KR101450757B1 - 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치 및 이를 이용한 방법 - Google Patents

이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치 및 이를 이용한 방법 Download PDF

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Abstract

이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치 및 이를 이용한 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정은, a) 반응챔버에서 "A" 플라즈마를 형성하는 단계; b) 상기 반응챔버와 플라즈마 연결통로에 의해 연결되는 반응기에서 상기 "A"와는 다른 해리도를 가진 "B" 플라즈마를 형성하는 단계; c) 상기 반응챔버에서 서로 다른 플라즈마의 조합인 "A+B" 플라즈마로 에칭공정이 진행되도록 하는 단계;를 포함하여 이루어진다.
이에 따르면, 공정 특성에 따라 가스별 필요한 특성을 각각의 반응기에서 독립적으로 제어하고, 최종 반응챔버에서 서로 다른 이종의 플라즈마를 연결하여 공정을 진행 공정 효과를 극대화할 수 있다.

Description

이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치 및 이를 이용한 방법{Plasma process apparatus with variety plasma and thereof method}
본 발명은 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 식각 공정에 필요한 각각의 가스에서 발생한 이종 플라즈마를 다중으로 연결하여 가스 별 발생하는 라디칼(radical)들과 이온(ion)들을 독립적으로 조절하여 공정 역량을 극대화 시키도록 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치 및 이를 이용한 방법에 관한 것이다.
일반적으로 플라즈마는 섭씨 5000도 이상의 고온에서 물질이 이온화 된 상태로서, 고체,액체, 및 기체 다음인 제4의 물질상태이다. 가속된 입자와의 충돌 또는 강력한 전기장 하에서의 전하운동에 의하여 원자나 분자들로부터 음전하를 딴 전자가 분리된다. 분리돤 전자와 그 모태가 되는 양전하를 띤 분자가 혼재되어 있는 상태가 바로 제4의 물질 상태 혹은 플라즈마(plasma) 라고 불리우고 있다.
플라즈마를 발생시키기 위한 방법으로서, 가속입자를 원자 혹은 분자에 충돌시킴으로서 이온화 시키기도 하지만, 산업적으로 응용되고 있는 플라즈마는 주로 외부에서 전기장을 인가하여 가스방전을 유도함으로써 이온화 되면서도 전체적으로 중성인 부나 혹은 원자들로 구성되어 있다.
플라즈마 종류는 이러한 전기장 인가방식에 있어서 사용되는 주파수에 따라 MF(Medium Frequency) 플라즈마, RF(Radio Frequency) 플라즈마, 및 마이크로웨이브(Microwave) 플라즈마 등으로 구분된다.
이러한 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생장치에는 다양한 종류가 있으며, 그 구조 내지 인가 주파수에 따라 플라즈마의 발생효율에 많이 차이가 있었다.
플라즈마 방전은 해리 가스에 사용되어 이온, 자유 라디칼(free radical), 원자 및 분자를 포함하는 활성 가스를 생산할 수 있다.
활성 가스는 반도체 웨이퍼, 분말, 및 다른 가스와 같은 물질을 가공하는 것을 포함하는 많은 산업응용분야 및 과학응용분야에 이용된다. 플라즈마 특성과 가공되는 물질에 대한 플라즈마 노출 조건은 응용분야에 따라 광범위하게 변화된다.
플라즈마 생성 장치에 관련된 선행기술로는 국내 등록특허 10-0321325호 「플라즈마생성방법및장치와 그것을 사용한 플라즈마처리방법 및 장치」가 개시된 바 있다.
선행기술의 특허는 마이크로파를 사용한 플라즈마의 생성 및 상기 플라즈마에 의하여 반도체소자 등의 시료를 처리하는데 적합한 플라즈마 생성방법 및 장치와 그것을 사용한 플라즈마 처리방법 및 장치에 관련된다.
한편 반도체, FPD에서 사용하는 플라즈마 공정 장치는 두 개 이상의 주파수 혹은 서로 다른 2개 이상의 전극을 이용하여 한 개의 공정 챔버에서 플라즈마를 형성시키는 방법을 사용하고 있다.
그러나 종래의 플라즈마 생성 방법으로 형성되는 플라즈마는 공정 특성상 요구되는 각각의 라디칼들과 이온을 별도로 조절하는 기능이 충분하지 못하므로 공정 한계에 이르렀다.
따라서 종래 기술은 한계치 이상으로 라디칼 및 이온 밀도를 증가시킬 수 없는 문제점이 있었다.
또한 종래 기술은 다종의 가스를 투입해도 반응챔버에서 동일 플라즈마 소스 하에 동일 조건에서 플라즈마가 형성되기 때문에 가스 별로 다른 특성을 별도로 제어 하는 것은 불가능하다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로, 공정에 필요한 가스들을 별개의 반응기에 공급하고, 각각의 반응기에서 각기 플라즈마를 형성시킨 후 반응챔버에 해리도가 서로 다른 다중의 플라즈마를 연결하여 공정을 진행하여 진행 공정 효과를 극대활 수 있도록 한 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치 및 이를 이용한 방법를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 본 발명의 목적은, 반도체 웨이퍼 및 글래스가 로딩되는 반응챔버와, 상기 반응챔버와 플라즈마 연결통로에 의해 통하도록 연결되며 각각 별개의 플라즈마를 형성하는 복수의 반응기를 포함하는 것으로, 상기 복수의 반응기에서 각기 다른 해리도를 가지는 플라즈마가 반응챔버에 공급되도록 하여 개별 반응기에서 해리된 가스가 반응챔버에서 해리되어 2단계의 해리에 의해 한계치 이상으로 라디칼 및 이온 밀도가 증가될 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치에 의해 달성될 수 있다.
상기 반응챔버에는 CH2F2/O2 가스 케미스트리(gas chemistry)가 공급되고, 플라즈마 소스가 공급되어 "A" 플라즈마를 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 플라즈마 소스는 ICP, TCP, CCP, DF-CCP, microwave로 이루어지는 군에서 택일되는 것을 특징으로 한다.
상기 복수의 반응기에서는 CF4 가스 케미스트리(gas chemistry)가 공급되고, 리모트 플라즈마 소스가 공급되어 이종의 "B" 플라즈마를 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 리모트 플라즈마 소스는 ICP, TCP, CCP, DF-CCP, microwave로 이루어지는 군에서 택일되는 것을 특징으로 한다.
상기 반응기의 리모트 플라즈마 소스는 1개 이상의 동일 소스 또는 서로 다른 소스로 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 플라즈마 연결 통로에 이온 쉴딩(ion shielding)이 형성되어 반응기에서 발생하는 플라즈마 중 라디칼만 공급되도록 하는 기능을 선택할 수 있는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기한 본 발명의 목적은, a) 반응챔버에서 "A" 플라즈마를 형성하는 단계; b) 상기 반응챔버와 플라즈마 연결통로에 의해 연결되는 반응기에서 상기 "A"와는 다른 해리도를 가진 "B" 플라즈마를 형성하는 단계; c) 상기 반응챔버에서 서로 다른 플라즈마의 조합인 "A+B" 플라즈마로 에칭공정이 진행되도록 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 방법에 의해 달성될 수 있다.
상기 a)단계에서 반응챔버에는 CH2F2/O2 가스 케미스트리(gas chemistry)가 공급되고, 플라즈마 소스가 공급되어 "A" 플라즈마를 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 플라즈마 소스는 ICP, TCP, CCP, DF-CCP, microwave로 이루어지는 군에서 택일되는 것을 특징으로 한다.
상기 b)단계에서 복수의 반응기에서는 CF4 가스 케미스트리(gas chemistry)가 공급되고, 리모트 플라즈마 소스가 공급되어 이종의 "B" 플라즈마를 형성하는 것을 특징으로 한다.
상기 리모트 플라즈마 소스는 ICP, TCP, CCP, DF-CCP, microwave로 이루어지는 군에서 택일되는 것을 특징으로 한다.
상기 반응기의 리모트 플라즈마 소스는 1개 이상의 동일 소스 또는 서로 다른 소스로 구성되는 것을 특징으로 한다.
상기 b)단계에서 플라즈마 연결 통로에 이온 쉴딩(ion shielding)이 형성되어 반응기에서 발생하는 플라즈마 중 라디칼만 공급되도록 하는 기능을 선택할 수 있는 것을 특징으로 한다.
상기 c)단계는 발생하는 서로 다른 플라즈마를 A+B+… 동시에 연결되어 공정 진행되거나,
상기 c)단계는 발생하는 서로 다른 플라즈마를 A → B 혹은 A → B → A 등과 같이 in-situ로 순차적으로 공정 진행되는 것을 특징으로 한다.
SiN dry strip 공정에 적용 시 상기 각 반응기는 CF4, NF3, SF6 가스를 이용하여 플라즈마를 발생 시키는 것을 특징으로 한다.
상기 반응챔버에서 CH2F2/O2, CHF3/O2, CH3F/O2, CH2F2/CHF3/O2, CH3F/CHF3/O2 가스를 이용하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 반응기의 리모트 플라즈마 연결시키는 것을 특징으로 한다.
상기 반응챔버에 웨이퍼가 로딩된 척의 온도는 -100℃~ +100℃까지 공정이 진행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 공정 특성에 따라 가스별 필요한 특성을 각각의 반응기에서 독립적으로 제어하고, 최종 반응챔버에서 서로 다른 이종의 플라즈마를 연결하여 공정을 진행 공정 효과를 극대화할 수 있다.
또한 공정 특성에 따라 다종의 플라즈마를 순차적으로 구성해서 in-situ ashing 등 다양한 공정 요구에 대응 할 수 있으며, 개별 반응기에서 해리된 가스가 반응챔버와 연결되어 2단계로 해리 되기 때문에 기존 방식에서 얻을 수 있는 한계치 이상으로 라디칼 및 이온 밀도를 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 장치를 개략적으로 나타낸 도면,
도 2는 본 발명에 따른 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정을 나타낸 흐름도.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 토대로 상세하게 설명하면 다음과 같다.
첨부된 도면 중에서, 도 1은 본 발명에 따른 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 장치를 개략적으로 나타낸 도면, 도 2는 본 발명에 따른 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정을 나타낸 흐름도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 장치는, 반도체 웨이퍼 및 글래스가 로딩되는 반응챔버(2)와, 상기 반응챔버(2)와 플라즈마 연결통로(6)에 의해 통하도록 연결되며 각각 별개의 플라즈마를 형성하는 복수의 반응기(4)를 포함하여 구성된다.
상기 복수의 반응기(4)에서 각기 다른 해리도를 가지는 플라즈마(리모트 플라즈마)가 형성된 후 각 반응기(4)의 플라즈마는 플라즈마 연결통로(6)를 통해 플라즈마 반응챔버에 공급된다.
상기 반응챔버(2)에는 CH2F2/O2 가스 케미스트리(gas chemistry)가 공급되고, 플라즈마 소스가 공급되어 "A" 플라즈마를 형성한다.
상기 플라즈마 소스는 ICP, TCP, CCP, DF-CCP, microwave로 이루어지는 군에서 택일된다.
한편 상기 복수의 반응기(4)에서는 CF4 가스 케미스트리(gas chemistry)가 공급되고, 리모트 플라즈마 소스가 공급되어 이종의 "B" 플라즈마를 형성하게 된다.
상기 리모트 플라즈마 소스는 ICP, TCP, CCP, DF-CCP, microwave로 이루어지는 군에서 택일된다.
또한 상기 반응기(4)의 리모트 플라즈마 소스는 1개 이상의 동일 소스 또는 서로 다른 소스로 구성된다.
그리고 상기 플라즈마 연결통로(6)에는 이온 쉴딩(ion shielding)이 형성되어 반응기에서 발생하는 플라즈마 중 라디칼만 공급되도록 하는 기능을 선택할 수 있도록 한다.
따라서 개별 반응기(4)에서 해리된 가스가 반응챔버(2)에서 해리되어 2단계의 해리에 의해 한계치 이상으로 라디칼 및 이온 밀도가 증가될 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정은, a) 반응챔버(2)에서 "A" 플라즈마를 형성하는 단계(S1); b) 상기 반응챔버(2)와 플라즈마 연결통로(6)에 의해 연결되는 반응기(4)에서 상기 "A"와는 다른 해리도를 가진 "B" 플라즈마를 형성하는 단계(S2); c) 상기 반응챔버(2)에서 서로 다른 플라즈마의 조합인 "A+B" 플라즈마로 에칭 공정이 진행되도록 하는 단계(S3);를 포함하여 구성된다.
상기 a)단계(S1)에서 반응챔버(2)에는 CH2F2/O2 가스 케미스트리(gas chemistry)가 공급되고, 플라즈마 소스가 공급되어 "A" 플라즈마를 형성하게 된다.
여기서 상기 플라즈마 소스는 ICP, TCP, CCP, DF-CCP, microwave로 이루어지는 군에서 택일된다.
한편 상기 b)단계(S2)에서 복수의 반응기(4)에서는 CF4 가스 케미스트리(gas chemistry)가 공급되고, 리모트 플라즈마 소스가 공급되어 이종의 "B" 플라즈마를 형성하게 된다.
상기 리모트 플라즈마 소스는 ICP, TCP, CCP, DF-CCP, microwave로 이루어지는 군에서 택일된다.
여기서 상기 반응기(4)의 리모트 플라즈마 소스는 1개 이상의 동일 소스 또는 서로 다른 소스로 구성된다.
한편 상기 b)단계(S2)에서 플라즈마 연결통로(6)에 이온 쉴딩(ion shielding)이 형성되어 반응기(4)에서 발생하는 플라즈마 중 라디칼만 공급되도록 하는 기능을 선택할 수 있도록 한다.
또한 상기 c)단계(S3)는 발생하는 서로 다른 플라즈마를 A+B+… 동시에 연결되어 공정 진행될 수 있다.
또는 상기 c)단계(S3)는 발생하는 서로 다른 플라즈마를 A → B 혹은 A → B → A 등과 같이 in-situ로 순차적으로 공정 진행될 수도 있다.
그리고 SiN dry strip 공정에 적용 시 상기 각 반응기(4)는 CF4, NF3, SF6 가스를 이용하여 플라즈마를 발생시키도록 한다.
한편 상기 반응챔버(2)에서 CH2F2/O2, CHF3/O2, CH3F/O2, CH2F2/CHF3/O2, CH3F/CHF3/O2 가스를 이용하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 반응기(4)의 리모트 플라즈마 연결시킨다.
바람직하게는 상기 반응챔버(2)에 웨이퍼가 로딩된 척의 온도는 -100℃~ +100℃까지 공정이 진행된다.
본 발명에 따른 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정을 반도체에서 요구되는 SiN 건식 strip 공정에 적용하는 실시예를 설명하면 다음과 같다.
(실시예)
반도체에서 인산 wet strip 으로 진행되는 SiN strip 공정은 wet chemical 소모량에서 발생 하는 비용 감소와 패턴 미세화에 따른 산포개선 요구로 dry strip 공정으로 전환이 요구된다.
상기 공정은 SiN 제거 시 노출되는 수십 Å의 SiO2의 손상을 최소화 해야 하기에 SiO2에 대한 SiN의 dry etch시 무한 선택비가 필요하며 생산량의 극대화를 위해서는 SiN의 높은 에칭율(etch rate)이 필요하다.
상기 공정에서 요구되는 SiN/SiO2 무한 선택비는 CHF3, CH2F2, CH3F와 같은 CHXFY 계열의 가스 케미스트리(gas chemistry)가 필요하며, SiN의 높은 에칭율을 위해서는 NF3, SF6, CF4와 같은 불소 라디칼(F radical)을 쉽게 생성 할 수 있는 가스 케미스트리가 필요하다.
발명의 효과를 검증하기 위하여 CF4/CH2F2/O2 가스 케미스트리를 반응챔버(2)에서 ICP source가 공급되어 "A" 라는 플라즈마를 형성하여 공정 진행한 결과와 반응챔버(2)에서 ICP source 하에 CH2F2/O2 가스 케미스트리를 이용하여 "A"라는 플라즈마를 형성한다.
동시에 반응기(4)에서는 리모트 플라즈마 소스(Remote Plasma Source)에서 CF4 가스 케미스트리를 이용 "B"라는 플라즈마를 형성한다.
이후 상기 "A"와 "B" 2개의 플라즈마를 연결하여 공정 진행한 결과를 하기 [표 1] 에 비교하였다.
SiN Etch rate SiO2 Etch rate SiN/SiO2 선택비
Case1: A (CF4/CH2F2/O2) 575A/min 0 무한대
Case 2: A (CH2F2/O2) + B (CF4) 1180A/min 0 무한대
[표 1]에 나타난 결과와 같이, 에칭율(etch rate)과 선택비 라는 2가지 다른 공정 특성에 기여하는 가스를 동일 조건에서 단일 플라즈마 (A) 를 형성하여 진행한 결과 SiN 에칭율은 575A/min이었다.
한편 본 발명과 같이 각각의 특성에 기여하는 가스를 각기 별도의 조건에서 각각의 반응기(4)에서 이종의 플라즈마를 형성 후 이를 연결하여 반응챔버(2)에서 (A+B) 플라즈마로 진행하면 SiN 에칭율은 1180A/min이었다.
따라서 본 발명에 의하면 단일의 플라즈마를 이용하는 공정 보다 에칭율이 월등히 향상될 수 있어 공정효과가 극대화 될 수 있다는 것을 알 수 있다.
비록 본 발명이 상기 언급된 바람직한 실시예와 관련하여 설명되어졌지만, 발명의 요지와 범위로부터 벗어남이 없이 다양한 수정 및 변형이 가능한 것은 당업자라면 용이하게 인식할 수 있을 것이며, 이러한 변경 및 수정은 모두 첨부된 청구의 범위에 속함은 자명하다.
2 ; 반응챔버 4 : 반응기
6 : 연결통로

Claims (19)

  1. 반도체 웨이퍼 및 글래스가 로딩되는 반응챔버와,
    상기 반응챔버와 플라즈마 연결통로에 의해 통하도록 연결되며 각각 별개의 플라즈마를 형성하는 복수의 반응기를 포함하는 것으로,
    상기 복수의 반응기에서 각기 다른 해리도를 가지는 플라즈마가 반응챔버에 공급되도록 하여 개별 반응기에서 해리된 가스가 반응챔버에서 해리되어 2단계의 해리에 의해 라디칼 및 이온 밀도가 증가될 수 있도록 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치에 있어서,
    상기 반응챔버에는 CH2F2/O2 가스 케미스트리(gas chemistry)가 공급되고, 플라즈마 소스가 공급되어 "A" 플라즈마를 형성하고,
    상기 복수의 반응기에서는 CF4 가스 케미스트리(gas chemistry)가 공급되고, 리모트 플라즈마 소스가 공급되어 이종의 "B" 플라즈마를 형성하는 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는 ICP, TCP, CCP, DF-CCP, microwave로 이루어지는 군에서 택일되는 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 리모트 플라즈마 소스는 ICP, TCP, CCP, DF-CCP, microwave로 이루어지는 군에서 택일되는 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 반응기의 리모트 플라즈마 소스는 1개 이상의 동일 소스 또는 서로 다른 소스로 구성되는 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 플라즈마 연결 통로에 이온 쉴딩(ion shielding)이 형성되어 반응기에서 발생하는 플라즈마 중 라디칼만 공급되도록 하는 기능을 선택할 수 있는 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 장치.
  8. a) 반응챔버에서 "A" 플라즈마를 형성하는 단계;
    b) 상기 반응챔버와 플라즈마 연결통로에 의해 연결되는 반응기에서 상기 "A"와는 다른 해리도를 가진 "B" 플라즈마를 형성하는 단계;
    c) 상기 반응챔버에서 서로 다른 플라즈마의 조합인 "A+B" 플라즈마로 공정이 진행되도록 하는 단계;
    를 포함하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 방법에 있어서,
    상기 a)단계에서 반응챔버에는 CH2F2/O2 가스 케미스트리(gas chemistry)가 공급되고, 플라즈마 소스가 공급되어 "A" 플라즈마를 형성하고,
    상기 b)단계에서 복수의 반응기에서는 CF4 가스 케미스트리(gas chemistry)가 공급되고, 리모트 플라즈마 소스가 공급되어 이종의 "B" 플라즈마를 형성하는 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 방법.
  9. 삭제
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 플라즈마 소스는 ICP, TCP, CCP, DF-CCP, microwave로 이루어지는 군에서 택일되는 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 방법.
  11. 삭제
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 리모트 플라즈마 소스는 ICP, TCP, CCP, DF-CCP, microwave로 이루어지는 군에서 택일되는 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 방법.
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 반응기의 리모트 플라즈마 소스는 1개 이상의 동일 소스 또는 서로 다른 소스로 구성되는 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 방법.
  14. 제 8항에 있어서,
    상기 b)단계에서 플라즈마 연결 통로에 이온 쉴딩(ion shielding)이 형성되어 반응기에서 발생하는 플라즈마 중 라디칼만 공급되도록 하는 기능을 선택할 수 있는 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 방법.
  15. 삭제
  16. 제 8항에 있어서,
    상기 c)단계는 발생하는 서로 다른 플라즈마를 A → B 혹은 A → B → A 등과 같이 in-situ로 순차적으로 공정 진행되는 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 방법.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 제 8항에 있어서,
    상기 반응챔버에 웨이퍼가 로딩된 척의 온도는 -100℃~ +100℃까지 공정이 진행되는 것을 특징으로 하는 이종 플라즈마 다중 연결을 이용한 플라즈마 공정 방법.

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KR20090056475A (ko) * 2007-11-30 2009-06-03 삼성전자주식회사 플라즈마 처리장치

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