CN102405557B - 天线装置 - Google Patents

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Abstract

即使与通信对方侧的天线相比相对小型化且进行通信的两个天线在同轴上配置得相接近，也能进行稳定的通信，进而还能使最大可通信距离较大，由此来构成天线装置。天线线圈模块(3)的线圈开口部(CW)和导体层(2)的导体开口部(CA)至少一部分重叠。要通过线圈开口部(CW)的磁通(MF)通过导体开口部(CA)。另一方面，由于磁通不透过导体层(2)，因此磁通(MF)按照以导体层(2)的导体开口部(CA)为内侧、以导体层(2)的外缘为外侧的路径迂回。其结果，通过天线线圈模块(3)的线圈开口部(CW)的磁通(MF)描绘出相对较大的环路，交链读写器侧天线(4)的线圈导体(41)的内外。

Description

天线装置
技术领域
本发明涉及经由电磁场信号与对方侧设备进行通信的RFID系统、在短距离无线通信系统中使用的天线装置。
背景技术
近年来，在利用不断扩大的RFID系统、短距离无线通信系统中，为了在便携式电话等便携式电子设备彼此间或在与读写器间进行通信，在各个设备中搭载有用于通信的天线。关于这些天线中搭载于便携式电子设备的天线，在专利文献1中进行了公开。
图1是表示专利文献1的便携式信息终端21和读写器之间在接近时的通信的样子的图。在图1的例子中，从读写器的收发天线部26辐射的电磁波中的一部分的磁场H受到终端主体22内的电池组25等金属物的影响而接受反射、吸收等衰减作用。将金属层30配置得比起天线模块10的通信面CS更靠近电磁波的入射侧。在该金属层30的表面，由于外部磁场的施加而产生感应电流(涡电流)，由此而产生的磁场H1在天线模块10的天线线圈15处使感应电流产生。
在该例子中，金属层30按照覆盖天线线圈15的一部分的方式而与天线模块10接近相对配置，由此，经由在金属层30所产生的磁场分量H1，读写器的收发天线部26和天线模块10的天线线圈15之间感应耦合。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-270681号公报
图1所示的天线装置需要消除如下问题：在与通信对方侧的天线之间的距离极度接近时，由于天线彼此的中心间的位置偏离的大小不同而导致通信特性较大变动。为了消除想要与在便携式信息终端21侧的天线模块10的天线线圈15和读写器侧的收发天线部26交链的磁通被筐体内电池组25等金属物屏蔽的情况，为了感应该磁通而设置有金属层30。因此，由于所述电池组25等屏蔽物的位置关系而不一定就能获得较大的效果。
进而，在天线装置与通信对方侧的天线远离的状态下，由于扩大了通信距离，所述金属层30不一定起到有效的作用。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种天线装置，即使与通信对方侧的天线相比相对小型化，也能进行稳定的通信，进而还能增大可通信距离。
本发明的天线装置是构成在电子设备中的天线装置，具备以卷绕中心部为线圈开口部的环路状或漩涡状的线圈导体；导体层，其具备导体开口部、以及连接所述导体开口部和外缘之间的切口部；和辐射板，所述线圈导体和所述导体层经由电磁场而耦合，所述导体层和所述辐射板经由电磁场或磁场而耦合。
根据本发明，在导体层流过电流以屏蔽因在线圈导体流过电流而产生的磁场。然后，在导体层的开口部周围流动的电流通过切口部周边，由于边缘效应而在导体层周围流过电流。由此，能从导体层产生磁场，扩大通信距离。
另外，由于导体层使磁通较大地环绕，因此，磁通从天线装置到通信对方侧的天线为止、或从通信对方侧的天线到天线装置为止能够到达，能使天线装置和通信对方侧天线的最大可通信距离变大。
附图说明
图1是表示专利文献1的便携式信息终端21和读写器之间的接近时的通信的样子的图。
图2(A)是表示具备第1实施方式的天线装置的电子设备的后视图。图2(B)是背面侧的下部筐体的内侧的俯视图。
图3(A)是天线线圈模块3的俯视图，图3(B)是其主视图。
图4(A)是表示天线装置101和读写器侧天线之间的磁耦合状态的剖面图。图4(B)是作为比较例的表示不存在导体层2的状态的剖面图。
图5是与第2实施方式的天线装置相关的图。图5(A)是观察电子设备的下部筐体1的内表面侧的俯视图。另外，图5(B)是在下部筐体1的内表面安装了天线线圈模块3的状态下的俯视图。
图6是第3实施方式的天线装置103的俯视图。特别是，图6(A)表示流过线圈导体31的电流，图6(B)表示流过导体层2的电流I。
图7(A)是第4实施方式的天线线圈模块13的俯视图，图7(B)是其主视图。
图8是第5实施方式的天线装置104的俯视图。
图9(A)是第6实施方式的天线装置的分解立体图，图9(B)是天线装置105的俯视图。
图10是表示流过图9所示的天线装置105的导体层2和辐射板5的感应电流的样子的图。
图11是具备第7实施方式的天线装置106的电子设备的俯视图。
图12是第8实施方式的天线装置107的俯视图。
图13是第9实施方式的天线装置108的俯视图。
具体实施方式
(第1实施方式)
参照图2～图4来说明第1实施方式的天线装置及其谐振频率设定方法。
图2(A)是具备第1实施方式的天线装置的电子设备的后视图。电子设备的背面是面向作为通信对方侧的读写器侧天线的面。图2(B)是所述背面侧的下部筐体的内侧的俯视图。其中，图2(A)、图2(B)仅表示其主要部分的构成。
如图2(A)所示，在下部筐体1的外表面形成有导体层2。导体层2例如是铝等的金属蒸镀膜。在该导体层2形成有导体开口部CA，进而形成连接该导体开口部CA和外缘之间的切口SL。
如图2(B)所示，在下部筐体1的内表面按照与所述导体开口部CA部分重叠的方式配置有天线线圈模块3。
另外，在该例中，在导体开口部CA部分安装有照相机模块。由于需要将照相机模块的镜头从筐体的开口部露出到外部，因此，通过将导体开口部像这样匹配设于筐体的开口部来进行配置，就不再需要设置导体层2而带来的特别的筐体的设计。
另外，在使筐体的外表面的一部分在外观上呈现金属质地的情况下，通过在筐体的外表面蒸镀等来形成金属膜，但该金属膜也可以兼用作所述导体层。
通过如此在电子设备的筐体的内表面或外表面形成导体层2，不需要确保用于配置导体层2的特别的空间，且能配置大面积的导体层2。
图3(A)是所述天线线圈模块3的俯视图，图3(B)是其主视图。天线线圈模块3具备矩形板状的挠性基板33和相同的矩形板状的磁性体片39。在挠性基板33上形成有以卷绕中心部为线圈开口部CW的漩涡状的线圈导体31、以及用于与外部电路连接的连接部32。磁性体片39例如是成形为片状的铁素体。
另外，线圈导体31的卷绕数(匝数)根据需要的电感来确定。若是单圈，则成为环状的线圈导体。
所述天线线圈模块3如图2(B)所示，安装于电子设备的下部筐体1的内表面，在与上部筐体重叠时，配置为所述连接部32与安装于上部筐体侧的电路基板的规定的引脚连接。
在电路基板侧具备相对于所述连接部32并联连接的电容器。并且，通过由天线线圈模块3的线圈导体31以及磁性体片39所确定的电感和所述电容器的电容来决定谐振频率。例如，在Felica(注册商标)等的NFC(NearFieldCommunication：近距离通信)中使用天线线圈模块3，在利用中心频率13.56MHz的HF带的情况下，将所述谐振频率决定为13.56MHz。
图4(A)是表示所述天线装置101和读写器侧天线之间的磁耦合状态的剖面图。另外，图4(B)是作为比较例的、表示不存在所述导体层2的状态的剖面图。其中，关于电子设备的筐体部分，省略图示。
由于天线线圈模块3的线圈导体31与导体层2至少一部分重叠，因此，在导体层流过电流，以屏蔽因在线圈导体流过电流而产生的磁场。即，线圈导体31和导体层2经由电磁场而耦合。然后，流过导体层的开口部周围的电流通过切口部周边，利用边缘效应而流到导体层周围。另外，电流也流过导体层平面部。由此，虽然在导体层2产生磁场，但由于在导体层2不透过磁通，因此，磁通MF将会以导体层2的导体开口部CA为内侧、以导体层2的外缘为外侧的路径来进行迂回。其结果，磁通MF描绘出相对较大的环路，交链读写器侧天线4的线圈导体41的内外。即，天线装置101与读写器侧天线4磁耦合。
另外，尽管优选线圈导体31与导体层2的至少一部分重叠，但即使不重叠，线圈导体31和导体层2也能经由电磁场而耦合。
另外，在俯视观察线圈导体31时，线圈开口部CW和导体开口部CA至少一部分重叠，由此想要与线圈导体31和对方侧天线交链的磁通能通过并环绕线圈开口部CW以及导体开口部CA。特别是，若在俯视观察线圈导体31时，线圈开口部CW和导体开口部CA在全周大致重叠，则能效率良好地辐射基于线圈导体31的磁场。
另外，导体层2的面积比线圈导体31的形成区域的面积大，由此能产生大的磁场环路。
在此基础上，通过在挠性基板33的、距离通信对方侧的天线更远的一侧的面上层叠磁性体片39，能使天线的指向性比通信对方侧的天线方向更广。
如此，由于磁通指向导体层2所扩展的方向，因此，即使将天线装置101的(天线线圈模块3的)中心和读写器侧天线4的中心保持配置在同轴上不变而使两者相接近，也能进行稳定的通信。
另外，由于通过在导体层2上设置切口SL而在导体层2不形成导体环路，因此，在如图4(A)所示，磁通MF环绕导体层2的导体开口部CA和外缘时，能阻止在导体层2产生涡电流，能抑制由于涡电流而带来的损失。其结果，能确保天线装置101和读写器侧天线4之间的最大可通信距离。
另外，由于电流集中在设于导体层2的切口所形成的开放端部，并且产生电位差，因此，在切口SL附近磁场的强度变强。因此，产生朝向从导体开口部CA观察的切口SL的开放方向的指向性。因此，从导体开口部CA的中心向切口SL的开放方向的通信距离变大。例如，在图2中下方向的通信距离变大。如此，能通过切口SL的形成位置来控制指向性以及通信距离。这在后面所示的其它的实施方式也是同样。
与此相对，如图4(B)所示，若不存在上述导体层2，则通过线圈开口部CW的磁通MF不以图4(B)所示的朝向向左右方向(天线线圈模块3在俯视状态下扩展的方向)扩展，与读写器侧天线4之间的耦合量小。因此，产生越接近反而通信越不稳定的现象。
另外，本发明的天线装置中，由于导体层使磁通较大地环绕，因此，磁通从天线装置到通信对方侧的天线为止、或从通信对方侧的天线到天线装置为止能够到达，能使天线装置和通信对方侧天线的最大可通信距离变大。
下面的表是在使天线线圈模块3的大小变化时，具备各天线线圈模块3的天线装置101和通信对方侧天线之间的可通信的距离范围的测定结果。
天线线圈模块的大小 无导体层 有导体层
22.5mm×20mm 0～24mm 0～44mm
22.5mm×19mm 0～23mm 0～43mm
22.5mm×18mm 0～19mm 0～41mm
22.5mm×17mm 0～39mm
22.5mm×16mm 0～38mm
例如，在是具备22.5mm×18mm的天线线圈模块3的天线装置的情况下，若没有导体层则最大可通信距离为19mm，与此相对，若有导体层则最大可通信距离扩大到41mm。另外，例如在是具备22.5mm×17mm以下的天线线圈模块3的天线装置的情况下，若没有导体层，则在任何距离都不能进行通信。与此相对，若有导体层，即使构成具备22.5mm×16mm这样的非常小型的天线线圈模块3的天线装置，也能在从0mm到38mm的宽的范围进行通信。
所述天线装置101的中心频率的设定如下进行。
将不使图2(B)所示的天线线圈模块3接近导体层2的状态下、即天线线圈模块3未安装在下部筐体1上的单体状态下的(其中，为并联连接了谐振用电容器的状态)谐振频率预先设定得比利用频带的中心频率要低。如图2(B)以及图4(A)所示，若使天线线圈模块3接近导体层2的导体开口部CA，则由于天线线圈模块3的电感值变小，因此天线装置101的谐振频率上升。因此，以将天线线圈模块3嵌入到电子设备的筐体内、构成天线装置101的状态，来决定所述天线线圈模块3单体下的电感值，以使得该天线装置101的谐振频率与利用频带的中心频率大致一致。
另外，切口SL的长度和宽度变化也会引起天线装置的电感变化。例如，若使切口SL较大，则能抑制使导体层2接近天线线圈模块3时的电感值的减少(谐振频率的上升)程度。因此，以能获得期望的电感值的方式来设定SL的长度以及宽度。
进而，由于天线线圈模块3和导体层2的位置关系、导体层2的导体开口部CA的形状、大小变化也会引起天线装置的电感变化，因此，以能获得期望的电感值的方式来设定天线线圈模块3和导体层2的位置关系、以及导体层2的导体开口部CA的形状、大小。
如此，由于因导体层而使得磁通环路扩展，因此即使线圈导体31的线圈开口部CW较小也没关系，天线线圈模块能小型化。另外，伴随着使线圈开口部CW较小，能使线圈的匝数增多，能使天线线圈模块的电感能采的值增加。其结果，谐振频率的设定变得容易。
如上所述，本发明利用磁场不能进入导体层这一特性，在使用频率下通过导体层来变更磁场的辐射模式。
根据本发明的天线装置101，即使天线装置101和读写器侧天线4的大小各不相同也能进行稳定的通信。即，在读写器侧天线4较大的情况下，通过导体层2的存在而使得磁通较大地环绕，使得来自天线装置101的磁通能到达读写器侧天线4，在读写器侧天线4较小的情况下，通过导体层2的存在使得磁通能到达的距离得以延展。
(第2实施方式)
图5是与第2实施方式的天线装置102相关的图。图5(A)是观察电子设备的下部筐体1的内表面侧的俯视图。另外，图5(B)是在下部筐体1的内表面安装了天线线圈模块3的状态下的俯视图。
在该第2实施方式中，在下部筐体1的内表面设置有导体层2。导体层2由铝等的金属膜的蒸镀或金属膜的粘贴来构成。也可以如此将导体层设置于筐体的内表面。
另外，在图5所示例中，在从导体开口部CA起到外缘为止的距离较短的部分设置有导体层2的切口SL。
所述导体层2也可以与电子设备内部的电路的接地相连接。由此，还能使所述导体层2兼作电子设备的屏蔽用的导体层。
(第3实施方式)
图6(A)、图6(B)都是表示第3实施方式的天线装置103的俯视图。图6(A)表示在线圈导体31流过的电流，图6(B)表示在导体层2流过的电流I。该天线装置103具备天线线圈模块3和导体层2。天线线圈模块3将形成有漩涡状的线圈导体31的挠性基板、和磁性体片进行层叠而构成。基本与图3所示的构成相同。但是在该例中，从挠性基板引出线圈导体的两端，在离开线圈导体31的位置设置连接部。
导体层2具备导体开口部CA、以及连接导体开口部CA和外缘之间的切口SL。
在俯视观察线圈导体31以及导体层2时，线圈开口部CW和导体开口部CA以同轴在全周大致重叠。通过这样的构成，在俯视观察线圈导体31时，能使线圈导体31的全部与导体层2重叠。由此，由于从线圈导体31产生的磁通全部要与导体层2交链，因此，在导体层2产生与流过线圈导体31的电流的方向相反的较大的电流，以屏蔽该磁通。在导体开口部CA的周围流过的较大的电流I通过切口部SL的周围，沿着导体层平面流动，并利用边缘效应而沿着导体层周围而流动。由此，从导体层2产生较强的磁场，能进一步扩展通信距离。另外，通过导体开口部CA以及线圈开口部CW、并环绕导体层2的磁通的环路更有效地被扩展。因此，无论将具备天线装置103的电子设备以何种面内方向盖在读写器侧天线的面上，都能进行稳定的通信。
(第4实施方式)
图7(A)是第4实施方式的天线线圈模块13的俯视图，图7(B)是其主视图。该天线线圈模块13与第1实施方式的情况相同，相对于图2所示的导体层接近来配置。通过如此接近配置，在导体层2产生较大的电流，产生较强的磁场。
天线线圈模块13具备矩形板状的挠性基板34、和同样矩形板状的磁性体片39。在挠性基板34形成有以卷绕中心部为线圈开口部CW的漩涡状的线圈导体31、以及用于与外部的电路连接的连接部32。所述线圈导体31遍及挠性基板34的两层而形成。在层间用连通导体来连接。磁性体片39例如是成形为片状的铁素体。
如此，通过使线圈导体31遍及多层而卷绕，由此从线圈导体产生强的磁场，其结果，能在导体层流过较大的电流。另外，能在沿着导体开口部的内缘的位置使线圈导体集中。由此，由于在线圈导体31产生的集中的磁通要与导体层交链，因此能在导体层流过较大的电流。
(第5实施方式)
图8是第5实施方式的天线装置104的俯视图。该天线装置104具备天线线圈模块3和导体层2。天线线圈模块3层叠有形成了漩涡状的线圈导体31的挠性基板和磁性体片。该构造与图6所示的构造相同。但是，在该例中，线圈开口部CW比导体开口部CA形成得稍小。
由于线圈导体31的一部分与导体层2重叠，因此根据该构造，通过从线圈导体31产生的磁通而在导体层2流过电流。
(第6实施方式)
图9(A)是第6实施方式的天线装置的分解立体图，图9(B)是天线装置105的俯视图。该天线装置105具备天线线圈模块3、导体层2以及辐射板5。天线线圈模块3层叠有形成了漩涡状的线圈导体31的挠性基板33和磁性体片39。天线线圈模块3的构造与图3所示的构造基本相同。
导体层2以及辐射板5位于与线圈导体的卷绕轴大致垂直的平面上。导体层2形成在线圈导体31的附近，辐射板5形成在导体层2的附近。辐射板5和导体层2隔着规定的间隙而彼此相对，或者隔着绝缘体层或电介质层而彼此相对，在俯视观察辐射板5时，辐射板5和导体层2在相对区域FA重叠。
导体层2不仅与线圈导体31相对，还与辐射板5相对。在俯视观察导体层2时，导体层2具有大致覆盖线圈导体31的导体区域，进而，具备：按照与线圈图案31的开口区域重叠的方式而设置的非导体部即开口部CA、和与该开口部CA连接的切口部SL。如上所述，在俯视观察状态下，导体层2与辐射板5的一部分重叠，但优选导体层2的在开口部CA以及切口部SL不重叠辐射板5。通过不在导体层2的开口部CA以及切口部SL重叠辐射板5，能不受到切口部SL附近的强磁场的影响，能确保通信距离。辐射板5优选配置于夹着开口部CA、离开切口部SL的位置。
如此，通过在俯视观察下将辐射板5和导体层2的一部分重叠，导体层2和辐射板5能较强地电磁场耦合或磁场耦合。
另外，线圈导体31与辐射板5不仅是磁场耦合，还与辐射板5经由电磁场或磁场耦合。由此，由于辐射板5的存在而提高了能量的传递效率。
图10表示在图9(A)、图9(B)所示的天线装置105的导体层2和辐射板5流过的感应电流的样子。图10中的箭头直线IC示意性地表示感应电流的路径。
若在该导体板2和辐射板5相对的状态下，对线圈导体的端子以规定的高频电力(高频信号)进行供电，则在线圈导体的周围形成感应磁场，通过该感应磁场，在导体层2的耦合区域(与线圈导体耦合的区域)流过如图10所示那样的感应电流IC。即，线圈导体和导体层2磁场耦合。
在此，若没有辐射板5，则由于感应电流IC(即信号电流)仅环绕导体层2的缘端部附近而流过，但若在导体层2附近配置辐射板5并与导体层2来耦合，则感应电流IC也流过辐射板5。这是因为信号电流会流向磁阻小的一方。因此，信号电流被引导到大面积的辐射板5，信号电流的流动的区域被扩展，辐射磁场的区域被扩展。其结果，通信距离(读取距离)变大。
另外，本实施方式中的辐射磁场主要是辐射板5形成的，但从导体层2也形成辐射磁场，从线圈导体也形成辐射磁场。
(第7实施方式)
图11是具备第7实施方式的天线装置106的电子设备的俯视图。在该例中，导体层2形成于下部筐体1的内侧，在下部筐体1的外表面形成有辐射板5。在图11中，虽看不到线圈导体，但线圈导体和导体层2的关系与图9(A)、图9(B)所示构成相同。
如此，若在筐体形成辐射板5，则不需要用于保持辐射板5的特别的部件和空间，能使具备天线装置的电子设备整体小型化。
另外，除了在筐体的外表面来设置辐射板以外，还能将电路基板的接地电极利用为辐射板。另外，也可以将设于筐体内的二次电池的电极或包装金属等的其它金属利用为辐射板。另外，也可以将线圈导体和导体层作为模块而一体形成。
另外，在本实施方式中，由于设于导体层的切口部SL的开放方向是朝向天线装置106的上方，因此成为上方的增益高的指向特性，易于进行通信。
(第8实施方式)
图12是表示第8实施方式的天线装置107的俯视图。该天线装置107具备线圈导体31、导体层2以及辐射板5A、5B。线圈导体31和导体层2之间的关系与图9(A)、图9(B)所示相同。导体层2以及辐射板5A、5B位于与线圈导体31的卷绕轴大致垂直的平面上。导体层2形成于线圈导体31的附近，辐射板5A、5B配置于导体层2的附近。辐射板5A、5B和导体板2隔着规定的间隙而彼此相对。在俯视观察辐射板5A、5B时，辐射板5A、5B与导体层2的一部分重叠。
如此，也可以具备多个辐射板5A、5B。另外，如此，辐射板5A、5B也可以在与形成导体层2的切口部SL的边相对的边以外的边(与切口SL相邻的边)，在俯视观察下重叠。
(第9实施方式)
图13是第9实施方式的天线装置108的俯视图。该天线装置108具备线圈导体31、导体层2以及辐射板5。导体层2以及辐射板5位于与线圈导体31的卷绕轴大致垂直的平面上。导体层2形成于线圈导体31的附近，辐射板5配置于导体层2的附近。辐射板5和导体层2彼此隔着规定的间隙而配置。在俯视观察辐射板5时，辐射板5配置于离开导体层2的位置。
如此，即使辐射板5和导体层2彼此隔着规定的间隙来配置，导体层2和辐射板5也能电磁场耦合。在此，若将从导体层2的开口部CA中的内缘起到导体层2的外缘为止的距离表示为L1，将导体层2和辐射板5之间的间隔表示为L2，则L2越大则导体层2和辐射板5的电磁场耦合就越弱。但是，若设为L1≥L2的关系，则在实用上(实质上)能确保从线圈导体31以及导体层2向辐射板5的电力传递效率。
另外，在以上所示的实施方式中，尽管在相对于线圈导体接近通信对方的天线的一侧来配置导体层，但线圈导体和导体层的位置并不限于此。例如，也可以从通信对方的天线来观察，按照辐射板、线圈导体、导体层的顺序来配置。
另外，在以上所示的各实施方式中，尽管在筐体的外表面或内表面形成了导体层和辐射板，但也可以在筐体的内部配置导体层和辐射板。另外，在筐体自身就是金属的情况下，也可以将该筐体用作所述导体层和辐射板。
另外，在以上所示的几个实施方式中，尽管示出了对具备线圈导体31的挠性基板33、以及由铁素体构成的磁性体片39进行层叠来构成天线线圈模块3的例子，但在对于磁通环路的形成而言没有不良影响的环境中，也不一定要在天线线圈模块3的背面设置磁性体片。
符号的说明
CA导体开口部
CW线圈开口部
FA相对区域
MF磁通
SL切口
1下部筐体
2导体层
3、13天线线圈模块
4读写器侧天线
5、5A、5B辐射板
31线圈导体
32连接部
33、34挠性基板
39磁性体片
41线圈导体
101～108天线装置

Claims (10)

1.一种天线装置，具备：
以卷绕中心部为线圈开口部的环路状或漩涡状的线圈导体；
导体层，其具备导体开口部、以及连接所述导体开口部和外缘之间的切口部；和
辐射板，
所述导体层和所述辐射板被配置成彼此隔着规定的间隙，
所述线圈导体和所述导体层经由电磁场或磁场而耦合，
所述导体层和所述辐射板经由电磁场或磁场而耦合，
在HF带中与通信对方侧天线进行基于磁场耦合的通信。
2.根据权利要求1所述的天线装置，其中，
在俯视观察所述线圈导体时，所述线圈开口部和所述导体开口部至少一部分重叠。
3.根据权利要求1或2所述的天线装置，其中，
在俯视观察所述线圈导体时，所述线圈导体和所述导体层重叠。
4.根据权利要求1或2所述的天线装置，其中，
将所述线圈导体和所述导体层配置得相接近。
5.根据权利要求1或2所述的天线装置，其中，
所述导体层的面积比所述线圈导体的形成区域的面积大。
6.根据权利要求1或2所述的天线装置，其中，
所述线圈导体卷绕成多层。
7.根据权利要求1或2所述的天线装置，其中，
在俯视观察所述线圈导体时，所述线圈开口部和所述导体开口部在全周大致重叠。
8.根据权利要求1或2所述的天线装置，其中，
所述导体层形成于作为嵌入对象的电子设备的筐体的内表面或外表面。
9.根据权利要求1或2所述的天线装置，其中，
所述线圈导体形成于基板，在所述基板的、距离通信对方侧的天线更远的一侧的面上层叠有磁性体片，通过所述基板和所述磁性体片构成天线线圈模块。
10.根据权利要求9所述的天线装置，其中，
所述辐射板与所述导体层相对，在俯视观察所述辐射板时，该辐射板与所述导体层的一部分重叠。
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