KR20070079870A - 다중 출력 원격 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 기판 처리시스템 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 하나 이상의 가스 입구;다수개의 가스 출구;하나 이상의 가스 입구와 다수개의 가스 출구 사이에 연결되며 다수개의 플라즈마 방전 패스가 이웃하여 형성되도록 구조화된 플라즈마 방전관;다수개의 플라즈마 방전 루프에 쇄교하도록 플라즈마 방전관에 장착되는 다수개의 페라이트 코어; 및다수개의 페라이트 코어에 각기 감겨지는 다수개의 유도 코일을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 방전관은:중공의 환형 상부 방전관;중공의 환형 하부 방전관;상부 방전관과 하부 방전관 사이에 연결되는 다수개의 중공의 방전 브리지를 포함하고,가스 출구는 이웃하는 두 개의 방전 브리지 사이의 영역에 배치되도록 하부 방전관에 연결되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제2 항에 있어서, 상기 페라이트 코어는 상부 방전관과 하부 방전관 그리고 이웃하는 두 개의 방전 브리지에 의해서 형성되는 하나의 플라즈마 방전 패스에 쇄교하도록 플라즈마 방전관에 장착되되,상부 방전관, 하부 방전관 또는 이웃하는 두 개의 방전 브리지 중 어느 하나에 장착되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제1 항에 있어서, 상기 다수개의 유도 코일들은 전원 공급원에 직렬, 병렬, 직렬과 병렬의 혼합 방식 중 어느 하나의 방식으로 연결되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제1 항에 있어서, 상기 다수개의 유도 코일들은 두 개 이상의 독립된 전원 공급원으로 나뉘어 연결되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 방전관은 냉각수 공급 라인을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제1 항에 있어서, 상기 플라즈마 방전관은 전도성 금속과 방전관내에 전기적 불연속성을 형성하는 하나 이상의 유전체 영역을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제7 항에 있어서, 상기 유전체 영역은 플라즈마 방전관을 둘 이상의 영역으 로 분리하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제2 항에 있어서, 상기 상부 방전관에는 다수개의 가스 입구가 방사형으로 배치되고,상기 다수개의 가스 입구를 통해 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하고, 가스 공급 유닛은: 가스 공급원에 연결되는 가스 입력관; 및 일단이 가스 입력관에 공통으로 연결되고 타단이 상부 방전관의 다수개의 가스 입구에 각기 연결되어 방사형 배치 구조를 갖는 다수개의 가스 공급 채널을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 다수개의 가스 입구를 구비한 기판 처리 챔버;다수개의 가스 입구로 플라즈마 가스를 입력하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기, 다중 출력 원격 플라즈마 발생기는: 적어도 하나의 가스 입구; 다수개의 가스 출구; 하나 이상의 가스 입구와 다수개의 가스 출구 사이에 연결되며 다수개의 플라즈마 방전 패스가 이웃하여 형성되도록 구조화된 플라즈마 방전관; 다수개의 플라즈마 방전 루프에 쇄교하도록 플라즈마 방전관에 장착되는 다수개의 페라이트 코어; 및 다수개의 페라이트 코어에 각기 감겨지는 다수개의 유도 코일을 포함하고; 및다중 출력 원격 플라즈마 발생기로 공정 가스를 공급하기 위한 다수개의 가스 공급 채널을 구비한 가스 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 시스템.
- 제10 항에 있어서, 상기 기판 처리 챔버는 하나 이상의 기판을 배치 처리하는 배치 처리 챔버인 기판 처리 시스템.
- 제11 항에 있어서, 상기 배치 처리 챔버는 챔버 내부에 다수개의 기판이 방사형으로 배치되어 놓이며 제1 임피던스 정합기를 통하여 제1 전원 공급원에 전기적으로 연결된 기판 지지부; 및기판의 상부에 정렬되도록 챔버의 내부 천정에 각기 설치되며 제2 임피던스 정합기를 통하여 제2 전원 공급원에 전기적으로 연결된 다수개의 가스 샤워 헤드를 포함하는 기판 처리 시스템.
- 중공의 환형 플라즈마 방전관;환형 플라즈마 방전관으로 가스를 입력하는 적어도 하나의 가스 입구;환형 플라즈마 방전관으로부터 플라즈마 가스를 배출하는 다수개의 가스 출구;환형 플라즈마 방전관에 쇄교하여 장착되는 다수개의 페라이트 코어; 및다수개의 페라이트 코어에 감겨진 다수개의 유도 코일을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제13 항에 있어서, 상기 다수개의 가스 출구는 환형 플라즈마 방전관의 하부 에 방사형으로 배치되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제13 항에 있어서, 상기 다수개의 유도 코일들은 전원 공급원에 직렬, 병렬, 직렬과 병렬의 혼합 방식 중 어느 하나의 방식으로 연결되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제13 항에 있어서, 상기 다수개의 유도 코일들은 두 개 이상의 독립된 전원 공급원으로 나뉘어 연결되는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제13 항에 있어서, 상기 환형 플라즈마 방전관은 냉각수 공급 라인을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제13 항에 있어서, 상기 환형 플라즈마 방전관은 전도성 금속과 방전관내에 전기적 불연속성을 형성하는 하나 이상의 유전체 영역을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제18 항에 있어서, 상기 유전체 영역은 환형 플라즈마 방전관을 둘 이상의 영역으로 분리하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 제13 항에 있어서, 상기 환형 플라즈마 방전관에는 다수개의 가스 입구가 방사형으로 배치되고,상기 다수개의 가스 입구를 통해 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하며, 가스 공급 유닛은: 가스 공급원에 연결되는 가스 입력관; 및 일단이 가스 입력관에 공통으로 연결되고 타단이 상부 방전관의 다수개의 가스 입구에 각기 연결되어 방사형 배치 구조를 갖는 다수개의 가스 공급 채널을 포함하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기.
- 다수개의 가스 입구를 구비한 기판 처리 챔버;다수개의 가스 입구로 플라즈마 가스를 입력하는 다중 출력 원격 플라즈마 발생기, 다중 출력 원격 플라즈마 발생기는: 중공의 환형 플라즈마 방전관; 환형 플라즈마 방전관으로 가스를 입력하는 적어도 하나의 가스 입구; 환형 플라즈마 방전관으로부터 플라즈마 가스를 배출하는 다수개의 가스 출구; 환형 플라즈마 방전관에 쇄교하여 장착되는 다수개의 페라이트 코어; 및 다수개의 페라이트 코어에 감겨진 다수개의 유도 코일을 포함하고; 및다중 출력 원격 플라즈마 발생기로 공정 가스를 공급하기 위한 다수개의 가스 공급 채널을 구비한 가스 공급 유닛을 포함하는 기판 처리 시스템.
- 제21 항에 있어서, 상기 기판 처리 챔버는 하나 이상의 기판을 배치 처리하는 배치 처리 챔버인 기판 처리 시스템.
- 제22 항에 있어서, 상기 배치 처리 챔버는 챔버 내부에 다수개의 기판이 방사형으로 배치되어 놓이며 제1 임피던스 정합기를 통하여 제1 전원 공급원에 전기적으로 연결된 기판 지지부; 및기판의 상부에 정렬되도록 챔버의 내부 천정에 각기 설치되며 제2 임피던스 정합기를 통하여 제2 전원 공급원에 전기적으로 연결된 다수개의 가스 샤워 헤드를 포함하는 기판 처리 시스템.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060010899A KR100785164B1 (ko) | 2006-02-04 | 2006-02-04 | 다중 출력 원격 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 기판 처리시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060010899A KR100785164B1 (ko) | 2006-02-04 | 2006-02-04 | 다중 출력 원격 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 기판 처리시스템 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070079870A true KR20070079870A (ko) | 2007-08-08 |
KR100785164B1 KR100785164B1 (ko) | 2007-12-11 |
Family
ID=38600395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060010899A KR100785164B1 (ko) | 2006-02-04 | 2006-02-04 | 다중 출력 원격 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 기판 처리시스템 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100785164B1 (ko) |
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US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100785164B1 (ko) | 2007-12-11 |
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