JP5229770B2 - サイアロン蛍光体 - Google Patents

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Description

本発明は、従来よりも明るくかつ長波長側で発光し、白色発光ダイオードランプ等に好適に用いることができるサイアロン蛍光体及びこれを用いた発光デバイスに関する。
照明分野等において、固体照明、特に半導体発光ダイオードを用いた白色照明に期待が集まっており、広く精力的な研究開発が続けられている。白色発光ダイオードランプはすでに白熱電球と同等以上の発光効率を達成しているが、さらに改善の途上にあり、近い将来には省エネ照明機器として広く普及するものと考えられている。また、水銀等の環境負荷の高い物質を含まないことも大きな利点である。白色発光ダイオードランプは、素子の寸法が小さいことから、液晶ディスプレイ装置のバックライトや携帯電話などにも組み込まれ多用されている。かかる白色発光ダイオードランプに用いられる白色発光ダイオードは、青色光等の短波長光を発する発光ダイオード素子と、この光の一部又は全部を吸収することによって励起され、より長波長の黄色等の蛍光を発する蛍光物質とを備える。すなわち、白色光は、発光源としての青色光発光ダイオードが発する青色光と、蛍光体が発する黄色光とを混合することにより得られる。
ところで、照明用途の発光デバイスでは、その用途に応じて様々な色温度の白色発光デバイスが求められており、かかる要求に対応できるように、従来公知の蛍光体よりもさらに広い色度範囲を実現する蛍光体と、その色度の調整技術が求められている。例えば、特許文献1には、一般式をMeSi12−(m+n)Al(m+n)16−nとしたとき、MeはCa,Mg,Y,又はLaとCeを除くランタニド金属と、その一部を置換する発光中心のランタニド金属であるCe、Pr、Eu、Tb、Yb、Er及びその共付活剤としてのDyであり、金属Meが2価のとき0.6<m<3.0かつ0≦n<1.5、金属Meが3価のとき0.9<m<4.5かつ0≦n<1.5である組成範囲が開示されている。そして、Eu2+イオンの付活量を変化させることで発光ピーク波長を560nmから590nmの範囲で連続的に変化させられることが開示されている。特許文献2に開示された蛍光体は、Eu2+で付活し、金属としてCaを主体とすることにより、発光主波長546nmから583nmの範囲を達成している。特許文献3において、我々は、Eu2+で付活し、金属としてCaを主体とすることにより、発光主波長が577.7〜583.1nmの範囲の蛍光体を開示した。しかしながら、現在は、青色で励起可能であり、これら開示された蛍光体よりもさらに長波長で発光する蛍光体が求められている。
特許第3668770号公報 特開2003−124527号公報 WO2006/006582
かかる問題を解決するために、例えば、「R-J. Xie et al.,“Eu2+-doped Ca-α-SiAlON: A yellow phosphor for white light-emitting diodes,"Applled Physics Letters, Vol. 84, Number 26, pp. 5404-5406 (2004)」(非特許文献1)において、Xieらは、CIE1931色度図上の色度座標(x,y)で(0.491,0.497)から(0.560,0.436)の蛍光体を開示している。これは、主波長で578nmから588nmの範囲である。しかし、Xieらの開示した蛍光体は、原料に高価な希土類窒化物を使用する 必要があり、安価に長波長発光蛍光体を実現する技術が求められていた。これを解決するために、我々は、W02006/025261(特許文献4)で、(Ca,Y)−α−SiAlON:Eu新規蛍光体を開示した。これら蛍光体は、発光主波長で580.2〜590.7nmを達成した。しかし、これら蛍光体では、CaからYへの置換量が増加し、発光波長が長波長化するにつれて急激に発光強度が低下するという問題があった。
したがって、本発明は、高価な窒化物原料を用いることなく安価に製造することができ、従来の蛍光体よりも長波長の発光色度と明るさを有し、さらに長波長側で急激な発光強度の低下が生じないサイアロン蛍光体を提供することを目的とする。
また、本発明は、かかるサイアロン蛍光体を用いた発光デバイスを提供することを目的とする。
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、Lu−α−SiAl0N:Eu蛍光体に注目した。Lu−α−SiAlON:Eu蛍光体が合成可能であることはこれまでに示唆されているが、最適な組成範囲やその光学特性など技術的な詳細はこれまでに開示されていない。本発明者らは、かかる新規な蛍光体を合成し、その特性を検討した結果、発光主波長が従来のものより長波長側にあり、発光ピーク強度が強く、発光主波長が長波長化しても発光ピーク強度がほとんど低下しないことを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、一般式(2)
Figure 0005229770
で表され、少なくとも主相がアルファサイアロン結晶構造を有し、0.25≦p≦0.65、0.03≦q≦0.08であり、ただし、p+qをkとしたとき、mは3×k、nは(3×k)/2で表される数値であることを特徴とするサイアロン蛍光体を提供するものである。
また、本発明は、0.25≦p≦0.35である上記サイアロン蛍光体を提供するものである。
また、本発明は、0.30≦p≦0.65である上記サイアロン蛍光体を提供するものである。
また、本発明は、上記サイアロン蛍光体と、半導体青色発光ダイオード素子と、を備えることを特徴とする発光デバイスを提供するものである。
本発明のサイアロン蛍光体は、紫外光又は青色光で励起され、黄色から橙色の蛍光を発するものであり、高価な窒化物原料を用いることなく安価に製造することができ、従来の蛍光体よりも長波長の発光色度と明るさを有し、さらに長波長側で急激な発光強度の低下が生じないという優れた特性を有するものである。したがって、かかるサイアロン蛍光体は、青色半導体発光素子を用いた白色発光ダイオードランプ等に用いることができる。
本発明のサイアロン蛍光体は、ユーロピウム(Eu)で付活し、ルテチウム(Lu)を固溶したものであり、具体的には一般式(1)、より具体的には一般式(2)で表される構造を有している。
次に、固溶元素の割合について説明する。アルファサイアロンは、アルファ型窒化珪素のSi−N結合の一部がAl−N結合またはAl−O結合で置換された構造を有し、金属元素が結晶格子間に侵入型固溶することにより安定化される。発光中心となるEuは、単独ではアルファサイアロンに固溶しない。なお、3価のカチオンとなるものの量をkとしたとき、Luは3価であり、Euも一般に原料としてEuを用いるので3価であるから、k=p+qである。このとき、m=3k、n=3k/2とした。ただし、焼成後の成果物では、Euは還元されて2価になるので、m及びnの値はそれにしたがって若干変化している可能性がある。
qを0.05とし、pを0.10〜1.25とした組成のサイアロン蛍光体を以下の方法で製造した。出発原料として、窒化珪素(Si)、窒化アルミニウム(AlN)、酸化ユーロピウム(Eu)、酸化ルテチウム(Lu)を用いた。前記組成設計に従って算出した各原料の質量比は表1に示した通りである。これらの原料は、安価に入手が可能である。
Figure 0005229770
この割合に応じて、1バッチが30gずつとなるように該原料粉末を秤量・混合した。混合にはn−ヘキサンを用いて、湿式遊星ボールミルにより2時間混合した。ロータリーエバポレータで乾燥させ、乾燥した粉末の状態で乳鉢をもちいて十分にほぐし、JIS Z 8801に準拠した公称目開き125μmのステンレス製の試験用網ふるいを用いて適切な粒径に造粒し、窒化ホウ素のふた付き容器におさめた。焼結温度は1700℃とし、窒素雰囲気で0.9MPaに加圧し、2時間保持した。焼結後、装置から取り出した段階では、一つの固まりのようになっているものを乳鉢上でわずかな力を加え、粉末状にくずすことにより、粉末蛍光体試料(サイアロン蛍光体)を製造した。
なお、本発明のサイアロン蛍光体は、かかる製造方法に限定されず、上記と異なる原料、混合、篩過、焼結条件等で製造することができる。篩過は、試料の崩れ易さに応じて試験用網ふるいの公称目開きを選択することができる。蛍光粉末体の粒径については、サブμmから1μm前後の微小なものになると白色光発光ダイオードの発光強度が著しく低下する。白色光発光ダイオードランプの発光効率向上を図るためには、実装設計の改善による光の取り出し効率の向上の検討が不可欠であり、アルファサイアロン蛍光体粉末中において、ミー散乱の原因となり得る粒径2μm以下の粒子の割合を10%以下にまで除去低減することが好ましい。焼結を行うにあたっては、窒素雰囲気におけるガス加圧焼結が好適である。焼結中の酸化や分解を防止するため、窒素雰囲気にするだけでなく、加圧することが好ましい。より確実に焼結を行うためには、2気圧以上とすることが特に好ましい。焼結時間は1〜24時間が好ましい。焼結温度は1650〜1750℃が好ましく、1700℃前後が特に好ましい。溶媒は、エタノール等の水酸基を有するものを用いると、AlNが分解しやすくなるため、n−ヘキサン等の水酸基を有しないものを用いることが好ましい。
このようにして合成した12の粉末蛍光体試料について、蛍光分光光度計を用いて励起スペクトル及び発光スペクトルの測定を実施した。スペクトルの測定にあたっては、ロー−ダミンB法及びメーカ提供の標準光源を用いてスペクトル補正した日本分光製の分光蛍光光度計FP−6500を用いた。発光スペクトルは、青色LED素子による励起を 想定して、分光蛍光光度計の励起ピーク波長を450nmに設定して測定した。励起スペクトルは、分光蛍光光度計の発光モニタ波長を、発光スペクトル測定結果から得られた発光ピーク波長に設定して測定した。表2に、発光ピーク波長、発光主波長、CIE1931色度図における色度座標(x,y)、発光ピーク強度の値を示す。なお、発光ピーク強度は、市販の(Y,Gd)Al12:Ce3+蛍光体を460nmで励起した場合の発光スペクトルの発光ピーク強度を100%とした時の相対値で示した。
Figure 0005229770
発光ピーク波長は、608.4nmまで長波長化が可能となった(試料#11(p=0.95))。発光主波長は579.6〜589.6nmの範囲が達成できており、試料#12を除いて、組成式の数値pが大きくなる、すなわちLuの量が多くなるに従って発光主波長は長波長にシフトしている。粉末X線回折パターン測定結果からアルファサイアロン単相であると判断された0.25≦p≦0.65の試料#4〜#10に限定して言うと、発光主波長範囲は583.8〜588.0nmである。また、この0.25≦p≦0.65の試料#4〜#10で発光ピーク強度は59%以上であり、強い。さらに、0.25≦p≦0.35の試料#4〜#6で発光ピーク強度はいずれも65%以上(68%)であり、特に発光ピーク強度が強い。これは、従来の蛍光体より安価な原料を用いて長波長側での発光を可能にしたものであり、青色発光ダイオード素子で励起することによりかつてない低い色温度の白色発光デバイスを実用化しうるものである。
さらに、12試料の全部について、粉末X線回折パターンを測定した。図1にその測定結果と、JCPDS−ICDDのPDF−2データベースのX線データカードNo.33−0261のカルシウムアルファサイアロンのピーク位置とを示す。
試料#1、#2、#3,#11、#12については、第2相の生成がみられ、アルファサイアロン単相では無く、アルファサイアロンを主相とする結晶構造を有することがわかる。#4〜#10、すなわち、0.25≦p≦0.65では、アルファサイアロン単相の結晶構造を有することがわかる。
図2、図3、図4、図5に、それぞれ試料#4、#5、#6、#10の励起スペクトルと発光スペクトルとを示す。発光強度はそれぞれのピーク強度を1として規格化して示した。いずれも紫外光から青色光で効率的に励起可能であり、十分広いスペクトル幅を有しており、白色LED用蛍光体として好適であることがわかる。
図6は、特許文献4で我々が開示した(Ca,Y)−α−SiAlON:Eu蛍光体と、本件発明のLu−α−SiAlON:Eu蛍光体との、発光主波長と発光ピーク強度との関係を示したものである。(Ca,Y)−α−SiAlON:Eu蛍光体は、発光主波長が長波長化するに従って急激に発光ピーク強度が低下するが、本件発明のLu−α−SiAlON:Eu蛍光体では、ほとんど低下しない。特に、発光主波長が585nm以上の範囲では、(Ca,Y)−α−SiAlON:Eu蛍光体よりもLu−α−SiAlON:Eu蛍光体の方が発光ピーク強度が強い。これは0.30≦p≦0.65である試料#5〜#10に相当する。なお、本実験においては、q=0.05としたが、qは0.03〜0.08であることが好ましい。
図7は、本発明のサイアロン蛍光体を用いた本発明の発光デバイス1の一実施形態を示す斜視図であり、図8は、この発光デバイス1の断面図である。発光デバイス1は、上部がレンズの機能を有する球面となっている略円筒形状、換言すれば砲弾と類似した形状を有し、リードワイヤ2及び3、青色発光ダイオード素子(半導体青色発光ダイオード素子)5、導電性ペースト9、金製のボンディングワイヤ10、サイアロン蛍光体11、第1の樹脂12、第2の樹脂14からなる。青色発光ダイオード素子5は、上部電極6、炭化珪素(SiC)基板7、窒化インジウムガリウム(inGaN)発光層8、及び下部電極13から構成される。また、リードワイヤ2の上端部には、凹部4が設けられており、青色発光ダイオード素子5の下部電極13は、導電性ペースト9により凹部4の底面と電気的に接続され、上部電極6は、ボンディングワイヤ10によりリードワイヤ3と電気的に接続されている。
第1の樹脂12は、エポキシ樹脂等の透光性を有する樹脂であり、また、蛍光体11 が分散されている。この第1の樹脂12は、凹部4内に充填され、青色発光ダイオード素子5を封止している。上記の蛍光体11は、青色発光ダイオード素子5から発せられた青色光の一部を吸収し、これとは異なる波長の光(黄色光)を発する。第2の樹脂14は、エポキシ樹脂等の透光性を有する樹脂であり、リードワイヤ2及び3の上部、ボンディングワイヤ10、第1の樹脂12を封止している。以上の構成を有する発光デバイス1は、青色発光ダイオード素子5から発せられた青色光と蛍光体11から発せられた黄色光の混色により白色光を発する。
本発明は、従来よりも長波長側で発光し得る白色サイアロン蛍光体としての利用が可能である。
本発明の実施例にかかる試料のX線回折パターンを示す図である。 試料♯4の励起スペクトルと発光スペクトルを示す。発光強度は、それぞれのピークを1として規格化している。 試料♯5の励起スペクトルと発光スペクトルを示す。発光強度は、それぞれのピークを1として規格化している。 試料♯6の励起スペクトルと発光スペクトルを示す。発光強度は、それぞれのピークを1として規格化している。 試料♯10の励起スペクトルと発光スペクトルを示す。発光強度は、それぞれのピークを1として規格化している。 試料♯4〜♯10及びWO2006/025261で開示した(Ca,Y)−α−SiAlON:Eu蛍光体の、発光主波長と発光ピーク強度との関係を示す図である。 本発明の発光デバイスの一実施形態を示す斜視図である。 本発明の発光デバイスの一実施形態を示す断面図である。
符号の説明
1:発光デバイス、2、3:リードワイヤ、4:リードワイヤの凹部、5:青色発光ダイオード素子、6:上部電極、7:炭化ケイ素基板、8:窒化インジウムガリウム発光層、9:導電性ペースト、10:金属製ボンディングワイヤ、11:サイアロン蛍光体、12:第1の樹脂、13:下部電極、14:第2の樹脂

Claims (4)

  1. 一般式(2)
    Figure 0005229770
    で表され、少なくとも主相がアルファサイアロン結晶構造を有し、0.25≦p≦0.65、0.03≦q≦0.08であり、ただし、p+qをkとしたとき、mは3×k、nは(3×k)/2で表される数値であることを特徴とするサイアロン蛍光体。
  2. 0.25≦p≦0.35である請求項1に記載のサイアロン蛍光体。
  3. 0.30≦p≦0.65である請求項1に記載のサイアロン蛍光体。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載のサイアロン蛍光体と、半導体青色発光ダイオード素子と、を備えることを特徴とする発光デバイス。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101020998B1 (ko) * 2009-11-12 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
WO2011126035A1 (ja) 2010-03-31 2011-10-13 宇部興産株式会社 サイアロン系酸窒化物蛍光体の製造方法及びサイアロン系酸窒化物蛍光体
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US9512356B2 (en) * 2014-05-01 2016-12-06 General Electric Company Process for preparing red-emitting phosphors
CN104479673B (zh) * 2014-12-05 2016-05-04 有研稀土新材料股份有限公司 氮氧化物荧光粉及其制备方法和发光装置
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3668770B2 (ja) * 2001-06-07 2005-07-06 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
DE10133352A1 (de) 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
US8508119B2 (en) * 2004-07-13 2013-08-13 Fujikura Ltd. Phosphor and an incandescent lamp color light emitting diode lamp using the same
JP4572368B2 (ja) * 2004-08-12 2010-11-04 株式会社フジクラ サイアロン蛍光体の製造方法
JP4045299B2 (ja) 2004-08-30 2008-02-13 株式会社フジクラ 酸窒化物蛍光体及び発光デバイス
JP4649641B2 (ja) * 2004-11-26 2011-03-16 株式会社フジクラ アルファサイアロン蛍光体とその製造方法、アルファサイアロン蛍光体原料粉末及び発光ダイオードランプ
JP5080723B2 (ja) * 2005-02-22 2012-11-21 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP5110518B2 (ja) * 2005-07-01 2012-12-26 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および照明器具

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