열(15)이 사파이어 기판(1)의 표면(3)과 이면(21)에 도달하며, n형층(31) 및 p형층(32)으로 이루어지는 기능 소자(19) 각각을 갖는 반도체 칩(25)으로 사파이어 기판(1)이 분할된다.
그리고, 도 32에 나타내는 바와 같이, 모든 반도체 칩(25)의 이면을 덮도록, 확장 가능한 확장 필름(23)을 첩부한 후, 도 33에 나타내는 바와 같이, 보호 필름(20)에 자외선을 조사하는 것으로, 보호 필름(20)의 점착층인 UV 경화 수지를 경화시키고, 도 34에 나타내는 바와 같이 보호 필름(20)을 벗긴다. 계속해서, 도 35에 나타내는 바와 같이, 확장 필름(23)을 바깥쪽으로 익스팬드하여 각 반도체 칩(25)을 서로 분리하고, 흡착 콜릿 등에 의하여 반도체 칩(25)을 픽업한다. 이 다음, 반도체 칩(25)의 n형층(31) 및 p형층(32)에 전극을 장착하여 발광 다이오드를 제작한다.
이상 설명한 바와 같이, 실시예2에 관련된 기판의 분할 방법에 의하면, 절단 기점 영역을 형성하는 공정에 있어서는, 사파이어 기판(1)의 내부에 집광점(P)을 맞춰서 레이저 광(L)을 조사하여, 사파이어 기판(1)의 내부에 다광자 흡수라고 하는 현상을 발생시켜서 개질 영역(7)을 형성하기 때문에, 이 개질 영역(7)을 가지고 사파이어 기판(1)을 절단해야 할 원하는 절단 예정 라인에 따르도록 사파이어 기판(1)의 내부에 절단 기점 영역을 형성할 수 있다. 사파이어 기판(1)의 내부에 절단 기점 영역이 형성되면, 자연적으로 또는 비교적 작은 힘에 의해서, 절단 기점 영역을 기점으로 하여 사파이어 기판(1)의 두께 방향으로 균열(15)이 발생한다.
그리고, 사파이어 기판(1)을 연마하는 공정에 있어서는, 사파이어 기판(1)의 내부에 절단 기점 영역을 형성한 후에, 사파이어 기판(1)이 소정의 두께로 되도록 사파이어 기판(1)을 연마하지만, 이 때 연마면이 절단 기점 영역을 기점으로 하여 발생한 균열(15)에 도달해도, 이 균열(15)에 의해 절단된 사파이어 기판(1)의 절단면은 서로 밀착한 상태이기 때문에, 연마에 의한 사파이어 기판(1)의 치핑이나 크래킹을 방지할 수 있다.
따라서 치핑이나 크래킹의 발생을 방지하고, 사파이어 기판(1)을 박형화하며 또한 사파이어 기판(1)을 분할할 수 있고, 사파이어 기판(1)이 박형화된 반도체 칩(25)을 수율 좋게 얻을 수 있게 된다.
또한, 사파이어 기판(1)에 대신하여 A1N 기판이나 GaAs 기판을 사용한 경우의 기판의 분할에 있어서도, 상기와 동일한 효과를 나타낸다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 치핑이나 크래킹의 발생을 방지하고, 기판을 박형화하며 또한 기판을 분할할 수 있게 된다.
Claims (21)
- 기판의 내부에 집광점을 맞춰서 레이저 광을 조사하여, 상기 기판의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해서, 상기 기판의 절단 예정 라인을 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 기판이 소정의 두께가 되도록 상기 기판을 연마하는 공정을구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 기판은 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 제 2항에 있어서,상기 개질 영역은 용융 처리한 영역인 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 제 1항에 있어서,상기 기판은 절연 기판인 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판의 표면에는 기능 소자가 형성되어 있고,상기 기판을 연마하는 공정에서는 상기 기판의 이면을 연마하는 것을특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 제 5항에 있어서,상기 기판을 연마하는 공정은, 상기 기판의 이면에 케미컬 에칭을 실시하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 기판의 내부에 집광점을 맞춰서 레이저 광을 조사하여, 상기 기판의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해서, 상기 기판에 대하여 격자 형상으로 설정된 절단 예정 라인의 각각에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 기판이 소정의 두께로 되도록 상기 기판을 연마하고, 상기 절단 기점 영역을 절단의 기점으로 하여 상기 절단 예정 라인에 따라 상기 기판을 복수의 칩으로 분할하는 공정을구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 반도체 재료로 이루어지는 기판의 내부에 집광점을 맞춰서 레이저 광을 조사하여, 상기 기판의 내부에 용융 처리 영역을 형성하고, 이 용융 처리 영역에 의해서, 상기 기판의 절단 예정 라인에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 기판이 소정의 두께로 되도록 상기 기판을 연마하는 공정을구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 반도체 재료로 이루어지는 기판의 내부에 집광점을 맞춰서 레이저 광을 조사하여, 상기 기판의 내부에 용융 처리 영역을 형성하고, 이 용융 처리 영역에 의해서, 상기 기판에 대하여 격자 형상으로 설정된 절단 예정 라인의 각각에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 기판이 소정의 두께로 되도록 상기 기판을 연마하고, 상기 절단 기점 영역을 절단의 기점으로 하여 상기 절단 예정 라인에 따라 상기 기판을 복수의 칩으로 분할하는 공정을구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 기판의 내부에 집광점을 맞추어서, 집광점에 있어서의 피크 파워 밀도가 1×108(W/cm2) 이상으로 하고 또한 펄스 폭이 1㎲ 이하의 조건으로 레이저를 조사하며, 상기 기판의 내부에 크랙 영역을 포함한 개질영역을 형성하고, 이 개질영역에 의해, 상기 기판의 절단 예정 라인에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정거리 내측에서 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 기판이 소정의 두께로 이루어지도록 상기 기판을 연마하는 공정과,를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 기판의 내부에 집광점을 맞추어서, 집광점에 있어서의 피크 파워 밀도가 1×108(W/cm2) 이상으로 하고 또한 펄스 폭이 1㎲ 이하의 조건으로 레이저를 조사하며, 상기 기판의 내부에 용융 처리 영역을 포함한 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 기판의 절단 예정 라인에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 기판이 소정의 두께로 이루어지도록 상기 기판을 연마하는 공정과,를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 기판의 내부에 집광점을 맞추어서, 집광판에 있어서의 피크 파워 밀도가 1×108(W/cm2) 이상으로 하고 또한 펄스 폭이 1ns 이하의 조건으로 레이저 광을 조사하며, 상기 기판의 내부에 굴절률이 변화한 영역인 굴절률 변화 영역을 포함한 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 기판의 절단 예정 라인에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 기판이 소정의 두께로 이루어지도록 상기 기판을 연마하는 공정과,를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 반도체 재료로 이루어지는 기판의 내부에 집광점을 맞추어서, 집광점에 있어서의 피크 파워 밀도가 1×108(W/cm2) 이상으로 하고 또한 펄스 폭이 1㎲ 이하의 조건으로 레이저 광을 조사하며, 상기 기판의 내부에 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 기판의 절단 예정 라인에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 기판이 소정의 두께로 이루어지도록 상기 기판을 연마하는 공정과,를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 압전재료로 이루어지는 기판의 내부에 집광점을 맞추어서, 집광점에 있어서의 피크 파워 밀도가 1×108(W/cm2) 이상으로 하고 또한 펄스 폭이 1㎲ 이하의 조건으로 레이저 광을 조사하며, 상기 기판의 내부에 개질 영역을 형성하고, 이 개질 영역에 의해, 상기 기판의 절단 예정 라인에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 기판이 소정의 두께로 이루어지도록 상기 기판을 연마하는 공정과,를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 기판의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저광을 조사하고, 상기 기판의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하며, 이 개질 영역에 의해, 상기 기판의 절단 예정 라인에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 기판에 상기 개질 영역이 잔존하도록 상기 기판을 연마하는 공정과,를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 기판의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저 광을 조사하고, 상기 기판의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하며, 이 개질 영역에 의해, 상기 기판의 절단 예정 라인에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 기판의 두께 방향으로 발생한 분할의 적어도 일부가 상기 기판에 잔존하고, 또한 상기 기판에 상기 개질 영역이 잔존하지 않도록 상기 기판을 연마하는 공정과,를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 기판의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저 광을 조사하고, 상기 기판의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하며, 이 개질 영역에 의해, 상기 기판에 대하여 격자 모양으로 설정된 절단 예정 라인의 각각에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 기판에 상기 개질 영역이 잔존하도록 상기 기판을 연마하고, 상기 절단 예정 라인에 따라 상기 기판을 복수의 팁(tip)으로 분할하는 공정과,를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 기판의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저 광을 조사하고, 상기 기판의 내부에 다광자 흡수에 의한 개질 영역을 형성하며, 이 개질 영역에 의해, 상기 기판에 대하여 격자 모양으로 설정된 절단 예정 라인의 각각에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 기판의 두께 방향으로 발생하는 분할의 적어도 일부가 상기 기판에 잔존하고, 또한 상기 기판에 상기 개질 영역이 잔존하지 않도록 상기 기판을 연마하며, 상기 절단 예정 라인에 따라 상기 기판을 복수의 팁으로 분할하는 공정과,를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 반도체 재료로 이루어지는 기판의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저 광을 조사하고, 상기 기판의 내부에 용융 처리 영역을 형성하며, 이 용융 처리 영역에 의해, 상기 기판의 절단 예정 라인에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 기판에 상기 용융 처리 영역이 잔존하도록 상기 기판을 연마하는 공정과,를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 반도체 재료로 이루어지는 기판의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저 광을 조사하고, 상기 기판의 내부에 용융 처리 영역을 형성하며, 이 용융 처리 영역에 의해, 상기 기판의 절단 예정 라인에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 절단 기점 영역을 기점으로 하여 상기 기판의 두께 방향으로 발생한 분할의 적어도 일부가 상기 기판에 잔존하고, 또한 상기 기판에 상기 용융 처리 영역이 잔존하지 않도록 상기 기판을 연마하는 공정과,를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
- 반도체 재료로 이루어지는 기판의 내부에 집광점을 맞추어서 레이저 광을 조사하고, 상기 기판의 내부에 용융 처리 영역을 형성하며, 이 용융 처리 영역에 의해, 상기 기판에 대하여 격자 모양으로 설정된 절단 예정 라인의 각각에 따라 상기 기판의 레이저 광 입사면으로부터 소정 거리 내측에 절단 기점 영역을 형성하는 공정과,상기 절단 기점 영역을 형성하는 공정 후, 상기 기판에 상기 용융 처리 영역이 잔존하도록 상기 기판을 연마하며, 상기 절단 예정 라인에 따라 상기 기판을 복수의 팁으로 분할하는 공정과,를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 분할 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2002-00067289 | 2002-03-12 | ||
JP2002067289 | 2002-03-12 | ||
PCT/JP2003/002669 WO2003077295A1 (en) | 2002-03-12 | 2003-03-06 | Method for dicing substrate |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020057012045A Division KR100848408B1 (ko) | 2002-03-12 | 2003-03-06 | 기판의 분할 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20040108660A KR20040108660A (ko) | 2004-12-24 |
KR100715576B1 true KR100715576B1 (ko) | 2007-05-09 |
Family
ID=27800279
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020057012045A KR100848408B1 (ko) | 2002-03-12 | 2003-03-06 | 기판의 분할 방법 |
KR1020047014158A KR100715576B1 (ko) | 2002-03-12 | 2003-03-06 | 기판의 분할 방법 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020057012045A KR100848408B1 (ko) | 2002-03-12 | 2003-03-06 | 기판의 분할 방법 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (20) | US8268704B2 (ko) |
EP (7) | EP3664131A3 (ko) |
JP (7) | JP3762409B2 (ko) |
KR (2) | KR100848408B1 (ko) |
CN (5) | CN100355031C (ko) |
AT (3) | ATE362653T1 (ko) |
AU (1) | AU2003211763A1 (ko) |
DE (1) | DE60313900T2 (ko) |
ES (3) | ES2285634T3 (ko) |
TW (1) | TWI278027B (ko) |
WO (1) | WO2003077295A1 (ko) |
Families Citing this family (309)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
TWI326626B (en) | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
CN100355031C (zh) | 2002-03-12 | 2007-12-12 | 浜松光子学株式会社 | 基板的分割方法 |
US7749867B2 (en) | 2002-03-12 | 2010-07-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting processed object |
TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
FR2852250B1 (fr) | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
WO2004080643A1 (ja) | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法 |
JP4342832B2 (ja) | 2003-05-16 | 2009-10-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4494728B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2010-06-30 | 株式会社ディスコ | 非金属基板の分割方法 |
KR101193723B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2012-10-22 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 기판, 반도체 기판의 절단방법 및 가공대상물의 절단방법 |
JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP4509578B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4598407B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4601965B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
CN100428418C (zh) * | 2004-02-09 | 2008-10-22 | 株式会社迪斯科 | 晶片的分割方法 |
JP4082400B2 (ja) * | 2004-02-19 | 2008-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
JP2005252126A (ja) * | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP4584607B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2010-11-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP4536407B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2010-09-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び加工対象物 |
JP5138219B2 (ja) | 2004-03-30 | 2013-02-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4694795B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2011-06-08 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
US7459377B2 (en) * | 2004-06-08 | 2008-12-02 | Panasonic Corporation | Method for dividing substrate |
JP4733934B2 (ja) | 2004-06-22 | 2011-07-27 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP4447392B2 (ja) * | 2004-07-23 | 2010-04-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法および分割装置 |
JP4200177B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2008-12-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体装置 |
JP2006108532A (ja) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法 |
JP4781661B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2011-09-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4565977B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2010-10-20 | 株式会社東京精密 | フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 |
JP4762653B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP2007134454A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR100858983B1 (ko) * | 2005-11-16 | 2008-09-17 | 가부시키가이샤 덴소 | 반도체 장치 및 반도체 기판 다이싱 방법 |
JP4907965B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4804911B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4907984B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
JP2007235069A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工方法 |
JP2007235068A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ加工方法 |
JP2007317747A (ja) * | 2006-05-23 | 2007-12-06 | Seiko Epson Corp | 基板分割方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
EP1875983B1 (en) * | 2006-07-03 | 2013-09-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and chip |
JP5183892B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
CN101516566B (zh) * | 2006-09-19 | 2012-05-09 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法和激光加工装置 |
JP5101073B2 (ja) * | 2006-10-02 | 2012-12-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4964554B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5132911B2 (ja) * | 2006-10-03 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
KR101428824B1 (ko) * | 2006-10-04 | 2014-08-11 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공방법 |
JP4306717B2 (ja) * | 2006-11-09 | 2009-08-05 | セイコーエプソン株式会社 | シリコンデバイスの製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法 |
US8530784B2 (en) * | 2007-02-01 | 2013-09-10 | Orbotech Ltd. | Method and system of machining using a beam of photons |
US7888236B2 (en) * | 2007-05-14 | 2011-02-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication methods thereof |
CN102623373B (zh) * | 2007-05-25 | 2015-07-15 | 浜松光子学株式会社 | 切断用加工方法 |
JP5336054B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2013-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム |
JP2009032970A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP5449665B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2014-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5054496B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2012-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5134928B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
JP5160868B2 (ja) * | 2007-12-06 | 2013-03-13 | 株式会社ディスコ | 基板への改質層形成方法 |
JP2009290148A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP5231136B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2013-07-10 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP5692969B2 (ja) | 2008-09-01 | 2015-04-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 収差補正方法、この収差補正方法を用いたレーザ加工方法、この収差補正方法を用いたレーザ照射方法、収差補正装置、及び、収差補正プログラム |
DE102008052006B4 (de) | 2008-10-10 | 2018-12-20 | 3D-Micromac Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Proben für die Transmissionselektronenmikroskopie |
US20110300692A1 (en) * | 2008-10-29 | 2011-12-08 | Oerlikon Solar Ag, Trubbach | Method for dividing a semiconductor film formed on a substrate into plural regions by multiple laser beam irradiation |
KR101539246B1 (ko) * | 2008-11-10 | 2015-07-24 | 삼성전자 주식회사 | 광추출 효율이 향상된 발광 장치의 제조 방법 및 그 방법으로 제조된 발광 장치 |
JP5254761B2 (ja) | 2008-11-28 | 2013-08-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5241525B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5241527B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
EP2394775B1 (en) | 2009-02-09 | 2019-04-03 | Hamamatsu Photonics K.K. | Workpiece cutting method |
KR101697383B1 (ko) | 2009-02-25 | 2017-01-17 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 반도체 소자의 제조 방법 |
WO2010116917A1 (ja) | 2009-04-07 | 2010-10-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP5307612B2 (ja) * | 2009-04-20 | 2013-10-02 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP5491761B2 (ja) | 2009-04-20 | 2014-05-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5340808B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2013-11-13 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハのレーザ加工方法 |
JP5340807B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2013-11-13 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハの加工方法 |
JP5340806B2 (ja) * | 2009-05-21 | 2013-11-13 | 株式会社ディスコ | 半導体ウエーハのレーザ加工方法 |
JP5537081B2 (ja) | 2009-07-28 | 2014-07-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
US20120061356A1 (en) | 2009-08-11 | 2012-03-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining device and laser machining method |
JP5379604B2 (ja) | 2009-08-21 | 2013-12-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びチップ |
JP2011077235A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nitto Denko Corp | 素子保持用粘着シートおよび素子の製造方法 |
JP5595716B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2014-09-24 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP2011114018A (ja) * | 2009-11-24 | 2011-06-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスの製造方法 |
JP5709370B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2015-04-30 | 株式会社ディスコ | 切削装置及び切削方法 |
JP5149888B2 (ja) | 2009-12-04 | 2013-02-20 | リンテック株式会社 | ステルスダイシング用粘着シート及び半導体装置の製造方法 |
DE102010009015A1 (de) * | 2010-02-24 | 2011-08-25 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips |
JP5710133B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2015-04-30 | 株式会社ディスコ | ワークの分割方法 |
JP2011200926A (ja) | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザ加工方法及び脆性材料基板 |
JP5840828B2 (ja) * | 2010-04-12 | 2016-01-06 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP5670647B2 (ja) | 2010-05-14 | 2015-02-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
US8950217B2 (en) | 2010-05-14 | 2015-02-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting object to be processed, method of cutting strengthened glass sheet and method of manufacturing strengthened glass member |
JP5549403B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2014-07-16 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5693074B2 (ja) | 2010-07-26 | 2015-04-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
CN103025477B (zh) | 2010-07-26 | 2015-05-06 | 浜松光子学株式会社 | 半导体设备的制造方法 |
EP2599582B1 (en) | 2010-07-26 | 2020-03-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Substrate processing method |
JP5554838B2 (ja) | 2010-07-26 | 2014-07-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5476476B2 (ja) | 2010-07-26 | 2014-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5389264B2 (ja) | 2010-07-26 | 2014-01-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5574866B2 (ja) | 2010-07-26 | 2014-08-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5702556B2 (ja) | 2010-07-26 | 2015-04-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
EP2600411B1 (en) | 2010-07-26 | 2019-08-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for manufacturing light-absorbing substrate and method for manufacturing die for manufacturing light-absorbing substrate |
JP5653110B2 (ja) | 2010-07-26 | 2015-01-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | チップの製造方法 |
JP5509332B2 (ja) | 2010-07-26 | 2014-06-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | インターポーザの製造方法 |
WO2012014724A1 (ja) | 2010-07-26 | 2012-02-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 基板加工方法 |
JP2012033668A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd | レーザ加工方法 |
JP5584560B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-09-03 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザスクライブ方法 |
US8722516B2 (en) | 2010-09-28 | 2014-05-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and method for manufacturing light-emitting device |
JP2012089709A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークの分割方法 |
KR101688591B1 (ko) | 2010-11-05 | 2016-12-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 칩의 제조 방법 |
JP2012104644A (ja) * | 2010-11-10 | 2012-05-31 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ破断方法およびウェーハ破断装置 |
JP5733954B2 (ja) * | 2010-11-15 | 2015-06-10 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの分割方法 |
JP5758116B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2015-08-05 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
JP5819605B2 (ja) * | 2010-12-17 | 2015-11-24 | 株式会社ディスコ | 基板の分割方法 |
JP5480169B2 (ja) | 2011-01-13 | 2014-04-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5503580B2 (ja) * | 2011-03-17 | 2014-05-28 | 古河電気工業株式会社 | 脆性ウェハ加工用粘着テープ |
US8538576B2 (en) * | 2011-04-05 | 2013-09-17 | Asm Technology Singapore Pte. Ltd. | Method of configuring a dicing device, and a dicing apparatus for dicing a workpiece |
JP5753734B2 (ja) * | 2011-05-19 | 2015-07-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板、多数個取り配線基板、およびその製造方法 |
JP2013008831A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
CN103635264B (zh) * | 2011-06-27 | 2016-06-01 | 皇家飞利浦有限公司 | 超声换能组件及其制造方法 |
RU2469433C1 (ru) * | 2011-07-13 | 2012-12-10 | Юрий Георгиевич Шретер | Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты) |
JP2013042119A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法 |
US8575758B2 (en) * | 2011-08-04 | 2013-11-05 | Texas Instruments Incorporated | Laser-assisted cleaving of a reconstituted wafer for stacked die assemblies |
US8569086B2 (en) * | 2011-08-24 | 2013-10-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and method of dicing semiconductor devices |
CN102990227A (zh) * | 2011-09-08 | 2013-03-27 | 技鼎股份有限公司 | 单一波长多层雷射加工的方法 |
US20130095581A1 (en) * | 2011-10-18 | 2013-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Thick window layer led manufacture |
CN102515495B (zh) * | 2011-12-13 | 2015-01-21 | 意力(广州)电子科技有限公司 | 面板玻璃多模加工方法及采用该方法加工的半成品 |
KR101909633B1 (ko) | 2011-12-30 | 2018-12-19 | 삼성전자 주식회사 | 레이저 스크라이빙을 이용한 발광소자 칩 웨이퍼의 절단 방법 |
JP6012185B2 (ja) * | 2012-01-30 | 2016-10-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2013157455A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2013157449A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体デバイスの製造方法 |
JP5969214B2 (ja) * | 2012-01-30 | 2016-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
WO2013117667A1 (de) * | 2012-02-10 | 2013-08-15 | Arges Gmbh | Kontrastierungsverfahren mittels laser sowie vorrichtung zur durchführung eines kontrasierungsverfahrens |
JP5988601B2 (ja) * | 2012-02-13 | 2016-09-07 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウェーハの分割方法 |
KR101883843B1 (ko) * | 2012-02-16 | 2018-08-01 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자의 벽개면 형성 방법 |
JP5988603B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2016-09-07 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウェーハの分割方法 |
US10052848B2 (en) * | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
JP2013219076A (ja) * | 2012-04-04 | 2013-10-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
WO2013150427A1 (en) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | Koninklijke Philips N.V. | Led thin-film device partial singulation prior to substrate thinning or removal |
JP2013219271A (ja) * | 2012-04-11 | 2013-10-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP6011002B2 (ja) * | 2012-04-23 | 2016-10-19 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドの製造方法、及び、液体噴射装置の製造方法 |
TWI581451B (zh) * | 2012-05-21 | 2017-05-01 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件及其製造方法 |
US9266192B2 (en) | 2012-05-29 | 2016-02-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for processing workpieces |
CN103456847B (zh) * | 2012-06-01 | 2017-12-26 | 晶元光电股份有限公司 | 光电元件及其制造方法 |
JP6001931B2 (ja) * | 2012-06-14 | 2016-10-05 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2014011381A (ja) * | 2012-07-02 | 2014-01-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2014013807A (ja) * | 2012-07-04 | 2014-01-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
KR20140006484A (ko) * | 2012-07-05 | 2014-01-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자의 제조방법 |
JP6013858B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2016-10-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6087565B2 (ja) | 2012-10-03 | 2017-03-01 | 株式会社ディスコ | 研削装置および研削方法 |
JP2014082317A (ja) * | 2012-10-16 | 2014-05-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP6026222B2 (ja) * | 2012-10-23 | 2016-11-16 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6064519B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2017-01-25 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置、および、パターン付き基板の加工条件設定方法 |
US20140145294A1 (en) * | 2012-11-28 | 2014-05-29 | Nxp B.V. | Wafer separation |
US8809166B2 (en) * | 2012-12-20 | 2014-08-19 | Nxp B.V. | High die strength semiconductor wafer processing method and system |
JP6062287B2 (ja) * | 2013-03-01 | 2017-01-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6113529B2 (ja) | 2013-03-05 | 2017-04-12 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6158551B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2017-07-05 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
EP2964416B1 (de) | 2013-04-04 | 2023-07-19 | LPKF Laser & Electronics SE | Verfahren zum trennen eines substrates |
CN103400779B (zh) * | 2013-07-09 | 2014-09-03 | 程君 | 一种半导体显示面板的制造方法 |
EP3025378B1 (en) * | 2013-07-22 | 2020-05-06 | Lumileds Holding B.V. | Method of separating light emitting devices formed on a substrate wafer |
US9102011B2 (en) | 2013-08-02 | 2015-08-11 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method and apparatus for non-ablative, photoacoustic compression machining in transparent materials using filamentation by burst ultrafast laser pulses |
US9102007B2 (en) * | 2013-08-02 | 2015-08-11 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method and apparatus for performing laser filamentation within transparent materials |
CN103441104B (zh) * | 2013-08-29 | 2016-06-22 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 晶圆切割方法 |
CN103441103B (zh) * | 2013-08-29 | 2016-06-01 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 晶圆切割方法 |
JP6232230B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-11-15 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6257979B2 (ja) * | 2013-09-24 | 2018-01-10 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
DE102014013107A1 (de) | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Siltectra Gmbh | Neuartiges Waferherstellungsverfahren |
US10017410B2 (en) | 2013-10-25 | 2018-07-10 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method of fabricating a glass magnetic hard drive disk platter using filamentation by burst ultrafast laser pulses |
US10005152B2 (en) | 2013-11-19 | 2018-06-26 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses |
US11053156B2 (en) | 2013-11-19 | 2021-07-06 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses |
DE102013223637B4 (de) | 2013-11-20 | 2018-02-01 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Verfahren zum Behandeln eines lasertransparenten Substrats zum anschließenden Trennen des Substrats |
US10144088B2 (en) | 2013-12-03 | 2018-12-04 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses |
US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
JP6341554B2 (ja) * | 2013-12-19 | 2018-06-13 | 国立大学法人東京工業大学 | 半導体装置の製造方法 |
US9209082B2 (en) | 2014-01-03 | 2015-12-08 | International Business Machines Corporation | Methods of localized hardening of dicing channel by applying localized heat in wafer kerf |
JP6251574B2 (ja) | 2014-01-14 | 2017-12-20 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
JP6230422B2 (ja) | 2014-01-15 | 2017-11-15 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
US9938187B2 (en) | 2014-02-28 | 2018-04-10 | Rofin-Sinar Technologies Llc | Method and apparatus for material processing using multiple filamentation of burst ultrafast laser pulses |
JP2015185831A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 旭化成株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP2015195106A (ja) | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP6324796B2 (ja) * | 2014-04-21 | 2018-05-16 | 株式会社ディスコ | 単結晶基板の加工方法 |
CN106463373B (zh) | 2014-05-23 | 2020-01-03 | 琳得科株式会社 | 保护膜形成用复合片 |
SG11201609451VA (en) | 2014-06-10 | 2016-12-29 | Lintec Corp | Dicing sheet |
JP6305272B2 (ja) | 2014-08-14 | 2018-04-04 | 株式会社ディスコ | 搬送装置 |
MY182846A (en) | 2014-08-22 | 2021-02-05 | Lintec Corp | Protective coating-forming sheet and method for manufacturing semiconductor chip provided with protective coating |
US9601437B2 (en) * | 2014-09-09 | 2017-03-21 | Nxp B.V. | Plasma etching and stealth dicing laser process |
WO2016079275A1 (de) | 2014-11-19 | 2016-05-26 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | System zur asymmetrischen optischen strahlformung |
DE102014116957A1 (de) | 2014-11-19 | 2016-05-19 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Optisches System zur Strahlformung |
DE102014116958B9 (de) | 2014-11-19 | 2017-10-05 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Optisches System zur Strahlformung eines Laserstrahls, Laserbearbeitungsanlage, Verfahren zur Materialbearbeitung und Verwenden einer gemeinsamen langgezogenen Fokuszone zur Lasermaterialbearbeitung |
JP6399913B2 (ja) | 2014-12-04 | 2018-10-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP2016115800A (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
DE102014119581A1 (de) * | 2014-12-23 | 2016-06-23 | Wink Stanzwerkzeuge Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von Stahlblechen für Stanzbleche |
JP6399923B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2018-10-03 | 株式会社ディスコ | 板状物のレーザー加工方法 |
JP6545712B2 (ja) | 2014-12-25 | 2019-07-17 | デンカ株式会社 | レーザーダイシング用粘着シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP6391471B2 (ja) * | 2015-01-06 | 2018-09-19 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
WO2016114934A1 (en) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | Rofin-Sinar Technologies Inc. | Method and system for scribing brittle material followed by chemical etching |
JP6438791B2 (ja) * | 2015-02-06 | 2018-12-19 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6395633B2 (ja) | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6395632B2 (ja) | 2015-02-09 | 2018-09-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6495056B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | 単結晶基板の加工方法 |
JP2016171214A (ja) | 2015-03-12 | 2016-09-23 | 株式会社ディスコ | 単結晶基板の加工方法 |
US9873170B2 (en) | 2015-03-24 | 2018-01-23 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting element |
JP6146455B2 (ja) * | 2015-03-24 | 2017-06-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP6429715B2 (ja) | 2015-04-06 | 2018-11-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6494382B2 (ja) | 2015-04-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6425606B2 (ja) | 2015-04-06 | 2018-11-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
DE102015004603A1 (de) | 2015-04-09 | 2016-10-13 | Siltectra Gmbh | Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen |
JP6456766B2 (ja) * | 2015-05-08 | 2019-01-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6472333B2 (ja) | 2015-06-02 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP2017005158A (ja) | 2015-06-12 | 2017-01-05 | 株式会社ディスコ | ウエーハの裏面研削方法 |
US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
JP6560040B2 (ja) | 2015-07-06 | 2019-08-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6482423B2 (ja) | 2015-07-16 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
JP6482425B2 (ja) | 2015-07-21 | 2019-03-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの薄化方法 |
JP6472347B2 (ja) | 2015-07-21 | 2019-02-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの薄化方法 |
JP6727948B2 (ja) | 2015-07-24 | 2020-07-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、製造方法 |
JP6300763B2 (ja) | 2015-08-03 | 2018-03-28 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
JP5900811B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2016-04-06 | 株式会社東京精密 | 半導体基板の割断方法 |
JP6523882B2 (ja) * | 2015-09-02 | 2019-06-05 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN107922259B (zh) * | 2015-09-04 | 2021-05-07 | Agc株式会社 | 玻璃板的制造方法、玻璃板、玻璃物品的制造方法、玻璃物品以及玻璃物品的制造装置 |
JP6605277B2 (ja) | 2015-09-29 | 2019-11-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP6542630B2 (ja) | 2015-09-29 | 2019-07-10 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP6605278B2 (ja) | 2015-09-29 | 2019-11-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP6625854B2 (ja) * | 2015-10-06 | 2019-12-25 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの加工方法 |
JP2017131949A (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置、及び、レーザ加工方法 |
JP6644580B2 (ja) * | 2016-02-24 | 2020-02-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ光照射装置及びレーザ光照射方法 |
JP6608732B2 (ja) * | 2016-03-01 | 2019-11-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6157668B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2017-07-05 | 株式会社東京精密 | ウェーハの加工方法及び加工装置 |
JP6128666B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2017-05-17 | 株式会社東京精密 | 半導体基板の割断方法及び割断装置 |
JP6666173B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2020-03-13 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
US11471976B2 (en) * | 2016-03-10 | 2022-10-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser light radiation device and laser light radiation method |
JP6690983B2 (ja) | 2016-04-11 | 2020-04-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法及び実第2のオリエンテーションフラット検出方法 |
JP6633446B2 (ja) * | 2016-04-27 | 2020-01-22 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6636384B2 (ja) | 2016-05-13 | 2020-01-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6723644B2 (ja) | 2016-05-16 | 2020-07-15 | 株式会社ディスコ | エキスパンドシート |
SG11201810376PA (en) * | 2016-05-27 | 2018-12-28 | Hamamatsu Photonics Kk | Production method for fabry-perot interference filter |
JP6341959B2 (ja) | 2016-05-27 | 2018-06-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | ファブリペロー干渉フィルタの製造方法 |
JP6710457B2 (ja) | 2016-06-01 | 2020-06-17 | 株式会社ディスコ | エキスパンドシート、エキスパンドシートの製造方法、及びエキスパンドシートの拡張方法 |
DE102016111144B4 (de) * | 2016-06-17 | 2024-03-07 | Tdk Electronics Ag | Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Bauelementen und Bauelement |
JP6103739B2 (ja) * | 2016-06-20 | 2017-03-29 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工方法及びウェーハ加工装置 |
JP2016201551A (ja) * | 2016-06-20 | 2016-12-01 | 株式会社東京精密 | 半導体基板の微小亀裂形成方法及び微小亀裂形成装置 |
JP6276332B2 (ja) * | 2016-07-04 | 2018-02-07 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工システム |
JP6713212B2 (ja) * | 2016-07-06 | 2020-06-24 | 株式会社ディスコ | 半導体デバイスチップの製造方法 |
JP6745165B2 (ja) | 2016-08-09 | 2020-08-26 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6276347B2 (ja) * | 2016-08-18 | 2018-02-07 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工システム |
JP6775880B2 (ja) | 2016-09-21 | 2020-10-28 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6746211B2 (ja) | 2016-09-21 | 2020-08-26 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6276357B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2018-02-07 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工方法 |
JP6276356B2 (ja) * | 2016-09-21 | 2018-02-07 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工方法 |
JP6821245B2 (ja) * | 2016-10-11 | 2021-01-27 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
KR102447761B1 (ko) | 2016-11-02 | 2022-09-27 | 린텍 가부시키가이샤 | 다이싱 시트 |
JP6986393B2 (ja) * | 2016-11-15 | 2021-12-22 | ビアメカニクス株式会社 | 基板の加工方法 |
JP6814613B2 (ja) | 2016-11-28 | 2021-01-20 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
US10163750B2 (en) * | 2016-12-05 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Package structure for heat dissipation |
DE102016224978B4 (de) * | 2016-12-14 | 2022-12-29 | Disco Corporation | Substratbearbeitungsverfahren |
CN106654063B (zh) * | 2016-12-28 | 2019-11-19 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性oled显示面板的制作方法 |
JP6197970B2 (ja) * | 2017-01-06 | 2017-09-20 | 株式会社東京精密 | 分割起点形成方法及び分割起点形成装置 |
DE102017200631B4 (de) | 2017-01-17 | 2022-12-29 | Disco Corporation | Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats |
JP6817822B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2021-01-20 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP6276437B2 (ja) * | 2017-02-16 | 2018-02-07 | 株式会社東京精密 | 抗折強度の高い薄型チップの形成方法及び形成システム |
JP6858587B2 (ja) | 2017-02-16 | 2021-04-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハ生成方法 |
JP6649308B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2020-02-19 | キオクシア株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6957187B2 (ja) * | 2017-04-18 | 2021-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | チップの製造方法、及び、シリコンチップ |
JP6951124B2 (ja) | 2017-05-23 | 2021-10-20 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2017224826A (ja) * | 2017-06-27 | 2017-12-21 | 株式会社東京精密 | 抗折強度の高い薄型チップの形成方法及び形成システム |
DE102017212858B4 (de) | 2017-07-26 | 2024-08-29 | Disco Corporation | Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats |
JP6980444B2 (ja) * | 2017-07-28 | 2021-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | 積層型素子の製造方法 |
JP6941022B2 (ja) | 2017-10-06 | 2021-09-29 | 株式会社ディスコ | 拡張方法及び拡張装置 |
KR102450776B1 (ko) * | 2017-10-27 | 2022-10-05 | 삼성전자주식회사 | 레이저 가공 방법, 기판 다이싱 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 가공 장치 |
JP2018046291A (ja) * | 2017-11-22 | 2018-03-22 | 株式会社東京精密 | 抗折強度の高い薄型チップの製造システム及び製造方法 |
JP6925945B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2021-08-25 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN108147363B (zh) * | 2017-12-22 | 2019-09-20 | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 | 一种mems晶圆芯片的分离方法 |
JP2018142717A (ja) * | 2018-04-20 | 2018-09-13 | 株式会社東京精密 | ウェハ加工方法及びウェハ加工システム |
DE102018111227A1 (de) * | 2018-05-09 | 2019-11-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Durchtrennen eines epitaktisch gewachsenen Halbleiterkörpers und Halbleiterchip |
JP2018133593A (ja) * | 2018-05-22 | 2018-08-23 | 株式会社東京精密 | ウェハ加工方法及びウェハ加工システム |
JP6593663B2 (ja) * | 2018-06-28 | 2019-10-23 | 株式会社東京精密 | ウェハ加工方法及びウェハ加工システム |
JPWO2020004210A1 (ja) * | 2018-06-29 | 2021-07-08 | リンテック株式会社 | 半導体チップの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP7154860B2 (ja) | 2018-07-31 | 2022-10-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6703072B2 (ja) * | 2018-10-03 | 2020-06-03 | 株式会社東京精密 | ウェハ加工方法及びウェハ加工システム |
JP6703073B2 (ja) * | 2018-10-03 | 2020-06-03 | 株式会社東京精密 | ウェハ加工方法及びウェハ加工システム |
US11664276B2 (en) * | 2018-11-30 | 2023-05-30 | Texas Instruments Incorporated | Front side laser-based wafer dicing |
TWI681241B (zh) * | 2018-12-04 | 2020-01-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置製作方法及使用該方法製作的顯示裝置 |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
JP7176695B2 (ja) * | 2019-03-07 | 2022-11-22 | 株式会社Nsc | ガラス基板製造方法 |
JP2019096910A (ja) * | 2019-03-13 | 2019-06-20 | 株式会社東京精密 | レーザ加工システム |
JP2019096911A (ja) * | 2019-03-13 | 2019-06-20 | 株式会社東京精密 | レーザ加工システム |
JP2019161232A (ja) * | 2019-04-22 | 2019-09-19 | 株式会社東京精密 | レーザ加工システム |
JP2019169719A (ja) * | 2019-04-25 | 2019-10-03 | 株式会社東京精密 | レーザ加工システム |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
JP2019192937A (ja) * | 2019-07-05 | 2019-10-31 | 株式会社東京精密 | ウェーハ加工システム及びウェーハ加工方法 |
KR20210020683A (ko) * | 2019-08-16 | 2021-02-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 및 이의 절단 방법 |
JP7358193B2 (ja) | 2019-10-28 | 2023-10-10 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2020025142A (ja) * | 2019-11-18 | 2020-02-13 | 株式会社東京精密 | 抗折強度の高いチップを得るためのウェーハ加工装置及びウェーハ加工方法 |
JP6653943B1 (ja) * | 2019-12-25 | 2020-02-26 | 株式会社東京精密 | 抗折強度の高いチップを得る半導体ウェーハのレーザ加工装置 |
JP7217409B2 (ja) * | 2020-01-24 | 2023-02-03 | 株式会社東京精密 | 亀裂進展装置及び亀裂進展方法 |
JP2020080409A (ja) * | 2020-01-24 | 2020-05-28 | 株式会社東京精密 | レーザ加工システム及びレーザ加工方法 |
JP7290843B2 (ja) * | 2020-01-24 | 2023-06-14 | 株式会社東京精密 | 亀裂進展装置及び亀裂進展方法 |
JP2020074454A (ja) * | 2020-01-24 | 2020-05-14 | 株式会社東京精密 | チップ強度の向上を図るレーザ加工システム及びレーザ加工方法 |
JP7446673B2 (ja) | 2020-02-21 | 2024-03-11 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7460274B2 (ja) | 2020-02-21 | 2024-04-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7446672B2 (ja) | 2020-02-21 | 2024-03-11 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN111298853B (zh) * | 2020-02-27 | 2021-08-10 | 西人马联合测控(泉州)科技有限公司 | 芯片的切割成型方法以及晶圆 |
JP7370902B2 (ja) | 2020-02-28 | 2023-10-30 | 株式会社ディスコ | クラック検出方法 |
JP7401372B2 (ja) | 2020-03-26 | 2023-12-19 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN111451646A (zh) * | 2020-04-24 | 2020-07-28 | 苏州镭明激光科技有限公司 | 一种晶圆激光隐形切割的加工工艺 |
JP7442939B2 (ja) | 2020-07-02 | 2024-03-05 | 株式会社ディスコ | ウエーハの検査方法 |
CN113371989A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-09-10 | 苏州镭明激光科技有限公司 | 一种半导体芯片的裂片方法及裂片装置 |
JP2023023328A (ja) | 2021-08-05 | 2023-02-16 | 株式会社ディスコ | 検査装置 |
JP2023025742A (ja) | 2021-08-11 | 2023-02-24 | 株式会社ディスコ | 光照射装置 |
CN114815340A (zh) * | 2022-05-19 | 2022-07-29 | 豪威半导体(上海)有限责任公司 | Lcos显示器及其制作方法 |
US20230411169A1 (en) * | 2022-06-15 | 2023-12-21 | Western Digital Technologies, Inc. | Semiconductor wafer thinned by horizontal stealth lasing |
WO2024079849A1 (ja) * | 2022-10-13 | 2024-04-18 | 株式会社レゾナック | 薄型配線部材の製造方法、薄型配線部材、及び、配線基板の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0863231A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-03-08 | Nikon Corp | 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置 |
Family Cites Families (451)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US456233A (en) * | 1891-07-21 | Lubricator | ||
US3448510A (en) * | 1966-05-20 | 1969-06-10 | Western Electric Co | Methods and apparatus for separating articles initially in a compact array,and composite assemblies so formed |
JPS4624989Y1 (ko) | 1967-08-31 | 1971-08-28 | ||
US3629545A (en) | 1967-12-19 | 1971-12-21 | Western Electric Co | Laser substrate parting |
GB1246481A (en) | 1968-03-29 | 1971-09-15 | Pilkington Brothers Ltd | Improvements in or relating to the cutting of glass |
US3613974A (en) | 1969-03-10 | 1971-10-19 | Saint Gobain | Apparatus for cutting glass |
JPS4812599Y1 (ko) | 1969-03-24 | 1973-04-05 | ||
JPS4812599B1 (ko) | 1969-07-09 | 1973-04-21 | ||
US3610871A (en) | 1970-02-19 | 1971-10-05 | Western Electric Co | Initiation of a controlled fracture |
US3626141A (en) | 1970-04-30 | 1971-12-07 | Quantronix Corp | Laser scribing apparatus |
US3824678A (en) * | 1970-08-31 | 1974-07-23 | North American Rockwell | Process for laser scribing beam lead semiconductor wafers |
US3790744A (en) | 1971-07-19 | 1974-02-05 | American Can Co | Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate |
US3909582A (en) | 1971-07-19 | 1975-09-30 | American Can Co | Method of forming a line of weakness in a multilayer laminate |
US3790051A (en) | 1971-09-07 | 1974-02-05 | Radiant Energy Systems | Semiconductor wafer fracturing technique employing a pressure controlled roller |
US3800991A (en) | 1972-04-10 | 1974-04-02 | Ppg Industries Inc | Method of and an apparatus for cutting glass |
SE403280B (sv) | 1972-10-12 | 1978-08-07 | Glaverbel | Sett och anordning att skera av glas- eller glaskristalliniskt material lengs en bestemd linje |
JPS5628630B2 (ko) | 1973-05-30 | 1981-07-03 | ||
JPS5628630Y2 (ko) | 1974-10-30 | 1981-07-07 | ||
JPS5157283A (en) | 1974-11-15 | 1976-05-19 | Nippon Electric Co | Handotaikibanno bunkatsuhoho |
US3970819A (en) | 1974-11-25 | 1976-07-20 | International Business Machines Corporation | Backside laser dicing system |
US4046985A (en) | 1974-11-25 | 1977-09-06 | International Business Machines Corporation | Semiconductor wafer alignment apparatus |
US4190759A (en) | 1975-08-27 | 1980-02-26 | Hitachi, Ltd. | Processing of photomask |
US4027137A (en) | 1975-09-17 | 1977-05-31 | International Business Machines Corporation | Laser drilling nozzle |
NL7609815A (nl) | 1976-09-03 | 1978-03-07 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. |
JPS5333050A (en) | 1976-09-08 | 1978-03-28 | Hitachi Ltd | Production of semiconductor element |
US4092518A (en) | 1976-12-07 | 1978-05-30 | Laser Technique S.A. | Method of decorating a transparent plastics material article by means of a laser beam |
JPS53141573A (en) | 1977-05-16 | 1978-12-09 | Toshiba Corp | Pellet dividing method of semiconductor wafer |
JPS53141673A (en) | 1977-05-17 | 1978-12-09 | Seiko Epson Corp | Digital alarm watch with remaining time display using analogical pattern |
JPS53114347A (en) | 1977-12-07 | 1978-10-05 | Toshiba Corp | Working method for semiconductor device |
JPS54161349U (ko) | 1978-04-29 | 1979-11-12 | ||
JPS54161349A (en) | 1978-06-10 | 1979-12-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Three-dimensional cross type waveguide passage |
US4242152A (en) | 1979-05-14 | 1980-12-30 | National Semiconductor Corporation | Method for adjusting the focus and power of a trimming laser |
JPS5628630A (en) | 1979-08-16 | 1981-03-20 | Kawasaki Steel Corp | Temperature controlling method of high temperature high pressure reacting cylinder |
JPS6041478B2 (ja) | 1979-09-10 | 1985-09-17 | 富士通株式会社 | 半導体レ−ザ素子の製造方法 |
JPS5676522A (en) | 1979-11-29 | 1981-06-24 | Toshiba Corp | Formation of semiconductor thin film |
JPS6043236B2 (ja) | 1980-03-12 | 1985-09-27 | 松下電器産業株式会社 | レ−ザ加工方法 |
JPS56169347A (en) | 1980-05-31 | 1981-12-26 | Toshiba Corp | Laser scribing device |
US4336439A (en) | 1980-10-02 | 1982-06-22 | Coherent, Inc. | Method and apparatus for laser scribing and cutting |
US4392476A (en) | 1980-12-23 | 1983-07-12 | Lazare Kaplan & Sons, Inc. | Method and apparatus for placing identifying indicia on the surface of precious stones including diamonds |
DE3110235A1 (de) | 1981-03-17 | 1982-10-21 | Trumpf GmbH & Co, 7257 Ditzingen | "verfahren und vorrichtung zum brennschneiden mittels eines laserstrahls" |
JPS5836939A (ja) | 1981-08-26 | 1983-03-04 | Toshiba Corp | ガラスウエハの切断方法 |
JPS5854648A (ja) | 1981-09-28 | 1983-03-31 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ装置 |
JPS5857767A (ja) | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ装置 |
US4475027A (en) | 1981-11-17 | 1984-10-02 | Allied Corporation | Optical beam homogenizer |
JPS58171783A (ja) | 1982-04-02 | 1983-10-08 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリチツプ |
JPS58181492A (ja) | 1982-04-02 | 1983-10-24 | グレタ−ク・アクチエンゲゼルシヤフト | 干渉性のある光ビ−ムの焦点合せの方法および装置 |
JPS5916344A (ja) | 1982-07-19 | 1984-01-27 | Toshiba Corp | ウエハのレ−ザスクライブ装置 |
JPS6054151B2 (ja) | 1982-10-22 | 1985-11-28 | 株式会社東芝 | レ−ザ切断方法 |
JPS5976687U (ja) | 1982-11-17 | 1984-05-24 | プレスコンクリ−ト工業株式会社 | プレキヤスト側溝 |
JPS59141233A (ja) | 1983-02-02 | 1984-08-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS59150691A (ja) | 1983-02-15 | 1984-08-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ加工機 |
JPH0611071B2 (ja) * | 1983-09-07 | 1994-02-09 | 三洋電機株式会社 | 化合物半導体基板の分割方法 |
US4546231A (en) | 1983-11-14 | 1985-10-08 | Group Ii Manufacturing Ltd. | Creation of a parting zone in a crystal structure |
JPS59130438A (ja) | 1983-11-28 | 1984-07-27 | Hitachi Ltd | 板状物の分離法 |
US4650619A (en) | 1983-12-29 | 1987-03-17 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Method of machining a ceramic member |
JPS60144985A (ja) | 1983-12-30 | 1985-07-31 | Fujitsu Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
JPS60167351A (ja) | 1984-02-09 | 1985-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路装置の製造方法 |
US4562333A (en) | 1984-09-04 | 1985-12-31 | General Electric Company | Stress assisted cutting of high temperature embrittled materials |
EP0180767B1 (en) | 1984-10-11 | 1990-01-31 | Hitachi, Ltd. | Optical lens device |
JPS6196439A (ja) | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Toray Ind Inc | レンズ欠点検査装置 |
JPS61112345A (ja) | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS61121453A (ja) | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ぜい性薄板のブレイキング・エキスパンド方法 |
JPS61220339A (ja) | 1985-03-26 | 1986-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体材料特性の制御方法 |
JPS61229487A (ja) | 1985-04-03 | 1986-10-13 | Sasaki Glass Kk | レ−ザビ−ムによるガラス切断方法 |
US4689491A (en) | 1985-04-19 | 1987-08-25 | Datasonics Corp. | Semiconductor wafer scanning system |
JPS624341A (ja) * | 1985-06-29 | 1987-01-10 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
KR890004933B1 (ko) * | 1985-07-31 | 1989-11-30 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 터어보분자펌프 |
JPS6240986A (ja) | 1985-08-20 | 1987-02-21 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | レ−ザ−加工方法 |
JPH0732281B2 (ja) | 1985-10-25 | 1995-04-10 | 株式会社日立製作所 | 劈開装置及び劈開方法 |
AU584563B2 (en) | 1986-01-31 | 1989-05-25 | Ciba-Geigy Ag | Laser marking of ceramic materials, glazes, glass ceramics and glasses |
JPH0750811B2 (ja) | 1986-06-17 | 1995-05-31 | 松下電器産業株式会社 | 半導体レ−ザの劈開方法 |
JPS6384789A (ja) | 1986-09-26 | 1988-04-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光加工方法 |
FR2605310B1 (fr) * | 1986-10-16 | 1992-04-30 | Comp Generale Electricite | Procede de renforcement de pieces ceramiques par traitement au laser |
US4815854A (en) | 1987-01-19 | 1989-03-28 | Nec Corporation | Method of alignment between mask and semiconductor wafer |
JPH0688149B2 (ja) | 1987-03-04 | 1994-11-09 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 光加工方法 |
JPS63278692A (ja) | 1987-05-07 | 1988-11-16 | D S Sukiyanaa:Kk | レ−ザ−加工装置に於ける自動焦点機構 |
JPS63293939A (ja) | 1987-05-27 | 1988-11-30 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPS6438209A (en) | 1987-08-04 | 1989-02-08 | Nec Corp | Preparation of semiconductor device |
JPS6438209U (ko) | 1987-08-29 | 1989-03-07 | ||
JPH01112130A (ja) | 1987-10-26 | 1989-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 赤外光ファイバの評価方法 |
US5300942A (en) | 1987-12-31 | 1994-04-05 | Projectavision Incorporated | High efficiency light valve projection system with decreased perception of spaces between pixels and/or hines |
JPH01108508U (ko) | 1988-01-16 | 1989-07-21 | ||
US4981525A (en) | 1988-02-19 | 1991-01-01 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
JPH0256987A (ja) | 1988-02-23 | 1990-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路の実装方法 |
FR2627409A1 (fr) | 1988-02-24 | 1989-08-25 | Lectra Systemes Sa | Appareil de coupe laser muni d'un dispositif d'evacuation des fumees |
JPH01225509A (ja) | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板の分割方法 |
JPH01225510A (ja) | 1988-03-04 | 1989-09-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体基板の切断分割方法 |
JPH01133701U (ko) * | 1988-03-07 | 1989-09-12 | ||
JPH0732281Y2 (ja) | 1988-03-31 | 1995-07-26 | 株式会社東海理化電機製作所 | オートマチツクシートベルト装置 |
US4908493A (en) | 1988-05-31 | 1990-03-13 | Midwest Research Institute | Method and apparatus for optimizing the efficiency and quality of laser material processing |
JP2680039B2 (ja) | 1988-06-08 | 1997-11-19 | 株式会社日立製作所 | 光情報記録再生方法及び記録再生装置 |
US5017755A (en) | 1988-10-26 | 1991-05-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of repairing liquid crystal display and apparatus using the method |
US4982166A (en) | 1989-03-01 | 1991-01-01 | Morrow Clifford E | Method and apparatus for combining two lower power laser beams to produce a combined higher power beam |
JP2507665B2 (ja) | 1989-05-09 | 1996-06-12 | 株式会社東芝 | 電子管用金属円筒部材の製造方法 |
US5151135A (en) | 1989-09-15 | 1992-09-29 | Amoco Corporation | Method for cleaning surfaces using UV lasers |
JP2810151B2 (ja) | 1989-10-07 | 1998-10-15 | ホーヤ株式会社 | レーザマーキング方法 |
JPH03177051A (ja) | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Kawasaki Steel Corp | 半導体ウエハの切断方法およびその装置 |
JP2765746B2 (ja) | 1990-03-27 | 1998-06-18 | 科学技術振興事業団 | 微細修飾・加工方法 |
JPH0757427B2 (ja) | 1989-12-08 | 1995-06-21 | 三菱電機株式会社 | レーザ切断加工機 |
JP2891264B2 (ja) | 1990-02-09 | 1999-05-17 | ローム 株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5124927A (en) | 1990-03-02 | 1992-06-23 | International Business Machines Corp. | Latent-image control of lithography tools |
US5132505A (en) | 1990-03-21 | 1992-07-21 | U.S. Philips Corporation | Method of cleaving a brittle plate and device for carrying out the method |
JPH03276662A (ja) | 1990-03-26 | 1991-12-06 | Nippon Steel Corp | ウエハ割断法 |
JP2578379B2 (ja) | 1990-04-27 | 1997-02-05 | 株式会社アルファ | ロック用電子制御回路 |
JP2620723B2 (ja) | 1990-05-24 | 1997-06-18 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0437492A (ja) | 1990-05-31 | 1992-02-07 | Shunichi Maekawa | 脆性材料の切断法 |
US5023877A (en) | 1990-06-29 | 1991-06-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Miniature, optically pumped narrow line solid state laser |
JP3024990B2 (ja) * | 1990-08-31 | 2000-03-27 | 日本石英硝子株式会社 | 石英ガラス材料の切断加工方法 |
JP2610703B2 (ja) | 1990-09-05 | 1997-05-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
TW207588B (ko) | 1990-09-19 | 1993-06-11 | Hitachi Seisakusyo Kk | |
JPH04143645A (ja) | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Nuclear Fuel Ind Ltd | 融点測定方法 |
JPH04143654A (ja) | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Hitachi Ltd | 超音波探触子の走査装置 |
JPH04167985A (ja) | 1990-10-31 | 1992-06-16 | Nagasaki Pref Gov | ウェハの割断方法 |
FR2669427B1 (fr) | 1990-11-16 | 1993-01-22 | Thomson Csf | Dispositif de controle d'alignement de deux voies optiques et systeme de designation laser equipe d'un tel dispositif de controle. |
JPH04188847A (ja) | 1990-11-22 | 1992-07-07 | Mitsubishi Electric Corp | 粘着テープ |
US5211805A (en) * | 1990-12-19 | 1993-05-18 | Rangaswamy Srinivasan | Cutting of organic solids by continuous wave ultraviolet irradiation |
JPH0639572A (ja) | 1991-01-11 | 1994-02-15 | Souei Tsusho Kk | ウェハ割断装置 |
IL97479A (en) | 1991-03-08 | 1994-01-25 | Shafir Aaron | Laser beam heating method and apparatus |
JP3165192B2 (ja) | 1991-03-28 | 2001-05-14 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JPH04300084A (ja) | 1991-03-28 | 1992-10-23 | Toshiba Corp | レーザ加工機 |
US5171249A (en) | 1991-04-04 | 1992-12-15 | Ethicon, Inc. | Endoscopic multiple ligating clip applier |
JPH04339586A (ja) | 1991-05-13 | 1992-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ加工装置 |
JP3213338B2 (ja) | 1991-05-15 | 2001-10-02 | 株式会社リコー | 薄膜半導体装置の製法 |
US5230184A (en) | 1991-07-05 | 1993-07-27 | Motorola, Inc. | Distributed polishing head |
US5635976A (en) | 1991-07-17 | 1997-06-03 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate |
JP3352712B2 (ja) | 1991-12-18 | 2002-12-03 | 浩 天野 | 窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法 |
GB2263195B (en) | 1992-01-08 | 1996-03-20 | Murata Manufacturing Co | Component supply method |
JP2627696B2 (ja) | 1992-01-17 | 1997-07-09 | コマツ電子金属株式会社 | Cz法における融液レベル制御装置および制御方法 |
RU2024441C1 (ru) | 1992-04-02 | 1994-12-15 | Владимир Степанович Кондратенко | Способ резки неметаллических материалов |
US5254149A (en) | 1992-04-06 | 1993-10-19 | Ford Motor Company | Process for determining the quality of temper of a glass sheet using a laser beam |
JP3101421B2 (ja) | 1992-05-29 | 2000-10-23 | 富士通株式会社 | 整形金属パターンの製造方法 |
JP2924462B2 (ja) | 1992-06-02 | 1999-07-26 | 富士ゼロックス株式会社 | 文書処理装置 |
JP3088193B2 (ja) | 1992-06-05 | 2000-09-18 | 三菱電機株式会社 | Loc構造を有する半導体装置の製造方法並びにこれに使用するリードフレーム |
US5812261A (en) | 1992-07-08 | 1998-09-22 | Active Impulse Systems, Inc. | Method and device for measuring the thickness of opaque and transparent films |
GB9216643D0 (en) | 1992-08-05 | 1992-09-16 | Univ Loughborough | Automatic operations on materials |
US5265114C1 (en) | 1992-09-10 | 2001-08-21 | Electro Scient Ind Inc | System and method for selectively laser processing a target structure of one or more materials of a multimaterial multilayer device |
CA2152067A1 (en) | 1992-12-18 | 1994-07-07 | Boris Goldfarb | Process and apparatus for etching an image within a solid article |
JP3255741B2 (ja) | 1992-12-22 | 2002-02-12 | リンテック株式会社 | ウェハダイシング方法、およびこの方法に用いる放射線照射装置ならびにウェハ貼着用粘着シート |
JP2720744B2 (ja) | 1992-12-28 | 1998-03-04 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工機 |
US5382770A (en) | 1993-01-14 | 1995-01-17 | Reliant Laser Corporation | Mirror-based laser-processing system with visual tracking and position control of a moving laser spot |
US5359176A (en) | 1993-04-02 | 1994-10-25 | International Business Machines Corporation | Optics and environmental protection device for laser processing applications |
US5321717A (en) | 1993-04-05 | 1994-06-14 | Yoshifumi Adachi | Diode laser having minimal beam diameter and optics |
US5637244A (en) | 1993-05-13 | 1997-06-10 | Podarok International, Inc. | Method and apparatus for creating an image by a pulsed laser beam inside a transparent material |
JP3293136B2 (ja) | 1993-06-04 | 2002-06-17 | セイコーエプソン株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JPH0775955A (ja) | 1993-06-17 | 1995-03-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 精密切削装置 |
US5580473A (en) * | 1993-06-21 | 1996-12-03 | Sanyo Electric Co. Ltd. | Methods of removing semiconductor film with energy beams |
JPH0729855A (ja) | 1993-07-12 | 1995-01-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体ウエハのエキスパンデイング方法 |
US5699145A (en) | 1993-07-14 | 1997-12-16 | Nikon Corporation | Scanning type exposure apparatus |
JPH0732281A (ja) | 1993-07-19 | 1995-02-03 | Toyoda Mach Works Ltd | ロボット制御装置 |
JP2616247B2 (ja) | 1993-07-24 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JPH0740336A (ja) | 1993-07-30 | 1995-02-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンドの加工方法 |
GB2281129B (en) | 1993-08-19 | 1997-04-09 | United Distillers Plc | Method of marking a body of glass |
JPH0776167A (ja) | 1993-09-08 | 1995-03-20 | Miyachi Technos Kk | レーザマーキング方法 |
DE4331262C2 (de) | 1993-09-15 | 1996-05-15 | Wissner Rolf | Lasermaschine zur Bearbeitung eines Werkstücks und Verfahren zur Steuerung einer Lasermaschine |
US5376793A (en) | 1993-09-15 | 1994-12-27 | Stress Photonics, Inc. | Forced-diffusion thermal imaging apparatus and method |
US5424548A (en) | 1993-09-21 | 1995-06-13 | International Business Machines Corp. | Pattern specific calibration for E-beam lithography |
US5393482A (en) | 1993-10-20 | 1995-02-28 | United Technologies Corporation | Method for performing multiple beam laser sintering employing focussed and defocussed laser beams |
JP2760288B2 (ja) | 1993-12-28 | 1998-05-28 | 日本電気株式会社 | ビアホール形成法及びフィルム切断法 |
DE4404141A1 (de) | 1994-02-09 | 1995-08-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung und Verfahren zur Laserstrahlformung, insbesondere bei der Laserstrahl-Oberflächenbearbeitung |
US5631734A (en) | 1994-02-10 | 1997-05-20 | Affymetrix, Inc. | Method and apparatus for detection of fluorescently labeled materials |
US5521999A (en) | 1994-03-17 | 1996-05-28 | Eastman Kodak Company | Optical system for a laser printer |
JPH07263382A (ja) | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Kawasaki Steel Corp | ウェーハ固定用テープ |
US5656186A (en) * | 1994-04-08 | 1997-08-12 | The Regents Of The University Of Michigan | Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation |
AU2359195A (en) | 1994-04-19 | 1995-11-10 | Thomas Jefferson University | Viral ribonucleocapsid as an immunological enhancer |
JPH0866790A (ja) | 1994-08-30 | 1996-03-12 | Sony Corp | レーザ加工装置 |
US5504772A (en) | 1994-09-09 | 1996-04-02 | Deacon Research | Laser with electrically-controlled grating reflector |
US5776220A (en) | 1994-09-19 | 1998-07-07 | Corning Incorporated | Method and apparatus for breaking brittle materials |
US5622540A (en) | 1994-09-19 | 1997-04-22 | Corning Incorporated | Method for breaking a glass sheet |
US5774222A (en) | 1994-10-07 | 1998-06-30 | Hitachi, Ltd. | Manufacturing method of semiconductor substrative and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected |
JP3374880B2 (ja) | 1994-10-26 | 2003-02-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
JP3535241B2 (ja) | 1994-11-18 | 2004-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体デバイス及びその作製方法 |
JPH08148692A (ja) | 1994-11-24 | 1996-06-07 | Sony Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
US5543365A (en) | 1994-12-02 | 1996-08-06 | Texas Instruments Incorporated | Wafer scribe technique using laser by forming polysilicon |
JP2971003B2 (ja) | 1994-12-22 | 1999-11-02 | 株式会社アドバンテスト | レーザリペア装置のレンズの汚れを検出する装置 |
JPH08197271A (ja) | 1995-01-27 | 1996-08-06 | Ricoh Co Ltd | 脆性材料の割断方法及び脆性材料の割断装置 |
US5841543A (en) | 1995-03-09 | 1998-11-24 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for verifying the presence of a material applied to a substrate |
JPH08264488A (ja) | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Nec Corp | ウェハスクライブ装置及び方法 |
JP3509985B2 (ja) | 1995-03-24 | 2004-03-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体デバイスのチップ分離方法 |
US5786560A (en) | 1995-03-31 | 1998-07-28 | Panasonic Technologies, Inc. | 3-dimensional micromachining with femtosecond laser pulses |
KR0174773B1 (ko) | 1995-03-31 | 1999-04-01 | 모리시다 요이치 | 반도체장치의 검사방법 |
JP2737744B2 (ja) | 1995-04-26 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | ウエハプロービング装置 |
US5870133A (en) | 1995-04-28 | 1999-02-09 | Minolta Co., Ltd. | Laser scanning device and light source thereof having temperature correction capability |
US5663980A (en) | 1995-05-22 | 1997-09-02 | Adachi; Yoshi | Semiconductor laser device having changeable wavelength, polarization mode, and beam shape image |
JP3138613B2 (ja) | 1995-05-24 | 2001-02-26 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工装置 |
WO1997001595A1 (fr) | 1995-06-27 | 1997-01-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Preimpregne pour cartes a circuits imprimes, vernis de resine, composition de resine et plaque feuilletee pour cartes a circuits imprimes produite avec ces substances |
JPH09150286A (ja) | 1995-06-26 | 1997-06-10 | Corning Inc | 脆弱性材料切断方法および装置 |
JPH0917756A (ja) | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Toshiba Corp | 半導体用保護テープおよびその使用方法 |
KR970008386A (ko) | 1995-07-07 | 1997-02-24 | 하라 세이지 | 기판의 할단(割斷)방법 및 그 할단장치 |
JPH0929472A (ja) | 1995-07-14 | 1997-02-04 | Hitachi Ltd | 割断方法、割断装置及びチップ材料 |
JP2809303B2 (ja) | 1995-07-28 | 1998-10-08 | 関西日本電気株式会社 | ウェーハ割断方法 |
JPH09107168A (ja) | 1995-08-07 | 1997-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 配線基板のレーザ加工方法、配線基板のレーザ加工装置及び配線基板加工用の炭酸ガスレーザ発振器 |
KR100447786B1 (ko) | 1995-08-31 | 2004-11-06 | 코닝 인코포레이티드 | 취성물질절단방법및그장치 |
US6057525A (en) | 1995-09-05 | 2000-05-02 | United States Enrichment Corporation | Method and apparatus for precision laser micromachining |
US5641416A (en) | 1995-10-25 | 1997-06-24 | Micron Display Technology, Inc. | Method for particulate-free energy beam cutting of a wafer of die assemblies |
US5886318A (en) | 1995-11-03 | 1999-03-23 | Vasiliev; Anatoly Valentinovich | Method for laser-assisted image formation in transparent objects |
US5747769A (en) | 1995-11-13 | 1998-05-05 | General Electric Company | Method of laser forming a slot |
KR0171947B1 (ko) | 1995-12-08 | 1999-03-20 | 김주용 | 반도체소자 제조를 위한 노광 방법 및 그를 이용한 노광장치 |
US5932119A (en) | 1996-01-05 | 1999-08-03 | Lazare Kaplan International, Inc. | Laser marking system |
MY118036A (en) | 1996-01-22 | 2004-08-30 | Lintec Corp | Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device |
JP3592018B2 (ja) | 1996-01-22 | 2004-11-24 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | ポリイミド接着シートおよびポリイミド用工程フィルム |
JP3292021B2 (ja) | 1996-01-30 | 2002-06-17 | 三菱電機株式会社 | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
JPH09213662A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Toshiba Corp | ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法 |
JPH09216085A (ja) | 1996-02-07 | 1997-08-19 | Canon Inc | 基板の切断方法及び切断装置 |
JP3027768U (ja) | 1996-02-08 | 1996-08-13 | 株式会社アールイシダ | 健康スリッパ |
JPH11503880A (ja) | 1996-02-09 | 1999-03-30 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体材料のウエファに形成された半導体素子のレーザ分割方法 |
US5925024A (en) | 1996-02-16 | 1999-07-20 | Joffe; Michael A | Suction device with jet boost |
JP2001500628A (ja) | 1996-02-28 | 2001-01-16 | ケニス シー ジョンソン | マイクロリトグラフィ用マイクロレンズスキャナ及び広フィールド共焦顕微鏡 |
JPH09306839A (ja) | 1996-03-12 | 1997-11-28 | Sharp Corp | 半導体の溶融結晶化方法及び不純物活性化方法 |
JP3660741B2 (ja) | 1996-03-22 | 2005-06-15 | 株式会社日立製作所 | 電子回路装置の製造方法 |
JPH11217237A (ja) | 1996-03-25 | 1999-08-10 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | レーザ加工用ガラス基材及びレーザ加工方法 |
US6220058B1 (en) | 1996-03-25 | 2001-04-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd | Method of changing the surface of a glass substrate containing silver, by using a laser beam |
US5880777A (en) | 1996-04-15 | 1999-03-09 | Massachusetts Institute Of Technology | Low-light-level imaging and image processing |
US5807380A (en) | 1996-04-26 | 1998-09-15 | Dishler; Jon G. | Optical guide and method for use in corrective laser eye surgery |
JPH09298339A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザの製法 |
US6087617A (en) | 1996-05-07 | 2000-07-11 | Troitski; Igor Nikolaevich | Computer graphics system for generating an image reproducible inside optically transparent material |
JP3259014B2 (ja) | 1996-07-24 | 2002-02-18 | ミヤチテクノス株式会社 | スキャニング式レーザマーキング方法及び装置 |
US5736709A (en) | 1996-08-12 | 1998-04-07 | Armco Inc. | Descaling metal with a laser having a very short pulse width and high average power |
JPH1071483A (ja) | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | 脆性材料の割断方法 |
US6172757B1 (en) | 1996-09-25 | 2001-01-09 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Lever sensor for stepper field-by-field focus and leveling system |
DK109197A (da) | 1996-09-30 | 1998-03-31 | Force Instituttet | Fremgangsmåde til bearbejdning af et materiale ved hjælp af en laserstråle |
JPH10128567A (ja) | 1996-10-30 | 1998-05-19 | Nec Kansai Ltd | レーザ割断方法 |
DE19646332C2 (de) | 1996-11-09 | 2000-08-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Veränderung des optischen Verhaltens an der Oberfläche und/oder innerhalb eines Werkstückes mittels eines Lasers |
JPH10163780A (ja) | 1996-12-04 | 1998-06-19 | Ngk Insulators Ltd | 圧電単結晶からなる振動子の製造方法 |
JP3468676B2 (ja) | 1996-12-19 | 2003-11-17 | リンテック株式会社 | チップ体の製造方法 |
US5867324A (en) | 1997-01-28 | 1999-02-02 | Lightwave Electronics Corp. | Side-pumped laser with shaped laser beam |
JP3421523B2 (ja) | 1997-01-30 | 2003-06-30 | 三洋電機株式会社 | ウエハーの分割方法 |
US6312800B1 (en) | 1997-02-10 | 2001-11-06 | Lintec Corporation | Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip |
JPH10305420A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-11-17 | Ngk Insulators Ltd | 酸化物単結晶からなる母材の加工方法、機能性デバイスの製造方法 |
US6529362B2 (en) | 1997-03-06 | 2003-03-04 | Applied Materials Inc. | Monocrystalline ceramic electrostatic chuck |
US5976392A (en) | 1997-03-07 | 1999-11-02 | Yageo Corporation | Method for fabrication of thin film resistor |
WO1998044718A2 (en) | 1997-04-01 | 1998-10-08 | Agris-Schoen Vision Systems, Inc. | High-precision-resolution image acquisision apparatus and method |
US6525716B1 (en) | 1997-04-01 | 2003-02-25 | Casio Computer Co., Ltd. | Handwritten data input device having coordinate detection tablet |
US6228114B1 (en) | 1997-04-01 | 2001-05-08 | Joseph Y. Lee | Adjustable corneal ring |
US6277067B1 (en) | 1997-04-04 | 2001-08-21 | Kerry L. Blair | Method and portable colposcope useful in cervical cancer detection |
US6467953B1 (en) * | 1999-03-30 | 2002-10-22 | Medical Solutions, Inc. | Method and apparatus for monitoring temperature of intravenously delivered fluids and other medical items |
JP3230572B2 (ja) | 1997-05-19 | 2001-11-19 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物系化合物半導体素子の製造方法及び半導体発光素子 |
US6156030A (en) | 1997-06-04 | 2000-12-05 | Y-Beam Technologies, Inc. | Method and apparatus for high precision variable rate material removal and modification |
BE1011208A4 (fr) | 1997-06-11 | 1999-06-01 | Cuvelier Georges | Procede de decalottage de pieces en verre. |
JPH1110376A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-19 | Souei Tsusho Kk | 割断加工方法 |
US6327090B1 (en) | 1997-07-03 | 2001-12-04 | Levelite Technology, Inc. | Multiple laser beam generation |
DE19728766C1 (de) | 1997-07-07 | 1998-12-17 | Schott Rohrglas Gmbh | Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper |
JPH1128586A (ja) | 1997-07-08 | 1999-02-02 | Keyence Corp | レーザマーキング装置 |
US6294439B1 (en) * | 1997-07-23 | 2001-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
JP3707211B2 (ja) | 1997-07-24 | 2005-10-19 | 富士電機ホールディングス株式会社 | Iii族窒化物半導体薄膜の製造方法 |
JPH1167700A (ja) | 1997-08-22 | 1999-03-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体ウェハの製造方法 |
JP3498895B2 (ja) | 1997-09-25 | 2004-02-23 | シャープ株式会社 | 基板の切断方法および表示パネルの製造方法 |
JP3292294B2 (ja) | 1997-11-07 | 2002-06-17 | 住友重機械工業株式会社 | レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置 |
JP3208730B2 (ja) | 1998-01-16 | 2001-09-17 | 住友重機械工業株式会社 | 光透過性材料のマーキング方法 |
US6392683B1 (en) | 1997-09-26 | 2002-05-21 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Method for making marks in a transparent material by using a laser |
JP3231708B2 (ja) | 1997-09-26 | 2001-11-26 | 住友重機械工業株式会社 | 透明材料のマーキング方法 |
JPH11121517A (ja) | 1997-10-09 | 1999-04-30 | Hitachi Ltd | 半導体素子搭載装置および搭載方法 |
JPH11162889A (ja) | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Sony Corp | ウエハのブレーキング・延伸装置及び方法 |
JP3076290B2 (ja) | 1997-11-28 | 2000-08-14 | 山形日本電気株式会社 | 半導体チップのピックアップ装置およびその方法 |
JPH11156564A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 耐熱性透明体およびその製造方法 |
JP3449201B2 (ja) | 1997-11-28 | 2003-09-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
JP3532100B2 (ja) | 1997-12-03 | 2004-05-31 | 日本碍子株式会社 | レーザ割断方法 |
JPH11177176A (ja) | 1997-12-10 | 1999-07-02 | Hitachi Cable Ltd | 半導体レーザ |
SG71878A1 (en) | 1997-12-11 | 2000-04-18 | Sumitomo Chemical Co | Propylene-based polymer composition and foamed article thereof |
JP3604550B2 (ja) * | 1997-12-16 | 2004-12-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
US6005219A (en) | 1997-12-18 | 1999-12-21 | General Electric Company | Ripstop laser shock peening |
JPH11204551A (ja) | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3352934B2 (ja) | 1998-01-21 | 2002-12-03 | 理化学研究所 | 高強度超短パルスレーザー加工方法およびその装置 |
JP3455102B2 (ja) | 1998-02-06 | 2003-10-14 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエハチップ分離方法 |
JP4132172B2 (ja) | 1998-02-06 | 2008-08-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | パルスレーザ加工装置 |
US6641662B2 (en) * | 1998-02-17 | 2003-11-04 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and waveguide polarization mode converter using the same |
JPH11240730A (ja) | 1998-02-27 | 1999-09-07 | Nec Kansai Ltd | 脆性材料の割断方法 |
US6183092B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-02-06 | Diane Troyer | Laser projection apparatus with liquid-crystal light valves and scanning reading beam |
US6057180A (en) | 1998-06-05 | 2000-05-02 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of severing electrically conductive links with ultraviolet laser output |
JP3152206B2 (ja) | 1998-06-19 | 2001-04-03 | 日本電気株式会社 | オートフォーカス装置及びオートフォーカス方法 |
JP2000015467A (ja) | 1998-07-01 | 2000-01-18 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 光による被加工材の加工方法および加工装置 |
US6181728B1 (en) | 1998-07-02 | 2001-01-30 | General Scanning, Inc. | Controlling laser polarization |
JP2000183358A (ja) | 1998-07-17 | 2000-06-30 | Sony Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JP3784543B2 (ja) | 1998-07-29 | 2006-06-14 | Ntn株式会社 | パターン修正装置および修正方法 |
JP3156776B2 (ja) | 1998-08-03 | 2001-04-16 | 日本電気株式会社 | レーザ照射方法 |
JP3410371B2 (ja) | 1998-08-18 | 2003-05-26 | リンテック株式会社 | ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法 |
US6407360B1 (en) | 1998-08-26 | 2002-06-18 | Samsung Electronics, Co., Ltd. | Laser cutting apparatus and method |
US6402004B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-06-11 | Hoya Corporation | Cutting method for plate glass mother material |
JP3605651B2 (ja) | 1998-09-30 | 2004-12-22 | 日立化成工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2000124537A (ja) | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Sharp Corp | 半導体レーザチップの製造方法とその方法に用いられる製造装置 |
US6413839B1 (en) | 1998-10-23 | 2002-07-02 | Emcore Corporation | Semiconductor device separation using a patterned laser projection |
JP2000133859A (ja) | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザを用いたマーキング方法及びマーキング装置 |
US6172329B1 (en) | 1998-11-23 | 2001-01-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ablated laser feature shape reproduction control |
JP3178524B2 (ja) | 1998-11-26 | 2001-06-18 | 住友重機械工業株式会社 | レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材 |
KR100338983B1 (ko) | 1998-11-30 | 2002-07-18 | 윤종용 | 웨이퍼분리도구및이를이용하는웨이퍼분리방법 |
US6211488B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-04-03 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe |
US6420678B1 (en) * | 1998-12-01 | 2002-07-16 | Brian L. Hoekstra | Method for separating non-metallic substrates |
US6252197B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-06-26 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator |
US6259058B1 (en) | 1998-12-01 | 2001-07-10 | Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. | Apparatus for separating non-metallic substrates |
IL127388A0 (en) | 1998-12-03 | 1999-10-28 | Universal Crystal Ltd | Material processing applications of lasers using optical breakdown |
JP2000195828A (ja) | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Denso Corp | ウエハの切断分離方法およびウエハの切断分離装置 |
US6127005A (en) | 1999-01-08 | 2000-10-03 | Rutgers University | Method of thermally glazing an article |
JP2000219528A (ja) | 1999-01-18 | 2000-08-08 | Samsung Sdi Co Ltd | ガラス基板の切断方法及びその装置 |
EP1022778A1 (en) * | 1999-01-22 | 2000-07-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dividing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
JP2000210785A (ja) | 1999-01-26 | 2000-08-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 複数ビ―ムレ―ザ加工装置 |
JP3569147B2 (ja) | 1999-01-26 | 2004-09-22 | 松下電器産業株式会社 | 基板の切断方法 |
JP4040819B2 (ja) | 1999-02-03 | 2008-01-30 | 株式会社東芝 | ウェーハの分割方法及び半導体装置の製造方法 |
TW476141B (en) | 1999-02-03 | 2002-02-11 | Toshiba Corp | Method of dicing a wafer and method of manufacturing a semiconductor device |
JP4119028B2 (ja) | 1999-02-19 | 2008-07-16 | 小池酸素工業株式会社 | レーザーピアシング方法 |
JP2000237885A (ja) | 1999-02-19 | 2000-09-05 | Koike Sanso Kogyo Co Ltd | レーザー切断方法 |
TW428295B (en) | 1999-02-24 | 2001-04-01 | Matsushita Electronics Corp | Resin-sealing semiconductor device, the manufacturing method and the lead frame thereof |
JP3426154B2 (ja) | 1999-02-26 | 2003-07-14 | 科学技術振興事業団 | グレーティング付き光導波路の製造方法 |
JP2000247671A (ja) | 1999-03-04 | 2000-09-12 | Takatori Corp | ガラスの分断方法 |
TW445545B (en) | 1999-03-10 | 2001-07-11 | Mitsubishi Electric Corp | Laser heat treatment method, laser heat treatment apparatus and semiconductor device |
JP3648399B2 (ja) | 1999-03-18 | 2005-05-18 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2000278306A (ja) | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | Atmリングネットワーク |
JP2000323441A (ja) | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Hitachi Cable Ltd | セラミックス基板上に形成した光導波回路チップの切断方法 |
US6285002B1 (en) | 1999-05-10 | 2001-09-04 | Bryan Kok Ann Ngoi | Three dimensional micro machining with a modulated ultra-short laser pulse |
US6555781B2 (en) | 1999-05-10 | 2003-04-29 | Nanyang Technological University | Ultrashort pulsed laser micromachining/submicromachining using an acoustooptic scanning device with dispersion compensation |
JP3555500B2 (ja) | 1999-05-21 | 2004-08-18 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体及びその製造方法 |
US6562698B2 (en) * | 1999-06-08 | 2003-05-13 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Dual laser cutting of wafers |
US6420245B1 (en) | 1999-06-08 | 2002-07-16 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Method for singulating semiconductor wafers |
JP2000349107A (ja) | 1999-06-09 | 2000-12-15 | Nitto Denko Corp | 半導体封止チップモジュールの製造方法及びその固定シート |
US6344402B1 (en) | 1999-07-28 | 2002-02-05 | Disco Corporation | Method of dicing workpiece |
TW404871B (en) | 1999-08-02 | 2000-09-11 | Lg Electronics Inc | Device and method for machining transparent medium by laser |
JP2001047264A (ja) | 1999-08-04 | 2001-02-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
KR100578309B1 (ko) | 1999-08-13 | 2006-05-11 | 삼성전자주식회사 | 레이저 커팅 장치 및 이를 이용한 유리 기판 커팅 방법 |
JP2001064029A (ja) | 1999-08-27 | 2001-03-13 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 多層ガラス基板及び、その切断方法 |
JP4493127B2 (ja) | 1999-09-10 | 2010-06-30 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体チップの製造方法 |
US6229114B1 (en) | 1999-09-30 | 2001-05-08 | Xerox Corporation | Precision laser cutting of adhesive members |
JP3932743B2 (ja) | 1999-11-08 | 2007-06-20 | 株式会社デンソー | 圧接型半導体装置の製造方法 |
JP4180206B2 (ja) | 1999-11-12 | 2008-11-12 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US6489588B1 (en) | 1999-11-24 | 2002-12-03 | Applied Photonics, Inc. | Method and apparatus for separating non-metallic materials |
JP5408829B2 (ja) | 1999-12-28 | 2014-02-05 | ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー | アクティブマトリックス基板の製造方法 |
US6612035B2 (en) | 2000-01-05 | 2003-09-02 | Patrick H. Brown | Drywall cutting tool |
JP2001196282A (ja) | 2000-01-13 | 2001-07-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001198056A (ja) | 2000-01-20 | 2001-07-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 電気掃除機 |
JP2001250798A (ja) | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Sony Corp | ケガキ線で材料を分割する方法及び装置 |
DE10015702A1 (de) | 2000-03-29 | 2001-10-18 | Vitro Laser Gmbh | Verfahren zum Einbringen wenigstens einer Innengravur in einen flachen Körper und Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens |
US6407363B2 (en) | 2000-03-30 | 2002-06-18 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser system and method for single press micromachining of multilayer workpieces |
JP2001284292A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体ウエハーのチップ分割方法 |
AU2001254866A1 (en) | 2000-04-14 | 2001-10-30 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Method for cutting out at least a thin layer in a substrate or ingot, in particular made of semiconductor material(s) |
US6333486B1 (en) | 2000-04-25 | 2001-12-25 | Igor Troitski | Method and laser system for creation of laser-induced damages to produce high quality images |
WO2001085387A1 (en) | 2000-05-11 | 2001-11-15 | Ptg Precision Technology Center Limited Llc | System for cutting brittle materials |
JP4697823B2 (ja) | 2000-05-16 | 2011-06-08 | 株式会社ディスコ | 脆性基板の分割方法 |
TW443581U (en) | 2000-05-20 | 2001-06-23 | Chipmos Technologies Inc | Wafer-sized semiconductor package structure |
JP2001339638A (ja) | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Hamamatsu Photonics Kk | ストリークカメラ装置 |
JP2001345252A (ja) | 2000-05-30 | 2001-12-14 | Hyper Photon Systens Inc | レーザ切断機 |
JP2001354439A (ja) | 2000-06-12 | 2001-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガラス基板の加工方法および高周波回路の製作方法 |
JP3650000B2 (ja) | 2000-07-04 | 2005-05-18 | 三洋電機株式会社 | 窒化物系半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ装置の製造方法 |
US6399914B1 (en) | 2000-07-10 | 2002-06-04 | Igor Troitski | Method and laser system for production of high quality laser-induced damage images by using material processing made before and during image creation |
JP3906653B2 (ja) | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 画像表示装置及びその製造方法 |
US6376797B1 (en) * | 2000-07-26 | 2002-04-23 | Ase Americas, Inc. | Laser cutting of semiconductor materials |
JP2002047025A (ja) | 2000-07-31 | 2002-02-12 | Seiko Epson Corp | 基板の切断方法、およびこれを用いた電気光学装置の製造方法とこれに用いるレーザ切断装置および電気光学装置と電子機器 |
JP2002050589A (ja) | 2000-08-03 | 2002-02-15 | Sony Corp | 半導体ウェーハの延伸分離方法及び装置 |
US6726631B2 (en) * | 2000-08-08 | 2004-04-27 | Ge Parallel Designs, Inc. | Frequency and amplitude apodization of transducers |
US6325855B1 (en) | 2000-08-09 | 2001-12-04 | Itt Manufacturing Enterprises, Inc. | Gas collector for epitaxial reactors |
JP3479833B2 (ja) | 2000-08-22 | 2003-12-15 | 日本電気株式会社 | レーザ修正方法および装置 |
JP4964376B2 (ja) | 2000-09-13 | 2012-06-27 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP3626442B2 (ja) | 2000-09-13 | 2005-03-09 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3751970B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-03-08 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP3722731B2 (ja) | 2000-09-13 | 2005-11-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4837320B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-12-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP4762458B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
JP3761567B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-03-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
JP3761565B2 (ja) | 2000-09-13 | 2006-03-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP2003039184A (ja) | 2000-09-13 | 2003-02-12 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2002192371A (ja) | 2000-09-13 | 2002-07-10 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP2003001458A (ja) | 2000-09-13 | 2003-01-08 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
US20020046001A1 (en) | 2000-10-16 | 2002-04-18 | Applied Materials, Inc. | Method, computer readable medium and apparatus for accessing a defect knowledge library of a defect source identification system |
US6720522B2 (en) | 2000-10-26 | 2004-04-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus and method for laser beam machining, and method for manufacturing semiconductor devices using laser beam machining |
JP3660294B2 (ja) * | 2000-10-26 | 2005-06-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP3332910B2 (ja) | 2000-11-15 | 2002-10-07 | エヌイーシーマシナリー株式会社 | ウェハシートのエキスパンダ |
JP2002158276A (ja) | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Hitachi Chem Co Ltd | ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置 |
US6875379B2 (en) * | 2000-12-29 | 2005-04-05 | Amkor Technology, Inc. | Tool and method for forming an integrated optical circuit |
US6545339B2 (en) | 2001-01-12 | 2003-04-08 | International Business Machines Corporation | Semiconductor device incorporating elements formed of refractory metal-silicon-nitrogen and method for fabrication |
JP2002226796A (ja) | 2001-01-29 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | ウェハ貼着用粘着シート及び半導体装置 |
TW521310B (en) | 2001-02-08 | 2003-02-21 | Toshiba Corp | Laser processing method and apparatus |
US6527965B1 (en) | 2001-02-09 | 2003-03-04 | Nayna Networks, Inc. | Method for fabricating improved mirror arrays for physical separation |
US6770544B2 (en) * | 2001-02-21 | 2004-08-03 | Nec Machinery Corporation | Substrate cutting method |
SG179310A1 (en) * | 2001-02-28 | 2012-04-27 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TW473896B (en) | 2001-03-20 | 2002-01-21 | Chipmos Technologies Inc | A manufacturing process of semiconductor devices |
US6972268B2 (en) | 2001-03-29 | 2005-12-06 | Gsi Lumonics Corporation | Methods and systems for processing a device, methods and systems for modeling same and the device |
US6932933B2 (en) | 2001-03-30 | 2005-08-23 | The Aerospace Corporation | Ultraviolet method of embedding structures in photocerams |
JP4091838B2 (ja) | 2001-03-30 | 2008-05-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置 |
KR100701013B1 (ko) | 2001-05-21 | 2007-03-29 | 삼성전자주식회사 | 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치 |
JP2002035985A (ja) | 2001-05-21 | 2002-02-05 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | レーザ加工装置及び加工方法 |
JP2003017790A (ja) | 2001-07-03 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物系半導体素子及び製造方法 |
JP2003046177A (ja) | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
JP2003154517A (ja) | 2001-11-21 | 2003-05-27 | Seiko Epson Corp | 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法 |
EP1329946A3 (en) | 2001-12-11 | 2005-04-06 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device including a laser crystallization step |
US6608370B1 (en) * | 2002-01-28 | 2003-08-19 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer having a thin die and tethers and methods of making the same |
US6562696B1 (en) * | 2002-03-06 | 2003-05-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method for forming an STI feature to avoid acidic etching of trench sidewalls |
US6908784B1 (en) | 2002-03-06 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating encapsulated semiconductor components |
JP3670267B2 (ja) | 2002-03-12 | 2005-07-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
TWI326626B (en) | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
JP4509720B2 (ja) | 2002-03-12 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP3935186B2 (ja) | 2002-03-12 | 2007-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP4358502B2 (ja) | 2002-03-12 | 2009-11-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
CN100355031C (zh) * | 2002-03-12 | 2007-12-12 | 浜松光子学株式会社 | 基板的分割方法 |
JP2003338468A (ja) | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子 |
AU2003211575A1 (en) | 2002-03-12 | 2003-09-22 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor substrate, semiconductor chip, and semiconductor device manufacturing method |
US7749867B2 (en) | 2002-03-12 | 2010-07-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting processed object |
JP2003338636A (ja) | 2002-03-12 | 2003-11-28 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光素子の製造方法、発光ダイオード、及び半導体レーザ素子 |
JP2006135355A (ja) | 2002-03-12 | 2006-05-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体基板の切断方法 |
US6787732B1 (en) | 2002-04-02 | 2004-09-07 | Seagate Technology Llc | Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor |
US6744009B1 (en) | 2002-04-02 | 2004-06-01 | Seagate Technology Llc | Combined laser-scribing and laser-breaking for shaping of brittle substrates |
JP4111800B2 (ja) | 2002-11-05 | 2008-07-02 | アルパイン株式会社 | 車両間通信情報処理装置 |
TWI520269B (zh) | 2002-12-03 | 2016-02-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Cutting method of semiconductor substrate |
ES2381254T3 (es) | 2002-12-05 | 2012-05-24 | Hamamatsu Photonics K.K. | Dispositivos de procesamiento con láser |
JP2004188422A (ja) | 2002-12-06 | 2004-07-08 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP4334864B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-09-30 | 日本電波工業株式会社 | 薄板水晶ウェハ及び水晶振動子の製造方法 |
JP4188847B2 (ja) | 2003-01-14 | 2008-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 分析素子用カートリッジ |
US7341007B2 (en) | 2003-03-05 | 2008-03-11 | Joel Vatsky | Balancing damper |
FR2852250B1 (fr) | 2003-03-11 | 2009-07-24 | Jean Luc Jouvin | Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau |
WO2004080643A1 (ja) | 2003-03-12 | 2004-09-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法 |
GB2404280B (en) | 2003-07-03 | 2006-09-27 | Xsil Technology Ltd | Die bonding |
KR101193723B1 (ko) | 2003-07-18 | 2012-10-22 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 반도체 기판, 반도체 기판의 절단방법 및 가공대상물의 절단방법 |
JP4563097B2 (ja) | 2003-09-10 | 2010-10-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
JP2005086175A (ja) | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子 |
JP4300084B2 (ja) | 2003-09-19 | 2009-07-22 | 株式会社リコー | 画像形成装置 |
CN100461561C (zh) | 2004-01-07 | 2009-02-11 | 浜松光子学株式会社 | 半导体发光元件及其制造方法 |
JP4509578B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-07-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4598407B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4601965B2 (ja) | 2004-01-09 | 2010-12-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP5138219B2 (ja) | 2004-03-30 | 2013-02-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
US7718510B2 (en) | 2004-03-30 | 2010-05-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and semiconductor chip |
JP4536407B2 (ja) | 2004-03-30 | 2010-09-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び加工対象物 |
JP4733934B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2011-07-27 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP4634089B2 (ja) | 2004-07-30 | 2011-02-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4200177B2 (ja) | 2004-08-06 | 2008-12-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体装置 |
JP4754801B2 (ja) | 2004-10-13 | 2011-08-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4781661B2 (ja) | 2004-11-12 | 2011-09-28 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4917257B2 (ja) | 2004-11-12 | 2012-04-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4198123B2 (ja) | 2005-03-22 | 2008-12-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4776994B2 (ja) | 2005-07-04 | 2011-09-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP4749799B2 (ja) | 2005-08-12 | 2011-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4762653B2 (ja) | 2005-09-16 | 2011-08-31 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
JP4237745B2 (ja) | 2005-11-18 | 2009-03-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4907965B2 (ja) | 2005-11-25 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP4804911B2 (ja) | 2005-12-22 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4907984B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-04-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップ |
JP5183892B2 (ja) | 2006-07-03 | 2013-04-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
EP1875983B1 (en) | 2006-07-03 | 2013-09-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and chip |
JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2012-06-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
CN101516566B (zh) | 2006-09-19 | 2012-05-09 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法和激光加工装置 |
JP5101073B2 (ja) | 2006-10-02 | 2012-12-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP4964554B2 (ja) | 2006-10-03 | 2012-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5132911B2 (ja) | 2006-10-03 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
KR101428824B1 (ko) | 2006-10-04 | 2014-08-11 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 레이저 가공방법 |
JP4812599B2 (ja) | 2006-11-17 | 2011-11-09 | 倉敷紡績株式会社 | 染料濃度測定方法及び装置 |
JP5336054B2 (ja) | 2007-07-18 | 2013-11-06 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工情報供給装置を備える加工情報供給システム |
JP4402708B2 (ja) | 2007-08-03 | 2010-01-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法 |
JP5225639B2 (ja) | 2007-09-06 | 2013-07-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JP5342772B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-11-13 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5449665B2 (ja) | 2007-10-30 | 2014-03-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法 |
JP5134928B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物研削方法 |
JP5054496B2 (ja) | 2007-11-30 | 2012-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 加工対象物切断方法 |
JP5241525B2 (ja) | 2009-01-09 | 2013-07-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置 |
JP5191958B2 (ja) | 2009-06-19 | 2013-05-08 | 三菱電機ビルテクノサービス株式会社 | エレベータ機器芯出し用基準線の設置方法 |
-
2003
- 2003-03-06 CN CNB038058669A patent/CN100355031C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 AT AT05077646T patent/ATE362653T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-03-06 US US10/507,321 patent/US8268704B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 ES ES05077646T patent/ES2285634T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 JP JP2003575413A patent/JP3762409B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 AT AT03744003T patent/ATE534142T1/de active
- 2003-03-06 ES ES11182633.5T patent/ES2639733T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 EP EP19193330.8A patent/EP3664131A3/en not_active Withdrawn
- 2003-03-06 CN CNB2006101643475A patent/CN100485902C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 AT AT05077644T patent/ATE518242T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-03-06 KR KR1020057012045A patent/KR100848408B1/ko active IP Right Grant
- 2003-03-06 CN CN2007101823487A patent/CN101335235B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 AU AU2003211763A patent/AU2003211763A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-06 EP EP05077644A patent/EP1635390B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 CN CNB2006101643460A patent/CN100485901C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 DE DE60313900T patent/DE60313900T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 EP EP05077646A patent/EP1632997B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 EP EP11182633.5A patent/EP2400539B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 CN CNB2005100854440A patent/CN100355032C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 EP EP17179800.2A patent/EP3252806B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 EP EP10157833.4A patent/EP2194575B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 EP EP03744003A patent/EP1494271B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-06 KR KR1020047014158A patent/KR100715576B1/ko active IP Right Grant
- 2003-03-06 WO PCT/JP2003/002669 patent/WO2003077295A1/ja active Application Filing
- 2003-03-06 ES ES03744003T patent/ES2377521T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-03-12 TW TW092105293A patent/TWI278027B/zh not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-02-22 JP JP2005046052A patent/JP4358762B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-01-17 US US11/332,228 patent/US7566635B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-11-29 US US11/987,328 patent/US8304325B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-06-19 JP JP2009146370A patent/JP4908552B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2009-12-24 JP JP2009292574A patent/JP4995256B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2010
- 2010-04-19 US US12/762,444 patent/US8314013B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-07-25 JP JP2011162402A patent/JP4932956B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2011-07-25 JP JP2011162307A patent/JP4908652B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2011-07-25 JP JP2011162377A patent/JP4932955B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-09-14 US US13/618,699 patent/US8519511B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2012-09-14 US US13/618,637 patent/US8518801B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2012-09-14 US US13/618,393 patent/US8518800B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2013
- 2013-07-29 US US13/953,443 patent/US8889525B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2014
- 2014-10-17 US US14/517,552 patent/US9142458B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-07-07 US US14/793,181 patent/US9287177B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-12-30 US US14/984,066 patent/US9711405B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2016
- 2016-08-02 US US15/226,284 patent/US9553023B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2016-08-02 US US15/226,417 patent/US9543207B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2016-08-02 US US15/226,519 patent/US9548246B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2016-08-02 US US15/226,662 patent/US9543256B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2017
- 2017-06-08 US US15/617,431 patent/US10068801B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2018
- 2018-07-31 US US16/050,640 patent/US10622255B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2020
- 2020-03-02 US US16/806,552 patent/US20200203225A1/en not_active Abandoned
-
2021
- 2021-03-16 US US17/202,807 patent/US11424162B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2022
- 2022-07-19 US US17/868,644 patent/US20220352026A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0863231A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-03-08 | Nikon Corp | 目標物移動装置、位置決め装置及び可動ステージ装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
0863231 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100715576B1 (ko) | 기판의 분할 방법 | |
KR100853057B1 (ko) | 레이저 가공 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130404 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140401 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180418 Year of fee payment: 12 |