JP5061657B2 - 非接触式データキャリア装置 - Google Patents

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本発明は、電波を用い非接触で保持データの読み取りが可能な非接触式データキャリア装置に係り、特に、高周波対応、小型、高信頼性、高感度などに鑑みた非接触式データキャリア装置に関する。
UHF帯など高周波使用の非接触式データキャリア装置として、次のような構成のものがある。ひとつは、アルミニウムシートをエッチングしてパターン化したアンテナに、データキャリア用のICチップが接続、実装された構成である。もうひとつは、データキャリア用のICチップをパッケージングし、これをプリント配線パターンによるアンテナが形成された配線板に半田付け実装した構成である。
前者は、単独では温度変化、湿度などに対する信頼性に難が生じやすく、この改善には別途対応が必要である。後者は、ICチップがパッケージングされているので高信頼性であるものの、コスト面ではパッケージング手間や無鉛半田の使用のため不利である。非接触式データキャリア装置に限らず一般に高信頼性と低コストとは相反するが、UHF帯など高周波使用の非接触式データキャリア装置では特に、さらに小型、高感度などの要求もある。なお、本願の内容に関連する技術として下記特許文献1に開示のものがある。
特開2006−25390号公報
本発明は、電波を用い非接触で保持データの読み取りが可能な非接触式データキャリア装置において、高周波対応で、低コストかつ高信頼性で、加えて小型、高感度とすることにも対応可能な非接触式データキャリア装置を提供することを目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明の一態様である非接触式データキャリア装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられた、1ターンループで切れ目を一箇所にしかつループ上2箇所で幅広となっている導電性パターンと、前記導電性パターンの前記切れ目近傍の一方の端部に接続された第1のボンディングワイヤと、前記導電性パターンの前記切れ目近傍の他方の端部に接続された第2のボンディングワイヤと、前記第1のボンディングワイヤおよび前記第2のボンディングワイヤの前記導電性パターンに接続された側の端部とは反対の側の端部間に接続されたICチップと、前記絶縁基板上に設けられた、前記導電性パターン、前記第1、第2のボンディングワイヤ、および前記ICチップを封止する封止樹脂とを具備することを特徴とする。また、別の態様である非接触式データキャリア装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられた、1ターンループで切れ目を一箇所に有する導電性パターンと、前記導電性パターンの前記切れ目近傍の一方の端部に接続された第1のボンディングワイヤと、前記導電性パターンの前記切れ目近傍の他方の端部に接続された第2のボンディングワイヤと、前記第1のボンディングワイヤおよび前記第2のボンディングワイヤの前記導電性パターンに接続された側の端部とは反対の側の端部間に接続されたICチップと、前記絶縁基板上に設けられた、前記導電性パターン、前記第1、第2のボンディングワイヤ、および前記ICチップを封止する封止樹脂と、前記絶縁基板を貫通して設けられた、前記導電性パターンの1箇所に電気的導通する第1の縦方向導電体と、前記絶縁基板を貫通して設けられた、前記導電性パターンの別の1箇所に電気的導通する第2の縦方向導電体と、前記絶縁基板の前記導電性パターンが設けられた側の面とは反対の面上に設けられた、前記第1の縦方向導電体に電気的導通する第1の裏面導電性パターンと、前記絶縁基板の前記導電性パターンが設けられた側の面とは反対の面上に設けられた、前記第2の縦方向導電体に電気的導通する第2の裏面導電性パターンとを具備することを特徴とする。
すなわち、この非接触式データキャリア装置は、例えばUHF帯で使用するのに対応して絶縁基板上に1ターンループで切れ目を有する導電性パターンを備えている。この導電性パターンの切れ目近傍の端部間には、ボンディングワイヤを介してICチップが接続されている。そして、これらの導電性パターン、ボンディングワイヤ、およびICチップが、絶縁基板上において封止樹脂により封止された構造になっている。したがって、封止樹脂による封止で信頼性を高め、加えて、使用する部品・部材自体のコストも抑えることが可能である。よって高周波対応の非接触式データキャリア装置が低コスト、高信頼性で実現可能である。また、この構成を前提として、配線基板に用いられる技術を応用し小型化、高感度化に対応することもできる。
本発明によれば、電波を用い非接触で保持データの読み取りが可能な非接触式データキャリア装置において、高周波対応で、低コストかつ高信頼性で、加えて小型、高感度とすることにも対応可能である。
本発明の実施態様として、前記絶縁基板の前記第1、第2の裏面導電性パターンが設けられた面上に該第1、第2の裏面導電性パターンを覆うように設けられた半田レジスト層をさらに具備する、とすることができる。半田レジスト層により裏面導電性パターンを大気から遮断してこの裏面導電性パターンが腐食するのを防止し信頼性を維持することができる。
また、前記第1、第2の裏面導電性パターンが、それぞれ、平面図として、前記導電性パターンの局所的なループ方向と交わり該交わりにより前記導電性パターンと十字を形成している、とすることができる。このような第1、第2の裏面導電性パターンは、アンテナとして機能する他の部材との結合をさらに増すために活用することができる。
また、前記第1、第2の裏面導電性パターンが、それぞれ、スリットを有した形状である、とすることができる。スリットを有することで例えばその部分で接着剤の層厚を増し、アンテナとして機能する他の部材との固定強度を増すことができる。
また、参考態様として、前記絶縁基板上に蛇行して延設された、前記第1のボンディングワイヤに電気的導通する第2の導電性パターンと、前記絶縁基板上に蛇行して延設された、前記第2のボンディングワイヤに電気的導通する第3の導電性パターンとをさらに具備し、前記第1のボンディングワイヤから前記第2の導電性パターンに至る経路は、該第1のボンディングワイヤから前記第3の導電性パターンに至る経路より短く、前記第2のボンディングワイヤから前記第3の導電性パターンに至る経路は、該第2のボンディングワイヤから前記第2の導電性パターンに至る経路より短い、とすることができる。この構成では、第2、第3の導電性パターンは、高周波対応のアンテナパターンとして機能させることができ、一方、1ターンループの導電性パターンは、これらのアンテナパターンを前提としたインピーダンスマッチング部として機能させることができる。
これと同様に、高周波対応のアンテナパターンを裏面に設けることもできる。すなわち、前記第1、第2の裏面導電性パターンが、それぞれ、前記絶縁基板の前記導電性パターンが設けられた側の面とは反対の前記面上に、蛇行して延設されている、とすることができる。
また、実施態様として、前記絶縁基板の前記導電性パターンが設けられた側の面とは反対の面に対向して位置するアンテナ部材をさらに具備する、とすることができる。このようなアンテナ部材を設けることで高感度化、つまり対応できる通信の遠距離化を図ることができる。
ここで、前記絶縁基板の前記導電性パターンが設けられた側の面とは反対の前記面と前記アンテナ部材との間に接着部材をさらに具備する、とすることができる。絶縁基板側とアンテナ部材とを一体化するためのひとつの方法である。個別に製造してその後一体化することで安価になる。
また、ここで、前記アンテナ部材が、板状の支持部材と、該支持部材上に層状に形成された導電性インクパターンとを有する、とすることができる。導電性インクによって導電性パターンを支持部材上に形成すれば、安価が実現する。
以上を踏まえ、以下では本発明の実施形態を図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図である。図1(a)は平面図、図1(b)は図1(a)中のA−Aa位置における矢視方向の断面図である。図1(a)の図示では、説明の都合上、実際には設けられている封止樹脂16を省いている。図1に示すように、この非接触式データキャリア装置は、絶縁基板11、導電性パターン12、ICチップ13、ボンディングワイヤ14、15、封止樹脂16を有する。
絶縁基板11は、例えばガラスクロス入りエポキシ系樹脂やBTレジンを用いた基板であり、厚さは例えば0.5mmから3mm程度、大きさは最大で例えば20mm四方である。導電性パターン12は、例えば絶縁基板11上に積層された金属箔(例えば銅箔)を周知のフォトリソグラフィを用いて所定形状にパターン化して得られたものである。非接触式データキャリア装置として使用する電波帯域がUHF帯(900MHz帯)であることに対応して1ターンループのパターンであり、データキャリア用のICチップ13を接続するため、ループの1箇所が不連続(切れ目)になっている。このような1ターンループのパターンは、整合を加味したアンテナとして機能する。
ICチップ13は、導電性パターン12の不連続部にその機能面を上向きにして絶縁基板11上に固設されている。ICチップ13には、主たる内部構成要素として、通信回路部(不図示)とメモリ部(不図示)とが設けられている。通信回路部は、導電性パターン12によるアンテナに接続され、このアンテナを介して外部からのデータ読み出し指令信号を受信しかつこれに反応してメモリ部に格納されたデータの出力の仲介を行う。ボンディングワイヤ14、15は、周知のワイヤボンディング技術により、導電性パターン12の不連続部での両端部とICチップ13の端子(ボンディングパッド)とをそれぞれ接続する例えば金線である。
封止樹脂16は、絶縁基板11上で、ICチップ13、ボンディングワイヤ14、15、導電性パターン12を覆いこれらを大気から遮断するように設けられた樹脂層である。その材質としては、例えばエポキシ系樹脂、PPS、ABSなどを用いることができる。形成方法としては、個片化する前の絶縁基板11上で導電性パターン12の形成、ICチップ13の実装、ボンディングワイヤ14、15の接続の各工程を経た段階において、絶縁基板11上の全面に硬化前の封止樹脂16を適用しこれを例えば熱硬化させる方法を採用することができる。このような封止樹脂16の形成後、個片化することで生産性を上げ、封止樹脂16形成に必要な製造コストを抑えることができる。
また、絶縁基板11の用意、導電性パターン12の形成、ICチップ13の実装、ボンディングワイヤ14、15接続の各工程も、使用する部品・部材自体やそれらを用いる工程にかかるコストが抑えられたものであり、全体として低コスト化を達成しつつ高信頼性の非接触式データキャリア装置を得ることができる。なお、ICチップ13の実装、特にその導電性パターン12との電気的な接続には、コスト的にやや不利であるが、ボンディングワイヤ14、15使用に代えてフリップチップ接続とすることもできる。
次に、本発明の別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置について図2を参照して説明する。図2は、本発明の別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置の構成を模式的に示す平面図である。図2において、すでに説明した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付しその説明は省略する。図2においては断面図を省略するが、封止樹脂16の図示が図1(a)と同様に省略されている。
この実施形態では、導電性パターン12Aとして、そのループ上2箇所で幅広となっているパターンを用いる。このようなパターンとする理由は、他のアンテナ部材との電磁的な結合効率を増加するためである。ここで「他のアンテナ部材」とは、対応できる通信距離をより長くするため用いられるものであり、ブースターアンテナ、ブーストアンテナなどとも一般に称される。電磁的な結合効率が増加するほど、通信の遠距離化を実現できる。具体的に他のアンテナ部材を用いた形態については後述するが、遠距離化が必要ない場合には、図2に示す構成で足りることは言うまでもない。
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置について図3を参照して説明する。図3は、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図である。図3(a)は平面図、図3(b)は図3(a)中のB−Ba位置における矢視方向の断面図である。図3において、すでに説明した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付しその説明は省略する。図3(a)の図示では、説明の都合上、図1(a)と同様に、実際には設けられている封止樹脂16を省いている。さらに、裏面上に設けられている半田レジスト35の図示も省いている。
この実施形態では、図2中に示した導電性パターン12Aと同様の考えで、幅広部分に相当する裏面導電性パターン31、32を設けている。裏面導電性パターン31、32は、絶縁基板11の裏面(導電性パターン12が設けられた面とは反対の面)に設けられた、例えば、金属箔(例えば銅箔)のパターニングにより得られた導電性パターンである。裏面導電性パターン31、32と導電性パターン12との電気的接続のため、絶縁基板11を貫通するように層間接続バンプ33、34が設けられている。なお、裏面導電性パターン31、32は、他のアンテナ部材との位置関係を考慮し、平面で見たときに導電性パターン12と十字を形成するような位置に形成するのが好ましい。
この形態では、縦方向の導電体として密構造の層間接続バンプ33、34を用いているが、スルーホールの内壁に形成されたメッキ層による縦方向導電体とすることももちろん可能である。密構造の層間接続バンプ33、34の形成方法については、周知の各方法を利用することができる。絶縁基板11の裏面上には、裏面導電性パターン31、32を大気から遮断するため半田レジスト35の層を形成しているが、これは、通信の遠距離化が必要ない場合にも単独で使用できるように考慮したからである。
この実施形態は、他のアンテナ部材との位置関係として裏面導電性パターン31、32を利用して、それとの間隔をより詰めることが可能である。すなわち、図2に示した実施形態では、導電性パターン12Aと重なるような他のアンテナ部材は、絶縁基板11を介した位置、または封止樹脂16を介した位置となるところ、この実施形態では、裏面導電性パターン31、32と重なるような他のアンテナ部材は、半田レジスト35(厚さ例えば10μmないし30μm)を介した位置とすることが可能であり、各層の厚さの比較から言ってこれら間の間隔はより小さくできる。したがって、さらに通信の遠距離化に向いている。
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置について図4を参照して説明する。図4は、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置の構成を模式的に示す平面図である。図4において、すでに説明した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付しその説明は省略する。図4においては断面図を省略するが、封止樹脂16の図示が図1(a)と同様に省略されている。
この実施形態は、整合を考慮した1ターンループの導電性パターン12(図1参照)に代えて、蛇行して延設された蛇行導電性パターン12BをICチップ13の両端子から1対設けるようにしたものである。さらに、蛇行導電性パターン12Bを効率的なアンテナとして機能させるため、蛇行導電性パターン12Bとは別に1ターンのループ導電性パターン12Cも設けている。ループ導電性パターン12Cは、ICチップ13の両端子間をループするパターンであり、蛇行導電性パターン12Bを含めてアンテナとして整合のため設けられたパターンである。
アンテナとして整合を取るには、ループ導電性パターン12Cに加えて、ICチップ13の両端子間に接続する容量素子を別途設けることもできる。蛇行導電性パターン12Bは、図示した形状に限らず、必要な利得などの特性面や他のアンテナ部材との電磁的な結合効率などを考慮してさらに蛇行回数が多いパターンとすることもできる。
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置について図5を参照して説明する。図5は、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置の構成を模式的に示す平面図である。図5において、すでに説明した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付しその説明は省略する。図5においては断面図を省略するが、封止樹脂16の図示が図1(a)と同様に省略されている。さらに、裏面上に設けられている半田レジスト35の図示も図3(a)と同様に省いている。
この実施形態は、図2に示した実施形態を図3に示した実施形態に変形した考えを、図4に示した実施形態に対して適用したものである。すなわち、この実施形態では、図4中に示した蛇行導電性パターン12Bと同様の機能のものとして、絶縁基板11の裏面上に蛇行導電性パターン12Dを設けている。蛇行導電性パターン12Dは、例えば、金属箔(例えば銅箔)のパターニングにより得られた導電性パターンである。裏面の蛇行導電性パターン12Dと表面側のパターンとの電気的接続のため、絶縁基板11を貫通するように層間接続バンプ51、52が設けられている。
この形態では、縦方向の導電体として密構造の層間接続バンプ51、52を用いているが、スルーホールの内壁に形成されたメッキ層による縦方向導電体とすることももちろん可能である。密構造の層間接続バンプ51、52の形成方法については、周知の各方法を利用することができる。絶縁基板11の裏面上には、蛇行導電性パターン12Dを大気から遮断するため半田レジスト35の層を形成しているが、これは、遠距離化が必要ない場合にも単独で使用できるように考慮したからである。
この実施形態は、図3に示した実施形態と同様に、他のアンテナ部材との位置関係として蛇行導電性パターン12Dを利用して、それとの間隔をより詰めることが可能である。したがって、さらに通信の遠距離化に向いている。
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置について図6を参照して説明する。図6は、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図である。図6(a)は平面図、図6(b)は図6(a)中のC−Ca位置における矢視方向の断面図である。図6において、すでに説明した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付しその説明は省略する。図6(a)の図示では、説明の都合上、図1(a)と同様に、実際には設けられている封止樹脂16を省いている。
この実施形態は、図2に示した非接触式データキャリア装置を用い、これに他のアンテナ部材を組み合わせて通信の遠距離化を図った態様である。すなわち、絶縁基板11の裏面側に他のアンテナ部材としてブーストアンテナ61を設けこれらを所定に位置させている。ブーストアンテナ61は、支持部材61c上に導電層61a、61bが設けられた構成を有し、導電層61a、61bは、それらの端部がそれぞれ導電性パターン12Aの幅広部に重なるように位置している。なお、絶縁基板11とブーストアンテナ61との間にこれら間を固定するため接着層を設けてもよい。
導電層61a、61bは、それぞれ、導電性パターン12Aに重なった端部から両外側に延長する形状である。それらの延長する長さは、それぞれ、例えば20mmから165mm程度とすることができる。導電層61a、61bの材質としては、銅、アルミニウム、導電性インクなどを採用することができる。また、支持部材61cとしては、PET、ポリイミド、紙などのほか、配線基板にも用いられるFR−4などとすることができる。導電性インクと紙との組み合わせによれば、安価な構成のブーストアンテナ部材とすることができる。
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置について図7を参照して説明する。図7は、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図である。図7(a)は平面図、図7(b)は図7(a)中のD−Da位置における矢視方向の断面図である。図7において、すでに説明した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付しその説明は省略する。図7(a)の図示では、説明の都合上、図1(a)と同様に、実際には設けられている封止樹脂16を省いている。
この実施形態は、図3に示した非接触式データキャリア装置をほぼそのまま用い、これに他のアンテナ部材を組み合わせて通信の遠距離化を図った態様である。すなわち、絶縁基板11の裏面側に他のアンテナ部材としてブーストアンテナ61を設けこれらを所定に位置させている。ブーストアンテナ61と絶縁基板11との間には、これら間を固設するため接着部材たる接着層71を介在させている。これにより、ブーストアンテナ61の導電層61a、61bは、それらの端部がそれぞれ裏面導電性パターン31、32に重なるように位置が固定している。なお、図3に示したように絶縁基板11の裏面には半田レジスト35が設けられていてもよい。
この実施形態は、ブーストアンテナ61との位置関係として裏面導電性パターン31、32を利用して、それとの間隔をより詰めることが可能である。すなわち、図6に示した実施形態では、導電性パターン12Aと重なり位置するブーストアンテナ61は、絶縁基板11を介した位置となるところ、この実施形態では、裏面導電性パターン31、32と重なるブーストアンテナ61は、接着層71(厚さ例えば10μmないし30μm)を介した位置とすることが可能であり、各層の厚さの比較から言ってこれら間の間隔はより小さくできる。したがって、電磁的な結合効率が増しさらに通信の遠距離化に向いている。
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置について図8を参照して説明する。図8は、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図である。図8(a)は平面図、図8(b)は図8(a)中のE−Ea位置における矢視方向の断面図である。図8において、すでに説明した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付しその説明は省略する。図8(a)の図示では、説明の都合上、図1(a)と同様に、実際には設けられている封止樹脂16を省いている。さらに、絶縁基板11側にブーストアンテナ61を固設するための接着層71の図示も省いている。
この実施形態は、裏面導電性パターン31、32(図7を参照)に代えてスリット付きの裏面導電性パターン31A、32Aを設けている。このようなスリットを設けることで、接着層71の厚さがこの部分で厚くなり絶縁基板11側にブーストアンテナ61を固定する強度を増して、機械的な堅牢性をさらに確保することが可能である。なお、スリットは図示するような位置や個数に限らず適宜、裏面導電性パターン31A、32Aに設けることができる。
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置について図9を参照して説明する。図9は、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図である。図9(a)は平面図、図9(b)は図9(a)中のF−Fa位置における矢視方向の断面図である。図9において、すでに説明した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付しその説明は省略する。図9(a)の図示では、説明の都合上、図1(a)と同様に、実際には設けられている封止樹脂16を省いている。
この実施形態は、図4に示した非接触式データキャリア装置を用い、これに他のアンテナ部材を組み合わせて通信の遠距離化を図った態様である。すなわち、絶縁基板11の裏面側に他のアンテナ部材としてブーストアンテナ61を設けこれらを所定に位置させている。これにより、ブーストアンテナ61の導電層61a、61bは、それらの端部がそれぞれ蛇行導電性パターン12Bに重なるように位置している。なお、絶縁基板11とブーストアンテナ61との間にこれら間を固定するため接着層を設けてもよい。また、図5に示した非接触式データキャリア装置を用い、以上の説明と同様にブーストアンテナ61と組み合わせることも可能である(この組み合わせには図7に示した実施形態が参考になる)。
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置について図10を参照して説明する。図10は、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図である。図10(a)は平面図、図10(b)は図10(a)中のG−Ga位置における矢視方向の断面図である。図10において、すでに説明した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付しその説明は省略する。図10(a)の図示では、説明の都合上、図1(a)と同様に、実際には設けられている封止樹脂16を省いている。
この実施形態も、図6に示した実施形態と同様に、図2に示した非接触式データキャリア装置を用い、これに他のアンテナ部材を組み合わせて通信の遠距離化を図った態様である。具体的には、ブーストアンテナ61に代えて、他のアンテナ部材として2つの金属板101a、101bを設けている。これらの金属板101a、101bは、ブーストアンテナ61の導電層61a、61bにそれぞれ機能として相当している。したがって、導電性パターン12Aの幅広部との重なり位置は、金属板101a、101bの場合と、導電層61a、61bとの場合とで同じである。なお、絶縁基板11と金属板101a、101bとの間にこれら間を固定するため接着層を設けてもよい。
金属板101a、101bは、例えば、各種の銅合金(例えばシリコン、ニッケル、銅の合金、クロムと銅の合金、すずと銅の合金)や42アロイ(ニッケルと鉄の合金)をその材料とすることができる。この実施形態のように導電層61a、61bに代えて金属板101a、101bを用いる態様は、図7、図8、図9にそれぞれ示した実施形態でも有用である。
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置について図11を参照して説明する。図11は、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置の構成を模式的に示す平面図である。図11において、すでに説明した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付しその説明は省略する。図11においては断面図を省略するが、封止樹脂16の図示が図1(a)と同様に省略されている。
この実施形態は、図10に示した実施形態の変形例である。すなわち、リボン状の形状を有する金属板101a、101bに代えて、導電性パターン12Aの幅広部との重なりの形状は図10と同じであるものの、その両外側に延長する部分についてはより短くかつ幅広となった形状の金属板111a、111bを設けた態様である。このような形状の金属板111a、111bを使用することで、通信感度の向上、すなわちより遠距離の通信に対応の可能性を有する。
この実施形態は金属板111a、111bを使用しているが、これらと同様の平面形状を有する導電層を備えた支持部材付きのブーストアンテナを使用することももちろん可能である。また、この実施形態のように導電層61a、61bに代えて金属板111a、111bを用いる態様は、図7、図8、図9にそれぞれ示した実施形態でも有用である。
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置について図12を参照して説明する。図12は、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置の構成を模式的に示す平面図である。図12において、すでに説明した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付しその説明は省略する。図12においては断面図を省略するが、封止樹脂16の図示が図1(a)と同様に省略されている。
この実施形態は、図6に示した実施形態と同様に、図2に示した非接触式データキャリア装置を用い、これに他のアンテナ部材を組み合わせて通信の遠距離化を図った態様である。ここで、他のアンテナ部材たるブーストアンテナ61Aとして、図6に示したような絶縁基板11の左右外側に直線状に延長する導電層を有するものではなく、図示するように、蛇行するパターンの導電層を有するものを用いる。蛇行するパターンにすることで、より小さな面積でアンテナとして必要な長さを確保することが可能である。なお、絶縁基板11とブーストアンテナ61Aとの間にこれら間を固定するため接着層を設けてもよい。当然ながら、図7、図8、図9に示した実施形態においてもブーストアンテナ61に代えてブーストアンテナ61Aを用いる態様は有用である。
次に、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置について図13を参照して説明する。図13は、本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置の構成を模式的に示す平面図である。図13において、すでに説明した構成要素と同一または同一相当のものには同一符号を付しその説明は省略する。図13においては断面図を省略するが、封止樹脂16の図示が図1(a)と同様に省略されている。
この実施形態も、図6に示した実施形態と同様に、図2に示した非接触式データキャリア装置を用い、これに他のアンテナ部材を組み合わせて通信の遠距離化を図った態様である。ここで、他のアンテナ部材たるブーストアンテナ61Bとして、図示するように、ループするパターンの導電層を有するものを用いる。ループするパターンにすることで、そのパターン幅や長さを所定に設定しこのブーストアンテナ61B自体として整合を取ることが可能である。なお、絶縁基板11とブーストアンテナ61Bとの間にこれら間を固定するため接着層を設けてもよい。当然ながら、図7、図8、図9に示した実施形態においてもブーストアンテナ61に代えてブーストアンテナ61Bを用いる態様は有用である。
本発明の一実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図。 本発明の別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置の構成を模式的に示す平面図。 本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図。 本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置の構成を模式的に示す平面図。 本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置の構成を模式的に示す平面図。 本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図。 本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図。 本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図。 本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図。 本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置を模式的に示す構成図。 本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置の構成を模式的に示す平面図。 本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置の構成を模式的に示す平面図。 本発明のさらに別の実施形態に係る非接触式データキャリア装置の構成を模式的に示す平面図。
符号の説明
11…絶縁基板、12…導電性パターン、12A…導電性パターン(幅広部位あり)、12B…蛇行導電性パターン、12C…ループ導電性パターン、12D…蛇行導電性パターン(裏面上)、13…ICチップ、14、15…ボンディングワイヤ、16…封止樹脂、31,32…裏面導電性パターン、31A,32A…裏面導電性パターン(スリット付き)、33,34…層間接続バンプ(縦方向導電体)、35…半田レジスト、51,52…層間接続バンプ(縦方向導電体)、61,61A,61B…ブーストアンテナ、61a,61b…導電層、61c…支持部材、71…接着層(接着部材)、101a,101b…金属板、111a,111b…金属板。

Claims (8)

  1. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板上に設けられた、1ターンループで切れ目を一箇所にしかつループ上2箇所で幅広となっている導電性パターンと、
    前記導電性パターンの前記切れ目近傍の一方の端部に接続された第1のボンディングワイヤと、
    前記導電性パターンの前記切れ目近傍の他方の端部に接続された第2のボンディングワイヤと、
    前記第1のボンディングワイヤおよび前記第2のボンディングワイヤの前記導電性パターンに接続された側の端部とは反対の側の端部間に接続されたICチップと、
    前記絶縁基板上に設けられた、前記導電性パターン、前記第1、第2のボンディングワイヤ、および前記ICチップを封止する封止樹脂と
    を具備することを特徴とする非接触式データキャリア装置。
  2. 絶縁基板と、
    前記絶縁基板上に設けられた、1ターンループで切れ目を一箇所に有する導電性パターンと、
    前記導電性パターンの前記切れ目近傍の一方の端部に接続された第1のボンディングワイヤと、
    前記導電性パターンの前記切れ目近傍の他方の端部に接続された第2のボンディングワイヤと、
    前記第1のボンディングワイヤおよび前記第2のボンディングワイヤの前記導電性パターンに接続された側の端部とは反対の側の端部間に接続されたICチップと、
    前記絶縁基板上に設けられた、前記導電性パターン、前記第1、第2のボンディングワイヤ、および前記ICチップを封止する封止樹脂と、
    前記絶縁基板を貫通して設けられた、前記導電性パターンの1箇所に電気的導通する第1の縦方向導電体と、
    前記絶縁基板を貫通して設けられた、前記導電性パターンの別の1箇所に電気的導通する第2の縦方向導電体と、
    前記絶縁基板の前記導電性パターンが設けられた側の面とは反対の面上に設けられた、前記第1の縦方向導電体に電気的導通する第1の裏面導電性パターンと、
    前記絶縁基板の前記導電性パターンが設けられた側の面とは反対の面上に設けられた、前記第2の縦方向導電体に電気的導通する第2の裏面導電性パターンと
    を具備することを特徴とする非接触式データキャリア装置。
  3. 前記絶縁基板の前記第1、第2の裏面導電性パターンが設けられた面上に該第1、第2の裏面導電性パターンを覆うように設けられた半田レジスト層をさらに具備することを特徴とする請求項記載の非接触式データキャリア装置。
  4. 前記第1、第2の裏面導電性パターンが、それぞれ、平面図として、前記導電性パターンの局所的なループ方向と交わり該交わりにより前記導電性パターンと十字を形成していることを特徴とする請求項記載の非接触式データキャリア装置。
  5. 前記第1、第2の裏面導電性パターンが、それぞれ、スリットを有した形状であることを特徴とする請求項記載の非接触式データキャリア装置。
  6. 前記絶縁基板の前記導電性パターンが設けられた側の面とは反対の面に対向して位置するアンテナ部材をさらに具備することを特徴とする請求項1ないしのいずれか1項記載の非接触式データキャリア装置。
  7. 前記絶縁基板の前記導電性パターンが設けられた側の面とは反対の前記面と前記アンテナ部材との間に接着部材をさらに具備することを特徴とする請求項記載の非接触式データキャリア装置。
  8. 前記アンテナ部材が、板状の支持部材と、該支持部材上に層状に形成された導電性インクパターンとを有することを特徴とする請求項記載の非接触式データキャリア装置。
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