KR100785164B1 - 다중 출력 원격 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 기판 처리시스템 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (23)
- 하나 이상의 가스 입구;다수개의 가스 출구;중공의 환형 상부 방전관과 중공의 환형 하부 방전관 그리고 상부 방전관과 하부 방전관 사이에 연결되는 다수개의 중공의 방전 브리지를 포함하여 다수개의 플라즈마 방전 패스가 이웃하여 형성되도록 구조화되며, 하나 이상의 가스 입구와 다수개의 가스 출구 사이에 연결되는 플라즈마 방전관;다수개의 플라즈마 방전 루프에 쇄교하도록 플라즈마 방전관에 장착되는 다수개의 페라이트 코어; 및다수개의 페라이트 코어에 각기 감겨지는 다수개의 유도 코일을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제1 항에 있어서, 상기 가스 출구는 이웃하는 두 개의 방전 브리지 사이의 영역에 배치되도록 하부 방전관에 연결되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제2 항에 있어서, 상기 페라이트 코어는 상부 방전관과 하부 방전관 그리고 이웃하는 두 개의 방전 브리지에 의해서 형성되는 하나의 플라즈마 방전 패스에 쇄교하도록 플라즈마 방전관에 장착되되,상부 방전관, 하부 방전관 또는 이웃하는 두 개의 방전 브리지 중 어느 하나에 장착되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제1 항에 있어서, 상기 다수개의 유도 코일들은 전원 공급원에 직렬, 병렬, 직렬과 병렬의 혼합 방식 중 어느 하나의 방식으로 연결되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제1 항에 있어서, 상기 다수개의 유도 코일들은 두 개 이상의 독립된 전원 공급원으로 나뉘어 연결되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 방전관은 냉각수 공급 라인을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 방전관은 전도성 금속과 방전관내에 전기적 불연속성을 형성하는 하나 이상의 유전체 영역을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제7 항에 있어서, 상기 유전체 영역은 플라즈마 방전관을 둘 이상의 영역으 로 분리하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제2 항에 있어서, 상기 상부 방전관에는 다수개의 가스 입구가 방사형으로 배치되고,상기 다수개의 가스 입구를 통해 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고, 가스 공급 유닛은: 가스 공급원에 연결되는 가스 입력관; 및 일단이 가스 입력관에 공통으로 연결되고 타단이 상부 방전관의 다수개의 가스 입구에 각기 연결되어 방사형 배치 구조를 갖는 다수개의 가스 공급 채널을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 다수개의 가스 입구를 구비한 기판 처리 챔버;기판 처리 챔버의 내부에 설치되며, 다수개의 가스 입구에 각기 연결되는 다수개의 가스 샤워 헤드;다수개의 가스 입구로 플라즈마 가스를 입력하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기, 다중 출력 원격 플라즈마 발생기는: 적어도 하나의 가스 입구; 다수개의 가스 출구; 하나 이상의 가스 입구와 다수개의 가스 출구 사이에 연결되며 다수개의 플라즈마 방전 패스가 이웃하여 형성되도록 구조화된 플라즈마 방전관; 다수개의 플라즈마 방전 루프에 쇄교하도록 플라즈마 방전관에 장착되는 다수개의 페라이트 코어; 및 다수개의 페라이트 코어에 각기 감겨지는 다수개의 유도 코일을 포함하고; 및다중 출력 원격 플라즈마 발생기로 공정 가스를 공급하기 위한 다수개의 가스 공급 채널을 구비한 가스 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 시스템.
- 제10 항에 있어서, 상기 기판 처리 챔버는 하나 이상의 기판을 배치 처리하는 배치 처리 챔버인 기판 처리 시스템.
- 제11 항에 있어서, 상기 배치 처리 챔버는 챔버 내부에 다수개의 기판이 방사형으로 배치되어 놓이며 제1 임피던스 정합기를 통하여 제1 전원 공급원에 전기적으로 연결된 기판 지지부를 포함하고,상기 다수개의 가스 샤워 헤드는 기판의 상부에 정렬되도록 챔버의 내부 천정에 각기 설치되며 제2 임피던스 정합기를 통하여 제2 전원 공급원에 전기적으로 연결된 기판 처리 시스템.
- 전도성 금속과 방전관내에 전기적 불연속성을 형성하는 하나 이상의 유전체 영역을 포함하는 중공의 환형 플라즈마 방전관;환형 플라즈마 방전관으로 가스를 입력하는 적어도 하나의 가스 입구;환형 플라즈마 방전관으로부터 플라즈마 가스를 배출하는 다수개의 가스 출구;환형 플라즈마 방전관에 쇄교하여 장착되는 다수개의 페라이트 코어; 및다수개의 페라이트 코어에 감겨진 다수개의 유도 코일을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제13 항에 있어서, 상기 다수개의 가스 출구는 환형 플라즈마 방전관의 하부 에 방사형으로 배치되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제13 항에 있어서, 상기 다수개의 유도 코일들은 전원 공급원에 직렬, 병렬, 직렬과 병렬의 혼합 방식 중 어느 하나의 방식으로 연결되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제13 항에 있어서, 상기 다수개의 유도 코일들은 두 개 이상의 독립된 전원 공급원으로 나뉘어 연결되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제13 항에 있어서, 상기 환형 플라즈마 방전관은 냉각수 공급 라인을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
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- 제13 항에 있어서, 상기 유전체 영역은 환형 플라즈마 방전관을 둘 이상의 영역으로 분리하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제13 항에 있어서, 상기 환형 플라즈마 방전관에는 다수개의 가스 입구가 방사형으로 배치되고,상기 다수개의 가스 입구를 통해 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하며, 가스 공급 유닛은: 가스 공급원에 연결되는 가스 입력관; 및 일단이 가스 입력관에 공통으로 연결되고 타단이 상부 방전관의 다수개의 가스 입구에 각기 연결되어 방사형 배치 구조를 갖는 다수개의 가스 공급 채널을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 다수개의 가스 입구를 구비한 기판 처리 챔버;기판 처리 챔버의 내부에 설치되며, 다수개의 가스 입구에 각기 연결되는 다수개의 가스 샤워 헤드;다수개의 가스 입구로 플라즈마 가스를 입력하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기, 다중 출력 원격 플라즈마 발생기는: 중공의 환형 플라즈마 방전관; 환형 플라즈마 방전관으로 가스를 입력하는 적어도 하나의 가스 입구; 환형 플라즈마 방전관으로부터 플라즈마 가스를 배출하는 다수개의 가스 출구; 환형 플라즈마 방전관에 쇄교하여 장착되는 다수개의 페라이트 코어; 및 다수개의 페라이트 코어에 감겨진 다수개의 유도 코일을 포함하고; 및다중 출력 원격 플라즈마 발생기로 공정 가스를 공급하기 위한 다수개의 가스 공급 채널을 구비한 가스 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 시스템.
- 제21 항에 있어서, 상기 기판 처리 챔버는 하나 이상의 기판을 배치 처리하는 배치 처리 챔버인 기판 처리 시스템.
- 제22 항에 있어서, 상기 배치 처리 챔버는 챔버 내부에 다수개의 기판이 방사형으로 배치되어 놓이며 제1 임피던스 정합기를 통하여 제1 전원 공급원에 전기적으로 연결된 기판 지지부를 포함하고,다수개의 가스 샤워 헤드는 기판의 상부에 정렬되도록 챔버의 내부 천정에 각기 설치되며 제2 임피던스 정합기를 통하여 제2 전원 공급원에 전기적으로 연결된 기판 처리 시스템.
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