KR20150115780A - 다수의 플라즈마 구성들을 갖는 반도체 프로세싱 시스템들 - Google Patents
다수의 플라즈마 구성들을 갖는 반도체 프로세싱 시스템들 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20150115780A KR20150115780A KR1020157021238A KR20157021238A KR20150115780A KR 20150115780 A KR20150115780 A KR 20150115780A KR 1020157021238 A KR1020157021238 A KR 1020157021238A KR 20157021238 A KR20157021238 A KR 20157021238A KR 20150115780 A KR20150115780 A KR 20150115780A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chamber
- region
- access
- precursor
- plasma
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 204
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 222
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 88
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 107
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 71
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 60
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 52
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 27
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 16
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 15
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 15
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 15
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 4
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 211
- 230000008569 process Effects 0.000 description 56
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 45
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 21
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 20
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 20
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 12
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 10
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- -1 fluorine radicals Chemical class 0.000 description 8
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 7
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 7
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 5
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010421 TiNx Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000002939 deleterious effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 150000005837 radical ions Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical class FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- FQFKTKUFHWNTBN-UHFFFAOYSA-N trifluoro-$l^{3}-bromane Chemical compound FBr(F)F FQFKTKUFHWNTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003736 xenon Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32899—Multiple chambers, e.g. cluster tools
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
예시적인 시스템은 챔버를 포함할 수 있고, 챔버는 챔버의 프로세싱 영역에 반도체 기판을 수용(contain)하도록 구성된다. 시스템은, 챔버의 제 1 액세스(access)와 유체적으로(fluidly) 커플링되며, 제 1 액세스를 통해 챔버 내로 제 1 전구체를 전달하도록 구성되는 제 1 원격 플라즈마 유닛을 포함할 수 있다. 시스템은 또한, 챔버의 제 2 액세스와 유체적으로 커플링되며, 제 2 액세스를 통해 챔버 내로 제 2 전구체를 전달하도록 구성되는 제 2 원격 플라즈마 유닛을 더 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 액세스는, 챔버의 프로세싱 영역과 분리되어 있고 프로세싱 영역과 유체적으로 커플링된, 챔버의 혼합 영역(mixing region)과 유체적으로 커플링될 수 있다. 혼합 영역은, 제 1 및 제 2 전구체들이 챔버의 프로세싱 영역 외부에서(externally) 서로 상호작용하게 허용하도록 구성될 수 있다.
Description
관련 출원들에 대한 상호 참조들
[0001] 본 출원은, 2013년 2월 8일자로 출원된 미국 가 출원 제 61/762,767 호의 이익을 주장하는, 2013년 3월 8일자로 출원된 미국 정식 특허 출원 제 13/791,074 호를 우선권으로 주장하고, 상기 미국 출원들 양자 모두는 발명의 명칭이 "Semiconductor Processing Systems Having Multiple Plasma Configurations"이다. 상기 미국 출원들의 전체 개시내용들은 모든 목적들을 위해 인용에 의해 본원에 포함된다.
[0002] 본 기술은 반도체 프로세스들 및 장비에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 기술은 다수의 플라즈마 구성(configuration)들을 갖는 프로세싱 시스템들에 관한 것이다.
[0003] 복잡하게 패터닝된 재료 층들을 기판 표면들 상에 생성하는 프로세스들에 의해 집적 회로들이 가능하게 된다. 패터닝된 재료를 기판 상에 생성하는 것은, 노출된 재료의 제거를 위한 제어되는 방법들을 요구한다. 화학적 에칭은, 포토레지스트에서의 패턴을 하부의(underlying) 층들로 전사하는 것(transferring), 층들을 박형화(thinning)하는 것, 또는 표면 상에 이미 존재하는 피처들(features)의 측면(lateral) 치수들을 박형화하는 것을 포함하는 다양한 목적들을 위해 사용된다. 예컨대, 패턴 전사 프로세스를 용이하게 하도록, 하나의 재료를 다른 재료보다 더 빠르게 에칭하는 에칭 프로세스를 갖는 것이 종종 바람직하다. 그러한 에칭 프로세스는 제 1 재료에 대해 선택적(selective)이라고 한다. 재료들, 회로들, 및 프로세스들의 다양성의 결과로서, 다양한 재료들에 대해 선택성(selectivity)을 갖는 에칭 프로세스들이 개발되어 왔다.
[0004] 습식(wet) HF 에칭은, 실리콘 산화물을 다른 유전체들 및 반도체 재료들에 비해 우선적으로 제거한다. 그러나, 습식 프로세스들은 몇몇 속박된(constrained) 트렌치들을 침투할(penetrate) 수 없고, 때로는, 남아있는 재료를 변형시킨다. 기판 프로세싱 영역 내에서 형성되는 국부(local) 플라즈마들로 야기되는 건식 에칭들은 더 많은 속박된 트렌치들을 침투할 수 있고, 남아있는 정교한 구조들의 더 적은 변형을 나타낼 수 있다. 그러나, 국부 플라즈마들은, 그러한 국부 플라즈마들이 방전될 때, 전기 아크(arc)들의 생성을 통해 기판을 손상시킬 수 있다.
[0005] 따라서, 전구체 케미스트리들(chemistries) 및 에칭 파라미터들에 대한 더 많은 제어(more control)를 허용하는, 반도체 기판들 상의 구조들 및 재료들을 선택적으로 에칭하기 위한 개선된 방법들 및 시스템들에 대한 필요성이 존재한다. 이러한 그리고 다른 필요성들이 본 기술에 의해 처리된다.
[0006] 반도체 프로세싱 챔버들과 관련된 방법들 및 시스템들이 설명된다. 예시적인 시스템은 챔버를 포함할 수 있고, 챔버는 챔버의 프로세싱 영역에 반도체 기판을 수용(contain)하도록 구성된다. 시스템은, 챔버의 제 1 액세스(access)와 유체적으로(fluidly) 커플링되고, 제 1 액세스를 통해 챔버 내로 제 1 전구체를 전달하도록 구성된 제 1 원격 플라즈마 유닛을 포함할 수 있다. 시스템은 또한, 챔버의 제 2 액세스와 유체적으로 커플링되고, 제 2 액세스를 통해 챔버 내로 제 2 전구체를 전달하도록 구성된 제 2 원격 플라즈마 유닛을 더 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 액세스들은, 챔버의 프로세싱 영역과 분리되고 그 프로세싱 영역과 유체적으로 커플링된, 챔버의 혼합 영역(mixing region)과 유체적으로 커플링될 수 있다. 혼합 영역은, 제 1 및 제 2 전구체들이 챔버의 프로세싱 영역 외부에서(externally) 서로 상호작용하게 허용하도록 구성될 수 있다.
[0007] 시스템은, 챔버의 프로세싱 영역과 혼합 영역 사이에 위치된 디바이스를 더 포함할 수 있다. 이러한 디바이스는 프로세싱 영역을 향하여 지향되는(directed) 이온 종(ionic species)의 유동을 적어도 부분적으로 억제하도록 구성될 수 있다. 챔버는, 챔버 내에서 챔버의 프로세싱 영역 위에 또는 그 프로세싱 영역의 상단 부분(top portion)에 위치된 가스 분배 어셈블리를 더 포함할 수 있고, 이러한 가스 분배 어셈블리는 챔버의 프로세싱 영역 내로 제 1 및 제 2 전구체들 양자 모두를 전달하도록 구성된다. 가스 분배 어셈블리는 상부(upper) 플레이트 및 하부(lower) 플레이트를 포함할 수 있고, 플레이트들은 플레이트들 사이에 볼륨(volume)을 정의하도록 서로 커플링될 수 있다. 플레이트들의 커플링은, 상부 및 하부 플레이트들을 통하는 제 1 유체 채널들, 및 하부 플레이트를 통하는, 볼륨으로부터의 유체 액세스(fluid access)를 제공하도록 구성된, 하부 플레이트를 통하는 제 2 유체 채널들을 제공할 수 있다. 제 1 유체 채널들은 제 2 유체 채널들 및 플레이트들 사이의 볼륨으로부터 유체적으로 격리될 수 있다. 정의되는 볼륨은, 챔버의 제 1 및 제 2 액세스들로부터 분리된, 챔버에서의 제 3 액세스와 유체적으로 커플링된, 가스 분배 어셈블리의 측부(side)를 통해 유체적으로 액세스가능(accessible)할 수 있다.
[0008] 챔버에 대한, 제 1 액세스 및 제 2 액세스는, 챔버의 상단 부분과 커플링될 수 있다. 실시예들에서, 제 1 액세스 및 제 2 액세스는 서로 분리될 수 있다. 제 1 및 제 2 액세스들은 또한, 챔버의 상단 부분과 단일 위치(single location)에서 커플링될 수 있다. 제 1 원격 플라즈마 유닛 및 제 2 원격 플라즈마 유닛과 단일 액세스의 커플링은, 제 1 및 제 2 전구체들이 챔버의 혼합 영역에 액세스하기 전에, 상호작용하게 허용하도록 구성될 수 있다. 제 1 및 제 2 액세스들은 또한, 챔버의 측부 부분과 커플링될 수 있고, 액세스들은 서로 분리될 수 있거나 또는 함께 커플링될 수 있다. 제 1 액세스 및 제 2 액세스는, 챔버 주위에 방사상으로 분포되는(radially distributed) 플리넘(plenum)과 유체적으로 커플링될 수 있고, 그 플리넘은, 플리넘 전체에 걸친 복수의 위치들에서 챔버의 혼합 영역에 대한 액세스를 제공하도록 구성된다.
[0009] 프로세싱 시스템의 챔버는, 챔버의 프로세싱 영역과 혼합 영역 사이에 위치된 샤워헤드를 더 포함할 수 있으며, 그 샤워헤드는 챔버를 통해 제 1 및 제 2 전구체들을 분배하도록 구성된다. 샤워헤드는 샤워헤드의 외부 부분(exterior portion) 주위에 위치된 복수의 구멍(aperture)들을 정의할 수 있다. 샤워헤드는, 적어도, 샤워헤드의 중심 포인트(center point)로부터 샤워헤드의 방사상 길이(radial length)의 약 25 %까지 연장되는, 샤워헤드의 내부 부분 주위에 구멍들을 포함하지 않을 수 있다.
[0010] 시스템의 원격 플라즈마 유닛들은, 제 1 재료를 포함하는 제 1 원격 플라즈마 유닛 및 제 2 재료를 포함하는 제 2 원격 플라즈마 유닛을 가질 수 있다. 제 1 재료는 제 1 전구체의 조성(composition)에 기초하여 선택될 수 있고, 제 2 재료는 제 2 전구체의 조성에 기초하여 선택될 수 있다. 제 1 재료와 제 2 재료는, 유사하거나 또는 상이한 재료들일 수 있다. 제 1 및 제 2 원격 플라즈마 유닛들은, 약 10 W 내지 약 10 kW 또는 그 초과에서 동작하도록 구성될 수 있다. 제 1 원격 플라즈마 유닛은 제 1 전구체의 조성에 기초하여 선택되는 제 1 전력 레벨에서 동작하도록 구성될 수 있다. 제 2 원격 플라즈마 유닛은, 제 2 전구체의 조성에 기초하여 선택되는 제 2 전력 레벨에서 동작하도록 구성될 수 있다. 시스템은, 제 1 및 제 2 원격 플라즈마 유닛들을 유사한 또는 서로 상이한 전력 레벨들에서 동작시키도록 구성될 수 있다.
[0011] 또한, 반도체 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법들이 설명된다. 방법들은, 제 1 원격 플라즈마 유닛을 통해 반도체 프로세싱 챔버 내로 제 1 전구체를 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 또한, 제 2 원격 플라즈마 유닛을 통해 프로세싱 챔버 내로 제 2 전구체를 유동시키는 단계를 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 전구체들은, 기판이 존재하는(reside), 챔버의 프로세싱 영역의 유체적으로(fluidly) 상류에(upstream) 위치된, 챔버의 혼합 영역에서 결합될 수 있다. 제 1 전구체는 불소-함유 전구체를 포함할 수 있고, 제 2 전구체는 산소-함유 전구체를 포함할 수 있다. 제 1 전구체는 제 1 원격 플라즈마 유닛에서 제 1 플라즈마 전력으로 여기될(excited) 수 있고, 제 2 전구체는 제 2 원격 플라즈마 유닛에서 제 2 플라즈마 전력으로 여기될 수 있다. 제 1 및 제 2 플라즈마 전력들은 유사할 수 있거나 또는 서로 상이할 수 있다.
[0012] 이러한 기술은 종래의 시스템들 및 기법들에 비해 많은 이익들을 제공할 수 있다. 예컨대, 전구체들의 개별적인 여기(excitation)에 기초하여, 에칭 케미스트리들이 개선 및 튜닝될(tuned) 수 있다. 부가적으로, 더 균일한 가스 혼합물들을 제공할 수 있는 유동 경로들(flow pathways)에 기초하여, 더 우수한(greater) 프로세스 균일성이 제공될 수 있다. 이들 및 다른 실시예들이, 이들의 다수의 이점들 및 피처들과 함께, 하기의 설명 및 첨부 도면들과 관련하여 더 상세히 설명된다.
[0013] 본 명세서의 나머지 부분들 및 도면들을 참조함으로써, 개시된 기술의 성질 및 이점들에 대한 추가적인 이해가 실현된 수 있다.
[0014] 도 1은 예시적인 프로세싱 툴의 일 실시예의 상면 평면도를 도시한다.
[0015] 도 2a는 예시적인 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0016] 도 2b는 도 2a에서 예시된 프로세싱 챔버의 부분의 상세도를 도시한다.
[0017] 도 3a 내지 도 3c는 개시된 기술에 따른 예시적인 샤워헤드 구성들의 개략도들을 도시한다.
[0018] 도 4는 개시된 기술에 따른 예시적인 샤워헤드의 부가적인 평면도를 도시한다.
[0019] 도 5는 개시된 기술에 따른 프로세싱 챔버의 간략화된 단면도를 도시한다.
[0020] 도 6은 개시된 기술에 따른 프로세싱 챔버의 간략화된 단면도를 도시한다.
[0021] 도 7은 개시된 기술에 따른 프로세싱 챔버의 간략화된 단면도를 도시한다.
[0022] 도 8은, 라인(A-A)을 따르는, 도 7에 예시된 프로세싱 챔버의 단면 부분의 평면도를 도시한다.
[0023] 도 9는 개시된 기술에 따른 프로세싱 챔버의 간략화된 단면도를 도시한다.
[0024] 도 10은, 라인(B-B)을 따르는, 도 9에 예시된 프로세싱 챔버의 단면 부분의 평면도를 도시한다.
[0025] 도 11은 개시된 기술에 따른, 반도체 프로세싱 챔버를 동작시키는 방법의 흐름도를 도시한다.
[0026] 여러 도면들이 개략도들로서 포함된다. 이러한 도면들은 예시적인 목적들을 위한 것이며, 축척(scale)이 고려된 것으로 구체적으로 언급되지 않는 한 축척은 고려되지 않는다는 점이 이해되어야 한다.
[0027] 첨부된 도면들에서, 유사한 컴포넌트들 및/또는 피처들은 동일한 참조 부호(reference label)를 가질 수 있다. 추가로, 동일한 타입의 다양한 컴포넌트들은, 유사한 컴포넌트들을 구별하는 제 2 부호 및 대시를 참조 부호에 뒤따르게 함으로써, 구별될 수 있다. 본 명세서에서 오직 제 1 참조 부호만 사용되는 경우, 제 2 참조 부호와는 무관하게, 동일한 제 1 참조 부호를 갖는 유사한 컴포넌트들 중 임의의 컴포넌트에 대해 설명이 적용될 수 있다.
[0014] 도 1은 예시적인 프로세싱 툴의 일 실시예의 상면 평면도를 도시한다.
[0015] 도 2a는 예시적인 프로세싱 챔버의 개략적인 단면도를 도시한다.
[0016] 도 2b는 도 2a에서 예시된 프로세싱 챔버의 부분의 상세도를 도시한다.
[0017] 도 3a 내지 도 3c는 개시된 기술에 따른 예시적인 샤워헤드 구성들의 개략도들을 도시한다.
[0018] 도 4는 개시된 기술에 따른 예시적인 샤워헤드의 부가적인 평면도를 도시한다.
[0019] 도 5는 개시된 기술에 따른 프로세싱 챔버의 간략화된 단면도를 도시한다.
[0020] 도 6은 개시된 기술에 따른 프로세싱 챔버의 간략화된 단면도를 도시한다.
[0021] 도 7은 개시된 기술에 따른 프로세싱 챔버의 간략화된 단면도를 도시한다.
[0022] 도 8은, 라인(A-A)을 따르는, 도 7에 예시된 프로세싱 챔버의 단면 부분의 평면도를 도시한다.
[0023] 도 9는 개시된 기술에 따른 프로세싱 챔버의 간략화된 단면도를 도시한다.
[0024] 도 10은, 라인(B-B)을 따르는, 도 9에 예시된 프로세싱 챔버의 단면 부분의 평면도를 도시한다.
[0025] 도 11은 개시된 기술에 따른, 반도체 프로세싱 챔버를 동작시키는 방법의 흐름도를 도시한다.
[0026] 여러 도면들이 개략도들로서 포함된다. 이러한 도면들은 예시적인 목적들을 위한 것이며, 축척(scale)이 고려된 것으로 구체적으로 언급되지 않는 한 축척은 고려되지 않는다는 점이 이해되어야 한다.
[0027] 첨부된 도면들에서, 유사한 컴포넌트들 및/또는 피처들은 동일한 참조 부호(reference label)를 가질 수 있다. 추가로, 동일한 타입의 다양한 컴포넌트들은, 유사한 컴포넌트들을 구별하는 제 2 부호 및 대시를 참조 부호에 뒤따르게 함으로써, 구별될 수 있다. 본 명세서에서 오직 제 1 참조 부호만 사용되는 경우, 제 2 참조 부호와는 무관하게, 동일한 제 1 참조 부호를 갖는 유사한 컴포넌트들 중 임의의 컴포넌트에 대해 설명이 적용될 수 있다.
[0028] 본 기술은, 개선된 유체 전달 메커니즘들을 제공하는, 반도체 프로세싱을 위한 시스템들을 포함한다. 특정한 건식(dry) 에칭 기법들은 프로세싱 챔버 내에 라디칼 유체 종을 제공하기 위해 원격 플라즈마 시스템들을 활용하는 것을 포함한다. 본원과 양수인이 동일한, 2012년 4월 4일자로 출원된 특허 출원 일련 번호 제 13/439079 호에서 예시적인 방법들이 설명되고, 상기 특허 출원은 본원에서의 청구되는 양상들 및 설명과 일치하는 범위 내에서 인용에 의해 본원에 포함된다. 수개의 라디칼 종을 포함할 수 있는 건식 에천트(etchant) 화학식들이 사용되는 경우에, 상이한 유체들로부터 생성된 라디칼 종은 원격 플라즈마 챔버와 상이하게 상호작용할 수 있다. 예컨대, 에칭을 위한 전구체 유체들은 불소-함유 전구체들, 및 산소 또는 수소-함유 전구체들을 포함할 수 있다. 반응성 라디칼들로부터의 보호를 제공하기 위해, 원격 플라즈마 시스템의 플라즈마 공동(cavity) 뿐만 아니라, 프로세싱 챔버에 대한 분배 컴포넌트들이 코팅될 수 있거나 또는 라이닝될(lined) 수 있다. 예컨대, 알루미늄 플라즈마 공동은, 불소 라디칼들로부터 공동을 보호할 산화물 또는 질화물로 코팅될 수 있다. 그러나, 전구체들이 또한 수소 라디칼들을 함유하는 경우에, 수소 종은 알루미늄 산화물을 다시 알루미늄으로 변환(convert)할 수 있거나 또는 환원시킬 수 있고, 이 지점에서 불소가 알루미늄과 직접적으로 반응할 수 있어서 플루오르화 알루미늄과 같은 원하지 않는 부산물들을 생성할 수 있다.
[0029] 종래의 기술들은 정기적인 유지보수 및 컴포넌트들의 교체를 통해 이러한 원하지 않는 부작용들을 다뤄왔지만, 본 시스템들은 이러한 필요성을, 프로세싱 챔버 내로 개별적인 유체 경로들을 통해 라디칼 전구체들을 제공함으로써 극복한다. 개별적인 전구체 유체들을 전달하도록 각각 구성된 2개 또는 그 초과의 원격 플라즈마 시스템들을 활용함으로써, 각각의 시스템은 전달되는 유체에 기초하여 개별적으로 보호될 수 있다. 본 발명자들은 또한 놀랍게도, 개별적인 원격 플라즈마 시스템들을 통해 전구체 종을 제공함으로써, 각각의 유체의 특정한 해리(dissociation) 및 플라즈마 특성들이 맞춤화될(tailored) 수 있고 이에 의해 개선된 에칭 성능을 제공할 수 있다는 것을 밝혀냈다. 따라서, 본원에서 설명되는 시스템들은 케미스트리 조절 측면에서 개선된 유연성(flexibility)을 제공한다. 이러한 그리고 다른 이익들이 이하에서 상세히 설명될 것이다.
[0030] 나머지 개시내용이, 개시되는 기술을 활용하는 특정한 에칭 프로세스들을 일반적으로 확인할 것이지만, 설명된 챔버들에서 발생할 수 있는 바와 같은 증착 및 세정 프로세스들에 대해 본 시스템들 및 방법들이 동등하게 적용가능하다는 것이 쉽게 이해될 것이다. 따라서, 본 기술은 에칭 프로세스들에 대한 것으로만 제한되는 것으로 여겨지지 않아야 한다.
[0031] 도 1은 개시된 실시예들에 따른 증착, 에칭, 베이킹(baking), 및 경화 챔버들의 프로세싱 툴(100)의 일 실시예의 상면 평면도를 도시한다. 도면에서, 한 쌍의 FOUP들(front opening unified pods)(102)이 다양한 크기들의 기판들을 공급하고, 기판들은 로봇식 암들(104)에 의해 수용되고, 탠덤형(tandem) 섹션들(109a-c)에 위치된 기판 프로세싱 챔버들(108a-f) 중 하나 내에 배치되기 전에 저압 홀딩 구역(106) 내에 배치된다. 제 2 로봇식 암(110)은 홀딩 구역(106)으로부터 기판 프로세싱 챔버들(108a-f)로 그리고 그 역으로 기판 웨이퍼들을 운송하는 데에 사용될 수 있다. 각각의 기판 프로세싱 챔버(108a-f)는, 본원에서 설명되는 건식 에칭 프로세스들뿐만 아니라, 순환(cyclical) 층 증착(CLD), 원자 층 증착(ALD), 화학 기상 증착(CVD), 물리 기상 증착(PVD), 에칭, 사전-세정, 디가스(degas), 배향(orientation), 및 다른 기판 프로세스들을 포함하는, 다수의 기판 프로세싱 동작들을 수행하도록 준비될 수 있다.
[0032] 기판 프로세싱 챔버들(108a-f)은 기판 웨이퍼 상의 유전체 막을 증착, 어닐링, 경화 및/또는 에칭하기 위한 하나 또는 그 초과의 시스템 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 일 구성에서, 두 쌍의 프로세싱 챔버, 예컨대 108c-d 및 108e-f가 유전체 재료를 기판 상에 증착하는 데에 사용될 수 있고, 제 3 쌍의 프로세싱 챔버들, 예컨대 108a-b는 증착된 유전체를 에칭하는 데에 사용될 수 있다. 다른 구성에서, 모든 3개의 쌍들의 챔버들, 예컨대 108a-f는 기판 상의 유전체 막을 에칭하도록 구성될 수 있다. 설명되는 프로세스들 중 임의의 하나 또는 그 초과는, 상이한 실시예들에 도시된 제조 시스템으로부터 분리된 챔버(들)에서 수행될 수 있다. 유전체 막들을 위한 증착, 에칭, 어닐링, 및 경화 챔버들의 부가적인 구성들이 시스템(100)에 의해 고려된다는 것이 인식될 것이다.
[0033] 도 2a는 프로세싱 챔버 내의 파티셔닝된(partitioned) 플라즈마 생성 영역들을 갖는 예시적인 프로세스 챔버 섹션(200)의 단면도를 도시한다. 예컨대, 티타늄 질화물, 탄탈룸 질화물, 텅스텐, 실리콘, 폴리실리콘, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물(oxynitride), 실리콘 산탄화물(oxycarbide) 등의 막 에칭 동안에, 프로세스 가스는 가스 유입구 어셈블리(205)를 통해 제 1 플라즈마 영역(215) 내로 유동될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 원격 플라즈마 시스템(RPS) 유닛들(201)이 시스템에 선택적으로 포함될 수 있고, 제 1 및 제 2 가스를 프로세싱할 수 있으며, 그 후에, 제 1 및 제 2 가스는 가스 유입구 어셈블리(205)를 통해 이동할 수 있다. 유입구 어셈블리(205)는 2개 또는 그 초과의 별개의 가스 공급 채널들을 포함할 수 있고, 여기서, 제 2 채널(도시되지 않음)은, RPS 유닛들(201)이 포함되는 경우, RPS 유닛들(201) 중 어느 하나를 바이패싱할 수 있다. 따라서, 개시된 실시예들에서, 전구체 가스들은 여기되지 않은 상태로 프로세싱 챔버에 전달될 수 있다. 다른 예에서, 개시된 실시예들에서, RPS를 통해 제공되는 제 1 채널은 프로세스 가스를 위해 사용될 수 있고, RPS를 바이패싱하는 제 2 채널은 처리 가스를 위해 사용될 수 있다. 프로세스 가스들은 제 1 플라즈마 영역(215)에 진입하기 전에 RPS 유닛들(201) 내에서 여기될 수 있다. 따라서, 개시된 실시예들에서, 이하에서 일반적으로 지칭될 바와 같은 불소-함유 전구체는, 예컨대, RPS(201)를 통과할 수 있거나 또는 RPS 유닛들을 바이패싱할 수 있다. 이러한 배열에 의해 포함되는 다양한 다른 예들이 유사하게 이해될 것이다.
[0034] 개시된 실시예들에 따라, 냉각 플레이트(203), 페이스플레이트(faceplate)(217), 이온 억제기(ion suppressor)(223), 샤워헤드(225), 및 기판(255)이 위에 배치된 기판 지지부(265)가 도시되고, 각각 포함될 수 있다. 페데스탈(265)은 열 교환 채널을 가질 수 있고, 열 교환 채널을 통해, 열 교환 유체가, 기판의 온도를 제어하기 위해 유동한다. 이러한 구성은, 기판(255) 온도가, 약 -20℃ 내지 약 200℃와 같은 비교적 낮은 온도들에서, 또는 그러한 온도들 사이에서 유지되도록, 냉각 또는 가열되게 허용할 수 있다. 열 교환 유체는 에틸렌 글리콜 및/또는 물을 포함할 수 있다. 알루미늄, 세라믹, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있는, 페데스탈(265)의 웨이퍼 지지 플래터는 또한, 비교적 높은 온도들, 예컨대, 약 100 ℃ 또는 최대 100 ℃로부터 약 1100 ℃ 또는 그 초과까지의 온도들을 달성하기 위해, 내장형 저항성 가열기 엘리먼트를 사용하여 저항성으로(resistively) 가열될 수 있다. 가열 엘리먼트는 하나 또는 그 초과의 루프들로서 페데스탈 내에 형성될 수 있고, 가열기 엘리먼트의 외측 부분은 지지 플래터의 둘레 근처에서 연장(run)될 수 있는 한편, 내측 부분은, 더 작은 반경을 갖는 동심원의 경로 상에서 연장된다. 가열기 엘리먼트에 대한 와이어링(wiring)은 페데스탈(265)의 스템(stem)을 통과할 수 있는데, 상기 스템은 회전되도록 추가로 구성될 수 있다.
[0035] 페이스플레이트(217)는 피라미드형, 원뿔형, 또는 넓은 바닥 부분으로 확장되는 좁은 상단 부분을 갖는 다른 유사한 구조일 수 있다. 페이스플레이트(217)는 부가적으로, 도시된 바와 같이 평탄할 수 있고, 프로세스 가스들을 분배하는 데에 사용되는 복수의 스루-채널(through-channel)들을 포함할 수 있다. RPS(201)의 사용에 따라, 플라즈마 생성 가스들 및/또는 플라즈마 여기된 종은, 제 1 플라즈마 영역(215) 내로의 더 균일한 전달을 위해, 페이스플레이트(217)에서의, 도 2b에 도시된 복수의 홀들을 통과할 수 있다.
[0036] 가스들/종이 페이스플레이트(217)에서의 홀들을 통해 제 1 플라즈마 영역(215) 내로 유동하도록, 예시적인 구성들은, 페이스플레이트(217)에 의해 제 1 플라즈마 영역(215)으로부터 파티셔닝된 가스 공급 영역(258) 내로 개방된 가스 유입구 어셈블리(205)를 갖는 것을 포함할 수 있다. 제 1 플라즈마 영역(215)으로부터 다시 공급 영역(258), 가스 유입구 어셈블리(205), 및 유체 공급 시스템(미도시) 내로 플라즈마가 상당히 역류(backflow)하는 것을 방지하도록, 구조적 및 동작적 피처들이 선택될 수 있다. 구조적 피처들은, 백-스트리밍(back-streaming) 플라즈마를 비활성화하기 위해, 페이스플레이트(217)에서의 구멍들의 단면 기하형상들 및 치수들의 선택을 포함할 수 있다. 동작적 피처들은, 샤워헤드(225)를 통하는 플라즈마의 단방향 유동을 유지하는, 가스 공급 영역(258)과 제 1 플라즈마 영역(215) 사이의 압력 차이를 유지하는 것을 포함할 수 있다. 페이스플레이트(217), 또는 챔버의 전도성 상단 부분, 및 샤워헤드(225)는, 피처들 사이에 절연 링(220)이 위치된 것으로 도시되고, 절연 링은 AC 전위가 샤워헤드(225) 및/또는 이온 억제기(223)에 대하여 페이스플레이트(217)에 인가되게 허용한다. 절연 링(220)은 페이스플레이트(217)와 샤워헤드(225) 및/또는 이온 억제기(223) 사이에 위치될 수 있어서, 용량성 커플링된 플라즈마(CCP)가 제 1 플라즈마 영역에서 형성될 수 있게 할 수 있다. 배플(baffle)(미도시)이 부가적으로, 제 1 플라즈마 영역(215)에 위치될 수 있거나, 또는 그렇지 않으면, 가스 유입구 어셈블리(205)와 커플링될 수 있어서, 가스 유입구 어셈블리(205)를 통하는, 영역 내로의 유체의 유동에 영향을 미칠 수 있다.
[0037] 이온 억제기(223)는, 구조 전체에 걸친 복수의 구멍들을 정의하는 플레이트 또는 다른 기하형상을 포함할 수 있고, 복수의 구멍들은, 이온성 대전된(ionically-charged) 종의 플라즈마 여기 영역(215)으로부터의 이동(migration)을 억제하는 한편, 대전되지 않은 중성 또는 라디칼 종이, 이온 억제기(223)를 통해, 억제기와 샤워헤드 사이의 활성화된 가스 전달 영역 내로 통과하게 허용하도록 구성된다. 개시된 실시예들에서, 이온 억제기(223)는, 다양한 구멍 구성들을 갖는 천공된(perforated) 플레이트를 포함할 수 있다. 이러한 대전되지 않은 종은, 구멍들을 통해 덜 반응적인 캐리어 가스로 운송되는 고도로 반응적인 종을 포함할 수 있다. 위에서 주지된 바와 같이, 홀들을 통하는 이온 종의 이동이 감소될 수 있는데, 몇몇 경우들에서는 완전하게 억제될 수 있다. 이온 억제기(223)를 통과하는 이온 종의 양을 제어하는 것은, 하부 웨이퍼 기판과 접촉하게 되는 가스 혼합물에 대한 증가된 제어를 제공할 수 있고, 이는 결국, 가스 혼합물의 증착 및/또는 에칭 특성들의 제어를 증가시킬 수 있다. 예컨대, 가스 혼합물의 이온 농도에서의 조정들은, 가스 혼합물의 에칭 선택비, 예컨대, TiNx:SiOx 에칭 비율들, TiN:W 에칭 비율들 등을 상당하게 변경할 수 있다. 증착이 수행되는 대안적인 실시예들에서, 이는 또한, 유전체 재료들에 대한 등각적-대-유동성 스타일(conformal-to-flowable style) 증착들의 균형을 이동(shift)시킬 수 있다.
[0038] 이온 억제기(223)에서의 복수의 홀들은, 활성화된 가스, 즉 이온, 라디칼, 및/또는 중성 종의, 이온 억제기(223)를 통하는 통과를 제어하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 홀들의 종횡비, 또는 홀 직경 대 길이, 및/또는 홀들의 기하형상은, 활성화된 가스에서의 이온성 대전된 종의, 이온 억제기(223)를 통과하는 유동이 감소되도록, 제어될 수 있다. 이온 억제기(223)에서의 홀들은 플라즈마 여기 영역(215)을 향하는 테이퍼링된(tapered) 부분, 및 샤워헤드(225)를 향하는 원통형 부분을 포함할 수 있다. 원통형 부분은 샤워헤드(225)로 통과하는 이온 종의 유동을 제어하도록 형성될 수 있고 치수결정될(dimensioned) 수 있다. 조정가능한 전기 바이어스가 또한, 억제기를 통하는 이온 종의 유동을 제어하기 위한 부가적인 수단으로서, 이온 억제기(223)에 인가될 수 있다.
[0039] 이온 억제 엘리먼트(223)는 플라즈마 생성 영역으로부터 기판으로 이동하는 이온성 대전된 종의 양을 감소시키거나 또는 제거하도록 기능할 수 있다. 대전되지 않은 중성 및 라디칼 종은, 기판과 반응하기 위해, 여전히 이온 억제기에서의 개구들을 통과할 수 있다. 기판을 둘러싸는 반응 영역에서의 이온성 대전된 종의 완전한 제거가 항상 바람직한 목표는 아니라는 것이 주지되어야 한다. 다수의 경우들에서, 이온 종은, 에칭 및/또는 증착 프로세스를 수행하기 위해 기판에 도달하도록 요구된다. 이러한 경우들에서, 이온 억제기는, 반응 영역에서의 이온 종의 농도를, 프로세스를 보조하는 레벨로 제어하는 것을 도울 수 있다.
[0040] 이온 억제기(223)와 조합된 샤워헤드(225)는, 챔버 플라즈마 영역(215)에 존재하는 플라즈마가 기판 프로세싱 영역(233)에서의 가스들을 직접 여기시키는 것을 회피하게 허용하면서, 여기된 종이 챔버 플라즈마 영역(215)으로부터 기판 프로세싱 영역(233)으로 이동하게 여전히 허용할 수 있다. 이러한 방식에서, 챔버는, 에칭되는 기판(255)과 플라즈마가 접촉하는 것을 방지하도록 구성될 수 있다. 이는, 생성된 플라즈마에 의해 직접 접촉되는 경우에, 손상될 수 있거나, 이탈(dislocated)될 수 있거나, 또는 그렇지 않으면 뒤틀릴(warped) 수 있는, 기판 상에 패터닝된 다양한 복잡한 구조들 및 막들을 유리하게 보호할 수 있다. 부가적으로, 플라즈마가, 기판과 접촉하거나 또는 기판 레벨에 접근하게 허용되는 경우, 산화물 종이 에칭되는 레이트(rate)가 증가될 수 있다. 따라서, 노출된 제 2 재료가 산화물인 경우, 이러한 재료는, 플라즈마를 기판으로부터 원격으로 유지함으로써 추가로 보호될 수 있다.
[0041] 프로세싱 시스템은, 제 1 플라즈마 영역(215) 또는 프로세싱 영역(233)에서 플라즈마를 생성하도록, 전력을 페이스플레이트(217), 이온 억제기(223), 샤워헤드(225), 및/또는 페데스탈(265)에 제공하기 위해, 프로세싱 챔버와 전기적으로 커플링된 전력 공급부(240)를 더 포함할 수 있다. 전력 공급부는, 수행되는 프로세스에 따라, 조정가능한 양의 전력을 챔버에 전달하도록 구성될 수 있다. 그러한 구성은, 수행되는 프로세스들에서 튜닝가능한 플라즈마가 사용되는 것을 허용할 수 있다. 종종 온(on) 또는 오프(off) 기능이 제공되는 원격 플라즈마 유닛과 달리, 튜닝가능한 플라즈마는 특정한 양의 전력을 플라즈마 영역(215)에 전달하도록 구성될 수 있다. 이는 결국, 전구체들이, 이러한 전구체들에 의해 생성되는 에칭 프로파일들을 강화시키는 특정한 방식들로 해리될 수 있도록, 특정한 플라즈마 특성들의 전개(development)를 허용할 수 있다.
[0042] 플라즈마는 샤워헤드(225) 위의 챔버 플라즈마 영역(215) 또는 샤워헤드(225) 아래의 기판 프로세싱 영역(233)에서 점화될 수 있다. 플라즈마는, 불소-함유 전구체의 유입으로부터 라디칼-불소 전구체들을 생성하기 위해, 챔버 플라즈마 영역(215)에 존재할 수 있다. 전형적으로 무선 주파수(RF) 범위에 있는 AC 전압은, 증착 동안에 챔버 플라즈마 영역(215)에서 플라즈마를 점화시키기 위해, 페이스플레이트(217)와 같은, 프로세싱 챔버의 전도성 상단 부분과 샤워헤드(225) 및/또는 이온 억제기(223) 사이에 인가될 수 있다. RF 전력 공급부는 13.56 MHz의 높은 RF 주파수를 생성할 수 있지만, 13.56 MHz 주파수와 조합하여 또는 단독으로 다른 주파수들을 또한 생성할 수 있다.
[0043] 플라즈마 전력은 다양한 주파수들 또는 다수의 주파수들의 조합일 수 있다. 예시적인 프로세싱 시스템에서, 플라즈마는, 이온 억제기(223) 및/또는 샤워헤드(225)에 대하여 페이스플레이트(217)에 전달되는 RF 전력에 의해 제공될 수 있다. 상이한 실시예들에서, RF 전력은, 약 10 와트 내지 약 2000 와트, 약 100 와트 내지 약 2000 와트, 약 200 와트 내지 약 1500 와트, 또는 약 200 와트 내지 약 1000 와트일 수 있다. 상이한 실시예들에서, 예시적인 프로세싱 시스템에 인가되는 RF 주파수는, 약 200 kHz 미만의 낮은 RF 주파수들, 약 10 MHz 내지 약 15 MHz의 높은 RF 주파수들, 또는 약 1 GHz 또는 그 초과의 마이크로파 주파수들일 수 있다. 플라즈마 전력은 원격 플라즈마 영역에 용량성-커플링(CCP)될 수 있거나 또는 유도성-커플링(ICP)될 수 있다.
[0044] 상단 플라즈마 영역(215)은, 예컨대, 막을 경화시키거나 또는 기판 프로세싱 영역(233)과 접하는(bordering) 내부 표면들을 세정하기 위해, 기판 프로세싱 영역(233)에서의 바닥 플라즈마가 턴 온되는(turned on) 경우, 저전력 또는 무전력으로 남을 수 있다. 기판 프로세싱 영역(233)에서의 플라즈마는, 샤워헤드(255)와 페데스탈(265) 또는 챔버의 바닥 사이에 AC 전압을 인가함으로써 점화될 수 있다. 세정 가스는, 플라즈마가 존재하는 동안 기판 프로세싱 영역(233) 내에 도입될 수 있다.
[0045] 전구체, 예컨대 불소-함유 전구체와 같은 유체가, 본원에서 설명되는 샤워헤드의 실시예들에 의해 프로세싱 영역(233) 내로 유동될 수 있다. 플라즈마 영역(215)에서의 프로세스 가스로부터 유도되는 여기된 종은 이온 억제기(223) 및/또는 샤워헤드(225)에서의 구멍들을 통해 이동할 수 있고, 샤워헤드의 개별적인 부분으로부터 프로세싱 영역(233) 내로 유동하는 부가적인 전구체와 반응할 수 있다. 대안적으로, 모든 전구체 종이 플라즈마 영역(215)에서 여기되는 경우, 어떠한 부가적인 전구체들도 샤워헤드의 개별적인 부분을 통해 유동되지 않을 수 있다. 프로세싱 영역(233)에는 플라즈마가 존재하지 않을 수 있거나, 또는 거의 존재하지 않을 수 있다. 개시된 애플리케이션들에서, 기판 상의 종을 제거하거나 또는 구조들을 에칭하기 위해, 전구체들의 여기된 유도체들이 기판 위의 영역에서 그리고, 가끔, 기판 상에서 결합될 수 있다.
[0046] 제 1 플라즈마 영역(215)에서의 유체들을 직접적으로 여기시키는 것, 또는 RPS 유닛들(201a-b)에서 유체들을 여기시키는 것은, 수개의 이익들을 제공할 수 있다. 제 1 플라즈마 영역(215)에서의 플라즈마로 인해, 유체들로부터 유도되는 여기된 종의 농도가 프로세싱 영역(233) 내에서 증가될 수 있다. 이러한 증가는 제 1 플라즈마 영역(215)에서의 플라즈마의 위치로부터 기인할 수 있다. 프로세싱 영역(233)은 원격 플라즈마 시스템(RPS)(201)보다 제 1 플라즈마 영역(215)에 더 근접하게 위치될 수 있어서, 여기된 종이, 다른 가스 분자들, 챔버의 벽들, 및 샤워헤드의 표면들과의 충돌들을 통해, 여기된 상태들을 벗어나게 되는 시간을 더 짧아지게 한다.
[0047] 프로세스 가스로부터 유도되는 여기된 종의 농도의 균일성이 또한, 프로세싱 영역(233) 내에서 증가될 수 있다. 이는 제 1 플라즈마 영역(215)의 형상으로부터 기인할 수 있는데, 제 1 플라즈마 영역의 형상은 프로세싱 영역(233)의 형상과 더 유사할 수 있다. RPS 유닛들(201a-b)에서 생성되는 여기된 종은, 샤워헤드(225)의 중앙 부근의 구멍들을 통과하는 종에 비하여, 샤워헤드(225)의 에지들 부근의 구멍들을 통과하기 위해 더 긴 거리들을 이동할 수 있다. 더 긴 거리는 여기된 종의 감소된 여기를 초래할 수 있고, 예컨대, 기판의 에지 부근에서 더 느린 성장 레이트를 초래할 수 있다. 제 1 플라즈마 영역(215)에서의 유체들을 여기시키는 것은, RPS(201)를 통해 유동되는 유체에 대한 이러한 차이를 완화시킬 수 있다.
[0048] 프로세싱 가스들은 RPS 유닛들(201a-b)에서 여기될 수 있고, 여기된 상태로 샤워헤드(225)를 통해 프로세싱 영역(233)으로 통과될 수 있다. 대안적으로, 플라즈마 가스를 여기시키거나 또는 RPS로부터의 이미 여기된 프로세스 가스를 강화하기 위해 제 1 플라즈마 영역에 전력이 인가될 수 있다. 프로세싱 영역(233)에서 플라즈마가 생성될 수 있지만, 대안적으로, 프로세싱 영역에서 플라즈마가 생성되지 않을 수 있다. 일 예에서, 전구체들 또는 프로세싱 가스의 유일한 여기는, 프로세싱 영역(233)에서 서로 반응하도록, RPS 유닛들(201a-b)에서 프로세싱 가스들을 여기시키는 것으로부터 이루어질 수 있다.
[0049] 유체 전구체들 이외에도, 전달을 돕기 위한 캐리어 가스들을 포함하여, 다양한 목적들을 위해 다양한 시간들에 도입되는 다른 가스들이 존재할 수 있다. 원하지 않는 종을 챔버 벽들, 기판, 증착된 막, 및/또는 증착 동안의 막으로부터 제거하기 위해, 처리 가스가 도입될 수 있다. 처리 가스는 플라즈마에서 여기될 수 있고, 그 후에, 챔버 내부의 잔류물(residual content)을 감소시키거나 또는 제거하는 데에 사용될 수 있다. 다른 개시된 실시예들에서, 처리 가스는 플라즈마 없이 사용될 수 있다. 처리 가스가 수증기를 포함하는 경우, 질량 유량계(MFM), 주입 밸브, 또는 상업적으로 이용 가능한 수증기 생성기들을 사용하여 전달이 달성될 수 있다. 처리 가스는 프로세싱 영역(233)으로, RPS 유닛을 통해 또는 RPS 유닛들을 바이패싱하여 도입될 수 있고, 제 1 플라즈마 영역에서 추가로 여기될 수 있다.
[0050] 도 2b는 페이스플레이트(217)를 통하는 프로세싱 가스 분배에 영향을 미치는 피처들의 상세도를 도시한다. 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 페이스플레이트(217), 냉각 플레이트(203), 및 가스 유입구 어셈블리(205)가 교차하여 가스 공급 영역(258)을 정의하고, 프로세스 가스들은 가스 유입구(205)로부터 가스 공급 영역(258) 내로 전달될 수 있다. 가스들은 가스 공급 영역(258)을 충전할 수 있고, 페이스플레이트(217)에서의 구멍들(259)을 통해 제 1 플라즈마 영역(215)으로 유동할 수 있다. 구멍들(259)은, 프로세스 가스들이 프로세싱 영역(233) 내로 유동할 수 있도록, 그러나 페이스플레이트(217)를 횡단한 후의 가스 공급 영역(258) 내로의 역류가 부분적으로 또는 완전하게 방지될 수 있도록, 실질적으로 단방향 방식으로 유동을 지향시키도록 구성될 수 있다.
[0051] 프로세싱 챔버 섹션(200)에서 사용하기 위한, 샤워헤드(225)와 같은 가스 분배 어셈블리들은 듀얼 채널 샤워헤드들(DCSH)로서 지칭될 수 있고, 본원에서 도 2a뿐만 아니라 도 3a 내지 도 3c에서 설명되는 실시예들에서 부가적으로 상세하게 설명된다. 듀얼 채널 샤워헤드는, 프로세싱 영역(233)의 외부에서의 에천트들의 분리를 허용하여 프로세싱 영역 내로 전달되기 전에 챔버 컴포넌트들과 그리고 서로 간의 제한된 상호작용을 제공하는 에칭 프로세스들을 제공할 수 있다.
[0052] 샤워헤드(225)는 상부 플레이트(214) 및 하부 플레이트(216)를 포함할 수 있다. 플레이트들은 플레이트들 사이에 볼륨(218)을 정의하기 위해 서로 커플링될 수 있다. 플레이트들의 커플링은, 상부 및 하부 플레이트들을 통하는 제 1 유체 채널들(219), 및 하부 플레이트(216)를 통하는 제 2 유체 채널들(221)을 제공하기 위한 것일 수 있다. 형성된 채널들은, 제 2 유체 채널들(221)만을 통해, 하부 플레이트(216)를 통하는, 볼륨(218)으로부터의 유체 엑세스를 제공하도록 구성될 수 있고, 제 1 유체 채널들(219)은 플레이트들 사이의 볼륨(218) 및 제 2 유체 채널들(221)로부터 유체적으로 격리될 수 있다. 볼륨(218)은 가스 분배 어셈블리(225)의 측부(side)를 통해 유체적으로 액세스가능할 수 있다. 도 2의 예시적인 시스템은 듀얼-채널 샤워헤드를 포함하지만, 프로세싱 영역(233) 전에 제 1 및 제 2 전구체들이 유체적으로 격리된 상태로 유지하는 대안적인 분배 어셈블리들이 활용될 수 있다는 것이 이해된다. 예컨대, 천공된 플레이트 및 플레이트 아래의 튜브들이 활용될 수 있지만, 다른 구성들은 감소된 효율로 동작할 수 있거나, 또는 설명된 바와 같은 듀얼-채널 샤워헤드만큼 균일한 프로세싱을 제공하지 않을 수 있다.
[0053] 도시된 실시예에서, 샤워헤드(225)는 제 1 유체 채널들(219)을 통해, 프로세스 가스들을 분배할 수 있고, 프로세스 가스들은 챔버 플라즈마 영역(215)에서의 또는 RPS 유닛들(201a-b)로부터의 플라즈마에 의한 여기에 따른 플라즈마 유출물들(effluents)을 함유한다. 실시예들에서, RPS 유닛들(201) 및/또는 챔버 플라즈마 영역(215) 내로 도입되는 프로세스 가스는 불소, 예컨대 CF4, NF3 또는 XeF2, 산소, 예컨대 N2O, 또는 수소-함유 전구체들, 예컨대 H2 또는 NH3를 함유할 수 있다. 하나 또는 양자 모두의 프로세스 가스들은 또한, 헬륨, 아르곤, 질소(N2) 등과 같은 캐리어 가스를 포함할 수 있다. 플라즈마 유출물들은, 프로세스 가스의 이온화된 또는 중성 유도체들을 포함할 수 있고, 또한, 본원에서는, 도입된 프로세스 가스의 원자 성분을 나타내는, 라디칼-불소 전구체로서 지칭될 수 있다.
[0054] 부가적인 듀얼 채널 샤워헤드 뿐만 아니라, 이러한 프로세싱 시스템 및 챔버는, 2011년 10월 3일자로 출원된 특허 출원 일련 번호 제 13/251,714 호에서 더 완전하게 설명되고, 상기 특허 출원은 이로써, 본원에서의 청구된 피처들 및 설명과 일치하는 범위 내에서 모든 목적들을 위해 인용에 의해 포함된다.
[0055] 프로세싱 챔버 섹션(200)에서 사용하기 위한 가스 분배 어셈블리들(225)은 듀얼 채널 샤워헤드들(DCSH)로서 지칭되고, 본원의 도 3a 내지 도 3c에서 설명되는 실시예들에서 상세하게 설명된다. 듀얼 채널 샤워헤드는 유전체 재료의 유동성 증착, 및 동작 동안의 프로세싱 유체들과 전구체의 분리를 허용할 수 있다. 샤워헤드는 대안적으로, 반응 구역의 외부에서의 에천트들의 분리를 허용하여 프로세싱 영역 내로 전달되기 전에 챔버 컴포넌트들과 그리고 서로 간의 제한된 상호작용을 제공하는 에칭 프로세스들을 위해 활용될 수 있다.
[0056] 도 3a 내지 도 3c에서의 샤워헤드들을 일반적으로 참조하면, 제 1 매니폴드(320), 또는 상부 플레이트, 및 제 2 매니폴드(325), 또는 하부 플레이트에 의해 샤워헤드(300)에 정의된 내부 샤워헤드 볼륨 내로 우선 도입됨으로써, 전구체들이 프로세싱 영역 내로 도입될 수 있다. 매니폴드들은 복수의 구멍들을 정의하는 천공된 플레이트들일 수 있다. 전형적으로 제 3 전구체들로서 지칭되는, 내부 샤워헤드 볼륨에서의 전구체들은 하부 플레이트에 형성된 구멍들(375)을 통해 프로세싱 영역(233) 내로 유동할 수 있다. 이러한 유동 경로는 챔버에서의 프로세스 가스들의 나머지로부터 격리될 수 있고, 기판(255)과 하부 플레이트(325)의 바닥 사이에 정의된 프로세싱 영역(233) 내로의 진입까지, 전구체들이 반응되지 않거나 또는 실질적으로 반응되지 않은 상태가 되는 것을 제공할 수 있다. 프로세싱 영역(233)에 있게 되면, 2개의 전구체들은 서로 간에 그리고 기판과 반응할 수 있다. 제 3 전구체는, 샤워헤드(300)에 정의된 내부 샤워헤드 볼륨 내로, 본원의 샤워헤드 실시예들에 도시된 바와 같은 채널(322)과 같은, 샤워헤드에 형성된 측부 채널을 통해 도입될 수 있다. 제 1 및 제 2 전구체 가스들은, 제 1 플라즈마 영역에서 생성된 플라즈마로부터의 또는 RPS 유닛들로부터의 라디칼들을 포함하여, 플라즈마 상태에 있을 수 있다. 부가적으로, 프로세싱 영역에서 플라즈마가 생성될 수 있다.
[0057] 도 3a는 가스 분배 어셈블리(300)의 상부 투시도를 예시한다. 사용 시, 가스 분배 시스템을 통해 형성된 가스 구멍들의 축이 기판 지지부(도 2의 기판 지지부(265) 참조)의 평면에 대해 수직할 수 있거나 또는 실질적으로 수직할 수 있도록, 가스 분배 시스템(300)은 실질적으로 수평한 배향을 가질 수 있다. 도 3b는 가스 분배 어셈블리(300)의 바닥 투시도를 예시한다. 도 3c는 가스 분배 어셈블리(300)의 바닥 평면도이다.
[0058] 도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 가스 분배 어셈블리(300)는 일반적으로, 환형 바디(340), 상부 플레이트(320), 및 하부 플레이트(325)를 포함한다. 환형 바디(340)는 내측 직경에 위치된 내측 환형 벽, 외측 직경에 위치된 외측 환형 벽, 상부 표면(315), 및 하부 표면(310)을 갖는 링일 수 있다. 상부 표면(315)과 하부 표면(310)은 환형 바디(340)의 두께를 정의한다. 도관(350)이 환형 바디(340)에 형성될 수 있고, 환형 바디(340)의 원주(circumference) 주위에서 연장되는 채널 내에서 냉각 유체가 유동될 수 있다. 대안적으로, 샤워헤드 어셈블리를 가열하는 데에 사용되는 가열 엘리먼트(351)가 채널을 통해 연장될 수 있다. 환형 바디(340)는 채널(322)을 부가적으로 정의할 수 있고, 채널을 통해 부가적인 전구체가 프로세싱 챔버에 전달될 수 있다.
[0059] 상부 플레이트(320)는 디스크-형상 바디일 수 있고, 환형 바디(340)와 제 1 상부 리세스에서 커플링될 수 있다. 상부 플레이트는 상부 리세스의 직경과 맞도록(mate) 선택된 직경을 가질 수 있고, 상부 플레이트는 상부 플레이트를 통해 형성된 복수의 제 1 구멍들(360)을 포함할 수 있다. 제 1 구멍들(360)은 상부 플레이트(320)의 바닥 표면 너머로 연장될 수 있고 이에 의해 다수의 융기된(raised) 원통형 바디들(미도시)을 형성할 수 있다. 각각의 융기된 원통형 바디 사이에 갭이 존재할 수 있다. 도 3a에서 보이는 바와 같이, 제 1 구멍들(360)은 다각형 패턴으로 상부 플레이트(320) 상에 배열될 수 있고, 이에 의해, 최외측 제 1 구멍들(360)의 중심들을 통해 그려진 가상 라인은 다각형의 도형을 정의하거나 또는 실질적으로 정의하는데, 이는 예컨대, 6면체 다각형일 수 있다.
[0060] 특히 도 3c에서 보이는 바와 같이, 하부 플레이트(325)는 하부 플레이트를 통해 형성된 다수의 제 2 구멍들(365) 및 제 3 구멍들(375)을 갖는 디스크-형상 바디를 가질 수 있다. 하부 플레이트(325)는 다수의 두께들을 가질 수 있는데, 정의된 부분들의 두께는 상부 플레이트(320)의 중앙 두께를 초과하고, 개시된 실시예들에서 상부 플레이트(320)의 두께의 적어도 약 2배이다. 하부 플레이트(325)는 또한, 제 1 하부 리세스에서 환형 바디(340)의 내측 환형 벽의 직경과 맞는 직경을 가질 수 있다. 제 2 구멍들(365)은, 상부 플레이트(320)까지 연장되는 원통형 바디들로서 하부 플레이트(325)에 의해 정의될 수 있다. 이러한 방식으로, 제 1 및 제 2 개구들 사이에 채널들이 형성될 수 있고, 이러한 채널들은 서로 유체적으로 격리되며, 제 1 유체 채널들로서 지칭될 수 있다. 부가적으로, 상부 및 하부 플레이트들 사이에 형성된 볼륨은 제 1 및 제 2 구멍들 사이에 형성된 채널들로부터 유체적으로 격리될 수 있다. 이에 따라, 제 1 구멍들(360)을 통해 유동하는 유체는 제 2 구멍들(365)을 통해 유동할 것이고, 플레이트들 사이의 내부 볼륨 내의 유체는 제 3 구멍들(375)을 통해 유동할 것이며, 유체들은, 이들이 제 2 또는 제 3 구멍들을 통해 하부 플레이트(325)를 빠져나갈 때까지 서로 유체적으로 격리될 것이다. 제 3 구멍들(375)은 제 2 유체 채널들로서 지칭될 수 있고, 이는 내부 볼륨으로부터 바닥 플레이트(325)를 통해 연장된다. 이러한 분리는, 라디칼 전구체가, 프로세싱 영역에 도달하기 전에 제 2 전구체와 접촉하는 것을 방지하는 것을 포함하여, 다수의 이익들을 제공할 수 있다. 가스들의 상호작용을 방지함으로써, 반응이 요구되는 프로세싱 영역 전에, 챔버 내의 반응들이 최소화될 수 있다.
[0061] 제 2 구멍들(365)은, 위에서 설명된 바와 같은 제 1 구멍들(360)의 패턴과 정렬되는 패턴으로 배열될 수 있다. 일 실시예에서, 상부 플레이트(320) 및 바닥 플레이트(325)가 포개어져서(one on top of the other) 위치되는 경우, 제 1 구멍들(360) 및 제 2 구멍들(365)의 축들이 정렬된다. 개시된 실시예들에서, 상부 및 하부 플레이트들은 서로 커플링될 수 있거나 또는 직접적으로 함께 본딩될 수 있다. 어떠한 시나리오 하에서도, 플레이트들의 커플링은, 상부 및 하부 플레이트들을 통하는 채널을 형성하기 위해 제 1 및 제 2 구멍들이 정렬되도록 발생할 수 있다. 복수의 제 1 구멍들(360) 및 복수의 제 2 구멍들(365)은, 서로에 대해 평행한 또는 실질적으로 평행한 이들 각각의 축들을 가질 수 있으며, 예컨대, 구멍들(360, 365)은 동심적일 수 있다. 대안적으로, 복수의 제 1 구멍들(360) 및 복수의 제 2 구멍들(365)은 서로로부터 약 1°내지 약 30°의 각도로 배치된 각각의 축을 가질 수 있다. 바닥 플레이트(325)의 중심에는, 제 2 구멍(365)이 존재할 수 있거나, 또는 존재하지 않을 수 있다.
[0062] 도 3c는 개시된 실시예들에 따른, 프로세싱 챔버와 함께 사용하기 위한 샤워헤드(325)의 저면도이다. 샤워헤드(325)는 도 2a에 도시된 샤워헤드와 대응한다. 제 1 유체 채널들(219)의 뷰(view)를 도시하는 스루-홀들(365)은, 샤워헤드(325)를 통하는 전구체들의 유동을 제어하고 그에 영향을 미치기 위해 복수의 형상들 및 구성들을 가질 수 있다. 제 2 유체 채널들(221)의 뷰를 도시하는 작은 홀들(375)은, 샤워헤드의 표면에 걸쳐, 심지어 스루-홀들(365) 사이에서도 실질적으로 균등하게 분포될 수 있으며, 이는, 전구체들이 샤워헤드를 빠져나갈 때 전구체들의, 다른 구성들보다 더 균등한 혼합을 제공하는 것을 도울 수 있다.
[0063] 개시된 실시예들에 따른 페이스플레이트 또는 샤워헤드에 대한 대안적인 배열이 도 4에 도시된다. 도시된 바와 같이, 샤워헤드(400)는 천공된 플레이트 또는 매니폴드를 포함할 수 있다. 샤워헤드의 어셈블리는 도 3에 도시된 바와 같은 샤워헤드와 유사할 수 있거나, 또는 특별히 전구체 가스들의 분배 패턴들을 위해 구성된 설계를 포함할 수 있다. 샤워헤드(400)는, 도 2, 도 5, 도 6, 도 7, 및/또는 도 9에 도시된 바와 같은 하나 또는 그 초과의 배열들과 같이, 예시적인 프로세싱 챔버 내에서 다양한 배열들로 위치되는 환형 프레임(410)을 포함할 수 있다. 프레임 상에 또는 프레임 내에 플레이트(420)가 커플링될 수 있고, 플레이트(420)는 개시된 실시예들에서, 이전에 설명된 바와 같은 플레이트(320)와 유사할 수 있다. 플레이트는 디스크 형상을 가질 수 있으며, 프레임(410) 상에 또는 프레임(410) 내에 시팅될(seated) 수 있다. 플레이트는 다양한 두께들로 이루어질 수 있으며, 플레이트 내에 정의된 복수의 구멍들(465)을 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같은 예시적인 배열은, 도 3의 배열을 참조하여 이전에 설명된 바와 같은 패턴을 포함할 수 있으며, 도시된 바와 같은 6변형(hexagon)과 같은 기하형상 패턴으로 구멍들의 일련의 링들을 포함할 수 있다. 이해될 바와 같이, 예시된 패턴은 예시적이며, 다양한 패턴들, 홀 배열들, 및 홀 스페이싱(spacing)이 설계에 포함된다는 것이 이해되어야 한다.
[0064] 도 5로 넘어가면, 개시된 기술에 따른 프로세싱 시스템(500)의 간략화된 개략도가 도시된다. 시스템(500)의 챔버는 이전에 논의된 바와 같은 컴포넌트들 중 임의의 것을 포함할 수 있으며, 챔버의 프로세싱 영역(533)에 반도체 기판(555)을 하우징하도록 구성될 수 있다. 기판(555)은 도시된 바와 같은 페데스탈(565) 상에 위치될 수 있다. 프로세싱 챔버(500)는 2개의 원격 플라즈마 유닛들 또는 시스템들(RPS)(501a-b)을 포함할 수 있다. 개시된 실시예들에서, 시스템(500)의 챔버는, 활용되는 전구체들의 수에 기초하여, 예시된 2개를 초과하는, 임의의 수의 부가적인 플라즈마 유닛들을 포함할 수 있다. 제 1 RPS 유닛(501a)은 시스템(500)의 챔버의 제 1 액세스(505)와 유체적으로 커플링될 수 있으며, 제 1 액세스(505)를 통해 시스템(500)의 챔버 내로 제 1 전구체를 전달하도록 구성될 수 있다. 제 2 RPS 유닛(501b)은 시스템(500)의 챔버의 제 2 액세스(510)와 유체적으로 커플링될 수 있으며, 제 2 액세스(510)를 통해 챔버 내로 제 2 전구체를 전달하도록 구성될 수 있다. 예시적인 구성은 챔버의 상단 부분과 커플링되는, 제 1 액세스(505) 및 제 2 액세스(510)를 포함할 수 있다. 예시적인 구성은, 제 1 액세스(505) 및 제 2 액세스(510)가 서로 분리되도록, 액세스들과 RPS 유닛들을 추가로 커플링시킬 수 있다.
[0065] 제 1 및 제 2 플라즈마 유닛들(501a-b)은 동일한 또는 상이한 플라즈마 유닛들일 수 있다. 예컨대, 시스템들 중 어느 하나 또는 양자 모두는, RF 플라즈마 시스템들, CCP 플라즈마 챔버들, ICP 플라즈마 챔버들, 토로이달(toroidal) 플라즈마 시스템들을 포함하는 자기 발생 플라즈마 시스템들, 마이크로파 플라즈마 시스템들 등, 또는 플라즈마를 형성할 수 있거나 또는 그렇지 않으면 내부에서 분자들을 여기 및/또는 해리시킬 수 있는 임의의 다른 시스템 타입일 수 있다. 제 1 액세스(505) 및 제 2 액세스(510)는 프로세싱 챔버의 혼합 영역(511)에 대한 액세스를 제공하기 위해 챔버의 부분과 커플링될 수 있다. 혼합 영역(511)은 챔버의 프로세싱 영역(533)으로부터 분리될 수 있고, 그와 유체적으로 커플링될 수 있다. 혼합 영역(511)은, 챔버의 프로세싱 영역(533)으로부터 외부에서 제 1 및 제 2 전구체들이 서로 상호작용하게 허용하도록 추가로 구성될 수 있다. 예컨대, 제 1 RPS 유닛(501a)을 통해 전달되는 제 1 전구체 및 제 2 RPS 유닛(501b)을 통해 전달되는 제 2 전구체는, 각각의 액세스 위치들을 통해 혼합 영역(511)에 진입할 수 있고, 영역 내에서 혼합될 수 있어서, 가스 혼합물의 프로파일에 걸친, 종의 더 균일한 확산(dispersion)을 제공할 수 있다. 혼합 영역(511)은 시스템(500)의 챔버의 상단 및 하기의 샤워헤드(509)와 같은 분배 디바이스에 의해 적어도 부분적으로 정의될 수 있다. 개시된 실시예들에서, 샤워헤드(509)는 도 4에 예시된 샤워헤드와 유사할 수 있다. 샤워헤드(509)는, 챔버를 통해 진행되기 전에, 혼합 영역(511)에서의 전구체들의 체류 시간 및/또는 분포에 영향을 미치도록 위치 및/또는 형성될 수 있는 복수의 채널들 또는 구멍들(507)을 포함할 수 있다. 예컨대, 샤워헤드(509)에 걸친 구멍들의 수, 구멍들의 크기, 또는 구멍들의 구성을 조정함으로써 재결합(recombination)이 제어될 수 있거나 또는 영향을 받을 수 있다. 유전체 재료의 링과 같은 스페이서(504)가, 혼합 영역(511)을 추가로 정의하기 위해, 챔버의 상단과 샤워헤드(509) 사이에 위치될 수 있다. 예시된 바와 같이, 샤워헤드(509)는 챔버의 프로세싱 영역(533)과 혼합 영역(511) 사이에 위치될 수 있으며, 샤워헤드(509)는 챔버(500)를 통해 제 1 및 제 2 전구체들을 분배하도록 구성될 수 있다.
[0066] 시스템(500)의 챔버는, 개시된 실시예들에 선택적으로 포함될 수 있는 일련의 컴포넌트들 중 하나 또는 그 초과를 포함할 수 있다. 챔버를 통해 지향되는 전구체들의 분배에 추가로 영향을 미치기 위해, 부가적인 페이스플레이트 또는 샤워헤드(513)가 샤워헤드(509) 아래에 위치될 수 있다. 개시된 실시예들에서, 혼합 영역(511)에서 적어도 부분적으로 혼합되는 전구체들은, 시스템의 동작 압력, 챔버 컴포넌트들의 배열, 및 전구체들의 유동 프로파일 중 하나 또는 그 초과에 의해 챔버를 통해 지향될 수 있다. 샤워헤드(509) 및 페이스플레이트(513)는 스페이서(506)에 의해 분리될 수 있으며, 스페이서는, 유전체 재료, 금속, 또는 2개의 샤워헤드들을 분리시키는 다른 조성과 같은 재료의 링을 포함할 수 있다. 페이스플레이트(513)는 혼합된 전구체들을 통해 균일한 프로파일을 추가로 제공하기 위해 전구체들의 부가적인 혼합 및 분배를 제공할 수 있다. 페이스플레이트(513)는 샤워헤드(509)와 유사한 형상 또는 치수(dimensioning)로 이루어질 수 있고, 다시, 도 4에 예시된 샤워헤드와 유사한 특성들을 가질 수 있다. 개시된 실시예들에서, 페이스플레이트(513)는 샤워헤드(509)보다 더 두꺼운 또는 더 얇은 두께로 이루어질 수 있다. 부가적으로, 페이스플레이트(513)에서의 채널들 또는 구멍들(508)은 샤워헤드(509)에 정의된 구멍들(507)과 유사한 방식으로 형성될 수 있다. 개시된 실시예들에서, 구멍들(508)의 일부 또는 전부는, 프로세싱 영역(533)을 향하여 외측으로 연장되는 테이퍼링된 부분을 갖는 것으로 예시된 바와 같이 상이하게 형성될 수 있다.
[0067] 페이스플레이트(513) 아래에는 부가적인 플레이트 또는 디바이스(523)가 배치될 수 있다. 플레이트(523)는 샤워헤드(509)와 유사한 설계를 포함할 수 있으며, 예컨대, 도 4에 예시된 샤워헤드와 유사한 배열을 가질 수 있다. 스페이서(510)는 페이스플레이트(513)와 플레이트(523) 사이에 위치될 수 있으며, 유전체 재료와 같이, 이전에 논의된 바와 같은 유사한 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 구멍들(524)은 플레이트(523)에 정의될 수 있으며, 플레이트(523)를 통하는 이온 종의 유동에 영향을 미치도록 구성될 수 있고 분포될 수 있다. 예컨대, 구멍들(524)은 프로세싱 영역(533)을 향하여 지향되는 이온 종의 유동을 적어도 부분적으로 억제하도록 구성될 수 있다. 구멍들(524)은 이전에 논의된 바와 같은 채널들을 포함하는 다양한 형상들을 가질 수 있으며, 개시된 실시예들에서, 프로세싱 영역(533)으로부터 외측으로 연장되는 테이퍼링된 부분을 포함할 수 있다.
[0068] 시스템(500)의 챔버는 선택적으로, 챔버 내에 가스 분배 어셈블리(525)를 더 포함할 수 있다. 이전에 설명된 바와 같은 듀얼-채널 샤워헤드들과 양상들이 유사할 수 있는 가스 분배 어셈블리(525)는, 챔버 내에서 프로세싱 영역(533)의 상단 부분에 또는 프로세싱 영역(533) 위에 위치될 수 있다. 가스 분배 어셈블리(525)는 제 1 및 제 2 전구체들 양자 모두를 챔버의 프로세싱 영역(533) 내로 전달하도록 구성될 수 있다. 도 5의 예시적인 시스템이 듀얼-채널 샤워헤드를 포함하지만, 프로세싱 영역(533) 전에, 제 1 및 제 2 전구체들로부터의 라디칼 종으로부터 유체적으로 격리된 상태로 제 3 전구체를 유지하는 대안적인 분배 어셈블리들이 활용될 수 있다는 것이 이해된다. 예컨대, 천공된 플레이트 및 플레이트 아래의 튜브들이 활용될 수 있지만, 다른 구성들은 감소된 효율로 동작할 수 있거나, 또는 설명된 바와 같은 듀얼-채널 샤워헤드만큼 균일한 프로세싱을 제공하지 않을 수 있다. 개시된 설계들 중 하나를 활용함으로써, 프로세싱 영역(533)에 진입하기 전에 플라즈마에 의해 이전에 여기되지 않은 제 3 전구체가 프로세싱 영역(533) 내로 도입될 수 있다. 도시되지는 않았지만, 플레이트(523)와 샤워헤드(525) 사이에, 환형 스페이서와 같은 부가적인 스페이서가 위치될 수 있어서, 플레이트들을 서로 격리시킬 수 있다. 제 3 전구체가 요구되지 않는 실시예들에서, 가스 분배 어셈블리(525)는 이전에 설명된 컴포넌트들 중 임의의 것과 유사한 설계를 가질 수 있으며, 도 4에 예시된 샤워헤드와 유사한 특성들을 포함할 수 있다.
[0069] 가스 분배 어셈블리(525)는, 이전에 논의된 바와 같은 상부 플레이트 및 하부 플레이트를 포함할 수 있다. 플레이트들은 플레이트들 사이에 볼륨(527)을 정의하기 위해 서로 커플링될 수 있다. 플레이트들의 커플링은, 예컨대, 상부 및 하부 플레이트들을 통하는 제 1 유체 채널들(540), 및 하부 플레이트를 통하는 제 2 유체 채널들(545)을 제공하기 위한 것일 수 있다. 형성된 채널들은, 하부 플레이트를 통하는, 볼륨(527)으로부터의 유체 액세스를 제공하도록 구성될 수 있고, 제 1 유체 채널들(540)은 제 2 유체 채널들(545) 및 플레이트들 사이의 볼륨(527)으로부터 유체적으로 격리될 수 있다. 볼륨(527)은 이전에 논의된 바와 같은 채널(322)과 같이, 가스 분배 어셈블리(525)의 측부를 통해 유체적으로 액세스가능할 수 있다. 채널은 챔버(500)의 제 1 액세스(505) 및 제 2 액세스(510)로부터 분리된, 챔버에서의 제 3 액세스와 커플링될 수 있다.
[0070] RPS 유닛들(501a-b)의 플라즈마 공동들 및 챔버 액세스들(505, 510)로 이어지는 임의의 기계적 커플링들은, RPS 유닛들(501a-b)을 통해 유동되도록 선택되는 제 1 및 제 2 전구체들에 기초한 재료들로 제조될 수 있다. 예컨대, 특정한 에칭 동작들에서, 불소 함유 전구체, 예컨대, NF3는 제 1 및 제 2 RPS 유닛들 중 어느 하나, 예컨대 RPS 유닛(501a)을 통해 유동될 수 있다. 플라즈마가 RPS 유닛(501a)에서 형성되는 경우, 분자들은 라디칼 이온들로 해리될 수 있다. RPS 유닛(501a)이 불변(unaltered) 알루미늄으로 제조되는 경우, 불소 라디칼들은 공동 벽들과 반응하여, 플루오르화 알루미늄과 같은 부산물들을 형성할 수 있다. 따라서, RPS 유닛(501a)은, 예컨대, 알루미늄 산화물, 알루미늄 질화물, 또는 제 1 전구체가 상호작용하지 않는 다른 재료일 수 있는 제 1 재료로 형성될 수 있다. RPS 유닛(501a)의 재료는 제 1 전구체의 조성에 기초하여 선택될 수 있으며, 전구체가 챔버 컴포넌트들과 상호작용하지 않도록 특별히 선택될 수 있다.
[0071] 유사하게, 제 2 RPS 유닛(501b)은 제 2 전구체에 기초하여 선택되는 제 2 재료로 제조될 수 있다. 개시된 실시예들에서, 제 1 및 제 2 재료는 상이한 재료들일 수 있다. 예컨대, N2O 또는 O2와 같은 산소 함유 전구체 또는 수소 함유 전구체가 제 2 RPS 유닛(501b)을 통해 유동되고 플라즈마가 형성되는 경우, O*, NO*, H* 등을 포함할 수 있는 해리된 라디칼들은 RPS 유닛(501b)의 플라즈마 공동과 상호작용할 수 있다. 챔버가 알루미늄 산화물로 유사하게 제조되는 경우, 예컨대 예시적인 실시예에서, 수소 라디칼들은 산화물과 상호작용할 수 있으며, 보호 코팅을 제거할 수 있다. 따라서, RPS 유닛(501b)은 알루미늄과 같은 제 1 재료와 상이한 제 2 재료, 또는 제 2 전구체가 상호작용하지 않는 다른 재료로 제조될 수 있다. 이는, 커플링들 또는 챔버의 다른 다양한 컴포넌트들에도 또한 확장될 수 있다. 그러한 코팅들 또는 재료들의 선택들은 시간에 걸친 장비 열화(equipment degradation)를 개선할 수 있다. 따라서, 예컨대, 커플링들, 스페이서들, 가스 분배 어셈블리 플레이트들 등은 하나 또는 그 초과의 재료들로 제조되는 다수의 플레이트들을 각각 포함할 수 있다. 더욱이, 챔버는 이전에 설명된 컴포넌트들 중 하나 또는 그 초과를 포함하지 않을 수 있다. 예컨대, 가스 분배 어셈블리(525)는, 플라즈마 종으로부터 격리된 상태로 유지되는 제 3 전구체를 요구하지 않을 수 있는 구성들에서 제거될 수 있다. 유사하게, 샤워헤드(509)는, 페이스플레이트(513)가 전구체들의 적절한 분배 프로파일들을 제공할 수 있는 개시된 실시예들에서 제거될 수 있다.
[0072] 동작시, RPS 유닛들(501a-b) 중 하나 또는 양자 모두는, 제 1 및/또는 제 2 전구체를 적어도 부분적으로 이온화하도록 유닛 내에서 플라즈마를 생성하는데 사용될 수 있다. 불소 함유 전구체 및 산소 함유 전구체가 활용되는 일 예에서, 산소 함유 전구체는 제 1 RPS 유닛(501a)을 통해 유동될 수 있으며, 불소 함유 전구체는 제 2 RPS 유닛(501b)을 통해 유동될 수 있다. 그러한 구성은 라디칼 종을 위한 이동 거리들에 기초하여 구성될 수 있다. 시스템(500)의 프로세싱 챔버로부터 동등한 거리들로 도시되어 있지만, RPS 유닛들(501)의 구성 및 크기에 기초하여, 이들 중 하나 또는 양자 모두는, 생성된 라디칼 종이 챔버로의 더 긴 유동 경로를 가질 수 있도록, 챔버로부터 추가로 옮겨질 수 있다. 예컨대, 수소 함유 전구체가 사용되는 실시예에서, 수소 라디칼들이, 더 짧은 반감기로 인해 불소 라디칼들보다 더 빠르게 재결합될 수 있기 때문에, 수소 함유 전구체는 챔버를 통해 더 짧은 유동 경로로 유동될 수 있다. 그러나, 임의의 또는 어느 하나의 RPS 유닛을 통해 임의의 또는 어느 하나의 전구체들이 유동할 수 있는 다양한 구성들이 활용될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 또한, 부가적인 RPS 유닛들은, 수행될 동작들을 위해 부가적인 전구체들이 활용될 경우에 활용될 수 있다.
[0073] RPS 유닛들(501a-b)은 다양한 실시예들에서, 약 10 W 또는 그 미만 내지 약 10 또는 15 kW 또는 그 초과까지의 전력 레벨들에서 동작될 수 있다. 본 발명자들은 유리하게, 사용되는 특정한 전구체에 대해 각각의 RPS 유닛의 전력 및 플라즈마 프로파일이 튜닝될 수 있다는 것이, 개시된 기술의 부가적인 이익인 것을 결정하였다. 이러한 방식으로, 각각의 플라즈마는 각각의 RPS 유닛 내에 개별적인 플라즈마 전위들을 가질 수 있다. 예컨대, 불소 함유 전구체 및 산소 또는 수소 함유 전구체를 갖는 예를 계속하면, 몇몇 종래의 시스템들은, 해리를 요구하는 전구체들 양자 모두가 동일한 RPS 유닛을 통해 유동되는 것을 요구한다. 위에서 논의된 바와 같은 RPS 유닛 및 플라즈마 공동의 잠재적인 열화에 부가하여, 전구체들 양자 모두에 유익한 플라즈마 프로파일이 이용가능하지 않을 수 있다. 이 예를 계속하면, NF3를 포함하는 불소 함유 전구체들은 RPS 유닛에서 비교적 낮은 레벨의 전력에서 프로세싱될 수 있다. RPS를 100 W, 200 W, 400 W 또는 그 미만, 최대 1000 W 또는 그 초과의 전력 레벨에서 동작시킴으로써, 전구체는 입자들을 완전히 이온화하지 않는 더 작은 정도(lesser degree)로 해리될 수 있으며, NF 및 NF2 종을 또한 포함하는 독립적인 라디칼들을 포함한다. 부가적으로, 산소 또는 수소 함유 전구체를 프로세싱하는 RPS 유닛은, 완전한 해리가 요구될 수 있을 때, 훨씬 더 높은 전력 레벨에서 동작될 수 있다. 따라서, RPS 유닛은, 최대 약 1000 W 또는 그 초과 내지 최대 약 10 kW 또는 그 초과, 또는 그 초과에서 동작될 수 있다. 예시적인 프로세싱 시스템에서 인가되는 RF 주파수는, 상이한 실시예들에서, 약 500 kHz 미만의 낮은 RF 주파수들, 약 10 MHz 내지 약 15 MHz의 높은 RF 주파수들, 또는 약 1 GHz 또는 그 초과의 마이크로파 주파수들일 수 있다. 그에 따라, 제 1 RPS 유닛(501a)은, 제 1 전구체의 조성에 기초하여 선택되는 제 1 전력 레벨에서 동작하도록 구성될 수 있으며, 제 2 RPS 유닛은, 제 2 전구체의 조성에 기초하여 선택되는 제 2 전력 레벨에서 동작하도록 구성될 수 있다. 2개의 RPS 유닛들(501a-b)은 서로 상이한 전력 레벨들에서 동작하도록 구성될 수 있다. 그러한 구성은 다른 변화들 중에서도, 개별적인 또는 디커플링된 전력 소스들을 요구할 수 있다.
[0074] 본 구성의 추가적인 이점은 각각의 전구체들의 유량들에 기초할 수 있다. 초기에, 이전에 논의된 바와 같이, 제 1 및 제 2 전구체들 중 어느 하나 또는 양자 모두는 하나 또는 그 초과의 캐리어 가스들과 함께 유동될 수 있다. 그러나, 예시적인 동작들에서 활용되는 각각의 전구체의 양은 유사하지 않을 수 있으며, 이는 단일 RPS 유닛을 포함하는 종래의 시스템들에 유해한 영향을 미칠 수 있다. 예컨대, 제 1 및 제 2 전구체들이 단일 RPS 유닛을 통해 유동되는 경우, 하나의 전구체의 유동을 증가시키는 것은, 적절한 양의 라디칼 종이 각각의 종으로부터 생성되는 것을 보장하기 위해, 제 2 전구체의 유동에서의 증가를 요구할 수 있다. 이는 다른 전구체의 양에서의 증가로부터의 각각의 전구체들 중 어느 하나의 희석으로 인해 발생할 수 있다. 그러나, 본 기술에서, 그러한 문제는 개별적으로 이온화된 전구체들에 기초하여 극복될 수 있다. 따라서, 전구체 유동들의 개별적인 조절을 허용하면서, 여전히, 다른 전구체 소스들의 적절한 라디칼 종을 제공함으로써, 추가적인 프로세스 튜닝이 제공될 수 있다.
[0075] RPS 유닛들 중 하나를 동작시키지만 다른 하나는 동작시키지 않음으로써 부가적인 유연성이 제공될 수 있다. 예컨대, 불소 함유 전구체가, 전구체에 기초하여 낮춰질 수 있는 전력 레벨에서 동작하도록 구성된 제 1 RPS 유닛(501a)을 통해 유동될 수 있다. 산소 또는 수소 함유 전구체가, 제 2 RPS 유닛(501b)을 통해 유동될 수 있으며, 제 2 RPS 유닛(501b)에서, 분자 전구체가 혼합 영역(511)으로 유동하도록 플라즈마가 형성되지 않는다. 제 1 및 제 2 전구체들이 혼합 영역(511)에 개별적으로 진입하는 경우에, 이들은 상호작용할 수 있고, RPS 유닛(501a)에서 적어도 부분적으로 라디칼화된(radicalized) 제 1 전구체는 제 2 전구체의 부분을 이온화시킬 수 있으며, 이 경우, 시스템의 전력 효율이 개선될 수 있다. 이러한 예들을 기초로, 많은 양상들이 다양한 동작 특성들에 기초하여 기술의 개시된 실시예들에서 반전 또는 변화될 수 있다는 것이 이해된다.
[0076] 부가적으로, 이전에 논의된 컴포넌트들 중 2개 또는 그 초과 사이에 정의된 챔버의 영역에, 이전에 설명된 바와 같은 플라즈마가 형성될 수 있다. CCP 소스와 같은 부가적인 플라즈마 소스를 제공함으로써, RPS 유닛들에서 생성되는 플라즈마 입자들이 지속될 수 있거나 또는 강화될 수 있으며, 재결합의 레이트가 추가로 튜닝될 수 있다. 예컨대, 이전에 설명된 바와 같은 제 1 플라즈마 영역(515)과 같은 플라즈마 영역이 페이스플레이트(508)와 플레이트(523) 사이에 형성될 수 있다. 스페이서(510)는 플라즈마 필드(plasma field)가 형성되게 허용하기 위해 서로 전기적으로 격리된 상태로 2개의 디바이스들을 유지할 수 있다. 페이스플레이트(508)는 전기적으로 대전될 수 있는 한편, 플레이트(523)는 플레이트들 사이에 정의된 영역 내에 플라즈마 필드를 생성하도록 접지 또는 DC 바이어싱될 수 있다. 플레이트들은 부가적으로, 플라즈마가 사이에 형성될 수 있는 컴포넌트들의 열화를 최소화하기 위해 코팅 또는 시즈닝될(seasoned) 수 있다. 플레이트들은 부가적으로, 세라믹들, 금속 산화물들 등을 포함하는, 열화되거나 또는 영향을 받을 가능성이 더 적을 수 있는 조성들을 포함할 수 있다.
[0077] 종래의 CCP 플라즈마를 동작시키는 것은, 챔버 컴포넌트들을 열화시킬 수 있고, 이는, 기판 상에 부주의하게(inadvertently) 분배될 수 있는 입자들을 제거할 수 있다. 그러한 입자들은, 반도체 기판들에 걸쳐 단락(short-circuiting)을 제공할 수 있는 금속 입자들로 인해, 이러한 기판들로부터 형성된 디바이스들의 성능에 영향을 미칠 수 있다. 그러나, 개시된 기술의 CCP 플라즈마는 감소된 또는 실질적으로 감소된 전력에서 동작될 수 있는데, 이는 CCP 플라즈마가 플라즈마를 유지하기 위해서만 활용될 수 있고 플라즈마 영역 내의 종을 이온화하는데 활용되지 않을 수 있기 때문이다. 예컨대, CCP 플라즈마는, 약 1 kW, 500 W, 250 W, 100 W, 50 W, 20 W 등 또는 그 미만, 또는 그 미만의 전력 레벨에서 동작될 수 있다. 더욱이, CCP 플라즈마는 공간 내에 균일한 플라즈마 분포를 제공할 수 있는 평탄한 플라즈마 프로파일을 생성할 수 있다. 그에 따라, 더 균일한 플라즈마가 챔버의 프로세싱 영역에 대해 하류로 전달될 수 있다.
[0078] 도 6은 개시된 기술에 따른 프로세싱 시스템(600)의 간략화된 단면도를 도시한다. 시스템(600)의 프로세싱 챔버는, 도 5의 프로세싱 챔버에 대하여 이전에 설명된 컴포넌트들 중 일부 또는 전부를 포함할 수 있다. 예컨대, 프로세싱 챔버는 챔버의 프로세싱 영역(633)에 반도체 기판(655)을 하우징하도록 구성될 수 있다. 기판(655)은 도시된 바와 같은 페데스탈(665) 상에 위치될 수 있다. 시스템(600)은 2개 또는 그 초과의 원격 플라즈마 유닛들 또는 시스템들(RPS)(601a-b)을 포함할 수 있다. 시스템(600)은 이전에 논의된 바와 같은, 제 1 RPS 유닛(601a) 및 제 2 RPS 유닛(601b)을 포함할 수 있으며, 이들 유닛들은 프로세싱 챔버에 라디칼화된 전구체들을 제공하도록 구성될 수 있다. 도면에 예시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 RPS 유닛들은 챔버에 대한 단일 액세스와 커플링하는 방식으로 챔버에 유체적으로 커플링될 수 있다. 따라서, 개시된 실시예들에서, 제 1 및 제 2 액세스들은, 프로세싱 챔버의 상단 표면을 따라 위치될 수 있는 단일 위치(605)에서 커플링된다. 제 1 RPS 유닛(601a) 및 제 2 RPS 유닛(601b)의 단일 액세스(605)와의 커플링은, 챔버의 혼합 영역(611)에 액세싱하기 전에 제 1 및 제 2 전구체가 상호작용하게 허용하도록 구성될 수 있다.
[0079] RPS 유닛들(601)을 챔버에 커플링시키는 컴포넌트들은 수개의 배열들에서의 파이핑(piping)(614)을 포함할 수 있다. 예컨대, 파이핑은 도면에 예시된 바와 같이 Y-연결(Y-connection)로, 또는 예컨대, 도 2에 예시된 바와 같이 T-연결로 배열될 수 있다. 다양한 다른 배열들 및 연결들은 유사하게, RPS 유닛들(601)을 커플링시키는데 사용될 수 있다. 파이핑(614)은 RPS 유닛들을 통해 유동될 수 있는 전구체들과의 상호작용이 거의 또는 전혀 없도록 설계된 재료들로 코팅 또는 생성될 수 있다. 파이핑(614)은 라이플링(rifling), 널링(knurling), 또는 챔버에 진입하기 전에 전구체들의 교란(turbulence) 및 혼합을 제공하도록 구성되는 다른 설계들로 형성될 수 있다. 개별적으로 여기된 전구체들은 액세스(605) 위에서 상호작용할 수 있어서, 챔버를 통하는 전구체들의 분배의 개선된 균일성을 제공할 수 있는 부가적인 혼합을 제공할 수 있다. 액세스(605)는 혼합 영역(611)을 적어도 부분적으로 정의하는 페이스플레이트(603)와 같은 상단 플레이트에 형성될 수 있다. 혼합 영역은 부가적으로, 프로세싱 영역(633) 내로의 이온 종의 유동을 억제하도록 구성될 수 있는 플레이트(623)에 의해 정의될 수 있다.
[0080] 플레이트(623)는 유사한 설계를 포함할 수 있으며, 예컨대, 도 4에 예시된 샤워헤드와 유사한 배열을 가질 수 있다. 스페이서(610)는 페이스플레이트(603)와 플레이트(623) 사이에 위치될 수 있으며, 이전에 논의된 바와 같은 유사한 컴포넌트들, 예컨대 유전체 재료를 포함할 수 있다. 구멍들(624)은 플레이트(623)에 정의될 수 있으며, 플레이트(623)를 통하는 이온 종의 유동에 영향을 미치도록 구성 및 분포될 수 있다. 예컨대, 구멍들(624)은 프로세싱 영역(633)을 향하여 지향되는 이온 종의 유동을 적어도 부분적으로 억제하도록 구성될 수 있다. 구멍들(624)은 이전에 논의된 바와 같은 채널들을 포함하는 다양한 형상들을 가질 수 있으며, 개시된 실시예들에서, 프로세싱 영역(633)으로부터 상방으로 연장되는 테이퍼링된 부분을 포함할 수 있다.
[0081] 시스템(600)은 챔버 내에 가스 분배 어셈블리(625)를 더 포함할 수 있다. 이전에 설명된 바와 같은 듀얼-채널 샤워헤드들과 양상들이 유사할 수 있는 가스 분배 어셈블리(625)는, 챔버 내에서 프로세싱 영역(633)의 상단 부분에, 또는 프로세싱 영역(633) 위에 위치될 수 있다. 가스 분배 어셈블리(625)는 챔버의 프로세싱 영역(633) 내로 제 1 및 제 2 전구체들 양자 모두를 전달하도록 구성될 수 있다. 도 6의 예시적인 시스템이 듀얼-채널 샤워헤드를 포함하고 있지만, 프로세싱 영역(633)에 진입하기 전에, 제 3 전구체를 제 1 및 제 2 전구체들의 라디칼 종으로부터 유체적으로 격리된 상태로 유지하는 대안적인 분배 어셈블리들이 활용될 수 있다는 것이 이해된다. 도시되지는 않지만, 플레이트들을 서로 격리시키기 위해, 환형 스페이서와 같은 부가적인 스페이서가 어셈블리(623)와 샤워헤드(625) 사이에 위치될 수 있다. 제 3 전구체가 요구되지 않는 실시예들에서, 가스 분배 어셈블리(625)는 이전에 설명된 컴포넌트들 중 임의의 것과 유사한 설계를 가질 수 있으며, 도 4에 예시된 샤워헤드와 유사한 특성들을 포함할 수 있다.
[0082] 가스 분배 어셈블리(625)는 이전에 논의된 바와 같은, 상부 플레이트 및 하부 플레이트를 포함할 수 있다. 플레이트들은 플레이트들 사이에 볼륨(627)을 정의하기 위해 서로 커플링될 수 있다. 플레이트들의 커플링은, 예컨대, 상부 및 하부 플레이트들을 통하는 제 1 유체 채널들(640), 및 하부 플레이트를 통하는 제 2 유체 채널들(645)을 제공하기 위한 것일 수 있다. 형성된 채널들은, 하부 플레이트를 통하는, 볼륨(627)으로부터의 유체 액세스를 제공하도록 구성될 수 있으며, 제 1 유체 채널들(640)은 제 2 유체 채널들(645) 및 플레이트들 사이의 볼륨(627)으로부터 유체적으로 격리될 수 있다. 볼륨(627)은, 이전에 논의된 바와 같은 채널(322)과 같이, 가스 분배 어셈블리(625)의 측부를 통해 유체적으로 액세스가능할 수 있다. 채널은 챔버(600)의 제 1 액세스(605)로부터 분리된, 챔버에서의 제 3 액세스와 커플링될 수 있다.
[0083] 이전에 설명된 바와 같은 플라즈마가, 이전에 논의된 컴포넌트들 중 2개 또는 그 초과 사이에 정의된, 챔버의 영역에 형성될 수 있다. CCP 소스와 같은 부가적인 플라즈마 소스를 제공함으로써, 플라즈마 유출물들은 이전에 설명된 바와 같이 추가로 튜닝될 수 있다. 예컨대, 이전에 설명된 바와 같은 제 1 플라즈마 영역(615)과 같은 플라즈마 영역이 페이스플레이트(603)와 어셈블리(623) 사이의 혼합 영역(611)에 형성될 수 있다. 스페이서(610)는 플라즈마 필드가 형성되게 허용하기 위해 서로 전기적으로 격리된 상태로 2개의 디바이스들을 유지할 수 있다. 페이스플레이트(603)는 전기적으로 대전될 수 있는 한편, 어셈블리(623)는 플레이트들 사이에 정의된 영역 내에 플라즈마 필드를 생성하도록 DC 바이어싱 또는 접지될 수 있다. 플레이트들은 부가적으로, 플라즈마가 사이에 형성될 수 있는 컴포넌트들의 열화를 최소화하도록 코팅 또는 시즈닝될 수 있다. 플레이트들은 부가적으로, 세라믹들, 금속 산화물들 등을 포함하는, 열화되거나 또는 영향을 받을 가능성이 더 적을 수 있는 조성들을 포함할 수 있다.
[0084] 혼합 영역(611) 내에서 플라즈마를 생성함으로써, CCP로부터의 플라즈마 유출물들은 액세스(605)를 통해 역류할 수 있고, 파이핑(614)을 통해 역으로 이동할 수 있으며, 이는 컴포넌트들을 열화시킬 수 있다. 따라서, 역류하는 플라즈마를 억제하도록 구성된 디바이스 또는 메시 스크린과 같은 블록커(602)가, RPS 유닛들(601) 및 파이핑(614)과 같은 상류 컴포넌트들을 보호하기 위해 파이핑(614) 또는 액세스(605)에 포함될 수 있다.
[0085] 개시된 실시예들에서, 시스템(600) 챔버는 또한, CCP 플라즈마 능력들(capabilities)을 포함하지 않을 수 있으며, 플라즈마 생성물(production)은, 예컨대, RPS 유닛들(601a-b)로부터만 제조될 수 있다. CCP 플라즈마를 생성하는 것은 종종, 플라즈마가 형성되는 챔버의 부분들을 열화시킬 수 있으며, 이는 챔버 표면들로부터의 금속 또는 다른 재료 스퍼터링을 야기할 수 있다. 챔버로부터 변위된(displaced) 입자들은 챔버 영역들을 통과할 수 있고, 프로세싱 동작이 수행되고 있는 기판과 상호작용할 수 있거나 또는 기판에 증착될 수 있다. 이러한 방식으로, 최종적으로 생성된 기판은, 챔버 표면들로부터 변위된 금속성, 전도성, 또는 다른 재료들의 포함으로 인한 단락 발생들과 같은 성능 문제들을 가질 수 있다.
[0086] 도 7은 개시된 기술에 따른 프로세싱 챔버 시스템(700)의 간략화된 단면도를 도시한다. 프로세싱 시스템(700)은 도 5 및 도 6의 프로세싱 시스템들(500 및/또는 600)에 대하여 이전에 설명된 컴포넌트들 중 일부 또는 전부를 포함할 수 있다. 예컨대, 프로세싱 시스템(700)은 챔버의 프로세싱 영역(733)에 반도체 기판(755)을 하우징하도록 구성될 수 있다. 기판(755)은 도시된 바와 같이 페데스탈(765) 상에 위치될 수 있다. 프로세싱 시스템(700)은 2개 또는 그 초과의 원격 플라즈마 유닛들 또는 시스템들(RPS)(701a-b)을 포함할 수 있다. 시스템은 이전에 논의된 바와 같은 제 1 RPS 유닛(701a) 및 제 2 RPS 유닛(701b)을 포함할 수 있으며, 이는 프로세싱 챔버에 라디칼화된 전구체들을 제공하도록 구성될 수 있다.
[0087] 도면에 예시된 바와 같이, 제 1 및 제 2 RPS 유닛들은 챔버의 측부 부분과 유체적으로 커플링될 수 있다. 제 1 액세스(705) 및 제 2 액세스(710)는 서로 개별적으로 배치될 수 있다. 제 1 액세스(705) 및 제 2 액세스(710)는 챔버 주위에 방사상으로 분배된 플리넘(712)과 유체적으로 커플링될 수 있다. 플리넘(712)은 챔버의 원주 주위에 커플링될 수 있으며, 플리넘(712) 전체에 걸친 복수의 위치들에서 챔버의 혼합 영역(711)에 대한 액세스를 제공하도록 구성될 수 있다. 플리넘(712)은 또한, 챔버 하우징의 경계들(confines) 내에 위치될 수 있지만, 혼합 영역(711)을 적어도 부분적으로 정의하는 환형 형상을 가질 수 있다. 혼합 영역(711)에 액세스를 제공하는, 플리넘(712) 전체에 걸친 복수의 위치들은 플리넘(712)의 내부 부분 주위에 정의된 포트들 또는 구멍들(714)을 포함할 수 있다. 포트들(714)은 플리넘(712)으로부터 혼합 영역(711) 내로의 전구체들의 더 균일한 전달을 제공하도록 위치될 수 있거나 또는 구성될 수 있다. 개시된 실시예들에서, 플리넘(712)의 내측 벽은 2개 또는 그 초과의 포트들(714)을 정의할 수 있으며, 플리넘(712) 주위에 정의된, 약 4개 또는 그 초과의 포트들, 6, 7, 8, 9, 10, 12, 15, 20, 25, 30, 40, 50 등, 또는 그 초과의 포트들(714)을 정의할 수 있다.
[0088] 개시된 실시예들에서, 제 1 액세스(705) 및 제 2 액세스(710)는, 이들이 플리넘(712)에 액세싱하기 전에, 예컨대, 이전에 설명된 바와 같은 커플링 또는 파이핑을 이용해 커플링될 수 있다. 따라서, 개시된 실시예들에서, 제 1 및 제 2 액세스들은, 프로세싱 챔버의 상단 표면을 따라 또는 챔버 하우징의 측부 부분을 따라 위치될 수 있는 단일 위치에 커플링된다. 단일 액세스와 제 1 RPS 유닛(701a) 및 제 2 RPS 유닛(701b)의 커플링은, 제 1 및 제 2 전구체들이 챔버의 혼합 영역(711) 및 플리넘(712)에 액세싱하기 전에 상호작용하게 허용하도록 구성될 수 있다.
[0089] 개별적으로 여기된 전구체들은, 챔버를 통하는 전구체들의 분배의 개선된 균일성을 제공할 수 있는 부가적인 혼합을 제공하도록, 플리넘(712) 주위에서 상호작용할 수 있다. 논의된 바와 같이, 플리넘은 페이스플레이트(703)와 같은 상단 플레이트에 의해 부분적으로 추가로 정의될 수 있는 혼합 영역(711)을 적어도 부분적으로 정의할 수 있다. 혼합 영역은, 프로세싱 영역(733) 내로의 이온 종의 유동을 억제하도록 구성될 수 있는 플레이트(723)에 의해 부가적으로 정의될 수 있다.
[0090] 플레이트(723)는 유사한 설계를 포함할 수 있으며, 예컨대, 도 4에 예시된 샤워헤드와 유사한 배열을 가질 수 있다. 플리넘(712)의 하우징은, 하기에서 더 설명되는 바와 같이 페이스플레이트(703) 및 플레이트(723)가 서로 전기적으로 격리되게 허용할 수 있는 유전체 재료로 형성 또는 코팅될 수 있다. 구멍들(724)은 플레이트(723)에 정의될 수 있으며, 플레이트(723)를 통하는 이온 종의 유동에 영향을 미치도록 분배 및 구성될 수 있다. 예컨대, 구멍들(724)은 프로세싱 영역(733)을 향하여 지향되는 이온 종의 유동을 적어도 부분적으로 억제하도록 구성될 수 있다. 구멍들(724)은 이전에 논의된 바와 같은 채널들을 포함하는 다양한 형상들을 가질 수 있으며, 개시된 실시예들에서, 프로세싱 영역(733)으로부터 상방으로 연장되는 것으로 예시된 바와 같은 테이퍼링된 부분을 포함할 수 있다.
[0091] 시스템(700)은 챔버 내에 가스 분배 어셈블리(725)를 더 포함할 수 있다. 이전에 설명된 바와 같은 듀얼-채널 샤워헤드들과 양상들이 유사할 수 있는 가스 분배 어셈블리(725)는, 시스템(700) 챔버 내에서, 프로세싱 영역(733)의 상단 부분에 또는 프로세싱 영역(733) 위에 위치될 수 있다. 가스 분배 어셈블리(725)는 제 1 및 제 2 전구체들 양자 모두를 챔버의 프로세싱 영역(733) 내로 전달하도록 구성될 수 있다. 도 7의 예시적인 시스템이 듀얼-채널 샤워헤드를 포함하고 있지만, 프로세싱 영역(733)에 진입하기 전에, 제 3 전구체를 제 1 및 제 2 전구체들의 라디칼 종으로부터 유체적으로 격리된 상태로 유지하는 대안적인 분배 어셈블리들이 활용될 수 있다는 것이 이해된다. 도시되지는 않지만, 플레이트들을 서로 격리시키기 위해, 환형 스페이서와 같은 부가적인 스페이서가 플레이트(723)와 샤워헤드(725) 사이에 위치될 수 있다. 제 3 전구체가 요구되지 않는 실시예들에서, 가스 분배 어셈블리(725)는 이전에 설명된 컴포넌트들 중 임의의 것과 유사한 설계를 가질 수 있으며, 도 4에 예시된 샤워헤드와 유사한 특성들을 포함할 수 있다.
[0092] 가스 분배 어셈블리(725)는 이전에 논의된 바와 같은, 상부 플레이트 및 하부 플레이트를 포함할 수 있다. 플레이트들은 플레이트들 사이에 볼륨(727)을 정의하도록 서로 커플링될 수 있다. 플레이트들의 커플링은, 예컨대, 상부 및 하부 플레이트들을 통하는 제 1 유체 채널들(740), 및 하부 플레이트를 통하는 제 2 유체 채널들(745)을 제공하기 위한 것일 수 있다. 형성된 채널들은, 하부 플레이트를 통하는, 볼륨(727)으로부터의 유체 액세스를 제공하도록 구성될 수 있으며, 제 1 유체 채널들(740)은 제 2 유체 채널들(745) 및 플레이트들 사이의 볼륨(727)으로부터 유체적으로 격리될 수 있다. 볼륨(727)은, 이전에 논의된 바와 같은 채널(322)과 같이, 가스 분배 어셈블리(725)의 측부를 통해 유체적으로 액세스가능할 수 있다. 채널은 시스템(700) 챔버의 제 1 액세스(705)로부터 분리된, 챔버에서의 제 3 액세스와 커플링될 수 있다.
[0093] 이전에 설명된 바와 같은 플라즈마는, 이전에 논의된 컴포넌트들 중 2개 또는 그 초과 사이에 정의된, 시스템(700) 챔버의 영역에서 형성될 수 있다. CCP 소스와 같은 부가적인 플라즈마 소스를 제공함으로써, 이전에 설명된 바와 같이, 플라즈마 유출물들이 추가로 튜닝될 수 있다. 예컨대, 이전에 설명된 바와 같은 제 1 플라즈마 영역(715)과 같은 플라즈마 영역은, 플레이트(723)와 페이스플레이트(703) 사이의 혼합 영역(711)에서 형성될 수 있다. 논의되는 바와 같이, 플리넘(712)의 하우징은, 플라즈마 필드가 형성되게 허용하기 위해, 2개의 디바이스들을 서로 전기적으로 격리된 상태로 유지할 수 있다. 플레이트들 사이에 정의된 영역 내에 플라즈마 필드를 생성하기 위해, 플레이트(723)가 접지 또는 DC 바이어싱될 수 있으면서, 페이스플레이트(703)는 전기적으로 대전될 수 있다. 플레이트들은 부가적으로, 플라즈마가 사이에 형성될 수 있는 컴포넌트들의 열화를 최소화하기 위해 코팅 또는 시즈닝될 수 있다. 플레이트들은 부가적으로, 세라믹들, 금속 산화물들 등을 포함하는, 열화되거나 또는 영향을 받을 가능성이 더 적을 수 있는 조성들을 포함할 수 있다.
[0094] 도 8은, 라인(A-A)을 따르는, 도 7에서 예시된 시스템(700) 챔버의 단면 부분의 상면 평면도를 도시한다. 이전에 설명된 바와 같이, 플리넘(812)은 내측 벽(804)과 외측 벽(802)을 포함하는 하우징에 의해 정의될 수 있다. 하우징은 연속적인(contiguous) 재료일 수 있거나, 또는 내측 벽(804) 및 외측 벽(802)을 구성하는 2개의 개별적인 재료들일 수 있다. 제 1 액세스(805) 및 제 2 액세스(810)를 포함할 수 있는 임의의 수의 액세스 포인트들을 통해, 플리넘(812)에 액세스가 제공될 수 있다. 예컨대, 플리넘으로의 단일 액세스가 제공될 수 있으며, 그 단일 액세스에 의해, 2개 또는 그 초과의 RPS 유닛들이 플라즈마 유출물들을 프로세싱 챔버에 전달할 수 있다. 예시된 바와 같이, 제 1 액세스(805)는, 플리넘 공간(812) 주위에 액세스를 제공하기 위해, 하나 또는 그 초과의 공간들(806)을 정의할 수 있다. 예시된 바와 같이, 제 1 액세스(805)로부터 다수의 방향들로 액세스를 제공하는 2개의 공간들(806a 및 806b)이 도시된다. 개시된 실시예들에서, 제 1 액세스(805)는, 제 1 전구체가 플리넘에 전달될 수 있는 더 적은 또는 더 많은 공간들(806)을 포함할 수 있다. 예컨대, 단일 위치로부터 플리넘(812)으로의 진입(ingress)을 허용하기 위해, 단일 공간(806a)이 정의될 수 있다. 부가적으로, 외측 벽(802)까지 정의된 것으로 예시되어 있지만, 제 1 액세스(805)는, 예컨대, 플리넘(812)을 정의하는, 외측 벽(802)과 내측 벽(804) 사이의 거리보다 더 작은 반경으로 이루어질 수 있다. 따라서, 제 1 액세스(805)로부터 외측 벽(802)을 향하여 지향되는 부가적인 공간(806)(미도시)이 제공될 수 있다. 더욱이, 전달되는 전구체에 대한 부가적인 유동 제어를 제공하기 위해, 플리넘(812) 내로 연장되는 것으로 예시되어 있지만, 제 1 액세스(805)는, 전구체가 단순히, 지향되지 않는 흐름 유동(current flow)으로 플리넘(812)을 통해 아래로 그리고 외측으로 유동할 수 있도록, 플리넘(812)의 상단 부분에 액세스를 포함할 수 있다.
[0095] 제 2 전구체가 플리넘(812)을 통해 챔버에 전달될 수 있는 제 2 액세스(810)에 대해 유사한 구성이 제공될 수 있다. 제 2 액세스(810)는 플리넘 공간(812)으로의 액세스를 제공하는 하나 또는 그 초과의 공간들(813)을 포함할 수 있다. 예시된 바와 같이, 제 2 액세스(810)로부터 다수의 방향들로 액세스를 제공하는 2개의 공간들(813a 및 813b)이 도시된다. 제 1 액세스(805)에 대하여 위에서 논의된 바와 같은 유사한 변형들이 제공될 수 있다. 제 1 액세스(805) 및 제 2 액세스(810) 각각으로부터의 단일 공간이 제공되는 예시적인 구성에서, 공간들은 유사한 또는 반대 방향들로 제공될 수 있다. 예컨대, 공간(806a)이, 플리넘(812) 주위에서의 하나의 방향으로 전구체를 지향시키도록 제 1 액세스(805)에 의해 정의되는 경우에, 공간(813b)은, 플리넘(812) 주위에서의 반대 방향으로 제 2 전구체를 지향시키도록 제 2 액세스(810)에 의해 정의될 수 있다. 이해될 바와 같은 다양한 대안들이 유사하게 포함된다. 부가적으로, 제 1 액세스(805)에 대하여 논의된 바와 같이, 제 2 액세스(810)는, 전구체가 플리넘(812)에 전달될 때 전구체에 추가적인 방향이 제공되지 않도록 플리넘 하우징의 상단에 대해서만 포팅(port)될 수 있고, 전구체는 플리넘(812) 주위에서 자연스럽게 유동할 수 있다.
[0096] 플리넘(812)의 내측 벽(804)은, 적어도 부분적으로, 이전에 설명된 바와 같은 혼합 영역(811)을 정의할 수 있다. 포트들 또는 구멍들(814)은, 전구체들이, 포트들(824)을 통해 어셈블리(823)를 횡단하기 전에, 혼합 영역(811)에 진입할 수 있는 액세스를 제공하기 위해, 내측 벽(804) 주위의 거리 전체에 걸쳐 정의될 수 있다. 포트(814x)와 같은 포트들(814)은 내측 벽(804)을 따라 다양한 방식들로 정의될 수 있고, 도시된 바와 같이 직선형 루멘-스타일(straight lumen-style) 특성들을 가질 수 있거나, 또는 전구체들의 분배가 제어 또는 튜닝될 수 있는 추가적인 방식들을 제공하기 위해, 개시된 실시예들에서 혼합 영역(811)으로부터 떨어져 있을 수 있거나 또는 혼합 영역(811)을 향하여 각도형성될(angled) 수 있다. 도시된 바와 같이, 포트들(814a 및 814b)은, 각각, 제 1 액세스(805) 및 제 2 액세스(810) 근처에 예시된다. 개시된 실시예들에서, 이들 포트들은, 혼합 영역(811) 내로의 전구체들의 분배에 추가로 영향을 미치도록 포함되지 않을 수 있거나 또는 포함될 수 있다. 부가적인 포트들(814)이 또한, 구조화된 또는 변화하는 간격들에서 제거될 수 있으며, 이 경우에, 내측 벽(804)은, 포트(814)가 정의되지 않은 섹션을 따라 연속적이도록 유지된다. 전달되는 전구체들이 플리넘(812)을 따라 그리고 포트들(814)을 통해 유동하도록 허용되거나 또는 지향되면, 전구체들은 혼합 영역(811)에서 상호작용할 수 있고 추가로 혼합될 수 있다. 그 후에, 전구체 혼합물은, 예컨대 기판에 대해 에칭 프로세스를 수행하기 위해 전구체들이 사용될 수 있는 프로세싱 영역을 향하여, 어셈블리(823)를 통해, 구멍들(824)을 통하여 유동할 수 있다.
[0097] 도 9는, 개시된 기술에 따른 프로세싱 챔버의 간략화된 단면도를 도시한다. 프로세싱 챔버 시스템(900)은, 도 5, 도 6, 또는 도 7 중 임의의 것에 대하여 설명된 시스템들에 대하여 이전에 설명된 컴포넌트들 중 일부 또는 전부를 포함할 수 있다. 예컨대, 시스템(900) 챔버는, 챔버의 프로세싱 영역(933)에 반도체 기판(955)을 하우징하도록 구성될 수 있다. 기판(955)은 도시된 바와 같이 페데스탈(965) 상에 위치될 수 있다. 시스템(900)의 프로세싱 챔버는 2개 또는 그 초과의 원격 플라즈마 유닛들 또는 시스템들(RPS)(901a-b)을 포함할 수 있다. 챔버는, 프로세싱 챔버로 라디칼화된 전구체들을 제공하도록 구성될 수 있는, 이전에 논의된 바와 같은, 제 1 RPS 유닛(901a) 및 제 2 RPS 유닛(901b)을 포함할 수 있다. 제 1 RPS 유닛(901a)은 챔버의 제 1 액세스(905)와 유체적으로 커플링될 수 있고, 제 1 액세스(905)를 통해 챔버 내로 제 1 전구체를 전달하도록 구성될 수 있다. 제 2 RPS 유닛(901b)은 챔버의 제 2 액세스(910)와 유체적으로 커플링될 수 있고, 제 2 액세스(910)를 통해 챔버 내로 제 2 전구체를 전달하도록 구성될 수 있다. 예시적인 구성은, 챔버의 상단 부분과 커플링된, 제 1 액세스(905) 및 제 2 액세스(910)를 포함할 수 있다. 예시적인 구성은 추가로, 제 1 액세스(905)와 제 2 액세스(910)가 서로 분리되도록, RPS 유닛들을 액세스들과 커플링시킬 수 있다.
[0098] RPS 유닛들(901)에서 생성된 개별적으로 여기된 전구체들은, 챔버를 통하는 전구체들의 분배의 개선된 균일성을 제공하기 위해 전구체들이 혼합될 수 있는 혼합 영역(911)으로 지향될 수 있거나 또는 그렇지 않으면 유동될 수 있다. 액세스들(905, 910)은, 적어도 부분적으로 혼합 영역(911)을 정의하는 페이스 플레이트(903)와 같은 상단 플레이트에 형성될 수 있다. 혼합 영역은 부가적으로, 챔버를 통해 전구체들을 분배하기 위해 활용될 수 있는 부분들(909, 914)의 구성 또는 샤워헤드에 의해 부가적으로 정의될 수 있다. 스페이서(908)는 부가적으로, 혼합 영역(911)의 부분을 정의할 수 있다.
[0099] 부분들(909, 914)을 포함하는 샤워헤드는, 전구체들의 분배에 영향을 미치도록 구성된 하나, 2개, 또는 그 초과의 플레이트들 또는 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 예시된 바와 같이, 컴포넌트(909)는 환형 플레이트(909) 아래에 배치된 플레이트 구조(914)와 커플링된 환형 플레이트를 포함할 수 있다. 개시된 실시예들에서, 플레이트(914)는 환형 플레이트(909)를 따라(in line with) 배치될 수 있다. 개시된 실시예들에서, 환형 플레이트(909) 및 플레이트(914)는 유사한 또는 상이한 재료들로 구성될 수 있다. 예컨대, 환형 부분(909)은 유전체 재료 또는 다른 비-전도성 재료로 형성될 수 있는 한편, 플레이트(914)는, 아래에서 논의되는 바와 같이 전극으로서 작용할 수 있는 금속 또는 다른 전도성 부분을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 부분들(909, 914) 양자 모두는 전도성 금속을 포함할 수 있고, 스페이서들(908, 912)은 플레이트를 시스템(900) 챔버의 다른 부분들로부터 전기적으로 격리시킬 수 있다. 구멍들(907)은 환형 부분(909)에서 정의될 수 있고, 그 구멍들(907)을 통해, 혼합된 전구체들이 유동될 수 있다.
[0100] 플레이트(923)는 부분들(909, 914)을 포함하는 샤워헤드 아래에 위치될 수 있고, 프로세싱 영역(933) 내로의 이온 종의 유동을 억제하도록 구성될 수 있다. 플레이트(923)는, 예컨대, 도 4에서 예시된 샤워헤드와 유사한 배열을 가질 수 있고, 유사한 설계를 포함할 수 있다. 스페이서(912)는, 플레이트(923)와 부분들(909, 914)을 포함하는 샤워헤드 사이에 위치될 수 있고, 유전체 재료와 같은, 이전에 논의된 바와 유사한 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 구멍들(924)은 플레이트(923)에 정의될 수 있고, 플레이트(923)를 통하는 이온 종의 유동에 영향을 미치도록 구성될 수 있고 분포될 수 있다. 예컨대, 구멍들(924)은, 적어도 부분적으로, 프로세싱 영역(933)을 향하여 지향되는 이온 종의 유동을 억제하도록 구성될 수 있다. 구멍들(924)은, 이전에 논의된 바와 같은 채널들을 포함하는 다양한 형상들을 가질 수 있고, 개시된 실시예들에서, 프로세싱 영역(933)으로부터 상방으로 멀어지게 연장되는 테이퍼링된 부분을 포함할 수 있다. 예시된 바와 같이, 영역(915)은, 플레이트(923)와 부분들(909, 914)을 포함하는 샤워헤드에 의해 적어도 부분적으로 정의될 수 있다. 이러한 영역은, 아래에서 논의되는 바와 같은 전구체들의 프로세싱 또는 전구체들의 부가적인 혼합을 허용할 수 있다.
[0101] 시스템(900)의 챔버는 챔버 내에 가스 분배 어셈블리(925)를 더 포함할 수 있다. 이전에 설명된 바와 같은 듀얼-채널 샤워헤드들과 양상들이 유사할 수 있는 가스 분배 어셈블리(925)는, 프로세싱 영역(933) 위에서 또는 프로세싱 영역(933)의 상단 부분에서 시스템(900) 챔버 내에 위치될 수 있다. 가스 분배 어셈블리(925)는 챔버(900)의 프로세싱 영역(933) 내로 제 1 및 제 2 전구체들 양자 모두를 전달하도록 구성될 수 있다. 도 9의 예시적인 시스템이 듀얼-채널 샤워헤드를 포함하고 있지만, 프로세싱 영역(933)에 진입하기 전에, 제 3 전구체를 제 1 및 제 2 전구체들의 라디칼 종으로부터 유체적으로 격리된 상태로 유지하는 대안적인 분배 어셈블리들이 활용될 수 있다는 것이 이해된다. 도시되지 않았지만, 샤워헤드(925)와 어셈블리(923) 사이에, 플레이트들을 서로 격리시키기 위해, 환형 스페이서와 같은 부가적인 스페이서가 위치될 수 있다. 제 3 전구체가 요구되지 않는 실시예들에서, 가스 분배 어셈블리(925)는, 도 4에서 예시된 샤워헤드와 유사한 특성들을 포함할 수 있고, 이전에 설명된 컴포넌트들 중 임의의 것과 유사한 설계를 가질 수 있다.
[0102] 가스 분배 어셈블리(925)는 이전에 논의된 바와 같은, 상부 플레이트 및 하부 플레이트를 포함할 수 있다. 플레이트들은, 플레이트들 사이에 볼륨(927)을 정의하도록 서로 커플링될 수 있다. 플레이트들의 커플링은, 예컨대, 상부 및 하부 플레이트들을 통하는 제 1 유체 채널들(940), 및 하부 플레이트를 통하는 제 2 유체 채널들(945)을 제공하기 위한 것일 수 있다. 형성된 채널들은, 하부 플레이트를 통하는, 볼륨(927)으로부터의 유체 액세스를 제공하도록 구성될 수 있고, 제 1 유체 채널들(940)은, 제 2 유체 채널들(945) 및 플레이트들 사이의 볼륨(927)으로부터 유체적으로 격리될 수 있다. 볼륨(927)은, 이전에 논의된 바와 같은 채널(322)과 같이 가스 분배 어셈블리(925)의 측부를 통해 유체적으로 액세스가능할 수 있다. 채널은, 시스템(900) 챔버의 제 1 액세스(905) 및 제 2 액세스(910)와 분리된, 챔버에서의 제 3 액세스와 커플링될 수 있다.
[0103] 이전에 논의된 컴포넌트들 중 2개 또는 그 초과 사이에 정의된, 시스템(900) 챔버의 영역에서, 이전에 설명된 바와 같은 플라즈마가 형성될 수 있다. CCP 소스와 같은 부가적인 플라즈마 소스를 제공함으로써, 이전에 설명된 바와 같이, 플라즈마 유출물들이 추가로 튜닝될 수 있다. 예컨대, 이전에 설명된 바와 같은 제 1 플라즈마 영역(215)과 특정 양상들이 유사할 수 있는 플라즈마 영역(915)이, 플레이트(923)와 부분들(909, 914)을 포함하는 샤워헤드 사이에 정의된 영역에 형성될 수 있다. 스페이서(912)는, 플라즈마 필드가 형성되게 허용하기 위해, 2개의 디바이스들을 서로 전기적으로 격리된 상태로 유지할 수 있다. 개시된 실시예들에서, 샤워헤드의 부분(914)은, 전기적으로 대전될 수 있고, 이전에 논의된 바와 같이, 예컨대 전기적으로 절연성일 수 있는 부분(909)에 의해 격리될 수 있다. 샤워헤드는 부분적으로 또는 전체적으로 전기적으로 대전될 수 있는 한편, 플레이트(923)는 접지될 수 있거나 또는 DC 바이어싱될 수 있어서, 플레이트들 사이에 정의된 영역 내에 플라즈마 필드를 생성할 수 있다. 플라즈마가 사이에 형성될 수 있는 컴포넌트들의 열화를 최소화하기 위해, 플레이트들은 부가적으로 코팅 또는 시즈닝될 수 있다. 플레이트들은 부가적으로, 세라믹들, 금속 산화물들 등을 포함하는, 열화되거나 또는 영향을 받을 가능성이 더 적을 수 있는 조성들을 포함할 수 있다.
[0104] 도 10은, 라인(B-B)을 따르는, 도 9에서 예시된 프로세싱 챔버의 단면 부분의 상면 평면도를 도시한다. 부분들(1009 및 1014)을 포함하는 샤워헤드(1000)는 이전에 논의된 바와 같은 하나 또는 그 초과의 플레이트들 또는 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 부분(1009)은 샤워헤드(1000)의 내부 부분(1014)을 둘러싸는, 샤워헤드의 외부 환형 부분을 포함할 수 있다. 부분(1014)은, 외부 부분(1009)의 평면 내에 포함될 수 있거나, 또는 외부 부분(1009) 아래에 또는 위에 배치 또는 시팅될 수 있다. 내부 부분은, 샤워헤드(1000)를 형성하기 위해, 외부 부분에 용접될 수 있거나 또는 그렇지 않으면 외부 부분과 기계적으로 커플링될 수 있다. 외부 부분(1009)은 샤워헤드(1000)의 외부 부분(1009)의 환형 내측 부분일 수 있는 섹션(1016)을 포함할 수 있다. 섹션(1016)은 내부 부분(1014) 및 외부 부분(1009) 양자 모두와 커플링된 부가적인 환형 섹션일 수 있다. 섹션(1016)은, 샤워헤드(1000)를 통하는 액세스를 제공하는, 섹션(1016) 내에 정의된 복수의 구멍들(1007)을 포함할 수 있다. 구멍들(1007)은, 예시된 바와 같이 링 패턴과 같은 다양한 패턴들로 정의될 수 있다. 개시된 실시예들에서, 샤워헤드(1000)는 내부 부분(1014)에 구멍들을 포함할 수 있거나 또는 포함하지 않을 수 있다. 예컨대, 내부 부분(1014)에는 구멍들이 없을 수 있고, 구멍들은 샤워헤드(1000)의 중심 포인트로부터 연장되는 영역에 형성되지 않을 수 있다. 샤워헤드의 방사상 길이에 기초하여, 샤워헤드는, 적어도 샤워헤드의 중심 포인트로부터 샤워헤드의 방사상 길이의 적어도 10 % 내에 정의되는 영역까지 연장되는, 샤워헤드의 내부 부분(1014) 주위에 구멍들(1007)을 포함하지 않을 수 있다. 부가적으로, 샤워헤드의 중심 포인트로부터 적어도 약 15 %, 20 %, 25 %, 30 %, 35 %, 40 %, 45 %, 50 %, 60 % 등 또는 그 초과 내에 정의되는 영역까지 연장되는, 샤워헤드의 내부 부분(1014) 내에 구멍들이 포함되지 않을 수 있다.
[0105] 구멍들(1007)의 단일 링으로서 예시되어 있지만, 섹션(1016)은 구멍들(1007)의 하나 초과의 링을 포함할 수 있다. 구멍들(1007)은, 구멍들(1007) 사이의 연속적인 스페이싱(spacing), 뿐만 아니라, 변화되는 스페이싱, 또는 일치하지 않는(inconsistent) 스페이싱을 포함할 수 있는 다양한 스페이싱 간격들로 배치될 수 있다. 구멍들의 2개, 3개, 4개, 5개, 6개, 7개, 8개, 9개 등 또는 그 초과의 열들과 같은, 구멍들(1007)의 다수의 열들이 포함되는 경우에, 구멍들은, 열들 사이에서 변위될 수 있거나, 또는 샤워헤드(1000)의 중심 포인트로부터 연장되는, 샤워헤드의 반경으로부터 방사상 정렬 상태에 있을 수 있다. 개시된 실시예들에서, 외부 부분(1009)은, 내부 부분(1014)의 두께와 동등한, 그 초과인, 또는 그 미만인 두께로 이루어질 수 있다. 부가적으로, 부분(1016)은, 내부 부분(1014)과 외부 부분(1009) 중 어느 하나 또는 양자 모두의 두께와 동등한, 그 초과인, 또는 그 미만인 두께로 이루어질 수 있다. 부분들(1009, 1014, 및 1016) 각각에 포함된 재료들은 샤워헤드(1000)의 다른 부분들 중 임의의 것과 유사할 수 있거나 또는 상이할 수 있다. 예컨대, 섹션(1016)은, 서로 유사한 또는 상이한 재료들을 포함할 수 있는, 외부 부분(1009) 및 내부 부분(1014) 양자 모두와 상이한 재료로 이루어질 수 있다. 예컨대, 외부 부분(1009) 및 내부 부분(1014)은 금속 또는 전도성 재료를 포함할 수 있는 한편, 섹션(1016)은, 내부 부분(1014)이 시스템의 다른 부분들로부터 전기적으로 격리되게 허용하는 유전체 재료를 포함한다. 개시된 실시예들에서, 외부 부분(1009) 및 섹션(1016)은 유전체 재료와 같은 유사한 비-전도성 재료로 이루어질 수 있는 한편, 내부 부분(1014)은 전도성 재료로 제조될 수 있다. 이해될 바와 같은 다양한 다른 구성들이 기술에 의해 유사하게 포함된다.
[0106] 설명되는 기술을 더 양호하게 이해하고 인식하기 위해, 개시된 실시예들에 따른 에칭 프로세스의 흐름도인 도 11이 이제 참조된다. 기술이, 대안적인 배열들로 증착 프로세스들에 대해 유사하게 활용될 수 있다는 것이 이해된다. 제 1 동작 전에, 패터닝된 기판에 구조가 형성될 수 있다. 구조는, 실리콘, 산화물들, 질화물들, 텅스텐, 구리, 티타늄, 탄탈룸 등을 포함하는 금속들, 또는 다른 컴포넌트들의 개별적인 노출된 영역들을 보유할 수 있다. 실리콘은, 비정질, 결정질, 또는 다결정질(이 경우에, 폴리실리콘이라고 일반적으로 지칭됨)일 수 있다. 이전의 증착 및 형성 프로세스들은 동일한 챔버에서 수행되었을 수 있거나 또는 수행되지 않았을 수 있다. 상이한 챔버에서 수행된 경우에, 기판은 위에서 설명된 것과 같은 시스템으로 이송될 수 있다.
[0107] 동작(1110)에서, 기판 프로세싱 영역으로부터 분리된 제 1 플라즈마 영역 내로, 수소-함유 전구체 또는 산소-함유 전구체와 같은 제 1 전구체가 유동될 수 있다. 개별적인 플라즈마 영역은, 본원에서 원격 플라즈마 영역이라고 지칭될 수 있고, 프로세싱 챔버 내의 격실(compartment) 또는 프로세싱 챔버와 별개인 모듈 내에 있을 수 있다. 일반적으로 말하자면, 이전에 논의된 바와 같은 제 1 RPS 유닛과 같은 제 1 플라즈마 영역 내로 수소 또는 산소-함유 전구체가 유동될 수 있고, 그 제 1 플라즈마 영역에서, 수소 또는 산소-함유 전구체는 플라즈마에서 여기되고, 수소 또는 산소-함유 전구체는 H2, NH3, O2, O3, N2O, 탄화수소들 등으로부터 선택되는 적어도 하나의 전구체를 포함할 수 있다. 동작(1120)에서, 제 2 원격 플라즈마 영역 내로, 제 2 전구체, 예컨대 삼플루오르화 질소, 또는 상이한 불소-함유 전구체의 유동이 도입될 수 있고, 제 2 원격 플라즈마 영역에서, 그 제 2 전구체는 플라즈마에서 여기된다. 제 1 및 제 2 플라즈마 시스템들은 이전의 논의된 바와 같은 임의의 방식으로 동작될 수 있고, 개시된 실시예들에서, 수소 또는 산소-함유 전구체 및 불소-함유 전구체는 대안적인 RPS 유닛들을 통해 유동될 수 있다. 불소의 다른 소스들이 삼플루오르화 질소를 대체하거나 또는 증대(augment)시키기 위해 사용될 수 있다. 일반적으로, 불소-함유 전구체는 제 2 원격 플라즈마 영역 내로 유동될 수 있고, 불소-함유 전구체는, 원자 불소, 이원자 불소, 삼플루오르화 브롬, 삼플루오르화 염소, 삼플루오르화 질소, 플루오르화 수소, 플루오르화 탄화수소들(fluorinated hydrocarbons), 육플루오르화 황, 및 이플루오르화 크세논으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 전구체를 포함할 수 있다. 제 1 및 제 2 전구체들 중 어느 하나 또는 양자 모두가, 이전에 논의된 것들과 같은 캐리어 전구체들에 포함될 수 있다.
[0108] 동작(1130)에서, 그 후에, 제 1 및 제 2 전구체들의 원격 플라즈마 영역들에서 형성된 플라즈마 유출물들은, 챔버의 혼합 영역 내로 개별적으로 유동될 수 있고, 그 후에, 그 혼합 영역에서 조합될 수 있다. 혼합 영역은, 패터닝된 기판과 같은 기판이 존재하는, 챔버의 프로세싱 영역의 유체적으로 업스트림에서 위치될 수 있다. 챔버 세정 동작이 수행되고 있는 경우에, 그러한 동작들 동안에, 기판은 챔버에 위치되지 않을 수 있다. 전구체들의 가스 유동 비율들은, 약 1:1000, 1:500, 1:250, 1:100, 1:50, 1:25, 1:15, 1:10, 1:5, 1:1, 5:1, 10:1 15:1, 25:1, 50:1, 100:1, 250:1, 500:1, 1000:1 등 또는 그 미만, 또는 그 초과의 유동 비율들(O 또는 H:F)과 같은 다양한 유동 비율들을 포함할 수 있다. 노출된 텅스텐, 티타늄 질화물, 또는 다른 금속들의 영역들이 또한, 패터닝된 기판 상에 존재할 수 있고, 노출된 금속성 영역들이라고 지칭될 수 있다. 전구체들은 프로세싱 영역으로 전달될 수 있고, 예컨대 에칭 동작을 수행하기 위해 기판 재료들과 반응할 수 있다. 기판 프로세싱 영역으로부터 반응성 화학 종이 제거될 수 있고, 그 후에, 프로세싱 영역으로부터 기판이 제거될 수 있다.
[0109] 불소-함유 전구체, 및/또는 산소 또는 수소-함유 전구체는, He, N2, Ar 등과 같은 하나 또는 그 초과의 비교적 비활성인 가스들을 더 포함할 수 있다. 비활성 가스는, 플라즈마 안정성을 개선하기 위해, 그리고/또는 원격 플라즈마 영역으로 액체 전구체들을 운반하기 위해 사용될 수 있다. 상이한 가스들의 유량들 및 유동 비율들은 에칭 레이트 및 에칭 선택비를 제어하기 위해 사용될 수 있다. 실시예에서, 불소-함유 가스는, 약 1 sccm(standard cubic centimeters per minute) 내지 5000 sccm의 유량으로 NF3를 포함할 수 있다. 수소 또는 산소-함유 전구체는 약 1 sccm 내지 5,000 sccm의 유량으로 포함될 수 있고, 약 0 sccm 내지 3000 sccm의 유량의 하나 또는 그 초과의 캐리어 가스들이 양 전구체 스트림에 포함될 수 있다. O 또는 H:F의 원자 유량들 또는 유동 비율은, 산화물과 같은, 기판 재료들 상의 고체 잔여물 형성을 감소시키거나 또는 제거하기 위해, 개시된 실시예들에서 높게 유지될 수 있다. 고체 잔여물의 형성은, 약간의 실리콘 산화물을 소모하며, 이는 에칭 프로세스의 실리콘 선택비를 감소시킬 수 있다. 기술의 실시예들에서, O 또는 H:F의 원자 유동 비율은, 약 5, 25(즉, 25:1) 또는 그 초과, 약 30:1 또는 그 초과, 또는 약 40:1 또는 그 초과일 수 있다.
[0110] 전구체들을 유체적으로 분리된 상태로 유지함으로써, 부식 및 RPS 시스템들과의 다른 상호작용이 감소될 수 있거나 또는 제거될 수 있다. 위에서 설명된 바와 같이, 가스 분배 어셈블리를 포함하는 분배 컴포넌트들 및 RPS 유닛들은, 전달되는 전구체들에 기초하여 선택되는, 그리고 따라서, 장비와 이온화된 전구체들 사이의 반응을 방지하도록 선택되는 재료들로 제조될 수 있다.
[0111] 기술의 실시예들에서, 원격 플라즈마 영역으로부터 기판 프로세싱 영역으로의 통과(transit) 동안에, 플라즈마 유출물들로부터 이온들을 필터링하기 위해, 이온 억제기가 사용될 수 있다. 이온 억제기는, 플라즈마 생성 영역으로부터 기판으로 이동하는 이온성 대전된 종을 감소시키도록 또는 제거하도록 기능한다. 대전되지 않은 중성 및 라디칼 종이, 기판에서 반응하기 위해, 이온 억제기에서의 개구들을 통과할 수 있다. 기판을 둘러싸는 반응 영역에서의 이온성 대전된 종의 완전한 제거가 항상 바람직한 목표인 것은 아니라는 것이 주지되어야 한다. 다수의 경우들에서, 이온 종은, 에칭 및/또는 증착 프로세스를 수행하기 위해, 기판에 도달하도록 요구된다. 이러한 경우들에서, 이온 억제기는, 프로세스를 보조하는 레벨로, 반응 영역에서의 이온 종의 농도를 제어하는 것을 돕는다. 개시된 실시예들에서, 가스 분배 어셈블리의 상부 플레이트는 이온 억제기를 포함할 수 있다.
[0112] 에칭 프로세스 동안에, 기판의 온도는 0 ℃ 초과일 수 있다. 기판 온도는 대안적으로, 약 20 ℃ 또는 그 초과 그리고 약 300 ℃ 또는 그 미만일 수 있다. 이러한 기판 온도 범위의 높은 단부(end)에서, 에칭 레이트는 떨어질 수 있다. 이러한 기판 온도 범위의 더 낮은 단부에서, 대안적인 컴포넌트들이 에칭되기 시작할 수 있고, 따라서, 선택비가 떨어질 수 있다. 개시된 실시예들에서, 본원에서 설명되는 에칭들 동안의 기판의 온도는, 약 200 ℃ 또는 그 미만이면서 약 30 ℃ 또는 그 초과일 수 있거나, 또는 약 150 ℃ 또는 그 미만이면서 약 40 ℃ 또는 그 초과일 수 있다. 개시된 실시예들에서, 기판 온도는, 100 ℃ 미만, 약 80 ℃ 또는 그 미만, 약 65 ℃ 또는 그 미만, 또는 약 50 ℃ 또는 그 미만일 수 있다.
[0113] 프로세스 압력은 다양한 동작들에 대해 유사하게 조정될 수 있다. 개시된 실시예들에서, 기판 프로세싱 영역 내의 압력은, 약 10 Torr 또는 그 미만, 약 5 Torr 또는 그 미만, 약 3 Torr 또는 그 미만, 약 2 Torr 또는 그 미만, 약 1 Torr 또는 그 미만, 또는 약 750 mTorr 또는 그 미만일 수 있다. 적절한 에칭 레이트를 보장하기 위해, 기술의 실시예들에서, 압력은, 약 0.02 Torr, 또는 그 미만, 또는 그 초과일 수 있고, 대략 대기압(atmospheric pressure) 또는 약 760 Torr까지의 범위에 있을 수 있다. 부가적인 예들, 프로세스 파라미터들, 및 동작 단계들은, 본원에서 설명되는 전달 메커니즘들과 불일치하지 않는 정도까지, 이전에 포함된 출원 일련 번호 제 13/439079 호에 포함된다. 압력은, 수행되는 플라즈마 프로세싱에 기초하여 조절될 수 있거나 또는 결정될 수 있다. CCP 플라즈마 동작들은, 원격 플라즈마 프로세스들보다 더 높은 압력들에서 동작될 수 있다. 실시예들에서, 동작 압력들은 RPS 유닛들의 사용에 기초하여 약 20 Torr 미만일 수 있다. 그러나, 개시된 실시예들에서, RPS 유닛은, 약 760 Torr 또는 그 초과까지, 약 5 Torr, 10 Torr, 20 Torr, 50 Torr, 100 Torr 초과의 압력들에서 동작하도록 구성 또는 크기설정될(sized) 수 있다.
[0114] 전구체들을 여기시키는 RPS 유닛들은, 이전에 설명된 바와 같은 플라즈마 전력들 중 임의의 것에서 동작될 수 있다. 개시된 실시예들에서, RPS 유닛들은 유사한 또는 상이한 전력 레벨들에서 동작될 수 있다. 예컨대, 제 1 원격 플라즈마 유닛에서 여기되는 제 1 전구체는 제 1 플라즈마 전력 레벨에서 여기될 수 있다. 제 2 원격 플라즈마 유닛에서 여기되는 제 2 전구체는 제 2 플라즈마 전력 레벨에서 여기될 수 있다. 제 1 및 제 2 플라즈마 전력 레벨들은, 서로 유사할 수 있거나, 또는 어느 하나의 플라즈마 전력 레벨이 다른 전력 레벨보다 더 크면서 상이할 수 있다.
[0115] 전술된 설명에서, 설명의 목적들을 위해, 본 기술의 다양한 실시예들의 이해를 제공하기 위하여 다수의 세부사항들이 제시되었다. 그러나, 이들 세부사항들 중 일부가 없이, 또는 부가적인 세부사항들과 함께, 특정 실시예들이 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다.
[0116] 수개의 실시예들을 개시하였지만, 개시된 실시예들의 사상을 벗어나지 않으면서 다양한 변형들, 대안적 구성들, 및 등가물들이 사용될 수 있다는 것을 당업자는 인식할 것이다. 부가적으로, 본 기술이 불필요하게 불명료해지는 것을 방지하기 위해서, 잘 알려져 있는 많은 프로세스들 및 엘리먼트들은 설명하지 않았다. 따라서, 상기 설명은 본 기술의 범주를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다.
[0117] 수치 범위가 주어진 경우, 그러한 수치 범위의 상한들과 하한들 사이에 존재하는 각각의 값은, 문맥상 달리 명백히 표시되어 있지 않는 한 하한의 단위의 최소의 프랙션(smallest fraction)까지 또한 구체적으로 기재된 것으로 해석된다. 명시된 범위 내의 임의의 명시된 값들 또는 그 범위에 속하는 명시되지 않은 값들과 그러한 명시된 범위 내의 임의의 다른 명시된 값 또는 그 범위에 속하는 다른 값 사이에 존재하는 임의의 더 좁은 범위가 포함된다. 이러한 소범위의 상한들과 하한들은 독립적으로 그러한 범위에 포함되거나 그러한 범위에서 제외될 수 있고, 각각의 범위는, 상한과 하한 중 하나 또는 둘 모두가 그러한 소범위에 포함되든지 그러한 소범위에서 제외되든지 간에, 임의의 한계값이 명시된 범위에서 구체적으로 제외된 것이 아닌 한, 또한 본 기술에 포함된다. 명시된 범위가 한계값들 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는 경우, 그렇게 포함된 한계값들 중 하나 또는 둘 모두를 제외한 범위들이 또한 포함된다.
[0118] 본원 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 바와 같이, 단수 형태들("a", "an" 및 "the")은 문맥상 달리 명백히 표시되어 있지 않는 한 복수의 지시대상들을 포함한다. 따라서, 예컨대, "구멍(an aperture)"에 대한 언급은 복수의 그러한 구멍들을 포함하며, "상기 플레이트(the plate)"에 대한 언급은 하나 또는 그 초과의 플레이트들 및 당업자에게 알려진 그 등가물들에 대한 언급을 포함하며, 기타의 경우도 유사하다.
[0119] 또한, 본 명세서 및 다음의 청구항들에서 사용되는 경우에, 포함("comprise(s)", "comprising", "contain(s)", "containing", "include(s)", 및 "including")이라는 단어들은, 언급된 피처들, 정수들, 컴포넌트들, 또는 단계들의 존재를 특정하도록 의도되지만, 이들은 하나 또는 그 초과의 다른 피처들, 정수들, 컴포넌트들, 단계들, 동작들, 또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것은 아니다.
Claims (20)
- 반도체 프로세싱을 위한 시스템으로서,
챔버 ― 상기 챔버는 상기 챔버의 프로세싱 영역에 반도체 기판을 수용(contain)하도록 구성됨 ―;
상기 챔버의 제 1 액세스(access)와 유체적으로(fluidly) 커플링되고, 상기 제 1 액세스를 통해 상기 챔버 내로 제 1 전구체를 전달하도록 구성된 제 1 원격 플라즈마 유닛; 및
상기 챔버의 제 2 액세스와 유체적으로 커플링되고, 상기 제 2 액세스를 통해 상기 챔버 내로 제 2 전구체를 전달하도록 구성된 제 2 원격 플라즈마 유닛
을 포함하며,
상기 챔버의 제 1 및 제 2 액세스들은, 상기 챔버의 상기 프로세싱 영역과 분리되고 상기 프로세싱 영역과 유체적으로 커플링된, 상기 챔버의 혼합 영역(mixing region)과 유체적으로 커플링되고, 상기 혼합 영역은, 제 1 및 제 2 전구체들이 상기 챔버의 상기 프로세싱 영역 외부에서(externally) 서로 상호작용하게 허용하도록 구성되는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 챔버는, 상기 챔버의 상기 프로세싱 영역과 상기 혼합 영역 사이에 위치된 디바이스를 더 포함하며, 상기 디바이스는 상기 챔버의 상기 프로세싱 영역을 향하여 지향되는(directed) 이온 종(ionic species)의 유동을 적어도 부분적으로 억제하도록 구성되는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 챔버는, 상기 챔버 내에서 상기 챔버의 상기 프로세싱 영역 위에 또는 상기 프로세싱 영역의 상단 부분에 위치된 가스 분배 어셈블리를 더 포함하며, 상기 가스 분배 어셈블리는 상기 챔버의 상기 프로세싱 영역 내로 상기 제 1 및 제 2 전구체들 양자 모두를 전달하도록 구성되는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 3 항에 있어서,
상기 가스 분배 어셈블리는 상부(upper) 플레이트 및 하부(lower) 플레이트를 포함하며, 상부 및 하부 플레이트들은 상기 플레이트들 사이에 볼륨(volume)을 정의하도록 서로 커플링되고, 상기 플레이트들의 커플링은, 상기 상부 및 하부 플레이트들을 통하는 제 1 유체 채널들, 및 상기 하부 플레이트를 통하는, 상기 볼륨으로부터의 유체 액세스(fluid access)를 제공하도록 구성되는, 상기 하부 플레이트를 통하는 제 2 유체 채널들을 제공하고, 상기 제 1 유체 채널들은 상기 제 2 유체 채널들 및 상기 플레이트들 사이의 상기 볼륨으로부터 유체적으로 격리되는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 4 항에 있어서,
상기 볼륨은, 상기 챔버의 상기 제 1 및 제 2 액세스들로부터 분리된, 상기 챔버에서의 제 3 액세스와 유체적으로 커플링된, 상기 가스 분배 어셈블리의 측부(side)를 통해 유체적으로 액세스가능한(accessible),
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 액세스 및 상기 제 2 액세스는 상기 챔버의 상단 부분과 커플링되고, 상기 제 1 및 제 2 액세스들은 서로 분리되는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 액세스들은, 상기 챔버의 상단 부분과 단일 위치(single location)에서 커플링되고, 상기 제 1 원격 플라즈마 유닛 및 상기 제 2 원격 플라즈마 유닛과 단일 액세스의 커플링은, 상기 제 1 및 제 2 전구체들이, 상기 챔버의 상기 혼합 영역에 액세스하기 전에 상호작용하게 허용하도록 구성되는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 액세스 및 상기 제 2 액세스는 상기 챔버의 측부 부분과 커플링되고, 상기 제 1 및 제 2 액세스들은 서로 분리되는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 액세스 및 상기 제 2 액세스는 상기 챔버 주위에 방사상으로 분포된(radially distributed) 플리넘(plenum)과 유체적으로 커플링되며, 상기 플리넘은, 상기 플리넘 전체에 걸친 복수의 위치들에서 상기 챔버의 상기 혼합 영역에 대한 액세스를 제공하도록 구성되는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 챔버는, 상기 챔버의 상기 프로세싱 영역과 상기 혼합 영역 사이에 위치된 샤워헤드를 더 포함하며, 상기 샤워헤드는 상기 챔버를 통해 상기 제 1 및 제 2 전구체들을 분배하도록 구성되는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 10 항에 있어서,
상기 샤워헤드는 상기 샤워헤드의 외부 부분(exterior portion) 주위에 위치된 복수의 구멍(aperture)들을 정의하고, 상기 샤워헤드는, 적어도, 상기 샤워헤드의 중심 포인트(center point)로부터 상기 샤워헤드의 방사상 길이(radial length)의 약 25 %까지 연장되는, 상기 샤워헤드의 내부 부분 주위에 구멍들을 포함하지 않는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 원격 플라즈마 유닛은 제 1 재료를 포함하고, 상기 제 2 원격 플라즈마 유닛은 제 2 재료를 포함하는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 재료는 상기 제 1 전구체의 조성(composition)에 기초하여 선택되고, 상기 제 2 재료는 상기 제 2 전구체의 조성에 기초하여 선택되는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 재료와 상기 제 2 재료는 상이한 재료들인,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 원격 플라즈마 유닛 및 상기 제 2 원격 플라즈마 유닛은, 약 10 W 내지 약 10 kW 또는 그 초과의 전력 레벨들에서 동작하도록 구성되는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 15 항에 있어서,
상기 제 1 원격 플라즈마 유닛은 상기 제 1 전구체의 조성에 기초하여 선택되는 제 1 전력 레벨에서 동작하도록 구성되고, 상기 제 2 원격 플라즈마 유닛은 상기 제 2 전구체의 조성에 기초하여 선택되는 제 2 전력 레벨에서 동작하도록 구성되는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 제 16 항에 있어서,
상기 시스템은, 상기 제 1 원격 플라즈마 유닛 및 상기 제 2 원격 플라즈마 유닛을 서로 상이한 전력 레벨들에서 동작시키도록 구성되는,
반도체 프로세싱을 위한 시스템. - 반도체 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법으로서,
제 1 원격 플라즈마 유닛을 통해 반도체 프로세싱 챔버 내로 제 1 전구체를 유동시키는 단계; 및
제 2 원격 플라즈마 유닛을 통해 상기 프로세싱 챔버 내로 제 2 전구체를 유동시키는 단계
를 포함하며,
제 1 및 제 2 전구체들은, 기판이 존재하는(reside), 상기 챔버의 프로세싱 영역의 유체적으로(fluidly) 상류에(upstream) 위치된, 상기 챔버의 혼합 영역에서 결합되는,
반도체 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법. - 제 18 항에 있어서,
상기 제 1 전구체는 불소-함유 전구체를 포함하고, 상기 제 2 전구체는 산소-함유 전구체를 포함하는,
반도체 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법. - 제 18 항에 있어서,
상기 제 1 전구체는 상기 제 1 원격 플라즈마 유닛에서 제 1 플라즈마 전력으로 여기되고(excited), 상기 제 2 전구체는 상기 제 2 원격 플라즈마 유닛에서 상기 제 1 플라즈마 전력과 상이한 제 2 플라즈마 전력으로 여기되는,
반도체 프로세싱 시스템을 동작시키는 방법.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201361762767P | 2013-02-08 | 2013-02-08 | |
| US61/762,767 | 2013-02-08 | ||
| US13/791,074 US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2013-03-08 | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US13/791,074 | 2013-03-08 | ||
| PCT/US2014/013138 WO2014123708A1 (en) | 2013-02-08 | 2014-01-27 | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150115780A true KR20150115780A (ko) | 2015-10-14 |
| KR102166922B1 KR102166922B1 (ko) | 2020-10-16 |
Family
ID=51297725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020157021238A KR102166922B1 (ko) | 2013-02-08 | 2014-01-27 | 다수의 플라즈마 구성들을 갖는 반도체 프로세싱 시스템들 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10256079B2 (ko) |
| KR (1) | KR102166922B1 (ko) |
| CN (1) | CN104981895B (ko) |
| TW (3) | TWI697954B (ko) |
| WO (1) | WO2014123708A1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190133282A (ko) * | 2017-04-21 | 2019-12-02 | 램 리써치 코포레이션 | 동시에 발생하는 인시츄 플라즈마 소스 및 리모트 플라즈마 소스를 사용한 신속한 챔버 세정 |
| KR20200089340A (ko) * | 2017-12-19 | 2020-07-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다중-구역 가스 분배 시스템들 및 방법들 |
| KR20210024241A (ko) * | 2018-07-27 | 2021-03-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 개선된 이온 블로커를 갖는 원격 용량성 결합 플라즈마 소스 |
Families Citing this family (488)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US9449859B2 (en) * | 2009-10-09 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas centrally cooled showerhead design |
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| US10658161B2 (en) * | 2010-10-15 | 2020-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for reducing particle defects in plasma etch chambers |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US9373517B2 (en) * | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
| US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
| US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
| US20140099794A1 (en) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Applied Materials, Inc. | Radical chemistry modulation and control using multiple flow pathways |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
| US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
| US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
| US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) * | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
| US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
| US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
| KR102167594B1 (ko) * | 2013-12-04 | 2020-10-19 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
| US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
| US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
| US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
| US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
| US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
| US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
| KR102247560B1 (ko) * | 2014-07-14 | 2021-05-03 | 삼성전자 주식회사 | Rps에서의 플라즈마 생성방법, 및 그 플라즈마 생성방법을 포함한 반도체 소자 제조방법 |
| US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
| US10858737B2 (en) * | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
| US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
| US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
| US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US20160138161A1 (en) * | 2014-11-19 | 2016-05-19 | Applied Materials, Inc. | Radical assisted cure of dielectric films |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
| US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
| US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) * | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| US11004661B2 (en) * | 2015-09-04 | 2021-05-11 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for cyclic and selective material removal and etching |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| CN108431930A (zh) * | 2016-01-07 | 2018-08-21 | 应用材料公司 | 具有远程等离子体源和dc电极的原子层蚀刻系统 |
| US10204795B2 (en) * | 2016-02-04 | 2019-02-12 | Applied Materials, Inc. | Flow distribution plate for surface fluorine reduction |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| JP6462613B2 (ja) * | 2016-03-15 | 2019-01-30 | 株式会社東芝 | 分流構造 |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| KR102156390B1 (ko) * | 2016-05-20 | 2020-09-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 처리를 위한 가스 분배 샤워헤드 |
| US9960049B2 (en) * | 2016-05-23 | 2018-05-01 | Applied Materials, Inc. | Two-step fluorine radical etch of hafnium oxide |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| KR102354490B1 (ko) | 2016-07-27 | 2022-01-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| US20180294144A1 (en) * | 2017-04-10 | 2018-10-11 | Applied Materials, Inc. | High deposition rate high quality silicon nitride enabled by remote nitrogen radical source |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10312073B2 (en) * | 2017-04-28 | 2019-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Selective removal of carbon-containing and nitrogen-containing silicon residues |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| KR102688062B1 (ko) * | 2017-05-13 | 2024-07-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고품질 갭 충전 솔루션들을 위한 순환식 유동성 증착 및 고-밀도 플라즈마 처리 프로세스들 |
| US11276559B2 (en) * | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| JP7176860B6 (ja) * | 2017-05-17 | 2022-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US11222769B2 (en) * | 2017-05-26 | 2022-01-11 | Applied Materials, Inc. | Monopole antenna array source with gas supply or grid filter for semiconductor process equipment |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| TWI794238B (zh) * | 2017-07-13 | 2023-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 於單一加工腔室中自半導體膜移除氧化物及碳之裝置及方法 |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| US11164737B2 (en) * | 2017-08-30 | 2021-11-02 | Applied Materials, Inc. | Integrated epitaxy and preclean system |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| JP7124098B2 (ja) | 2018-02-14 | 2022-08-23 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法 |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| TWI716818B (zh) * | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102518372B1 (ko) * | 2018-03-23 | 2023-04-06 | 삼성전자주식회사 | 가스 분배 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 반도체 공정 방법 |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US11434568B2 (en) * | 2018-04-17 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Heated ceramic faceplate |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
| WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| KR102088596B1 (ko) * | 2018-07-09 | 2020-06-01 | 램 리써치 코포레이션 | Rf 플라즈마 생성기 및 리모트 플라즈마 생성기에 공급하는 rf 신호 소스 |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| TWI844567B (zh) | 2018-10-01 | 2024-06-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11355620B2 (en) * | 2018-10-31 | 2022-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | FinFET device and method of forming same |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| CN113196444B (zh) * | 2018-12-20 | 2024-07-02 | 应用材料公司 | 用于供应改良的气流至处理腔室的处理空间的方法和设备 |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| JP6905149B2 (ja) * | 2019-02-14 | 2021-07-21 | 株式会社日立ハイテク | 半導体製造装置 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| US20200347499A1 (en) * | 2019-05-01 | 2020-11-05 | Applied Materials, Inc. | Large-area high-density plasma processing chamber for flat panel displays |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| WO2021108297A1 (en) | 2019-11-27 | 2021-06-03 | Applied Materials, Inc. | Dual plasma pre-clean for selective gap fill |
| US20210159052A1 (en) | 2019-11-27 | 2021-05-27 | Applied Materials, Inc. | Processing Chamber With Multiple Plasma Units |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US12016092B2 (en) * | 2019-12-05 | 2024-06-18 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution ceramic heater for deposition chamber |
| TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| KR20210089079A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 채널형 리프트 핀 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| KR20210094694A (ko) * | 2020-01-21 | 2021-07-30 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치, 물질막 증착 장치, 및 상압 화학 기상 증착 장치 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| TW202147543A (zh) | 2020-05-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體處理系統 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US11939666B2 (en) | 2020-06-01 | 2024-03-26 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for precleaning and treating wafer surfaces |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| US11242600B2 (en) * | 2020-06-17 | 2022-02-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature face plate for deposition application |
| US11955381B2 (en) | 2020-06-22 | 2024-04-09 | Applied Materials, Inc. | Low-temperature plasma pre-clean for selective gap fill |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR102707957B1 (ko) | 2020-07-08 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US11282711B2 (en) * | 2020-07-31 | 2022-03-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Plasma-assisted etching of metal oxides |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| US11605544B2 (en) | 2020-09-18 | 2023-03-14 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for cleaning high aspect ratio structures |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| US20220108891A1 (en) * | 2020-10-06 | 2022-04-07 | Applied Materials, Inc. | Modular zone control for a processing chamber |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| US11776794B2 (en) | 2021-02-19 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck assembly for cryogenic applications |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| US20230317419A1 (en) * | 2022-04-01 | 2023-10-05 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for processing substrate using plasma |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010105299A (ko) * | 2000-05-19 | 2001-11-28 | 조셉 제이. 스위니 | 외부적으로 이온화되고 지원하는 ｃｖｄ 장치 |
| US20020179248A1 (en) * | 2000-12-22 | 2002-12-05 | Alex Kabansky | Integrated circuit fabrication dual plasma process with separate introduction of different gases into gas flow |
| KR100858934B1 (ko) * | 2007-05-04 | 2008-09-17 | 주식회사 에스에프에이 | 화학 기상 증착장치 |
Family Cites Families (2137)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2369620A (en) | 1941-03-07 | 1945-02-13 | Battelle Development Corp | Method of coating cupreous metal with tin |
| US3451840A (en) | 1965-10-06 | 1969-06-24 | Us Air Force | Wire coated with boron nitride and boron |
| US3401302A (en) | 1965-11-01 | 1968-09-10 | Humphreys Corp | Induction plasma generator including cooling means, gas flow means, and operating means therefor |
| US3537474A (en) | 1968-02-19 | 1970-11-03 | Varian Associates | Push button vacuum control valve and vacuum system using same |
| US3756511A (en) | 1971-02-02 | 1973-09-04 | Kogyo Kaihatsu Kenyusho | Nozzle and torch for plasma jet |
| US3969077A (en) | 1971-12-16 | 1976-07-13 | Varian Associates | Alkali metal leak detection method and apparatus |
| US4632857A (en) | 1974-05-24 | 1986-12-30 | Richardson Chemical Company | Electrolessly plated product having a polymetallic catalytic film underlayer |
| US4232060A (en) | 1979-01-22 | 1980-11-04 | Richardson Chemical Company | Method of preparing substrate surface for electroless plating and products produced thereby |
| US4397812A (en) | 1974-05-24 | 1983-08-09 | Richardson Chemical Company | Electroless nickel polyalloys |
| US4006047A (en) | 1974-07-22 | 1977-02-01 | Amp Incorporated | Catalysts for electroless deposition of metals on comparatively low-temperature polyolefin and polyester substrates |
| US3937857A (en) | 1974-07-22 | 1976-02-10 | Amp Incorporated | Catalyst for electroless deposition of metals |
| US4341592A (en) | 1975-08-04 | 1982-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment |
| JPS582323B2 (ja) | 1976-06-09 | 1983-01-17 | 三菱電機株式会社 | 液体燃料燃焼装置 |
| US4190488A (en) | 1978-08-21 | 1980-02-26 | International Business Machines Corporation | Etching method using noble gas halides |
| US4265943A (en) | 1978-11-27 | 1981-05-05 | Macdermid Incorporated | Method and composition for continuous electroless copper deposition using a hypophosphite reducing agent in the presence of cobalt or nickel ions |
| US4234628A (en) | 1978-11-28 | 1980-11-18 | The Harshaw Chemical Company | Two-step preplate system for polymeric surfaces |
| US4214946A (en) | 1979-02-21 | 1980-07-29 | International Business Machines Corporation | Selective reactive ion etching of polysilicon against SiO2 utilizing SF6 -Cl2 -inert gas etchant |
| US4361441A (en) | 1979-04-17 | 1982-11-30 | Plasma Holdings N.V. | Treatment of matter in low temperature plasmas |
| US4209357A (en) | 1979-05-18 | 1980-06-24 | Tegal Corporation | Plasma reactor apparatus |
| IT1130955B (it) | 1980-03-11 | 1986-06-18 | Oronzio De Nora Impianti | Procedimento per la formazione di elettroci sulle superficie di membrane semipermeabili e sistemi elettrodo-membrana cosi' prodotti |
| US4361418A (en) | 1980-05-06 | 1982-11-30 | Risdon Corporation | High vacuum processing system having improved recycle draw-down capability under high humidity ambient atmospheric conditions |
| NL8004005A (nl) | 1980-07-11 | 1982-02-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
| US4381441A (en) | 1980-10-30 | 1983-04-26 | Western Electric Company, Inc. | Methods of and apparatus for trimming film resistors |
| US4340462A (en) | 1981-02-13 | 1982-07-20 | Lam Research Corporation | Adjustable electrode plasma processing chamber |
| US4368223A (en) | 1981-06-01 | 1983-01-11 | Asahi Glass Company, Ltd. | Process for preparing nickel layer |
| DE3205345A1 (de) | 1982-02-15 | 1983-09-01 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | "verfahren zur herstellung von fluordotierten lichtleitfasern" |
| US4585920A (en) | 1982-05-21 | 1986-04-29 | Tegal Corporation | Plasma reactor removable insert |
| JPS591671A (ja) | 1982-05-28 | 1984-01-07 | Fujitsu Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS59126778A (ja) | 1983-01-11 | 1984-07-21 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | プラズマエツチング方法及びその装置 |
| JPS59222922A (ja) | 1983-06-01 | 1984-12-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 気相成長装置 |
| JPS6060060A (ja) | 1983-09-12 | 1985-04-06 | 株式会社日立製作所 | 鉄道車両の扉開閉装置 |
| US4579618A (en) | 1984-01-06 | 1986-04-01 | Tegal Corporation | Plasma reactor apparatus |
| US4656052A (en) | 1984-02-13 | 1987-04-07 | Kyocera Corporation | Process for production of high-hardness boron nitride film |
| US4571819A (en) | 1984-11-01 | 1986-02-25 | Ncr Corporation | Method for forming trench isolation structures |
| US4656076A (en) | 1985-04-26 | 1987-04-07 | Triquint Semiconductors, Inc. | Self-aligned recessed gate process |
| US4600464A (en) | 1985-05-01 | 1986-07-15 | International Business Machines Corporation | Plasma etching reactor with reduced plasma potential |
| JPS61276977A (ja) | 1985-05-30 | 1986-12-06 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
| US4807016A (en) | 1985-07-15 | 1989-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Dry etch of phosphosilicate glass with selectivity to undoped oxide |
| US4714520A (en) | 1985-07-25 | 1987-12-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for filling a trench in an integrated circuit structure without producing voids |
| US4610775A (en) | 1985-07-26 | 1986-09-09 | Westinghouse Electric Corp. | Method and apparatus for clearing short-circuited, high-voltage cathodes in a sputtering chamber |
| JPS6245119A (ja) | 1985-08-23 | 1987-02-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
| US4749440A (en) | 1985-08-28 | 1988-06-07 | Fsi Corporation | Gaseous process and apparatus for removing films from substrates |
| US4668335A (en) | 1985-08-30 | 1987-05-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Anti-corrosion treatment for patterning of metallic layers |
| US4690746A (en) | 1986-02-24 | 1987-09-01 | Genus, Inc. | Interlayer dielectric process |
| US4715937A (en) | 1986-05-05 | 1987-12-29 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Low-temperature direct nitridation of silicon in nitrogen plasma generated by microwave discharge |
| US4892753A (en) | 1986-12-19 | 1990-01-09 | Applied Materials, Inc. | Process for PECVD of silicon oxide using TEOS decomposition |
| US5000113A (en) | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
| US4951601A (en) | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
| US4960488A (en) | 1986-12-19 | 1990-10-02 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
| US5228501A (en) | 1986-12-19 | 1993-07-20 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition clamping mechanism and heater/cooler |
| US4872947A (en) | 1986-12-19 | 1989-10-10 | Applied Materials, Inc. | CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process |
| JPS63204726A (ja) | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
| US5322976A (en) | 1987-02-24 | 1994-06-21 | Polyonics Corporation | Process for forming polyimide-metal laminates |
| US4868071A (en) | 1987-02-24 | 1989-09-19 | Polyonics Corporation | Thermally stable dual metal coated laminate products made from textured polyimide film |
| DE3856483T2 (de) | 1987-03-18 | 2002-04-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | Verfahren zur Herstellung von Dünnschichten |
| US4793897A (en) | 1987-03-20 | 1988-12-27 | Applied Materials, Inc. | Selective thin film etch process |
| US4786360A (en) | 1987-03-30 | 1988-11-22 | International Business Machines Corporation | Anisotropic etch process for tungsten metallurgy |
| US5198034A (en) | 1987-03-31 | 1993-03-30 | Epsilon Technology, Inc. | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
| DE3884653T2 (de) | 1987-04-03 | 1994-02-03 | Fujitsu Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur Gasphasenabscheidung von Diamant. |
| US4913929A (en) | 1987-04-21 | 1990-04-03 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Thermal/microwave remote plasma multiprocessing reactor and method of use |
| JP2598019B2 (ja) | 1987-06-01 | 1997-04-09 | 富士通株式会社 | 感光体の製造方法 |
| US4753898A (en) | 1987-07-09 | 1988-06-28 | Motorola, Inc. | LDD CMOS process |
| US4886570A (en) | 1987-07-16 | 1989-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
| US4857140A (en) | 1987-07-16 | 1989-08-15 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching silicon nitride |
| US4904621A (en) | 1987-07-16 | 1990-02-27 | Texas Instruments Incorporated | Remote plasma generation process using a two-stage showerhead |
| US4820377A (en) | 1987-07-16 | 1989-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Method for cleanup processing chamber and vacuum process module |
| US4828649A (en) | 1987-07-16 | 1989-05-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching an aluminum film doped with silicon |
| US4838990A (en) | 1987-07-16 | 1989-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Method for plasma etching tungsten |
| US4867841A (en) | 1987-07-16 | 1989-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Method for etch of polysilicon film |
| JPS6432627A (en) | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Hitachi Ltd | Low-temperature dry etching method |
| US4919750A (en) | 1987-09-14 | 1990-04-24 | International Business Machines Corporation | Etching metal films with complexing chloride plasma |
| US4810520A (en) | 1987-09-23 | 1989-03-07 | Magnetic Peripherals Inc. | Method for controlling electroless magnetic plating |
| US5180435A (en) | 1987-09-24 | 1993-01-19 | Research Triangle Institute, Inc. | Remote plasma enhanced CVD method and apparatus for growing an epitaxial semiconductor layer |
| WO1989003587A1 (en) | 1987-10-14 | 1989-04-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for thin film formation by plasma cvd |
| US4981551A (en) | 1987-11-03 | 1991-01-01 | North Carolina State University | Dry etching of silicon carbide |
| US4865685A (en) | 1987-11-03 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Dry etching of silicon carbide |
| US4792378A (en) | 1987-12-15 | 1988-12-20 | Texas Instruments Incorporated | Gas dispersion disk for use in plasma enhanced chemical vapor deposition reactor |
| US4851370A (en) | 1987-12-28 | 1989-07-25 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Fabricating a semiconductor device with low defect density oxide |
| JP2804037B2 (ja) | 1988-02-05 | 1998-09-24 | 株式会社東芝 | ドライエッチング方法 |
| JPH01297141A (ja) | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Canon Inc | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| US4900856A (en) | 1988-05-26 | 1990-02-13 | Ethyl Corporation | Preparation of metal halide-amine complexes |
| JPH029115A (ja) | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| US4904341A (en) | 1988-08-22 | 1990-02-27 | Westinghouse Electric Corp. | Selective silicon dioxide etchant for superconductor integrated circuits |
| JPH0258836A (ja) | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02114525A (ja) | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Toshiba Corp | 有機化合物膜の除去方法及び除去装置 |
| JPH02114530A (ja) | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| US4894352A (en) | 1988-10-26 | 1990-01-16 | Texas Instruments Inc. | Deposition of silicon-containing films using organosilicon compounds and nitrogen trifluoride |
| KR930004115B1 (ko) | 1988-10-31 | 1993-05-20 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 애싱(ashing)처리방법 및 장치 |
| JPH02121330A (ja) | 1988-10-31 | 1990-05-09 | Hitachi Ltd | プラズマ処理方法及び装置 |
| JP2981243B2 (ja) | 1988-12-27 | 1999-11-22 | 株式会社東芝 | 表面処理方法 |
| EP0376252B1 (en) | 1988-12-27 | 1997-10-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of removing an oxide film on a substrate |
| US4985372A (en) | 1989-02-17 | 1991-01-15 | Tokyo Electron Limited | Method of forming conductive layer including removal of native oxide |
| IT216961Z2 (it) | 1989-03-07 | 1991-10-21 | Roltra Spa | Dispositivo attuatore per bloccaserratura elettrico |
| JP2823276B2 (ja) | 1989-03-18 | 1998-11-11 | 株式会社東芝 | Ｘ線マスクの製造方法および薄膜の内部応力制御装置 |
| US4946903A (en) | 1989-03-27 | 1990-08-07 | The Research Foundation Of State University Of Ny | Oxyfluoropolymers having chemically reactive surface functionality and increased surface energies |
| US5186718A (en) | 1989-05-19 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Staged-vacuum wafer processing system and method |
| US4987856A (en) | 1989-05-22 | 1991-01-29 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | High throughput multi station processor for multiple single wafers |
| US5061838A (en) | 1989-06-23 | 1991-10-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Toroidal electron cyclotron resonance reactor |
| US5270125A (en) | 1989-07-11 | 1993-12-14 | Redwood Microsystems, Inc. | Boron nutride membrane in wafer structure |
| US4993358A (en) | 1989-07-28 | 1991-02-19 | Watkins-Johnson Company | Chemical vapor deposition reactor and method of operation |
| US5013691A (en) | 1989-07-31 | 1991-05-07 | At&T Bell Laboratories | Anisotropic deposition of silicon dioxide |
| US5028565A (en) | 1989-08-25 | 1991-07-02 | Applied Materials, Inc. | Process for CVD deposition of tungsten layer on semiconductor wafer |
| US4994404A (en) | 1989-08-28 | 1991-02-19 | Motorola, Inc. | Method for forming a lightly-doped drain (LDD) structure in a semiconductor device |
| US4980018A (en) | 1989-11-14 | 1990-12-25 | Intel Corporation | Plasma etching process for refractory metal vias |
| EP0447155B1 (en) | 1990-03-12 | 1995-07-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer heaters for use in semi-conductor-producing apparatus, heating units using such wafer heaters, and production of heaters |
| JP2960466B2 (ja) | 1990-03-19 | 1999-10-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体デバイスの配線絶縁膜の形成方法及びその装置 |
| US5089441A (en) | 1990-04-16 | 1992-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafers |
| US5328810A (en) | 1990-05-07 | 1994-07-12 | Micron Technology, Inc. | Method for reducing, by a factor or 2-N, the minimum masking pitch of a photolithographic process |
| US5147692A (en) | 1990-05-08 | 1992-09-15 | Macdermid, Incorporated | Electroless plating of nickel onto surfaces such as copper or fused tungston |
| US5069938A (en) | 1990-06-07 | 1991-12-03 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a corrosion-resistant protective coating on aluminum substrate |
| US5238499A (en) | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
| US5083030A (en) | 1990-07-18 | 1992-01-21 | Applied Photonics Research | Double-sided radiation-assisted processing apparatus |
| JPH04228572A (ja) | 1990-08-10 | 1992-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質窒化ホウ素合成法 |
| US5235139A (en) | 1990-09-12 | 1993-08-10 | Macdermid, Incorprated | Method for fabricating printed circuits |
| US5074456A (en) | 1990-09-18 | 1991-12-24 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
| US5089442A (en) | 1990-09-20 | 1992-02-18 | At&T Bell Laboratories | Silicon dioxide deposition method using a magnetic field and both sputter deposition and plasma-enhanced cvd |
| KR930011413B1 (ko) | 1990-09-25 | 1993-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법 |
| DE69116058T2 (de) | 1990-09-27 | 1996-08-22 | At & T Corp | Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltungen |
| JPH04142738A (ja) | 1990-10-04 | 1992-05-15 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
| JPH04355917A (ja) | 1990-10-12 | 1992-12-09 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造装置 |
| US5549780A (en) | 1990-10-23 | 1996-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for plasma processing and apparatus for plasma processing |
| JPH0817171B2 (ja) | 1990-12-31 | 1996-02-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法 |
| JP2640174B2 (ja) | 1990-10-30 | 1997-08-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3206916B2 (ja) | 1990-11-28 | 2001-09-10 | 住友電気工業株式会社 | 欠陥濃度低減方法、紫外線透過用光学ガラスの製造方法及び紫外線透過用光学ガラス |
| US5279705A (en) | 1990-11-28 | 1994-01-18 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Gaseous process for selectively removing silicon nitride film |
| US5217559A (en) | 1990-12-10 | 1993-06-08 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for in-situ deep ultraviolet photon-assisted semiconductor wafer processing |
| US5578130A (en) | 1990-12-12 | 1996-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for depositing a film |
| EP0519079B1 (en) | 1991-01-08 | 1999-03-03 | Fujitsu Limited | Process for forming silicon oxide film |
| JPH04239723A (ja) | 1991-01-23 | 1992-08-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2697315B2 (ja) | 1991-01-23 | 1998-01-14 | 日本電気株式会社 | フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法 |
| JP2787142B2 (ja) | 1991-03-01 | 1998-08-13 | 上村工業 株式会社 | 無電解錫、鉛又はそれらの合金めっき方法 |
| DE4107006A1 (de) | 1991-03-05 | 1992-09-10 | Siemens Ag | Verfahren zum anisotropen trockenaetzen von aluminium bzw. aluminiumlegierungen enthaltenden leiterbahnebenen in integrierten halbleiterschaltungen |
| US5897751A (en) | 1991-03-11 | 1999-04-27 | Regents Of The University Of California | Method of fabricating boron containing coatings |
| US5330578A (en) | 1991-03-12 | 1994-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma treatment apparatus |
| US5290383A (en) | 1991-03-24 | 1994-03-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma-process system with improved end-point detecting scheme |
| JPH05508266A (ja) | 1991-04-03 | 1993-11-18 | イーストマン・コダック・カンパニー | ＧａＡｓをドライエッチングするための高耐久性マスク |
| EP0511448A1 (en) | 1991-04-30 | 1992-11-04 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for in-situ and on-line monitoring of a trench formation process |
| JPH04341568A (ja) | 1991-05-16 | 1992-11-27 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
| DE69224640T2 (de) | 1991-05-17 | 1998-10-01 | Lam Res Corp | VERFAHREN ZUR BESCHICHTUNG EINES SIOx FILMES MIT REDUZIERTER INTRINSISCHER SPANNUNG UND/ODER REDUZIERTEM WASSERSTOFFGEHALT |
| JP2699695B2 (ja) | 1991-06-07 | 1998-01-19 | 日本電気株式会社 | 化学気相成長法 |
| US5203911A (en) | 1991-06-24 | 1993-04-20 | Shipley Company Inc. | Controlled electroless plating |
| US6074512A (en) | 1991-06-27 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners |
| US6077384A (en) | 1994-08-11 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
| US5279865A (en) | 1991-06-28 | 1994-01-18 | Digital Equipment Corporation | High throughput interlevel dielectric gap filling process |
| JPH0521393A (ja) | 1991-07-11 | 1993-01-29 | Sony Corp | プラズマ処理装置 |
| JPH0562936A (ja) | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法 |
| US5240497A (en) | 1991-10-08 | 1993-08-31 | Cornell Research Foundation, Inc. | Alkaline free electroless deposition |
| US5318668A (en) | 1991-10-24 | 1994-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching method |
| JPH05226480A (ja) | 1991-12-04 | 1993-09-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5290382A (en) | 1991-12-13 | 1994-03-01 | Hughes Aircraft Company | Methods and apparatus for generating a plasma for "downstream" rapid shaping of surfaces of substrates and films |
| US5279669A (en) | 1991-12-13 | 1994-01-18 | International Business Machines Corporation | Plasma reactor for processing substrates comprising means for inducing electron cyclotron resonance (ECR) and ion cyclotron resonance (ICR) conditions |
| US5352636A (en) | 1992-01-16 | 1994-10-04 | Applied Materials, Inc. | In situ method for cleaning silicon surface and forming layer thereon in same chamber |
| US5300463A (en) | 1992-03-06 | 1994-04-05 | Micron Technology, Inc. | Method of selectively etching silicon dioxide dielectric layers on semiconductor wafers |
| JP3084497B2 (ja) | 1992-03-25 | 2000-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ＳｉＯ２膜のエッチング方法 |
| JP2773530B2 (ja) | 1992-04-15 | 1998-07-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2792335B2 (ja) | 1992-05-27 | 1998-09-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5274917A (en) | 1992-06-08 | 1994-01-04 | The Whitaker Corporation | Method of making connector with monolithic multi-contact array |
| US5880036A (en) | 1992-06-15 | 1999-03-09 | Micron Technology, Inc. | Method for enhancing oxide to nitride selectivity through the use of independent heat control |
| KR100293830B1 (ko) | 1992-06-22 | 2001-09-17 | 리차드 에이치. 로브그렌 | 플라즈마 처리 쳄버내의 잔류물 제거를 위한 플라즈마 정결방법 |
| US5252178A (en) | 1992-06-24 | 1993-10-12 | Texas Instruments Incorporated | Multi-zone plasma processing method and apparatus |
| US5534072A (en) | 1992-06-24 | 1996-07-09 | Anelva Corporation | Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates |
| US5286297A (en) | 1992-06-24 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Multi-electrode plasma processing apparatus |
| JP3688726B2 (ja) | 1992-07-17 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US5380560A (en) | 1992-07-28 | 1995-01-10 | International Business Machines Corporation | Palladium sulfate solution for the selective seeding of the metal interconnections on polyimide dielectrics for electroless metal deposition |
| US5248371A (en) | 1992-08-13 | 1993-09-28 | General Signal Corporation | Hollow-anode glow discharge apparatus |
| US5292370A (en) | 1992-08-14 | 1994-03-08 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Coupled microwave ECR and radio-frequency plasma source for plasma processing |
| US5271972A (en) | 1992-08-17 | 1993-12-21 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing ozone/TEOS silicon oxide films of reduced surface sensitivity |
| US5326427A (en) | 1992-09-11 | 1994-07-05 | Lsi Logic Corporation | Method of selectively etching titanium-containing materials on a semiconductor wafer using remote plasma generation |
| US5306530A (en) | 1992-11-23 | 1994-04-26 | Associated Universities, Inc. | Method for producing high quality thin layer films on substrates |
| JP2809018B2 (ja) | 1992-11-26 | 1998-10-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100238629B1 (ko) | 1992-12-17 | 2000-01-15 | 히가시 데쓰로 | 정전척을 가지는 재치대 및 이것을 이용한 플라즈마 처리장치 |
| US5500249A (en) | 1992-12-22 | 1996-03-19 | Applied Materials, Inc. | Uniform tungsten silicide films produced by chemical vapor deposition |
| US5756402A (en) | 1992-12-28 | 1998-05-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of etching silicon nitride film |
| US5453124A (en) | 1992-12-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
| US5624582A (en) | 1993-01-21 | 1997-04-29 | Vlsi Technology, Inc. | Optimization of dry etching through the control of helium backside pressure |
| US5366585A (en) | 1993-01-28 | 1994-11-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor |
| US5345999A (en) | 1993-03-17 | 1994-09-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cooling semiconductor wafers |
| US5302233A (en) | 1993-03-19 | 1994-04-12 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP) |
| JP3236111B2 (ja) | 1993-03-31 | 2001-12-10 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置及び処理方法 |
| US5800686A (en) | 1993-04-05 | 1998-09-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber with substrate edge protection |
| JP2664866B2 (ja) | 1993-04-09 | 1997-10-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 窒化ホウ素をエッチングする方法 |
| US5416048A (en) | 1993-04-16 | 1995-05-16 | Micron Semiconductor, Inc. | Method to slope conductor profile prior to dielectric deposition to improve dielectric step-coverage |
| EP0628644B1 (en) | 1993-05-27 | 2003-04-02 | Applied Materials, Inc. | Improvements in or relating to susceptors suitable for use in chemical vapour deposition devices |
| US5591269A (en) | 1993-06-24 | 1997-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| US5292682A (en) | 1993-07-06 | 1994-03-08 | Eastman Kodak Company | Method of making two-phase charge coupled device |
| US5413670A (en) | 1993-07-08 | 1995-05-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for plasma etching or cleaning with diluted NF3 |
| US5560779A (en) | 1993-07-12 | 1996-10-01 | Olin Corporation | Apparatus for synthesizing diamond films utilizing an arc plasma |
| WO1995002900A1 (en) | 1993-07-15 | 1995-01-26 | Astarix, Inc. | Aluminum-palladium alloy for initiation of electroless plating |
| EP0637063B1 (en) | 1993-07-30 | 1999-11-03 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing silicon nitride on silicium surfaces |
| US5483920A (en) | 1993-08-05 | 1996-01-16 | Board Of Governors Of Wayne State University | Method of forming cubic boron nitride films |
| US5685946A (en) | 1993-08-11 | 1997-11-11 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of producing buried porous silicon-geramanium layers in monocrystalline silicon lattices |
| US5468597A (en) | 1993-08-25 | 1995-11-21 | Shipley Company, L.L.C. | Selective metallization process |
| US5614055A (en) | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
| US5865896A (en) | 1993-08-27 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling |
| US5384284A (en) | 1993-10-01 | 1995-01-24 | Micron Semiconductor, Inc. | Method to form a low resistant bond pad interconnect |
| SE501888C2 (sv) | 1993-10-18 | 1995-06-12 | Ladislav Bardos | En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden |
| JPH07130713A (ja) | 1993-11-04 | 1995-05-19 | Fujitsu Ltd | ダウンフローエッチング装置 |
| JPH07161703A (ja) | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5505816A (en) | 1993-12-16 | 1996-04-09 | International Business Machines Corporation | Etching of silicon dioxide selectively to silicon nitride and polysilicon |
| JPH07193214A (ja) | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | バイアホール及びその形成方法 |
| US5415890A (en) | 1994-01-03 | 1995-05-16 | Eaton Corporation | Modular apparatus and method for surface treatment of parts with liquid baths |
| US5403434A (en) | 1994-01-06 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafer |
| JP3188363B2 (ja) | 1994-01-21 | 2001-07-16 | エフエスアイ・インターナショナル・インコーポレーテッド | 循環クーラントを用いた温度コントローラ及びそのための温度制御方法 |
| US5399237A (en) | 1994-01-27 | 1995-03-21 | Applied Materials, Inc. | Etching titanium nitride using carbon-fluoride and carbon-oxide gas |
| US5451259A (en) | 1994-02-17 | 1995-09-19 | Krogh; Ole D. | ECR plasma source for remote processing |
| US5454170A (en) | 1994-03-02 | 1995-10-03 | Vlsi Technology Inc. | Robot to pedestal alignment head |
| US5439553A (en) | 1994-03-30 | 1995-08-08 | Penn State Research Foundation | Controlled etching of oxides via gas phase reactions |
| JPH07297543A (ja) | 1994-04-25 | 1995-11-10 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | プリント配線板用金属被覆ガラスエポキシ樹脂基板 |
| DE69531880T2 (de) | 1994-04-28 | 2004-09-09 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Verfahren zum Betreiben eines CVD-Reaktors hoher Plasma-Dichte mit kombinierter induktiver und kapazitiver Einkopplung |
| US5468342A (en) | 1994-04-28 | 1995-11-21 | Cypress Semiconductor Corp. | Method of etching an oxide layer |
| US6110838A (en) | 1994-04-29 | 2000-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Isotropic polysilicon plus nitride stripping |
| US5531835A (en) | 1994-05-18 | 1996-07-02 | Applied Materials, Inc. | Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber |
| US5628829A (en) | 1994-06-03 | 1997-05-13 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films |
| US5665640A (en) | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
| US5580421A (en) | 1994-06-14 | 1996-12-03 | Fsi International | Apparatus for surface conditioning |
| US5767373A (en) | 1994-06-16 | 1998-06-16 | Novartis Finance Corporation | Manipulation of protoporphyrinogen oxidase enzyme activity in eukaryotic organisms |
| US5580385A (en) | 1994-06-30 | 1996-12-03 | Texas Instruments, Incorporated | Structure and method for incorporating an inductively coupled plasma source in a plasma processing chamber |
| JP3501524B2 (ja) | 1994-07-01 | 2004-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置の真空排気システム |
| JP3411678B2 (ja) | 1994-07-08 | 2003-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US5592358A (en) | 1994-07-18 | 1997-01-07 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck for magnetic flux processing |
| EP0697467A1 (en) | 1994-07-21 | 1996-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a deposition chamber |
| US5563105A (en) | 1994-09-30 | 1996-10-08 | International Business Machines Corporation | PECVD method of depositing fluorine doped oxide using a fluorine precursor containing a glass-forming element |
| JPH08107101A (ja) | 1994-10-03 | 1996-04-23 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US5597439A (en) | 1994-10-26 | 1997-01-28 | Applied Materials, Inc. | Process gas inlet and distribution passages |
| JPH08148470A (ja) | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5558717A (en) | 1994-11-30 | 1996-09-24 | Applied Materials | CVD Processing chamber |
| TW344897B (en) | 1994-11-30 | 1998-11-11 | At&T Tcorporation | A process for forming gate oxides possessing different thicknesses on a semiconductor substrate |
| CN1053764C (zh) | 1994-12-09 | 2000-06-21 | 中国科学院微电子中心 | 束致变蚀方法 |
| US5605637A (en) | 1994-12-15 | 1997-02-25 | Applied Materials Inc. | Adjustable dc bias control in a plasma reactor |
| EP0795048B1 (en) | 1994-12-19 | 2000-03-15 | Alcan International Limited | Cleaning aluminium workpieces |
| US5792376A (en) | 1995-01-06 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US5772770A (en) | 1995-01-27 | 1998-06-30 | Kokusai Electric Co, Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JPH08279495A (ja) | 1995-02-07 | 1996-10-22 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置及びその方法 |
| US5571576A (en) | 1995-02-10 | 1996-11-05 | Watkins-Johnson | Method of forming a fluorinated silicon oxide layer using plasma chemical vapor deposition |
| US5670066A (en) | 1995-03-17 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processing wherein workpiece position is detected prior to chuck being activated |
| US6039851A (en) | 1995-03-22 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Reactive sputter faceting of silicon dioxide to enhance gap fill of spaces between metal lines |
| US5556521A (en) | 1995-03-24 | 1996-09-17 | Sony Corporation | Sputter etching apparatus with plasma source having a dielectric pocket and contoured plasma source |
| JPH08264510A (ja) | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Toshiba Corp | シリコン窒化膜のエッチング方法およびエッチング装置 |
| US5571577A (en) | 1995-04-07 | 1996-11-05 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Method and apparatus for plasma treatment of a surface |
| JP3270852B2 (ja) | 1995-04-20 | 2002-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力調整装置及びこれを用いた部屋の連通方法 |
| JP3360098B2 (ja) | 1995-04-20 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のシャワーヘッド構造 |
| JP3386287B2 (ja) | 1995-05-08 | 2003-03-17 | 堀池 靖浩 | プラズマエッチング装置 |
| US20010028922A1 (en) | 1995-06-07 | 2001-10-11 | Sandhu Gurtej S. | High throughput ILD fill process for high aspect ratio gap fill |
| TW434745B (en) | 1995-06-07 | 2001-05-16 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus |
| JP3599204B2 (ja) | 1995-06-08 | 2004-12-08 | アネルバ株式会社 | Ｃｖｄ装置 |
| JP2814370B2 (ja) | 1995-06-18 | 1998-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US5997962A (en) | 1995-06-30 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Limited | Plasma process utilizing an electrostatic chuck |
| US5968379A (en) | 1995-07-14 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | High temperature ceramic heater assembly with RF capability and related methods |
| US6022446A (en) | 1995-08-21 | 2000-02-08 | Shan; Hongching | Shallow magnetic fields for generating circulating electrons to enhance plasma processing |
| US6197364B1 (en) | 1995-08-22 | 2001-03-06 | International Business Machines Corporation | Production of electroless Co(P) with designed coercivity |
| US5755859A (en) | 1995-08-24 | 1998-05-26 | International Business Machines Corporation | Cobalt-tin alloys and their applications for devices, chip interconnections and packaging |
| US6053982A (en) | 1995-09-01 | 2000-04-25 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
| US6228751B1 (en) | 1995-09-08 | 2001-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| US5719085A (en) | 1995-09-29 | 1998-02-17 | Intel Corporation | Shallow trench isolation technique |
| US5716506A (en) | 1995-10-06 | 1998-02-10 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Electrochemical sensors for gas detection |
| JPH09106898A (ja) | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Anelva Corp | プラズマｃｖｄ装置、プラズマ処理装置及びプラズマｃｖｄ方法 |
| US5635086A (en) | 1995-10-10 | 1997-06-03 | The Esab Group, Inc. | Laser-plasma arc metal cutting apparatus |
| JPH09106899A (ja) | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Anelva Corp | プラズマｃｖｄ装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法 |
| US5814238A (en) | 1995-10-12 | 1998-09-29 | Sandia Corporation | Method for dry etching of transition metals |
| US5910340A (en) | 1995-10-23 | 1999-06-08 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Electroless nickel plating solution and method |
| US6015724A (en) | 1995-11-02 | 2000-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Manufacturing method of a semiconductor device |
| US5648125A (en) | 1995-11-16 | 1997-07-15 | Cane; Frank N. | Electroless plating process for the manufacture of printed circuit boards |
| US5599740A (en) | 1995-11-16 | 1997-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Deposit-etch-deposit ozone/teos insulator layer method |
| JP4420986B2 (ja) | 1995-11-21 | 2010-02-24 | 株式会社東芝 | シャロウ・トレンチ分離半導体基板及びその製造方法 |
| US5846598A (en) | 1995-11-30 | 1998-12-08 | International Business Machines Corporation | Electroless plating of metallic features on nonmetallic or semiconductor layer without extraneous plating |
| JPH09153481A (ja) | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5756400A (en) | 1995-12-08 | 1998-05-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning by-products from plasma chamber surfaces |
| US5733816A (en) | 1995-12-13 | 1998-03-31 | Micron Technology, Inc. | Method for depositing a tungsten layer on silicon |
| US6261637B1 (en) | 1995-12-15 | 2001-07-17 | Enthone-Omi, Inc. | Use of palladium immersion deposition to selectively initiate electroless plating on Ti and W alloys for wafer fabrication |
| EP0811083B1 (en) | 1995-12-19 | 2000-05-31 | FSI International | Electroless deposition of metal films with spray processor |
| US5883012A (en) | 1995-12-21 | 1999-03-16 | Motorola, Inc. | Method of etching a trench into a semiconductor substrate |
| DE69623651T2 (de) | 1995-12-27 | 2003-04-24 | Lam Research Corp., Fremont | Verfahren zur füllung von gräben auf einer halbleiterscheibe |
| US5679606A (en) | 1995-12-27 | 1997-10-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | method of forming inter-metal-dielectric structure |
| WO1997024760A1 (fr) | 1995-12-28 | 1997-07-10 | Nippon Sanso Corporation | Procede et dispositif de transfert de substrats en plaques minces |
| US6191026B1 (en) | 1996-01-09 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Method for submicron gap filling on a semiconductor substrate |
| US5824599A (en) | 1996-01-16 | 1998-10-20 | Cornell Research Foundation, Inc. | Protected encapsulation of catalytic layer for electroless copper interconnect |
| US5674787A (en) | 1996-01-16 | 1997-10-07 | Sematech, Inc. | Selective electroless copper deposited interconnect plugs for ULSI applications |
| US5891513A (en) | 1996-01-16 | 1999-04-06 | Cornell Research Foundation | Electroless CU deposition on a barrier layer by CU contact displacement for ULSI applications |
| US6036878A (en) | 1996-02-02 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna |
| US5872052A (en) | 1996-02-12 | 1999-02-16 | Micron Technology, Inc. | Planarization using plasma oxidized amorphous silicon |
| US5648175A (en) | 1996-02-14 | 1997-07-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition reactor system and integrated circuit |
| US6004884A (en) | 1996-02-15 | 1999-12-21 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for etching semiconductor wafers |
| US6200412B1 (en) | 1996-02-16 | 2001-03-13 | Novellus Systems, Inc. | Chemical vapor deposition system including dedicated cleaning gas injection |
| TW335517B (en) | 1996-03-01 | 1998-07-01 | Hitachi Ltd | Apparatus and method for processing plasma |
| US5656093A (en) | 1996-03-08 | 1997-08-12 | Applied Materials, Inc. | Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same |
| JPH09260356A (ja) | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法 |
| US6065425A (en) | 1996-03-25 | 2000-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma process apparatus and plasma process method |
| DE69739101D1 (de) | 1996-03-25 | 2008-12-24 | S George Lesinski | Microantriebsbefestigung für implantierbares hörhilfegerät |
| US5858876A (en) | 1996-04-01 | 1999-01-12 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Simultaneous deposit and etch method for forming a void-free and gap-filling insulator layer upon a patterned substrate layer |
| US5712185A (en) | 1996-04-23 | 1998-01-27 | United Microelectronics | Method for forming shallow trench isolation |
| US5843847A (en) | 1996-04-29 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Method for etching dielectric layers with high selectivity and low microloading |
| US6176667B1 (en) | 1996-04-30 | 2001-01-23 | Applied Materials, Inc. | Multideck wafer processing system |
| KR100230981B1 (ko) | 1996-05-08 | 1999-11-15 | 김광호 | 반도체장치 제조공정의 플라즈마 식각 방법 |
| US5660957A (en) | 1996-05-16 | 1997-08-26 | Fujitsu Limited | Electron-beam treatment procedure for patterned mask layers |
| US6313035B1 (en) | 1996-05-31 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition using organometallic precursors |
| US6048798A (en) | 1996-06-05 | 2000-04-11 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing process drift in inductive coupled plasma etching such as oxide layer |
| US5820723A (en) | 1996-06-05 | 1998-10-13 | Lam Research Corporation | Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support |
| US5863376A (en) | 1996-06-05 | 1999-01-26 | Lam Research Corporation | Temperature controlling method and apparatus for a plasma processing chamber |
| TW409152B (en) | 1996-06-13 | 2000-10-21 | Samsung Electronic | Etching gas composition for ferroelectric capacitor electrode film and method for etching a transition metal thin film |
| US5846373A (en) | 1996-06-28 | 1998-12-08 | Lam Research Corporation | Method for monitoring process endpoints in a plasma chamber and a process monitoring arrangement in a plasma chamber |
| US5885358A (en) | 1996-07-09 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
| US6209480B1 (en) | 1996-07-10 | 2001-04-03 | Mehrdad M. Moslehi | Hermetically-sealed inductively-coupled plasma source structure and method of use |
| US5846883A (en) | 1996-07-10 | 1998-12-08 | Cvc, Inc. | Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation |
| US5846332A (en) | 1996-07-12 | 1998-12-08 | Applied Materials, Inc. | Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber |
| US5993916A (en) | 1996-07-12 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Method for substrate processing with improved throughput and yield |
| US6170428B1 (en) | 1996-07-15 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor |
| US5781693A (en) | 1996-07-24 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween |
| US5868897A (en) | 1996-07-31 | 1999-02-09 | Toyo Technologies, Inc. | Device and method for processing a plasma to alter the surface of a substrate using neutrals |
| US20010012700A1 (en) | 1998-12-15 | 2001-08-09 | Klaus F. Schuegraf | Semiconductor processing methods of chemical vapor depositing sio2 on a substrate |
| JPH1079372A (ja) | 1996-09-03 | 1998-03-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US5661093A (en) | 1996-09-12 | 1997-08-26 | Applied Materials, Inc. | Method for the stabilization of halogen-doped films through the use of multiple sealing layers |
| US5888906A (en) | 1996-09-16 | 1999-03-30 | Micron Technology, Inc. | Plasmaless dry contact cleaning method using interhalogen compounds |
| US5747373A (en) | 1996-09-24 | 1998-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Nitride-oxide sidewall spacer for salicide formation |
| US5846375A (en) | 1996-09-26 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Area specific temperature control for electrode plates and chucks used in semiconductor processing equipment |
| US5835334A (en) | 1996-09-30 | 1998-11-10 | Lam Research | Variable high temperature chuck for high density plasma chemical vapor deposition |
| US5904827A (en) | 1996-10-15 | 1999-05-18 | Reynolds Tech Fabricators, Inc. | Plating cell with rotary wiper and megasonic transducer |
| US6308654B1 (en) | 1996-10-18 | 2001-10-30 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled parallel-plate plasma reactor with a conical dome |
| US5951776A (en) | 1996-10-25 | 1999-09-14 | Applied Materials, Inc. | Self aligning lift mechanism |
| KR100237825B1 (ko) | 1996-11-05 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조설비의 페디스탈 |
| US5804259A (en) | 1996-11-07 | 1998-09-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing a multilayered low dielectric constant film |
| US5968587A (en) | 1996-11-13 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for controlling the temperature of a vapor deposition apparatus |
| US5935334A (en) | 1996-11-13 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing apparatus with bottom-mounted remote plasma system |
| US5994209A (en) | 1996-11-13 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming ultra-shallow doped regions using doped silicon oxide films |
| US6019848A (en) | 1996-11-13 | 2000-02-01 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for high temperature processing chamber |
| US5935340A (en) | 1996-11-13 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for gettering fluorine from chamber material surfaces |
| US5812403A (en) | 1996-11-13 | 1998-09-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cleaning surfaces in a substrate processing system |
| US5939831A (en) | 1996-11-13 | 1999-08-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for pre-stabilized plasma generation for microwave clean applications |
| US6114216A (en) | 1996-11-13 | 2000-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods for shallow trench isolation |
| US5963840A (en) | 1996-11-13 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing premetal dielectric layer at sub-atmospheric and high temperature conditions |
| US5873781A (en) | 1996-11-14 | 1999-02-23 | Bally Gaming International, Inc. | Gaming machine having truly random results |
| US5882786A (en) | 1996-11-15 | 1999-03-16 | C3, Inc. | Gemstones formed of silicon carbide with diamond coating |
| US5830805A (en) | 1996-11-18 | 1998-11-03 | Cornell Research Foundation | Electroless deposition equipment or apparatus and method of performing electroless deposition |
| US6152070A (en) | 1996-11-18 | 2000-11-28 | Applied Materials, Inc. | Tandem process chamber |
| US5844195A (en) | 1996-11-18 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source |
| US5855681A (en) | 1996-11-18 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Ultra high throughput wafer vacuum processing system |
| US5695810A (en) | 1996-11-20 | 1997-12-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Use of cobalt tungsten phosphide as a barrier material for copper metallization |
| FR2756663B1 (fr) | 1996-12-04 | 1999-02-26 | Berenguer Marc | Procede de traitement d'un substrat semi-conducteur comprenant une etape de traitement de surface |
| US5951896A (en) | 1996-12-04 | 1999-09-14 | Micro C Technologies, Inc. | Rapid thermal processing heater technology and method of use |
| JPH10172792A (ja) | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6312554B1 (en) | 1996-12-05 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling the ratio of reactive to non-reactive ions in a semiconductor wafer processing chamber |
| US5843538A (en) | 1996-12-09 | 1998-12-01 | John L. Raymond | Method for electroless nickel plating of metal substrates |
| DE19651646C2 (de) | 1996-12-12 | 2002-07-11 | Deutsch Zentr Luft & Raumfahrt | Verfahren zum Einblasen einer ersten und zweiten Brennstoffkomponente und Einblaskopf |
| US6120640A (en) | 1996-12-19 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Boron carbide parts and coatings in a plasma reactor |
| US5948702A (en) | 1996-12-19 | 1999-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Selective removal of TixNy |
| US5953635A (en) | 1996-12-19 | 1999-09-14 | Intel Corporation | Interlayer dielectric with a composite dielectric stack |
| US5913140A (en) | 1996-12-23 | 1999-06-15 | Lam Research Corporation | Method for reduction of plasma charging damage during chemical vapor deposition |
| KR100234539B1 (ko) | 1996-12-24 | 1999-12-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 식각 장치 |
| US5788825A (en) | 1996-12-30 | 1998-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Vacuum pumping system for a sputtering device |
| US5955037A (en) | 1996-12-31 | 1999-09-21 | Atmi Ecosys Corporation | Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases |
| DE19700231C2 (de) | 1997-01-07 | 2001-10-04 | Geesthacht Gkss Forschung | Vorrichtung zum Filtern und Trennen von Strömungsmedien |
| TW415970B (en) | 1997-01-08 | 2000-12-21 | Ebara Corp | Vapor-phase film growth apparatus and gas ejection head |
| US5913147A (en) | 1997-01-21 | 1999-06-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for fabricating copper-aluminum metallization |
| US5882424A (en) | 1997-01-21 | 1999-03-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma cleaning of a CVD or etch reactor using a low or mixed frequency excitation field |
| JPH10223608A (ja) | 1997-02-04 | 1998-08-21 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5800621A (en) | 1997-02-10 | 1998-09-01 | Applied Materials, Inc. | Plasma source for HDP-CVD chamber |
| US6035101A (en) | 1997-02-12 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods |
| US6013584A (en) | 1997-02-19 | 2000-01-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming HDP-CVD PSG film used for advanced pre-metal dielectric layer applications |
| US5990000A (en) | 1997-02-20 | 1999-11-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving gap-fill capability using chemical and physical etchbacks |
| DE19706682C2 (de) | 1997-02-20 | 1999-01-14 | Bosch Gmbh Robert | Anisotropes fluorbasiertes Plasmaätzverfahren für Silizium |
| US6190233B1 (en) | 1997-02-20 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving gap-fill capability using chemical and physical etchbacks |
| US6479373B2 (en) | 1997-02-20 | 2002-11-12 | Infineon Technologies Ag | Method of structuring layers with a polysilicon layer and an overlying metal or metal silicide layer using a three step etching process with fluorine, chlorine, bromine containing gases |
| US6328803B2 (en) | 1997-02-21 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling rate of pressure change in a vacuum process chamber |
| US6059643A (en) | 1997-02-21 | 2000-05-09 | Aplex, Inc. | Apparatus and method for polishing a flat surface using a belted polishing pad |
| US6267074B1 (en) | 1997-02-24 | 2001-07-31 | Foi Corporation | Plasma treatment systems |
| KR100295518B1 (ko) | 1997-02-25 | 2001-11-30 | 아끼구사 나오유끼 | 질화실리콘층의에칭방법및반도체장치의제조방법 |
| US5789300A (en) | 1997-02-25 | 1998-08-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making IGFETs in densely and sparsely populated areas of a substrate |
| US6039834A (en) | 1997-03-05 | 2000-03-21 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source |
| TW418461B (en) | 1997-03-07 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma etching device |
| US5850105A (en) | 1997-03-21 | 1998-12-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Substantially planar semiconductor topography using dielectrics and chemical mechanical polish |
| TW376547B (en) | 1997-03-27 | 1999-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for plasma processing |
| US6017414A (en) | 1997-03-31 | 2000-01-25 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for detecting and controlling in situ cleaning time of vacuum processing chambers |
| US6030666A (en) | 1997-03-31 | 2000-02-29 | Lam Research Corporation | Method for microwave plasma substrate heating |
| US5786276A (en) | 1997-03-31 | 1998-07-28 | Applied Materials, Inc. | Selective plasma etching of silicon nitride in presence of silicon or silicon oxides using mixture of CH3F or CH2F2 and CF4 and O2 |
| US5968610A (en) | 1997-04-02 | 1999-10-19 | United Microelectronics Corp. | Multi-step high density plasma chemical vapor deposition process |
| JPH10284360A (ja) | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Hitachi Ltd | 基板温度制御装置及び方法 |
| US5866483A (en) | 1997-04-04 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | Method for anisotropically etching tungsten using SF6, CHF3, and N2 |
| US6174450B1 (en) | 1997-04-16 | 2001-01-16 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for controlling ion energy and plasma density in a plasma processing system |
| US6143158A (en) | 1997-04-25 | 2000-11-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for producing an aluminum support for a lithographic printing plate |
| US6204200B1 (en) | 1997-05-05 | 2001-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Process scheme to form controlled airgaps between interconnect lines to reduce capacitance |
| US6149828A (en) | 1997-05-05 | 2000-11-21 | Micron Technology, Inc. | Supercritical etching compositions and method of using same |
| US5969422A (en) | 1997-05-15 | 1999-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Plated copper interconnect structure |
| US5838055A (en) | 1997-05-29 | 1998-11-17 | International Business Machines Corporation | Trench sidewall patterned by vapor phase etching |
| US6083344A (en) | 1997-05-29 | 2000-07-04 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone RF inductively coupled source configuration |
| US6189483B1 (en) | 1997-05-29 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Process kit |
| US6136685A (en) | 1997-06-03 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | High deposition rate recipe for low dielectric constant films |
| US5937323A (en) | 1997-06-03 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Sequencing of the recipe steps for the optimal low-k HDP-CVD processing |
| US6706334B1 (en) | 1997-06-04 | 2004-03-16 | Tokyo Electron Limited | Processing method and apparatus for removing oxide film |
| US5872058A (en) | 1997-06-17 | 1999-02-16 | Novellus Systems, Inc. | High aspect ratio gapfill process by using HDP |
| US5885749A (en) | 1997-06-20 | 1999-03-23 | Clear Logic, Inc. | Method of customizing integrated circuits by selective secondary deposition of layer interconnect material |
| US5933757A (en) | 1997-06-23 | 1999-08-03 | Lsi Logic Corporation | Etch process selective to cobalt silicide for formation of integrated circuit structures |
| US6388226B1 (en) | 1997-06-26 | 2002-05-14 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
| US6150628A (en) | 1997-06-26 | 2000-11-21 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
| US6815633B1 (en) | 1997-06-26 | 2004-11-09 | Applied Science & Technology, Inc. | Inductively-coupled toroidal plasma source |
| US6518155B1 (en) | 1997-06-30 | 2003-02-11 | Intel Corporation | Device structure and method for reducing silicide encroachment |
| US6184121B1 (en) | 1997-07-10 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Chip interconnect wiring structure with low dielectric constant insulator and methods for fabricating the same |
| US5944049A (en) | 1997-07-15 | 1999-08-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for regulating a pressure in a chamber |
| JPH1136076A (ja) | 1997-07-16 | 1999-02-09 | Tokyo Electron Ltd | Ｃｖｄ成膜装置およびｃｖｄ成膜方法 |
| US5982100A (en) | 1997-07-28 | 1999-11-09 | Pars, Inc. | Inductively coupled plasma reactor |
| US6090212A (en) | 1997-08-15 | 2000-07-18 | Micro C Technologies, Inc. | Substrate platform for a semiconductor substrate during rapid high temperature processing and method of supporting a substrate |
| US6007635A (en) | 1997-11-26 | 1999-12-28 | Micro C Technologies, Inc. | Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing |
| US5814365A (en) | 1997-08-15 | 1998-09-29 | Micro C Technologies, Inc. | Reactor and method of processing a semiconductor substate |
| US5926737A (en) | 1997-08-19 | 1999-07-20 | Tokyo Electron Limited | Use of TiCl4 etchback process during integrated CVD-Ti/TiN wafer processing |
| US6080446A (en) | 1997-08-21 | 2000-06-27 | Anelva Corporation | Method of depositing titanium nitride thin film and CVD deposition apparatus |
| US6258170B1 (en) | 1997-09-11 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Vaporization and deposition apparatus |
| US6063688A (en) | 1997-09-29 | 2000-05-16 | Intel Corporation | Fabrication of deep submicron structures and quantum wire transistors using hard-mask transistor width definition |
| US6161500A (en) | 1997-09-30 | 2000-12-19 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for preventing the premature mixture of reactant gases in CVD and PECVD reactions |
| US6364957B1 (en) | 1997-10-09 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Support assembly with thermal expansion compensation |
| US6688375B1 (en) | 1997-10-14 | 2004-02-10 | Applied Materials, Inc. | Vacuum processing system having improved substrate heating and cooling |
| JP3874911B2 (ja) | 1997-10-15 | 2007-01-31 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘマテリアル | 微小プラスチック球へのめっき方法 |
| GB9722028D0 (en) | 1997-10-17 | 1997-12-17 | Shipley Company Ll C | Plating of polymers |
| US6110556A (en) | 1997-10-17 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a process chamber employing asymmetric flow geometries |
| US6379575B1 (en) | 1997-10-21 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Treatment of etching chambers using activated cleaning gas |
| US6136693A (en) | 1997-10-27 | 2000-10-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method for planarized interconnect vias using electroless plating and CMP |
| US6013191A (en) | 1997-10-27 | 2000-01-11 | Advanced Refractory Technologies, Inc. | Method of polishing CVD diamond films by oxygen plasma |
| US6379576B2 (en) | 1997-11-17 | 2002-04-30 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for variable mode plasma enhanced processing of semiconductor wafers |
| US6063712A (en) | 1997-11-25 | 2000-05-16 | Micron Technology, Inc. | Oxide etch and method of etching |
| US5849639A (en) | 1997-11-26 | 1998-12-15 | Lucent Technologies Inc. | Method for removing etching residues and contaminants |
| US6136165A (en) | 1997-11-26 | 2000-10-24 | Cvc Products, Inc. | Apparatus for inductively-coupled-plasma-enhanced ionized physical-vapor deposition |
| US6079356A (en) | 1997-12-02 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Reactor optimized for chemical vapor deposition of titanium |
| US6077780A (en) | 1997-12-03 | 2000-06-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for filling high aspect ratio openings of an integrated circuit to minimize electromigration failure |
| US6143476A (en) | 1997-12-12 | 2000-11-07 | Applied Materials Inc | Method for high temperature etching of patterned layers using an organic mask stack |
| US5976327A (en) | 1997-12-12 | 1999-11-02 | Applied Materials, Inc. | Step coverage and overhang improvement by pedestal bias voltage modulation |
| US6083844A (en) | 1997-12-22 | 2000-07-04 | Lam Research Corporation | Techniques for etching an oxide layer |
| US6415858B1 (en) | 1997-12-31 | 2002-07-09 | Temptronic Corporation | Temperature control system for a workpiece chuck |
| US6406759B1 (en) | 1998-01-08 | 2002-06-18 | The University Of Tennessee Research Corporation | Remote exposure of workpieces using a recirculated plasma |
| JPH11204442A (ja) | 1998-01-12 | 1999-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
| US6140234A (en) | 1998-01-20 | 2000-10-31 | International Business Machines Corporation | Method to selectively fill recesses with conductive metal |
| US6635578B1 (en) | 1998-02-09 | 2003-10-21 | Applied Materials, Inc | Method of operating a dual chamber reactor with neutral density decoupled from ion density |
| US5932077A (en) | 1998-02-09 | 1999-08-03 | Reynolds Tech Fabricators, Inc. | Plating cell with horizontal product load mechanism |
| US6074514A (en) | 1998-02-09 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | High selectivity etch using an external plasma discharge |
| US6186091B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-02-13 | Silicon Genesis Corporation | Shielded platen design for plasma immersion ion implantation |
| US6054379A (en) | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
| US6340435B1 (en) | 1998-02-11 | 2002-01-22 | Applied Materials, Inc. | Integrated low K dielectrics and etch stops |
| US6627532B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition |
| US6197688B1 (en) | 1998-02-12 | 2001-03-06 | Motorola Inc. | Interconnect structure in a semiconductor device and method of formation |
| US6171661B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | Deposition of copper with increased adhesion |
| JP4151862B2 (ja) | 1998-02-26 | 2008-09-17 | キヤノンアネルバ株式会社 | Ｃｖｄ装置 |
| US6892669B2 (en) | 1998-02-26 | 2005-05-17 | Anelva Corporation | CVD apparatus |
| JP4217299B2 (ja) | 1998-03-06 | 2009-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US6177222B1 (en) | 1998-03-12 | 2001-01-23 | Xerox Corporation | Coated photographic papers |
| US6551939B2 (en) | 1998-03-17 | 2003-04-22 | Anneal Corporation | Plasma surface treatment method and resulting device |
| US5920792A (en) | 1998-03-19 | 1999-07-06 | Winbond Electronics Corp | High density plasma enhanced chemical vapor deposition process in combination with chemical mechanical polishing process for preparation and planarization of intemetal dielectric layers |
| US6565729B2 (en) | 1998-03-20 | 2003-05-20 | Semitool, Inc. | Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece |
| US6194038B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method for deposition of a conformal layer on a substrate |
| US6197181B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-03-06 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for electrolytically depositing a metal on a microelectronic workpiece |
| US6602434B1 (en) | 1998-03-27 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxide using hexafluorobutadiene or related fluorocarbons and manifesting a wide process window |
| US6203657B1 (en) | 1998-03-31 | 2001-03-20 | Lam Research Corporation | Inductively coupled plasma downstream strip module |
| US6395150B1 (en) | 1998-04-01 | 2002-05-28 | Novellus Systems, Inc. | Very high aspect ratio gapfill using HDP |
| JP2002510878A (ja) | 1998-04-02 | 2002-04-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 低ｋ誘電体をエッチングする方法 |
| JP2976965B2 (ja) | 1998-04-02 | 1999-11-10 | 日新電機株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| US6198616B1 (en) | 1998-04-03 | 2001-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supplying a chucking voltage to an electrostatic chuck within a semiconductor wafer processing system |
| US6174810B1 (en) | 1998-04-06 | 2001-01-16 | Motorola, Inc. | Copper interconnect structure and method of formation |
| US6117245A (en) | 1998-04-08 | 2000-09-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling cooling and heating fluids for a gas distribution plate |
| US5997649A (en) | 1998-04-09 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Limited | Stacked showerhead assembly for delivering gases and RF power to a reaction chamber |
| US6184489B1 (en) | 1998-04-13 | 2001-02-06 | Nec Corporation | Particle-removing apparatus for a semiconductor device manufacturing apparatus and method of removing particles |
| US6113771A (en) | 1998-04-21 | 2000-09-05 | Applied Materials, Inc. | Electro deposition chemistry |
| US6416647B1 (en) | 1998-04-21 | 2002-07-09 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
| US6077386A (en) | 1998-04-23 | 2000-06-20 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
| US6179924B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten |
| US6093594A (en) | 1998-04-29 | 2000-07-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | CMOS optimization method utilizing sacrificial sidewall spacer |
| US6081414A (en) | 1998-05-01 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system |
| US6030881A (en) | 1998-05-05 | 2000-02-29 | Novellus Systems, Inc. | High throughput chemical vapor deposition process capable of filling high aspect ratio structures |
| US6218288B1 (en) | 1998-05-11 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Multiple step methods for forming conformal layers |
| KR100505310B1 (ko) | 1998-05-13 | 2005-08-04 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 성막 장치 및 방법 |
| US6509283B1 (en) | 1998-05-13 | 2003-01-21 | National Semiconductor Corporation | Thermal oxidation method utilizing atomic oxygen to reduce dangling bonds in silicon dioxide grown on silicon |
| US6007785A (en) | 1998-05-20 | 1999-12-28 | Academia Sinica | Apparatus for efficient ozone generation |
| EP0959496B1 (en) | 1998-05-22 | 2006-07-19 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming self-planarized dielectric layer for shallow trench isolation |
| US6148761A (en) | 1998-06-16 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Dual channel gas distribution plate |
| US6086677A (en) | 1998-06-16 | 2000-07-11 | Applied Materials, Inc. | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
| KR100296137B1 (ko) | 1998-06-16 | 2001-08-07 | 박종섭 | 보호막으로서고밀도플라즈마화학기상증착에의한절연막을갖는반도체소자제조방법 |
| US6302964B1 (en) | 1998-06-16 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | One-piece dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
| JP2000012514A (ja) | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Hitachi Ltd | 後処理方法 |
| US6147009A (en) | 1998-06-29 | 2000-11-14 | International Business Machines Corporation | Hydrogenated oxidized silicon carbon material |
| US6562128B1 (en) | 2001-11-28 | 2003-05-13 | Seh America, Inc. | In-situ post epitaxial treatment process |
| JP2003517190A (ja) | 1998-06-30 | 2003-05-20 | セミトウール・インコーポレーテツド | ミクロ電子工学の適用のための金属被覆構造物及びその構造物の形成法 |
| US6037018A (en) | 1998-07-01 | 2000-03-14 | Taiwan Semiconductor Maufacturing Company | Shallow trench isolation filled by high density plasma chemical vapor deposition |
| US6248429B1 (en) | 1998-07-06 | 2001-06-19 | Micron Technology, Inc. | Metallized recess in a substrate |
| JP2000026975A (ja) | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Komatsu Ltd | 表面処理装置 |
| KR100265866B1 (ko) | 1998-07-11 | 2000-12-01 | 황철주 | 반도체 제조장치 |
| US6182603B1 (en) | 1998-07-13 | 2001-02-06 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber |
| US6063683A (en) | 1998-07-27 | 2000-05-16 | Acer Semiconductor Manufacturing, Inc. | Method of fabricating a self-aligned crown-shaped capacitor for high density DRAM cells |
| US6436816B1 (en) | 1998-07-31 | 2002-08-20 | Industrial Technology Research Institute | Method of electroless plating copper on nitride barrier |
| US6162370A (en) | 1998-08-28 | 2000-12-19 | Ashland Inc. | Composition and method for selectively etching a silicon nitride film |
| US6074954A (en) | 1998-08-31 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc | Process for control of the shape of the etch front in the etching of polysilicon |
| US6383951B1 (en) | 1998-09-03 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Low dielectric constant material for integrated circuit fabrication |
| US6440863B1 (en) | 1998-09-04 | 2002-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Plasma etch method for forming patterned oxygen containing plasma etchable layer |
| US6165912A (en) | 1998-09-17 | 2000-12-26 | Cfmt, Inc. | Electroless metal deposition of electronic components in an enclosable vessel |
| US6037266A (en) | 1998-09-28 | 2000-03-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for patterning a polysilicon gate with a thin gate oxide in a polysilicon etcher |
| JP3725708B2 (ja) | 1998-09-29 | 2005-12-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US6170429B1 (en) | 1998-09-30 | 2001-01-09 | Lam Research Corporation | Chamber liner for semiconductor process chambers |
| US6277733B1 (en) | 1998-10-05 | 2001-08-21 | Texas Instruments Incorporated | Oxygen-free, dry plasma process for polymer removal |
| JP3764594B2 (ja) | 1998-10-12 | 2006-04-12 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法 |
| US6180523B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-01-30 | Industrial Technology Research Institute | Copper metallization of USLI by electroless process |
| US6228758B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-05-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making dual damascene conductive interconnections and integrated circuit device comprising same |
| US6251802B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-06-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming carbon-containing layers |
| US6107199A (en) | 1998-10-24 | 2000-08-22 | International Business Machines Corporation | Method for improving the morphology of refractory metal thin films |
| US20030101938A1 (en) | 1998-10-27 | 2003-06-05 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for the deposition of high dielectric constant films |
| US6454860B2 (en) | 1998-10-27 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Deposition reactor having vaporizing, mixing and cleaning capabilities |
| JP3064268B2 (ja) | 1998-10-29 | 2000-07-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 成膜方法及び装置 |
| US6176198B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-01-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for depositing low K dielectric materials |
| US6462371B1 (en) | 1998-11-24 | 2002-10-08 | Micron Technology Inc. | Films doped with carbon for use in integrated circuit technology |
| US6203863B1 (en) | 1998-11-27 | 2001-03-20 | United Microelectronics Corp. | Method of gap filling |
| US6251236B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Cathode contact ring for electrochemical deposition |
| US6258220B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system |
| US6228233B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Inflatable compliant bladder assembly |
| US6015747A (en) | 1998-12-07 | 2000-01-18 | Advanced Micro Device | Method of metal/polysilicon gate formation in a field effect transistor |
| US6242349B1 (en) | 1998-12-09 | 2001-06-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming copper/copper alloy interconnection with reduced electromigration |
| US6364954B2 (en) | 1998-12-14 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | High temperature chemical vapor deposition chamber |
| DE59914708D1 (de) | 1998-12-24 | 2008-05-08 | Atmel Germany Gmbh | Verfahren zum anisotropen plasmachemischen Trockenätzen von Siliziumnitrid-Schichten mittels eines Fluor-enthaltenden Gasgemisches |
| US6178919B1 (en) | 1998-12-28 | 2001-01-30 | Lam Research Corporation | Perforated plasma confinement ring in plasma reactors |
| KR20000044928A (ko) | 1998-12-30 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 트랜치 형성 방법 |
| DE19901210A1 (de) | 1999-01-14 | 2000-07-27 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| KR100331544B1 (ko) | 1999-01-18 | 2002-04-06 | 윤종용 | 반응챔버에 가스를 유입하는 방법 및 이에 사용되는 샤워헤드 |
| US6499425B1 (en) | 1999-01-22 | 2002-12-31 | Micron Technology, Inc. | Quasi-remote plasma processing method and apparatus |
| TW428256B (en) | 1999-01-25 | 2001-04-01 | United Microelectronics Corp | Structure of conducting-wire layer and its fabricating method |
| JP3330554B2 (ja) | 1999-01-27 | 2002-09-30 | 松下電器産業株式会社 | エッチング方法 |
| US6245669B1 (en) | 1999-02-05 | 2001-06-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | High selectivity Si-rich SiON etch-stop layer |
| US6740247B1 (en) | 1999-02-05 | 2004-05-25 | Massachusetts Institute Of Technology | HF vapor phase wafer cleaning and oxide etching |
| KR100322545B1 (ko) | 1999-02-10 | 2002-03-18 | 윤종용 | 건식 세정 공정을 전 공정으로 이용하는 반도체 장치의콘택홀 채움 방법 |
| US6010962A (en) | 1999-02-12 | 2000-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Copper chemical-mechanical-polishing (CMP) dishing |
| US6245670B1 (en) | 1999-02-19 | 2001-06-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for filling a dual damascene opening having high aspect ratio to minimize electromigration failure |
| TW469534B (en) | 1999-02-23 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma processing method and apparatus |
| US6291282B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-09-18 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming dual metal gate structures or CMOS devices |
| TW582050B (en) | 1999-03-03 | 2004-04-01 | Ebara Corp | Apparatus and method for processing substrate |
| US6136163A (en) | 1999-03-05 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber |
| US6312995B1 (en) | 1999-03-08 | 2001-11-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | MOS transistor with assisted-gates and ultra-shallow “Psuedo” source and drain extensions for ultra-large-scale integration |
| US6468604B1 (en) | 1999-03-17 | 2002-10-22 | Anelva Corporation | Method for manufacturing a titanium nitride thin film |
| US6197705B1 (en) | 1999-03-18 | 2001-03-06 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method of silicon oxide and silicon glass films deposition |
| US6797189B2 (en) | 1999-03-25 | 2004-09-28 | Hoiman (Raymond) Hung | Enhancement of silicon oxide etch rate and nitride selectivity using hexafluorobutadiene or other heavy perfluorocarbon |
| US6238582B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-05-29 | Veeco Instruments, Inc. | Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method |
| US6144099A (en) | 1999-03-30 | 2000-11-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor metalization barrier |
| JP2000290777A (ja) | 1999-04-07 | 2000-10-17 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置、バッフル部材、及びガス処理方法 |
| US6263830B1 (en) | 1999-04-12 | 2001-07-24 | Matrix Integrated Systems, Inc. | Microwave choke for remote plasma generator |
| US6099697A (en) | 1999-04-13 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Method of and apparatus for restoring a support surface in a semiconductor wafer processing system |
| US6110836A (en) | 1999-04-22 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Reactive plasma etch cleaning of high aspect ratio openings |
| US6450116B1 (en) | 1999-04-22 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for exposing a substrate to plasma radicals |
| US6110832A (en) | 1999-04-28 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for slurry polishing |
| JP3965258B2 (ja) | 1999-04-30 | 2007-08-29 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用のセラミックス製ガス供給構造 |
| US6541671B1 (en) | 2002-02-13 | 2003-04-01 | The Regents Of The University Of California | Synthesis of 2H- and 13C-substituted dithanes |
| JP3099066B1 (ja) | 1999-05-07 | 2000-10-16 | 東京工業大学長 | 薄膜構造体の製造方法 |
| US6490146B2 (en) | 1999-05-07 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Electrostatic chuck bonded to base with a bond layer and method |
| US6310755B1 (en) | 1999-05-07 | 2001-10-30 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck having gas cavity and method |
| JP3482904B2 (ja) | 1999-05-10 | 2004-01-06 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法及び装置 |
| US7091605B2 (en) | 2001-09-21 | 2006-08-15 | Eastman Kodak Company | Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication |
| US6129829A (en) | 1999-05-14 | 2000-10-10 | Thompson; Donald E. | Electrostatic filter for dielectric fluid |
| EP1198610A4 (en) | 1999-05-14 | 2004-04-07 | Univ California | PLASMA POWER GENERATING DEVICE WITH A LARGE PRESSURE RANGE AT LOW TEMPERATURES |
| JP2000331993A (ja) | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
| US6464795B1 (en) | 1999-05-21 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate support member for a processing chamber |
| US6323128B1 (en) | 1999-05-26 | 2001-11-27 | International Business Machines Corporation | Method for forming Co-W-P-Au films |
| EP1879213B1 (en) | 1999-05-26 | 2012-03-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP3320685B2 (ja) | 1999-06-02 | 2002-09-03 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | 微細パターン形成方法 |
| US6916399B1 (en) | 1999-06-03 | 2005-07-12 | Applied Materials Inc | Temperature controlled window with a fluid supply system |
| US6565661B1 (en) | 1999-06-04 | 2003-05-20 | Simplus Systems Corporation | High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method |
| US20020033233A1 (en) | 1999-06-08 | 2002-03-21 | Stephen E. Savas | Icp reactor having a conically-shaped plasma-generating section |
| US6174812B1 (en) | 1999-06-08 | 2001-01-16 | United Microelectronics Corp. | Copper damascene technology for ultra large scale integration circuits |
| US6367413B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-04-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for monitoring substrate biasing during plasma processing of a substrate |
| US6821571B2 (en) | 1999-06-18 | 2004-11-23 | Applied Materials Inc. | Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers |
| US6161576A (en) | 1999-06-23 | 2000-12-19 | Mks Instruments, Inc. | Integrated turbo pump and control valve system |
| US6110530A (en) | 1999-06-25 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | CVD method of depositing copper films by using improved organocopper precursor blend |
| FR2795555B1 (fr) | 1999-06-28 | 2002-12-13 | France Telecom | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant un empilement forme alternativement de couches de silicium et de couches de materiau dielectrique |
| US6277752B1 (en) | 1999-06-28 | 2001-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Multiple etch method for forming residue free patterned hard mask layer |
| US6242360B1 (en) | 1999-06-29 | 2001-06-05 | Lam Research Corporation | Plasma processing system apparatus, and method for delivering RF power to a plasma processing |
| US6444083B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-09-03 | Lam Research Corporation | Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| US6245192B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
| US6415736B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-07-09 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
| US6516815B1 (en) | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
| US6258223B1 (en) | 1999-07-09 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | In-situ electroless copper seed layer enhancement in an electroplating system |
| US6352081B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-03-05 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a semiconductor device processing chamber after a copper etch process |
| US6351013B1 (en) | 1999-07-13 | 2002-02-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low-K sub spacer pocket formation for gate capacitance reduction |
| US6342733B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-01-29 | International Business Machines Corporation | Reduced electromigration and stressed induced migration of Cu wires by surface coating |
| US6281135B1 (en) | 1999-08-05 | 2001-08-28 | Axcelis Technologies, Inc. | Oxygen free plasma stripping process |
| US6237527B1 (en) | 1999-08-06 | 2001-05-29 | Axcelis Technologies, Inc. | System for improving energy purity and implant consistency, and for minimizing charge accumulation of an implanted substrate |
| US6235643B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Method for etching a trench having rounded top and bottom corners in a silicon substrate |
| US6602806B1 (en) | 1999-08-17 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD process for depositing a low dielectric constant carbon-doped silicon oxide film |
| EP1077479A1 (en) | 1999-08-17 | 2001-02-21 | Applied Materials, Inc. | Post-deposition treatment to enchance properties of Si-O-C low K film |
| EP1077480B1 (en) | 1999-08-17 | 2008-11-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to enhance properties of Si-O-C low K films |
| EP1214459B1 (en) | 1999-08-17 | 2009-01-07 | Tokyo Electron Limited | Pulsed plasma processing method and apparatus |
| EP1077274A1 (en) | 1999-08-17 | 2001-02-21 | Applied Materials, Inc. | Lid cooling mechanism and method for optimized deposition of low-k dielectric using tri methylsilane-ozone based processes |
| JP4220075B2 (ja) | 1999-08-20 | 2009-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| US6322716B1 (en) | 1999-08-30 | 2001-11-27 | Cypress Semiconductor Corp. | Method for conditioning a plasma etch chamber |
| US6375748B1 (en) | 1999-09-01 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for preventing edge deposition |
| JP4285853B2 (ja) | 1999-09-08 | 2009-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法 |
| EP1083593A1 (en) | 1999-09-10 | 2001-03-14 | Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw | Etching of silicon nitride by anhydrous halogen gas |
| US6441492B1 (en) | 1999-09-10 | 2002-08-27 | James A. Cunningham | Diffusion barriers for copper interconnect systems |
| US6548414B2 (en) | 1999-09-14 | 2003-04-15 | Infineon Technologies Ag | Method of plasma etching thin films of difficult to dry etch materials |
| JP3514186B2 (ja) * | 1999-09-16 | 2004-03-31 | 日新電機株式会社 | 薄膜形成方法及び装置 |
| US6503843B1 (en) | 1999-09-21 | 2003-01-07 | Applied Materials, Inc. | Multistep chamber cleaning and film deposition process using a remote plasma that also enhances film gap fill |
| US6432819B1 (en) | 1999-09-27 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of forming a sputtered doped seed layer |
| US6287643B1 (en) | 1999-09-30 | 2001-09-11 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for injecting and modifying gas concentration of a meta-stable or atomic species in a downstream plasma reactor |
| US6153935A (en) | 1999-09-30 | 2000-11-28 | International Business Machines Corporation | Dual etch stop/diffusion barrier for damascene interconnects |
| US6321587B1 (en) | 1999-10-15 | 2001-11-27 | Radian International Llc | Solid state fluorine sensor system and method |
| US6423284B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-07-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluorine abatement using steam injection in oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases |
| US6364949B1 (en) | 1999-10-19 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | 300 mm CVD chamber design for metal-organic thin film deposition |
| KR100338768B1 (ko) | 1999-10-25 | 2002-05-30 | 윤종용 | 산화막 제거방법 및 산화막 제거를 위한 반도체 제조 장치 |
| US20010041444A1 (en) | 1999-10-29 | 2001-11-15 | Jeffrey A. Shields | Tin contact barc for tungsten polished contacts |
| DE29919142U1 (de) | 1999-10-30 | 2001-03-08 | Agrodyn Hochspannungstechnik GmbH, 33803 Steinhagen | Plasmadüse |
| US6551924B1 (en) | 1999-11-02 | 2003-04-22 | International Business Machines Corporation | Post metalization chem-mech polishing dielectric etch |
| EP1099776A1 (en) | 1999-11-09 | 2001-05-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma cleaning step in a salicide process |
| JP3366301B2 (ja) * | 1999-11-10 | 2003-01-14 | 日本電気株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US6162302A (en) | 1999-11-16 | 2000-12-19 | Agilent Technologies | Method of cleaning quartz substrates using conductive solutions |
| US8114245B2 (en) | 1999-11-26 | 2012-02-14 | Tadahiro Ohmi | Plasma etching device |
| US6465350B1 (en) | 1999-11-29 | 2002-10-15 | Texas Instruments Incorporated | Aluminum nitride thin film formation on integrated circuits |
| US6573194B2 (en) | 1999-11-29 | 2003-06-03 | Texas Instruments Incorporated | Method of growing surface aluminum nitride on aluminum films with low energy barrier |
| US6599842B2 (en) | 1999-11-29 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | Method for rounding corners and removing damaged outer surfaces of a trench |
| AU2905901A (en) | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Regents Of The University Of California, The | Method for producing fluorinated diamond-like carbon films |
| TW484170B (en) | 1999-11-30 | 2002-04-21 | Applied Materials Inc | Integrated modular processing platform |
| US6342453B1 (en) | 1999-12-03 | 2002-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method for CVD process control for enhancing device performance |
| DE10060002B4 (de) | 1999-12-07 | 2016-01-28 | Komatsu Ltd. | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung |
| JP2001164371A (ja) | 1999-12-07 | 2001-06-19 | Nec Corp | プラズマｃｖｄ装置およびプラズマｃｖｄ成膜法 |
| TW514996B (en) | 1999-12-10 | 2002-12-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film |
| JP3659101B2 (ja) | 1999-12-13 | 2005-06-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
| JP4695238B2 (ja) | 1999-12-14 | 2011-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力制御方法 |
| KR100385133B1 (ko) | 1999-12-16 | 2003-05-22 | 엘지전자 주식회사 | 교환기의 셀 다중화/역다중화 시스템 |
| US6277763B1 (en) | 1999-12-16 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing of tungsten using a gas mixture comprising a fluorinated gas and oxygen |
| US6225745B1 (en) | 1999-12-17 | 2001-05-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Dual plasma source for plasma process chamber |
| WO2001046492A1 (en) | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Tokyo Electron Limited | Method and system for reducing damage to substrates during plasma processing with a resonator source |
| US6534809B2 (en) | 1999-12-22 | 2003-03-18 | Agilent Technologies, Inc. | Hardmask designs for dry etching FeRAM capacitor stacks |
| US6350697B1 (en) | 1999-12-22 | 2002-02-26 | Lam Research Corporation | Method of cleaning and conditioning plasma reaction chamber |
| US6238513B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-05-29 | International Business Machines Corporation | Wafer lift assembly |
| KR20010058774A (ko) | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 박종섭 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| US6463782B1 (en) | 2000-01-13 | 2002-10-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Self-centering calibration tool and method of calibrating |
| US6306246B1 (en) | 2000-01-14 | 2001-10-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual window optical port for improved end point detection |
| KR100767762B1 (ko) | 2000-01-18 | 2007-10-17 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치 |
| US6477980B1 (en) | 2000-01-20 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
| US6772827B2 (en) | 2000-01-20 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
| US6656831B1 (en) | 2000-01-26 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced chemical vapor deposition of a metal nitride layer |
| US6494959B1 (en) | 2000-01-28 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for cleaning a silicon surface |
| JP3723712B2 (ja) | 2000-02-10 | 2005-12-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US6743473B1 (en) | 2000-02-16 | 2004-06-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of barriers from novel precursors |
| US6447636B1 (en) | 2000-02-16 | 2002-09-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with dynamic RF inductive and capacitive coupling control |
| US6573030B1 (en) | 2000-02-17 | 2003-06-03 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing an amorphous carbon layer |
| TW580735B (en) | 2000-02-21 | 2004-03-21 | Hitachi Ltd | Plasma treatment apparatus and treating method of sample material |
| US6319766B1 (en) | 2000-02-22 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification |
| US6350320B1 (en) | 2000-02-22 | 2002-02-26 | Applied Materials, Inc. | Heater for processing chamber |
| EP1127957A1 (en) | 2000-02-24 | 2001-08-29 | Asm Japan K.K. | A film forming apparatus having cleaning function |
| US6391788B1 (en) | 2000-02-25 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Two etchant etch method |
| US6958098B2 (en) | 2000-02-28 | 2005-10-25 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer support lift-pin assembly |
| JP2001319885A (ja) | 2000-03-02 | 2001-11-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体製造方法 |
| JP3979791B2 (ja) | 2000-03-08 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100350056B1 (ko) | 2000-03-09 | 2002-08-24 | 삼성전자 주식회사 | 다마신 게이트 공정에서 자기정렬콘택패드 형성 방법 |
| US6537707B1 (en) | 2000-03-15 | 2003-03-25 | Agilent Technologies, Inc. | Two-stage roughing and controlled deposition rates for fabricating laser ablation masks |
| US7220937B2 (en) | 2000-03-17 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF source power electrode with low loss, low arcing tendency and low contamination |
| US6900596B2 (en) | 2002-07-09 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Capacitively coupled plasma reactor with uniform radial distribution of plasma |
| US6528751B1 (en) | 2000-03-17 | 2003-03-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma |
| US7196283B2 (en) | 2000-03-17 | 2007-03-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor overhead source power electrode with low arcing tendency, cylindrical gas outlets and shaped surface |
| US6527968B1 (en) | 2000-03-27 | 2003-03-04 | Applied Materials Inc. | Two-stage self-cleaning silicon etch process |
| JP3433721B2 (ja) | 2000-03-28 | 2003-08-04 | ティーディーケイ株式会社 | ドライエッチング方法及び微細加工方法 |
| JP2001284340A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
| AU2001247685A1 (en) | 2000-03-30 | 2001-10-15 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for tunable gas injection in a plasma processing system |
| JP4056195B2 (ja) | 2000-03-30 | 2008-03-05 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| DE10016340C1 (de) | 2000-03-31 | 2001-12-06 | Promos Technologies Inc | Verfahren zur Herstellung von flaschenförmigen Tiefgräben zur Verwendung in Halbleitervorrichtungen |
| US6558564B1 (en) | 2000-04-05 | 2003-05-06 | Applied Materials Inc. | Plasma energy control by inducing plasma instability |
| JP2001355074A (ja) | 2000-04-10 | 2001-12-25 | Sony Corp | 無電解メッキ処理方法およびその装置 |
| US7892974B2 (en) | 2000-04-11 | 2011-02-22 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
| KR20010096229A (ko) | 2000-04-18 | 2001-11-07 | 황 철 주 | 반도체 소자의 극박막 형성장치 및 그 형성방법 |
| US6762129B2 (en) | 2000-04-19 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching method, fabrication method for semiconductor device, and dry etching apparatus |
| US6329297B1 (en) | 2000-04-21 | 2001-12-11 | Applied Materials, Inc. | Dilute remote plasma clean |
| JP2001308023A (ja) | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び方法 |
| US6502530B1 (en) | 2000-04-26 | 2003-01-07 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Design of gas injection for the electrode in a capacitively coupled RF plasma reactor |
| US6779481B2 (en) | 2000-04-27 | 2004-08-24 | Tokyo Electron Limited | Electrical coupling between chamber parts in electronic device processing equipment |
| US6387207B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber |
| US6458718B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-10-01 | Asm Japan K.K. | Fluorine-containing materials and processes |
| JP2001313282A (ja) | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Nec Corp | ドライエッチング方法 |
| KR100367662B1 (ko) | 2000-05-02 | 2003-01-10 | 주식회사 셈테크놀러지 | 하이퍼서멀 중성입자 발생 장치 및 이를 채용하는 중성입자 처리 장치 |
| JP3662472B2 (ja) | 2000-05-09 | 2005-06-22 | エム・エフエスアイ株式会社 | 基板表面の処理方法 |
| EP1435655A3 (en) | 2000-05-10 | 2004-07-14 | Ibiden Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
| US6679981B1 (en) | 2000-05-11 | 2004-01-20 | Applied Materials, Inc. | Inductive plasma loop enhancing magnetron sputtering |
| KR100638917B1 (ko) | 2000-05-17 | 2006-10-25 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 처리 장치 부품의 조립 기구 및 그 조립 방법 |
| US6364958B1 (en) | 2000-05-24 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma assisted semiconductor substrate processing chamber having a plurality of ground path bridges |
| JP3448737B2 (ja) | 2000-05-25 | 2003-09-22 | 住友重機械工業株式会社 | ウエハーチャック用冷却板及びウエハーチャック |
| US6418874B1 (en) | 2000-05-25 | 2002-07-16 | Applied Materials, Inc. | Toroidal plasma source for plasma processing |
| US6645585B2 (en) | 2000-05-30 | 2003-11-11 | Kyocera Corporation | Container for treating with corrosive-gas and plasma and method for manufacturing the same |
| US6335261B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Directional CVD process with optimized etchback |
| TW454429B (en) | 2000-05-31 | 2001-09-11 | Nanya Technology Corp | Plasma generator |
| JP2002194547A (ja) | 2000-06-08 | 2002-07-10 | Applied Materials Inc | アモルファスカーボン層の堆積方法 |
| US6729081B2 (en) | 2000-06-09 | 2004-05-04 | United Solar Systems Corporation | Self-adhesive photovoltaic module |
| KR20010111058A (ko) | 2000-06-09 | 2001-12-15 | 조셉 제이. 스위니 | 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법 |
| US6603269B1 (en) | 2000-06-13 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Resonant chamber applicator for remote plasma source |
| US6509623B2 (en) | 2000-06-15 | 2003-01-21 | Newport Fab, Llc | Microelectronic air-gap structures and methods of forming the same |
| KR100406174B1 (ko) | 2000-06-15 | 2003-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 화학적 강화 화학 기상 증착 장비에 사용되는 샤워 헤드 |
| US6391753B1 (en) | 2000-06-20 | 2002-05-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process for forming gate conductors |
| US6645550B1 (en) | 2000-06-22 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Method of treating a substrate |
| US6531069B1 (en) | 2000-06-22 | 2003-03-11 | International Business Machines Corporation | Reactive Ion Etching chamber design for flip chip interconnections |
| US6427623B2 (en) | 2000-06-23 | 2002-08-06 | Anelva Corporation | Chemical vapor deposition system |
| US6620723B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
| JP4371543B2 (ja) | 2000-06-29 | 2009-11-25 | 日本電気株式会社 | リモートプラズマｃｖｄ装置及び膜形成方法 |
| US6303418B1 (en) | 2000-06-30 | 2001-10-16 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method of fabricating CMOS devices featuring dual gate structures and a high dielectric constant gate insulator layer |
| DE10032607B4 (de) | 2000-07-07 | 2004-08-12 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches Teilchenstrahlgerät |
| US6835278B2 (en) | 2000-07-07 | 2004-12-28 | Mattson Technology Inc. | Systems and methods for remote plasma clean |
| US6736987B1 (en) | 2000-07-12 | 2004-05-18 | Techbank Corporation | Silicon etching apparatus using XeF2 |
| US6440870B1 (en) | 2000-07-12 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method of etching tungsten or tungsten nitride electrode gates in semiconductor structures |
| US6794311B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion |
| KR100366623B1 (ko) | 2000-07-18 | 2003-01-09 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 기판 또는 ｌｃｄ 기판의 세정방법 |
| WO2002009171A1 (fr) | 2000-07-25 | 2002-01-31 | Ibiden Co., Ltd. | Substrat ceramique pour appareil de fabrication/inspection de semi-conducteurs, element chauffant en ceramique, dispositif de retenue electrostatique sans attache et substrat pour testeur de tranches |
| US6764958B1 (en) | 2000-07-28 | 2004-07-20 | Applied Materials Inc. | Method of depositing dielectric films |
| US20020185226A1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-12-12 | Lea Leslie Michael | Plasma processing apparatus |
| US6939434B2 (en) | 2000-08-11 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution |
| US6677242B1 (en) | 2000-08-12 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc. | Integrated shallow trench isolation approach |
| US6412437B1 (en) | 2000-08-18 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Plasma enhanced chemical vapor deposition reactor and plasma enhanced chemical vapor deposition process |
| US6446572B1 (en) | 2000-08-18 | 2002-09-10 | Tokyo Electron Limited | Embedded plasma source for plasma density improvement |
| US6800830B2 (en) | 2000-08-18 | 2004-10-05 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Chemistry for boron diffusion barrier layer and method of application in semiconductor device fabrication |
| US6335288B1 (en) | 2000-08-24 | 2002-01-01 | Applied Materials, Inc. | Gas chemistry cycling to achieve high aspect ratio gapfill with HDP-CVD |
| US6459066B1 (en) | 2000-08-25 | 2002-10-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance |
| US6372657B1 (en) | 2000-08-31 | 2002-04-16 | Micron Technology, Inc. | Method for selective etching of oxides |
| US6569774B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-05-27 | Micron Technology, Inc. | Method to eliminate striations and surface roughness caused by dry etch |
| JP2002075972A (ja) | 2000-09-04 | 2002-03-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4484345B2 (ja) | 2000-09-11 | 2010-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6465366B1 (en) | 2000-09-12 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Dual frequency plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon carbide layers |
| JP2002100578A (ja) | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Crystage Co Ltd | 薄膜形成装置 |
| US20020038791A1 (en) | 2000-10-03 | 2002-04-04 | Tomohiro Okumura | Plasma processing method and apparatus |
| JP4717295B2 (ja) | 2000-10-04 | 2011-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ドライエッチング装置及びエッチング方法 |
| US6461974B1 (en) | 2000-10-06 | 2002-10-08 | Lam Research Corporation | High temperature tungsten etching process |
| DK200001497A (da) | 2000-10-08 | 2002-04-09 | Scanavo As | Opbevaringsindretning for en databærer |
| JP2002115068A (ja) | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Applied Materials Inc | シャワーヘッド、基板処理装置および基板製造方法 |
| KR100375102B1 (ko) | 2000-10-18 | 2003-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조에서 화학 기상 증착 방법 및 이를수행하기 위한 장치 |
| US6403491B1 (en) | 2000-11-01 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Etch method using a dielectric etch chamber with expanded process window |
| JP4602532B2 (ja) | 2000-11-10 | 2010-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP2002151473A (ja) | 2000-11-13 | 2002-05-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びその組立方法 |
| US6610362B1 (en) | 2000-11-20 | 2003-08-26 | Intel Corporation | Method of forming a carbon doped oxide layer on a substrate |
| KR100382725B1 (ko) | 2000-11-24 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 클러스터화된 플라즈마 장치에서의 반도체소자의 제조방법 |
| AUPR179500A0 (en) | 2000-11-30 | 2000-12-21 | Saintech Pty Limited | Ion source |
| US6291348B1 (en) | 2000-11-30 | 2001-09-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming Cu-Ca-O thin films on Cu surfaces in a chemical solution and semiconductor device thereby formed |
| US6544340B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-04-08 | Applied Materials, Inc. | Heater with detachable ceramic top plate |
| US6448537B1 (en) | 2000-12-11 | 2002-09-10 | Eric Anton Nering | Single-wafer process chamber thermal convection processes |
| US6692903B2 (en) | 2000-12-13 | 2004-02-17 | Applied Materials, Inc | Substrate cleaning apparatus and method |
| US6537429B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-03-25 | Lam Research Corporation | Diamond coatings on reactor wall and method of manufacturing thereof |
| US6533910B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-03-18 | Lam Research Corporation | Carbonitride coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
| US20020124867A1 (en) | 2001-01-08 | 2002-09-12 | Apl Co., Ltd. | Apparatus and method for surface cleaning using plasma |
| US6500772B2 (en) | 2001-01-08 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Methods and materials for depositing films on semiconductor substrates |
| FR2819341B1 (fr) | 2001-01-11 | 2003-06-27 | St Microelectronics Sa | Procede d'integration d'une cellule dram |
| US6879981B2 (en) | 2001-01-16 | 2005-04-12 | Corigin Ltd. | Sharing live data with a non cooperative DBMS |
| US6849854B2 (en) | 2001-01-18 | 2005-02-01 | Saintech Pty Ltd. | Ion source |
| US6358827B1 (en) | 2001-01-19 | 2002-03-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of forming a squared-off, vertically oriented polysilicon spacer gate |
| JP4644943B2 (ja) | 2001-01-23 | 2011-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| US6743732B1 (en) | 2001-01-26 | 2004-06-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Organic low K dielectric etch with NH3 chemistry |
| JP2002222934A (ja) | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6893969B2 (en) | 2001-02-12 | 2005-05-17 | Lam Research Corporation | Use of ammonia for etching organic low-k dielectrics |
| US6537733B2 (en) | 2001-02-23 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers |
| US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| JP4657473B2 (ja) | 2001-03-06 | 2011-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US6348407B1 (en) | 2001-03-15 | 2002-02-19 | Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. | Method to improve adhesion of organic dielectrics in dual damascene interconnects |
| US6886491B2 (en) * | 2001-03-19 | 2005-05-03 | Apex Co. Ltd. | Plasma chemical vapor deposition apparatus |
| KR100423953B1 (ko) | 2001-03-19 | 2004-03-24 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | 화학기상증착장치 |
| JP5013353B2 (ja) | 2001-03-28 | 2012-08-29 | 隆 杉野 | 成膜方法及び成膜装置 |
| US20020177321A1 (en) | 2001-03-30 | 2002-11-28 | Li Si Yi | Plasma etching of silicon carbide |
| US6670278B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-12-30 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching of silicon carbide |
| US7084070B1 (en) | 2001-03-30 | 2006-08-01 | Lam Research Corporation | Treatment for corrosion in substrate processing |
| FR2823032B1 (fr) | 2001-04-03 | 2003-07-11 | St Microelectronics Sa | Resonateur electromecanique a poutre vibrante |
| US20020144657A1 (en) | 2001-04-05 | 2002-10-10 | Chiang Tony P. | ALD reactor employing electrostatic chuck |
| US6761796B2 (en) | 2001-04-06 | 2004-07-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and apparatus for micro-jet enabled, low-energy ion generation transport in plasma processing |
| JP3707394B2 (ja) | 2001-04-06 | 2005-10-19 | ソニー株式会社 | 無電解メッキ方法 |
| JP2002319571A (ja) | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Kawasaki Microelectronics Kk | エッチング槽の前処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN1304643C (zh) | 2001-04-20 | 2007-03-14 | 克里斯铝轧制品有限公司 | 镀覆和预处理铝件方法 |
| US20030019428A1 (en) | 2001-04-28 | 2003-01-30 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
| EP1391140B1 (en) | 2001-04-30 | 2012-10-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the spatial temperature distribution across the surface of a workpiece support |
| US6914009B2 (en) | 2001-05-07 | 2005-07-05 | Applied Materials Inc | Method of making small transistor lengths |
| US6740601B2 (en) | 2001-05-11 | 2004-05-25 | Applied Materials Inc. | HDP-CVD deposition process for filling high aspect ratio gaps |
| US6974523B2 (en) | 2001-05-16 | 2005-12-13 | Lam Research Corporation | Hollow anode plasma reactor and method |
| US20020197823A1 (en) | 2001-05-18 | 2002-12-26 | Yoo Jae-Yoon | Isolation method for semiconductor device |
| US20020170678A1 (en) | 2001-05-18 | 2002-11-21 | Toshio Hayashi | Plasma processing apparatus |
| JP4720019B2 (ja) | 2001-05-18 | 2011-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却機構及び処理装置 |
| US6717189B2 (en) | 2001-06-01 | 2004-04-06 | Ebara Corporation | Electroless plating liquid and semiconductor device |
| US6506291B2 (en) | 2001-06-14 | 2003-01-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with multilevel heat transfer mechanism |
| JP2004533123A (ja) | 2001-06-14 | 2004-10-28 | マトソン テクノロジー インコーポレーテッド | 銅接続用の障壁エンハンスメント工程 |
| US6573606B2 (en) | 2001-06-14 | 2003-06-03 | International Business Machines Corporation | Chip to wiring interface with single metal alloy layer applied to surface of copper interconnect |
| US20060191637A1 (en) | 2001-06-21 | 2006-08-31 | John Zajac | Etching Apparatus and Process with Thickness and Uniformity Control |
| US6685803B2 (en) | 2001-06-22 | 2004-02-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment of processing gases |
| US20030000647A1 (en) | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing chamber |
| US6770166B1 (en) | 2001-06-29 | 2004-08-03 | Lam Research Corp. | Apparatus and method for radio frequency de-coupling and bias voltage control in a plasma reactor |
| JP2003019433A (ja) | 2001-07-06 | 2003-01-21 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 |
| KR100403630B1 (ko) | 2001-07-07 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 플라즈마를 이용한 반도체 장치의 층간 절연막 형성방법 |
| US6531377B2 (en) | 2001-07-13 | 2003-03-11 | Infineon Technologies Ag | Method for high aspect ratio gap fill using sequential HDP-CVD |
| KR100400044B1 (ko) | 2001-07-16 | 2003-09-29 | 삼성전자주식회사 | 간격 조절 장치를 가지는 웨이퍼 처리 장치의 샤워 헤드 |
| US6596599B1 (en) | 2001-07-16 | 2003-07-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Gate stack for high performance sub-micron CMOS devices |
| US20030029715A1 (en) | 2001-07-25 | 2003-02-13 | Applied Materials, Inc. | An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems |
| US6596654B1 (en) | 2001-08-24 | 2003-07-22 | Novellus Systems, Inc. | Gap fill for high aspect ratio structures |
| US6846745B1 (en) | 2001-08-03 | 2005-01-25 | Novellus Systems, Inc. | High-density plasma process for filling high aspect ratio structures |
| JP3914452B2 (ja) | 2001-08-07 | 2007-05-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US6984288B2 (en) | 2001-08-08 | 2006-01-10 | Lam Research Corporation | Plasma processor in plasma confinement region within a vacuum chamber |
| US7179556B2 (en) | 2001-08-10 | 2007-02-20 | Denso Corporation | Fuel cell system |
| TW554069B (en) | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Ebara Corp | Plating device and method |
| KR20040018558A (ko) | 2001-08-13 | 2004-03-03 | 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 반도체장치와 그 제조방법 및 도금액 |
| JP2003059914A (ja) | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | プラズマ処理装置 |
| US20030038305A1 (en) | 2001-08-21 | 2003-02-27 | Wasshuber Christoph A. | Method for manufacturing and structure of transistor with low-k spacer |
| US6753506B2 (en) | 2001-08-23 | 2004-06-22 | Axcelis Technologies | System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing |
| US6762127B2 (en) | 2001-08-23 | 2004-07-13 | Yves Pierre Boiteux | Etch process for dielectric materials comprising oxidized organo silane materials |
| WO2003018867A1 (en) | 2001-08-29 | 2003-03-06 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing using an efficiently coupled gas source |
| US7199328B2 (en) | 2001-08-29 | 2007-04-03 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for plasma processing |
| US6796314B1 (en) | 2001-09-07 | 2004-09-28 | Novellus Systems, Inc. | Using hydrogen gas in a post-etch radio frequency-plasma contact cleaning process |
| KR100441297B1 (ko) | 2001-09-14 | 2004-07-23 | 주성엔지니어링(주) | 리모트 플라즈마를 이용하는 ｃｃｐ형 ｐｅｃｖｄ장치 |
| US20030054608A1 (en) | 2001-09-17 | 2003-03-20 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method for forming shallow trench isolation in semiconductor device |
| US6555467B2 (en) | 2001-09-28 | 2003-04-29 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of making air gaps copper interconnect |
| US6462372B1 (en) | 2001-10-09 | 2002-10-08 | Silicon-Based Technology Corp. | Scaled stack-gate flash memory device |
| US6656837B2 (en) | 2001-10-11 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications |
| EP1302988A3 (de) | 2001-10-12 | 2007-01-24 | Bayer MaterialScience AG | Photovoltaik-Module mit einer thermoplastischen Schmelzklebeschicht sowie ein Verfahren zu ihrer Herstellung |
| US6855906B2 (en) | 2001-10-16 | 2005-02-15 | Adam Alexander Brailove | Induction plasma reactor |
| US20030072639A1 (en) | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate support |
| KR100433091B1 (ko) | 2001-10-23 | 2004-05-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 도전배선 형성방법 |
| JP3759895B2 (ja) | 2001-10-24 | 2006-03-29 | 松下電器産業株式会社 | エッチング方法 |
| US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
| US7780785B2 (en) | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
| US20080102203A1 (en) | 2001-10-26 | 2008-05-01 | Dien-Yeh Wu | Vortex chamber lids for atomic layer deposition |
| US20030087488A1 (en) | 2001-11-07 | 2003-05-08 | Tokyo Electron Limited | Inductively coupled plasma source for improved process uniformity |
| JP4040284B2 (ja) | 2001-11-08 | 2008-01-30 | 住友大阪セメント株式会社 | プラズマ発生用電極内蔵型サセプタ及びその製造方法 |
| JP2003158080A (ja) | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置、半導体製造装置における堆積物除去方法、および半導体装置の製造方法 |
| KR100443121B1 (ko) | 2001-11-29 | 2004-08-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정의 수행 방법 및 반도체 공정 장치 |
| US6794290B1 (en) | 2001-12-03 | 2004-09-21 | Novellus Systems, Inc. | Method of chemical modification of structure topography |
| US7017514B1 (en) | 2001-12-03 | 2006-03-28 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for plasma optimization in water processing |
| KR100641762B1 (ko) | 2001-12-07 | 2006-11-06 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 절연막의 질화 방법, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| JP4392852B2 (ja) | 2001-12-07 | 2010-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置に用いられる排気リング機構及びプラズマ処理装置 |
| US6905968B2 (en) | 2001-12-12 | 2005-06-14 | Applied Materials, Inc. | Process for selectively etching dielectric layers |
| WO2003052808A2 (en) | 2001-12-13 | 2003-06-26 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned contact etch with high sensitivity to nitride shoulder |
| US6890850B2 (en) | 2001-12-14 | 2005-05-10 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing dielectric materials in damascene applications |
| US6605874B2 (en) | 2001-12-19 | 2003-08-12 | Intel Corporation | Method of making semiconductor device using an interconnect |
| WO2003054912A1 (en) | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus comprising a magnetic filter for plasma processing a workpiece |
| US20030116087A1 (en) | 2001-12-21 | 2003-06-26 | Nguyen Anh N. | Chamber hardware design for titanium nitride atomic layer deposition |
| US20030116439A1 (en) | 2001-12-21 | 2003-06-26 | International Business Machines Corporation | Method for forming encapsulated metal interconnect structures in semiconductor integrated circuit devices |
| JP2003197615A (ja) | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 |
| KR100442167B1 (ko) | 2001-12-26 | 2004-07-30 | 주성엔지니어링(주) | 자연산화막 제거방법 |
| KR100484258B1 (ko) | 2001-12-27 | 2005-04-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조 방법 |
| US20030124842A1 (en) | 2001-12-27 | 2003-07-03 | Applied Materials, Inc. | Dual-gas delivery system for chemical vapor deposition processes |
| US6828241B2 (en) | 2002-01-07 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Efficient cleaning by secondary in-situ activation of etch precursor from remote plasma source |
| US6677247B2 (en) | 2002-01-07 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc. | Method of increasing the etch selectivity of a contact sidewall to a preclean etchant |
| US6942929B2 (en) | 2002-01-08 | 2005-09-13 | Nianci Han | Process chamber having component with yttrium-aluminum coating |
| US6827815B2 (en) | 2002-01-15 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly for a processing chamber |
| JP2003217898A (ja) | 2002-01-16 | 2003-07-31 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
| US6730175B2 (en) | 2002-01-22 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Ceramic substrate support |
| US6869880B2 (en) | 2002-01-24 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | In situ application of etch back for improved deposition into high-aspect-ratio features |
| US20040060514A1 (en) | 2002-01-25 | 2004-04-01 | Applied Materials, Inc. A Delaware Corporation | Gas distribution showerhead |
| US6998014B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
| US6866746B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-03-15 | Applied Materials, Inc. | Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support |
| US7138014B2 (en) | 2002-01-28 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition apparatus |
| TWI239794B (en) | 2002-01-30 | 2005-09-11 | Alps Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus and method |
| US7226504B2 (en) | 2002-01-31 | 2007-06-05 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method to form thick relaxed SiGe layer with trench structure |
| US6632325B2 (en) | 2002-02-07 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Article for use in a semiconductor processing chamber and method of fabricating same |
| US7033447B2 (en) | 2002-02-08 | 2006-04-25 | Applied Materials, Inc. | Halogen-resistant, anodized aluminum for use in semiconductor processing apparatus |
| US7048814B2 (en) | 2002-02-08 | 2006-05-23 | Applied Materials, Inc. | Halogen-resistant, anodized aluminum for use in semiconductor processing apparatus |
| US7479304B2 (en) | 2002-02-14 | 2009-01-20 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate fabricated from a solid yttrium oxide-comprising substrate |
| US20080213496A1 (en) | 2002-02-14 | 2008-09-04 | Applied Materials, Inc. | Method of coating semiconductor processing apparatus with protective yttrium-containing coatings |
| US6821348B2 (en) | 2002-02-14 | 2004-11-23 | 3M Innovative Properties Company | In-line deposition processes for circuit fabrication |
| US6656848B1 (en) | 2002-02-22 | 2003-12-02 | Scientific Systems Research Limited | Plasma chamber conditioning |
| JP3921234B2 (ja) | 2002-02-28 | 2007-05-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 表面処理装置及びその製造方法 |
| US6677167B2 (en) | 2002-03-04 | 2004-01-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Wafer processing apparatus and a wafer stage and a wafer processing method |
| US6646233B2 (en) | 2002-03-05 | 2003-11-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method |
| US20060252265A1 (en) | 2002-03-06 | 2006-11-09 | Guangxiang Jin | Etching high-kappa dielectric materials with good high-kappa foot control and silicon recess control |
| US20030168174A1 (en) | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Foree Michael Todd | Gas cushion susceptor system |
| US7252011B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-08-07 | Mks Instruments, Inc. | Surface area deposition trap |
| US7256370B2 (en) | 2002-03-15 | 2007-08-14 | Steed Technology, Inc. | Vacuum thermal annealer |
| JP3813562B2 (ja) | 2002-03-15 | 2006-08-23 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US20040003828A1 (en) | 2002-03-21 | 2004-01-08 | Jackson David P. | Precision surface treatments using dense fluids and a plasma |
| US6913651B2 (en) | 2002-03-22 | 2005-07-05 | Blue29, Llc | Apparatus and method for electroless deposition of materials on semiconductor substrates |
| JP4053326B2 (ja) | 2002-03-27 | 2008-02-27 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| US6883733B1 (en) | 2002-03-28 | 2005-04-26 | Novellus Systems, Inc. | Tapered post, showerhead design to improve mixing on dual plenum showerheads |
| JP4330315B2 (ja) | 2002-03-29 | 2009-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US6541397B1 (en) | 2002-03-29 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Removable amorphous carbon CMP stop |
| US6843858B2 (en) | 2002-04-02 | 2005-01-18 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a semiconductor processing chamber |
| US20030190426A1 (en) | 2002-04-03 | 2003-10-09 | Deenesh Padhi | Electroless deposition method |
| US6921556B2 (en) | 2002-04-12 | 2005-07-26 | Asm Japan K.K. | Method of film deposition using single-wafer-processing type CVD |
| US6897532B1 (en) | 2002-04-15 | 2005-05-24 | Cypress Semiconductor Corp. | Magnetic tunneling junction configuration and a method for making the same |
| US6616967B1 (en) | 2002-04-15 | 2003-09-09 | Texas Instruments Incorporated | Method to achieve continuous hydrogen saturation in sparingly used electroless nickel plating process |
| US6818562B2 (en) | 2002-04-19 | 2004-11-16 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for tuning an RF matching network in a plasma enhanced semiconductor wafer processing system |
| US7013834B2 (en) | 2002-04-19 | 2006-03-21 | Nordson Corporation | Plasma treatment system |
| JP3773189B2 (ja) | 2002-04-24 | 2006-05-10 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 窓型プローブ、プラズマ監視装置、及び、プラズマ処理装置 |
| KR100448714B1 (ko) | 2002-04-24 | 2004-09-13 | 삼성전자주식회사 | 다층 나노라미네이트 구조를 갖는 반도체 장치의 절연막및 그의 형성방법 |
| US6794889B2 (en) | 2002-04-26 | 2004-09-21 | Agilent Technologies, Inc. | Unified apparatus and method to assure probe card-to-wafer parallelism in semiconductor automatic wafer test, probe card measurement systems, and probe card manufacturing |
| US6528409B1 (en) | 2002-04-29 | 2003-03-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Interconnect structure formed in porous dielectric material with minimized degradation and electromigration |
| US6908862B2 (en) | 2002-05-03 | 2005-06-21 | Applied Materials, Inc. | HDP-CVD dep/etch/dep process for improved deposition into high aspect ratio features |
| JP2003324072A (ja) | 2002-05-07 | 2003-11-14 | Nec Electronics Corp | 半導体製造装置 |
| TW538497B (en) | 2002-05-16 | 2003-06-21 | Nanya Technology Corp | Method to form a bottle-shaped trench |
| US20030215570A1 (en) | 2002-05-16 | 2003-11-20 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon nitride |
| US6825051B2 (en) | 2002-05-17 | 2004-11-30 | Asm America, Inc. | Plasma etch resistant coating and process |
| JP2003338491A (ja) | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2003347278A (ja) | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
| US6500728B1 (en) | 2002-05-24 | 2002-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Shallow trench isolation (STI) module to improve contact etch process window |
| TW535991U (en) | 2002-05-24 | 2003-06-01 | Winbond Electronics Corp | Barrier device |
| US6673200B1 (en) | 2002-05-30 | 2004-01-06 | Lsi Logic Corporation | Method of reducing process plasma damage using optical spectroscopy |
| US20030224217A1 (en) | 2002-05-31 | 2003-12-04 | Applied Materials, Inc. | Metal nitride formation |
| WO2003107409A1 (ja) | 2002-06-01 | 2003-12-24 | 積水化学工業株式会社 | 酸化膜形成方法及び酸化膜形成装置 |
| KR100434110B1 (ko) | 2002-06-04 | 2004-06-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조방법 |
| US20030230385A1 (en) | 2002-06-13 | 2003-12-18 | Applied Materials, Inc. | Electro-magnetic configuration for uniformity enhancement in a dual chamber plasma processing system |
| US6924191B2 (en) | 2002-06-20 | 2005-08-02 | Applied Materials, Inc. | Method for fabricating a gate structure of a field effect transistor |
| US7686918B2 (en) | 2002-06-21 | 2010-03-30 | Tokyo Electron Limited | Magnetron plasma processing apparatus |
| US7311797B2 (en) | 2002-06-27 | 2007-12-25 | Lam Research Corporation | Productivity enhancing thermal sprayed yttria-containing coating for plasma reactor |
| DE10229037A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Chlortrifluorid und Anlage zur Ätzung von Halbleitersubstraten mit dieser Vorrichtung |
| US20040072446A1 (en) | 2002-07-02 | 2004-04-15 | Applied Materials, Inc. | Method for fabricating an ultra shallow junction of a field effect transistor |
| US6767844B2 (en) | 2002-07-03 | 2004-07-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Plasma chamber equipped with temperature-controlled focus ring and method of operating |
| US6838125B2 (en) | 2002-07-10 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Method of film deposition using activated precursor gases |
| US7357138B2 (en) | 2002-07-18 | 2008-04-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials |
| US7988398B2 (en) | 2002-07-22 | 2011-08-02 | Brooks Automation, Inc. | Linear substrate transport apparatus |
| US6826451B2 (en) | 2002-07-29 | 2004-11-30 | Asml Holding N.V. | Lithography tool having a vacuum reticle library coupled to a vacuum chamber |
| US6818561B1 (en) | 2002-07-30 | 2004-11-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Control methodology using optical emission spectroscopy derived data, system for performing same |
| EP1585999A4 (en) | 2002-08-02 | 2008-09-17 | E A Fischione Instr Inc | METHOD AND DEVICE FOR PREPARING SAMPLES FOR MICROSCOPY |
| US20060040055A1 (en) | 2002-08-06 | 2006-02-23 | Tegal Corporation | Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber |
| US20060046412A1 (en) | 2002-08-06 | 2006-03-02 | Tegal Corporation | Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber |
| US20040058293A1 (en) | 2002-08-06 | 2004-03-25 | Tue Nguyen | Assembly line processing system |
| US6921555B2 (en) | 2002-08-06 | 2005-07-26 | Tegal Corporation | Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber |
| JP3861036B2 (ja) | 2002-08-09 | 2006-12-20 | 三菱重工業株式会社 | プラズマｃｖｄ装置 |
| US7541270B2 (en) | 2002-08-13 | 2009-06-02 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming openings in doped silicon dioxide |
| US20040033677A1 (en) | 2002-08-14 | 2004-02-19 | Reza Arghavani | Method and apparatus to prevent lateral oxidation in a transistor utilizing an ultra thin oxygen-diffusion barrier |
| US7192486B2 (en) | 2002-08-15 | 2007-03-20 | Applied Materials, Inc. | Clog-resistant gas delivery system |
| SG108933A1 (en) | 2002-08-23 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic projection apparatus and particle barrier for use in said apparatus |
| US6781173B2 (en) | 2002-08-29 | 2004-08-24 | Micron Technology, Inc. | MRAM sense layer area control |
| US7223701B2 (en) | 2002-09-06 | 2007-05-29 | Intel Corporation | In-situ sequential high density plasma deposition and etch processing for gap fill |
| US6946033B2 (en) | 2002-09-16 | 2005-09-20 | Applied Materials Inc. | Heated gas distribution plate for a processing chamber |
| JP3991315B2 (ja) | 2002-09-17 | 2007-10-17 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜形成装置及び方法 |
| DE10393277T5 (de) | 2002-09-18 | 2005-09-01 | Mattson Technology Inc., Fremont | System und Verfahren zum Entfernen von Material |
| JP3832409B2 (ja) | 2002-09-18 | 2006-10-11 | 住友電気工業株式会社 | ウエハー保持体及び半導体製造装置 |
| US7335609B2 (en) | 2004-08-27 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Gap-fill depositions introducing hydroxyl-containing precursors in the formation of silicon containing dielectric materials |
| JP4260450B2 (ja) | 2002-09-20 | 2009-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置における静電チャックの製造方法 |
| US7166200B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
| US20070051471A1 (en) | 2002-10-04 | 2007-03-08 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for stripping |
| US6991959B2 (en) | 2002-10-10 | 2006-01-31 | Asm Japan K.K. | Method of manufacturing silicon carbide film |
| KR100500852B1 (ko) | 2002-10-10 | 2005-07-12 | 최대규 | 원격 플라즈마 발생기 |
| JP4606713B2 (ja) | 2002-10-17 | 2011-01-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6699380B1 (en) | 2002-10-18 | 2004-03-02 | Applied Materials Inc. | Modular electrochemical processing system |
| TW587139B (en) | 2002-10-18 | 2004-05-11 | Winbond Electronics Corp | Gas distribution system and method for the plasma gas in the chamber |
| US6802944B2 (en) | 2002-10-23 | 2004-10-12 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD process for gapfill into high aspect ratio features |
| US7628897B2 (en) | 2002-10-23 | 2009-12-08 | Applied Materials, Inc. | Reactive ion etching for semiconductor device feature topography modification |
| US6853043B2 (en) | 2002-11-04 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen-free antireflective coating for use with photolithographic patterning |
| JP2004165317A (ja) | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| EP1420080A3 (en) | 2002-11-14 | 2005-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for hybrid chemical deposition processes |
| KR100862658B1 (ko) | 2002-11-15 | 2008-10-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치 |
| US6861332B2 (en) | 2002-11-21 | 2005-03-01 | Intel Corporation | Air gap interconnect method |
| US6902628B2 (en) | 2002-11-25 | 2005-06-07 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a coated process chamber component |
| US6713873B1 (en) | 2002-11-27 | 2004-03-30 | Intel Corporation | Adhesion between dielectric materials |
| JP2004179426A (ja) | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置のクリーニング方法 |
| US7347901B2 (en) | 2002-11-29 | 2008-03-25 | Tokyo Electron Limited | Thermally zoned substrate holder assembly |
| TW561068B (en) | 2002-11-29 | 2003-11-11 | Au Optronics Corp | Nozzle head with excellent corrosion resistance for dry etching process and anti-corrosion method thereof |
| US7396773B1 (en) | 2002-12-06 | 2008-07-08 | Cypress Semiconductor Company | Method for cleaning a gate stack |
| KR100898580B1 (ko) | 2002-12-07 | 2009-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
| US6858532B2 (en) | 2002-12-10 | 2005-02-22 | International Business Machines Corporation | Low defect pre-emitter and pre-base oxide etch for bipolar transistors and related tooling |
| JP3838969B2 (ja) | 2002-12-17 | 2006-10-25 | 沖電気工業株式会社 | ドライエッチング方法 |
| DE10260352A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer Kondensatoranordnung und Kondensatoranordnung |
| US20040118519A1 (en) | 2002-12-20 | 2004-06-24 | Applied Materials, Inc. | Blocker plate bypass design to improve clean rate at the edge of the chamber |
| US20040118344A1 (en) | 2002-12-20 | 2004-06-24 | Lam Research Corporation | System and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit |
| US6806949B2 (en) | 2002-12-31 | 2004-10-19 | Tokyo Electron Limited | Monitoring material buildup on system components by optical emission |
| KR100964398B1 (ko) | 2003-01-03 | 2010-06-17 | 삼성전자주식회사 | 유도결합형 안테나 및 이를 채용한 플라즈마 처리장치 |
| US6720213B1 (en) | 2003-01-15 | 2004-04-13 | International Business Machines Corporation | Low-K gate spacers by fluorine implantation |
| US6808748B2 (en) | 2003-01-23 | 2004-10-26 | Applied Materials, Inc. | Hydrogen assisted HDP-CVD deposition process for aggressive gap-fill technology |
| US7500445B2 (en) | 2003-01-27 | 2009-03-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a CVD chamber |
| US7316761B2 (en) | 2003-02-03 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for uniformly etching a dielectric layer |
| US7205248B2 (en) | 2003-02-04 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method of eliminating residual carbon from flowable oxide fill |
| JP4041974B2 (ja) | 2003-02-05 | 2008-02-06 | 株式会社Ｎｈｖコーポレーション | 電子線照射装置 |
| US7078351B2 (en) | 2003-02-10 | 2006-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist intensive patterning and processing |
| US6982175B2 (en) | 2003-02-14 | 2006-01-03 | Unaxis Usa Inc. | End point detection in time division multiplexed etch processes |
| US20060137613A1 (en) | 2004-01-27 | 2006-06-29 | Shigeru Kasai | Plasma generating apparatus, plasma generating method and remote plasma processing apparatus |
| US7604708B2 (en) | 2003-02-14 | 2009-10-20 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of native oxide with hydrogen-containing radicals |
| US20040195208A1 (en) | 2003-02-15 | 2004-10-07 | Pavel Elizabeth G. | Method and apparatus for performing hydrogen optical emission endpoint detection for photoresist strip and residue removal |
| US6969619B1 (en) | 2003-02-18 | 2005-11-29 | Novellus Systems, Inc. | Full spectrum endpoint detection |
| KR100739837B1 (ko) | 2003-02-19 | 2007-07-13 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 불순물 도입 방법 및 불순물 도입 장치 |
| US20040163590A1 (en) | 2003-02-24 | 2004-08-26 | Applied Materials, Inc. | In-situ health check of liquid injection vaporizer |
| US7212078B2 (en) | 2003-02-25 | 2007-05-01 | Tokyo Electron Limited | Method and assembly for providing impedance matching network and network assembly |
| US20040163601A1 (en) | 2003-02-26 | 2004-08-26 | Masanori Kadotani | Plasma processing apparatus |
| DE10308870B4 (de) | 2003-02-28 | 2006-07-27 | Austriamicrosystems Ag | Bipolartransistor mit verbessertem Basis-Emitter-Übergang und Verfahren zur Herstellung |
| US6913992B2 (en) | 2003-03-07 | 2005-07-05 | Applied Materials, Inc. | Method of modifying interlayer adhesion |
| CN100388434C (zh) | 2003-03-12 | 2008-05-14 | 东京毅力科创株式会社 | 半导体处理用的基板保持结构和等离子体处理装置 |
| US20040182315A1 (en) | 2003-03-17 | 2004-09-23 | Tokyo Electron Limited | Reduced maintenance chemical oxide removal (COR) processing system |
| US6951821B2 (en) | 2003-03-17 | 2005-10-04 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for chemically treating a substrate |
| JP2004296467A (ja) | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US20040187787A1 (en) | 2003-03-31 | 2004-09-30 | Dawson Keith E. | Substrate support having temperature controlled substrate support surface |
| US6844929B2 (en) | 2003-04-09 | 2005-01-18 | Phase Shift Technology | Apparatus and method for holding and transporting thin opaque plates |
| KR100789063B1 (ko) | 2003-04-11 | 2007-12-26 | 호야 가부시키가이샤 | 크롬계 박막의 에칭방법 및 포토마스크의 제조방법 |
| US7037376B2 (en) | 2003-04-11 | 2006-05-02 | Applied Materials Inc. | Backflush chamber clean |
| US7126225B2 (en) | 2003-04-15 | 2006-10-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor wafer with reduced delamination and peeling |
| US6942753B2 (en) | 2003-04-16 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
| US6872909B2 (en) | 2003-04-16 | 2005-03-29 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas and plasma source having a dielectric vacuum vessel |
| TWI227565B (en) | 2003-04-16 | 2005-02-01 | Au Optronics Corp | Low temperature poly-Si thin film transistor and method of manufacturing the same |
| US20040211357A1 (en) | 2003-04-24 | 2004-10-28 | Gadgil Pradad N. | Method of manufacturing a gap-filled structure of a semiconductor device |
| JP5404984B2 (ja) | 2003-04-24 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマモニタリング方法、プラズマモニタリング装置及びプラズマ処理装置 |
| US6830624B2 (en) | 2003-05-02 | 2004-12-14 | Applied Materials, Inc. | Blocker plate by-pass for remote plasma clean |
| US7008877B2 (en) | 2003-05-05 | 2006-03-07 | Unaxis Usa Inc. | Etching of chromium layers on photomasks utilizing high density plasma and low frequency RF bias |
| US6903511B2 (en) | 2003-05-06 | 2005-06-07 | Zond, Inc. | Generation of uniformly-distributed plasma |
| DE10320472A1 (de) | 2003-05-08 | 2004-12-02 | Kolektor D.O.O. | Plasmabehandlung zur Reinigung von Kupfer oder Nickel |
| KR20040096365A (ko) | 2003-05-09 | 2004-11-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조방법 |
| US6713835B1 (en) | 2003-05-22 | 2004-03-30 | International Business Machines Corporation | Method for manufacturing a multi-level interconnect structure |
| US8580076B2 (en) | 2003-05-22 | 2013-11-12 | Lam Research Corporation | Plasma apparatus, gas distribution assembly for a plasma apparatus and processes therewith |
| US7045020B2 (en) | 2003-05-22 | 2006-05-16 | Applied Materials, Inc. | Cleaning a component of a process chamber |
| KR100965758B1 (ko) | 2003-05-22 | 2010-06-24 | 주성엔지니어링(주) | 액정표시장치용 플라즈마 강화 화학기상증착 장치의샤워헤드 어셈블리 |
| US7081414B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Deposition-selective etch-deposition process for dielectric film gapfill |
| WO2004107394A2 (ja) | 2003-05-27 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Works, Ltd. | プラズマ処理装置、プラズマ生成用の反応器の製造方法、及びプラズマ処理方法 |
| US20040237897A1 (en) | 2003-05-27 | 2004-12-02 | Hiroji Hanawa | High-Frequency electrostatically shielded toroidal plasma and radical source |
| US7205240B2 (en) | 2003-06-04 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | HDP-CVD multistep gapfill process |
| JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
| US7067432B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Methodology for in-situ and real-time chamber condition monitoring and process recovery during plasma processing |
| KR100853388B1 (ko) | 2003-06-27 | 2008-08-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 클리닝 방법 및 기판 처리 방법 |
| US7151277B2 (en) | 2003-07-03 | 2006-12-19 | The Regents Of The University Of California | Selective etching of silicon carbide films |
| JP4245996B2 (ja) | 2003-07-07 | 2009-04-02 | 株式会社荏原製作所 | 無電解めっきによるキャップ膜の形成方法およびこれに用いる装置 |
| JP2005033023A (ja) | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| US7368392B2 (en) | 2003-07-10 | 2008-05-06 | Applied Materials, Inc. | Method of fabricating a gate structure of a field effect transistor having a metal-containing gate electrode |
| US6995073B2 (en) | 2003-07-16 | 2006-02-07 | Intel Corporation | Air gap integration |
| JP3866694B2 (ja) | 2003-07-30 | 2007-01-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Ｌｓｉデバイスのエッチング方法および装置 |
| US7256134B2 (en) | 2003-08-01 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of carbon-doped low-k dielectrics |
| JP4239750B2 (ja) | 2003-08-13 | 2009-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズ及びマイクロレンズの製造方法、光学装置、光伝送装置、レーザプリンタ用ヘッド、並びにレーザプリンタ |
| US20050035455A1 (en) | 2003-08-14 | 2005-02-17 | Chenming Hu | Device with low-k dielectric in close proximity thereto and its method of fabrication |
| US7182816B2 (en) | 2003-08-18 | 2007-02-27 | Tokyo Electron Limited | Particulate reduction using temperature-controlled chamber shield |
| US7361865B2 (en) | 2003-08-27 | 2008-04-22 | Kyocera Corporation | Heater for heating a wafer and method for fabricating the same |
| US7521000B2 (en) | 2003-08-28 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Process for etching photomasks |
| US7078312B1 (en) | 2003-09-02 | 2006-07-18 | Novellus Systems, Inc. | Method for controlling etch process repeatability |
| US6903031B2 (en) | 2003-09-03 | 2005-06-07 | Applied Materials, Inc. | In-situ-etch-assisted HDP deposition using SiF4 and hydrogen |
| KR20060064067A (ko) | 2003-09-03 | 2006-06-12 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 가스 처리 장치 및 처리 가스 토출 기구의 방열 방법 |
| US7282244B2 (en) | 2003-09-05 | 2007-10-16 | General Electric Company | Replaceable plate expanded thermal plasma apparatus and method |
| KR100518594B1 (ko) | 2003-09-09 | 2005-10-04 | 삼성전자주식회사 | 로컬 ｓｏｎｏｓ형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
| US7030034B2 (en) | 2003-09-18 | 2006-04-18 | Micron Technology, Inc. | Methods of etching silicon nitride substantially selectively relative to an oxide of aluminum |
| JP2005101141A (ja) | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| US6967405B1 (en) | 2003-09-24 | 2005-11-22 | Yongsik Yu | Film for copper diffusion barrier |
| US7071532B2 (en) | 2003-09-30 | 2006-07-04 | International Business Machines Corporation | Adjustable self-aligned air gap dielectric for low capacitance wiring |
| US7371688B2 (en) | 2003-09-30 | 2008-05-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Removal of transition metal ternary and/or quaternary barrier materials from a substrate |
| KR20030083663A (ko) | 2003-10-04 | 2003-10-30 | 삼영플랜트주식회사 | 건설폐기물로부터 시멘트 페이스트 및 모르타르가 제거된재생골재 및 모래를 생산하는 방법 및 장치 |
| JP4644676B2 (ja) | 2003-10-06 | 2011-03-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フェイスアップウェット処理用のウェーハ温度均一性を改善する装置 |
| JP4399227B2 (ja) | 2003-10-06 | 2010-01-13 | 株式会社フジキン | チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ |
| US7408225B2 (en) | 2003-10-09 | 2008-08-05 | Asm Japan K.K. | Apparatus and method for forming thin film using upstream and downstream exhaust mechanisms |
| US20050087517A1 (en) | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Andrew Ott | Adhesion between carbon doped oxide and etch stop layers |
| US7581511B2 (en) | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
| US7125792B2 (en) | 2003-10-14 | 2006-10-24 | Infineon Technologies Ag | Dual damascene structure and method |
| US7465358B2 (en) | 2003-10-15 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process |
| US20070111519A1 (en) | 2003-10-15 | 2007-05-17 | Applied Materials, Inc. | Integrated electroless deposition system |
| JP2005129666A (ja) | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Canon Inc | 処理方法及び装置 |
| JP2005129688A (ja) | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4306403B2 (ja) | 2003-10-23 | 2009-08-05 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置 |
| US7053994B2 (en) | 2003-10-28 | 2006-05-30 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for etch endpoint detection |
| KR100561848B1 (ko) | 2003-11-04 | 2006-03-16 | 삼성전자주식회사 | 헬리컬 공진기형 플라즈마 처리 장치 |
| US7709392B2 (en) | 2003-11-05 | 2010-05-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Low K dielectric surface damage control |
| JP4273932B2 (ja) | 2003-11-07 | 2009-06-03 | 株式会社島津製作所 | 表面波励起プラズマｃｖｄ装置 |
| US7461614B2 (en) | 2003-11-12 | 2008-12-09 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
| US20050103267A1 (en) | 2003-11-14 | 2005-05-19 | Hur Gwang H. | Flat panel display manufacturing apparatus |
| KR100550808B1 (ko) | 2003-11-17 | 2006-02-09 | 주식회사 에스테크 | 전자파 차폐 성능이 우수한 다층 구조의 시트 및 그 제조방법 |
| US20050145341A1 (en) | 2003-11-19 | 2005-07-07 | Masaki Suzuki | Plasma processing apparatus |
| JP4393844B2 (ja) | 2003-11-19 | 2010-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 |
| JP4256763B2 (ja) | 2003-11-19 | 2009-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| KR100558925B1 (ko) | 2003-11-24 | 2006-03-10 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 에지 식각 장치 |
| US20050109276A1 (en) | 2003-11-25 | 2005-05-26 | Applied Materials, Inc. | Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber |
| US20050112876A1 (en) | 2003-11-26 | 2005-05-26 | Chih-Ta Wu | Method to form a robust TiCI4 based CVD TiN film |
| US7202172B2 (en) | 2003-12-05 | 2007-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Microelectronic device having disposable spacer |
| US7431966B2 (en) | 2003-12-09 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate |
| US7081407B2 (en) | 2003-12-16 | 2006-07-25 | Lam Research Corporation | Method of preventing damage to porous low-k materials during resist stripping |
| KR100546401B1 (ko) | 2003-12-17 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 자기정렬된 전하트랩층을 포함하는 반도체 메모리 소자 및그 제조방법 |
| US7220497B2 (en) | 2003-12-18 | 2007-05-22 | Lam Research Corporation | Yttria-coated ceramic components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components |
| US6958286B2 (en) | 2004-01-02 | 2005-10-25 | International Business Machines Corporation | Method of preventing surface roughening during hydrogen prebake of SiGe substrates |
| US6893967B1 (en) | 2004-01-13 | 2005-05-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | L-shaped spacer incorporating or patterned using amorphous carbon or CVD organic materials |
| US6852584B1 (en) | 2004-01-14 | 2005-02-08 | Tokyo Electron Limited | Method of trimming a gate electrode structure |
| WO2005072211A2 (en) | 2004-01-20 | 2005-08-11 | Mattson Technology, Inc. | System and method for removal of photoresist and residues following contact etch with a stop layer present |
| US20060033678A1 (en) | 2004-01-26 | 2006-02-16 | Applied Materials, Inc. | Integrated electroless deposition system |
| US7012027B2 (en) | 2004-01-27 | 2006-03-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Zirconium oxide and hafnium oxide etching using halogen containing chemicals |
| US7064078B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-06-20 | Applied Materials | Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration scheme |
| EP1720202A4 (en) | 2004-02-09 | 2009-04-29 | Found Advancement Int Science | METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PHOTOGRAVIDE METHOD OF INSULATING FILM |
| US7291550B2 (en) | 2004-02-13 | 2007-11-06 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method to form a contact hole |
| US7015415B2 (en) | 2004-02-18 | 2006-03-21 | Dry Plasma Systems, Inc. | Higher power density downstream plasma |
| JP4707959B2 (ja) | 2004-02-20 | 2011-06-22 | 日本エー・エス・エム株式会社 | シャワープレート、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| US20060054280A1 (en) | 2004-02-23 | 2006-03-16 | Jang Geun-Ha | Apparatus of manufacturing display substrate and showerhead assembly equipped therein |
| JP4698251B2 (ja) | 2004-02-24 | 2011-06-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け |
| US7780793B2 (en) | 2004-02-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Passivation layer formation by plasma clean process to reduce native oxide growth |
| US20060051966A1 (en) | 2004-02-26 | 2006-03-09 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber |
| US20050230350A1 (en) | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
| US20070123051A1 (en) | 2004-02-26 | 2007-05-31 | Reza Arghavani | Oxide etch with nh4-nf3 chemistry |
| JP4879159B2 (ja) | 2004-03-05 | 2012-02-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | アモルファス炭素膜堆積のためのｃｖｄプロセス |
| US8037896B2 (en) | 2004-03-09 | 2011-10-18 | Mks Instruments, Inc. | Pressure regulation in remote zones |
| US7196342B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-03-27 | Cymer, Inc. | Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source |
| US20060081337A1 (en) | 2004-03-12 | 2006-04-20 | Shinji Himori | Capacitive coupling plasma processing apparatus |
| US7682985B2 (en) | 2004-03-17 | 2010-03-23 | Lam Research Corporation | Dual doped polysilicon and silicon germanium etch |
| US7109521B2 (en) | 2004-03-18 | 2006-09-19 | Cree, Inc. | Silicon carbide semiconductor structures including multiple epitaxial layers having sidewalls |
| US7582555B1 (en) | 2005-12-29 | 2009-09-01 | Novellus Systems, Inc. | CVD flowable gap fill |
| US7244474B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-07-17 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid |
| US7291360B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using plural ion shower grids |
| US7695590B2 (en) | 2004-03-26 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids |
| US7697260B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck |
| US7358192B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-04-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for in-situ film stack processing |
| JP4761723B2 (ja) | 2004-04-12 | 2011-08-31 | 日本碍子株式会社 | 基板加熱装置 |
| US7273526B2 (en) | 2004-04-15 | 2007-09-25 | Asm Japan K.K. | Thin-film deposition apparatus |
| US8083853B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
| US7785672B2 (en) | 2004-04-20 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films |
| US7018941B2 (en) | 2004-04-21 | 2006-03-28 | Applied Materials, Inc. | Post treatment of low k dielectric films |
| JP3998003B2 (ja) | 2004-04-23 | 2007-10-24 | ソニー株式会社 | プラズマエッチング法 |
| TWI249774B (en) | 2004-04-23 | 2006-02-21 | Nanya Technology Corp | Forming method of self-aligned contact for semiconductor device |
| US7115974B2 (en) | 2004-04-27 | 2006-10-03 | Taiwan Semiconductor Manfacturing Company, Ltd. | Silicon oxycarbide and silicon carbonitride based materials for MOS devices |
| US20050238807A1 (en) | 2004-04-27 | 2005-10-27 | Applied Materials, Inc. | Refurbishment of a coated chamber component |
| US7708859B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-05-04 | Lam Research Corporation | Gas distribution system having fast gas switching capabilities |
| US7449220B2 (en) | 2004-04-30 | 2008-11-11 | Oc Oerlikon Blazers Ag | Method for manufacturing a plate-shaped workpiece |
| US20050241579A1 (en) | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Russell Kidd | Face shield to improve uniformity of blanket CVD processes |
| WO2005112092A2 (en) | 2004-05-11 | 2005-11-24 | Applied Materials, Inc. | CARBON-DOPED-Si OXIDE ETCH USING H2 ADDITIVE IN FLUOROCARBON ETCH CHEMISTRY |
| US8328939B2 (en) | 2004-05-12 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Diffuser plate with slit valve compensation |
| US20050252449A1 (en) | 2004-05-12 | 2005-11-17 | Nguyen Son T | Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system |
| US8074599B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature |
| KR100580584B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2006-05-16 | 삼성전자주식회사 | 리모트 플라즈마 발생 튜브의 표면 세정 방법과 이를이용하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
| US7691686B2 (en) | 2004-05-21 | 2010-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US7049200B2 (en) | 2004-05-25 | 2006-05-23 | Applied Materials Inc. | Method for forming a low thermal budget spacer |
| KR100624566B1 (ko) | 2004-05-31 | 2006-09-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 커패시터 상부에 유동성 절연막을 갖는 반도체소자 및 그제조 방법 |
| US7699932B2 (en) | 2004-06-02 | 2010-04-20 | Micron Technology, Inc. | Reactors, systems and methods for depositing thin films onto microfeature workpieces |
| US20050274324A1 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and mounting unit thereof |
| US7651583B2 (en) | 2004-06-04 | 2010-01-26 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for treating a substrate |
| US20050274396A1 (en) | 2004-06-09 | 2005-12-15 | Hong Shih | Methods for wet cleaning quartz surfaces of components for plasma processing chambers |
| US7226852B1 (en) | 2004-06-10 | 2007-06-05 | Lam Research Corporation | Preventing damage to low-k materials during resist stripping |
| US7430496B2 (en) | 2004-06-16 | 2008-09-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for using a pressure control system to monitor a plasma processing system |
| US7253107B2 (en) | 2004-06-17 | 2007-08-07 | Asm International N.V. | Pressure control system |
| US7122949B2 (en) | 2004-06-21 | 2006-10-17 | Neocera, Inc. | Cylindrical electron beam generating/triggering device and method for generation of electrons |
| US20050284573A1 (en) | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Egley Fred D | Bare aluminum baffles for resist stripping chambers |
| US7220687B2 (en) | 2004-06-25 | 2007-05-22 | Applied Materials, Inc. | Method to improve water-barrier performance by changing film surface morphology |
| US20060005856A1 (en) | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Applied Materials, Inc. | Reduction of reactive gas attack on substrate heater |
| US8349128B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for stable plasma processing |
| US20060000802A1 (en) | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Ajay Kumar | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| US7097779B2 (en) | 2004-07-06 | 2006-08-29 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for chemically treating a TERA layer |
| JP2006049817A (ja) | 2004-07-07 | 2006-02-16 | Showa Denko Kk | プラズマ処理方法およびプラズマエッチング方法 |
| CN101076614A (zh) | 2004-07-07 | 2007-11-21 | 莫门蒂夫性能材料股份有限公司 | 基底上的保护涂层及其制备方法 |
| US7845309B2 (en) | 2004-07-13 | 2010-12-07 | Nordson Corporation | Ultra high speed uniform plasma processing system |
| KR100614648B1 (ko) | 2004-07-15 | 2006-08-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 처리 장치 |
| US7767561B2 (en) | 2004-07-20 | 2010-08-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid |
| KR100584485B1 (ko) | 2004-07-20 | 2006-05-29 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 금속 부식 방지 방법 |
| US20060016783A1 (en) | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Dingjun Wu | Process for titanium nitride removal |
| JP4492947B2 (ja) | 2004-07-23 | 2010-06-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7217626B2 (en) | 2004-07-26 | 2007-05-15 | Texas Instruments Incorporated | Transistor fabrication methods using dual sidewall spacers |
| JP4579611B2 (ja) | 2004-07-26 | 2010-11-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング方法 |
| US20060021703A1 (en) | 2004-07-29 | 2006-02-02 | Applied Materials, Inc. | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
| US7381291B2 (en) | 2004-07-29 | 2008-06-03 | Asm Japan K.K. | Dual-chamber plasma processing apparatus |
| US7192863B2 (en) | 2004-07-30 | 2007-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Method of eliminating etch ridges in a dual damascene process |
| US7806077B2 (en) | 2004-07-30 | 2010-10-05 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation |
| US20060024954A1 (en) | 2004-08-02 | 2006-02-02 | Zhen-Cheng Wu | Copper damascene barrier and capping layer |
| US20060021574A1 (en) | 2004-08-02 | 2006-02-02 | Veeco Instruments Inc. | Multi-gas distribution injector for chemical vapor deposition reactors |
| JP4718141B2 (ja) | 2004-08-06 | 2011-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
| US20060032833A1 (en) | 2004-08-10 | 2006-02-16 | Applied Materials, Inc. | Encapsulation of post-etch halogenic residue |
| US7247570B2 (en) | 2004-08-19 | 2007-07-24 | Micron Technology, Inc. | Silicon pillars for vertical transistors |
| US20060043066A1 (en) | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Kamp Thomas A | Processes for pre-tapering silicon or silicon-germanium prior to etching shallow trenches |
| US20060042752A1 (en) | 2004-08-30 | 2006-03-02 | Rueger Neal R | Plasma processing apparatuses and methods |
| US7449416B2 (en) | 2004-09-01 | 2008-11-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Apparatus and plasma ashing process for increasing photoresist removal rate |
| US7390710B2 (en) | 2004-09-02 | 2008-06-24 | Micron Technology, Inc. | Protection of tunnel dielectric using epitaxial silicon |
| US7329576B2 (en) | 2004-09-02 | 2008-02-12 | Micron Technology, Inc. | Double-sided container capacitors using a sacrificial layer |
| US7115525B2 (en) | 2004-09-02 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Method for integrated circuit fabrication using pitch multiplication |
| JP2006108629A (ja) | 2004-09-10 | 2006-04-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US20060292846A1 (en) | 2004-09-17 | 2006-12-28 | Pinto Gustavo A | Material management in substrate processing |
| US7268084B2 (en) | 2004-09-30 | 2007-09-11 | Tokyo Electron Limited | Method for treating a substrate |
| JP4467453B2 (ja) | 2004-09-30 | 2010-05-26 | 日本碍子株式会社 | セラミックス部材及びその製造方法 |
| US7138767B2 (en) | 2004-09-30 | 2006-11-21 | Tokyo Electron Limited | Surface wave plasma processing system and method of using |
| US7544251B2 (en) | 2004-10-07 | 2009-06-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
| US7148155B1 (en) | 2004-10-26 | 2006-12-12 | Novellus Systems, Inc. | Sequential deposition/anneal film densification method |
| US7053003B2 (en) | 2004-10-27 | 2006-05-30 | Lam Research Corporation | Photoresist conditioning with hydrogen ramping |
| JP2006128485A (ja) | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Asm Japan Kk | 半導体処理装置 |
| US20060093756A1 (en) | 2004-11-03 | 2006-05-04 | Nagarajan Rajagopalan | High-power dielectric seasoning for stable wafer-to-wafer thickness uniformity of dielectric CVD films |
| US20060097397A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-11 | Russell Stephen W | Method for forming a dual layer, low resistance metallization during the formation of a semiconductor device |
| US7618515B2 (en) | 2004-11-15 | 2009-11-17 | Tokyo Electron Limited | Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method |
| EP1662546A1 (en) | 2004-11-25 | 2006-05-31 | The European Community, represented by the European Commission | Inductively coupled plasma processing apparatus |
| US7722737B2 (en) | 2004-11-29 | 2010-05-25 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for improved transient phase deposition |
| US7052553B1 (en) | 2004-12-01 | 2006-05-30 | Lam Research Corporation | Wet cleaning of electrostatic chucks |
| US7256121B2 (en) | 2004-12-02 | 2007-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Contact resistance reduction by new barrier stack process |
| FR2878913B1 (fr) | 2004-12-03 | 2007-01-19 | Cit Alcatel | Controle des pressions partielles de gaz pour optimisation de procede |
| US20060118240A1 (en) | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Applied Science And Technology, Inc. | Methods and apparatus for downstream dissociation of gases |
| JP2006193822A (ja) | 2004-12-16 | 2006-07-27 | Sharp Corp | めっき装置、めっき方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
| KR20070087196A (ko) | 2004-12-21 | 2007-08-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학 기상 에칭 챔버로부터 부산물 증착을 제거하기 위한인-시튜 챔버 세정 방법 |
| US20060130971A1 (en) | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for generating plasma by RF power |
| JP2006179693A (ja) | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ヒータ付き静電チャック |
| JP4191137B2 (ja) | 2004-12-24 | 2008-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のクリーニング方法 |
| US7365016B2 (en) | 2004-12-27 | 2008-04-29 | Dalsa Semiconductor Inc. | Anhydrous HF release of process for MEMS devices |
| KR100653722B1 (ko) | 2005-01-05 | 2006-12-05 | 삼성전자주식회사 | 저유전막을 갖는 반도체소자의 제조방법 |
| US7465953B1 (en) | 2005-01-07 | 2008-12-16 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Positioning of nanoparticles and fabrication of single election devices |
| US7253123B2 (en) | 2005-01-10 | 2007-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method for producing gate stack sidewall spacers |
| KR100610019B1 (ko) | 2005-01-11 | 2006-08-08 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 분배장치 및 이를 구비하는 건식 스트리핑 장치 |
| US20060162661A1 (en) | 2005-01-22 | 2006-07-27 | Applied Materials, Inc. | Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition |
| US7829243B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication |
| JP4601439B2 (ja) | 2005-02-01 | 2010-12-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| GB0502149D0 (en) | 2005-02-02 | 2005-03-09 | Boc Group Inc | Method of operating a pumping system |
| US7341943B2 (en) | 2005-02-08 | 2008-03-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Post etch copper cleaning using dry plasma |
| US20060183270A1 (en) | 2005-02-14 | 2006-08-17 | Tessera, Inc. | Tools and methods for forming conductive bumps on microelectronic elements |
| JP4475136B2 (ja) | 2005-02-18 | 2010-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム、前処理装置及び記憶媒体 |
| US7344912B1 (en) | 2005-03-01 | 2008-03-18 | Spansion Llc | Method for patterning electrically conducting poly(phenyl acetylene) and poly(diphenyl acetylene) |
| JP4506677B2 (ja) | 2005-03-11 | 2010-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
| JP2006261217A (ja) | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Canon Anelva Corp | 薄膜形成方法 |
| US7253118B2 (en) | 2005-03-15 | 2007-08-07 | Micron Technology, Inc. | Pitch reduced patterns relative to photolithography features |
| JP4518986B2 (ja) | 2005-03-17 | 2010-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 大気搬送室、被処理体の処理後搬送方法、プログラム及び記憶媒体 |
| TW200734482A (en) | 2005-03-18 | 2007-09-16 | Applied Materials Inc | Electroless deposition process on a contact containing silicon or silicide |
| US7514353B2 (en) | 2005-03-18 | 2009-04-07 | Applied Materials, Inc. | Contact metallization scheme using a barrier layer over a silicide layer |
| US7435454B2 (en) | 2005-03-21 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system and method |
| US20060210723A1 (en) | 2005-03-21 | 2006-09-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system and method |
| KR100610465B1 (ko) | 2005-03-25 | 2006-08-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| US7442274B2 (en) | 2005-03-28 | 2008-10-28 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and apparatus therefor |
| US20060215347A1 (en) | 2005-03-28 | 2006-09-28 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and recording medium |
| US7611944B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-11-03 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit fabrication |
| KR100689826B1 (ko) | 2005-03-29 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 불소 함유된 화학적 식각 가스를 사용하는 고밀도 플라즈마화학기상증착 방법들 및 이를 채택하여 반도체 소자를제조하는 방법들 |
| JP4860167B2 (ja) | 2005-03-30 | 2012-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | ロードロック装置，処理システム及び処理方法 |
| US20060228889A1 (en) | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Edelberg Erik A | Methods of removing resist from substrates in resist stripping chambers |
| US7789962B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same |
| JP2006303309A (ja) | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| US7288482B2 (en) | 2005-05-04 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Silicon nitride etching methods |
| KR100745067B1 (ko) | 2005-05-18 | 2007-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트렌치 소자분리막 및 그 형성방법 |
| US7431856B2 (en) | 2005-05-18 | 2008-10-07 | National Research Council Of Canada | Nano-tip fabrication by spatially controlled etching |
| KR100731164B1 (ko) | 2005-05-19 | 2007-06-20 | 주식회사 피에조닉스 | 샤워헤드를 구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
| US20060266288A1 (en) | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Applied Materials, Inc. | High plasma utilization for remote plasma clean |
| JP4853857B2 (ja) | 2005-06-15 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法，コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び基板処理装置 |
| KR100676203B1 (ko) | 2005-06-21 | 2007-01-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 설비용 정전 척의 냉각 장치 |
| US20060286774A1 (en) | 2005-06-21 | 2006-12-21 | Applied Materials. Inc. | Method for forming silicon-containing materials during a photoexcitation deposition process |
| KR100915722B1 (ko) | 2005-06-23 | 2009-09-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 처리 장치용의 구성 부재 및 그 제조 방법, 및반도체 처리 장치 |
| TW200721363A (en) | 2005-07-25 | 2007-06-01 | Sumitomo Electric Industries | Wafer holder, heater unit having the wafer holder, and wafer prober having the heater unit |
| JP4554461B2 (ja) | 2005-07-26 | 2010-09-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体装置の製造方法 |
| WO2007016013A2 (en) | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Applied Materials, Inc. | Unique passivation technique for a cvd blocker plate to prevent particle formation |
| US8366829B2 (en) | 2005-08-05 | 2013-02-05 | Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia | Multi-station decoupled reactive ion etch chamber |
| JP5213150B2 (ja) | 2005-08-12 | 2013-06-19 | 国立大学法人東北大学 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた製品の製造方法 |
| US8709162B2 (en) | 2005-08-16 | 2014-04-29 | Applied Materials, Inc. | Active cooling substrate support |
| US7833381B2 (en) | 2005-08-18 | 2010-11-16 | David Johnson | Optical emission interferometry for PECVD using a gas injection hole |
| DE102006038885B4 (de) | 2005-08-24 | 2013-10-10 | Wonik Ips Co., Ltd. | Verfahren zum Abscheiden einer Ge-Sb-Te-Dünnschicht |
| EP2270834B9 (en) | 2005-09-06 | 2013-07-10 | Carl Zeiss SMT GmbH | Particle-optical component |
| US20070056925A1 (en) | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Lam Research Corporation | Selective etch of films with high dielectric constant with H2 addition |
| WO2007035880A2 (en) | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming device features in an integrated electroless deposition system |
| US20070066084A1 (en) | 2005-09-21 | 2007-03-22 | Cory Wajda | Method and system for forming a layer with controllable spstial variation |
| US7718030B2 (en) | 2005-09-23 | 2010-05-18 | Tokyo Electron Limited | Method and system for controlling radical distribution |
| JP4823628B2 (ja) | 2005-09-26 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および記録媒体 |
| DE102005047081B4 (de) | 2005-09-30 | 2019-01-31 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum plasmalosen Ätzen von Silizium mit dem Ätzgas ClF3 oder XeF2 |
| US8102123B2 (en) | 2005-10-04 | 2012-01-24 | Topanga Technologies, Inc. | External resonator electrode-less plasma lamp and method of exciting with radio-frequency energy |
| US7438534B2 (en) | 2005-10-07 | 2008-10-21 | Edwards Vacuum, Inc. | Wide range pressure control using turbo pump |
| KR100703014B1 (ko) | 2005-10-26 | 2007-04-06 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 산화물 식각액 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
| EP1780779A3 (en) | 2005-10-28 | 2008-06-11 | Interuniversitair Microelektronica Centrum ( Imec) | A plasma for patterning advanced gate stacks |
| US7884032B2 (en) | 2005-10-28 | 2011-02-08 | Applied Materials, Inc. | Thin film deposition |
| US20070099806A1 (en) | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Stewart Michael P | Composition and method for selectively removing native oxide from silicon-containing surfaces |
| US7696101B2 (en) | 2005-11-01 | 2010-04-13 | Micron Technology, Inc. | Process for increasing feature density during the manufacture of a semiconductor device |
| US20070119371A1 (en) | 2005-11-04 | 2007-05-31 | Paul Ma | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
| US20070107750A1 (en) | 2005-11-14 | 2007-05-17 | Sawin Herbert H | Method of using NF3 for removing surface deposits from the interior of chemical vapor deposition chambers |
| JP4918778B2 (ja) | 2005-11-16 | 2012-04-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US7704887B2 (en) | 2005-11-22 | 2010-04-27 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma pre-clean with low hydrogen pressure |
| US20070117396A1 (en) | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Dingjun Wu | Selective etching of titanium nitride with xenon difluoride |
| US7862683B2 (en) * | 2005-12-02 | 2011-01-04 | Tokyo Electron Limited | Chamber dry cleaning |
| KR100663668B1 (ko) | 2005-12-07 | 2007-01-09 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 복수의 기판을 병렬 배치 처리하기 위한 플라즈마 처리장치 |
| US7662723B2 (en) | 2005-12-13 | 2010-02-16 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for in-situ substrate processing |
| US7405160B2 (en) | 2005-12-13 | 2008-07-29 | Tokyo Electron Limited | Method of making semiconductor device |
| JP2007173383A (ja) | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Sharp Corp | トレンチ素子分離領域の形成方法、窒化シリコン膜ライナーの形成方法、半導体装置の製造方法 |
| JP4344949B2 (ja) | 2005-12-27 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | シャワーヘッド、シャワーヘッドを含む成膜装置、ならびに強誘電体膜の製造方法 |
| US7449538B2 (en) | 2005-12-30 | 2008-11-11 | Hynix Semiconductor Inc. | Hard mask composition and method for manufacturing semiconductor device |
| US8088248B2 (en) | 2006-01-11 | 2012-01-03 | Lam Research Corporation | Gas switching section including valves having different flow coefficients for gas distribution system |
| KR100712727B1 (ko) | 2006-01-26 | 2007-05-04 | 주식회사 아토 | 절연체를 이용한 샤워헤드 |
| JP2007191792A (ja) | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Atto Co Ltd | ガス分離型シャワーヘッド |
| US20070169703A1 (en) | 2006-01-23 | 2007-07-26 | Brent Elliot | Advanced ceramic heater for substrate processing |
| US8173228B2 (en) | 2006-01-27 | 2012-05-08 | Applied Materials, Inc. | Particle reduction on surfaces of chemical vapor deposition processing apparatus |
| US7494545B2 (en) | 2006-02-03 | 2009-02-24 | Applied Materials, Inc. | Epitaxial deposition process and apparatus |
| KR100785164B1 (ko) | 2006-02-04 | 2007-12-11 | 위순임 | 다중 출력 원격 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 기판 처리시스템 |
| KR100678696B1 (ko) | 2006-02-08 | 2007-02-06 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 환형 플라즈마를 형성하기 위한 페라이트 코어 조립체를구비한 자기 강화된 플라즈마 소오스 |
| KR100752622B1 (ko) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | 한양대학교 산학협력단 | 원거리 플라즈마 발생장치 |
| US20070207275A1 (en) * | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of remote plasma source clean for dielectric films |
| CN101378850A (zh) | 2006-02-21 | 2009-03-04 | 应用材料股份有限公司 | 加强用于介电膜层的远程等离子体源清洁 |
| US7713430B2 (en) | 2006-02-23 | 2010-05-11 | Micron Technology, Inc. | Using positive DC offset of bias RF to neutralize charge build-up of etch features |
| US7520969B2 (en) | 2006-03-07 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Notched deposition ring |
| CA2644356A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Novartis Ag | Heterocyclic organic compounds for the treatment of in particular melanoma |
| US7977245B2 (en) | 2006-03-22 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching a dielectric barrier layer with high selectivity |
| US7381651B2 (en) | 2006-03-22 | 2008-06-03 | Axcelis Technologies, Inc. | Processes for monitoring the levels of oxygen and/or nitrogen species in a substantially oxygen and nitrogen-free plasma ashing process |
| US8343280B2 (en) | 2006-03-28 | 2013-01-01 | Tokyo Electron Limited | Multi-zone substrate temperature control system and method of operating |
| US7628574B2 (en) | 2006-03-28 | 2009-12-08 | Arcus Technology, Inc. | Apparatus and method for processing substrates using one or more vacuum transfer chamber units |
| US7743731B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-06-29 | Tokyo Electron Limited | Reduced contaminant gas injection system and method of using |
| US7780865B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films |
| US7906032B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-03-15 | Tokyo Electron Limited | Method for conditioning a process chamber |
| JP5042517B2 (ja) | 2006-04-10 | 2012-10-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN100539080C (zh) | 2006-04-12 | 2009-09-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法 |
| US20070243714A1 (en) | 2006-04-18 | 2007-10-18 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling silicon-containing polymer build up during etching by using a periodic cleaning step |
| US7488685B2 (en) | 2006-04-25 | 2009-02-10 | Micron Technology, Inc. | Process for improving critical dimension uniformity of integrated circuit arrays |
| SG171606A1 (en) | 2006-04-26 | 2011-06-29 | Advanced Tech Materials | Cleaning of semiconductor processing systems |
| US8226769B2 (en) | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
| US20070254169A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Kamins Theodore I | Structures including organic self-assembled monolayers and methods of making the structures |
| US7297564B1 (en) | 2006-05-02 | 2007-11-20 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Fabrication of vertical sidewalls on (110) silicon substrates for use in Si/SiGe photodetectors |
| US7601607B2 (en) | 2006-05-15 | 2009-10-13 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Protruded contact and insertion of inter-layer-dielectric material to match damascene hardmask to improve undercut for low-k interconnects |
| JP5578389B2 (ja) | 2006-05-16 | 2014-08-27 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 積層膜パターン形成方法及びゲート電極形成方法 |
| JP2007311540A (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US20070266946A1 (en) | 2006-05-22 | 2007-11-22 | Byung-Chul Choi | Semiconductor device manufacturing apparatus and method of using the same |
| JP5119609B2 (ja) | 2006-05-25 | 2013-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体、並びに半導体装置 |
| US7825038B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen |
| US7790634B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc | Method for depositing and curing low-k films for gapfill and conformal film applications |
| US20070277734A1 (en) | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for dielectric gapfill |
| US20070281106A1 (en) | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for dielectric gapfill |
| US7665951B2 (en) | 2006-06-02 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | Multiple slot load lock chamber and method of operation |
| JP5069427B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-11-07 | 北陸成型工業株式会社 | シャワープレート、並びにそれを用いたプラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子装置の製造方法 |
| US7777152B2 (en) | 2006-06-13 | 2010-08-17 | Applied Materials, Inc. | High AC current high RF power AC-RF decoupling filter for plasma reactor heated electrostatic chuck |
| US7932181B2 (en) | 2006-06-20 | 2011-04-26 | Lam Research Corporation | Edge gas injection for critical dimension uniformity improvement |
| US20070296967A1 (en) | 2006-06-27 | 2007-12-27 | Bhupendra Kumra Gupta | Analysis of component for presence, composition and/or thickness of coating |
| US8114781B2 (en) | 2006-06-29 | 2012-02-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US7416989B1 (en) | 2006-06-30 | 2008-08-26 | Novellus Systems, Inc. | Adsorption based material removal process |
| US7618889B2 (en) | 2006-07-18 | 2009-11-17 | Applied Materials, Inc. | Dual damascene fabrication with low k materials |
| US9275887B2 (en) | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
| US20080029032A1 (en) | 2006-08-01 | 2008-02-07 | Sun Jennifer Y | Substrate support with protective layer for plasma resistance |
| GB0615343D0 (en) | 2006-08-02 | 2006-09-13 | Point 35 Microstructures Ltd | Improved etch process |
| GB0616131D0 (en) | 2006-08-14 | 2006-09-20 | Oxford Instr Plasma Technology | Surface processing apparatus |
| US20080045030A1 (en) | 2006-08-15 | 2008-02-21 | Shigeru Tahara | Substrate processing method, substrate processing system and storage medium |
| US20080124937A1 (en) | 2006-08-16 | 2008-05-29 | Songlin Xu | Selective etching method and apparatus |
| KR100761757B1 (ko) | 2006-08-17 | 2007-09-28 | 삼성전자주식회사 | 막 형성 방법 |
| KR100818708B1 (ko) | 2006-08-18 | 2008-04-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 표면 세정을 포함하는 반도체소자 제조방법 |
| US20080063810A1 (en) | 2006-08-23 | 2008-03-13 | Applied Materials, Inc. | In-situ process state monitoring of chamber |
| US8110787B1 (en) | 2006-08-23 | 2012-02-07 | ON Semiconductor Trading, Ltd | Image sensor with a reflective waveguide |
| US7575007B2 (en) | 2006-08-23 | 2009-08-18 | Applied Materials, Inc. | Chamber recovery after opening barrier over copper |
| US7611980B2 (en) | 2006-08-30 | 2009-11-03 | Micron Technology, Inc. | Single spacer process for multiplying pitch by a factor greater than two and related intermediate IC structures |
| US20080063798A1 (en) | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Kher Shreyas S | Precursors and hardware for cvd and ald |
| US7452766B2 (en) | 2006-08-31 | 2008-11-18 | Micron Technology, Inc. | Finned memory cells and the fabrication thereof |
| KR100849929B1 (ko) | 2006-09-16 | 2008-08-26 | 주식회사 피에조닉스 | 반응 기체의 분사 속도를 적극적으로 조절하는 샤워헤드를구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
| US7297894B1 (en) | 2006-09-25 | 2007-11-20 | Tokyo Electron Limited | Method for multi-step temperature control of a substrate |
| US20080075668A1 (en) | 2006-09-27 | 2008-03-27 | Goldstein Alan H | Security Device Using Reversibly Self-Assembling Systems |
| CN101153396B (zh) | 2006-09-30 | 2010-06-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 等离子刻蚀方法 |
| US7589950B2 (en) | 2006-10-13 | 2009-09-15 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck having sealing assembly |
| JP2008103645A (ja) | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US20080099147A1 (en) | 2006-10-26 | 2008-05-01 | Nyi Oo Myo | Temperature controlled multi-gas distribution assembly |
| US7655571B2 (en) | 2006-10-26 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Integrated method and apparatus for efficient removal of halogen residues from etched substrates |
| JP2008109043A (ja) | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| US8002946B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with cathode providing a uniform distribution of etch rate |
| US7943005B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| US7909961B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
| US20080102640A1 (en) | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Etching oxide with high selectivity to titanium nitride |
| US7880232B2 (en) | 2006-11-01 | 2011-02-01 | Micron Technology, Inc. | Processes and apparatus having a semiconductor fin |
| US7725974B2 (en) | 2006-11-02 | 2010-06-01 | Hughes Randall L | Shoe and foot cleaning and disinfecting system |
| US7700479B2 (en) | 2006-11-06 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cleaning processes in the formation of integrated circuit interconnect structures |
| US20080178805A1 (en) | 2006-12-05 | 2008-07-31 | Applied Materials, Inc. | Mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma flow control grid and electrode |
| US7939422B2 (en) | 2006-12-07 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of thin film process |
| US20080142483A1 (en) | 2006-12-07 | 2008-06-19 | Applied Materials, Inc. | Multi-step dep-etch-dep high density plasma chemical vapor deposition processes for dielectric gapfills |
| CN101542693A (zh) | 2006-12-11 | 2009-09-23 | 应用材料股份有限公司 | 干式光阻剥除方法及设备 |
| JP2008148470A (ja) | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Hitachi Ltd | 集中巻コイルおよび集中巻きコイルの製造方法 |
| US8702866B2 (en) | 2006-12-18 | 2014-04-22 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly with gas flow modification for extended electrode life |
| TWM318795U (en) | 2006-12-18 | 2007-09-11 | Lighthouse Technology Co Ltd | Package structure |
| US8043430B2 (en) | 2006-12-20 | 2011-10-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber |
| US20100059889A1 (en) | 2006-12-20 | 2010-03-11 | Nxp, B.V. | Adhesion of diffusion barrier on copper-containing interconnect element |
| US7922863B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-04-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for integrated gas and radiation delivery |
| JP5229711B2 (ja) | 2006-12-25 | 2013-07-03 | 国立大学法人名古屋大学 | パターン形成方法、および半導体装置の製造方法 |
| US20080156631A1 (en) | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Novellus Systems, Inc. | Methods of Producing Plasma in a Container |
| JP2008163430A (ja) | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Jtekt Corp | 高耐食性部材およびその製造方法 |
| US20080157225A1 (en) | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Suman Datta | SRAM and logic transistors with variable height multi-gate transistor architecture |
| US7808053B2 (en) | 2006-12-29 | 2010-10-05 | Intel Corporation | Method, apparatus, and system for flash memory |
| KR20080063988A (ko) | 2007-01-03 | 2008-07-08 | 삼성전자주식회사 | 중성빔을 이용한 식각장치 |
| US8097105B2 (en) | 2007-01-11 | 2012-01-17 | Lam Research Corporation | Extending lifetime of yttrium oxide as a plasma chamber material |
| JP5168907B2 (ja) | 2007-01-15 | 2013-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体 |
| JP4421618B2 (ja) | 2007-01-17 | 2010-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | フィン型電界効果トランジスタの製造方法 |
| US7728364B2 (en) | 2007-01-19 | 2010-06-01 | International Business Machines Corporation | Enhanced mobility CMOS transistors with a V-shaped channel with self-alignment to shallow trench isolation |
| JP4299863B2 (ja) | 2007-01-22 | 2009-07-22 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8444926B2 (en) | 2007-01-30 | 2013-05-21 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber with heated chamber liner |
| JP5048352B2 (ja) | 2007-01-31 | 2012-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| KR100878015B1 (ko) | 2007-01-31 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 산화물 제거 방법 및 이를 이용한 트렌치 매립 방법 |
| KR100843236B1 (ko) | 2007-02-06 | 2008-07-03 | 삼성전자주식회사 | 더블 패터닝 공정을 이용하는 반도체 소자의 미세 패턴형성 방법 |
| JP2008205219A (ja) | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Masato Toshima | シャワーヘッドおよびこれを用いたｃｖｄ装置 |
| CN100577866C (zh) | 2007-02-27 | 2010-01-06 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法 |
| US20080202892A1 (en) | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Smith John M | Stacked process chambers for substrate vacuum processing tool |
| US20080216901A1 (en) | 2007-03-06 | 2008-09-11 | Mks Instruments, Inc. | Pressure control for vacuum processing system |
| US7977249B1 (en) | 2007-03-07 | 2011-07-12 | Novellus Systems, Inc. | Methods for removing silicon nitride and other materials during fabrication of contacts |
| US20080216958A1 (en) | 2007-03-07 | 2008-09-11 | Novellus Systems, Inc. | Plasma Reaction Apparatus Having Pre-Seasoned Showerheads and Methods for Manufacturing the Same |
| WO2008112673A2 (en) | 2007-03-12 | 2008-09-18 | Tokyo Electron Limited | Dynamic temperature backside gas control for improved within-substrate processing uniformity |
| JP4833890B2 (ja) | 2007-03-12 | 2011-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ分布補正方法 |
| KR100853485B1 (ko) | 2007-03-19 | 2008-08-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조 방법 |
| US20080233709A1 (en) | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Infineon Technologies North America Corp. | Method for removing material from a semiconductor |
| US7815814B2 (en) | 2007-03-23 | 2010-10-19 | Tokyo Electron Limited | Method and system for dry etching a metal nitride |
| WO2008123060A1 (ja) | 2007-03-28 | 2008-10-16 | Canon Anelva Corporation | 真空処理装置 |
| JP4988402B2 (ja) | 2007-03-30 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US8235001B2 (en) * | 2007-04-02 | 2012-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
| JP5179476B2 (ja) | 2007-04-17 | 2013-04-10 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
| JP5282419B2 (ja) | 2007-04-18 | 2013-09-04 | ソニー株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5135879B2 (ja) | 2007-05-21 | 2013-02-06 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| KR100777043B1 (ko) | 2007-05-22 | 2007-11-16 | 주식회사 테스 | 비정질 탄소막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 |
| US8084105B2 (en) | 2007-05-23 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing boron nitride and boron nitride-derived materials |
| US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
| US7807578B2 (en) | 2007-06-01 | 2010-10-05 | Applied Materials, Inc. | Frequency doubling using spacer mask |
| JP2008305871A (ja) | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Spansion Llc | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR20080111627A (ko) | 2007-06-19 | 2008-12-24 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 공정장치 및 그 방법 |
| US20090004873A1 (en) | 2007-06-26 | 2009-01-01 | Intevac, Inc. | Hybrid etch chamber with decoupled plasma controls |
| US7585716B2 (en) | 2007-06-27 | 2009-09-08 | International Business Machines Corporation | High-k/metal gate MOSFET with reduced parasitic capacitance |
| JP5008478B2 (ja) | 2007-06-27 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびシャワーヘッド |
| TWI479559B (zh) | 2007-06-28 | 2015-04-01 | Quantum Global Tech Llc | 以選擇性噴灑蝕刻來清潔腔室部件的方法和設備 |
| KR100877107B1 (ko) | 2007-06-28 | 2009-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 층간절연막 형성방법 |
| JP4438008B2 (ja) | 2007-06-29 | 2010-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| KR101050454B1 (ko) | 2007-07-02 | 2011-07-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 및 그 형성방법 |
| US8021514B2 (en) | 2007-07-11 | 2011-09-20 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source for pre-treatment of substrates prior to deposition |
| US8197636B2 (en) | 2007-07-12 | 2012-06-12 | Applied Materials, Inc. | Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching |
| JP5660753B2 (ja) | 2007-07-13 | 2015-01-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | プラズマエッチング用高温カソード |
| DE102007033685A1 (de) | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Ätzen einer Schicht auf einem Silizium-Halbleitersubstrat |
| WO2009010909A1 (en) | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method, system and device for transmitting lighting device data |
| JP5077659B2 (ja) | 2007-07-20 | 2012-11-21 | ニチアス株式会社 | 触媒コンバーター及び触媒コンバーター用保持材 |
| US8008166B2 (en) | 2007-07-26 | 2011-08-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a substrate surface |
| US8108981B2 (en) | 2007-07-31 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | Method of making an electrostatic chuck with reduced plasma penetration and arcing |
| EP2042516A1 (en) | 2007-09-27 | 2009-04-01 | Protaffin Biotechnologie AG | Glycosaminoglycan-antagonising MCP-1 mutants and methods of using same |
| US8367227B2 (en) | 2007-08-02 | 2013-02-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma-resistant ceramics with controlled electrical resistivity |
| JP5251033B2 (ja) | 2007-08-14 | 2013-07-31 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4160104B1 (ja) | 2007-08-16 | 2008-10-01 | 株式会社アルバック | アッシング装置 |
| WO2009025392A2 (en) | 2007-08-21 | 2009-02-26 | Panasonic Corporation | Plasma processing device and method of monitoring plasma discharge state in plasma processing device |
| US8202393B2 (en) | 2007-08-29 | 2012-06-19 | Lam Research Corporation | Alternate gas delivery and evacuation system for plasma processing apparatuses |
| US8765589B2 (en) | 2007-08-31 | 2014-07-01 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor device manufacturing method |
| TWI459851B (zh) | 2007-09-10 | 2014-11-01 | Ngk Insulators Ltd | heating equipment |
| JP5148955B2 (ja) | 2007-09-11 | 2013-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置機構及び基板処理装置 |
| JP5347294B2 (ja) | 2007-09-12 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| JP5169097B2 (ja) | 2007-09-14 | 2013-03-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
| US20120122319A1 (en) | 2007-09-19 | 2012-05-17 | Hironobu Shimizu | Coating method for coating reaction tube prior to film forming process |
| US7781332B2 (en) | 2007-09-19 | 2010-08-24 | International Business Machines Corporation | Methods to mitigate plasma damage in organosilicate dielectrics using a protective sidewall spacer |
| JP5194125B2 (ja) | 2007-09-25 | 2013-05-08 | ラム リサーチ コーポレーション | シャワーヘッド電極アセンブリ用の温度制御モジュール、シャワーヘッド電極アセンブリ及びシャワーヘッド電極アセンブリの上部電極の温度を制御する方法 |
| US8298931B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-10-30 | Sandisk 3D Llc | Dual damascene with amorphous carbon for 3D deep via/trench application |
| JP2009088229A (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、成膜方法、記憶媒体及びガス供給装置 |
| KR101070292B1 (ko) | 2007-09-28 | 2011-10-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의 리세스게이트 제조 방법 |
| US20090084317A1 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber and components |
| JP2011500961A (ja) | 2007-10-11 | 2011-01-06 | バレンス プロセス イクウィップメント，インコーポレイテッド | 化学気相成長反応器 |
| US7838390B2 (en) | 2007-10-12 | 2010-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein |
| US20090095222A1 (en) | 2007-10-16 | 2009-04-16 | Alexander Tam | Multi-gas spiral channel showerhead |
| US20090095221A1 (en) | 2007-10-16 | 2009-04-16 | Alexander Tam | Multi-gas concentric injection showerhead |
| US7976631B2 (en) | 2007-10-16 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas straight channel showerhead |
| US8252696B2 (en) | 2007-10-22 | 2012-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of silicon nitride |
| US7871926B2 (en) | 2007-10-22 | 2011-01-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for forming at least one dielectric layer |
| CN101889329B (zh) | 2007-10-31 | 2012-07-04 | 朗姆研究公司 | 长寿命可消耗氮化硅-二氧化硅等离子处理部件 |
| KR101508026B1 (ko) | 2007-10-31 | 2015-04-08 | 램 리써치 코포레이션 | 컴포넌트 바디와 액체 냉각제 사이의 열 전도도를 제어하기 위해 가스 압력을 이용하는 온도 제어 모듈 |
| US20100243165A1 (en) | 2007-11-01 | 2010-09-30 | Pyung-Yong Um | Apparatus for surface-treating wafer using high-frequency inductively-coupled plasma |
| JP5006938B2 (ja) | 2007-11-02 | 2012-08-22 | キヤノンアネルバ株式会社 | 表面処理装置およびその基板処理方法 |
| US7964040B2 (en) | 2007-11-08 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Multi-port pumping system for substrate processing chambers |
| JP5150217B2 (ja) | 2007-11-08 | 2013-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | シャワープレート及び基板処理装置 |
| CN104037065A (zh) | 2007-11-08 | 2014-09-10 | 朗姆研究公司 | 使用氧化物垫片减小节距 |
| US20090120364A1 (en) | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Applied Materials, Inc. | Gas mixing swirl insert assembly |
| JP5172617B2 (ja) | 2007-11-12 | 2013-03-27 | シャープ株式会社 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
| US7704849B2 (en) | 2007-12-03 | 2010-04-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming trench isolation in silicon of a semiconductor substrate by plasma |
| FR2924501B1 (fr) | 2007-12-04 | 2010-02-05 | Commissariat Energie Atomique | Procede de reglage d'un circuit d'excitation et detection pour resonance magnetique nucleaire et circuit d'excitation et detection adapte a la mise en oeuvre d'un tel procede |
| AU2008333222A1 (en) | 2007-12-04 | 2009-06-11 | Parabel Ag | Multilayer solar element |
| JP5142692B2 (ja) | 2007-12-11 | 2013-02-13 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
| US8187486B1 (en) | 2007-12-13 | 2012-05-29 | Novellus Systems, Inc. | Modulating etch selectivity and etch rate of silicon nitride thin films |
| JP2009170890A (ja) | 2007-12-18 | 2009-07-30 | Takashima & Co Ltd | 可撓性膜状太陽電池複層体 |
| US8512509B2 (en) | 2007-12-19 | 2013-08-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor gas distribution plate with radially distributed path splitting manifold |
| US20090159213A1 (en) | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor gas distribution plate having a path splitting manifold immersed within a showerhead |
| WO2009086013A2 (en) | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
| US7989329B2 (en) | 2007-12-21 | 2011-08-02 | Applied Materials, Inc. | Removal of surface dopants from a substrate |
| US8129029B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-03-06 | Applied Materials, Inc. | Erosion-resistant plasma chamber components comprising a metal base structure with an overlying thermal oxidation coating |
| JP4974873B2 (ja) | 2007-12-26 | 2012-07-11 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャック及び基板温調固定装置 |
| US20090170331A1 (en) | 2007-12-27 | 2009-07-02 | International Business Machines Corporation | Method of forming a bottle-shaped trench by ion implantation |
| US7910477B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Etch residue reduction by ash methodology |
| TWI427697B (zh) | 2007-12-28 | 2014-02-21 | Tokyo Electron Ltd | 金屬膜及金屬氧化膜之蝕刻方法與半導體裝置之製造方法 |
| JP2009170509A (ja) | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Hitachi High-Technologies Corp | ヒータ内蔵静電チャックを備えたプラズマ処理装置 |
| US8018023B2 (en) | 2008-01-14 | 2011-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Trench sidewall protection by a carbon-rich layer in a semiconductor device |
| US7998864B2 (en) | 2008-01-29 | 2011-08-16 | International Business Machines Corporation | Noble metal cap for interconnect structures |
| US20090191711A1 (en) | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Ying Rui | Hardmask open process with enhanced cd space shrink and reduction |
| TW200933812A (en) | 2008-01-30 | 2009-08-01 | Promos Technologies Inc | Process for forming trench isolation structure and semiconductor device produced thereby |
| US20090194810A1 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Masahiro Kiyotoshi | Semiconductor device using element isolation region of trench isolation structure and manufacturing method thereof |
| CN101911253B (zh) | 2008-01-31 | 2012-08-22 | 应用材料公司 | 闭环mocvd沉积控制 |
| JP5224837B2 (ja) | 2008-02-01 | 2013-07-03 | 株式会社東芝 | 基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP5250279B2 (ja) | 2008-02-23 | 2013-07-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プローブ装置 |
| US20090214825A1 (en) | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Applied Materials, Inc. | Ceramic coating comprising yttrium which is resistant to a reducing plasma |
| KR101259484B1 (ko) | 2008-02-26 | 2013-05-06 | 쿄세라 코포레이션 | 웨이퍼 지지 부재와 그 제조 방법, 및 이것을 사용한 정전 척 |
| US8075728B2 (en) | 2008-02-28 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Gas flow equalizer plate suitable for use in a substrate process chamber |
| US8066895B2 (en) | 2008-02-28 | 2011-11-29 | Applied Materials, Inc. | Method to control uniformity using tri-zone showerhead |
| US8336891B2 (en) | 2008-03-11 | 2012-12-25 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic chuck |
| US7906818B2 (en) | 2008-03-13 | 2011-03-15 | Micron Technology, Inc. | Memory array with a pair of memory-cell strings to a single conductive pillar |
| JP5188849B2 (ja) | 2008-03-14 | 2013-04-24 | Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US7915597B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-03-29 | Axcelis Technologies, Inc. | Extraction electrode system for high current ion implanter |
| US9520275B2 (en) | 2008-03-21 | 2016-12-13 | Tokyo Electron Limited | Mono-energetic neutral beam activated chemical processing system and method of using |
| JP5264231B2 (ja) | 2008-03-21 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US20110011341A1 (en) | 2008-03-24 | 2011-01-20 | Tokyo Electron Limited | Shower plate and plasma processing device using the same |
| JP5352103B2 (ja) | 2008-03-27 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置および処理システム |
| DE102008016425B4 (de) | 2008-03-31 | 2015-11-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Verfahren zur Strukturierung einer Metallisierungsschicht durch Verringerung der durch Lackentfernung hervorgerufenen Schäden des dielektrischen Materials |
| JP5026326B2 (ja) | 2008-04-04 | 2012-09-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング処理状態の判定方法、システム |
| US20090258162A1 (en) | 2008-04-12 | 2009-10-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing apparatus and method |
| JP2009266952A (ja) | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Seiko Epson Corp | デバイスの製造方法及び製造装置 |
| US7977246B2 (en) | 2008-04-25 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Thermal annealing method for preventing defects in doped silicon oxide surfaces during exposure to atmosphere |
| US8252194B2 (en) | 2008-05-02 | 2012-08-28 | Micron Technology, Inc. | Methods of removing silicon oxide |
| CN102017057B (zh) | 2008-05-02 | 2012-11-28 | 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) | 用于基板的等离子体辅助处理的等离子体处理装置和方法 |
| US8398777B2 (en) | 2008-05-02 | 2013-03-19 | Applied Materials, Inc. | System and method for pedestal adjustment |
| US20090274590A1 (en) | 2008-05-05 | 2009-11-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor electrostatic chuck having a coaxial rf feed and multizone ac heater power transmission through the coaxial feed |
| US20090275206A1 (en) | 2008-05-05 | 2009-11-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma process employing multiple zone gas distribution for improved uniformity of critical dimension bias |
| US8357435B2 (en) * | 2008-05-09 | 2013-01-22 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric equipment and processes |
| US20090277874A1 (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing polymer from a substrate |
| US20090277587A1 (en) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric equipment and processes |
| US8277670B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-10-02 | Lam Research Corporation | Plasma process with photoresist mask pretreatment |
| KR100999182B1 (ko) | 2008-05-20 | 2010-12-08 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 내장 변압기를 갖는 플라즈마 반응기 |
| KR100998011B1 (ko) | 2008-05-22 | 2010-12-03 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학기상 증착장치 |
| KR101006848B1 (ko) | 2008-05-28 | 2011-01-14 | 주식회사 코미코 | 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| DE102008026134A1 (de) | 2008-05-30 | 2009-12-17 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Mikrostrukturbauelement mit einer Metallisierungsstruktur mit selbstjustierten Luftspalten zwischen dichtliegenden Metallleitungen |
| US7754601B2 (en) | 2008-06-03 | 2010-07-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor interconnect air gap formation process |
| US20090302005A1 (en) | 2008-06-04 | 2009-12-10 | General Electric Company | Processes for texturing a surface prior to electroless plating |
| KR20090128913A (ko) | 2008-06-11 | 2009-12-16 | 성균관대학교산학협력단 | 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 장치 및 그 방법 |
| JP2010003826A (ja) | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7699935B2 (en) | 2008-06-19 | 2010-04-20 | Applied Materials, Inc. | Method and system for supplying a cleaning gas into a process chamber |
| US8607731B2 (en) | 2008-06-23 | 2013-12-17 | Applied Materials, Inc. | Cathode with inner and outer electrodes at different heights |
| JP5222040B2 (ja) | 2008-06-25 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| CN101932750B (zh) | 2008-06-27 | 2014-05-07 | 三菱重工业株式会社 | 真空处理装置及真空处理装置的运转方法 |
| JP5211332B2 (ja) | 2008-07-01 | 2013-06-12 | 株式会社ユーテック | プラズマｃｖｄ装置、ｄｌｃ膜及び薄膜の製造方法 |
| US8291857B2 (en) | 2008-07-03 | 2012-10-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatuses and methods for atomic layer deposition |
| US8161906B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Clamped showerhead electrode assembly |
| US8206506B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-06-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
| US8419960B2 (en) | 2008-07-11 | 2013-04-16 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
| KR20110036933A (ko) | 2008-07-11 | 2011-04-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Ｃｖｄ 적용을 위한 챔버 구성요소 |
| WO2010008021A1 (ja) | 2008-07-15 | 2010-01-21 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US8336188B2 (en) | 2008-07-17 | 2012-12-25 | Formfactor, Inc. | Thin wafer chuck |
| US20100018648A1 (en) | 2008-07-23 | 2010-01-28 | Applied Marterials, Inc. | Workpiece support for a plasma reactor with controlled apportionment of rf power to a process kit ring |
| JP2011253832A (ja) | 2008-07-24 | 2011-12-15 | Canon Anelva Corp | レジストトリミング方法及びトリミング装置 |
| KR20100013980A (ko) | 2008-08-01 | 2010-02-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
| US20100025370A1 (en) | 2008-08-04 | 2010-02-04 | Applied Materials, Inc. | Reactive gas distributor, reactive gas treatment system, and reactive gas treatment method |
| WO2010019430A2 (en) | 2008-08-12 | 2010-02-18 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck assembly |
| US7882808B2 (en) | 2008-08-20 | 2011-02-08 | Crazy K Poultry + Livestock, LLC | Protective hen apron |
| EP2324687B1 (en) | 2008-08-20 | 2016-01-27 | Vision Dynamics Holding B.V. | Device for generating a plasma discharge for patterning the surface of a substrate |
| US8268729B2 (en) | 2008-08-21 | 2012-09-18 | International Business Machines Corporation | Smooth and vertical semiconductor fin structure |
| JP2010047818A (ja) | 2008-08-25 | 2010-03-04 | Toshiba Corp | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
| KR100997502B1 (ko) | 2008-08-26 | 2010-11-30 | 금호석유화학 주식회사 | 개환된 프탈릭 언하이드라이드를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물과 이의 제조방법 |
| KR101025741B1 (ko) | 2008-09-02 | 2011-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 수직 채널 트랜지스터의 활성필라 제조방법 |
| US8871645B2 (en) | 2008-09-11 | 2014-10-28 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor devices suitable for narrow pitch applications and methods of fabrication thereof |
| US8168268B2 (en) | 2008-12-12 | 2012-05-01 | Ovishinsky Innovation, LLC | Thin film deposition via a spatially-coordinated and time-synchronized process |
| US7709396B2 (en) | 2008-09-19 | 2010-05-04 | Applied Materials, Inc. | Integral patterning of large features along with array using spacer mask patterning process flow |
| JP5295833B2 (ja) | 2008-09-24 | 2013-09-18 | 株式会社東芝 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| US20100081285A1 (en) | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and Method for Improving Photoresist Properties |
| US7968441B2 (en) | 2008-10-08 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Dopant activation anneal to achieve less dopant diffusion (better USJ profile) and higher activation percentage |
| US7928003B2 (en) | 2008-10-10 | 2011-04-19 | Applied Materials, Inc. | Air gap interconnects using carbon-based films |
| US7910491B2 (en) | 2008-10-16 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Gapfill improvement with low etch rate dielectric liners |
| US8563090B2 (en) | 2008-10-16 | 2013-10-22 | Applied Materials, Inc. | Boron film interface engineering |
| US20100099263A1 (en) | 2008-10-20 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc. | Nf3/h2 remote plasma process with high etch selectivity of psg/bpsg over thermal oxide and low density surface defects |
| US8207470B2 (en) * | 2008-10-20 | 2012-06-26 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University | Apparatus for generating remote plasma |
| WO2010048076A2 (en) | 2008-10-21 | 2010-04-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma source for chamber cleaning and process |
| US8173547B2 (en) | 2008-10-23 | 2012-05-08 | Lam Research Corporation | Silicon etch with passivation using plasma enhanced oxidation |
| US20100101727A1 (en) | 2008-10-27 | 2010-04-29 | Helin Ji | Capacitively coupled remote plasma source with large operating pressure range |
| JP5396065B2 (ja) | 2008-10-28 | 2014-01-22 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| US8206829B2 (en) | 2008-11-10 | 2012-06-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant coatings for plasma chamber components |
| US20100116788A1 (en) | 2008-11-12 | 2010-05-13 | Lam Research Corporation | Substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support |
| US8043933B2 (en) | 2008-11-24 | 2011-10-25 | Applied Materials, Inc. | Integration sequences with top surface profile modification |
| JP5358165B2 (ja) | 2008-11-26 | 2013-12-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| US20100144140A1 (en) | 2008-12-10 | 2010-06-10 | Novellus Systems, Inc. | Methods for depositing tungsten films having low resistivity for gapfill applications |
| US20100147219A1 (en) | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Jui Hai Hsieh | High temperature and high voltage electrode assembly design |
| US8869741B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
| US8540844B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-09-24 | Lam Research Corporation | Plasma confinement structures in plasma processing systems |
| US8058179B1 (en) | 2008-12-23 | 2011-11-15 | Novellus Systems, Inc. | Atomic layer removal process with higher etch amount |
| KR20100074508A (ko) | 2008-12-24 | 2010-07-02 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP2010154699A (ja) | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi Ltd | 磁束可変型回転電機 |
| US20100183825A1 (en) | 2008-12-31 | 2010-07-22 | Cambridge Nanotech Inc. | Plasma atomic layer deposition system and method |
| KR101587601B1 (ko) | 2009-01-14 | 2016-01-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법 |
| US20100187694A1 (en) | 2009-01-28 | 2010-07-29 | Chen-Hua Yu | Through-Silicon Via Sidewall Isolation Structure |
| US7964517B2 (en) | 2009-01-29 | 2011-06-21 | Texas Instruments Incorporated | Use of a biased precoat for reduced first wafer defects in high-density plasma process |
| KR20100087915A (ko) | 2009-01-29 | 2010-08-06 | 삼성전자주식회사 | 실린더형 스토리지 노드를 포함하는 반도체 메모리 소자 및그 제조 방법 |
| KR101795658B1 (ko) | 2009-01-31 | 2017-11-08 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 에칭을 위한 방법 및 장치 |
| KR101527195B1 (ko) | 2009-02-02 | 2015-06-10 | 삼성전자주식회사 | 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자 |
| JP5210191B2 (ja) | 2009-02-03 | 2013-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化珪素膜のドライエッチング方法 |
| JP2010180458A (ja) | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Kit:Kk | アルミニウム表面の酸化層形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| CN102365906B (zh) | 2009-02-13 | 2016-02-03 | 应用材料公司 | 用于等离子体腔室电极的rf总线与rf回流总线 |
| KR101566922B1 (ko) | 2009-02-16 | 2015-11-09 | 삼성전자주식회사 | 저스트 드라이 에칭과 케미컬 드라이 에칭을 조합한 반도체소자의 금속 실리사이드막 형성 방법 |
| US8148749B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-04-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Trench-shielded semiconductor device |
| US20100224322A1 (en) | 2009-03-03 | 2010-09-09 | Applied Materials, Inc. | Endpoint detection for a reactor chamber using a remote plasma chamber |
| US20110048325A1 (en) | 2009-03-03 | 2011-03-03 | Sun Hong Choi | Gas Distribution Apparatus and Substrate Processing Apparatus Having the Same |
| US9378930B2 (en) | 2009-03-05 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma reactor having RF phase control and methods of use thereof |
| EP2409313A1 (de) | 2009-03-17 | 2012-01-25 | Roth & Rau AG | Substratbearbeitungsanlage und substratbearbeitungsverfahren |
| KR101539699B1 (ko) | 2009-03-19 | 2015-07-27 | 삼성전자주식회사 | 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
| US8312839B2 (en) | 2009-03-24 | 2012-11-20 | Applied Materials, Inc. | Mixing frequency at multiple feeding points |
| US8382999B2 (en) | 2009-03-26 | 2013-02-26 | Applied Materials, Inc. | Pulsed plasma high aspect ratio dielectric process |
| JP5657262B2 (ja) | 2009-03-27 | 2015-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JP5501807B2 (ja) | 2009-03-31 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| KR101534357B1 (ko) | 2009-03-31 | 2015-07-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 지지 장치 및 기판 지지 방법 |
| US8026179B2 (en) | 2009-04-09 | 2011-09-27 | Macronix International Co., Ltd. | Patterning method and integrated circuit structure |
| US8272346B2 (en) | 2009-04-10 | 2012-09-25 | Lam Research Corporation | Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode |
| US20100263588A1 (en) | 2009-04-15 | 2010-10-21 | Gan Zhiyin | Methods and apparatus for epitaxial growth of semiconductor materials |
| WO2010123707A2 (en) | 2009-04-20 | 2010-10-28 | Applied Materials, Inc. | Enhanced scavenging of residual fluorine radicals using silicon coating on process chamber walls |
| US9431237B2 (en) | 2009-04-20 | 2016-08-30 | Applied Materials, Inc. | Post treatment methods for oxide layers on semiconductor devices |
| US8193075B2 (en) | 2009-04-20 | 2012-06-05 | Applied Materials, Inc. | Remote hydrogen plasma with ion filter for terminating silicon dangling bonds |
| SG174993A1 (en) | 2009-04-21 | 2011-11-28 | Applied Materials Inc | Cvd apparatus for improved film thickness non-uniformity and particle performance |
| US8110889B2 (en) | 2009-04-28 | 2012-02-07 | Applied Materials, Inc. | MOCVD single chamber split process for LED manufacturing |
| US8623141B2 (en) | 2009-05-18 | 2014-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Piping system and control for semiconductor processing |
| KR101360876B1 (ko) | 2009-06-03 | 2014-02-11 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 식각을 위한 방법 및 장치 |
| US8753447B2 (en) | 2009-06-10 | 2014-06-17 | Novellus Systems, Inc. | Heat shield for heater in semiconductor processing apparatus |
| US8492292B2 (en) | 2009-06-29 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming oxide layers on substrates |
| WO2011009002A2 (en) | 2009-07-15 | 2011-01-20 | Applied Materials, Inc. | Flow control features of cvd chambers |
| US8124531B2 (en) | 2009-08-04 | 2012-02-28 | Novellus Systems, Inc. | Depositing tungsten into high aspect ratio features |
| US7935643B2 (en) | 2009-08-06 | 2011-05-03 | Applied Materials, Inc. | Stress management for tensile films |
| US8404598B2 (en) | 2009-08-07 | 2013-03-26 | Applied Materials, Inc. | Synchronized radio frequency pulsing for plasma etching |
| US7989365B2 (en) | 2009-08-18 | 2011-08-02 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source seasoning |
| KR101095119B1 (ko) | 2009-08-19 | 2011-12-16 | 삼성전기주식회사 | 다이 패키지 및 그 제조방법 |
| US9299539B2 (en) | 2009-08-21 | 2016-03-29 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for measuring wafer bias potential |
| JP2013503414A (ja) | 2009-08-26 | 2013-01-31 | ビーコ・インスツルメンツ・インコーポレーテッド | 磁気記録媒体上にパターンを製造するためのシステム |
| CN102414801A (zh) | 2009-08-27 | 2012-04-11 | 应用材料公司 | 在原位腔室清洁后的处理腔室去污方法 |
| US8211808B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-07-03 | Applied Materials, Inc. | Silicon-selective dry etch for carbon-containing films |
| WO2011027515A1 (ja) | 2009-09-02 | 2011-03-10 | 積水化学工業株式会社 | シリコン含有膜のエッチング方法 |
| US20120171852A1 (en) | 2009-09-04 | 2012-07-05 | Applied Materials, Inc | Remote hydrogen plasma source of silicon containing film deposition |
| US20110073136A1 (en) | 2009-09-10 | 2011-03-31 | Matheson Tri-Gas, Inc. | Removal of gallium and gallium containing materials |
| US20110061810A1 (en) | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching |
| US20110061812A1 (en) | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching |
| US20110065276A1 (en) | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching |
| JP5648349B2 (ja) | 2009-09-17 | 2015-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| US8216640B2 (en) | 2009-09-25 | 2012-07-10 | Hermes-Epitek Corporation | Method of making showerhead for semiconductor processing apparatus |
| US8329587B2 (en) | 2009-10-05 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Post-planarization densification |
| US9449859B2 (en) | 2009-10-09 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas centrally cooled showerhead design |
| TWI430714B (zh) | 2009-10-15 | 2014-03-11 | Orbotech Lt Solar Llc | 電漿處理腔之噴撒頭組件及電漿處理腔之噴撒頭組件之氣體電離板之製備方法 |
| EP2315028A1 (en) | 2009-10-26 | 2011-04-27 | Atlas Antibodies AB | PODXL protein in colorectal cancer |
| KR101757922B1 (ko) | 2009-10-27 | 2017-07-14 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| KR101928402B1 (ko) | 2009-10-30 | 2018-12-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법 |
| CN102598131B (zh) | 2009-11-04 | 2016-04-13 | 应用材料公司 | 用于图案化的磁盘媒体应用的等离子体离子注入工艺 |
| JP5257328B2 (ja) | 2009-11-04 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| US8455364B2 (en) | 2009-11-06 | 2013-06-04 | International Business Machines Corporation | Sidewall image transfer using the lithographic stack as the mandrel |
| WO2011056281A1 (en) | 2009-11-06 | 2011-05-12 | Rambus Inc. | Three-dimensional memory array stacking structure |
| US8742665B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma source design |
| KR20110054840A (ko) | 2009-11-18 | 2011-05-25 | 주식회사 아토 | 샤워헤드 어셈블리 및 이를 구비한 박막증착장치 |
| US8771538B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma source design |
| WO2011066508A2 (en) | 2009-11-30 | 2011-06-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber for processing hard disk drive substrates |
| TWI421369B (zh) | 2009-12-01 | 2014-01-01 | Ind Tech Res Inst | 氣體供應設備 |
| US8604697B2 (en) | 2009-12-09 | 2013-12-10 | Jehara Corporation | Apparatus for generating plasma |
| WO2011072143A2 (en) | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Novellus Systems, Inc. | Novel gap fill integration |
| WO2011070945A1 (ja) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | 株式会社アルバック | 薄膜製造装置、薄膜の製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| US8202803B2 (en) | 2009-12-11 | 2012-06-19 | Tokyo Electron Limited | Method to remove capping layer of insulation dielectric in interconnect structures |
| US20110139748A1 (en) | 2009-12-15 | 2011-06-16 | University Of Houston | Atomic layer etching with pulsed plasmas |
| US20110140229A1 (en) | 2009-12-16 | 2011-06-16 | Willy Rachmady | Techniques for forming shallow trench isolation |
| US8274017B2 (en) | 2009-12-18 | 2012-09-25 | Applied Materials, Inc. | Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control |
| US20110151677A1 (en) | 2009-12-21 | 2011-06-23 | Applied Materials, Inc. | Wet oxidation process performed on a dielectric material formed from a flowable cvd process |
| US8501629B2 (en) | 2009-12-23 | 2013-08-06 | Applied Materials, Inc. | Smooth SiConi etch for silicon-containing films |
| JP4927158B2 (ja) | 2009-12-25 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
| US20110303146A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-12-15 | Osamu Nishijima | Plasma doping apparatus |
| US8329262B2 (en) | 2010-01-05 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Dielectric film formation using inert gas excitation |
| JP5710209B2 (ja) | 2010-01-18 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構 |
| JP5166458B2 (ja) | 2010-01-22 | 2013-03-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP5608384B2 (ja) | 2010-02-05 | 2014-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置 |
| ATE551439T1 (de) | 2010-02-08 | 2012-04-15 | Roth & Rau Ag | PARALLELER PLATTENREAKTOR ZUR GLEICHMÄßIGEN DÜNNFILMABLAGERUNG MIT REDUZIERTER WERKZEUGAUFSTELLFLÄCHE |
| US8946828B2 (en) | 2010-02-09 | 2015-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device having elevated structure and method of manufacturing the same |
| US8361338B2 (en) | 2010-02-11 | 2013-01-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Hard mask removal method |
| US20110198034A1 (en) | 2010-02-11 | 2011-08-18 | Jennifer Sun | Gas distribution showerhead with coating material for semiconductor processing |
| WO2011099650A1 (en) | 2010-02-15 | 2011-08-18 | Daikin Industries, Ltd. | Water and oil resistant agent for paper and paper treatment process |
| JP5476152B2 (ja) | 2010-02-16 | 2014-04-23 | 積水化学工業株式会社 | 窒化シリコンのエッチング方法及び装置 |
| US8456009B2 (en) | 2010-02-18 | 2013-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor structure having an air-gap region and a method of manufacturing the same |
| JP5662079B2 (ja) | 2010-02-24 | 2015-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法 |
| US20110207332A1 (en) | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Thin film coated process kits for semiconductor manufacturing tools |
| KR101214758B1 (ko) | 2010-02-26 | 2012-12-21 | 성균관대학교산학협력단 | 식각 방법 |
| CN102844848A (zh) | 2010-03-05 | 2012-12-26 | 应用材料公司 | 通过自由基成分化学气相沉积的共形层 |
| US9175394B2 (en) | 2010-03-12 | 2015-11-03 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with multi inject |
| US8354660B2 (en) | 2010-03-16 | 2013-01-15 | Sandisk 3D Llc | Bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers |
| JP5450187B2 (ja) | 2010-03-16 | 2014-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US8435902B2 (en) | 2010-03-17 | 2013-05-07 | Applied Materials, Inc. | Invertable pattern loading with dry etch |
| US20130012030A1 (en) | 2010-03-17 | 2013-01-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for remote plasma source assisted silicon-containing film deposition |
| US8574447B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-11-05 | Lam Research Corporation | Inorganic rapid alternating process for silicon etch |
| US20110256692A1 (en) | 2010-04-14 | 2011-10-20 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor concentric delivery showerhead |
| US8637411B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-01-28 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
| US20110256421A1 (en) | 2010-04-16 | 2011-10-20 | United Technologies Corporation | Metallic coating for single crystal alloys |
| US8288268B2 (en) | 2010-04-29 | 2012-10-16 | International Business Machines Corporation | Microelectronic structure including air gap |
| US8475674B2 (en) | 2010-04-30 | 2013-07-02 | Applied Materials, Inc. | High-temperature selective dry etch having reduced post-etch solid residue |
| US8562742B2 (en) | 2010-04-30 | 2013-10-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for radial delivery of gas to a chamber and methods of use thereof |
| US20110265951A1 (en) | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Applied Materials, Inc. | Twin chamber processing system |
| US20110265884A1 (en) | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Applied Materials, Inc. | Twin chamber processing system with shared vacuum pump |
| US8721798B2 (en) | 2010-04-30 | 2014-05-13 | Applied Materials, Inc. | Methods for processing substrates in process systems having shared resources |
| US20110278260A1 (en) | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Applied Materials, Inc. | Inductive plasma source with metallic shower head using b-field concentrator |
| US8361906B2 (en) | 2010-05-20 | 2013-01-29 | Applied Materials, Inc. | Ultra high selectivity ashable hard mask film |
| US20140154668A1 (en) | 2010-05-21 | 2014-06-05 | The Trustees Of Princeton University | Structures for Enhancement of Local Electric Field, Light Absorption, Light Radiation, Material Detection and Methods for Making and Using of the Same. |
| JP5567392B2 (ja) | 2010-05-25 | 2014-08-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| JP5751895B2 (ja) | 2010-06-08 | 2015-07-22 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
| US8373239B2 (en) | 2010-06-08 | 2013-02-12 | International Business Machines Corporation | Structure and method for replacement gate MOSFET with self-aligned contact using sacrificial mandrel dielectric |
| JP2011258768A (ja) | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板、エピタキシャル層付き基板、半導体装置および炭化珪素基板の製造方法 |
| US20110304078A1 (en) | 2010-06-14 | 2011-12-15 | Applied Materials, Inc. | Methods for removing byproducts from load lock chambers |
| US8349681B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-01-08 | Sandisk Technologies Inc. | Ultrahigh density monolithic, three dimensional vertical NAND memory device |
| US8928061B2 (en) | 2010-06-30 | 2015-01-06 | SanDisk Technologies, Inc. | Three dimensional NAND device with silicide containing floating gates |
| US20120009796A1 (en) | 2010-07-09 | 2012-01-12 | Applied Materials, Inc. | Post-ash sidewall healing |
| JP5463224B2 (ja) | 2010-07-09 | 2014-04-09 | 日本発條株式会社 | 流路付きプレートの製造方法、流路付きプレート、温度調節プレート、コールドプレート、及びシャワープレート |
| KR101202352B1 (ko) | 2010-07-19 | 2012-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US8338211B2 (en) | 2010-07-27 | 2012-12-25 | Amtech Systems, Inc. | Systems and methods for charging solar cell layers |
| US8278203B2 (en) | 2010-07-28 | 2012-10-02 | Sandisk Technologies Inc. | Metal control gate formation in non-volatile storage |
| US9184028B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-11-10 | Lam Research Corporation | Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control |
| US20130059448A1 (en) | 2011-09-07 | 2013-03-07 | Lam Research Corporation | Pulsed Plasma Chamber in Dual Chamber Configuration |
| US8869742B2 (en) | 2010-08-04 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust |
| US9449793B2 (en) | 2010-08-06 | 2016-09-20 | Lam Research Corporation | Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction |
| US8222125B2 (en) | 2010-08-12 | 2012-07-17 | Ovshinsky Innovation, Llc | Plasma deposition of amorphous semiconductors at microwave frequencies |
| JP5198611B2 (ja) | 2010-08-12 | 2013-05-15 | 株式会社東芝 | ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法 |
| WO2012052858A1 (en) | 2010-08-16 | 2012-04-26 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Etching of oxide materials |
| US20120017989A1 (en) | 2010-08-24 | 2012-01-26 | Pai-Chun Chang | Metal and metal oxide surface texturing |
| KR20120022251A (ko) | 2010-09-01 | 2012-03-12 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각방법 및 그의 장치 |
| US8573152B2 (en) | 2010-09-03 | 2013-11-05 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
| US8580699B2 (en) | 2010-09-10 | 2013-11-12 | Applied Materials, Inc. | Embedded catalyst for atomic layer deposition of silicon oxide |
| US20120088356A1 (en) | 2010-09-14 | 2012-04-12 | Applied Materials, Inc. | Integrated platform for in-situ doping and activation of substrates |
| KR20120029291A (ko) | 2010-09-16 | 2012-03-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US8840754B2 (en) | 2010-09-17 | 2014-09-23 | Lam Research Corporation | Polar regions for electrostatic de-chucking with lift pins |
| WO2012039932A2 (en) | 2010-09-21 | 2012-03-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming layers on a substrate |
| KR101209003B1 (ko) | 2010-10-14 | 2012-12-06 | 주식회사 유진테크 | 3차원 구조의 메모리 소자를 제조하는 방법 및 장치 |
| US8633423B2 (en) | 2010-10-14 | 2014-01-21 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for controlling substrate temperature in a process chamber |
| US8183134B2 (en) | 2010-10-19 | 2012-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method with improved epitaxial quality of III-V compound on silicon surfaces |
| US20120097330A1 (en) | 2010-10-20 | 2012-04-26 | Applied Materials, Inc. | Dual delivery chamber design |
| US9123762B2 (en) | 2010-10-22 | 2015-09-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with symmetrical feed structure |
| WO2012058377A2 (en) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching oxide layers using process gas pulsing |
| JP5544343B2 (ja) | 2010-10-29 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| US9111994B2 (en) | 2010-11-01 | 2015-08-18 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US8133349B1 (en) | 2010-11-03 | 2012-03-13 | Lam Research Corporation | Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process |
| WO2012061593A2 (en) | 2010-11-03 | 2012-05-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for deposition of silicon carbide and silicon carbonitride films |
| US8389416B2 (en) | 2010-11-22 | 2013-03-05 | Tokyo Electron Limited | Process for etching silicon with selectivity to silicon-germanium |
| KR20120058962A (ko) | 2010-11-30 | 2012-06-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US8475103B2 (en) | 2010-12-09 | 2013-07-02 | Hamilton Sundstand Corporation | Sealing washer assembly for large diameter holes on flat surfaces |
| US8470713B2 (en) | 2010-12-13 | 2013-06-25 | International Business Machines Corporation | Nitride etch for improved spacer uniformity |
| US8741778B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Uniform dry etch in two stages |
| US9719169B2 (en) | 2010-12-20 | 2017-08-01 | Novellus Systems, Inc. | System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication |
| JP5728221B2 (ja) | 2010-12-24 | 2015-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び記憶媒体 |
| US20120177846A1 (en) | 2011-01-07 | 2012-07-12 | Applied Materials, Inc. | Radical steam cvd |
| KR101246170B1 (ko) * | 2011-01-13 | 2013-03-25 | 국제엘렉트릭코리아 주식회사 | 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 플라즈마 처리 장치 |
| KR101529578B1 (ko) | 2011-01-14 | 2015-06-19 | 성균관대학교산학협력단 | 플라즈마 기판 처리 장치 및 방법 |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US20120180954A1 (en) | 2011-01-18 | 2012-07-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US8363476B2 (en) | 2011-01-19 | 2013-01-29 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device, manufacturing method and operating method of the same |
| US9018692B2 (en) | 2011-01-19 | 2015-04-28 | Macronix International Co., Ltd. | Low cost scalable 3D memory |
| WO2012098871A1 (ja) | 2011-01-20 | 2012-07-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
| KR20120084898A (ko) | 2011-01-21 | 2012-07-31 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US8723423B2 (en) | 2011-01-25 | 2014-05-13 | Advanced Energy Industries, Inc. | Electrostatic remote plasma source |
| US9068265B2 (en) | 2011-02-01 | 2015-06-30 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate with discrete protective elements |
| KR101732936B1 (ko) | 2011-02-14 | 2017-05-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
| US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
| US20120216955A1 (en) | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Toshiba Materials Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| US9281207B2 (en) | 2011-02-28 | 2016-03-08 | Inpria Corporation | Solution processible hardmasks for high resolution lithography |
| TW201246362A (en) | 2011-03-01 | 2012-11-16 | Univ King Abdullah Sci & Tech | Silicon germanium mask for deep silicon etching |
| WO2012148568A1 (en) | 2011-03-01 | 2012-11-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for substrate transfer and radical confinement |
| CN103403852B (zh) | 2011-03-01 | 2016-06-08 | 应用材料公司 | 双负载闸配置的消除及剥离处理腔室 |
| EP2681088B1 (en) | 2011-03-02 | 2016-11-23 | Game Changers, Llc | Air cushion transport |
| US9441296B2 (en) | 2011-03-04 | 2016-09-13 | Novellus Systems, Inc. | Hybrid ceramic showerhead |
| FR2972563B1 (fr) | 2011-03-07 | 2013-03-01 | Altis Semiconductor Snc | Procédé de traitement d'une couche de nitrure de métal oxydée |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US20120238108A1 (en) | 2011-03-14 | 2012-09-20 | Applied Materials, Inc. | Two-stage ozone cure for dielectric films |
| TWI534291B (zh) | 2011-03-18 | 2016-05-21 | 應用材料股份有限公司 | 噴淋頭組件 |
| KR101884003B1 (ko) | 2011-03-22 | 2018-07-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학 기상 증착 챔버를 위한 라이너 조립체 |
| US9330953B2 (en) | 2011-03-23 | 2016-05-03 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
| US8980418B2 (en) | 2011-03-24 | 2015-03-17 | Uchicago Argonne, Llc | Sequential infiltration synthesis for advanced lithography |
| JP5864879B2 (ja) | 2011-03-31 | 2016-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びその制御方法 |
| JP6003011B2 (ja) | 2011-03-31 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP5815967B2 (ja) | 2011-03-31 | 2015-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び真空処理システム |
| US8460569B2 (en) | 2011-04-07 | 2013-06-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and system for post-etch treatment of patterned substrate features |
| US9196463B2 (en) | 2011-04-07 | 2015-11-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | System and method for plasma monitoring using microwaves |
| US20120258607A1 (en) | 2011-04-11 | 2012-10-11 | Lam Research Corporation | E-Beam Enhanced Decoupled Source for Semiconductor Processing |
| US8815720B2 (en) | 2011-04-12 | 2014-08-26 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method of etching a workpiece |
| US9695510B2 (en) | 2011-04-21 | 2017-07-04 | Kurt J. Lesker Company | Atomic layer deposition apparatus and process |
| US8415250B2 (en) | 2011-04-29 | 2013-04-09 | International Business Machines Corporation | Method of forming silicide contacts of different shapes selectively on regions of a semiconductor device |
| US8298954B1 (en) | 2011-05-06 | 2012-10-30 | International Business Machines Corporation | Sidewall image transfer process employing a cap material layer for a metal nitride layer |
| US20120285621A1 (en) | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor chamber apparatus for dielectric processing |
| EP2707375A4 (en) | 2011-05-13 | 2015-01-07 | Greenct Canada | MONO-METALLIC GROUP-11 PRECURSOR COMPOUNDS AND USE THEREOF IN A METAL SEPARATION |
| US9012283B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-04-21 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit (IC) chip having both metal and silicon gate field effect transistors (FETs) and method of manufacture |
| US8663389B2 (en) | 2011-05-21 | 2014-03-04 | Andrew Peter Clarke | Method and apparatus for crystal growth using a membrane-assisted semi-closed reactor |
| JP5563522B2 (ja) | 2011-05-23 | 2014-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US8562785B2 (en) | 2011-05-31 | 2013-10-22 | Lam Research Corporation | Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor |
| US9287093B2 (en) | 2011-05-31 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Dynamic ion radical sieve and ion radical aperture for an inductively coupled plasma (ICP) reactor |
| KR101390900B1 (ko) | 2011-05-31 | 2014-04-30 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
| US8466073B2 (en) | 2011-06-03 | 2013-06-18 | Applied Materials, Inc. | Capping layer for reduced outgassing |
| US9589772B2 (en) | 2011-06-09 | 2017-03-07 | Korea Basic Science Institute | Plasma generation source including belt-type magnet and thin film deposition system using this |
| US8637372B2 (en) | 2011-06-29 | 2014-01-28 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for fabricating a FINFET integrated circuit on a bulk silicon substrate |
| US8883637B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-11-11 | Novellus Systems, Inc. | Systems and methods for controlling etch selectivity of various materials |
| US9117867B2 (en) | 2011-07-01 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck assembly |
| US9054048B2 (en) | 2011-07-05 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | NH3 containing plasma nitridation of a layer on a substrate |
| CN102867748B (zh) | 2011-07-06 | 2015-09-23 | 中国科学院微电子研究所 | 一种晶体管及其制作方法和包括该晶体管的半导体芯片 |
| KR20110086540A (ko) | 2011-07-12 | 2011-07-28 | 조인숙 | 불소화합물을 이용한 필름의 선택적인 식각 방법 |
| US8617411B2 (en) | 2011-07-20 | 2013-12-31 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for atomic layer etching |
| US8741775B2 (en) | 2011-07-20 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Method of patterning a low-K dielectric film |
| US8921177B2 (en) | 2011-07-22 | 2014-12-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of fabricating an integrated circuit device |
| US8974601B2 (en) | 2011-07-29 | 2015-03-10 | Semes Co., Ltd. | Apparatuses, systems and methods for treating substrate |
| US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
| US20130034666A1 (en) | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Applied Materials, Inc. | Inductive plasma sources for wafer processing and chamber cleaning |
| CN102915902B (zh) | 2011-08-02 | 2015-11-25 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种电容耦合式的等离子体处理装置及其基片加工方法 |
| JP5893864B2 (ja) | 2011-08-02 | 2016-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| KR101271247B1 (ko) | 2011-08-02 | 2013-06-07 | 주식회사 유진테크 | 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비 |
| US9117759B2 (en) | 2011-08-10 | 2015-08-25 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming bulb-shaped trenches in silicon |
| US20130045605A1 (en) | 2011-08-18 | 2013-02-21 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-nitrogen-containing films |
| US8735291B2 (en) | 2011-08-25 | 2014-05-27 | Tokyo Electron Limited | Method for etching high-k dielectric using pulsed bias power |
| US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
| US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
| US20150270135A1 (en) | 2011-09-01 | 2015-09-24 | Tel Epion Inc. | Gas cluster ion beam etching process |
| WO2013033315A2 (en) | 2011-09-01 | 2013-03-07 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with thermal features |
| US9039911B2 (en) | 2012-08-27 | 2015-05-26 | Lam Research Corporation | Plasma-enhanced etching in an augmented plasma processing system |
| US20130217243A1 (en) | 2011-09-09 | 2013-08-22 | Applied Materials, Inc. | Doping of dielectric layers |
| US8808562B2 (en) | 2011-09-12 | 2014-08-19 | Tokyo Electron Limited | Dry metal etching method |
| US20130260564A1 (en) | 2011-09-26 | 2013-10-03 | Applied Materials, Inc. | Insensitive dry removal process for semiconductor integration |
| US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
| US8664012B2 (en) | 2011-09-30 | 2014-03-04 | Tokyo Electron Limited | Combined silicon oxide etch and contamination removal process |
| US8551891B2 (en) | 2011-10-04 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma burn-in |
| EP2764408B1 (en) | 2011-10-06 | 2019-08-21 | ASML Netherlands B.V. | Chuck, lithography apparatus and method of using a chuck |
| US9653267B2 (en) | 2011-10-06 | 2017-05-16 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled chamber liner |
| US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
| US20130087309A1 (en) | 2011-10-11 | 2013-04-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with temperature control |
| JP5740281B2 (ja) | 2011-10-20 | 2015-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属膜のドライエッチング方法 |
| US9666414B2 (en) | 2011-10-27 | 2017-05-30 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for etching low k and other dielectric films |
| US20130107415A1 (en) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US9574268B1 (en) | 2011-10-28 | 2017-02-21 | Asm America, Inc. | Pulsed valve manifold for atomic layer deposition |
| US20130115372A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-09 | Primestar Solar, Inc. | High emissivity distribution plate in vapor deposition apparatus and processes |
| WO2013070438A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Precursor distribution features for improved deposition uniformity |
| JP5779482B2 (ja) | 2011-11-15 | 2015-09-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US8652298B2 (en) | 2011-11-21 | 2014-02-18 | Lam Research Corporation | Triode reactor design with multiple radiofrequency powers |
| US9508530B2 (en) | 2011-11-21 | 2016-11-29 | Lam Research Corporation | Plasma processing chamber with flexible symmetric RF return strap |
| US8898889B2 (en) | 2011-11-22 | 2014-12-02 | Lam Research Corporation | Chuck assembly for plasma processing |
| US8900364B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-12-02 | Intermolecular, Inc. | High productivity vapor processing system |
| US8440523B1 (en) | 2011-12-07 | 2013-05-14 | International Business Machines Corporation | Micromechanical device and methods to fabricate same using hard mask resistant to structure release etch |
| US20130149866A1 (en) * | 2011-12-12 | 2013-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Baffle plate for semiconductor processing apparatus |
| US10825708B2 (en) | 2011-12-15 | 2020-11-03 | Applied Materials, Inc. | Process kit components for use with an extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability |
| KR20130072911A (ko) | 2011-12-22 | 2013-07-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101878311B1 (ko) | 2011-12-30 | 2018-07-17 | 삼성전자주식회사 | ｈｉｇｈ-Ｋ막을 스페이서 에치 스톱으로 이용하는 반도체 소자 형성 방법 및 관련된 소자 |
| US8603891B2 (en) | 2012-01-20 | 2013-12-10 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming vertical memory devices and apparatuses |
| JP6010406B2 (ja) | 2012-01-27 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波放射機構、マイクロ波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置 |
| US8747686B2 (en) | 2012-01-27 | 2014-06-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of end point detection for substrate fabrication processes |
| SG11201403527UA (en) | 2012-02-08 | 2014-09-26 | Iwatani Corp | Method for treating inner surface of chlorine trifluoride supply passage in apparatus using chlorine trifluoride |
| US20130175654A1 (en) | 2012-02-10 | 2013-07-11 | Sylvain Muckenhirn | Bulk nanohole structures for thermoelectric devices and methods for making the same |
| WO2013130191A1 (en) | 2012-02-29 | 2013-09-06 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a load lock configuration |
| TWI602283B (zh) | 2012-03-27 | 2017-10-11 | 諾發系統有限公司 | 鎢特徵部塡充 |
| US8747610B2 (en) | 2012-03-30 | 2014-06-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma source pumping and gas injection baffle |
| US8937800B2 (en) | 2012-04-24 | 2015-01-20 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity |
| US20130284369A1 (en) | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Two-phase operation of plasma chamber by phase locked loop |
| US9161428B2 (en) | 2012-04-26 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Independent control of RF phases of separate coils of an inductively coupled plasma reactor |
| US9162236B2 (en) | 2012-04-26 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Proportional and uniform controlled gas flow delivery for dry plasma etch apparatus |
| KR20150013627A (ko) | 2012-04-26 | 2015-02-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Ｅｓｃ 본딩 접착제 부식을 방지하기 위한 방법들 및 장치 |
| US9948214B2 (en) | 2012-04-26 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | High temperature electrostatic chuck with real-time heat zone regulating capability |
| JP6005579B2 (ja) | 2012-04-27 | 2016-10-12 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材 |
| US9394615B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant ceramic coated conductive article |
| CN103377979B (zh) | 2012-04-30 | 2016-06-08 | 细美事有限公司 | 调节板和具有该调节板的用于处理基板的装置 |
| US9976215B2 (en) | 2012-05-01 | 2018-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor film formation apparatus and process |
| JP2013235912A (ja) | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 被処理基体をエッチングする方法、及びプラズマエッチング装置 |
| CN103388132B (zh) | 2012-05-11 | 2015-11-25 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 气体喷淋头、其制造方法及薄膜生长反应器 |
| US20130298942A1 (en) | 2012-05-14 | 2013-11-14 | Applied Materials, Inc. | Etch remnant removal |
| KR101917815B1 (ko) | 2012-05-31 | 2018-11-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 에어갭을 구비한 반도체장치 및 그 제조 방법 |
| FR2991320B1 (fr) | 2012-06-05 | 2014-06-27 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation d'amines methylees |
| US8974164B2 (en) | 2012-06-26 | 2015-03-10 | Newfrey Llc | Plastic high heat fastener |
| US8916477B2 (en) | 2012-07-02 | 2014-12-23 | Novellus Systems, Inc. | Polysilicon etch with high selectivity |
| US9034773B2 (en) | 2012-07-02 | 2015-05-19 | Novellus Systems, Inc. | Removal of native oxide with high selectivity |
| US8802572B2 (en) | 2012-07-10 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Method of patterning a low-k dielectric film |
| KR101989514B1 (ko) | 2012-07-11 | 2019-06-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US9184030B2 (en) | 2012-07-19 | 2015-11-10 | Lam Research Corporation | Edge exclusion control with adjustable plasma exclusion zone ring |
| US9631273B2 (en) | 2012-07-25 | 2017-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for dielectric deposition process |
| JP6160619B2 (ja) | 2012-08-01 | 2017-07-12 | Tdk株式会社 | フェライト磁性材料、フェライト焼結磁石及びモータ |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US8772888B2 (en) | 2012-08-10 | 2014-07-08 | Avalanche Technology Inc. | MTJ MRAM with stud patterning |
| US8747680B1 (en) | 2012-08-14 | 2014-06-10 | Everspin Technologies, Inc. | Method of manufacturing a magnetoresistive-based device |
| US20140051253A1 (en) | 2012-08-14 | 2014-02-20 | Lam Research Corporation | Plasma baffle ring for a plasma processing apparatus and method of use |
| WO2014116304A2 (en) | 2012-08-23 | 2014-07-31 | Applied Materials, Inc. | Method and hardware for cleaning uv chambers |
| WO2014035933A1 (en) | 2012-08-28 | 2014-03-06 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming tantalum silicate layers on germanium or iii-v semiconductor devices |
| US20140062285A1 (en) | 2012-08-29 | 2014-03-06 | Mks Instruments, Inc. | Method and Apparatus for a Large Area Inductive Plasma Source |
| US9121097B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-09-01 | Novellus Systems, Inc. | Variable showerhead flow by varying internal baffle conductance |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| JP6027374B2 (ja) | 2012-09-12 | 2016-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
| US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
| US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
| US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
| US20140099794A1 (en) | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Applied Materials, Inc. | Radical chemistry modulation and control using multiple flow pathways |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US9018022B2 (en) | 2012-09-24 | 2015-04-28 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly in a capacitively coupled plasma processing apparatus |
| TWI604528B (zh) | 2012-10-02 | 2017-11-01 | 應用材料股份有限公司 | 使用電漿預處理與高溫蝕刻劑沉積的方向性二氧化矽蝕刻 |
| TWI591712B (zh) | 2012-10-03 | 2017-07-11 | 應用材料股份有限公司 | 使用低溫蝕刻劑沉積與電漿後處理的方向性二氧化矽蝕刻 |
| KR102137617B1 (ko) | 2012-10-19 | 2020-07-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| CN103794460B (zh) | 2012-10-29 | 2016-12-21 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 用于半导体装置性能改善的涂层 |
| US9165783B2 (en) | 2012-11-01 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of patterning a low-k dielectric film |
| JP6035117B2 (ja) | 2012-11-09 | 2016-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
| US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
| US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
| US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
| US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
| US9777564B2 (en) | 2012-12-03 | 2017-10-03 | Pyrophase, Inc. | Stimulating production from oil wells using an RF dipole antenna |
| WO2014092856A1 (en) | 2012-12-14 | 2014-06-19 | The Penn State Research Foundation | Ultra-high speed anisotropic reactive ion etching |
| US9982343B2 (en) | 2012-12-14 | 2018-05-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing plasma to a process chamber |
| US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
| US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
| JP6173684B2 (ja) | 2012-12-25 | 2017-08-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体装置の製造方法 |
| WO2014104753A1 (ko) | 2012-12-28 | 2014-07-03 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 플라즈마 점화 방법 |
| JP6328931B2 (ja) | 2012-12-31 | 2018-05-23 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ＬＬＣ | フォトレジストパターントリミング方法 |
| US9165823B2 (en) | 2013-01-08 | 2015-10-20 | Macronix International Co., Ltd. | 3D stacking semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9093389B2 (en) | 2013-01-16 | 2015-07-28 | Applied Materials, Inc. | Method of patterning a silicon nitride dielectric film |
| JP6080571B2 (ja) | 2013-01-31 | 2017-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
| US8970114B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-03-03 | Lam Research Corporation | Temperature controlled window of a plasma processing chamber component |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| JP2014154421A (ja) | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および高周波発生器 |
| US20140234466A1 (en) | 2013-02-21 | 2014-08-21 | HGST Netherlands B.V. | Imprint mold and method for making using sidewall spacer line doubling |
| US9449795B2 (en) | 2013-02-28 | 2016-09-20 | Novellus Systems, Inc. | Ceramic showerhead with embedded RF electrode for capacitively coupled plasma reactor |
| TWI487004B (zh) | 2013-03-01 | 2015-06-01 | Winbond Electronics Corp | 圖案化的方法及記憶體元件的形成方法 |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| KR102064914B1 (ko) | 2013-03-06 | 2020-01-10 | 삼성전자주식회사 | 식각 공정 장치 및 식각 공정 방법 |
| US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
| US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
| US8859433B2 (en) | 2013-03-11 | 2014-10-14 | International Business Machines Corporation | DSA grapho-epitaxy process with etch stop material |
| US8946023B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-02-03 | Sandisk Technologies Inc. | Method of making a vertical NAND device using sequential etching of multilayer stacks |
| US20140262031A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Sergey G. BELOSTOTSKIY | Multi-mode etch chamber source assembly |
| KR102021988B1 (ko) | 2013-03-12 | 2019-09-17 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 |
| TWI625424B (zh) | 2013-03-13 | 2018-06-01 | 應用材料股份有限公司 | 蝕刻包含過渡金屬的膜之方法 |
| US20140273451A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tungsten deposition sequence |
| US20140273525A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Intermolecular, Inc. | Atomic Layer Deposition of Reduced-Leakage Post-Transition Metal Oxide Films |
| US20140273487A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Pulsed dc plasma etching process and apparatus |
| US9411237B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Resist hardening and development processes for semiconductor device manufacturing |
| US9117670B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-25 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Inject insert liner assemblies for chemical vapor deposition systems and methods of using same |
| US9556507B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-01-31 | Applied Materials, Inc. | Yttria-based material coated chemical vapor deposition chamber heater |
| US9006106B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-04-14 | Applied Materials, Inc. | Method of removing a metal hardmask |
| WO2014145263A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Dr. Py Institute, Llc | Single-use needle assembly and method |
| US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US8946076B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-02-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating integrated structures, and methods of forming vertically-stacked memory cells |
| US9276011B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-03-01 | Micron Technology, Inc. | Cell pillar structures and integrated flows |
| JP5386046B1 (ja) | 2013-03-27 | 2014-01-15 | エピクルー株式会社 | サセプタ支持部およびこのサセプタ支持部を備えるエピタキシャル成長装置 |
| US10125422B2 (en) | 2013-03-27 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | High impedance RF filter for heater with impedance tuning device |
| US10941501B2 (en) | 2013-03-29 | 2021-03-09 | Analytical Specialties, Inc. | Method and composition for metal finishing |
| US9230819B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-01-05 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication in context of ion-ion plasma processing |
| US9245761B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
| US20140308758A1 (en) | 2013-04-10 | 2014-10-16 | Applied Materials, Inc. | Patterning magnetic memory |
| US8748322B1 (en) | 2013-04-16 | 2014-06-10 | Applied Materials, Inc. | Silicon oxide recess etch |
| US20140311581A1 (en) | 2013-04-19 | 2014-10-23 | Applied Materials, Inc. | Pressure controller configuration for semiconductor processing applications |
| US9449797B2 (en) | 2013-05-07 | 2016-09-20 | Lam Research Corporation | Component of a plasma processing apparatus having a protective in situ formed layer on a plasma exposed surface |
| US9720022B2 (en) | 2015-05-19 | 2017-08-01 | Lam Research Corporation | Systems and methods for providing characteristics of an impedance matching model for use with matching networks |
| US20140342569A1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Applied Materials, Inc. | Near surface etch selectivity enhancement |
| US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
| US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
| US9082826B2 (en) | 2013-05-24 | 2015-07-14 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for void-free tungsten fill in three-dimensional semiconductor features |
| JP6002087B2 (ja) | 2013-05-29 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | グラフェンの生成方法 |
| US20140357083A1 (en) | 2013-05-31 | 2014-12-04 | Applied Materials, Inc. | Directed block copolymer self-assembly patterns for advanced photolithography applications |
| JP6180799B2 (ja) | 2013-06-06 | 2017-08-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| KR102038647B1 (ko) | 2013-06-21 | 2019-10-30 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판 지지 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
| US9677176B2 (en) | 2013-07-03 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Multi-plenum, dual-temperature showerhead |
| US10808317B2 (en) | 2013-07-03 | 2020-10-20 | Lam Research Corporation | Deposition apparatus including an isothermal processing zone |
| US8871651B1 (en) | 2013-07-12 | 2014-10-28 | Globalfoundries Inc. | Mask formation processing |
| US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
| US8932947B1 (en) | 2013-07-23 | 2015-01-13 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming a round bottom silicon trench recess for semiconductor applications |
| US9362163B2 (en) | 2013-07-30 | 2016-06-07 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for atomic layer cleaning of contacts and vias |
| KR102154112B1 (ko) | 2013-08-01 | 2020-09-09 | 삼성전자주식회사 | 금속 배선들을 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US20150050812A1 (en) | 2013-08-13 | 2015-02-19 | Globalfoundries Inc. | Wafer-less auto clean of processing chamber |
| US9543163B2 (en) | 2013-08-20 | 2017-01-10 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming features in a material layer utilizing a combination of a main etching and a cyclical etching process |
| WO2015031163A1 (en) | 2013-08-27 | 2015-03-05 | Tokyo Electron Limited | Method for laterally trimming a hardmask |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| JP5837012B2 (ja) | 2013-09-12 | 2015-12-24 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | モニタリング方法、プラズマモニタリング方法、モニタリングシステム及びプラズマモニタリングシステム |
| US9230980B2 (en) | 2013-09-15 | 2016-01-05 | Sandisk Technologies Inc. | Single-semiconductor-layer channel in a memory opening for a three-dimensional non-volatile memory device |
| US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
| US9051655B2 (en) | 2013-09-16 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Boron ionization for aluminum oxide etch enhancement |
| US8980758B1 (en) | 2013-09-17 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching an etching stop layer utilizing a cyclical etching process |
| TWI720422B (zh) | 2013-09-27 | 2021-03-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 實現無縫鈷間隙填充之方法 |
| US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
| US9214377B2 (en) | 2013-10-31 | 2015-12-15 | Applied Materials, Inc. | Methods for silicon recess structures in a substrate by utilizing a doping layer |
| US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
| US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
| JP2017504955A (ja) | 2013-11-06 | 2017-02-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Ｄｃバイアス変調による、粒子発生抑制装置 |
| SG11201600440VA (en) | 2013-11-06 | 2016-02-26 | Mattson Tech Inc | Novel mask removal process strategy for vertical nand device |
| US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
| US8945414B1 (en) | 2013-11-13 | 2015-02-03 | Intermolecular, Inc. | Oxide removal by remote plasma treatment with fluorine and oxygen radicals |
| US9330937B2 (en) | 2013-11-13 | 2016-05-03 | Intermolecular, Inc. | Etching of semiconductor structures that include titanium-based layers |
| FR3013503B1 (fr) | 2013-11-20 | 2015-12-18 | Commissariat Energie Atomique | Procede de gravure selective d’un masque dispose sur un substrat silicie |
| US9514953B2 (en) | 2013-11-20 | 2016-12-06 | Applied Materials, Inc. | Methods for barrier layer removal |
| KR102237700B1 (ko) | 2013-11-27 | 2021-04-08 | 삼성전자주식회사 | 수직형 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
| US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
| US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
| US10241839B2 (en) | 2013-12-04 | 2019-03-26 | Nec Corporation | Method and system for generating a virtual device resource accessible by an application |
| US9312168B2 (en) | 2013-12-16 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Air gap structure integration using a processing system |
| US20150170926A1 (en) | 2013-12-16 | 2015-06-18 | David J. Michalak | Dielectric layers having ordered elongate pores |
| KR102102787B1 (ko) | 2013-12-17 | 2020-04-22 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 블록커 플레이트 어셈블리 |
| US20150170879A1 (en) | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
| US20150170943A1 (en) | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US20150171008A1 (en) | 2013-12-17 | 2015-06-18 | GLOBAL FOUNDRIES Singapore Ptd. Ltd. | Integrated circuits with dummy contacts and methods for producing such integrated circuits |
| US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
| US9622375B2 (en) | 2013-12-31 | 2017-04-11 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution |
| US9111907B2 (en) | 2014-01-02 | 2015-08-18 | Globalfoundries Inc. | Silicide protection during contact metallization and resulting semiconductor structures |
| KR102128465B1 (ko) | 2014-01-03 | 2020-07-09 | 삼성전자주식회사 | 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자 |
| US9945033B2 (en) | 2014-01-06 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | High efficiency inductively coupled plasma source with customized RF shield for plasma profile control |
| US20150200042A1 (en) | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Applied Materials, Inc. | Recessing ultra-low k dielectric using remote plasma source |
| US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
| US9299577B2 (en) | 2014-01-24 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching a dielectric barrier layer in a dual damascene structure |
| US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
| US20150214066A1 (en) | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Applied Materials, Inc. | Method for material removal in dry etch reactor |
| US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
| US9502218B2 (en) | 2014-01-31 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | RPS assisted RF plasma source for semiconductor processing |
| US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
| US9305749B2 (en) | 2014-02-10 | 2016-04-05 | Applied Materials, Inc. | Methods of directing magnetic fields in a plasma source, and associated systems |
| JP6059165B2 (ja) | 2014-02-19 | 2017-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、及びプラズマ処理装置 |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
| US9209031B2 (en) | 2014-03-07 | 2015-12-08 | Sandisk Technologies Inc. | Metal replacement process for low resistance source contacts in 3D NAND |
| US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
| US9190290B2 (en) | 2014-03-31 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Halogen-free gas-phase silicon etch |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
| KR102175763B1 (ko) | 2014-04-09 | 2020-11-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
| US9177853B1 (en) | 2014-05-14 | 2015-11-03 | Sandisk Technologies Inc. | Barrier layer stack for bit line air gap formation |
| CN104392963B (zh) | 2014-05-16 | 2017-07-11 | 中国科学院微电子研究所 | 三维半导体器件制造方法 |
| US9520485B2 (en) | 2014-05-21 | 2016-12-13 | Macronix International Co., Ltd. | 3D independent double gate flash memory on bounded conductor layer |
| US9881788B2 (en) | 2014-05-22 | 2018-01-30 | Lam Research Corporation | Back side deposition apparatus and applications |
| US20150345029A1 (en) | 2014-05-28 | 2015-12-03 | Applied Materials, Inc. | Metal removal |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US10077497B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-09-18 | Lam Research Corporation | Hollow cathode discharge (HCD) suppressing capacitively coupled plasma electrode and gas distribution faceplate |
| US10269541B2 (en) | 2014-06-02 | 2019-04-23 | Applied Materials, Inc. | Workpiece processing chamber having a thermal controlled microwave window |
| US9773683B2 (en) | 2014-06-09 | 2017-09-26 | American Air Liquide, Inc. | Atomic layer or cyclic plasma etching chemistries and processes |
| US9666449B2 (en) | 2014-06-17 | 2017-05-30 | Micron Technology, Inc. | Conductors having a variable concentration of germanium for governing removal rates of the conductor during control gate formation |
| US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
| US20150371865A1 (en) | 2014-06-19 | 2015-12-24 | Applied Materials, Inc. | High selectivity gas phase silicon nitride removal |
| US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
| US9502518B2 (en) | 2014-06-23 | 2016-11-22 | Stmicroelectronics, Inc. | Multi-channel gate-all-around FET |
| US20150371861A1 (en) | 2014-06-23 | 2015-12-24 | Applied Materials, Inc. | Protective silicon oxide patterning |
| US9768270B2 (en) | 2014-06-25 | 2017-09-19 | Sandisk Technologies Llc | Method of selectively depositing floating gate material in a memory device |
| KR102248205B1 (ko) | 2014-06-25 | 2021-05-04 | 삼성전자주식회사 | 수직 채널 및 에어 갭을 갖는 반도체 소자 |
| US10487399B2 (en) | 2014-06-26 | 2019-11-26 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with counter-flow multi inject |
| US10196741B2 (en) | 2014-06-27 | 2019-02-05 | Applied Materials, Inc. | Wafer placement and gap control optimization through in situ feedback |
| KR20160002543A (ko) | 2014-06-30 | 2016-01-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| US20160005833A1 (en) | 2014-07-03 | 2016-01-07 | Applied Materials, Inc. | Feol low-k spacers |
| US9911579B2 (en) | 2014-07-03 | 2018-03-06 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate |
| US10192717B2 (en) | 2014-07-21 | 2019-01-29 | Applied Materials, Inc. | Conditioning remote plasma source for enhanced performance having repeatable etch and deposition rates |
| US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
| US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
| US20160043099A1 (en) | 2014-08-05 | 2016-02-11 | Applied Materials, Inc. | Wordline 3d flash memory air gap |
| US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
| US20160042968A1 (en) | 2014-08-05 | 2016-02-11 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and si etch for 3d cell channel mobility improvements |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| US9460898B2 (en) | 2014-08-08 | 2016-10-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma generation chamber with smooth plasma resistant coating |
| US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
| JP6315809B2 (ja) | 2014-08-28 | 2018-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| US9558928B2 (en) | 2014-08-29 | 2017-01-31 | Lam Research Corporation | Contact clean in high-aspect ratio structures |
| US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
| US9735009B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-08-15 | Applied Materials, Inc. | Pre-clean of silicon germanium for pre-metal contact at source and drain and pre-high K at channel |
| JP5764246B1 (ja) | 2014-09-24 | 2015-08-19 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ガス導入シャフト及びガス供給プレート |
| US10083818B2 (en) | 2014-09-24 | 2018-09-25 | Applied Materials, Inc. | Auto frequency tuned remote plasma source |
| US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
| US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
| US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
| CN105448737A (zh) | 2014-09-30 | 2016-03-30 | 联华电子股份有限公司 | 用以形成硅凹槽的蚀刻制作工艺方法与鳍式场效晶体管 |
| US20160099173A1 (en) | 2014-10-03 | 2016-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching a barrier layer for an interconnection structure for semiconductor applications |
| US10407771B2 (en) | 2014-10-06 | 2019-09-10 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber with thermal lid |
| US9240315B1 (en) | 2014-10-10 | 2016-01-19 | Applied Materials, Inc. | CVD oxide surface pre-conditioning by inductively coupled O2 plasma |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US10008404B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-06-26 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck assembly for high temperature processes |
| CN107148661B (zh) | 2014-10-17 | 2019-10-18 | 朗姆研究公司 | 包括用于可调气流控制的气体分流器的气体供应输送装置 |
| US9652567B2 (en) | 2014-10-20 | 2017-05-16 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for improving accuracy of RF transmission models for selected portions of an RF transmission path |
| US9825051B2 (en) | 2014-10-22 | 2017-11-21 | Sandisk Technologies Llc | Three dimensional NAND device containing fluorine doped layer and method of making thereof |
| US9508529B2 (en) | 2014-10-23 | 2016-11-29 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for RF power compensation in a plasma processing system |
| US10102321B2 (en) | 2014-10-24 | 2018-10-16 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for refining radio frequency transmission system models |
| US9202708B1 (en) | 2014-10-24 | 2015-12-01 | Applied Materials, Inc. | Doped silicon oxide etch |
| US9368369B2 (en) | 2014-11-06 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming a self-aligned contact via selective lateral etch |
| US9419135B2 (en) | 2014-11-13 | 2016-08-16 | Sandisk Technologies Llc | Three dimensional NAND device having reduced wafer bowing and method of making thereof |
| US9466494B2 (en) | 2014-11-18 | 2016-10-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Selective growth for high-aspect ration metal fill |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US9799509B2 (en) | 2014-11-26 | 2017-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic aluminum oxynitride deposition |
| US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
| JP6320282B2 (ja) | 2014-12-05 | 2018-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| US10781518B2 (en) | 2014-12-11 | 2020-09-22 | Applied Materials, Inc. | Gas cooled electrostatic chuck (ESC) having a gas channel formed therein and coupled to a gas box on both ends of the gas channel |
| US9536749B2 (en) | 2014-12-15 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Ion energy control by RF pulse shape |
| US20160181116A1 (en) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Lam Research Corporation | Selective nitride etch |
| US9396961B2 (en) | 2014-12-22 | 2016-07-19 | Lam Research Corporation | Integrated etch/clean for dielectric etch applications |
| US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
| US10134750B2 (en) | 2014-12-30 | 2018-11-20 | Toshiba Memory Corporation | Stacked type semiconductor memory device and method for manufacturing the same |
| US9431268B2 (en) | 2015-01-05 | 2016-08-30 | Lam Research Corporation | Isotropic atomic layer etch for silicon and germanium oxides |
| US9633867B2 (en) | 2015-01-05 | 2017-04-25 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for anisotropic tungsten etching |
| US9425041B2 (en) | 2015-01-06 | 2016-08-23 | Lam Research Corporation | Isotropic atomic layer etch for silicon oxides using no activation |
| US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
| US9779919B2 (en) | 2015-01-09 | 2017-10-03 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US10217614B2 (en) | 2015-01-12 | 2019-02-26 | Lam Research Corporation | Ceramic gas distribution plate with embedded electrode |
| JP2016134530A (ja) | 2015-01-20 | 2016-07-25 | 株式会社東芝 | 加工制御装置、加工制御プログラムおよび加工制御方法 |
| US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
| US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
| US10354860B2 (en) | 2015-01-29 | 2019-07-16 | Versum Materials Us, Llc | Method and precursors for manufacturing 3D devices |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US20160237570A1 (en) | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for process equipment |
| JP6396822B2 (ja) | 2015-02-16 | 2018-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置のサセプタの電位を制御する方法 |
| US9275834B1 (en) | 2015-02-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etch |
| US9343358B1 (en) | 2015-02-23 | 2016-05-17 | Sandisk Technologies Inc. | Three-dimensional memory device with stress compensation layer within a word line stack |
| CN107548520B (zh) | 2015-02-24 | 2021-05-25 | 东芝存储器株式会社 | 半导体存储装置及其制造方法 |
| JP2018511935A (ja) | 2015-02-25 | 2018-04-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 金属窒化物を選択的に除去するためにアルキルアミンを使用する方法及び装置 |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| TWI670749B (zh) | 2015-03-13 | 2019-09-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 耦接至工藝腔室的電漿源 |
| US9478433B1 (en) | 2015-03-30 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Cyclic spacer etching process with improved profile control |
| US20160293388A1 (en) | 2015-04-03 | 2016-10-06 | Tokyo Electron Limited | Pneumatic counterbalance for electrode gap control |
| US9502238B2 (en) | 2015-04-03 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch |
| KR102452593B1 (ko) | 2015-04-15 | 2022-10-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| US20160307772A1 (en) | 2015-04-15 | 2016-10-20 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation process with flat top profile |
| US9576815B2 (en) | 2015-04-17 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase silicon nitride selective etch |
| US10049862B2 (en) | 2015-04-17 | 2018-08-14 | Lam Research Corporation | Chamber with vertical support stem for symmetric conductance and RF delivery |
| US9576788B2 (en) | 2015-04-24 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Cleaning high aspect ratio vias |
| US9870899B2 (en) | 2015-04-24 | 2018-01-16 | Lam Research Corporation | Cobalt etch back |
| US10253412B2 (en) | 2015-05-22 | 2019-04-09 | Lam Research Corporation | Deposition apparatus including edge plenum showerhead assembly |
| JP6184441B2 (ja) | 2015-06-01 | 2017-08-23 | キヤノンアネルバ株式会社 | イオンビームエッチング装置、およびイオンビーム発生装置 |
| JP6295439B2 (ja) | 2015-06-02 | 2018-03-20 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法 |
| CN107533978B (zh) | 2015-06-04 | 2021-01-08 | 东芝存储器株式会社 | 半导体存储装置及其制造方法 |
| US9449843B1 (en) | 2015-06-09 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Selectively etching metals and metal nitrides conformally |
| JP2017017277A (ja) | 2015-07-06 | 2017-01-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 熱処理装置および熱処理方法 |
| US9659791B2 (en) | 2015-07-16 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Metal removal with reduced surface roughness |
| US11473826B2 (en) | 2015-07-27 | 2022-10-18 | Mitegen, Llc | Cryogenic cooling apparatus, methods, and applications |
| US9564341B1 (en) | 2015-08-04 | 2017-02-07 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase silicon oxide selective etch |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US9972504B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-05-15 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching of tungsten for enhanced tungsten deposition fill |
| US9620376B2 (en) | 2015-08-19 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Self limiting lateral atomic layer etch |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| US9659788B2 (en) | 2015-08-31 | 2017-05-23 | American Air Liquide, Inc. | Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures |
| US10147736B2 (en) | 2015-09-03 | 2018-12-04 | Toshiba Memory Corporation | Semiconductor memory device and method for manufacturing same |
| US9837286B2 (en) | 2015-09-04 | 2017-12-05 | Lam Research Corporation | Systems and methods for selectively etching tungsten in a downstream reactor |
| US9564338B1 (en) | 2015-09-08 | 2017-02-07 | Applied Materials, Inc. | Silicon-selective removal |
| US9412752B1 (en) | 2015-09-22 | 2016-08-09 | Macronix International Co., Ltd. | Reference line and bit line structure for 3D memory |
| US9460959B1 (en) | 2015-10-02 | 2016-10-04 | Applied Materials, Inc. | Methods for pre-cleaning conductive interconnect structures |
| US9853101B2 (en) | 2015-10-07 | 2017-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Strained nanowire CMOS device and method of forming |
| JP6868616B2 (ja) | 2015-10-08 | 2021-05-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 背面でのプラズマ点火が低減されたシャワーヘッド |
| US10192751B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-01-29 | Lam Research Corporation | Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch |
| US20170133202A1 (en) | 2015-11-09 | 2017-05-11 | Lam Research Corporation | Computer addressable plasma density modification for etch and deposition processes |
| JP2017098478A (ja) | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| US9583399B1 (en) | 2015-11-30 | 2017-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10043636B2 (en) | 2015-12-10 | 2018-08-07 | Lam Research Corporation | Apparatuses and methods for avoiding electrical breakdown from RF terminal to adjacent non-RF terminal |
| US20170178899A1 (en) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Lam Research Corporation | Directional deposition on patterned structures |
| US10861693B2 (en) | 2015-12-18 | 2020-12-08 | Applied Materials, Inc. | Cleaning method |
| US9831097B2 (en) | 2015-12-18 | 2017-11-28 | Applied Materials, Inc. | Methods for selective etching of a silicon material using HF gas without nitrogen etchants |
| US9601319B1 (en) | 2016-01-07 | 2017-03-21 | Lam Research Corporation | Systems and methods for eliminating flourine residue in a substrate processing chamber using a plasma-based process |
| KR20180097763A (ko) | 2016-01-20 | 2018-08-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 측방향 하드마스크 리세스 감소를 위한 하이브리드 탄소 하드마스크 |
| US10074730B2 (en) | 2016-01-28 | 2018-09-11 | International Business Machines Corporation | Forming stacked nanowire semiconductor device |
| US10147588B2 (en) | 2016-02-12 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system |
| TWI677593B (zh) | 2016-04-01 | 2019-11-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於提供均勻流動的氣體的設備及方法 |
| KR102649369B1 (ko) | 2016-04-11 | 2024-03-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| WO2017184223A1 (en) | 2016-04-22 | 2017-10-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate support pedestal having plasma confinement features |
| US10269566B2 (en) | 2016-04-29 | 2019-04-23 | Lam Research Corporation | Etching substrates using ale and selective deposition |
| KR101773448B1 (ko) | 2016-04-29 | 2017-09-01 | 세메스 주식회사 | 안테나 및 그를 이용하는 기판 처리 장치 |
| US10622189B2 (en) | 2016-05-11 | 2020-04-14 | Lam Research Corporation | Adjustable side gas plenum for edge rate control in a downstream reactor |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| KR102156390B1 (ko) | 2016-05-20 | 2020-09-16 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 처리를 위한 가스 분배 샤워헤드 |
| GB201609119D0 (en) | 2016-05-24 | 2016-07-06 | Spts Technologies Ltd | A method of cleaning a plasma processing module |
| US10662527B2 (en) | 2016-06-01 | 2020-05-26 | Asm Ip Holding B.V. | Manifolds for uniform vapor deposition |
| US9812462B1 (en) | 2016-06-07 | 2017-11-07 | Sandisk Technologies Llc | Memory hole size variation in a 3D stacked memory |
| JP6792786B2 (ja) | 2016-06-20 | 2020-12-02 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス混合装置および基板処理装置 |
| US9978768B2 (en) | 2016-06-29 | 2018-05-22 | Sandisk Technologies Llc | Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US10522377B2 (en) | 2016-07-01 | 2019-12-31 | Lam Research Corporation | System and method for substrate support feed-forward temperature control based on RF power |
| US20180025900A1 (en) | 2016-07-22 | 2018-01-25 | Applied Materials, Inc. | Alkali metal and alkali earth metal reduction |
| JP6994502B2 (ja) | 2016-08-26 | 2022-01-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | プラズマ処理チャンバ用プラズマスクリーン |
| US10083961B2 (en) | 2016-09-07 | 2018-09-25 | International Business Machines Corporation | Gate cut with integrated etch stop layer |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| JP2018046185A (ja) | 2016-09-15 | 2018-03-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化シリコン及び窒化シリコンを互いに選択的にエッチングする方法 |
| WO2018052477A2 (en) | 2016-09-15 | 2018-03-22 | Applied Materials, Inc. | An integrated method for wafer outgassing reduction |
| US20180080124A1 (en) | 2016-09-19 | 2018-03-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for thermal ale and ald |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US9960068B1 (en) | 2016-12-02 | 2018-05-01 | Lam Research Corporation | Moment cancelling pad raising mechanism in wafer positioning pedestal for semiconductor processing |
| JP6731549B2 (ja) | 2016-10-28 | 2020-07-29 | シグニファイ ホールディング ビー ヴィＳｉｇｎｉｆｙ Ｈｏｌｄｉｎｇ Ｂ．Ｖ． | 照明のモニタリング |
| KR102633031B1 (ko) | 2016-11-04 | 2024-02-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 소자 |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10032661B2 (en) | 2016-11-18 | 2018-07-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device, method, and tool of manufacture |
| US10164042B2 (en) | 2016-11-29 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US10141328B2 (en) | 2016-12-15 | 2018-11-27 | Macronix International Co., Ltd. | Three dimensional memory device and method for fabricating the same |
| US10692880B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-06-23 | Applied Materials, Inc. | 3D NAND high aspect ratio structure etch |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10123065B2 (en) | 2016-12-30 | 2018-11-06 | Mora Global, Inc. | Digital video file generation |
| US9960045B1 (en) | 2017-02-02 | 2018-05-01 | Applied Materials, Inc. | Charge-trap layer separation and word-line isolation for enhanced 3-D NAND structure |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US9779956B1 (en) | 2017-02-06 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Hydrogen activated atomic layer etching |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10208383B2 (en) | 2017-02-09 | 2019-02-19 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Atomic layer etching processes using sequential, self-limiting thermal reactions comprising oxidation and fluorination |
| US20180261686A1 (en) | 2017-03-13 | 2018-09-13 | Applied Materials, Inc. | Transistor sidewall formation process |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| JP7176860B6 (ja) | 2017-05-17 | 2022-12-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US20190032211A1 (en) | 2017-07-28 | 2019-01-31 | Lam Research Corporation | Monolithic ceramic gas distribution plate |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US11049719B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Epitaxy system integrated with high selectivity oxide removal and high temperature contaminant removal |
| JP6883495B2 (ja) | 2017-09-04 | 2021-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
-
2013
- 2013-03-08 US US13/791,074 patent/US10256079B2/en active Active
-
2014
- 2014-01-27 CN CN201480007781.5A patent/CN104981895B/zh active Active
- 2014-01-27 WO PCT/US2014/013138 patent/WO2014123708A1/en active Application Filing
- 2014-01-27 KR KR1020157021238A patent/KR102166922B1/ko active IP Right Grant
- 2014-02-06 TW TW108100074A patent/TWI697954B/zh active
- 2014-02-06 TW TW106136488A patent/TWI650815B/zh active
- 2014-02-06 TW TW103103941A patent/TWI607503B/zh active
-
2017
- 2017-04-28 US US15/581,396 patent/US11024486B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010105299A (ko) * | 2000-05-19 | 2001-11-28 | 조셉 제이. 스위니 | 외부적으로 이온화되고 지원하는 ｃｖｄ 장치 |
| US20020179248A1 (en) * | 2000-12-22 | 2002-12-05 | Alex Kabansky | Integrated circuit fabrication dual plasma process with separate introduction of different gases into gas flow |
| KR100858934B1 (ko) * | 2007-05-04 | 2008-09-17 | 주식회사 에스에프에이 | 화학 기상 증착장치 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190133282A (ko) * | 2017-04-21 | 2019-12-02 | 램 리써치 코포레이션 | 동시에 발생하는 인시츄 플라즈마 소스 및 리모트 플라즈마 소스를 사용한 신속한 챔버 세정 |
| CN110537241A (zh) * | 2017-04-21 | 2019-12-03 | 朗姆研究公司 | 使用同时存在的原位和远程等离子体源进行快速室清洁 |
| CN110537241B (zh) * | 2017-04-21 | 2023-06-20 | 朗姆研究公司 | 使用同时存在的原位和远程等离子体源进行快速室清洁 |
| KR20200089340A (ko) * | 2017-12-19 | 2020-07-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 다중-구역 가스 분배 시스템들 및 방법들 |
| US11581165B2 (en) | 2017-12-19 | 2023-02-14 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| TWI836183B (zh) * | 2017-12-19 | 2024-03-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 多區域氣體分配系統及方法 |
| KR20210024241A (ko) * | 2018-07-27 | 2021-03-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 개선된 이온 블로커를 갖는 원격 용량성 결합 플라즈마 소스 |
| CN112534542A (zh) * | 2018-07-27 | 2021-03-19 | 应用材料公司 | 具有改善的离子阻断器的远程电容耦合等离子体源 |
| KR20230084330A (ko) * | 2018-07-27 | 2023-06-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 개선된 이온 블로커를 갖는 원격 용량성 결합 플라즈마 소스 |
| CN112534542B (zh) * | 2018-07-27 | 2024-08-23 | 应用材料公司 | 具有改善的离子阻断器的远程电容耦合等离子体源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201438103A (zh) | 2014-10-01 |
| US10256079B2 (en) | 2019-04-09 |
| TWI650815B (zh) | 2019-02-11 |
| TWI607503B (zh) | 2017-12-01 |
| US20140227881A1 (en) | 2014-08-14 |
| CN104981895B (zh) | 2019-05-21 |
| US20170229289A1 (en) | 2017-08-10 |
| TW201806030A (zh) | 2018-02-16 |
| US11024486B2 (en) | 2021-06-01 |
| WO2014123708A1 (en) | 2014-08-14 |
| CN104981895A (zh) | 2015-10-14 |
| TW201921490A (zh) | 2019-06-01 |
| TWI697954B (zh) | 2020-07-01 |
| KR102166922B1 (ko) | 2020-10-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11024486B2 (en) | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations | |
| US10424485B2 (en) | Enhanced etching processes using remote plasma sources | |
| KR102405728B1 (ko) | 플라즈마 식각 프로세스들에서, 코팅된 부분들을 사용한 프로세스 윈도우 확장 | |
| KR102114002B1 (ko) | 다수의 유동 경로들을 사용한 라디칼 케미스트리 조절 및 제어 | |
| KR102655277B1 (ko) | 개선된 게르마늄 식각 시스템들 및 방법들 | |
| CN108962715B (zh) | 用于多前体流的半导体处理腔室 | |
| US9449845B2 (en) | Selective titanium nitride etching | |
| KR101903751B1 (ko) | Ｓｉｎ 필름들의 에칭을 위한 방법들 | |
| KR102712309B1 (ko) | 다수의 프리커서 유동을 위한 반도체 처리 챔버 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |