KR101020998B1

KR101020998B1 - 발광소자 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR101020998B1
Application number: KR1020090109369A
Authority: KR
Inventors: 장기연
Original assignee: 엘지이노텍 주식회사
Priority date: 2009-11-12
Filing date: 2009-11-12
Publication date: 2011-03-09
Also published as: CN102088057B; JP2011109070A; US20110108867A1; TWI497774B; EP2323185A3; US8405095B2; CN102088057A; JP5619546B2; EP2323185B1; EP2323185A2; TW201119094A

Abstract

실시예에 따른 발광소자 및 그 제조방법은, 제1도전형 반도체층; 상기 제1도전형 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 제2도전형 반도체층; 상기 제2도전형 반도체층 상에 형성된 형광체층을 포함하고; 상기 형광체층은 다수개의 홀이 형성된 형광체 수납부 및 상기 홀에 고정되는 형광체 입자를 포함한다.

발광소자, 형광체, LED

Description

발광소자 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

실시예는 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 전류를 빛으로 변환시키는 반도체 발광소자이다. 최근 발광 다이오드는 휘도가 점차 증가하게 되어 디스플레이용 광원, 자동차용 광원 및 조명용 광원으로 사용이 증가하고 있다.

최근에는 청색 또는 녹색 등의 단파장 광을 생성하여 풀 컬러 구현이 가능한 고출력 발광 칩이 개발된바 있다. 이에, 발광 칩으로부터 출력되는 광의 일부를 흡수하여 광의 파장과 다른 파장을 출력하는 형광체를 발광 칩 상에 도포함으로써, 다양한 색의 발광 다이오드를 조합할 수 있으며 백색 광을 발광하는 발광 다이오드도 구현이 가능하다.

실시예는 발광소자 상에서 형광체의 분포 위치와 분포도를 용이하고 정확하게 조절할 수 있으며, 공정 시 형광체 물질이 낭비되는 것을 방지할 수 있는 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.

또한, 실시예는 발광소자 칩(chip) 표면의 광 효율을 향상시킬 수 있으며, 전반사를 방해하는 공기(air)층을 제거할 수 있는 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.

실시예에 따른 발광소자는, 제1도전형 반도체층; 상기 제1도전형 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 제2도전형 반도체층; 상기 제2도전형 반도체층 상에 형성된 형광체층을 포함하고; 상기 형광체층은 다수개의 홀이 형성된 형광체 수납부 및 상기 홀에 고정되는 형광체 입자를 포함한다.

실시예에 따른 발광소자의 제조방법은, 기판상에 제1도전형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1도전형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 제2도전형 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제2도전형 반도체층의 상에 다수개의 홀이 형성된 형광체 수납부를 형성하는 단계; 상기 형광체 수납부의 상기 다수개의 홀에 형광체 입자를 고정하여 형광체층을 형성하는 단계를 포함한다.

실시예에 의하면, 발광소자 상에서 형광체의 분포 위치와 분포도를 용이하고 정확하게 조절할 수 있으며, 공정 시 형광체 물질이 낭비되는 것을 방지할 수 있는 발광소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.

또한, 실시예는 발광소자 칩(chip)의 표면에 광 효율을 향상시킬 수 있는 홀을 형성하고 전반사를 방해하는 공기(air)층을 제거할 수 있는 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광소자 및 그 제조방법에 대해서 상세하게 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.

도 1은 실시예에 따른 발광소자의 사시도이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 발광소자(100)는 기판(110)과, 기판(110) 상에 형성된 제1도전형 반도체층(120)과, 제1도전형 반도체층(120) 상에 형성되는 활성층(130)과, 활성층(130) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(140)과, 제2도전형 반도체층(140) 상에 형성된 형광체층(150)을 포함한다.

기판(110)은 사파이어(Al₂O₃), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나를 이용할 수 있으며, 도전 특성을 갖는 기판(110)으로 이용할 수도 있다. 또한, Epi 성장후 기판을 제거하여 수직형 칩(Vertical Chip)에도 적용이 가능하며, 이러한 경우, 기판은 물리적 연마, Lser Lift Off(LLO), Chemical Wet Etching 등의 방법으로 제거될 수 있다.

제1도전형 반도체층(120)은 기판(110)상에 제1도전형 도펀트가 도핑된 적어도 한 층의 n형 반도체층으로 형성될 수 있다. 제1도전형 반도체층(120)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 제1도전형 반도체층(120)을 전자주입층으로 설정한 경우, 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있다. 이러한 제1도전형 반도체층(120)은 이후, 전극 접촉층으로 기능할 수 있다.

활성층(130)은 제1도전형 반도체층(120) 상에 단일 양자 우물 또는 다중 양자 우물(MQW) 구조로 형성된다. 활성층(130)은 유색의 광(예: 청색, 녹색, 적색 등) 또는 자외선 광을 발생시킬 수 있다. 이러한 활성층(130)을 형성하는 데에는 InGaN/GaN, AlGaN/GaN, 또는, InAlGaN/GaN GaAs,/AlGaAs(InGaAs), GaP/AlGaP(InGaP) 등을 이용하는 것이 가능하며, 우물층과 장벽층을 형성하는 물질의 밴드 갭 에너지에 따라 발광시키는 빛의 파장을 조절할 수 있다. 예컨대, 파장이 460~470nm의 청색 발광의 경우, InGaN 우물층/GaN 장벽층을 한 주기로 형성할 수 있다.

제2도전형 반도체층(140)은 활성층(130) 상에 제2도전형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제2도전형 반도체층(140)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등에서 적어도 하나를 첨가될 수 있다.

형광체층(150)은 제2도전형 반도체층(140)의 상면에 형성될 수 있다. 형광체층(150)에는 입자 상태인 형광체가 균일하게 고정된 형태로 형성될 수 있다. 형광체층(150)은 형광체의 고정을 위한 다수개의 홀(155)이 형성된형광체 수납부(152)와, 홀(155)에 고정되는 형광체 입자(200)를 포함한다.

형광체 입자(200)는 홀(155)의 형상과 대응되는 형상을 가지고, 형광체 수납부(152)의 홀(155) 내에 삽입 고정됨으로써 형광체층(150)을 형성한다. 이에, 형광체의 분포를 균일하게 유지할 수 있으며, 홀(155) 형성 시 광결정(photonic Crystal) 형태를 형성하여 발광효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 형광체층(150)이 제2도전형 반도체층(140)의 광이 발광되는 영역에 정합되도록 형성됨으로, 굴절률 차이가 있는 공기층을 없에고, 전반사를 줄일 수 있어 색 분포를 좁게 가지고 갈 수 있는 효과가 있다.이러한 실시예에 따라, 활성층(130)에서 방출된 광은 제2도전형 반도체층(140)과 형광체층(150)을 통해 외부로 방출된다. 이에, 활성층(130)에서 방출된 광은 형광체 층에서 다른 파장을 갖는 광으로 변환되어 소정의 색상을 갖는 유색광이나 백색광의 형태로 발광되며, 형광체층(150)의 광결정 형상에 의해 광 추출 효율이 개선될 수 있다.

한편, 상술한 설명에서는 GaN 계열 물질을 기본 구성으로 하여 전자주입층으로서 n-형 GaN으로 형성된 제1도전형 반도체층(120)과 정공주입층으로서 p-형 GaN으로 형성된 제2도전형 반도체층(140) 사이에 양자우물구조(quantum well)를 가지는 활성층(130)이 위치하는 경우를 예시하고 있으나, 제1도전형 반도체층(120)을 p-형으로 형성하고 제2도전형 반도체층(140)을 n-형으로 형성하여 적층 순서를 달리할 수 있다.

도 2 내지 도 4는 실시예에 따른 발광소자의 제조 상태도로서, 형광체층(150)을 형성하는 과정을 도시한 것이다.

도 2에 도시된 바와 같이, 형광체 입자(200)를 형성하기 위해서는 원하는 형광체 입자(200)의 형상을 본뜬 성형틀(300)에 형광체 혼합액(320)을 주입한다.

성형틀(300)에는 형광체 입자(200)의 형상이 오목부(310)로 형성되어 형광체 혼합액(320)을 수용한다. 오목부(310)는 형성하고자 하는 형광체 입자(200)의 형상에 따라 구형이나, 타원형, 혹은, 육면체, 사면체, 팔면체 등의 다각형 형태로 형성될 수 있다. 또한, 형광체 입자(200)의 크기에 따라, 수 ㎛ 에서 1mm 이상의 크기까지 다양한 크기로 형성될 수 있다. 여기서, 성형틀(300)은 형광체 입자(200)의 형상에 따라, 한 쌍의 성형틀(300)이 상호 정합되어 형광체 입자(200)의 형상을 완성하는 형태로 구성하는 것도 가능하다.

형광체 혼합액(320)은 형광체와 수지를 혼합하여 형성할 수 있다. 혼합되는 형광체는 규산염 계열, 황화물 계열, 가넷 계열, 나이트라이드 계열, 이트륨, 알루 미늄, 등의 다양한 종류의 R, G, B 형광체가 선택적으로 적용될 수 있다. 형광체 혼압액을 구성하는 수지는 형광체의 혼합과 경화가 가능한 물질로서, 실리콘(silicone)이나, 투명 에폭시 수지 등의 다양한 물질을 적용할 수 있다. 형광체와 수지의 혼합액에는 점도 조절을 위한 소정의 용제가 첨가될 수 있다.

도 3은 형광체 입자(200)를 분리하는 과정을 도시한 것이다.

형광체 혼합액(320)을 성형틀(300)의 오목부(310)에 충전한 후 경화시키면, 오목부(310)의 형상에 따른 형광체 입자(200)가 형성된다.

성형틀(300)로부터 경화된 형광체 입자(200)를 분리하면 일정한 형상의 형광체 입자(200)들을 얻을 수 있다. 이에, 필요한 만큼의 형광체 혼합액(320)을 마련하여 오목부(310)에 충전하는 방법으로 형광체 입자(200)를 형성할 수 있음으로, 형광체가 누출되거나 사용 전에 경화되는 등의 낭비를 방지할 수 있다.

도 4는 발광소자에 형광체층(150)을 형성하는 방법을 도시한 것이다.

제2도전형 반도체층(140) 상에는 형광체 입자(200)의 고정을 위한 다수개의홀(155)을 포함하는 형광체 수납부(152)가 형성된다. 홀(155)이 형성된 형광체 수납부(152)에 형광체 입자(200)를 도포하여 경화시키면, 제2도전형 반도체층(140) 상에 형광체층(150)이 형성된다. 홀(155)에 수용된 형광체 입자(200)는 수지를 이용하여 고정시킬 수 있으며, 경화과정을 통해 고정시키는 것도 가능하다. 여기서, 형광체 수납부(152)에 도포된 형광체 입자(200) 중 홀(155)에 수용되고 남은 형광체 입자(200)는 재사용이 가능함으로 형광체 물질의 낭비를 방지할 수 있다.

형광체 수납부(152)에 형성되는 홀(155)은 포토 레지스터를 이용한 RIE(Reactive Ion Etching) 방식이나, 나노 임프린트 방식, 테이프 접착방식 등이 적용될 수 있다. 여기서, 홀(155)의 형상은 형광체 입자(200)의 형상과 정합되도록 형성할 수 있으며, 배열 방식이나 배열 간격 등을 조절하여 발광소자(100)의 발광특성을 조절하는 것이 가능하다.

홀(155)이 형성된 형광체 수납부(152)에 형광체 입자(200)를 도포하면 홀(155)에 형광체 입자(200)가 수용된다. 1개의 홀(155)에는 1개의 형광체 입자(200)가 대응되어 수용되어 광분 포를 일정하게 유지할 수 있으나, 홀(155)과 형광체 입자(200)의 크기나 형상에 따라 1개의 홀(155) 내에 복수개의 형광체 입자(200)가 수용되도록 하는 것도 가능하다.

도 5는 본 실시예에 따른 발광소자의 형광체 입자의 예시도이다.

형광체 입자(200)의 크기와 형상을 조절함으로써 발광소자(100)의 색도, 발광 특성, 광효율 등을 조정하는 것이 가능함으로, 적용된 형광체의 특성과 발광소자(100)의 설계조건 등에 따라 다양한 크기와 형상의 형광체 입자(200)를 적용할 수 있다.

도 5의 (a)는 단면이 정삼각형인 형광체 입자를 예시한 것이고, (b)는 정육면체 형상의 형광체를 예시하고 있다. (c)는 단면이 팔면체인 형광체 입자를 예시한 것이고, (d)는 단면이 마름모꼴인 형광체 입자를 예시하고 있다. (e)는 단면이 사다리꼴인 형광체 입자를 예시한 것이고, (f)는 원통형의 형광체 입자를 예시하고 있다. (g)는 단면이 직각삼각형인 형광체 입자를 예시한 것이고, (h)는 단면이 평행사변형인 형광체 입자를 예시하고 있다.

도 5의 (a) 내지 (h)에 도시된 바와 같이, 형광체 입자는 다면체, 뿔, 기둥, 등의 다양한 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 도면에 도시되어 있는 형상에 한정되지 아니하고 뿔대, 구 등의 다양한 형상의 형광체 입자가 적용될 수 있다.

도 6은 다른 실시예에 따른 발광소자의 사시도이다.

발광소자(500)는 금속층(510)과, 금속층(510) 상에 형성된 제1도전형 반도체층(520)과, 제1도전형 반도체층(520) 상에 형성되는 활성층(530)과, 활성층(530) 상에 형성된 제2도전형 반도체층(540)과, 제2도전형 반도체층(540) 상에 형성된 형광체층(550)을 포함한다.

금속층(510)은 Al, Ag, Pd, Rh, Pt 등 중에서 적어도 하나 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.

제1도전형 반도체층(520)은 금속층(510)상에 제1도전형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제2도전형 반도체층(540)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등에서 적어도 하나를 첨가될 수 있다.

활성층(530)은 제1도전형 반도체층(520) 상에 단일 양자 우물 또는 다중 양자 우물(MQW) 구조로 형성된다. 활성층(530)은 유색의 광(예: 청색, 녹색, 적색 등) 또는 자외선 광을 발생시킬 수 있다. 이러한 활성층(530)을 형성하는 데에는 InGaN/GaN, AlGaN/GaN 또는, InAlGaN/GaN GaAs,/AlGaAs(InGaAs), GaP/AlGaP(InGaP) 등을 이용하는 것이 가능하며, 우물층과 장벽층을 형성하는 물질의 밴드 갭 에너지 에 따라 발광시키는 빛의 파장을 조절할 수 있다. 예컨대, 파장이 460~470nm의 청색 발광의 경우, InGaN 우물층/GaN 장벽층을 한 주기로 형성할 수 있다.

제2도전형 반도체층(540)은 활성층(530) 상에 제2도전형 도펀트가 도핑된 적어도 한 층의 n형 반도체층으로 형성될 수 있다. 제1도전형 반도체층(520)은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP, InP 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 제1도전형 반도체층(520)을 전자주입층으로 설정한 경우, 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함할 수 있다.

형광체층(550)은 제2도전형 반도체층(540)의 상면에 입자 상태인 형광체가 균일하게 고정된 형태로 형성될 수 있다. 제2도전형 반도체층(540) 상에는 형광체의 고정을 위한 다수개의 홀(555)이 형성된다. 형광체 입자(250)는 홀(555)의 형상과 대응되는 형상을 가지고, 홀(555) 내에 삽입 고정됨으로써 형광체층(550)을 형성한다.

도 7은 다른 실시예에 따른 발광소자(500)의 제조 상태도로서, 도 6의 형광체층(550)의 형성상태를 도시한 것이다.

도 7에 도시된 바와 같이, 제2도전형 반도체층(540) 상에는 단면이 팔각형 형태인 다수개의 홀(555)이 형성된 형광체 수납부(552)가 형성된다. 단면이 팔각형인 홀(555)은 RIE(Reactive Ion Etching) 방식이나, Wet Etching 방식, 나노 임프린트 방식 등을 적용하여 일정 간격을 갖도록 형성될 수 있다.

형광체 입자(250)는 홀(555)의 단면과 같은 팔각형 형태의 단면을 갖는 다 면체 입자로서, 수지와 형광체가 경화된 형태로 제공될 수 있다.

형광체 입자(250)를 홀(555)이 형성된 형광체 수납부(552)상에 도포하면 각 홀(555)에 형광체 입자(250)가 수용된다. 여기서, 홀(555)에 수용되지 못하고 남은 형광체 입자(250)는 수거되어 재사용할 수 있다.

홀(555)에 형광체 입자(250)가 수용되면, 이를 그대로 경화시키거나 혹은 수지를 이용하여 고정시킴으로써 제2도전형 반도체층(540) 상에 형광체층(550)을 형성할 수 있다.

이러한 실시예에 의해, 형광체 입자(250)의 크기 및 배열 간격 등을 조절함으로써 색도를 용이하고 정확하게 조절할 수 있으며, 색 분포를 좁게 가지고 갈 수 있다. 또한, 형광체를 형광체 입자(250)의 형태로 적용함으로 공정 시 형광체 물질이 낭비되는 것을 방지할 수 있으며, 홀(555) 형성 시 광결정(photonic Crystal) 형태를 형성하여 발광효율을 향상시킬 수 있다.

이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

도 1은 실시예에 따른 발광소자의 사시도이다.

도 2 내지 도 4는 실시예에 따른 발광소자의 제조 상태도이다.

도 5는 실시예에 따른 발광소자의 형광체 입자의 예시도이다.

도 6은 다른 실시예에 따른 발광소자의 사시도이다.

도 7은 다른 실시예에 따른 발광소자의 제조 상태도이다.

Claims

제1도전형 반도체층;

상기 제1도전형 반도체층 상에 형성된 활성층;

상기 활성층 상에 형성된 제2도전형 반도체층;

상기 제2도전형 반도체층 상에 형성된 형광체층을 포함하고;

상기 형광체층은 광 결정 형태인 다수개의 홀이 형성된 형광체 수납부 및 상기 홀에 고정되는 형광체 입자를 포함하고,

상기 형광체 입자는 형광체와 수지를 포함하는 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 홀은, 구 또는 다각형 형상 형태로 형성되는 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 홀은, 균일한 간격으로 형성되는 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 홀의 크기는 10㎛ 이상의 크기로 형성되는 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 형광체 입자는 상기 홀의 형상에 따라 구, 다각형, 뿔, 뿔대, 기둥 중 적어도 어느 하나의 형태로 형성되는 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 홀과 결합되는 상기 형광체 입자의 하부 형상은 상기 형광체 수납부의 상면 아래로 형성된 홀의 형상과 동일한 발광 소자.
제1항에 있어서,

상기 형광체는 적색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 백색 형광체 중 하나 이상을 포함하는 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 수지는, 실리콘 및 에폭시 수지 중 하나 이상을 포함하는 발광소자.
기판상에 제1도전형 반도체층을 형성하는 단계;

상기 제1도전형 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;

상기 활성층 상에 제2도전형 반도체층을 형성하는 단계;

상기 제2도전형 반도체층 상에 광 결정 형태인 다수개의 홀이 형성된 형광체 수납부를 형성하는 단계;

상기 형광체 수납부의 상기 다수개의 홀에 형광체 입자를 고정하여 형광체층을 형성하는 단계를 포함하고,

상기 형광체 입자는 형광체와 수지를 포함하는 발광소자의 제조방법.
제9항에 있어서, 상기 형광체 수납부를 형성하는 단계는,

RIE(Reactive Ion Etching) 방식, Wet Etching 방식, 나노 임프린트 방식, 테이프 접착방식 중 어느 하나를 이용하여 상기 홀을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.
제9항에 있어서, 상기 형광체 수납부를 형성하는 단계는,

구 ,다각형, 뿔, 뿔대, 기둥 중 적어도 어느 하나의 형태로 상기홀을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.
제9항에 있어서, 상기 형광체 수납부를 형성하는 단계는,

균일한 간격의 다수개의 홀을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.
제9항에 있어서, 상기 형광체 수납부를 형성하는 단계는,

상기 홀의 크기를 10㎛ 이상의 크기로 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.
제9항에 있어서,

상기 홀의 형상에 대응되는 구, 다각형, 뿔, 뿔대, 기둥 중 적어도 어느 하나의 형태의 상기 형광체 입자를 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.
제9항에 있어서,

상기 형광체 입자를 형성하는 단계는,

형광체와 수지를 혼합하여 형광체 혼합액을 형성하는 단계와;

상기 형광체 혼합액을 상기 형광체 입자의 본이 형성된 성형틀에 주입하는 단계와;

상기 성형틀에 주입된 상기 형광체 혼합액을 경화시키는 단계와;

상기 성형틀로부터 상기 경화된 형광체 입자를 분리하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.
제9항에 있어서,

상기 형광체는 적색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 백색 형광체 중 하나 이상을 포함하는 발광소자의 제조방법.
제9항에 있어서,

상기 수지는, 실리콘 및 에폭시 수지 중 하나 이상을 포함하는 발광소자의 제조방법.
제9항에 있어서, 상기 형광체층을 형성하는 단계는,

상기 홀에 수납된 상기 형광체 입자를 수지를 이용하여 고정하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.
제9항에 있어서, 상기 형광체층을 형성하는 단계는,

상기 홀에 수납된 상기 형광체 입자를 경화시켜 상기 홀에 상기 형광체 입자를 고정하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법.