JP2004319285A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】均一なプラズマ処理を行うことができると共に対向する電極の接触を防止して電極の破損を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】幅方向に長い複数の電極1、1を対向配置し、対向する電極1、1間にガスを導入すると共に対向する電極1、1間に電圧を印加することにより大気圧近傍の圧力下でプラズマ3を生成する。このプラズマ3を対向する電極1、1の間から吹き出して被処理物4の表面に供給するプラズマ処理装置に関する。対向する電極1、1の間隔を電極1の幅方向の略全長に亘って一定に保つためのギャップ間距離調整機構2を具備する。ギャップ間距離調整機構2により対向する電極1、1の間隔を電極1の幅方向の略全長に亘って一定に保つことができる。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被処理物の表面に存在する有機物等の異物のクリーニング、レジストの剥離やエッチング、有機フィルムの密着性の改善、金属酸化物の還元、成膜、めっき前処理、コーティング前処理、各種材料・部品の表面改質などの表面処理に利用されるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置に関するものであり、特に、精密な接合が要求される電子部品の表面のクリーニングに好適に応用されるものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、対向配置された電極間にガスを導入すると共にこの電極間に電圧を印加することにより大気圧近傍の圧力下で放電を発生させてプラズマ(放電ガス)を生成し、このプラズマを被処理物に供給することによって、被処理物にプラズマ処理を施すことが行われている。また、対向配置された電極間に電圧を印加すると、電極が互いに引き合って反ることになり、このために、電極間の間隔(ギャップ)が局所的(部分的)に変化して放電の状態が不安定になったり放電密度が異なってプラズマ処理にバラツキが生じたりすることがあるが、これを防止するために、電極を反りにくくする反り防止手段を設けることが行われている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−353000号公報(特許請求の範囲、図7〜11参照)
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献1に記載の発明は、対向する電極の間に被処理物を導入してプラズマ処理を行うものであり、対向する電極間で生成したプラズマを電極間から吹き出して被処理物に供給してプラズマ処理を行う吹き出し式のプラズマ処理装置には上記の反り防止手段のようなものが存在しなかった。
【0005】
上記のような吹き出し式のプラズマ処理装置では、対向する電極間から吹き出されるプラズマの流れが非常に重要であり、電極の間隔が局所的に不均一であると、プラズマが電極に対して傾きを持った方向に噴出され、結果として、被処理物にプラズマが均一に供給されなくなって不均一なプラズマ処理になる。特に、対向する電極間からのプラズマの吹き出し方向と平行な方向において、電極の間隔を一定にすることが、プラズマの方向性を一定に保つために重要である。さらに、電極の間隔が不均一であると、最悪の場合、両電極が接触して絶縁破壊し、電極が破壊されることもある。
【0006】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、均一なプラズマ処理を行うことができると共に対向する電極の接触を防止して電極の破損を防止することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に係るプラズマ処理装置は、幅方向に長い複数の電極1、1を対向配置し、対向する電極1、1間にガスを導入すると共に対向する電極1、1間に電圧を印加することにより大気圧近傍の圧力下でプラズマ3を生成し、このプラズマ3を対向する電極1、1の間から吹き出して被処理物4の表面に供給するプラズマ処理装置であって、対向する電極1、1の間隔を電極1の幅方向の略全長に亘って一定に保つためのギャップ間距離調整機構2を具備して成ることを特徴とするものである。
【0008】
また、本発明の請求項2に係るプラズマ処理装置は、請求項1に加えて、電極1を固定するための電極支持筐体22にギャップ間距離調整機構2として固定具41を設け、固定具41により電極1を引っ張ることにより電極支持筐体22に電極1を固定し、固定具41による電極1の引っ張り量を調整することにより対向する電極1、1の間隔を調整自在に形成して成ることを特徴とするものである。
【0009】
また、本発明の請求項3に係るプラズマ処理装置は、請求項2に加えて、電極1、1を押圧するための押圧具46をギャップ間距離調整機構2として電極支持筐体22に設け、押圧具46による電極1の押圧量を調整することにより対向する電極1、1の間隔を調整自在に形成して成ることを特徴とするものである。
【0010】
また、本発明の請求項4に係るプラズマ処理装置は、請求項2又は3に加えて、固定具41と押圧具46の少なくとも一方を、対向する電極1、1間からのプラズマ3の吹き出し方向と略平行な方向に複数個並設して成ることを特徴とするものである。
【0011】
本発明の請求項5に係るプラズマ処理方法は、請求項1乃至4のいずれかに記載のプラズマ処理装置を用いてプラズマ処理を行うことを特徴とするものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
【0013】
図4に本発明のプラズマ処理装置の一例を示す。このプラズマ処理装置は吹き出し式であって、電極支持筐体22に一対(二つ)の電極1、1を設けて形成される図1のようなプラズマ発生器21を排気カバー20で覆ったものである。
【0014】
電極1は銅、アルミニウム、真鍮、耐食性の高いステンレス鋼(SUS304など)、チタン、13クロム鋼、SUS410などの導電性の金属材料を用いて幅方向に長い略角棒状に形成されるものであって、その内部には冷却水を流通させるための流水路37が略全長に亘って設けられている。尚、図1において電極1の幅方向は紙面と直交する方向であって、本発明のプラズマ処理装置はこの幅方向と直交する方向に被処理物4を搬送しながらプラズマ処理を行うものである。
【0015】
また、電極1の表面にはアルミナ、チタニア、ジルコニアなどのセラミック材料の溶射法により誘電体被膜40が全面に亘って形成されている。また、誘電体被膜40には封孔処理を行うことが好ましい。封孔材料としてエポキシ系樹脂などの有機材料またはシリカなどの無機材料を用いることができる。このようなセラミック溶射被覆材料による誘電体被膜40として特に有効な材料はアルミナである。
【0016】
また、誘電体被膜40を形成するにあたって、シリカ、チタニア、アルミナ、酸化スズ、ジルコニアなどを原料とした無機質材料の釉薬を原料としてホーローコーティングを行うこともできる。上記の溶射法やホーローコーティングの場合、誘電体被膜40の厚みは0.1〜3mm、より好ましくは0.3〜1.5mmに設定することができる。誘電体被膜40の厚みが0.1mmよりも薄いと誘電体被膜40が絶縁破壊する可能性があり、3mmよりも厚いと、対向する電極1、1間に電圧が印加され難くなり、その結果として放電が不安定になる恐れがある。
【0017】
電極支持筐体22はステンレス鋼等の金属材料で電極1と同様に幅方向に長く形成されている。また、電極支持筐体22には上下に貫通するスリット状のガス流路36が形成されていると共にガス流路36を挟んで対向する電極支持筐体22の二つ内面には電極収容凹部27が設けられている。そして、各電極収容凹部27に上記の電極1を一つずつ収容するようにして電極支持筐体22に一対の電極1、1が設けられている。ここで、各電極1と電極支持筐体22との間には合成樹脂等で形成される絶縁性のスペーサ28が設けられており、これにより、電極1と電極支持筐体22との絶縁性が確保されている。また、電極支持筐体22に設けた一対の電極1、1はガス流路36を挟んで対向配置されるものであり、電極1、1間のガス流路36が放電空間5として形成されている。
【0018】
本発明のプラズマ処理装置は上記一対の対向する電極1、1の間隔を電極1の幅方向の略全長に亘って一定に保つためのギャップ間距離調整機構2を具備している。このギャップ間距離調整機構2は固定具41と押圧具46とで構成されている。固定具41はステンレス鋼等の金属製のボルトで形成されるものであって、図2に示すように、複数個の固定具41が電極1の幅方向と平行な方向に並べるようにして電極支持筐体22に設けられている。また、固定具41は電極支持筐体22の外側面から電極支持筐体22及びスペーサ28を略水平に貫通するように設けられており、これにより、固定具41の先部が電極収容凹部27内に突出されている。また、固定具41の外周には電極支持筐体22に設けた合成樹脂等の絶縁性のスリーブ44が装着されており、これにより、固定具41と電極支持筐体22とが絶縁されている。そして、電極収容凹部27内に突出した固定具41の先部を電極1に螺合することによって、電極1を固定具41で電極支持筐体22側に引っ張りながら電極支持筐体22に略水平に固定することができるものである。
【0019】
押圧具46は固定具41と同様にステンレス鋼等の金属製のボルトで形成されるものであって、図2に示すように、複数個の押圧具46が電極1の幅方向と平行な方向に並べるようにして電極支持筐体22に設けられている。また、押圧具46は電極支持筐体22の外側面から電極支持筐体22を略水平に貫通するように設けられており、これにより、押圧具46の先端が電極収容凹部27内に臨んでスペーサ28の側面に当接自在に形成されている。従って、押圧具46はスペーサ28を介して電極1を略水平に押圧することができるものである。
【0020】
上記のようなギャップ間距離調整機構2を用いて電極1、1は所定の間隔の放電空間5を介して略平行に対向配置されるものであるが、対向する一対の電極1、1の間隔(電極1、1の対向面に設けた誘電体被膜40間の間隔)は、0.2〜3mmにするのが好ましい。対向する電極1、1の間隔(ギャップ間距離)が上記の範囲を逸脱すると、均一なグロー状の放電を安定して生成することが難しくなる恐れがある。
【0021】
このプラズマ処置装置には図3に示すように、電極1に昇圧トランス48を介して電源47が電気的に接続されている。また、対向する一対の電極1、1は中点接地されていて、両電極1、1とも接地に対して浮いた状態で電圧を印加されているのが好ましい。このために、被処理物4と電極1との電位差が小さくなってアークの発生を防止することができ、アークによる被処理物4の損傷を防ぐことができるものである。
【0022】
さらに、本発明のプラズマ処理装置にはガスノズル23が具備されている。ガスノズル23は電極1の幅方向と略平行に長く形成されるものであって、ガスノズル23の下面にはスリット状のノズル口35がガスノズル23の幅方向の略全長に亘って形成されている。このガスノズル23は、ノズル口35を電極支持筐体22のガス流路36の上側開口に位置合わせした状態で電極支持筐体22の上側に配設されている。
【0023】
上記のように形成されるプラズマ処理装置を用いて、大気圧近傍の圧力下(93.3〜106.7kPa(700〜800Torr))で液晶パネルディスプレイ(LCD)用ガラス板などの平板状の被処理物4にプラズマ処理を施すにあたっては、次のようにして行う。まず、対向配置された一対の電極1、1の上方に設けたガスノズル23内にガスを導入すると共にガスノズル23内でガスを幅方向に流しながら徐々にノズル口35から吹き出すようにする。ここで、ガスはガスノズル23の幅方向の全長に亘って略均一に吹き出されるものである。
【0024】
本発明で用いるガスとしては、特に限定しなくても放電を安定して発生させることができるものであればよく、希ガス類も使用できるが、特に、大気圧下で放電開始電圧10kV/cm以上のガスが好ましい。放電開始電圧10kV/cm以上のガスとしては、窒素、酸素、水素、メタン、アンモニア、空気、水蒸気、各種有機モノマー、フッ素含有ガスなどの単独または混合ガスを例示できる。尚、本発明において、ガスの放電開始電圧は100kV/cm以下であることが好ましい。
【0025】
次に、ガスノズル23のノズル口35から吹き出されたガスは、ガス流路36に導入されてガス流路36内を上流(上側)から下流(下側)へと流れた後、対向する一対の電極1、1の間の放電空間5に上側開口から導入される。そして、対向する一対の電極1、1の間に電源47で電圧を印加して誘電体バリア放電を発生させると共に対向する一対の電極1、1の間に導入されたガス(分子)を対向する電極1、1間に印加された電界の作用により励起して活性種を生成するものであり、これにより、プラズマ(放電ガス)3が生成されるものである。このプラズマ3は対向する一対の電極1、1の間隙(放電空間5)の下流側開口からプラズマジェットとして吹き出されるものである。また、このプラズマ3は対向する一対の電極1、1の間隙の全長に亘ってカーテン状に吹き出すものである。
【0026】
上記のようにしてプラズマ発生器21でプラズマ3を発生させて吹き出すようにした後、図4に示すように、被処理物4をプラズマ発生器21の下流(下側)にXYテーブルなどの搬送手段50で搬送し、被処理物4の表面にプラズマ3を吹き付けて供給(曝露)することによって、被処理物4のプラズマ処理を行うことができる。このように被処理物4は電極1の幅方向と直交する方向で略水平に搬送されながらプラズマ処理されるものである。
【0027】
本発明を用いた上記のプラズマ処理において、電源47により対向する一対の電極1、1間に周波数が30〜500kHzの連続交番波形の電圧を印加するのが好ましく、また、電界強度が50〜200kV/cmの電圧を印加するのが好ましい。上記の連続交番波形とは、パルス波形のように対向する一対の電極1、1間に電圧が印加されない休止区間が生じるものではなく、連続して対向する一対の電極1、1間に電圧が印加されるような交番波形であって、例えば、正弦波の波形にすることができる。また、電極1、1間にパルス状の電圧波形を印加することもできる。パルス波形電圧とは休止区間を設けて規則的に一定の形状の電圧を繰り返し印加するものであり、例えば、立ち上がり時間および立ち下がり時間を100μsec以下、繰り返し周波数を0.5〜1000kHz、電極1、1間に印加される電界強度を0.5〜200kV/cmの波形を印加することで安定的に処理を行うことができる。また、対向する電極1、1の間隙(放電空間5)に供給されるガスの流速が5〜20m/秒となるようにするのが好ましい。このようなガスの流速を調整するにあたっては、対向する電極1、1の間隔やガスの流量などを調整するようにする。
【0028】
本発明のプラズマ処理装置において、電極1、1は互いに平行で対向させて配置されており、非放電時にはこの状態を維持しているが、電極1、1間に電圧を印加している放電時では、電極1、1の対向する面の近傍に電荷が蓄積されることになる。従って、電極1、1に蓄積された電荷のクーロン力により電極1、1が互いに引き合って電極1が反る(撓む)ことになり、これにより、電極1、1間の間隔が局所的に変化することがある。そこで、本発明ではギャップ間距離調整機構2の固定具41や押圧具46を操作することによって、放電時に対向する電極1、1間の間隔を電極1の幅方向の略全長に亘って一定に保つようにするものである。
【0029】
すなわち、電極1に対する固定具41の螺入深さを浅くして固定具41による電極1の引っ張り量を少なくしたり、押圧具46による電極1の押圧量を大きくしたりすることによって、電極支持筐体22からの電極1の離間量を大きくして電極1、1を互いに近づく方向に移動させることができ、また、電極1に対する固定具41の螺入深さを深くして固定具41による電極1の引っ張り量を多くしたり、押圧具46による電極1の押圧量を小さくしたり押圧しなかったりすることによって、電極支持筐体22からの電極1の離間量を小さくして電極1、1を互いに離れる方向に移動させることができるものである。このようにして本発明では固定具41と押圧具46の一方あるいは両方で電極1、1の間隔を調整することができるものである。
【0030】
そして、固定具41や押圧具46は電極1の幅方向に複数個並べて設けられているので、一部の固定具41や押圧具46を上記のように操作することによって、電極1、1の間隔を局所的(部分的)に変えることができるものであり、従って、電極1、1間に電圧を印加することにより、電極1の幅方向において電極1、1の間隔が局所的に狭くなったり広くなったりしても、ギャップ間距離調整機構2により対向する電極1、1の間隔を電極1の幅方向の略全長に亘って一定に調整して保つことができるものである。
【0031】
尚、本発明においては、対向する電極1、1の間隔の最も広い部分と最も狭い部分との差が0.02mm以内であれば、対向する電極1、1の間隔が電極1の幅方向の略全長に亘って略一定であり、好ましい。もちろん、対向する電極1、1の間隔の最も広い部分と最も狭い部分との差は0mmであるのが最も好ましい。
【0032】
図5に他の実施の形態を示す。このプラズマ処理装置では、ギャップ間距離調整機構2である固定具41と押圧具46の両方を、対向する電極1、1間からのプラズマ3の吹き出し方向と略平行な方向に複数個並設して形成されるものであり、その他の構成は図1のものと同様である。具体的には、複数個の固定具41と押圧具46とが電極1の幅方向に並んで形成される列を上下二段に設けたものであり、これにより、ガス流路36を流れるガスの流れ方向(上下方向)と略平行に複数個(二つ)の固定具41と押圧具46が並んで配置されるものである。
【0033】
このプラズマ処理装置においても上記と同様の操作を固定具41と押圧具46に行うことによって、対向する電極1、1の間隔を電極1の幅方向の略全長に亘って一定に保つことができるが、さらに、ガス流路36を流れるガスの流れ方向に並ぶ固定具41や押圧具46を操作することによって、ガスの流れ方向においても対向する電極1、1の間隔を一定に保つことができる。従って、図1のものに比べてガスの流れ方向(プラズマ3の吹き出し方向)が一定になり、プラズマ処理を極めて均一に行うことができるものである。
【0034】
尚、図5の実施の形態では、固定具41と押圧具46の両方を、電極1、1間からのプラズマ3の吹き出し方向と略平行な方向に並設した例を示したが、これに限らず、固定具41と押圧具46のいずれか一方のみを電極1、1間からのプラズマ3の吹き出し方向と略平行な方向に並設してもよい。
【0035】
本発明のプラズマ処理装置においては、対向する電極1、1の間隔を一定に保つためには電極支持筐体22の強度が大きいことも重要である。従って、電極1の上部のガス導入部分に「日」の字状または「目」の字状の金属治具を設置することも有効である。また、本発明のプラズマ処理装置において、電極1の個数は二つ以上であれば必要に応じて任意に設定することができる。また、対向する電極1、1からプラズマ3を吹き出すだけでなく、プラズマ3が生成された電極1、1の間に被処理物4を導入してプラズマ処理を行うようにしても良い。さらに、電圧の印加条件も上記のものには限定されず、例えば、印加電圧の周波数や波形形状、電界強度、ガス流速等は必要に応じて任意に設定することができる。
【0036】
【実施例】
以下本発明を実施例によって具体的に説明する。
【0037】
(実施例1)
図1に示すプラズマ処理装置を形成した。電極1は長さ1100mmのステンレス鋼製であり、電極1の表面に溶射法を用いて1mmの厚みでアルミナの層を形成して誘電体被膜40とした。また、電極1の内部には冷却水を循環した。このように形成される一対の電極1、1を未放電時において1mmの間隔を設けて対向配置した。また、未放電時においてガス流路36に上流側よりガスをガス流速が10m/秒となるように流した。ガスとしては窒素に対して酸素が体積比率で0.05%の濃度となるように混合したものを用いた。また、一対の電極1、1間に印加される電圧は周波数80kHzで電界強度100kV/cmで、その波形は正弦波の形状とした。このような条件で大気圧下でプラズマ3を生成し、電極1の下流側より5mm離れた位置で、被処理物4として液晶用ガラス板を8m毎分のスピードで通過させることによってプラズマ処理を行った。このようにプラズマ処理を行っている間、対向する電極1、1の間隔が幅方向の全長に亘って1±0.01mmとなるように、ギャップ間距離調整機構2で対向する電極1、1の間隔を一定に保った。この結果、未処理時に約50°であった被処理物4の水の接触角が1mの幅方向に対して約5°±10%となった。
【0038】
また、被処理物4としてアクリル樹脂で構成される液晶用カラーフィルターの表面を処理した場合、未処理では50°であった水の接触角が1mの幅方向に対して15°±10%まで改質された。
【0039】
(比較例1)
ギャップ間距離調整機構を設けないようにした以外は実施例1と同様にしてプラズマ処理装置を形成した。また、実施例1と同様の条件にて被処理物4のプラズマ処理を行った。この場合、プラズマ処理を行っている間、対向する電極1、1の間隔が幅方向の全長に亘って1±0.2mmとなった。そして、被処理物4が実施例1と同様の液晶用ガラス板の場合、プラズマ処理後の水の接触角が約10°±30%となり、被処理物4が実施例1と同様の液晶用カラーフィルターの場合、プラズマ処理後の水の接触角が30°±50%となり、いずれの場合も比較例1は実施例1に比べて、電極1の幅方向において均一なプラズマ処理を行うことができなかった。
【0040】
(実施例2)
図2に示すプラズマ処理装置を形成した。電極1は実施例1と同様に形成し、この一対の電極1、1を未放電時において0.5mmの間隔を設けて対向配置した。また、未放電時においてガス流路36に上流側よりガスをガス流速が10m/秒となるように流した。ガスとしては窒素に対して酸素とCFが体積比率でそれぞれ0.05%の濃度となるように混合したものを用いた。また、対向する一対の電極1、1間に印加される電圧は周波数300kHzで電界強度100kV/cmで、その波形は正弦波の形状とした。このような条件で大気圧下でプラズマ3を生成し、電極1の下流側より5mm離れた位置で、被処理物(液晶用ガラスにレジストを1μm塗布したサンプル)4を1m毎分のスピードで通過させることによってプラズマ処理を行った。このようにプラズマ処理を行っている間、対向する電極1、1の間隔が幅方向の全長に亘って0.5±0.01mmとなるようにギャップ間距離調整機構2で対向する電極1、1の間隔を一定に保った。この結果、レジストの厚みを1mの幅方向に対して3000ű10%にすることができた。但し、被処理物4は150℃に加熱した状態でプラズマ処理を行った。
【0041】
(比較例2)
ギャップ間距離調整機構を設けないようにした以外は実施例2と同様にしてプラズマ処理装置を形成した。また、実施例2と同様の条件にて被処理物4のプラズマ処理を行った。この場合、プラズマ処理を行っている間、対向する電極1、1の間隔が幅方向の全長に亘って0.5±0.2mmとなった。そして、実施例2と同様の被処理物4をプラズマ処理した場合、レジストの厚みが1mの幅方向に対して5000ű100%であった。すなわち、比較例2は実施例2に比べて、電極1の幅方向において均一なプラズマ処理を行うことができなかった。
【0042】
【発明の効果】
上記のように本発明の請求項1の発明は、幅方向に長い複数の電極を対向配置し、対向する電極間にガスを導入すると共に対向する電極間に電圧を印加することにより大気圧近傍の圧力下でプラズマを生成し、このプラズマを対向する電極の間から吹き出して被処理物の表面に供給するプラズマ処理装置であって、対向する電極の間隔を電極の幅方向の略全長に亘って一定に保つためのギャップ間距離調整機構を具備するので、ギャップ間距離調整機構により対向する電極の間隔を電極の幅方向の略全長に亘って一定に保つことができ、被処理物にプラズマを均一に供給することができて均一なプラズマ処理を行うことができるものであり、しかも、対向する電極の接触を防止して電極の破損を防止することができるものである。
【0043】
本発明の請求項2に係る発明は、電極を固定するための電極支持筐体にギャップ間距離調整機構として固定具を設け、固定具により電極を引っ張ることにより電極支持筐体に電極を固定し、固定具による電極の引っ張り量を調整することにより対向する電極の間隔を調整自在に形成するので、固定具により電極の引っ張り量を調整することによって、対向する電極の間隔を電極の幅方向の略全長に亘って一定に保つことができ、被処理物にプラズマを均一に供給することができて均一なプラズマ処理を行うことができるものであり、しかも、対向する電極の接触を防止して電極の破損を防止することができるものである。
【0044】
本発明の請求項3に係る発明は、電極を押圧するための押圧具をギャップ間距離調整機構として電極支持筐体に設け、押圧具による電極の押圧量を調整することにより対向する電極の間隔を調整自在に形成するので、押圧具により電極の押圧量を調整することによって、対向する電極の間隔を電極の幅方向の略全長に亘って一定に保つことができ、被処理物にプラズマを均一に供給することができて均一なプラズマ処理を行うことができるものであり、しかも、対向する電極の接触を防止して電極の破損を防止することができるものである。
【0045】
本発明の請求項4に係る発明は、固定具と押圧具の少なくとも一方を、対向する電極間からのプラズマの吹き出し方向と略平行な方向に複数個並設するので、固定具と押圧具の少なくとも一方を用いることによって、プラズマの吹き出し方向において電極の間隔を一定に保つことができ、プラズマの吹き出し方向が一定になってプラズマ処理をさらに均一に行うことができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態の一例を示す概略の断面図である。
【図2】同上のギャップ間距離調整機構の一部を示す概略の側面図である。
【図3】同上の回路の一例を示す概略図である。
【図4】同上の動作を示す概略の断面図である。
【図5】同上の他の実施の形態の一例を示す概略の断面図である。
【図6】同上のギャップ間距離調整機構の一部を示す概略の側面図である。
【符号の説明】
1 電極
2 ギャップ間距離調整機構
3 プラズマ
4 被処理物
22 電極支持筐体
41 固定具
46 押圧具

Claims (5)

  1. 幅方向に長い複数の電極を対向配置し、対向する電極間にガスを導入すると共に対向する電極間に電圧を印加することにより大気圧近傍の圧力下でプラズマを生成し、このプラズマを対向する電極の間から吹き出して被処理物の表面に供給するプラズマ処理装置であって、対向する電極の間隔を電極の幅方向の略全長に亘って一定に保つためのギャップ間距離調整機構を具備して成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 電極を固定するための電極支持筐体にギャップ間距離調整機構として固定具を設け、固定具により電極を引っ張ることにより電極支持筐体に電極を固定し、固定具による電極の引っ張り量を調整することにより対向する電極の間隔を調整自在に形成して成ることを特徴とする請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  3. 電極を押圧するための押圧具をギャップ間距離調整機構として電極支持筐体に設け、押圧具による電極の押圧量を調整することにより対向する電極の間隔を調整自在に形成して成ることを特徴とする請求項2に記載のプラズマ処理装置。
  4. 固定具と押圧具の少なくとも一方を、対向する電極間からのプラズマの吹き出し方向と略平行な方向に複数個並設して成ることを特徴とする請求項2又は3に記載のプラズマ処理装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれかに記載のプラズマ処理装置を用いてプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006286325A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2006299361A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Dainippon Printing Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2006302653A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Univ Nagoya 表面改質装置
JP2006316299A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Dainippon Printing Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2007080688A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置の電極構造
JP2007080689A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置の電極構造
WO2007138848A1 (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 貼り合わせウエーハの製造方法
JP2008047527A (ja) * 2006-08-10 2008-02-28 Semes Co Ltd プラズマ生成ユニット、及びこれを具備する基板処理処置と基板処理方法
JP2009129666A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Seiko Epson Corp 基板の表面処理方法及びプラズマ処理装置
WO2011027515A1 (ja) * 2009-09-02 2011-03-10 積水化学工業株式会社 シリコン含有膜のエッチング方法
JP2013530489A (ja) * 2010-04-30 2013-07-25 エージーシー グラス ユーロップ Dbdプラズマ法のための電極
JP2013216947A (ja) * 2012-04-10 2013-10-24 Kojima Press Industry Co Ltd プラズマcvd装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05214131A (ja) * 1992-02-04 1993-08-24 Toray Ind Inc プラスチックフィルムの放電処理装置
JP2001087643A (ja) * 1999-09-22 2001-04-03 Pearl Kogyo Kk プラズマ処理装置
JP2001096208A (ja) * 1999-09-29 2001-04-10 Tokyo Kakoki Kk 薬液噴射装置
JP2001288575A (ja) * 2000-01-31 2001-10-19 Canon Inc 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法
JP2003338399A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置
JP2004111385A (ja) * 2002-08-30 2004-04-08 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05214131A (ja) * 1992-02-04 1993-08-24 Toray Ind Inc プラスチックフィルムの放電処理装置
JP2001087643A (ja) * 1999-09-22 2001-04-03 Pearl Kogyo Kk プラズマ処理装置
JP2001096208A (ja) * 1999-09-29 2001-04-10 Tokyo Kakoki Kk 薬液噴射装置
JP2001288575A (ja) * 2000-01-31 2001-10-19 Canon Inc 堆積膜形成装置および堆積膜形成方法
JP2003338399A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Sekisui Chem Co Ltd 放電プラズマ処理装置
JP2004111385A (ja) * 2002-08-30 2004-04-08 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置

Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4495023B2 (ja) * 2005-03-31 2010-06-30 積水化学工業株式会社 プラズマ処理装置
JP2006286325A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2006302653A (ja) * 2005-04-20 2006-11-02 Univ Nagoya 表面改質装置
JP4684725B2 (ja) * 2005-04-20 2011-05-18 国立大学法人名古屋大学 親水性処理装置
JP2006299361A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Dainippon Printing Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2006316299A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Dainippon Printing Co Ltd 成膜装置及び成膜方法
JP2007080689A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置の電極構造
JP2007080688A (ja) * 2005-09-14 2007-03-29 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置の電極構造
US7776719B2 (en) 2006-05-29 2010-08-17 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for manufacturing bonded wafer
JP2007317988A (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd 貼り合わせウエーハの製造方法
WO2007138848A1 (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 貼り合わせウエーハの製造方法
US7963248B2 (en) 2006-08-10 2011-06-21 Semes Co. Ltd Plasma generator, substrate treating apparatus including the same and substrate treating method
JP2008047527A (ja) * 2006-08-10 2008-02-28 Semes Co Ltd プラズマ生成ユニット、及びこれを具備する基板処理処置と基板処理方法
CN101123843B (zh) * 2006-08-10 2012-06-27 细美事有限公司 等离子体发生器、包括它的基材处理装置及基材处理方法
JP4582140B2 (ja) * 2007-11-22 2010-11-17 セイコーエプソン株式会社 基板の表面処理方法
JP2009129666A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Seiko Epson Corp 基板の表面処理方法及びプラズマ処理装置
WO2011027515A1 (ja) * 2009-09-02 2011-03-10 積水化学工業株式会社 シリコン含有膜のエッチング方法
CN102498550A (zh) * 2009-09-02 2012-06-13 积水化学工业株式会社 用于蚀刻含硅膜的方法
JP5002073B2 (ja) * 2009-09-02 2012-08-15 積水化学工業株式会社 シリコン含有膜のエッチング方法
KR101200139B1 (ko) 2009-09-02 2012-11-13 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 실리콘 함유막의 에칭 방법
CN102498550B (zh) * 2009-09-02 2014-07-16 积水化学工业株式会社 用于蚀刻含硅膜的方法
JP2013530489A (ja) * 2010-04-30 2013-07-25 エージーシー グラス ユーロップ Dbdプラズマ法のための電極
JP2013216947A (ja) * 2012-04-10 2013-10-24 Kojima Press Industry Co Ltd プラズマcvd装置

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