KR20090065052A

KR20090065052A - 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20090065052A
Application number: KR20070132481A
Authority: KR
Inventors: 박성은; 박용조; 손철수; 이정욱; 사공탄
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2007-12-17
Filing date: 2007-12-17
Publication date: 2009-06-22
Also published as: KR100936001B1

Abstract

질화물 반도체 발광소자가 개시된다. 본 질화물 반도체 발광소자는, 질화물 단결정 성장용 기판 상에 형성된 제1 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 제1 파장을 갖는 제1 활성층, 제1 활성층 상에 형성되며 복수 개의 윈도우 영역을 갖는 절연층, 복수 개의 윈도우 영역을 통해 노출된 상기 제1 활성층 상에 복수 개로 형성되며 상부면이 평행한 피라미드 구조로 상기 제1 파장보다 큰 제2 파장을 갖는 제2 활성층 및 복수 개의 제2 활성층의 상부면에 형성된 복수 개의 제2 도전형 반도체층을 포함한다.

질화물 반도체 발광소자, 백색광, UV 파장, 형광체

Description

질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 {Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof}

본 발명은 백색광을 발광하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

일반적으로 백색광을 구현하는 방식에는 다양한 방법이 있을 수 있다. 그 중 구체적인 예로, 단일 칩 형태의 방법이 있을 수 있다. 단일 칩 형태의 방법은, 청색 LED 또는 UV LED 상에 형광물질을 결합하여 백색광을 얻는 방법이다.

단일 칩에 형광체를 접목시키는 방법으로는 청색 LED를 여기 광원으로 사용하고, 여기광을 YAG(Yttrium Aluminum Garnet)의 노란색(560㎚)을 내는 형광물질을 통과시키는 형태의 발광소자가 처음으로 등장하게 되었다. 그러나, 이와 같은 발광소자는 청색과 노란색의 파장 간격이 넓어서 색 분리로 인한 섬광효과를 일으키기 쉽다. 따라서, 색 좌표가 동일한 백색광을 발광하는 발광소자를 양산하는 것이 어려우며, 조명 광원에서 중요한 변수인 색온도와 연색성 평가지수(Color Rendering Index: CRI)의 조절도 매우 어렵다. 또한, 주변온도에 따른 색 변환 현상이 치명적인 단점으로 지적받고 있다. 이에 따라, UV LED를 여기 광원으로 이용하여 단일 칩 형태의 발광소자를 제조하는 방법이 개발되었다.

도 1은 종래 UV LED를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 수직 단면도이다. 도 1을 참조하면, 질화물 반도체 발광소자(10)는 회로 기판(11) 상에 실장되어 있으며, LED(12) 및 수지 포장부(13)를 포함한다.

발광소자(10)의 확대도를 참조하면, LED(12)는 제1 전극(12a), 제1 도전형 반도체층(12b), UV 활성층(12c), 제2 도전형 반도체층(12d) 및 제2 전극(12e)을 포함한다. 또한, 수지 포장부(13)는 청색, 녹색 및 적색의 형광체들(13a)을 포함하고 있다.

LED(12)의 제1 전극(12a) 및 제2 전극(12e)에 전압을 인가하는 경우, 전자 및 전공의 재결합에 의해 UV 활성층(12c)에서 UV 파장의 광을 발광하게 된다. 이 UV 파장의 광은 수지 포장부(13)에 포함된 청색, 녹색 및 적색의 형광체들(13a)과의 결합을 통해 백색광으로 변환하게 된다.

이와 같은, 종래 발광소자(10)의 경우, UV 활성층(12c)에서 발광된 UV 파장의 광이 임계각보다 큰 입사각을 갖는 경우, 굴절률 차이에 의해 제2 질화물 반도체층(12d)의 계면에서 전반사되어 외부로 추출되지 못하고 소멸된다. 이에 따라, 수지 포장부(13)에 전달되는 광량이 감소되어, 고효율의 백색광을 구현할 수 없게 된다는 문제점이 있었다.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, UV 파장의 광을 발광하는 제1 활성층 상에 소정 간격으로 상부면이 평평한 피라미드 구조의 제2 활성층을 복수 개 형성함으로써, 제2 활성층을 통해 발광되는 광과 형광체의 결합을 통해 고효율의 백색광을 구현할 수 있도록 하는 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.

이상과 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는, 질화물 단결정 성장용 기판 상에 형성된 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 제1 파장의 광을 발광하는 제1 활성층, 상기 제1 활성층 상에 형성되며, 복수 개의 윈도우 영역을 갖는 절연층, 상기 복수 개의 윈도우 영역을 통해 노출된 상기 제1 활성층 상에 복수 개로 형성되며 상부면이 평행한 피라미드 구조로 상기 제1 파장보다 큰 제2 파장의 광을 발광하는 제2 활성층 및 상기 복수 개의 제2 활성층의 상부면에 형성된 복수 개의 제2 도전형 반도체층을 포함한다.

본 질화물 반도체 발광소자는, 상기 제2 도전형 반도체층의 상부면에 형성되며, 청색, 녹색 및 적색 형광체 중 적어도 하나 이상의 형광체를 포함하는 수지 포장부를 더 포함할 수 있다.

이 경우, 상기 제1 활성층의 제1 파장은 UV(Ultra Violet) 파장인 것이 바람 직하다. 또한, 상기 제2 활성층의 제2 파장은 청색, 녹색 및 적색 파장 중 적어도 하나의 파장인 것이 바람직하다.

한편, 상기 절연층은 다공성 증착 특성을 갖는 SiN 및 SiO₂ 중 어느 하나의 절연 물질로 형성될 수 있다.

또한, 상기 제1 활성층은, AlGaN으로 이루어질 수 있으며, 상기 제2 활성층은 InGaN/GaN으로 이루어질 수 있다.

본 질화물 반도체 발광소자는, 상기 제1 도전형 반도체층에 접합되어 형성된 제1 전극, 및, 상기 복수 개의 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나의 상부면에 형성된 제2 전극을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은, 질화물 단결정 성장용 기판 상에 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 제1 파장을 갖는 제1 활성층을 형성하는 단계, 상기 제1 활성층 상에 복수 개의 윈도우 영역을 갖는 절연층을 형성하는 단계, 상기 복수 개의 윈도우 영역을 통해 노출된 상기 제1 활성층 상에 상부면이 평행한 피라미드 구조를 가지며, 상기 제1 파장보다 큰 제2 파장을 갖는 복수 개의 제2 활성층을 형성하는 단계 및 상기 복수 개의 제2 활성층의 상부면에 복수 개의 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계를 포함한다.

본 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은, 상기 제2 도전형 반도체층의 상부면에 형성되며, 청색, 녹색 및 적색 형광체 중 적어도 하나의 형광체를 포함하는 수지 포장부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

이 경우, 상기 제1 활성층의 제1 파장은, UV(Ultra Violet) 파장인 것이 바람직하며, 상기 제2 활성층의 제2 파장은, 청색, 녹색, 적색 파장 중 적어도 하나의 파장인 것이 바람직하다.

또한, 상기 제1 활성층은 AlGaN으로 이루어질 수 있으며, 상기 제2 활성층은 InGaN/GaN으로 이루어질 수 있다.

본 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법은, 상기 제1 도전형 반도체층에 제1 전극이 접합되도록 형성하는 단계, 및, 상기 복수 개의 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나의 상부면에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

본 발명에 따르면, UV 파장의 광을 발광하는 제1 활성층 상에 소정 간격으로 상부면이 평평한 피라미드 구조의 제2 활성층을 복수 개 형성함으로써, 제2 활성층을 통해 방출되는 광량을 증가시킬 수 있게 된다. 이에 따라, 제2 활성층을 통해 방출되는 광과 형광체의 결합량을 증가시켜 고효율의 백색광을 구현할 수 있게 된다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 보다 자세하게 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 수직 단면도이다. 도 2를 참조하면, 질화물 반도체 발광소자(100)는 회로 기판(110) 상에 실장되어 있으며, LED(120) 및 수지 포장부(130)를 포함한다. 이 경우, LED 칩(120)은 상부면, 즉, 광 방출면이 요철 패턴으로 형성된다.

발광소자(100)의 확대도를 참조하면, LED(120)는 질화물 단결정 성장용 기판(121), 제1 도전형 반도체층(122), 제1 활성층(123), 절연층(124), 제2 활성층(125), 제2 도전형 반도체층(126), 제1 전극(127) 및 제2 전극(128)을 포함한다.

LED(120)에서 제1 도전형 반도체층(122)은 n형 반도체층으로, 질화물 단결정 성장용 기판(121) 상에 n형 도펀트를 도핑시켜 성장시켜 형성할 수 있다. 이 경우, 질화물 단결정 성장용 기판(121)은 질화갈륨(GaN)계 기판이 될 수 있다.

제1 도전형 반도체층(122) 상에 단일 또는 다중양자우물구조의 AlGaN으로 이루어진 제1 활성층(123)이 형성된다. 제1 활성층(123)은 제1 파장의 광을 발광하는 것으로, 제1 파장은 UV 파장이 될 수 있다. 즉, 제1 활성층(123)은 제1 전극(127) 및 제2 전극(128)을 통해 전압이 인가되면, 전자 및 전공의 재결합에 의해 UV 파장 영역의 광을 방출할 수 있게 된다.

한편, 제1 활성층(123) 상에는 복수 개의 윈도우 영역을 포함하는 절연층(124)이 형성되어 있다. 이 경우, 절연층(124)은 다공성 증착 특성을 갖는 SiN 물질로 형성되는 것으로, SiN 물질을 증착시킴에 따라 윈도우 영역이 발생된다. 윈 도우 영역은 10~50nm 범위 내의 지름을 가질 수 있다.

제2 활성층(125)은 절연층(124)의 윈도우 영역을 통해 노출되어 있는 제1 활성층(123) 상에 형성된 것으로, 이 역시 복수 개로 형성될 수 있다. 제2 활성층(125)은 단일 또는 다중양자우물구조의 InGaN/GaN으로 이루어졌으며, 제1 활성층(123)이 갖는 제1 파장보다 큰 제2 파장의 광을 발광한다. 구체적으로, 제2 활성층(125)이 갖는 제2 파장의 광은 청색광, 녹색광 및 적색광 중 적어도 어느 하나가 될 수 있다. 이 경우, 제2 활성층(125)은 제1 활성층(123)에서 발광하는 UV광이 전달되면, UV 광이 가지고 있는 광 에너지에 의해 발광하여 제2 파장의 광을 발광하게 된다.

또한, 제2 활성층(125)는 윈도우 영역을 통해 성장되는 것으로, 그 상부면의 면적이 하부면의 면적보다 작은 구조를 갖는다. 즉, 측벽이 경사를 가지며, 상부면이 평평한 피라미드 구조로 형성될 수 있다.

이와 같은 구조에 따라 제2 활성층(125)의 양 측벽을 통해 광이 출력되는 경우, 경사진 측벽을 통과하면서 광의 입사각이 감소하게 된다. 이에 따라, 광의 전반사로 인한 손실이 감소되어 LED(120) 외부로 출력되는 광량이 증가하게 된다.

한편, 복수 개의 제2 활성층(125) 상부면에는 p형 도펀트의 도핑에 의해 성장된 복수 개의 제2 도전형 반도체층(126)이 형성된다. 수직 단면도를 통해 도시된 바와 같이, 제2 활성층(125) 및 제2 도전형 반도체층(126)은 절연층(124)에 의해 소정 간격을 두고 피라미드 구조로 형성됨으로써, LED(120)의 표면에서 요철 패턴을 형성한다. 이 경우, 제2 활성층(125)은 약 50㎚ 이하의 두께로 형성되며, 제2 도전형 반도체층(126)은 약 150㎚ 이상의 두께로 형성될 수 있다.

질화물 단결정 성장용 기판(121)의 하면에 제1 전극(127)을 형성한다.

또한, 복수 개의 제2 도전형 반도체층(126) 중 적어도 하나에 제2 전극(127)이 형성될 수 있다. 이 경우, 제2 전극(127)은 LED(120)의 최외각에 위치한 제2 질화물 반도체층(125) 상에 형성되는 것이 바람직하다.

한편, LED(120)의 광 방출면, 즉, 제2 도전형 반도체층(126)의 상부면에는 청색, 녹색 및 적색 형광체 중 적어도 하나를 포함하는 수지 포장부(130)가 형성되어 있다. 만약, 제2 활성층(125)을 통해 발광되는 제2 파장의 광이 청색 파장을 갖는 경우, 수지 포장부(130)에는 녹색 및 적색 형광체가 포함되어 있을 수 있다. 이 경우, 제2 활성층(125)을 통해 발광되는 청색 파장의 광과 녹색 및 적색 형광체가 결합되어 본 질화물 반도체 발광소자(100)은 백색광을 방출할 수 있게 된다. 또한, 제2 활성층(125)을 통해 발광되는 제2 파장의 광이 녹색 파장을 갖는 경우, 수지 포장부(130)에는 청색 및 적색 형광체가 포함되어 있을 수 있다. 이와 같이, 수지 포장부(130)에 포함되는 형광체는 제2 활성층(125)에 따라 그 종류가 달라질 수 있다.

본 질화물 반도체 발광소자(100)에 따르면, 제2 활성층(125)이 상부면이 평평하며, 측벽이 경사진 형태의 피라미드 구조로 형성됨에 따라 제2 파장의 광량이 증가되어 수지 포장부(130)에 포함된 형광체들과의 결합량이 증가하게 된다. 이에 따라, 고효율의 백색광을 발광할 수 있게 된다.

도 3a 내지 도 3e는 도 2에 도시된 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이다. 도 3a를 참조하면, 우선, LED를 제조한다. 구체적으로, 질화물 단결정 성장용 기판(121) 상에 Si, In, Sn 등과 같은 n형 불순물을 도핑시켜 제1 도전형 반도체층(122)을 성장시킨다. 그리고, 제1 도전형 반도체층(122) 상에 UV 파장인 제1 파장의 광을 발광하는 제1 활성층(123)을 형성한다. 이 경우, 제1 활성층(123)은 단일 또는 다중양자우물구조의 AlGaN으로 이루어질 수 있다.

다음, 도 3b에 도시된 바와 같이, 제1 활성층(123) 상에 복수 개의 윈도우 영역을 포함하는 절연층(124)을 형성한다. 이 경우, 절연층(124)은 다공성 증착 특성을 갖는 SiN 물질을 증착시킴에 따라 윈도우 영역이 발생된다. 윈도우 영역은 그 크기 및 간격이 불규칙하며, 약 10~50㎚ 범위 내의 지름을 가질 수 있다.

이 후, 도 3c를 참조하면, 절연층(124)의 윈도우 영역을 통해 노출되어 있는 제1 활성층(123) 상에 InGaN/GaN으로 이루어진 제2 활성층(125)을 형성한다. 이 경우, 제2 활성층(125)은 윈도우 영역을 통해 형성됨에 따라, 복수 개로 형성될 수 있으며, 제2 활성층(125)은 약 50㎚ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 제2 활성층(125)은 상부면의 면적이 하부면의 면적보다 작으며, 상부면이 평평하고 측벽이 경사진 형태를 갖는 피라미드 구조로 형성될 수 있다. 이 같은 제2 활성층(125)의 구조는 제2 활성층(125)의 일 측벽에서 임계각을 초과하는 광이 전반사되더라도 타 측벽을 통해 외부로 방출될 수 있게 되어 광량이 증가하게 된다. 또한, 제2 활 성층(125)에서 방출된 광이 출력되는 경우, 그 계면, 특히, 측벽을 통해 출력되는 광의 입사각을 감소시킬 수 있게 된다.

다음, 도 3d에서와 같이, 복수 개의 제2활성층(135) 상부에 Zn, Cd, Mg 등과 같은 p형 도펀트를 도핑시켜 복수 개의 제2 도전형 반도체층(126)을 성장시킨다. 이 경우, 제2 도전형 반도체층(126)은 150㎚ 이상의 두께로 형성될 수 있으며, 제2 활성층(125)과 함께 LED의 상부면에서 요철 패턴을 형성한다.

그리고, 도 3e에서와 같이, 제1 도전형 반도체층(122)의 하부면에 제1 전극(127)을 형성하고, 제2 도전형 반도체층(126)의 상부면에 제2 전극(128)을 형성한다. 이 경우, 제2 전극(128)은 복수 개의 제2 도전형 반도체층(126) 중 적어도 하나의 상부면에 형성될 수 있다. 구체적으로는, 도 2 에 도시된 것과 같이, 가장자리에 있는 어느 하나의 제2 도전형 반도체층(126)에만 형성될 수도 있으며, 도 3e에 도시된 바와 같이, 가장자리 양측에 위치한 제2 도전형 반도체층(126)에 형성될 수도 있다. 이와 같은 방법으로 제조된 LED를 수지 포장부(130)로 포장한다. 이 경우, 수지 포장부(130) 내에는, 청색, 녹색 및 적색 형광체 중 적어도 하나 이상이 포함되어 있다. 수지 포장부(130) 내에 포함되는 형광체의 종류는 제2 활성층(125)에서 발광되는 제2 파장을 갖는 광에 따라 달라질 수 있다.

이와 같은 방법으로 제조된 질화물 반도체 발광소자는, 제2 활성층(125)을 통해 방출되는 광량을 증가시킴으로써, 형광체와의 결합량을 증가시켜 고효율의 백색광을 외부로 추출할 수 있게 된다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.

도 1은 종래 UV LED를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 수직 단면도,

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자의 수직 단면도,

도 3a 내지 도 3e는 도 2에 도시된 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호 설명>

100 : 질화물 반도체 발광소자 120 : LED 칩

121 : 질화물 단결정 성장용 기판 122 : 제1 도전형 반도체층

123 : 제1 활성층 124 : 절연층

125 : 제2 활성층 126 : 제2 도전형 반도체층

127 : 제1 전극 128 : 제2 전극

130 : 수지 포장부

Claims

질화물 단결정 성장용 기판 상에 형성된 제1 도전형 반도체층;

상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성된 제1 파장의 광을 발광하는 제1 활성층;

상기 제1 활성층 상에 형성되며, 복수 개의 윈도우 영역을 갖는 절연층;

상기 복수 개의 윈도우 영역을 통해 노출된 상기 제1 활성층 상에 복수 개로 형성되며, 상부면이 평행한 피라미드 구조로 상기 제1 파장보다 큰 제2 파장의 광을 발광하는 제2 활성층; 및,

상기 복수 개의 제2 활성층의 상부면에 형성된 복수 개의 제2 도전형 반도체층;을 포함하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 제2 활성층은,

상기 제1 활성층에서 발광된 상기 제1 파장의 광 에너지를 전달받아 상기 제2 파장의 광을 발광하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 제2 도전형 반도체층의 상부면에 형성되며, 청색, 녹색 및 적색 형광체 중 적어도 하나 이상의 형광체를 포함하는 수지 포장부;를 더 포함하는 것을 특징 으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 제1 활성층의 제1 파장은, UV(Ultra Violet) 파장인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 제2 활성층의 제2 파장은, 청색, 녹색 및 적색 파장 중 적어도 하나의 파장인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 절연층은,

다공성 증착 특성을 갖는 SiN 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 백색 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 제1 활성층은, AlGaN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 발광소자.
제1항에 있어서,

상기 제2 활성층은, InGaN/GaN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 백색 발광 소자.
제1항에 있어서,

상기 질화물 단결정 성장용 기판에 형성된 제1 전극; 및,

상기 복수 개의 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나의 상부면에 형성된 제2 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
질화물 단결정 성장용 기판 상에 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계;

상기 제1 도전형 반도체층 상에 제1 파장의 광을 발광하는 제1 활성층을 형성하는 단계;

상기 제1 활성층 상에 복수 개의 윈도우 영역을 갖는 절연층을 형성하는 단계;

상기 복수 개의 윈도우 영역을 통해 노출된 상기 제1 활성층 상에 상부면이 평행한 피라미드 구조를 가지며, 상기 제1 파장보다 큰 제2 파장의 광을 발광하는 복수 개의 제2 활성층을 형성하는 단계; 및,

상기 복수 개의 제2 활성층의 상부면에 복수 개의 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 제2 활성층은,

상기 제1 활성층에서 발광된 상기 제1 파장의 광 에너지를 전달받아 상기 제2 파장의 광을 발광하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 제2 도전형 반도체층의 상부면에 형성되며, 청색, 녹색 및 적색 형광체 중 적어도 하나의 형광체를 포함하는 수지 포장부를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 제1 활성층의 제1 파장은, UV(Ultra Violet) 파장인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 제2 활성층의 제2 파장은, 청색, 녹색, 적색 파장 중 적어도 하나의 파장인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 절연층은,

다공성 증착 특성을 갖는 SiN 및 SiO₂ 중 어느 하나의 절연 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 제1 활성층은, AlGaN으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 제2 활성층은, InGaN/GaN으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.
제10항에 있어서,

상기 질화물 단결정 성장용 기판에 제1 전극을 형성하는 단계; 및,

상기 복수 개의 제2 도전형 반도체층 중 적어도 하나의 상부면에 제2 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자의 제조 방법.