JP2013118219A - 異物除去装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体の周囲に残存する異物を少なくする。
【解決手段】半導体９０に付着した異物を吸引除去する吸引ノズル１は、吸引時に半導体９０との間に空間１００を形成して半導体９０を覆うノズル部１０を備え、ノズル部１０には、空間１００に気体を導く複数個の導入孔１０２と、導入孔１０２を介して空間１００に流入した気体を吸引する１個の吸引孔１０１が形成されている。また、各導入孔１０２から空間１００に流入した気体が同一旋回向きの渦流となって吸引孔１０１に吸引されるように構成されている。各導入孔１０２から吸引孔１０１に向かう気流は、正面からぶつかり合うことなくスムーズに合流するため、異物は気流外に飛散することなく気流とともに移動して確実に吸引孔１０１に吸引される。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置製造工程で半導体に付着した異物を除去する異物除去装置に関するものである。

従来のこの種の異物除去装置として、半導体に付着した異物を吸引手段により吸引除去するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この異物除去装置は、吸引時に半導体との間に空間を形成して半導体を覆う本体部を備えており、この本体部には、空間に気体を導く２つの導入孔、および空間に流入した気体を吸引する１個の吸引孔が形成されている。

特開２００７−２２７８２１号公報

しかしながら、従来の異物除去装置は、空間側から本体部を見たとき、２つの導入孔は吸引孔を挟んで対称的に配置されるとともに吸引孔に向かって延びているため、各導入孔から吸引孔に向かう気流同士が正面からぶつかり合って乱流化する。

そして、気流が層流であれば異物は気流とともに移動して吸引孔に吸引されるが、上記のように吸引孔に至る前に気流が乱流になる場合、気流とともに移動していた異物の一部が気流外に飛散してしまい、異物が半導体の周囲に残存してしまうという問題があった。

本発明は上記点に鑑みて、半導体の周囲に残存する異物を少なくすることを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体（９０）に付着した異物を吸引手段（１）により吸引除去する異物除去装置において、吸引手段（１）は、吸引時に半導体（９０）との間に空間（１００）を形成して半導体（９０）を覆うノズル部（１０）を備え、ノズル部（１０）には、複数の連通孔（１０１、１０２）が形成され、複数の連通孔（１０１、１０２）は、空間（１００）に気体を導く導入孔（１０２）と導入孔（１０２）を介して空間（１００）に流入した気体を吸引する吸引孔（１０１）とを有し、導入孔（１０２）および吸引孔（１０１）のうち、どちらか一方の連通孔は空間（１００）に対し複数の開口部（１０２ａ）を有し、他方の連通孔は空間（１００）に対し１つのみの開口部（１０１ａ）を有し、他方の連通孔の開口部（１０１ａ）は、複数形成された一方の連通孔の開口部（１０２ａ）に囲まれた位置に形成され、導入孔（１０２）から空間（１００）に流入した気体が同一旋回向きの渦流となって吸引孔（１０１）に吸引されることを特徴とする。

これによると、導入孔（１０２）から吸引孔（１０１）に向かう気流は、正面からぶつかり合うことなくスムーズに合流するため、乱流化し難い。したがって、導入孔（１０２）から吸引孔（１０１）に向かう気流は層流状態が維持され、異物は気流外に飛散することなく気流とともに移動して確実に吸引孔（１０１）に吸引され、半導体（９０）の周囲に残存する異物を少なくすることができる。

また、複数個の導入孔（１０２）を備えているため、半導体周辺の広い範囲に気流を発生させて、より多くの異物を吸引孔（１０１）に導くことができる。

請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の異物除去装置において、空間（１００）側からノズル部（１０）を見たときの、導入孔（１０２）から空間（１００）に流入する際の気体の流れ向きを流入時流れ向き（Ｌ１〜Ｌ８）としたとき、各導入孔（１０２）の流入時流れ向き（Ｌ１〜Ｌ８）の延長線が交差しないように、各導入孔（１０２）の流入時流れ向き（Ｌ１〜Ｌ８）が設定されていることを特徴とする。

これによると、ある導入孔（１０２）から空間（１００）に流入した直後の気流（すなわち、渦流になる前の気流）が、他の導入孔（１０２）から空間（１００）に流入した直後の気流にぶつかることが回避されるため、半導体（９０）の周囲に残存する異物を確実に少なくすることができる。

請求項３に記載の発明では、請求項１または２に記載の異物除去装置において、吸引孔（１０１）の通路断面積は、複数個の導入孔（１０２）の合計通路断面積以上であることを特徴とする。

これによると、吸引する気体の流量を十分に確保して、半導体（９０）の周囲に残存する異物を確実に少なくすることができる。

請求項４に記載の発明では、半導体（９０）に付着した異物を吸引手段（１）により吸引除去する異物除去装置において、吸引手段（１）は、吸引時に半導体（９０）との間に空間（１００）を形成して半導体（９０）を覆うノズル部（１０）を備え、ノズル部（１０）には、空間（１００）に気体を導く１個の導入孔（１０２）と、導入孔（１０２）を介して空間（１００）に流入した気体を吸引する吸引孔（１０１）が形成されていることを特徴とする。

これによると、吸引孔（１０１）に向かう気流はぶつかり合わないため乱流化し難い。したがって、異物は気流とともに移動して確実に吸引孔（１０１）に吸引され、半導体（９０）の周囲に残存する異物を少なくすることができる。

請求項５に記載の発明では、請求項４に記載の異物除去装置において、吸引孔（１０１）は、導入孔（１０２）の周囲に複数個配置されていることを特徴とする。

これによると、半導体周辺の広い範囲に気流を発生させて、より多くの異物を吸引孔（１０１）に導くことができる。

請求項６に記載の発明では、請求項１ないし５のいずれか１つに記載の異物除去装置において、気体を加圧して導入孔（１０２）に供給する加圧手段（６）を備えることを特徴とする。

これによると、大気以外の気体、例えばドライ窒素ガスやドライエアーを利用することにより、半導体（９０）の酸化を防止することができる。

請求項７に記載の発明では、請求項１ないし６のいずれか１つに記載の異物除去装置において、吸引除去された異物の数量をカウントするパーティクルカウンタ（３６）を備えることを特徴とする。

これによると、異物を吸引手段（１）により吸引除去するまでの半導体装置製造工程における、異物除去状況を推定することができる。

請求項８に記載の発明のように、請求項１ないし７のいずれか１つに記載の異物除去装置において、パーティクルカウンタ（３６）は、吸引孔（１０１）に吸引された気体を外部に排出させる排気装置を兼ねることができる。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態に係る異物除去装置の全体構成を示す図である。 （ａ）は図１の装置における異物吸引前の状態を示す要部の断面図、（ｂ）は図１の装置における異物吸引中の状態を示す要部の断面図である。 （ａ）は図１の吸引ノズルを示す正面断面図、（ｂ）は（ａ）の下面図である。 （ａ）は本発明の第２実施形態に係る異物除去装置における異物吸引前の状態を示す要部の断面図、（ｂ）は本発明の第２実施形態に係る異物除去装置における異物吸引中の状態を示す要部の断面図である。 本発明の第３実施形態に係る異物除去装置の全体構成を示す図である。 （ａ）は図５の吸引ノズルを示す正面断面図、（ｂ）は（ａ）の下面図である。 本発明の第４実施形態に係る異物除去装置の全体構成を示す図である。 本発明の第５実施形態に係る異物除去装置における異物吸引中の状態を示す要部の正面断面図である。 図８の吸引ノズルの下面図である。 図８のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 （ａ）は本発明の第６実施形態に係る異物除去装置における異物吸引前の状態を示す要部の断面図、（ｂ）は本発明の第６実施形態に係る異物除去装置における異物吸引中の状態を示す要部の正面断面図である。 図１１の吸引ノズルを示す下面図である。 本発明の実施形態の第１変形例を示す図である。 本発明の実施形態の第２変形例を示す図である。 本発明の実施形態の第３変形例を示す図である。 本発明の実施形態の第４変形例を示す図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。図１は第１実施形態に係る異物除去装置の全体構成を示す図、図２（ａ）は図１の装置における異物吸引前の状態を示す要部の断面図、図２（ｂ）は図１の装置における異物吸引中の状態を示す要部の断面図、図３（ａ）は図１の吸引ノズルを示す正面断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の下面図である。

図１〜図３に示すように、異物除去装置は、センサチップ等の半導体９０が封止パッケージ９１内に組み付けられた半導体装置９を対象ワークとするもので、半導体装置９の開口部を覆って内部の気体を吸引することにより異物を除去する吸引手段としての吸引ノズル１、半導体装置９を複数個（本実施形態では５個）搭載して搬送する搬送キャリア２、気体を吸引し外部に排出させて負圧を発生させる排気装置としての真空ポンプ３、および、搬送キャリア２が載せられる台４を備えている。

吸引ノズル１と真空ポンプ３とを接続する第１通路３１中に、この第１通路３１を開閉する吸引側バルブ３２、第１通路３１を流れる気体の流量が設定範囲内であるか否かを示す信号を図示しない制御装置に出力する吸引側フロースイッチ３３、および、第１通路３１を流れる気体の圧力を所定圧以下に調整する吸引側レギュレータ３４が配置されている。さらに、搬送キャリア２と真空ポンプ３とを接続する第２通路３５中に、この第２通路３５を開閉する吸着側バルブ３６が配置されている。

吸引ノズル１には、半導体装置９に対応して、本実施形態では５箇所に、直方体のノズル部１０が設けられている。異物吸引中（図２（ｂ）参照）は、封止パッケージ９１の開口部がノズル部１０によって塞がれて、ノズル部１０と半導体９０との間に空間１００が形成される。

ノズル部１０の中央には、一端側が空間１００に連通するとともに、他端側が第１通路３１を介して真空ポンプ３に接続された吸引孔１０１が１個設けられている。また、ノズル部１０には、一端側が空間１００に連通するとともに、他端側が大気に開放された導入孔１０２が４個設けられている。そして、吸引側バルブ３２が開弁すると、空間１００内の気体（本実施形態では空気）が吸引孔１０１から吸引され、それに伴い、導入孔１０２を介して空間１００内に気体が導かれるようになっている。なお、吸引孔１０１および導入孔１０２は、本発明の連通孔に相当する。

図２に示すように、吸引孔１０１は、半導体９０において封止パッケージ９１に接合された面の反対側の面９００（以下、反接合面９００という）の中央部に対向し、且つ、反接合面９００に対して垂直に延びている。

図３（ａ）に示すように、ノズル部１０を横から見たとき、導入孔１０２は、空間側開口部１０２ａが反空間側開口部１０２ｂよりも吸引孔１０１に近くなるように傾斜している。

また、図３（ｂ）に示すように、４個の導入孔１０２は、吸引孔１０１の周方向に沿って等間隔に配置されている。さらに、吸引孔１０１の空間側開口部１０１ａは、４個の導入孔１０２の空間側開口部１０２ａに囲まれた位置に形成されている。

そして、空間１００側からノズル部１０を見たときの、各導入孔１０２の延伸方向（すなわち、各導入孔１０２の軸線の方向）は、吸引孔１０１の中心から外れている。したがって、空間１００側からノズル部１０を見たときの、各導入孔１０２から空間１００に流入する際の気体の流れ向きを流入時流れ向きＬ１〜Ｌ４としたとき、各流入時流れ向きＬ１〜Ｌ４は吸引孔１０１の中心から外れており、これにより、導入孔１０２から空間１００を通って吸引孔１０１に向かう気流に旋回運動を与えるようにしている。

さらに、空間１００側からノズル部１０を見たときの、吸引孔１０１と導入孔１０２の反空間側開口部１０２ｂとを通る線を基準線とし、その基準線と流入時流れ向きＬ１〜Ｌ４とのなす角を傾斜角Ｒとしたとき、各流入時流れ向きＬ１〜Ｌ４の延長線が交差しないように傾斜角Ｒが設定されている。因みに、本実施形態では、傾斜角Ｒ＝３０°としている。

図２に示すように、搬送キャリア２には、半導体装置９を収容する凹部２１が設けられており、この凹部２１の底部には、第２通路３５を介して真空ポンプ３に接続される貫通孔２２が設けられている。

次に、異物除去装置を用いて半導体９０に付着した異物を除去する方法を説明する。まず、半導体装置９を用意し、搬送キャリア２の凹部２１に半導体装置９を収容する。続いて、半導体装置９を収容した搬送キャリア２を台４の上に搬送し載せる。

続いて、吸着側バルブ３６を開弁させ、搬送キャリア２の貫通孔２２に負圧を作用させて、半導体装置９を搬送キャリア２に吸着し固定する。このとき、搬送キャリア２の上方に吸引ノズル１が待機している（図２（ａ）参照）。

続いて、吸引ノズル１を半導体装置９に近づけ、ノズル部１０を封止パッケージ９１に密着させて、封止パッケージ９１の開口部をノズル部１０によって塞ぐ（図２（ｂ）参照）。

続いて、吸引側バルブ３２を開弁させ、空間１００内の気体を吸引孔１０１から吸引し、吸引した気体を第１通路３１を介して外部に排出する。これにより空間１００が減圧されるため、導入孔１０２を介して空間１００内に気体が導入される。そして、導入孔１０２から吸引孔１０１に向かう気流を半導体９０に吹き付けて、半導体９０に付着していた異物を気流内に取り込み、異物を吸引孔１０１に導き、さらに第１通路３１を介して外部に排出する。

ここで、導入孔１０２から空間１００を通って吸引孔１０１に向かう気流は旋回運動が与えられて同一旋回向きの渦流になるため、各導入孔１０２から吸引孔１０１に向かう気流は正面からぶつかり合うことなくスムーズに合流し、乱流化し難い。したがって、導入孔１０２から吸引孔１０１に向かう気流は層流状態が維持され、異物は気流外に飛散することなく気流とともに移動して確実に吸引孔１０１に吸引され、半導体９の周囲に残存する異物を少なくすることができる。

また、複数個の導入孔１０２を備えているため、半導体９の周辺の広い範囲に気流を発生させて、より多くの異物を吸引孔１０１に導くことができる。

さらに、各流入時流れ向きＬ１〜Ｌ４の延長線が交差しないように各流入時流れ向きＬ１〜Ｌ４が設定されているため、ある導入孔１０２から空間１００に流入した直後の気流（すなわち、渦流になる前の気流）が、他の導入孔１０２から空間１００に流入した直後の気流にぶつかることが回避される。したがって、気流の衝突により異物が気流外に飛散することが回避され、異物は気流とともに移動して確実に吸引孔１０１に吸引され、半導体９の周囲に残存する異物を確実に少なくすることができる。

さらにまた、吸引孔１０１の通路断面積を、４個の導入孔１０２の合計通路断面積以上に設定することにより、吸引する気体の流量を十分に確保して、半導体９の周囲に残存する異物を確実に少なくすることができる。

なお、吸引側バルブ３２を開弁させて空間１００内の気体を吸引孔１０１から吸引している際に、第１通路３１を流れる気体の流量が設定範囲外になった場合（すなわち、正常な作動状態でない場合）は、吸引側フロースイッチ３３からの信号に基づいて、制御装置は異物除去装置の作動を停止させる。

続いて、異物を吸引除去した後、吸引側バルブ３２を閉弁させて吸引孔１０１からの吸引を停止し、吸引ノズル１を上方に退避させる。そして、搬送キャリア２を次の工程に移送し、異物除去工程を終了する。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。図４（ａ）は第２実施形態に係る異物除去装置における異物吸引前の状態を示す要部の断面図、図４（ｂ）は第２実施形態に係る異物除去装置における異物吸引中の状態を示す要部の断面図である。以下、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。

第１実施形態では、半導体９０が封止パッケージ９１内に組み付けられた半導体装置９を対象ワークとしたが、本実施形態では、半導体９０のみを対象ワークとしている。

図４に示すように、第１実施形態の搬送キャリア２の代わりに、半導体吸着ノズル５が設けられている。この半導体吸着ノズル５は、貫通孔５０を備えている。この貫通孔５０は、第２通路３５（図１参照）を介して真空ポンプ３（図１参照）に接続されている。

ノズル部１０には、半導体９０を収容する凹部１０３が設けられており、この凹部１０３の底部に、１個の吸引孔１０１と複数個の導入孔１０２が開口している。

本実施形態装置にて半導体９０に付着した異物を除去する際には、まず半導体９０を半導体吸着ノズル５に吸着し固定する。（図４（ａ）参照）。

続いて、吸引ノズル１を半導体９０に近づけ、ノズル部１０を半導体吸着ノズル５に密着させて、ノズル部１０の凹部１０３を塞ぐ（図４（ｂ）参照）。

続いて、吸引側バルブ３２（図１参照）を開弁させ、空間１００内の気体を吸引孔１０１から吸引し、吸引した気体を第１通路３１（図１参照）を介して外部に排出する。これにより空間１００が減圧されるため、導入孔１０２を介して空間１００内に気体が導入される。そして、導入孔１０２から吸引孔１０１に向かう気流を半導体９０に吹き付けて、半導体９０に付着していた異物を気流内に取り込み、異物を吸引孔１０１に導き、さらに第１通路３１を介して外部に排出する。

そして、第１実施形態と同様に、導入孔１０２から空間１００を通って吸引孔１０１に向かう気流は旋回運動が与えられて同一旋回向きの渦流になるため、各導入孔１０２から吸引孔１０１に向かう気流は正面からぶつかり合うことなくスムーズに合流し、異物は気流とともに移動して確実に吸引孔１０１に吸引される。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。図５は第３実施形態に係る異物除去装置の全体構成を示す図、図６（ａ）は図５の吸引ノズルを示す正面断面図、図６（ｂ）は図６（ａ）の下面図である。以下、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。

図５に示すように、異物除去装置は、気体を加圧して導入孔１０２に供給する加圧手段６を備えている。

この加圧手段６は、気体を加圧して吐出する加圧装置としての吐出ポンプ６０を備えている。また、加圧手段６は、吸引ノズル１と吐出ポンプ６０とを接続する第３通路６１中に、この第３通路６１を開閉する加圧側バルブ６２、第３通路６１を流れる気体の流量が設定範囲内であるか否かを示す信号を図示しない制御装置に出力する加圧側フロースイッチ６３、および、第３通路６１を流れる気体の圧力を所定圧以下に調整する加圧側レギュレータ６４が配置されている。

図６に示すように、第３通路６１が接続される１個の加圧側接続部１０４が吸引ノズル１の側面に設けられ、この加圧側接続部１０４と４個の導入孔１０２とを連通させる連通路１０５が吸引ノズル１の内部に設けられている。

本実施形態装置では、空間１００内の気体を吸引孔１０１から吸引する際に、加圧側バルブ６２を開弁させて、圧力制御及び流量制御された気体を導入孔１０２から空間１００内に吐出する。

そして、第１実施形態と同様に、導入孔１０２から空間１００を通って吸引孔１０１に向かう気流は旋回運動が与えられて同一旋回向きの渦流になるため、各導入孔１０２から吸引孔１０１に向かう気流は正面からぶつかり合うことなくスムーズに合流し、異物は気流とともに移動して確実に吸引孔１０１に吸引される。

また、本実施形態によると、空間１００に供給する気体として、例えばドライ窒素ガスやドライエアーを利用することにより、半導体の酸化を防止することができる。

なお、加圧側接続部１０４は、吸引ノズル１の形状に応じて吸引ノズル１の上面に設けてもよい。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態について説明する。図７は第４実施形態に係る異物除去装置の全体構成を示す図である。以下、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。

図７に示すように、吸引除去された異物の数量をカウントするパーティクルカウンタ３６が、第１通路３１に接続されている。このパーティクルカウンタ３６は、気体を吸引し外部に排出させて負圧を発生させる排気装置としての真空ポンプ（図示せず）を内蔵している。

また、第１実施形態における吸引側フロースイッチ３３および吸引側レギュレータ３４が廃止されている。ただし、吸引側フロースイッチ３３は廃止しなくてもよい。さらに、真空ポンプ３は、第１通路３１とは接続されていない。

本実施形態装置では、パーティクルカウンタ３６にて異物の数量をカウントすることにより、異物を吸引ノズル１により吸引除去するまでの前工程における異物除去状況を推定することができる。具体的には、パーティクルカウンタ３６にてカウントした異物の数量が閾値以下の場合は、前工程における異物除去状況が許容範囲にあると推定する。

そして、パーティクルカウンタ３６にてカウントした異物の数量が閾値を超えている場合は、吸引側パーティクルカウンタ３６からの信号に基づいて、制御装置は異物除去装置の作動を停止、或いは不良判定してワークを排出する。

（第５実施形態）
本発明の第５実施形態について説明する。図８は第５実施形態に係る異物除去装置における異物吸引中の状態を示す要部の正面断面図、図９は図８の吸引ノズルの下面図、図１０は図８のＡ−Ａ線に沿う断面図である。以下、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。

図８〜図１０に示すように、導入孔１０２は８個設けられている。それらの導入孔１０２の流入時流れ向きＬ１〜Ｌ８は、半導体９０と封止パッケージ９１の隙間を向いている。より詳細には、半導体９０の外周側面の１面と封止パッケージ９１の内周壁面の１面との間のエリアに、２つの導入孔１０２から気流が噴出される。このため、異物を除去するエリアが広い場合でも確実に気流を発生させることができる。

また、導入孔１０２の流入時流れ向きＬ１〜Ｌ８は、封止パッケージ９１の内部の角部９１０を向いている。これにより、角部９１０近辺に流れが発生して、角部９１０およびその近辺に付着している異物が効率よく気流に取り込まれ、且つ、半導体９０と封止パッケージ９１の隙間に同一旋回向きの流れを発生させることができ、導入孔１０２から吸引孔１０１に向かう気流は正面からぶつかり合うことなくスムーズに合流し、異物は気流とともに移動して確実に吸引孔１０１に吸引される。

（第６実施形態）
本発明の第６実施形態について説明する。図１１（ａ）は第６実施形態に係る異物除去装置における異物吸引前の状態を示す要部の断面図、図１１（ｂ）は第６実施形態に係る異物除去装置における異物吸引中の状態を示す要部の正面断面図、図１２は図１１の吸引ノズルを示す下面図である。以下、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。

図１１、図１２に示すように、吸引ノズル１のノズル部１０には、その中央に導入孔１０２が１個設けられている。この導入孔１０２は、半導体９０における反接合面９００の中央部に対向し、且つ、反接合面９００に対して垂直に延びている。

また、ノズル部１０には、導入孔１０２の周囲に吸引孔１０１が複数個（本実施形態では８個）配置されている。この吸引孔１０１は、空間側開口部１０１ａが反空間側開口部１０１ｂよりも導入孔１０２に近くなるように傾斜している。

本実施形態装置では、吸引側バルブ３２（図１参照）を開弁させ、空間１００内の気体を複数個の吸引孔１０１から同時に吸引し、吸引した気体を第１通路３１（図１参照）を介して外部に排出する。これにより空間１００が減圧されるため、１個の導入孔１０２を介して空間１００内に気体が導入される。そして、導入孔１０２から吸引孔１０１に向かう気流を半導体９０に吹き付けて、半導体９０に付着していた異物を気流内に取り込み、異物を吸引孔１０１に導き、さらに第１通路３１を介して外部に排出する。

ここで、導入孔１０２から空間１００を通って吸引孔１０１に向かう気流は、半導体９０に衝突した後、各吸引孔１０１に向かって外側へ流れる。したがって、導入孔１０２から吸引孔１０１に向かう気流は、ぶつかり合わないため（すなわち、気流同士がお互いの流れを阻害しないため）層流状態が維持され、異物は気流外に飛散することなく気流とともに移動して確実に吸引孔１０１に吸引され、半導体９の周囲に残存する異物を少なくすることができる。

また、導入孔１０２の周囲に吸引孔１０１を複数個配置しているため、半導体９０の周辺の広い範囲に気流を発生させて、より多くの異物を吸引孔１０１に導くことができる。

なお、本実施形態では、吸引孔１０１を複数個設けたが、吸引孔１０１は１個でもよい。このように、吸引孔１０１を１個にした場合でも、導入孔１０２から吸引孔１０１に向かう気流は層流状態が維持され、異物は気流外に飛散することなく気流とともに移動して確実に吸引孔１０１に吸引される。

（他の実施形態）
なお、第１〜第５実施形態においては、対象ワークの形状に応じて、導入孔１０２の位置や数さらには傾斜角Ｒを変更することができる。例えば、図１３に示す第１変形例のように、導入孔１０２を２個設け、空間１００側からノズル部１０を見たとき導入孔１０２の空間側開口部１０２ａが吸引孔１０１の両側に位置するように導入孔１０２を配置し、傾斜角Ｒを３０°にしてもよい。

また、第１〜第５実施形態においては、対象ワークの形状に応じて、図１４に示す第２変形例のように、傾斜角Ｒを５０°にしてもよい。さらに、各導入孔１０２の傾斜角Ｒは同一角度でなくてもよく、気流同士がぶつかるのを回避できる範囲で、対象ワークの形状に応じて各導入孔１０２の傾斜角Ｒを異ならせてもよい。

さらに、第１〜第５実施形態においては、吸引孔１０１を複数個設け、導入孔１０２を1個設けてもよい。

また、上記各実施形態では、吸引孔１０１と第１通路３１とを吸引ノズル１の上面または下面にて接続したが、図１５に示す第３変形例のように、吸引ノズル１の形状に応じて、吸引孔１０１と第１通路３１とを吸引ノズル１の側面にて接続してもよい。

また、上記各実施形態（第３実施形態を除く）では、導入孔１０２の反空間側開口部１０２ｂを吸引ノズル１の上面または下面に配置したが、図１５に示す第３変形例のように、吸引ノズル１の形状に応じて、導入孔１０２の反空間側開口部１０２ｂを吸引ノズル１の側面に配置してもよい。

また、上記各実施形態では、吸引孔１０１および導入孔１０２の断面積を一定にしたが、図１６に示す第４変形例のように、吸引孔１０１および導入孔１０２は断面積が一定でなくてもよい。具体的には、図１６（ａ）に示すように、吸引孔１０１および導入孔１０２をともに段付き形状にしてもよいし、図１６（ｂ）に示すように、導入孔１０２のみを段付き形状にしてもよいし、図１６（ｃ）に示すように、導入孔１０２のみをテーパ形状にしてもよい。

なお、上記各実施形態は、実施可能な範囲で任意に組み合わせが可能である。

１ 吸引ノズル（吸引手段）
１０ ノズル部
９０ 半導体
１００ 空間
１０１ 吸引孔
１０２ 導入孔

Claims (8)

1. 半導体（９０）に付着した異物を吸引手段（１）により吸引除去する異物除去装置において、
   前記吸引手段（１）は、吸引時に前記半導体（９０）との間に空間（１００）を形成して前記半導体（９０）を覆うノズル部（１０）を備え、
   前記ノズル部（１０）には、複数の連通孔（１０１、１０２）が形成され、
   前記複数の連通孔（１０１、１０２）は、前記空間（１００）に気体を導く導入孔（１０２）と前記導入孔（１０２）を介して前記空間（１００）に流入した気体を吸引する吸引孔（１０１）とを有し、
   前記導入孔（１０２）および前記吸引孔（１０１）のうち、どちらか一方の連通孔は前記空間（１００）に対し複数の開口部（１０２ａ）を有し、他方の連通孔は前記空間（１００）に対し１つのみの開口部（１０１ａ）を有し、
   前記他方の連通孔の開口部（１０１ａ）は、複数形成された前記一方の連通孔の開口部（１０２ａ）に囲まれた位置に形成され、
   前記導入孔（１０２）から前記空間（１００）に流入した気体が同一旋回向きの渦流となって前記吸引孔（１０１）に吸引されることを特徴とする異物除去装置。
2. 前記空間（１００）側から前記ノズル部（１０）を見たときの、前記導入孔（１０２）から前記空間（１００）に流入する際の気体の流れ向きを流入時流れ向き（Ｌ１〜Ｌ８）としたとき、
   前記各導入孔（１０２）の流入時流れ向き（Ｌ１〜Ｌ８）の延長線が交差しないように、前記各導入孔（１０２）の流入時流れ向き（Ｌ１〜Ｌ８）が設定されていることを特徴とする請求項１に記載の異物除去装置。
3. 前記吸引孔（１０１）の通路断面積は、前記複数個の導入孔（１０２）の合計通路断面積以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の異物除去装置。
4. 半導体（９０）に付着した異物を吸引手段（１）により吸引除去する異物除去装置において、
   前記吸引手段（１）は、吸引時に前記半導体（９０）との間に空間（１００）を形成して前記半導体（９０）を覆うノズル部（１０）を備え、
   前記ノズル部（１０）には、前記空間（１００）に気体を導く１個の導入孔（１０２）と、前記導入孔（１０２）を介して前記空間（１００）に流入した気体を吸引する吸引孔（１０１）が形成されていることを特徴とする異物除去装置。
5. 前記吸引孔（１０１）は、前記導入孔（１０２）の周囲に複数個配置されていることを特徴とする請求項４に記載の異物除去装置。
6. 気体を加圧して前記導入孔（１０２）に供給する加圧手段（６）を備えることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の異物除去装置。
7. 吸引除去された異物の数量をカウントするパーティクルカウンタ（３６）を備えることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の異物除去装置。
8. 前記パーティクルカウンタ（３６）は、前記吸引孔（１０１）に吸引された気体を外部に排出させる排気装置を兼ねることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の異物除去装置。

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