JP4466795B2 - 無線icデバイス - Google Patents
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Description
無線ICと該無線ICに導通あるいは電磁界結合すると共に外部回路に結合する給電回路基板とからなる電磁結合モジュールである、または前記無線ICチップ自体である、高周波デバイスと、放射体として作用する放射電極と、前記高周波デバイスおよび前記放射電極に結合し、ループ面が前記放射電極の面に対して垂直または傾斜関係にあるループ状電極と、を備え、
前記ループ状電極は前記放射電極に対して電気的に直接導通し、前記放射電極の一部をループ状電極に兼用する。
無線ICと該無線ICに導通あるいは電磁界結合すると共に外部回路に結合する給電回路基板とからなる電磁結合モジュールである、または前記無線ICチップ自体である、高周波デバイスと、放射体として作用する放射電極と、前記高周波デバイスおよび前記放射電極に結合し、ループ面が前記放射電極の面に対して垂直または傾斜関係にあるループ状電極と、を備え、
前記高周波デバイスおよび前記ループ状電極を前記放射電極に樹脂でモールドする。
また、この発明の無線ICデバイスは、
無線ICと該無線ICに導通あるいは電磁界結合すると共に外部回路に結合する給電回路基板とからなる電磁結合モジュールまたは無線ICチップである、高周波デバイスと、
放射体として作用する放射電極と、
前記高周波デバイスおよび前記放射電極に結合し、ループ面が前記放射電極の面に対して垂直または傾斜関係にあるループ状電極と、
を備え、
前記放射電極は導電層を含む円柱状の金属物品または電子機器内の回路基板に形成された電極パターンまたは電子機器内のコンポーネントに設けられた金属板とする。
無線ICと該無線ICに導通あるいは電磁界結合すると共に外部回路に結合する給電回路基板とからなる電磁結合モジュールまたは無線ICチップである、高周波デバイスと、
放射体として作用する放射電極と、
前記高周波デバイスおよび前記放射電極に結合し、ループ面が前記放射電極の面に対して垂直または傾斜関係にあるループ状電極と、
を備え、
前記ループ状電極は、前記放射電極の外部の電磁波送受信面とは反対面側に配置する。
無線ICと該無線ICに導通あるいは電磁界結合すると共に外部回路に結合する給電回路基板とからなる電磁結合モジュールまたは無線ICチップである、高周波デバイスと、
放射体として作用する放射電極と、
前記高周波デバイスおよび前記放射電極に結合し、ループ面が前記放射電極の面に対して垂直または傾斜関係にあるループ状電極と、
を備え、
前記ループ状電極は、前記放射電極または当該放射電極を含む導体面で覆われたものとする。
4…給電回路基板
5…ICチップ
6…無線ICデバイス主要部
7…ループ状電極
8…インピーダンス整合部
9,9a,9b…金属リボン部
10…基材
11…整合回路
15…回路基板
16…電極パターン
17,18…電子部品
20…インダクタ電極
21…モールド樹脂
25…キャパシタ電極
30…ループ状電極
35a〜35d…無線ICチップ実装用ランド
40…給電回路基板
41A〜41H…誘電体層
42a…ビアホール
45a,45b…インダクタ電極
46,47…インダクタ電極
51…キャパシタ電極
53〜57…キャパシタ電極
60〜64,70…金属物品
65…絶縁性シート
66,67,68,69…無線ICデバイス主要部
71,72,73…ループ状電極部
81〜86…金属ケース
87,88…金属トレイ
91,92…パッキン
93…ヒンジ
94…突起部
95…隙間
96…リム
C1,C2…キャパシタ
L1,L1a,L1b,L2…インダクタ
E…電界
H…磁界
図2は、第1の実施形態に係る無線ICデバイスおよびそれを備えた金属物品の外観斜視図である。金属物品60は、少なくとも表面または表面付近が金属である金属物品である。
図5は第2の実施形態に係る2つの無線ICデバイスの構成を示す図である。この第2の実施形態は、高周波デバイスの実装部とループ状電極との間に、高周波デバイスとループ状電極とを直接導通させる整合回路を備えたものである。
図6は第3の実施形態に係る無線ICデバイスおよびそれを備えた金属物品の外観斜視図である。金属物品61は、少なくとも表面または表面付近が金属である金属物品である。
図8は第4の実施形態に係る無線ICデバイスを備えた金属物品の外観図である。金属物品62は例えば円柱状の金属製の缶である。図2・図6に示した例では金属物品は多面体状であったが、この図8に示す例では、金属物品62は円柱状であり、その側面に無線ICデバイス主要部67を取り付けている。
図10は、第5の実施形態に係る無線ICデバイスを備えた金属物品の外観図である。金属物品63は例えば円柱状の金属製の缶である。図8に示した例では、金属物品62の側面に電磁結合モジュール1を配置したが、この図10に示した例では、金属物品63の一部に金属リボン部9,9を設け、その金属リボン部9,9に電磁結合モジュール1を配置している。この電磁結合モジュール1および金属リボン部9,9の周囲には樹脂等の絶縁物を被覆またはモールドしてもよい。
図12は、第6の実施形態に係る無線ICデバイスを備えた金属物品の外観図である。この金属物品64の表面には無線ICデバイス主要部68を備えている。
図14は第7の実施形態に係る、無線ICデバイスに用いる電磁結合モジュール1の外観斜視図である。この電磁結合モジュール1は他の実施形態における各無線ICデバイスに適用できるものである。この電磁結合モジュール1は無線ICチップ5と給電回路基板4とで構成している。給電回路基板4は、放射体として作用する金属物品と無線ICチップ5との間のインピーダンス整合をとるとともに共振回路として作用する。
図17は、第8の実施形態に係る無線ICデバイスで用いる電磁結合モジュールの構成を示す図である。図17において基材10の内層には、ループ状電極30を形成している。この開放した2つの端部30a,30bの上部に絶縁層を介してインダクタ電極20およびキャパシタ電極25を形成している。インダクタ電極20はスパイラル状であり、その内側の端部は後述するようにキャパシタ電極25に接続している。
図20は第9の実施形態に係る無線ICデバイスの給電回路基板40の分解斜視図である。また、図21はその等価回路図である。
図22は無線ICデバイスを備えたノート型パソコンの外観斜視図であり、図23はその内部の回路基板の主要部の断面図である。ノート型パソコン内の回路基板15には電子部品17、18と共に無線ICデバイス主要部6を回路基板15に対してほぼ垂直に実装している。回路基板15の上面には電極パターン16を形成している。この電極パターン16は無線ICデバイス主要部6と結合して放射体として作用する。
図24は、第11の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。
第1の実施形態で図2に示した例では、リーダ・ライタから信号を受ける面(金属物品60の外部の電磁波送受信面)に無線ICデバイス主要部6を設けたが、第11の実施形態は、リーダ・ライタから信号を受ける面とは反対面側に無線ICデバイス主要部6を設けたものである。
また、ループ状電極7は導体面に接していてもよいし、離れていてもよい。
図25は、第12の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。
第1の実施形態で図2に示した例では、金属物品60の表面(外面)に無線ICデバイス主要部6を設けたが、第12の実施形態は、金属物品60の内部(内面)に無線ICデバイス主要部6を設けたものである。
図26は、第13の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。
図26の例では、表面に電気絶縁体または電気抵抗体の被膜を形成した金属ケース83,84を用いている。その他の構成は図25に示したものと同様である。
図27は、第14の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。
図27の例では、下部の金属ケース85と上部の金属ケース86との接合部に突起部94が設けられていて、隙間95が生じている。その他の構成は図25に示したものと同様である。
図28は、第15の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。
図28の例では、表面に電気絶縁体または電気抵抗体の被膜を形成した金属トレイ87の内部に無線ICデバイス主要部6を設けて、RF−IDタグ付き金属トレイを構成している。また、この図28の例では複数の金属トレイを積み重ねた例を示している。
図29は、第16の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。
図29の例では、縁部分に電気絶縁体または電気抵抗体のリム96を形成した金属トレイ88の内部に無線ICデバイス主要部6を設けて、RF−IDタグ付き金属トレイを構成している。この図29の例では複数の金属トレイを積み重ねた例を示している。
Claims (10)
- 無線ICと該無線ICに導通あるいは電磁界結合すると共に外部回路に結合する給電回路基板とからなる電磁結合モジュールまたは無線ICチップである、高周波デバイスと、
放射体として作用する放射電極と、
前記高周波デバイスおよび前記放射電極に結合し、ループ面が前記放射電極の面に対して垂直または傾斜関係にあるループ状電極と、
を備え、
前記ループ状電極は前記放射電極に対して電気的に直接導通し、前記放射電極の一部をループ状電極に兼用した、無線ICデバイス。 - 無線ICと該無線ICに導通あるいは電磁界結合すると共に外部回路に結合する給電回路基板とからなる電磁結合モジュールまたは無線ICチップである、高周波デバイスと、
放射体として作用する放射電極と、
前記高周波デバイスおよび前記放射電極に結合し、ループ面が前記放射電極の面に対して垂直または傾斜関係にあるループ状電極と、
を備え、
前記高周波デバイスおよび前記ループ状電極を前記放射電極に樹脂でモールドした、無線ICデバイス。 - 無線ICと該無線ICに導通あるいは電磁界結合すると共に外部回路に結合する給電回路基板とからなる電磁結合モジュールまたは無線ICチップである、高周波デバイスと、
放射体として作用する放射電極と、
前記高周波デバイスおよび前記放射電極に結合し、ループ面が前記放射電極の面に対して垂直または傾斜関係にあるループ状電極と、
を備え、
前記放射電極は導電層を含む円柱状の金属物品または電子機器内の回路基板に形成された電極パターンまたは電子機器内のコンポーネントに設けられた金属板である、無線ICデバイス。 - 無線ICと該無線ICに導通あるいは電磁界結合すると共に外部回路に結合する給電回路基板とからなる電磁結合モジュールまたは無線ICチップである、高周波デバイスと、
放射体として作用する放射電極と、
前記高周波デバイスおよび前記放射電極に結合し、ループ面が前記放射電極の面に対して垂直または傾斜関係にあるループ状電極と、
を備え、
前記ループ状電極は、前記放射電極の外部の電磁波送受信面とは反対面側に配置された、無線ICデバイス。 - 無線ICと該無線ICに導通あるいは電磁界結合すると共に外部回路に結合する給電回路基板とからなる電磁結合モジュールまたは無線ICチップである、高周波デバイスと、
放射体として作用する放射電極と、
前記高周波デバイスおよび前記放射電極に結合し、ループ面が前記放射電極の面に対して垂直または傾斜関係にあるループ状電極と、
を備え、
前記ループ状電極は、前記放射電極または当該放射電極を含む導体面で覆われた、無線ICデバイス。 - 前記ループ状電極は絶縁層を介して前記放射電極と電磁界結合する請求項1〜5の何れかに記載の無線ICデバイス。
- 前記高周波デバイスの実装部と前記ループ状電極との間に、前記高周波デバイスと前記ループ状電極とを直接導通させる整合回路を備えた請求項1〜6の何れかに記載の無線ICデバイス。
- 前記給電回路基板内に共振回路および/または整合回路を備えた請求項1〜7の何れかに記載の無線ICデバイス。
- 前記共振回路の共振周波数は前記放射電極により送受信される信号の周波数に実質的に相当する請求項8に記載の無線ICデバイス。
- 前記高周波デバイスまたは前記ループ状電極を樹脂により被覆した請求項1〜9の何れかに記載の無線ICデバイス。
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