JP4867830B2 - 無線icデバイス - Google Patents

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この発明は、電磁波により非接触でデータ通信を行うRFID(Radio Frequency Identification)システムに適用する無線ICデバイスおよびその製造方法に関するものである。
近年、物品の管理システムとして、誘導電磁界を発生するリーダライタと物品に付された所定の情報を記憶したRFIDタグとで非接触通信し、情報を伝達するRFIDシステムが利用されている(特許文献1参照)。
図1はその特許文献1に示されている、ICタグ用アンテナにICタグラベルを装着した非接触ICタグ(RFIDタグ)の例を示す図である。
このRFIDタグT0は、誘電体基板84の片面に、左右一対の主アンテナ素子81,81と、補助アンテナ素子82と、左右一対の整合部83,83とが形成されてなる。
主アンテナ素子81,81は、導体線がメアンダライン状に形成されたメアンダ型アンテナであって、誘電体基板84に左右対称に配置されている。主アンテナ素子81,81は誘電体基板84の両端エリアを占有しており、これら左右一対の主アンテナ素子81,81間に補助アンテナ素子82が配置されている。
各整合部83,83はメアンダライン状に形成された導体線(インダクタ)である。整合部83,83の各一端部はそれぞれ主アンテナ素子81,81の内側端部に接続されていて、この整合部83,83の各他端部に無線ICチップ86が搭載されている。
特開2005−244778号公報
しかし、特許文献1の非接触ICタグには以下のような問題点がある。
(a)ICチップと主アンテナ(整合部)とは電気的に導通しなければならないので、ICチップの実装電極側を主アンテナ側に向けるように揃える必要がある。そのため、ICチップの実装上の自由度が低い。
(b)また、そのために高い実装精度が要求され、高価な実装機が必要になり、また実装に時間が掛かるので、コスト高になる。
(c)ICチップがむき出しになり、RFIDタグとしての機械的強度や耐環境性が悪い。
そこで、この発明の目的は、製造が容易で安定した特性を有する無線ICデバイスを提供することにある。
前記課題を解決するために、この発明の無線ICデバイスは次のように構成する。
(1)無線ICチップと、
基材に放射電極を形成してなる放射板と、
前記放射電極と電磁界結合する外部結合電極、および前記無線ICチップと前記放射電極との間のインピーダンス整合をとる整合回路を有する給電回路基板と、
を備えた無線ICデバイスであって、
前記無線ICチップと前記給電回路基板とからなる電磁結合モジュールを前記放射板上に配置した状態で、前記電磁結合モジュールの第1・第2主面のいずれの主面を前記放射板側にしても、前記外部結合電極と前記放射電極との電磁結合量がほぼ等しくなるように、前記給電回路基板での前記外部結合電極の位置または形状を定めたことを特徴としている。
(2)前記給電回路基板内には例えば共振回路を備える。
(3)前記外部結合電極は、例えば前記給電回路基板内で当該給電回路基板の第1・第2主面の近傍にそれぞれ配置され、前記放射電極と容量結合する平板電極とする。
(4)前記給電回路基板の第1・第2主面の近傍にそれぞれ配置された前記外部結合電極同士は例えばビアホールを介して接続する。
(5)前記外部結合電極は、例えば前記放射電極と電磁界結合するインダクタ電極である。
(6)前記無線ICチップと前記給電回路基板は、その両方または一方を保護膜で覆ってもよい。
(7)前記給電回路基板の第1の主面に凹部を備え、当該凹部に前記無線ICチップを配置してもよい。
(8)前記放射電極は、例えば前記基材の表面に形成し、前記電磁結合モジュールを前記基材の内部に配置する。
(9)前記放射電極は前記基材の両面に形成してもよい。
(10)前記放射板は、例えば第1・第2の少なくとも2つの放射板からなり、当該2つの放射板の間に前記電磁結合モジュールを配置する。
(11)前記電磁結合モジュールを囲むように前記2つの放射板同士を貼り合わせてもよい。
(12)前記給電回路基板は、例えば電極パターンを形成した複数の誘電体層を積層した多層基板で構成する。
(13)前記電磁結合モジュールの第1・第2主面に方向識別用の表示を形成してもよい。
この発明によれば、次のような効果を奏する。
(1)電磁結合モジュールの上下面が反転してもRFIDタグとして作用し、且つ放射特性を同特性にできる。したがって、無線ICデバイスを物品に取り付ける際に、方向性を無くすことができ、無線ICデバイスの供給テープなどへの装着時も含めて取り扱いが容易になり、トータルに低コスト化できる。
(2)前記給電回路基板内に共振回路を設けることによって、周波数の選択性が高まり、自己共振周波数により無線ICデバイスの動作周波数をほぼ決定することができる。それにともない、RFIDシステムで用いる周波数の信号のエネルギーの授受(送受信)を高効率のもとで行うことができる。また、放射体の形状やサイズを考慮して最適な共振周波数に設定することができ、これにより無線ICデバイスの放射特性を向上させることができる。
(3)給電回路基板の第1・第2主面の近傍に、放射電極と容量結合する平板電極を設けることにより、無線ICデバイスの第1・第2主面のいずれの面が放射板に向いても高い放射特性を得ることができる。また、放射電極と無線ICチップとを電気的に絶縁して配置することができ、無線ICチップが静電破壊されることなく、静電気に対する耐性を高めることができる。
(4)前記給電回路基板の第1・第2主面の近傍の外部結合電極同士を、ビアホールを介して接続することにより、整合回路から見た2つの外部結合電極を等価的に同じ電極として扱うことができ、整合回路の設計が容易となり、且つ第1・第2主面のいずれの面が放射板に向いても同特性の無線ICデバイスが得られる。
(5)外部結合電極を、放射電極と電磁界結合するインダクタ電極とすることによって、結合部がループ形状になるため、搭載方向の違いによる結合度の差が小さくなる。また、保護膜や接着剤などによる導電率の変化の影響を受けにくくなる。さらに、放射電極が誘導性である場合にインピーダンス整合がとりやすくなる。
(6)無線ICチップと給電回路基板は、その両方または一方を保護膜で覆うことによって電磁結合モジュールの機械的強度および耐環境性を向上させることができる。
(7)給電回路基板の第1の主面に凹部を備え、当該凹部に無線ICチップを配置することによって電磁結合モジュールの機械的強度や耐環境性が向上する。
(8)放射電極を基材の表面に形成し、電磁結合モジュールを放射板の基材の内部に配置することによって電磁結合モジュールの機械的強度や耐環境性が向上する。
(9)放射電極を基材の両面に形成することによって、RFIDタグとしての放射特性を向上させることができる。また、一方の面の放射電極と他方の面の放射電極とを異なる方向に配置すれば指向性を制御することも可能となる。
(10)2つの放射板の間に電磁結合モジュールを配置する場合も、RFIDタグとしての放射特性を向上させることができる。また、一方の面の放射電極と他方の面の放射電極とを異なる方向に配置すれば指向性を制御することが可能となる。
(11)電磁結合モジュールを囲むように2つの放射板同士を貼り合わせることによって、機械的強度と耐環境性が向上する。また平板部分が一層となり、取り扱いが容易となる。
(12)給電回路基板を、電極パターンを形成した誘電体層を積層してなる多層基板で構成することにより、電磁結合モジュールを小型化でき、多様な物品に適用できる。
(13)電磁結合モジュールの両主面に方向識別用の表示(マーク)を形成することにより、表裏どちら向きに実装しても電磁結合モジュールの左右端を識別することが可能となる。
《第1の実施形態》
第1の実施形態に係る無線ICデバイスの構成を図2・図3を参照して説明する。
図2は2つの無線ICデバイスの構成を示す断面図である。図2において符号1は電磁結合モジュールであり、給電回路基板4および無線ICチップ5を備えている。
放射板2は基材20に対して2つの放射電極21,22を形成してなる。電磁結合モジュール1は、その外部結合電極で放射電極21,22と電界結合(容量結合)するように放射板2に対して貼着している。図2(A)の例では、第2外部結合電極43,44が放射電極21,22の内側の端部付近に近接するように電磁結合モジュール1を放射板2に取り付けている。また図2(B)の例では、第1外部結合電極42,41が放射電極21,22の内側の端部付近に近接するように電磁結合モジュール1を放射板2に取り付けている。
上記放射電極21,22は電磁結合モジュール1の取り付け位置から互いに遠ざかる方向に延びる線路パターンからなり、基本的にダイポールアンテナとして作用する。
このように放射板2に対して電磁結合モジュール1の第1・第2主面のいずれの主面を向けて取り付けても、放射電極との結合量がほぼ等しくなるように給電回路基板4内の第2外部結合電極43,44の位置と、保護膜6の厚み寸法および誘電率を定めている。
給電回路基板4内にはインダクタL1,L2,L3からなる整合回路40を設けている。この整合回路40は無線ICチップ5と放射電極21,22との間のインピーダンス整合をとる。また、整合回路40は共振回路の機能を兼ねていてもよい。例えばUHF帯などの周波数になるようにインダクタンス値を調整することにより、無線ICデバイスとしての動作周波数に合わせることができる。
図3は電磁結合モジュール1の内部の構成を示す分解斜視図である。電磁結合モジュール1は多層基板からなる給電回路基板4、無線ICチップ5、および保護膜6から構成している。
給電回路基板4は、それぞれに電極パターンを形成した複数の誘電体層を積層してなる多層基板であり、最上層の誘電体層41Aには無線ICチップ実装用ランド35a〜35dおよび第1外部結合電極41,42を形成している。誘電体層41Bにはインダクタ電極45a,46a,47aを形成している。誘電体層41Cにはインダクタ電極45b,46b,47bを形成している。誘電体層41Dにはインダクタ電極45c,46c,47cを形成している。誘電体層41Eにはインダクタ電極45d,46d,47dを形成している。誘電体層41Fにはインダクタ電極45e,46e,47eを形成している。さらに誘電体層41Gには第2外部結合電極43,44を形成している。各誘電体層の電極同士は図3に示すようにビアホールを介して接続している。
なお、保護膜6の表面には電磁結合モジュールの左右の向きを判別するための方向識別マーク61を形成している。また、誘電体層41Gの裏面にも、電磁結合モジュールの左右の向きを判別するための、方向識別マーク61と同様の方向識別マーク62を形成している。この例では無線ICデバイスの左右で放射パターンなどに特性差があって、それを考慮してこの無線ICデバイスを物品に実装する際、電磁結合モジュールの左右方向を識別するために利用する。
上記インダクタ電極45a〜45eによってインダクタL1を構成している。またインダクタ電極46a〜46eによってインダクタL2を構成している。さらにインダクタ電極47a〜47eによってインダクタL3を構成している。これらのインダクタL1,L2,L3による整合回路は図2に示したとおりである。
上記各誘電体層は誘電体セラミックであり、それらを積層し一体焼成することによってセラミック多層基板を構成する。セラミック以外に液晶ポリマー(LCP)等の樹脂材料を用いることもできる。
給電回路基板4上に前記無線ICチップ5を搭載してなる無線ICデバイス1は、図示しないリーダライタから放射される高周波信号(例えばUHF周波数帯)を放射電極21,22で受信し、給電回路基板4内の共振回路を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ICチップ5に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ICチップ5にメモリされている情報を、共振回路にて所定の周波数に整合させた後、放射電極21,22に伝え、該放射電極21,22からリーダライタに送信・転送する。
給電回路基板4においては、インダクタンス素子L1,L2,L3とその浮遊容量とで構成される共振回路にて共振周波数が決定される。放射電極21,22から放射される信号の周波数は、共振回路の自己共振周波数によって実質的に決まる。
《第2の実施形態》
図4は第2の実施形態に係る無線ICデバイスで用いる電磁結合モジュールの主要部の断面図である。図2に示した例では給電回路基板に第1・第2の外部結合電極を設けたが、図4に示す例では給電回路基板4の内部に一組の外部結合電極51,52のみを形成している。この外部結合電極51,52の位置は、電磁結合モジュール11の第1・第2のいずれの主面を放射板に向けて取り付けても放射電極との結合量がほぼ等しくなるように定めている。
放射板の放射電極と外部結合電極51,52との間に生じるキャパシタンスが小さくなる分、インダクタL1,L2,L3からなる整合回路40の回路定数は異なるが基本的な構成は第1の実施形態の場合と同様である。
《第3の実施形態》
図5は第3の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。この例では給電回路基板4の内部にヘリカル状の外部結合電極48を構成し、その外部結合電極48と無線ICチップ5との間に、インダクタL1,L3およびキャパシタC1からなる整合回路50を設けている。
図5では矩形ヘリカル上の外部結合電極48の断面が現れている。この外部結合電極48の一端は、整合回路50のインダクタL1とキャパシタC1との接続点に接続し、外部結合電極48の他端は、整合回路50のインダクタL3とキャパシタC1との接続点に接続している。
無線ICチップ5は給電回路基板4の上面に搭載し、無線ICチップ5の周囲および給電回路基板4の上面に保護膜6を被覆している。外部結合電極48の給電回路基板4の底面からの位置(高さ)と保護膜6の上面からの距離はほぼ等しくしている。
図6は図5に示した電磁結合モジュール12を放射板に取り付けた状態および放射電極のパターンの例を示す図である。放射電極25a,25bは長尺状をなし、この2つの放射電極25a,25b同士をループ状の放射電極25cで接続している。図中破線Bで囲んだ部分が電磁結合モジュール12の載置位置であり、電磁結合モジュール12の外部結合電極48と放射電極25cとが磁界結合する。
図6(A)に示した状態で、基材20および放射電極25からなる放射板に電磁結合モジュール12を裏返して取り付けても外部結合電極48と放射電極25cとの磁界結合の結合量はほぼ等しい。
《第4の実施形態》
図7は第4の実施形態に係る2つの無線ICデバイスの主要部の断面図である。
図7(A)の例では、給電回路基板4の上面に凹部を形成し、その凹部内に無線ICチップ5を実装し、凹部を保護膜6で覆っている。給電回路基板4の内部には図2に示したものと同様に整合回路40を設けるとともに第1外部結合電極41,42および第2外部結合電極43,44を設けて電磁結合モジュール13を構成している。
また図7(B)の例では、給電回路基板4の内部に整合回路40、第1外部結合電極41,42、および第2外部結合電極43,44とともに無線ICチップ5を設けて電磁結合モジュール14を構成している。
なお、図7(B)の構造の場合、無線ICチップ5の直上の面にも第1外部結合電極41,42を形成できるため、放射電極との間の容量を大きくすることができる。
いずれの構成でも電磁結合モジュールの厚み寸法を小さくでき、これらの電磁結合モジュールを放射板同士の間に配置したり、放射板内に配置したりする際に電磁結合モジュール取り付け位置の膨らみを抑えることができる。
《第5の実施形態》
図8は第5の実施形態に係る2つの無線ICデバイスの構成を示す断面図である。
図8(A)の例では、基材20の内部に電磁結合モジュール1を配置し、基材20の上面に形成した放射電極21,22と電磁結合モジュール1の外部結合電極とが電界結合するように互いの位置関係を定めている。
図8(B)の例では基材20の上面に放射電極21,22、下面に放射電極23,24をそれぞれ形成し、この基材20の内部に電磁結合モジュール1を配置している。放射電極21,22,23,24は電磁結合モジュール1の外部結合電極とそれぞれ電界結合して放射電極として作用する。そのため、RFIDタグとしての放射特性を向上させることができる。放射電極21〜24は基材20を挟んで平行に配置してもよく、また異なった方向に延びるように形成してもよい。このことにより放射電極の指向性パターンを設定することもできる。
《第6の実施形態》
図9(A)は第6の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図、図9(B)はその基材に形成した放射パターンの例を示す図である。
図9(A)に示すように、基材20の上面には放射電極26a,26b,26cを形成し、下面には放射電極25a,25b,25cを形成している。電磁結合モジュール12は基材20の内部に配置し、電磁結合モジュール12の外部結合電極48とループ状放射電極25c,26cとが磁界結合するようにそれらの位置関係を定めている。電磁結合モジュール12の構成は図5に示したものと同様である。
基材20の両面に形成した放射電極25,26は、それぞれの長尺状をなす部分(25a,25b,26a,26bを、基材20を挟んで平行に形成してもよく、異なった方向に延びるように形成してもよい。これにより指向性パターンを設定することもできる。
《第7の実施形態》
図10は第7の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。
図10(A)の例では、基材20に放射電極21,22を形成してなる放射板2と、基材30に放射電極31,32を形成してなる放射板3と、を用い、この2つの放射板2,3の間に電磁結合モジュール1を配置し、放射板2の放射電極21,22および放射板3の放射電極31,32と電磁結合モジュール1の外部結合電極とがそれぞれ結合するようにそれらの位置関係を定めている。電磁結合モジュール1の構成は図2に示したものと同様である。
図10(B)の例は、図10(A)に示した2つの放射板2,3同士を、電磁結合モジュール1を囲むように電磁結合モジュール1の近傍で互いに貼り合わせたものである。この構造によれば機械的強度と耐環境性が向上する。また平板部分が一層となり、取り扱いが容易となる。
特許文献1に示されている無線ICデバイスの構成を示す図である。 第1の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。 同無線ICデバイスの電磁結合モジュールの構成を示す分解斜視図である。 第2の実施形態に係る無線ICデバイスに用いる電磁結合モジュールの主要部の断面図である。 第3の実施形態に係る無線ICデバイスに用いる電磁結合モジュールの主要部の断面図である。 同無線ICデバイスの主要部の断面図、および放射板上の放射電極の形状を示す平面図である。 第4の実施形態に係る無線ICデバイスに用いる電磁結合モジュールの主要部の断面図である。 第5の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。 第6の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図、および放射板上の放射電極の形状を示す平面図である。 第7の実施形態に係る無線ICデバイスの主要部の断面図である。
符号の説明
1,11,12,13,14−電磁結合モジュール
2,3−放射板
4−給電回路基板
5−無線ICチップ
6−保護膜
20,30−基材
21,22,23,24,25−放射電極
40,50−整合回路
41,42−第1外部結合電極
43,44−第2外部結合電極
45,46,47−インダクタ電極
48,51,52−外部結合電極
61,62−方向識別マーク

Claims (13)

  1. 無線ICチップと、
    基材に放射電極を形成してなる放射板と、
    前記放射電極と電磁界結合する外部結合電極、および前記無線ICチップと前記放射電極との間のインピーダンス整合をとる整合回路を有する給電回路基板と、
    を備えた無線ICデバイスであって、
    前記無線ICチップと前記給電回路基板とからなる電磁結合モジュールを前記放射板上に配置した状態で、前記電磁結合モジュールの第1・第2主面のいずれの主面を前記放射板側にしても、前記外部結合電極と前記放射電極との電磁結合量がほぼ等しくなるように、前記給電回路基板での前記外部結合電極の位置または形状を定めた無線ICデバイス。
  2. 前記給電回路基板内に共振回路を備えたことを特徴とする請求項1に記載の無線ICデバイス。
  3. 前記外部結合電極は前記放射電極と容量結合する平板電極であり、当該外部結合電極を前記給電回路基板内で当該給電回路基板の第1・第2主面の近傍にそれぞれ配置した請求項1または2に記載の無線ICデバイス。
  4. 前記給電回路基板の第1・第2主面の近傍にそれぞれ配置された前記外部結合電極同士を接続した請求項3に記載の無線ICデバイス。
  5. 前記外部結合電極は、前記給電回路基板内に配置され、前記放射電極と電磁界結合するインダクタ電極である、請求項1または2に記載の無線ICデバイス。
  6. 前記無線ICチップと前記給電回路基板の両方または一方を保護膜で覆った請求項1〜5のいずれかに記載の無線ICデバイス。
  7. 前記給電回路基板の第1の主面に凹部を備え、当該凹部に前記無線ICチップを配置した請求項1〜5のいずれかに記載の無線ICデバイス。
  8. 前記放射電極を前記基材の表面に形成し、前記電磁結合モジュールを前記基材の内部に配置した請求項1〜7のいずれかに記載の無線ICデバイス。
  9. 前記放射電極を前記基材の両面に形成した請求項8に記載の無線ICデバイス。
  10. 前記放射板は第1・第2の少なくとも2つの放射板からなり、当該2つの放射板の間に前記電磁結合モジュールを配置した請求項1〜7のいずれかに記載の無線ICデバイス。
  11. 前記電磁結合モジュールを囲むように前記2つの放射板同士を貼り合わせた請求項10に記載の無線ICデバイス。
  12. 前記給電回路基板は、電極パターンを形成した複数の誘電体層を積層した多層基板で構成した請求項1〜11のいずれかに記載の無線ICデバイス。
  13. 前記電磁結合モジュールの第1・第2主面に方向識別用の表示を形成したことを特徴とする請求項1〜12のいずれかに記載の無線ICデバイス。
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