JP4966530B2 - 蛍光体 - Google Patents

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Description

本発明は蛍光体に関する。
蛍光体は白色ＬＥＤ等の発光装置に用いられている。白色ＬＥＤは、発光素子と該発光素子が発する光の少なくとも一部により励起され発光する蛍光体とを有し、白色光を発する発光装置であり、それに用いる発光素子としては、青色光を発する発光素子（以下、青色ＬＥＤと記載することがある。）、近紫外光〜青紫色光を発する発光素子（以下、近紫外ＬＥＤと記載することがある。）が挙げられる。また、これらの発光素子が発する光により励起され発光する蛍光体としては、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅが知られている（例えば特許文献１参照。）。
特開平１０−２４２５１３号公報
しかし、従来の蛍光体を用いた発光装置は、演色性を主とする発光特性において十分とは言い難い。本発明の目的は、実用上、演色性を主とする発光特性を改善した発光装置を与え得る蛍光体を提供することにある。さらには、演色性を主とする発光特性を改善した白色ＬＥＤを与え得る蛍光体を提供することにある。
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明に至った。
すなわち本発明は、下記の蛍光体および発光装置を提供するものである。
＜１＞式ａＭ1Ｏ・ｂＭ2 2Ｏ3・ｃＭ3Ｏ2（式中のＭ1はＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、ＭｇおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ2はＡｌ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｙ、Ｉｎ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ3はＳｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、ＳｎおよびＨｆからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ａは８以上１０以下の範囲の値であり、ｂは０．８以上１．２以下の範囲の値であり、ｃは５以上７以下の範囲の値である。）で表される化合物に、付活剤として希土類元素、ＭｎおよびＢｉからなる群より選ばれる１種以上の元素が含有されてなることを特徴とする蛍光体。
＜２＞付活剤がＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＭｎおよびＢｉからなる群より選ばれる１種以上の元素である前記の蛍光体。
＜３＞式（Ｍ1 1-xＲｅx）9Ｍ2 2Ｍ3 6Ｏ24（式中のＭ1はＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、ＭｇおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ2はＡｌ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｙ、Ｉｎ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ3はＳｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、ＳｎおよびＨｆからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ＲｅはＭｎ、Ｚｎ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＴｍおよびＹｂからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ｘは０を超え１未満の範囲の値である。）で表される化合物から実質的になることを特徴とする蛍光体。
＜４＞ｘが０．０１以上０．２以下の範囲の値である前記の蛍光体。
＜５＞Ｍ1がＣａ、ＢａおよびＳｒからなる群より選ばれる１種以上の元素である前記いずれかに記載の蛍光体。
＜６＞Ｍ2がＳｃおよび／またはＹである前記いずれかに記載の蛍光体。
＜７＞Ｍ3がＳｉおよび／またはＧｅである前記いずれかに記載の蛍光体。
＜８＞前記いずれかに記載の蛍光体を有することを特徴とする発光装置。
＜９＞発光素子と該発光素子が発する光の少なくとも一部により励起され発光する蛍光物質とを有する発光装置であって、該蛍光物質が前記いずれかに記載の蛍光体を含有することを特徴とする発光装置。
＜１０＞発光素子が発する光が、波長範囲を３００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下とする波長−発光強度曲線において最大発光強度となるところの波長（λｍａｘ）が３５０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にある光である前記の発光装置。
本発明の蛍光体は、近紫外光〜青色光、すなわち３５０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲の波長の光、具体的には、波長範囲を３００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下とする波長−発光強度曲線において最大発光強度となるところの波長（λｍａｘ）が３５０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にある光により効率良く励起され発光し、本発明の蛍光体を含有する蛍光物質と近紫外光〜青色光を発する発光素子すなわち青色ＬＥＤまたは近紫外ＬＥＤと組み合わせることにより、実用上、演色性を主とする発光特性を改善した白色ＬＥＤを得ることができる。また本発明の蛍光体は、その発光スペクトルにおいて、最大発光強度が５１０ｎｍ前後で得られる場合があり、本発明の蛍光体を用いると、従来より演色性に優れる白色ＬＥＤの作製が可能となる。さらに本発明の蛍光体は、１００℃程度の高温での発光強度においても、室温での発光強度に比した低下分が少なく、液晶用バックライトおよび蛍光灯などの紫外線励起による発光装置、プラズマディスプレイパネルおよび希ガスランプなどの真空紫外線励起による発光装置、ブラウン管やＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）などの電子線励起による発光装置、Ｘ線撮像装置などのＸ線励起による発光装置、無機ＥＬディスプレイなどの電界励起による発光装置等の発光装置に用いることができるため、工業的に極めて有用である。
以下に本発明について詳しく説明する。
本発明の蛍光体は、式（１）
ａＭ1Ｏ・ｂＭ2 2Ｏ3・ｃＭ3Ｏ2 （１）
で表される化合物に、付活剤として希土類元素、ＭｎおよびＢｉからなる群より選ばれる１種以上の元素が含有されてなる。式（１）中のＭ1はＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、ＭｇおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ2はＡｌ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｙ、Ｉｎ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ3はＳｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、ＳｎおよびＨｆからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ａは８以上１０以下の範囲の値であり、ｂは０．８以上１．２以下の範囲の値であり、ｃは５以上７以下の範囲の値である。
ここで、前記付活剤がＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＭｎおよびＢｉからなる群より選ばれる１種以上の元素であることが発光特性の点で好ましい。より好ましくは、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＴｍおよびＹｂからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、さらにより好ましくは、少なくともＥｕを必須とし、さらにＭｎ、Ｚｎ、Ｓｍ、ＴｍおよびＹｂからなる群より選ばれる１種以上の元素を含んでもよい組み合わせからなる付活剤である。
また式（１）において、ａの値は９であることが好ましく、ｂの値は１．０であることが好ましく、ｃの値は６であることが好ましい。ａ、ｂ、ｃをこのような値とすることで、本発明の蛍光体の発光強度をより高めることができる傾向にある。
また、本発明の蛍光体は、式（２）
式（Ｍ1 1-xＲｅx）9Ｍ2 2Ｍ3 6Ｏ24 （２）
で表される化合物から実質的になる。式（２）中のＭ1はＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、ＭｇおよびＺｎからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ2はＡｌ、Ｓｃ、Ｇａ、Ｙ、Ｉｎ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、Ｍ3はＳｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、ＳｎおよびＨｆからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ＲｅはＭｎ、Ｚｎ、Ｓｍ、Ｅｕ、ＴｍおよびＹｂからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ｘは０を超え１未満の範囲の値である。ここで、Ｒｅは少なくともＥｕを必須とし、さらにＭｎ、Ｚｎ、Ｓｍ、ＴｍおよびＹｂからなる群より選ばれる１種以上の元素を含んでもよい組み合わせからなる元素であることが、発光特性の点で好ましい。
式（２）において、ｘは０．００１以上０．５以下の範囲の値であることが好ましく、０．０１以上０．３以下の範囲の値であることがより好ましく、さらにより好ましくは、０．０１以上０．２以下の範囲の値である。ｘの値をこのような範囲とすることで、本発明の蛍光体の発光強度をより高めることができる傾向にある。
式（１）および式（２）におけるＭ1は、Ｃａ、ＢａおよびＳｒからなる群より選ばれる１種以上の元素であることが好ましく、Ｂａおよび／またはＳｒであることがより好ましく、さらにより好ましくはＢａおよびＳｒである。Ｍ1をこのような元素とすることで、本発明の蛍光体の発光強度をより高めることができる傾向にある。
式（１）および式（２）におけるＭ2はＳｃおよび／またはＹであることが好ましく、より好ましくはＳｃである。Ｍ2をこのような元素とすることで、本発明の蛍光体の発光強度をより高めることができる傾向にある。
式（１）および式（２）におけるＭ3はＳｉおよび／またはＧｅであることが好ましく、より好ましくはＳｉである。Ｍ3をこのような元素とすることで、本発明の蛍光体の発光強度をより高めることができる傾向にある。
また、本発明の蛍光体は、本発明の目的を損なわない範囲で、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を含有してもよい。これらの元素の含有量としては、これらの元素を含む蛍光体総重量に対して１ｐｐｍ以上１００００ｐｐｍ以下であり、好ましくは、１ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下である。また、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群より選ばれる少なくとも１種以上の元素を前記のように含有することで、本発明の蛍光体の発光強度がより高くなることがある。
次に、本発明の蛍光体を製造する方法について説明する。
本発明の蛍光体は、例えば、次のようにして製造することができる。本発明の蛍光体は、焼成により本発明の蛍光体となる金属化合物混合物を焼成することにより製造することができる。すなわち、対応する金属元素を含有する化合物を所定の組成となるように秤量し混合した後に得られる金属化合物混合物を焼成することにより製造することができる。例えば、好ましい組成の一つである式（Ｂａ0.95Ｅｕ0.05）9Ｓｃ2Ｓｉ6Ｏ24で表される化合物からなる蛍光体は、ＢａＣＯ3、Ｅｕ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、ＳｉＯ2をＢａ：Ｅｕ：Ｓｃ：Ｓｉのモル比が８．５５：０．４５：２：６となるように秤量し、混合した後に焼成することにより製造することができる。
前記の金属元素を含有する化合物としては、バリウム、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウム、亜鉛、アルミニウム、スカンジウム、ガリウム、イットリウム、インジウム、ランタン、ガドリニウム、ルテチウム、ケイ素、チタン、ゲルマニウム、ジルコニウム、すず、ハフニウム、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、マンガンおよびビスマスの化合物で、例えば、酸化物を用いるか、または水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物、シュウ酸塩など高温で分解および／または酸化して酸化物になりうるものを用いることができる。
前記金属元素を含有する化合物の混合には、例えばボールミル、Ｖ型混合機、攪拌機等の通常工業的に用いられている装置を用いることができる。また、湿式混合、乾式混合のいずれによってもよい。
前記金属化合物混合物を、例えば７００℃〜１６００℃の温度範囲にて１〜１００時間保持して焼成することにより本発明の蛍光体が得られる。金属化合物混合物に水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物、シュウ酸塩など高温で分解および／または酸化して酸化物になりうるものが含有されている場合、焼成の前に、金属化合物混合物を、例えば焼成温度よりも低い温度で保持して仮焼することにより、酸化物としたり、結晶水を除去することも可能である。また、仮焼後に粉砕を行うこともできる。
焼成時の雰囲気としては、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気や空気、酸素、酸素含有窒素、酸素含有アルゴン等の酸化性雰囲気、水素を０．１から１０体積％含有する水素含有窒素、水素を０．１から１０体積％含有する水素含有アルゴン等の還元性雰囲気等が挙げられる。また強い還元性の雰囲気で焼成する場合には適量の炭素を上記の金属化合物混合物に添加して焼成してもよい。また、得られる蛍光体の結晶性を高めるために、焼成または仮焼時に金属化合物混合物の中に適量の反応促進剤を存在させると、蛍光体は高い発光強度を示すことがある。反応促進剤としては、例えば、ＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、Ｌｉ2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、Ｋ2ＣＯ3、ＮａＨＣＯ3、ＮＨ4Ｃｌ、ＮＨ4Ｉなどを挙げることができる。
以上の方法により得られた蛍光体を、例えばボールミルやジェットミル等を用いて粉砕することができる。また、洗浄、分級することができる。また、焼成を２回以上行うこともできる。
上記のようにして得られる本発明の蛍光体は、白色ＬＥＤ、液晶用バックライト、蛍光灯、プラズマディスプレイパネル、希ガスランプ、ブラウン管、ＦＥＤ、Ｘ線撮像装置、無機ＥＬディスプレイ等の発光装置に用いることができる。
特に、本発明の蛍光体は、３５０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲の波長の光、好ましくは３８０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の範囲の波長の光により励起され発光することができるので、発光素子として青色ＬＥＤまたは近紫外ＬＥＤを用い、該発光素子と該発光素子が発する波長範囲を３００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下とする波長−発光強度曲線において最大発光強度となるところの波長（λｍａｘ）が３５０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にある光、好ましくはλｍａｘが３８０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の範囲にある光の少なくとも一部により励起され発光する蛍光物質とを有する発光装置（白色ＬＥＤ）に用いることができる。この場合、該蛍光物質は、少なくとも本発明の蛍光体を含有していればよく、さらに後述のように他の蛍光体を含有するものであってもよい。
次に、発光装置に用いる発光素子について、青色ＬＥＤまたは近紫外ＬＥＤを例に挙げて、具体的に説明する。青色ＬＥＤまたは近紫外ＬＥＤは、例えば、特開平６−１７７４２３号公報、特開平１１−１９１６３８号公報に開示されているような公知の技術により製造することができる。すなわち、基板上にｎ型の化合物半導体層（ｎ型層）、化合物半導体からなる発光層（発光層）、ｐ型の化合物半導体層（ｐ型層）を積層した構造を有する。基板としては、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉなどが挙げられる。化合物半導体層の積層方法としては、一般的に用いられているＭＯＶＰＥ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法などが挙げられる。発光層の化合物半導体の基本組成として、ＧａＮ、ＩｎiＧａ1-iＮ（０＜ｉ＜１）、ＩｎiＡｌjＧａ1-i-jＮ（０＜ｉ＜１、０＜ｊ＜１、ｉ＋ｊ＜１）等が用いられる。この組成を変化させることにより、発する光の波長すなわち近紫外光〜青紫色光または青色光の波長を変化させることができる。また、発光層に含まれる不純物の量を低く抑えておくことが好ましい。具体的には、不純物としてＳｉ、Ｇｅ、２族元素の各元素を用いた場合、いずれもその濃度が１０17ｃｍ-3以下であることが好ましい。発光層は単一量子井戸構造あるいは多重量子井戸構造としてもよい。また発光層の膜厚としては５Å以上３００Å以下が好ましく、より好ましくは、１０Å以上９０Å以下である。膜厚が５Åより小さいかまたは３００Åより大きいと発光素子の発光効率が十分でない場合がある。
ｐ型層およびｎ型層としては、発光層の化合物半導体のバンドギャップより大きなバンドギャップを有する化合物半導体を用いる。ｎ型層とｐ型層との間に発光層を配置することで、発光素子を得ることができる。また、ｎ型層と発光層との間、発光層とｐ型層との間には、必要に応じて組成、伝導性、ドーピング濃度の異なるいくつかの層を挿入してもよい。この挿入層の化合物半導体の基本組成としては、例えば、前記のＩｎiＡｌjＧａ1-i-jＮ（０＜ｉ＜１、０＜ｊ＜１、ｉ＋ｊ＜１）が挙げられ、この中で、発光層とは組成、伝導性、ドーピング濃度等を異なる組成を用いる。
発光層に隣接する二つの層を電荷注入層という。前記の挿入層がある場合には、その挿入層が電荷注入層となり、挿入層がない場合には、ｎ型層、ｐ型層が電荷注入層となる。発光層においては、この二つの電荷注入層により、正電荷および負電荷が注入され、この電荷同士が再結合することにより光を発する。この発光層に注入された電荷を効率的に再結合させ高強度の光を得るためには、ｎ型層と発光層との間および発光層とｐ型層との間に、発光層のバンドギャップより大きなバンドギャップを有する挿入層を挿入して電荷注入層とした構造（いわゆるダブルヘテロ構造）を有する発光素子とすることが好ましい。電荷注入層と発光層とのバンドギャップの差は０．１ｅＶ以上であることが好ましい。電荷注入層と発光層とのバンドギャップの差が０．１ｅＶより小さい場合、発光層へのキャリアの閉じ込めが十分でないことにより発光素子の発光効率が低下することがある。またこのバンドギャップの差は、より好ましくは０．３ｅＶ以上である。ただし、電荷注入層のバンドギャップが５ｅＶを越えると電荷注入に必要な電圧が高くなるため、電荷注入層のバンドギャップは５ｅＶ以下が好ましい。また、電荷注入層の膜厚は、１０Å以上、５０００Å以下が好ましい。電荷注入層の膜厚が５Åより小さい場合あるいは５０００Åより大きい場合は、発光素子の発光効率が低下する傾向にある。電荷注入層の膜厚は、より好ましくは１０Å以上２０００Å以下である。
上記のようにして得られる発光素子は、波長範囲を３００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下とする波長−発光強度曲線において最大発光強度となるところの波長（λｍａｘ）が３５０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にある光を発する。ここで、波長−発光強度曲線は、光を波長に対して発光強度をプロットすることにより表す曲線であり、発光スペクトルということもある。波長−発光強度曲線は、蛍光分光光度計を用いて得ることができる。
次に、上記の発光素子と該発光素子が発する光の少なくとも一部により励起され発光する蛍光物質とを有する発光装置として、白色ＬＥＤを挙げてその製造方法について説明する。白色ＬＥＤは、青色ＬＥＤまたは近紫外ＬＥＤを発光素子として用い、該発光素子をエポキシ樹脂等の透光性樹脂で封止し、その表面を覆うように蛍光物質を配置することにより製造することができる。この場合、所望の白色に発光するよう蛍光物質の組成、量を適宜設定する。蛍光物質として、本発明の蛍光体を単独で使用することもできるし、他の蛍光体との併用によって使用することもできる。他の蛍光体としては、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）（Ａｌ，Ｇａ）2Ｓ4：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎ、ＢａＡｌ12Ｏ19：Ｅｕ，Ｍｎ、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｓ：Ｅｕ，Ｍｎ、Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ、ＹＢＯ3：Ｃｅ，Ｔｂ、Ｙ2Ｏ3：Ｅｕ、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ、ＹＶＯ4：Ｅｕ、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ、ＳｒＹ2Ｏ4：Ｅｕ、Ｃａ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｏ−Ｎ：Ｅｕ、Ｌｉ−（Ｃａ，Ｍｇ）−Ｌｎ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ：Ｅｕ（ただし、ＬｎはＥｕ以外の希土類金属元素を表す）などが挙げられる。
次に、本発明を実施例によりさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例１
炭酸バリウム、酸化ユウロピウム、酸化スカンジウム、二酸化珪素の各原料をＢａ：Ｅｕ：Ｓｃ：Ｓｉのモル比が８．５５：０．４５：２：６となるように秤量し、アセトンを用いた湿式ボールミルにより４時間混合してスラリーを得た。得られたスラリーをエバポレーターにより乾燥後、得られた金属化合物混合物を、大気雰囲気中において１３００℃の温度で６時間保持して焼成し、その後室温まで徐冷した。次いで、メノウ乳鉢による粉砕後、５体積％Ｈ2含有Ａｒ雰囲気中で１３００℃の温度で６時間保持して焼成し、その後室温まで徐冷して式（Ｂａ0.95Ｅｕ0.05）9Ｓｃ2Ｓｉ6Ｏ24で表される化合物からなる蛍光体１を得た。
蛍光体１の発光特性を、蛍光分光光度計（日本分光株式会社製）を用い、得られる励起スペクトルおよび発光スペクトルにより評価した。蛍光体１は、３５０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長の光により励起され、波長５１０ｎｍに最大発光強度を有する発光を示すことがわかった。得られた結果を図１および表１に示した。
実施例２
炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム、酸化ユウロピウム、酸化スカンジウム、二酸化珪素の各原料をＢａ：Ｓｒ：Ｅｕ：Ｓｃ：Ｓｉのモル比が８．１：０．４５：０．４５：２：６となるように秤量し、実施例１と同様にして式（Ｂａ0.9Ｓｒ0.05Ｅｕ0.05）9Ｓｃ2Ｓｉ6Ｏ24で表される化合物からなる蛍光体２を得た。
蛍光体２の発光特性を、蛍光分光光度計（日本分光社製）を用い、得られる励起スペクトルおよび発光スペクトルにより評価した。この蛍光体２は、３５０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長の光により励起され、波長５１３ｎｍに最大発光強度を有する発光を示すことがわかった。得られた結果を図２および表１に示した。
実施例３〜７
炭酸バリウム、酸化ユウロピウム、酸化スカンジウム、二酸化珪素の各原料を用いて、実施例１と同様にして、表１の実施例３〜７で示される化合物からなる蛍光体３〜７を得た。この蛍光体３〜７の発光特性を、蛍光分光光度計（日本分光社製）を用い、得られる励起スペクトルおよび発光スペクトルにより評価した。得られた結果を表１に示した。また、蛍光体３〜５における励起スペクトルおよび発光スペクトルを図３〜５に示した。
従来の白色ＬＥＤの発光スペクトルを図６に示す。従来の白色ＬＥＤの発光スペクトルにおいては、５１０ｎｍ前後の発光強度が低く、本発明の蛍光体を従来の白色ＬＥＤに組み合わせることにより、白色ＬＥＤの演色性を向上させることができる。
Figure 0004966530
実施例１の蛍光体１の励起スペクトルおよび発光スペクトル 実施例２の蛍光体２の励起スペクトルおよび発光スペクトル 実施例３の蛍光体３の励起スペクトルおよび発光スペクトル 実施例４の蛍光体４の励起スペクトルおよび発光スペクトル 実施例５の蛍光体５の励起スペクトルおよび発光スペクトル 従来の白色ＬＥＤの発光スペクトル

Claims (7)

  1. 式（Ｍ1 1-x Ｅｕ x）9 Ｓｃ 2 Ｓｉ 6Ｏ24（式中のＭ1はＢａ、ＳｒおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の元素であり、ｘは０．０１以上０．２以下の範囲の値である。）で表される化合物から実質的になることを特徴とする蛍光体。
  2. Ｍ 1 はＢａ及び／又はＳｒである請求項１記載の蛍光体。
  3. Ｍ 1 はＢａのみ、又はＢａ及びＳｒである請求項１記載の蛍光体。
  4. Ｍ 1 がＢａ及びＳｒである時、Ｂａ、Ｓｒ及びＥｕの合計に対するＳｒのモル比は０．０５以下である請求項２又は３に記載の蛍光体。
  5. 請求項１〜４のいずれかに記載の蛍光体を有することを特徴とする発光装置。
  6. 発光素子と該発光素子が発する光の少なくとも一部により励起され発光する蛍光物質とを有する発光装置であって、該蛍光物質が請求項１〜４のいずれかに記載の蛍光体を含有することを特徴とする発光装置。
  7. 発光素子が発する光が、波長範囲を３００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下とする波長−発光強度曲線において最大発光強度となるところの波長（λｍａｘ）が３５０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の範囲にある光である請求項６記載の発光装置。
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