JP2004181306A - 表面処理装置及び表面処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】ランニングコストの増加を抑えて経済的に不利にならず、被処理物に供給されるガス流の温度上昇を抑えて被処理物の熱的損傷を抑え、短時間で表面処理を行うことができて生産性の低下を抑え、被処理物の酸化物による汚染を抑え、アークによる被処理物の損傷を抑えながら表面処理の能力を高めることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】反応容器1の外側に複数の電極2、3を設ける。反応容器1内にガスを導入すると共に電極2、3間に電界を印加することにより大気圧又はその近傍の圧力下で反応容器1の内側に気体放電を発生する。この気体放電により生じる活性種を含むガス流Gを反応容器1から吹き出して被処理物5に供給する。ガス流Gに超音波振動を付与するための超音波発生手段4を設ける。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物の表面に存在する有機物等の異物のクリーニング、レジストの剥離やエッチング、有機フィルムの密着性の改善、金属酸化物の還元、成膜、めっき前処理、コーティング前処理、各種材料・部品の表面改質などの表面処理に利用される表面処理装置、及びこれを用いた表面処理方法に関するものであり、特に、精密な接合が要求される電子部品の表面のクリーニングに好適に応用されるものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、気体放電により生じる活性種を含むガスやプラズマを用いてクリーニング等の表面処理が行われている。例えば、上記のような活性種を含むガスやプラズマを被処理物に対して吹き出して表面処理を行う吹出型表面処理装置としては、高圧電極と接地電極の間に形成される放電空間を配置した放電部を形成し、放電部にその上流側から反応ガスを流入させると共にこの反応ガスが放電空間を通過した後放電部の下流側に設けた吹出口から吹き出して被処理物に噴出する構成からなり、高圧電極と接地電極の間に高電圧を印加して大気圧近傍でグロー放電あるいは無声放電する放電空間に反応ガスを通過させてプラズマ励起するようにしたものがある(例えば、特許文献1参照)。そして、この吹出型表面処理装置はプラズマ励起した反応ガスに含まれているイオンや電子等の活性種を被処理物に供給することによって被処理物の表面処理を行うものである。
【0003】
上記の吹出型表面処理装置において、表面処理の能力を高めるために各種の方法が採用されている。例えば、反応ガスの流量を増加させることにより吹出口からの反応ガスの流速を増加させることにより表面処理の能力を高めることが行われている。しかし、この場合、反応ガスの消費量が増大するために表面処理のランニングコストが増加して経済的に不利になるという問題があった。
【0004】
また、表面処理の能力を高めるための他の方法としては放電空間に投入する印加電力を増加させる方法がある。この場合、吹出口から吹き出す反応ガス中に含まれる活性種の密度が増加して表面処理の能力が高まるものであるが、これと同時に、吹出口から吹き出す反応ガスの温度が上昇して被処理物に熱的損傷が生じたり、被処理物と放電場との電位差が大きくなってアークが発生しやすくなったりするという問題があった。
【0005】
さらに、表面処理の能力を高めるための他の方法としては被処理物に反応ガスを供給する時間を長くするという方法がある。しかし、この場合、一つの被処理物の表面処理にかかる時間が長くなって生産性が低下するという問題があった。
【0006】
また、表面処理の能力を高めるための他の方法としては吹出口にできる限り近づけて高圧電極及び接地電極を配設すると共に吹出口の直下に被処理物を配置する方法がある。この場合、放電空間と被処理物の距離が短くなるために活性種が失活する前に被処理物に到達しやすくなって表面処理の能力が高まるものであるが、放電場から被処理物までの距離も短くなって放電場からの被処理物へのアークが生じやすく、このアークにより被処理物が損傷を受けるという問題があった。
【0007】
また、表面処理装置としては、放電空間と被処理物との距離を小さくして表面処理の能力を高め、且つアークによる被処理物の損傷を生じないようにするために、活性種を含むガス流を吹き出すガス噴出口と被処理物の間に金属メッシュを介在させ、この金属メッシュを接地するようにしたもの(例えば、特許文献2参照)があるが、この場合、金属メッシュにより被処理物に供給されるガス流が遮られるために、表面処理の能力を高めることはできなかった。また、金属メッシュが腐食して酸化物(錆)が飛散し被処理物を汚すという恐れがあった。
【0008】
【特許文献1】
特開2002−213033号公報(特許請求の範囲等)
【特許文献2】
特許第3147137号公報(特許請求の範囲等)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、ランニングコストの増加を抑えて経済的に不利にならず、また、被処理物に供給されるガス流の温度上昇を抑えて被処理物の熱的損傷を抑え、さらに、短時間で表面処理を行うことができて生産性の低下を抑え、加えて、被処理物の酸化物による汚染を抑え、しかも、アークによる被処理物の損傷を抑えながら表面処理の能力を高めることができる表面処理装置及び表面処理方法を提供することを目的とするものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に係る表面処理装置は、絶縁材料で形成される反応容器1の外側に複数の電極2、3を設け、反応容器1内にガスを導入すると共に電極2、3間に電界を印加することにより大気圧又はその近傍の圧力下で反応容器1の内側に気体放電を発生し、この気体放電により生じる活性種を含むガス流Gを反応容器1から吹き出して被処理物5に供給することによって、被処理物5の表面処理を行う表面処理装置において、ガス流Gに超音波振動を付与するための超音波発生手段4を設けて成ることを特徴とするものである。
【0011】
また、本発明の請求項2に係る表面処理装置は、請求項1に加えて、上記超音波発生手段4を電極2、3よりも上流側に設けて成ることを特徴とするものである。
【0012】
また、本発明の請求項3に係る表面処理装置は、請求項1に加えて、上記超音波発生手段4を反応容器1よりも下流側に設けて成ることを特徴とするものである。
【0013】
また、本発明の請求項4に係る表面処理装置は、請求項1乃至3のいずれかに加えて、反応容器1から吹き出されたガスを吸引するためのダクト6を設けて成ることを特徴とするものである。
【0014】
また、本発明の請求項5に係る表面処理装置は、請求項1乃至4のいずれかに加えて、被処理物5を吸着するための吸着ステージ20を設けて成ることを特徴とするものである。
【0015】
本発明の請求項6に係る表面処理方法は、請求項1乃至5のいずれかに記載の表面処理装置により表面処理を行うにあたって、希ガス、窒素、酸素、空気の少なくとも一つを含有するガスを用いることを特徴とするものである。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【0017】
図1に本発明の表面処理装置の一例を示す。この表面処理装置は反応容器1と複数(一対)の電極2、3とを備えて形成されている。反応容器1は高融点の絶縁材料(誘電体材料)で形成されるものであって、例えば、石英ガラス、アルミナ、イットリア、ジルコニウムなどのガラス質材料やセラミック材料などで形成することができるが、これらの材料に限定されるものではない。また、反応容器1は、その厚み方向(電極2、3が対向する方向)の寸法に比べて、上下方向及び幅方向に長い略角筒状(略矩形筒状)に形成されており、反応容器1の内側の空間はガス流路21として形成されている。このガス流路21の上端は反応容器1の上面全面にガス導入口7として開口していると共にガス流路21の下端は反応容器1の下面全面に吹き出し口8として開口している。従って、ガス導入口7及び吹き出し口8は反応容器1の幅方向に細長いスリット状に形成されているものである。
【0018】
電極2、3は銅、アルミニウム、真鍮、耐食性の高いステンレス鋼(SUS304など)などの導電性の金属材料を用いて略直方体に形成されている。また、電極2、3の内部には冷却水循環路11が設けられており、この冷却水循環路11に冷却水を通して循環させることによって電極2、3が冷却可能に形成されている。さらに、電極2、3の表面(外面)には腐食の防止等の目的で金メッキ等のメッキを施すことができる。
【0019】
そして、電極2、3は反応容器1を両側から挟むように対向させるようにして反応容器1の外側に設けられている。また、反応容器1の電極2と電極3に挟まれた部分が放電発生部10として形成されており、この放電発生部10の内側の空間であるガス流路21の一部が放電空間22として形成されている。
【0020】
上記電極2、3には高電圧を発生する電源9が接続されており、一方(図1のものでは左側)の電極2が高圧電極として、他方(図1のものでは右側)の電極3が低圧電極として形成されている。また、他方の電極3が接地されている場合、この電極3は接地電極として形成されるものである。尚、電極2、3の間隔は気体放電(プラズマ)を安定に発生するために0.1〜30mmに設定するのが好ましい。そして、この電源9により電極2、3間に高電圧を印加することによって、電極2、3を通じて電極2、3間の放電空間22に交番(交流)あるいはパルス状の電界を印加することができるものである。交番の電界は休止時間(電圧が一定で定常状態になっている時間)が無いかほとんど無い電界波形(例えば、正弦波)を有するものであり、パルス状の電界は休止時間のある電界波形を有するものである。また、放電空間22で気体放電を連続的に生成するのに必要な電極2、3間の電圧は反応容器1の厚みや放電空間22の大きさ等によって異なるので適宜設定すればよいが、例えば、0.5〜30kVに設定することができる。
【0021】
電源9として交流電源を用いた場合、放電空間22に印加される交流電界の周波数は1kHz〜200MHzに設定するのが好ましい。交流電界の周波数が1kHz未満であれば、放電空間22での放電を安定化させることができなくなり、表面処理を効率よく行うことができなくなる恐れがある。また、交流電界の周波数が200MHzを超えると、放電空間22での気体放電(プラズマ)の温度上昇が著しくなり、反応容器1や電極2、3の寿命が短くなる恐れがあり、しかも、表面処理装置が複雑化及び大型化する恐れがある。また本発明において、放電空間22に印加される印加電力の密度は0.1〜3500W/cmに設定するのが好ましい。放電空間22に印加される印加電力の密度が0.1W/cm未満であれば、気体放電を十分に発生させることができなくなり、逆に、放電空間22に印加される印加電力の密度が3500W/cmを超えると、安定した放電を得ることができなくなる恐れがある。尚、印加電力の密度(W/cm)は、(印加電力/放電空間22の体積)で定義される。
【0022】
また、本発明は超音波発生手段4として一対の超音波発生器24を備えている。超音波発生器24は超音波振動子とその駆動電源等を備えたものであって、電極2、3よりも上側においてガス流路21内に露出するようにして反応容器1に設けられている。また、一対の超音波発生器24はガス流路21を挟んで対向するように配置されている。そして、この超音波発生器24はガス流路21内のガス流Gに超音波振動を付与するものである。
【0023】
また、本発明は反応容器1から吹き出されたガスを吸引するためのダクト6を備えている。このダクト6は反応容器1の吹き出し口8の近傍に設けられるものであって、複数個の配管25の内部空間で形成されている。また、ダクト6の一端は吹き出し口8の側方で開口していると共にダクト6の他端にはポンプ等の吸引手段が接続されている。
【0024】
本発明では、プラズマ生成用のガスとして希ガス、窒素、酸素、空気をそれぞれ単独で用いたりあるいは複数種を混合したりして用いることができる。希ガスとしては、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトンなどを使用することができるが、気体放電の安定性や経済性を考慮すると、アルゴンやヘリウムを用いるのが好ましい。また、希ガスや窒素に反応ガスを混合して使用することができる。反応ガスの種類は処理の内容によって任意に選択することができる。例えば、被処理物5の表面に存在する有機物のクリーニング、レジストの剥離、有機フィルムのエッチングなどを行う場合は、窒素、酸素、空気、CO、NOなどのガスを用いるのが好ましい。また、反応ガスとしてCFなどのフッ素系ガスも適宜用いることができ、シリコンなどのエッチングを行う場合にはこのフッ素系ガスを用いるのが効果的である。また、金属酸化物の還元を行う場合は、水素、アンモニアなどの還元性ガスを用いることができる。反応ガスの添加量は希ガスや窒素ガスの全量に対して20体積%以下、好ましくは0.1〜5体積%の範囲である。反応ガスの添加量が0.1体積%未満であれば、表面処理効果が低くなる恐れがあり、反応ガスの添加量が20体積%を超えると、放電が不安定になる恐れがある。
【0025】
上記のように形成される本発明の表面処理装置で被処理物5の表面処理を行うにあたっては、次のようにして行う。まず、大気圧下あるいはその近傍の圧力下(93.3〜106.7kPa(700〜800Torr))において、ガス導入口7から反応容器1の内側のガス流路21内に上記のガスを導入する。このようにガス流路21内に導入されたガスはガス流路21内を上から下に向かって流れて放電空間22に達するが、放電空間22に達する前に上記ガスのガス流Gは超音波発生器24の近傍を通過することになり、これにより、ガス流Gには超音波発生器24により超音波振動が付与されることになる。すなわち、ガス流Gの流れ方向において、電極2、3よりも上流側に設けた超音波発生器24により放電空間22に達する前のガス流Gに超音波振動が付与されるものである。このように本実施の形態では、反応容器1のガス流路21内において放電空間22の上流側でガス流Gに超音波振動を付与するものである。ここで、ガス流Gに付与される超音波振動の周波数は20〜500kHzとすることができるが、これに限定されるものではない。
【0026】
上記のようにして超音波発生器24を通過して超音波振動が付与されたガス(ガス流G)は放電空間22に流入する。ここで、電源9により電極2、3間に高電圧を印加することにより放電空間22には交番又はパルス状の電界が印加されているので、この電界の印加により大気圧下あるいはその近傍の圧力下で放電空間22に気体放電が発生すると共にこの気体放電によりガスがプラズマ化されて放電空間22に活性種(イオンやラジカル等)が生成される。そして、上記の超音波振動により放電空間22における反応容器1の内面とガスとの境界層(速度境界層や濃度勾配や温度境界層など)の成長が抑制されるため、上記気体放電による活性種の生成が促進されるものである。
【0027】
この後、活性種を含むガス流Gは吹き出し口8から連続的にカーテン状に吹き出されるものであり、吹き出し口8の下側に被処理物5を配置すると共に活性種を含むガス流Gを吹き出し口8から被処理物5の表面の一部又は全部に吹き付けて供給することによって、被処理物5の表面処理を行うことができる。
【0028】
さらに、表面処理後のガスをダクト6により吸引することにより、被処理物5の表面付近でのガスの滞留を抑制することができると共にガス流Gによって被処理物5の表面から吹き上げられた塵を速やかに吸い取ることができる。また、ガスそのものを回収することにより、ガスの再利用を行うことも可能である。
【0029】
尚、吹き出し口8の下側に被処理物5を配置するにあたっては、ベルトコンベア等の搬送装置で被処理物5を搬送するようにして行うことができる。また、搬送装置で複数の被処理物5を吹き出し口8の下側に順次搬送することによって、複数の被処理物5を連続的に表面処理することができる。また、吹き出し口8と被処理物5の表面との間の距離は、ガス流Gの流速、プラズマ生成用のガスの種類、被処理物5や表面処理の内容等によって適宜設定可能であるが、例えば、1〜30mmに設定することができる。
【0030】
そして、本発明では、超音波発生器24によりガス流Gに超音波振動を付与することによりガス流路21内のガス流Gと反応容器1の内面との境界層を薄くすることができ、放電空間22における活性種の生成を促進することができるものである。従って、ガス流路21におけるガスの流量を増加させることなく、ガス流Gに超音波振動を付与することによって、ガス流G中の活性種の密度を増加させて表面処理の能力を高めることができ、ガスの消費量が増大しないものであり、従って、表面処理のランニングコストが増加することなく経済的に不利にならないものである。
【0031】
また、本発明では放電空間22に投入する印加電力を増加させることなく、ガス流Gに超音波振動を付与することによって、ガス流G中の活性種の密度を増加させて表面処理の能力を高めることができ、吹き出し口8から吹き出す活性種を含むガス流Gの温度が上昇することがなく、被処理物5に熱的損傷が生じないものであり、しかも、被処理物5と放電場(放電発生部10)との電位差が大きくならないのでアークが発生しにくいものである。
【0032】
さらに、本発明では活性種を含むガス流Gを被処理物5に供給する時間を長くせずに吹き出し口8からの吹き出されるガス流Gの活性種の密度を増加させて表面処理の能力を高めているので、一つの被処理物5の表面処理にかかる時間が長くならないようにすることができ、生産性が低下しないようにすることができるものである。
【0033】
また、本発明では放電発生部10から被処理物5までの距離を短くすることなく、吹き出し口8からのガス流Gに含まれる活性種の密度を増加させて表面処理の能力を高めているので、放電場からの被処理物5へのアークが生じにくくなって、アークにより被処理物5が損傷を受けないようにすることができるものである。また、本発明では吹き出し口8と被処理物5の間に金属メッシュを介在させていないので、被処理物5に供給されるガス流Gが遮られることがなく、表面処理の能力が低下しないものであり、しかも、金属メッシュが腐食して酸化物(錆)が飛散し被処理物5を汚すという問題も発生しないものである。
【0034】
図2に本発明の他の実施の形態を示す。この実施の形態の表面処理装置は、図1に示すものと比べて、反応容器1と超音波発生器24との位置関係が異なるものであり、その他の構成は図1に示すものと同等である。すなわち、この表面処理装置では、電極2、3の上側に超音波発生器24を設けずに、反応容器1の吹き出し口8の下側(直下)に一対の超音波発生器24を対向配置したものであり、ガス流Gの流れ方向において、反応容器1の下流側に超音波発生器24を直線状に並べて設けたものである。また、一対の超音波発生器24の間の空間が吹き出し口8と連通して形成されている。
【0035】
上記のように形成される本発明の表面処理装置で被処理物5の表面処理を行うにあたっては、次のようにして行う。まず、大気圧下あるいはその近傍の圧力下において、ガス導入口7から反応容器1の内側のガス流路21内に上記のガスを導入する。このようにガス流路21内に導入されたガスはガス流路21内を上から下に向かって流れて放電空間22に達する。この後、電源9により電極2、3間に高電圧を印加することにより放電空間22には交番又はパルス状の電界が印加されているので、この電界の印加により大気圧下あるいはその近傍の圧力下で放電空間22に気体放電が発生すると共にこの気体放電によりガスがプラズマ化されて放電空間22に活性種(イオンやラジカル等)が生成される。
【0036】
この後、活性種を含むガス流Gは吹き出し口8から連続的にカーテン状に吹き出され、一対の超音波発生器24の間の空間に導入される。ここで、被処理物5に達する前に上記ガス流Gは超音波発生器24の近傍を通過することになり、これにより、ガス流Gには超音波発生器24により超音波振動が付与されることになる。すなわち、ガス流Gの流れ方向において、反応容器1の吹き出し口8よりも下流側に設けた超音波発生器24により被処理物5に供給される前のガス流Gに超音波振動が付与されるものである。このように本実施の形態では、反応容器1のガス流路21から吹き出されたガス流Gに超音波振動を付与するものである。ここで、ガス流Gに付与される超音波振動の条件は上記と同様にすることができる。
【0037】
この後、超音波発生器24の下側に被処理物5を配置すると共に活性種を含むガス流Gを超音波発生器24間の空間から被処理物5の表面の一部又は全部に吹き付けて供給することによって、被処理物5の表面処理を行うことができる。
【0038】
図2に示す表面処理装置では、図1のものと比較して、反応容器1の吹き出し口8と被処理物5の間に超音波発生器24を配設することによって、超音波発生器24が被処理物5に近接しているため、ガス流Gへの超音波振動の付与の効果は被処理物5の表面に大きく現れる。すなわち、図2に示す表面処理装置では、吹き出し口8から吹き出されたガス流Gへの超音波振動の付与により、ガス流Gによって生じる被処理物5の表面とガスとの境界層(速度境界層や濃度勾配や温度境界層など)の成長を抑制し、ガス流Gに含まれる活性種を容易に被処理物5に表面に到達させることができ、表面処理能力を高めることが可能となるものである。よって、この実施の形態の表面処理装置は被処理物5の表面への活性種の輸送を効率的に行うことができ、図1に示すものとほぼ同様にして表面処理を行うことによって、図1に示すものと同様の作用効果を奏するものである。
【0039】
本発明においては、活性種を含むガス流Gを被処理物5の表面に供給している間に、被処理物5を吸着して保持するために吸着ステージ20を備えることができる。吸着ステージ20は平板状(プレート状)に形成される吸着プレート33と設置台30により構成されている。吸着プレート33には厚み方向に貫通する多数の微細孔が全体に亘って形成されている。
【0040】
吸着プレート33に形成された平均微細孔の直径(微細孔の平均直径)は50〜200μmであることが好ましい。平均微細孔の直径が50μm未満であれば、微細孔を通じて被処理物5が吸引するのが難しくなり、吸着プレート33への被処理物の吸着力が小さくなる恐れがある。また、平均微細孔の直径が200μmを超えると、吸引の際に被処理物5が微細孔に変形しながら引き込まれ、被処理物5に微細孔の開口の跡が残る恐れがある。
【0041】
また、吸着プレート33の空孔率(気孔率)は20〜60%であることが好ましい。吸着プレート33の空孔率が20%未満であれば、吸着プレート33の表面に被処理物5を充分に吸着することができず、被処理物5に反りが発生する恐れがあり、吸着プレート33の空孔率が60%を超えると、吸着プレート33の強度が低くなって割れや欠け等が発生する恐れがある。
【0042】
また、吸着プレート33の厚みは0.5〜5mmであることが好ましい。吸着プレート33の厚みが0.5mm未満であれば、吸着プレート33の強度が低くなって割れや欠け等の破損が生じやすくなる恐れがあり、吸着プレート33の厚みが5mmを超えても大きな効果は得られず、経済的に不利になる恐れがある。
【0043】
上記の吸着プレート33は、設置台30の上面開口に隙間なくはめ込んで取り付けられている。設置台30には吸引路31が形成されており、この吸引路31には真空ポンプなどの吸引手段32が接続されている。
【0044】
そして、上記の吸着ステージ20を図1に示すものにおいて反応容器1の吹き出し口8の下側に配設することによって、図3に示すような表面処理装置を形成することができ、また、上記の吸着ステージ20を図2に示すものにおいて超音波発生器24の下側に配設することによって、図4に示すような表面処理装置を形成することができる。
【0045】
図3、4に示す表面処理装置においても、図1、2に示すものと同様にして被処理物5の表面処理が行われるが、活性種を含むガス流Gを被処理物5に供給している間、被処理物5を吸着プレート33の表面(上面)に吸着させるものである。被処理物5を吸着プレート33の表面に吸着させるにあたっては、吸引手段32を動作させることにより、吸引路31及び吸着プレート33の微細孔を介して吸引手段32の吸引作用を吸着プレート33の表面に載置された被処理物5に及ぼすようにするものであり、これにより、被処理物5を吸着プレート33の表面に吸引密着して保持するものである。
【0046】
上記のような吸着ステージ20は、シート状あるいはフィルム状あるいは板状に形成される薄い被処理物5を表面処理する場合に有効である。すなわち、上記シート状等の薄い被処理物5は、活性種を含有するガス流Gが吹き付けられて供給されると、ガス流Gの熱等で反りが発生することがあり、このために、均一な表面処理を行うことができない恐れがある。そこで、本発明のように、吸着ステージ20を用いて吸着プレート33の表面に吸着して保持しながら表面処理をおこなうことによって、薄い被処理物5であってもガス流Gの熱等で反ることがなく、被処理物5の表面に均一に活性種を供給することができるものであり、これにより、被処理物5の表面の全体に亘って均一な表面処理を行うことができるものである。
【0047】
尚、上記の薄い被処理物5としては液晶表示装置用ガラス板やプリント配線板(リジットとフレキシブルの両方を含む)などを例示することができるが、これに限定されるものではない。また、多数枚の被処理物5を連続的に表面処理する場合は、被処理物5を吸着させた吸着ステージ20を連続的に反応容器1の下側に搬送するようにしてもよい。
【0048】
【実施例】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【0049】
(実施例1)
図1に断面を示す矩形筒状の反応容器1を装備した表面処理装置を使用した。反応容器1は肉厚1mmの石英ガラス製であり、また、放電発生部10の狭小側の内寸(ガス導入口7と吹き出し口8のスリット幅と同じであり、放電スリット幅という)は1mmとした。さらに、反応容器1の幅広側は56mmとした。電極2,3はその下面が吹き出し口8から5mm上流側に位置するようにした。
【0050】
一対の電極2,3は銅製でその表面に金メッキ処理を行った。電極2、3は反応容器1の幅広側に反応容器1を挟みこむように設置した。電極2、3の内部の冷却水循環路11には冷却水を循環させ、電極2、3を冷却した。左側の電極2は交番する高周波電界(電圧)を発生する電源9に接続し、右側の電極3は接地した。
【0051】
超音波発生手段4は対向配置した板状の超音波発生器24から構成されている。超音波発生器24は反応容器1の電極2、3の上流側に設置し、放電空間22に導入される前において、反応容器1のガス流路21内のガス流Gに超音波振動を付与するものである。実施例1では28kHzの超音波振動を与えた。
【0052】
ダクト6は吹き出し口8の両側に吹き出し口8を挟むように設置され、被処理物5にガス流Gを吹き付けることにより吹き上げられたガスを吸引して回収するものである。
【0053】
上記のような表面処理装置を用いて、大気圧下でアルゴン5.8リットル/分、酸素0.03リットル/分の混合ガスを反応容器1に導入し、13.56MHz、700Wの交番の高周波電力を印加し、反応容器1の吹き出し口8より活性種を含むガス流Gを50mm/sで搬送している被処理物5の表面に吹き付ける(噴射する)ことにより表面処理を行った。被処理物5は液晶用の素ガラスを用い、吹き出し口8と被処理物5との距離は3mmとした。
【0054】
(比較例1)
超音波発生器24及びダクト6を備えていない以外は実施例1と同様にして表面処理装置を形成した。
【0055】
実施例1及び比較例1について表面処理後の被処理物5の水接触角を測定した。また、表面処理前の被処理物5の表面の2mm平方の部分に液晶表示板に使用される直径5μmのスペーサービーズを300個散布し、表面処理後のスペーサービーズの残数を調べた。これらの結果を表1に示す。
【0056】
【表1】
Figure 2004181306
【0057】
表1に示すように実施例1では比較例1に比べて水接触角が減少し、さらに、表面処理前に散布したビーズも実施例1では除去されるが、比較例1では残存するものであった。これにより、実施例1は比較例1よりも表面処理能力が高いと言える。
【0058】
(実施例2)
図2に断面を示す矩形筒状の反応容器1を装備した表面処理装置を使用した。反応容器1及び電極2、3は実施例1と同様に形成した。実施例2では電極2、3の下面は超音波発生器24の上端より1mm上流側に設置した。また、左側の電極2はパルス状の高周波電界(電圧)を発生する電源9に接続し、右側の電極3は接地した。超音波発生部24は対向配置した板状の超音波発生器24から構成されている。超音波発生器24は反応容器1の吹き出し口8の下側に設置し、吹き出し口8から吹き出されるガス流Gに超音波振動を付与するものである。実施例2では28kHzの超音波を与えた。
【0059】
その他の構成は実施例1と同様にした。
【0060】
上記のような表面処理装置を用いて、大気圧下で窒素5.8リットル/分、酸素0.03リットル/分の混合ガスを反応容器1に導入し、70kHzで700Wのパルス状の高周波電力を印加し、対向配置された一対の超音波発生器24の間の空間より活性種を含むガス流Gを30mm/sで搬送している被処理物5の表面に吹き付ける(噴射する)ことにより表面処理を行った。被処理物5は液晶用カラーフィルタガラスを用い、一対の超音波発生器24の間の空間の下端と被処理物5との距離は3mmとした。
【0061】
(比較例2)
超音波発生器24及びダクト6を備えていない以外は実施例2と同様にして表面処理を形成した。また、比較例2では電極2、3の下面を反応容器8の下端より1mm上流側に設置した。
【0062】
実施例2及び比較例2について表面処理後の被処理物5の水接触角を測定した。また、表面処理前の被処理物5の表面の2mm平方の部分に液晶表示板に使用される直径5μmのスペーサービーズを300個散布し、表面処理後のスペーサービーズの残数を調べた。これらの結果を表2に示す。
【0063】
【表2】
Figure 2004181306
【0064】
表2に示すように実施例2では比較例2に比べて水接触角が減少し、さらに、表面処理前に散布したビーズも実施例2では除去されるが、比較例2では残存するものであった。これにより、実施例2は比較例2よりも表面処理能力が高いと言える。
【0065】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項1の発明は、絶縁材料で形成される反応容器の外側に複数の電極を設け、反応容器内にガスを導入すると共に電極間に電界を印加することにより大気圧又はその近傍の圧力下で反応容器の内側に気体放電を発生し、この気体放電により生じる活性種を含むガス流を反応容器から吹き出して被処理物に供給することによって、被処理物の表面処理を行う表面処理装置において、ガス流に超音波振動を付与するための超音波発生手段を設けるので、超音波発生手段によりガス流に超音波振動を付与することによって、ガス流と反応容器の内面との境界層を薄くしたり、あるいはガス流と被処理物との境界層の成長を抑制したりすることができ、活性種の生成を促進したり被処理物の表面への活性種の輸送を効率的に行ったりすることができるものであり、従って、ランニングコストの増加を抑えて経済的に不利にならず、また、被処理物に供給されるガス流の温度上昇を抑えて被処理物の熱的損傷を抑え、さらに、短時間で表面処理を行うことができて生産性の低下を抑え、加えて、被処理物の酸化物による汚染を抑え、しかも、アークによる被処理物の損傷を抑えながら表面処理の能力を高めることができるものである。
【0066】
また、本発明の請求項2の発明は、上記超音波発生手段を電極よりも上流側に設けるので、超音波発生手段により反応容器内のガス流に超音波振動を付与することによって、反応容器内のガス流と反応容器の内面との境界層を薄くすることができ、活性種の生成を促進することができるものであり、従って、ランニングコストの増加を抑えて経済的に不利にならず、また、被処理物に供給されるガス流の温度上昇を抑えて被処理物の熱的損傷を抑え、さらに、短時間で表面処理を行うことができて生産性の低下を抑え、加えて、被処理物の酸化物による汚染を抑え、しかも、アークによる被処理物の損傷を抑えながら表面処理の能力を高めることができるものである。
【0067】
また、本発明の請求項3の発明は、上記超音波発生手段を反応容器よりも下流側に設けるので、超音波発生手段により反応容器から吹き出されたガス流に超音波振動を付与することによって、反応容器から吹き出されたガス流と被処理物との境界層の成長を抑制することができ、被処理物の表面への活性種の輸送を効率的に行うことができるものであり、従って、ランニングコストの増加を抑えて経済的に不利にならず、また、被処理物に供給されるガス流の温度上昇を抑えて被処理物の熱的損傷を抑え、さらに、短時間で表面処理を行うことができて生産性の低下を抑え、加えて、被処理物の酸化物による汚染を抑え、しかも、アークによる被処理物の損傷を抑えながら表面処理の能力を高めることができるものである。
【0068】
また、本発明の請求項4の発明は、反応容器から吹き出されたガスを吸引するためのダクトを設けるので、反応容器から吹き出されたガス流と被処理物との境界層の成長をさらに抑制することができ、表面処理の能力をさらに高めることができるものである。
【0069】
また、本発明の請求項5の発明は、被処理物を吸着するための吸着ステージを設けるので、吸着ステージに被処理物を吸着して保持した状態で表面処理を行うことによって、被処理物に反りが発生しにくくなり、被処理物に均一に活性種を含むガス流を供給することができて均一な表面処理を行うことができるものである。
【0070】
また、本発明の請求項6の発明は、請求項1乃至5のいずれかに記載の表面処理装置により表面処理を行うにあたって、希ガス、窒素、酸素、空気の少なくとも一つを含有するガスを用いるので、ガスの種類によって各種の表面処理を容易に行うことができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図2】同上の他の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図3】同上の他の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図4】同上の他の実施の形態の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 反応容器
2 電極
3 電極
4 超音波発生手段
5 被処理物
6 ダクト
20 吸着ステージ

Claims (6)

  1. 絶縁材料で形成される反応容器の外側に複数の電極を設け、反応容器内にガスを導入すると共に電極間に電界を印加することにより大気圧又はその近傍の圧力下で反応容器の内側に気体放電を発生し、この気体放電により生じる活性種を含むガス流を反応容器から吹き出して被処理物に供給することによって、被処理物の表面処理を行う表面処理装置において、ガス流に超音波振動を付与するための超音波発生手段を設けて成ることを特徴とする表面処理装置。
  2. 上記超音波発生手段を電極よりも上流側に設けて成ることを特徴とする請求項1に記載の表面処理装置。
  3. 上記超音波発生手段を反応容器よりも下流側に設けて成ることを特徴とする請求項1に記載の表面処理装置。
  4. 反応容器から吹き出されたガスを吸引するためのダクトを設けて成ることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の表面処理装置。
  5. 被処理物を吸着するための吸着ステージを設けて成ることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の表面処理装置。
  6. 請求項1乃至5のいずれかに記載の表面処理装置により表面処理を行うにあたって、希ガス、窒素、酸素、空気の少なくとも一つを含有するガスを用いることを特徴とする表面処理方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006128085A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2006278227A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置及びその処理方法
JP2007257962A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Sekisui Chem Co Ltd 放電処理装置および放電処理方法
JP2008066059A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP2008066058A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生ノズルおよびプラズマ発生装置ならびにそれを用いるワーク処理装置
JP2008508683A (ja) * 2004-07-30 2008-03-21 アマランテ テクノロジーズ,インク. 均一でスケーラブルなマイクロ波プラズマ発生を行うためのプラズマノズルアレイ
JP2010135351A (ja) * 2008-12-02 2010-06-17 Sanyu Seisakusho:Kk 顕微鏡付吸引型局所マイクロプラズマエッチング装置
JP2010153783A (ja) * 2008-11-19 2010-07-08 Sanyu Seisakusho:Kk 吸引型プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
US7886689B2 (en) 2004-09-29 2011-02-15 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JP2013118219A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Denso Corp 異物除去装置
CN112108503A (zh) * 2020-09-27 2020-12-22 中广核达胜加速器技术有限公司 一种电子束辐照无害化处理装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4896880B2 (ja) * 2004-07-30 2012-03-14 アマランテ テクノロジーズ,インク. マイクロ波プラズマノズルアレイを構成するための方法、マイクロ波プラズマノズルアレイユニット及びマイクロ波プラズマシステム
JP2008508683A (ja) * 2004-07-30 2008-03-21 アマランテ テクノロジーズ,インク. 均一でスケーラブルなマイクロ波プラズマ発生を行うためのプラズマノズルアレイ
US7886689B2 (en) 2004-09-29 2011-02-15 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JP2006128085A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
US7886688B2 (en) 2004-09-29 2011-02-15 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JP4499005B2 (ja) * 2004-09-29 2010-07-07 積水化学工業株式会社 プラズマ処理装置
JP2006278227A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置及びその処理方法
JP2007257962A (ja) * 2006-03-22 2007-10-04 Sekisui Chem Co Ltd 放電処理装置および放電処理方法
JP2008066059A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生装置およびそれを用いるワーク処理装置
JP2008066058A (ja) * 2006-09-06 2008-03-21 Noritsu Koki Co Ltd プラズマ発生ノズルおよびプラズマ発生装置ならびにそれを用いるワーク処理装置
JP2010153783A (ja) * 2008-11-19 2010-07-08 Sanyu Seisakusho:Kk 吸引型プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
JP2010135351A (ja) * 2008-12-02 2010-06-17 Sanyu Seisakusho:Kk 顕微鏡付吸引型局所マイクロプラズマエッチング装置
JP2013118219A (ja) * 2011-12-01 2013-06-13 Denso Corp 異物除去装置
CN112108503A (zh) * 2020-09-27 2020-12-22 中广核达胜加速器技术有限公司 一种电子束辐照无害化处理装置
CN112108503B (zh) * 2020-09-27 2023-12-01 中广核达胜加速器技术有限公司 一种电子束辐照无害化处理装置

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