CN1269233C - 宽光谱含铽石榴石磷光体及其结合构成的白色光源 - Google Patents

宽光谱含铽石榴石磷光体及其结合构成的白色光源 Download PDF

Info

Publication number
CN1269233C
CN1269233C CNB028110412A CN02811041A CN1269233C CN 1269233 C CN1269233 C CN 1269233C CN B028110412 A CNB028110412 A CN B028110412A CN 02811041 A CN02811041 A CN 02811041A CN 1269233 C CN1269233 C CN 1269233C
Authority
CN
China
Prior art keywords
scope
rare earth
phosphor
terbium
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB028110412A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1513209A (zh
Inventor
阿洛克·马尼·斯里瓦斯塔瓦
阿南特·阿奇尤特·塞特勒尔
霍利·安·科曼佐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Current Lighting Solutions LLC
Original Assignee
Gelcore LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gelcore LLC filed Critical Gelcore LLC
Publication of CN1513209A publication Critical patent/CN1513209A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1269233C publication Critical patent/CN1269233C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7767Chalcogenides
    • C09K11/7769Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7784Chalcogenides
    • C09K11/7787Oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

稀土元素活化的含铽石榴石磷光体能够吸收范围从近紫外光到蓝色光的辐射,并发射范围从490纳米到770纳米的可见光的宽光谱。磷光体的光发射在450纳米下激发时存在一个在人眼最大敏感度范围内的峰值。结合紫外/蓝色光发光二极管和这一磷光体的光源,能够提供符合或接近普朗克曲线的白色光,因而可以用于普通照明。

Description

宽光谱含铽石榴石磷光体及 其结合构成的白色光源
与本发明相关的背景技术
本发明涉及发射宽光谱可见光的磷光体,它具有用稀土金属离子活化的石榴石结构。特别是,本发明涉及用铈活化的铽铝氧化物石榴石磷光体,它在蓝色光激发下发射黄色光。本发明还涉及使用这些磷光体的白色光源。
磷光体是发冷光材料,它在电磁光谱的一区域吸收辐射能而在电磁光谱的另一区域发射能量。磷光体一个重要类别的磷光体是化学纯度非常高并且具有受控成分的结晶无机化合物,其中加入少量的其它元素(称为“活化剂”),使其转化为有效的荧光材料。采用活化剂和无机化合物适当的组合,可以控制发射光的颜色。最有用和熟知的磷光体,响应可见区之外的电磁辐射的激发,发射在电磁光谱可见部分的辐射。熟知的磷光体已经用于汞蒸汽放电灯中,以将激发的汞蒸汽发射的紫外(“UV”)辐射转化成可见光。其它磷光体在被电子(用于阴极射线管)或X射线(例如,在X射线探测系统中的闪烁体)激发后,能够发射可见光。
使用磷光体的照明设备的效率随着激发辐射的波长与发射辐射的波长之间的差别变窄而增加。因此,在寻求改善白色光源的效率时,努力致力于发现具有波长长于紫外辐射的激励辐射源以及响应该波长的磷光体。近期,发光二极管(“LED”)技术的进步,已经带来在近紫外到蓝色光范围中发射的高效能的发光二极管。这里使用的术语“近紫外”表示具有波长范围从约315纳米到约400纳米的紫外辐射。这些在近紫外到蓝色光范围中发射辐射的发光二极管将在下文中称为“紫外/蓝色光发光二极管”。如本文所使用的,紫外/蓝色光发光二极管可以发射具有波长在近紫外范围、在蓝色光范围、或在从近紫外到蓝色光的宽范围中的辐射。提供一定范围的磷光体,其可为这些紫外/蓝色光发光二极管辐射源发射的辐射所激励,以便于灵活地应用磷光体来产生各种颜色的发光二极管,此将是照明技术的一个进步。当这种磷光体与来自紫外/蓝色光发光二极管的发射结合时,可提供消耗很少能量的有效且耐久的照明装置。
近来出现了许多基于铟、铝、和镓的氮化物组合的近紫外/蓝色光发光二极管。例如,美国专利5,777,350披露了包括多层铟和镓氮化物以及p和n型AlGaN的发光二极管,其发射波长范围是约380纳米到约420纳米。这种发光二极管的活性层可以掺杂其它材料以移动发光二极管在紫外/蓝色光波长范围内的发射峰。在蓝色光波长具有发射峰的发光二极管,与用铈活化的发黄色光的钇(yittium)铝石榴石磷光体(“YAG:Ce”)涂层结合,以产生白色光,于美国专利5,998,925中有披露。尽管对白色光设备需要的相当大的部分可以由基于发光二极管的装置来满足,但紫外/蓝色光发光二极管与磷光体的结合能力受到限制,因为YAG:Ce是仅知的可由在蓝色光范围的辐射所激发的发射黄色光的磷光体。
因此,我们有必要提供在近紫外/蓝色光范围可激发并在可见光谱区发射的新的磷光体。我们还希望提供在从蓝绿色到红色的宽波长范围内发射光的新颖的磷光体,从而它们可与紫外/蓝色光发光二极管结合以产生高效率和/或高显色指标(“CRI”)的白色光。
发明简述
本发明提供磷光体,这些磷光体可被具有波长在近紫外/蓝色光范围(从约315纳米到约480纳米)的辐射所激发,从而在从约490纳米到约770纳米的宽波长范围内高效发射可见光,在绿色到黄色波长范围内具有一个发射峰。一般地,本发明的磷光体是固体氧化物,其至少含有铽和至少含有一种元素,该元素选自包括铝、镓、和铟的组;并且可被至少一种稀土金属离子活化,该稀土金属离子选自由铈、镨、钕、钐、铕、钆、镝、钬、铒、铥、镱、和镥组成的组。铽可以部分地由至少一种稀土金属取代,选自由钇、镧、钆、钐、和镥组成的组。本发明的磷光体具有石榴石结构和通式
(Tb1-x-yAxREy)3DzO12
其中A是一种选自由Y、La、Gd、和Sm组成的组的成分;
RE是一种选自由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、
Tm、Yb、Lu、及其组合组成的组的成分;D是一种选自由Al、
Ga、In、及其组合组成的组的成分;x的范围是从0到约0.5,y
的范围是从约0.0005到约0.2,而z的范围是从约4到5。在本
发明的一个方面中,4<z<5。
根据本发明的另一方面,提供了制造稀土活化含铽石榴石磷光体的方法,包括以下步骤:(1)提供化学计算量的铽的含氧化合物,至少一种稀土金属的含氧化合物,该稀土金属选自由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu组成的组;和至少一种成分的含氧化合物选自由Al、Ga、和In组成的组;(2)将含氧化合物共同混合以形成混合物;(3)在混合物中可选择地加入至少一种助熔化合物(fluxing compound),选自由Tb、Al、Ga、In、Y、La、Gd、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu的氟化物组成的组,其量足以起到助熔剂的作用;以及(4)在还原气氛下于某一温度烧制混合物足够的时间,使混合物转化成稀土活化含铽石榴石磷光体。
在本发明的另一方面,化学计算量的铽的含氧化合物溶液;至少一种其它稀土金属,选自由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu组成的组;以及至少一种金属,选自由Al、Ga、和In组成的组,在碱性溶液中沉淀以得到金属氢氧化物的混合物。沉淀氢氧化物的混合物在氧化气氛中煅烧。经煅烧的材料进一步彻底混合,然后在还原气氛下于某一温度烧制足够的时间,使经煅烧的混合物转化成稀土活化含铽石榴石磷光体。
在本发明的又一方面,提供了发射白色光的光源,该光源包括紫外/蓝色光发光二极管,一定数量的稀土活化含铽石榴石磷光体,其通式为(Tb1-x-yAxREy)3DzO12,其中A、RE、D、x、y、和z如上文所定义。磷光体接近紫外/蓝色光发光二极管放置,以便磷光体至少部分吸收紫外/蓝色光发光二极管发射的辐射,并转换可见光。磷光体发射的光和紫外/蓝色光发光二极管发射的部分辐射结合在一起产白色光。
附图简要说明
图1表示本发明的具有组成为(Tb0.97Ce0.03)3Al4.9O12的磷光体室温激发光谱。
图2表示(Tb0.97Ce0.03)3Al4.9O12磷光体的室温发射光谱。
图3表示使用本发明的磷光体的白色光源的一个具体实施例。
图4表示紫外/蓝色光发光二极管和本发明含铽磷光体结合制造光源范围的色坐标。
发明详述
本发明提供一种磷光体,它可有效地被具有近紫外到蓝色范围波长的辐射激发,并有效地发射具有从蓝色到红色(从约490纳米到约770纳米)的宽光谱的可见区的光。该磷光体在绿色到黄色范围(从约540纳米到约600纳米)中具有一个发射峰,其包括了人眼的最大敏感范围。本发明的磷光体是稀土活化含铽石榴石,具有通式(Tb1-x-yAxREy)3DzO12(在下文中也称作“TAG:Ce”),其中A是一种选自由Y、La、Gd、和Sm组成的组的成分;RE是一种选自由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu组成的组的成分;D是一种选自由Al、Ga、和In组成的组的成分;x的范围是从0到约0.5,较好是从0到约0.3,优选是从0到约0.2;y的范围是从约0.0005到约0.2,较好是从约0.005到约0.1,优选是从约0.005到约0.07;而z的范围是从约4到约5,较好是从约4.5到5,优选是从约4.6到小于约5。
在一个优选的具体实施例中,磷光体是用铈活化的铽铝石榴石,具有通式(Tb1-yCey)aAl4.9O12,这里y的取值如上述定义,而a的范围是从约2.8到3。
在另一个优选的具体实施例中,铝部分地由镓、铟、或其组合取代。在此情况下,磷光体具有通式(Tb1-yCey)3(Al1-r-sGarIns)zO12,其中y和z的定义如上所述,同时当0<s≤0.5和r+s<1时,0≤r≤0.5,或当0≤s≤0.5和r+s<1时,0<r≤0.5。较好地,r的范围是从约0.005到约0.3而更好地是从约0.05到约0.2;同时较好地,s的范围是从约0.005到约0.3而更好地是从约0.05到约0.2。
在另一个优选的具体实施例中,铽部分地被Y、Gd、Sm之一,或其组合取代,而铝未被取代。在这种情况下,磷光体具有的通式是(Tb1-y-u-v-wCeyYuGdvSmw)3AlzO12,其中y和z的定义如上所述,0≤u、v、w≤0.5,同时0.0005≤y+u+v+w<1。较好地每个u、v、和w的范围是从约0.005到约0.3而更好地是从约0.005到约0.1。
在另一个优选的具体实施例中,磷光体所具有的通式是(Tb1-x-yAxCey)3AlzO12,其中A是Y或Gd,0<x≤0.5,而y和z的定义如上所述。
本发明的磷光体的制造方法包括以下步骤:(1)提供化学计算量的铽的含氧化合物;至少一种稀土金属的含氧化合物,该稀土金属选自由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu组成的组;以及至少一种成分的含氧化合物,该成分选自由Al、Ga、和In组成的组;(2)将含氧化合物共同混合以形成混合物;以及(3)在还原气氛下于某一温度烧制混合物足够的时间,使混合物转化成稀土活化含铽石榴石磷光体。
在本发明的另一方面,一定数量的至少一种金属的氟化物,该金属选自由铽、铝、镓、和铟组成的组,作为助熔剂在混合步骤之前或期间加入到含氧化合物的混合物之中。氟化合物的量占混合物总重量的百分数少于约20,优选少于约10,对于熔合目的是适当的。
含氧化合物可用任何机械方法共同混合,包括但不限于,在高速混合器或螺带式混合器中搅拌或混合。这些含氧化合物可在球磨机、锤磨机、或喷射磨中结合并研磨成粉。特别是当为了后续的沉淀将含氧化合物的混合物制成溶液时,该混合可通过湿磨进行。如果混合物是湿的,它可在被烧制之前首先干燥,烧制在还原气氛下于从约900℃到约1700℃的温度下进行,较好是从约1000℃到约1600℃,更好是从约1200℃到约1500℃,烧制时间要足以将所有的混合物转化成最终的石榴石成分。烧制可以采用分批或连续工艺进行,优选采用搅拌或混合作用以促进良好的气-固接触。烧制时间取决于被烧制的混合物的量、通过烧制设备的气体传导速率、以及在烧制设备中气-固接触的质量。典型地,多达约10小时的烧制时间是适当的。还原气氛一般包括还原性气体例如氢气、一氧化碳、或其组合,并且可选地用惰性气体稀释,如氮气、氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、或其组合。可替换地,含有混合物的坩埚可以包装在含有高纯度碳颗粒的第二个封闭的坩埚中,并在空气中烧制,以便碳颗粒与存在于空气中的氧气反应,从而,产生所需的一氧化碳来提供还原气氛。
实施例
下述量的铽、铈、和铝的氧化物与氟化铝进行充分的干燥混合。
    Tb4O7  :6.805g
    CeO2    :0.194g
    Al2O3  :3.062g
    AlF3    :0.105g
这一混合物放入第一个坩埚中,此坩埚放在第二个封闭的坩埚内部,其中含有用混合物包装的椰子炭颗粒,而放在一起的混合物在1450℃下烧制5小时,烧制是在箱式炉中在还原气氛下进行,该还原气氛是在氮气中的10%(体积)的H2和通过椰子炭的反应所产生的气体的结合。在5小时结束后,固体在同样的H2/N2混合物气流下冷却。最终的磷光体具有组成为(Tb0.97Ce0.03)3Al4.9O12,如通过元素分析所确定的。对磷光体在450纳米激发下的激发光谱和发射光谱进行了测量并分别表示在图1和图2中。本发明的磷光体在从约490纳米到约770纳米的可见区表现出宽发射光谱。因此,发射覆盖了从蓝绿色到红色光的范围。所以,这一发射光谱与,例如,发射蓝色光发光二极管所发射的蓝色光的结合,应当提供白色光。
用于磷光体合成的一种或多种原材料可以是不同于氧化物的含氧化合物,例如硝酸盐、硫酸盐、醋酸盐、柠檬酸盐、或氯酸盐。例如,一定数量的Tb4O7、Al(NO3)3·9H2O、Ce(NO3)3·6H2O和AlF3混合并溶于硝酸溶液中。选择酸溶液的强度以迅速溶解含氧化合物,而该选择是本领域技术人员应知的。然后在搅拌下向含有Tb、Ce、和Al的酸性溶液中加入过量的氢氧化铵,以沉淀出Tb、Ce、和Al的氢氧化物的混合物。有机碱,例如甲醇胺、乙醇胺、丙醇胺、二甲醇胺、二乙醇胺、二丙醇胺、三甲醇胺、三乙醇胺、或三丙醇胺,可以用来代替氢氧化铵。过滤沉淀物,用去离子水洗涤,然后干燥。球磨干燥的沉淀物或用其它方法彻底混合,然后在空气中于约400℃到约1600℃下煅烧足够的时间,以确保原材料基本上完全脱水。煅烧过程可在恒温下进行。可替换地,在煅烧持续时间内,煅烧温度可以从周围环境温度升温到(ramped)并保持在最终温度。经煅烧的材料相似地在1200-1600℃下烧制足够的时间,烧制是在还原气氛如H2、CO、或这些气体之一与惰性气体的混合物、或通过椰子炭和含氧化合物的分解产物之间的反应所产生的气氛下进行,以使所有的经煅烧的材料转化成所希望的磷光体成分。
在本发明的另一个方面,当磷光体成分是非化学计算量时,磷光体具有更高量子效率。下面的表1表示磷光体通式为TbaAlbO12:Ce3+的磷光体获得了高量子效率,其中a/b两者都不是0.6并且b小于5。表1报告的相对量子效率是与标准铈活化铝酸钇石榴石磷光体进行对比的结果。
表1
  样品批号   a/b   b  批规模(g)   烧制条件   相对量子效率(%)
  D0213   0.594   4.9   150   包装在碳中   98
  D0207   0.594   4.9   100   包装在碳中   93
  D0208   0.594   4.9   100   在H2中烧制   97
  D0215   0.594   4.9   250   包装在碳中   88
  D0220   0.582   5   250   包装在碳中   88
  D0225   0.613   4.75   250   在碳包装中烧制两次   92
发射白色光的装置
本发明的稀土活化含铽磷光体与包括在约400纳米到480纳米范围内发射蓝色光的发光二极管的装置结合,应该提供有效利用电能的白色光源。该白色光源可以通过使用一个蓝色光发光二极管制作成提供点光源装置或通过使用多个蓝色光发光二极管制作成大面积照明装置。
在如图3所示的本发明的一个具体实施例中,白色光源10包括在约400纳米到480纳米范围内发射蓝色光的发光二极管100和本发明的磷光体。发光二极管100安装在接近发光二极管100的具有反射性表面140的罩120中。适合于发射白色光装置的蓝色光发光二极管是基于InGaN半导体的发光二极管,例如上面提到的美国专利5,777,350中所披露的那些发光二极管,其结合于此作为参考。也可以使用其它紫外/蓝色光发光二极管,例如基于GaN半导体的发光二极管,其掺杂各种金属以提供较大的带隙。装备导电线150和152以对发光二极管100提供电能。透明铸件160包括环氧树脂、硅树脂、或玻璃180,其中分散有本发明的磷光体的基本均匀的颗粒200。可替换地,磷光体颗粒可以施加在发光二极管100上或只分散在透明铸件160的一部分之中。其它透明聚合物也可以用来形成透明铸件。另外,光散射材料的颗粒,例如TiO2或Al2O3,可以包括在透明铸件中并在磷光体颗粒之间,以改善从光源10发射出的光的均匀性。发光二极管的InGaN活性层的成分和在铸件中使用的磷光体的量可以进行选择,以便发光二极管发射的部分不被磷光体吸收的蓝色光与磷光体发射的宽光谱光结合,以提供具备所希望色温和显色指标(CRI)的白色光源10。
图4表示提供白色光的一定光源范围的色坐标,该光源可产生自蓝色光发光二极管和本发明的磷光体的各种组合。在图4中,点A表示本发明的磷光体(Tb0.97Ce0.03)3Al4.9O12的发射峰的坐标,点B和C则分别表示蓝色光发光二极管在450纳米和470纳米处的发射峰。线段AB和AC,其表示光源的色坐标,而这些光源结合有发光二极管和本发明的磷光体(Tb0.97Ce0.03)3Al4.9O12,表现出与普朗克或黑体曲线相交。此类相交点表示白色光源的色坐标,这些白色光源是适当的蓝色光发光二极管和磷光体(Tb0.97Ce0.03)3Al4.9O12的结合。对结合25%贡献的从蓝色光发光二极管发射的在470纳米的蓝色光,和75%贡献的从磷光体发射的光的装置,进行计算机模拟,得出色温为约4300K,发光度为每瓦特315流明,以及显色指标为76。使用15%贡献的从蓝色光发光二极管发射的在450纳米的蓝色光,和85%贡献的从同一磷光体发射的光进行相似的计算机模拟,得到的白色光源具有约3600K的色温,每瓦特342流明的发光度,以及65的显色指标。一种以上的本发明的磷光体可以加到同一装置中以提供颜色调整(color adjustment)。
用于一般照明的大面积白色光源可通过下述方法来制造:在平坦的反射板上安装多个蓝色光发光二极管,给单独的发光二极管提供适当的电导线,施加包括至少一种本发明的磷光体和聚合物粘结剂(如环氧树脂)的涂层,然后将整个结合结构密封在透明并密封的密封材料中。磷光体/聚合物涂层可以直接施加于单个的发光二极管或可以施加于整个板表面。在前面的情况下,在磷光体已施加于发光二极管上之后,可以在整个板表面上施加额外的聚合物涂层。另外,在聚合物基质中,可以提供惰性固体颗粒,如TiO2或Al2O3,以提高来自装置的光发射均匀性。
虽然本文叙述了多种具体实施例,从说明书中应该理解到,本领域技术人员可以进行各种要素结合、变化、等同替换、或改进,而不偏离本发明的范围,本发明的范围由所附权利要求所涵盖。

Claims (21)

1.一种稀土元素活化含铽石榴石磷光体,具有通式(Tb1-x-yAxREy)aDzO12;其中A是一种选自由Y、La、Gd、和Sm组成的组的成分;RE是一种选自由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、及其组合组成的组的成分;D是一种选自由Al、Ga、In、及其组合组成的组的成分;a的范围是从2.8到并且包括3;x的范围是从0到0.5;y的范围是从0.0005到0.2;4<z<5;并且对A进行选择以使A不同于RE。
2.根据权利要求1所述的稀土元素活化含铽石榴石磷光体,其中x的范围是从0到0.3;y的范围是从0.005到0.1;而z的范围是从4.6到小于5。
3.根据权利要求1所述的稀土元素活化含铽石榴石磷光体,具有通式(Tb1-yCey)3AlzO12,其中y的范围是从0.0005到0.2,而4<z<5。
4.根据权利要求3所述的稀土元素活化含铽石榴石磷光体,其中y的范围是从0.005到0.1,而z的范围是从4.6到小于5。
5.根据权利要求1所述的稀土元素活化含铽石榴石磷光体,其中所述磷光体具有通式(Tb1-yCey)3(Al1-r-sGarIns)zO12,其中y的范围是从0.0005到0.2,z的范围是从4.6到小于5,0<r≤0.5,0≤s≤0.5,并且r+s<1。
6.根据权利要求1所述的稀土元素活化含铽石榴石磷光体,其中所述磷光体具有通式(Tb1-yCey)3(Al1-r-sGarIns)zO12,其中y的范围是从0.0005到0.2,z的范围是从4到5,0≤r≤0.5,0<s≤0.5,并且r+s<1。
7.一种制造稀土元素活化含铽石榴石磷光体的方法,所述方法包括以下步骤:
提供一定量的铽的含氧化合物;至少一种稀土金属的含氧化合物,选自由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu组成的组;以及至少一种成分的含氧化合物,选自由Al、Ga、和In组成的组;
将所述含氧化合物共同混合以形成混合物;以及
在还原气氛下在一定温度烧制所述混合物足够的时间,使所述混合物转化成稀土元素活化含铽石榴石磷光体;
其中对所述量进行选择以使所述稀土元素活化含铽石榴石磷光体具有通式(Tb1-x-yAxREy)aDzO12;其中A是一种选自由Y、La、Gd、和Sm组成的组的成分;RE是一种选自由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、及其组合组成的组的成分;D是一种选自由Al、Ga、In、及其组合组成的组的成分;a的范围是从2.8到并且包括3;x的范围是从0到0.5;y的范围是从0.0005到0.2;4<z<5;并且对A进行选择以使A不同于RE。
8.一种制造稀土元素活化含铽石榴石磷光体的方法,所述方法包括下述步骤:
提供一定量的铽的含氧化合物;至少一种稀土金属的合氧化合物,所述稀土金属选自由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu组成的组;以及至少一种成分的含氧化合物,所述成分选自由Al、Ga、和In组成的组;
制备含有所述含氧化合物的第一种溶液;
提供含有碱的第二种溶液;
将所述第二种溶液加入到所述第一种溶液中以得到沉淀物;
分离所述沉淀物;
在氧化气氛下在一定温度将所述沉淀物煅烧足够的时间以使所述沉淀物脱水;以及
在还原气氛下在一定温度烧制所述混合物足够的时间,使所述混合物转化成稀土元素活化含铽石榴石磷光体。
9.根据权利要求7或8所述的方法,进一步包括在所述第一种溶液中加入至少一种金属的氟化物,所述金属选自由Tb、Al、Ga、In、Y、La、Ga、Sm、Ce、Pr、Nd、Eu、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、和Lu组成的组。
10.根据权利要求7或8所述的方法,其中所述含氧化合物是选自由氧化物、硝酸盐、硫酸盐、醋酸盐、柠檬酸盐、氯酸盐、以及其组合组成的组。
11.根据权利要求8所述的方法,其中所述煅烧是在从400℃到1600℃的温度范围下进行。
12.根据权利要求8所述的方法,其中所述氧化气氛是选自由氧气、空气、以及其与一种惰性气体的混合物组成的组,所述惰性气体选自由氮气、氦气、氖气、氩气、氪气、和氙气组成的组。
13.根据权利要求7或8所述的方法,其中所述还原气氛包括气体选自由氢气、一氧化碳、其混合物、以及其与一种惰性气体的混合物组成的组,所述惰性气体选自由氮气、氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、以及其混合物组成的组。
14.根据权利要求7或8所述的方法,其中所述烧制是在从900℃到1700℃的温度范围下进行。
15.一种发射白色光的光源,所述光源包括:
至少一个能够发射具有波长范围从近紫外到蓝色光的辐射的发光二极管;以及
涂层,所述涂层包括透明材料和稀土元素活化含铽石榴石磷光体的颗粒,所述磷光体包括铽和至少一种选自由铝、镓、和铟组成的组的元素;所述磷光体是用至少一种稀土金属离子所活化,所述稀土金属离子选自由铈、镨、钕、钐、铕、钆、镝、钬、铒、铥、镱、和镥组成的组;将所述涂层设置在接近所述至少一个发光二极管;所述磷光体吸收一部分从所述至少一个发光二极管发射的所述辐射并发射波长在可见区中的光;
其中所述稀土元素活化含铽石榴石磷光体具有通式(Tb1-x-yAxREy)aDzO12;其中A是选自由Y、La、Gd、和Sm组成的组的一种成分;RE是一种选自由Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、及其组合组成的组的成分;D是一种选自由Al、Ga、In、及其组合组成的组的成分;a的范围是从2.8到并且包括3;x的范围是从0到0.5;y的范围是从0.0005到0.2;4<z<5;并且对A进行选择以使A不同于RE。
16.根据权利要求15所述的光源,其中由所述至少一个发光二极管发射的所述辐射是在从315纳米到480纳米的范围内,而所述磷光体能够发射具有从490纳米到770纳米的波长范围的光。
17.根据权利要求15所述的光源,所述稀土元素活化含铽石榴石磷光体,具有通式(Tb1-yCey)3(Al1-r-sGarIns)zO12,y的范围是从0.0005到0.2,而z的范围是从4到5,0≤r≤0.5,0<s≤0.5,并且r+s<1。
18.根据权利要求15所述的光源,其中x的范围是从0到0.3;y的范围是从0.005到0.1;而z的范围是从4.6到小于5。
19.根据权利要求15所述的光源,其中所述稀土元素活化含铽石榴石磷光体具有通式(Tb1-yCey)3AlzO12,其中y的范围是从0.0005到0.2,而z的范围是从4.6到小于5。
20.根据权利要求15所述的光源,其中所述稀土元素活化含铽石榴石磷光体具有通式(Tb1-yCey)3(Al1-r-sGarIns)zO12,其中y的范围是从0.0005到0.2,而z的范围是从4.6到小于5,0<r≤0.5,0≤s≤0.5,并且r+s<1。
21.根据权利要求15所述的光源,其中所述稀土元素活化含铽石榴石磷光体具有通式(Tb1-y-u-v-wCeyYuGdvSmw)3AlzO12,其中y的范围是从0.0005到0.2,z的范围是从4.6到小于5,0≤u、v、w≤0.5,并且0.0005≤y+u+v+w<1。
CNB028110412A 2001-06-01 2002-05-29 宽光谱含铽石榴石磷光体及其结合构成的白色光源 Expired - Fee Related CN1269233C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/681,522 2001-06-01
US09/681,522 US6596195B2 (en) 2001-06-01 2001-06-01 Broad-spectrum terbium-containing garnet phosphors and white-light sources incorporating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1513209A CN1513209A (zh) 2004-07-14
CN1269233C true CN1269233C (zh) 2006-08-09

Family

ID=24735622

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028110412A Expired - Fee Related CN1269233C (zh) 2001-06-01 2002-05-29 宽光谱含铽石榴石磷光体及其结合构成的白色光源

Country Status (9)

Country Link
US (1) US6596195B2 (zh)
EP (1) EP1393385B1 (zh)
JP (1) JP2004529252A (zh)
KR (1) KR20040012846A (zh)
CN (1) CN1269233C (zh)
AT (1) ATE385045T1 (zh)
DE (1) DE60224798T2 (zh)
TW (1) TWI302937B (zh)
WO (1) WO2002099902A1 (zh)

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1116418B2 (de) * 1999-07-23 2011-07-06 OSRAM Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchstoff für lichtquellen und zugehörige lichtquelle
CA2343909C (en) 1999-07-23 2013-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Arrangement of luminescent materials, wavelength-converting casting compound and light source
WO2002048989A2 (en) * 2000-12-15 2002-06-20 Kopin Corporation Display housing
TWI282357B (en) * 2001-05-29 2007-06-11 Nantex Industry Co Ltd Process for the preparation of pink light-emitting diode with high brightness
CN1156553C (zh) * 2001-09-27 2004-07-07 中国科学院长春应用化学研究所 稀土发光材料的制备方法
US6630077B2 (en) * 2001-10-11 2003-10-07 General Electric Company Terbium- or lutetium - containing garnet phosphors and scintillators for detection of high-energy radiation
US7008558B2 (en) * 2001-10-11 2006-03-07 General Electric Company Terbium or lutetium containing scintillator compositions having increased resistance to radiation damage
US7473995B2 (en) * 2002-03-25 2009-01-06 Intel Corporation Integrated heat spreader, heat sink or heat pipe with pre-attached phase change thermal interface material and method of making an electronic assembly
US7846778B2 (en) * 2002-02-08 2010-12-07 Intel Corporation Integrated heat spreader, heat sink or heat pipe with pre-attached phase change thermal interface material and method of making an electronic assembly
JPWO2003105162A1 (ja) * 2002-06-07 2005-10-13 独立行政法人科学技術振興機構 強磁性iv族系半導体、強磁性iii−v族系化合物半導体、または強磁性ii−vi族系化合物半導体とその強磁性特性の調整方法
US6765237B1 (en) * 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
US6936857B2 (en) * 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
CN1759492B (zh) * 2003-03-10 2010-04-28 丰田合成株式会社 固体元件装置的制造方法
US7038370B2 (en) * 2003-03-17 2006-05-02 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
TWI229125B (en) * 2003-03-28 2005-03-11 Nantex Industry Co Ltd Fluorescent material of terbium aluminum garnet and manufacturing method therefor
US7184111B2 (en) * 2003-04-28 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor for use in white semiconductor light sources and a white light source utilizing the same
JP2005005482A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Citizen Electronics Co Ltd Led発光装置及びそれを用いたカラー表示装置
KR100512600B1 (ko) * 2003-06-23 2005-09-07 럭스피아 주식회사 사마륨을 포함하는 알루미늄산이트륨계 적색형광체를 갖는발광다이오드
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
US20050019241A1 (en) * 2003-07-23 2005-01-27 Lyons Robert Joseph Preparation of rare earth ceramic garnet
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
JP2005064233A (ja) 2003-08-12 2005-03-10 Stanley Electric Co Ltd 波長変換型led
WO2005022032A1 (ja) * 2003-08-28 2005-03-10 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置及び蛍光体
TWI233697B (en) * 2003-08-28 2005-06-01 Genesis Photonics Inc AlInGaN light-emitting diode with wide spectrum and solid-state white light device
US6841804B1 (en) * 2003-10-27 2005-01-11 Formosa Epitaxy Incorporation Device of white light-emitting diode
US7094362B2 (en) * 2003-10-29 2006-08-22 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US7252787B2 (en) * 2003-10-29 2007-08-07 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US7442326B2 (en) 2003-10-29 2008-10-28 Lumination Llc Red garnet phosphors for use in LEDs
US20050099786A1 (en) * 2003-11-07 2005-05-12 Ru-Shi Liu Yellow phosphor material and white light-emitting device using the same
DE10360546A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
TWI229465B (en) 2004-03-02 2005-03-11 Genesis Photonics Inc Single chip white light component
JP4503321B2 (ja) * 2004-03-19 2010-07-14 根本特殊化学株式会社 蛍光体
EP1769050B1 (en) * 2004-07-06 2013-01-16 Lightscape Materials Inc. Efficient, green-emitting phosphors, and combinations with red-emitting phosphors
JP4747726B2 (ja) * 2004-09-09 2011-08-17 豊田合成株式会社 発光装置
KR100485673B1 (ko) * 2004-10-11 2005-04-27 씨엠에스테크놀로지(주) 백색 발광장치
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US7497973B2 (en) 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
CN101128563B (zh) * 2005-02-28 2012-05-23 三菱化学株式会社 荧光体、其制造方法及其应用
JP4779384B2 (ja) * 2005-02-28 2011-09-28 三菱化学株式会社 Ce付活希土類アルミン酸塩系蛍光体及びこれを用いた発光素子
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US7252789B2 (en) * 2005-03-31 2007-08-07 General Electric Company High-density scintillators for imaging system and method of making same
US20100044697A2 (en) * 2005-04-14 2010-02-25 Duke University Bright visible wavelength luminescent nanostructures and methods of making and devices for using the same
US7329371B2 (en) * 2005-04-19 2008-02-12 Lumination Llc Red phosphor for LED based lighting
CN100385693C (zh) * 2005-08-18 2008-04-30 中国科学院半导体研究所 用等离子体处理提高硅基晶体薄膜发光的方法
DE102005043623A1 (de) * 2005-09-13 2007-03-15 Schott Ag Herstellung hochhomogener spannungsarmer Einkristalle durch Ziehen, eine Vorrichtung hierfür sowie die Verwendung solcher Kristalle
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
US7427577B2 (en) * 2006-04-06 2008-09-23 Nanocerox Inc Sintered polycrystalline terbium aluminum garnet and use thereof in magneto-optical devices
CN100455536C (zh) * 2006-04-07 2009-01-28 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种镥铝石榴石基透明陶瓷及其制备方法
US20070262294A1 (en) * 2006-05-15 2007-11-15 X-Rite, Incorporated Light source including quantum dot material and apparatus including same
CN101605867B (zh) 2006-10-03 2013-05-08 渲染材料公司 金属硅酸盐卤化物磷光体以及使用它们的led照明器件
US20080099388A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-01 Honeywell International, Inc. Combination filter for a lubrication system
TW200823277A (en) * 2006-11-21 2008-06-01 Cai Chen Xiang Mian A light emission diode and phosphor and organic thin film
US7959827B2 (en) * 2007-12-12 2011-06-14 General Electric Company Persistent phosphor
US8333907B2 (en) 2007-01-17 2012-12-18 Utc Fire & Security Corporation Articles using persistent phosphors
DE102007010719A1 (de) * 2007-03-06 2008-09-11 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffe bestehend aus dotierten Granaten für pcLEDs
US7625502B2 (en) * 2007-03-26 2009-12-01 General Electric Company Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same
US7608829B2 (en) * 2007-03-26 2009-10-27 General Electric Company Polymeric composite scintillators and method for making same
US7708968B2 (en) * 2007-03-26 2010-05-04 General Electric Company Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same
JP2008283155A (ja) * 2007-05-14 2008-11-20 Sharp Corp 発光装置、照明機器および液晶表示装置
WO2009012301A2 (en) * 2007-07-16 2009-01-22 Lumination Llc Red line emitting complex fluoride phosphors activated with mn4+
US8545723B2 (en) * 2007-12-12 2013-10-01 General Electric Company Persistent phosphor
CN101487581A (zh) * 2008-01-17 2009-07-22 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 发光二极管光源模组
DE102008032299B4 (de) 2008-07-09 2021-12-02 Osram Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Granat-Leuchtstoffs
US8456082B2 (en) 2008-12-01 2013-06-04 Ifire Ip Corporation Surface-emission light source with uniform illumination
JP5269634B2 (ja) * 2009-02-02 2013-08-21 株式会社東芝 固体シンチレータ、放射線検出器、放射線検査装置、固体シンチレータ製造用粉末および固体シンチレータの製造方法
CN102015962B (zh) * 2009-04-17 2013-06-26 松下电器产业株式会社 荧光体、发光装置及等离子显示器面板
RU2527082C2 (ru) * 2009-10-21 2014-08-27 Фуджикура Лтд. Монокристалл, способ его изготовления, оптический изолятор и использующий его оптический процессор
DE102010028246A1 (de) * 2010-04-27 2011-10-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US9399733B2 (en) 2010-10-22 2016-07-26 Anatoly Vasilyevich Vishnyakov Luminescent material for solid-state sources of white light
EP2634234B1 (en) * 2010-10-29 2017-12-06 National Institute for Materials Science Light-emitting device
CN102820402B (zh) * 2011-06-08 2015-04-29 展晶科技(深圳)有限公司 半导体封装结构
DE102011113802A1 (de) 2011-09-20 2013-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Modul mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
US10439112B2 (en) 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
KR101762818B1 (ko) * 2013-04-09 2017-07-28 대주전자재료 주식회사 백색 발광다이오드용 형광체 및 이의 제조방법
CN106590658A (zh) * 2017-01-22 2017-04-26 清远市德晟嘉恒能源环保工程有限责任公司 一种白光led用的高热稳定性荧光粉及其制备方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS493629B1 (zh) * 1969-10-13 1974-01-28
JPS493631B1 (zh) * 1969-10-16 1974-01-28
GB1500902A (en) 1974-01-17 1978-02-15 Thorn Electrical Ind Ltd Phosphors and their preparation
JPS59105075A (ja) 1982-12-07 1984-06-18 Toshiba Corp 蛍光体及びこれを用いた単色表示陰極線管
US4550256A (en) 1983-10-17 1985-10-29 At&T Bell Laboratories Visual display system utilizing high luminosity single crystal garnet material
US4631144A (en) 1985-03-25 1986-12-23 General Electric Company Aluminate phosphor
US6013199A (en) * 1997-03-04 2000-01-11 Symyx Technologies Phosphor materials
US5777350A (en) 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
CA2343909C (en) 1999-07-23 2013-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Arrangement of luminescent materials, wavelength-converting casting compound and light source
EP1116418B2 (de) 1999-07-23 2011-07-06 OSRAM Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchstoff für lichtquellen und zugehörige lichtquelle
DE19960554A1 (de) * 1999-09-09 2001-03-15 Takata Europ Gmbh Sicherheitsgurtvorrichtung für Fahrzeuge
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE10026435A1 (de) * 2000-05-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED

Also Published As

Publication number Publication date
EP1393385A1 (en) 2004-03-03
ATE385045T1 (de) 2008-02-15
WO2002099902A1 (en) 2002-12-12
US20020195587A1 (en) 2002-12-26
DE60224798D1 (de) 2008-03-13
KR20040012846A (ko) 2004-02-11
US6596195B2 (en) 2003-07-22
EP1393385B1 (en) 2008-01-23
TWI302937B (en) 2008-11-11
CN1513209A (zh) 2004-07-14
DE60224798T2 (de) 2009-01-22
JP2004529252A (ja) 2004-09-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1269233C (zh) 宽光谱含铽石榴石磷光体及其结合构成的白色光源
CN1470596B (zh) 含有碱土金属和iiia族金属的氧化物的荧光粉和光源
JP4787521B2 (ja) 燐光体変換型発光デバイス
US7063807B2 (en) Phosphor for light sources and associated light source
US7147803B2 (en) Process for the preparation of pink light-emitting diode with high brightness
US20030001495A1 (en) Pink light-emitting device
CN109943333B (zh) 稀土类铝酸盐荧光体及其制造方法
CN107033903A (zh) 一种稀土离子及过渡金属离子掺杂的单基质磷酸盐白色荧光粉及其制备方法
JP3754701B2 (ja) 蛍光体及びそれを使用した発光素子
JP3095220B2 (ja) 新規な緑色の発光蛍光体
KR101065238B1 (ko) 진공 자외선에 의해 여기되는 발광 소자용 형광체
KR100501741B1 (ko) 유브이 엘이디용 알루미늄산이트륨계 적색형광체 및 그제조방법과 이를 이용한 소자
JP2023125736A (ja) 緑色蛍光体および緑色蛍光体の製造方法
KR100945252B1 (ko) 녹색 발광 형광체 및 그의 제조방법과 그를 포함하는형광램프
JPH01213388A (ja) セリウム付活ケイ酸イットリウム螢光体
JP2008297505A (ja) 電子線励起用白色蛍光体および白色発光素子乃至装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20060809