CN101335187B - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101335187B
CN101335187B CN2008101250367A CN200810125036A CN101335187B CN 101335187 B CN101335187 B CN 101335187B CN 2008101250367 A CN2008101250367 A CN 2008101250367A CN 200810125036 A CN200810125036 A CN 200810125036A CN 101335187 B CN101335187 B CN 101335187B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
carrying mechanism
processing
carrying
unit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008101250367A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101335187A (zh
Inventor
福富义光
三桥毅
小椋浩之
森西健也
川松康夫
长岛广路
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Original Assignee
Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=39666209&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN101335187(B) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Screen Semiconductor Solutions Co Ltd filed Critical Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Publication of CN101335187A publication Critical patent/CN101335187A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101335187B publication Critical patent/CN101335187B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B14/00—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
    • B05B14/30—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material comprising enclosures close to, or in contact with, the object to be sprayed and surrounding or confining the discharged spray or jet but not the object to be sprayed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B14/00—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
    • B05B14/40—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material for use in spray booths
    • B05B14/43—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material for use in spray booths by filtering the air charged with excess material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B05C13/02—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles for particular articles
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B14/00—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material
    • B05B14/40—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material for use in spray booths
    • B05B14/44—Arrangements for collecting, re-using or eliminating excess spraying material for use in spray booths using walls specially adapted for promoting separation of the excess material from the air, e.g. baffle plates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/04—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to gases
    • B05D3/0486—Operating the coating or treatment in a controlled atmosphere
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F3/00—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems
    • F24F3/12—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling
    • F24F3/16—Air-conditioning systems in which conditioned primary air is supplied from one or more central stations to distributing units in the rooms or spaces where it may receive secondary treatment; Apparatus specially designed for such systems characterised by the treatment of the air otherwise than by heating and cooling by purification, e.g. by filtering; by sterilisation; by ozonisation
    • F24F3/167—Clean rooms, i.e. enclosed spaces in which a uniform flow of filtered air is distributed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S118/00—Coating apparatus
    • Y10S118/07—Hoods
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

一种基板处理装置，其具有设置在上下方向上的多列基板处理列。各基板处理列具有排列在横向上的多个主搬运机构和对应于每个主搬运机构设置并用于处理基板的多个处理单元，各主搬运机构向对应的处理单元搬运基板的同时，与在横向相邻的其他的主搬运机构交接基板，而对基板进行一系列的处理。因为各基板处理列同时对基板进行处理，所以能够使基板处理装置的处理能力增强。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置，其对半导体基板、液晶显示装置用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板(以下，简单称为“基板”)进行一系列的处理。
背景技术
以往，作为该种装置是一种在基板上形成抗蚀膜，通过另外的曝光机将形成抗蚀膜的基板曝光，并使被曝光的基板显影的装置。具体地说，抗蚀膜形成用涂敷处理单元等各种药液处理单元和热处理单元分别与单独的主搬运机构设置在一起，从而构成一个域，通过排列这样的多个域而形成基板处理装置。在该装置中，在向各域中搬运基板的同时，通过各个域进行处理(例如，公知的日本国特开2003-324139号公报)。
但是，对于具有这样的结构的以往的例子，会出现如下的问题。
即，在以往的装置中，为了在域内对一片基板进行处理，主搬运机构需要5～10个搬运工序，各搬运工序分别花费数秒钟左右的时间。假设搬运工序为6个，分别花费5秒钟的时间，则域内的处理能力可以达到30秒一片(1小时120片)。但是，因为已经没有减少单独的主搬运机构的搬运工序数或者缩短各搬运工序的所需时间的余地，所以很难进一步提高域内的处理能力。因此，出现很难改善整个装置的处理能力的缺陷。对此可以考虑增加主搬运机构。但是，若增加域内的主搬运机构的台数，则对应于此也伴随着药液处理单元和加热部的增加，产生占用面积增大的缺陷。
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而提出的，其目的在于提供一种基板处理装置，在不使基板处理装置的安装面积增大情况下，能够使生产能力提高。
本发明为了达到这样的目的，采用了以下的结构。
一种基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于，包含有沿着横向排列的多个主搬运机构和对应于每个主搬运机构设置的、用于处理基板的多个处理单元，从而构成基板处理列，所述基板处理列中，各主搬运机构向对应的处理单元搬运基板，并与横向相邻的其他的主搬运机构交接基板，并且对基板进行一系列的处理，
该基板处理列在上下方向上设置有多个。
通过本发明，因为在上下方向上设置了多个基板处理列，所以各基板处理列能够同时处理基板。由此，能够提高基板处理装置的处理能力。此外，因为在上下方向上设置了基板处理列，所以能够避免基板处理装置的设置面积增大。
在此，任意配置排列在横向的主搬运机构。例如，可以以在一个方向排列一列或者多列的方式配置主搬运机构。此外，可以将主搬运机构配置在假设的曲线上的各点上，也可以将主搬运机构配置成“之”字形。此外，任意配置对应于每个主搬运机构都设置的处理单元。可以在横向排列各处理单元，也可以在上下方向上层叠，也可以配置为横竖的行列状。
在上述的发明中优选从俯视看各基板处理列中的主搬运机构以及处理单元的配置大致相同。从而能够使装置的结构简单化。
在上述的发明中优选具有：气体供给口，其用于向设置了所述主搬运机构的搬运空间供给清洁的气体；气体排出口，其用于将气体从所述搬运空间排出。从而能够保持搬运空间的环境清洁。
在上述的发明中优选所述搬运空间的环境在每个基板处理列都被隔断，
所述气体供给口以及所述气体排出口在每个基板处理列中分别单独设置。从而能够更加保持搬运空间的环境清洁。
在上述的发明中优选有：喷出单元，其形成有所述气体供给口；排出单元，其形成有所述气体排出口；所述喷出单元或者排出单元中的至少任意一个在每个基板处理列中隔断环境。从而能够使装置结构简化。
在上述的发明中优选所述气体供给口配置在比所述气体排出口更高的位置上。从而能够保持搬运空间的环境更加清洁。
在上述的发明中优选所述气体供给口配置在所述搬运空间的上部，所述气体排出口配置在所述搬运空间的下部。因为在搬运空间内能够形成向下的气流，所以能够保持搬运空间的环境更加清洁。
在上述的发明中优选具有用于向容置多片基板的盒搬运基板的分度器用搬运机构，所述分度器用搬运机构在其与各基板处理列一端的主搬运机构、即一端搬运机构之间进行基板的交接，而且，在所述分度器用搬运机构与各一端搬运机构中位于上侧的一端搬运机构之间，在该一端搬运机构的下部附近的高度位置上进行基板的交接，并且在所述分度器用搬运机构与各一端搬运机构中位于下侧的一端搬运机构之间，在该一端搬运机构的上部附近的高度位置上进行基板的交接。因为上下基板的交接位置相互邻近，所以能够抑制分度器用搬运机构的升降量。由此，能够使分度器用搬运机构的处理效率提高。
在上述的发明中优选具有装载部，所述装载部分别设置在所述分度器用搬运机构和各一端搬运机构之间，用于装载基板，所述分度器用搬运机构经由各装载部交接基板。因为经由各装载部进行基板的交接，所以与搬运机构彼此之间直接交接基板相比，能够提高搬运效率。
一种基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于，
沿着横向排列有多个处理域，
所述处理域具有：
处理单元，其设置在上下方向的每层上，用于对基板进行处理；
主搬运机构，其设置在各层上，并且向该层的处理单元搬运基板；
在相邻的处理域的同一层的主搬运机构彼此之间交接基板并且对基板进行一系列的处理。
根据本发明，在横向多个排列的处理域在每层同时搬运基板。而且，在多个处理域的各层上同时对基板进行一系列的处理。由此，能够增加基板处理装置的处理能力。此外，因为各处理域是在上下方向上具有多个层的成结构，所以能够避免基板处理装置的安装面积增大。
在上述的发明中优选每个处理域都具有框体，所述框体集中容置包含在一个处理域中的多个处理单元以及多个主搬运机构。因为能够以处理域为单位进行处理，所以能够简单的制造、修补基板处理装置。
在上述的发明中优选各处理域具有：隔断板，其设置在各层之间；气体供给口，其用于向各层的主搬运机构的搬运空间供给清洁的气体；气体排出口，其用于将气体从各层的主搬运机构的搬运空间排出。从而能够防止由主搬运机构产生的尘土扩散到其他层上。此外，能够保持各层的搬运空间清洁。
在上述的发明中优选具有：喷出单元，其形成有所述气体供给口；排出单元，其形成有所述气体排出口；所述喷出单元或者排出单元的至少任意一个兼用作所述隔断板。从而能够使装置结构简单化。
在上述的发明中优选各搬运空间的气体供给口配置在与该搬运空间的气体排出口相比更高的位置上。因为搬运空间内的气流为所谓的垂直流式(down flow)，所以能够保持各层的搬运空间更加清洁。
在上述的发明中优选具有分度器用搬运机构，其向容置多片基板的盒搬运基板，并且在所述分度器用搬运机构与在一侧的处理域中的各层的主搬运机构之间进行基板的交接，在所述分度器用搬运机构与在一侧的处理域中的各层的主搬运机构之间，所述分度器用搬运机构进行的基板的交接的各位置相接近。因为能够抑制分度器用搬运机构的升降量，所以能够提高分度器用搬运机构的处理效率。
在上述的发明中优选具有装载部，该装载部分别设置在一侧的处理域中的各层的主搬运机构与所述分度器用搬运机构之间，用于装载基板，所述分度器用搬运机构经由各装载部交接基板。因为该结构，所以与搬运机构彼此之间直接交接基板相比，能够提高搬运效率。
一种基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于，具有：
分度器部，其具有分度器用搬运机构，所述分度器用搬运机构向容置多片基板的盒搬运基板；
涂覆处理域，其是与所述分度器部相邻的涂覆处理域，具有：涂覆处理单元以及热处理单元，其在上下方向的每层都设置，用于在基板上形成抗蚀膜；主搬运机构，其在每层中设置，用于向该层的涂覆处理单元以及热处理单元搬运基板；
显影处理域，其是与所述涂覆处理域相邻的显影处理域，具有：显影处理单元以及热处理单元，其在上下方向的每层中设置，用于使基板显影；主搬运机构，其在每层中设置，用于对该层的显影处理单元以及热处理单元搬运基板；
接口部，其与所述显影处理域相邻，具有接口用搬运机构，所述接口用搬运机构向本装置之外的曝光机搬运基板；
所述分度器用搬运机构与所述涂覆处理域中的各层的主搬运机构之间进行基板的交接，
在所述涂覆处理域中的各层的主搬运机构，与所述显影处理域中的同一层的主搬运机构之间进行基板的交接，
所述分度器用搬运机构与所述显影处理域中的各层的主搬运机构之间进行基板的交接。
根据本发明，分度器用搬运机构按顺序从盒中取出基板，并且将这些基板传递给涂敷处理域的各层的主搬运机构。涂敷处理域的各主搬运机构向分别负责的涂敷处理单元和热处理单元搬运基板。在各处理单元中对基板进行规定的处理。涂敷处理域的各层的主搬运机构将形成了抗蚀膜的基板搬运到与相邻的显影处理域处在同一层的主搬运机构。显影处理域的各主搬运机构将该基板传递给与相邻的接口部的接口用搬运机构。接口用搬运机构将接收的基板传递给外部装置，即曝光机。曝光处理后的基板在此返回接口部。接口用搬运机构将各基板传递给显影处理域的各层的主搬运机构。显影处理域的各主搬运机构向分别负责的显影处理单元和热处理单元搬运基板。在各处理单元中对基板进行规定的处理。显影处理域的各层的主搬运机构将显影处理后基板传递给与相邻的涂敷处理域位于同一层的主搬运机构。显影处理域的各层的主搬运机构将该基板传递给分度器部的分度器用搬运机构。分度器用搬运机构将该基板容置在规定的盒中。如上，根据该结构，因为在涂敷处理域以及显影处理域的各层中分别同时进行用于形成抗蚀膜的处理和显影处理，所以能够增加基板处理装置的处理效率。此外，因为涂敷处理域和显影处理域在上下方向上是具有多个层的层结构，所以能够避免基板处理装置的安装面积的增大。
在上述的发明中优选具有控制部，所述控制部进行控制，使得接口用搬运机构以与分度器用搬运机构从盒取出基板的顺序相同的顺序将基板输送至曝光机。从而能够较佳的管理多个基板。
在上述的发明中优选具有缓冲部，其配备在接口部上，用于暂时容置基板，
在以与分度器用搬运机构从盒取出基板的顺序不相同的顺序从显影处理域输出基板时，控制部进行控制，使得接口用搬运机构接收该基板并搬运至缓冲部。在分度器用搬运机构以与从盒取出基板的顺序不同的顺序从显影处理域输出基板时，将该基板移动到缓冲部上。由此，显影处理域可以输出后续的基板。此外，能够在接口部上将向曝光机输送的基板的顺序调整为分度器用搬运机构从盒中取出基板的顺序。由此能够以规定的顺序较佳的处理基板。
在上述的发明中优选用于在基板上形成抗蚀膜的涂覆处理单元包括：抗蚀膜用涂覆处理单元，其在基板上涂覆抗蚀膜材料；反射防止膜用涂覆处理单元，其将反射防止膜用的处理液涂覆到基板上。从而能够较佳的处理基板。
另外，本说明书还公开了如下的与基板处理装置相关发明。
(1)在技术方案1所记载的基板处理装置中，在各基板处理列中进行的一系列的处理相同。
根据所述(1)所记载的发明，能够使装置结构简单化。
(2)在技术方案1所记载的基板处理装置中，所述处理单元包含：对基板进行液处理的液处理单元；对基板进行热处理的热处理单元。
(3)在技术方案10所记载的基板处理装置中，所述处理单元包含：对基板进行液处理的液处理单元；对基板进行热处理的热处理单元。
根据所述(2)(3)所记载的发明，能够对基板进行各种处理。
(4)在技术方案2所记载的基板处理装置中，具有一个第二气体供给管，该第二气体供给管分别向与位于上下方向的各主搬运机构相对应的多个处理单元供给清洁的气体。
根据所述(4)所记载的发明，能够减小安装面积。
(5)在技术方案10所记载的基板处理装置中，在各处理域中，各层的主搬运机构配置在从俯视看相同的位置上。
根据所述(5)所记载的发明，能够使装置结构简单化。
(6)在技术方案10所记载的基板处理装置中，在各处理域中，在上下方向上配设的各处理单元所进行的处理相同。
根据所述(6)所记载的发明，能够使装置结构简单化。
(7)在技术方案10所记载的基板处理装置中，具有一个第二气体供给管，该第二气体供给管向配置在上下方向上的多个处理单元供给清洁的气体。
根据所述(7)所记载的发明，能够减小安装面积。
(8)在技术方案10所记载的基板处理装置中，各层的处理单元层叠在一起。
根据所述(8)所记载的发明，能够使装置结构简单化。
附图说明
图1是表示实施例的基板处理装置的简略结构的俯视图。
图2是表示基板处理装置所具有的处理单元的配置的简略侧视图。
图3是表示基板处理装置所具有的处理单元的配置的简略侧视图。
图4是图1的a-a剖视图。
图5是图1的b-b剖视图。
图6是图1的c-c剖视图。
图7是图1的d-d剖视图。
图8A是涂敷处理单元的俯视图。
图8B是涂敷处理单元的剖视图。
图9是主搬运机构的立体图。
图10是实施例的基板处理装置的控制框图。
图11是对基板W进行的一系列处理的流程图。
图12是表示各搬运机构分别反复进行的动作的示意图。
具体实施方式
为了对此发明进行说明用附图表示了当前较佳的几个形式，但是此发明不仅限于如图所示的结构以及对策，关于此事请理解。
以下，基于附图对本发明的较佳的实施例进行详细说明。
图1是表示实施例的基板处理装置的简略结构的俯视图，图2、图3是表示基板处理装置所具有的处理单元的配置的简略侧视图，图4至图7分别是图1的a-a、b-b、c-c以及d-d的剖视图。
实施例是在基板(例如，半导体晶片)W上形成抗蚀膜等，并且使被曝光的基板W显影的基板处理装置。本装置分为分度器部(以下记载为“ID部”)1、处理部3和接口部(以下记载为“IF部”)5。在处理部3的两侧相邻设置ID部1与IF部5。在IF部5上还相邻地设置了本装置之外的外部装置、即曝光机EXP。
ID部1从容置多片基板W的盒C中取出基板W，并且在盒C中存放基板W。该ID部1具有：盒装载台9，其用于装载盒C；ID用搬运机构TID，其向各盒C搬运基板W。ID用搬运机构TID相当于本发明的分度器部用搬运机构。
处理部3具有四台主搬运机构T1、T2、T3、T4。处理部3按每个主搬运机构T1、T2、T3、T4分为第一至第四区11、12、13、14。在第一、第三区中在基板W上形成抗蚀膜。在第二、第四区中使基板W显影。在这些各区11～14中设置了多个处理单元(后述)。主搬运机构T1、T2、T3、T4分别向各区11～14的处理单元搬运基板W。
在横向上排列的第一、第二区11、12被连接在一起，从而构成连接ID部1与IF部5之间的一个基板处理列Lu。此外，在横向上排列的第三、第四区13、14被连接在一起，从而构成连接ID部1与IF部5之间的一个基板处理列Ld。这两个基板处理列Lu、Ld排列在上下方向上。换而言之，处理部3是在上下方向上具有多个基板处理列Lu、Ld的层构造。
此外，各基板处理列Lu、Ld以相互相邻的方式在上下方向上层叠。即，第一区11层叠在第三区13之上，第二区12层叠在第四区14之上。因此，通过在横向上排列将第一、第三区11、13一体设置的处理域Ba与将第二、第四区12、14一体设置的处理域Bb，能够容易地构成处理部3。
IF部5在其与曝光机EXP之间使基板W进行交接。IF部5具有用于搬运基板W的IF用搬运机构TIF。IF用搬运机构TIF具有第一搬运机构TIFA与第二搬运机构TIFB。第一搬运机构TIFA与第二搬运机构TIFB相当于本发明的接口用搬运机构。
而且，ID用搬运机构TID用于在ID部1与相邻的第一、第三区11、13的主搬运机构T1、T3之间进行基板W的交接。此外，各区11～14的主搬运机构T1～T4用于在与所连接的同一层的其他区之间进行基板W的交接。而且，IF用搬运机构TIF用于在IF部5与相邻的第二、第四区12、14的主搬运机构T2、T4之间进行基板W的交接。结果是，通过两个基板处理列Lu、Ld在ID部1与IF部5之间同时搬运基板W，并且在各基板处理列Lu、Id中对基板W进行一系列的处理。主搬运机构T1、T3相当于本发明的一端搬运机构。
本装置具有用于在ID用搬运机构TID与主搬运机构T1、T3之间使基板进行交接的装载部PASS1、PASS3。同样具有用于在主搬运机构T1、T2彼此之间使基板进行交接的装载部PASS2，而且具有用于在主搬运机构T3、T4彼此之间使基板进行交接的装载部PASS4。此外，具有用于在主搬运机构T2、T4与IF用搬运机构TIF与之间使基板进行交接的装载部PASS5、PASS6。各装载部PASS1～PASS6分别具有突出形成的多个支承销，从而可以通过这些支承销以大致水平的姿势装载基板W。
[ID部1]
以下，对ID部1进行说明。盒装载台9可装载4个盒C并将4个盒C排成一列。ID用搬运机构TID具有：可动台21，其在盒C的排列方向上水平移动盒装载台9的侧边；升降轴23，其相对于可动台21在铅垂方向上进行伸缩；保持臂25，其在相对于该升降轴23旋转的同时在旋转半径方向上进退而保持基板W；该ID用搬运机构TID可以在各盒C、装载部PASS1以及装载部PASS3之间搬运基板W。
[第一区11]
用于搬运基板W的搬运空间A1形成为穿过该第一区11的中央并与第一、第二区11、12的排列方向平行的带状。第一区11的处理单元包括：涂覆处理单元31，其在基板W上涂覆处理液；热处理单元41，其对基板W进行热处理。涂覆处理单元31配置在搬运空间A1的一侧，并且在另一侧上配置热处理单元41。
涂覆处理单元31以分别面向搬运空间A1的方式在横纵方向上排列设置有多个。在本实施例中，以两列两层的方式设置了总共4个涂覆处理单元31。涂覆处理单元31包含：反射防止膜用涂覆处理单元BARC，其进行在基板W上形成反射防止膜的处理；抗蚀膜用涂覆处理单元RESIST，其进行在基板上形成抗蚀膜的处理。涂覆处理单元31相当于本发明的液处理单元。
参照图8A、图8B。图8A是涂敷处理单元的俯视图，图8B是涂敷处理单元的剖视图。各涂覆处理单元31具有旋转保持部32、杯部33以及供给部34等，所述旋转保持部32可旋转地保持基板W，所述杯部33设置在基板W的周围，所述供给部34向基板W供给处理液。在各层上设置的两组旋转保持部32以及杯部33在不通过切断壁切断的情况下被一并设置。供给部34具有多个喷嘴35、把持部36、喷嘴移动机构37，所述把持部36把持一个喷嘴35，所述喷嘴移动机构37移动把持部36，并且使一个喷嘴35在基板W的上方的处理位置与偏离基板W的上方的待机位置之间移动。在各喷嘴35上分别连通连接处理液配管38的一端。处理液配管38为了允许在待机位置与处理位置之间移动喷嘴35而可移动。各处理液配管38的另一端与处理液供给源(图中省略)相连接。具体地说，对于反射防止膜用涂覆处理单元BARC来说处理液供给源向各喷嘴35供给种类不同的反射防止膜用的处理液。对于抗蚀膜用涂敷处理单元RESIST来说处理液供给源向各喷嘴35供给种类不同的抗蚀膜材料。
喷嘴移动机构37具有第一导轨37a与第二导轨37b。第一导轨37a相互平行地配置在排在横向上的两个杯部33的两外侧。第二导轨37b可滑动地被两个第一导轨37a支承，并且架设在两个杯部33的上方。把持部36可滑动地被第二导轨37b支承。在此，第一导轨37a以及第二导轨37b所引导的各方向都在大致水平方向上相互大致垂直。喷嘴移动机构37，还具有使第二导轨37b滑动、使把持部36滑动的省略了图示的驱动部。而且，通过驱动驱动部，由把持部36把持的喷嘴35移动到与处理位置相当的两个旋转保持部32的上方位置。
热处理单元41具有多个，该多个热处理单元41分别面向搬运空间A1排列在横竖方向上。在本实施例中，在横向上可以配置3个热处理单元41，在纵向上可以层叠5个热处理单元41。热处理单元41分别具有装载基板W的板件43等。热处理单元41包含：冷却单元CP，其用于冷却基板W；加热冷却单元PHP，其连续进行加热处理和冷却处理；粘附处理单元AHL，其为了提高基板W与保护膜之间的紧密性在六甲基二硅胺脘(HMDS)蒸汽的环境下进行热处理。另外，加热冷却单元PHP具有两个板件43，并且在两个板件43之间具有省略了图示的用于使基板W移动的局部搬运机构。各种热处理单元CP、PHP、AHL分别具有多个，并且被配置在适当的位置上。
参照图9。图9是主搬运机构的立体图。主搬运机构T1具有在上下方向上进行引导的两根第三导轨51与在横向上进行引导的第四导轨52。第三导轨51与搬运空间A1的一侧相向而被固定。在本实施例中，位于涂敷处理单元31的一侧。第四导轨52可滑动地安装在第三导轨51上。在第四导轨52上可滑动地设置了基座部53。基座部53在横向上伸出到搬运空间A1的大致中央的位置。而且第四导轨52在上下方向上移动，并且具有省略了图示的使基座部53在横向上移动的驱动部。通过驱动该驱动部，使基座53在排列在横竖方向上的涂敷处理单元31以及热处理单元41的各位置上移动。
在基座部53上设置了可绕纵轴心Q旋转的旋转台55。在旋转台55上设置了用于保持基板W的两个保持臂57a、57b，该两个保持臂57a、57b分别在水平方向上可移动。两个保持臂57a、57b配置在上下相互接近的位置上。而且，具有使旋转台55旋转、使各保持臂57a、57b移动的省略了图示的驱动部。通过驱动该驱动部，使旋转台55相向于与各涂敷处理单元31、各热处理单元41以及装载部PASS1、PASS2相向的位置，并且使保持臂57a、57b相对于这些涂敷处理单元31进行进退。
[第三区13]
对第三区13进行说明。另外，对于与第一区11相同的结构因为标注了相同的附图标记所以省略详细的说明。从俯视看在第三区13中的主搬运机构T3以及处理单元的布局与第一区11的同一部分大致相同。因此，可以说涂敷处理单元31在第一区11与第三区13的各层中在上下方向上层叠。同样，也可以说热处理单元41也在各层进行层叠。此外，从主搬运机构T3看的第三区13的各种处理单元的配置与从主搬运机构T1看的第一区11的各种处理单元的配置大致相同。
以下，为了区分在第一、第三区11、13中设置的抗蚀膜用涂敷处理单元RESIST等，分别添加了下标“1”或者“3”(例如，将在第一区11中设置的抗蚀膜用涂敷处理单元RESIST标记为“抗蚀膜用涂敷处理单元RESIST1”)。
[第一区11和第三区13]
对于与第一区11以及第三区13相关的结构集中进行说明。装载部PASS1配置在ID部1与第一区11之间。装载部PASS3配置在ID部1与第三区13之间。从俯视看装载部PASS1、PASS3分别配置在搬运空间A1、A3的ID部1一侧。从剖面看装载部PASS1配置在主搬运机构T1的下部附近的高度位置上，装载部PASS3配置在主搬运机构T3的上部附近的高度位置上。因此，装载部PASS1与装载部PASS3的位置相接近，从而ID用搬运机构TID能够在装载部PASS1与装载部PASS3上以很小的升降量移动。
装载部PASS1与装载部PASS3为多个(两个)，分别设置在上下两层上。在两个装载部PASS1中，一个装载部PASS1A用于将基板W从ID用搬运机构TID递交给主搬运机构T1，并且通过ID用搬运机构TID专门在装载部PASS1A上放置基板W。另一个装载部PASS1B用于将基板W从主搬运机构T1递交给ID用搬运机构TID，并且通过主搬运机构T1专门在装载部PASS1B上放置基板W。另外，后述的装载部PASS2、PASS4、PASS5、PASS6也同样各设置了两个，并且在每个交接方向被分开使用。
装载部PASS2设置在第一区11与第二区12之间。装载部PASS4设置在第三区13与第四区14之间。装载部PASS2、PASS4配置在从俯视看相同的位置上。在装载部PASS2、PASS4的上方以及下方，适当的配置用于临时放置基板W的缓冲部和对基板W进行热处理的热处理单元等(全都省略了图示)。
在搬运空间A1、A3中，分别设置了用于喷出清洁气体的第一喷出单元61和用于吸入气体的排出单元62。第一喷出单元61和排出单元62分别是扁平的箱状物，其与从俯视看的搬运空间A1的面积大致相同。在第一喷出单元61和排出单元62的一个面上分别形成有第一喷出口61a和排出口62a。在本实施例中第一喷出口61a以及排出口62a由多个小孔f构成。第一喷单元61以使第一喷出口61a向下的姿势配置在搬运空间A1、A3上部。此外，排出单元62以使排出口62a向上的姿势配置在搬运空间A1、A3的下部。搬运空间A1的环境与搬运空间A3的环境被搬运空间A1的排除单元62和搬运空间A3的第一喷出单元61隔断。第一喷出口61a相当于本发明的气体供给口。排出口62a相当于本发明的气体排出口。第一喷出单元61相当于本发明的喷出单元。
搬运空间A1、A3的各第一喷出单元61与同一个第一气体供给管63连通连接。第一气体供给管63从搬运空间A1的上部到搬运空间A3的下部设置在装载部PASS2、PASS4的侧边位置，并且在搬运空间A2的下方弯曲到水平方向上。第一气体供给管63的另一侧与省略了图示的气体供给源连通连接。同样，搬运空间A1、A3的排出单元62与同一个第一气体排出管64连通连接。第一气体排出管64从搬运空间A1的下部到搬运空间A3的下部设置在装载部PASS2、PASS4的侧边位置，并且在搬运空间A3的下方弯曲到水平方向上。而且，由于在将气体从搬运空间A1、A3的各第一喷出口61a喷出的同时使气体从各排出口62a吸入/排出，从而在搬运空间A1、A3上形成从上部流向下部的气流，使各搬运空间A1、A3分别保持为清洁的状态。
在第一、第三区11、13的各涂敷处理单元31上形成在纵向贯穿的硬孔部PS。在该硬孔部PS上沿上下方向设置用于供给清洁气体的第二气体供给管65和用于排出气体的第二排气管66。第二气体供给管65和第二气体排出管66分别在各涂敷处理单元31的规定的高度位置分支并且在大致水平方向从硬孔部PS被引出。分支了的多个第二气体供给管65与向下方吹出气体的第二吹出单元67连接连通。此外，分支了的多个第二气体排出管66分别与各杯部33的底部连通连接。第二气体供给管65的另一端在第三区13的下方与第一气体供给管63连通连接。第二气体排出管66的另一端在第三区13的下方与第一气体排出管64连通连接。而且，在第二喷出单元67喷出气体的同时通过第二气体排出管66排出气体，因此各杯部33内的环境一直保持清洁，从而能够较佳地处理保持在旋转保持部32上的基板W。
在硬孔部PS上还设置了使处理液通过的配管和电性布线(全都省略了图示)。如此，在硬孔部PS上能够容置附属于第一、第三区11、13的涂敷处理单元31上的配管和布线等，因此能够缩短配管和布线等的长度。
此外，第一区11以及第三区13所具有的主搬运机构T1、T3和各处理单元分别容置在一个框体75中。通过该框体75构成一个处理域Ba。一体设置第一区11以及第三区13而形成的处理域Ba相当于本发明的涂敷处理域。同样，后述的第二区12和第四区14的主搬运机构T1、T3和各处理单元分别容置在单独的框体75中。通过该框体75构成其他的处理域Bb。一体设置第二区12以及第四区14而形成的处理域Bb相当于本发明的显影处理域。如此配备框体，从而构成一体设置在上下方向上排列的各区的处理域Ba、Bb，因此能够容易地制造并组装处理部3。
[第二区12]
对第二区12进行说明。对于与第一区11相同的结构因为标注了相同的附图标记所以省略详细的说明。第二区12的搬运空间A2作为搬运空间A1的延长空间而形成。
第二区12的处理单元具有：显影处理单元DEV，其使基板W显影；热处理单元42，其对基板W进行热处理；边缘曝光单元EEW，其将基板W的周边部曝光。显影处理单元DEV配置在搬运空间A2的一侧，而且热处理单元42以及边缘曝光单元EEW配置在搬运空间A2的另一侧。在此，优选将显影处理单元DEV配置在与涂敷处理单元31相同的一侧。此外，优选将热处理单元42以及边缘曝光单元EEW排列在与热处理单元41相同的一侧。
显影处理单元DEV具有4个，在沿搬运空间A2的横向上排列两个并且层叠在上下两层上。各显影处理单元DEV具有：旋转保持部77，其可旋转地保持在基板W上，杯部79，其设置在基板W的周围。在一层上排列设置的两个显影处理单元DEV在不通过切断壁切断的情况下被设置。而且，对应于两个显影处理单元DEV，设置了用于供给显影液的供给部81。供给部81具有两个夹缝喷嘴81a，该夹缝喷嘴81a具有用于喷出显影液的夹缝或者小孔列。优选夹缝或者小孔列的长度方向的长度与基板W的直径长度相当。此外，优选两个夹缝喷嘴81a喷出相互不同种类或者浓度的显影液。供给部81还具有用于使各夹缝喷嘴81a移动的移动机构81b。由此，各夹缝喷嘴81a分别可以可以移动到横向排列的两个旋转保持部77的上方。
热处理单元42为多个，多个热处理单元42在沿搬运空间A2的横向上排列，并且多个热处理单元42在纵向上层叠。热处理单元42包含：用于加热基板W的加热单元HP；用于冷却基板W的冷却单元CP。
边缘曝光单元EEW单独为一个，其设置在固定的位置上。边缘曝光单元EEW具有：旋转保持部(未图示)，其可旋转地保持基板W；光照射部(未图示)，其将保持在该旋转保持部上的基板W的周边曝光。
在面向搬运空间A2并且与IF部5相邻的区域内层叠设置装载部PASS5和加热冷却单元PHP。这些装载部PASS5和加热冷却单元PHP的一侧与热处理单元42相邻，并且以在处理单元42上排列的方式被设置。对于加热冷却单元PHP，在从IF用搬运机构TIF负责搬运这一点上看与第二区12的热处理单元42有区别，但是在布局上容置在与第二、第四区12、14相同框体75中。而且，这些加热冷却单元PHP和转载部PASS5使基板W可从面向搬运空间A2的前面和面向IF部5的侧面搬入和搬出。
主搬运机构T2设置在从俯视看时的搬运机构A2的大致中央位置上。主搬运机构T2与主搬运机构T1的结构相同。而且，在转载部PASS2、各种热处理单元42、边缘曝光单元EEW和装载部PASS5之间由主搬运机构T2搬运基板W。
[第四区14]
对于与第一、第二区11、12相同的结构因为标注了相同的附图标记所以省略详细的说明。在俯视看第四区14中的主搬运机构T4以及处理单元时的布局与第二区12的同一部分大致相同。此外，从主搬运机构T4看的第四区14的各种处理单元的配置与从主搬运机构T2看的第二区12的各种处理单元的配置大致相同。因此，第二区12与第四区14的各显影处理单元DEV层叠在上下方向上。同样，第二区12与第四区14的各热处理单元42层叠在上下方向上。
[第二区12和第四区14]
第二区12以及第四区14的结构与第一、第三区11、13的结构大致相同，从而简略说明。在第二、第四区12、14的搬运空间A2、A4中分别设置了与第一喷出单元61和排出单元62等相当的结构。此外，在第二、第四区12、14的显影处理单元DEV上分别设置了与第二喷出单元67和第二气体排出管66等相当的结构。
以下，为了区分在第二、第四区12、14中设置的显影处理单元DEV和边缘曝光单元EEW等，分别添加了下标“2”或者“4”(例如，将在第二区12中设置的加热单元HP标记为“加热单元HP2”)。
[IF部5等]
第一搬运机构TIFA和第二搬运机构TIFB排列设置在与区11、12(13、14)的排列方向垂直相交的方向上。第一搬运机构TIFA配置在第二、四区12、14的热处理单元42等所位于的一侧。第二搬运机构TIFB配置在第二、四区的显影处理单元DEV所位于的一侧。在这些第一、第二搬运机构TIFA、TIFB之间多层地层叠了：用于装载并冷却基板W的装载部PASS-CP；用于装载基板W的装载部PASS7；用于暂时容置基板W的缓冲部BF。
第一搬运机构TIFA具有：基座83，其被固定设置；升降轴85，其在基座83上沿铅垂方向伸缩；保持臂87，其在该升降轴85上可回旋并且在回旋半径方向上进退来保持基板W。而且，在加热冷却单元(PHP2、PHP4)、装载部(PASS5、PASS6、PASS-CP)以及缓冲部BF之间搬运基板W、第二搬运机构TIPB也具有基座83、升降轴85和保持臂87。而且，在装载部(PASS-CP、PASS7)和曝光机EXP之间搬运基板W。
以下对本装置的控制系统进行说明。图10是实施例的基板处理装置的控制框图。如图所示，本装置具有主控制器91和第一至第六控制器93、94、95、96、97、98。
第一控制器93控制通过ID用搬运机构TID而进行的基板搬运。第二控制器94控制通过主搬运机构T1而进行的基板搬运和通过抗蚀膜用涂覆处理单元RESIST1、反射防止膜用涂覆处理单元BARC1、冷却单元CP1、加热冷却单元PHP1和粘附处理单元AHL1而进行的基板处理。第三控制器95控制通过主搬运机构T2而进行的基板搬运和通过边缘曝光单元EEW2、显影单元DEV2、加热单元HP2和冷却单元CP2而进行的基板处理。第四、第五控制器96、97的控制分别与第二、第三控制器94、95的控制对应。第六控制器98控制通过第一、第二搬运机构TIFA、TIFB而进行的基板搬运和通过加热冷却单元PHP2、PHP4而进行的基板处理。
主控制器91，统一控制第一至第六控制器93～98。具体地说主控制器91控制控制各搬运机构使其相互协作。例如，调整各搬运机构进入装载部PASS1～PASS6的时机。此外，通过主控制器91的控制，以与从盒C搬出的顺序相同的顺序向曝光机EXP搬运基板W。
主控制器91以及第一～第六控制器93～98分别由中央处理器(CPU)和存储介质而构成，所述中央处理器(CPU)进行各种处理，所述存储介质包括作为运算处理的工作区域的RAM(Random-Access Memory)、存储预先设定的处理方法(处理程序)等的各种信息的固定的盘等。
其次，对本实施例的基板处理装置的工作进行说明。图11是在对基板W进行的一系列处理时的流程图，其表示了用于顺次搬运基板W的处理单元或者装载部等。此外，图12是表示各搬运机构分别反复进行工作的示意图，其表明了搬运机构所进入的处理单元、装载部或者盒等的顺序。以下，分开说明每个搬运机构。
[ID用搬运机构TID]
ID用搬运机构TID移动到与一个盒C相向的位置，将容置在盒C中的一片未处理的基板W保持在保持臂25上并且从盒C中搬出。ID用搬运机构TID回旋保持臂25使升降轴23升降并且向与装载部PASS1相向的位置移动，而且将保持着的基板W装载在转载部PASS1上(对应于图11的步骤S1a。以下只标记步骤号)。此时，在装载部PASS1上通常装载基板W，并且接收该基板W将该基板W存放在盒C中(步骤S23)。在装载部PASS1B上没有基板的时候照原样进入盒C。而且，将在盒C中容置的基板W向装载部PASS3A搬运(步骤S1b)。在此，若基板W装载在装载部PASS3B上，则将该基板W容置在盒C中(步骤S23)。
ID用搬运机构TID反复进行所述工作。另外，该工作通过第一控制器93来控制。由此，从盒C中一片一片搬出的基板W在第一区11和第三区13上交替被搬运。
[主搬运机构T1、T3]
主搬运机构T3的工作与主搬运机构T1的工作大致相同，因此只对主搬运机构T1进行说明。主搬运机构T1向与装载部PASS1相向的位置移动。此时，主搬运机构T1将之前从装载部PASS2B接收的基板W保持在一侧的保持臂57(例如57b)上。主搬运机构T1将保持着的基板W装载在装载部PASS1B上(步骤S22)，而且通过另一侧的保持臂57(例如57a)保持装载在装载部PASS1A上的基板W。
主搬运机构T1进入固定的冷却单元CP1。在冷却单元CP1上有已经进行完规定的热处理(冷却)的另一个基板W。主搬运机构T1通过空(没有保持基板)的保持臂57保持另一个基板W而且将该另一个基板W从冷却单元CP1搬出，并且将从装载部PASS1A接收的基板W搬入到冷却单元CP1。而且，主搬运机构T1保持冷却的基板W并向反射防止膜用涂覆处理单元BARC1移动。冷却单元CP1对搬入的基板W开始进行热处理(冷却)(步骤S2)。另外，此后，在主搬运机构T1进入各种热处理单元41和涂覆处理单元31时，在这些处理单元(31、41)上有已经进行完规定处理的基板W。
若进入反射防止膜用涂覆处理单元BARC1，则主搬运机构T1将形成了反射防止膜的基板W从反射防止膜用涂覆处理单元BARC1搬出，并且将冷却的基板W放置在反射防止膜用涂覆处理单元BARC1的旋转保持部32上。此后，主搬运机构T1保持形成了反射防止膜的基板W并且向加热冷却单元PHP1移动。反射防止膜用涂覆处理单元BARC1对装载在旋转保持部32上的基板W开始进行处理(步骤S3)。
具体地说，在旋转保持部32以水平的姿势使基板W旋转的同时，通过把持部36把持一个喷嘴35，并且通过驱动喷嘴移动机构37将把持着的喷嘴35移动到基板W的上方，由此从喷嘴35向基板供给反射放置膜用的处理液。供给的处理液扩展到整个基板W，并且从基板W甩出。杯部33回收甩出的处理液。如此，进行在基板W上涂覆形成反射防止膜的处理。
若主搬运机构T1进入加热冷却单元PHP1，则从加热冷却单元搬出进行完热处理的基板W，并且向加热冷却单元PHP1投入形成了反射防止膜的基板W。此后，主搬运机构T1保持从加热冷却单元PHP1搬出的基板W并且向冷却单元CP1移动。在加热冷却单元PHP1中在两个金属板上顺次装载了基板W，在一个金属板43上对基板W进行加热之后在另一个金属板43上对基板W进行冷却(步骤S4)。
若主搬运机构T1向冷却单元CP1移动，则将冷却单元CP1内的基板W搬出，并且将保持着的基板W搬入冷却单元CP1。冷却单元CP1冷却被搬入的基板W(步骤S5)。
接着，主搬运机构T1向抗蚀膜用涂覆处理单元RESIST1移动。而且，从抗蚀膜用涂覆处理单元RESIST1搬出形成了抗蚀膜的基板W，并且将保持着的基板W搬入到抗蚀膜用涂覆处理单元RESIST1。抗蚀膜用涂覆处理单元RESIST1旋转被搬入的基板W同时供给抗蚀膜材料，从而在基板W上形成抗蚀膜(步骤S6)。
主搬运机构T1还向加热冷却单元PHP1和冷却单元CP1移动。而且，将形成了抗蚀膜的基板W搬入到加热冷却单元PHP1。在加热冷却单元PHP1中将处理完的基板W移动到冷却单元CP1，并且该冷却单元CP1接收处理完的基板W。加热冷却单元PHP1和冷却单元CP1分别对未处理的基板W进行规定的处理(步骤S7、S8)。
主搬运机构T1向装载部PASS2移动，将保持着的基板W装载在装载部PASS2A上(步骤S9)，并且接收装载在装载部PASS2B上的基板W(步骤S21)。
此后，主搬运机构T1再次进入装载部PASS1反复进行所述工作。另外，该工作由第二控制器94控制。由此，若接收装载在装载部PASS1上的基板W，则主搬运机构T1将该基板W搬运到规定的处理单元(在本实施例中是冷却单元CP1)并且从该处理单元取出处理完的基板W。接着顺次向多个处理单元移动，使各处理单元的处理后的基板W在其他的处理单元上来回移动。在各处理单元(31、41)中每次将处理完的基板W调换为未处理的基板W时，进行规定的处理。由此，在各处理单元中同时向多个基板W进行规定的处理。对于多个基板W顺次进行一系列的处理工序。此时，由第二控制器94控制使一系列的处理工序的时限统一。而且，优选在基板W之间使将基板W向各处理单元搬运的时机统一并且使由各处理单元(31、41)进行处理的时间表统一。结果，一系列的处理以向装载部PASS1装载基板W的先后顺序结束，因此以在装载部PASS1上装载的顺序向装载部PASS2输出基板。同样，主搬运机构T1以从装载部PASS2接收的顺序将基板W装载在装载部PASS1上。
[主搬运机构T2、T4]
主搬运机构T4的工作与主搬运机构T2的工作大致相同，因此只对主搬运机构T2进行说明。主搬运机构T2向与装载部PASS2相向的位置移动。此时，主搬运机构T2保持从之前进入的冷却单元CP2接收的基板W。主搬运机构T2将保持着的基板W装载在装载部PASS2B上(步骤S21)，而且保持装载在装载部PASS2A上的基板W(步骤S9)。
主搬运机构T2进入边缘曝光单元EEW2。而且，由边缘曝光单元EEW2接收进行完规定处理的基板W，并且将冷却的基板W搬入边缘曝光单元EEW2。边缘曝光单元EEW2使被搬入的基板W旋转，同时从省略了图示的照射光部向基板W的周边部照射光。由此将基板W的四周曝光(步骤S10)。
主搬运机构T2保持从边缘曝光单元EEW2接收的基板W并且进入装载部PASS5。而且，将保持着的基板W装载在装载部PASS5A上，并且保持装载在装载部PASS5B上的基板W(步骤S16)。
主搬运机构T2向冷却单元CP2移动，并且将保持着的基板W与冷却单元CP2内的基板W进行调换。主搬运机构T2保持冷却处理完的基板W并且进入显影处理单元DEV2。冷却单元CP2对新搬入的基板W开始进行处理(步骤S17)。
主搬运机构T2将显影后的基板W从显影处理单元DEV2搬出，并且将冷却后的基板W放置在显影处理单元DEV2的旋转保持部77上。显影处理单元DEV2使放置在旋转保持部77上的基板W显影(步骤S18)。具体地说，旋转保持部77以水平的姿势旋转基板W，同时从任意的夹缝喷嘴81向基板W供给显影液从而使基板W显影。
主搬运机构T2保持被显影的基板W并且进入加热单元HP2。而且，从加热单元HP2搬出基板W，并且将保持的基板W投入加热单元HP2。接着，主搬运机构T2将从加热单元HP2搬出的基板W搬运到冷却单元CP2，并且从该冷却单元CP2取出已经处理完的基板W。加热单元HP2和冷却单元CP2分别对未处理的基板W进行规定的处理(步骤S19、S20)。
此后，主搬运机构T2再次进入装载部PASS2反复进行所述工作。另外，该工作由第三控制器95控制。由此，以在装载部PASS2A上装载的顺序向装载部PASS5A输出基板。同样，以将基板W装载在装载部PASS5B上的顺序向装载部PASS2B输出基板。
[IF用搬运机构TIF～第一搬运机构TIFA]
第一搬运机构TIFA进入装载部PASS5，并且接收装载在装载部PASS5A上的基板W(步骤S11a)。第一搬运机构TIFA保持接收后的基板W并且向装载部PASS-CP移动，而且搬入装载部PASS-CP中(步骤S12)。
其次，第一搬运机构TIFA从装载部PASS7接收基板W(步骤S14)，并且向与加热冷却单元PHP2相向的位置移动。而且，第一搬运机构TIFA从加热冷却单元PHP2取出已经进行完热处理(PEB：Post Exposure Bake)的基板W，并且将从装载部PASS7接收的基板W搬入到加热冷却单元PHP2。加热冷却单元PHP2对未处理的基板W进行热处理(步骤S15)。
第一搬运机构TIFA将从加热冷却单元PHP2取出的基板W搬运到装载部PASS5B上。接着第一搬运机构TIFA将装载在装载部PASS6A上的基板W搬运到装载部PASS-CP(步骤S11b、12)上。其次，第一搬运机构TIFA将基板W从装载部PASS7搬运到加热冷却单元PHP4。此时，将已经在加热冷却单元PHP4中进行完的基板取出并且装载在装载部PASS6B上。
其次，第一搬运机构TIFA再次进入装载部PASS5反复进行所述工作。另外，该工作由第六控制器98控制。这样，将基板W从装载部PASS5、PASS6交替搬运到装载部PASS-CP上，因此将以从盒C由ID用搬运机构TID取出的顺序将基板W装载在装载部PASS-CP上。
但是，对由主搬运机构T形成的处理单元进行的搬运以及对各处理单元的处理进行的控制在区11～14的每个区上都独立。即，不调整向装载部PASS5和装载部PASS6输出的各个时机。因此，因为基板处理或者搬运的延迟等故障，产生向装载部PASS5以及装载部PASS6双方输出的前后关系与从盒C取出的顺序不一致的情况。在这种情况下，基于第六控制器98的控制，使第一搬运机构TIFA进行如下的工作。
在没有向装载部PASS5A以及装载部PASS6A中任意一个上输出基板W的情况下在另一个的装载部上装载着基板W时，不将在该装载部上装载的基板W搬运到装载部PASS-CP上，而变为搬运到缓冲部BF上。而且，若在停止输出的一个的装载部上再次开始放置基板W，则从恢复后的一个装载部向装载部PASS-CP搬运，并且从缓冲部BF向装载部PASS-CP搬运。此时，从恢复后的一个装载部和缓冲部BF交替向装载部PASS-CP搬运基板W。由此，即使产生在装载部PASS5A以及装载部PASS6A上输出基板的时机的前后关系与从盒C取出基板W的顺序不同情况，对于搬运到装载部PASS-CP上的基板W的顺序来说也与从盒C取出基板W的顺序相同。
[IF用搬运机构TIF～第二搬运机构TIFB]
第二搬运机构TIFB将基板W从装载部PASS-CP取出搬运到曝光机EXP。而且，若接收从曝光机EXP输出的曝光完的基板W，则将该基板W搬运到装载部PASS7上。
此后，第二搬运机构TIFB再次进入装载部PASS-CP反复进行所述工作。另外，该工作也由第六控制器98控制。如此，因为第一、第二搬运机构TIFA、TIFB协作着工作，所以以从盒C取出的顺序向曝光机EXP输送基板W。
如此，根据实施例的基板处理装置，因为具有在上下配设的两个基板处理列Lu、Ld，所以能够使形成反射防止膜以及抗蚀膜的处理和显影处理的各处理能力大致增加一倍。由此，能够大幅度地改善基板处理装置的处理能力。
此外，在各基板处理列Lu、Ld上设置的主搬运机构T排成一列，因此能够抑制处理部3的安装面积。
在上下两条基板处理列Lu(Ld)上的主搬运机构T1、T3(T2、T4)以及处理单元的配置从俯视看大致相同，因此能够使装置的结构简单化。
此外，构成上下两列主机板处理列Lu、Ld的处理单元为同一种类，因为使通过上下两列基板处理列Lu、Ld进行的一系列的处理相同，所以能够装置的结构简单化。
此外，上下区11、13(12、114)的各处理单元相互为层叠关系，因此能够使由上下两个区构成的处理域Ba、Bb的结构简单化。
此外，每个处理域Ba、Bb都具有处理域Ba、Bb中的上下两台主搬运机构T和支承集中的多个处理单元的框体75，因此能够高效的制造基板处理装置并且能够简单地进行修补。
此外，在各搬运空间A1～A4中分别设置了第一喷出口61a和排出口62a，因此能够保持各搬运空间A清洁。
此外，第一喷出口61a配置在搬运空间A的上部，排出口62a配置在搬运空间A的下部，因此在搬运空间A1～A4中形成大致垂直向下的气流。由此，能够防止因从各热处理单元41发出的热量而对搬运空间A和涂覆处理单元31温度环境或者显影处理单元DEV的温度环境的影响。
此外，在搬运空间A1(A2)中设置的排出单元62和在搬运空间A3(A4)中设置的第一喷出单元61隔断各搬运空间A1、A3(A2、A4)的环境，因此能够分别保持各搬运空间的清洁。此外，因为不需要设置专门用于隔断环境的构件，所以能够使装置结构简单化。
此外，因为具有用于在ID用搬运机构TID和主搬运机构T1、T3之间交接基板W的装载部PASS1、PASS3，所以能够防止ID用搬运机构TID以及主搬运机构T1、T3的搬运效率的降低。同样，因为各搬运机构之间的基板W的交接也经由装载部PASS而进行，所以能够防止各搬运机构的搬运效率变差。
此外，装载部PASS1和装载部PASS3的位置相接近，所以ID用搬运机构TID能够以更小的升降量进入装载部PASS1和装载部PASS3。
此外，因为具有主控制器91和第一至第六控制器93～98，所以使各基板W从盒C取出的顺序和向曝光机EXP中投入的顺序一致。由此，在不具有用于识别基板W的结构的情况下，就能够对各基板W进行管理和追踪调查。
在上下区11、13(12、14)中分别被设置的各涂覆处理单元31(各显影处理单元DEV)具有共同的第二气体供给管65，因此能够减小配管安装空间，并能使装置结构简单化。
本发明不仅限于所述实施方式，也能够进行如下的变形实施。
(1)在所述实施例中，具备两列基板处理列Lu、Ld，但不仅限于此。可以变为由三列以上的基板处理列构成并设置为上下多层的结构。
(2)在所述事实例中，各基板处理列Lu(Ld)由两个区11、12(13、14)连接构成，但不仅限于此。可以由三个以上的区连接而构成基板处理列。
(3)在所述实施例中，各基板处理列Lu、Ld进行在基板W上形成抗蚀膜、反射防止膜的处理和在曝光完的基板W上显影的处理，但不仅限于此。基板处理列也可以变为对基板W进行洗净处理等的其他的处理。由此，各处理单元的种类、个数等被适当地选择、设计。此外，可以省略IF部5来构成基板处理装置。
(4)在所述实施例中，由两列基板处理列Lu、Ld进行的一系列的处理相同，但不仅限于此。可以变为由各基板处理列Lu、Ld进行不同的处理。
(5)在所述实施例中，两列基板处理列Lu、Ld的平面布局大致相同但不仅限于此。可以变为在每个基板处理列Lu、Ld上配置不同的主搬运机构T和处理单元。
(6)在所述实施例中，在上下区11、13(12、14)之间从主搬运机构T看的处理单元的配置相同，但不仅限于此，可以变为在上下区之间不同的配置。
(7)在所述实施例中，各区11～14在搬运空间A的两侧配置处理单元，但也可以只在一侧配置处理单元
(8)在所述实施例中，经由装载部PASS进行搬运机构间的交接，但不仅限于此。例如可以变为直接进行交接。
(9)在所述实施例中，可以通过在各装载部PASS1、PASS2、PASS3、PASS4的上侧和下侧配置缓冲部BF和冷却单元CP而构成。由此，能够适当的暂时放置或者冷却基板W。
(10)在所述实施例中，IF用搬运机构TIF由两台搬运机构TIFA、TIFB构成，但不仅限于此，可以变为由一台或者三台以上的搬运机构构成。
(11)在所述实施例中，在反射防止膜用涂覆处理单元BARC和抗蚀膜用涂覆处理单元RESIST之间不具备间隔壁，从而在各单元之间环境相连通，但不仅限于此。可以适当地隔断两单元的环境。
(12)在所述实施例中，由一个第一喷出单元61和一个排出单元62隔断各搬运空间A1、A3(A2、A4)的环境，但不仅限于此。例如，可以由第一喷出单元61和排出单元62中的一个隔断环境。或者可以具有隔断壁，其与排出单元62以及第一喷出单元61不同而另外设置，并且用于隔断存在上下关系的各搬运空间A的环境。
(13)在所述实施例中，在各搬运空间A的上部配置第一喷出单元61，下部配置排出单元62，但不仅限于此。可以在搬运空间的侧部配置第一喷出单元61或者排出单元62。此外，可以在同一个基板处理列Lu(Ld)的搬运空间A1、A3(A2、A4)中，使第一喷出单元61和排出单元62统一。
本发明在不脱离该思想或者本质的情况下能够以其他的具体形式实施，因此，作为本发明所表示的范围，不仅应该参照以上说明，还应该参照附加的技术方案。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于，包含有沿着横向排列的多个主搬运机构和对应于每个主搬运机构设置的、用于处理基板的多个处理单元，从而构成基板处理列，所述基板处理列中，各主搬运机构向对应的处理单元搬运基板，并与横向相邻的其他的主搬运机构交接基板，并且对基板进行一系列的处理，
该基板处理列在上下方向上设置有多个。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
从俯视看各基板处理列中的主搬运机构以及处理单元的配置相同。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，具有：
气体供给口，其用于向设置了所述主搬运机构的搬运空间供给清洁的气体；
气体排出口，其用于将气体从所述搬运空间排出。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述搬运空间的环境在每个基板处理列都被隔断，
所述气体供给口以及所述气体排出口在每个基板处理列中分别单独设置。
5.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，具有：
喷出单元，其形成有所述气体供给口；
排出单元，其形成有所述气体排出口；
所述喷出单元或者排出单元中的至少任意一个在每个基板处理列中隔断环境。
6.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述气体供给口配置在比所述气体排出口更高的位置上。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述气体供给口配置在所述搬运空间的上部，所述气体排出口配置在所述搬运空间的下部。
8.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于， 
具有用于向容置多片基板的盒搬运基板的分度器用搬运机构， 
所述分度器用搬运机构在其与各基板处理列一端的主搬运机构、即一端 搬运机构之间进行基板的交接，而且，在所述分度器用搬运机构与各一端搬运机构中位于上侧的一端搬运机构之间，在该一端搬运机构的下部附近的高度位置上进行基板的交接，并且在所述分度器用搬运机构与各一端搬运机构中位于下侧的一端搬运机构之间，在该一端搬运机构的上部附近的高度位置上进行基板的交接。 
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于， 
具有装载部，所述装载部分别设置在所述分度器用搬运机构和各一端搬运机构之间，用于装载基板， 
所述分度器用搬运机构经由各装载部交接基板。 
10.一种基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于， 
沿着横向排列有多个处理域， 
所述处理域具有： 
处理单元，其设置在上下方向的每层上，用于对基板进行处理； 
主搬运机构，其设置在各层上，并且向该层的处理单元搬运基板； 
在相邻的处理域的同一层的主搬运机构彼此之间交接基板并且对基板进行一系列的处理。 
11.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于， 
每个处理域都具有框体，所述框体集中容置包含在一个处理域中的多个处理单元以及多个主搬运机构。 
12.如权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，各处理域具有： 
隔断板，其设置在各层之间； 
气体供给口，其用于向各层的主搬运机构的搬运空间供给清洁的气体； 
气体排出口，其用于将气体从各层的主搬运机构的搬运空间排出。 
13.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，具有： 
喷出单元，其形成有所述气体供给口； 
排出单元，其形成有所述气体排出口； 
所述喷出单元或者排出单元的至少任意一个兼用作所述隔断板。 
14.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于， 
各搬运空间的气体供给口配置在与该搬运空间的气体排出口相比更高的位置上。 
15.如权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于， 
具有分度器用搬运机构，其向容置多片基板的盒搬运基板，并且在所述分度器用搬运机构与在一侧的处理域中的各层的主搬运机构之间进行基板的交接， 
在所述分度器用搬运机构与在一侧的处理域中的各层的主搬运机构之间，所述分度器用搬运机构进行的基板的交接的各位置相接近。 
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于， 
具有装载部，该装载部分别设置在一侧的处理域中的各层的主搬运机构与所述分度器用搬运机构之间，用于装载基板， 
所述分度器用搬运机构经由各装载部交接基板。 
17.一种基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于，具有： 
分度器部，其具有分度器用搬运机构，所述分度器用搬运机构向容置多片基板的盒搬运基板； 
涂覆处理域，其是与所述分度器部相邻的涂覆处理域，具有：涂覆处理单元以及热处理单元，其在上下方向的每层都设置，用于在基板上形成抗蚀膜；主搬运机构，其在每层中设置，用于向该层的涂覆处理单元以及热处理单元搬运基板； 
显影处理域，其是与所述涂覆处理域相邻的显影处理域，具有：显影处理单元以及热处理单元，其在上下方向的每层中设置，用于使基板显影；主搬运机构，其在每层中设置，用于对该层的显影处理单元以及热处理单元搬运基板； 
接口部，其与所述显影处理域相邻，具有接口用搬运机构，所述接口用搬运机构向本装置之外的曝光机搬运基板； 
所述分度器用搬运机构与所述涂覆处理域中的各层的主搬运机构之间进行基板的交接， 
在所述涂覆处理域中的各层的主搬运机构，与所述显影处理域中的同一层的主搬运机构之间进行基板的交接， 
所述分度器用搬运机构与所述显影处理域中的各层的主搬运机构之间进行基板的交接。 
18.如权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于， 
具有控制部，所述控制部进行控制，使得接口用搬运机构以与分度器用搬运机构从盒取出基板的顺序相同的顺序将基板输送至曝光机。 
19.如权利要求18所述的基板处理装置，其特征在于， 
具有缓冲部，其配备在接口部上，用于暂时容置基板， 
在以与分度器用搬运机构从盒取出基板的顺序不相同的顺序从显影处理域输出基板时，控制部进行控制，使得接口用搬运机构接收该基板并搬运至缓冲部。 
20.如权利要求17所述的基板处理装置，其特征在于， 
用于在基板上形成抗蚀膜的涂覆处理单元包括：抗蚀膜用涂覆处理单元，其在基板上涂覆抗蚀膜材料；反射防止膜用涂覆处理单元，其将反射防止膜用的处理液涂覆到基板上。 
CN2008101250367A 2007-06-29 2008-06-27 基板处理装置 Active CN101335187B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007-172496 2007-06-29
JP2007172496A JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2007-06-29 基板処理装置
JP2007172496 2007-06-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101335187A CN101335187A (zh) 2008-12-31
CN101335187B true CN101335187B (zh) 2011-06-15

Family

ID=39666209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101250367A Active CN101335187B (zh) 2007-06-29 2008-06-27 基板处理装置

Country Status (6)

Country Link
US (7) US8851008B2 (zh)
EP (1) EP2009671B1 (zh)
JP (1) JP5006122B2 (zh)
KR (2) KR101001511B1 (zh)
CN (1) CN101335187B (zh)
TW (7) TWI502677B (zh)

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5318403B2 (ja) 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5128918B2 (ja) 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR100892756B1 (ko) * 2007-12-27 2009-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법
JP5179170B2 (ja) * 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5359285B2 (ja) * 2009-01-07 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理装置の運転方法
JP5462506B2 (ja) 2009-03-18 2014-04-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR101690970B1 (ko) * 2010-02-19 2016-12-29 주성엔지니어링(주) 기판 처리 시스템 및 기판 반송 방법
JP5551625B2 (ja) * 2011-01-13 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5883232B2 (ja) * 2011-03-26 2016-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5666361B2 (ja) 2011-03-29 2015-02-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置
TWI523134B (zh) * 2011-09-22 2016-02-21 東京威力科創股份有限公司 基板處理系統、基板搬運方法、及電腦記憶媒體
JP5673480B2 (ja) * 2011-10-14 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5450562B2 (ja) * 2011-10-20 2014-03-26 株式会社日本製鋼所 薄膜を有する成形品の製造方法および製造装置
JP5565422B2 (ja) * 2012-02-08 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR101898134B1 (ko) * 2012-03-30 2018-10-05 삼성전자주식회사 리드 프레임 이송용 매거진
JP2013247197A (ja) * 2012-05-24 2013-12-09 Sokudo Co Ltd 基板処理装置
JP2014038929A (ja) * 2012-08-15 2014-02-27 Disco Abrasive Syst Ltd インラインシステム
US9405194B2 (en) * 2012-11-30 2016-08-02 Semes Co., Ltd. Facility and method for treating substrate
JP5541398B1 (ja) 2013-07-02 2014-07-09 日本精工株式会社 テーブル装置、及び搬送装置
JP6121846B2 (ja) 2013-08-15 2017-04-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法、および基板処理システム
US10236196B2 (en) * 2013-11-14 2019-03-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
JP5977728B2 (ja) * 2013-11-14 2016-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP5758509B2 (ja) * 2014-01-17 2015-08-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理方法および基板処理装置
CN103928378A (zh) * 2014-04-15 2014-07-16 沈阳拓荆科技有限公司 双层传片腔体
JP5852219B2 (ja) * 2014-12-24 2016-02-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理方法および基板処理装置
JP6511858B2 (ja) * 2015-02-27 2019-05-15 シンフォニアテクノロジー株式会社 搬送室
JP6292155B2 (ja) * 2015-03-19 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6564642B2 (ja) * 2015-07-23 2019-08-21 東京エレクトロン株式会社 基板搬送室、基板処理システム、及び基板搬送室内のガス置換方法
JP6548513B2 (ja) 2015-08-21 2019-07-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
DK3147621T3 (da) * 2015-09-24 2019-10-21 Abb Schweiz Ag Køleanordning og fremgangsmåde til afkøling af mindst to elektroniske strømanordninger
JP6503280B2 (ja) 2015-11-12 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6503281B2 (ja) * 2015-11-13 2019-04-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6195601B2 (ja) * 2015-12-03 2017-09-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理方法および基板処理装置
JP6723110B2 (ja) * 2016-08-18 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20230131969A (ko) 2017-03-15 2023-09-14 램 리써치 코포레이션 선형 진공 이송 모듈을 갖는 감소된 풋프린트 플랫폼 아키텍처 (Footprint Platform Architecture)
JP7178223B2 (ja) * 2018-09-21 2022-11-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7115947B2 (ja) * 2018-09-21 2022-08-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7195841B2 (ja) 2018-09-21 2022-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7181068B2 (ja) 2018-11-30 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7133451B2 (ja) * 2018-11-30 2022-09-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6941697B2 (ja) * 2019-03-25 2021-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6655206B2 (ja) * 2019-03-25 2020-02-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7458718B2 (ja) * 2019-07-19 2024-04-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板搬送方法
US11898248B2 (en) 2019-12-18 2024-02-13 Jiangsu Favored Nanotechnology Co., Ltd. Coating apparatus and coating method
TWI775073B (zh) * 2020-05-07 2022-08-21 台灣積體電路製造股份有限公司 光固化的方法及其設備
JP7437599B2 (ja) 2020-05-12 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2022039827A (ja) 2020-08-28 2022-03-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102583261B1 (ko) * 2020-10-28 2023-09-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230029443A (ko) * 2021-08-24 2023-03-03 주식회사 케이씨텍 기판 세정 라인 및 이를 포함하는 기판 세정 시스템

Family Cites Families (332)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3249765B2 (ja) * 1997-05-07 2002-01-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US4409889A (en) * 1981-11-02 1983-10-18 Burleson Maurice L Modular clean room
DE3347438A1 (de) 1983-12-29 1985-07-18 Ulrich 2814 Bruchhausen-Vilsen Grigat Multivalenter heizkoerper zur raumluftbeheizung
JPH065689Y2 (ja) 1986-12-26 1994-02-16 小橋工業株式会社 正逆回転ロ−タリ作業機のフロントカバ−
JPH065689B2 (ja) 1987-12-08 1994-01-19 富士電機株式会社 超音波ボンデングツール
US5177514A (en) 1988-02-12 1993-01-05 Tokyo Electron Limited Apparatus for coating a photo-resist film and/or developing it after being exposed
KR970003907B1 (ko) 1988-02-12 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 기판처리 장치 및 기판처리 방법
US5202716A (en) * 1988-02-12 1993-04-13 Tokyo Electron Limited Resist process system
JP2559617B2 (ja) * 1988-03-24 1996-12-04 キヤノン株式会社 基板処理装置
US5536128A (en) 1988-10-21 1996-07-16 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for carrying a variety of products
JPH085812B2 (ja) 1988-10-27 1996-01-24 三新化学工業株式会社 酸アミド化合物の製造方法
JPH02197599A (ja) 1989-01-25 1990-08-06 Yamaha Motor Co Ltd 金属表面の化学処理装置
JP2683675B2 (ja) 1989-01-26 1997-12-03 東京エレクトロン株式会社 搬送装置
JPH085812Y2 (ja) 1989-12-05 1996-02-21 沖電気工業株式会社 印字ヘッド駆動回路
JPH081921B2 (ja) 1990-01-13 1996-01-10 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置
ES2020758A6 (es) 1990-02-08 1991-09-16 Balzola Elorza Martin Msnipulador automatico para lamacenes.
JP2704309B2 (ja) * 1990-06-12 1998-01-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板の熱処理方法
JP2919925B2 (ja) 1990-07-26 1999-07-19 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5668056A (en) 1990-12-17 1997-09-16 United Microelectronics Corporation Single semiconductor wafer transfer method and manufacturing system
US5297910A (en) 1991-02-15 1994-03-29 Tokyo Electron Limited Transportation-transfer device for an object of treatment
US5275709A (en) 1991-11-07 1994-01-04 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating substrates, preferably flat, more or less plate-like substrates
JPH065689A (ja) 1992-06-17 1994-01-14 Toshiba Corp 半導体基板処理システム
JP3174409B2 (ja) 1992-09-08 2001-06-11 株式会社日立国際電気 半導体製造装置、及び半導体製造装置に於ける基板処理方法
JP3338343B2 (ja) 1992-12-21 2002-10-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR970011065B1 (ko) * 1992-12-21 1997-07-05 다이닛뽕 스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치와 기판처리장치에 있어서 기판교환장치 및 기판교환방법
TW276353B (zh) 1993-07-15 1996-05-21 Hitachi Seisakusyo Kk
EP0634699A1 (en) 1993-07-16 1995-01-18 Semiconductor Systems, Inc. Clustered photolithography system
US5565034A (en) * 1993-10-29 1996-10-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate
US5518542A (en) 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
JPH07263302A (ja) 1994-03-18 1995-10-13 Fujitsu Ltd レジストの現像方法
JP2994553B2 (ja) 1994-04-08 1999-12-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH07297258A (ja) 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd 板状体の搬送装置
US5826129A (en) 1994-06-30 1998-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
JP3122868B2 (ja) * 1994-09-29 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 塗布装置
JP3592771B2 (ja) 1994-12-07 2004-11-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW297910B (zh) 1995-02-02 1997-02-11 Tokyo Electron Co Ltd
US5677758A (en) 1995-02-09 1997-10-14 Mrs Technology, Inc. Lithography System using dual substrate stages
JP3069945B2 (ja) 1995-07-28 2000-07-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR100310249B1 (ko) 1995-08-05 2001-12-17 엔도 마코토 기판처리장치
US5788868A (en) 1995-09-04 1998-08-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate transfer method and interface apparatus
JPH09148240A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3575717B2 (ja) 1995-12-28 2004-10-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5842917A (en) 1996-01-11 1998-12-01 United Microelectronics Corproration Automated manufacturing plant for semiconductor devices
JPH09251953A (ja) 1996-01-12 1997-09-22 Sony Corp レジスト現像方法
JPH09199568A (ja) 1996-01-22 1997-07-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3938409B2 (ja) 1996-01-22 2007-06-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW317644B (zh) 1996-01-26 1997-10-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3890393B2 (ja) 1996-01-29 2007-03-07 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 回転式基板塗布装置
JP3859800B2 (ja) 1996-03-19 2006-12-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置のフロー管理方法及びフロー管理装置
JP3565650B2 (ja) 1996-04-03 2004-09-15 富士通株式会社 Ａｃ型ｐｄｐの駆動方法及び表示装置
US6176667B1 (en) * 1996-04-30 2001-01-23 Applied Materials, Inc. Multideck wafer processing system
TW333658B (en) 1996-05-30 1998-06-11 Tokyo Electron Co Ltd The substrate processing method and substrate processing system
US6062798A (en) * 1996-06-13 2000-05-16 Brooks Automation, Inc. Multi-level substrate processing apparatus
JPH1050794A (ja) 1996-08-01 1998-02-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および方法
KR100269097B1 (ko) 1996-08-05 2000-12-01 엔도 마코토 기판처리장치
JP3415404B2 (ja) 1996-08-29 2003-06-09 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP3278714B2 (ja) 1996-08-30 2002-04-30 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
JP3571471B2 (ja) 1996-09-03 2004-09-29 東京エレクトロン株式会社 処理方法，塗布現像処理システム及び処理システム
JP3779393B2 (ja) 1996-09-06 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 処理システム
TW466622B (en) 1996-09-11 2001-12-01 Hitachi Ltd Operating method of vacuum processing device and vacuum processing device
JP3771347B2 (ja) 1997-03-19 2006-04-26 株式会社日立製作所 真空処理装置及び真空処理方法
JP3619346B2 (ja) * 1996-09-19 2005-02-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び方法
JP3082688B2 (ja) 1996-11-05 2000-08-28 ヤマハ株式会社 配線形成法
TW353777B (en) * 1996-11-08 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device
DE69738910D1 (de) 1996-11-28 2008-09-25 Nikon Corp Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren
US6099643A (en) * 1996-12-26 2000-08-08 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for processing a substrate providing an efficient arrangement and atmospheric isolation of chemical treatment section
JP3429964B2 (ja) 1996-12-26 2003-07-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH10209241A (ja) 1997-01-16 1998-08-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板搬送装置およびそれを備えた基板処理装置
JP3579228B2 (ja) 1997-01-24 2004-10-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3882954B2 (ja) 1997-03-19 2007-02-21 Ｔｄｋ株式会社 チップ型積層セラミックコンデンサ
JP4080021B2 (ja) 1997-03-19 2008-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5788477A (en) 1997-03-26 1998-08-04 Jones; Wendyle Gas flare
JPH10294351A (ja) 1997-04-21 1998-11-04 Sharp Corp 半導体装置製造用クリーンボックス、及び半導体装置の製造システム並びに製造方法
TW420829B (en) * 1997-05-22 2001-02-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device and method, impurity removing apparatus
JP3600711B2 (ja) 1997-05-30 2004-12-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH10335415A (ja) 1997-05-30 1998-12-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理時間の設定方法
JPH113851A (ja) * 1997-06-11 1999-01-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
JPH113581A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Sony Corp 蓋開閉装置及び方法
JPH1116978A (ja) 1997-06-19 1999-01-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH1126550A (ja) * 1997-07-04 1999-01-29 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置およびそれを用いた基板処理装置
US6151981A (en) 1997-07-24 2000-11-28 Costa; Larry J. Two-axis cartesian robot
JPH1154588A (ja) 1997-07-30 1999-02-26 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置およびそれを用いた基板処理装置
TW385488B (en) 1997-08-15 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd substrate processing device
US6287023B1 (en) * 1997-09-22 2001-09-11 Tokyo Electron Limited Processing apparatus and method
JPH11111603A (ja) 1997-10-07 1999-04-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板現像方法及びその装置
US5962070A (en) 1997-09-25 1999-10-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
US6235634B1 (en) * 1997-10-08 2001-05-22 Applied Komatsu Technology, Inc. Modular substrate processing system
JPH11156278A (ja) 1997-11-27 1999-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液吐出ノズル及びそれを備えた基板処理装置
US6270306B1 (en) 1998-01-14 2001-08-07 Applied Materials, Inc. Wafer aligner in center of front end frame of vacuum system
AU3054999A (en) * 1998-04-02 1999-10-25 Nikon Corporation Method and apparatus for wafer processing, and method and apparatus for exposure
KR100265287B1 (ko) 1998-04-21 2000-10-02 윤종용 반도체소자 제조용 식각설비의 멀티챔버 시스템
JP3381776B2 (ja) 1998-05-19 2003-03-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置および処理方法
JP3481499B2 (ja) 1998-05-25 2003-12-22 東京エレクトロン株式会社 レジスト処理方法及びレジスト処理装置
US6266125B1 (en) 1998-05-25 2001-07-24 Tokyo Electron Limited Resist processing method and apparatus
JP3884570B2 (ja) * 1998-05-29 2007-02-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6292708B1 (en) 1998-06-11 2001-09-18 Speedfam-Ipec Corporation Distributed control system for a semiconductor wafer processing machine
JP3445937B2 (ja) 1998-06-24 2003-09-16 東京エレクトロン株式会社 多段スピン型基板処理システム
TW428216B (en) 1998-07-29 2001-04-01 Tokyo Electron Ltd Substrate process method and substrate process apparatus
JP3745167B2 (ja) 1998-07-29 2006-02-15 キヤノン株式会社 ステージ装置、露光装置およびデバイス製造方法ならびにステージ駆動方法
JP3441681B2 (ja) 1998-08-14 2003-09-02 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR100515740B1 (ko) * 1998-08-14 2005-09-20 동경 엘렉트론 주식회사 기판처리장치
JP2000068188A (ja) 1998-08-24 2000-03-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 現像装置および現像方法
JP3442669B2 (ja) 1998-10-20 2003-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP3662150B2 (ja) 1998-10-30 2005-06-22 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP2000195925A (ja) * 1998-12-28 2000-07-14 Anelva Corp 基板処理装置
JP3273031B2 (ja) * 1999-01-08 2002-04-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR100593627B1 (ko) * 1999-02-16 2006-06-28 동경 엘렉트론 주식회사 처리장치, 처리시스템, 판별방법 및 검출방법
JP2000269297A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 処理ユニット構築体
JP3542919B2 (ja) 1999-03-18 2004-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2000311846A (ja) 1999-04-27 2000-11-07 Sony Corp レジスト現像方法およびレジスト現像装置
JP2000332080A (ja) 1999-05-21 2000-11-30 Matsushita Electronics Industry Corp 被処理物の製造方法と製造装置
JP3462426B2 (ja) 1999-05-24 2003-11-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP3442686B2 (ja) 1999-06-01 2003-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP3605545B2 (ja) 1999-06-09 2004-12-22 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像処理装置
TW505822B (en) 1999-06-09 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Developing method and developing apparatus
TW451274B (en) * 1999-06-11 2001-08-21 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus
US6338582B1 (en) * 1999-06-30 2002-01-15 Tokyo Electron Limited Substrate delivery apparatus and coating and developing processing system
JP4294837B2 (ja) * 1999-07-16 2009-07-15 東京エレクトロン株式会社 処理システム
US6426303B1 (en) * 1999-07-16 2002-07-30 Tokyo Electron Limited Processing system
JP3535997B2 (ja) 1999-10-01 2004-06-07 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置及び現像処理方法
US6402401B1 (en) 1999-10-19 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
TW518639B (en) 1999-11-18 2003-01-21 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device, cooling treatment device and cooling treatment method
KR100348938B1 (ko) 1999-12-06 2002-08-14 한국디엔에스 주식회사 포토리소그라피 공정을 위한 반도체 제조장치
US6402508B2 (en) * 1999-12-09 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Heat and cooling treatment apparatus and substrate processing system
US6485203B2 (en) * 1999-12-20 2002-11-26 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
WO2001054187A1 (fr) 2000-01-17 2001-07-26 Ebara Corporation Appareil de commande de transfert de tranches et procede de transfert de tranches
SG106599A1 (en) 2000-02-01 2004-10-29 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
US6432842B2 (en) 2000-03-30 2002-08-13 Tokyo Electron Limited Coating method and coating apparatus
US6919001B2 (en) 2000-05-01 2005-07-19 Intevac, Inc. Disk coating system
JP2002057100A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Canon Inc 露光装置、コートデベロップ装置、デバイス製造システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
JP4915033B2 (ja) 2000-06-15 2012-04-11 株式会社ニコン 露光装置、基板処理装置及びリソグラフィシステム、並びにデバイス製造方法
TW501194B (en) 2000-08-23 2002-09-01 Tokyo Electron Ltd Processing system for object to be processed
JP3587776B2 (ja) * 2000-10-10 2004-11-10 東京エレクトロン株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP2002134396A (ja) 2000-10-25 2002-05-10 Sony Corp 半導体装置の製造方法および半導体パターン自動調節装置
US6491451B1 (en) * 2000-11-03 2002-12-10 Motorola, Inc. Wafer processing equipment and method for processing wafers
JP3616748B2 (ja) 2000-11-07 2005-02-02 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法，現像処理装置及び処理装置
JP3943828B2 (ja) * 2000-12-08 2007-07-11 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びパターン形成方法
JP4124400B2 (ja) 2001-01-19 2008-07-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6558053B2 (en) 2001-04-19 2003-05-06 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP3898906B2 (ja) 2001-05-22 2007-03-28 東京エレクトロン株式会社 基板の塗布装置
KR100387418B1 (ko) * 2001-05-23 2003-06-18 한국디엔에스 주식회사 반도체 제조 공정에서 사용되는 스피너 시스템
JP2003007594A (ja) 2001-06-21 2003-01-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置
JP2003022962A (ja) 2001-07-10 2003-01-24 Canon Inc 露光システム、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
US6750155B2 (en) 2001-08-08 2004-06-15 Lam Research Corporation Methods to minimize moisture condensation over a substrate in a rapid cycle chamber
JP2003059810A (ja) 2001-08-20 2003-02-28 Nec Kansai Ltd 薬液処理装置
JP2003142547A (ja) 2001-08-24 2003-05-16 Hirata Corp ワーク搬送装置
JP2003077785A (ja) 2001-09-04 2003-03-14 Canon Inc デバイス製造装置
KR20030026862A (ko) 2001-09-25 2003-04-03 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판 처리장치 제어 시스템 및 기판 처리장치
JP2003188229A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Hitachi Kasado Eng Co Ltd ウエハ製造システムおよびウエハ製造方法
US20030131458A1 (en) 2002-01-15 2003-07-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for improving throughput in a cluster tool for semiconductor wafer processing
JP3916473B2 (ja) 2002-01-31 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4153781B2 (ja) * 2002-01-31 2008-09-24 大日本スクリーン製造株式会社 熱処理装置および基板処理装置
JP4195227B2 (ja) * 2002-02-22 2008-12-10 東京エレクトロン株式会社 被処理体の導入ポート構造
JP4162420B2 (ja) 2002-04-16 2008-10-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3862596B2 (ja) 2002-05-01 2006-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP4342147B2 (ja) * 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
FR2839331B1 (fr) 2002-05-02 2004-07-16 Cit Alcatel Installation de fabrication de composants semi-conducteurs a faux-plancher ventile
JP3966211B2 (ja) 2002-05-08 2007-08-29 株式会社ニコン 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
KR20030087418A (ko) 2002-05-09 2003-11-14 엘지전자 주식회사 모뎀 라인을 이용한 펌웨어 갱신 방법
KR20030087417A (ko) 2002-05-09 2003-11-14 엘지전자 주식회사 개인 정보 단말기의 자동 전원 오프 장치 및 방법
JP4073251B2 (ja) * 2002-05-21 2008-04-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2003347186A (ja) 2002-05-23 2003-12-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6645880B1 (en) 2002-06-10 2003-11-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating solution applying method
JP4084167B2 (ja) 2002-06-10 2008-04-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 処理液塗布方法
JP2004015023A (ja) * 2002-06-11 2004-01-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびその方法
US6832863B2 (en) 2002-06-11 2004-12-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and method
JP2004015021A (ja) 2002-06-11 2004-01-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6807455B2 (en) 2002-06-26 2004-10-19 Dainippon Screen Mfg. Co. Ltd. System for and method of processing substrate
JP2004046450A (ja) 2002-07-10 2004-02-12 Fujitsu Ten Ltd 救急搬送システム
US6843882B2 (en) * 2002-07-15 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Gas flow control in a wafer processing system having multiple chambers for performing same process
JP2004087675A (ja) 2002-08-26 2004-03-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4025613B2 (ja) 2002-09-27 2007-12-26 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置、電子ビーム露光装置校正方法、及び半導体素子製造方法
JP4133208B2 (ja) 2002-10-22 2008-08-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4018965B2 (ja) 2002-10-28 2007-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4087328B2 (ja) 2002-11-28 2008-05-21 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法
JP3999649B2 (ja) 2002-12-19 2007-10-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置とその動作方法、およびプログラム
JP2004207279A (ja) 2002-12-20 2004-07-22 Rorze Corp 薄板状物製造設備
JP4170864B2 (ja) * 2003-02-03 2008-10-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理装置における基板搬送方法および基板処理方法
JP2004241319A (ja) 2003-02-07 2004-08-26 Sony Corp 成膜装置
JP2004304003A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Tokyo Electron Ltd 処理システム
JP4233908B2 (ja) * 2003-04-02 2009-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
JP4357861B2 (ja) 2003-04-07 2009-11-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4307132B2 (ja) 2003-04-16 2009-08-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2004336024A (ja) 2003-04-16 2004-11-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム、基板処理方法及び該方法を実行するプログラム
JP2004342654A (ja) 2003-05-13 2004-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6876439B2 (en) * 2003-05-29 2005-04-05 Asml Holding N.V. Method to increase throughput in a dual substrate stage double exposure lithography system
US20090144180A1 (en) 2004-06-11 2009-06-04 Donald Blust Automated business system and method of vending and returning a consumer product
KR100524875B1 (ko) * 2003-06-28 2005-10-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 청정시스템
JP2005046694A (ja) 2003-07-31 2005-02-24 Toshiba Corp 塗布膜形成方法及び塗布装置
US6879866B2 (en) 2003-08-04 2005-04-12 Asml Netherlands B.V. Method, computer program product and apparatus for scheduling maintenance actions in a substrate processing system
JP2005057294A (ja) 2003-08-07 2005-03-03 Asml Netherlands Bv インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法
JP4137750B2 (ja) * 2003-09-17 2008-08-20 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 熱処理装置、熱処理方法および基板処理装置
JP4105617B2 (ja) 2003-09-19 2008-06-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4079861B2 (ja) 2003-09-22 2008-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4108027B2 (ja) 2003-09-22 2008-06-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2005101079A (ja) 2003-09-22 2005-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US7387485B2 (en) * 2003-09-29 2008-06-17 Quantum Corporation Cartridge transport assembly
KR100521401B1 (ko) 2003-11-24 2005-10-12 세메스 주식회사 기판세정시스템
JP4322086B2 (ja) 2003-10-14 2009-08-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置およびその方法
KR100546503B1 (ko) 2003-11-27 2006-01-26 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 그 방법
JP2005167083A (ja) 2003-12-04 2005-06-23 Daifuku Co Ltd ガラス基板用の搬送設備
JP4342921B2 (ja) 2003-12-09 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の制御方法及び基板処理装置
JP4381121B2 (ja) * 2003-12-11 2009-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4369325B2 (ja) 2003-12-26 2009-11-18 東京エレクトロン株式会社 現像装置及び現像処理方法
JP4376072B2 (ja) 2004-01-16 2009-12-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2005243690A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4537109B2 (ja) 2004-04-16 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置および現像処理方法
US7326505B2 (en) 2004-05-26 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101037087B1 (ko) 2004-06-29 2011-05-26 엘지디스플레이 주식회사 엠엠지용 기판 생산장비
JP4381909B2 (ja) 2004-07-06 2009-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20060011296A1 (en) * 2004-07-16 2006-01-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer program
JP3870207B2 (ja) * 2004-08-05 2007-01-17 キヤノン株式会社 液浸露光装置及びデバイス製造方法
WO2006025302A1 (ja) 2004-08-30 2006-03-09 Nikon Corporation 露光装置、動作決定方法、基板処理システム及びメンテナンス管理方法、並びにデバイス製造方法
US7623565B2 (en) 2004-09-20 2009-11-24 Cypress Semiconductor Corporation Method for providing packet framing in a communication system
KR101069821B1 (ko) 2004-10-15 2011-10-04 세메스 주식회사 반도체 기판 제조에 사용되는 포토 리소그래피 장치
JP2006310724A (ja) * 2004-11-10 2006-11-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5154008B2 (ja) * 2004-11-10 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4381285B2 (ja) 2004-11-11 2009-12-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4926433B2 (ja) * 2004-12-06 2012-05-09 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP5154007B2 (ja) 2004-12-06 2013-02-27 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US20060130767A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US7651306B2 (en) * 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
KR100761576B1 (ko) 2004-12-24 2007-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판 처리장치
JP4955977B2 (ja) 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
US7245348B2 (en) * 2005-01-21 2007-07-17 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method with antireflection film and an auxiliary block for inspection and cleaning
JP4955976B2 (ja) 2005-01-21 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4356936B2 (ja) * 2005-01-21 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4459831B2 (ja) 2005-02-01 2010-04-28 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP4414909B2 (ja) 2005-02-14 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP4414910B2 (ja) 2005-02-17 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP4541931B2 (ja) 2005-03-03 2010-09-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP2006253207A (ja) 2005-03-08 2006-09-21 Sharp Corp 塗布膜形成方法，半導体装置の製造方法
JP4566035B2 (ja) 2005-03-11 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4685584B2 (ja) 2005-03-11 2011-05-18 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
US7403260B2 (en) 2005-03-11 2008-07-22 Tokyo Electron Limited Coating and developing system
JP4414921B2 (ja) * 2005-03-23 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法
US8353986B2 (en) 2005-03-31 2013-01-15 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP4273423B2 (ja) 2005-05-31 2009-06-03 株式会社ダイフク 搬送装置
TWI380939B (zh) * 2005-05-31 2013-01-01 Daifuku Kk 物品搬運裝置
JP4522329B2 (ja) * 2005-06-24 2010-08-11 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR100666355B1 (ko) 2005-07-01 2007-01-11 세메스 주식회사 복층 구조의 반도체 제조 설비 및 그의 처리 방법
JP4519037B2 (ja) 2005-08-31 2010-08-04 東京エレクトロン株式会社 加熱装置及び塗布、現像装置
JP4616731B2 (ja) 2005-09-01 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP4937559B2 (ja) 2005-09-14 2012-05-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4907937B2 (ja) 2005-09-26 2012-04-04 株式会社日立国際電気 断熱壁体、発熱体の保持構造体、加熱装置および基板処理装置
JP4450784B2 (ja) 2005-10-19 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4542984B2 (ja) 2005-11-24 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
JP4654119B2 (ja) * 2005-11-29 2011-03-16 東京エレクトロン株式会社 塗布・現像装置及び塗布・現像方法
JP4494332B2 (ja) 2005-11-29 2010-06-30 東京エレクトロン株式会社 リンス処理方法、現像処理装置、および制御プログラム
JP2007184537A (ja) 2005-12-07 2007-07-19 Canon Inc 露光方法、露光装置、複数の基板上にレジストを塗布する装置およびデバイス製造方法
JP4654120B2 (ja) 2005-12-08 2011-03-16 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びにコンピュータプログラム
JP2007172496A (ja) 2005-12-26 2007-07-05 Nohmi Bosai Ltd 火災報知設備用機器のプリンターカバー
JP4704221B2 (ja) 2006-01-26 2011-06-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置および基板処理方法
JP4781832B2 (ja) 2006-02-01 2011-09-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム、基板処理装置、プログラム及び記録媒体
JP5132108B2 (ja) 2006-02-02 2013-01-30 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2007208064A (ja) 2006-02-02 2007-08-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2007240519A (ja) 2006-02-08 2007-09-20 Tokyo Electron Ltd 欠陥検査方法、欠陥検査装置及びコンピュータプログラム
JP2007234882A (ja) 2006-03-01 2007-09-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板取り扱い方法
JP4816217B2 (ja) 2006-04-14 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP4614455B2 (ja) 2006-04-19 2011-01-19 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置
JP2007317987A (ja) * 2006-05-29 2007-12-06 Sokudo:Kk 基板処理装置および基板処理方法
KR100949505B1 (ko) 2006-06-05 2010-03-24 엘지디스플레이 주식회사 포토 장치 및 방법
KR100784389B1 (ko) 2006-06-22 2007-12-11 삼성전자주식회사 포토 리소그래피 시스템 및 방법
US8220354B2 (en) 2006-06-28 2012-07-17 Genmark Automation, Inc. Belt-driven robot having extended Z-axis motion
JP2008034746A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
JP4772620B2 (ja) 2006-08-11 2011-09-14 東京エレクトロン株式会社 液浸露光用塗布膜の処理条件決定方法および処理条件決定装置
JP2008072016A (ja) * 2006-09-15 2008-03-27 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
US8419341B2 (en) 2006-09-19 2013-04-16 Brooks Automation, Inc. Linear vacuum robot with Z motion and articulated arm
JP4999415B2 (ja) * 2006-09-29 2012-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理装置の用力供給装置及び基板処理装置の用力供給方法
US20080158531A1 (en) 2006-11-15 2008-07-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP5023679B2 (ja) * 2006-12-05 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP2008198879A (ja) 2007-02-15 2008-08-28 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP5149513B2 (ja) * 2007-02-15 2013-02-20 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
US7675048B2 (en) * 2007-03-06 2010-03-09 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Wafer holding robot end effecter vertical position determination in ion implanter system
US20080224817A1 (en) 2007-03-15 2008-09-18 Sokudo Co., Ltd. Interlaced rtd sensor for zone/average temperature sensing
JP2008258208A (ja) 2007-03-30 2008-10-23 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP4908304B2 (ja) 2007-04-27 2012-04-04 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法、基板の処理システム及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
US8636458B2 (en) 2007-06-06 2014-01-28 Asml Netherlands B.V. Integrated post-exposure bake track
JP2007227984A (ja) 2007-06-14 2007-09-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100897850B1 (ko) 2007-06-18 2009-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100904392B1 (ko) * 2007-06-18 2009-06-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US20090001071A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-01 Sokudo Co., Ltd Method and System for Cooling a Bake Plate in a Track Lithography Tool
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP2009021275A (ja) 2007-07-10 2009-01-29 Sokudo:Kk 基板処理装置
US7801633B2 (en) 2007-07-10 2010-09-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Scheduling method and program for a substrate treating apparatus
US7641406B2 (en) 2007-07-26 2010-01-05 Sokudo Co., Ltd. Bevel inspection apparatus for substrate processing
JP5148944B2 (ja) 2007-08-14 2013-02-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理システム
TW200919117A (en) * 2007-08-28 2009-05-01 Tokyo Electron Ltd Coating-developing apparatus, coating-developing method and storage medium
US7831135B2 (en) 2007-09-04 2010-11-09 Sokudo Co., Ltd. Method and system for controlling bake plate temperature in a semiconductor processing chamber
JP2009071235A (ja) 2007-09-18 2009-04-02 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP5065167B2 (ja) 2007-09-20 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法及び基板の処理システム
JP5151383B2 (ja) 2007-10-12 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、その方法及び記憶媒体
JP2009135169A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Tokyo Electron Ltd 基板処理システムおよび基板処理方法
JP5128918B2 (ja) * 2007-11-30 2013-01-23 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5160204B2 (ja) * 2007-11-30 2013-03-13 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5318403B2 (ja) 2007-11-30 2013-10-16 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR100892756B1 (ko) * 2007-12-27 2009-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법
JP5001828B2 (ja) 2007-12-28 2012-08-15 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5344734B2 (ja) 2007-12-28 2013-11-20 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5179170B2 (ja) 2007-12-28 2013-04-10 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5056582B2 (ja) 2008-05-22 2012-10-24 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
US9214372B2 (en) * 2008-08-28 2015-12-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Substrate processing system, carrying device and coating device
JP5225815B2 (ja) 2008-11-19 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 インターフェイス装置、基板を搬送する方法及びコンピュータ可読記憶媒体
WO2010085496A1 (en) 2009-01-21 2010-07-29 George Atanasoff Methods and systems for control of a surface modification process
JP4760919B2 (ja) 2009-01-23 2011-08-31 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
US8289496B2 (en) 2009-01-30 2012-10-16 Semes Co., Ltd. System and method for treating substrate
JP2010177673A (ja) 2009-01-30 2010-08-12 Semes Co Ltd 基板処理設備及び基板処理方法
JP5462506B2 (ja) 2009-03-18 2014-04-02 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5187274B2 (ja) 2009-05-28 2013-04-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5443070B2 (ja) 2009-06-19 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 インプリントシステム
JP2011009362A (ja) 2009-06-24 2011-01-13 Tokyo Electron Ltd インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5060517B2 (ja) 2009-06-24 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 インプリントシステム
JP5050018B2 (ja) 2009-08-24 2012-10-17 東京エレクトロン株式会社 塗布現像装置及び塗布現像方法
JP5410212B2 (ja) * 2009-09-15 2014-02-05 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置、基板処理システムおよび検査周辺露光装置
JP5445006B2 (ja) 2009-10-05 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5736687B2 (ja) 2009-10-06 2015-06-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5168300B2 (ja) 2010-02-24 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5246184B2 (ja) 2010-02-24 2013-07-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5575507B2 (ja) 2010-03-02 2014-08-20 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板搬送方法、半導体装置の製造方法および基板処理装置のメンテナンス方法
JP5408059B2 (ja) 2010-07-09 2014-02-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5348083B2 (ja) 2010-07-16 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5479253B2 (ja) 2010-07-16 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US9428336B2 (en) 2010-07-28 2016-08-30 Par Systems, Inc. Robotic storage and retrieval systems
JP5223897B2 (ja) 2010-09-02 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5293719B2 (ja) 2010-10-01 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板
JP5616205B2 (ja) 2010-11-29 2014-10-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
US8612807B2 (en) 2011-01-12 2013-12-17 Ncr Corporation Entertainment kiosk error handling and troubleshooting method
JP5883232B2 (ja) 2011-03-26 2016-03-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5821689B2 (ja) 2011-04-20 2015-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US9405194B2 (en) 2012-11-30 2016-08-02 Semes Co., Ltd. Facility and method for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
US20230042033A1 (en) 2023-02-09
US20120145074A1 (en) 2012-06-14
KR20100130972A (ko) 2010-12-14
US9174235B2 (en) 2015-11-03
TW201250915A (en) 2012-12-16
US8851008B2 (en) 2014-10-07
US20190221457A1 (en) 2019-07-18
US9165807B2 (en) 2015-10-20
TWI489583B (zh) 2015-06-21
US10290521B2 (en) 2019-05-14
EP2009671B1 (en) 2016-05-04
TWI502677B (zh) 2015-10-01
KR101001511B1 (ko) 2010-12-14
TWI683386B (zh) 2020-01-21
TWI372440B (en) 2012-09-11
KR101036420B1 (ko) 2011-05-23
CN101335187A (zh) 2008-12-31
TW201705350A (zh) 2017-02-01
TW201250914A (en) 2012-12-16
TWI587438B (zh) 2017-06-11
TW201521147A (zh) 2015-06-01
TWI602259B (zh) 2017-10-11
EP2009671A2 (en) 2008-12-31
TW201250913A (en) 2012-12-16
EP2009671A3 (en) 2012-01-11
US20120156380A1 (en) 2012-06-21
JP2009010291A (ja) 2009-01-15
JP5006122B2 (ja) 2012-08-22
TWI489584B (zh) 2015-06-21
US20090000543A1 (en) 2009-01-01
US20120145073A1 (en) 2012-06-14
US9230834B2 (en) 2016-01-05
KR20090004547A (ko) 2009-01-12
TW200913121A (en) 2009-03-16
TW201804559A (zh) 2018-02-01
US20160079099A1 (en) 2016-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101335187B (zh) 基板处理装置
KR101692679B1 (ko) 도포, 현상 장치
KR101432358B1 (ko) 기판처리방법
JP5318403B2 (ja) 基板処理装置
CN1877451B (zh) 基板处理系统及基板处理方法
JP2009135294A (ja) 基板処理装置
JP6058999B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5237082B2 (ja) 基板処理装置
JP5572666B2 (ja) 基板処理装置
JP5442890B2 (ja) 基板処理装置
JP2018160681A (ja) 基板処理装置
JP5964654B2 (ja) 基板処理方法
JP5608148B2 (ja) 基板処理装置
JP6557647B2 (ja) 基板処理装置
JP6049929B2 (ja) 基板処理方法
JP6209554B2 (ja) 基板処理方法
JP5442889B2 (ja) 基板処理装置
JP5466728B2 (ja) 基板処理装置
JP2017063222A (ja) 基板処理装置および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee

Owner name: SCREEN SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CO., LTD.

Free format text: FORMER NAME: SOKUDO CO., LTD.

CP03 Change of name, title or address

Address after: Kyoto Japan

Patentee after: Skrine Semiconductor Technology Co. Ltd.

Address before: Kyoto City, Kyoto, Japan

Patentee before: Sokudo Co., Ltd.