ES2576053T3 - Dispositivo emisor de luz y visualizador - Google Patents

Dispositivo emisor de luz y visualizador Download PDF

Info

Publication number
ES2576053T3
ES2576053T3 ES10158437.3T ES10158437T ES2576053T3 ES 2576053 T3 ES2576053 T3 ES 2576053T3 ES 10158437 T ES10158437 T ES 10158437T ES 2576053 T3 ES2576053 T3 ES 2576053T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
light emitting
light
emitting device
emitting component
fluorescent material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
ES10158437.3T
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinori Shimizu
Kensho Sakano
Yasunobu Noguchi
Toshio Moriguchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=27524906&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=ES2576053(T3) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Application granted granted Critical
Publication of ES2576053T3 publication Critical patent/ES2576053T3/es
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7767—Chalcogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/18—Luminescent screens
    • H01J29/20—Luminescent screens characterised by the luminescent material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G02B6/0025—Diffusing sheet or layer; Prismatic sheet or layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G02B6/0051—Diffusing sheet or layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45169—Platinum (Pt) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01021—Scandium [Sc]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01067—Holmium [Ho]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12036—PN diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Abstract

Un dispositivo emisor de luz que comprende: un conductor de montaje (105) una pluralidad de chips (102) de diodo emisor de luz (LED) que tienen un semiconductor basado en nitruro de galio y que emiten luz visible y están montados en dicho conductor de montaje, un material trasparente (101) que cubre dichos chips de LED (102) y un fósforo contenido en dicho material transparente (101) y que absorbe una parte de la luz emitida por dichos chips de LED y que emite luz que tiene una longitud de onda de emisión principal más larga que el pico de emisión principal de dichos chips de LED (102), en el que el pico de emisión principal de dichos chips de LED (102) está dentro del intervalo de 420 nm a 475 nm, en el que el fósforo comprende un material fluorescente de granate activado con cerio que contiene al menos un elemento seleccionado de Y, Lu, Sc, La, Gd y Sm y al menos un elemento seleccionado de Al, Ca, e In, en el que la luz de los chips de LED y la luz del fósforo se mezclan para generar luz blanca y en el que dicho conductor de montaje comprende un material que es uno de acero, cobre, acero recubierto de cobre, estaño recubierto de cobre y cerámicas metalizadas.

Description

5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
DESCRIPCION
Dispositivo emisor de luz y visualizador Campo de la invencion
La presente invencion se refiere a un diodo emisor de luz usado en visualizador de LED, fuente de retro-iluminacion, senal de trafico, senal ferroviaria, conmutador de iluminacion, indicador, etc. Mas espedficamente, se refiere a un dispositivo emisor de luz (LED) que comprende un fosforo, que convierte la longitud de onda de la luz emitida por un componente emisor de luz y emite luz.
Un diodo emisor de luz es compacto y emite luz de color claro con alta eficacia. Tambien esta libre de un problema tal como la extincion y tiene buena caractenstica de impulso inicial, alta resistencia a la vibracion y durabilidad para resistir operaciones repetitivas de ENCENDIDO / APAGADO, porque es un elemento semiconductor. Por tanto ha sido usado extensamente en aplicaciones tales como diversos indicadores y diversas fuentes de luz. Han sido desarrollados recientemente diodos emisores de luz para colores RGB (rojo, verde y azul) que tienen luminancia ultra-alta y alta eficacia y se han puesto en uso visualizadores de LED de pantalla grande que usan estos diodos emisores de luz. El visualizador de LED puede ser operado con menos energfa y tiene buenas caractensticas tales como peso ligero y larga vida y por lo tanto se espera que sea usado mas extensamente en el futuro.
Recientemente, se han hecho diversos intentos para hacer fuentes de luz blanca usando diodos emisores de luz. Debido a que el diodo emisor de luz tiene un espectro de emision favorable para generar luz monocromatica, hacer una fuente de luz para luz blanca requiere disponer en estrecha proximidad entre sf tres componentes emisores de luz de rojo, verde y azul, difundiendo y mezclando a la vez la luz emitida por ellos. Al generar luz blanca con una disposicion tal, ha habido un problema tal que la luz blanca del tono deseado no puede ser generada, debido a las variaciones en el tono, la luminancia y otros factores del componente emisor de luz. Ademas cuando los componentes emisores de luz estan hechos de distintos materiales, la energfa electrica requerida para accionar difiere de un diodo emisor de luz a otro, haciendo necesario aplicar distintos voltajes a distintos componentes emisores de luz, lo que conduce a un circuito impulsor complejo. Ademas, debido a que los componentes emisores de luz son componentes semiconductores emisores de luz, el tono del color esta sujeto a variacion debido a la diferencia en caractensticas de temperatura, a cambios cronologicos y al entorno operativo, o bien la disparidad en el color puede ser provocada debido a no lograr mezclar uniformemente la luz emitida por los componentes emisores de luz. Por tanto los diodos emisores de luz son efectivos como dispositivos emisores de luz para generar colores individuales, aunque hasta ahora no se ha obtenido una fuente de luz satisfactoria capaz de emitir luz blanca usando componentes emisores de luz.
A fin de resolver estos problemas, el presente solicitante desarrollo previamente diodos emisores de luz que convierten el color de la luz, que es emitida por componentes emisores de luz, por medio de un material fluorescente divulgado en las Patentes Japonesas JP-A-5-152609, JP-A-7-99345, JP-A-7-176794 y JP-A-8-7614. Los diodos emisores de luz divulgados en estas publicaciones son tales que, usando componentes emisores de luz de una clase, son capaces de generar luz de color blanco y de otros colores y estan constituidos segun lo siguiente.
El diodo emisor de luz divulgado en los anteriores boletines esta hecho montando un componente emisor de luz, que tiene una gran brecha de banda de energfa de la capa emisora de luz, en una copa proporcionada en la punta de un marco conductor y que tiene un material fluorescente que absorbe la luz emitida por el componente emisor de luz y emite luz de una longitud de onda distinta a la de la luz absorbida (conversion de longitud de onda), contenido en un molde de resina que cubre el componente emisor de luz.
El diodo emisor de luz divulgado segun lo descrito anteriormente capaz de emitir luz blanca mezclando la luz de una pluralidad de fuentes, puede ser hecho usando un componente emisor de luz capaz de emitir luz azul y moldeando el componente emisor de luz con una resina que incluye un material fluorescente que absorbe la luz emitida por el diodo emisor de luz azul y emite una luz amarillenta.
Sin embargo, los diodos emisores de luz convencionales tienen problemas tales como el deterioro del material fluorescente que conduce a la desviacion del tono del color y al oscurecimiento del material fluorescente dando como resultado una eficacia disminuida de la extraccion de luz. El oscurecimiento aqrn se refiere, en el caso de usar un material fluorescente inorganico tal como material fluorescente de (Cd, Zn)S, por ejemplo, a una parte de elementos metalicos que constituyen el precipitado de material fluorescente o cambian sus propiedades conduciendo a coloracion o, en el caso de usar un material fluorescente organico, a coloracion debida a la rotura del doble enlace en la molecula. Especialmente cuando se usa un componente emisor de luz hecho de un semiconductor que tiene una brecha de banda de energfa alta para mejorar la eficacia de conversion del material fluorescente (es decir, se aumenta la energfa de la luz emitida por el semiconductor y se aumenta el numero de fotones que tienen energfas por encima de un umbral que pueden ser absorbidos por el material fluorescente, dando como resultado que se absorba mas luz), o se reduce la cantidad del consumo de material fluorescente (es decir, el material fluorescente es irradiado con energfa relativamente mayor), la energfa lummica absorbida por el material fluorescente aumenta inevitablemente dando como resultado una degradacion
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
mas significativa del material fluorescente. El uso del componente emisor de luz con mayor intensidad de emision de luz para un periodo de tiempo prolongado provoca ademas una degradacion mas significativa del material fluorescente.
El documento EP-A-0 209 942 divulga una lampara de descarga de vapor de mercurio de baja presion. Esta lampara tiene un relleno que comprende mercurio y un gas raro y una capa luminiscente que comprende material luminiscente cuya emision se halla principalmente en el intervalo entre 590 y 630 nm y en el intervalo entre 520 y 565 nm. La luz emitida por la lampara de descarga esta en un intervalo de longitudes de onda que es casi totalmente invisible y que tiene que ser transformada por la capa luminiscente para hacerse visible. La lampara tambien esta dotada de una capa de absorcion que comprende un aluminato luminiscente activado por cerio trivalente y que tiene una estructura de cristal de granate.
Tambien el material fluorescente proporcionado en la vecindad del componente emisor de luz puede ser expuesto a una alta temperatura tal como la temperatura en ascenso del componente emisor de luz y el calor transmitido desde el entorno externo (por ejemplo, la luz solar en el caso en que el dispositivo se use en el exterior).
Ademas, algunos materiales fluorescentes estan sujetos a un deterioro acelerado debido a la combinacion de humedad que entra desde el exterior o que se introduce durante el procedimiento de produccion, a la luz y al calor transmitidos desde el componente emisor de luz.
Cuando llega a un tinte organico de propiedad ionica, el campo electrico de corriente continua en la vecindad del chip puede causar electroforesis, dando como resultado un cambio en el tono del color. Esta lampara no puede ser realizada como un dispositivo sencillo, pequeno, ligero y barato.
Por tanto, un objeto de la presente invention es resolver los problemas descritos anteriormente y proporcionar un dispositivo emisor de luz que experimente solamente grados extremadamente bajos de deterioro en la intensidad lummica de emision, la eficacia de emision lummica y el desplazamiento de colores durante un largo tiempo de uso con alta luminancia.
Asf, el objeto anterior puede ser logrado por las caractensticas definidas en las reivindicaciones.
El presente solicitante completo la presente invencion mediante investigaciones basadas en la hipotesis de que un dispositivo emisor de luz que tiene un componente emisor de luz y un material fluorescente debe satisfacer los siguientes requisitos para lograr el objeto mencionado anteriormente.
(1) El componente emisor de luz debe ser capaz de emitir luz de alta luminancia con una caracterfstica emisora de luz que sea estable durante un largo tiempo de uso.
(2) El material fluorescente proporcionado en la vecindad del componente emisor de luz de alta luminancia, debe mostrar excelente resistencia ante la luz y el calor de modo que las propiedades del mismo no cambien incluso cuando se usa durante un periodo prolongado de tiempo mientras se expone a la luz de alta intensidad emitida por el componente emisor de luz (en particular el material fluorescente proporcionado en la vecindad del componente emisor de luz se expone a luz de una intensidad de radiation tan alta como de alrededor de entre 30 y 40 veces la de la luz solar de acuerdo con la estimation de los autores de la invencion y se requiere que tenga mas durabilidad ante la luz segun se usa un componente emisor de luz de mayor luminancia).
(3) Con respecto a la relation con el componente emisor de luz, el material fluorescente debe ser capaz de absorber con alta eficacia la luz de alta mono-cromaticidad emitida por el componente emisor de luz y de emitir luz de una longitud de onda distinta a la de la luz emitida por el componente emisor de luz.
El semiconductor de un compuesto de nitruro (generalmente representado por la formula qmmica IniGarAlkN, donde 0 < i, 0 < j, 0 <k e i + j + k = 1) mencionado anteriormente contiene diversos materiales que incluyen InGaN y GaN dopados con diversas impurezas.
El fosforo mencionado anteriormente contiene varios materiales definidos segun lo descrito anteriormente, incluyendo YaA^O-^Ce y Gd3lnsOi2:Ce.
Debido a que el dispositivo emisor de luz de la presente invencion usa el componente emisor de luz hecho de un semiconductor de un compuesto de nitruro capaz de emitir luz con alta luminancia, el dispositivo emisor de luz es capaz de emitir luz con alta luminancia. Tambien el fosforo usado en el dispositivo emisor de luz tiene excelente resistencia ante la luz por lo que las propiedades fluorescentes del mismo experimentan menos cambio incluso cuando se usa durante un periodo prolongado de tiempo, mientras esta expuesto a luz de alta intensidad. Esto posibilita reducir la degradacion de caractensticas durante un largo periodo de uso y reducir el deterioro debido a la luz de alta intensidad emitida por el componente emisor de luz asf como a la luz extrmseca (luz solar, incluyendo la luz ultravioleta, etc.) durante el uso en el exterior, para proporcionar de este modo un dispositivo emisor de luz que experimenta un desplazamiento de color extremadamente menor y menos reduction de luminancia. El dispositivo emisor de luz de la presente invencion tambien
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
puede ser usado en aplicaciones tales que requieren velocidades de respuesta tan altas como de 120 nseg., por ejemplo, porque el fosforo usado en el mismo permite la pos-luminiscencia solamente durante un breve periodo de tiempo.
En el dispositivo emisor de luz de la presente invencion, el principal valor maximo de emision del componente emisor de luz esta fijado dentro del intervalo entre 420 nm y 475 nm y la longitud de onda de la emision principal del fosforo esta fijada para que sea mas larga que el principal valor maximo de emision del componente emisor de luz. Esto posibilita emitir eficazmente luz blanca.
Ademas en el dispositivo emisor de luz de la presente invencion, es preferible que la capa emisora de luz del componente emisor de luz contenga un semiconductor de nitruro de galio que contenga In. Otras caractensticas preferidas de las realizaciones de la presente invencion estan descritas en las reivindicaciones dependientes.
El dispositivo emisor de luz de acuerdo con una realization de la presente invencion puede ser usado en una placa de grna optica esencialmente rectangular proporcionada con el componente emisor de luz montado sobre una cara lateral frontal de la misma y salvo por una superficie principal esta cubierta con un material reflectante, en el que una luz emitida por el componente emisor de luz es convertida en una luz plana por el fosforo y la placa de grna optica para que sea una salida desde la superficie principal de la placa de grna optica.
En esta realizacion el fosforo esta contenido preferiblemente en un material de revestimiento montado sobre dicha cara lateral frontal y en contacto directo con el componente emisor de luz o esta instalado sobre una superficie principal de la placa de grna optica no cubierta por el material reflectante.
Un dispositivo visualizador de LED puede comprender los dispositivos emisores de luz de la presente invencion dispuestos en una matriz y un circuito impulsor que controla el dispositivo visualizador de LED de acuerdo con datos de visualization que son ingresados al mismo. Esta configuration posibilita proporcionar un dispositivo visualizador de LED relativamente barato que es capaz de una visualizacion de alta definition con menos disparidad cromatica debida al angulo de visualizacion.
En general, un material fluorescente que absorbe la luz de una longitud de onda corta y emite luz de una longitud de onda larga tiene mayor eficacia que un material fluorescente que absorbe la luz de una longitud de onda larga y emite luz de una longitud de onda corta. Es preferible usar un componente emisor de luz que emita luz visible que un componente emisor de luz que emita luz ultravioleta que degrada la resina (el material de moldeado, el material de revestimiento, etc.). Asf para el diodo emisor de luz de la presente invencion, con el fin de mejorar la eficacia emisora de luz y de garantizar una larga vida, el principal valor maximo de emision del componente emisor de luz se fija dentro de un intervalo de longitudes de onda relativamente cortas entre 420 nm y 475 nm en la region de luz visible y la longitud de onda de la emision principal del fosforo se fija para que sea mas larga que el principal valor maximo de emision del componente emisor de luz. Con esta disposition, debido a que la luz convertida por el material fluorescente tiene una longitud de onda mas larga que la de la luz emitida por el componente emisor de luz, no sera absorbida por el componente emisor de luz incluso cuando el componente emisor de luz este irradiado con luz que ha sido reflejada y convertida por el material fluorescente (dado que la energfa de la luz convertida es menor que la energfa de la brecha de banda). Por tanto en una realizacion de la presente invencion, la luz que ha sido reflejada por el material fluorescente o similar es reflejada por la copa en la que esta montado el componente emisor de luz, posibilitando una mayor eficacia de la emision.
La invencion se describe en detalle conjuntamente con los dibujos, en los que:
La Fig. 1 es una vista seccional esquematica de un diodo emisor de luz de tipo conductor de acuerdo con la realizacion de la presente invencion,
la Fig. 2 es una vista seccional esquematica de un diodo emisor de luz de tipo punta que esta fuera del ambito de la presente invencion,
la Fig. 3A es un grafico que muestra el espectro de excitation del material fluorescente de granate activado por el cerio usado en la primera realizacion de la presente invencion,
la Fig. 3B es un grafico que muestra el espectro de emision del material fluorescente de granate activado por el cerio usado en la primera realizacion de la presente invencion,
la Fig. 4 es un grafico que muestra el espectro de emision del diodo emisor de luz de la primera realizacion de la presente invencion,
la Fig. 5A es un grafico que muestra el espectro de excitacion del material fluorescente de itrio-aluminio-granate activado por el cerio usado en la segunda realizacion de la presente invencion,
la Fig. 5B es un grafico que muestra el espectro de emision del material fluorescente de itrio-aluminio-granate, activado por el cerio usado en la segunda realizacion de la presente invencion,
5
10
15
20
25
30
35
40
la Fig. 6 muestra el diagrama de cromaticidad de la luz emitida por el diodo emisor de luz de la segunda realizacion, mientras que los puntos A y B indican los colores de la luz emitida por el componente emisor de luz y los puntos C y D indican los colores de la luz emitida por dos clases de fosforos,
la Fig. 7 es una vista seccional esquematica de la fuente de luz plana, de acuerdo con otra realizacion de la presente invention,
la Fig. 8 es una vista seccional esquematica de otra fuente de luz plana distinta a la de la Fig. 7,
la Fig. 9 es una vista seccional esquematica de otra fuente de luz plana distinta a las de las Fig. 7 y la Fig. 8,
la Fig. 10 es un diagrama de bloques de un dispositivo de visualization que es una aplicacion de la presente invencion,
la Fig. 11 es una vista en planta del dispositivo visualizador de LED de la unidad de visualizacion de la Fig. 10,
la Fig. 12 es una vista en planta del dispositivo visualizador de LED en el que un pixel esta constituido a partir de cuatro diodos emisores de luz incluyendo el diodo emisor de luz de la presente invencion y los que emiten colores RGB,
la Fig. 13A muestra los resultados de pruebas de vida durable de los diodos emisores de luz del Ejemplo 1 y el Ejemplo Comparativo 1, mostrando los resultados a 25 °C y la Fig. 13B muestra los resultados de prueba de vida durable de los diodos emisores de luz del Ejemplo 1 y el Ejemplo Comparativo 1, mostrando los resultados a 60 °C y al 90 % de humedad relativa,
la Fig. 14A muestra los resultados de pruebas de adaptabilidad climatica del Ejemplo 9 y el Ejemplo Comparativo 2 mostrando el cambio de la proportion de retention de luminancia en el tiempo y la Fig. 14B muestra los resultados de pruebas de adaptabilidad climatica del Ejemplo 9 y el Ejemplo Comparativo 2 mostrando el tono del color antes y despues de la prueba,
la Fig. 15A muestra los resultados de pruebas de fiabilidad del Ejemplo 9 y el Ejemplo Comparativo 2 mostrando la relation entre la proporcion de retencion de luminancia y el tiempo y la Fig. 15B es un grafico que muestra la relation entre el tono del color y el tiempo,
la Fig. 16 es un diagrama de cromaticidad que muestra la gama de tonos de color que puede obtenerse con un diodo emisor de luz que combina los materiales fluorescentes mostrados en la Tabla 1 y el LED azul que tiene una longitud de onda maxima en 465 nm,
la Fig. 17 es un diagrama de cromaticidad que muestra el cambio en el tono del color cuando la concentration del material fluorescente se cambia en el diodo emisor de luz que combina los materiales fluorescentes mostrados en la Tabla 1 y el LED azul que tiene una longitud de onda maxima en 465 nm,
la Fig. 18A muestra el espectro de emision del fosforo (Y0,6Gd0,4)3Al5O12:Ce del Ejemplo 2,
la Fig. 18B muestra el espectro de emision del componente emisor de luz del Ejemplo 2 que tiene la longitud de onda maxima de emision de 460 nm,
la Fig. 18C muestra el espectro de emision del diodo emisor de luz del Ejemplo 2,
la Fig. 19A muestra el espectro de emision del fosforo (Y0,2Gd0,8)3AbO-i2:Ce del Ejemplo 5,
la Fig. 19B muestra el espectro de emision del componente emisor de luz del Ejemplo 5 que tiene la longitud de onda maxima de emision de 450 nm,
la Fig. 19C muestra el espectro de emision del diodo emisor de luz del Ejemplo 5, la Fig. 20A muestra el espectro de emision del fosforo Y3AbO-i2:Ce del Ejemplo 6,
la Fig. 20B muestra el espectro de emision del componente emisor de luz del Ejemplo 6 que tiene la longitud de onda maxima de emision de 450 nm,
la Fig. 20C muestra el espectro de emision del diodo emisor de luz del Ejemplo 6,
la Fig. 21A muestra el espectro de emision del fosforo Y3(Al0,6Ga0,5)5O-i2:Ce del Ejemplo 7,
la Fig. 21B muestra el espectro de emision del componente emisor de luz del Ejemplo 7 que tiene la longitud de onda maxima de emision de 450 nm,
la Fig. 21C muestra el espectro de emision del diodo emisor de luz del Ejemplo 7,
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
la Fig. 22A muestra el espectro de emision del fosforo (Yo,8Gdo,2)3Al5Oi2:Ce del Ejemplo 11, la Fig. 22B muestra el espectro de emision del fosforo (Y0,4Gd0,6)3Al5O-i2:Ce del Ejemplo 11,
la Fig. 22C muestra el espectro de emision del componente emisor de luz del Ejemplo 11 que tiene la longitud de onda maxima de emision de 470 nm y
la Fig. 23 muestra el espectro de emision del diodo emisor de luz del Ejemplo 11.
Con referencia ahora a los dibujos adjuntos, se describiran a continuacion las realizaciones preferidas de la presente invention.
Un diodo emisor de luz 100 de la Fig. 1 es un diodo emisor de luz de tipo conductor que tiene un conductor de montaje 105 y un conductor interno 106, en el que un componente emisor de luz 102 esta instalado en una copa 105a del conductor de montaje 105 y la copa 105a esta rellenada con una resina de revestimiento 101 que contiene un fosforo especificado para cubrir el componente emisor de luz 102 y esta moldeada en resina. Un electrodo n y un electrodo p del
componente emisor de luz 102 estan conectados con el conductor de montaje 105 y el conductor interno 106,
respectivamente, por medio de los cables 103.
En el diodo emisor de luz constituido segun lo descrito anteriormente, parte de la luz emitida por el componente emisor de luz (chip de LED) 102 (mencionado en adelante en la presente memoria como una luz de LED) excita el fosforo contenido en la resina de revestimiento 101 para generar luz fluorescente que tiene una longitud de onda distinta a la de la luz de LED, por lo que la luz fluorescente emitida por el fosforo y la luz de LED que es emitida sin contribuir a la excitation del fosforo se mezclan y se emiten. Como resultado, el diodo emisor de luz 100 tambien emite luz que tiene una longitud de onda distinta a la de la luz de LED emitida por el componente emisor de luz 102.
La Fig. 2 (que no forma parte de la invencion reivindicada) muestra un diodo emisor de luz de tipo chip, en el que el diodo emisor de luz (chip de LED) 202 esta instalado en un hueco de una cubierta 204 que esta rellenada con un material de revestimiento que contiene un fosforo especificado para formar un revestimiento 201. El componente emisor de luz 202 esta fijado usando una resina epoxi o similar, que contiene Ag, por ejemplo y un electrodo n y un electrodo p del componente emisor de luz 202 estan conectados con terminales metalicos 205 instalados en la cubierta 204 por medio de cables conductores 203. En el diodo emisor de luz de tipo chip constituido segun lo descrito anteriormente, de manera similar al diodo emisor de luz de tipo conductor de la Fig. 1, la luz fluorescente emitida por el fosforo y la luz de LED que es transmitida sin ser absorbida por el fosforo se mezclan y se emiten, por lo que el diodo emisor de luz 200 tambien emite luz con una longitud de onda distinta a la de la luz de LED emitida por el componente emisor de luz 202.
El diodo emisor de luz que contiene el fosforo segun lo descrito anteriormente tiene las siguientes caracterfsticas.
1. La luz emitida por un componente emisor de luz (LED) se emite usualmente a traves de un electrodo que suministra energfa electrica al componente emisor de luz. La luz emitida es parcialmente bloqueada por el electrodo formado sobre el componente emisor de luz dando como resultado un patron de emision espedfico y por lo tanto no es emitida uniformemente en cada direction. El diodo emisor de luz que contiene el material fluorescente, sin embargo, puede emitir luz uniformemente sobre un amplio un intervalo sin formar un patron de emision indeseable porque la luz es emitida despues de ser difundida por el material fluorescente.
2. Aunque la luz emitida por el componente emisor de luz (LED) tiene un maximo monocromatico, el maximo es ancho y tiene una propiedad de alta representation cromatica. Esta caractenstica es una ventaja indispensable para una aplicacion que requiere longitudes de onda de un intervalo relativamente amplia. Es deseable que la fuente de luz para un escaneador de imagenes opticas, por ejemplo, tenga un maximo de emision mas amplio.
Los diodos emisores de luz de las realizaciones primera y segunda a describirse mas adelante tienen la configuracion mostrada en la Fig. 1 o la Fig. 2 en la que se combinan un componente emisor de luz que usa un semiconductor de compuesto de nitruro que tiene energfa relativamente alta en la region visible y un fosforo espedfico y tienen propiedades favorables tales como la capacidad de emitir luz de alta luminancia y menos degradation de la eficacia de emision luirnnica y menos desplazamiento del color a lo largo de un periodo de uso prolongado.
En general, un material fluorescente que absorbe luz de una longitud de onda corta y que emite luz de una longitud de onda larga tiene mayor eficacia que un material fluorescente que absorbe luz de una longitud de onda larga y emite luz de una longitud de onda corta y por lo tanto es preferible usar un componente emisor de luz de un semiconductor de un compuesto de nitruro que sea capaz de emitir luz azul de longitud de onda corta. No hace falta decir que es preferible el uso de un componente emisor de luz que tenga alta luminancia.
Un fosforo a usar en combinacion con el componente emisor de luz de semiconductor de un compuesto de nitruro debe tener los siguientes requisitos:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
1. Excelente resistencia ante la luz para soportar luz de una alta intensidad durante un largo periodo de tiempo, porque el material fluorescente se instala en la vecindad de los componentes emisores de luz 102, 202 y esta expuesto a luz de una intensidad tan alta como de alrededor de entre 30 y 40 veces la de la luz solar.
2. Capacidad para emitir eficazmente luz en la region azul para la excitacion por medio de los componentes emisores de luz 102, 202. Cuando se usa la mezcla de colores, deberfa ser capaz de emitir luz azul, no por rayos ultravioletas, con una alta eficacia.
3. Capacidad de emitir luz desde regiones verdes a rojas con el fin de mezclarla con luz azul para generar luz blanca.
4. Buena caractenstica de temperatura adecuada para su ubicacion en la vecindad de los componentes emisores de luz 102, 202 y de la influencia resultante de la diferencia de temperatura debida al calor generado por el chip al iluminar.
5. Capacidad de cambiar continuamente el tono del color en terminos de la proporcion de la composicion o proporcion de mezcla de una pluralidad de materiales fluorescentes.
6. Adaptabilidad climatica para el entorno operativo del diodo emisor de luz.
Realizacion 1
El diodo emisor de luz de la primera realizacion de la presente invention emplea una pluralidad de elementos semiconductores de compuestos de nitruro de galio que tienen una brecha de banda de alta energfa en la capa emisora de luz y son capaces de emitir luz azul y un fosforo de granate activado con cerio en combination. Con esta configuration, el diodo emisor de luz de la primera realizacion puede emitir luz blanca mezclando la luz azul emitida por los componentes emisores de luz 102, 202 y la luz amarilla emitida por el fosforo excitado por la luz azul.
Debido a que el fosforo de granate activado con cerio que se usa en el diodo emisor de luz de la primera realizacion tiene resistencia a la luz y adaptabilidad climatica, puede emitir luz con grados extremadamente pequenos de desplazamiento del color y de disminucion en la luminancia de la luz emitida incluso cuando es irradiado por una luz muy intensa emitida por los componentes emisores de luz 102, 202 situados en la vecindad durante un largo periodo de tiempo.
Los componentes del diodo emisor de luz de la primera realizacion seran descritos en detalle a continuation.
(Fosforo)
El fosforo usado en el diodo emisor de luz de la primera realizacion es un fosforo que, cuando es excitado por la luz visible o los rayos ultravioletas emitidos por la capa emisora de luz semiconductora, emite luz de una longitud de onda distinta a la de la luz excitante. El fosforo es espedficamente material fluorescente de granate activado con cerio que contiene al menos un elemento seleccionado entre Y, Lu, Sc, La, Gd y Sm y al menos un elemento seleccionado entre Al, Ga e In. De acuerdo con la presente invencion, el material fluorescente es preferiblemente material fluorescente de itrio-aluminio- granate (fosforo YAG) activado con cerio, o un material fluorescente representado por la formula general (Re1-rSmr)3(Ah- sGas)5O12:Ce, donde 0 < r < 1 y 0 < s <1 yRe es al menos uno seleccionado entre Y y Gd. En el caso en que la luz de LED emitida por el componente emisor de luz que emplea el semiconductor de un compuesto de nitruro de galio y la luz fluorescente emitida por el fosforo que tiene color corporal amarillo esten en la relation de colores complementarios, el color blanco puede ser emitido mezclando la luz de LED y la luz fluorescente.
En la primera realizacion, debido a que el fosforo se usa mezclando con una resina que compone la resina de revestimiento 101 y el material de revestimiento 201 (detallados mas adelante), el tono del color del diodo emisor de luz puede ser ajustado incluyendo el blanco y el color de lampara incandescente controlando la proporcion de mezcla con la resina o la cantidad usada en rellenar la copa 105 o el hueco de la cubierta 204, de acuerdo con la longitud de onda de la luz emitida por el componente emisor de luz de nitruro de galio.
La distribution de la concentration de fosforo tiene influencia tambien sobre la mezcla de colores y la durabilidad. Es decir, cuando la concentracion de fosforo aumenta a partir de la superficie del revestimiento o moldeado donde esta contenido el fosforo, hacia el componente emisor de luz, se torna menos probable que sea afectado por humedad extrfnseca facilitando por ello suprimir el deterioro debido a la humedad. Por otra parte, cuando la concentracion de fosforo aumenta desde el componente emisor de luz hacia la superficie del moldeado, se torna mas probable que sea afectada por humedad extnnseca, pero menos probable que sea afectada por el calor y la radiation desde el componente emisor de luz, posibilitando asf suprimir el deterioro del fosforo. Tales distribuciones de la concentracion de fosforo pueden lograrse seleccionando o controlando el material que contiene el fosforo, conformando la temperatura o la viscosidad y la configuracion y la distribucion de partfculas del fosforo.
Usando el fosforo de la primera realizacion, puede hacerse un diodo emisor de luz que tenga excelentes caractensticas de emision, porque el material fluorescente tiene suficiente resistencia a la luz para un funcionamiento de alta eficacia, incluso cuando esta dispuesto adyacente a, o en la vecindad de los componentes emisores de luz 102, 202, con una
intensidad de radiacion (Ee) dentro del intervalo entre 3 Wcm-2 y 10 Wcm-2.
El fosforo usado en la primera realizacion, debido a la estructura del granate, es resistente al calor, la luz y la humedad y por lo tanto es capaz de absorber luz de excitacion que tiene un maximo en una longitud de onda cerca de los 450 nm segun se muestra en la Fig. 3A. Tambien emite luz de amplio espectro que tiene un maximo cerca de los 580 nm 5 rebajandose en 700 nm segun se muestra en la Fig. 3B. Ademas, la eficacia de la emision de luz excitada en una region de longitudes de onda de 460 nm y mas puede aumentarse incluyendo Gd en el cristal del fosforo de la primera realizacion. Cuando se aumenta el contenido de Gd, la longitud de onda de maxima emision se desplaza hacia una longitud de onda mas larga y el espectro de emision entero se desplaza hacia longitudes de onda mas largas. Esto significa que, cuando se requiere la emision de luz mas rojiza, puede lograrse aumentando el grado de sustitucion con Gd.
10 Cuando se aumenta el contenido de Gd, la luminancia de la luz emitida por fotoluminiscencia sometida a luz azul tiende a disminuir.
Especialmente cuando parte del Al es sustituido por Ga entre la composicion del material fluorescente YAG que tiene estructura de granate, la longitud de onda de la luz emitida se desplaza hacia una longitud de onda mas corta y cuando parte del Y es sustituido por Gd, la longitud de onda de la luz emitida se desplaza hacia una longitud de onda mas larga.
15 La Tabla 1 muestra la composicion y las caractensticas emisoras de luz del material fluorescente YAG representado por la formula general (Y-i-aGdaHAh-bGab^O-^Ce.
Tabla 1
N.°
Contenido a de Gd (proporcion molar) Contenido b de Ga (proporcion molar) Coordenadas de cromaticidad de CIE Luminancia Y Eficacia
x
y
1
0,0 0,0 0,41 0,56 100 100
2
0,0 0,4 0,32 0,56 61 63
3
0,0 0,5 0,29 0,54 55 67
4
0,2 0,0 0,45 0,53 102 108
5
0,4 0,0 0,47 0,52 102 113
6
0,6 0,0 0,49 0,51 97 113
7
0,8 0,0 0,50 0,50 72 86
Los valores mostrados en la Tabla 1 fueron medidos excitando el material fluorescente con luz azul de 460 nm. La luminancia y la eficacia en la Tabla 1 estan dadas en valores relativos a los del material N.° 1, que se fijan en 100.
20 Cuando se sustituye Al por Ga, la proporcion esta preferiblemente dentro del intervalo desde Ga:Al = 1:1 a 4,6, en consideracion de la eficacia de emision y de la longitud de onda de la emision. De manera similar, cuando se sustituye Y por Gd, la proporcion esta preferiblemente dentro del intervalo desde Y: Gd = 9:1 a 1:9 y mas preferiblemente desde 4:1 a 2:3. Esto es porque un grado de sustitucion por Gd por debajo del 20 % da como resultado un color de un mayor componente verde y un menor componente rojo y un grado de sustitucion por Gd por encima del 60 % da como resultado 25 un componente rojo aumentado pero una rapida disminucion en la luminancia. Cuando la proporcion Y:Gd de Y y Gd en el material fluorescente YAG se fija dentro del intervalo entre 4:1 y 2:3, en particular, puede hacerse un diodo emisor de luz capaz de emitir luz blanca esencialmente a lo largo del emplazamiento de radiacion del cuerpo negro, usando una clase de material fluorescente de itrio-aluminio-granate, segun la longitud de onda de emision del componente emisor de luz. Cuando la proporcion Y:Gd de Y y Gd en el material fluorescente YAG se fija dentro del intervalo entre 2:3 y 1:4, 30 puede hacerse un diodo emisor de luz capaz de emitir luz de lampara incandescente aunque la luminancia es baja. Cuando el contenido (grado de sustitucion) de Ce se fija dentro del intervalo entre 0,003 a 0,2, puede lograrse la intensidad luminosa relativa del diodo emisor de luz de no menos del 70 %. Cuando el contenido es menos de 0,003, la intensidad luminosa disminuye porque el numero de centros de emision de fotoluminiscencia excitados debido al Ce disminuye y cuando el contenido es mayor que 0,2, ocurre la sofocacion de densidad.
35 Por tanto la longitud de onda de la luz emitida puede ser desplazada a una longitud de onda mas corta, sustituyendo parte del Al de la composicion por Ga y la longitud de onda de la luz emitida puede ser desplazada a una longitud de onda mas larga sustituyendo parte del Y de la composicion por Gd. De esta manera, el color de la luz de emision puede cambiarse continuamente cambiando la composicion. Ademas el material fluorescente es escasamente excitado por lmeas de emision de Hg que tengan longitudes de onda tales como 254 nm y 365 nm, pero es excitado con mayor eficacia por la
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
luz de LED emitida por un componente emisor de luz azul que tenga una longitud de onda de alrededor de 450 nm. Por tanto el material fluorescente tiene caractensticas ideales para convertir la luz azul del componente emisor de luz del semiconductor de nitruro en luz blanca, tales como la capacidad de cambiar continuamente la longitud de onda maxima cambiando la proporcion de Gd.
De acuerdo con la primera realizacion, la eficacia de la emision de luz del diodo emisor de luz puede ser adicionalmente mejorada combinando el componente emisor de luz que emplea el semiconductor de nitruro de galio y el fosforo hecho anadiendo el elemento de tierras raras samario (Sm) a los materiales fluorescentes itrio-aluminio-granate (YAG) activados con cesio.
El material para hacer tal fosforo se hace usando oxidos de Y, Gd, Ce, Sm, Al y Ga o compuestos que puedan ser facilmente convertidos en estos oxidos a alta temperatura y mezclando suficientemente estos materiales en proporciones estequiometricas. Esta mezcla se mezcla con una cantidad adecuada de un fluoruro tal como fluoruro de amonio usado como un fundente y se calienta al fuego en un crisol a una temperatura de entre 1.350 y 1.450 °C en el aire durante entre 2 y 5 horas. Luego el material calentado al fuego es molido por un molino de bolas en agua, lavado, separado, secado y cernido para obtener de este modo ello el material deseado.
En el procedimiento de produccion descrito anteriormente, el material de mezcla tambien puede hacerse disolviendo los elementos de tierras raras Y, Gd, Ce y Sm en proporciones estoiquiometricas en un acido, co-precipitando la solucion con acido oxalico y calentando al fuego el co-precipitado para obtener un oxido del co-precipitado y luego mezclandolo con oxido de aluminio y oxido de galio.
El fosforo representado por la formula general (Yi-p-q.,GdpCeqSmr)3Al5Oi2 puede emitir luz de longitudes de onda de 460 nm y mas largas con mayor eficacia tras la excitacion, porque el Gd esta contenido en el cristal. Cuando el contenido de gadolinio aumenta, la longitud de onda maxima de la emision se desplaza desde 530 nm a una longitud de onda mas larga, de hasta 570 nm, mientras que el espectro de emision entero tambien se desplaza a longitudes de onda mas largas. Cuando se necesita luz de un tono rojo mas fuerte, puede lograrse aumentando la cantidad de Gd anadido para la sustitucion. Cuando se aumenta el contenido de Gd, disminuye gradualmente la luminancia de fotoluminiscencia con luz azul. Por lo tanto, el valor de p es preferiblemente 0,8 o menos o, mas preferiblemente, 0,7 o menos. Mas preferiblemente aun es de 0,6 o menos.
Se puede hacer que el fosforo representado por la formula general (Yi.p-q.rGdpCeqSmr)3Al5Oi2, incluyendo Sm, este sujeto a menos dependencia de la temperatura independientemente del contenido aumentado de Gd. Es decir, el fosforo, cuando esta contenido el Sm, tiene luminancia de emision sumamente mejorada a mayores temperaturas. La extension de la mejora aumenta segun se aumenta el contenido de Gd. La caractenstica de la temperatura puede ser sumamente mejorada en particular por la adicion de Sm en el caso de material fluorescente de una composicion tal como de tono rojo se refuerza aumentando el contenido de Gd, porque tiene malas caractensticas de temperatura. La caractenstica de temperatura mencionada aqu se mide en terminos de la proporcion (%) de luminancia de emision del material fluorescente a una alta temperatura (200 °C) con relacion a la luminancia de emision de la excitacion de la luz azul que tiene una longitud de onda de 450 nm a la temperatura normal (25 °C).
La proporcion de Sm esta preferiblemente dentro del intervalo de 0,0003 < r < 0,08 para dar una caractenstica de temperatura del 60 % o mas. El valor de r por debajo de este un intervalo lleva a un menor efecto de mejorar la caractenstica de temperatura. Cuando el valor de r esta por encima de este un intervalo, por el contrario, la caractenstica de temperatura se deteriora. El intervalo de 0,0007 < r < 0,02, para la proporcion de Sm allf donde la caractenstica de temperatura llega a ser del 80 % o mas alta es mas deseable.
La proporcion q de Ce esta, preferiblemente, en un intervalo de 0,003 < q < 0,2, lo que posibilita una luminancia de emision relativa del 70 % o mas. La luminancia de emision relativa se refiere a la luminancia de emision en terminos del porcentaje para la luminancia de emision de un material fluorescente donde q = 0,03.
Cuando la proporcion q de Ce es de 0,003 o menos, la luminancia disminuye porque el numero de centros de emision excitados de fotoluminiscencia de emision debida al Ce disminuye y cuando q es mayor que 0,2, ocurre la sofocacion de densidad. La sofocacion de densidad se refiere a la disminucion en la intensidad de emision que ocurre cuando la concentracion de un agente de activacion anadido para aumentar la luminancia del material fluorescente aumenta mas alla de un nivel optimo.
Tambien puede usarse una mezcla de dos o mas clases de fosforos que tienen composiciones de (Yi-pq- rGdpCeqSmr)aAl5Oi2 que tengan distintos contenidos de Al, Ga, Y y Gd o Sm. Esto aumenta los componentes RGB y permite la aplicacion, por ejemplo, para un dispositivo visualizador de cristal lfquido de colorido completo, usando un filtro de color.
(Componentes emisores de luz i02, 202)
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
Los componentes emisores de luz estan preferiblemente incrustados en un material de moldeado segun se muestra en la Fig. 1 y la Fig. 2. El componente emisor de luz usado en el diodo emisor de luz de la presente invention es un semiconductor de un compuesto de nitruro de galio, capaz de excitar eficazmente los materiales fluorescentes de granate activados con cerio. Los componentes emisores de luz 102, 202 que emplean el semiconductor de un compuesto de nitruro de galio se hacen formando una capa emisora de luz de un semiconductor de nitruro de galio tal como InGaN sobre un sustrato en el procedimiento MOCVD. La estructura del componente emisor de luz puede ser una homo- estructura, una hetero-estructura o una doble hetero-estructura, que tengan Juntura MIS, Juntura PIN o Juntura PN. Pueden seleccionarse diversas longitudes de onda de emision segun el material de la capa semiconductora y la cristalinidad del mismo. Tambien puede hacerse en una estructura de pozo cuantico unico o una estructura de pozo cuantico multiple donde se forma una capa de activacion semiconductora tan delgada como que pueda ocurrir el efecto cuantico. De acuerdo con la presente invencion, un diodo emisor de luz capaz de emitir con mayor luminancia sin deterioro del fosforo puede ser hecho formando la capa de activation del componente emisor de luz en una estructura de pozo cuantico unico de InGaN.
Cuando se usa un semiconductor de un compuesto de nitruro de galio, si bien pueden usarse zafiro, spinel, SiC, Si, ZnO o similares como el sustrato semiconductor, el uso del sustrato de zafiro es preferible a fin de formar nitruro de galio de buena cristalinidad. Una capa semiconductora de nitruro de galio se forma sobre el sustrato de zafiro para formar una Juntura PN mediante una capa amortiguadora de GaN, AiN, etc. El semiconductor de nitruro de galio tiene conductividad de tipo N a condition de no estar dopado con impureza alguna, aunque a fin de formar un semiconductor de nitruro de galio de tipo N con las propiedades deseadas (concentration portadora, etc.) tal como una eficacia mejorada de la emision de luz, es preferible doparlo con un dopante de tipo N, tal como Si, Ge, Se, Te y C. A fin de formar un semiconductor de nitruro de galio de tipo P, por otra parte, es preferible doparlo con una sustancia de tipo P tal como Zn, Mg, Be, Ca, Sr y Ba. Debido a que es diffcil convertir un semiconductor de un compuesto de nitruro de galio al tipo P simplemente dopando con un dopante de tipo P, es preferible tratar el semiconductor del compuesto de nitruro de galio dopado con un dopante de tipo P en un procedimiento tal como el calentamiento en un horno, la irradiation con un haz de electrones de baja velocidad y la irradiacion de plasma, para convertirlo de este modo a un tipo P. Despues de exponer las superficies de tipo P y los semiconductores de nitruro de galio de tipo N a grabado o a otros procedimientos, los electrodos de las formas deseadas se forman sobre las capas semiconductoras por rociado o deposition de vapor.
Luego la oblea semiconductora que ha sido formada se corta en trozos por medio de una sierra de corte en cubos, o se separa por una fuerza externa despues de cortar surcos (semi-cortados) que tengan un ancho mayor que el ancho del borde de la hoja. O bien, de otra manera, la oblea se corta en astillas trazando un patron de rejilla de lmeas extremadamente finas sobre la oblea semiconductora por medio de un trazador que tenga un estilete de diamante que haga un movimiento recto redproco. De tal modo puede hacerse el componente emisor de luz de un semiconductor de un compuesto de nitruro de galio.
A fin de emitir luz blanca con el diodo emisor de luz de la primera realization, la longitud de onda emitida por el componente emisor de luz esta entre 420 nm y 475 nm inclusive en consideration de la relation cromatica complementaria con el fosforo y el deterioro de la resina a fin de mejorar la eficacia de emision del componente emisor de luz y del fosforo. El espectro de emision del diodo emisor de luz blanca de la primera realizacion se muestra en la Fig. 4. El componente emisor de luz mostrado aqu es de un tipo conductor mostrado en la Fig. 1, que emplea el componente emisor de luz y el fosforo de la primera realizacion a describirse mas adelante. En la Fig. 4, la emision que tiene un valor maximo alrededor de 450 nm es la luz emitida por el componente emisor de luz y la emision que tiene un valor maximo de alrededor de 570 nm es la emision de fotoluminiscencia excitada por el componente emisor de luz.
La Fig. 16 muestra los colores que pueden representarse por el diodo emisor de luz blanca hecho combinando el material fluorescente mostrado en la Tabla 1 y el LED (componente emisor de luz) azul que tiene una longitud de onda maxima de 465 nm. El color de la luz emitida por este diodo emisor de luz blanca corresponde a un punto sobre una lmea recta que conecta un punto de cromaticidad generado por el LED azul y un punto de cromaticidad generado por el material fluorescente y por lo tanto, la amplia region de luz blanca (parte sombreada en la Fig. 16) en la parte central del diagrama de cromaticidad puede ser totalmente cubierta usando los materiales fluorescentes 1 a 7 en la Tabla 1.
La Fig. 17 muestra el cambio del color de emision cuando se cambian los contenidos de materiales fluorescentes en el diodo emisor de luz blanca. Los contenidos de materiales fluorescentes se dan en un porcentaje del peso para la resina usada en el material de revestimiento. Como se vera a partir de la Fig. 17, el color de la luz se aproxima al de los materiales fluorescentes cuando aumenta el contenido del material fluorescente y se aproxima al del LED azul cuando se reduce el contenido del material fluorescente.
De acuerdo con la presente invencion, un componente emisor de luz que no excita el material fluorescente puede ser usado junto con el componente emisor de luz que emite luz que excita el material fluorescente. Espedficamente, ademas del componente emisor de luz que es un semiconductor de un compuesto de nitruro capaz de excitar el material fluorescente, se dispone conjuntamente un componente emisor de luz que tenga una capa emisora de luz hecha de fosfato de galio, arseniuro de aluminio y galio, fosfato de arsenico y galio o fosfato de aluminio e indio. Con esta
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
configuracion, la luz emitida por el componente emisor de luz que no excita el material fluorescente se irradia al exterior sin ser absorbida por el material fluorescente, formando un diodo emisor de luz que puede emitir luz roja / blanca. Otros componentes de los diodos emisores de luz de la Fig. 1 y de la Fig. 2 seran descritos mas adelante.
(Cables conductores 103, 203)
Los cables conductores 103, 203 deberfan tener buena conductividad electrica, buena conductividad termica y buena conexion mecanica con los electrodos de los componentes emisores de luz 102, 202. La conductividad termica es preferiblemente de 0,042J (0,01 cal) / (s) (cm2) (°C / cm) o mas y mas preferiblemente, de 2,09J (0,5 cal) / (s) (cm2) (°C / cm) o mas. Para mayor facilidad de trabajo, el diametro del cable conductor esta, preferiblemente, entre 10 |im y 45 |im inclusive. Incluso cuando se usa el mismo material tanto para el revestimiento que incluye el material fluorescente como para el moldeado, debido a la diferencia en el coeficiente de expansion termica debida al material fluorescente contenido en cualquiera de los dos materiales anteriores, es probable que el cable conductor se rompa en la interfaz. Por este motivo, el diametro del cable conductor es preferiblemente de no menos de 25 |im y a causa del area emisora de luz y de la facilidad de manipulacion, preferiblemente de 35 |im. El cable conductor puede ser de un metal tal como oro, cobre, platino y aluminio, o una aleacion de los mismos. Cuando se usa un cable conductor de tal material y configuracion, puede ser facilmente conectado a los electrodos de los componentes emisores de luz, al conductor interno y al conductor de montaje por medio de un dispositivo de ligadura de cables.
(Conductor de montaje 105)
El conductor de montaje 105 comprende una copa 105a y un conductor 105b y es suficiente que tenga bastante tamano como para montar el componente emisor de luz 102 con el dispositivo de ligadura de cables en la copa 105a. Se instalan una pluralidad de componentes emisores de luz en la copa y el conductor de montaje se usa como electrodo comun para el componente emisor de luz. Debido a que pueden usarse distintos materiales de electrodo, se requiere una suficiente conductividad electrica y una buena conductividad con el cable de ligadura y otros. Cuando el componente emisor de luz se instala en la copa del conductor de montaje y la copa se llena con el material fluorescente, la luz emitida por el material fluorescente, incluso si es isotropico, es reflejada por la copa en una direccion deseada y por lo tanto puede evitarse la iluminacion erronea debida a la luz de otro diodo emisor de luz montado en las cercamas. La iluminacion erronea se refiere aqu a un fenomeno tal como otro diodo emisor de luz montado en las cercamas que parece como que ilumina a pesar de no estar alimentado con energfa.
La ligadura del componente emisor de luz 102 y del conductor de montaje 105 con la copa 105a puede lograrse por medio de una resina termoplastica tal como la resina epoxi, la resina acnlica y la resina de imido. Cuando se usa un componente emisor de luz orientado hacia abajo (un tipo de componente emisor de luz tal que la luz emitida se extrae del lado del sustrato y se configura para montar los electrodos opuestos a la copa 105a), pueden usarse pasta de Ag, pasta de carbon, un saliente metalico o similares para ligar y conectar electricamente el componente emisor de luz y el conductor de montaje al mismo tiempo. Ademas, a fin de mejorar la eficacia de la utilizacion de la luz del diodo emisor de luz, la superficie de la copa del conductor de montaje sobre la que se monta el componente emisor de luz puede ser pulida como espejo para dar una funcion de reflejo a la superficie. En este caso, la aspereza de la superficie esta preferiblemente entre 0,1 S (unidad japonesa de acuerdo con la norma ISO 468 de 1982) y 0,8 S (unidad japonesa de acuerdo con la norma ISO 468 de 1982) inclusive. La resistencia electrica del conductor de montaje es preferiblemente de 300 |iQ-cm o menos y mas preferiblemente alrededor de 3 |iQ-cm o menos. De acuerdo con la presente invencion, una pluralidad de componentes que emiten luz se monta sobre el conductor de montaje. Como resultado, los componentes emisores de luz generan una cantidad significativa de calor y por lo tanto, se requiere una alta conductividad termica. Espedficamente, la conductividad termica es preferiblemente 0,042J (0,01 cal) / (s) (cm2) (°C / cm) o mas y mas preferiblemente de 2,09J (0,5 cal) / (s) (cm2) (°C / cm) o mas. Los materiales que satisfacen estos requisitos contienen acero, cobre, acero revestido con cobre, estano revestido con cobre y ceramicas metalizadas.
(Conductor interno 106)
El conductor interno 106 esta conectado a uno de los electrodos del componente emisor de luz 102 montado sobre el conductor de montaje 105 por medio de un cable conductor o similar. De acuerdo con la presente invencion, se instala una pluralidad de los componentes emisores de luz sobre el conductor de montaje. Por lo tanto, es necesario disponer una pluralidad de conductores internos 106 de forma tal que los cables conductores no se toquen entre sf Por ejemplo, el contacto de los cables conductores entre sf puede ser evitado aumentando el area de la cara extrema donde el conductor interno esta ligado por cable segun aumenta la distancia desde el conductor de montaje de modo que el espacio entre los cables conductores este asegurado. La aspereza superficial de la cara extrema del conductor interno que conecta con el cable conductor esta preferiblemente entre 1,6 S y 10 S (unidad japonesa de acuerdo con la norma ISO 468 de 1982) inclusive en consideracion de un contacto estrecho.
A fin de formar el conductor interno en una forma deseada, puede ser punzado por medio de un troquel. Ademas, puede hacerse punzando para formar el conductor interno y luego ejerciendo presion sobre el sobre la cara extrema, para
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
controlar de este modo el area y la altura de la cara extrema.
Se requiere que el conductor interno tenga buena conectividad con los cables de ligadura que son cables conductores y que tienen buena conductividad electrica. Espedficamente, la resistencia electrica es preferiblemente de 300 |iQ-cm o menos y mas preferiblemente de 3 |iQ-cm o menos. Los materiales que satisfacen estos requisitos contienen hierro, cobre, cobre con contenido de hierro, cobre con contenido de estano, aluminio, hierro y cobre, chapados con cobre, oro o plata.
(Material de revestimiento 101)
El material de revestimiento 101 se proporciona en la copa del conductor de montaje aparte del material de moldeado 104 y en la primera realizacion, contiene el fosforo que convierte la luz emitida por el componente emisor de luz. El material de revestimiento puede ser un material trasparente que tenga buena adaptabilidad climatica tal como resina epoxi, resina de urea y resina de silicona o vidrio. Puede usarse un dispersante junto con el fosforo. Como dispersante, se usan, preferiblemente, titaniato de bario, oxido de titanio, oxido de aluminio, dioxido de silicio y similares. Cuando el material fluorescente se forma por rociado, puede omitirse el material de revestimiento. En este caso, puede hacerse un diodo emisor de luz capaz de mezclar colores controlando el espesor de la pelfcula o proporcionando una abertura en la capa de material fluorescente.
(Material de moldeado 104)
El moldeado 104 tiene la funcion de proteger el componente emisor de luz 102, el cable conductor 103 y el material de revestimiento 101 que contiene fosforo de perturbaciones externas. De acuerdo con la primera realizacion, es preferible que el material de moldeado 104 contenga ademas un dispersante, que puede desafilar la direccionalidad de la luz procedente del componente emisor de luz 102, dando como resultado un angulo de vision aumentado. El material de moldeado 104 tiene la funcion de lente para enfocar o difundir la luz emitida por el componente emisor de luz. Por lo tanto, el material de moldeado 104 puede ser formado en una configuracion de lente convexa o lente concava y puede tener una forma elfptica cuando se observa en la direccion del eje optico, o una combinacion de estas. Ademas, el material de moldeado 104 puede ser formado en una estructura de multiples capas de distintos materiales que estan laminados. Como el material de moldeado 104 se emplean preferiblemente materiales transparentes que tienen alta adaptacion climatica, tales como resina epoxi, resina de urea, resina de silicona o vidrio. Como el dispersante, pueden usarse el titaniato de bario, el oxido de titanio, el oxido de aluminio, el dioxido de silicio y similares. Ademas del dispersante, tambien puede estar contenido el fosforo en el material de moldeado. Esto es, de acuerdo con la presente invencion, el fosforo puede estar contenido bien en el material de moldeado o bien en el material de revestimiento. Cuando el fosforo esta contenido en el material de moldeado, el angulo de vision puede aumentarse adicionalmente. El fosforo puede tambien estar contenido tanto en el material de revestimiento como en el material de moldeado. Ademas, puede usarse una resina que incluya el fosforo como el material de revestimiento usando a la vez el vidrio, distinto al material de revestimiento, como el material de moldeado. Esto posibilita fabricar un diodo emisor de luz que este menos sujeto a la influencia de la humedad con buena productividad. El moldeado y el revestimiento tambien pueden hacerse del mismo material a fin de hacer coincidir el mdice de refraccion, segun la aplicacion. De acuerdo con la presente invencion, anadir el dispersante y / o un agente de coloracion en el material de moldeado tiene los efectos de enmascarar el color del material fluorescente oscurecido y de mejorar el rendimiento de la mezcla de colores. Es decir, el material fluorescente absorbe el componente azul de la luz extrrnseca y emite luz de este modo para presentar una apariencia tal como si estuviera coloreado de amarillo. Sin embargo, el dispersante contenido en el material de moldeado da un color blanco lechoso al material de moldeado y el agente de coloracion produce un color deseado. Por tanto el color del material fluorescente no sera reconocido por el observador. En caso de que el componente emisor de luz emita luz que tenga una longitud de onda principal de 430 nm o mas, es mas preferible que este contenido un absorbente ultravioleta que sirva como estabilizador de la luz.
Realizacion 2
El diodo emisor de luz de otra realizacion se hace usando un elemento provisto de un semiconductor de un compuesto de nitruro de galio que tiene brecha de banda de energfa alta en la capa emisora de luz como el componente emisor de luz y un material fluorescente que incluye dos o mas clases de fosforos de distintas composiciones o preferiblemente materiales fluorescentes de itrio-aluminio-granate activados con cerio como el fosforo. Con esta configuracion, puede hacerse un diodo emisor de luz que permite dar un tono de color deseado controlando los contenidos de los dos o mas materiales fluorescentes incluso cuando la longitud de onda de la luz de LED emitida por el componente emisor de luz se desvfa del valor deseado debido a variaciones en el procedimiento de produccion. En este caso, el color de emision del diodo emisor de luz puede formarse constantemente usando un material fluorescente que tenga una longitud de onda de emision relativamente corta para un componente emisor de luz de una longitud de onda de emision relativamente corta y usando un material fluorescente que tenga una longitud de onda de emision relativamente larga para un componente emisor de luz de una longitud de onda de emision relativamente larga.
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
En cuanto al material fluorescente, tambien puede usarse un material fluorescente representado por la formula general (Re%r Smr)3(Al1-Gas)5O12:Ce como el fosforo. Aqm, 0 < r <1 y 0 < s <1 yRe es al menos uno seleccionado entre Y, Gd y La. Esta configuracion posibilita minimizar la desnaturalizacion del material fluorescente incluso cuando el material fluorescente es expuesto a una luz visible de alta intensidad y alta energfa emitida por el componente emisor de luz durante un largo periodo de tiempo o cuando se usa en diversas condiciones ambientales y por lo tanto puede hacerse un diodo emisor de luz que este sujeto a un desplazamiento cromatico y a una disminucion de luminancia de emision extremadamente insignificantes y que tenga el componente de emision deseado de luminancia alta.
(Fosforo de la realizacion 2)
Ahora se describira en detalle a continuacion el fosforo usado en el componente emisor de luz de la realizacion anterior. Esta realizacion es similar a la primera realizacion, salvo porque dos o mas clases de fosforos de distintas composiciones activados con cerio se usan como el fosforo, segun lo descrito anteriormente y el procedimiento de uso del material fluorescente es basicamente el mismo.
De manera similar al caso de la primera realizacion, el diodo emisor de luz puede dotarse de alta adaptabilidad climatica controlando la distribucion del fosforo (tal como disminuyendo gradualmente la concentracion con la distancia desde el componente emisor de luz). Una distribucion tal de la concentracion de fosforo puede lograrse seleccionando o controlando el material que contiene el fosforo, conformando la temperatura y la viscosidad y la configuracion y distribucion de partfculas del fosforo.
Por tanto de acuerdo con esta realizacion la distribucion de la concentracion del material fluorescente se determina de acuerdo con las condiciones operativas. Tambien de acuerdo con esta realizacion, la eficacia de la emision de luz puede aumentarse disenando la disposicion de las dos o mas clases de materiales fluorescentes (por ejemplo, disponiendo en el orden de cercama al componente emisor de luz) de acuerdo con la luz generada por el componente emisor de luz. Con la configuracion de esta realizacion, de manera similar a la primera realizacion, el diodo emisor de luz tiene alta eficacia y suficiente resistencia a la luz incluso cuando se dispone adyacente a o en la vecindad de un componente emisor de luz de salida relativamente alta con intensidad de radiacion (Ee) dentro del intervalo entre 3 Wcm-2 y 10 Wcm-2.
El material fluorescente de itrio-aluminio-granate activado con cerio (material fluorescente YAG) usado en esta realizacion tiene estructura de granate de manera similar al caso de la primera realizacion y por lo tanto es resistente al calor, la luz y la humedad. La maxima longitud de onda de excitacion del material fluorescente de itrio-aluminio-granate de esta realizacion puede fijarse cerca de los 450 nm segun lo indicado por la lmea continua en la Fig. 5A y la maxima longitud de onda de emision puede fijarse cerca de los 510 nm segun lo indicado por la lmea continua en la Fig. 5B, haciendo a la vez que el espectro de emision sea tan ancho como para rebajarse hacia los 700 nm. Esto posibilita emitir luz verde. La maxima longitud de onda de excitacion de otro material fluorescente de itrio-aluminio-granate activado con cerio de esta realizacion puede fijarse cerca de los 450 nm segun lo indicado por la lmea discontinua en la FIG. 5A y la maxima longitud de onda de emision puede fijarse cerca de los 600 nm segun lo indicado por la lmea discontinua en la Fig. 5B, haciendo a la vez que el espectro de emision sea tan ancho como para rebajarse hacia los 750 nm. Esto posibilita emitir luz roja.
La longitud de onda de la luz emitida se desplaza a una longitud de onda mas corta sustituyendo parte del Al, entre los constituyentes del material fluorescente YAG que tienen estructura de granate, por Ga y la longitud de onda de la luz emitida se desplaza a una longitud de onda mas larga sustituyendo parte del Y por Gd y / o La. La proporcion de la sustitucion del Al por Ga esta preferiblemente entre Ga:Al = 1:1 y 4:6 en consideracion de la eficacia emisora de luz y la longitud de onda de la emision. De manera similar, la proporcion de la sustitucion de Y por Gd y / o La esta preferiblemente entre Y:Gd y / o La = 9:1 a 1:9, o mas preferiblemente entre Y:Gd y / o La = 4:1 y 2:3. La sustitucion de menos del 20 % da como resultado un aumento del componente verde y una disminucion del componente rojo. La sustitucion del 80 % o una parte mayor, por otra parte, aumenta el componente rojo pero reduce abruptamente la luminancia.
El material para hacer un fosforo tal se hace usando oxidos de Y, Gd, Ce, La, Al, Sm y Ga o compuestos que puedan ser facilmente convertidos en estos oxidos a alta temperatura y mezclando suficientemente estos materiales en proporciones estoiquiometricas. O bien, el material de mezcla se obtiene disolviendo los elementos de tierras raras Y, Gd, Ce, La y Sm en proporciones estoiquiometricas en acido, co-precipitando la solucion con acido oxalico y calentando al fuego el co- precipitado para obtener un oxido del co-precipitado, que se mezcla luego con oxido de aluminio y oxido de galio. Esta mezcla se mezcla con una cantidad apropiada de un fluoruro tal como el fluoruro de amonio usado como un fundente y se calienta al fuego en un crisol a una temperatura entre 1.350 y 1.450 °C en el aire durante entre 2 y 5 horas. Luego el material calentado al fuego es molido por un molino de bolas en agua, lavado, separado, secado y cernido para obtener de este modo el material deseado.
En esta realizacion, las dos o mas clases de materiales fluorescentes de itrio-aluminio-granate activadas con cerio de distintas composiciones pueden ser usadas bien por mezcla o bien dispuestas independientemente (laminadas, por ejemplo). Cuando las dos o mas clases de materiales fluorescentes se mezclan, la parte convertidora de colores puede
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
ser formada de manera relativamente facil y de una manera adecuada para la produccion en masa. Cuando las dos o mas clases de materiales fluorescentes se disponen independientemente, el color puede ser ajustado despues de formarlo laminando las capas hasta que pueda obtenerse un color deseado. Ademas cuando se disponen las dos o mas clases de materiales fluorescentes independientemente, es preferible disponer un material fluorescente que absorba la luz del componente emisor de luz de una longitud de onda mas corta cerca del elemento de LED y un material fluorescente que absorba la luz de una longitud de onda mas larga lejos del elemento de LED. Esta disposicion permite la absorcion y emision eficaz de la luz.
El diodo emisor de luz de esta realizacion se hace usando dos o mas clases de materiales fluorescentes de itrio-aluminio- granate de distintas composiciones como los materiales fluorescentes, segun se ha descrito anteriormente. Esto posibilita hacer un diodo emisor de luz capaz de emitir luz del color deseado de manera eficaz. Es decir, cuando la longitud de onda de la luz emitida por el componente emisor de luz semiconductor corresponde a un punto sobre la lmea recta que conecta el punto A y el punto B en el diagrama de cromaticidad de la Fig. 6, puede emitirse luz de cualquier color en la region sombreada circundada por los puntos A, B, C y D en la Fig. 6 que son los puntos de cromaticidad (puntos C y D) de las dos o mas clases de materiales fluorescentes de itrio-aluminio-granate de distintas composiciones. De acuerdo con esta realizacion, el color puede ser controlado cambiando las composiciones o cantidades de los elementos de LED y los materiales fluorescentes. En particular, un diodo emisor de luz de menor variacion en la longitud de onda de emision puede ser hecho seleccionando los materiales fluorescentes de acuerdo con la longitud de onda de emision del elemento de LED, compensando de este modo la variacion de la longitud de onda de emision del elemento de LED. Ademas un diodo emisor de luz que incluye componentes RGB con alta luminancia puede ser hecho seleccionando la longitud de onda de emision de los materiales fluorescentes.
Ademas, debido a que el material fluorescente de itrio-aluminio-granate (YAG) usado en esta realizacion tiene una estructura de granate, el diodo emisor de luz de esta realizacion puede emitir luz de alta luminancia durante un largo periodo de tiempo. Ademas los diodos emisores de luz de la primera realizacion y de esta realizacion estan dotados de un componente emisor de luz instalado mediante material fluorescente. Ademas debido a que la luz convertida tiene una longitud de onda mas larga que aquella de la luz emitida por el componente emisor de luz, la energfa de la luz convertida es menor que la brecha de banda del semiconductor de nitruro y es menos probable que sea absorbida por la capa semiconductora de nitruro. Por tanto, aunque la luz emitida por el material fluorescente esta dirigida tambien al elemento de LED debido a la isotropfa de la emision, la luz emitida por el material fluorescente nunca es absorbida por el elemento de LED y por lo tanto la eficacia de emision del diodo emisor de luz no sera reducida.
(Fuente de luz plana)
Una fuente de luz plana que es otra realizacion de la presente invention se muestra en la Fig. 7.
En la fuente de luz plana mostrada en la Fig. 7, el fosforo usado en la primera realizacion esta contenido en un material de revestimiento 701. Con esta configuration, la luz azul emitida por el semiconductor de nitruro de galio es convertida cromaticamente y es emitida en estado plano mediante una placa de grna optica 704 y una hoja dispersante 706.
Espedficamente, un componente emisor de luz 702 de la fuente de luz plana de la Fig. 7 esta asegurado en un sustrato de metal 703 en forma de C invertida en que estan formados una capa de aislamiento y un patron conductivo (no mostrado). Despues de conectar electricamente el electrodo del componente emisor de luz y el patron conductivo, el fosforo se mezcla con resina epoxi y se aplica al sustrato de metal en forma de C invertida 703 sobre el que se monta el componente emisor de luz 702. El componente emisor de luz asf asegurado se fija sobre una cara extrema de una placa de grna optica acnlica 704 por medio de una resina epoxi. Una pelfcula reflectante 707 que contiene un agente de difusion blanco esta dispuesta sobre uno de los planos principales de la placa de grna optica 704 donde no esta formada la hoja dispersante 706, con el fin de impedir la fluorescencia.
De manera similar, se proporciona un reflector 705 sobre la superficie entera sobre el reverso de la placa de grna optica 704 y sobre una cara extrema donde no se proporciona el componente emisor de luz, a fin de mejorar la eficacia de la emision de luz. Con esta configuracion, pueden hacerse diodos emisores de luz para la emision de luz plana que generan suficiente luminancia para la retro-iluminacion de un LCD.
La aplicacion del diodo emisor de luz para la emision de luz plana a un visualizador de cristal lfquido puede lograrse disponiendo una placa polarizadora sobre un plano principal de la placa de grna optica 704 mediante cristal lfquido inyectado entre sustratos de vidrio (no mostrados), sobre los cuales se forma un patron conductivo traslucido.
Con referencia ahora a la Fig. 8 y a la Fig. 9, se describira a continuation una fuente de luz plana de acuerdo con otra realizacion de la presente invencion. El dispositivo emisor de luz mostrado en la Fig. 8 esta formado en una configuracion tal que la luz azul emitida por el diodo emisor de luz 702 es convertida en luz blanca por un convertidor cromatico 701 que contiene fosforo y es emitida en estado plano mediante una placa de grna optica 704.
El dispositivo emisor de luz mostrado en la Fig. 9 esta formado en una configuracion tal que la luz azul emitida por el
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
componente emisor de luz 702 es convertida al estado plano por la placa de gma optica 704, luego es convertida en luz blanca por una hoja dispersante 706 que contiene fosforo formada sobre uno de los planos principales de la placa de gma optica 704, para emitir de este modo luz blanca en estado plano. El fosforo bien puede estar contenido en la hoja dispersante 706 o bien puede estar formado en una hoja esparciendolo junto con una resina adhesiva sobre la hoja dispersante 706. Ademas, el adhesivo incluyendo el fosforo puede estar formado por puntos, no en una hoja, directamente sobre la placa de gma optica 704.
<Aplicacion>
(Dispositivo visualizador)
Ahora se describira a continuacion un dispositivo visualizador. La Fig. 10 es un diagrama de bloques que muestra la configuracion del dispositivo visualizador. Como se muestra en la Fig. 10, el dispositivo visualizador comprende un dispositivo visualizador de LED 601 y un circuito impulsor 610 con un controlador 602, medios de almacenamiento de datos de video 603 y medios de control de tono 604. El dispositivo visualizador de LED 601, que tiene diodos emisores de luz blanca 501 mostrados en la Fig. 1 o la Fig. 2 dispuestos en configuracion matricial en una cubierta 504 segun se muestra en la Fig. 11, se usa como dispositivo visualizador de LED monocromatico. La cubierta 504 esta dotada de un material de bloqueo ligero 505 formado integralmente con la misma.
El circuito impulsor 610 tiene el medio de almacenamiento de datos de video (RAM) 603 para almacenar temporalmente los datos de visualizacion que son ingresados, el medio de control de tono 604 que calcula y emite senales de tono para controlar los diodos emisores de luz individuales del dispositivo visualizador de LED 601 para iluminar con el brillo especificado de acuerdo con los datos lefdos desde la RAM 603 y el controlador 602 que esta conmutado por senales suministradas desde el medio de control de tono 604 para llevar el diodo emisor de luz a iluminar. El circuito de control de tono 604 extrae datos desde la RAM 603 y calcula la duracion de la iluminacion de los diodos emisores de luz del dispositivo visualizador de LED 601, luego emite senales de pulso para encender y apagar los diodos emisores de luz para el dispositivo visualizador de LED 601. En el dispositivo visualizador constituido segun lo descrito anteriormente, el dispositivo visualizador de LED 601 es capaz de exhibir imagenes de acuerdo con las senales de pulso que son ingresadas desde el circuito controlador y tiene las siguientes ventajas.
Se requiere que el dispositivo visualizador de LED que exhibe con luz blanca usando diodos emisores de luz de tres colores, RGB, exhiba controlando a la vez la salida de emision lummica de los diodos emisores de luz R, G y B y en consecuencia debe controlar los diodos emisores de luz teniendo en cuenta la intensidad de emision, las caractensticas de temperatura y otros factores de los diodos emisores de luz, dando como resultado una complicada configuracion del circuito impulsor que controla el dispositivo visualizador de LED. En el dispositivo visualizador construido como se explica anteriormente, sin embargo, debido a que el dispositivo visualizador de LED 601 esta constituido usando diodos emisores de luz 501 de la presente invencion que pueden emitir luz blanca sin usar diodos emisores de luz de tres clases, RGB, no es necesario que el circuito impulsor controle individualmente los diodos emisores de luz R, G y B, posibilitando simplificar la configuracion del circuito impulsor y hacer el dispositivo visualizador a un coste bajo.
Con un dispositivo visualizador de LED que exhibe en luz blanca usando diodos emisores de luz de tres clases, RGB, los tres diodos emisores de luz deben estar iluminados al mismo tiempo y la luz de los diodos emisores de luz debe estar mezclada a fin de exhibir luz blanca combinando los tres diodos emisores de luz RGB para cada pixel, dando como resultado una gran area de visualizacion para cada pixel e imposibilitando exhibir con alta definicion. El dispositivo visualizador de LED que usa diodos emisores de luz de la presente invencion, por el contrario, es capaz de exhibir con luz blanca y puede hacerse con un unico diodo emisor de luz y por lo tanto es capaz de exhibir con luz blanca de mayor definicion. Ademas, con el dispositivo visualizador de LED que exhibe mezclando los colores de tres diodos emisores de luz, hay un caso tal que el color de exhibicion cambia debido al bloqueo de algunos de los diodos emisores de luz RGB, dependiendo del angulo de vision; el dispositivo visualizador de LED explicado anteriormente no tiene tal problema.
Como se ha descrito anteriormente, el dispositivo visualizador proporcionado con el dispositivo visualizador de LED que emplea el diodo emisor de luz de la presente invencion que es capaz de emitir luz blanca es capaz de exhibir luz blanca estable con mayor definicion y tiene la ventaja de menos disparidad de colores. El dispositivo visualizador de LED que es capaz de exhibir con luz blanca tambien impone menos estimulacion al ojo en comparacion con el dispositivo visualizador de LED convencional que emplea solamente colores rojo y verde y por lo tanto es adecuado para su uso durante un periodo de tiempo largo.
(Realizacion de otro dispositivo visualizador empleando el diodo emisor de luz de la presente invencion)
El diodo emisor de luz de la presente invencion puede usarse para constituir un dispositivo visualizador de LED en el que un pixel esta constituido por tres diodos emisores de luz RGB y un diodo emisor de luz de la presente invencion, segun se muestra en la Fig. 12. Conectando el dispositivo visualizador de LED y un circuito impulsor especificado, puede constituirse un dispositivo visualizador capaz de exhibir diversas imagenes. El circuito impulsor de este dispositivo visualizador tiene, de manera similar a un caso de dispositivo visualizador monocromatico, medios de almacenamiento de
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
datos de v^deo (RAM) para almacenar temporalmente los datos de visualizacion de entrada, un circuito de control de tono que procesa los datos almacenados en la RAM para calcular senales de tono para iluminar los diodos emisores de luz con brillo especificado y un controlador que es conmutado por la senal de salida del circuito de control de tono para hacer que los diodos emisores de luz iluminen. El circuito impulsor se requiere exclusivamente para cada uno de los diodos emisores de luz RGB y el diodo emisor de luz blanca. El circuito de control de tono calcula la duracion de la iluminacion de los diodos emisores de luz a partir de los datos almacenados en la RAM y emite senales de pulso para encender y apagar los diodos emisores de luz. Al exhibir con luz blanca, el ancho de las senales de pulso para iluminar los diodos emisores de luz RGB se acorta, o el valor maximo de la senal de pulso se reduce o no se emite ninguna senal de pulso en absoluto. Por otra parte, una senal de pulso se da al diodo emisor de luz blanca en compensacion por ello. Esto hace que el dispositivo visualizador de LED exhiba con luz blanca.
Como se ha descrito anteriormente, el brillo del visualizador puede ser mejorado anadiendo el diodo emisor de luz blanca a los diodos emisores de luz RGB. Cuando los diodos emisores de luz RGB son combinados para exhibir luz blanca, uno o dos de los colores RGB pueden ser mejorados dando como resultado no lograr exhibir luz blanca pura segun el angulo de vision; un problema tal se resuelve anadiendo el diodo emisor de luz blanca como en este dispositivo visualizador.
Para el circuito impulsor de un dispositivo visualizador tal segun lo descrito anteriormente, es preferible que se provea una CPU por separado como un circuito de control de tono que calcula la senal de pulso para iluminar el diodo emisor de luz blanca con un brillo especificado. La senal de pulso que se emite desde el circuito de control de tono se entrega al controlador del diodo emisor de luz blanca para conmutar de este modo el controlador. El diodo emisor de luz blanca ilumina cuando el controlador se enciende y se extingue cuando el controlador se apaga.
(Senal de trafico)
Cuando el diodo emisor de luz de la presente invencion se usa como una senal de trafico que es una clase de dispositivo visualizador, pueden obtenerse ventajas tales como iluminacion estable durante un largo periodo de tiempo y ninguna disparidad de color incluso cuando parte de los diodos emisores de luz se extinguen. La senal de trafico que emplea el diodo emisor de luz de la presente invencion tiene una configuracion tal como que los diodos emisores de luz blanca estan dispuestos sobre un sustrato sobre el que se forma un patron conductivo. Un circuito de diodos emisores de luz en el que tales diodos emisores de luz estan conectados en serie o en paralelo es manipulado como un conjunto de diodos emisores de luz. Se usan dos o mas conjuntos de los diodos emisores de luz, teniendo cada uno los diodos emisores de luz dispuestos en configuracion en espiral. Cuando todos los diodos emisores de luz estan dispuestos, se disponen sobre el area entera en configuracion circular. Despues de conectar las lmeas de energfa soldando la conexion de los diodos emisores de luz y el sustrato con fuente de alimentacion externa, ello se asegura en un chasis de senal ferroviaria. El dispositivo visualizador de LED se coloca en un chasis de molde fundido de aluminio equipado con un miembro bloqueador de luz y se sella sobre la superficie con un relleno de goma de silicio. El chasis esta dotado de una lente de color blanco sobre el plano de visualizacion del mismo. El cableado electrico del dispositivo visualizador de LED se pasa a traves de un embalaje de goma sobre el reverso del chasis, para aislar por sellado el interior del chasis del exterior, con el interior del chasis cerrado. De tal modo se forma una senal de luz blanca. Una senal de mayor fiabilidad puede formarse dividiendo los diodos emisores de luz de la presente invencion en una pluralidad de grupos y disponiendolos en una configuracion de espiral arremolinada desde un centro hacia el exterior, conectandolos a la vez en paralelo. La configuracion de arremolinamiento desde el centro hacia el exterior puede bien ser continua o bien ser intermitente. Por lo tanto, el numero deseado de los diodos emisores de luz y el numero deseado de los conjuntos de diodos emisores de luz pueden ser seleccionados segun el area de visualizacion del dispositivo visualizador de LED. Esta senal es, incluso cuando uno de los conjuntos de diodos emisores de luz o parte de los diodos emisores de luz no logra iluminar debido a algun problema, capaz de iluminar uniformemente en una configuracion circular sin desplazamiento cromatico por medio del conjunto que queda de diodos emisores de luz o de los diodos emisores de luz que quedan. Debido a que los diodos emisores de luz estan dispuestos en una configuracion espiral, pueden ser dispuestos mas densamente cerca del centro y controlados sin ninguna impresion distinta a la de las senales que emplean lamparas incandescentes.
Ejemplos
Los siguientes Ejemplos ilustran adicionalmente el componente emisor de luz usado en la presente invencion en detalle pero no han de ser interpretados para limitar el ambito de la misma.
Ejemplo 1
El Ejemplo 1 proporciona un componente emisor de luz que tiene un valor maximo de emision en 450 nm y una anchura media de 30 nm empleando un semiconductor de GaInN. El componente emisor de luz de la presente invencion se forma haciendo fluir gas TMG (trimetil galio), gas TMI (trimetil indio), gas nitrogeno y gas dopante junto con un gas portador sobre un sustrato de zafiro depurado y formando una capa semiconductora de un compuesto de nitruro de galio en un procedimiento MOCVD. Un semiconductor de nitruro de galio que tiene conductividad de tipo N y un semiconductor de nitruro de galio que tiene conductividad de tipo P se forman conmutando SiH4 y Cp2Mg (bis(ciclopentadienil)magnesio)
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
como gas dopante. El elemento de LED del Ejemplo 1 tiene una capa de contacto que es un semiconductor de nitruro de galio que tiene conductividad de tipo N, una capa revestida que es un semiconductor de aluminio y nitruro de galio que tiene conductividad de tipo P y una capa de contacto que es un semiconductor de nitruro de galio que tiene conductividad de tipo P y formada entre la capa de contacto que tiene conductividad de tipo N y la capa revestida que tiene conductividad de tipo P es una capa de activacion de InGaN no dopada de espesor de alrededor de 3 nm para hacer una estructura de pozo cuantico unico. El sustrato de zafiro tiene un semiconductor de nitruro de galio formado sobre el mismo a baja temperatura para hacer una capa amortiguadora. El semiconductor de tipo P es templado a una temperatura de 400 °C o mas despues de formar la pelfcula.
Despues de exponer las superficies de tipo P y las capas semiconductoras de tipo N mediante el grabado, se forman los electrodos n y p por rociado. Despues de trazar la oblea semiconductora que ha sido hecha segun lo descrito anteriormente, los componentes emisores de luz se forman dividiendo la oblea con fuerza externa.
El componente emisor de luz en el anterior procedimiento se monta en una copa de un conductor de montaje que esta hecho de acero revestido en plata por ligadura de troquel con resina epoxi. Luego los electrodos del componente emisor de luz, el conductor de montaje y el conductor interno son conectados electricamente por ligadura de cables con cables de oro de 30 |im de diametro, para formar un diodo emisor de luz de tipo conductor.
Se hace un fosforo disolviendo elementos de tierras raras, de Y, Gd y Ce en un acido en proporciones estoiquiometricas (de medicion de bases) y co-precipitando la solucion con acido oxalico. El oxido del co-precipitado obtenido calentando al fuego este material se mezcla con oxido de aluminio, para obtener de este modo el material de mezcla. La mezcla se mezclo luego con fluoruro de amonio usado como un fundente y se calento al fuego en un crisol a una temperatura de 1.400 °C en el aire durante 3 horas. Luego el material calentado al fuego es molido por un molino de bolas en agua, lavado, separado, secado y cernido, para obtener por ello el material deseado. El fosforo hecho segun lo descrito anteriormente es material fluorescente de itrio-aluminio-granate, representado por la formula general (Y0,8Gd0,2)3Al5Oi2:Ce, donde alrededor del 20 % del Y es sustituido por Gd y la proporcion de sustitucion del Ce es de 0,03.
80 partes del peso del material fluorescente con una composicion de (Y0,8Gd0,2)3Al5Oi2:Ce que ha sido formado en el procedimiento anterior y 100 partes del peso de resina epoxi se mezclan lo suficiente para convertirlas en una suspension. La suspension se vierte en la copa proporcionada sobre el conductor de montaje en el que se monta el componente emisor de luz. Despues de verter, la suspension se cura a 130 °C durante una hora. Asf, se forma un revestimiento con un espesor de 120 |im, que contiene el fosforo, sobre el componente emisor de luz. En el Ejemplo 1, el revestimiento se forma para contener el fosforo en una concentracion gradualmente creciente hacia el componente emisor de luz. La intensidad de irradiacion es de alrededor de 3,5 W / cm2. El componente emisor de luz y el fosforo son moldeados con resina epoxi translucida con el fin de proteccion contra la tension extnnseca, la humedad y el polvo. Un marco conductor con la capa de revestimiento de fosforo formada sobre el mismo se coloca en un molde en forma de bala y se mezcla con resina epoxi translucida y luego se cura a 150 °C durante 5 horas.
Segun observacion visual del diodo emisor de luz formado segun lo descrito anteriormente en la direccion normal al plano emisor de luz, se hallo que la parte central quedaba de color amarillento debido al color corporal del fosforo. Las mediciones del punto de cromaticidad, la temperatura del color y el mdice de representacion del color del diodo emisor de luz hecho segun lo descrito anteriormente y capaz de emitir luz blanca dieron valores de (0,302 0,280) para el punto de cromaticidad (x, y), una temperatura de color de 8.080 K y 87,5 para el mdice de representacion de color (Ra) que son aproximadas a las caractensticas de una lampara fluorescente de 3 ondas. La eficacia de emision de luz fue de 9,5 lm/W, comparable a la de una lampara incandescente. Ademas en pruebas de vida en condiciones de energizacion con una corriente de 60 mA a 25 °C, de 20 mA a 25 °C y de 20 mA a 60 °C con un 90 % de humedad relativa, no se observo ningun cambio debido al material fluorescente, lo que demuestra que el diodo emisor de luz no tuvo ninguna diferencia en su vida de servicio con respecto al diodo emisor de luz azul convencional.
Ejemplo Comparativo 1
La formacion de un diodo emisor de luz y las pruebas de vida del mismo fueron realizadas de la misma manera que en el Ejemplo 1 salvo por el cambio del fosforo de (Y0,8Gd0,2)3Al5O12:Ce a (ZnCd)S:Cu, Al. El diodo emisor de luz que habfa sido formado mostro, inmediatamente despues de la energizacion, emision de luz blanca pero con baja luminancia. En una prueba de vida, la salida disminuyo a cero en alrededor de 100 horas. El analisis de la causa del deterioro mostro que el material fluorescente estaba ennegrecido.
Se supone que este problema ha sido provocado segun la luz emitida por el componente emisor de luz y la humedad que se habfa extendido sobre el material fluorescente o que habfa entrado desde el exterior causaron fotolisis para hacer que el zinc coloidal precipitara sobre la superficie del material fluorescente, dando como resultado una superficie ennegrecida. Los resultados de las pruebas de vida en condiciones de energizacion con una corriente de 20 mA a 25 °C y de 20 mA a 60 °C con un 90 % de humedad relativa se muestran en la Fig. 13 junto con los resultados del Ejemplo 1. La luminancia se da en terminos de valor relativo con respecto al valor inicial como la referencia. Una lmea continua indica el Ejemplo 1
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
y una lmea ondulada indica el Ejemplo Comparativo 1 en la Fig. 13.
Ejemplo 2
En el Ejemplo 2, un componente emisor de luz fue formado de la misma manera que en el Ejemplo 1 salvo por el aumento del contenido de In en el semiconductor de un compuesto de nitruro del componente emisor de luz para tener el valor maximo de emision en 460 nm y el aumento del contenido de Gd en el fosforo sobre el del Ejemplo 1 para tener una composicion de (Yo,6Gdo,4)3Al5O12:Ce. Las mediciones del punto de cromaticidad, la temperatura del color y el mdice de representacion de color del diodo emisor de luz, que fue hecho segun lo descrito anteriormente y capaz de emitir luz blanca, dieron valores de (0,375, 0,370) para el punto de cromaticidad (x, y), una temperatura de color de 4.400 K y 86,0 para el mdice de representacion del color (Ra). La Fig. 18A, la Fig. 18B y la Fig. 18C muestran los espectros de emision del fosforo, el componente emisor de luz y el diodo emisor de luz del Ejemplo 2, respectivamente.
Se hicieron 100 piezas de los diodos emisores de luz del Ejemplo 2 y las intensidades luminosas medias de los mismos fueron tomadas despues de iluminar durante 1.000 horas. En terminos del porcentaje del valor de intensidad luminosa antes de la prueba de vida, la intensidad luminosa media despues de la prueba de vida fue del 98,8 %, sin demostrar ninguna diferencia en la caractenstica.
Ejemplo 3
Se formaron 100 diodos emisores de luz, de la misma manera que en el Ejemplo 1 salvo por anadir Sm ademas de los elementos de tierras raras Y, Gd y Ce en el fosforo, para hacer un material fluorescente con composicion de (Y0,39Gd0,57Ce0,03Sm0,01)3Al5O-i2. Cuando se hizo que los diodos emisores de luz iluminaran a una alta temperatura de 130 °C, se obtuvo una caractenstica de temperatura media de alrededor del 8 % mejor que la del Ejemplo 1.
Ejemplo 4
El dispositivo visualizador de LED del Ejemplo 4 esta hecho de los diodos emisores de luz del Ejemplo 1 que estan dispuestos en una matriz de dimensiones 16 x 16 sobre un sustrato de ceramica en que esta formado un patron de cobre segun se muestra en la Fig. 11. En el dispositivo visualizador de LED del Ejemplo 4, el sustrato en que estan dispuestos los diodos emisores de luz esta colocado en un chasis 504 que esta hecho de resina de fenol y que esta dotado con un miembro bloqueador de luz 505 que esta formado integralmente con el mismo. El chasis, los diodos emisores de luz, el sustrato y parte del miembro bloqueador de luz, salvo las puntas de los diodos emisores de luz, estan cubiertos con goma de silicio 506 coloreada de negro con un pigmento. El sustrato y los diodos emisores de luz estan soldados por medio de una maquina de soldadura automatica.
El dispositivo visualizador de LED hecho en la configuracion descrita anteriormente, una RAM que almacena temporalmente los datos de visualizacion ingresados, un circuito de control de tono que procesa los datos almacenados en la RAM para calcular senales de tono para iluminar los diodos emisores de luz con un brillo especificado y un medio de accionamiento que es conmutado por la senal de salida del circuito de control de tono para hacer que los diodos emisores de luz iluminen estan electricamente conectados para formar un dispositivo visualizador de LED. Controlando los dispositivos visualizadores de LED, se verifico que el aparato puede ser usado como un dispositivo visualizador de LED en blanco y negro.
Ejemplo 5
El diodo emisor de luz del Ejemplo 5 fue hecho de la misma manera que en el Ejemplo 1, salvo por usar fosforo representado por la formula general (Y0,2Gd0,8)3Al5O-i2:Ce. Se hicieron 100 piezas de los diodos emisores de luz del Ejemplo 5 y se midieron para diversas caractensticas. La medicion del punto de cromaticidad dio valores de (0,450, 0,420) en promedio para el punto de cromaticidad (x, y) y se emitio luz de color de lampara incandescente. La Fig. 19A, la Fig. 19B y la Fig. 19C muestran los espectros de emision del fosforo, el componente emisor de luz y el diodo emisor de luz del Ejemplo 5, respectivamente. Aunque los diodos emisores de luz del Ejemplo 5 mostraron luminancia de alrededor del 40 % por debajo de la de los diodos emisores de luz del Ejemplo 1, mostraron buena adaptabilidad climatica, comparable a la del Ejemplo 1 en la prueba de vida.
Ejemplo 6
El diodo emisor de luz del Ejemplo 6 fue hecho de la misma manera que en el Ejemplo 1, salvo en el uso de fosforo, representado por la formula general Y3Al5O-i2:Ge. Se hicieron 100 piezas de los diodos emisores de luz del Ejemplo 6 y se midieron para diversas caractensticas. Medicion del punto de cromaticidad: se emitio luz blanca verdosa levemente amarilla en comparacion con el Ejemplo 1. El diodo emisor de luz del Ejemplo 6 mostro buena adaptabilidad climatica similar a la del Ejemplo 1 en la prueba de vida. La Fig. 20A, la Fig. 20B y la Fig. 20C muestran los espectros de emision del fosforo, el componente emisor de luz y el diodo emisor de luz del Ejemplo 6, respectivamente.
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
El diodo emisor de luz del Ejemplo 7 fue hecho de la misma manera que en el Ejemplo 1 salvo por usar fosforo representado por la formula general (Y3(Alo,5Gao,5)5Oi2:Ce. Se hicieron 100 piezas de los diodos emisores de luz del Ejemplo 7 y se midieron para diversas caractensticas.
Aunque los diodos emisores de luz del Ejemplo 7 mostraron una baja luminancia, emitieron luz blanca verdosa y mostraron buena adaptabilidad climatica similar a la del Ejemplo 1 en la prueba de vida. La Fig. 21A, la Fig. 21B y la Fig. 21C muestran los espectros de emision del fosforo, el componente emisor de luz y el diodo emisor de luz del Ejemplo 7, respectivamente.
Ejemplo 8
El diodo emisor de luz del Ejemplo 8 fue hecho de la misma manera que en el Ejemplo 1 salvo por usar fosforo, representado por la formula general Gd3(Alo,5Gao,5)5O12:Ce que no contiene Y. Se hicieron 100 piezas de los diodos emisores de luz del Ejemplo 8 y se midieron para diversas caractensticas.
Aunque los diodos emisores de luz del Ejemplo 8 mostraron una baja luminancia, mostraron buena adaptabilidad climatica similar a la del Ejemplo 1 en la prueba de vida.
Ejemplo 9
El diodo emisor de luz del Ejemplo 9 es un dispositivo emisor de luz plana que tiene la configuracion mostrada en la Fig. 7.
Se usa un semiconductor de In0,05Ga0,95N, que tiene un valor maximo de emision en 450 nm como un componente emisor de luz. Los componentes emisores de luz se forman haciendo fluir gas TMG (trimetil galio), gas TMI (trimetil indio), gas nitrogeno y gas dopante junto con un gas portador sobre un sustrato de zafiro depurado y formando una capa semiconductora de un compuesto de nitruro de galio en procedimiento MOCVD. Una capa semiconductora de nitruro de galio que tiene conductividad de tipo N y una capa semiconductora de nitruro de galio que tiene conductividad de tipo P se forman conmutando SiH4 y CP2Mg (bis(ciclopentadienil)magnesio) como gas dopante, formando de este modo una juntura PN. Para el componente emisor de luz semiconductor, se forman una capa de contacto que es un semiconductor de nitruro de galio que tiene conductividad de tipo N, una capa revestida que es un semiconductor de aluminio y nitruro de galio que tiene conductividad de tipo N, una capa revestida que es un semiconductor de aluminio y nitruro de galio que tiene conductividad de tipo P y una capa de contacto que es un semiconductor de nitruro de galio que tiene conductividad de tipo P. Una capa de activacion de InGaN dopado con Zn que compone una juntura doble-hetero se forma entre la capa revestida que tiene conductividad de tipo N y la capa revestida que tiene conductividad de tipo P. Se proporciona una capa amortiguadora sobre el sustrato de zafiro formando una capa semiconductora de nitruro de galio a una temperatura baja. La capa semiconductora de nitruro de tipo P se templa a una temperatura de 400 °C o mas despues de formar la pelfcula.
Despues de formar las capas semiconductoras y de exponer las superficies de las capas semiconductoras de tipo P y de tipo N por grabacion, los electrodos se forman por rociado. Despues de trazar la oblea semiconductora que ha sido hecha segun lo descrito anteriormente, los componentes emisores de luz se forman como componentes emisores de luz dividiendo la oblea con fuerza externa.
El componente emisor de luz se monta sobre un conductor de montaje que tiene una copa en la punta de un marco conductor de cobre revestido en plata, por ligadura de troquel con resina epoxi. Los electrodos del componente emisor de luz, el conductor de montaje y el conductor interior estan electricamente conectados por ligadura de cables con cables de oro que tienen un diametro de 30 |im.
El marco conductor con el componente emisor de luz adosado sobre el mismo se coloca en un molde en forma de bala y se sella con resina epoxi translucida para el moldeado, que se cura luego a 150 °C durante 5 horas, para formar de este modo un diodo emisor de luz azul. El diodo emisor de luz azul esta conectado a una cara extrema de una placa de grna optica acrflica que esta pulida en todas las caras extremas. Sobre una superficie y cara lateral de la placa acrflica, se aplica el estampado usando titaniato de bario disperso en un adhesivo acrflico como reflector del color blanco, que se cura luego.
El fosforo de colores verde y rojo se hace disolviendo elementos de tierras raras de Y, Gd, Ce y La en acido en proporciones estoiquiometricas y co-precipitando la solucion con acido oxalico. El oxido del co-precipitado obtenido calentando al fuego este material se mezcla con oxido de aluminio y oxido de galio, para obtener por ello los respectivos materiales de mezcla. La mezcla se mezcla luego con fluoruro de amonio usado como un fundente y se calienta al fuego en un crisol a una temperatura de 1.400 °C en el aire durante 3 horas. Luego el material calentado al fuego es molido por un molino de bolas en agua, lavado, separado, secado y cernido para obtener de este modo el material deseado.
120 partes del peso del primer material fluorescente que tiene una composicion de Y3(Al0,6Ga0,4)5O12:Ce y capaz de emitir luz verde preparado segun lo descrito anteriormente y 100 partes del peso del segundo material fluorescente que tiene una
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
composicion de (Yo,4Gdo,6)3Al5Oi2:Ce y capaz de emitir luz roja preparada en un procedimiento similar al del primer material fluorescente, son mezcladas suficientemente con 100 partes en peso de resina epoxi, para formar una suspension. La suspension es aplicada uniformemente sobre una capa acrflica que tiene un espesor de 0,5 mm por medio de un multi-revestidor y secada para formar una capa de material fluorescente a usarse como un material convertidor de color que tiene un espesor de alrededor de 30 |im. La capa de material fluorescente se corta del mismo tamano que el del plano emisor de luz principal de la placa de grna optica y se dispone sobre la placa de grna optica, para formar por ello el dispositivo emisor de luz plana. Las mediciones del punto de cromaticidad y el mdice de representacion cromatica del dispositivo emisor de luz dieron valores de (0,29, 0,34) para el punto de cromaticidad (x, y) y 92,0 para el mdice de representacion cromatica (Ra) que son aproximados a las propiedades de una lampara fluorescente de 3 ondas. Se obtuvo una eficacia emisora de luz de 12 lm/W, comparable a la de una lampara incandescente. Ademas en pruebas de adaptabilidad climatica en condiciones de energizacion con una corriente de 60 mA a temperatura ambiente, de 20 mA a temperatura ambiente y de 20 mA a 60 °C con un 90 % de humedad relativa, no se observo ningun cambio debido al material fluorescente.
Ejemplo Comparativo 2
La formacion del diodo emisor de luz y las pruebas de adaptabilidad climatica del mismo fueron realizadas de la misma manera que en el Ejemplo 9 salvo por mezclar las mismas cantidades de un pigmento fluorescente organico verde (FA- 001 de Synleuch Chemisch) y de un pigmento fluorescente organico rojo (FA-005 de Synleuch Chemisch), que son derivados del perileno, en lugar del primer material fluorescente representado por la formula general Y3(Al0,6Ga0,4)5Oi2:Ce, capaz de emitir luz verde y del segundo material fluorescente representado por la formula general (Y0,4Gd0,6)Al5Oi2:Ce, capaz de emitir luz roja del Ejemplo 9. Las coordenadas de cromaticidad del diodo emisor de luz del Ejemplo Comparativo 1 asf formado fueron (x, y) = (0,34, 0,35). La prueba de adaptabilidad climatica fue realizada irradiando con luz ultravioleta generada por arco de carbon durante 200 horas, que representa la irradiacion equivalente de luz solar durante un periodo de un ano, midiendo a la vez la proporcion de retencion de luminancia y el tono de color en diversos momentos durante el periodo de prueba. En una prueba de fiabilidad, el componente emisor de luz fue energizado para emitir luz a una temperatura constante de 70 °C midiendo a la vez la luminancia y el tono de color en distintos momentos. Los resultados se muestran en la Fig. 14 y la Fig. 15, junto con el Ejemplo 9. Como quedara claro a partir de la Fig. 14 y la Fig. 15, el componente emisor de luz del Ejemplo 9 experimenta menos deterioro que el Ejemplo Comparativo 2.
Ejemplo 10
El diodo emisor de luz del Ejemplo 10 es un diodo emisor de luz de tipo conductor.
En el diodo emisor de luz del Ejemplo 10, se usa el componente emisor de luz que tiene una capa emisora de luz de In0,05Ga0,95N con un valor maximo de emision en 450 nm que se hace de la misma manera que en el Ejemplo 9. El componente emisor de luz se monta en la copa proporcionada en la punta de un conductor de montaje de cobre revestido de plata, por ligadura de troquel con resina epoxi. Los electrodos del componente emisor de luz, el conductor de montaje y el conductor interno fueron conectados electricamente por ligadura de cables con cables de oro.
El fosforo se forma mezclando un primer material fluorescente representado por la formula general Y3(Al0,5Ga0,5)5O12:Ce capaz de emitir luz verde y un segundo material fluorescente representado por la formula general (Y0,2Gd0,8)3Al5O12:Ce, capaz de emitir luz roja preparado de la siguiente manera. A saber, los elementos de tierras raras de Y, Gd y Ce son disueltos en acido en proporciones estoiquiometricas y se co-precipita la solucion con acido oxalico. El oxido de la co- precipitacion obtenido por calentamiento al fuego se mezcla con oxido de aluminio y oxido de galio, para obtener de este modo los respectivos materiales de mezcla. La mezcla se mezcla con fluoruro de amonio usado como un fundente y se calienta al fuego en un crisol a una temperatura de 1.400 °C en el aire durante 3 horas. Luego el material calentado al fuego es molido por un molino de bolas en agua, lavado, separado, secado y cernido de este modo para obtener los materiales fluorescentes primero y segundo de la distribucion de partmulas especificada.
40 partes en peso del primer material fluorescente, 40 partes del peso del segundo material fluorescente y 100 partes del peso de resina epoxi son mezcladas lo suficiente como para formar una suspension. La suspension se vierte en la copa que se proporciona sobre el conductor de montaje en el que se coloca el componente emisor de luz. Luego la resina incluyendo el fosforo se cura a 130 °C durante 1 hora. Asf se forma una capa de revestimiento que incluye el fosforo en un espesor de 120 |im sobre el componente emisor de luz. La concentracion del fosforo en la capa de revestimiento se aumenta gradualmente hacia el componente emisor de luz. Ademas, el componente emisor de luz y el fosforo son sellados moldeando con resina epoxi translucida con el fin de protegerlos ante la tension extrmseca, la humedad y el polvo. Un marco conductor con la capa de revestimiento de fosforo formada sobre el mismo, se coloca en un molde en forma de bala y se mezcla con resina epoxi translucida y luego se cura a 150 °C durante 5 horas. En observacion visual del diodo emisor de luz formado segun lo descrito anteriormente en la direccion normal al plano emisor de luz, se hallo que la parte central quedo de color amarillento debido al color corporal del fosforo.
Las mediciones del punto de cromaticidad, la temperatura del color y el mdice de representacion cromatica del diodo
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
emisor de luz del Ejemplo 10 que se formo segun lo descrito anteriormente, dieron valores de (0,32, 0,34) para el punto de cromaticidad (x, y), 89,0 para el mdice de representacion cromatica (Ra) y una eficacia de emision de luz de 10 lm / W. Ademas en las pruebas de adaptabilidad climatica en condiciones de energizacion con una corriente de 60 mA a temperatura ambiente, de 20 mA a temperatura ambiente y de 20 mA a 60 °C con un 90 % de humedad relativa, no se observo ningun cambio debido al fosforo, no mostrando ninguna diferencia con respecto a un diodo emisor de luz azul corriente en la caracterfstica de vida util de servicio.
Ejemplo 11
Se usa el semiconductor In0,4Ga0,6N que tiene un valor maximo de emision en 470 nm como un elemento de LED. Los componentes emisores de luz se forman haciendo fluir gas TMG (trimetil galio), gas TMI (trimetil indio), gas nitrogeno y gas dopante junto con un gas portador sobre un sustrato de zafiro depurado para formar de este modo una capa semiconductora de un compuesto de nitruro de galio en el procedimiento MOCVD. Una capa semiconductora de nitruro de galio que tiene conductividad de tipo N y una capa semiconductora de nitruro de galio que tiene conductividad de tipo P fueron formadas conmutando SiH4 y CP2Mg (bis(ciclopentadienil)magnesio) usados como el gas dopante, formando por ello una juntura PN. Para el elemento de LED, se forman una capa de contacto, que es un semiconductor de nitruro de galio que tiene conductividad de tipo N, una capa revestida que es un semiconductor de nitruro de galio y aluminio que tiene conductividad de tipo P y una capa de contacto que es un semiconductor de nitruro de galio que tiene conductividad de tipo P. Se forma una capa de activacion de InGaN no dopado con espesor de alrededor de 3 nm entre la capa de contacto que tiene conductividad de tipo N y la capa revestida que tiene conductividad de tipo P para formar de este modo una estructura de pozo cuantico unico. Una capa amortiguadora se proporciona sobre el sustrato de zafiro formando una capa semiconductora de nitruro de galio a una temperatura baja.
Despues de formar las capas y de exponer las superficies de tipo P y las capas semiconductoras de tipo N por grabacion, los electrodos se forman por rociado. Despues de trazar la oblea semiconductora que se hace como se ha descrito anteriormente, los componentes emisores de luz se forman dividiendo la oblea con una fuerza externa.
El componente emisor de luz esta montado en una copa en la punta de un conductor de montaje de cobre revestido en plata por ligadura de troquel con resina epoxi. Los electrodos del componente emisor de luz, el conductor de montaje y el conductor interno estan electricamente conectados por ligadura de cables con cables de oro que tienen un diametro de 30 |im.
El marco conductor con el componente emisor de luz adosado sobre el mismo se coloca en un molde en forma de bala y se sella con resina epoxi translucida para moldeado, que se cura luego a 150 °C durante 5 horas, para formar de este modo un diodo emisor de luz azul. El diodo emisor de luz azul esta conectado a una cara extrema de una placa de grna optica acrflica que esta pulida sobre todas las caras extremas. Sobre una superficie y cara lateral de la placa acrflica, se aplica el estampado usando titaniato de bario disperso en un adhesivo acrflico como reflector de color blanco, que luego es curado.
El fosforo se forma mezclando un material fluorescente representado por la formula general (Y0,8Gd0,2)3Al5Oi2:Ce, capaz de emitir luz amarilla de una longitud de onda relativamente corta y un material fluorescente representado por la formula general (Y0,4Gd0,6)3Al5Oi2:Ce capaz de emitir luz amarilla de una longitud de onda relativamente larga preparado de la siguiente manera. A saber, los elementos de tierras raras de Y, Gd y Ce se disuelven en acido en proporciones estoiquiometricas y se co-precipita la solucion con acido oxalico. El oxido de la co-precipitacion obtenido calentandola al fuego se mezcla con oxido de aluminio, para obtener por ello el respectivo material de mezcla. La mezcla se mezcla con fluoruro de amonio usado como un fundente y se calienta al fuego en un crisol a una temperatura de 140 °C en el aire durante 3 horas. Luego el material calentado al fuego es molido por un molino de bolas en agua, lavado, separado, secado y cernido.
100 partes en peso del material fluorescente amarillo de longitud de onda relativamente corta y 100 partes en peso del material fluorescente amarillo de longitud de onda relativamente larga que se forman segun lo descrito anteriormente se mezclan suficientemente con 1.000 partes del peso de resina acrflica y se extruden, para formar por ello una pelmula de material fluorescente a usarse como material convertidor de color de alrededor de 180 |im de espesor. La pelmula de material fluorescente se corta del mismo tamano que el plano de emision principal de la placa de grna optica y se dispone sobre la placa de grna optica, para formar por ello un dispositivo emisor de luz. Las mediciones del punto de cromaticidad y del mdice de representacion cromatica del dispositivo emisor de luz del Ejemplo 3 que se forma segun lo descrito anteriormente dieron valores de (0,33, 0,34) para el punto de cromaticidad (x, y), 88,0 para el mdice de representacion cromatica (Ra) y una eficacia de emision de luz de 10 lm / W. La Fig. 22A, la Fig. 22B y la Fig. 22C muestran espectros de emision del material fluorescente representado por (Y0,8Gd0,2)3Al5O12:Ce y de un material fluorescente representado por la formula general (Y0,4Gd0,6)3Al5O12:Ce usados en el Ejemplo 11. La Fig. 23 muestra el espectro de emision del diodo emisor de luz del Ejemplo 11. Ademas en pruebas de vida en condiciones de energizacion con una corriente de 60 mA a temperatura ambiente, de 20 mA a temperatura ambiente y de 20 mA a 60 °C con un 90 % de humedad relativa no se observo ningun cambio debido al material fluorescente.
De manera similar, la cromaticidad deseada puede mantenerse incluso cuando la longitud de onda del componente emisor de luz se cambia cambiando el contenido del material fluorescente.
Ejemplo 12
El diodo emisor de luz del Ejemplo 12 se formo de la misma manera que en el Ejemplo 1 salvo por el uso de fosforo 5 representado por la formula general Y3lnsOi2:Ce. Se hicieron 100 piezas del diodo emisor de luz del Ejemplo 12. Aunque el diodo emisor de luz del Ejemplo 12 mostro luminancia menor que la de los diodos emisores de luz del Ejemplo 1, mostro buena adaptabilidad climatica comparable a la del Ejemplo 1 en una prueba de vida.
Como se ha descrito en lo que antecede, el diodo emisor de luz de la presente invencion puede emitir luz de un color deseado y esta sujeto a menor deterioro de la eficacia de emision y de la buena adaptabilidad climatica incluso cuando se 10 usa con alta luminancia durante un largo periodo de tiempo. Por lo tanto, la aplicacion del diodo emisor de luz no esta limitada a artefactos electronicos sino que puede abrir nuevas aplicaciones incluyendo visualizadores para automoviles, aviones y boyas para refugios y puertos, asf como uso en exteriores tal como senal e iluminacion para autopistas.

Claims (13)

  1. 5
    10
    15
    20
    25
    30
    35
    REIVINDICACIONES
    1. Un dispositivo emisor de luz que comprende: un conductor de montaje (105)
    una pluralidad de chips (102) de diodo emisor de luz (LED) que tienen un semiconductor basado en nitruro de galio y que emiten luz visible y estan montados en dicho conductor de montaje,
    un material trasparente (101) que cubre dichos chips de LED (102) y
    un fosforo contenido en dicho material transparente (101) y que absorbe una parte de la luz emitida por dichos chips de LED y que emite luz que tiene una longitud de onda de emision principal mas larga que el pico de emision principal de dichos chips de LED (102), en el que el pico de emision principal de dichos chips de LED (102) esta dentro del intervalo de 420 nm a 475 nm,
    en el que el fosforo comprende un material fluorescente de granate activado con cerio que contiene al menos un elemento seleccionado de Y, Lu, Sc, La, Gd y Sm y al menos un elemento seleccionado de Al, Ca, e In, en el que la luz de los chips de LED y la luz del fosforo se mezclan para generar luz blanca y en el que dicho conductor de montaje comprende un material que es uno de acero, cobre, acero recubierto de cobre, estano recubierto de cobre y ceramicas metalizadas.
  2. 2. El dispositivo emisor de luz de acuerdo con la reivindicacion 1, en el que dicho conductor de montaje (105) comprende una ceramica metalizada.
  3. 3. El dispositivo emisor de luz de acuerdo con la reivindicacion 1 o 2, en el que una conductividad termica de dicho conductor de montaje (105) no es menor de 0,04 julios/(s)(cm2)(°C/cm).
  4. 4. El dispositivo emisor de luz de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 3, en el que dicho fosforo comprende un material fluorescente de itrio-aluminio-granate que contiene Y y Al.
  5. 5. El dispositivo emisor de luz de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 4, en el que dicho fosforo difunde dicha luz emitida a partir de dichos chips de LED (102).
  6. 6. El dispositivo emisor de luz de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 5, en el que dichos chips de LED (102) comprenden una capa emisora de luz de estructura de pozo cuantico unico o de pozo cuantico multiple.
  7. 7. El dispositivo emisor de luz de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 6, en el que dichos chips de LED (102) comprenden InGaN.
  8. 8. El dispositivo emisor de luz de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 7, en el que dichos chips de LED (102) comprenden un sustrato de zafiro.
  9. 9. El dispositivo emisor de luz de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 8, en el que dicho material transparente esta seleccionado del grupo que consiste en resina epoxi, resina de urea, resina de silicona y vidrio.
  10. 10. El dispositivo emisor de luz de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 9, en el que dicho material transparente (101) contiene un dispersante.
  11. 11. El dispositivo emisor de luz de acuerdo con la reivindicacion 10, en el que dicho dispersante esta seleccionado del grupo que consiste en titanato de bario, oxido de titanio, oxido de aluminio y oxido de silicio.
  12. 12. El dispositivo emisor de luz de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 11, en el que dicho material transparente (101) es un material de moldeado y contiene un agente de coloracion.
  13. 13. Una fuente de luz de fondo que comprende un dispositivo emisor de luz de acuerdo con una cualquiera de las reivindicaciones 1 a 12.
ES10158437.3T 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y visualizador Expired - Lifetime ES2576053T3 (es)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19858596 1996-07-29
JP19858596 1996-07-29
JP24433996 1996-09-17
JP24433996 1996-09-17
JP24538196 1996-09-18
JP24538196 1996-09-18
JP35900496 1996-12-27
JP35900496 1996-12-27
JP8101097 1997-03-31
JP8101097 1997-03-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2576053T3 true ES2576053T3 (es) 2016-07-05

Family

ID=27524906

Family Applications (9)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES10158422.5T Expired - Lifetime ES2576052T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz
ES00101746.6T Expired - Lifetime ES2553570T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Procedimiento de preparación de un dispositivo emisor de luz blanca
ES97933047T Expired - Lifetime ES2148997T5 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y dispositivo de pantalla.
ES10158455.5T Expired - Lifetime ES2569616T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y dispositivo de visualización
ES10158429.0T Expired - Lifetime ES2569615T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y dispositivo de visualización
ES04001378.1T Expired - Lifetime ES2550823T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Una fuente de luz plana
ES10184754.9T Expired - Lifetime ES2545981T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y visualizador
ES10158437.3T Expired - Lifetime ES2576053T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y visualizador
ES10158416.7T Expired - Lifetime ES2544690T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y visor

Family Applications Before (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES10158422.5T Expired - Lifetime ES2576052T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz
ES00101746.6T Expired - Lifetime ES2553570T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Procedimiento de preparación de un dispositivo emisor de luz blanca
ES97933047T Expired - Lifetime ES2148997T5 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y dispositivo de pantalla.
ES10158455.5T Expired - Lifetime ES2569616T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y dispositivo de visualización
ES10158429.0T Expired - Lifetime ES2569615T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y dispositivo de visualización
ES04001378.1T Expired - Lifetime ES2550823T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Una fuente de luz plana
ES10184754.9T Expired - Lifetime ES2545981T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y visualizador

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES10158416.7T Expired - Lifetime ES2544690T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y visor

Country Status (19)

Country Link
US (25) US5998925A (es)
EP (14) EP1045458A3 (es)
JP (19) JP3503139B2 (es)
KR (7) KR100517271B1 (es)
CN (11) CN100424901C (es)
AT (1) ATE195831T1 (es)
AU (1) AU720234B2 (es)
BR (7) BR9710792B1 (es)
CA (4) CA2481364C (es)
DE (6) DE29724458U1 (es)
DK (9) DK2197055T3 (es)
ES (9) ES2576052T3 (es)
GR (1) GR3034493T3 (es)
HK (12) HK1021073A1 (es)
MY (1) MY125748A (es)
PT (5) PT936682E (es)
SG (5) SG115349A1 (es)
TW (2) TW383508B (es)
WO (1) WO1998005078A1 (es)

Families Citing this family (1459)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3404064B2 (ja) * 1993-03-09 2003-05-06 株式会社日立製作所 半導体装置及びその製造方法
US6013199A (en) 1997-03-04 2000-01-11 Symyx Technologies Phosphor materials
US6153971A (en) * 1995-09-21 2000-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source with only two major light emitting bands
US6041345A (en) * 1996-03-08 2000-03-21 Microsoft Corporation Active stream format for holding multiple media streams
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US20040239243A1 (en) * 1996-06-13 2004-12-02 Roberts John K. Light emitting assembly
EP1993152B1 (de) * 1996-06-26 2014-05-21 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
DE19655445B3 (de) * 1996-09-20 2016-09-22 Osram Gmbh Weißes Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionsschicht und Verwendung solcher Halbleiterbauelemente
US6613247B1 (en) 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
DE19655185B9 (de) * 1996-09-20 2012-03-01 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3378465B2 (ja) * 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
US6623670B2 (en) 1997-07-07 2003-09-23 Asahi Rubber Inc. Method of molding a transparent coating member for light-emitting diodes
US6319425B1 (en) * 1997-07-07 2001-11-20 Asahi Rubber Inc. Transparent coating member for light-emitting diodes and a fluorescent color light source
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
WO1999005728A1 (en) 1997-07-25 1999-02-04 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
US7014336B1 (en) 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US20030133292A1 (en) * 1999-11-18 2003-07-17 Mueller George G. Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions
US6806659B1 (en) * 1997-08-26 2004-10-19 Color Kinetics, Incorporated Multicolored LED lighting method and apparatus
US7161313B2 (en) * 1997-08-26 2007-01-09 Color Kinetics Incorporated Light emitting diode based products
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JPH11135838A (ja) * 1997-10-20 1999-05-21 Ind Technol Res Inst 白色発光ダイオード及びその製造方法
CN1171973C (zh) * 1997-12-24 2004-10-20 株式会社日立医药 磷光体和使用此磷光体的辐射探测器及使用此磷光体的x射线ct装置
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6294800B1 (en) 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
US6469322B1 (en) 1998-02-06 2002-10-22 General Electric Company Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
JP3900144B2 (ja) * 1998-02-17 2007-04-04 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
JP3541709B2 (ja) * 1998-02-17 2004-07-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
FR2775250B1 (fr) * 1998-02-24 2000-05-05 Wilco International Sarl Moyen d'eclairage pour aeronef compatible avec un systeme de vision nocturne
US20080042554A1 (en) * 1998-05-18 2008-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Image display device and light emission device
JP3645422B2 (ja) * 1998-07-14 2005-05-11 東芝電子エンジニアリング株式会社 発光装置
JP2000081848A (ja) * 1998-09-03 2000-03-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置を搭載した電子機器
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
CN1227749C (zh) † 1998-09-28 2005-11-16 皇家菲利浦电子有限公司 照明系统
US6404125B1 (en) * 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6366018B1 (en) * 1998-10-21 2002-04-02 Sarnoff Corporation Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6299338B1 (en) 1998-11-30 2001-10-09 General Electric Company Decorative lighting apparatus with light source and luminescent material
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
DE19902750A1 (de) * 1999-01-25 2000-08-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement zur Erzeugung von mischfarbiger elektromagnetischer Strahlung
JP4296644B2 (ja) * 1999-01-29 2009-07-15 豊田合成株式会社 発光ダイオード
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
US6680569B2 (en) 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
US6140669A (en) 1999-02-20 2000-10-31 Ohio University Gallium nitride doped with rare earth ions and method and structure for achieving visible light emission
DE60043536D1 (de) 1999-03-04 2010-01-28 Nichia Corp Nitridhalbleiterlaserelement
JP3937644B2 (ja) * 1999-03-25 2007-06-27 セイコーエプソン株式会社 光源及び照明装置並びにその照明装置を用いた液晶装置
WO2000079605A1 (en) 1999-06-23 2000-12-28 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
WO2001008452A1 (de) 1999-07-23 2001-02-01 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchstoff für lichtquellen und zugehörige lichtquelle
DE50008093D1 (de) 1999-07-23 2004-11-11 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstoffanordnung wellenlängenkonvertierende vergussmasse und lichtquelle
JP2001144331A (ja) 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6515421B2 (en) * 1999-09-02 2003-02-04 General Electric Company Control of leachable mercury in fluorescent lamps
WO2001024284A1 (en) 1999-09-27 2001-04-05 Lumileds Lighting, U.S., Llc A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
US6630691B1 (en) * 1999-09-27 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
US6299498B1 (en) * 1999-10-27 2001-10-09 Shin Lung Liu White-light emitting diode structure and manufacturing method
JP4197814B2 (ja) * 1999-11-12 2008-12-17 シャープ株式会社 Ｌｅｄ駆動方法およびｌｅｄ装置と表示装置
DE60021911T3 (de) † 1999-11-18 2016-04-14 Philips Lighting North America Corp., N. D. Ges. D. Staates Delaware Systeme und Verfahren zur Erzeugung und Modulierung von Beleuchtungsbedingungen
EP1610593B2 (en) 1999-11-18 2020-02-19 Signify North America Corporation Generation of white light with Light Emitting Diodes having different spectrum
US20020176259A1 (en) 1999-11-18 2002-11-28 Ducharme Alfred D. Systems and methods for converting illumination
TW500962B (en) * 1999-11-26 2002-09-01 Sanyo Electric Co Surface light source and method for adjusting its hue
US6357889B1 (en) 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
US6513949B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6350041B1 (en) * 1999-12-03 2002-02-26 Cree Lighting Company High output radial dispersing lamp using a solid state light source
US6666567B1 (en) 1999-12-28 2003-12-23 Honeywell International Inc. Methods and apparatus for a light source with a raised LED structure
JP2001177145A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US7576496B2 (en) * 1999-12-22 2009-08-18 General Electric Company AC powered OLED device
US6566808B1 (en) * 1999-12-22 2003-05-20 General Electric Company Luminescent display and method of making
TW480879B (en) * 2000-01-06 2002-03-21 Dynascan Technology Corp Method to compensate for the color no uniformity of color display
KR20010080796A (ko) * 2000-01-07 2001-08-25 허영덕 백색광용 형광체 및 그 제조방법, 그리고 이를 이용한백색광 발생방법
US6700322B1 (en) * 2000-01-27 2004-03-02 General Electric Company Light source with organic layer and photoluminescent layer
US7049761B2 (en) 2000-02-11 2006-05-23 Altair Engineering, Inc. Light tube and power supply circuit
US6409938B1 (en) 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
US6538371B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
US6522065B1 (en) 2000-03-27 2003-02-18 General Electric Company Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device
WO2001075359A1 (en) * 2000-04-03 2001-10-11 Getinge/Castle, Inc. High power led source and optical delivery system
US6653765B1 (en) 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
US6603258B1 (en) * 2000-04-24 2003-08-05 Lumileds Lighting, U.S. Llc Light emitting diode device that emits white light
JP4521929B2 (ja) * 2000-04-26 2010-08-11 株式会社日立メディコ 蛍光体及びそれを用いた放射線検出器及びｘ線ｃｔ装置
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US7304325B2 (en) * 2000-05-01 2007-12-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor light-emitting device
US6604971B1 (en) 2000-05-02 2003-08-12 General Electric Company Fabrication of LED lamps by controlled deposition of a suspension media
US6621211B1 (en) 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
US6466135B1 (en) 2000-05-15 2002-10-15 General Electric Company Phosphors for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
US6555958B1 (en) 2000-05-15 2003-04-29 General Electric Company Phosphor for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
US6501100B1 (en) * 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
JP2001332765A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Iwasaki Electric Co Ltd Ｌｅｄ表示灯
CN1203557C (zh) 2000-05-29 2005-05-25 电灯专利信托有限公司 基于发光二极管的发射白光的照明设备
DE10026435A1 (de) * 2000-05-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED
JP2002057376A (ja) * 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP4386693B2 (ja) * 2000-05-31 2009-12-16 パナソニック株式会社 Ｌｅｄランプおよびランプユニット
AUPQ818100A0 (en) 2000-06-15 2000-07-06 Arlec Australia Limited Led lamp
US7320632B2 (en) * 2000-06-15 2008-01-22 Lednium Pty Limited Method of producing a lamp
JP2002190622A (ja) 2000-12-22 2002-07-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード用透光性蛍光カバー
JP4926337B2 (ja) * 2000-06-28 2012-05-09 アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 光源
US6883926B2 (en) 2000-07-25 2005-04-26 General Electric Company Light emitting semi-conductor device apparatus for display illumination
DE10036940A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
JP2002050797A (ja) 2000-07-31 2002-02-15 Toshiba Corp 半導体励起蛍光体発光装置およびその製造方法
US6747406B1 (en) * 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
DE10041328B4 (de) * 2000-08-23 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verpackungseinheit für Halbleiterchips
JP2002076434A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
KR100406856B1 (ko) * 2000-08-30 2003-11-21 가부시키가이샤 시티즌 덴시 표면 실장형 발광 다이오드 및 그 제조방법
US6614103B1 (en) * 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
JP2002084002A (ja) * 2000-09-06 2002-03-22 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
US6255129B1 (en) * 2000-09-07 2001-07-03 Highlink Technology Corporation Light-emitting diode device and method of manufacturing the same
US6525464B1 (en) * 2000-09-08 2003-02-25 Unity Opto Technology Co., Ltd. Stacked light-mixing LED
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US6635987B1 (en) * 2000-09-26 2003-10-21 General Electric Company High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products
US7378982B2 (en) * 2000-09-28 2008-05-27 Abdulahi Mohamed Electronic display with multiple pre-programmed messages
JP3609709B2 (ja) * 2000-09-29 2005-01-12 株式会社シチズン電子 発光ダイオード
JP2002111072A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6998281B2 (en) * 2000-10-12 2006-02-14 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
JP2002133925A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Sanken Electric Co Ltd 蛍光カバー及び半導体発光装置
US6476549B2 (en) * 2000-10-26 2002-11-05 Mu-Chin Yu Light emitting diode with improved heat dissipation
JP2002141559A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sanken Electric Co Ltd 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
FI109632B (fi) 2000-11-06 2002-09-13 Nokia Corp Valkoinen valaisu
US6365922B1 (en) * 2000-11-16 2002-04-02 Harvatek Corp. Focusing cup for surface mount optoelectronic diode package
US6518600B1 (en) 2000-11-17 2003-02-11 General Electric Company Dual encapsulation for an LED
JP4683719B2 (ja) * 2000-12-21 2011-05-18 株式会社日立メディコ 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
KR100367854B1 (ko) * 2000-12-28 2003-01-10 대주정밀화학 주식회사 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 알루미늄산이트륨황색 형광체 및 그 제조방법
US20020084745A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
JP3819713B2 (ja) * 2001-01-09 2006-09-13 日本碍子株式会社 半導体発光素子
JP2002280607A (ja) * 2001-01-10 2002-09-27 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6703780B2 (en) * 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
JP2002217459A (ja) * 2001-01-16 2002-08-02 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及び該発光ダイオードを光源として用いた液晶表示器のバックライト装置
US6930737B2 (en) * 2001-01-16 2005-08-16 Visteon Global Technologies, Inc. LED backlighting system
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
EP1244152A3 (en) * 2001-01-26 2008-12-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Reflective light emitting diode, reflective optical device and its manufacturing method
JP2002232013A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
DE10105800B4 (de) * 2001-02-07 2017-08-31 Osram Gmbh Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung
JP4724924B2 (ja) * 2001-02-08 2011-07-13 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
US6541800B2 (en) 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
JP4116260B2 (ja) 2001-02-23 2008-07-09 株式会社東芝 半導体発光装置
US6611000B2 (en) 2001-03-14 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lighting device
JP2002270899A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Mitsubishi Electric Lighting Corp 色温度可変ｌｅｄ光源モジュール
US6630786B2 (en) * 2001-03-30 2003-10-07 Candescent Technologies Corporation Light-emitting device having light-reflective layer formed with, or/and adjacent to, material that enhances device performance
US6844903B2 (en) * 2001-04-04 2005-01-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Blue backlight and phosphor layer for a color LCD
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2002314138A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
EP1379808A1 (en) * 2001-04-10 2004-01-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system and display device
JP2002309247A (ja) * 2001-04-16 2002-10-23 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム蛍光体及びその製造方法
JP4048954B2 (ja) * 2001-04-20 2008-02-20 日亜化学工業株式会社 発光デバイス
US6685852B2 (en) 2001-04-27 2004-02-03 General Electric Company Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
US6686676B2 (en) 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US6658373B2 (en) * 2001-05-11 2003-12-02 Field Diagnostic Services, Inc. Apparatus and method for detecting faults and providing diagnostics in vapor compression cycle equipment
US6616862B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
KR100419611B1 (ko) 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
US6596195B2 (en) 2001-06-01 2003-07-22 General Electric Company Broad-spectrum terbium-containing garnet phosphors and white-light sources incorporating the same
US7012588B2 (en) * 2001-06-05 2006-03-14 Eastman Kodak Company Method for saving power in an organic electroluminescent display using white light emitting elements
US6642652B2 (en) * 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
JP4114331B2 (ja) * 2001-06-15 2008-07-09 豊田合成株式会社 発光装置
US6798136B2 (en) * 2001-06-19 2004-09-28 Gelcore Llc Phosphor embedded die epoxy and lead frame modifications
US6758587B2 (en) 2001-06-25 2004-07-06 Grote Industries, Inc. Light emitting diode license lamp with reflector
TWI287569B (en) * 2001-06-27 2007-10-01 Nantex Industry Co Ltd Yttrium aluminium garnet fluorescent powder comprising at least two optical active center, its preparation and uses
DE10133352A1 (de) * 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP2003027057A (ja) * 2001-07-17 2003-01-29 Hitachi Ltd 光源およびそれを用いた画像表示装置
JP2003031856A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光素子及びその製造方法
US20030015708A1 (en) 2001-07-23 2003-01-23 Primit Parikh Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation
TW552726B (en) 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
WO2003021691A1 (en) 2001-09-03 2003-03-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting device
US6791283B2 (en) * 2001-09-07 2004-09-14 Opalec Dual mode regulated light-emitting diode module for flashlights
DE10146719A1 (de) * 2001-09-20 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10147040A1 (de) 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE20115914U1 (de) * 2001-09-27 2003-02-13 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
CN100386888C (zh) * 2001-10-01 2008-05-07 松下电器产业株式会社 发光元件及使用它的发光装置
KR100624403B1 (ko) * 2001-10-06 2006-09-15 삼성전자주식회사 인체의 신경계 기반 정서 합성 장치 및 방법
JP2003124521A (ja) * 2001-10-09 2003-04-25 Rohm Co Ltd ケース付半導体発光装置
JP3948650B2 (ja) 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
US7011421B2 (en) * 2001-10-18 2006-03-14 Ilight Technologies, Inc. Illumination device for simulating neon lighting through use of fluorescent dyes
DE10153259A1 (de) * 2001-10-31 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2003147351A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Taiwan Lite On Electronics Inc 白色光光源の製作方法
DE10241989A1 (de) * 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US20030117794A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Tien-Rong Lu Flat color-shift medium
TW518773B (en) * 2001-12-31 2003-01-21 Solidlite Corp Manufacturing method of white LED
KR20030060281A (ko) * 2002-01-08 2003-07-16 주식회사 이츠웰 발광 다이오드 장치 및 이를 이용한 디스플레이
KR100497339B1 (ko) * 2002-01-08 2005-06-23 주식회사 이츠웰 발광 다이오드 장치 및 이를 이용한 조명 기구, 표시 장치그리고 백라이트 장치
WO2003062775A1 (en) * 2002-01-17 2003-07-31 Hutchinson Technology Inc. Spectroscopy light source
JP3973082B2 (ja) * 2002-01-31 2007-09-05 シチズン電子株式会社 両面発光ｌｅｄパッケージ
JP2003243700A (ja) * 2002-02-12 2003-08-29 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
DE60332676D1 (de) * 2002-02-15 2010-07-01 Mitsubishi Chem Corp Lichtemittierendes Element und zughörige Beleuchtungsvorrichtung
US6881983B2 (en) * 2002-02-25 2005-04-19 Kopin Corporation Efficient light emitting diodes and lasers
JP4113017B2 (ja) * 2002-03-27 2008-07-02 シチズンホールディングス株式会社 光源装置および表示装置
TW558065U (en) * 2002-03-28 2003-10-11 Solidlite Corp Purplish pink light emitting diode
US6762432B2 (en) * 2002-04-01 2004-07-13 Micrel, Inc. Electrical field alignment vernier
JP4172196B2 (ja) * 2002-04-05 2008-10-29 豊田合成株式会社 発光ダイオード
US6911079B2 (en) * 2002-04-19 2005-06-28 Kopin Corporation Method for reducing the resistivity of p-type II-VI and III-V semiconductors
ATE521092T1 (de) * 2002-04-25 2011-09-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement mit einer fluoreszenten substanz
CA2427559A1 (en) * 2002-05-15 2003-11-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. White color light emitting device
US8232725B1 (en) * 2002-05-21 2012-07-31 Imaging Systems Technology Plasma-tube gas discharge device
KR100449502B1 (ko) * 2002-05-29 2004-09-22 서울반도체 주식회사 백색 발광 다이오드 및 그 제작 방법
KR100449503B1 (ko) * 2002-05-29 2004-09-22 서울반도체 주식회사 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100632659B1 (ko) * 2002-05-31 2006-10-11 서울반도체 주식회사 백색 발광 다이오드
JP4145872B2 (ja) * 2002-06-11 2008-09-03 あき電器株式会社 自転車の前照灯及び前照灯電気回路
US20030230977A1 (en) * 2002-06-12 2003-12-18 Epstein Howard C. Semiconductor light emitting device with fluoropolymer lens
TWI329367B (en) * 2002-06-13 2010-08-21 Cree Inc Saturated phosphor solid state emitter
NZ531587A (en) * 2002-06-14 2008-06-30 Lednium Technology Pty Ltd A lamp and method of producing a lamp
US6972516B2 (en) * 2002-06-14 2005-12-06 University Of Cincinnati Photopump-enhanced electroluminescent devices
US6734091B2 (en) 2002-06-28 2004-05-11 Kopin Corporation Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors
WO2003107442A2 (en) 2002-06-17 2003-12-24 Kopin Corporation Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors
US7002180B2 (en) 2002-06-28 2006-02-21 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
TW558775B (en) * 2002-06-27 2003-10-21 Solidlite Corp Package of compound type LED
US6955985B2 (en) 2002-06-28 2005-10-18 Kopin Corporation Domain epitaxy for thin film growth
US6809471B2 (en) 2002-06-28 2004-10-26 General Electric Company Phosphors containing oxides of alkaline-earth and Group-IIIB metals and light sources incorporating the same
KR20050044894A (ko) * 2002-07-16 2005-05-13 쉐프네커 비젼 시스템즈 유에스에이 인코포레이티드 백색 발광 다이오드 헤드라이트
JP4118742B2 (ja) * 2002-07-17 2008-07-16 シャープ株式会社 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
WO2004010472A2 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Microsemi Corporation Process for fabricating, and light emitting device resulting from, a homogenously mixed powder/pelletized compound
JP3923867B2 (ja) * 2002-07-26 2007-06-06 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 面状光源装置及びそれを用いた液晶表示装置
EP2290715B1 (en) 2002-08-01 2019-01-23 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same
JP2004071807A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Sharp Corp 照明装置、カメラ装置及び携帯機器
US20040032728A1 (en) * 2002-08-19 2004-02-19 Robert Galli Optical assembly for LED chip package
WO2004019422A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. White light emitting device
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
KR100499129B1 (ko) * 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
CN1318540C (zh) * 2002-09-13 2007-05-30 北京有色金属研究总院<Del/> 一种蓝光激发的白色led用荧光粉及其制造方法
CN1682384B (zh) * 2002-09-19 2010-06-09 克里公司 包括锥形侧壁的涂有磷光体的发光二极管及其制造方法
US6815241B2 (en) * 2002-09-25 2004-11-09 Cao Group, Inc. GaN structures having low dislocation density and methods of manufacture
JP4263453B2 (ja) * 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
US7460196B2 (en) * 2002-09-25 2008-12-02 Lg Displays Co., Ltd. Backlight device for liquid crystal display and method of fabricating the same
JP4201167B2 (ja) * 2002-09-26 2008-12-24 シチズン電子株式会社 白色発光装置の製造方法
CN1233046C (zh) * 2002-09-29 2005-12-21 光宝科技股份有限公司 一种制作白光发光二极管光源的方法
JP2004127988A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
JP2004131567A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Hamamatsu Photonics Kk 発光体と、これを用いた電子線検出器、走査型電子顕微鏡及び質量分析装置
US7009199B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
US7554258B2 (en) 2002-10-22 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body
RU2219622C1 (ru) 2002-10-25 2003-12-20 Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" Полупроводниковый источник белого света
TW586246B (en) * 2002-10-28 2004-05-01 Super Nova Optoelectronics Cor Manufacturing method of white light LED and the light-emitting device thereof
JP4040955B2 (ja) * 2002-11-06 2008-01-30 株式会社小糸製作所 車両用前照灯及びその製造方法
JP5138145B2 (ja) * 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
KR20040044701A (ko) * 2002-11-21 2004-05-31 삼성전기주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2004186168A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオード素子用シリコーン樹脂組成物
US7595113B2 (en) * 2002-11-29 2009-09-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. LED devices and silicone resin composition therefor
JP4072632B2 (ja) * 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
TW559627B (en) * 2002-12-03 2003-11-01 Lite On Technology Corp Method for producing bright white light diode with fluorescent powder
US6897486B2 (en) 2002-12-06 2005-05-24 Ban P. Loh LED package die having a small footprint
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
US6744196B1 (en) * 2002-12-11 2004-06-01 Oriol, Inc. Thin film LED
US6975369B1 (en) * 2002-12-12 2005-12-13 Gelcore, Llc Liquid crystal display with color backlighting employing light emitting diodes
AU2003283731A1 (en) * 2002-12-13 2004-07-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
DE10259945A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer
TW591811B (en) * 2003-01-02 2004-06-11 Epitech Technology Corp Ltd Color mixing light emitting diode
TWI351566B (en) 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device
CN101555128A (zh) * 2003-01-20 2009-10-14 宇部兴产株式会社 用于光转化的陶瓷复合材料及其应用
DE10307282A1 (de) * 2003-02-20 2004-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beschichteter Leuchtstoff, lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102004003135A1 (de) * 2003-02-20 2004-09-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beschichteter Leuchtstoff und lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff
EP1597777B1 (en) * 2003-02-26 2013-04-24 Cree, Inc. Composite white light source and method for fabricating
TWI289937B (en) * 2003-03-04 2007-11-11 Topco Scient Co Ltd White light LED
US20040173807A1 (en) * 2003-03-04 2004-09-09 Yongchi Tian Garnet phosphors, method of making the same, and application to semiconductor LED chips for manufacturing lighting devices
KR100693969B1 (ko) 2003-03-10 2007-03-12 도요다 고세이 가부시키가이샤 고체 소자 디바이스 및 그 제조 방법
TW200507226A (en) * 2003-03-12 2005-02-16 Lednium Pty Ltd A lamp and a process for producing a lamp
CN100509994C (zh) * 2003-03-13 2009-07-08 日亚化学工业株式会社 发光膜、发光装置、发光膜的制造方法以及发光装置的制造方法
WO2004081140A1 (ja) * 2003-03-13 2004-09-23 Nichia Corporation 発光膜、発光装置、発光膜の製造方法および発光装置の製造方法
US7038370B2 (en) * 2003-03-17 2006-05-02 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
US7276025B2 (en) * 2003-03-20 2007-10-02 Welch Allyn, Inc. Electrical adapter for medical diagnostic instruments using LEDs as illumination sources
KR20050118210A (ko) * 2003-03-28 2005-12-15 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 입자 또는 물질의 표면 상에 코팅을 형성시키는 방법 및이에 의한 생성물
US20040252488A1 (en) * 2003-04-01 2004-12-16 Innovalight Light-emitting ceiling tile
US20040196318A1 (en) * 2003-04-01 2004-10-07 Su Massharudin Bin Method of depositing phosphor on light emitting diode
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
US7278766B2 (en) * 2003-04-04 2007-10-09 Honeywell International Inc. LED based light guide for dual mode aircraft formation lighting
JP2004311822A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Solidlite Corp 赤紫色発光ダイオード
DE10316769A1 (de) * 2003-04-10 2004-10-28 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoffbassierte LED und zugehöriger Leuchtstoff
US6903380B2 (en) * 2003-04-11 2005-06-07 Weldon Technologies, Inc. High power light emitting diode
KR20040090667A (ko) * 2003-04-18 2004-10-26 삼성전기주식회사 디스플레이용 라이트 유닛
US20040207311A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Jung-Pin Cheng White light emitting device
US7125501B2 (en) * 2003-04-21 2006-10-24 Sarnoff Corporation High efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US7368179B2 (en) * 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
KR20040092512A (ko) 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
EP1620903B1 (en) 2003-04-30 2017-08-16 Cree, Inc. High-power solid state light emitter package
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7777235B2 (en) 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
US7633093B2 (en) * 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
US7528421B2 (en) 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7157745B2 (en) 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
AU2003284756A1 (en) 2003-05-12 2004-11-26 Luxpia Co., Ltd. Tb,b-based yellow phosphor, its preparation method, and white semiconductor light emitting device incorporating the same
US7108386B2 (en) 2003-05-12 2006-09-19 Illumitech Inc. High-brightness LED-phosphor coupling
US6982045B2 (en) * 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
JP2004352928A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及び照明装置
JP3977774B2 (ja) * 2003-06-03 2007-09-19 ローム株式会社 光半導体装置
US7122841B2 (en) 2003-06-04 2006-10-17 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting devices
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
US7075225B2 (en) * 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
JP2005026688A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
US7580033B2 (en) * 2003-07-16 2009-08-25 Honeywood Technologies, Llc Spatial-based power savings
US7663597B2 (en) * 2003-07-16 2010-02-16 Honeywood Technologies, Llc LCD plateau power conservation
US7786988B2 (en) * 2003-07-16 2010-08-31 Honeywood Technologies, Llc Window information preservation for spatially varying power conservation
US7602388B2 (en) * 2003-07-16 2009-10-13 Honeywood Technologies, Llc Edge preservation for spatially varying power conservation
US7714831B2 (en) * 2003-07-16 2010-05-11 Honeywood Technologies, Llc Background plateau manipulation for display device power conservation
US7583260B2 (en) * 2003-07-16 2009-09-01 Honeywood Technologies, Llc Color preservation for spatially varying power conservation
US6987353B2 (en) * 2003-08-02 2006-01-17 Phosphortech Corporation Light emitting device having sulfoselenide fluorescent phosphor
US7112921B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-26 Phosphortech Inc. Light emitting device having selenium-based fluorescent phosphor
US7109648B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-19 Phosphortech Inc. Light emitting device having thio-selenide fluorescent phosphor
KR20050016804A (ko) * 2003-08-04 2005-02-21 서울반도체 주식회사 발광 소자용 고휘도 형광체 구조 및 이를 사용하는 발광소자
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
WO2005015646A1 (ja) * 2003-08-07 2005-02-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ｌｅｄ照明光源
US20050104072A1 (en) 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
TWI233697B (en) * 2003-08-28 2005-06-01 Genesis Photonics Inc AlInGaN light-emitting diode with wide spectrum and solid-state white light device
EP1659335A4 (en) * 2003-08-28 2010-05-05 Mitsubishi Chem Corp LIGHT DISPENSER AND PHOSPHORUS
WO2005022030A2 (en) * 2003-08-29 2005-03-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color-mixing lighting system
US7029935B2 (en) * 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
JP3813144B2 (ja) * 2003-09-12 2006-08-23 ローム株式会社 発光制御回路
US7502392B2 (en) 2003-09-12 2009-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser oscillator
US7204607B2 (en) * 2003-09-16 2007-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
TW200512949A (en) * 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP2005089671A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーン樹脂組成物
JP4378242B2 (ja) * 2003-09-25 2009-12-02 株式会社小糸製作所 車両用灯具
CN100442551C (zh) * 2003-09-30 2008-12-10 株式会社东芝 发光装置
US7135129B2 (en) 2003-10-22 2006-11-14 Yano Tech (Shanghai) Limited Inorganic fluorescent material used for solid-state light source
US7252787B2 (en) * 2003-10-29 2007-08-07 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US7442326B2 (en) 2003-10-29 2008-10-28 Lumination Llc Red garnet phosphors for use in LEDs
US7094362B2 (en) * 2003-10-29 2006-08-22 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
KR100558446B1 (ko) 2003-11-19 2006-03-10 삼성전기주식회사 파장변환용 몰딩 화합물 수지 태블릿 제조방법과 이를이용한 백색 발광다이오드 제조방법
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP4654670B2 (ja) * 2003-12-16 2011-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US7066623B2 (en) * 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
TWI229462B (en) * 2003-12-22 2005-03-11 Solidlite Corp Improved method of white light LED
DE10360546A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
KR100610249B1 (ko) * 2003-12-23 2006-08-09 럭스피아 주식회사 황색 발광 형광체 및 그것을 채용한 백색 반도체 발광장치
WO2005067066A1 (ja) * 2004-01-07 2005-07-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ｌｅｄ照明光源
JP4231418B2 (ja) * 2004-01-07 2009-02-25 株式会社小糸製作所 発光モジュール及び車両用灯具
US7183588B2 (en) * 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
JP2005209794A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール及び灯具
WO2005073621A1 (ja) * 2004-01-29 2005-08-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ｌｅｄ照明光源
TWI250664B (en) * 2004-01-30 2006-03-01 South Epitaxy Corp White light LED
US20050179046A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation P-type electrodes in gallium nitride-based light-emitting devices
US20050179042A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation Monolithic integration and enhanced light extraction in gallium nitride-based light-emitting devices
EP1716218B1 (en) * 2004-02-20 2009-12-02 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
EP1566426B1 (en) 2004-02-23 2015-12-02 Philips Lumileds Lighting Company LLC Phosphor converted light emitting device
US10575376B2 (en) 2004-02-25 2020-02-25 Lynk Labs, Inc. AC light emitting diode and AC LED drive methods and apparatus
US10499465B2 (en) 2004-02-25 2019-12-03 Lynk Labs, Inc. High frequency multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and systems and methods of using same
WO2011143510A1 (en) 2010-05-12 2011-11-17 Lynk Labs, Inc. Led lighting system
CN100391020C (zh) * 2004-02-26 2008-05-28 松下电器产业株式会社 Led光源
DE102004029412A1 (de) * 2004-02-27 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips
TWI262609B (en) * 2004-02-27 2006-09-21 Dowa Mining Co Phosphor and manufacturing method thereof, and light source, LED using said phosphor
TWI229465B (en) 2004-03-02 2005-03-11 Genesis Photonics Inc Single chip white light component
JPWO2005086239A1 (ja) 2004-03-05 2008-01-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 白色発光ダイオード（ｌｅｄ）及び白色ｌｅｄの製造方法
US7573072B2 (en) * 2004-03-10 2009-08-11 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
DE102004012028A1 (de) * 2004-03-11 2005-10-06 Lite-On Technology Co. Phosphoreszierendes Material, sowie dieses verwendende, weißes Licht emittierende Vorrichtung
DE602005023713D1 (de) * 2004-03-12 2010-11-04 Avery Dennison Corp Notinformations-beleuchtungssystem
US8250794B2 (en) * 2004-03-12 2012-08-28 Avery Dennison Corporation Emergency information sign
CN100410703C (zh) * 2004-03-12 2008-08-13 艾利丹尼森公司 具有被动磷光光源的照明系统
WO2005093478A1 (en) * 2004-03-12 2005-10-06 Avery Dennison Corporation Lighting system with a passive phosphorescent light source
US6924233B1 (en) * 2004-03-19 2005-08-02 Agilent Technologies, Inc. Phosphor deposition methods
US20050205874A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Ru-Shi Liu Phosphor material and white light-emitting device using the same
JP2005272697A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーン樹脂組成物、光半導体用封止材および光半導体装置
JPWO2005093860A1 (ja) * 2004-03-26 2008-02-14 シャープ株式会社 発光装置
JP2005310756A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯
US7355284B2 (en) * 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
DE102004015570A1 (de) * 2004-03-30 2005-11-10 J.S. Technology Co., Ltd. Weiß-Licht-LED-Anordnung
WO2005097938A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Nippon Electric Glass Co., Ltd. 蛍光体及び発光ダイオード
US7514867B2 (en) 2004-04-19 2009-04-07 Panasonic Corporation LED lamp provided with optical diffusion layer having increased thickness and method of manufacturing thereof
US7462086B2 (en) * 2004-04-21 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Phosphor for phosphor-converted semiconductor light emitting device
KR101041311B1 (ko) 2004-04-27 2011-06-14 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을 이용한 발광장치
CN100401516C (zh) * 2004-04-28 2008-07-09 宏齐科技股份有限公司 白光发光二极管组件的制作方法
TWI228841B (en) * 2004-04-29 2005-03-01 Lite On Technology Corp Luminescence method and apparatus for color temperature adjustable white light
US7837348B2 (en) 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
US7819549B2 (en) 2004-05-05 2010-10-26 Rensselaer Polytechnic Institute High efficiency light source using solid-state emitter and down-conversion material
KR100655894B1 (ko) * 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
US7315119B2 (en) * 2004-05-07 2008-01-01 Avago Technologies Ip (Singapore) Pte Ltd Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness
US11158768B2 (en) 2004-05-07 2021-10-26 Bruce H. Baretz Vacuum light emitting diode
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
US7077978B2 (en) * 2004-05-14 2006-07-18 General Electric Company Phosphors containing oxides of alkaline-earth and group-IIIB metals and white-light sources incorporating same
TWI241034B (en) * 2004-05-20 2005-10-01 Lighthouse Technology Co Ltd Light emitting diode package
US7339332B2 (en) * 2004-05-24 2008-03-04 Honeywell International, Inc. Chroma compensated backlit display
EP1753840B1 (en) * 2004-05-27 2008-05-14 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US8294166B2 (en) 2006-12-11 2012-10-23 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
US7280288B2 (en) * 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
US7456499B2 (en) * 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US8308980B2 (en) * 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100665299B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
JP4583076B2 (ja) 2004-06-11 2010-11-17 スタンレー電気株式会社 発光素子
US7065534B2 (en) * 2004-06-23 2006-06-20 Microsoft Corporation Anomaly detection in data perspectives
EP1760794B1 (en) 2004-06-24 2014-01-15 Ube Industries, Ltd. White light emitting diode device
KR20060000313A (ko) * 2004-06-28 2006-01-06 루미마이크로 주식회사 대입경 형광 분말을 포함하는 색변환 발광 장치 그의 제조방법 및 그에 사용되는 수지 조성물
DE102004064150B4 (de) * 2004-06-29 2010-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauteil mit Gehäuse mit leitfähiger Beschichtung zum ESD-Schutz
US20090026920A1 (en) * 2004-06-30 2009-01-29 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light-emitting device using same, image display and illuminating device
US7255469B2 (en) * 2004-06-30 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a light guide and an interference reflector
ATE524839T1 (de) * 2004-06-30 2011-09-15 Cree Inc Verfahren zum kapseln eines lichtemittierenden bauelements und gekapselte lichtemittierende bauelemente im chip-massstab
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US20060006366A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Vladimir Abramov Wave length shifting compositions for white emitting diode systems
KR101209488B1 (ko) 2004-07-06 2012-12-07 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 효율적인, 녹색 발광 인광체 및 적색 발광 인광체와의 조합
CN1906269B (zh) * 2004-07-13 2011-04-20 株式会社藤仓 荧光体及使用该荧光体的发出电灯色光的电灯色光发光二极管灯
JP4422653B2 (ja) * 2004-07-28 2010-02-24 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに光源
US8417215B2 (en) * 2004-07-28 2013-04-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for positioning of wireless medical devices with short-range radio frequency technology
US7267787B2 (en) * 2004-08-04 2007-09-11 Intematix Corporation Phosphor systems for a white light emitting diode (LED)
US7311858B2 (en) * 2004-08-04 2007-12-25 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
US8017035B2 (en) * 2004-08-04 2011-09-13 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
FR2874021B1 (fr) 2004-08-09 2006-09-29 Saint Gobain Cristaux Detecteu Materiau scintillateur dense et rapide a faible luminescence retardee
US7750352B2 (en) 2004-08-10 2010-07-06 Pinion Technologies, Inc. Light strips for lighting and backlighting applications
US7259401B2 (en) * 2004-08-23 2007-08-21 Lite-On Technology Corporation Reflection-type optoelectronic semiconductor device
US20060044806A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Abramov Vladimir S Light emitting diode system packages
DE102005042778A1 (de) * 2004-09-09 2006-04-13 Toyoda Gosei Co., Ltd., Nishikasugai Optische Festkörpervorrichtung
EP1800054A2 (en) * 2004-09-10 2007-06-27 Color Kinetics Incorporated Lighting zone control methods and apparatus
JP4667803B2 (ja) 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
DE102004045950A1 (de) * 2004-09-22 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US7372198B2 (en) * 2004-09-23 2008-05-13 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor
TWI256149B (en) * 2004-09-27 2006-06-01 Advanced Optoelectronic Tech Light apparatus having adjustable color light and manufacturing method thereof
US20060067073A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Chu-Chi Ting White led device
JP4060841B2 (ja) * 2004-10-06 2008-03-12 住友ゴム工業株式会社 生タイヤビード部成型方法、及びそれに用いる生タイヤビード部成型装置
KR100485673B1 (ko) 2004-10-11 2005-04-27 씨엠에스테크놀로지(주) 백색 발광장치
KR101267284B1 (ko) * 2004-10-15 2013-08-07 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 형광체, 및 그것을 사용한 발광 장치, 그리고 화상 표시장치, 조명 장치
US7733002B2 (en) 2004-10-19 2010-06-08 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device provided with an alkaline earth metal boric halide phosphor for luminescence conversion
WO2006043719A1 (ja) * 2004-10-21 2006-04-27 Ube Industries, Ltd. 発光ダイオード素子、発光ダイオード用基板及び発光ダイオード素子の製造方法
DE102005028748A1 (de) * 2004-10-25 2006-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Bauelementgehäuse
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7670872B2 (en) * 2004-10-29 2010-03-02 LED Engin, Inc. (Cayman) Method of manufacturing ceramic LED packages
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US7772609B2 (en) * 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
US7473933B2 (en) * 2004-10-29 2009-01-06 Ledengin, Inc. (Cayman) High power LED package with universal bonding pads and interconnect arrangement
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
JP4757477B2 (ja) * 2004-11-04 2011-08-24 株式会社 日立ディスプレイズ 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
US7462317B2 (en) 2004-11-10 2008-12-09 Enpirion, Inc. Method of manufacturing an encapsulated package for a magnetic device
US7426780B2 (en) 2004-11-10 2008-09-23 Enpirion, Inc. Method of manufacturing a power module
US7481562B2 (en) 2004-11-18 2009-01-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for providing illuminating light using quantum dots
US7866853B2 (en) * 2004-11-19 2011-01-11 Fujikura Ltd. Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting element module and manufacturing method thereof, display device, lighting device, and traffic light
US20090218581A1 (en) 2004-12-07 2009-09-03 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
US7719015B2 (en) * 2004-12-09 2010-05-18 3M Innovative Properties Company Type II broadband or polychromatic LED's
US7402831B2 (en) * 2004-12-09 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, broadband, or “white” emission
US7745814B2 (en) 2004-12-09 2010-06-29 3M Innovative Properties Company Polychromatic LED's and related semiconductor devices
US20060125716A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Wong Lye Y Light-emitting diode display with compartment
EP1837921B1 (en) 2004-12-17 2015-11-18 Ube Industries, Ltd. Photo-conversion structure and light-emitting device using same
JP4591071B2 (ja) * 2004-12-20 2010-12-01 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
JP2006209076A (ja) * 2004-12-27 2006-08-10 Nichia Chem Ind Ltd 導光体およびそれを用いた面発光装置
US8277686B2 (en) 2004-12-27 2012-10-02 Ube Industries, Ltd. Sialon phosphor particles and production method thereof
TWI245440B (en) * 2004-12-30 2005-12-11 Ind Tech Res Inst Light emitting diode
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
ATE513026T1 (de) * 2005-01-10 2011-07-15 Koninkl Philips Electronics Nv Beleuchtungssystem mit einem keramischen lumineszenzumwandler
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US8012774B2 (en) * 2005-01-11 2011-09-06 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Coating process for a light-emitting diode (LED)
US7195944B2 (en) * 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
US8680534B2 (en) 2005-01-11 2014-03-25 Semileds Corporation Vertical light emitting diodes (LED) having metal substrate and spin coated phosphor layer for producing white light
US7646033B2 (en) * 2005-01-11 2010-01-12 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light light emitting diodes
TWI249861B (en) * 2005-01-12 2006-02-21 Lighthouse Technology Co Ltd Wavelength converting substance and light emitting device and encapsulating material comprising the same
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
US7777247B2 (en) * 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
KR100588209B1 (ko) 2005-01-19 2006-06-08 엘지전자 주식회사 백색 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7602116B2 (en) * 2005-01-27 2009-10-13 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light apparatus capable of emitting light of multiple wavelengths using nanometer fluorescent material, light device and manufacturing method thereof
EP1845146B1 (en) * 2005-01-31 2015-03-04 Ube Industries, Ltd. Red emitting nitride phosphor and process for producing the same
KR101139891B1 (ko) * 2005-01-31 2012-04-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 확산 반사면을 구비한 발광 다이오드 소자
EP1686630A3 (en) 2005-01-31 2009-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Led device having diffuse reflective surface
KR20060088228A (ko) * 2005-02-01 2006-08-04 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 나노미터 형광 물질을 이용하여 다수 파장의 빛을 방출할수 있는 발광 장치, 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7497973B2 (en) 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
DE102005008834A1 (de) * 2005-02-16 2006-08-24 Aspre Ag Display zur Erstellung von durch auffallendes Licht erkennbaren farbigen Bildern und Texten
TW201403859A (zh) 2005-02-18 2014-01-16 Nichia Corp 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置
JP4669713B2 (ja) * 2005-02-18 2011-04-13 株式会社リコー 画像読取装置及び画像形成装置
DE602006009768D1 (de) * 2005-02-21 2009-11-26 Koninkl Philips Electronics Nv Beleuchtungssystem mit strahlenquelle und lumineszierendem material
CN1684279A (zh) * 2005-02-25 2005-10-19 炬鑫科技股份有限公司 发光元件
US20060193131A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Mcgrath William R Circuit devices which include light emitting diodes, assemblies which include such circuit devices, and methods for directly replacing fluorescent tubes
WO2006093015A1 (ja) * 2005-02-28 2006-09-08 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法並びにその応用
US7439668B2 (en) * 2005-03-01 2008-10-21 Lumination Llc Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality
JP4866558B2 (ja) * 2005-03-10 2012-02-01 シチズン電子株式会社 画像撮影用照明装置
CN100454590C (zh) * 2005-03-11 2009-01-21 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管、发光二极管模组及背光系统
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
JP5652426B2 (ja) * 2005-03-18 2015-01-14 三菱化学株式会社 蛍光体混合物、発光装置、画像表示装置、及び照明装置
EP1865564B1 (en) 2005-03-18 2014-11-19 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
JP5286639B2 (ja) * 2005-03-18 2013-09-11 三菱化学株式会社 蛍光体混合物、発光装置、画像表示装置、及び照明装置
TWI249867B (en) 2005-03-24 2006-02-21 Lighthouse Technology Co Ltd Light-emitting diode package, cold cathode fluorescence lamp and photoluminescence material thereof
US7276183B2 (en) 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US7316497B2 (en) * 2005-03-29 2008-01-08 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source
JP2006278980A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光装置
US8048338B2 (en) * 2005-03-31 2011-11-01 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor, phosphor sheet, and manufacturing method therefore, and light emission device using the phosphor
KR101142519B1 (ko) 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
US7733310B2 (en) 2005-04-01 2010-06-08 Prysm, Inc. Display screens having optical fluorescent materials
US7791561B2 (en) * 2005-04-01 2010-09-07 Prysm, Inc. Display systems having screens with optical fluorescent materials
US20060221022A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 Roger Hajjar Laser vector scanner systems with display screens having optical fluorescent materials
US7474286B2 (en) 2005-04-01 2009-01-06 Spudnik, Inc. Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light
US7893631B2 (en) * 2005-04-06 2011-02-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. White light luminaire with adjustable correlated colour temperature
DE102006016548B9 (de) 2005-04-15 2021-12-16 Osram Gmbh Blau bis Gelb-Orange emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
US7489073B2 (en) * 2005-04-15 2009-02-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Blue to yellow-orange emitting phosphor, and light source having such a phosphor
JP4972957B2 (ja) * 2005-04-18 2012-07-11 三菱化学株式会社 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、並びに画像表示装置、照明装置
US7329371B2 (en) * 2005-04-19 2008-02-12 Lumination Llc Red phosphor for LED based lighting
CN1854858A (zh) * 2005-04-19 2006-11-01 夏普株式会社 发光装置、液晶显示装置和照明装置
JP4843990B2 (ja) * 2005-04-22 2011-12-21 日亜化学工業株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置
GB2425449B (en) * 2005-04-26 2007-05-23 City Greening Engineering Comp Irrigation system
US8000005B2 (en) 2006-03-31 2011-08-16 Prysm, Inc. Multilayered fluorescent screens for scanning beam display systems
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
US8089425B2 (en) 2006-03-03 2012-01-03 Prysm, Inc. Optical designs for scanning beam display systems using fluorescent screens
JP4535928B2 (ja) * 2005-04-28 2010-09-01 シャープ株式会社 半導体発光装置
US7690167B2 (en) * 2005-04-28 2010-04-06 Antonic James P Structural support framing assembly
KR100704492B1 (ko) * 2005-05-02 2007-04-09 한국화학연구원 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법
JP4738049B2 (ja) * 2005-05-02 2011-08-03 ユニ・チャーム株式会社 吸収性物品
US7760210B2 (en) * 2005-05-04 2010-07-20 Honeywood Technologies, Llc White-based power savings
US7602408B2 (en) * 2005-05-04 2009-10-13 Honeywood Technologies, Llc Luminance suppression power conservation
TWI260799B (en) * 2005-05-06 2006-08-21 Harvatek Corp Multi-wavelength white light light-emitting diode
DE102005023134A1 (de) * 2005-05-19 2006-11-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lumineszenzkonversions-LED
US8088302B2 (en) 2005-05-24 2012-01-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof
KR101324004B1 (ko) 2005-05-24 2013-10-31 독립행정법인 물질·재료연구기구 형광체 및 그 이용
US7632000B2 (en) * 2005-05-25 2009-12-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight assembly and liquid crystal display device having the same
TW200704283A (en) * 2005-05-27 2007-01-16 Lamina Ceramics Inc Solid state LED bridge rectifier light engine
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
WO2006129228A2 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising color deficiency compensating luminescent material
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8128272B2 (en) 2005-06-07 2012-03-06 Oree, Inc. Illumination apparatus
US8215815B2 (en) 2005-06-07 2012-07-10 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
WO2006132222A1 (ja) * 2005-06-07 2006-12-14 Fujikura Ltd. 発光素子実装用基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP2006343500A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Olympus Corp 光源装置及び投影光学装置
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
US20060290133A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-28 Westrim, Inc. Postbound album
JP5124978B2 (ja) * 2005-06-13 2013-01-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
EP2075288B1 (en) * 2005-06-14 2014-09-03 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Resin composition and sheet containing phosphor, and light emitting element using such composition and sheet
JP2006351773A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
KR100638868B1 (ko) * 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
EP1894257A1 (en) 2005-06-23 2008-03-05 Rensselaer Polytechnic Institute Package design for producing white light with short-wavelength leds and down-conversion materials
WO2007001116A1 (en) 2005-06-28 2007-01-04 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device for ac power operation
US8896216B2 (en) 2005-06-28 2014-11-25 Seoul Viosys Co., Ltd. Illumination system
TWI422044B (zh) * 2005-06-30 2014-01-01 Cree Inc 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置
DE102005038698A1 (de) * 2005-07-08 2007-01-18 Tridonic Optoelectronics Gmbh Optoelektronische Bauelemente mit Haftvermittler
JP2007027431A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Toshiba Corp 発光装置
KR100649679B1 (ko) * 2005-07-19 2006-11-27 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백 라이트 유닛
TW200717866A (en) * 2005-07-29 2007-05-01 Toshiba Kk Semiconductor light emitting device
US20070025106A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Korry Electronics Co. Night vision compatible area light fixture
WO2007015732A2 (en) * 2005-08-01 2007-02-08 Intex Recreation Corp. A method of varying the color of light emitted by a light-emitting device
KR100533922B1 (ko) * 2005-08-05 2005-12-06 알티전자 주식회사 황색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
CN101238595B (zh) * 2005-08-10 2012-07-04 宇部兴产株式会社 发光二极管用基板以及发光二极管
JP2009504809A (ja) * 2005-08-11 2009-02-05 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング 規則的に配列した空洞を有するフォトニック材料
US7329907B2 (en) 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
US20070045641A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Yin Chua Janet B Light source with UV LED and UV reflector
EP1919002B1 (en) 2005-08-23 2018-07-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Light-emitting device, backlight using same, and liquid crystal display
KR100691273B1 (ko) * 2005-08-23 2007-03-12 삼성전기주식회사 복합 형광체 분말, 이를 이용한 발광 장치 및 복합 형광체분말의 제조 방법
US7847302B2 (en) * 2005-08-26 2010-12-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
US20070052342A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP2007067326A (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
JP2007110090A (ja) * 2005-09-13 2007-04-26 Sony Corp ＧａＮ系半導体発光素子、発光装置、画像表示装置、面状光源装置、及び、液晶表示装置組立体
EP1925037A4 (en) * 2005-09-13 2011-10-26 Showa Denko Kk LIGHT EMITTING DEVICE
JP4966530B2 (ja) * 2005-09-15 2012-07-04 国立大学法人 新潟大学 蛍光体
DE102005045649A1 (de) * 2005-09-23 2007-03-29 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lichtmodul und Lichtsystem
JP5127455B2 (ja) * 2005-09-29 2013-01-23 株式会社東芝 白色発光装置とその製造方法、およびそれを用いたバックライト並びに液晶表示装置
US8426879B2 (en) * 2005-09-30 2013-04-23 Nichia Corporation Light emitting device and backlight unit using the same
JP2009510230A (ja) 2005-09-30 2009-03-12 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 固体照明用途のニトリドおよびオキシニトリドセリウム系蛍光体材料
KR100724591B1 (ko) 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
US8701272B2 (en) 2005-10-05 2014-04-22 Enpirion, Inc. Method of forming a power module with a magnetic device having a conductive clip
US7688172B2 (en) 2005-10-05 2010-03-30 Enpirion, Inc. Magnetic device having a conductive clip
US8631560B2 (en) 2005-10-05 2014-01-21 Enpirion, Inc. Method of forming a magnetic device having a conductive clip
US8139362B2 (en) * 2005-10-05 2012-03-20 Enpirion, Inc. Power module with a magnetic device having a conductive clip
KR100693463B1 (ko) * 2005-10-21 2007-03-12 한국광기술원 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드
US7479660B2 (en) 2005-10-21 2009-01-20 Perkinelmer Elcos Gmbh Multichip on-board LED illumination device
US7360934B2 (en) * 2005-10-24 2008-04-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light supply unit, illumination unit, and illumination system
KR100571882B1 (ko) * 2005-10-27 2006-04-17 알티전자 주식회사 황색 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 장치
KR100771779B1 (ko) * 2005-11-04 2007-10-30 삼성전기주식회사 황색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
KR101258397B1 (ko) * 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
TWI291247B (en) * 2005-11-11 2007-12-11 Univ Nat Chiao Tung Nanoparticle structure and manufacturing process of multi-wavelength light emitting devices
US20070114561A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Comanzo Holly A High efficiency phosphor for use in LEDs
EP1957607B1 (en) * 2005-11-24 2012-02-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Display device with solid state fluorescent material
WO2007060593A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Koninklijke Philips Electronics N.V. Apparatus for and method of recording data on a rewritable optical record carrier
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US20070128745A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Brukilacchio Thomas J Phosphor deposition method and apparatus for making light emitting diodes
US8906262B2 (en) 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
CN100334185C (zh) * 2005-12-09 2007-08-29 天津理工大学 稀土钇铝石榴石发光材料及气相制备法
EP1963741B1 (en) * 2005-12-14 2020-08-19 Signify Holding B.V. Lighting device and method for manufacturing same
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
JP2007165728A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Toshiba Discrete Technology Kk 発光装置及び可視光通信用照明装置
JP2007165811A (ja) 2005-12-16 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
EP1964104A4 (en) * 2005-12-21 2012-01-11 Cree Inc SHIELD AND LIGHTING PROCEDURE
WO2007075742A2 (en) 2005-12-21 2007-07-05 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
DE102005061204A1 (de) * 2005-12-21 2007-07-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Beleuchtungsvorrichtung, Beleuchtungssteuergerät und Beleuchtungssystem
US7768192B2 (en) * 2005-12-21 2010-08-03 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US20070158660A1 (en) * 2005-12-22 2007-07-12 Acol Technologies S.A. Optically active compositions and combinations of same with InGaN semiconductors
TWI396814B (zh) 2005-12-22 2013-05-21 克里公司 照明裝置
US7659544B2 (en) * 2005-12-23 2010-02-09 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Light emitting device with at least two alternately driven light emitting diodes
CN1988188A (zh) * 2005-12-23 2007-06-27 香港应用科技研究院有限公司 具有荧光层结构的发光二极管晶粒及其制造方法
US7474287B2 (en) * 2005-12-23 2009-01-06 Hong Kong Applied Science And Technology Light emitting device
US7914197B2 (en) 2005-12-27 2011-03-29 Showa Denko K.K. Light guide member, flat light source device, and display device
KR100728134B1 (ko) * 2005-12-30 2007-06-13 김재조 발광 장치
US9351355B2 (en) 2005-12-30 2016-05-24 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Illumination system having color temperature control and method for controlling the same
CN101385145B (zh) 2006-01-05 2011-06-08 伊鲁米特克斯公司 用于引导来自led的光的分立光学装置
DE102006001195A1 (de) 2006-01-10 2007-07-12 Sms Demag Ag Verfahren zum Gieß-Walzen mit erhöhter Gießgeschwindigkeit und daran anschließendem Warmwalzen von relativ dünnen Metall-,insbesondere Stahlwerkstoff-Strängen,und Gieß-Walz-Einrichtung
KR100821684B1 (ko) * 2006-01-17 2008-04-11 주식회사 에스티앤아이 백색 발광 다이오드 소자
CN100464233C (zh) * 2006-01-17 2009-02-25 群康科技(深圳)有限公司 背光模块
CN101370908B (zh) 2006-01-19 2012-04-18 宇部兴产株式会社 陶瓷复合体光转换构件和用其的发光装置
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
EP2002488A4 (en) * 2006-01-20 2012-05-30 Cree Inc DISTRIBUTION OF SPECTRAL CONTENT IN SOLID PHYSICIANS BY SPATIAL SEPARATION OF LUMIPHORIDE FILMS
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
JP2007226190A (ja) * 2006-01-30 2007-09-06 Konica Minolta Holdings Inc 映像表示装置およびヘッドマウントディスプレイ
DE102006005042A1 (de) 2006-02-03 2007-08-09 Tridonic Optoelectronics Gmbh Licht emittierende Vorrichtung mit nicht-aktiviertem Leuchtstoff
RU2315135C2 (ru) * 2006-02-06 2008-01-20 Владимир Семенович Абрамов Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов iii группы
TWI317756B (en) * 2006-02-07 2009-12-01 Coretronic Corp Phosphor, fluorescent gel, and light emitting diode device
US9093657B2 (en) 2006-02-14 2015-07-28 Massachusetts Institute Of Technology White light emitting devices
US7884816B2 (en) 2006-02-15 2011-02-08 Prysm, Inc. Correcting pyramidal error of polygon scanner in scanning beam display systems
US8451195B2 (en) 2006-02-15 2013-05-28 Prysm, Inc. Servo-assisted scanning beam display systems using fluorescent screens
US20080000467A1 (en) * 2006-02-16 2008-01-03 Design Annex Disposable charcoal lighting apparatus
US20070194684A1 (en) * 2006-02-21 2007-08-23 Chen Yi-Yi Light emitting diode structure
KR100735453B1 (ko) * 2006-02-22 2007-07-04 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
JP5027427B2 (ja) * 2006-02-23 2012-09-19 パナソニック株式会社 発光ダイオードを用いた白色照明装置
JP4992250B2 (ja) 2006-03-01 2012-08-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7737634B2 (en) 2006-03-06 2010-06-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED devices having improved containment for liquid encapsulant
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
JP2007250629A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法、並びに蛍光パターン形成物
KR100746749B1 (ko) 2006-03-15 2007-08-09 (주)케이디티 광 여기 시트
US7795600B2 (en) * 2006-03-24 2010-09-14 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use with light emitting diodes and method for making same
JP5032043B2 (ja) * 2006-03-27 2012-09-26 豊田合成株式会社 フェラスメタルアルカリ土類金属ケイ酸塩混合結晶蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP4980640B2 (ja) * 2006-03-31 2012-07-18 三洋電機株式会社 照明装置
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
JP5068472B2 (ja) * 2006-04-12 2012-11-07 昭和電工株式会社 発光装置の製造方法
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7821194B2 (en) 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
EP2052589A4 (en) 2006-04-18 2012-09-19 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD
CN101449099A (zh) 2006-04-20 2009-06-03 科锐Led照明科技公司 照明装置及照明方法
WO2007127029A2 (en) 2006-04-24 2007-11-08 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
FR2900382B1 (fr) * 2006-04-26 2009-02-27 Benotec Soc Par Actions Simpli Chariot de manutention a au moins trois roues directrices
US7888868B2 (en) * 2006-04-28 2011-02-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source with light-directing structures
EP2021688B1 (en) 2006-05-05 2016-04-27 Cree, Inc. Lighting device
EP2549330B1 (en) 2006-05-05 2017-08-30 Prysm, Inc. Phosphor compositions and other fluorescent materials for display systems and devices
US20070262288A1 (en) * 2006-05-09 2007-11-15 Soshchin Naum Inorganic fluorescent powder as a solid light source
TWI357435B (en) 2006-05-12 2012-02-01 Lextar Electronics Corp Light emitting diode and wavelength converting mat
WO2007135707A1 (ja) 2006-05-18 2007-11-29 Nichia Corporation 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP4188404B2 (ja) 2006-05-19 2008-11-26 三井金属鉱業株式会社 白色蛍光体および白色発光素子乃至装置
US7846391B2 (en) 2006-05-22 2010-12-07 Lumencor, Inc. Bioanalytical instrumentation using a light source subsystem
JP2009538532A (ja) 2006-05-23 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
US7718991B2 (en) * 2006-05-23 2010-05-18 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making
US20070274093A1 (en) * 2006-05-25 2007-11-29 Honeywell International, Inc. LED backlight system for LCD displays
EP2033235B1 (en) 2006-05-26 2017-06-21 Cree, Inc. Solid state light emitting device
CN101077973B (zh) * 2006-05-26 2010-09-29 大连路明发光科技股份有限公司 硅酸盐荧光材料及其制造方法以及使用其的发光装置
CN100467170C (zh) * 2006-05-28 2009-03-11 揭朝奎 可焊性粉末冶金轴承及生产工艺
KR20140116536A (ko) 2006-05-31 2014-10-02 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
CN101501870B (zh) * 2006-05-31 2012-10-31 株式会社藤仓 发光元件安装用基板、发光元件模块以及显示装置
US20070280622A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 3M Innovative Properties Company Fluorescent light source having light recycling means
US20070279914A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source with reflector
JP4899651B2 (ja) * 2006-06-07 2012-03-21 ソニー株式会社 発光ダイオード点灯回路、照明装置及び液晶表示装置
CN101467271B (zh) * 2006-06-12 2012-04-25 3M创新有限公司 具有再发光半导体构造和会聚光学元件的led装置
US7863634B2 (en) * 2006-06-12 2011-01-04 3M Innovative Properties Company LED device with re-emitting semiconductor construction and reflector
US20070284565A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-13 3M Innovative Properties Company Led device with re-emitting semiconductor construction and optical element
US7952110B2 (en) * 2006-06-12 2011-05-31 3M Innovative Properties Company LED device with re-emitting semiconductor construction and converging optical element
US7902542B2 (en) 2006-06-14 2011-03-08 3M Innovative Properties Company Adapted LED device with re-emitting semiconductor construction
JP5088320B2 (ja) * 2006-06-21 2012-12-05 株式会社村田製作所 透光性セラミック、ならびに光学部品および光学装置
JP4282693B2 (ja) * 2006-07-04 2009-06-24 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP4520437B2 (ja) * 2006-07-26 2010-08-04 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄ用蛍光物質入り硬化性シリコーン組成物およびその組成物を使用するｌｅｄ発光装置。
CN100590172C (zh) 2006-07-26 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种含硅的led荧光粉及其制造方法和所制成的发光器件
US7943952B2 (en) 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US7804147B2 (en) 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
JP4957110B2 (ja) * 2006-08-03 2012-06-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
US20080029774A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Acol Technologies S.A. Semiconductor light source packages with broadband and angular uniformity support
JP5331981B2 (ja) 2006-08-15 2013-10-30 ダリアン ルーミングライト カンパニー リミテッド 複数の発光ピークを有するケイ酸塩ベースの発光材料、当該発光材料を調製するための方法、及び当該発光材料を用いた発光デバイス
TWI317562B (en) * 2006-08-16 2009-11-21 Ind Tech Res Inst Light-emitting device
US20080113877A1 (en) * 2006-08-16 2008-05-15 Intematix Corporation Liquid solution deposition of composition gradient materials
DE112007001950T5 (de) 2006-08-21 2009-07-02 Innotec Corporation, Zeeland Elektrische Vorrichtung mit platinenloser Montageanordnung für elektrische Komponenten
US7763478B2 (en) * 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
JP5100059B2 (ja) * 2006-08-24 2012-12-19 スタンレー電気株式会社 蛍光体、その製造方法およびそれを用いた発光装置
KR101258227B1 (ko) * 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US7703942B2 (en) 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US7910938B2 (en) 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
WO2008041566A1 (en) 2006-09-25 2008-04-10 Ube Industries, Ltd. Ceramic composite for phototransformation and light emitting device using the same
WO2008042703A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-10 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source having multiple fluorescent species
US20090275157A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device shaping
US7789531B2 (en) 2006-10-02 2010-09-07 Illumitex, Inc. LED system and method
EP2084242A4 (en) * 2006-10-03 2009-12-16 Sarnoff Corp METAL SILICATE HALIDE PHOSPHORES AND LED LIGHTING DEVICES USING THE SAME
GB2442505A (en) * 2006-10-04 2008-04-09 Sharp Kk A display with a primary light source for illuminating a nanophosphor re-emission material
WO2008043519A1 (en) * 2006-10-10 2008-04-17 Lexedis Lighting Gmbh Phosphor-converted light emitting diode
US8310144B2 (en) * 2006-10-18 2012-11-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system and display device
US8529791B2 (en) 2006-10-20 2013-09-10 Intematix Corporation Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications
US8475683B2 (en) 2006-10-20 2013-07-02 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates
US9120975B2 (en) 2006-10-20 2015-09-01 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
US8133461B2 (en) * 2006-10-20 2012-03-13 Intematix Corporation Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation
KR20090082449A (ko) * 2006-10-31 2009-07-30 티아이알 테크놀로지 엘피 광원
US8029155B2 (en) * 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
TWI496315B (zh) * 2006-11-13 2015-08-11 Cree Inc 照明裝置、被照明的殼體及照明方法
CN101182416B (zh) 2006-11-13 2010-09-22 北京有色金属研究总院 含二价金属元素的铝酸盐荧光粉及制造方法和发光器件
US7769066B2 (en) 2006-11-15 2010-08-03 Cree, Inc. Laser diode and method for fabricating same
US8045595B2 (en) 2006-11-15 2011-10-25 Cree, Inc. Self aligned diode fabrication method and self aligned laser diode
US7813400B2 (en) 2006-11-15 2010-10-12 Cree, Inc. Group-III nitride based laser diode and method for fabricating same
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
WO2008063657A2 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Light emitting devices and displays with improved performance
US7692263B2 (en) 2006-11-21 2010-04-06 Cree, Inc. High voltage GaN transistors
JP5367218B2 (ja) * 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
US8337045B2 (en) 2006-12-04 2012-12-25 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
EP2095011A1 (en) 2006-12-04 2009-09-02 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting assembly and lighting method
JP5153783B2 (ja) 2006-12-07 2013-02-27 クリー インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
JP5028562B2 (ja) * 2006-12-11 2012-09-19 株式会社ジャパンディスプレイイースト 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置
US8013506B2 (en) 2006-12-12 2011-09-06 Prysm, Inc. Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity
US20100001648A1 (en) * 2006-12-12 2010-01-07 Inverto Nv Led lighting that has continuous and adjustable color temperature (ct), while maintaining a high cri
TWI359857B (en) * 2006-12-25 2012-03-11 Ind Tech Res Inst White light illumination device
JP4660507B2 (ja) * 2007-01-03 2011-03-30 三星モバイルディスプレイ株式會社 フレキシブル回路基板及びこれを有する液晶表示装置
KR100788556B1 (ko) * 2007-01-03 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 광흡수층을 갖는 액정 표시 장치용 연성 회로 기판
KR100788557B1 (ko) * 2007-01-03 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 광흡수층을 갖는 액정 표시 장치용 연성 회로 기판
JP2008186802A (ja) * 2007-01-04 2008-08-14 Toshiba Corp バックライト装置、液晶表示装置
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US7800304B2 (en) * 2007-01-12 2010-09-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-chip packaged LED light source
TWI325186B (en) * 2007-01-19 2010-05-21 Harvatek Corp Led chip package structure using ceramic material as a substrate
US7834367B2 (en) 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
CN101250408B (zh) * 2007-01-22 2011-03-23 罗维鸿 暖白色发光二极管及其带橙黄辐射的荧光粉
US7781783B2 (en) * 2007-02-07 2010-08-24 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. White light LED device
US9061450B2 (en) 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
US7709853B2 (en) * 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US20080192458A1 (en) * 2007-02-12 2008-08-14 Intematix Corporation Light emitting diode lighting system
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
WO2008103876A1 (en) * 2007-02-22 2008-08-28 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting devices, methods of lighting, light filters and methods of filtering light
DE102007009820A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Anordnung und optisches Verfahren
US20080218998A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-11 Quest William J Device having multiple light sources and methods of use
TWI390748B (zh) * 2007-03-09 2013-03-21 Light energy of the battery efficiency film
KR100818518B1 (ko) * 2007-03-14 2008-03-31 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US8408773B2 (en) 2007-03-19 2013-04-02 Innotec Corporation Light for vehicles
US7712933B2 (en) 2007-03-19 2010-05-11 Interlum, Llc Light for vehicles
CN101682709B (zh) * 2007-03-20 2013-11-06 Prysm公司 将广告或其它应用数据传送到显示系统并进行显示
US7687816B2 (en) * 2007-03-20 2010-03-30 International Business Machines Corporation Light emitting diode
TWI338957B (en) 2007-03-23 2011-03-11 Lite On Technology Corp Light-emitting device with open-loop control and manufacturing method thereof
KR100848872B1 (ko) * 2007-03-29 2008-07-29 서울반도체 주식회사 Ｒｇｂ를 이용한 발광장치
TWI378138B (en) * 2007-04-02 2012-12-01 Univ Nat Chiao Tung Green-emitting phosphors and process for producing the same
DE102008017039A1 (de) 2007-04-05 2008-10-09 Koito Manufacturing Co., Ltd. Leuchtstoff
US8169454B1 (en) 2007-04-06 2012-05-01 Prysm, Inc. Patterning a surface using pre-objective and post-objective raster scanning systems
US7697183B2 (en) 2007-04-06 2010-04-13 Prysm, Inc. Post-objective scanning beam systems
US7964888B2 (en) * 2007-04-18 2011-06-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device packages and methods
WO2008134056A1 (en) * 2007-04-26 2008-11-06 Deak-Lam Inc. Photon energy coversion structure
CN101688943A (zh) * 2007-05-04 2010-03-31 诺克特龙金融控股有限公司 照明装置及具有这种照明装置的液晶屏幕
DE102007025573A1 (de) * 2007-05-31 2008-12-04 Noctron Holding S.A. Flüssigkristall-Anzeigefeld
DE102007026795A1 (de) * 2007-05-04 2008-11-06 Noctron Holding S.A. Beleuchtungsvorrichtung sowie Flüssigkristall-Bildschirm mit einer solchen Beleuchtungsvorrichtung
US7910944B2 (en) 2007-05-04 2011-03-22 Cree, Inc. Side mountable semiconductor light emitting device packages and panels
EP2142843B1 (en) * 2007-05-08 2016-12-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2008137977A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
CN101755164B (zh) 2007-05-08 2013-03-27 科锐公司 照明装置和照明方法
EP2153113B1 (en) 2007-05-08 2016-01-06 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
CN101688644B (zh) 2007-05-08 2011-06-15 科锐Led照明科技公司 照明装置及照明方法
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
TWI349694B (en) * 2007-05-14 2011-10-01 Univ Nat Chiao Tung A novel phosphor for white light-emitting diodes and fabrication of the same
CN101950122B (zh) 2007-05-17 2012-01-04 Prysm公司 用于扫描光束显示系统的具有发光带的多层屏幕
WO2008146290A2 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Method and device for providing circumferential illumination
KR100886785B1 (ko) * 2007-06-04 2009-03-04 박기운 발광 장치 및 그 제조방법 및 백색계 발광 다이오드
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US8319949B2 (en) * 2007-06-18 2012-11-27 Leddartech Inc. Method for detecting objects with visible light
US7942556B2 (en) 2007-06-18 2011-05-17 Xicato, Inc. Solid state illumination device
US8767215B2 (en) 2007-06-18 2014-07-01 Leddartech Inc. Method for detecting objects with light
DE102007028120A1 (de) 2007-06-19 2008-12-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Chlorosilikat-Leuchtstoffs und damit hergestellter Leuchtstoff
JP4925119B2 (ja) * 2007-06-21 2012-04-25 シャープ株式会社 酸化物蛍光体および発光装置
US8556430B2 (en) 2007-06-27 2013-10-15 Prysm, Inc. Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US7878657B2 (en) 2007-06-27 2011-02-01 Prysm, Inc. Servo feedback control based on invisible scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
TWI365546B (en) * 2007-06-29 2012-06-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode device and fabrication method thereof
CN103215036B (zh) 2007-07-09 2014-11-05 夏普株式会社 荧光体粒子组以及使用其的发光装置
US7924478B2 (en) * 2007-07-11 2011-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Scanner module and image scanning apparatus employing the same
KR101279034B1 (ko) 2007-07-11 2013-07-02 삼성전자주식회사 스캐너 모듈 및 이를 채용한 화상독취장치
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US7852523B2 (en) * 2007-07-11 2010-12-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Scanner module and image scanning apparatus employing the same
EP2015614B1 (en) 2007-07-12 2010-12-15 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting device
TWI429731B (zh) * 2007-07-16 2014-03-11 Lumination Llc 由４價錳離子活化之發紅光錯合氟化磷光體
JP5431320B2 (ja) 2007-07-17 2014-03-05 クリー インコーポレイテッド 内部光学機能を備えた光学素子およびその製造方法
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
TWI384052B (zh) * 2007-07-25 2013-02-01 Univ Nat Chiao Tung 新穎螢光體與其製造方法
TWI363085B (en) * 2007-07-26 2012-05-01 Univ Nat Chiao Tung A novel phosphor and fabrication of the same
DE102007036226A1 (de) * 2007-08-02 2009-02-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Anbringungsstruktur für LEDs, LED-Baugruppe, LED-Baugruppensockel, Verfahren zum Ausbilden einer Anbringungsstruktur
US8098375B2 (en) 2007-08-06 2012-01-17 Lumencor, Inc. Light emitting diode illumination system
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
US7652301B2 (en) * 2007-08-16 2010-01-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Optical element coupled to low profile side emitting LED
WO2009025469A2 (en) 2007-08-22 2009-02-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Non stoichiometric tetragonal copper alkaline earth silicate phosphors and method of preparing the same
US8704265B2 (en) * 2007-08-27 2014-04-22 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and lighting apparatus using the same
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US7791093B2 (en) * 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
US7851990B2 (en) * 2007-09-06 2010-12-14 He Shan Lide Electronic Enterprise Company Ltd. Method for generating low color temperature light and light emitting device adopting the same
US8866185B2 (en) * 2007-09-06 2014-10-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. White light LED with multiple encapsulation layers
US8133529B2 (en) 2007-09-10 2012-03-13 Enpirion, Inc. Method of forming a micromagnetic device
US8018315B2 (en) 2007-09-10 2011-09-13 Enpirion, Inc. Power converter employing a micromagnetic device
US7920042B2 (en) 2007-09-10 2011-04-05 Enpirion, Inc. Micromagnetic device and method of forming the same
US7955868B2 (en) 2007-09-10 2011-06-07 Enpirion, Inc. Method of forming a micromagnetic device
DE102007049005A1 (de) * 2007-09-11 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
DE202007019100U1 (de) 2007-09-12 2010-09-02 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED-Modul, LED-Leuchtmittel und LED-Leuchte für die energieeffiziente Wiedergabe von weißem Licht
US8519437B2 (en) 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
DE102007053286A1 (de) * 2007-09-20 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP5075552B2 (ja) * 2007-09-25 2012-11-21 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いたｌｅｄランプ
JP2009081379A (ja) 2007-09-27 2009-04-16 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
KR100891020B1 (ko) * 2007-09-28 2009-03-31 한국과학기술원 새로운 조성의 황색 발광 Ｃｅ3+부활 칼슘 실리케이트 황색형광체 및 그 제조방법
US20090117672A1 (en) 2007-10-01 2009-05-07 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of fabrication thereof
US8883528B2 (en) * 2007-10-01 2014-11-11 Intematix Corporation Methods of producing light emitting device with phosphor wavelength conversion
US11297705B2 (en) 2007-10-06 2022-04-05 Lynk Labs, Inc. Multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and methods of using same
US11317495B2 (en) 2007-10-06 2022-04-26 Lynk Labs, Inc. LED circuits and assemblies
WO2009049019A1 (en) * 2007-10-10 2009-04-16 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making
US9012937B2 (en) * 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
CN100546058C (zh) * 2007-10-15 2009-09-30 佛山市国星光电股份有限公司 功率发光二极管封装结构
US9086213B2 (en) 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
US7915627B2 (en) * 2007-10-17 2011-03-29 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US7984999B2 (en) * 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
KR101294849B1 (ko) * 2007-10-23 2013-08-08 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8018139B2 (en) * 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
US8119028B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
TWI334047B (en) * 2007-11-22 2010-12-01 Au Optronics Corp Liquid crystal display
DE102007056562A1 (de) 2007-11-23 2009-05-28 Oerlikon Textile Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur optischen Detektion von Verunreinigungen in längsbewegtem Garn
JP2009130301A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Sharp Corp 発光素子および発光素子の製造方法
JP5558665B2 (ja) * 2007-11-27 2014-07-23 パナソニック株式会社 発光装置
KR100998233B1 (ko) 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지
CN101453804B (zh) * 2007-12-05 2010-04-07 亿镫光电科技股份有限公司 白光发光装置
TWI336015B (en) * 2007-12-06 2011-01-11 Au Optronics Corp Liquid crystal display
JP5330263B2 (ja) 2007-12-07 2013-10-30 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いたｌｅｄ発光装置
US8230575B2 (en) 2007-12-12 2012-07-31 Innotec Corporation Overmolded circuit board and method
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9431589B2 (en) * 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US20090161369A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Keren Regev Waveguide sheet and methods for manufacturing the same
US20090159915A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Shaul Branchevsky Led insert module and multi-layer lens
US8172447B2 (en) 2007-12-19 2012-05-08 Oree, Inc. Discrete lighting elements and planar assembly thereof
US8118447B2 (en) 2007-12-20 2012-02-21 Altair Engineering, Inc. LED lighting apparatus with swivel connection
JP5003464B2 (ja) * 2007-12-21 2012-08-15 三菱電機株式会社 光伝送モジュール
JP2009153712A (ja) 2007-12-26 2009-07-16 Olympus Corp 光源装置およびそれを備えた内視鏡装置
US7815339B2 (en) 2008-01-09 2010-10-19 Innotec Corporation Light module
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
CN101482247A (zh) * 2008-01-11 2009-07-15 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 照明装置
US8940561B2 (en) * 2008-01-15 2015-01-27 Cree, Inc. Systems and methods for application of optical materials to optical elements
US8058088B2 (en) 2008-01-15 2011-11-15 Cree, Inc. Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
US20090309114A1 (en) 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
US8337029B2 (en) * 2008-01-17 2012-12-25 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US20090185113A1 (en) * 2008-01-22 2009-07-23 Industrial Technology Research Institute Color Filter Module and Device of Having the Same
CN101493216B (zh) * 2008-01-24 2011-11-09 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管光源模组
US9151884B2 (en) * 2008-02-01 2015-10-06 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source with active chromphore
JP2011512037A (ja) 2008-02-08 2011-04-14 イルミテックス， インコーポレイテッド エミッタ層成形のためのシステムおよび方法
WO2009104651A1 (ja) 2008-02-18 2009-08-27 株式会社小糸製作所 白色発光装置及びこれを用いた車両用灯具
CN101946115B (zh) * 2008-02-21 2014-04-30 皇家飞利浦电子股份有限公司 仿gls的led光源
JP5631745B2 (ja) * 2008-02-21 2014-11-26 日東電工株式会社 透光性セラミックプレートを備える発光装置
CN101514801A (zh) * 2008-02-22 2009-08-26 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 照明装置
WO2009108840A1 (en) 2008-02-27 2009-09-03 The Regents Of The University Of California Yellow emitting phosphors based on ce3+-doped aluminate and via solid solution for solid-state lighting applications
JP2009206459A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Sharp Corp 色変換部材およびそれを用いた発光装置
EP2260341A2 (en) * 2008-03-05 2010-12-15 Oree, Advanced Illumination Solutions INC. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US9525148B2 (en) 2008-04-03 2016-12-20 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
TWI521266B (zh) * 2008-04-03 2016-02-11 友達光電股份有限公司 液晶顯示器
EP2283342B1 (en) 2008-04-03 2018-07-11 Samsung Research America, Inc. Method for preparing a light-emitting device including quantum dots
US8692532B2 (en) 2008-04-16 2014-04-08 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US9246390B2 (en) 2008-04-16 2016-01-26 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US8686698B2 (en) 2008-04-16 2014-04-01 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US8541991B2 (en) 2008-04-16 2013-09-24 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
CN102017198A (zh) * 2008-04-23 2011-04-13 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光器件
DE102009018603B9 (de) 2008-04-25 2021-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
US20090268461A1 (en) * 2008-04-28 2009-10-29 Deak David G Photon energy conversion structure
DE102008021438A1 (de) 2008-04-29 2009-12-31 Schott Ag Konversionsmaterial insbesondere für eine, eine Halbleiterlichtquelle umfassende weiße oder farbige Lichtquelle, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dieses Konversionsmaterial umfassende Lichtquelle
DE202008005987U1 (de) * 2008-04-30 2009-09-03 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht
DE102008021658A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung mit Volumenstrukturierung
US9287469B2 (en) 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
JP2011524064A (ja) 2008-05-06 2011-08-25 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
DE102008022888A1 (de) * 2008-05-08 2009-11-19 Lok-F Gmbh Leuchtvorrichtung
TWI362769B (en) 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
JP2009277887A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光装置
WO2009143283A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 Lightscape Materials, Inc. Silicate-based phosphors and led lighting devices using the same
WO2009141960A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device as well as light source device and lighting system including the same
US8360599B2 (en) 2008-05-23 2013-01-29 Ilumisys, Inc. Electric shock resistant L.E.D. based light
DE102008025318A1 (de) * 2008-05-27 2009-12-10 Setrinx S.A.R.L. Leuchtchip und Leuchtvorrichtung mit einem solchen
US8461613B2 (en) 2008-05-27 2013-06-11 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
US7868340B2 (en) * 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
US8097081B2 (en) 2008-06-05 2012-01-17 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US20090301388A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Soraa Inc. Capsule for high pressure processing and method of use for supercritical fluids
US8871024B2 (en) * 2008-06-05 2014-10-28 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US9157167B1 (en) 2008-06-05 2015-10-13 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US7906766B2 (en) * 2008-06-16 2011-03-15 Northrop Grumman Systems Corporation Systems and methods for simulating a vehicle exhaust plume
KR101448153B1 (ko) * 2008-06-25 2014-10-08 삼성전자주식회사 발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 멀티칩 패키지 방식의발광 다이오드 소자
CN102077015A (zh) * 2008-06-25 2011-05-25 马里奥·W·卡尔杜洛 紫外生成的可见光源
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
US20090320745A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Soraa, Inc. Heater device and method for high pressure processing of crystalline materials
US20090321758A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Wen-Huang Liu Led with improved external light extraction efficiency
US9404197B2 (en) 2008-07-07 2016-08-02 Soraa, Inc. Large area, low-defect gallium-containing nitride crystals, method of making, and method of use
WO2011044554A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Soraa, Inc. Method for synthesis of high quality large area bulk gallium based crystals
WO2010005914A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-14 Soraa, Inc. High quality large area bulk non-polar or semipolar gallium based substrates and methods
US8301002B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8297786B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
JP2010027704A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Stanley Electric Co Ltd 蛍光体セラミック板を用いた発光装置の製造方法
TW201005075A (en) * 2008-07-24 2010-02-01 Univ Nat Chiao Tung White-emitting phosphors and lighting apparatus thereof
US7869112B2 (en) * 2008-07-25 2011-01-11 Prysm, Inc. Beam scanning based on two-dimensional polygon scanner for display and other applications
US7946729B2 (en) 2008-07-31 2011-05-24 Altair Engineering, Inc. Fluorescent tube replacement having longitudinally oriented LEDs
US8430958B2 (en) * 2008-08-07 2013-04-30 Soraa, Inc. Apparatus and method for seed crystal utilization in large-scale manufacturing of gallium nitride
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8979999B2 (en) * 2008-08-07 2015-03-17 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US20100033077A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 Glory Science Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
DE102008038249A1 (de) * 2008-08-18 2010-02-25 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung alpha-Sialon-Leuchtstoff
CN101577301B (zh) * 2008-09-05 2011-12-21 佛山市国星光电股份有限公司 白光led的封装方法及使用该方法制作的led器件
US20120181919A1 (en) * 2008-08-27 2012-07-19 Osram Sylvania Inc. Luminescent Ceramic Composite Converter and Method of Making the Same
US8164710B2 (en) * 2008-09-04 2012-04-24 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight assembly and liquid crystal display apparatus having the same
US20100058837A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Quest William J Device having multiple light sources and methods of use
US20100060198A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Lite-On It Corporation LED Lamp and Method for Producing a LED Lamp
US8143769B2 (en) * 2008-09-08 2012-03-27 Intematix Corporation Light emitting diode (LED) lighting device
GB0816557D0 (en) 2008-09-10 2008-10-15 Merck Patent Gmbh Electro-optical switching element and electro-optical display
EP2163593A1 (en) 2008-09-15 2010-03-17 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Production of nitride-based phosphors
US8256924B2 (en) 2008-09-15 2012-09-04 Ilumisys, Inc. LED-based light having rapidly oscillating LEDs
US8342712B2 (en) 2008-09-30 2013-01-01 Disney Enterprises, Inc. Kinetic flame device
US8266793B2 (en) 2008-10-02 2012-09-18 Enpirion, Inc. Module having a stacked magnetic device and semiconductor device and method of forming the same
US8153473B2 (en) 2008-10-02 2012-04-10 Empirion, Inc. Module having a stacked passive element and method of forming the same
US9054086B2 (en) 2008-10-02 2015-06-09 Enpirion, Inc. Module having a stacked passive element and method of forming the same
US8339802B2 (en) 2008-10-02 2012-12-25 Enpirion, Inc. Module having a stacked magnetic device and semiconductor device and method of forming the same
DE102008051256B4 (de) * 2008-10-10 2018-05-24 Ivoclar Vivadent Ag Halbleiter-Strahlungsquelle
US8075165B2 (en) 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US20100098377A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Noam Meir Light confinement using diffusers
US9166112B2 (en) 2008-10-17 2015-10-20 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting module, method of manufacturing the light emitting module, and lamp unit
US7938562B2 (en) 2008-10-24 2011-05-10 Altair Engineering, Inc. Lighting including integral communication apparatus
US8214084B2 (en) 2008-10-24 2012-07-03 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting with building controls
US8901823B2 (en) 2008-10-24 2014-12-02 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
US8444292B2 (en) 2008-10-24 2013-05-21 Ilumisys, Inc. End cap substitute for LED-based tube replacement light
US8653984B2 (en) 2008-10-24 2014-02-18 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting control with emergency notification systems
US8324817B2 (en) 2008-10-24 2012-12-04 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
US8022631B2 (en) * 2008-11-03 2011-09-20 General Electric Company Color control of light sources employing phosphors
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
JP4868427B2 (ja) * 2008-11-13 2012-02-01 国立大学法人名古屋大学 半導体発光装置
JP2010116522A (ja) * 2008-11-14 2010-05-27 Mitsubishi Plastics Inc 蓄光フィルム及び発光装置
TWI384591B (zh) * 2008-11-17 2013-02-01 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體電路板
US8004172B2 (en) 2008-11-18 2011-08-23 Cree, Inc. Semiconductor light emitting apparatus including elongated hollow wavelength conversion tubes and methods of assembling same
US8853712B2 (en) 2008-11-18 2014-10-07 Cree, Inc. High efficacy semiconductor light emitting devices employing remote phosphor configurations
US9052416B2 (en) 2008-11-18 2015-06-09 Cree, Inc. Ultra-high efficacy semiconductor light emitting devices
US8220971B2 (en) 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
US8456082B2 (en) 2008-12-01 2013-06-04 Ifire Ip Corporation Surface-emission light source with uniform illumination
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
USRE47114E1 (en) 2008-12-12 2018-11-06 Slt Technologies, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US20100147210A1 (en) * 2008-12-12 2010-06-17 Soraa, Inc. high pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US9589792B2 (en) 2012-11-26 2017-03-07 Soraa, Inc. High quality group-III metal nitride crystals, methods of making, and methods of use
US8987156B2 (en) 2008-12-12 2015-03-24 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US8878230B2 (en) * 2010-03-11 2014-11-04 Soraa, Inc. Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture
US9543392B1 (en) 2008-12-12 2017-01-10 Soraa, Inc. Transparent group III metal nitride and method of manufacture
US7834372B2 (en) * 2008-12-16 2010-11-16 Jinhui Zhai High luminous flux warm white solid state lighting device
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
JP2010171379A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
KR101493708B1 (ko) * 2008-12-26 2015-02-16 삼성전자주식회사 백색 발광 장치
US8698463B2 (en) 2008-12-29 2014-04-15 Enpirion, Inc. Power converter with a dynamically configurable controller based on a power conversion mode
US9548714B2 (en) 2008-12-29 2017-01-17 Altera Corporation Power converter with a dynamically configurable controller and output filter
US8390193B2 (en) 2008-12-31 2013-03-05 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US8556452B2 (en) 2009-01-15 2013-10-15 Ilumisys, Inc. LED lens
US8362710B2 (en) 2009-01-21 2013-01-29 Ilumisys, Inc. Direct AC-to-DC converter for passive component minimization and universal operation of LED arrays
US8664880B2 (en) 2009-01-21 2014-03-04 Ilumisys, Inc. Ballast/line detection circuit for fluorescent replacement lamps
US20100181582A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
US8242462B2 (en) 2009-01-23 2012-08-14 Lumencor, Inc. Lighting design of high quality biomedical devices
TWI449996B (zh) * 2009-01-23 2014-08-21 Au Optronics Corp 高色彩飽合度之顯示裝置及其使用之色彩調整方法
JP2010171342A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Sony Corp 色変換部材およびその製造方法、発光装置、表示装置
US20110100291A1 (en) * 2009-01-29 2011-05-05 Soraa, Inc. Plant and method for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
WO2010088658A1 (en) * 2009-02-02 2010-08-05 Ringdale, Inc. Phosphor composite coated diffuser device and method
JP2010177620A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Showa Denko Kk 発光装置の製造方法
US20100208470A1 (en) * 2009-02-10 2010-08-19 Yosi Shani Overlapping illumination surfaces with reduced linear artifacts
KR101077264B1 (ko) * 2009-02-17 2011-10-27 (주)포인트엔지니어링 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법
US8123981B2 (en) * 2009-02-19 2012-02-28 Nitto Denko Corporation Method of fabricating translucent phosphor ceramics
US8137587B2 (en) * 2009-02-19 2012-03-20 Nitto Denko Corporation Method of manufacturing phosphor translucent ceramics and light emitting devices
WO2010097731A1 (en) * 2009-02-25 2010-09-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Uv-emitting discharge lamp
EP2405498A4 (en) 2009-03-03 2013-12-04 Ube Industries COMPOSITE SUBSTRATE FOR FORMING A LIGHT-EMITTING ELEMENT, APPARATUS WITH LIGHT-EMITTING DIODES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US8541931B2 (en) * 2009-03-17 2013-09-24 Intematix Corporation LED based lamp including reflective hood to reduce variation in illuminance
TWM374153U (en) * 2009-03-19 2010-02-11 Intematix Technology Ct Corp Light emitting device applied to AC drive
US8624527B1 (en) 2009-03-27 2014-01-07 Oree, Inc. Independently controllable illumination device
TWI405838B (zh) * 2009-03-27 2013-08-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 紅光螢光材料及其製造方法、及白光發光裝置
KR100984126B1 (ko) 2009-03-30 2010-09-28 서울대학교산학협력단 발광소자 코팅 방법, 광커플러 및 광커플러 제조 방법
TW201037059A (en) * 2009-04-01 2010-10-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Red light fluorescent material and manufacturing method thereof, and white light luminescent device
US9000664B2 (en) * 2009-04-06 2015-04-07 Sharp Kabushiki Kaisha Phosphor particle group, light emitting apparatus using the same, and liquid crystal display television
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
US8384097B2 (en) 2009-04-08 2013-02-26 Ledengin, Inc. Package for multiple light emitting diodes
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
KR20120008060A (ko) * 2009-04-21 2012-01-25 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 인광체를 갖는 조명 장치
US8192048B2 (en) * 2009-04-22 2012-06-05 3M Innovative Properties Company Lighting assemblies and systems
KR101004713B1 (ko) * 2009-04-22 2011-01-04 주식회사 에피밸리 디스플레이의 디밍 제어방법
EP2424814A4 (en) 2009-04-28 2016-06-01 Qd Vision Inc OPTICAL MATERIALS, OPTICAL COMPONENTS AND METHOD
DE102009020569B4 (de) 2009-05-08 2019-02-21 Schott Ag Leuchtstoffe auf Basis Eu2+-(co-) dotierter Yttrium-Aluminium-Granat-Kristalle und deren Verwendung
US8106569B2 (en) * 2009-05-12 2012-01-31 Remphos Technologies Llc LED retrofit for miniature bulbs
US8328406B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Oree, Inc. Low-profile illumination device
US8330381B2 (en) 2009-05-14 2012-12-11 Ilumisys, Inc. Electronic circuit for DC conversion of fluorescent lighting ballast
US8227276B2 (en) * 2009-05-19 2012-07-24 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8227269B2 (en) * 2009-05-19 2012-07-24 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8597963B2 (en) * 2009-05-19 2013-12-03 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8440500B2 (en) * 2009-05-20 2013-05-14 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
US9800017B1 (en) 2009-05-29 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Laser device and method for a vehicle
US9250044B1 (en) 2009-05-29 2016-02-02 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use
US8509275B1 (en) 2009-05-29 2013-08-13 Soraa, Inc. Gallium nitride based laser dazzling device and method
CN102449111B (zh) * 2009-06-01 2014-12-24 日东电工株式会社 发光陶瓷和使用发光陶瓷的发光装置
WO2010141235A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Nitto Denko Corporation Light-emitting divice comprising a dome-shaped ceramic phosphor
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US8299695B2 (en) 2009-06-02 2012-10-30 Ilumisys, Inc. Screw-in LED bulb comprising a base having outwardly projecting nodes
WO2010148109A1 (en) 2009-06-16 2010-12-23 The Regents Of The University Of California Oxyfluoride phosphors and white light emitting diodes including the oxyfluoride phosphor for solid-state lighting applications
US8651692B2 (en) * 2009-06-18 2014-02-18 Intematix Corporation LED based lamp and light emitting signage
US8426871B2 (en) * 2009-06-19 2013-04-23 Honeywell International Inc. Phosphor converting IR LEDs
WO2011005579A2 (en) 2009-06-23 2011-01-13 Altair Engineering, Inc. Illumination device including leds and a switching power control system
DE102009030205A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
WO2010150202A2 (en) 2009-06-24 2010-12-29 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same
KR101055762B1 (ko) * 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
WO2010151600A1 (en) 2009-06-27 2010-12-29 Michael Tischler High efficiency leds and led lamps
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
IN2012DN01509A (es) 2009-07-28 2015-06-05 Anatoly Vasilyevich Vishnyakov
DE102009035100A1 (de) * 2009-07-29 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode und Konversionselement für eine Leuchtdiode
JP5444919B2 (ja) * 2009-07-29 2014-03-19 ソニー株式会社 照明装置、及び液晶表示装置
JP2009260390A (ja) * 2009-08-05 2009-11-05 Osram-Melco Ltd 可変色発光ダイオード素子
KR101172143B1 (ko) * 2009-08-10 2012-08-07 엘지이노텍 주식회사 백색 발광다이오드 소자용 시온계 산화질화물 형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 ｌｅｄ 소자
DE102009037186A1 (de) 2009-08-12 2011-02-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil
US8197105B2 (en) * 2009-08-13 2012-06-12 Intematix Corporation LED-based lamps
WO2011020098A1 (en) 2009-08-14 2011-02-17 Qd Vision, Inc. Lighting devices, an optical component for a lighting device, and methods
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
JP5406638B2 (ja) * 2009-08-31 2014-02-05 カシオ計算機株式会社 光源装置及びプロジェクタ
JP5406639B2 (ja) * 2009-08-31 2014-02-05 カシオ計算機株式会社 光源装置及びプロジェクタ
WO2011028033A2 (ko) * 2009-09-02 2011-03-10 엘지이노텍주식회사 형광체, 형광체 제조방법 및 백색 발광 소자
KR101163902B1 (ko) 2010-08-10 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
TWI385782B (zh) * 2009-09-10 2013-02-11 Lextar Electronics Corp 白光發光元件
WO2011037877A1 (en) 2009-09-25 2011-03-31 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
US7977641B2 (en) * 2009-09-29 2011-07-12 General Electric Company Scintillator, associated detecting device and method
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
DE102009049056A1 (de) 2009-10-12 2011-04-14 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Beschichtung eines Silikat-Leuchtstoffs
TWI403005B (zh) 2009-10-12 2013-07-21 Intematix Technology Ct Corp 發光二極體及其製作方法
US8089086B2 (en) * 2009-10-19 2012-01-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source
US20110090669A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 Tsung-Ting Sun Led lighting device and light source module for the same
US8440104B2 (en) * 2009-10-21 2013-05-14 General Electric Company Kimzeyite garnet phosphors
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
CN101760197B (zh) * 2009-10-27 2013-08-07 上海祥羚光电科技发展有限公司 一种白光led用黄色荧光粉及其制备方法
JP2013509483A (ja) 2009-10-30 2013-03-14 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 酸化フッ化物に基づく固溶体蛍光体および固体白色光用途のために蛍光体を含む白色発光ダイオード
WO2011060180A1 (en) 2009-11-11 2011-05-19 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
JP4888853B2 (ja) * 2009-11-12 2012-02-29 学校法人慶應義塾 液晶表示装置の視認性改善方法、及びそれを用いた液晶表示装置
KR101020998B1 (ko) * 2009-11-12 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8963178B2 (en) 2009-11-13 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
TWI531088B (zh) * 2009-11-13 2016-04-21 首爾偉傲世有限公司 具有分散式布拉格反射器的發光二極體晶片
US8779685B2 (en) 2009-11-19 2014-07-15 Intematix Corporation High CRI white light emitting devices and drive circuitry
US20120236213A1 (en) * 2009-12-08 2012-09-20 Sharp Kabushiki Kaisha Lighting device, display device and television receiver
JP5565793B2 (ja) * 2009-12-08 2014-08-06 学校法人立命館 深紫外発光素子及びその製造方法
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
US8604461B2 (en) 2009-12-16 2013-12-10 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated doping and related methods
US8536615B1 (en) 2009-12-16 2013-09-17 Cree, Inc. Semiconductor device structures with modulated and delta doping and related methods
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
JP5707697B2 (ja) * 2009-12-17 2015-04-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN101847680A (zh) * 2009-12-21 2010-09-29 深圳市成光兴实业发展有限公司 采用丝网印刷工艺的白光led荧光粉膜层及制作方法
KR101646255B1 (ko) * 2009-12-22 2016-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
CN101760196B (zh) * 2009-12-29 2012-11-21 四川大学 一种白光led用黄色荧光粉的合成方法
KR20110076447A (ko) * 2009-12-29 2011-07-06 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
CN101797698B (zh) * 2009-12-30 2012-01-18 马勒三环气门驱动(湖北)有限公司 气门轴向尺寸的控制方法
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
WO2011083671A1 (ja) 2010-01-08 2011-07-14 シャープ株式会社 蛍光体、発光装置およびそれを用いた液晶表示装置
US9631782B2 (en) * 2010-02-04 2017-04-25 Xicato, Inc. LED-based rectangular illumination device
KR101768010B1 (ko) * 2010-02-04 2017-08-14 닛토덴코 가부시키가이샤 발광 세라믹 적층체 및 이를 제조하는 방법
JPWO2011096171A1 (ja) * 2010-02-08 2013-06-10 パナソニック株式会社 発光装置およびこれを用いた面光源装置
KR20110094996A (ko) * 2010-02-18 2011-08-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 그 제조방법 및 조명시스템
US8545721B2 (en) 2010-02-24 2013-10-01 Hyun-seop Shim UV coating composition for LED color conversion
GB2478287A (en) 2010-03-01 2011-09-07 Merck Patent Gmbh Electro-optical switching element and electro-optical display
US8716038B2 (en) 2010-03-02 2014-05-06 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpiece processing systems and associated methods of color correction
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US8632196B2 (en) 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US8562161B2 (en) 2010-03-03 2013-10-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
JP5769290B2 (ja) * 2010-03-03 2015-08-26 国立研究開発法人産業技術総合研究所 照明装置
US8104908B2 (en) * 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
US20110220920A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Brian Thomas Collins Methods of forming warm white light emitting devices having high color rendering index values and related light emitting devices
CN102918665B (zh) * 2010-03-16 2016-06-22 皇家飞利浦电子股份有限公司 照明装置
JP5749327B2 (ja) 2010-03-19 2015-07-15 日東電工株式会社 発光装置用ガーネット系蛍光体セラミックシート
US8324798B2 (en) * 2010-03-19 2012-12-04 Nitto Denko Corporation Light emitting device using orange-red phosphor with co-dopants
KR101666442B1 (ko) * 2010-03-25 2016-10-17 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
US8540401B2 (en) 2010-03-26 2013-09-24 Ilumisys, Inc. LED bulb with internal heat dissipating structures
WO2011119907A2 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Altair Engineering, Inc. Led light tube with dual sided light distribution
EP2553320A4 (en) 2010-03-26 2014-06-18 Ilumisys Inc LED LAMP COMPRISING A THERMOELECTRIC GENERATOR
EP2555261A1 (en) * 2010-03-30 2013-02-06 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device
US8322884B2 (en) 2010-03-31 2012-12-04 Abl Ip Holding Llc Solid state lighting with selective matching of index of refraction
JP5246376B2 (ja) 2010-03-31 2013-07-24 宇部興産株式会社 光変換用セラミック複合体、その製造方法、及びそれを備えた発光装置
CN106190123A (zh) 2010-03-31 2016-12-07 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 磷光体和含有它的leds
US9080729B2 (en) 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US8395312B2 (en) * 2010-04-19 2013-03-12 Bridgelux, Inc. Phosphor converted light source having an additional LED to provide long wavelength light
TWI394827B (zh) * 2010-04-20 2013-05-01 China Glaze Co Ltd 螢光材料與白光發光裝置
TWI374179B (en) * 2010-05-07 2012-10-11 Chi Mei Corp Fluorescent substance and light-emitting device
US8646926B2 (en) 2010-05-14 2014-02-11 Panasonic Corporation LED module, LED lamp, and illuminating apparatus
JP2011242536A (ja) * 2010-05-17 2011-12-01 Canon Inc 表示装置
JP2013534713A (ja) * 2010-05-20 2013-09-05 ダリアン ルミンライト カンパニー，リミティド 引きはがしできる光変換発光フィルム
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
US8596821B2 (en) 2010-06-08 2013-12-03 Cree, Inc. LED light bulbs
JP5323131B2 (ja) 2010-06-09 2013-10-23 信越化学工業株式会社 蛍光粒子及び発光ダイオード並びにこれらを用いた照明装置及び液晶パネル用バックライト装置
CN102277164B (zh) * 2010-06-10 2013-11-06 奇美实业股份有限公司 荧光粉体及发光装置
US8888318B2 (en) 2010-06-11 2014-11-18 Intematix Corporation LED spotlight
US8807799B2 (en) 2010-06-11 2014-08-19 Intematix Corporation LED-based lamps
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
EP2587304B1 (en) 2010-06-22 2019-12-18 Toyobo Co., Ltd. Liquid crystal display device, polarizer and protective film
CN102668135B (zh) 2010-06-24 2016-08-17 首尔伟傲世有限公司 发光二极管
US9371973B2 (en) 2010-06-28 2016-06-21 Shenzhen Liown Electronics Company Ltd. Electronic lighting device and method for manufacturing same
KR101372084B1 (ko) 2010-06-29 2014-03-07 쿨레지 라이팅 인크. 항복형 기판을 갖는 전자 장치
US8454193B2 (en) 2010-07-08 2013-06-04 Ilumisys, Inc. Independent modules for LED fluorescent light tube replacement
JP2012019062A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法
WO2012006289A1 (en) 2010-07-09 2012-01-12 Nitto Denko Corporation Phosphor composition and light emitting device using the same
US8596813B2 (en) 2010-07-12 2013-12-03 Ilumisys, Inc. Circuit board mount for LED light tube
CN102782082A (zh) * 2010-07-14 2012-11-14 日本电气硝子株式会社 荧光体复合部件、led器件和荧光体复合部件的制造方法
US8941135B2 (en) 2010-07-15 2015-01-27 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same
DE102010031755A1 (de) * 2010-07-21 2012-02-09 Merck Patent Gmbh Aluminat-Leuchtstoffe
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
CN102339936B (zh) * 2010-07-27 2015-04-29 展晶科技(深圳)有限公司 发光装置封装结构及其制造方法
CN103053036B (zh) 2010-07-28 2015-11-25 首尔伟傲世有限公司 具有分布式布拉格反射器的发光二极管
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
KR20170124614A (ko) 2010-08-04 2017-11-10 우베 고산 가부시키가이샤 규질화물 형광체용 질화규소 분말 그리고 그것을 이용한 CaAlSiN3계 형광체, Sr2Si5N8계 형광체, (Sr, Ca)AlSiN3계 형광체 및 La3Si6N11계 형광체, 및 그 제조 방법
CN102376860A (zh) 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
US8946998B2 (en) 2010-08-09 2015-02-03 Intematix Corporation LED-based light emitting systems and devices with color compensation
US8852455B2 (en) 2010-08-17 2014-10-07 Intematix Corporation Europium-activated, beta-SiAlON based green phosphors
US9441811B2 (en) 2010-08-20 2016-09-13 Research Triangle Institute Lighting devices utilizing optical waveguides and remote light converters, and related methods
EP2606275A2 (en) 2010-08-20 2013-06-26 Research Triangle Institute, International Color-tunable lighting devices and methods for tunning color output of lighting devices
WO2012024591A1 (en) 2010-08-20 2012-02-23 Research Triangle Institute, International Photoluminescent nanofiber composites, methods for fabrication, and related lighting devices
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
EP2426186B1 (en) 2010-09-03 2016-03-23 Stcube, Inc. Led light converting resin composition and led member using the same
TWI486254B (zh) 2010-09-20 2015-06-01 Nitto Denko Corp 發光陶瓷層板及其製造方法
DE102010041236A1 (de) 2010-09-23 2012-03-29 Osram Ag Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US8354784B2 (en) 2010-09-28 2013-01-15 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US8604678B2 (en) 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
KR20130139938A (ko) 2010-10-05 2013-12-23 인터매틱스 코포레이션 포토루미네센스 파장 변환을 구비한 고체상태 발광 디바이스 및 표지판
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
DE102010042217A1 (de) 2010-10-08 2012-04-12 Osram Ag Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US8729559B2 (en) 2010-10-13 2014-05-20 Soraa, Inc. Method of making bulk InGaN substrates and devices thereon
US8846172B2 (en) 2010-10-18 2014-09-30 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same
US9399733B2 (en) 2010-10-22 2016-07-26 Anatoly Vasilyevich Vishnyakov Luminescent material for solid-state sources of white light
US8523394B2 (en) 2010-10-29 2013-09-03 Ilumisys, Inc. Mechanisms for reducing risk of shock during installation of light tube
WO2012057330A1 (ja) * 2010-10-29 2012-05-03 株式会社光波 発光装置
JP5545866B2 (ja) * 2010-11-01 2014-07-09 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US8329484B2 (en) * 2010-11-02 2012-12-11 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Phosphor with Ce3+/Ce3+, Li+ doped luminescent materials
CN102456294A (zh) * 2010-11-02 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 Led显示装置
DE102010050832A1 (de) 2010-11-09 2012-05-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzkonversionselement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil mit Lumineszenzkonversionselement
US8651681B2 (en) 2010-11-10 2014-02-18 Osram Sylvania Inc. Luminescent ceramic converter and LED containing same
US20150188002A1 (en) * 2010-11-11 2015-07-02 Auterra, Inc. Light emitting devices having rare earth and transition metal activated phosphors and applications thereof
CN102097571A (zh) * 2010-11-16 2011-06-15 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 一种黄绿光二极管、背光源、手机及照明指示装置
WO2012066425A2 (en) 2010-11-16 2012-05-24 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same
US9638396B2 (en) 2010-11-18 2017-05-02 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Wavelength conversion element and light source provided with same
KR20120054484A (ko) * 2010-11-19 2012-05-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이의 제조방법
TWI460892B (zh) * 2010-11-19 2014-11-11 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構
US8343785B2 (en) * 2010-11-30 2013-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Nitridosilicate phosphor tunable light-emitting diodes by using UV and blue chips
US8816377B2 (en) 2010-11-30 2014-08-26 Panasonic Corporation Phosphor and light emitting device
CN103347982B (zh) * 2010-12-01 2016-05-25 日东电工株式会社 具有掺杂浓度梯度的发射性陶瓷材料及其制造方法和使用方法
US20120138874A1 (en) 2010-12-02 2012-06-07 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion and photoluminescent compositions therefor
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
US8870415B2 (en) 2010-12-09 2014-10-28 Ilumisys, Inc. LED fluorescent tube replacement light with reduced shock hazard
US9074126B2 (en) 2010-12-16 2015-07-07 Ube Industries, Ltd. Ceramic composite for light conversion
US8867295B2 (en) 2010-12-17 2014-10-21 Enpirion, Inc. Power converter for a memory module
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
CN103384794B (zh) 2010-12-23 2018-05-29 三星电子株式会社 包含量子点的光学元件
KR101340552B1 (ko) * 2010-12-31 2013-12-11 제일모직주식회사 모바일 폰의 모듈 조립 방법
CN102140690B (zh) * 2010-12-31 2013-05-01 陈哲艮 光致发光晶片及其制备方法和应用
US9617469B2 (en) 2011-01-06 2017-04-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor particles, making method, and light-emitting diode
US8865022B2 (en) 2011-01-06 2014-10-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor particles and making method
US8354684B2 (en) 2011-01-09 2013-01-15 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in an interconnect structure
US8389957B2 (en) 2011-01-14 2013-03-05 Lumencor, Inc. System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system
US8466436B2 (en) 2011-01-14 2013-06-18 Lumencor, Inc. System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system
JP5445473B2 (ja) 2011-01-14 2014-03-19 信越化学工業株式会社 光学材料形成用シリコーン樹脂組成物及び光学材料
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
KR101210066B1 (ko) 2011-01-31 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 이를 포함하는 표시장치
US9508904B2 (en) 2011-01-31 2016-11-29 Cree, Inc. Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background
US9068701B2 (en) 2012-01-26 2015-06-30 Cree, Inc. Lamp structure with remote LED light source
US9234655B2 (en) 2011-02-07 2016-01-12 Cree, Inc. Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
JP5654378B2 (ja) * 2011-02-18 2015-01-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
JP6133791B2 (ja) 2011-02-24 2017-05-24 日東電工株式会社 蛍光体成分を有する発光複合材
TWI431813B (zh) * 2011-02-24 2014-03-21 Genesis Photonics Inc Light emitting diode components
TWM407494U (en) * 2011-02-25 2011-07-11 Unity Opto Technology Co Ltd LED package structure
US20130329448A1 (en) * 2011-03-01 2013-12-12 Osram Gmbh Lighting apparatus with phosphor element
US8278806B1 (en) 2011-03-02 2012-10-02 Osram Sylvania Inc. LED reflector lamp
JP2012182376A (ja) * 2011-03-02 2012-09-20 Stanley Electric Co Ltd 波長変換部材および光源装置
US9085732B2 (en) 2011-03-11 2015-07-21 Intematix Corporation Millisecond decay phosphors for AC LED lighting applications
EP3176839B1 (en) 2011-03-15 2019-07-17 Kabushiki Kaisha Toshiba White light source
US9004705B2 (en) 2011-04-13 2015-04-14 Intematix Corporation LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion
KR101337999B1 (ko) * 2011-04-20 2013-12-06 조성매 단일상 형광체를 포함하는 백색 발광 다이오드
CN102563543B (zh) 2011-05-09 2015-01-07 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 基于光波长转换产生高亮度单色光的方法及光源
WO2013019299A2 (en) 2011-05-11 2013-02-07 Qd Vision, Inc. Method for processing devices including quantum dots and devices
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
WO2012157663A1 (ja) * 2011-05-18 2012-11-22 東洋紡株式会社 液晶表示装置、偏光板および偏光子保護フィルム
CN102305370B (zh) * 2011-05-18 2013-04-17 福建华映显示科技有限公司 背光模块及选取暨配置背光模块的发光组件的方法
EP2711748A4 (en) * 2011-05-18 2014-12-03 Toyo Boseki POLARIZING PLATE FOR A LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE FOR DISPLAYING THREE-DIMENSIONAL IMAGES AND A LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
US8860056B2 (en) 2011-12-01 2014-10-14 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Structure and method for LED with phosphor coating
US8747697B2 (en) * 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
TWI467808B (zh) * 2011-06-27 2015-01-01 Delta Electronics Inc 發光二極體元件、其製作方法以及發光裝置
US8663501B2 (en) 2011-06-29 2014-03-04 General Electric Company Green emitting phosphor
JP5588520B2 (ja) 2011-07-04 2014-09-10 パナソニック株式会社 プラズマディスプレイパネル
JP5672619B2 (ja) 2011-07-05 2015-02-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 希土類アルミニウムガーネットタイプ蛍光体およびこれを用いた発光装置
US8492185B1 (en) 2011-07-14 2013-07-23 Soraa, Inc. Large area nonpolar or semipolar gallium and nitrogen containing substrate and resulting devices
KR101305696B1 (ko) 2011-07-14 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 표시장치 및 광학 부재
KR20130009020A (ko) 2011-07-14 2013-01-23 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101262520B1 (ko) 2011-07-18 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101893494B1 (ko) 2011-07-18 2018-08-30 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101241549B1 (ko) 2011-07-18 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101294415B1 (ko) 2011-07-20 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
JP5396439B2 (ja) * 2011-07-22 2014-01-22 学校法人慶應義塾 液晶表示装置の視認性改善方法、及びそれを用いた液晶表示装置
JP5559108B2 (ja) * 2011-08-05 2014-07-23 株式会社東芝 半導体発光装置
WO2013024910A1 (ko) * 2011-08-16 2013-02-21 삼성전자주식회사 색온도 조절이 가능한 ｌｅｄ 장치
WO2013026053A1 (en) 2011-08-18 2013-02-21 Lynk Labs, Inc. Devices and systems having ac led circuits and methods of driving the same
US9072171B2 (en) 2011-08-24 2015-06-30 Ilumisys, Inc. Circuit board mount for LED light
KR101823930B1 (ko) 2011-08-29 2018-01-31 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 어레이 및 발광소자 패키지 제조 방법
JP5899485B2 (ja) * 2011-08-29 2016-04-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法
EP3567989A1 (en) 2011-09-02 2019-11-13 Citizen Electronics Co., Ltd. Illumination method and light-emitting device
EP2753151A4 (en) 2011-09-02 2016-05-18 Citizen Electronics LIGHTING METHOD AND LIGHT EMITTING DEVICE
CN103827576B (zh) * 2011-09-08 2018-02-09 Lg伊诺特有限公司 发光模组
US8410508B1 (en) 2011-09-12 2013-04-02 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method
US8492746B2 (en) 2011-09-12 2013-07-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) dice having wavelength conversion layers
US8841146B2 (en) 2011-09-12 2014-09-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method and system for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers having controlled color characteristics
US8912021B2 (en) 2011-09-12 2014-12-16 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. System and method for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers
DE102011113802A1 (de) 2011-09-20 2013-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Modul mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
US10688527B2 (en) 2011-09-22 2020-06-23 Delta Electronics, Inc. Phosphor device comprising plural phosphor agents for converting waveband light into plural color lights with different wavelength peaks
US10310363B2 (en) 2011-09-22 2019-06-04 Delta Electronics, Inc. Phosphor device with spectrum of converted light comprising at least a color light
TWI448806B (zh) 2011-09-22 2014-08-11 Delta Electronics Inc 螢光劑裝置及其所適用之光源系統及投影設備
JP5690696B2 (ja) 2011-09-28 2015-03-25 富士フイルム株式会社 平版印刷版の製版方法
US20130088848A1 (en) 2011-10-06 2013-04-11 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
US8992051B2 (en) 2011-10-06 2015-03-31 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
JP6312596B2 (ja) 2011-10-13 2018-04-18 インテマティックス・コーポレーションＩｎｔｅｍａｔｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 固体発光デバイス及びランプのためのフォトルミネセンス波長変換コンポーネント
US9115868B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Intematix Corporation Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion
US9365766B2 (en) 2011-10-13 2016-06-14 Intematix Corporation Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion
US9694158B2 (en) 2011-10-21 2017-07-04 Ahmad Mohamad Slim Torque for incrementally advancing a catheter during right heart catheterization
US10029955B1 (en) 2011-10-24 2018-07-24 Slt Technologies, Inc. Capsule for high pressure, high temperature processing of materials and methods of use
CN102495495B (zh) 2011-10-28 2015-03-11 友达光电股份有限公司 具可透视性的显示装置及其使用的影像显示方法
KR101251815B1 (ko) * 2011-11-07 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
US8591072B2 (en) 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
US9864121B2 (en) 2011-11-22 2018-01-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Stress-resistant component for use with quantum dots
WO2013082609A1 (en) 2011-12-02 2013-06-06 Lynk Labs, Inc. Color temperature controlled and low thd led lighting devices and systems and methods of driving the same
EP2607449B1 (en) * 2011-12-22 2014-04-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of yttrium-cerium-aluminum garnet phosphor
JP5712916B2 (ja) * 2011-12-22 2015-05-07 信越化学工業株式会社 イットリウムセリウムアルミニウムガーネット蛍光体及び発光装置
CN103173217B (zh) * 2011-12-23 2017-03-01 李建立 耐温氮化物荧光材料及含有其的发光装置
US8482104B2 (en) 2012-01-09 2013-07-09 Soraa, Inc. Method for growth of indium-containing nitride films
US8967811B2 (en) 2012-01-20 2015-03-03 Lumencor, Inc. Solid state continuous white light source
WO2013112542A1 (en) 2012-01-25 2013-08-01 Intematix Corporation Long decay phosphors for lighting applications
CN103347983B (zh) 2012-02-08 2015-08-12 松下电器产业株式会社 钇铝石榴石型荧光体
JP5391339B1 (ja) 2012-02-08 2014-01-15 パナソニック株式会社 白色系発光装置
JP5893429B2 (ja) * 2012-02-21 2016-03-23 スタンレー電気株式会社 メタンガスセンサ用蛍光体、メタンガスセンサ用光源及びメタンガスセンサ
DE102012202927B4 (de) 2012-02-27 2021-06-10 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
WO2013131002A1 (en) 2012-03-02 2013-09-06 Ilumisys, Inc. Electrical connector header for an led-based light
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
JP2015510954A (ja) 2012-03-06 2015-04-13 日東電工株式会社 発光デバイス用のセラミック体
US9581311B2 (en) * 2012-03-12 2017-02-28 L-3 Communications Corporation Backlight display using photoluminescent material tuned to improve NVIS compatibility
US9068717B2 (en) * 2012-03-12 2015-06-30 L-3 Communications Corporation Backlight display using photoluminescent material tuned to improve NVIS compatibility
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
US9611426B2 (en) 2012-03-30 2017-04-04 Ube Industries, Ltd. Ceramic composite for light conversion and light-emitting device using same
US9800016B1 (en) 2012-04-05 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US10559939B1 (en) 2012-04-05 2020-02-11 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
JP2015121569A (ja) * 2012-04-16 2015-07-02 シャープ株式会社 表示装置
CN109828416A (zh) 2012-04-20 2019-05-31 默克专利股份有限公司 电光切换元件和电光显示装置
EP3240052A1 (en) 2012-04-26 2017-11-01 Intematix Corporation Methods and apparatus for implementing color consistency in remote wavelength conversion
US8907809B2 (en) * 2012-05-03 2014-12-09 Abl Ip Holding Llc Visual perception and acuity disruption techniques and systems
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
CN104364346A (zh) 2012-05-07 2015-02-18 帕夫莱·拉多万诺维奇 发光材料及其生产方法
WO2013172025A1 (ja) 2012-05-16 2013-11-21 パナソニック株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたｌｅｄ素子および半導体レーザ発光装置
CN103563108B (zh) 2012-05-22 2016-09-28 松下知识产权经营株式会社 波长变换元件及其制造方法和使用波长变换元件的led元件及半导体激光发光装置
JP5861115B2 (ja) 2012-05-31 2016-02-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュールおよびその製造方法、照明器具
JP5304939B1 (ja) 2012-05-31 2013-10-02 大日本印刷株式会社 光学積層体、偏光板、偏光板の製造方法、画像表示装置、画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の視認性改善方法
US10145026B2 (en) 2012-06-04 2018-12-04 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules
US8877561B2 (en) 2012-06-07 2014-11-04 Cooledge Lighting Inc. Methods of fabricating wafer-level flip chip device packages
JP5789564B2 (ja) * 2012-06-11 2015-10-07 学校法人慶應義塾 液晶表示装置の視認性改善方法、及びそれを用いた液晶表示装置
US9022631B2 (en) 2012-06-13 2015-05-05 Innotec Corp. Flexible light pipe
KR20130140462A (ko) 2012-06-14 2013-12-24 삼성디스플레이 주식회사 포토루미네슨스 표시 장치
US9217561B2 (en) 2012-06-15 2015-12-22 Lumencor, Inc. Solid state light source for photocuring
US9857519B2 (en) 2012-07-03 2018-01-02 Oree Advanced Illumination Solutions Ltd. Planar remote phosphor illumination apparatus
US9163794B2 (en) 2012-07-06 2015-10-20 Ilumisys, Inc. Power supply assembly for LED-based light tube
US9271367B2 (en) 2012-07-09 2016-02-23 Ilumisys, Inc. System and method for controlling operation of an LED-based light
US8994056B2 (en) 2012-07-13 2015-03-31 Intematix Corporation LED-based large area display
JP2014170895A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Mitsubishi Chemicals Corp 波長変換部材及びこれを用いた発光装置
JP2014130998A (ja) * 2012-07-20 2014-07-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、波長変換部材、蛍光体組成物、及び蛍光体混合物
TWI563690B (en) * 2012-07-20 2016-12-21 Mitsubishi Eng Plastics Corp A wavelength conversion member and application thereof
JP2014019860A (ja) 2012-07-24 2014-02-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 蛍光体前駆体の製造方法、蛍光体の製造方法及び波長変換部品
US9275912B1 (en) 2012-08-30 2016-03-01 Soraa, Inc. Method for quantification of extended defects in gallium-containing nitride crystals
WO2014034228A1 (ja) 2012-08-31 2014-03-06 三菱化学株式会社 照明方法及び発光装置
KR101629622B1 (ko) 2012-09-28 2016-06-21 샤프 가부시키가이샤 형광체 함유 봉지재의 제조 방법, 발광 장치의 제조 방법 및 디스펜서
US9299555B1 (en) 2012-09-28 2016-03-29 Soraa, Inc. Ultrapure mineralizers and methods for nitride crystal growth
RU2533709C2 (ru) * 2012-10-05 2014-11-20 Общество с ограниченной ответственностью "Минерал" Монокристаллический люминофорный материал для светодиодов белого света
EP2733190B1 (en) 2012-11-16 2020-01-01 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor composition and light emitting device package having the same
DE102012220980A1 (de) 2012-11-16 2014-05-22 Osram Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement
WO2014091539A1 (ja) * 2012-12-10 2014-06-19 株式会社エルム 発光装置、ｌｅｄ照明装置、および、前記発光装置に用いられる蛍光体含有フィルム片の製造方法
TWM450828U (zh) * 2012-12-14 2013-04-11 Litup Technology Co Ltd 熱電分離的發光二極體模組和相關的散熱載板
US9437788B2 (en) * 2012-12-19 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) component comprising a phosphor with improved excitation properties
WO2014097527A1 (ja) 2012-12-20 2014-06-26 パナソニック株式会社 希土類アルミニウムガーネットタイプ無機酸化物、蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP6089686B2 (ja) * 2012-12-25 2017-03-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
US9474116B2 (en) 2013-01-03 2016-10-18 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Minimized color shift lighting arrangement during dimming
TW201428087A (zh) 2013-01-11 2014-07-16 kai-xiong Cai 發光裝置及其耐溫碳化物螢光材料
TW201429009A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 Ecocera Optronics Co Ltd 發光二極體裝置及散熱基板的製造方法
CN103943759B (zh) 2013-01-21 2018-04-27 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 包括发光含钆材料的物件及其形成工艺
US9217543B2 (en) 2013-01-28 2015-12-22 Intematix Corporation Solid-state lamps with omnidirectional emission patterns
DE102013100888A1 (de) * 2013-01-29 2014-07-31 Schott Ag Licht-Konzentrator oder -Verteiler
US8754435B1 (en) 2013-02-19 2014-06-17 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED package and related methods
US8933478B2 (en) 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
CN104885571B (zh) 2013-03-04 2017-06-09 西铁城电子株式会社 发光装置、发光装置的设计方法、发光装置的驱动方法、照明方法和发光装置的制造方法
JP6008307B2 (ja) 2013-03-08 2016-10-19 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 希土類アルミニウムガーネットタイプ無機酸化物、蛍光体及びこれを用いた発光装置
US9754807B2 (en) * 2013-03-12 2017-09-05 Applied Materials, Inc. High density solid state light source array
US9285084B2 (en) 2013-03-14 2016-03-15 Ilumisys, Inc. Diffusers for LED-based lights
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
EP2973751A4 (en) 2013-03-15 2016-11-16 Gary Wayne Jones CONVERSION DEVICE FOR SPECTRAL ENVIRONMENTAL LIGHT
TWI627371B (zh) * 2013-03-15 2018-06-21 英特曼帝克司公司 光致發光波長轉換組件
JP5698779B2 (ja) * 2013-03-18 2015-04-08 オリンパス株式会社 光源装置を有する内視鏡装置
JP5718398B2 (ja) * 2013-03-18 2015-05-13 オリンパス株式会社 内視鏡装置
JP5698780B2 (ja) * 2013-03-18 2015-04-08 オリンパス株式会社 光源装置およびそれを備えた内視鏡装置
CZ2013301A3 (cs) 2013-04-22 2014-07-16 Crytur Spol. S R. O. Dioda emitující bílé světlo s monokrystalickým luminoforem a způsob výroby
CN105308763B (zh) * 2013-04-25 2018-06-19 亮锐控股有限公司 发光二极管组件
JP6167913B2 (ja) 2013-04-26 2017-07-26 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP6102763B2 (ja) 2013-04-26 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
US8941295B2 (en) 2013-04-29 2015-01-27 Kai-Shon Tsai Fluorescent material and illumination device
US9231168B2 (en) 2013-05-02 2016-01-05 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure
JP2013179335A (ja) * 2013-05-08 2013-09-09 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光素子
CN105283524B (zh) * 2013-05-21 2017-05-24 中央硝子株式会社 宽频带发光材料和白色光发光材料
US9704834B2 (en) 2013-05-28 2017-07-11 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing light-emitting device
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
CN105324860A (zh) * 2013-06-18 2016-02-10 夏普株式会社 发光装置
KR102098589B1 (ko) 2013-07-04 2020-04-09 삼성전자주식회사 파장변환부재 및 그 제조방법과, 이를 구비한 반도체 발광장치
CN104332539B (zh) 2013-07-22 2017-10-24 中国科学院福建物质结构研究所 GaN基LED外延结构及其制造方法
TW201508207A (zh) * 2013-08-27 2015-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 車燈模組
US9863595B2 (en) 2013-08-28 2018-01-09 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting unit with optical plate reflecting excitation light and transmitting fluorescent light, and light-emitting device, illumination device, and vehicle headlight including the unit
JP6139334B2 (ja) * 2013-08-28 2017-05-31 東芝マテリアル株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びにその蛍光体を用いたｌｅｄランプ
KR102106143B1 (ko) 2013-09-02 2020-05-04 대주전자재료 주식회사 적색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
US9840666B2 (en) 2013-09-30 2017-12-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor having inorganic oxide with cerium and terbium activators, light-emitting device illumination light source, and illumination device using same
BR112016007234B1 (pt) 2013-10-08 2022-02-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Fósforo para emissão de luz vermelha e seu processo de produção
US9267650B2 (en) 2013-10-09 2016-02-23 Ilumisys, Inc. Lens for an LED-based light
JP6384893B2 (ja) 2013-10-23 2018-09-05 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
JP5620562B1 (ja) 2013-10-23 2014-11-05 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
FR3012677B1 (fr) * 2013-10-25 2015-12-25 Commissariat Energie Atomique Dispositif emissif lumineux, dispositif et procede d'ajustement d'une emission lumineuse d'une diode electroluminescente a phosphore
JP6609554B2 (ja) 2013-11-13 2019-11-20 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 青緑色蛍光体、それを含む発光素子パッケージ及び照明装置
US9499740B2 (en) 2013-11-22 2016-11-22 Nitto Denko Corporation Light extraction element
US9551468B2 (en) 2013-12-10 2017-01-24 Gary W. Jones Inverse visible spectrum light and broad spectrum light source for enhanced vision
US10288233B2 (en) 2013-12-10 2019-05-14 Gary W. Jones Inverse visible spectrum light and broad spectrum light source for enhanced vision
JP6222452B2 (ja) 2013-12-17 2017-11-01 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
EP3091585A4 (en) 2013-12-27 2017-07-26 Citizen Electronics Co., Ltd Light-emitting device and method for designing light emitting device
WO2015099115A1 (ja) 2013-12-27 2015-07-02 三菱化学株式会社 発光装置及び発光装置の設計方法
EP3097748A1 (en) 2014-01-22 2016-11-30 iLumisys, Inc. Led-based light with addressed leds
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
JP6528418B2 (ja) 2014-01-29 2019-06-12 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置
CN103779488A (zh) * 2014-01-31 2014-05-07 芜湖市神龙新能源科技有限公司 一种白色led灯光电玻璃
JP6038824B2 (ja) 2014-02-07 2016-12-07 信越化学工業株式会社 硬化性組成物、半導体装置、及びエステル結合含有有機ケイ素化合物
KR101501020B1 (ko) * 2014-02-17 2015-03-13 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
US9360188B2 (en) 2014-02-20 2016-06-07 Cree, Inc. Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements
KR102219263B1 (ko) 2014-02-28 2021-02-24 대주전자재료 주식회사 산질화물계 적색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
US9442245B2 (en) * 2014-03-13 2016-09-13 Norman Napaul Pepin Light scaffold electric arc sound effect
US9680067B2 (en) 2014-03-18 2017-06-13 GE Lighting Solutions, LLC Heavily phosphor loaded LED packages having higher stability
US9590148B2 (en) 2014-03-18 2017-03-07 GE Lighting Solutions, LLC Encapsulant modification in heavily phosphor loaded LED packages for improved stability
JP2015199640A (ja) 2014-04-01 2015-11-12 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いてなる発光デバイス
KR102213650B1 (ko) 2014-04-18 2021-02-08 대주전자재료 주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
US9241384B2 (en) 2014-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state lighting devices with adjustable color point
US9593812B2 (en) 2014-04-23 2017-03-14 Cree, Inc. High CRI solid state lighting devices with enhanced vividness
US9510400B2 (en) 2014-05-13 2016-11-29 Ilumisys, Inc. User input systems for an LED-based light
US9215761B2 (en) 2014-05-15 2015-12-15 Cree, Inc. Solid state lighting devices with color point non-coincident with blackbody locus
CN103980902A (zh) * 2014-05-21 2014-08-13 烟台建塬光电技术有限公司 掺杂Ga、Bi的铝酸盐绿色荧光粉及其制备方法
JP2016027613A (ja) 2014-05-21 2016-02-18 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いた発光装置
US9318670B2 (en) 2014-05-21 2016-04-19 Intematix Corporation Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements
DE102014107321B4 (de) 2014-05-23 2019-06-27 Tailorlux Gmbh Infrarot LED
KR101476217B1 (ko) 2014-05-28 2014-12-24 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
US9192013B1 (en) 2014-06-06 2015-11-17 Cree, Inc. Lighting devices with variable gamut
US9515056B2 (en) 2014-06-06 2016-12-06 Cree, Inc. Solid state lighting device including narrow spectrum emitter
JP6406109B2 (ja) 2014-07-08 2018-10-17 日亜化学工業株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法
KR101467808B1 (ko) 2014-07-14 2014-12-03 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
US20160064630A1 (en) * 2014-08-26 2016-03-03 Texas Instruments Incorporated Flip chip led package
KR102275147B1 (ko) 2014-09-12 2021-07-09 대주전자재료 주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 이용한 발광 장치
US9528876B2 (en) 2014-09-29 2016-12-27 Innovative Science Tools, Inc. Solid state broad band near-infrared light source
RU2684998C2 (ru) * 2014-09-30 2019-04-16 ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи Устройство подсветки и система освещения для транспортного средства (варианты)
CN105567236B (zh) * 2014-10-15 2018-07-20 有研稀土新材料股份有限公司 石榴石型荧光粉和制备方法及包含该荧光粉的装置
WO2016086180A1 (en) 2014-11-26 2016-06-02 Ledengin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
US9701411B2 (en) * 2014-12-10 2017-07-11 Airbus Operations Gmbh Evacuation slide with a guidance marking
JP6486099B2 (ja) * 2014-12-19 2019-03-20 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光モジュール
JP6514510B2 (ja) * 2015-01-14 2019-05-15 株式会社小糸製作所 車両用灯具
US9702524B2 (en) 2015-01-27 2017-07-11 Cree, Inc. High color-saturation lighting devices
US9530944B2 (en) 2015-01-27 2016-12-27 Cree, Inc. High color-saturation lighting devices with enhanced long wavelength illumination
EP3828250A1 (en) 2015-02-26 2021-06-02 Saint-Gobain Cristaux & Detecteurs Scintillation crystal including a co-doped rare earth silicate, a radiation detection apparatus including the scintillation crystal, and a process of forming the same
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
US9681510B2 (en) 2015-03-26 2017-06-13 Cree, Inc. Lighting device with operation responsive to geospatial position
EP4273944A3 (en) 2015-04-02 2024-02-07 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
US9509217B2 (en) 2015-04-20 2016-11-29 Altera Corporation Asymmetric power flow controller for a power converter and method of operating the same
US9974138B2 (en) 2015-04-21 2018-05-15 GE Lighting Solutions, LLC Multi-channel lamp system and method with mixed spectrum
US9943042B2 (en) 2015-05-18 2018-04-17 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Grow light embodying power delivery and data communications features
US10161568B2 (en) 2015-06-01 2018-12-25 Ilumisys, Inc. LED-based light with canted outer walls
US9900957B2 (en) 2015-06-11 2018-02-20 Cree, Inc. Lighting device including solid state emitters with adjustable control
WO2016199406A1 (ja) 2015-06-12 2016-12-15 株式会社 東芝 蛍光体およびその製造方法、ならびにｌｅｄランプ
CN106328008B (zh) * 2015-06-30 2019-03-22 光宝光电(常州)有限公司 胶体填充至壳体的制法、发光二极管的数字显示器及制法
JP6544082B2 (ja) * 2015-06-30 2019-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE112016003272T5 (de) * 2015-07-22 2018-04-05 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Granatverbindung und Verfahren zu deren Herstellung, lichtemittierende Vorrichtung und Dekorgegenstand, bei denen die Granatverbindung verwendet wird, und Verfahren zur Verwendung der Granatverbindung
CN106501994B (zh) * 2015-09-08 2021-10-29 青岛海信电器股份有限公司 一种量子点发光器件、背光模组及显示装置
US9844116B2 (en) 2015-09-15 2017-12-12 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
US9788387B2 (en) 2015-09-15 2017-10-10 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
EP3356724A4 (en) 2015-09-29 2019-04-17 Cabatech, LLC LUMINAIRES FOR GARDENING
JP2017107071A (ja) 2015-12-10 2017-06-15 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び波長変換素子、並びにそれらを用いた発光装置
JP6681581B2 (ja) * 2015-12-21 2020-04-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置
US10354938B2 (en) 2016-01-12 2019-07-16 Greentech LED Lighting device using short thermal path cooling technology and other device cooling by placing selected openings on heat sinks
US11021610B2 (en) 2016-01-14 2021-06-01 Basf Se Perylene bisimides with rigid 2,2′-biphenoxy bridges
WO2017154830A1 (ja) 2016-03-08 2017-09-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体及び発光装置
EP3428697B1 (en) 2016-03-10 2023-03-01 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting device
CN108780831B (zh) * 2016-03-10 2022-01-11 亮锐控股有限公司 Led模块
US10054485B2 (en) 2016-03-17 2018-08-21 Raytheon Company UV LED-phosphor based hyperspectral calibrator
WO2017200097A1 (ja) 2016-05-20 2017-11-23 株式会社 東芝 白色光源
JP2018003006A (ja) 2016-06-24 2018-01-11 パナソニック株式会社 蛍光体およびその製造方法、ならびに発光装置
JP6880528B2 (ja) 2016-06-27 2021-06-02 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いてなる発光デバイス
JP6906277B2 (ja) 2016-06-27 2021-07-21 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いてなる発光デバイス
US10611959B2 (en) 2016-08-29 2020-04-07 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor and light emitting device
US10595376B2 (en) 2016-09-13 2020-03-17 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
CN109997182B (zh) * 2016-09-14 2022-11-15 路创技术有限责任公司 用于调节模拟输出中的周期性改变的照明设备和方法
JP2018058383A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 トヨタ自動車株式会社 車両下部構造
US11441036B2 (en) 2016-10-06 2022-09-13 Basf Se 2-phenylphenoxy-substituted perylene bisimide compounds and their use
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
KR101961030B1 (ko) * 2016-11-18 2019-03-22 효성화학 주식회사 휘도 향상 필름과 그 제조방법
EP3545043A1 (en) 2016-11-28 2019-10-02 Merck Patent GmbH Composition comprising a nanosized light emitting material
CN110036089B (zh) 2016-12-07 2022-08-30 神岛化学工业株式会社 陶瓷组合物
TW201828505A (zh) * 2017-01-20 2018-08-01 聯京光電股份有限公司 光電封裝體及其製造方法
US10451229B2 (en) 2017-01-30 2019-10-22 Ideal Industries Lighting Llc Skylight fixture
US10465869B2 (en) 2017-01-30 2019-11-05 Ideal Industries Lighting Llc Skylight fixture
US10174438B2 (en) 2017-03-30 2019-01-08 Slt Technologies, Inc. Apparatus for high pressure reaction
DE102017108136B4 (de) 2017-04-13 2019-03-14 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Geometrisch geformte Bauelemente in einer Anordnung für einen Überführungsdruck (Transfer Print) und zugehörige Verfahren
JP6917179B2 (ja) * 2017-04-18 2021-08-11 スタンレー電気株式会社 白色発光装置
TWI672638B (zh) 2017-05-04 2019-09-21 宏達國際電子股份有限公司 影像處理方法、非暫態電腦可讀取媒體以及影像處理系統
JP6863071B2 (ja) * 2017-05-19 2021-04-21 日亜化学工業株式会社 希土類アルミニウム・ガリウム酸塩の組成を有する蛍光体及び発光装置
DE102017116936A1 (de) * 2017-07-26 2019-01-31 Ledvance Gmbh Verbindung eines elektrischen Leitelements mit einer Leiterplatte eines Leuchtmittels
US11079077B2 (en) 2017-08-31 2021-08-03 Lynk Labs, Inc. LED lighting system and installation methods
EP4235298A3 (en) * 2017-09-20 2023-10-11 Materion Precision Optics (Shanghai) Limited Phosphor wheel with inorganic binder
JP7022367B2 (ja) 2017-09-27 2022-02-18 日本電気硝子株式会社 波長変換材料に用いられるガラス、波長変換材料、波長変換部材及び発光デバイス
JP7002275B2 (ja) * 2017-10-03 2022-02-21 株式会社小糸製作所 車両用灯具
KR102428755B1 (ko) * 2017-11-24 2022-08-02 엘지디스플레이 주식회사 파장 변환이 가능한 광섬유 및 이를 사용하는 백라이트 유닛
JP7268315B2 (ja) 2017-12-12 2023-05-08 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びその製造方法、並びに発光装置
US11236101B2 (en) 2017-12-19 2022-02-01 Basf Se Cyanoaryl substituted benz(othi)oxanthene compounds
CN108264234A (zh) * 2018-01-11 2018-07-10 武汉理工大学 一种嵌有GYAGG：Ce微晶相的闪烁微晶玻璃及其制备方法
US20190219874A1 (en) * 2018-01-16 2019-07-18 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight module and display device
US11072555B2 (en) 2018-03-02 2021-07-27 Coorstek Kk Glass member
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
TWI821256B (zh) 2018-03-20 2023-11-11 德商巴地斯顏料化工廠 黃光發射裝置、其用途及提供黃光之方法
US20210118855A1 (en) * 2018-05-17 2021-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
IT201900009681A1 (it) 2019-06-20 2020-12-20 Tlpicoglass Srl Sistema di proiezione di immagini
EP3588187A1 (en) 2018-06-22 2020-01-01 Sunland Optics Srl An image projection system
WO2020012923A1 (ja) 2018-07-12 2020-01-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源装置、プロジェクタ及び車両
WO2020031598A1 (ja) * 2018-08-07 2020-02-13 三井金属鉱業株式会社 光拡散部材、並びにこれを用いた光拡散構造体及び発光構造体
DE102018213377A1 (de) * 2018-08-09 2020-02-13 Robert Bosch Gmbh Spektrometer und Verfahren zur Kalibrierung des Spektrometers
DE112019004568T5 (de) 2018-09-12 2021-05-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wellenlängenumwandlungselement, lichtquellenvorrichtung, bei der dieses verwendet wird, projektor und fahrzeug
DE102018217889B4 (de) 2018-10-18 2023-09-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gelber Leuchtstoff und Konversions-LED
RU192820U1 (ru) * 2018-11-13 2019-10-02 Василий Сергеевич Евтеев Свето-информационное устройство
JP2022515966A (ja) * 2018-11-15 2022-02-24 レヴィン，ディーン 流体の発光デカンテーション装置および流体の光処理方法
CN111286330A (zh) 2018-12-06 2020-06-16 松下知识产权经营株式会社 荧光体及使用了它的半导体发光装置
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
JP2020106831A (ja) 2018-12-27 2020-07-09 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光装置
US11466384B2 (en) 2019-01-08 2022-10-11 Slt Technologies, Inc. Method of forming a high quality group-III metal nitride boule or wafer using a patterned substrate
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
JP7145096B2 (ja) 2019-02-12 2022-09-30 信越化学工業株式会社 微小構造体移載装置、スタンプヘッドユニット、微小構造体移載用スタンプ部品及び微小構造体集積部品の移載方法
US20220187519A1 (en) 2019-04-18 2022-06-16 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Wavelength conversion member, production method therefor, and light-emitting device
WO2020213455A1 (ja) 2019-04-18 2020-10-22 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びその製造方法、並びに発光装置
US11313671B2 (en) 2019-05-28 2022-04-26 Mitutoyo Corporation Chromatic confocal range sensing system with enhanced spectrum light source configuration
RU2720046C1 (ru) * 2019-07-17 2020-04-23 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" Светодиодная гетероструктура с квантовыми ямами комбинированного профиля
RU195810U1 (ru) * 2019-09-27 2020-02-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) Светоизлучающий диод
KR102230355B1 (ko) 2019-09-27 2021-03-22 강원대학교산학협력단 백색 발광 소재의 제조방법
US11112555B2 (en) 2019-09-30 2021-09-07 Nichia Corporation Light-emitting module with a plurality of light guide plates and a gap therein
US11561338B2 (en) 2019-09-30 2023-01-24 Nichia Corporation Light-emitting module
JP2021059686A (ja) 2019-10-09 2021-04-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体およびそれを使用した半導体発光装置
WO2021162727A1 (en) 2020-02-11 2021-08-19 SLT Technologies, Inc Improved group iii nitride substrate, method of making, and method of use
US11721549B2 (en) 2020-02-11 2023-08-08 Slt Technologies, Inc. Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
CN111944350B (zh) * 2020-08-27 2022-01-25 兰州大学 基于YAG Ce的暖白色荧光汽车涂漆及其制备方法
EP4208521A1 (en) * 2020-09-01 2023-07-12 General Electric Company Devices compatible with night vision equipment
US11444225B2 (en) 2020-09-08 2022-09-13 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd Light emitting diode package having a protective coating
US11329206B2 (en) 2020-09-28 2022-05-10 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd Lead frame and housing sub-assembly for use in a light emitting diode package and method for manufacturing the same
WO2022107794A1 (ja) 2020-11-19 2022-05-27 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びその製造方法
CN116806195A (zh) 2021-01-26 2023-09-26 首诺公司 具有漫射pvb夹层的灯系统
JP2022158107A (ja) 2021-04-01 2022-10-17 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
JPWO2023008028A1 (es) 2021-07-29 2023-02-02

Family Cites Families (258)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US362048A (en) * 1887-04-26 watkins
US215074A (en) * 1879-05-06 Improvement in stamp-mills
US5816677A (en) * 1905-03-01 1998-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Backlight device for display apparatus
US2557049A (en) * 1946-05-03 1951-06-12 Turner Of Indiana Power-driven posthole digger
US2924732A (en) * 1957-07-05 1960-02-09 Westinghouse Electric Corp Area-type light source
BE624851A (es) * 1961-05-08
NL135101C (es) 1964-05-14
GB1112992A (en) * 1964-08-18 1968-05-08 Texas Instruments Inc Three-dimensional integrated circuits and methods of making same
US3342308A (en) * 1966-08-09 1967-09-19 Sperry Rand Corp Corn processing machine elevator unit structure
US3560649A (en) * 1967-05-23 1971-02-02 Tektronix Inc Cathode ray tube with projection means
US3560849A (en) 1967-08-15 1971-02-02 Aai Corp Liquid temperature controlled test chamber and transport apparatus for electrical circuit assemblies
US3554776A (en) * 1967-11-24 1971-01-12 Allied Chem Novel perylenetetracarboxylic diimide compositions
US3623857A (en) * 1968-03-22 1971-11-30 Johns Manville Glass melting pot
US3510732A (en) * 1968-04-22 1970-05-05 Gen Electric Solid state lamp having a lens with rhodamine or fluorescent material dispersed therein
US3699478A (en) * 1969-05-26 1972-10-17 Bell Telephone Labor Inc Display system
SE364160B (es) * 1969-05-26 1974-02-11 Western Electric Co
BE757125A (fr) * 1969-10-06 1971-03-16 Rca Corp Procede photographique pour former l'ecran luminescent d'un tube a rayons cathodiques
US3691482A (en) * 1970-01-19 1972-09-12 Bell Telephone Labor Inc Display system
US3652956A (en) * 1970-01-23 1972-03-28 Bell Telephone Labor Inc Color visual display
US3699476A (en) * 1971-03-05 1972-10-17 Rca Corp Crystal controlled digital logic gate oscillator
JPS4717684U (es) 1971-03-27 1972-10-30
JPS4839866U (es) 1971-09-13 1973-05-18
DE2244397C3 (de) 1971-09-21 1974-07-18 Tovarna Motornih Vozil Tomos, Koper (Jugoslawien) Schalteinrichtung für ein mehrstufiges Keilriemenwechselgetriebe
JPS48102585A (es) * 1972-04-04 1973-12-22
JPS491221A (es) 1972-04-17 1974-01-08
JPS5240959B2 (es) 1972-08-07 1977-10-15
JPS4979379A (es) 1972-12-06 1974-07-31
JPS4985068U (es) * 1972-11-10 1974-07-23
FR2248663B1 (es) * 1972-12-13 1978-08-11 Radiotechnique Compelec
JPS5531825Y2 (es) 1972-12-27 1980-07-29
JPS49106283A (es) 1973-02-09 1974-10-08
JPS49112577A (es) 1973-02-23 1974-10-26
US3819974A (en) * 1973-03-12 1974-06-25 D Stevenson Gallium nitride metal-semiconductor junction light emitting diode
JPS5640994B2 (es) 1973-03-22 1981-09-25
US3842306A (en) * 1973-06-21 1974-10-15 Gen Electric Alumina coatings for an electric lamp
JPS5043913A (es) * 1973-08-20 1975-04-21
JPS5079379A (es) 1973-11-13 1975-06-27
JPS5079379U (es) * 1973-11-24 1975-07-09
US3882502A (en) * 1974-01-17 1975-05-06 Us Navy Crt multiple-scan display apparatus and method providing target discrimination
JPS5713156B2 (es) * 1974-02-28 1982-03-15
US4123161A (en) * 1974-06-18 1978-10-31 Pappas George J Apparatus for and method of examining light
JPS5240959A (en) 1975-09-29 1977-03-30 Toshiba Corp Color picture tube
JPS5245181A (en) 1975-10-07 1977-04-09 Matsushita Electric Works Ltd Chain
US4001628A (en) * 1976-02-25 1977-01-04 Westinghouse Electric Corporation Low-pressure fluorescent discharge device which utilizes both inorganic and organic phosphors
US4143297A (en) * 1976-03-08 1979-03-06 Brown, Boveri & Cie Aktiengesellschaft Information display panel with zinc sulfide powder electroluminescent layers
JPS537153U (es) 1976-07-05 1978-01-21
JPS537153A (en) 1976-07-09 1978-01-23 Fujitsu Ltd Program loop detection-recording system
GB1589964A (en) 1976-09-03 1981-05-20 Johnson Matthey Co Ltd Luminescent materials
NL7707008A (nl) * 1977-06-24 1978-12-28 Philips Nv Luminescentiescherm.
JPS5441660A (en) 1977-09-09 1979-04-03 Matsushita Electric Works Ltd Timer
JPS5332545Y2 (es) 1977-09-13 1978-08-11
FR2407588A1 (fr) 1977-10-28 1979-05-25 Cit Alcatel Procede de realisation de barres d'alimentation
JPS555533U (es) * 1978-06-26 1980-01-14
NL7806828A (nl) * 1978-06-26 1979-12-28 Philips Nv Luminescentiescherm.
JPS583420B2 (ja) 1978-06-27 1983-01-21 株式会社リコー マトリクス駆動回路
JPS556687A (en) * 1978-06-29 1980-01-18 Handotai Kenkyu Shinkokai Traffic use display
US4271408A (en) * 1978-10-17 1981-06-02 Stanley Electric Co., Ltd. Colored-light emitting display
DE3117571A1 (de) * 1981-05-04 1982-11-18 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Lumineszenz-halbleiterbauelement
CA1192919A (en) 1981-12-21 1985-09-03 Bernard J. Finn Vehicle wheel suspension
JPS5930107U (ja) 1982-08-19 1984-02-24 スタンレー電気株式会社 カラ−フイルタ−付導光板
NL8203543A (nl) 1982-09-13 1984-04-02 Oce Nederland Bv Kopieerapparaat.
JPS5950445A (ja) 1982-09-16 1984-03-23 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 電子写真材料
JPS5950455U (ja) * 1982-09-24 1984-04-03 三洋電機株式会社 発光ダイオ−ド装置
JPS5967673A (ja) * 1982-10-12 1984-04-17 Toyo Commun Equip Co Ltd 面照明用発光ダイオ−ド
NL8205044A (nl) * 1982-12-30 1984-07-16 Philips Nv Lagedrukkwikdampontladingslamp.
JPS6073580A (ja) * 1983-09-29 1985-04-25 東芝ライテック株式会社 表示装置
JPS6081878A (ja) 1983-10-11 1985-05-09 Shinyoushiya:Kk 複合形発光ダイオ−ドの発光光色制御方法
US4550256A (en) * 1983-10-17 1985-10-29 At&T Bell Laboratories Visual display system utilizing high luminosity single crystal garnet material
JPS60185457A (ja) 1984-03-05 1985-09-20 Canon Inc フアクシミリ装置
US4857228A (en) * 1984-04-24 1989-08-15 Sunstone Inc. Phosphors and methods of preparing the same
JPS60185457U (ja) * 1984-05-19 1985-12-09 セイレイ工業株式会社 枝打機のエンジンストツプセンサ−配置構造
JPS61158606A (ja) 1984-12-28 1986-07-18 株式会社小糸製作所 照明装置
NL8502025A (nl) * 1985-07-15 1987-02-02 Philips Nv Lagedrukkwikdampontladingslamp.
JPS6220237U (es) * 1985-07-23 1987-02-06
JPS62109185U (es) * 1985-12-27 1987-07-11
NL8600023A (nl) * 1986-01-08 1987-08-03 Philips Nv Lagedrukkwikdampontladingslamp.
JPS62167398A (ja) 1986-01-17 1987-07-23 花王株式会社 高密度粒状洗剤組成物
JPS62189770A (ja) 1986-02-15 1987-08-19 Fumio Inaba 接合型半導体発光素子
JPS62232827A (ja) 1986-03-31 1987-10-13 松下電器産業株式会社 照光素子付操作パネル駆動回路
EP0288014B1 (en) * 1987-04-20 1998-08-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Cassette, device and method of erasing a stimulable phosphor sheet
JPH079998B2 (ja) * 1988-01-07 1995-02-01 科学技術庁無機材質研究所長 立方晶窒化ほう素のＰ−ｎ接合型発光素子
JPS63291980A (ja) 1987-05-25 1988-11-29 Canon Inc 強誘電性液晶素子
JPS63299186A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Hitachi Ltd 発光素子
US4929965A (en) * 1987-09-02 1990-05-29 Alps Electric Co. Optical writing head
JPH01189695A (ja) * 1988-01-25 1989-07-28 Yokogawa Electric Corp Ｌｅｄ表示装置
DE3804293A1 (de) * 1988-02-12 1989-08-24 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode
JP2594609B2 (ja) 1988-04-08 1997-03-26 富士通株式会社 表示パネルのバック照明構造
JPH01260707A (ja) 1988-04-11 1989-10-18 Idec Izumi Corp 白色発光装置
JPH0218973A (ja) * 1988-07-07 1990-01-23 Shibasoku Co Ltd 発光ダイオード試験装置
US5043716A (en) * 1988-07-14 1991-08-27 Adaptive Micro Systems, Inc. Electronic display with lens matrix
JPH0291980A (ja) 1988-09-29 1990-03-30 Toshiba Lighting & Technol Corp 固体発光素子
JP2770350B2 (ja) 1988-10-20 1998-07-02 富士通株式会社 液晶表示装置
US5034965A (en) 1988-11-11 1991-07-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Efficient coding method and its decoding method
JPH02202073A (ja) * 1989-01-31 1990-08-10 Hitachi Chem Co Ltd 電子部品
JP2704181B2 (ja) * 1989-02-13 1998-01-26 日本電信電話株式会社 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法
JPH02271304A (ja) * 1989-04-12 1990-11-06 Seiko Epson Corp 表示体用照明装置
US4992704A (en) 1989-04-17 1991-02-12 Basic Electronics, Inc. Variable color light emitting diode
JPH0324692A (ja) 1989-06-21 1991-02-01 Fuji Electric Co Ltd 自動貸出機の制御装置
JPH0324692U (es) 1989-07-18 1991-03-14
US5221984A (en) * 1989-09-18 1993-06-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical data transmission device with parallel channel paths for arrayed optical elements
JPH03152898A (ja) 1989-11-09 1991-06-28 Hitachi Maxell Ltd 分散型ｅｌ素子
US5118985A (en) * 1989-12-29 1992-06-02 Gte Products Corporation Fluorescent incandescent lamp
JP2995664B2 (ja) * 1990-05-17 1999-12-27 小糸工業株式会社 情報表示装置
NL9001193A (nl) * 1990-05-23 1991-12-16 Koninkl Philips Electronics Nv Straling-emitterende halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
JP2506223B2 (ja) 1990-06-28 1996-06-12 トリニティ工業株式会社 自動塗装装置
US5368673A (en) 1990-06-28 1994-11-29 Daihen Corporation Joining method for joining electrically ceramic bodies and a joining apparatus and joining agent for use in the joining method
JPH0463162A (ja) 1990-06-29 1992-02-28 Suzuki Motor Corp 塗装装置
US5257049A (en) 1990-07-03 1993-10-26 Agfa-Gevaert N.V. LED exposure head with overlapping electric circuits
JPH0480286A (ja) 1990-07-23 1992-03-13 Matsushita Electron Corp 蛍光高圧水銀灯
JP2924125B2 (ja) 1990-07-30 1999-07-26 東レ株式会社 不織布用ポリエステル繊維
DE9013615U1 (es) * 1990-09-28 1990-12-06 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt, De
JPH0463162U (es) * 1990-10-02 1992-05-29
JPH0463163U (es) 1990-10-04 1992-05-29
KR940002570B1 (ko) * 1990-11-02 1994-03-25 삼성전관 주식회사 백색발광 형광체
JPH04175265A (ja) * 1990-11-07 1992-06-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 着色透光性ｙａｇ焼結体及びその製造方法
JP2593960B2 (ja) * 1990-11-29 1997-03-26 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子とその製造方法
JP3160914B2 (ja) * 1990-12-26 2001-04-25 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
JPH04234481A (ja) * 1990-12-28 1992-08-24 Matsushita Electron Corp 蛍光高圧水銀灯
US5202777A (en) * 1991-05-31 1993-04-13 Hughes Aircraft Company Liquid crystal light value in combination with cathode ray tube containing a far-red emitting phosphor
NL9200939A (nl) * 1991-05-31 1992-12-16 Hughes Aircraft Co In het ver-rode gebied emitterend luminescerend materiaal voor kathodestraalbuizen.
JPH0543913A (ja) 1991-08-08 1993-02-23 Mitsubishi Materials Corp 相手攻撃性のきわめて低いＦｅ基焼結合金製バルブシ−ト
JPH0563068A (ja) 1991-08-30 1993-03-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハバスケツト
JPH0579379A (ja) 1991-09-19 1993-03-30 Hitachi Ltd 制御方法
JP2666228B2 (ja) * 1991-10-30 1997-10-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP2540791B2 (ja) 1991-11-08 1996-10-09 日亜化学工業株式会社 ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
US5306662A (en) * 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH05142424A (ja) 1991-11-26 1993-06-11 Nec Kansai Ltd 平面発光板
US5208462A (en) * 1991-12-19 1993-05-04 Allied-Signal Inc. Wide bandwidth solid state optical source
DE69218387T2 (de) * 1992-01-07 1997-09-18 Philips Electronics Nv Niederdruckquecksilberentladungslampe
JPH0560368U (ja) * 1992-01-27 1993-08-10 恵助 山下 箸
JPH0563068U (ja) 1992-01-31 1993-08-20 シャープ株式会社 樹脂封止型発光体
JPH05226676A (ja) 1992-02-14 1993-09-03 Sharp Corp 半導体装置
JP3047600B2 (ja) 1992-03-04 2000-05-29 株式会社イナックス 濾過装置付き気泡浴槽装置の制御方法
JPH0613659A (ja) * 1992-04-30 1994-01-21 Takiron Co Ltd 発光ダイオードの輝度調整装置
JPH05331584A (ja) 1992-06-02 1993-12-14 Toyota Motor Corp 高弾性・高強度アルミニウム合金
JP3365787B2 (ja) * 1992-06-18 2003-01-14 シャープ株式会社 Ｌｅｄチップ実装部品
JP2917742B2 (ja) 1992-07-07 1999-07-12 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法
JPH0629576A (ja) * 1992-07-09 1994-02-04 Sharp Corp 発光表示素子
JPH0627327A (ja) 1992-07-13 1994-02-04 Seiko Epson Corp 照明装置
EP1313153A3 (en) * 1992-07-23 2005-05-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor
US5602418A (en) 1992-08-07 1997-02-11 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Nitride based semiconductor device and manufacture thereof
JPH0669546A (ja) * 1992-08-21 1994-03-11 Asahi Chem Ind Co Ltd 発光ダイオード
US5334855A (en) * 1992-08-24 1994-08-02 Motorola, Inc. Diamond/phosphor polycrystalline led and display
JPH0682633A (ja) 1992-09-03 1994-03-25 Chuo Musen Kk 面光源
JP2842739B2 (ja) 1992-09-14 1999-01-06 富士通株式会社 面光源ユニット及び液晶表示装置
EP0596548B1 (en) 1992-09-23 1998-12-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Low-pressure mercury discharge lamp
JPH06139973A (ja) 1992-10-26 1994-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平板型画像表示装置
JP3284208B2 (ja) 1992-11-17 2002-05-20 東ソー株式会社 バックライト
JP2560963B2 (ja) 1993-03-05 1996-12-04 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5578839A (en) * 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
US5317348A (en) * 1992-12-01 1994-05-31 Knize Randall J Full color solid state laser projector system
JP2711205B2 (ja) 1993-01-20 1998-02-10 鐘紡株式会社 複合発泡ポリエステルシート
JP3467788B2 (ja) 1993-02-09 2003-11-17 東ソー株式会社 バックライト
JP2932467B2 (ja) 1993-03-12 1999-08-09 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH07321407A (ja) 1993-04-05 1995-12-08 Fuji Electric Co Ltd 樹脂封止形レーザーダイオード装置
JPH06296043A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
JPH06314826A (ja) * 1993-04-28 1994-11-08 Victor Co Of Japan Ltd 発光ダイオードアレイ
JPH0742152A (ja) 1993-07-29 1995-02-10 Hitachi Constr Mach Co Ltd パイルハンマ
US5514179A (en) * 1993-08-10 1996-05-07 Brennan; H. George Modular facial implant system
JP2584562Y2 (ja) 1993-09-01 1998-11-05 ダイハツ工業株式会社 ラックアンドピニオン式ステアリングのラックガイド
JPH0799345A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH07114904A (ja) 1993-10-18 1995-05-02 Hitachi Ltd バックライト光源用蛍光放電灯
JPH07120754A (ja) * 1993-10-26 1995-05-12 Fujikura Ltd 照光モジュール
JPH0732638U (ja) 1993-11-15 1995-06-16 ミネベア株式会社 面状光源装置
JPH07176794A (ja) 1993-12-17 1995-07-14 Nichia Chem Ind Ltd 面状光源
JP2606025Y2 (ja) * 1993-12-24 2000-09-11 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード素子
JP3190774B2 (ja) * 1993-12-24 2001-07-23 株式会社東芝 Ｌｅｄランプ用リードフレーム及びｌｅｄ表示装置
JPH07193281A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Mitsubishi Materials Corp 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード
US6784511B1 (en) 1994-01-20 2004-08-31 Fuji Electric Co., Ltd. Resin-sealed laser diode device
US5505986A (en) 1994-02-14 1996-04-09 Planar Systems, Inc. Multi-source reactive deposition process for the preparation of blue light emitting phosphor layers for AC TFEL devices
JPH07225378A (ja) * 1994-02-15 1995-08-22 Asahi Optical Co Ltd Ｌｃｄ照明装置
JPH07235207A (ja) 1994-02-21 1995-09-05 Copal Co Ltd バックライト
JPH07248495A (ja) 1994-03-14 1995-09-26 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH07253594A (ja) * 1994-03-15 1995-10-03 Fujitsu Ltd 表示装置
JPH07263748A (ja) 1994-03-22 1995-10-13 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US5640216A (en) * 1994-04-13 1997-06-17 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device having video signal driving circuit mounted on one side and housing
JP3329573B2 (ja) 1994-04-18 2002-09-30 日亜化学工業株式会社 Ｌｅｄディスプレイ
JPH07307491A (ja) * 1994-05-11 1995-11-21 Mitsubishi Cable Ind Ltd Ｌｅｄ集合体モジュールおよびその作製方法
JP2979961B2 (ja) 1994-06-14 1999-11-22 日亜化学工業株式会社 フルカラーｌｅｄディスプレイ
JP3116727B2 (ja) * 1994-06-17 2000-12-11 日亜化学工業株式会社 面状光源
JP3227059B2 (ja) * 1994-06-21 2001-11-12 株式会社小糸製作所 車輌用灯具
JPH0863119A (ja) 1994-08-01 1996-03-08 Motorola Inc 単色ｌｅｄを用いた全色画像表示装置
JPH0854839A (ja) * 1994-08-09 1996-02-27 Sony Corp カラー画像表示装置
JPH0864860A (ja) * 1994-08-17 1996-03-08 Mitsubishi Materials Corp 色純度の高い赤外可視変換青色発光ダイオード
JP3309939B2 (ja) 1994-09-09 2002-07-29 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JPH08130329A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄ照明
US5777350A (en) * 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
JP3127195B2 (ja) * 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
US5710628A (en) * 1994-12-12 1998-01-20 Visible Genetics Inc. Automated electrophoresis and fluorescence detection apparatus and method
JPH08170077A (ja) * 1994-12-19 1996-07-02 Hitachi Ltd 蛍光体、その製造方法、発光スクリーン及びそれを用いた陰極線管
JP2735057B2 (ja) 1994-12-22 1998-04-02 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
EP0753202B1 (en) 1995-01-30 2001-06-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting unit
JP3542677B2 (ja) * 1995-02-27 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH08321918A (ja) * 1995-03-22 1996-12-03 Canon Inc 導光体、該導光体を有する照明装置及び該照明装置を有する情報処理装置
US5623181A (en) * 1995-03-23 1997-04-22 Iwasaki Electric Co., Ltd. Multi-layer type light emitting device
JPH08293825A (ja) * 1995-04-21 1996-11-05 Fujitsu Ltd スペースダイバーシティ受信装置
US5630741A (en) * 1995-05-08 1997-05-20 Advanced Vision Technologies, Inc. Fabrication process for a field emission display cell structure
US5594751A (en) 1995-06-26 1997-01-14 Optical Concepts, Inc. Current-apertured vertical cavity laser
US5825113A (en) * 1995-07-05 1998-10-20 Electric Power Research Institute, Inc. Doubly salient permanent magnet machine with field weakening (or boosting) capability
JPH0927642A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Clarion Co Ltd 照明装置
JP3120703B2 (ja) * 1995-08-07 2000-12-25 株式会社村田製作所 導電性ペースト及び積層セラミック電子部品
JPH0964325A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Sony Corp 固体撮像素子とその製造方法
US5798537A (en) * 1995-08-31 1998-08-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Blue light-emitting device
US5949751A (en) * 1995-09-07 1999-09-07 Pioneer Electronic Corporation Optical recording medium and a method for reproducing information recorded from same
JPH09116225A (ja) * 1995-10-20 1997-05-02 Hitachi Ltd 半導体発光素子
JP3612693B2 (ja) * 1995-10-31 2005-01-19 岩崎電気株式会社 発光ダイオード配列体及び発光ダイオード
JPH09130546A (ja) * 1995-11-01 1997-05-16 Iwasaki Electric Co Ltd 線状光源用発光ダイオード
JP3476611B2 (ja) * 1995-12-14 2003-12-10 日亜化学工業株式会社 多色発光素子及びそれを用いた表示装置
US5870797A (en) * 1996-02-23 1999-02-16 Anderson; Kent George Vacuum cleaning system
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US5949182A (en) * 1996-06-03 1999-09-07 Cornell Research Foundation, Inc. Light-emitting, nanometer scale, micromachined silicon tips
EP1993152B1 (de) 1996-06-26 2014-05-21 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5684309A (en) * 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6608332B2 (en) 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
JPH1036835A (ja) 1996-07-29 1998-02-10 Nichia Chem Ind Ltd フォトルミネセンス蛍光体
IE820328L (en) * 1996-08-15 1983-08-16 Eaton Corp Illumination system
US6004001A (en) 1996-09-12 1999-12-21 Vdo Adolf Schindling Ag Illumination for a display
US5781363A (en) * 1996-10-15 1998-07-14 International Business Machines Corporation Servo-free velocity estimator for coil driven actuator arm in a data storage drive
US5966393A (en) * 1996-12-13 1999-10-12 The Regents Of The University Of California Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications
JP4271747B2 (ja) * 1997-07-07 2009-06-03 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
JPH1139917A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Hewlett Packard Co <Hp> 高演色性光源
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JP3541709B2 (ja) 1998-02-17 2004-07-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6105200A (en) * 1998-04-21 2000-08-22 Cooper; Byron W. Can top cleaning device
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6798537B1 (en) * 1999-01-27 2004-09-28 The University Of Delaware Digital color halftoning with generalized error diffusion vector green-noise masks
US6575930B1 (en) * 1999-03-12 2003-06-10 Medrad, Inc. Agitation devices and dispensing systems incorporating such agitation devices
US6513949B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6538371B1 (en) 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
WO2002032231A1 (en) * 2000-10-19 2002-04-25 Edens, Luppo Protein hydrolysates
JP2002270020A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Casio Comput Co Ltd 光源装置
US6536371B2 (en) * 2001-08-01 2003-03-25 One World Technologies, Inc. Rotary direction indicator
CA2505276C (en) 2002-11-27 2009-01-27 Sap Aktiengesellschaft Avoiding data loss when refreshing a data warehouse
EP1681728B1 (en) * 2003-10-15 2018-11-21 Nichia Corporation Light-emitting device
US7318651B2 (en) * 2003-12-18 2008-01-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash module with quantum dot light conversion
US7083302B2 (en) * 2004-03-24 2006-08-01 J. S. Technology Co., Ltd. White light LED assembly
KR100655894B1 (ko) * 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
US7546032B2 (en) * 2004-09-30 2009-06-09 Casio Computer Co., Ltd. Electronic camera having light-emitting unit
JP4679183B2 (ja) * 2005-03-07 2011-04-27 シチズン電子株式会社 発光装置及び照明装置
JP5240959B2 (ja) 2005-11-16 2013-07-17 国立大学法人 香川大学 薬剤とその製造方法
JP4839866B2 (ja) 2006-02-02 2011-12-21 トヨタ自動車株式会社 車両側部構造
EP2000173A2 (en) 2006-03-29 2008-12-10 Tti Ellebeau, Inc. Iontophoretic apparatus
JP4717684B2 (ja) 2006-03-30 2011-07-06 富士通テレコムネットワークス株式会社 コンデンサ充電装置
US20080144821A1 (en) 2006-10-26 2008-06-19 Marvell International Ltd. Secure video distribution
KR100930171B1 (ko) * 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
JP5079379B2 (ja) 2007-04-16 2012-11-21 長谷川香料株式会社 二次沈殿が抑制された精製クロロゲン酸類の製法
JP5226676B2 (ja) 2007-05-22 2013-07-03 日本アビオニクス株式会社 データ記録再生装置
US8119028B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
US8415870B2 (en) * 2008-08-28 2013-04-09 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device and backlight source, backlight source system, display device and electronic device using the same
JP5331584B2 (ja) 2009-06-12 2013-10-30 株式会社フジクラ 圧力センサアレイ、圧力センサアレイパッケージ、並びに圧力センサモジュール及び電子部品
JP5441660B2 (ja) 2009-12-15 2014-03-12 日本特殊陶業株式会社 キャパシタの製造方法及びキャパシタ内蔵配線基板
JP5343885B2 (ja) 2010-02-16 2013-11-13 住友電装株式会社 防水機能付き端子金具及び防水コネクタ
JP5472484B2 (ja) 2010-11-24 2014-04-16 トヨタ自動車株式会社 車両用動力伝達装置

Also Published As

Publication number Publication date
BR9710792B1 (pt) 2011-06-28
ES2550823T3 (es) 2015-11-12
CN1893133A (zh) 2007-01-10
WO1998005078A1 (en) 1998-02-05
CA2481364A1 (en) 1998-02-05
EP1017112A8 (en) 2004-05-12
HK1052409A1 (en) 2003-12-12
JP2011009793A (ja) 2011-01-13
EP1017112A9 (en) 2004-07-07
JP2003179259A (ja) 2003-06-27
EP2197053A2 (en) 2010-06-16
CN1133218C (zh) 2003-12-31
DK1429398T3 (en) 2015-11-30
CA2479842C (en) 2011-08-16
US6614179B1 (en) 2003-09-02
US8685762B2 (en) 2014-04-01
GR3034493T3 (en) 2000-12-29
KR100434871B1 (ko) 2004-06-07
EP1429398B1 (en) 2015-09-23
EP1271664B1 (en) 2015-02-18
US8610147B2 (en) 2013-12-17
US7026756B2 (en) 2006-04-11
US20110053299A1 (en) 2011-03-03
EP1429397B1 (en) 2017-01-25
EP2197057A3 (en) 2013-01-23
KR100517271B1 (ko) 2005-09-28
CA2262136A1 (en) 1998-02-05
JP2006332692A (ja) 2006-12-07
US20090315014A1 (en) 2009-12-24
JP4124248B2 (ja) 2008-07-23
DE69702929T4 (de) 2010-10-07
DE29724458U1 (de) 2001-04-26
JP6101943B2 (ja) 2017-03-29
CN1893131A (zh) 2007-01-10
CN1825646A (zh) 2006-08-30
JP5692445B2 (ja) 2015-04-01
EP2197055B1 (en) 2016-03-30
EP1017112A2 (en) 2000-07-05
US20070114914A1 (en) 2007-05-24
CN1268250A (zh) 2000-09-27
DE29724670U1 (de) 2002-09-19
JP2016086176A (ja) 2016-05-19
BRPI9715264B1 (pt) 2017-05-09
EP2197053A3 (en) 2013-01-16
ES2569616T3 (es) 2016-05-11
ES2569615T3 (es) 2016-05-11
ES2553570T3 (es) 2015-12-10
MY125748A (en) 2006-08-30
EP2197057A2 (en) 2010-06-16
CN1249825C (zh) 2006-04-05
PT1429398E (pt) 2015-12-16
US20090315015A1 (en) 2009-12-24
BRPI9715363B1 (pt) 2016-12-06
EP1429397A2 (en) 2004-06-16
US5998925A (en) 1999-12-07
US7071616B2 (en) 2006-07-04
KR20000029696A (ko) 2000-05-25
KR100559346B1 (ko) 2006-03-15
CA2479538C (en) 2009-04-14
JP2014187398A (ja) 2014-10-02
CN1240144C (zh) 2006-02-01
BR9715362B1 (pt) 2012-12-11
US20040222435A1 (en) 2004-11-11
US20090316068A1 (en) 2009-12-24
CN1249824C (zh) 2006-04-05
SG182857A1 (en) 2012-08-30
ES2545981T3 (es) 2015-09-17
EP1017111A3 (en) 2004-04-14
JP2012231190A (ja) 2012-11-22
CA2479538A1 (en) 1998-02-05
JP3700502B2 (ja) 2005-09-28
CN1495920A (zh) 2004-05-12
PT2197053E (pt) 2015-09-04
JP2002198573A (ja) 2002-07-12
US7362048B2 (en) 2008-04-22
US7968866B2 (en) 2011-06-28
JP5725045B2 (ja) 2015-05-27
BR9715361B1 (pt) 2013-08-27
HK1066097A1 (en) 2005-03-11
EP2194590A3 (en) 2013-01-23
US20100019224A1 (en) 2010-01-28
EP1017111A2 (en) 2000-07-05
KR100549906B1 (ko) 2006-02-06
EP1429397A3 (en) 2010-09-22
US20100264841A1 (en) 2010-10-21
US7531960B2 (en) 2009-05-12
EP2194590A2 (en) 2010-06-09
CN1495925A (zh) 2004-05-12
HK1030095A1 (en) 2001-04-20
ES2576052T3 (es) 2016-07-05
EP1429398A3 (en) 2010-09-22
JP5610056B2 (ja) 2014-10-22
US7215074B2 (en) 2007-05-08
EP1429398A2 (en) 2004-06-16
US20110297990A1 (en) 2011-12-08
HK1066096A1 (en) 2005-03-11
JP2016154247A (ja) 2016-08-25
US20140084323A1 (en) 2014-03-27
ES2148997T3 (es) 2000-10-16
US20050280357A1 (en) 2005-12-22
DK0936682T3 (da) 2000-10-30
JP5664815B2 (ja) 2015-02-04
US8309375B2 (en) 2012-11-13
JP5821154B2 (ja) 2015-11-24
CA2262136C (en) 2005-02-22
CN1893132A (zh) 2007-01-10
SG182856A1 (en) 2012-08-30
JP4530094B2 (ja) 2010-08-25
KR100549902B1 (ko) 2006-02-06
EP2197054B1 (en) 2016-04-20
JP3729166B2 (ja) 2005-12-21
CN1249823C (zh) 2006-04-05
SG115349A1 (en) 2005-10-28
HK1144980A1 (zh) 2011-03-18
US8679866B2 (en) 2014-03-25
DK2276080T3 (en) 2015-09-14
DK2197057T3 (en) 2016-04-18
HK1021073A1 (en) 2000-05-26
KR20030097577A (ko) 2003-12-31
US20100006819A1 (en) 2010-01-14
US7855092B2 (en) 2010-12-21
US20100264842A1 (en) 2010-10-21
US9130130B2 (en) 2015-09-08
ES2544690T3 (es) 2015-09-02
JP5177199B2 (ja) 2013-04-03
JP2009135545A (ja) 2009-06-18
EP2197055A3 (en) 2013-01-16
EP1045458A2 (en) 2000-10-18
US20040000868A1 (en) 2004-01-01
KR20050044817A (ko) 2005-05-12
EP0936682B2 (en) 2007-08-01
CN1495919A (zh) 2004-05-12
EP2197056A3 (en) 2013-01-23
US7915631B2 (en) 2011-03-29
HK1052409B (zh) 2015-10-09
DE69702929T2 (de) 2001-02-01
AU720234B2 (en) 2000-05-25
US8148177B2 (en) 2012-04-03
DK2197055T3 (en) 2016-05-02
US20100117516A1 (en) 2010-05-13
PT936682E (pt) 2001-01-31
SG182008A1 (en) 2012-07-30
DE29724764U1 (de) 2004-01-08
EP0936682B1 (en) 2000-08-23
PT1017111E (pt) 2016-01-22
EP2197055A2 (en) 2010-06-16
DE69702929D1 (de) 2000-09-28
EP2276080A2 (en) 2011-01-19
DK2194590T3 (en) 2016-06-27
JP2008160140A (ja) 2008-07-10
KR20050053800A (ko) 2005-06-10
JP2000208815A (ja) 2000-07-28
KR100491481B1 (ko) 2005-05-27
US20110062864A1 (en) 2011-03-17
KR20030097578A (ko) 2003-12-31
HK1144978A1 (zh) 2011-03-18
DE29724773U1 (de) 2004-02-12
JP3503139B2 (ja) 2004-03-02
TWI156177B (en) 2005-01-11
CN1495917A (zh) 2004-05-12
TW383508B (en) 2000-03-01
US20100019270A1 (en) 2010-01-28
EP2197054A3 (en) 2013-01-16
JP2005317985A (ja) 2005-11-10
US7682848B2 (en) 2010-03-23
HK1066095A1 (en) 2005-03-11
JP5177317B2 (ja) 2013-04-03
US7126274B2 (en) 2006-10-24
EP0936682A1 (en) 1999-08-18
DK0936682T4 (da) 2007-12-03
JP2014212335A (ja) 2014-11-13
US8754428B2 (en) 2014-06-17
CN100424901C (zh) 2008-10-08
JP2014212336A (ja) 2014-11-13
US6069440A (en) 2000-05-30
ATE195831T1 (de) 2000-09-15
ES2148997T5 (es) 2008-03-01
US20080138918A1 (en) 2008-06-12
DK2197053T3 (en) 2015-09-14
DE69702929T3 (de) 2008-03-13
DK2197054T3 (en) 2016-06-27
DK1017111T3 (en) 2016-01-11
CN1253949C (zh) 2006-04-26
EP2276080B1 (en) 2015-07-08
US20100001258A1 (en) 2010-01-07
JP2016178320A (ja) 2016-10-06
HK1149851A1 (en) 2011-10-14
JP2014209656A (ja) 2014-11-06
AU720234C (en) 1998-02-20
JP2014078746A (ja) 2014-05-01
EP2197054A2 (en) 2010-06-16
EP0936682B9 (en) 2007-11-28
US7901959B2 (en) 2011-03-08
BR9710792A (pt) 2000-01-11
HK1144979A1 (en) 2011-03-18
EP0936682A4 (en) 1999-10-06
EP1271664A3 (en) 2004-03-31
EP2194590B1 (en) 2016-04-20
CA2479842A1 (en) 1998-02-05
CN1249822C (zh) 2006-04-05
CN1495918A (zh) 2004-05-12
BR9715365B1 (pt) 2013-09-03
AU3635597A (en) 1998-02-20
EP1045458A3 (en) 2004-03-31
EP2276080B2 (en) 2022-06-29
EP1017112A3 (en) 2004-04-14
JP2013102196A (ja) 2013-05-23
KR20030097609A (ko) 2003-12-31
JP5953514B2 (ja) 2016-07-20
US20040004437A1 (en) 2004-01-08
HK1144982A1 (zh) 2011-03-18
CN1495921A (zh) 2004-05-12
EP2197056A2 (en) 2010-06-16
SG10201502321UA (en) 2015-05-28
US20040090180A1 (en) 2004-05-13
US7969090B2 (en) 2011-06-28
HK1027668A1 (en) 2001-01-19
EP1271664A2 (en) 2003-01-02
JP5214253B2 (ja) 2013-06-19
EP2197057B1 (en) 2016-03-30
EP2276080A3 (en) 2013-01-09
CN100424902C (zh) 2008-10-08
CA2481364C (en) 2008-09-16
KR100524117B1 (ko) 2005-10-26
US7329988B2 (en) 2008-02-12
CN100449807C (zh) 2009-01-07
US20070159060A1 (en) 2007-07-12
CN100382349C (zh) 2008-04-16
DE29724642U1 (de) 2002-08-08
PT2276080E (pt) 2015-10-12
BR9715263B1 (pt) 2014-10-14
EP1017111B1 (en) 2015-10-14
EP2197053B1 (en) 2015-07-01
US7943941B2 (en) 2011-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2576053T3 (es) Dispositivo emisor de luz y visualizador
US6608332B2 (en) Light emitting device and display
BRPI9715262B1 (pt) Dispositivo semicondutor emissor de luz azul para emissão na cor branca por meio de luz reemitida por substância fluorescente