WO2004107394A2

WO2004107394A2 - プラズマ処理装置、プラズマ生成用の反応器の製造方法、及びプラズマ処理方法

Info

Publication number: WO2004107394A2
Application number: PCT/JP2004/007598
Authority: WO
Inventors: Tetsuji Shibata; Keiichi Yamazaki; Noriyuki Taguchi; Yasushi Sawada
Original assignee: Matsushita Electric Works, Ltd.
Priority date: 2003-05-27
Filing date: 2004-05-26
Publication date: 2004-12-09
Also published as: JP2010050106A; TW200501215A; TWI244673B; KR100623563B1; KR20050054984A; DE112004000057T5; WO2004107394A3; DE112004000057B4; US7543546B2; US20060042545A1

Description

明細書

プラズマ処理装置、プラズマ生成用の反靡器の製造方法、及びプラズマ処理方法技術潘

本発明は、大面積プラズマ処理を効率よく行えるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関するちのである。背景技術

従来、被処理物の表面に存在する有機物等の異物のクリ一二ング、レジス卜の剥離ゆエッチング、有機フイルムの密着性の改善、金属酸化物の還元、成膜、めっき前処理、コーティング前処理、コーティング前処理、各種材料'部品の表面改質などを目的としてプラズマ表面処理が広く利用されてし、る。

例えば、特開平"！ 1—335868号公報は、一対の電極間を放電空間とし、この放電空間にプラズマ生成用ガスを供給すると共に電極間に電圧を印加することによって放電空間に発生させプラズマを用し、て被処理物に表面処理することが記載されてしる。このプラズマ表面処理においては、プラズマ或いはプラズマの活性種を一つの噴出口から吹き出すと共に、この吹き出し方向と直交する方向に被処理物を搬送しながらプラズマ処理を施す^め、被処理物に処理ムラが生じゅすレヽという問題があつ。

また、特開平 4— 358076号公報には、 Ψ行に配置し複数の電極の表面に固体誘電体を配置し/≥誘電体被覆電極を有する反 ¾容器を用いることにより、プラズマ或しヽはプラズマの活性種による処理面積を増大させることが記載されている。この技術によれば、大面積の被処理物に対しても一度に表面処理を行えるが、処理面積の全体に亘って均一なガス流でプラズマ或いはプラズマの活性種を提供する観点から依然として改善の余地が残されている。ま/≥、このような大面積プラズマ処理を行う場合には、大衋のガスを消費することになりランニングコス卜が大幅に増加するという問題ちある。さらに、液晶パネル用ガラス等の被処理物においては、将来的に処理面積のさらなる増大が予想され、種の被処理物に対する装置の設計自由度を高めることが要求されている。発明の開示

本発明は上記の点に鑑みて為されたちのであり、処理範囲を大面積化することができると共に、少ないガス消費量 (低ランニングコス卜)で均一な処理を行うことができ、しかも処理対象に麻じて装置の設計自由度が高いプラズマ処理装置を提供することを目的とする。

すなわち、本発明に係るプラズマ処理装置は、プラズマ生成用ガス Gを放電により活性化させ、この活性化されだブラズマ生成用ガス Gを被処理物 5に吹き付けるプラズマ処理装置において、一端側の開口からプラズマ生成用ガス Gが流入すると共に他端側の開口から活性化されたブラズマ生成用ガス Gが流出する複数の貫通孔 2と、各貫通孔 2 内でそれぞれ放電を発生させるだめの電極 3, 4とが設けられた絶縁基材"!からなる反麻器 Rを具備することを特徴とする。

本発明のプラズマ処理装置によれば、大気圧又はその近傍の圧力下で、各貫通孔 2の内側に気体放電を発生し、この気体放電により生じる活性種を含活性化されだプラズマ生成用ガス Gのガス流を複数の貫逼子 L 2から吹き出して被処理物 5に供給することによって、大面積に亘つて高効率で均一なプラズマを発生させることができ、少ないガス流躉で大面積に亘る被処理物 5の表面処理を均一に行うことができる。ま fe、絶縁基材 1を適宜複数組み合わせて設けることにより、被処理物 5の形状や寸法に ffiじて高い自由度で最適なプラズマ処理装置を設計することができる。

上記プラズマ処理装置においては、層状の電極 3， 4を絶縁基材 1に形成すると共に霣通孔 2に合致する位置において電極 3, 4に開ロ8を形成し、隣り合う開ロ8、 8の間において電極 3， 4に欠損部分 30が無いようにすることが好ましい。この場合、絶縁基材 1の表面で沿面放電 3 1の発生を少なくすることができ、沿面放電 3 1からの被処理物 5に対するァ一クショートが発生しにくくなり、従って、アークによる被処理物 5の損傷を少なくできる。

ま、一対の層状の電極 3， 4を絶縁基材 1に対向させて形成すると共に、ガスの流通方向において下流側の電極の周端部を上流側の電極の周端部よりち外側に突出させることち好ましい。この場合、絶縁基材 1の表面において電極 3， 4の周端間に対 ¾する箇所での沿面放電 3 1の発生を抑えることができ、開□ 8に対 ¾する箇所以外での沿面放電 3 1を少なくすることができてアークによる被処理物 5の損傷をさらに少なくすることができる。さらに、上記プラズマ処理装置は、二次電子が放出されやすい温度に絶縁基材 1を温度調整するめの温度調整手段を含ことが好ましい。この場合、絶縁基材 1から放出され二次電子によりブラズマ生成密度を増加させることができ、被処理物 5の洗浄能力ゅ改質能力などのプラズマ処理能力を向上させることができる。

本発明の好ましし実施形態にかかるブラズマ処理装置は、

複数のスルーホールを有する一対の電極板；

複数のスルーホールを有する絶縁板、こめ絶縁板は、電極板のスルーホールの位置が絶縁板のスルーホールの位置に一致するように一対の電極板間に配置される；一対の電極板のスルーホールと絶縁板のスルーホールによって形成される複数の放電空間内にプラズマ生成用ガスを供給するガス供給手段；

電極板間に電圧を印加して前記複数の放電空間内に同時にプラズマ生成用ガスのプラズマを生成するめの電圧印加手段を含 ¾ことを特徴とする。

ま、本発明のさらに好ましい実施形態にかかるプラズマ処理装置は、一対の電極および電極間に配置される絶縁板を含筒伏容器と、筒状容器の一端からプラズマ生成用ガスを供給するガス供給手段と、電極間に電圧を印加して筒状容器内にプラズマ生成用ガスのプラズマを生成する電圧印加手段を具備し、筒状容器の他端から放出されるプラズマで被処理物を表面処理するものであって、しかるに、前記電極は複数のスルーホールを有する一対の電極板でなり、前記絶縁板は複数のスルーホールを有し、前記筒状容器内には前記一対の電極板のスルーホールと前記絶縁板のスルーホールによって形成される複数の放電空間が設けられ、前記電極板間に電圧を印加して前記放電空間に同時に生成された前記プラズマ生成用ガスの複数のプラズマが前記筒用容器の他端から放出されることを特徴とする。

まだ、本発明の更なる目的は、上記プラズマ処理装置に用いられるプラズマ生成用反 ffi器の製造方法を提供することにある。すなわち、この反庙器 Rの製造方法は、絶縁材料を成形しだ複数の開口を有する複数のシー卜材の間に、導電体材料を成形した導電体膜を、各シート材の開口合致するように積層し、一体成形することにより、シート材にて絶縁基材 1を、導電体膜にて電極 3， 4を、シー卜材の開口にて貫通孔 2をそれぞれ形成することを特徴とする。この製造方法によれば、上記のようなプラズマ処理装置に適用される反 ffi器 Rを容易に形成することができ、且つ貫通孔 2ゆ電極 3, 4の微細成形を容易に行える。また、本発明の別の目的は、 _h Sプラズマ処理装置を用いだプラズマ処理方法を提供することにある。すなわち、本発明に係るプラズマ処理方法は、複数の各貫通孔 2の一端側から他端側へプラズマ生成甩ガス Gを流通させると共に電極 3, 4に電圧を印加して各貫通孔 2内で放電を発生させることにより、貫通孔 2内でプラズマを発生させてプラズマ生成甩ガス Gを活性化させ、この活性化されたプラズマ生成用ガス Gを各貫通子 L 2の他端側から被処理物 5の表面に噴射することを特徴とするちのである。匸のプラズマ処理方法によれば、大面積に亘つて高効率でプラズマを発生させることができ、少ないガス流量で大面積を有する被処理物 5に均一な表面処理を施すことができる。

本発明のさらなる特徴およびそれがちたらす効果は，以下に述べる発明を実施するための最良の形態からより明確に理解されるだろう。図面の簡単な説明

図 1 Aおよび図 1 Bは、本発明の好ましい実施形態にかかるプラズマ処理装置を示す概略上面！)および断面図である。

図 2 Aおよび図 2 Bは、本発明の別の好ましし、実施形態にかかるプラズマ処理装置を示す概略上面図および断面図である。

図 3 Aは、本発明のさらなる好ましい実施形態にかかるプラズマ処理装置を示す断面図であ《0、図 3 Bは、図 3 Aの A— A線に相当する断面図である。

図 4 Aはプラズマ生成用ガスの流通方向と平行な方向に電極を並べて設けだ場合の電気力線の方向を示す断面囱であ 0、図 4 Bはプラズマ生成用ガスの流通方向と交差する方向に電極を並べて設けた場合の電気力線の方向を示す断面図である。

図 5 Αおよび図 5 Βは、本発明の好まレレ、実施形態にかかる電極の上面図である。

図 6 Aおよび図 6 Bは、それぞれ図 5 Aおよび図 5 B中の A—A' 線に相当する断面図である。

図了 A〜図 7 Cは、本発明の別の好ましい実施形態にかかるプラズマ処理装置を示す概略上面図および断面図である。

図 8は、本発明のさらに別の好ましし、実施形態のプラズマ処理装置の概略断面図である。図 ⁹は、本発明のさらに別の好まし ( 実施形態のプラズマ処理装置の概略断面図である。図 1 Oは、本発明の別の好ましい実施形態のプラズマ処理装置の概略断面図である。図 "I 1は、電極間に印加される電圧波形の一例を示すグラフである。図 1 2は、電極間に印加される電圧波形の他例を示すグラフである。

図 1 3は、電極間に印加される電圧波形のさらなる他例を示すグラフである。

図 1 4 Aおよび図 1 4Bは、本発明のさらに別の好ましい実施形態にかかるプラズマ処理装置の部分断面図である。

図 1 5 A〜図 1 5Dは、複数の絶縁基材を用いて反器を構成した場合の平面図および側面図である。

図 1 6 Aは、本発明の好ましい実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略回路図であり、図 1 6 Bはュニッ卜 A、 Bに印加される電圧の波形を示すグラフである。

図 1 7は、本発明のさらなる好ましい実施形態のプラズマ処理装置の概略回路図である。図 1 8は、比較例 1で用いだプラズマ処理装置を示す概略図である。発明を実施するための最良の形態

以下、本発明のプラズマ処理装置、プラズマ生成用の反器の製造方法、及びプラズマ処理方法を好まレレ、実施形態に基づレ、て詳細に説明する。

図 1 Aおよび図 1 B、 H 2 Aおよび図 2 Bに本発明のプラズマ処理装置の好ましい実施形態を示す。これらのプラズマ処理装置は，板状の絶縁基材 1に複数の貫通孔（スル一ホール） 2と、絶縁基材 1内部に埋め込まれ複数（一対）の電極 3, 4とを有する反廂器 Rを備えている。

絶縁基材 1は高融点の絶縁材料（誘電体材料）で形成することが好まし <、例えば、石英ガラス、アルミナ、ジルコニァ、ムライ卜、窒化アルミニウムなどのような高耐熱性、高強度のガラス質材料やセラミックスで形成することが好ましいが、これらの材料に限定されるものではない。特に高強度で安価なアルミナ等で形成することが好ましい。ま^、チタニア、チタン酸バリウムなどの高誘電材料を用いることちでさる。まだ、電極 3, 4は銅、タングステン、アル二ゥム、真鎩、ステンレス鋼などの導電性の金属材料を用いて形成することができるが、特に銅、タングステン等で形成することが好ましい。上記の絶縁基材 1と電極 3， 4の材質は、反靡器 Rの作製時やプラズマ処理時にかかる熱負荷による変形量の相違による破損を防止するめに、線熱膨張率の差が小さいおの同士を適宜選択して用いることが好ましい。

絶縁基材 1及び貫通孔 2の形状は適宜設計されるが、絶縁基材 1は板状に形成することが好ましく、図示の絶縁基材 1は平面視矩形伏に形成されており、略罔方向（絶縁基材 1の厚み方向）に貫通する平面視円形状の貫通孔 2が、複数〗固形成されている。各貫通孔 2は、絶縁基材 1の一面と他面でそれぞれ開口し、絶緣基材 1の一面の閧口がガス導入□ 2 a、他面の開口がガス吹出□ 2 bとして形成されている。

この貫通孔 2は、適宜の形状に形成することができ、例えば平面視円形状の複数の貫通孔 2を二次元状に分散させて形成したり、長方形状（スリヅ卜状）の複数の貫通 2 を平行並列に配列させて形成しりすることができる。特に平面視円形状の貫通孔 2を二次元状に分散させて形成すると、霣通孔 2の径ゅピッチ等の工夫は必要であるが、プラズマ生成用ガス Gの単時間あたりの流量（流速）を抑制しつつ、広い面積にわたり活性化され; £プラズマ生成闬ガス Gを均一に噴射させることができる。

ま、電極 3, 4は、電 Εが印加され際に貫通孔 2内において対となる電極 3， 4 間で放電が発生するように形成されるちのであり、例えば対となる電極 3, 4間に電源 6を接続して、この電極 3， 4間に休止区閭を持つパルス状の電圧が印加されるよに形成される。対となる電極 3, 4のうちの一方は接地されだ接地電極として形成することができる。このとき貫通孔 2内の対となる電極 3， 4間の空間は放電空間として形成される。電極 3, 4は、七記のように放電空閭内で放電を発生させることができるように適宜の形状に形成することができるが、絶縁基材¹の内部に埋設され；≥状態で、電極 3, 4が霣通孔 2の側方に配置されるように形成することが好ましい。これにより貫通孔 2及び鼂極 3, 4を微細加工して、より均一な処理が可能となる。

M 1 A, l Bx 図 2A、図 2 Bに示す例では、絶縁基材 1は一面が上方に、他面が下方に配置されており、平面視円形状の複数の貫逼孔 2が上下方向に貫通してガス導入 □ 2 aが上側、ガス吹出□ 2 bが下側に開口するように形成されている。この複数の貫通孔 2の開口は絶縁基材 1の一面及び他面にお (；、て二次元的に分散するよラに設けられており、図示の例では貫通孔 2は平面視において平面正方格子状に配列するように設けられ、且つ隣り合う貫通孔 2同士の間隔が略等間隔となるように形成される。

貫通孔 2の配置の仕方はこのようなものには限られず、適宜のパターンに配置する匚とができる。例えば霣通孔 2を平面視において平面最密六方格子状（千鳥状）に配列するように設けると、霣逼 L2をより密に且つ均一に配置することができ、被処理物 5に対する表面処理を更に均一に行うことが可能となる。

各貫逼孔 2の寸法ゆ、各貫通孔 2同士の間隔などは、貫通孔 2内でプラズマ生成用力' スが放電により高効率で活性化され、まだ賃通孔 2から噴出される活性化されたプラスマ生成用ガス Gが均一に噴射されるように、適宜設定すれば良いが、特にその直径（内径）を〇. 0 1〜1 5 mmの範囲に形成することが好ましい。この場合、特にプラズマ生成用ガス Gの流量を抑制しつつ、大面積の処理が可能となるちのである。ま、隣り合う貫通孔 2同士の間隔は 0. 03〜6 Ommの範囲に形成することが好ましい。例えば小面積の被処理物 5に対するプラズマ処理を行う場合には、貫通孔 2の径が小さくなるように形成することが好ましい。

ま、図 3 Aおよび図 3 Bに示す例では、絶縁基材 "1は一面が上方に、他面が下方に配置されており、平面視長方形状（スリツ卜!)犬）の複数の貫通孔 2が上下方向に貫通してガス導入□ 2 aが上側、ガス吹出□ 2 bが下側に開口するよラに形成されている。この複数の貫通孔 2の開口は絶縁基材 1の一面及び他面において平行並列に配列するように設けられ、且つ瞵り合 ¾貫通孔 2同士の間隔が略等間隔となるように形成されてしヽる。

各貫通孔 2の寸法ゆ、各貫通孔 2同士の間隔などは、貫通孔 2内でプラズマ生成用力' ス Gが放電により高効率で活性化され、まだ貫通孔 2から噴出される活性化されたプラズマ生成用ガス Gが均一に噴射されるように、適宜設定すれば良いが、特にその幅寸法

(短手方向の寸法）を 0. 0 1 ~ 1 5 mmの範囲に形成することが好ましい。この場合、貫通孔 2の短手方向に沿つて被処理物 5を搬送しつつブラズマ処理を行うと、表面処理の均一性を更に向上することができる。

ま、貫通孔 2同士の閭隔は 0. 0 1 ~3 Ommの範囲に形成することが好ましい。この場合、貫通孔 2のガス吹出□ 2 bからは、貫通子! _J 2の長手方向に沿って、活性化されたプラズマ生成用ガス <3が連続的に噴射されることとなり、このため特に貫通孔 2の短手方向に沿って被処理物 5を搬送しつつプラズマ処理を行う場合には、表面処理の均一性を更に向上することができる。

ま^、図 1 Aおよび ϋ 1 Β、図 2 Αおよび図 2 Βに示す例では、対となる一方の電極 4と他方の電極 3とが絶縁基材 1内に埋設されており、且つ一方の電極 4が絶縁基材 1 の一面側（上側、ガス導入□ 2 a側）に、他方の電極 3が絶縁基材 1の他面側（下側、ガス吹出□ 2 b側）に配置されており、対となる電極 3， 4が貫通孔 2内でのプラズマ生成用ガス Gの流通方向と平行な方向に並んで配置されている。電極 3, 4間は間隔をあけて配置されており、この電極 3, 4間には絶縁基材 1を構成する絶縁材料（誘電体材料）が介在する。このとき、図示の例では各電極 3， 4は絶縁基材 1の内部に連続的な層状に形成され、且つ各貫通 ¾ 2と合致する位置には閧□ 8が形成され、この開□ 8の内面が貫通孔 2を取り囲むように形成されることで、各電極 3, 4が貫通孔 2を取り囲ように形成されている。すなわち、各電極 3， 4は貫通孔 2ごとに別個に形成されているちのではな <、連続し層状の電極 3， 4に形成され複数の開□ 8の内面が、各貫通孔 2内において放電を発生させる放電面として形成される。

ここで、図 1 Bに示す例では、各電極 3， 4の開□ 8の内径と貫逼孔 2の内径とが IH 一寸法に形成されて、閧□ 8と貫通孔 2の各内面が面一となり、各電極 3， 4がその閧 □ 8の内面において貫通孔 2内に露出するように形成されている。この場合、電極 3, 4間に電圧が印加されだ際の放電性を高めることができ、プラズマ生成用ガス G中の活性種の密度を向上して表面処理効率を向上することができる。尚、プラズマ生成用ガス Gが反麻性ガスを含有しない場合は、電極 3, 4を露出させても放電時における電極 3， 4の損耗が少ないので、電極 3, 4を露出させて放電性を向上させることが好ましい。まだ、図 2 Aおよび図 2 Bに示す例では、各電極 3， 4の開□ 8の内径は貫通孔 2の内径よりち大きくなるよに形成されており、各電極 3, 4の開ロ8の内面はすべて絶縁基材 1の内部に埋設されるようになっている。このとき、各電極 3, 4は貫通孔 2内には露出しないように形成され、電極 3， 4間に電圧が印加された際には、貫通孔 2内では誘電体パリア放電が発生する。この場合、電極 3， 4が直接放電ゆプラズマに曝されることがなく、各電極 3， 4の放電面が絶縁基材 1を構成する絶縁材料（誘電材料）によって保護されることで電極 3, 4の損耗を防止することができる。特に、プラズマ生成用ガス G中に反 ¾性ガスが含有されている場合に電極 3, 4の損耗防止に効果的である。

さらに放電を安定化させて、プラズマ発生密度を向上できるという効果もある。電極 3, 4を露出させる場合は、高電圧下においてアークが発生して放電が不安定になる恐れがあるが、電極 3, 4を絶縁材料（誘電材料）によって被覆することで、高電圧下におけるアーク放電の発生が抑制されて、安定しだ放電の維持が可能となる。絶縁基材 1を構成する絶縁材料（誘電材料）による各電極 3， 4の被覆の厚みは適宜設定されるが、電極 3, 4の表面を+分に保護すると共に良好な放電性を維持するだめには、その厚みが 0. 0 1〜3 mmの範囲である匚とが好ましい。上記の電極 3, 4の間隔（放電面の間隔）は気体放電（プラズマ）を安定に発生するめに 0. 〇 1〜5mmに設定するのが好ましい。これにより、気体放電（プラズマ）を安定に発生させることができる。上記のようにして貫通孔 2におけるプラズマ生成用ガス Gの流通方向と平行な方向に電極 3, 4を並べて設けると、図 4 Aに示すように、電極 3， 4間の電位差によって貫通孔 2内に発生する電気力線（図中の矢印）は、プラズマ生成用ガス Gの流通方向と平行な方向となる。このとき、貫通孔 2内の放電空間では、プラズマ生成用ガス Gの流通方向と平行な方向に高密度のス卜リーマ放電を生成することができるだめ、この放電によつて生成されるブラズマ生成用ガス Gの活性種の密度を高めることができ、これによりプラズマ表面処理の効率を更に向上することが可能となる。特に図示の例では、電極 3, 4は、その放電面が共に霣通孔 2を全周に亘り取り囲むように形成されているため、電気力線は貫逼孔 2内の全周に亘つて発生し、これに ffiじて放電が貫通孔 2内の内周全体に沿って発生し、このだめ、より高効率にプラズマを発生させることができる。ま特に絶縁基材 1のガス吹出口 2 b側に配置される電極 3を接地電極として形成すると、被処理物 5の表面処理の際に対となる電極 3, 4のうち被処理物 5側に配置されるちのが接地電極となることから、この電極 3と被処理物 5との間の電位差が大き < なることを抑制して電極 3と被処理物 5との閭のアークの発生を防止することができ、被処理物 5に放電による損蕩が発生しないようにすることができるものである。

上記のように層状に形成される電極 3， 4においては、開□ 8以外に欠損部分（抜けた部分）が無い方が好ましい。すなわち、囡 5 Aおよび図 5 Bはいずれも図 2 Bに示す絶縁基材 1に設け £電極 3, 4の一例を示すが、この場合、欠損部 30が開□ 8の周辺に多数存在する図 5 Aの電極 3, 4よりも、欠損部分 30が開□ 8の周辺に存在しない図 5 Bの電極 3, 4を用いることが好ましい。

図 5Aの電極 3， 4を用いて絶縁基材 1を形成しだ場合、電極 3, 4間に電源 6で電圧を印加すると、図 6Aに示すように、絶縁基材 1の下面において開□ 8に対庙する箇所と欠損部分 30に对する箇所の両方に沿面放電 3 1が生じる。一方、図 5 Bの電極 3， 4を用いて絶縁基板 1を形成した場合では、電極 3, 4閭に電源 6で電圧を印加すると、図 6 Bに示すように、絶縁基材 1の下面において主に開□ 8に対 ¾する箇所に沿面放電 3 1が生じるだけであり、 HI 6 Aのちのに比べて沿面放電 3 1が少なくなる。そして、沿面放電 3 1は被処理物（ワーク） 5に最も近接し; £放電であって、沿面放電 3 1が多いと、沿面放電 3 1からの被処理物 5に対するアークが生じゆすくなるものであるが、図 6 Bの絶縁基材 1では囡6 Aのものに比べて、沿面放電 3 1が少なくなるので、被処理物 5との間でアークが発生しにくくなり、従って、放電による被処理物 5 の損傷を少な <することができる。

ま^、上言 Sのように、層状に形成される一対の対向する電極 3, 4のうち、被処理物 5に近い方に配置される電極 3の周端部を遠い方に配置される電極 4の周端部よりも外側に突出させるのが好ましい。すなわち、図" 7 A〜図 7 Cに示すように、対向する一対の電極 3、 4を設け絶縁基材 1を正射影投影した場合に、上側の電極 4と下側の電極 3 (図 7 Aに破線で示す）がほぼ相似形で、旦っ上側の電極 4が下側の電極 3に包含されるような大きさのパターンに電極 3， 4を形成するのが好ましい。このように下側の電極 3の面積を上側の電極 4の面積よりも大きく形成すると、囡7 Bおよび図 7Cに示すように、上側の電極 4の周端部よりも外側に、下側の電極 3の周端部が突出して位置するものであり、これにより、貫通孔 2における電極 3, 4間の電圧よりも、電極 3， 4の周端間での電圧を低くすることができ、この結果、絶縁基材 1の下面において電極 3, 4の周端間に対する箇所での沿面放電 3 1の発生を抑えることができて閧ロ8に対/ iする箇所以外での沿面放電 3 1を少なくすることがでぎ、アークによる被処理物 5 の損傷をさらに少なくすることができる。尚、図 7 Bでは貫逼孔 2の一部が図示省略されている。尚、電極 3, 4は、上記のように形成するほか、適宜の形伏に形成することがでぎる。まだ、貫通孔 2におけるプラズマ生成用ガス Gの流通方向と交差する方向（例えば直交する方向）に複数の電極 3, 4を並べて設けてちょい。

図 3 Aおよび図 3 Bに示す例では、絶縁基材 1中の同一の層内に、対となる二種の電極 3, 4が間隔をあけてノ\°ターン伏に埋設されており、一方の電極 41 各貫通孔 2の一側に、他方の電極 3は各貫通孔 2の他側に配置されるようになっている。また、図示の例では、対となる一方の電極 4と他方の電極 3とか絶縁基材 "1内に埋設されており、且つ各電極 3, 4は絶縁基材 1内の同一の層内に配置されており、対となる電極 3, 4が貫通孔 2内でのプラズマ生成用ガス Gの流通方向と交差する方向（直交する方向）に並んで配置されている。電極 3， 4間は間隔をあけて配置されており、この電極 3, 4閭には絶縁基材 1を構成する絶縁材料（誘電体材料）が介在する。

図示の例では各電極 3， 4は絶縁基材 1の内部に連続的な層状に形成されているが、このとき各電極 3, 4は貫通孔 2の並び方向に沿つだ方向に長い給電部 3 a， 4 aから貫通孔 2の長手方向に長レ、複数の電極部 3 b, 4 bを延設した櫛形状に形成されており、隣り合う貫逼孔 2の間には、各電極 3, 4の電極部 3 b, 4 bが交 Sに配置されるようになって、貫通孔 2の一側には一方の電極 3の電極部 3 bが、他側には他方の電極 4の電極部 4 bがそれぞれ配置される。すなわち、各電極 3 , 4は貫通孔 2ごとに別個に形成されているちのではなく、連続し層状の電極 3, 4に形成され;≥電極部 3 b， 4 b の端面が、各貫通 ¾ 2内において放電を発生させる放電面として形成される。

ま、上記の電極 3, 4の間隔（放電面の間隔）は気体放電（プラズマ）を安定に発生するために 0. 0 1〜5mmに設定するのが好ましい。このように電極 3， 4を配設すると、図 4Bに示すように、電極 3, 4間の電位差によって貫通孔 2内に発生する電気力線（図中の矢印）は、プラズマ生成用ガス Gの流通方向と交差する方向となる。このとき、プラズマ生成用ガス Gの流通方向と交差する方向に放電を発生させて、プラズマ生成用ガス Gの活性化を行うことができるちのである。

ここで、図 3 Aおよび図 3 Bに示す例では、各電極 3, 4の電極部 3 b, 4 bの対向する端面同士の間隔は、貫通孔 2の開口の幅寸法よ Όも大きくなるように形成されており、各電極 3, 4の電極部 3 b, 4 bの端面はすべて絶縁基材 1の内部に埋設されるようになつている。このとき、各電極 3, 4は貫通孔 2内には露出しないように形成されている。この場合各電極 3, 4の放電面が絶縁基材 1を構成する絶縁材料（誘電材料）によって保護されることとなり、図 2 Αおよび図 2 Βに示す場合と同様に電極 3, 4の損耗を防止することができる。この場合も、絶縁基材 1を構成する絶縁材料（誘電材料) による各電極 3， 4の被覆の厚みは 0. 0 1〜3 mmの範囲であることが好ましい。ま、 ID示はしていないが、各電極 3, 4の電極部 3 b, 4 bの対向する端面同士の間隔と貫通孔 2の開口の幅寸法を同一寸法に形成して、電極部 3 b, 4 bの端面と貫通孔 2の内面が面一となり、各電極 3, 4がその電極部 3 b, 4 bの端面において貫通孔 2内に露出するように形成しても良い。この場合、図 1 Bに示す場合と同様に、プラズマ生成用ガス G中の活性種の密度を向上して表面処理効率を改善することができる。ま、図示はしていないが、 S3 Aおよび図 3 Bに示すように貫通孔 2をスリット状に形成する場合においてち、図 1 Aおよび図 1 B、図 2 Aおよび図 2 Bに示すちのと罔様に、一方の電極 4を絶縁基材 1の一面側（上側、ガス導入□ 2 a側）に、他方の電極 3を絶縁基材 1の他面側（下側、ガス吹出□ 2 b側）に配置し、対となる電極 3， 4は絶縁基材 1を構成する絶縁材料（誘電体材料）を介して、貫通孔 2内でのプラズマ生成用ガス Gの流通方向と平行な方向に間隔をあけて並べて配置することができる。

例えば、各電極 3， 4を絶縁基材 1の内部に連続的な層伏に形成し、且つ各貫通孔 2 と合致する位置に閧ロを形成し、この開口の内面が貫通孔 2を取り囲むよ 5に形成することができる。この場合、電極 3， 4間の電位差によって貫通孔 2内に発生する電気力線は、図 4Aに示すようにプラズマ生成用ガス Gの流通方向と平行な方向となり、貫通孔 2内の放電空間では、高密度のス卜リーマ放電を生成することができる。これにより、放電によって生成される活性種の密度を高めてプラズマ処理効率を改善できる。

上記のような構成を有する電極 3, 4が設けられた絶縁基材 1から構成される反 S器 Rは、電極 3, 4及び貫通孔 2の微細成形が容易であり、微細な貫通孔 2を複数設けると共に各貫通孔 2内で放電を発生させる/ £めの電極 3, 4を設けることで、二次元状に配置されだ各貫通孔 2から活性化されプラズマ生成用ガス《3を噴射することができ、これにより処理面の大面積化とこの処理面における処理の均一化を図ることができる。ここで、絶縁基材 1に貫通孔 2と電極 3, 4とが設けられた反器 Rを得るにあたつては、例えば絶縁材料の粉体にバインダー等を混合して成形しだシート材を、導電体膜を介して積層することができる。シ一卜材は、石英ガラス、アルミナ、ジルコニァ、ムライト、窒化アルミニウムなどのようなセラミックスの粉体に、ノ\ 'インダー、或いは必要に麻じて更に各種の添加剤を加えた混合材料をシー卜状に成形することで得ることができる。ま/ £このシ一卜材の厚みは、絶縁基材 1の厚みゆ、電極 3, 4を二層に分けて形成する場合での電極 3, 4間の距離等にじて適宜設定されるが、 0. 05〜5m mの範囲であることが好ましい。

ま導電体膜は、銅、タングステン、アルミニウム、真鍮、ステンレス鋼などの導電性の金属材料を絶縁基材上に印刷成形することで得ることができる。例えば、シ一卜材に対する導電体膜の形成と、これに対する他のシー卜材の積層を行って、シ一卜材の層間に導電体膜が設けられ 7£積層体を形成し後、これを焼成することで一体成形して、絶縁基材 1を得ることができる。貫通孔 2は、この積層成形後に穿設してち良いが、シ一卜材に予め貫通孔 2に相当する箇所に開口が設けられちのを用い、積層成形時のこの開口を位置合わせして成形することで、積層成形と同時に貫逼孔 2を形成することが好ましい。

このとき、図1 Bゆ図 2 Bに示すように、一方の電極 4が絶縁基材 1の一面側（上側、ガス導入ロ2 a側）に、他方の電極 3が絶縁基材 1の他面側（下側、ガス吹出 C32 b側）に配置されるように形成する場合には、例えばまず第 1のシート材の一面に導電体膜を、一方の電極 4 (又は 3)の所望のパターン形状に印刷成形し、この電体膜の上面に更に第 2のシー卜材を積層して配置し、次いで匸の第 2のシー卜材の一面に導電体膜を他方の電極 3 (又は 4)の所望のノ\°ターン形状に印刷成形し、この導電体膜の上面に更に第 3のシー卜材を積層して配置する。

ま、電極 4の所望のパターン形状に導電体膜が印刷成形され^シー卜材と、電極 3 の所望のパターン形状に導電体膜が印刷成形されたシ一ト材と、導電体膜が形成されていないシート材とを、両面の最外層にそれぞれシー卜材が配置されると共に各導電体膜がシー卜材の間に配置されるように積層して配置するよ 5にしても良い。次いで、この積層体を焼成することで、反麻器 Rが作製される。

また、図 3 Aおよび図 3 Bに示すように、対となる一方の電極 4と他方の電極 3とが絶縁基材 1内の同一の層内に配置される場合には、例えばまず第 1のシー卜材の一面に導電体膜を、一方の電極 4及び他方の電極 3の所望のパターン形状に印刷成形し、この導電体膜の上面に更に第 2のシ一卜材を積層して配置する。次いで、この積層体を焼成する匚とで、反¾器 Rが作製される。上記のような反¾器 Rはプラズマ生成用ガス Gの流路上に、プラズマ生成用ガス Gがガス導入□ 2 aから貫通孔 2に流入してガス吹出口 2 bから流出するよラに配設される。

図 8に示すちのでは、反 ¾器 Rとして図 2 Aおよび図 2 Bに示す Ψ面形状と断面形状を有するちのを用い、反器 Rの絶縁基材 1にはその一面側（ガス導入ロ2 aが開口する側）に、ガス貯留室（ガスリザーバ） 1 1が設けられており、このとき貫通孔 2がガス貯留室 "1 1内に連通するように形成されている。図示のガス貯留室 1 1は、一端側（図示では上端側）にガス貯留室 1 1へのプラズマ生成用ガス Gの流入□ 1 0が設けられており、他端側（図示では下端側）にはガス貯留室 1 1からのプラズマ生成用ガス Gの流出□ 9が設けられている。 -そして、絶縁基材 1は、ガス貯留室 1 "1の流出ロ9が設けられている他端側に添設されている。このとき流出□ 9はガス貯留室 1 1に複数個設けられると共に各流出□ 9は絶縁基材 1の複数の各貫通孔 2と合致する位置に設けられており、これにより、ガス貯留室 1 1内と貫通孔 2とは、流出□ 9を介して連通するように形成される。

ガス貯留室"！ 1は、全ての貫通孔 2に対してプラズマ生成用ガス Gをほぼ均一な流速で供給するためのガス均一化手段を有することが好ましい。プラズマ生成用ガス Gは、流入ロ1 0からガス貯留室"！ 1に流入することにより圧力が緩和されて降下するので、全ての貫通 2に対してプラズマ生成用ガス Gをほぼ均一な流速で供給することができる。この結果、全ての貫通孔 2から吹き出される活性化され ^プラズマ生成用ガス G を絶縁基材 1の全面に亘つてほぼ均一にすることができ、活性化されプラズマ生成用ガス Gの流速分布を少な <して均一なプラズマ処理を行うことができる。

ま、プラズマ処理装置には、絶縁基材 1を冷却する放熱器 7を設けることが好まし ( 。これにより、絶縁基材 1の熱変形による割れ等の破損の発生を防止し、ま絶縁基材 1の一部が過剰に加熱されることによる貫通孔 2ごとでのプラズマ発生の不均一化を防止して、均一な表面処理を維持することができる。

例えぱ、ガス貯留室 1 1に放熱器了としての機能を具備させることができ、これにより、絶縁基材 1と放熱器 7とを密着して形成することができる。図示の例では、ガス貯留室 1 1を構成する隔壁のうち、流出□ 9が形成されている端部側の隔壁（端部隔壁）と、ガス貯留室 1 1の一端と他端の間の側部を構成する、前記端部隔壁と一体に形成され隔壁（側部隔壁）によって、放熱器 7が形成されており、側部隔壁には、外面に外方に突出する放熱フイン 7 bを設け、ま端部隔壁にはガス貯留室 1 1の内面において、流出ロ9が形成されていない部分に内方に突出する吸熱フィン 7 aが形成されている。このような放熱器 7を設けると、プラズマ生成用ガス Gの熱は吸熱フィン 7 aによつて吸収されて、端部隔壁と側部隔壁を伝達して放熱フィン 7 bにより装置外部に放散される。これにより、プラズマ生成用ガス Gの温度上昇を抑制して、それに伴って絶縁基材 1の温度上昇を抑制することができる。

上記の放熱器 7は、放熱フィン 7 bが設けられた空冷式のものであるが、放熱器了として水冷式のものを設けても良い。図 9および図 1 0に示す例では、端部隔壁における、各流出□ 9の間の部位に、冷却水が流通する通水路 7 cが設けられており、この通水路 7 cに冷却水が流通することで、絶縁基材 1を冷却するようにしている。ここで、図 9 は図 2 Aおよび図 2 Bに示す平面視形状と断面形状を有する反麻器 Rに放熱器 7を設けものを、図 1 0は図 1 Aおよび図 1 Bに示す反靡器 Rに放熱器 7を設けたものを、それぞれ示している。このようにすると、絶縁基材 1に密着して配置されている端部隔壁が冷却されることで、絶縁基材 1が効率良 <冷却され、絶緣基材 1の温度上昇を抑制することができる。

上記の冷却水は、二次電子が放出されやすい温度に絶縁基材¹を温度調整する^めの温度調整手段として用いることができる。すなわち、活性化されプラズマ生成用ガス Gに含まれる電子ゆイオンが絶縁基材 1に作用することによって、絶縁基材 1から二次電子が放出されるが、この二次電子が放出されやすい絶縁基材 1の温度は高いほど好ましいが、熱膨張による絶縁基材 1の損傷を考慮すると、絶縁基材"!の温度は 1 00°C程度に抑えるのが適当である。

そこで、上記の冷却水により絶縁基材 1を 40~ 1 00°Cに濫度調整するのが好ましい。このよに室温よりち高い温度の冷却水を甩いることによって、使用開始時において絶縁基材 1の表面温度を室温よりも上昇させることができ、匚の/ εめに室温の場合よりち絶縁基材 1から二次電子が放出されやすくなり、絶縁基材 1から放出され二次電子によりプラズマ生成密度を増加させることができ、被処理物 5の洗浄能力ゅ改質能力などのプラズマ処理能力を向上させることがでぎるちのである。冶却水の温度は上記の効果が発生しゅすく、且つ取り扱い性ゆ省エネルギー等を考慮して、 5◦〜 80°Cの温度にするのがより好ましい。

上記のガス貯留室 1 1及び放熱器了は、熱伝導性の高い材質にて形成することが好ましく、例えば銅、ステンレス、アルミニウム、窒化アルミニウム（A I )等にて形成することができる。ガス貯留室 1 1及び放熱器 7を窒化アルミニウム等の絶縁物で形成することによって、電極 3, 4間に印加する高周波の電圧の影響を受けにく <なり、これにより、電極 3, 4間に投入される電力の損失がほとんど無くなって効率的な放電を行うことができ、しかち、高熱伝導であるだめに冶却効率を高くできる。

ま、 fi熱器了により絶縁基材 1の温度上昇を抑制すると、絶縁基材 1が熱変形を生じて割れ等の破損が発生することを防止することができる。また絶縁基材 1の一部が過剰に加熱されると、加熱されだ部分においてプラズマ発生密度が高くなるなど、各貫通孔 2内におけるプラズマ発生が不均一になるおそれがあるが、絶縁基材 "1の温度上昇を抑制することでこのような各貫通孔 2でのプラズマ発生の不均一化を防止し、均一な表面処理を維持することができる。

ま、絶縁基材 1を温度調節する手段として放熱器 7に電気ヒーターを内蔵することにより、上記の冷却水による温度調節と同等の効果を得ることもできる。この場合は放熱器 7に熱電対等の温度測定手段を設置することにより、放熱器了の温度調節をすることが好ましい。さらに、放熱器了としてペルチェ素子を設置してちょい。

絶縁基材 1と放熱器了との接合は、熱伝導性が良好で、プラズマ生成用ガス Θのリークを防ぐことができる方式を採用するのが好ましく、例えば、熱伝導性グリス、熱伝導性両面テープ、接着樹脂含浸接合材により接着したり、絶縁基材 1と放熱器了との接合面を鏡面研磨し、これらを圧着により接合しりすることができる。

ま;≥、絶縁基材 1と放熱器了を一体として形成することも好ましい。このように成形することにより、放電空間からの発熱を放熱器 7により効率よく吸収させることができ、しかも、プラズマ生成用ガス Gのリークち防止できる^め、絶縁基材 1の温度分布を均 —にし、放電を安定化することができる。

上記のように構成されるプラズマ処理装置によって被処理物 5の表面処理を行うにあっては、プラズマ生成用ガス <3を流入ロ1 Qからガス貯留室 1 1に供 J合し、このプラズマ生成用ガス Gを流出□ 9 びガス導入口 2 aを介して絶縁基材 1の各貫通孔 2 内に流入させ、この貫通孔 2内の放電空間において電極 3， 4間の放電によりプラズマ生成用ガス Gを活性化させた後に、ガス吹出□ 2 bから吹き出させる。

プラズマ生成甩ガス Gをガス貯留室 1 1を介して反¾器 Rの貫 S孔 2に供給するためには、ガスボンベ、ガス配管、混合器、圧力弁等で構成される適宜のガス供給手段（図示せず）を設けることができる。例えばプラズマ生成用ガス G内に含有される各ガス成分が封入され各ガスボンベをガス配管にてガス貯留室 1 1の流出□ 9に接続するようにし、このとき、各ガスボンベから供給されるガス成分を混合器にて所定の割合で混合し、圧力弁により所望の圧力で流出口 9に導出されるようにする。

ガス供給手は、希ガス、窒素、酸素、空気の少なくとも一つを含有するガス、まはこれらの二種以上の混合ガスを、プラズマ生成用ガス Gとして供給することが好ましい。空気を用いる場合は、被処理物 5の表面改質ゅ有機物の除去などのプラズマ処理を行うことができる。空気としては、好ましくは水分を殆ど含まない乾燥空気を用 ( ることができる。希ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトンなどを使用することができるが、放電の安定性ゆ経済性を考慮するとアルゴンを用いることが好ましい。希ガスゆ窒素により被処理物 5の表面改質などのプラズマ処理を行うことができる。まだ、酸素により有機物の除去などのプラズマ処理を行うことができ、希ガスと酸素の混合ガスにより被処理物 5の表面改質ゅ有機物の除去などのブラズマ処理を行うことができる。希ガスゆ窒素に酸素、空気等の反ガスを混合してもよい。反¾ガスの種類は処理の内容によって任意に選択することがでさる。

例えぱ、被処理物 5の表面に存在する有機物のクリーニング、レジス卜の剥離、有機フィル厶のエッチング、 L CDの表面クリーニング、ガラス板の表面クリーニングなどを行う場合には、酸素、空気、 CO^ N ₂0などの酸化性ガスを用いるのが好ましい。ま、反麻ガスとして C F S F ₆、 N F ₃などのフッ素系ガスち適宜用いることができ、シリコンゆレジス卜などのエッチング、アツシングを行う場合にはこのフッ素系ガスを用いるのが効果的である。まだ、金属酸化物の還元を行う場合は、水素、アンモニァなどの還元性ガスを用いることができる。

このようなプラズマ生成甩ガス Gは、貫通孔 2内の放電空間において電極 3， 4閭の放電により活性化されるちのであるが、このとき電源 6により電極 3， 4間に高電圧を印加されることにより、放電空間には電界が発生し、この電界の発生により大気圧下あるいはその近傍の圧力下で放電空間に気体放電が発生すると共にこの気体放電によりプラズマ生成用ガス Gが活性化（プラズマ化）されて放電空間に活性種（イオンゅラジカル等）が生成される。

このとき、プラズマ生成用ガス Gは、圧力損失の影響を受けずに、単位時間当^りに所定の流量を供給できる圧力で貫通孔 2に供給されるのが好ましぐ、ガス貯留室 1 1内の圧力大気圧あるし、はその近傍の圧力（好ましくは 1 00〜300 k P a)となるように供給されることが好ましい。

まだ、ガス導入□ 2 aから貫通孔 2内に導入されたプラズマ生成用ガス Gを活性化させる^めに電源 6から電極 3, 4間に印加される電圧は、交番波形（交流波形)、パルス波形、或いはこれらの波形を重畳させた波形など、適宜の波形のちのとすることができるが、特に休止区間を持つパルス状の波形の電圧を電極 3， 4に印加する電源 6を用いることが好ましい。この場合、複数の貫通孔 2のそれぞれにおいて均一で安定した放電を高効率で発生させて処理効率を向上することができる。このとき、複数の貫通孔 2内に未放電部が発生するのを効果的に防止して、各貫通孔 2での均一な放電を維持することが可能になる。尚、放電の均一化が維持されるのは、一部の貫逼孔 2内で偶発的に放電が発生しなくなっても、休止区間において各貫通孔 2内における放電状態が一旦キャンセルされ、休止区間の終了により再び電圧が印加され/ ά際に均一な放電状態に復帰するためであると考えられる。

図 1 1，図 1 2, 図 1 3は、休止区間を持つパルス状の電圧を印加する揚合の電圧の波形の柳を示すちのであり、図 1 1に示す例は休止区間を介して交番する矩形波、図 1 2に示す例は一定の周期で、立ち上がり、減衰、休止を繰り返す振動波パルス、図 1 3 は矩形波と同様に一波長内に正のパルス電圧出力、休止、負のパルス電圧出力、休止を 1サイクルとして繰り返す対称パルスである。図 1 3の対称パルス波形では、放電形態は矩形波に近い状態を得ることができ、ま低い電圧でスイッチングを行い、昇圧には卜ランスを用いることができるめ、電源 6の構成は矩形波用のちのに比べて簡略化することが可能である。このとき、放電空間で気体放電を連続的に生成するのに必要な電極 3, 4間の電圧は貫通孔 2の内径ゆ対となる電極 3, 4間隔によって異なるので適宜設定すればよいが、例えば、 0. 05〜3 O k Vに設定することができる。

ま†0、電源 6として、周波数が 1 H z〜200 k H zの電圧を電極 3, 4に印加するパルス状波形電源を用いることが好ましい。電極 3, 4間に印加される電圧波形の繰り返し周波数が 1 H z未満であれば、放電空間での放電を安定化させることができなくなり、表面処理を効率よく行うことができなくなる恐れがある。まだ周波数が 200 k H zを超えると、放電空間での気体放電（プラズマ）の温度上昇が著しくなり、さらに一部の貫通孔 2に放電が集中しゃすくなるだめ、複数の貫通孔 2内において均一に放電を発生させることが困難となる。上記周波数範囲内であれば、電極 3， 4間の放電を安定化させて表面処理効率を更に向上し、且つプラズマ生成用ガスの過度な温度上昇を抑制して被処理物 5の熱的損傷を防止し、更に一部の貫通孔 2への放電の集中を抑制して均 —な処理を行うことが可能になる。

また、電源 6として、電圧波形のデューティ一比が O. 0 1〜80%のパルス伏の電圧を電極 3, 4に印加するパルス状波形電源を用いることが好ましい。この場合、特に高効率で安定した放電を発生させることが可能となり、処理効率を更に向上させることができる。ここで、図 1 1に示すような矩形状のパルス波におけるデューティー比は、 —つのパルスの立ち上がりから立ち下が Όまでの幅を一つのパルスの立ち上がりから休止区間を経て次のパルスの立ち上がりまでの幅で割つ feちのである。まだ、図 1 2、図 1 3に示すような振動波ノ\°ルスの場合は、パルスの一回目の立ち上がりと、二回目の！ルスの立ち下がり波形の間の幅を、一回目のパルスの立ち上がりから減衰振動部および休止区間までを含期間で割ったちのである。

ま fc、本発明において電極 3， 4を中点接地するのが好ましい。この場 ¾、活性化され^プラズマ生成用ガス Gと被処理物 5との間の電位差を小さくすることがで ¾、活性化されだプラズマ生成用ガス Gからの被処理物 5に対するアークの発生を防止することができるちのである。すなわち、両電極 3， 4とも接地に対して浮いた状態で電圧を印加することができるので、被処理物 5と活性化されプラズマ生成用ガス（プラズマジエツ卜） Gとの電位差が小さくなつてアークの発生を防止することができ、アークによる被処理物 5の損傷を防ぐことがでぎる。

例えば、図 1 4 Aに示すように、上側の電極 4を電源 6に接続して 1 3 k Vに、下側の電極 3を接地して O k Vとして電極 3， 4間の電位差 V pを 1 3 k Vにし場合、活性化されプラズマ生成用ガス Gと被処理物 5との間に少なくとお数 k Vの電位差が生じ、これによるアーク A rが発生する。これに対して、囡1 4 Bに示すように、中点接地を用いた場合は、上側の電極 4の電位を +6. 5 k Vに、下側の電極 3の電位を一 6. 5 k Vにして電極 3， 4間の電位差 V口を 1 3 k Vにすることができ、活性化されプラズマ生成用ガス (3と被処理物 5との閭の電位差がほとんど O Vになるちのである。つまり、中点接地を用いない場合に比べて、中点接地を用い^場合は電極 3， 4間に同じ電位差が生じるにもかかわらず、活性化されたプラズマ生成用ガス Gと被処理物 5との間の電位差を小さくすることができ、活性化されだプラズマ生成用ガス Gからの被処理物 5に対するアークの発生を防止することができる。

この後、活性種を含プラズマ生成用ガス Gはガス吹出口 2 bから連続的に吹き出されるちのであり、ガス吹出口 2 bの下側に被処理物 5を配璗すると共に活性種を含 ¾プラズマ生成用ガス Gのガス流をガス吹出口 2 bから被処理物 5の表面の一部又は全部に吹き付けて供給することによって被処理物 5の表面処理を行える。

ここで、ガス吹出□ 2 bの下側に被処理物 5を配置するにあだり、ローラ一、ベル卜コンベア等の搬送装置で被処理物 5を搬送するようにすることができる。このとき、搬送装置で複数の被処理物 5をガス吹出□ 2 bの下側に順次搬送することによって、複数の被処理物 5を連続的に表面処理することもできる。

ま、ガス吹出□ 2 bと被処理物 5の表面との間の距離は、プラズマ生成用ガス Gのガス流の流速、プラズマ生成用ガス Gの種類、被処理物 5ゆ表面処理の内容等によって適宜設定可能であるが、例えぱ、 "！〜 3 Ommに設定することができる。

上記のようにして被処理物 5に対する表面処理を行うと、各貫通孔 2の内側に気体放電を発生し、この気体放電により生じる活性種を含活性化されだプラズマ生成用ガス

Gのガス流を複数の貫通孔 2から吹き出して被処理物 5に供給することによって、大面積に亘つて高効率で均一なプラズマを発生させることができて、少ないガス流矍で大面積に亘る被処理物 5の表面処理を均一に行うことができる。

このように一度に表面処理が可能な処理面積を大面積化させると、大面 ¾の被処理物 5に対しても一度に表面処理を施すことが可能となって、処理効率が向上する。ま、被処理物 5を搬送しながら表面処理を施す場合などには、搬送中の被処理物 5が活性化されプラズマ生成用ガス Gのガス流に曝露されている時間を長くすることができ、少ないガス量で効率的に表面処理することができるものであり、従って、ガの流量を増加させることなく、被処理物 5と活性種との接触時間を増加させて表面処理の能力を高めることができ、ガスの消費量が増大しないものであり、表面処理のランニングコス卜が増加することなく経済的に不利にならなし、。

ま、上記の実施形態では絶縁基材 1を平面視矩形状に形成しだことで処理面を矩形伏に形成しているが、絶縁基材 1の大きさ、形状や貫通孔 2の配列を適宜変更することで、被処理物 5に ¾じて処理面積を適宜調節しだり、処理面を任意形状としりすることもできる。

更に、複数の絶縁基材 1を組み合わせて反廂器 Rを構成すると、処理面積の更なる大型化を達成できる。ま、絶縁基材 1の配設位置を適宜変更して種々の形状の領域に対して表面処理を行うようにすることができる。さらに、被処理物 5との距離が異なる絶縁基材 1を配設すれぱ、被処理物 5に対して意図的に表面処理の度合いが高い部位ゆ低い部位を同時に形成することができるようになる。したがって、これらは、処理効果調節手段として機能する ₀

例えば、図 1 5 Aに示すように複数の絶縁基材 1を一列に並べて配置して反¾器 Rを構成し、あるいは図 1 5 Bに示すように複数の絶緣基材 1を複数行複数列に並べて配置して反 liS器 Rを構成することで、処理面積の大型化を図ることができる。ま、複数の絶縁基材 1を適宜のパターン状に配置して反/ ¾器 Rを構成すると、絶縁基材 1の配列形状に相当する形状の処理面に対する表面処理を行うことができ、例えば被処理物 5の表面の特定の形伏の領域にのみ部分的に表面処理を施すことち可能となる。例えば図 1 5 Cに示すように絶縁基材 1を L字状に配列して反庙器 Rを構成し、これにより、被処理物 5の L字状の領域にのみ表面処理を施すことができるものである。更に、図 1 5 Dに示すように、複数の絶縁基材 1を配設すると共に、このとき被処理物 5との距離が巽なる絶縁基材 1を配設して反器 Rを構成することもできる。この場合、被処理物 5と絶縁基材¹との間の距離が長い部位では表面処理の度合いが、他の部位と比較して相対的に低くなり、またこの距離が短い部位では表面処理の度合いが、他の部位と比較して相対的に高くなるものであり、これにより、被処理物 5に対して意図的に表面処理の度合レ、が高し部位や低し部位を同時に形成することができる。しかち、上記のように複数の絶縁基材 1を組み合わせて反 ¾器 Rを構成すると、絶縁基材 1の増減ゆ配置位置の変更等を行ことで、処理面積の変更、処理面の形伏の変更、処理強度の変更等の、種の設計変更を容易に行 όことができるちのである。

尚、上記のように複数の絶縁基材 1を組み合わせる場合には、放熱器 7及びガス貯留室 1 1は、絶縁基材 1ごとに設けても良ぐまた複数の絶縁基材 1に対して同時にブラズマ生成用ガス Gを供給し、或いは各絶縁基材 1の放熱を同時に行ラための、一つの放熱器 7及びガス貯留室 1 1を設けても良い。

上記のよ οに複数の絶縁基材 1を組み合わせて反器 Rを形成した場合、各絶縁基材 1には同じ電源 6から給電するのが好ましい。例えば、図 1 6 Αに示すように、一枚の絶縁基材 1 A及び電源 6 Aからなるュニッ卜 Aと一枚の絶縁基材 1 B及び電源 6 Bとからなるュニッ卜 Bとを備えて反麻器 Rを形成した場合、ュニヅ卜 Aの絶縁基材 1 Aには電源 6 Aから給電して電極 3, 4間に印加し、ュニッ卜 Bの絶縁基材 1 Bには電源 6 Bから給電して電極 3, 4間に印加するが、ュニッ卜 Aの電源 6 Aで発生させる高周波の電圧と、ュニッ卜 Bの電源 6 Bで発生させる高周波の電圧との同期を同一にするのは難しく、図 1 6 Bに示すように、多少位相のずれが生じることがあり、この結果、電源 6 Aで発生した電圧と電源 6 Bで発生しだ電圧とが干渉し合って、所望の波形の電圧を給電することができない恐れがある。

そこで、本発明では図 1 7に示すように、複数の絶縁基材 1に対して同じ高周波電源等の電源 6から給電するのが好ましい。図 1 7においては、一つの電源 6に対して複数個のトランス 32 a、 32 b、 32 cを並列に電気的に接続すると共に各トランス 32 a、 32 b、 32 cのそれぞれに複数枚の絶縁基材 1を並列に電気的に接続しちのである。そして、この反廂器 Rでは各絶縁基材 1に給電する電圧の位相が: 5いにずれないようにすることができ、各絶縁基材 1に給電する電圧の干渉し合うのを防止して所望の波形の電圧を給電することができる。

ま、本発明では、特に貫通孔 2におけるプラズマ生成用ガス Gの流通方向と平行な方向に複数の電極 3, 4を並べて設けると、放電空間に高密度のス卜リーマ放電を発生させることにより、 [電発生のための印加電力を増加させることなく、ガス流中の活性種の密度を増加させて表面処理の能力を高めることができる。これにより、活性種を含プラズマ生成用ガス Gのガス流を被処理物 5に供給する時間を長 <せずに表面処理の能力を高めているので、一つの被処理物 5の表面処理にかかる時間が長くならないようにすることができ、生産性が低下しないようにすることができる。

まこのように被処理物 5に吹き付けられるプラズマ生成用ガス G中の活性種の密度が増加されて表面処理の能力が高められている^めに、ガス吹出□ 2 bと被処理物 5 の表面との間の距離を短くする必要がなくなるちのであり、これにより S (電場からの被処理物 5へのアークの発生が抑制されて、アークによる被処理物 5の損傷が防止される。まだこのようにアークの発生を抑制することができることから、ガス吹出□ 2 bと被処理物 5との間に放電発生防止用の金属メッシュ等を介在させる必要がなく、このよ oな金属メッシュ等によりプラズマ生成兩ガス Gのガス流が遮られることによる表面処理能力の低下を防止することができる。更には、電極 3， 4等の金属が腐食して酸化物 (鎬）が飛散し被処理物 5を汚すとい問題ち発生しない。

本発明は、種の被処理材 5に対する表面処理に適用することができるが、特に液晶用ガラス材、プラズマディスプレイ用ガラス材、有機エレク卜ロルミネッセンス表示装置用ガラス材等の、種々のフラヅ卜パネルディスプレイ用ガラス材ゅ、プリント配線基板、ポリィミドフィルム等の各種樹脂フィル厶などの表面処理に適用することができ、これらの被処理物 5に対して有機物等の異物のクリーニング、レジス卜の剥離やエッチング、有機フイルムの密着性の改善、金属酸化物の還元、成膜、水洗净前処理、めっき前処理、コーティング前処理、その他の表面改質などの表面処理を行うことができる。尚、液晶用ガラス材等のフラットパネルディスプレイ用ガラス材は、順次大型化が進展しており、この άめ大面積の均一な処理が必要とされ、処理面積等の設計変更が容易な本発明に係るブラズマ処理装置ゆブラズマ処理方法を好適に適用することができる。このようなガラス材に対する表面処理を行う場合には、このガラス材に、 I TO (ィンジゥム ·チン ·ォキサイド）からなる透明電極ゆ、 T F T (薄膜卜ランジスタ）液晶を設け/ άちの、或いは C F (カラ一フィルタ）を設けだちのなどち、表面処理に供することができる。ま、樹脂フィルムに対して表面処理を施す場合には、いわゆるロール- トウ'ロール方式で搬送されている樹脂フィルムに対して連続的に表面処理を施すことがでさる。

実施例

以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。

(実施例 1 )

第 1のシート材（厚み 0. 4mm)の一面に導電体膜を印刷成形し、この導電体膜の上面に更に第 2のシー卜材（厚み 1 . 4mm)を積層して配置し、この第 2のシート材の一面には導電体膜を印刷成形し、この導電体膜の上面には第 3のシート材（厚み 1 . 4mm)を積層して配置し。このとき、第 1〜第 3のシー卜材は、アルミナ粉末を含混合材料をシート状に成形することで形成し、また各シ一卜材には、直径 1 mmの開口を形成して、この各開口の位置が合致するように積層し。ま導電体膜は、タングステン層を印刷成形することで形成し、上記シー卜材の開口よりち大きい直径 3mmの開□ 8がシー卜材の開□を囲ように配され 7Eパターン状に形成した。このように形成された積層体を加熱焼成することで、図 2 Aおよび図 2 Bに示す平面視形状と断面形状を有する反 ¾器 Rを作製し; £。

このとき、絶縁基材 1は直径 1 mmの 5 5個の貫通孔 2を具備すると共に厚み 3. 2 mmに形成され、平面視 45 X 22mmの範囲の領域にわり、隣り合う貫通孔 2同士の間隔が 4. 5mmとなるようにこれら 5 5個の各貫通孔 2を配置し。また、電極 3 , 4は厚み 3 0 mの上下二層のタングステン導電体層にて形成され、各貫通孔 2の周囲を電極 3， 4の開□ 8が取り囲 ¾ょうに設置した。また上下一対の電極 3, 4の間隔（放電面の間隔）は 1 . 4 mmとし/ £。またこの電極 3, 4の開□ 8は直径 3 mmに形成され、貫通孔 2の内面には露出させず、電極 3， 4の閧ロ8と、貫通孔 2の内面との間には、絶縁基材 1を構成する絶縁材料（誘電材料）による厚み 1 mmの絶縁被覆を形成し。まだ上部の電極 4は電源 6に接続し、下部の電極 3は接地し。

この絶縁基材 1の上部には、図 9に示すような銅製の放熱器 7が設けられだガス貯留室 1 1を設置し、プラズマ生成用ガス <3はガス貯留室 1 1の上部の流入口 1 0から導入され、絶縁基材 1の貫通孔 2へ流入するように形成した。放熱器 7に設けられだ通水路 7 cには冷却水を循環させ、絶縁基材 1の過度の加熱を防止し。

(実施例 2)

第 1のシー卜材（厚み 0. 7mm)の一面に導電体膜を印刷成形し、この導電体膜の上面に更に第 2のシー卜材（厚み 1 . 5mm) を積層して配置した。このとき、第 1，第 2のシート材は、実施例 1の場合と同様の含アルミナ混合材料をシ一卜状に成形することで形成し、ま各シート材には、平面視の幅 1 mm、長さ 2 2mmのスリツト状の開口を複数形成して、この各開口の位置が合致するよラに積層し。また導電体膜は、実施例 1と罔様のタングステン導電体層を印刷成形することで形成し、櫛形のパターン状に形成した。このように形成され積層体を加熱焼成することで、 I 3 Aおよび囡3 Bに示す構成を有する反 ¾器 Rを作製し。

このとき、絶縁基材 1は ¥面視の幅 1 mm、長さ 22mmのスリヅ卜状の 1 1個の貫通孔 2を具備すると共に厚み 2. 2mmに形成され、平面視 45 X 22mmの範囲の領域にわだり、隣り合う貫通孔 2同士の間隔が 3. 5mmとなるようにこれら各貫通孔 2 を配置し。ま、電極 3， 4は絶縁基材 1内の罔一層内に厚み 1 O O に形成され、各貫通孔 2の一側に一方の電極 4を、他側に他方の電極 4を配置した。また、一対の電極 3, 4の間隔（放電面の間隔）は 2mmとした。このめ、この電極 3， 4は貫逼孔 2の内面には露出せず、電極 3, 4の端縁（放電面）と、貫通孔 2の内面との間には、絶縁基材 1を構成する絶縁材料（誘電材料）による厚み 0， 5 mmの絶縁被覆を形成した。また一方の電極 4は電源 6に接続し、他方の電極 3は接地した。

この絶縁基材 1の上部には、 H 3 Aおよび図 3 Bに示すような窒化アルミニウム製の放熱器 7が設けられだガス貯留室 1 1を設置し、プラズマ生成甩ガス Gはガス貯留室 1 1の上部の流入ロ1 0から導入され、絶緣基材 1の貫通孔 2へ流入するように形成し。放熱器 7に設けられた通水路 7 cには冷却水を循環させ、絶縁基材"!の過度の加熱を防止し。

(実施例 3)

電極 3， 4の開ロ8の内径と貫通孔 2の内径とを共に 1 mmの寸法に形成して、開口 8の内面を貫通孔 2の内面で露出するよ oに形成し; £ (図 1 0参照)。これ以外は実施例 ¹と同様にしてプラズマ処理装麈を形成した。

(比較例 1 )

図 1 8に断面を示す矩形筒状の反) 容器 2 1を装備しプラズマ処理装置を使用した。反 ®容器 2 1は肉厚 1 mmの石英ガラス製であり、また、反 ¾容器 2 1内の空間に形成される放電発生部 22の狭小側の内寸（反 ¾容器 2 1の両端のガス導入口 22 aとガス吹出□ 22 bのスリット幅と同じであり、放電スリット幅という）は 1 mmとした。さらに、反麻容器 2 1の幅広側は 45mmとした。電極 23， 24の下面は、ガス吹出 □ 2: 2 bから 5 mm上流側に位置する。

—対の電極 23, 24は銅製でその表面に金メッキ処理を行った。電極 23， 24は反¾容器 2 1の幅広側に反 ¾容器 2 1を挟みこように設置した。電極 2.3， 24の内部の冷却水循環路 27には冷却水を循環させ、電極 23， 24を冷却した。図面における左側の電極 23は電源 6に接続し、右側の電極 24は接地しだ。 C評価 1 )

上記のようなプラズマ処理装置を用いて、大気圧下で窒素 1 0リツ卜ル分、酸素 0. 02リツトル分のプラズマ生成用ガス Gを装置に導入し、電源 6により電極 3, 4(2 3, 24)間に図 1 1示す休止区間を有するパルス状波形を有する 6 k H z、 1 3 k V、デューティ一比 50%の電圧を印加し、活性種を含 ¾プラズマ生成用ガス Gのガス流を、 1 O OmmZ sで搬送された被処理物 5の表面に吹き付ける（噴射する）ことにより表面処理を行った。被処理物 5としては液晶用の素ガラスを用い、ガス吹出 CD 2 b (22 b)と被処理物 5との距離は 5 mmとし£。液晶用素ガラスにおける処理前の水接触角は 68° である。

実施例 1〜3及び比較例 1について表面処理後の被処理物 5の水接触角を測定し; £。これらの結果を表 1に示す。表 1に示すように実施例 1及び実施例 2では水接触角が大きく低下し、特に実施例"！では水接触角の低下が著しいことがわかる。これに对し、比較例 1では水接触角がほとんど変化しなかっ。よって、実施例 1 , 2は比較例 1よりち表面処理能力が高レ、と言える。

表 1

(評価 2)

実施例 1及び比較例 1について、電極 3, 4 (23， 24)間に印加する電圧の波形を、図 1 2に示す休止区間を有するパルス状波形を有する 6 k H z、 1 3.k V、デューティ一比 5%の電圧に変更しだ以外は、評価 1と同様にして被処理物 5の表面処理を行つだ。このとき、被処理物 5の水接触角が 1 0° 以下となるまで繰り返し表面処理を行つだ。

実施例 1 , 2及び比較例 1について、被処理物 5の水接触角が 1 0。以下になるまでに要した処理回数を表 2に示す。表 2に示すように実施例 1， 2では 1回の処理により水接触角が 1 0° 以下となつだが、比較例 1では水接触角が 1 0° 以下になるまで 7回の処理を要し、実施例 1， 2では比較例 1よりち迅速な表面処理が可能であるといえる。表 2

(評価 3)

実施例 3について、大気圧下で窒素 1 Oリツ卜ルノ分、素 0. 02リツ卜 Jし Z分のプラズマ生成用ガス Gを装置に導入し、電源 6により電極 3, 4 (23, 24)間に図 1 1に示す休止区間を有するパルス状波形を有する 6 k H z、デューティー比 50%の電圧を印加し、活性種を含プラズマ生成用ガス Gのガス流を、 1 O OmmZ sで搬送されだ被処理物 5の表面に吹き付ける（噴射する）ことにより表面処理を行つ 75。このとき印加電圧を 8 kV、 9 k V、 1 O kVと変化させて、それぞれの場合について、表面処理を行つだ。被処理物 5としては液晶用の素ガラスを用い、ガス吹出 02 bと被処理物 5との距離は 5mmとしだ。液晶用素ガラスにおける処理前の水接触角は 68° であ ·©。

処理後の被処理物 5の水接触角の測定結果を、表 3に示す。表 3に示すように、実施例 3においてち、処理後の被処理物 5の水接触角の低減量が大き <、処理効率が高いちのであり、ま 7£ED加電圧を上昇させることにより、水接触角を更に低減することができた。但し、印加電圧を 1 O k Vとすると、放電が安定しなくなり、表面処理を行うことがでぎなぐなつた。

表 3

(評価 4)

実施例 1について、大気圧下で窒素 1 0リツトル分、乾燥空気 0. 1リツ卜ルノ分のプラズマ生成用ガス Gを装置に導入し、中点接地型電源 6 A、 6 Bにより電極 3, 4 間に囡 "I 3に示す休止区間を有するパルス状波形を有する 1 2 k H z、デューティ一比 30%の電圧を印加し、活性種を含プラズマ生成用ガス Gのガス流を、 5 OmmZ s で搬送され被処理物 5の表面に吹き付ける（噴射する）ことにより表面処理を行つだ。被処理物 5としてはプリント基板用の樹脂フィルムを用い、ガス吹出口 2 bと被処理物 5との距離は 5 mmとし。

被処理物 5はプラズマ処理後に、その表面にめっき処理を行い、その付着強度を測定し。その測定結果を表 4に示す。表 4に示すように、実施例 1におけるプラズマ処理は、被処理物 5のメツキの付着強度が大きく増加させ、表面処理効率が高いおのであり、めっきの信頼性を向上させることができだ。

表 4

産業上の利用可能性

上記のょラに、本発明のプラズマ処理装置においては、各貫通孔の内側に気体放電を発生し、この気体放電により生じる活性種を含 ¾活性化されプラズマ生成用ガスのガス流を複数の貫通孔から吹き出して被処理物に供給することによって、少ないガス流量で大面積に亘る被処理物のプラズマ表面処理を均一且つ効率よく行うことができる。まだ、被処理物を搬送しながら表面処理を施す場合は、搬送中の被処理物が活性化されプラズマ生成用ガスのガス流に曝露されている時間を長くすることができ、少ないガス蠆で効率的に表面処理することができる。従って、ガスの流量を増加させることなく、被処理物と活性種との接触時間を増加させて表面処理の能力を高めることができ、表面処理のランニングコス卜の増加を防げる。

更に、複数の絶縁基材を組み合わせて反器を構成することが容易であり、かつ絶縁基材の数の増減ゆ配置位置の変更等により装置の設計自由度を高め、種の寸法ゆ形状の被処理物に最適なプラズマ処理を提供することができる。

このように、大面積プラズマ処理を均一且つ効率よく行える本発明のプラズマ処理装置によれば、従来の被処理物への表面処理に加えて、液晶パネル用ガラス等の将来的 (こ処理面積のさらなる増大が予想される被処理物にち適切に対処することができ、その広範な用途での使用が期待される。

Claims

請求の範囲

1 . プラズマ生成用ガスを放電により活性化させ、この活性化されだプラズマ生成用ガスを被処理物に吹き付けるプラズマ処理装置において、一端側の開口からプラズマ生成用ガスが流入すると共に他端側の開口から活性化されだブラズマ生成用ガスが流出する複数の貫通孔と、各貫通孔内でそれぞれ放電を発生させるめの電極とが設けられ絶縁基材からなる反器を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。

2.絶縁基材が平板状に形成されることを特徴とする請求項 1に記載のプラズマ処理装置。

3.電極が絶縁基材に埋設されることを特徴とする請求項 1に記載のプラズマ処理装置。

4.電極が貫通孔内に露出されることを特徴とする請求項 1に記載のプラズマ処理装置。

5.電極が貫通孔内に露出されないことを特徴とする請求項 1に記載のプラズマ処理装置。

6.貫通孔内で電気力線がプラズマ生成用ガスの流通方向と交差する方向に発生するように電極を配設することを特徴とする請求項 1に記載のプラズマ処理装置。

7.貫通孔内で電気力線がプラズマ生成用ガスの流通方向と平行な方向に発生するように電極を配設することを特徴とする請求項 1に記載のプラズマ処理装置。

8. 隣り合う電極の間隔が O. 0 1〜5mmであることを特徴とする請求項 "1に記載のプラズマ処理装置。

9. 貫通孔の開口形状が直径 0. 01 ~ 1 5mmの円形状であることを特徴とする請求項 1に記載のプラズマ処理装置。

1 0.貫通孔の開口形状が短手寸法 0. 0 1〜1 5 mmのスリツト伏であるとする請求項¹に記載のプラズマ処理装置。

1 1 .層状の電極を絶縁基材に形成すると共に貫通孔に合致する位置において電極に開 □を形成し、隣り合う開口の間におレ、て電極に欠損部分が無 (/、ことを特徴とする請求項 1に記載のプラズマ処理装置。

1 2. 一対の層状の電極を絶縁基材に対向させて形成すると共に、ガスの流通方向において下流側の電極の周端部 ¾上流側の電極の周端部よりも外側に突出させることを特徴とする請求項¹に記載のプラズマ処理装置。

1 3.絶縁基材カ tセラミックスにて形成されることを特徴とする請求項 1に記載のブラズマ処理装置。

1 4.絶縁基材がアルミナにて形成されることを特徴とする請求項 1 3に記載のプラズマ処理装置。

1 5.休止区間を持つパルス状の電圧を電極に印加する電源を具備するる請求項¹に記載のプラズマ処理装置。

1 6.周波数が 1 H z〜200 k H zの電圧を電極に印加する電源を具備することを特徴とする請求項¹に記載のプラズマ処理装置。

1 7. デューティー比が 0. 0 1〜80%のパルス状の電圧を電極に印加する電源を具備することを特徴とする請求項 1に記載のプラズマ処理装置。

1 8.—対の電極を中点接地することを特徴とする請求項"！に記載のプラズマ処理装置。

1 9. 反廂器に対して、希ガス、窒素、酸素、空気の少なくとも一つを含有するガス、ま^はこれらの二種以上の混合ガスを、プラズマ生成用ガスとして供給するガス供給手段を具備することを特徴とする請求項 1に記載のプラズマ処理装置。

20.絶縁基材を冷却する放熱器を具備することを特徴とする請求項 1に記載のプラズ処理装置。

2 1 .二次電子が放出されゆすい温度に絶縁基材を温度調整する^めの温度調整手段を具備することを特徴とする請求項 1に記載のプラズマ処理装置。

22.全ての貫通孔に対してプラズマ生成用ガスをほぼ均一な流速で供給するめのガス均一化手段を具備することを特徴とする請求項 1に記載のプラズマ処理装置。

23. 反麻器は、複数の絶縁基材を組み合わせて形成されることを特徴とする請求項 1 に記載のプラズマ処理装置。

24. 請求項 1に記載のプラズマ処理装置に適用される反 ¾器の製造方法であって、絶縁材料を成形した複数の開口を有する複数のシ一卜材の間に、導電体材料を成形した導電体膜を、各シート材の閧口が合致するように積層して、一体成形することにより、シ —卜材にて絶縁基材を、導電体膜にて電極を、シート材の開口にて貫通孔をそれぞれ形成することを特徴とするプラズマ生成用の反麻器の製造方法。

25. 請求項 1に記載のプラズマ処理装置を用い、複数の各貫通孔の一端側から他端側へプラズマ生成用ガスを流通させると共に電極に電圧を印加して各貫通孔内で放電を発生させることにより、貫通孔内でプラズマを発生させてプラズマ生成ガスを活性化させ、この活性化されたプラズマ生成用ガスを各貫通孔の他端側から被処理物の表面に 0賁射することを特徴とするプラズマ処理方法。

26. 被処理物が、フラッ卜パネルディスプレイ用ガラス材、プリント配線基板又は樹脂フィルムであることを特徴とする請求項 25に記載のプラズマ処理方法。

27. 以下の構成を含 ¾プラズマ処理装蘆：

複数のスルーホールを有する一対の電極板；

複数のスルーホールを有する絶縁板、前記絶縁板は、前記電極板のスルーホールの位置が絶縁板のスルーホールの位置に一致するように前記一対の電極板間に配置される；前記一対の電極板のスルーホールと前記絶縁板のスルーホールによって形成される複数の放電空間内にプラズマ生成用ガスを供給するガス供給手段；

前記電極板間に電圧を印加して前記複数の放電空間内に固時に前記プラズマ生成用ガスのプラズマを生成するめの電圧印加手段。

28. 一対の電極および節記電極間に配置される絶縁板を含 ¾筒状容器と、前記筒状容器の一端からプラズマ生成用ガスを供給するガス供給手段と、前記電極間に電圧を印加して前記筒状容器内に前記ブラズマ生成用ガスのプラズマを生成する電圧印加手段を具備し、前記筍状容器の他端から放出される前記プラズマで被処理物を表面処理するプラズマ処理装置であって、しかるに、前記電極は複数のスルーホールを有する一対の電極板でなり、前記絶縁板は複数のスルーホールを有し、前記筒状容器内には前言 S—対の電極板のスルーホールと前記絶縁板のスルーホールによって形成される複数の放電空間が設けられ、前記電極板間に電圧を印加して前記放電空間に同時に生成され前記プラズマ生成用ガスの複数のプラズマが前記筒用容器の他端から放出される。