JP2002253952A - プラズマ表面処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ表面処理方法及び装置Info
- Publication number
- JP2002253952A JP2002253952A JP2001053635A JP2001053635A JP2002253952A JP 2002253952 A JP2002253952 A JP 2002253952A JP 2001053635 A JP2001053635 A JP 2001053635A JP 2001053635 A JP2001053635 A JP 2001053635A JP 2002253952 A JP2002253952 A JP 2002253952A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- plasma
- gas
- surface treatment
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 abstract description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 abstract description 5
- 238000003672 processing method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 89
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 18
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 15
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 15
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100033040 Carbonic anhydrase 12 Human genes 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N Cyclopropane Chemical compound C1CC1 LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical class C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYVHTIWHNXTVPF-UHFFFAOYSA-N F.F.F.F.C=C Chemical compound F.F.F.F.C=C PYVHTIWHNXTVPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000867855 Homo sapiens Carbonic anhydrase 12 Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHWNWJKBPDFINM-UHFFFAOYSA-N Laurolactam Chemical compound O=C1CCCCCCCCCCCN1 JHWNWJKBPDFINM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000299 Nylon 12 Polymers 0.000 description 1
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 1
- 101100219325 Phaseolus vulgaris BA13 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N disulfur monoxide Inorganic materials O=S=S TXKMVPPZCYKFAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 235000019256 formaldehyde Nutrition 0.000 description 1
- WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N hexafluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)F WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910001872 inorganic gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- PMJHHCWVYXUKFD-UHFFFAOYSA-N pentadiene group Chemical class C=CC=CC PMJHHCWVYXUKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N pentamethylene Natural products C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical compound S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】嵩高く且つ広い面積を有する基材表面の表面改
質やコーティングを大気圧付近の圧力で効率的に行なう
ことができる連続プラズマ処理方法、ならびにそのため
の装置を提供すること。 【構成】一定の間隔を以て対向する一対の多孔板電極か
ら構成される対向電極間に、電圧を印加しつつ、プラズ
マ処理ガスを概ね大気圧下で、前記対向電極の一方の電
極側からそれぞれの電極に設けられた孔を通じ他方の電
極側に噴出すように供給し、前記対向電極間に形成され
る放電空間を通過しプラズマ励起した前記プラズマ処理
ガスを前期対向電極に対向して設置した被処理物表面に
噴きつけ処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
ならびに、そのための装置。
質やコーティングを大気圧付近の圧力で効率的に行なう
ことができる連続プラズマ処理方法、ならびにそのため
の装置を提供すること。 【構成】一定の間隔を以て対向する一対の多孔板電極か
ら構成される対向電極間に、電圧を印加しつつ、プラズ
マ処理ガスを概ね大気圧下で、前記対向電極の一方の電
極側からそれぞれの電極に設けられた孔を通じ他方の電
極側に噴出すように供給し、前記対向電極間に形成され
る放電空間を通過しプラズマ励起した前記プラズマ処理
ガスを前期対向電極に対向して設置した被処理物表面に
噴きつけ処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
ならびに、そのための装置。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、嵩高く且つ広い面
積を有する基材表面の表面改質やコーティングを大気圧
付近の圧力で効率的に行なう大気圧低温プラズマ表面処
理方法及びその装置に関するものである。
積を有する基材表面の表面改質やコーティングを大気圧
付近の圧力で効率的に行なう大気圧低温プラズマ表面処
理方法及びその装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、大気圧下で低温のグロー放電プラ
ズマを発生させる技術が開発され、様々な用途で利用さ
れている。この技術は、一定の間隔を以て対向する高圧
電極と接地電極間に形成される放電部に、ヘリウムのよ
うなプラズマ発生用ガスを大気圧もしくは大気圧近傍圧
力下で導入すると共に、前記電極間に高周波交流電圧や
直流パルス電圧を印可することにより前記放電部にグロ
ー放電プラズマを発生させるものである。このような大
気圧グロー放電プラズマを用いて表面改質や薄膜形成等
の表面処理を行なう方法は、従来行われてきた真空下で
のプラズマ処理と比べ、低圧雰囲気の形成や圧力制御用
の装備を必要としないことから処理コストが小さくてす
む。しかも、低温での処理が可能なため、プラスチック
フィルムのような低融点の被処理物にも適用可能である
といった特徴を有する。
ズマを発生させる技術が開発され、様々な用途で利用さ
れている。この技術は、一定の間隔を以て対向する高圧
電極と接地電極間に形成される放電部に、ヘリウムのよ
うなプラズマ発生用ガスを大気圧もしくは大気圧近傍圧
力下で導入すると共に、前記電極間に高周波交流電圧や
直流パルス電圧を印可することにより前記放電部にグロ
ー放電プラズマを発生させるものである。このような大
気圧グロー放電プラズマを用いて表面改質や薄膜形成等
の表面処理を行なう方法は、従来行われてきた真空下で
のプラズマ処理と比べ、低圧雰囲気の形成や圧力制御用
の装備を必要としないことから処理コストが小さくてす
む。しかも、低温での処理が可能なため、プラスチック
フィルムのような低融点の被処理物にも適用可能である
といった特徴を有する。
【0003】フィルムやシートのような比較的厚みの薄
い基材の処理を、大気圧グロー放電プラズマを用いて行
う場合、一定の間隔を以て対向する高圧電極と接地電極
間をプラズマ放電部とし、該電極間に被処理物を配置す
る方法が知られている。例えば、特開平11−2446
89公報には、円筒状のロール電極と曲面電極とを略等
間隔で対峙された面間をプラズマ放電空間とし、被処理
物であるシート状基材をロール電極の放電面に密着させ
つつロール電極の回転により基材を搬送することで連続
処理する方法が開示されている。このように電極間に実
質的に被処理物を配置する方法は、プラズマ放電領域を
広く取れるため大面積の連続処理を行う場合有利であ
る。しかしながら、被処理物の形状や大きさに制限があ
り、また、放電プラズマ中に、即ち電極と電極との間に
被処理物を配置した場合、放電プラズマに影響を与える
上、被処理物が大きいと放電電圧が高くなり放電しにく
くなるなど放電条件にも制約があった。
い基材の処理を、大気圧グロー放電プラズマを用いて行
う場合、一定の間隔を以て対向する高圧電極と接地電極
間をプラズマ放電部とし、該電極間に被処理物を配置す
る方法が知られている。例えば、特開平11−2446
89公報には、円筒状のロール電極と曲面電極とを略等
間隔で対峙された面間をプラズマ放電空間とし、被処理
物であるシート状基材をロール電極の放電面に密着させ
つつロール電極の回転により基材を搬送することで連続
処理する方法が開示されている。このように電極間に実
質的に被処理物を配置する方法は、プラズマ放電領域を
広く取れるため大面積の連続処理を行う場合有利であ
る。しかしながら、被処理物の形状や大きさに制限があ
り、また、放電プラズマ中に、即ち電極と電極との間に
被処理物を配置した場合、放電プラズマに影響を与える
上、被処理物が大きいと放電電圧が高くなり放電しにく
くなるなど放電条件にも制約があった。
【0004】一方、高圧電極と接地電極を一定の間隔を
以て対向させ放電空間を形成した放電部にプラズマ発生
ガスを圧送し、プラズマ励起して放電部外に噴射して対
向する被処理物表面に噴出することにより前記被処理物
表面を処理する方法、即ちプラズマ噴き出し処理法も知
られている。例えば、特開平3−219082公報に
は、高圧電極を中心に接地電極を円筒状に対向配置して
電極間に放電空間を設けた円筒状放電部にガス導入管を
同軸配置したトーチ型プラズマ噴き出し装置及び、箱状
の放電部の閉塞上部一端に二重管構造のガス供給管を、
上部他端に排気管を接続し、開放下端側に、細板状の電
極平面にガラス等の誘電体を積層した一対の高圧電極及
び接地電極を、絶縁材セパレータを介して複数対向配置
して放電空間を形成している直線プラズマ噴き出し装置
について開示している。大気圧に保たれている放電空間
内に反応ガスが導入され、高圧電極と接地電極間に所要
の電圧を印加することにより、グロー放電が起こり反応
ガスのプラズマ励起が発生して、高圧電極と接地電極に
対向させて配置した被処理物表面を処理することができ
る。
以て対向させ放電空間を形成した放電部にプラズマ発生
ガスを圧送し、プラズマ励起して放電部外に噴射して対
向する被処理物表面に噴出することにより前記被処理物
表面を処理する方法、即ちプラズマ噴き出し処理法も知
られている。例えば、特開平3−219082公報に
は、高圧電極を中心に接地電極を円筒状に対向配置して
電極間に放電空間を設けた円筒状放電部にガス導入管を
同軸配置したトーチ型プラズマ噴き出し装置及び、箱状
の放電部の閉塞上部一端に二重管構造のガス供給管を、
上部他端に排気管を接続し、開放下端側に、細板状の電
極平面にガラス等の誘電体を積層した一対の高圧電極及
び接地電極を、絶縁材セパレータを介して複数対向配置
して放電空間を形成している直線プラズマ噴き出し装置
について開示している。大気圧に保たれている放電空間
内に反応ガスが導入され、高圧電極と接地電極間に所要
の電圧を印加することにより、グロー放電が起こり反応
ガスのプラズマ励起が発生して、高圧電極と接地電極に
対向させて配置した被処理物表面を処理することができ
る。
【0005】さらに、特開平11−269286公報に
は前記直線プラズマ噴き出し装置の欠点を改良した装置
が開示されている。即ち、高圧電極が中実帯板状に形成
されているとともに、この帯板状高圧電極の厚み方向の
両側にそれぞれ絶縁体を挟んで上記接地電極が対向配置
され、上記帯板状高圧電極の中実内部にはその長手方向
に沿わせて上記反応ガスの供給通路が形成されていると
ともに、該帯板状高圧電極の幅方向一端側の表裏両面に
はそれぞれ、上記反応ガス供給通路に連通接続する複数
個のスリット状ガス噴き出し穴が上記長手方向に沿って
断片的に、かつ、表裏互い違いに配置して形成されてお
り、これら表裏複数個のスリット状ガス噴き出し穴によ
り構成される上記噴き出し部からプラズマ励起ガス流を
被処理物表面に対して略直線状に噴出可能な装置が開示
されている。このようなプラズマ噴き出し処理法は被処
理物の形状には左右されず嵩高いものや複雑な形状にも
対応できる。しかしながら、この方法は原理的に点状か
線状のプラズマ噴き出ししかできないことから、大面積
を処理する必要がある場合には、噴き出しトーチを複数
台並べて用いたり、処理速度を低く抑えなければならな
いという問題があった。
は前記直線プラズマ噴き出し装置の欠点を改良した装置
が開示されている。即ち、高圧電極が中実帯板状に形成
されているとともに、この帯板状高圧電極の厚み方向の
両側にそれぞれ絶縁体を挟んで上記接地電極が対向配置
され、上記帯板状高圧電極の中実内部にはその長手方向
に沿わせて上記反応ガスの供給通路が形成されていると
ともに、該帯板状高圧電極の幅方向一端側の表裏両面に
はそれぞれ、上記反応ガス供給通路に連通接続する複数
個のスリット状ガス噴き出し穴が上記長手方向に沿って
断片的に、かつ、表裏互い違いに配置して形成されてお
り、これら表裏複数個のスリット状ガス噴き出し穴によ
り構成される上記噴き出し部からプラズマ励起ガス流を
被処理物表面に対して略直線状に噴出可能な装置が開示
されている。このようなプラズマ噴き出し処理法は被処
理物の形状には左右されず嵩高いものや複雑な形状にも
対応できる。しかしながら、この方法は原理的に点状か
線状のプラズマ噴き出ししかできないことから、大面積
を処理する必要がある場合には、噴き出しトーチを複数
台並べて用いたり、処理速度を低く抑えなければならな
いという問題があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来技術の不都合を解消すべく提案されたものである。
すなわち、本発明は、嵩高く且つ広い面積を有する基材
表面の表面改質やコーティングを大気圧付近の圧力で連
続に、効率的に行なうことができるプラズマ表面処理方
法、ならびにそのための装置を提供することを目的とす
る。
従来技術の不都合を解消すべく提案されたものである。
すなわち、本発明は、嵩高く且つ広い面積を有する基材
表面の表面改質やコーティングを大気圧付近の圧力で連
続に、効率的に行なうことができるプラズマ表面処理方
法、ならびにそのための装置を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するため鋭意研究を行った。その結果、一定の間
隔を以て対向する多孔板からなる一対のA電極、B電極
から構成される対向電極間に、電圧を印加しつつ、プラ
ズマ処理ガスを概ね大気圧下で、A電極側からそれぞれ
のA電極、B電極に設けられた孔を通じ電極B側に噴出
すように供給し、プラズマ処理ガスを対向電極間に形成
される放電空間を通過させることにより励起させ、励起
したプラズマ処理ガスをB電極のA電極側と反対側に対
向して配置した被処理物表面に噴きつけることによって
上記課題が解決できることを見いだし本発明に至った。
また、一定の間隔を以て対向する多孔板からなる一対の
A電極、電極Bからなる対向電極を構成要素の一つとす
るプラズマ表面処理装置によって上記課題が解決できる
ことを見いだし本発明に至った。すなわち本発明によれ
ば、ガス透過孔を有するA電極、及びB電極から構成さ
れ、一定の間隔を以て対向する対向電極間に、電圧を印
加しつつ、プラズマ処理ガスを概ね大気圧下で、A電極
側からA電極、及びB電極にそれぞれ設けられたガス透
過孔を通じB電極の外側に噴出すように供給し、プラズ
マ処理ガスを対向電極間に形成されるグロー放電空間を
通過させることによりプラズマ励起させ、励起したプラ
ズマ処理ガスをB電極のA電極側と反対側に配置した被
処理物表面に噴きつけることを特徴とするプラズマ表面
処理方法が提供される。
を解決するため鋭意研究を行った。その結果、一定の間
隔を以て対向する多孔板からなる一対のA電極、B電極
から構成される対向電極間に、電圧を印加しつつ、プラ
ズマ処理ガスを概ね大気圧下で、A電極側からそれぞれ
のA電極、B電極に設けられた孔を通じ電極B側に噴出
すように供給し、プラズマ処理ガスを対向電極間に形成
される放電空間を通過させることにより励起させ、励起
したプラズマ処理ガスをB電極のA電極側と反対側に対
向して配置した被処理物表面に噴きつけることによって
上記課題が解決できることを見いだし本発明に至った。
また、一定の間隔を以て対向する多孔板からなる一対の
A電極、電極Bからなる対向電極を構成要素の一つとす
るプラズマ表面処理装置によって上記課題が解決できる
ことを見いだし本発明に至った。すなわち本発明によれ
ば、ガス透過孔を有するA電極、及びB電極から構成さ
れ、一定の間隔を以て対向する対向電極間に、電圧を印
加しつつ、プラズマ処理ガスを概ね大気圧下で、A電極
側からA電極、及びB電極にそれぞれ設けられたガス透
過孔を通じB電極の外側に噴出すように供給し、プラズ
マ処理ガスを対向電極間に形成されるグロー放電空間を
通過させることによりプラズマ励起させ、励起したプラ
ズマ処理ガスをB電極のA電極側と反対側に配置した被
処理物表面に噴きつけることを特徴とするプラズマ表面
処理方法が提供される。
【0008】また、A電極がプラズマ処理ガスの供給機
能を有することを特徴とする上記のプラズマ表面処理方
法が提供される。
能を有することを特徴とする上記のプラズマ表面処理方
法が提供される。
【0009】また、より好ましくは、B電極と被処理物
との間にバイアス電圧を印加することを特徴とする上記
いずれかのプラズマ表面処理方法が提供される。
との間にバイアス電圧を印加することを特徴とする上記
いずれかのプラズマ表面処理方法が提供される。
【0010】さらに、 ・ガス透過孔を有するA電極、及びB電極から構成さ
れ、一定の間隔を以て対向する対向電極、 ・対向電極間にグロー放電プラズマを発生させるための
電圧印加装置、 ・プラズマ処理ガスを概ね大気圧下で、A電極側からA
電極、及びB電極にそれぞれ設けられたガス透過孔を通
じB電極の外側に噴出すように供給するためのガス供給
装置、から少なくとも構成されることを特徴とするプラ
ズマ表面処理装置が提供される。
れ、一定の間隔を以て対向する対向電極、 ・対向電極間にグロー放電プラズマを発生させるための
電圧印加装置、 ・プラズマ処理ガスを概ね大気圧下で、A電極側からA
電極、及びB電極にそれぞれ設けられたガス透過孔を通
じB電極の外側に噴出すように供給するためのガス供給
装置、から少なくとも構成されることを特徴とするプラ
ズマ表面処理装置が提供される。
【0011】また、A電極がプラズマ処理ガスの供給機
能を有することを特徴とする上記のプラズマ表面処理装
置が提供される。
能を有することを特徴とする上記のプラズマ表面処理装
置が提供される。
【0012】また、より好ましくは、B電極と被処理物
との間にバイアス電圧を印加できる機能を有することを
特徴とする上記いずれかのプラズマ表面処理装置が提供
される。
との間にバイアス電圧を印加できる機能を有することを
特徴とする上記いずれかのプラズマ表面処理装置が提供
される。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明は、ガス透過孔を有するA
電極、B電極から構成され、一定の間隔を以て対向する
対向電極間に、電圧を印加しつつ、プラズマ処理ガスを
概ね大気圧下で、A電極側からA電極、及びB電極にそ
れぞれ設けられたガス透過孔を通じB電極の外側に噴き
出すように供給し、プラズマ処理ガスを対向電極間に形
成される放電空間を通過させることによりプラズマ励起
させ、励起したプラズマ処理ガスをB電極のA電極側と
反対側に配置した被処理物表面に噴きつけることを骨子
とするものである。このようにすることで、多数の噴き
出しトーチを並べて用いたり、処理速度を低く抑えなけ
ればならないという問題がなく、しかも被処理物の形状
には左右されず嵩高いものや複雑な形状のものの処理を
行なうことができる。以下本発明を詳細に説明する。
電極、B電極から構成され、一定の間隔を以て対向する
対向電極間に、電圧を印加しつつ、プラズマ処理ガスを
概ね大気圧下で、A電極側からA電極、及びB電極にそ
れぞれ設けられたガス透過孔を通じB電極の外側に噴き
出すように供給し、プラズマ処理ガスを対向電極間に形
成される放電空間を通過させることによりプラズマ励起
させ、励起したプラズマ処理ガスをB電極のA電極側と
反対側に配置した被処理物表面に噴きつけることを骨子
とするものである。このようにすることで、多数の噴き
出しトーチを並べて用いたり、処理速度を低く抑えなけ
ればならないという問題がなく、しかも被処理物の形状
には左右されず嵩高いものや複雑な形状のものの処理を
行なうことができる。以下本発明を詳細に説明する。
【0014】本発明においてプラズマ放電処理が可能な
被処理物の形状は特に限定されない。また、その素材も
特に限定されず、例えば、樹脂、金属、紙、布、不職布
等であっても構わない。これらのうち樹脂としては、熱
可塑性プラスチック、熱硬化性プラスチック、反応硬化
物等が挙げられる。樹脂の具体例としては、ポリエチレ
ンやポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂、ポリエ
チレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等の
ポリエステル、ナイロン6やナイロン12等のポリアミ
ド系樹脂、ポリスチレン、ポリ塩化ビニール、ポリカー
ボネート、ポリアクリロニトリル、ポリイミド、ポリテ
トラフルオロエチレンが挙げられる。さらに、複数の樹
脂をブレンドしたものであっても複合したもの、あるい
は樹脂以外の素材と複合したものであってもよい。
被処理物の形状は特に限定されない。また、その素材も
特に限定されず、例えば、樹脂、金属、紙、布、不職布
等であっても構わない。これらのうち樹脂としては、熱
可塑性プラスチック、熱硬化性プラスチック、反応硬化
物等が挙げられる。樹脂の具体例としては、ポリエチレ
ンやポリプロピレン等のポリオレフィン系樹脂、ポリエ
チレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート等の
ポリエステル、ナイロン6やナイロン12等のポリアミ
ド系樹脂、ポリスチレン、ポリ塩化ビニール、ポリカー
ボネート、ポリアクリロニトリル、ポリイミド、ポリテ
トラフルオロエチレンが挙げられる。さらに、複数の樹
脂をブレンドしたものであっても複合したもの、あるい
は樹脂以外の素材と複合したものであってもよい。
【0015】本発明で使用されるプラズマ表面処理のた
めのガスは、プラズマの発生、および表面の処理の目的
で用いられるものである。そして、主にプラズマを発生
させるためのガスとしては、希ガス、窒素ガス、あるい
は空気が挙げられる。そして前記したガスの中で最も好
ましいのは希ガスのヘリウムであり、アルゴンも好適に
用いることができる。
めのガスは、プラズマの発生、および表面の処理の目的
で用いられるものである。そして、主にプラズマを発生
させるためのガスとしては、希ガス、窒素ガス、あるい
は空気が挙げられる。そして前記したガスの中で最も好
ましいのは希ガスのヘリウムであり、アルゴンも好適に
用いることができる。
【0016】一方、処理効果を向上させるために上記プ
ラズマ発生ガスに添加する処理ガスは、表面処理の目的
に応じて適宜選択される。例えば、被処理物表面に撥水
性を付与するためには、4弗化エチレン、6弗化プロピ
レン等のフッ化エチレン列炭化水素化合物、4弗化メタ
ン、6弗化エタン等のフッ素化メタン列炭化水素化合
物、またはフッ素原子を含む側鎖のついた鎖状炭化水
素、あるいはフッ素化芳香族炭化水素などの官能基を有
する有機化合物を用いることができる。
ラズマ発生ガスに添加する処理ガスは、表面処理の目的
に応じて適宜選択される。例えば、被処理物表面に撥水
性を付与するためには、4弗化エチレン、6弗化プロピ
レン等のフッ化エチレン列炭化水素化合物、4弗化メタ
ン、6弗化エタン等のフッ素化メタン列炭化水素化合
物、またはフッ素原子を含む側鎖のついた鎖状炭化水
素、あるいはフッ素化芳香族炭化水素などの官能基を有
する有機化合物を用いることができる。
【0017】また、被処理物表面に親水性を付与する場
合には、処理ガスとして、カルボニル基、カルボキシル
基、ヒドロキシル基、アミノ基等の官能基を有する層を
表面に形成させることができる有機化合物のガスやその
蒸気を選択する。より具体的には、メタン、エタン、プ
ロパン等のアルカン系化合物、エチレン、プロピレン、
ブテン等のアルケン系化合物、ペンタジエン、ブタンジ
エン等のアルカジエン系化合物、アセチレン、メチルア
セチレン等のアルキン系化合物、ベンゼン、トルエン、
ナフタレン等の芳香族炭化水素系化合物、シクロプロパ
ン、シクロヘキセン等のシクロアルカン系化合物、シク
ロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系化合
物、メタノール、エタノール等のアルコール系化合物、
アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系化合物、メ
タナール、エタナール等のアルデヒド系化合物、トリメ
チルアミン、ジメチルアミン等のアミノ化合物等が挙げ
られる。また、他の処理ガスとして、酸素ガス、窒素酸
化物ガス、硫黄酸化物ガス、水素ガス、アンモニア、水
蒸気等の無機ガスを用いてもよい。
合には、処理ガスとして、カルボニル基、カルボキシル
基、ヒドロキシル基、アミノ基等の官能基を有する層を
表面に形成させることができる有機化合物のガスやその
蒸気を選択する。より具体的には、メタン、エタン、プ
ロパン等のアルカン系化合物、エチレン、プロピレン、
ブテン等のアルケン系化合物、ペンタジエン、ブタンジ
エン等のアルカジエン系化合物、アセチレン、メチルア
セチレン等のアルキン系化合物、ベンゼン、トルエン、
ナフタレン等の芳香族炭化水素系化合物、シクロプロパ
ン、シクロヘキセン等のシクロアルカン系化合物、シク
ロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系化合
物、メタノール、エタノール等のアルコール系化合物、
アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系化合物、メ
タナール、エタナール等のアルデヒド系化合物、トリメ
チルアミン、ジメチルアミン等のアミノ化合物等が挙げ
られる。また、他の処理ガスとして、酸素ガス、窒素酸
化物ガス、硫黄酸化物ガス、水素ガス、アンモニア、水
蒸気等の無機ガスを用いてもよい。
【0018】さらに、処理ガスとして、Si、Ti、S
n、Zn等の金属の金属−水素化合物、金属−ハロゲン
化合物、金属アルコラート等を用いることにより、Si
O2、TiO2、SnO2、ZnO等の金属酸化物薄膜を
被処理物表面に形成させることができる。このような金
属酸化物が形成された被処理物はガスバリアー性、光機
能性、導電性等を有するという特徴を有している。
n、Zn等の金属の金属−水素化合物、金属−ハロゲン
化合物、金属アルコラート等を用いることにより、Si
O2、TiO2、SnO2、ZnO等の金属酸化物薄膜を
被処理物表面に形成させることができる。このような金
属酸化物が形成された被処理物はガスバリアー性、光機
能性、導電性等を有するという特徴を有している。
【0019】なお、上記した処理ガスとして用いる化合
物は、単独で用いてもよく、その目的によっては2種以
上を併用してもよい。また、上記処理ガスとプラズマを
発生させるためのガスを混合して用いる場合の混合割合
は、使用するプラズマを発生させるためのガスと処理ガ
スの種類によって適宜決定されるが、処理ガスの濃度が
10体積%を超えると、交流電圧を印可しても均一な放
電プラズマの発生が難しくなることから、0.01〜1
0体積%が好ましく、より好ましくは0.01〜5体積
%である。
物は、単独で用いてもよく、その目的によっては2種以
上を併用してもよい。また、上記処理ガスとプラズマを
発生させるためのガスを混合して用いる場合の混合割合
は、使用するプラズマを発生させるためのガスと処理ガ
スの種類によって適宜決定されるが、処理ガスの濃度が
10体積%を超えると、交流電圧を印可しても均一な放
電プラズマの発生が難しくなることから、0.01〜1
0体積%が好ましく、より好ましくは0.01〜5体積
%である。
【0020】次に、本発明のプラズマ表面処理方法及び
装置を、図面を参照しつつより詳細に説明する。図1、
図2及び図3は、本発明のプラズマ表面処理装置の一実
施形態を示す模式断面図である。図1に示した実施形態
において、プラズマ表面処理装置1は、ガス透過孔を有
するA電極2と、ガス透過孔を有しA電極2と一定の間
隔を以て対向するB電極3が配置されることにより対向
電極が構成されている。またA電極2に近接して、均等
に配置された多数のガス吹き出し孔を有するガス供給機
4が配置されており、これから、プラズマ表面処理のた
めのプラズマ処理ガスが導入されるようになっている。
図4に前記ガス供給機4のガス吹き出し面の例を示し
た。吹き出し孔の形状及び配置は、均一にガスが吹き出
しできれば特に限定されず、例えば図4(a)のように
極小さい円形の穴を多数配置したり、図4(c)や図4
(d)に例示されるように巾の狭いスリット状ガス吹き
出し孔を複数配置することができる。また、図4(b)
に例示されるようにガス吹き出し面が金網から構成され
ても良いし、多孔質体や繊維集合体から構成されていて
も良い。これら吹き出し孔の形状に特に制限はなく、ガ
スの吹き出し量、A電極との距離、A電極とB電極との
間隔、これら電極の形状等の諸条件に応じて適宜選択さ
れる。なお、ここにはガスの吹き出し範囲が長方形の場
合を示したが特に限定されない。そしてB電極の近傍で
あって、A電極とは反対側に被処理物を配置することに
より対向電極間に形成される放電空間を通過しプラズマ
励起したプラズマ処理ガスが被処理物表面に噴きつけら
れ、プラズマ励起されたガス中の活性種が被処理物の表
面に作用し処理がなされるのである。
装置を、図面を参照しつつより詳細に説明する。図1、
図2及び図3は、本発明のプラズマ表面処理装置の一実
施形態を示す模式断面図である。図1に示した実施形態
において、プラズマ表面処理装置1は、ガス透過孔を有
するA電極2と、ガス透過孔を有しA電極2と一定の間
隔を以て対向するB電極3が配置されることにより対向
電極が構成されている。またA電極2に近接して、均等
に配置された多数のガス吹き出し孔を有するガス供給機
4が配置されており、これから、プラズマ表面処理のた
めのプラズマ処理ガスが導入されるようになっている。
図4に前記ガス供給機4のガス吹き出し面の例を示し
た。吹き出し孔の形状及び配置は、均一にガスが吹き出
しできれば特に限定されず、例えば図4(a)のように
極小さい円形の穴を多数配置したり、図4(c)や図4
(d)に例示されるように巾の狭いスリット状ガス吹き
出し孔を複数配置することができる。また、図4(b)
に例示されるようにガス吹き出し面が金網から構成され
ても良いし、多孔質体や繊維集合体から構成されていて
も良い。これら吹き出し孔の形状に特に制限はなく、ガ
スの吹き出し量、A電極との距離、A電極とB電極との
間隔、これら電極の形状等の諸条件に応じて適宜選択さ
れる。なお、ここにはガスの吹き出し範囲が長方形の場
合を示したが特に限定されない。そしてB電極の近傍で
あって、A電極とは反対側に被処理物を配置することに
より対向電極間に形成される放電空間を通過しプラズマ
励起したプラズマ処理ガスが被処理物表面に噴きつけら
れ、プラズマ励起されたガス中の活性種が被処理物の表
面に作用し処理がなされるのである。
【0021】対向電極を構成するA電極、及びB電極の
形状は、図4に例示した前記ガス供給機4のガス吹き出
し面と同じ構造のものが使用できる。ただし、ガス供給
装置から供給されたガスができるだけ多く被処理物表面
に到達することができ、しかも電力の供給効率の高いこ
とからできるだけ厚みの薄いものが好ましく、図4
(b)に示すような金網状の電極が最適である。A電
極、及びB電極の材質は、導電材料であれば特に限定さ
れず、ステンレス系鋼、真鍮、炭素鋼、超鋼等の合金
や、銅、アルミニウム等が挙げられ、これらを単体もし
くは適宜組み合わせて使用することができる。また、非
導電材料の表面を導電材料で被覆したものも用いること
ができる。なお、A電極、及びB電極のお互い対向する
面の少なくとも一方は固体誘電体で被覆されていること
が望ましい。固体誘電体の材質としては、ガラス、セラ
ミックス、耐熱プラスチック等のものを例示することが
できる。また電極表面の被覆形態として、電極の金属表
面を酸化することによる金属酸化物被膜の形成も好適で
ある。
形状は、図4に例示した前記ガス供給機4のガス吹き出
し面と同じ構造のものが使用できる。ただし、ガス供給
装置から供給されたガスができるだけ多く被処理物表面
に到達することができ、しかも電力の供給効率の高いこ
とからできるだけ厚みの薄いものが好ましく、図4
(b)に示すような金網状の電極が最適である。A電
極、及びB電極の材質は、導電材料であれば特に限定さ
れず、ステンレス系鋼、真鍮、炭素鋼、超鋼等の合金
や、銅、アルミニウム等が挙げられ、これらを単体もし
くは適宜組み合わせて使用することができる。また、非
導電材料の表面を導電材料で被覆したものも用いること
ができる。なお、A電極、及びB電極のお互い対向する
面の少なくとも一方は固体誘電体で被覆されていること
が望ましい。固体誘電体の材質としては、ガラス、セラ
ミックス、耐熱プラスチック等のものを例示することが
できる。また電極表面の被覆形態として、電極の金属表
面を酸化することによる金属酸化物被膜の形成も好適で
ある。
【0022】次いで図2に示した実施形態は、A電極2
が前記プラズマ処理ガスの供給機能を併せ持つ形態を示
すものである。このような形態とすることで、ガス供給
装置とA電極が別に設置される場合に必要とされる電気
的絶縁の工夫を実施する必要がなくなり装置を簡略化す
ることができ好ましい。この場合のA電極(ガス供給装
置)に設けられるガス吹き出し孔の形状は図4に例示し
たと同様の形状のものがいずれも採用可能である。ま
た、この場合のB電極の形状も図4に示したと同様のも
のが採用可能であるが、図4(b)に示すような金網状
の電極が最適である。
が前記プラズマ処理ガスの供給機能を併せ持つ形態を示
すものである。このような形態とすることで、ガス供給
装置とA電極が別に設置される場合に必要とされる電気
的絶縁の工夫を実施する必要がなくなり装置を簡略化す
ることができ好ましい。この場合のA電極(ガス供給装
置)に設けられるガス吹き出し孔の形状は図4に例示し
たと同様の形状のものがいずれも採用可能である。ま
た、この場合のB電極の形状も図4に示したと同様のも
のが採用可能であるが、図4(b)に示すような金網状
の電極が最適である。
【0023】さらに、図3に示した実施形態は、B電極
と被処理物との間にバイアス電圧を印加できるようにな
っている。このような構成となっていることにより、被
処理物近傍の空間に電界が生じるようになり、A電極、
及びB電極間でプラズマ励起されたプラズマ処理ガスの
イオン種が加速され、被処理物表面に到達しやすくなる
とともに、表面状態を改善する効果が大きくなるので好
ましい。この場合、電圧印可電源はA電極に接続され、
B電極は接地されなければならない。なお、A電極、B
電極、及びガス供給機4のガス吹き出し面の形状は図1
を用いて説明した実施形態において述べたと同じであ
る。
と被処理物との間にバイアス電圧を印加できるようにな
っている。このような構成となっていることにより、被
処理物近傍の空間に電界が生じるようになり、A電極、
及びB電極間でプラズマ励起されたプラズマ処理ガスの
イオン種が加速され、被処理物表面に到達しやすくなる
とともに、表面状態を改善する効果が大きくなるので好
ましい。この場合、電圧印可電源はA電極に接続され、
B電極は接地されなければならない。なお、A電極、B
電極、及びガス供給機4のガス吹き出し面の形状は図1
を用いて説明した実施形態において述べたと同じであ
る。
【0024】電圧印加電源4から供給される電圧として
はsin波形の高周波交流電圧あるいは任意波形のパル
ス電圧が用いられる。パルス電圧の波形は特に限定され
ないが、インパルス型、方形波、あるいはこれらを変調
したものが例示される。パルス電圧の極性は正負の繰り
返しでも良いし、正または負のいずれかの極性側に電圧
を印可する片波状の波形でも良い。本発明においてプラ
ズマを発生させるための電圧の周波数は特に限定はされ
ないが、1kHz〜100MHzが好ましい。また、前
記高周波交流電圧及びパルス電圧に直流を重畳して用い
ても構わない。高周波交流電圧の周波数の例としては、
工業的によく用いられる13.56MHzのものを使用
することができる。プラズマの発生は、電圧を電極に印
加することによってなされるが、適当な電圧強度は、使
用するA電極、及びB電極の材質、形状、大きさ等によ
り変化するため、これらを考慮して適宜選定できる。電
圧強度が低すぎると、プラズマを発生させることができ
ず、反対に、電圧強度が高すぎるとプラズマがアーク放
電に移行してしまう。
はsin波形の高周波交流電圧あるいは任意波形のパル
ス電圧が用いられる。パルス電圧の波形は特に限定され
ないが、インパルス型、方形波、あるいはこれらを変調
したものが例示される。パルス電圧の極性は正負の繰り
返しでも良いし、正または負のいずれかの極性側に電圧
を印可する片波状の波形でも良い。本発明においてプラ
ズマを発生させるための電圧の周波数は特に限定はされ
ないが、1kHz〜100MHzが好ましい。また、前
記高周波交流電圧及びパルス電圧に直流を重畳して用い
ても構わない。高周波交流電圧の周波数の例としては、
工業的によく用いられる13.56MHzのものを使用
することができる。プラズマの発生は、電圧を電極に印
加することによってなされるが、適当な電圧強度は、使
用するA電極、及びB電極の材質、形状、大きさ等によ
り変化するため、これらを考慮して適宜選定できる。電
圧強度が低すぎると、プラズマを発生させることができ
ず、反対に、電圧強度が高すぎるとプラズマがアーク放
電に移行してしまう。
【0025】以上の説明では、被処理物の被処理面が平
面である場合を想定して、A電極及びB電極が構成する
対向電極が平行平板型を有するものとして説明したが、
被処理面が曲面である場合には、対向電極の形状もその
曲面形状を考慮し、円筒対向平板型、球対向平板型、双
曲面対向平板型、同軸円筒型構造等にすることも可能で
ある。
面である場合を想定して、A電極及びB電極が構成する
対向電極が平行平板型を有するものとして説明したが、
被処理面が曲面である場合には、対向電極の形状もその
曲面形状を考慮し、円筒対向平板型、球対向平板型、双
曲面対向平板型、同軸円筒型構造等にすることも可能で
ある。
【0026】
【実施例】以下本発明を、実施例を用いてより詳細に説
明する。
明する。
【0027】[実施例1]ここでは、第2図に概略を示し
たプラズマ表面処理装置を用いた。プラズマガス供給機
能を有するA電極としては、B電極への対向面形状が図
4(a)と概ね同様であるアルミニウム製のものを用い
た。具体的には、A電極のB電極への対向面の形状は、
横30mm×縦60mmで、直径1mmのガス吹き出し
孔が約4mm間隔で72個設置されている。一方、B電
極としてはステンレス製の金網(目開0.89mm-線
径0.25mm-開口率58.3%)をA電極から1m
m隔てて設置した。更に、被処理物である厚さ1mmの
ポリエチレンテレフタレート板(以下PET板と略す)
をB電極から1mm隔てて配置した。被処理物であるP
ET板は搬送駆動装置によりB電極と常に同じ間隔を保
ちながら一定速度で移動できる。このような装置を用い
て、以下に示す操作に従い、PET板の表面に第1表に
示した如く、処理速度を変えながら、親水化処理を施
し、処理後のPET板表面の水に対する接触角を測定し
た。結果を第1表に示す。 <操作>まず、被処理物搬送駆動装置を稼動させてPE
T板を所定の移動速度で連続的に動かした。次に、A電
極のガス吹き出し孔からプラズマ表面処理のためのガス
としてヘリウムを5000ml/minの流速で供給し
ながら、電源よりA電極と前記B電極の間に13.56
MHzの高周波を印加して対向電極間にプラズマ領域を
形成し、前記PET板の表面を連続的に表面処理した。
たプラズマ表面処理装置を用いた。プラズマガス供給機
能を有するA電極としては、B電極への対向面形状が図
4(a)と概ね同様であるアルミニウム製のものを用い
た。具体的には、A電極のB電極への対向面の形状は、
横30mm×縦60mmで、直径1mmのガス吹き出し
孔が約4mm間隔で72個設置されている。一方、B電
極としてはステンレス製の金網(目開0.89mm-線
径0.25mm-開口率58.3%)をA電極から1m
m隔てて設置した。更に、被処理物である厚さ1mmの
ポリエチレンテレフタレート板(以下PET板と略す)
をB電極から1mm隔てて配置した。被処理物であるP
ET板は搬送駆動装置によりB電極と常に同じ間隔を保
ちながら一定速度で移動できる。このような装置を用い
て、以下に示す操作に従い、PET板の表面に第1表に
示した如く、処理速度を変えながら、親水化処理を施
し、処理後のPET板表面の水に対する接触角を測定し
た。結果を第1表に示す。 <操作>まず、被処理物搬送駆動装置を稼動させてPE
T板を所定の移動速度で連続的に動かした。次に、A電
極のガス吹き出し孔からプラズマ表面処理のためのガス
としてヘリウムを5000ml/minの流速で供給し
ながら、電源よりA電極と前記B電極の間に13.56
MHzの高周波を印加して対向電極間にプラズマ領域を
形成し、前記PET板の表面を連続的に表面処理した。
【0028】
【表1】
【0029】表1より、PET板の移動速度を変えて
も、いずれも処理無しのものに比べて接触角が小さくな
っており、PET板表面が連続的に親水化されたことが
明らかである。処理後のPET板について処理斑を調べ
たところ、場所による処理効果のバラツキは全く無く、
非常に均一な処理が行なえていることが確認できた。
も、いずれも処理無しのものに比べて接触角が小さくな
っており、PET板表面が連続的に親水化されたことが
明らかである。処理後のPET板について処理斑を調べ
たところ、場所による処理効果のバラツキは全く無く、
非常に均一な処理が行なえていることが確認できた。
【0030】[実施例2]ここでは、第3図に概略を示し
たプラズマ表面処理装置を用いた。ガス供給装置とし
て、ガス吹き出し面形状が第4図(a)と概ね同様であ
るテフロン(登録商標)製のものを用いた。具体的に
は、ガス供給装置のガス吹き出し面は、横30mm×縦
60mmで、直径1mmのガス吹き出し孔が約4mm間
隔で72個設置されている。ガス供給装置の直下には、
A電極、B電極を1mm間隔で対向して設置した。な
お、前記A電極、B電極としてはステンレス製の金網
(目開0.89mm-線径0.25mm-開口率58.3
%)を用いた。被処理物である厚さ1mmのPET板に
はDC−80Vのバイアス電圧を印可したバイアス電極
7を密着させた。被処理物であるPET板は搬送駆動装
置によりB電極と常に同じ間隔を保ちながら一定速度で
移動できる。このような装置を用いて、以下に示す操作
に従い、厚さ1mmのPET板の表面に第2表に示した
如く、処理速度を変えながら、親水化処理を施し、処理
後のPET板表面の接触角を測定した。結果を第2表に
示す。 <操作>まず、被処理物搬送駆動装置を稼動させてPE
T板を所定の移動速度で連続的に動かした。次に、ガス
供給装置のガス吹き出し孔からプラズマ表面処理のため
のガスとしてヘリウムを5000ml/minの流速で
供給しながら、電源よりA電極とB電極の間に13.5
6MHzの高周波を印加して対向電極間にプラズマ領域
を形成し、前記PET板の表面を連続的に表面処理し
た。
たプラズマ表面処理装置を用いた。ガス供給装置とし
て、ガス吹き出し面形状が第4図(a)と概ね同様であ
るテフロン(登録商標)製のものを用いた。具体的に
は、ガス供給装置のガス吹き出し面は、横30mm×縦
60mmで、直径1mmのガス吹き出し孔が約4mm間
隔で72個設置されている。ガス供給装置の直下には、
A電極、B電極を1mm間隔で対向して設置した。な
お、前記A電極、B電極としてはステンレス製の金網
(目開0.89mm-線径0.25mm-開口率58.3
%)を用いた。被処理物である厚さ1mmのPET板に
はDC−80Vのバイアス電圧を印可したバイアス電極
7を密着させた。被処理物であるPET板は搬送駆動装
置によりB電極と常に同じ間隔を保ちながら一定速度で
移動できる。このような装置を用いて、以下に示す操作
に従い、厚さ1mmのPET板の表面に第2表に示した
如く、処理速度を変えながら、親水化処理を施し、処理
後のPET板表面の接触角を測定した。結果を第2表に
示す。 <操作>まず、被処理物搬送駆動装置を稼動させてPE
T板を所定の移動速度で連続的に動かした。次に、ガス
供給装置のガス吹き出し孔からプラズマ表面処理のため
のガスとしてヘリウムを5000ml/minの流速で
供給しながら、電源よりA電極とB電極の間に13.5
6MHzの高周波を印加して対向電極間にプラズマ領域
を形成し、前記PET板の表面を連続的に表面処理し
た。
【0031】
【表2】
【0032】表2より、シートの移動速度を変えても、
いずれも処理無しのものに比べて接触角が小さくなって
おり、PET板表面が連続的に親水化されたことが明ら
かである。また、実施例1と比較するとより短時間で同
様の処理効果が得られていることが明らかである。処理
後のフィルムについて処理斑を調べたところ、場所によ
る処理効果のバラツキは全く無く、非常に均一な処理が
行なえていることが確認できた。
いずれも処理無しのものに比べて接触角が小さくなって
おり、PET板表面が連続的に親水化されたことが明ら
かである。また、実施例1と比較するとより短時間で同
様の処理効果が得られていることが明らかである。処理
後のフィルムについて処理斑を調べたところ、場所によ
る処理効果のバラツキは全く無く、非常に均一な処理が
行なえていることが確認できた。
【0033】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、嵩
高く且つ広い面積を有する基材表面の表面改質やコーテ
ィングを大気圧付近の圧力で効率的に行なうことができ
るプラズマ表面処理方法、ならびにそのための装置が提
供される。本発明のプラズマ表面処理方法及び装置は、
様々な性質の薄膜を被処理物の表面に形成する上で有用
であり、産業に利するところ大であるといえる。
高く且つ広い面積を有する基材表面の表面改質やコーテ
ィングを大気圧付近の圧力で効率的に行なうことができ
るプラズマ表面処理方法、ならびにそのための装置が提
供される。本発明のプラズマ表面処理方法及び装置は、
様々な性質の薄膜を被処理物の表面に形成する上で有用
であり、産業に利するところ大であるといえる。
【図1】本発明のプラズマ表面処理装置の一実施形態を
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
【図2】本発明のプラズマ表面処理装置の一実施形態を
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
【図3】本発明のプラズマ表面処理装置の一実施形態を
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
【図4】本発明のプラズマ表面処理装置におけるA電
極、及びB電極に設けられるガス透過孔、ならびにガス
供給装置に設けられるガス吹き出し孔の形態を示す模式
図である。
極、及びB電極に設けられるガス透過孔、ならびにガス
供給装置に設けられるガス吹き出し孔の形態を示す模式
図である。
1.プラズマ表面処理装置 2.A電極 3.B電極 4.ガス供給装置 5.電源 6.被処理物 7.バイアス電極 8.ガス吹き出し孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // C08L 67:00 C08L 67:00 (72)発明者 梶谷 孝啓 香川県丸亀市中津町1515番地 大倉工業株 式会社内 (72)発明者 田中 治 香川県丸亀市中津町1515番地 大倉工業株 式会社内 (72)発明者 丹下 善弘 香川県丸亀市中津町1515番地 大倉工業株 式会社内 (72)発明者 松田 ▲ひで▼明 香川県丸亀市中津町1515番地 大倉工業株 式会社内 Fターム(参考) 4F073 AA01 AA04 AA17 BA07 BA08 BA13 BA16 BA18 BA19 BA23 BA24 BA26 BA29 BA31 BB01 CA01 CA62 CA63 CA65 CA67 CA68 CA70 CA71 CA72 DA05 DA06 DA08 DA09 4G075 AA30 BA10 BD03 CA12 CA16 CA25 CA51 CA62 CA63 DA12 EA01 EB01 EB42 EC02 EC21 EE31 FA03 FA14 FA16 FB02 FB04 FB06 FB12 FC06 FC11 FC15
Claims (6)
- 【請求項1】 ガス透過孔を有するA電極、及びB電極
から構成され、一定の間隔を以て対向する対向電極間
に、電圧を印加しつつ、プラズマ処理ガスを概ね大気圧
下で、A電極側からA電極、及びB電極にそれぞれ設け
られたガス透過孔を通じB電極の外側に噴出すように供
給し、プラズマ処理ガスを対向電極間に形成されるグロ
ー放電空間を通過させることによりプラズマ励起させ、
励起したプラズマ処理ガスをB電極のA電極側と反対側
に配置した被処理物表面に噴きつけることを特徴とする
プラズマ表面処理方法。 - 【請求項2】 A電極がプラズマ処理ガスの供給機能を
有することを特徴とする請求項1に記載のプラズマ表面
処理方法。 - 【請求項3】 B電極と被処理物との間にバイアス電圧
を印加することを特徴とする請求項1または2に記載の
プラズマ表面処理方法。 - 【請求項4】 ・ガス透過孔を有するA電極、及びB電
極から構成され、一定の間隔を以て対向する対向電極、 ・対向電極間にグロー放電プラズマを発生させるための
電圧印加装置、 ・プラズマ処理ガスを概ね大気圧下で、A電極側からA
電極、及びB電極にそれぞれ設けられたガス透過孔を通
じB電極の外側に噴出すように供給するためのガス供給
装置、から少なくとも構成されることを特徴とするプラ
ズマ表面処理装置。 - 【請求項5】 A電極がプラズマ処理ガスの供給機能を
有することを特徴とする請求項4に記載のプラズマ表面
処理装置。 - 【請求項6】 B電極と被処理物との間にバイアス電圧
を印加できる機能を有することを特徴とする請求項5又
は6に記載のプラズマ表面処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001053635A JP2002253952A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | プラズマ表面処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001053635A JP2002253952A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | プラズマ表面処理方法及び装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002253952A true JP2002253952A (ja) | 2002-09-10 |
Family
ID=18914072
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001053635A Pending JP2002253952A (ja) | 2001-02-28 | 2001-02-28 | プラズマ表面処理方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002253952A (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100476136B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2005-03-10 | 주식회사 셈테크놀러지 | 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치 |
JP2006277953A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-12 | Toyohashi Univ Of Technology | プラズマ生成装置、プラズマ処理装置、プラズマ生成方法及びプラズマ処理方法 |
JP2006331664A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Sharp Corp | プラズマ処理装置 |
KR100708320B1 (ko) | 2004-04-22 | 2007-04-17 | 김기현 | 대기압 마이크로웨이브 플라즈마를 이용한 외장재 부품표면개질 장치 및 방법 |
WO2007043543A1 (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Daihatsu Motor Co., Ltd. | プラズマ反応器用電極 |
KR100760651B1 (ko) | 2006-01-24 | 2007-09-21 | 주식회사 셈테크놀러지 | 처리가스 공급관을 구비하는 기판 표면처리장치 |
US7543546B2 (en) | 2003-05-27 | 2009-06-09 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Plasma processing apparatus, method for producing reaction vessel for plasma generation, and plasma processing method |
JP2009541081A (ja) * | 2006-06-22 | 2009-11-26 | ゴットリープ ビンダー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンデイトゲゼルシャフト | 粘着閉鎖部の表面を機能化するための方法及び装置 |
JP2012252843A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Kazuo Shimizu | 表面活性化処理装置 |
JP2015124343A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 株式会社ニューネイチャー | 親水化処理装置およびフィルムの製造方法 |
JP2017182997A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 大気圧プラズマ発生装置 |
WO2020080310A1 (ja) * | 2018-10-19 | 2020-04-23 | サカタインクス株式会社 | プラズマ電子線処理インクジェット印刷装置 |
CN112867603A (zh) * | 2018-09-27 | 2021-05-28 | 阪田油墨股份有限公司 | 等离子体电子束处理喷墨印刷装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06265864A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Ricoh Co Ltd | 大気圧プラズマ処理装置 |
JPH08512167A (ja) * | 1993-04-20 | 1996-12-17 | ユニバーシティ オブ アラスカ | 微粒子の分子量を変化させるための電気的方法 |
JPH11168094A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Nec Corp | プラズマcvd装置 |
-
2001
- 2001-02-28 JP JP2001053635A patent/JP2002253952A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06265864A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Ricoh Co Ltd | 大気圧プラズマ処理装置 |
JPH08512167A (ja) * | 1993-04-20 | 1996-12-17 | ユニバーシティ オブ アラスカ | 微粒子の分子量を変化させるための電気的方法 |
JPH11168094A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Nec Corp | プラズマcvd装置 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100476136B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2005-03-10 | 주식회사 셈테크놀러지 | 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치 |
US7543546B2 (en) | 2003-05-27 | 2009-06-09 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Plasma processing apparatus, method for producing reaction vessel for plasma generation, and plasma processing method |
JP2010050106A (ja) * | 2003-05-27 | 2010-03-04 | Panasonic Electric Works Co Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
KR100708320B1 (ko) | 2004-04-22 | 2007-04-17 | 김기현 | 대기압 마이크로웨이브 플라즈마를 이용한 외장재 부품표면개질 장치 및 방법 |
JP2006277953A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-12 | Toyohashi Univ Of Technology | プラズマ生成装置、プラズマ処理装置、プラズマ生成方法及びプラズマ処理方法 |
JP2006331664A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Sharp Corp | プラズマ処理装置 |
WO2007043543A1 (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Daihatsu Motor Co., Ltd. | プラズマ反応器用電極 |
KR100760651B1 (ko) | 2006-01-24 | 2007-09-21 | 주식회사 셈테크놀러지 | 처리가스 공급관을 구비하는 기판 표면처리장치 |
JP2009541081A (ja) * | 2006-06-22 | 2009-11-26 | ゴットリープ ビンダー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンデイトゲゼルシャフト | 粘着閉鎖部の表面を機能化するための方法及び装置 |
JP2012252843A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Kazuo Shimizu | 表面活性化処理装置 |
JP2015124343A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 株式会社ニューネイチャー | 親水化処理装置およびフィルムの製造方法 |
JP2017182997A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 大気圧プラズマ発生装置 |
CN112867603A (zh) * | 2018-09-27 | 2021-05-28 | 阪田油墨股份有限公司 | 等离子体电子束处理喷墨印刷装置 |
CN112867603B (zh) * | 2018-09-27 | 2023-02-28 | 阪田油墨股份有限公司 | 等离子体电子束处理喷墨印刷装置 |
WO2020080310A1 (ja) * | 2018-10-19 | 2020-04-23 | サカタインクス株式会社 | プラズマ電子線処理インクジェット印刷装置 |
CN112839818A (zh) * | 2018-10-19 | 2021-05-25 | 阪田油墨股份有限公司 | 等离子体电子束处理喷墨印刷装置 |
US11787179B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-10-17 | Sakata Inx Corporation | Plasma electron beam treatment inkjet printing device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11149370B2 (en) | Atmospheric-pressure plasma processing apparatus and method | |
US9255330B2 (en) | Method and device for atmospheric pressure plasma treatment | |
US20080193329A1 (en) | Method and System for Plasma Treatment Under High Pressure | |
EP2153704B1 (en) | Enhancing plasma surface modification using high intensity and high power ultrasonic acoustic waves | |
JP2002253952A (ja) | プラズマ表面処理方法及び装置 | |
CN101228288B (zh) | 注射型等离子体处理设备和方法 | |
JPH03219082A (ja) | 吹出型表面処理装置 | |
Černák et al. | Generation of Thin Surface Plasma Layers for Atmospheric‐Pressure Surface Treatments | |
JP2000353698A (ja) | 連続プラズマ表面処理方法及び装置 | |
JP4341149B2 (ja) | 表面処理方法 | |
JP3593168B2 (ja) | シートの連続表面処理方法及び装置 | |
JP2003059909A (ja) | 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 | |
JP2003007497A (ja) | 大気圧プラズマ処理装置 | |
JP2000204179A (ja) | シ―ト状物の連続プラズマ表面処理方法及び装置 | |
JP2957068B2 (ja) | 基板の表面処理方法 | |
JPH07166356A (ja) | 基板の表面処理方法 | |
JP3984514B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP4284861B2 (ja) | 表面処理方法、インクジェットプリンタ用ヘッドの製造方法 | |
JPH0881776A (ja) | 基板の表面処理方法 | |
JPH0892747A (ja) | 基板の表面処理方法 | |
JP2002159845A (ja) | 表面処理方法 | |
JP2001279453A (ja) | 多孔質体の放電処理装置及び多孔質体の放電処理方法 | |
JP2022046346A (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
JP2003022900A (ja) | 常圧パルスプラズマ処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080124 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100423 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100510 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101025 |