KR20120084898A - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
본 발명은 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 처리공간 상측에 설치되어 처리공간으로 가스를 분사하는 가스공급부와; 상기 공정챔버에 설치되어 기판처리될 기판을 직접 또는 기판이 안착된 트레이를 지지하는 기판지지부를 포함하는 기판처리장치로서, 상기 가스공급부는 가스공급장치와 연결되어 기판처리를 위한 공정가스를 공급받아 1차로 확산시키는 제1확산공간과, 상기 제1확산공간에 의하여 확산된 가스를 공급받아 2차로 확산시켜 상기 처리공간으로 분사시키는 제2확산공간을 가지며, 상기 공정챔버의 내부를 세정하기 위한 세정가스는 세정가스공급장치로부터 상기 제2확산공간으로 직접 전달되어 상기 처리공간으로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법 {Substrate processing apparatus, and substrate processing method}
본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
기판처리장치는 식각, 증착 등 소정의 기판처리를 수행하는 장치로서, 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와, 공정챔버 내에 설치되어 처리공간 내에 처리가스를 공급하는 가스공급부와, 공정챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 기판지지부를 포함하여 구성됨이 일반적이다.
한편 기판처리장치는 기판처리 공정을 반복하면서 부산물인 폴리머 등의 파티클이 공정챔버 내에 쌓이거나 퇴적되는데, 이러한 파티클은 공정 수행시 공정챔버의 내벽에서 박리되어 기판에 얼룩을 형성하는 문제점을 야기한다.
따라서 종래의 기판처리장치는 공정챔버 내에 퇴적된 파티클을 제거하는 세정공정을 주기적으로 수행하고 있다.
그런데 공정챔버에 퇴적되는 파티클은 그 물질의 종류에 따라서 공정챔버의 내벽 등에 견고하게 퇴적됨에 따라서 종래의 세정공정에 의한 경우 파티클이 충분히 제거되지 않아 기판처리에 영향을 미치거나, 충분한 파티클 제거를 위한 세정공정을 위한 시간이 증가하여 전체 공정시간을 증가시키는 문제점을 야기하고 있다.
특히 종래의 기판처리장치가 LF전원을 사용하여 증착공정을 수행하는 경우 HF전원 또는 VHF전원을 사용하는 공정에 비하여 공정챔버의 내벽 등에 파티클이 보다 견고하게 형성되는바 종래의 세정방법으로는 충분히 제거하지 못하는 문제점을 가지고 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 기판처리장치를 세정하기 위한 방법으로서, RPG(Remote plasma generator)를 이용한 세정방법이 있다.
그러나 기판처리장치의 구성에 있어서 복수의 확산공간들을 구비하는 가스공급부, 즉 샤워헤드의 경우 원격플라즈마(Remote plasma)가 확산공간을 순차적으로 통과하면서 라디칼 에너지를 상실하여 세정효과를 저감시키는 문제점이 있다.
더 나아가 RPG를 이용하지 않고 세정가스를 사용할 때에도 복수의 확산공간들을 구비하는 가스공급부, 즉 샤워헤드의 경우 가스공급부의 확산공간 내에 세정가스가 잔류하여 후속하는 기판처리에 영향을 미치는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 2개 이상의 확산공간을 가지는 가스공급부에서 처리공간으로 분사하는 확산공간으로 세정가스를 직접 공급함으로써 세정가스의 라이칼에너지의 손실을 최소화하여 기판처리장치에 대한 세정효과를 극대화할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 2개 이상의 확산공간을 가지는 가스공급부에서 처리공간으로 분사하는 확산공간으로 세정가스를 직접 공급함으로써 세정가스가 가스공급부에 잔류하는 양을 최소화하여 후속되는 기판처리에 대한 영향을 최소화하는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 처리공간 상측에 설치되어 처리공간으로 가스를 분사하는 가스공급부와; 상기 공정챔버에 설치되어 기판처리될 기판을 직접 또는 기판이 안착된 트레이를 지지하는 기판지지부를 포함하는 기판처리장치로서, 상기 가스공급부는 가스공급장치와 연결되어 기판처리를 위한 공정가스를 공급받아 1차로 확산시키는 제1확산공간과, 상기 제1확산공간에 의하여 확산된 가스를 공급받아 2차로 확산시켜 상기 처리공간으로 분사시키는 제2확산공간을 가지며, 상기 공정챔버의 내부를 세정하기 위한 세정가스는 세정가스공급장치로부터 상기 제2확산공간으로 직접 전달되어 상기 처리공간으로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
상기 제1확산공간은 복수개의 확산공간들을 포함하며, 상기 복수개의 확산공간들은 순차적으로 공정가스를 확산시키거나, 공정가스들 각각을 공급받아 확산시킨 후 제2확산공간으로 전달할 수 있다.
상기 가스공급부는 상기 제1확산공간을 형성함과 아울러 상기 제2확산공간으로 가스가 공급되도록 다수의 가스확산공들이 형성된 확산플레이트와; 상기 확산플레이트의 저면과 함께 상기 제2확산공간을 형성함과 아울러 상기 처리공간으로 가스가 분사되도록 다수의 가스분사공들이 형성되는 분사플레이트를 포함할 수 있다.
상기 제1확산공간은 상기 공정챔버를 형성하는 상부리드와 함께 상기 확산플레이트에 의하여 형성될 수 있다.
상기 세정가스공급장치와 연결되어 세정가스를 라디칼화하여 상기 제2확산공간으로 전달하는 원격플라즈마발생장치를 포함할 수 있다.
상기 세정가스는 불소 또는 염소를 포함할 수 있다.
상기 세정가스는 NF3, C2F6, CF4, F2, CHF3, SF6 및 Cl2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 기판처리는 증착공정인 것이 바람직하다.
본 발명은 또한 상기 기판처리장치의 기판처리방법으로서, 기판처리를 위한 공정가스는 상기 제1확산공간으로 공급되어 1차로 확산된 후 상기 제2확산공간으로 전달되어 2차로 확산된 후 상기 처리공간으로 분사되는 공정수행단계와; 상기 공정수행단계의 수행 후에 미리 정해진 주기 또는 사용자의 조작에 의하여 상기 공정챔버의 내부의 세정을 수행하는 세정단계를 포함하며, 상기 세정단계는 세정가스가 상기 제2확산공간으로 직접 전달되어 확산된 후 상기 처리공간으로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 기판처리방법을 개시한다.
상기 세정단계는 세정가스가 원격플라즈마장치에 의하여 라디칼화된 후에 상기 제2확산공간으로 직접 전달되어 확산된 후 상기 처리공간으로 분사되어 상기 공정챔버의 내부가 세정되는 RPG세정단계를 포함할 수 있다.
상기 세정단계는 세정가스가 상기 제2확산공간으로 직접 전달되고 상기 제2확산공간에서 확산되어 상기 처리공간으로 분사된 후 상기 처리공간에서 플라즈마화되어 상기 공정챔버의 내부가 세정되는 직접세정단계를 포함할 수 있다.
상기 세정단계는 세정가스가 원격플라즈마장치에 의하여 라디칼화된 후에 상기 제2확산공간으로 직접 전달되어 확산된 후 상기 처리공간으로 분사되어 상기 공정챔버의 내부가 세정되는 RPG세정단계; 및 세정가스가 상기 제2확산공간으로 직접 전달되고 상기 제2확산공간에서 확산되어 상기 처리공간으로 분사된 후 상기 처리공간에서 플라즈마화되어 상기 공정챔버의 내부가 세정되는 직접세정단계를 포함하며, 상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 서로 조합하여 수행되거나, 동시에 수행되거나, 서로 조합하여 수행됨과 아울러 일부 시간 동안 동시에 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은 복수개의 확산공간들을 가지는 가스공급부에서 처리공간으로 분사되는 확산공간에 직접 공급하여 처리공간으로 분사함으로써 가스공급부에 잔류하는 세정가스의 양을 최소화하여 후속 기판처리에 대한 영향을 최소화할 수 있다.
더 나아가 세정가스가 원격플라즈마발생장치를 거쳐 라디칼화된 후에 확산공간으로 전달될 때 처리공간으로 분사되는 확산공간에 직접 공급하여 처리공간으로 분사함으로써 세정가스의 라디칼 에너지의 손실을 최소화하여 공정챔버에 대한 세정효과를 극대화할 수 있다.
또한 상기 세정가스의 라디칼 에너지의 손실을 최소화되고 세정효과가 극대화됨으로써 세정가스의 용량, 파워사용량을 최소화하여 전체 기판처리비용을 현저히 절감할 수 있는 이점이 있다.
또한 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은 세정가스가 거치는 확산공간을 최소화함으로써 세정가스의 사용량을 최소화하여 전체 기판처리비용을 현저히 절감할 수 있는 이점이 있다.
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저 본 발명에 따른 기판처리장치는 증착공정, 식각공정 등 기판처리, 다양한 구성이 가능하며 예를 들어 간단히 설명하면 다음과 같다.
상기 기판처리장치는 일 예로서, 도 1에 도시된 바와 같이, 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(110)와, 공정챔버(110)에 설치되어 처리공간(S)으로 가스를 공급하는 가스공급부(150)와, 공정챔버(110)에 설치되어 기판(10)을 지지하는 기판지지부(130)를 포함하여 구성될 수 있다. 여기서 기판처리의 대상인 기판(10)은 LCD패널용 유리기판, 반도체 웨이퍼, 태양전지기판 등이 될 수 있다.
상기 공정챔버(110)는 처리공간(S)을 형성하기 위한 구성으로서, 다양한 구성이 가능하며, 도 1에 도시된 바와 같이, 상측이 개방되며 하나 이상의 게이트(101, 102)가 형성된 챔버본체(112)와 챔버본체(112)와 탈착가능하게 결합되는 상부리드(111)를 포함하여 구성될 수 있다.
상기 기판지지부(130)는 기판(10)을 지지하기 위한 구성으로서, 설계조건 및 공정조건에 따라서 다양한 구성이 가능하다. 이때 기판(10)이 복수개로 트레이(20)에 적재되어 이송되는 경우 기판지지부(130)는 트레이(20)를 지지할 수 있다.
또한 상기 기판지지부(130)는 공정수행을 위하여 기판(10)을 가열하기 위한 히터(131)가 설치될 수 있으며, 히터로만 구성될 수 있다. 이때 기판지지부(130)를 구성하는 히터는 일체로 구성되거나 복수개로 히터들로 분할되어 설치될 수 있다.
한편 상기 기판처리장치는 공정수행을 위하여 전원이 인가될 수 있는데 이 경우 그 전원인가방식에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 일 예로서, 상기 가스공급부(150)에 RF전원 또는 LF전원을 인가하여 상부전원을 구성하고, 기판지지부(130)를 접지시킴으로써 하부전원을 구성할 수 있다.
상기 가스공급부(150)는 공정을 수행할 수 있도록 처리공간(S)의 상측에 설치되어 가스공급장치(미도시)로부터 공정가스를 공급받아 복수개의 확산공간(DA1, DA2)들을 거쳐 공정가스를 확산시켜 처리공간(S)으로 공급하기 위한 구성으로서, 공정 및 가스공급방식에 따라서 다양한 구성이 가능하다.
예를 들면 상기 가스공급부(150)는 도 1에 도시된 바와 같이, 가스공급장치와 연결되어 기판처리를 위한 공정가스를 공급받아 1차로 확산시키는 제1확산공간(DA1)과, 제1확산공간(DA1)에 의하여 확산된 가스를 공급받아 2차로 확산시켜 처리공간(S)으로 분사시키는 제2확산공간(DA2)를 포함할 수 있다.
여기서 상기 가스공급부(150)는 가스공급장치와 하나 이상의 가스공급관(②)들과 연결될 수 있다.
상기 제1확산공간(DA1) 및 제2확산공간(DA2)은 처리공간(S)으로 균일하게 분사될 수 있도록 공정가스를 순차적으로 확산시키기 위한 공간들로서 공정가스의 종류, 가스공급부(150)의 구성에 따라서 다양한 구성이 가능하다. 여기서 제1확산공간(DA1)은 공정가스의 수 및 확산정도에 따라서 복수개로도 구성이 가능하다.
상기와 같이 제1확산공간(DA1) 및 제2확산공간(DA2)을 가지는 가스공급부(150)는 일예로서, 제1확산공간(DA1)을 형성함과 아울러 제2확산공간(DA2)으로 가스가 공급되도록 다수의 가스확산공(151a)들이 형성된 확산플레이트(151)와; 확산플레이트(151)의 저면과 함께 제2확산공간(DA2)을 형성함과 아울러 처리공간(S)으로 가스가 공급되도록 다수의 가스분사공(152a)들이 형성되는 분사플레이트(152)를 포함하여 구성될 수 있다.
이때 상기 제1확산공간(DA1)은 공정챔버(110)를 형성하는 상부리드(111)와 함께 확산플레이트(151)에 의하여 형성될 수 있다.
한편 상기 가스공급부(150)는 공정챔버(110)의 내부를 세정하기 위한 세정가스가 세정가스공급장치(미도시)로부터, 처리공간(S)으로 가스를 분사하는 확산공간, 즉 제2확산공간(DA2)으로 직접 전달되어 처리공간(S)으로 분사됨을 특징으로 한다. 여기서 상기 제2확산공간(DA2)은 세정가스공급장치와 하나 이상의 세정가스공급관(①)들과 연결될 수 있다.
이때 상기 가스공급부(150)는 제2확산공간(DA2)이 세정가스공급장치와 연결되어 세정가스가 제1확산공간(DA1)를 거치지 않고 직접 전달되도록 구성된다.
또한 상기 기판처리장치는 세정가스공급장치(미도시)와 연결되어 세정가스를 라디칼화하여 제2확산공간(DA2)으로 전달하는 원격플라즈마발생장치를 포함할 수 있다.
상기 세정가스는 불소 또는 염소를 포함하는 가스인 것이 바람직하며, NF3, C2F6, CF4, F2, CHF3, SF6 및 Cl2 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
한편 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법은 기판처리공정 수행 중에 챔버의 배기에 의하여 처리공간의 압력이 충분히 낮기 때문에 제2확산공간에서 공정가스가 세정가스공급관(①)으로 역류할 가능성은 매우 낮다.
또한 세정가스가 세정가스공급관(①)으로 소량 역류하더라도 세정공정 수행 전에 Ar과 같은 비활성 가스를 세정가스공급관(①)을 통하여 먼저 흘려줌으로써 공정가스를 제거하여 세정공정을 원활하게 수행할 수 있다.
또한 세정가스공급관(①)을 통한 공정가스의 역류를 방지하기 위하여 세정가스공급관(①)을 통하여 지속적으로 Ar과 같은 비활성 가스를 흘려주거나 세정가스공급관(①)의 입구 또는 출구단에 밸브를 설치하여 역류를 방지할 수 있다.
이하 상기와 같은 구성을 가지는 기판처리장치의 기판처리방법에 관하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 기판처리장치는 기판처리를 위한 공정조건에 맞춰 공정가스가 가스공급부(150)를 통하여 주입됨과 아울러 소정의 전원을 인가하면서 기판처리를 수행, 즉 기판처리를 위한 공정가스가 제1확산공간(DA1)으로 공급되어 1차로 확산된 후 제2확산공간(DA2)으로 전달되어 2차로 확산된 후 처리공간(S)으로 분사되는 공정수행단계를 수행한다.
한편 상기 기판처리장치는 공정수행단계의 수행 후에 미리 정해진 주기 또는 사용자의 조작에 의하여 공정챔버(110)의 내부의 세정을 수행하는 세정단계가 수행된다.
이때 상기 세정단계는 세정가스가 제1확산공간(DA1)을 거치지 않고 제2확산공간(DA2)으로 직접 전달되어 확산된 후 처리공간(S)으로 분사된다.
또한 상기 세정단계는 세정가스가 원격플라즈마장치에 의하여 라디칼화된 후에 제2확산공간(DA2)으로 직접 전달되어 확산된 후 처리공간(S)으로 분사되어 공정챔버(110)의 내부가 세정되는 RPG세정단계를 포함할 수 있다.
또한 상기 세정단계는 세정가스가 제2확산공간(DA2)으로 직접 전달되고 제2확산공간(DA2)에서 확산되어 처리공간(S)으로 분사된 후 처리공간(S)에서 플라즈마화되어 공정챔버(110)의 내부가 세정되는 직접세정단계를 포함할 수 있다.
여기서 상기 세정단계는 RPG세정단계 및 직접세정단계를 모두를 포함하고, RPG세정단계 및 직접세정단계는 서로 조합하여 수행되거나, 동시에 수행되거나, 서로 조합하여 수행됨과 아울러 일부 시간 동안 동시에 수행되는 등 다양하게 수행될 수 있다.
도 1에서 설명되지 않은 도면부호 180은 진공펌프와 연결되는 배기관을 가리킨다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께 하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
110 : 공정챔버 130 : 기판지지부
150 : 가스공급부
DA1 : 제1확산공간 DA2 : 제2확산공간

Claims (12)

  1. 밀폐된 처리공간을 형성하는 공정챔버와; 상기 처리공간 상측에 설치되어 처리공간으로 가스를 분사하는 가스공급부와; 상기 공정챔버에 설치되어 기판처리될 기판을 직접 또는 기판이 안착된 트레이를 지지하는 기판지지부를 포함하는 기판처리장치로서,
    상기 가스공급부는 가스공급장치와 연결되어 기판처리를 위한 공정가스를 공급받아 1차로 확산시키는 제1확산공간과, 상기 제1확산공간에 의하여 확산된 가스를 공급받아 2차로 확산시켜 상기 처리공간으로 분사시키는 제2확산공간을 가지며,
    상기 공정챔버의 내부를 세정하기 위한 세정가스는 세정가스공급장치로부터 상기 제2확산공간으로 직접 전달되어 상기 처리공간으로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1확산공간은 복수개의 확산공간들을 포함하며, 상기 복수개의 확산공간들은 순차적으로 공정가스를 확산시키거나, 공정가스들 각각을 공급받아 확산시킨 후 제2확산공간으로 전달하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 가스공급부는
    상기 제1확산공간을 형성함과 아울러 상기 제2확산공간으로 가스가 공급되도록 다수의 가스확산공들이 형성된 확산플레이트와;
    상기 확산플레이트의 저면과 함께 상기 제2확산공간을 형성함과 아울러 상기 처리공간으로 가스가 분사되도록 다수의 가스분사공들이 형성되는 분사플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1확산공간은 상기 공정챔버를 형성하는 상부리드와 함께 상기 확산플레이트에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 세정가스공급장치와 연결되어 세정가스를 라디칼화하여 상기 제2확산공간으로 전달하는 원격플라즈마발생장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 세정가스는 불소 또는 염소를 포함하는 가스인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 세정가스는 NF3, C2F6, CF4, F2, CHF3, SF6 및 Cl2 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판처리는 증착공정인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 1에 따른 기판처리장치의 기판처리방법으로서,
    기판처리를 위한 공정가스는 상기 제1확산공간으로 공급되어 1차로 확산된 후 상기 제2확산공간으로 전달되어 2차로 확산된 후 상기 처리공간으로 분사되는 공정수행단계와;
    상기 공정수행단계의 수행 후에 미리 정해진 주기 또는 사용자의 조작에 의하여 상기 공정챔버의 내부의 세정을 수행하는 세정단계를 포함하며,
    상기 세정단계는 세정가스가 상기 제2확산공간으로 직접 전달되어 확산된 후 상기 처리공간으로 분사되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 기판처리방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 세정단계는 세정가스가 원격플라즈마장치에 의하여 라디칼화된 후에 상기 제2확산공간으로 직접 전달되어 확산된 후 상기 처리공간으로 분사되어 상기 공정챔버의 내부가 세정되는 RPG세정단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 기판처리방법.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 세정단계는 세정가스가 상기 제2확산공간으로 직접 전달되고 상기 제2확산공간에서 확산되어 상기 처리공간으로 분사된 후 상기 처리공간에서 플라즈마화되어 상기 공정챔버의 내부가 세정되는 직접세정단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 기판처리방법.
  12. 청구항 9에 있어서,
    상기 세정단계는 세정가스가 원격플라즈마장치에 의하여 라디칼화된 후에 상기 제2확산공간으로 직접 전달되어 확산된 후 상기 처리공간으로 분사되어 상기 공정챔버의 내부가 세정되는 RPG세정단계; 및 세정가스가 상기 제2확산공간으로 직접 전달되고 상기 제2확산공간에서 확산되어 상기 처리공간으로 분사된 후 상기 처리공간에서 플라즈마화되어 상기 공정챔버의 내부가 세정되는 직접세정단계를 포함하며,
    상기 RPG세정단계 및 상기 직접세정단계는 서로 조합하여 수행되거나, 동시에 수행되거나, 서로 조합하여 수행됨과 아울러 일부 시간 동안 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치의 기판처리방법.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2014123708A1 (en) * 2013-02-08 2014-08-14 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
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KR20200043686A (ko) * 2018-10-18 2020-04-28 세메스 주식회사 기판처리장치

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