JP2004107623A - アルカリ土類金属及び第ｉｉｉｂ族金属の酸化物を含む蛍光体並びに該蛍光体を組み込んだ光源 - Google Patents

アルカリ土類金属及び第ｉｉｉｂ族金属の酸化物を含む蛍光体並びに該蛍光体を組み込んだ光源 Download PDF

Info

Publication number
JP2004107623A
JP2004107623A JP2003183822A JP2003183822A JP2004107623A JP 2004107623 A JP2004107623 A JP 2004107623A JP 2003183822 A JP2003183822 A JP 2003183822A JP 2003183822 A JP2003183822 A JP 2003183822A JP 2004107623 A JP2004107623 A JP 2004107623A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
group
range
earth metals
rare earth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003183822A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004107623A5 (ja
Inventor
Anant Achyut Setlur
アナント・アキウト・セトラー
Alok Mani Srivastava
アロク・マニ・スリバスタバ
Holly Ann Comanzo
ホリー・アン・コマンゾ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JP2004107623A publication Critical patent/JP2004107623A/ja
Publication of JP2004107623A5 publication Critical patent/JP2004107623A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7729—Chalcogenides
    • C09K11/7731—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7737—Phosphates
    • C09K11/7738—Phosphates with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7784—Chalcogenides
    • C09K11/7786—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7792—Aluminates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)

Abstract

【課題】近ＵＶ〜青色光範囲内で効率良く励起できる蛍光体、その製造方法、該蛍光体を組み込んだ光源の提供。
【解決手段】ストロンチウム、バリウム、カルシウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上のアルカリ土類金属並びにアルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の酸化物を含んでなり、少なくともユウロピウムを含む希土類金属イオンで活性化された蛍光体で正イオンと負イオンとの比が化学量論比からはずれていることを特徴とする。該蛍光体は、前記の金属酸化物混合体を焼成することにより製造される。該蛍光体の１種以上を含むブレンドされた蛍光体を発光ダイオードと組み合わせれば、高い視感度及び高い演色指数をもった光源を得ることができる。
【選択図】なし

Description

【０００１】
【発明の技術的背景】
本発明は、アルカリ土類金属及び第ＩＩＩＢ族金属の酸化物を含んでなり、希土類イオンで活性化された蛍光体に関する。具体的には本発明は、アルカリ土類金属及び第ＩＩＩＢ族金属の酸化物を含んでなり、少なくともユウロピウムイオンで活性化された蛍光体であって、正イオンと負イオンとの比が化学量論比からはずれている蛍光体に関する。また、本発明はかかる蛍光体を組み込んだ光源にも関する。
【０００２】
蛍光体は、電磁スペクトルの一部分の放射エネルギーを吸収して電磁スペクトルの別の部分のエネルギーを放出する発光材料である。一着の重要な部類の蛍光体は、非常に高い化学的純度及び管理された組成を有すると共に、効率の良い蛍光材料に転化させるために少量の他元素（「活性化剤」という）を添加した結晶質無機化合物である。活性化剤と無機化合物を適切に組み合わせれば、発光の色を調節できる。最も有用な公知の蛍光体は、可視範囲外の電磁放射による励起に応答して電磁スペクトルの可視部分を放出する。公知の蛍光体は、励起された水銀蒸気が放出する紫外（「ＵＶ」）放射を可視光に変換するために水銀放電ランプで使用されてきた。他の蛍光体は、（陰極線管で使用する）電子又は（例えば、Ｘ線検出装置内のシンチレーターのように）Ｘ線で励起されて可視光を放出し得る。
【０００３】
蛍光体を使用する照明装置の効率は、励起放射の波長と放出放射の波長との差が小さいほど高くなる。そこで、白色光源の効率を向上させるため、近ＵＶ〜青色可視光の範囲内の波長を有する刺激放射源及びこれらの波長に応答する蛍光体を探索することに努力が払われてきた。「近ＵＶ」という用語は、約３１５〜約４００ｎｍの範囲内の波長をもったＵＶ放射を意味する。発光ダイオード（「ＬＥＤ」）技術の最近の進歩は、近ＵＶ〜青色範囲で発光する効率の良いＬＥＤを生み出した。近ＵＶ〜青色範囲の放射を放出するこれらのＬＥＤを、以後は「ＵＶ／青色ＬＥＤ」と呼ぶ。本明細書中でいうＵＶ／青色ＬＥＤは、近ＵＶ範囲内、青色光範囲内、又は近ＵＶ〜青色の広い範囲内の波長をもった放射を放出し得る。蛍光体を用いて様々な色のＬＥＤを作成する際の融通性を生み出すため、これらのＵＶ／青色ＬＥＤ放射源から放出される放射で刺激し得る一定範囲の蛍光体を提供することは、照明技術にとっての進歩であろう。かかる蛍光体は、ＵＶ／青色ＬＥＤからの発光と併用した場合、僅かな電力しか消費しない効率的で耐久性のある照明装置を提供することができる。
【０００４】
インジウム、アルミニウム及びガリウムの窒化物の組合せに基づく多くの近ＵＶ／青色ＬＥＤが、最近出現した。例えば、米国特許第５７７７３５０号には、インジウム及びガリウム窒化物並びにｐ型及びｎ型ＡｌＧａＮの多重層からなり、約３８０〜約４２０ｎｍの波長範囲内の発光を生じるＬＥＤが開示されている。ＬＥＤのピーク発光をＵＶ〜青色波長範囲に移動させるため、かかるＬＥＤの活性層にはその他の物質をドープすることができる。米国特許第５９９８９２５号に開示されている通り、青色光波長にピーク発光を有するＬＥＤをセリウムで活性化された黄色発光イットリウムアルミニウムガーネット蛍光体（「ＹＡＧ：Ｃｅ」）の被膜と併用すると白色光が生じた。白色光デバイスに対する要請の実質的な部分はＬＥＤに基づくデバイスで満たすことができるが、ＹＡＧ：Ｃｅは青色範囲内の放射で励起可能な唯一の公知黄色発光蛍光体であったので、ＵＶ／青色ＬＥＤと蛍光体との併用可能性は制限されていた。
【０００５】
また、青色光、緑色光及び赤色光を混合することでも白色光を発生し得る。従って、近ＵＶ〜青色範囲で励起すればこれらの色を発光する新規で効率の良い蛍光体を提供することは望ましい。公知の緑色発光蛍光体は主として中央のＵＶ波長範囲（約２００〜３００ｎｍ）で励起可能であるので、効率の良い緑色発光蛍光体を提供することは特に望ましい。また、ＵＶ／青色ＬＥＤと併用して高い効率及び／又は高い演色指数（「ＣＲＩ」）をもった白色光を生み出し得る蛍光体ブレンドを提供することも望ましい。
【０００６】
【発明の概要】
本発明は、アルカリ土類金属及び第ＩＩＩＢ族金属の酸化物を含んでなり、希土類金属イオンで活性化された蛍光体であって、近ＵＶ〜青色範囲（約３１５〜約４８０ｎｍ）内の波長をもった放射で励起されて約４８０〜約６００ｎｍの緑色〜黄色の可視光を効率的に放出し得る蛍光体を提供する。一般に、本発明の蛍光体は活性化剤として作用するユウロピウムイオンを少なくともドープしたアルカリ土類金属及び第ＩＩＩＢ族金属の酸化物である。１種以上の他の希土類イオンを共活性化剤として含み得るが、かかる他の希土類イオンはセリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムのイオンからなる群から選択される。本発明の蛍光体は、下記の一般式で表される。
（Ｍ１−ｘＲＥｘ）ｙＤ２Ｏ４
式中、ＭはＳｒ、Ｂａ、Ｃａ及びこれらの組合せからなる群から選択されたアルカリ土類金属であり、ＲＥは少なくともユウロピウムを含む希土類金属であり、Ｄはアルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された周期表の１種以上の第ＩＩＩＢ族金属であり、０．００１＜ｘ＜０．３であり、ｙは０．７５＜ｙ＜１及び１＜ｙ＜１．１からなる群から選択された条件を満足する。
【０００７】
本発明の一つの態様では、かかる蛍光体はさらにマグネシウムを含み得る。
【０００８】
本発明の別の態様では、１種以上のアルカリ土類金属及び１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の酸化物を含んでなり、少なくともユウロピウムで活性化された蛍光体の製造方法が提供される。かかる方法は、（ａ）少なくともユウロピウムを含む１種以上の希土類金属、ストロンチウム、バリウム、カルシウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上のアルカリ土類金属、並びにアルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の化合物を、蛍光体の最終組成が達成されるように選択された量で用意し、（ｂ）ストロンチウム、バリウム、カルシウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム及び希土類金属からなる群から選択された１種以上の金属の１種以上のハロゲン化物からなる群から選択された１種以上のフラックス化合物を任意に添加し、（ｃ）かかる混合物同士を混合し、（ｄ）混合物を、１種以上のアルカリ土類金属及び１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の酸化物を含んでなり、少なくともユウロピウムで活性化された蛍光体に転化させるのに十分な温度及び時間を用いて還元雰囲気中で混合物を焼成する段階を含んでなる。
【０００９】
本発明のさらに別の態様では、かかる方法はさらに、還元雰囲気中での焼成前に混合物中の化合物を含酸素化合物に転化させる段階を含んでなる。
【００１０】
本発明のさらに別の態様では、可視光を放出する光源が、ＵＶ／青色ＬＥＤと、１種以上のアルカリ土類金属及び１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の酸化物を含んでなり、少なくともユウロピウムで活性化された前記蛍光体とを少なくとも含んでなる。
【００１１】
本発明のその他の特徴及び利点は、以下の詳細な説明及び添付の図面（そこでは、類似の構成要素は同じ番号で表されている）を考察すれば明らかであろう。
【００１２】
図面の簡単な説明
図１は、蛍光体Ｓｒ０．８Ｅｕ０．１Ａｌ２Ｏ４の励起及び発光スペクトルを示している。
図２は、Ｓｒ０．８Ｅｕ０．１Ａｌ２Ｏ４、Ｃａ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｍｎ２＋，Ｅｕ２＋及び（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，ＯＨ）：Ｅｕ２＋からなる蛍光体ブレンドの吸収スペクトルを示している。
図３は、図２の蛍光体ブレンドの発光スペクトルを示している。
図４は、ＬＥＤと少なくとも本発明の蛍光体とを含んでなる光源の一実施形態を示している。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明は、近ＵＶ〜青色範囲内（約３１５〜約４８０ｎｍ）の波長をもった放射で効率的に励起でき、約４８０〜約６００ｎｍの緑色〜黄色可視光を効率的に放出する蛍光体を提供する。本明細書中で「電磁放射」、「放射」及び「光」という用語は、ＵＶ〜濃赤色の範囲内（約１００〜約８００ｎｍ）の波長をもった電磁放射を意味するため互換的に使用されている。特に、本発明の蛍光体は人間の目が最大感度を有する範囲内にピーク発光を有している。この開示中では、金属は原子価ゼロの金属ではなく対イオンとの化合した形態で存在する。本発明の蛍光体は、１種以上のアルカリ土類金属の酸化物及び１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の酸化物を含んでなり、少なくともユウロピウムを含む１種以上の希土類金属イオンがドープされている。かかる蛍光体は、下記の一般式で表される。
（Ｍ１−ｘＲＥｘ）ｙＤ２Ｏ４
式中、ＭはＳｒ、Ｂａ、Ｃａ及びこれらの組合せからなる群から選択されたアルカリ土類金属であり、ＲＥは少なくともユウロピウムを含む希土類金属であり、Ｄはアルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された周期表の１種以上の第ＩＩＩＢ族金属であり、０．００１＜ｘ＜０．３であり、ｙは０．７５＜ｙ＜１及び１＜ｙ＜１．１からなる群から選択された条件を満足する。
【００１４】
一つの好ましい実施形態では、かかる蛍光体は式（Ｓｒ１−ｘＥｕ１−ｘ）ｙＡｌ２Ｏ４（式中、０．００１＜ｘ＜０．３であり、ｙは０．７５＜ｙ＜１及び１＜ｙ＜１．１からなる群から選択された条件を満足する。）で表される。
【００１５】
本発明の別の実施形態では、蛍光体はさらに、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムからなる群から選択された別の希土類金属で共活性化されている。かかる他の希土類金属イオンは、アルカリ土類金属及び希土類金属の総量の約０．００１〜約３０原子％、好ましくは約０．００１〜約２０原子％、さらに好ましくは約０．００１〜約１０原子％を占めることができる。好ましい共活性化剤はジスプロシウムである。
【００１６】
本発明の別の態様では、蛍光体はさらに、アルカリ土類金属の約０．００１〜約２０原子％の量でマグネシウムを含み得る。
【００１７】
１種以上のアルカリ土類金属及び１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の酸化物を含んでなり、少なくともユウロピウムで活性化された本発明の蛍光体は、固相反応で製造できる。かかる方法は、（ａ）（１）少なくともユウロピウムを含む１種以上の希土類金属、（２）ストロンチウム、バリウム、カルシウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上のアルカリ土類金属、並びに（３）アルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の含酸素化合物を、最終蛍光体の所望組成が達成されるように選択された量で用意し、（ｂ）前記含酸素化合物同士を混合して混合物を形成し、（ｃ）該混合物を、１種以上のアルカリ土類金属及び１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の酸化物を含んでなり、少なくともユウロピウムで活性化された蛍光体に転化させるのに十分な温度及び時間を用いて還元雰囲気中で該混合物を焼成する段階を含んでなる。
【００１８】
好ましい実施形態では、かかる方法はさらに、化合物同士を混合する前に、ストロンチウム、バリウム、カルシウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ユウロピウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の金属のハロゲン化物をフラックスとして含酸素化合物に添加することを含んでなる。かかるハロゲン化物は、混合物の総重量の約２０重量％以下、好ましくは約１０重量％以下、さらに好ましくは約５重量％以下の量で添加できる。好ましいハロゲン化物はフッ化物である。
【００１９】
本発明の別の態様では、かかる方法はさらに、混合前に、１種以上の追加希土類金属の１種以上の含酸素化合物を含酸素化合物の混合物に添加することを含んでなる。かかる１種以上の追加希土類金属は蛍光体中で共活性化剤として作用し、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムからなる群から選択される。
【００２０】
好ましい実施形態では、含酸素化合物は酸化物である。
【００２１】
本発明の別の態様では、含酸素化合物は、炭酸塩、硝酸塩、窒化物、硫酸塩、亜硫酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、オキシハロゲン化物、酢酸塩、クエン酸塩、有機酸の塩、及びこれらの組合せのような、分解して酸化物となるものであり得る。かかる含酸素化合物は、好ましくは、約４００〜約９００℃の範囲内の温度で分解するように選択される。分解は、通例、還元雰囲気中での焼成段階前に、空気中又は空気と不活性ガス（例えば、窒素、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン及びこれらの混合物）との混合物中で行われる。
【００２２】
かかる化合物同士は、特に限定されないが、高速ブレンダー又はリボンブレンダー内での攪拌又はブレンディングを始めとする任意の機械的方法で混合できる。含酸素化合物は、ボウルミル、ハンマーミル又はジェットミル内で混合し微粉砕することができる。かかる混合は、特に含酸素化合物の混合物を以後の沈殿のため溶液として調製する場合、湿式摩砕で行い得る。湿式摩砕用の溶媒は、メタノール、エタノール又はプロパノールのようなアルコールであり得る。混合物が湿っている場合、焼成段階前にそれをまず乾燥させることもできる。
【００２３】
含酸素化合物又は分解による酸化生成物の混合物は、該混合物を最終蛍光体に転化させるのに十分な時間にわたり、約９００〜約１３００℃好ましくは約１０００〜約１２００℃の温度で焼成される。焼成は、好ましくは良好な気固接触を促進するために攪拌又は混合作用を施しながら、バッチ操作又は連続操作で行い得る。焼成時間は、焼成すべき混合物の量、焼成装置を通って流れるガスの流量、及び焼成装置内での気固接触の性質に依存する。通例、約１分〜約１０時間の焼成時間が適当である。還元雰囲気は、通例、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン又はこれらの組合せのような不活性ガスで任意に希釈した、水素、一酸化炭素又はこれらの組合せのような還元ガスからなる。適当な還元雰囲気は、窒素中に約１〜約３容量％の水素を含んだものからなる。別法として、混合物を含んだるつぼを、高純度炭素粒子を含む第二の密閉るつぼ内にパックし、限られた量の空気中で焼成することもできる。そうすれば、炭素粒子は空気中に存在する酸素と反応し、それによって還元雰囲気を供給するため必要な一酸化炭素を生成する。焼成は実質的に一定の温度で行うこともできるし、あるいは温度を室温から上昇させ、次いで焼成時間を通じて最終焼成温度に保つこともできる。別法として、焼成を２以上の温度で段階的に行うこともでき、各段階を異なる還元雰囲気中で行うこともできる。
【００２４】
図１は、上述のようにして固相反応で製造した蛍光体Ｓｒ０．８Ｅｕ０．１Ａｌ２Ｏ４の励起及び発光スペクトルを示している。この試料の製造に際しては、フッ化アルミニウムをフラックスとして混合物の総重量の約２重量％の量で使用した。混合物は、窒素中に１容量％の水素を含んでなる雰囲気の下で炭素粒子と共に第二のるつぼ内に配置した第一のるつぼ内で、約１１００℃で焼成した。かかる蛍光体は、約３５０〜約４３０ｎｍの波長範囲内で効率的に励起されることに注意されたい。かかる蛍光体は、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋蛍光体（「ＳＡＥ」）の約６５〜７０％の相対量子効率、４０５ｎｍで約８０％の吸収率、並びにｘ＝０．２７６及びｙ＝０．５７１のＣＩＥ座標を有している。
【００２５】
別法として、かかる蛍光体は湿式法でも製造できる。ユウロピウムを含む１種以上の希土類金属、ストロンチウム、バリウム、カルシウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上のアルカリ土類金属、並びにアルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の１種以上の化合物は、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、クエン酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、オキシハロゲン化物又は有機化合物のような、水溶液に可溶な酸化物以外のものであり得る。これらの有機化合物の非限定的な例は、炭素原子数１〜６のモノ−及びジカルボン酸の金属塩、炭素原子数１〜６のジカルボン酸のエステル、１〜２の芳香環をもった芳香族酸の金属塩、アセチルアセトン酸金属塩、炭素原子数１〜６の金属アルコキシド及び金属フェノキシドである。例えば、ユウロピウムを含む１種以上の希土類金属、ストロンチウム、バリウム、カルシウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上のアルカリ土類金属、並びにアルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の化合物をブレンドし、硝酸溶液のような酸に溶解する。本発明の一実施形態では、かかる化合物の１種以上（好ましくは第ＩＩＩＢ族化合物）はハロゲン化物（好ましくはフッ化物）である。酸溶液の強度は化合物を迅速に溶解するように選択されるが、その選択は当業者の技巧の範囲内にある。次に、これらの金属を含む酸性溶液を攪拌しながら水酸化アンモニウムを少量ずつ添加して選択された元素を含む水酸化物の混合物を沈殿させ、沈殿が完了するまで続ける。通例、この段階は溶液の混合物のｐＨが８を超えて上昇したときに完了する。選択された元素の化合物を沈殿させるためには、炭酸アンモニウム又はシュウ酸アンモニウムのような他のアンモニウム化合物も使用できる。水酸化アンモニウムの代わりに、メタノールアミン、エタノールアミン、プロパノールアミン、ジメタノールアミン、ジエタノールアミン、ジプロパノールアミン、トリメタノールアミン、トリエタノールアミン又はトノプロパノールアミンのような有機塩基も使用できる。沈殿物を濾別し、洗浄し、任意には空気中で乾燥する。任意には、空気中又は空気と不活性ガスとの混合物中で、物質の完全な脱水及び使用した任意の有機物質の分解を保証するのに十分な時間にわたり、沈殿物を約４００〜約９００℃で加熱すればよい。かかる加熱の前に、乾燥沈殿物を摩砕又は微粉砕することが望まれる場合もある。分解後、混合物は少なくともユウロピウム、１種以上のアルカリ土類金属及び１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の酸化物から実質的になる。次いで、乾燥沈殿物又は分解沈殿物は上述のように還元雰囲気中で焼成される。
【００２６】
本発明の蛍光体は、高い視感度及びＣＲＩをもった光源中で使用するため、他の蛍光体とブレンドすることができる。表１には、本発明の蛍光体Ｓｒ０．８Ｅｕ０．１Ａｌ２Ｏ４を含んでなるブレンド及び先行技術の蛍光体を含んでなるブレンドのシミュレーションの結果が比較されている。表１では、「ＨＡＬＯ」、「ＳＡＥ」、「ＳＥＣＡ」及び「ＢＡＭｎ」は、蛍光体Ｃａ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｍｎ２＋，Ｅｕ２＋（黄赤色領域の発光）、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋（青緑色領域の発光）、（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，ＯＨ）：Ｅｕ２＋（青色領域の発光）及び（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）Ｍｇ３Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋（緑色領域の発光）をそれぞれ表している。
【００２７】
【表１】
Figure 2004107623
【００２８】
本発明のＳｒ０．８Ｅｕ０．１Ａｌ２Ｏ４とＨＡＬＯ及びＳＥＣＡ蛍光体とからなる別のブレンドの分光出力分布のシミュレーションによれば、ＨＡＬＯ蛍光体の約９０％の量子効率、４０５ｎｍで７７％の吸収率、約３４０ｌｍ／Ｗｅｌｅｃｔｒｉｃａｌの視感度、８２のＣＲＩ、約４０００Ｋの補正色温度、並びに（この光源をほぼ黒体軌跡上に位置させる）ｘ＝０．３８７及びｙ＝０．３９５のＣＩＥ座標が示された。このブレンドの吸収及び発光スペクトルを図２及び３に示す。かかる蛍光体ブレンドの分光出力分布は、蛍光ランプと同様な照明をもたらすことができる。
【００２９】
ＬＥＤに基づく白色発光デバイス
約３５０〜約４５０ｎｍの範囲内の近ＵＶ〜青色光を放出するＬＥＤを含むデバイス中に、本発明の蛍光体と青色、黄色及び赤色領域で発光するその他の選択された蛍光体との蛍光体ブレンドを組み込めば、電力を効率的に使用する白色光源が得られるはずである。かかるブレンドは、直前に上述したものであり得る。青色発光蛍光体（約４００〜約４８０ｎｍの範囲内にピーク発光）の非限定的な例は、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，Ｆ，ＯＨ）：Ｅｕ２＋及び（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋である。青緑色発光蛍光体（約４８０〜約５００ｎｍの範囲内にピーク発光）の非限定的な例は、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ２＋（「ＳＡＥ」）、２ＳｒＯ・０．８４Ｐ２Ｏ５・０．１６Ｂ２Ｏ３：Ｅｕ２＋、ＭｇＷＯ４、ＢａＴｉＰ２Ｏ８及びＣａ５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，Ｆ，ＯＨ）：Ｓｂ３＋，Ｍｎ２＋である。緑色発光蛍光体（約５００〜約５５０ｎｍの範囲内にピーク発光）の非限定的な例は、ＬａＰＯ４：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋（「ＬＡＰ」）、ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ３＋及びＧｄＭｇＢ５Ｏ１０：Ｃｅ３＋，Ｔｂ３＋（「ＣＢＴ」）である。黄橙色発光蛍光体（約５５０〜約６３０ｎｍの範囲内にピーク発光）の非限定的な例は、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋（「ＹＡＧ：Ｃｅ」）及び（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，Ｆ，ＯＨ）：Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋，Ｓｂ３＋である。赤色発光蛍光体（約６１０〜約７００ｎｍの範囲内にピーク発光）の非限定的な例は、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ３＋、（Ｓｒ，Ｍｇ）３（ＰＯ４）２：Ｓｎ２＋、ＹＢＯ３：Ｅｕ３＋及び３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ４＋である。
【００３０】
かかる白色光源は、一つのＵＶ／青色ＬＥＤを用いて点光源装置を生み出すか、あるいは複数のＵＶ／青色ＬＥＤを用いて大面積照明装置を生み出すように製造できる。「大面積」という用語は、約１０ｃｍ２より大きいことを意味する。
【００３１】
図４に示す本発明の一実施形態では、白色光源１０は、約３５０〜約４５０ｎｍの範囲内の近ＵＶ〜青色光を放出するＬＥＤ１００と、本発明の蛍光体を含む蛍光体ブレンドとを含んでなる。ＬＥＤ１００は、ＬＥＤ１００に隣接して反射面１４０を有するカップ１２０内に取り付けられている。白色発光デバイス用として適したＵＶ／青色ＬＥＤは、上述の米国特許第５７７７３５０号（その内容は援用によって本明細書中に組み込まれる）に記載されたもののような、ＩｎＧａＮ半導体に基づくＬＥＤである。また、大きなバンドギャップを与えるために様々な金属をドープしたＧａＮ半導体に基づくＬＥＤのような、他のＵＶ／青色ＬＥＤも使用できる。ＬＥＤ１００に電力を供給するため、電気リード１５０及び１５２が設けられている。エポキシ樹脂、シリコーン又はガラス１８０からなる透明注型品１６０中には、本発明の蛍光体ブレンドの粒子２００が実質的に一様に分散している。別法として、蛍光体粒子をＬＥＤ１００上に塗布したり、あるいは透明注型品１６０の一部分のみに分散させることもできる。透明注型品を形成するためには、ポリカーボネートのような他の透明ポリマーも使用できる。さらに、光源１０から放出される光の一様性を向上させるため、ＴｉＯ２やＡｌ２Ｏ３のような光散乱材料の粒子を透明注型品中の蛍光体粒子の間に含有させることもできる。ＬＥＤのＩｎＧａＮ活性層の組成及び注型品中に使用される蛍光体の量は、ＬＥＤから放出された青色光のうち蛍光体が吸収しない部分と蛍光体ブレンドから放出された広域スペクトル光とを組み合わせることで所望の色温度及びＣＲＩをもった白色光源１０を生み出すように選択できる。本明細書中に開示されたもののような白色光源は、バックライト照明又は全般照明目的のために適している。
【００３２】
全般照明用の大面積白色光源は、反射パネル上に複数の青色ＬＥＤを配置し、本発明の蛍光体ブレンドとエポキシ樹脂のような高分子結合剤とを含んでなる被膜を塗布し、次いで複合構造物全体を透明な気密シール中に封止することで製造できる。蛍光体ブレンド／ポリマー被膜は、個々のＬＥＤ上に直接塗布してもよいし、あるいはパネル表面全体を覆うように塗布してもよい。前者の場合、ＬＥＤ上に蛍光体ブレンドを塗布した後、パネル表面全体を覆うように追加のポリマー被膜を塗布することもできる。さらに、デバイスからの光放出の一様性を高めるため、ＴｉＯ２やＡｌ２Ｏ３のような光散乱固体の粒子をポリマー母材中に供給することもできる。
【００３３】
以上、様々な実施形態について説明してきたが、当業者は様々な要素の組合せ、変更、置換又は改良を行うことができ、それらも特許請求の範囲に記載した本発明の技術的範囲に法外されることは本明細書から理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【図１】蛍光体Ｓｒ０．８Ｅｕ０．１Ａｌ２Ｏ４の励起及び発光スペクトルを示している。
【図２】Ｓｒ０．８Ｅｕ０．１Ａｌ２Ｏ４、Ｃａ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｍｎ２＋，Ｅｕ２＋及び（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，ＯＨ）：Ｅｕ２＋からなる蛍光体ブレンドの吸収スペクトルを示している。
【図３】図２の蛍光体ブレンドの発光スペクトルを示している。
【図４】ＬＥＤと少なくとも本発明の蛍光体とを含んでなる光源の一実施形態を示している。
【符号の説明】
１０　光源
１００　ＬＥＤ
１２０　カップ
１４０　反射面
１５０　電気リード
１５２　電気リード
１６０　蛍光体注型品
１８０　透明材料
２００　蛍光体ブレンドの粒子

Claims (64)

  1. ストロンチウム、バリウム、カルシウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、アルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の酸化物とを含んでなり、少なくともユウロピウムを含む１種以上の希土類金属のイオンで活性化された次式の蛍光体。
    （Ｍ１−ｘＲＥｘ）ｙＤ２Ｏ４
    （式中、Ｍは前記１種以上のアルカリ土類金属であり、ＲＥは少なくともユウロピウムを含む前記希土類金属であり、Ｄは前記１種以上の第ＩＩＩＢ族金属であり、０．００１＜ｘ＜０．３であり、ｙは０．７５＜ｙ＜１及び１＜ｙ＜１．１からなる群から選択された条件を満足する。）
  2. 当該蛍光体が約３５０〜約４８０ｎｍの波長範囲内の電磁放射を吸収し、約５００〜約６００ｎｍの波長範囲内の発光ピークを有する、請求項１記載の蛍光体。
  3. 当該蛍光体には、さらに、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ガドリニウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム及びルテチウムからなる群から選択された１種以上の追加希土類金属がドープされている、請求項１記載の蛍光体。
  4. 前記１種以上の追加希土類金属が、前記１種以上のアルカリ土類金属、前記ユウロピウム及び前記１種以上の追加希土類金属の総量の約０．００１〜約３０原子％を占める、請求項３記載の蛍光体。
  5. 前記１種以上の追加希土類金属が、前記１種以上のアルカリ土類金属、前記ユウロピウム及び前記１種以上の追加希土類金属の総量の約０．００１〜約２０原子％を占める、請求項３記載の蛍光体。
  6. 前記１種以上の追加希土類金属が、前記１種以上のアルカリ土類金属、前記ユウロピウム及び前記１種以上の追加希土類金属の総量の約０．００１〜約１０原子％を占める、請求項３記載の蛍光体。
  7. 当該蛍光体がさらにマグネシウムを含んでなる、請求項１記載の蛍光体。
  8. 当該マグネシウムが前記１種以上のアルカリ土類金属の約０．００１〜約２０原子％を占める、請求項７記載の蛍光体。
  9. ストロンチウム及びアルミニウムの酸化物を含んでなり、ユウロピウムのイオンで活性化された次式の蛍光体。
    （Ｓｒ１−ｘＥｕｘ）ｙＡｌ２Ｏ４
    （式中、０．００１＜ｘ＜０．３であり、ｙは０．７５＜ｙ＜１及び１＜ｙ＜１．１からなる群から選択された条件を満足する。）
  10. （ａ）ストロンチウム、バリウム、カルシウ及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、アルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の酸化物とを含んでなり、少なくともユウロピウムを含む１種以上の希土類金属のイオンで活性化された次式の第一の蛍光体
    （Ｍ１−ｘＲＥｘ）ｙＤ２Ｏ４
    （式中、Ｍは前記１種以上のアルカリ土類金属であり、ＲＥは少なくともユウロピウムを含む前記希土類金属であり、Ｄは前記１種以上の第ＩＩＩＢ族金属であり、０．００１＜ｘ＜０．３であり、ｙは０．７５＜ｙ＜１及び１＜ｙ＜１．１からなる群から選択された条件を満足する。）、並びに
    （ｂ）約３１５〜約４８０ｎｍの範囲内の波長をもった放射で励起可能であり、青色、青緑色、緑色、黄橙色及び赤色光波長の１以上にピーク発光を有する蛍光体からなる群から選択された１種以上の追加蛍光体
    を含んでなる蛍光体ブレンド。
  11. 前記第一の蛍光体が、さらに、前記アルカリ土類金属の約０．００１〜約２０原子％の量でマグネシウムを含んでなる、請求項１０記載の蛍光体ブレンド。
  12. 前記青色光波長の前記ピーク発光が約４００〜約４８０ｎｍの範囲内にある、請求項１０記載の蛍光体ブレンド。
  13. 前記青緑色光波長の前記ピーク発光が約４８０〜約５００ｎｍの範囲内にある、請求項１０記載の蛍光体ブレンド。
  14. 前記緑色光波長の前記ピーク発光が約５００〜約５５０ｎｍの範囲内にある、請求項１０記載の蛍光体ブレンド。
  15. 前記黄橙色光波長の前記ピーク発光が約５５０〜約６３０ｎｍの範囲内にある、請求項１０記載の蛍光体ブレンド。
  16. 前記赤色光波長の前記ピーク発光が約６１０〜約７００ｎｍの範囲内にある、請求項１０記載の蛍光体ブレンド。
  17. Ｓｒ０．８Ｅｕ０．１Ａｌ２Ｏ４、Ｃａ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｍｎ２＋，Ｅｕ２＋及び（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，ＯＨ）：Ｅｕ２＋を含んでなる蛍光体ブレンド。
  18. 蛍光体の製造方法であって、
    （ａ）少なくともユウロピウムを含む１種以上の希土類金属、ストロンチウム、バリウム、カルシウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上のアルカリ土類金属、並びにアルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の含酸素化合物の所定量を用意し、
    （ｂ）前記含酸素化合物同士を混合して混合物を形成し、
    （ｃ）前記混合物を下記の式の蛍光体に転化させるのに十分な温度及び時間を用いて還元雰囲気中で前記混合物を焼成する
    ことを含んでなる方法。
    （Ｍ１−ｘＲＥｘ）ｙＤ２Ｏ４
    （式中、Ｍは前記１種以上のアルカリ土類金属であり、ＲＥは少なくともユウロピウムを含む前記希土類金属であり、Ｄは前記１種以上の第ＩＩＩＢ族金属であり、０．００１＜ｘ＜０．３であり、ｙは０．７５＜ｙ＜１及び１＜ｙ＜１．１からなる群から選択された条件を満足する。）
  19. さらに、希土類金属、ストロンチウム、バリウム、カルシウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の金属の１種以上のハロゲン化物を添加することを含んでなる、請求項１８記載の方法。
  20. 前記含酸素化合物が酸化物である、請求項１８記載の方法。
  21. 前記焼成が約９００〜約１３００℃の範囲内の温度で行われる、請求項１８記載の方法。
  22. 前記焼成が約１０００〜約１１００℃の範囲内の温度で行われる、請求項１８記載の方法。
  23. 前記焼成が実質的に一定の温度で行われる、請求項１８記載の方法。
  24. 前記温度が外界温度から最終温度まで昇温される、請求項１８記載の方法。
  25. 前記焼成が約１分〜約１０時間の時間で行われる、請求項１８記載の方法。
  26. 前記焼成が、水素及び一酸化炭素からなる群から選択されたガスからなる雰囲気中で行われる、請求項１８記載の方法。
  27. 前記焼成が、窒素中に約１〜約３容量％の水素を含んでなる雰囲気中で行われる、請求項１８記載の方法。
  28. 蛍光体の製造方法であって、
    （ａ）少なくともユウロピウムを含む１種以上の希土類金属、ストロンチウム、バリウム、カルシウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上のアルカリ土類金属、並びにアルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の化合物の所定量を用意し、
    （ｂ）前記化合物同士を混合して混合物を形成し、
    （ｃ）前記混合物を加熱して前記混合物を酸化物の混合物に転化させ、
    （ｄ）前記混合物を下記の式の蛍光体に転化させるのに十分な温度及び時間を用いて還元雰囲気中で前記酸化物の混合物を焼成する
    ことを含んでなる方法。
    （Ｍ１−ｘＲＥｘ）ｙＤ２Ｏ４
    （式中、Ｍは前記１種以上のアルカリ土類金属であり、ＲＥは少なくともユウロピウムを含む前記希土類金属であり、Ｄは前記１種以上の第ＩＩＩＢ族金属であり、０．００１＜ｘ＜０．３であり、ｙは０．７５＜ｙ＜１及び１＜ｙ＜１．１からなる群から選択された条件を満足する。）
  29. 前記化合物が、炭酸塩、硝酸塩、窒化物、硫酸塩、亜硫酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、オキシハロゲン化物、酢酸塩、クエン酸塩、有機酸の塩、及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項２８記載の方法。
  30. さらに、希土類金属、ストロンチウム、バリウム、カルシウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の金属の１種以上のハロゲン化物を添加することを含んでなる、請求項２８記載の方法。
  31. 前記加熱が約４００〜約９００℃の範囲内の温度で行われる、請求項２８記載の方法。
  32. 前記加熱が酸素含有ガス中で行われる、請求項２８記載の方法。
  33. 前記焼成が約９００〜約１３００℃の範囲内の温度で行われる、請求項２８記載の方法。
  34. 前記焼成が約１０００〜約１１００℃の範囲内の温度で行われる、請求項２８記載の方法。
  35. 前記焼成が実質的に一定の温度で行われる、請求項２８記載の方法。
  36. 前記温度が外界温度から最終温度まで昇温される、請求項２８記載の方法。
  37. 前記焼成が約１分〜約１０時間の時間で行われる、請求項１８記載の方法。
  38. 前記焼成が、水素及び一酸化炭素からなる群から選択されたガスからなる雰囲気中で行われる、請求項２８記載の方法。
  39. 前記焼成が、窒素中に約１〜約３容量％の水素を含んでなる雰囲気中で行われる、請求項２８記載の方法。
  40. 蛍光体の製造方法であって、
    （ａ）少なくともユウロピウムを含む１種以上の希土類金属、ストロンチウム、バリウム、カルシウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上のアルカリ土類金属、並びにアルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の化合物であって、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、クエン酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、オキシハロゲン化物、炭素原子数１〜６の有機酸の塩、炭素原子数１〜６のジカルボン酸のエステル、１〜２の芳香環をもった芳香族酸の塩、アセチルアセトン酸塩、アルコキシド、フェノキシド及びこれらの混合物からなる群から選択された化合物を含んでなる第一の溶液を用意し、
    （ｂ）水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、メタノールアミン、エタノールアミン、プロパノールアミン、ジメタノールアミン、ジエタノールアミン、ジプロパノールアミン、トリメタノールアミン、トリエタノールアミン、トノプロパノールアミン及びこれらの混合物からなる群から選択された物質を含んでなる第二の溶液を用意し、
    （ｃ）前記第一の溶液に前記第二の溶液を添加して沈殿物を生成させ、
    （ｄ）前記混合物を下記の式の蛍光体に転化させるのに十分な温度及び時間を用いて還元雰囲気中で前記沈殿物を焼成する
    ことを含んでなる方法。
    （Ｍ１−ｘＲＥｘ）ｙＤ２Ｏ４
    （式中、Ｍは前記１種以上のアルカリ土類金属であり、ＲＥは少なくともユウロピウムを含む前記希土類金属であり、Ｄは前記１種以上の第ＩＩＩＢ族金属であり、０．００１＜ｘ＜０．３であり、ｙは０．７５＜ｙ＜１及び１＜ｙ＜１．１からなる群から選択された条件を満足する。）
  41. さらに、希土類金属、ストロンチウム、バリウム、カルシウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の金属の１種以上のハロゲン化物を添加することを含んでなる、請求項４０記載の方法。
  42. さらに、前記焼成段階前に前記沈殿物を約４００〜約９００℃の範囲内の温度で加熱することからなる、請求項４０記載の方法。
  43. 前記加熱が酸素含有ガス中で行われる、請求項４２記載の方法。
  44. 前記焼成が約９００〜約１３００℃の範囲内の温度で行われる、請求項４２記載の方法。
  45. 前記焼成が約１０００〜約１１００℃の範囲内の温度で行われる、請求項４２記載の方法。
  46. 前記焼成が実質的に一定の温度で行われる、請求項４２記載の方法。
  47. 前記温度が外界温度から最終温度まで昇温される、請求項４２記載の方法。
  48. 前記焼成が約１分〜約１０時間の時間で行われる、請求項４２記載の方法。
  49. 前記焼成が、水素及び一酸化炭素からなる群から選択されたガスからなる雰囲気中で行われる、請求項４２記載の方法。
  50. 前記焼成が、窒素中に約１〜約３容量％の水素を含んでなる雰囲気中で行われる、請求項４２記載の方法。
  51. （ａ）約３１５〜約４８０ｎｍの範囲内の波長をもった放射を放出し得る１以上のＬＥＤ（１００）と、
    （ｂ）透明材料（１８０）及び蛍光体ブレンドの粒子（２００）を含んでなる蛍光体注型品（１６０）であって、前記蛍光体ブレンドが
    （１）ストロンチウム、バリウム、カルシウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、アルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の酸化物とを含んでなり、少なくともユウロピウムを含む１種以上の希土類金属のイオンで活性化された次式の第一の蛍光体
    （Ｍ１−ｘＲＥｘ）ｙＤ２Ｏ４
    （式中、Ｍは前記１種以上のアルカリ土類金属であり、ＲＥは少なくともユウロピウムを含む前記希土類金属であり、Ｄは前記１種以上の第ＩＩＩＢ族金属であり、０．００１＜ｘ＜０．３であり、ｙは０．７５＜ｙ＜１及び１＜ｙ＜１．１からなる群から選択された条件を満足する。）、並びに
    （２）約３１５〜約４８０ｎｍの範囲内の波長をもった放射で励起可能であり、青色、青緑色、緑色、黄橙色及び赤色光波長の１以上にピーク発光を有する蛍光体からなる群から選択された１種以上の追加蛍光体
    を含んでなる、蛍光体注型品（１６０）と
    を含んでなる光源（１０）。
  52. 前記第一の蛍光体が、さらに、前記１種以上のアルカリ土類金属の約０．００１〜約２０原子％の量でマグネシウムを含んでなる、請求項５１記載の光源（１０）。
  53. 前記蛍光体注型品がさらに光散乱材料の粒子を含んでなる、請求項５１記載の光源（１０）。
  54. 前記青色光波長の前記ピーク発光が約４００〜約４８０ｎｍの範囲内にある、請求項５１記載の光源（１０）。
  55. 前記青緑色光波長の前記ピーク発光が約４８０〜約５００ｎｍの範囲内にある、請求項５１記載の光源（１０）。
  56. 前記緑色光波長の前記ピーク発光が約５００〜約５５０ｎｍの範囲内にある、請求項５１記載の光源（１０）。
  57. 前記黄橙色光波長の前記ピーク発光が約５５０〜約６３０ｎｍの範囲内にある、請求項５１記載の光源（１０）。
  58. 前記赤色光波長の前記ピーク発光が約６１０〜約７００ｎｍの範囲内にある、請求項５１記載の光源（１０）。
  59. （ａ）約３１５〜約４８０ｎｍの範囲内の波長をもった放射を放出し得る１以上のＬＥＤ（１００）と、
    （ｂ）透明材料（１８０）並びにＳｒ０．８Ｅｕ０．１Ａｌ２Ｏ４、Ｃａ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｍｎ２＋，Ｅｕ２＋及び（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，ＯＨ）：Ｅｕ２＋を含んでなる蛍光体ブレンドの粒子（２００）を含んでなる蛍光体注型品（１６０）と
    を含んでなる光源（１０）。
  60. 前記蛍光体注型品（１６０）がさらに光散乱材料の粒子を含んでなる、請求項５９記載の光源（１０）。
  61. （ａ）反射パネルに固定されて、約３１５〜約４８０ｎｍの範囲内の波長をもった放射を放出し得る複数のＬＥＤ（１００）と、
    （ｂ）高分子結合剤及びその中に分散した蛍光体ブレンドの粒子（２００）を含んでなり、前記ＬＥＤ（１００）から放出される放射の方向に配置された蛍光体被膜（１８０）であって、前記蛍光体ブレンドが
    （１）ストロンチウム、バリウム、カルシウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上のアルカリ土類金属の酸化物と、アルミニウム、ガリウム、インジウム及びこれらの組合せからなる群から選択された１種以上の第ＩＩＩＢ族金属の酸化物とを含んでなり、少なくともユウロピウムを含む１種以上の希土類金属のイオンで活性化された次式の第一の蛍光体
    （Ｍ１−ｘＲＥｘ）ｙＤ２Ｏ４
    （式中、Ｍは前記１種以上のアルカリ土類金属であり、ＲＥは少なくともユウロピウムを含む前記希土類金属であり、Ｄは前記１種以上の第ＩＩＩＢ族金属であり、０．００１＜ｘ＜０．３であり、ｙは０．７５＜ｙ＜１及び１＜ｙ＜１．１からなる群から選択された条件を満足する。）、並びに
    （２）約３１５〜約４８０ｎｍの範囲内の波長をもった放射で励起可能であり、青色、青緑色、緑色、黄橙色及び赤色光波長の１以上にピーク発光を有する蛍光体からなる群から選択された１種以上の追加蛍光体
    を含んでなる、蛍光体被膜（１８０）と
    を含んでなる光源（１０）。
  62. 前記被膜がさらに光散乱材料の粒子を含んでなる、請求項６１記載の光源（１０）。
  63. さらに、前記パネル、前記ＬＥＤ（１０）及び前記蛍光体被膜の全体の周囲に配置されたシールを含んでなる、請求項６１記載の光源（１０）。
  64. （ａ）反射パネルに固定されて、約３１５〜約４８０ｎｍの範囲内の波長をもった放射を放出し得る複数のＬＥＤ（１００）と、
    （ｂ）高分子結合剤及びその中に分散した蛍光体ブレンドの粒子（２００）を含んでなり、前記ＬＥＤ（１００）から放出される放射の方向に配置された蛍光体被膜（１８０）であって、前記蛍光体ブレンドがＳｒ０．８Ｅｕ０．１Ａｌ２Ｏ４、Ｃａ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｍｎ２＋，Ｅｕ２＋及び（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ，ＯＨ）：Ｅｕ２＋を含んでなる、蛍光体被膜（１８０）と
    を含んでなる光源（１０）。
JP2003183822A 2002-06-28 2003-06-27 アルカリ土類金属及び第ｉｉｉｂ族金属の酸化物を含む蛍光体並びに該蛍光体を組み込んだ光源 Pending JP2004107623A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/064,285 US6809471B2 (en) 2002-06-28 2002-06-28 Phosphors containing oxides of alkaline-earth and Group-IIIB metals and light sources incorporating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004107623A true JP2004107623A (ja) 2004-04-08
JP2004107623A5 JP2004107623A5 (ja) 2006-08-10

Family

ID=29720373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003183822A Pending JP2004107623A (ja) 2002-06-28 2003-06-27 アルカリ土類金属及び第ｉｉｉｂ族金属の酸化物を含む蛍光体並びに該蛍光体を組み込んだ光源

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6809471B2 (ja)
EP (1) EP1378555A1 (ja)
JP (1) JP2004107623A (ja)
KR (2) KR100802831B1 (ja)
CN (2) CN1470596B (ja)
TW (1) TWI309673B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7091656B2 (en) 2001-04-20 2006-08-15 Nichia Corporation Light emitting device
US7247257B2 (en) 2001-04-20 2007-07-24 Nichia Corporation Light emitting device
US7911127B2 (en) 2005-03-30 2011-03-22 Samsung Led Co., Ltd. Phosphor blend for wavelength conversion and white light emitting device using the same
US7938983B2 (en) 2005-03-09 2011-05-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US8221649B2 (en) 2004-04-27 2012-07-17 Panasonic Corporation Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7051351B2 (en) * 1999-03-08 2006-05-23 Microsoft Corporation System and method of inserting advertisements into an information retrieval system display
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
GB0118258D0 (en) * 2001-07-26 2001-09-19 Cambridge Display Tech Ltd Electrode compositions
US7800121B2 (en) 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7768189B2 (en) 2004-08-02 2010-08-03 Lumination Llc White LEDs with tunable CRI
US20040061810A1 (en) * 2002-09-27 2004-04-01 Lumileds Lighting, U.S., Llc Backlight for a color LCD using wavelength-converted light emitting devices
EP2596948B1 (en) * 2003-03-10 2020-02-26 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of making a semiconductor device
ATE338802T1 (de) * 2003-04-07 2006-09-15 Nanolumens Acquisition Inc Europium-dotierte gallium-indium oxide als rot- emittierende, elektrolumineszente phosphormaterialien
US7906790B2 (en) * 2003-06-24 2011-03-15 GE Lighting Solutions, LLC Full spectrum phosphor blends for white light generation with LED chips
US7235817B2 (en) * 2003-08-07 2007-06-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED Lamp
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
US7183588B2 (en) * 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
US7329904B2 (en) * 2004-01-30 2008-02-12 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED lamp device
US20050236958A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Harvatek Corporation White light-emitting device
US7077980B2 (en) * 2004-05-03 2006-07-18 General Electric Company Phosphors containing oxides of alkaline-earth and group-13 metals, and light sources incorporating the same
WO2006005005A2 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Sarnoff Corporation Efficient, green-emitting phosphors, and combinations with red-emitting phosphors
US8417215B2 (en) * 2004-07-28 2013-04-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for positioning of wireless medical devices with short-range radio frequency technology
US20070241657A1 (en) * 2004-08-02 2007-10-18 Lumination, Llc White light apparatus with enhanced color contrast
US7453195B2 (en) 2004-08-02 2008-11-18 Lumination Llc White lamps with enhanced color contrast
US20060181192A1 (en) * 2004-08-02 2006-08-17 Gelcore White LEDs with tailorable color temperature
US20060081815A1 (en) * 2004-10-15 2006-04-20 Terralium Industries Inc. Light accumulating and luminous materials and a process to produce same
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US20060228973A1 (en) * 2005-04-11 2006-10-12 Jlj, Inc. LED Light Strings
US7329907B2 (en) 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
US20070114561A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Comanzo Holly A High efficiency phosphor for use in LEDs
US8906262B2 (en) 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
KR100764148B1 (ko) * 2006-01-17 2007-10-05 루시미아 주식회사 시트상 형광체와 그 제조방법 및 이를 이용한 발광장치
JP2007300069A (ja) 2006-04-04 2007-11-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子、この発光素子を用いた発光装置及びこの発光素子の製造方法
EP2084242A4 (en) 2006-10-03 2009-12-16 Sarnoff Corp METAL SILICATE HALIDE PHOSPHORES AND LED LIGHTING DEVICES USING THE SAME
US8475683B2 (en) 2006-10-20 2013-07-02 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates
US8529791B2 (en) 2006-10-20 2013-09-10 Intematix Corporation Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications
US8133461B2 (en) 2006-10-20 2012-03-13 Intematix Corporation Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation
US9120975B2 (en) 2006-10-20 2015-09-01 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
US7959827B2 (en) * 2007-12-12 2011-06-14 General Electric Company Persistent phosphor
US20080171229A1 (en) * 2007-01-17 2008-07-17 General Electric Company Method of producing a palette of colors for persistent phosphors and phosphors made by same
US8003012B2 (en) * 2007-01-17 2011-08-23 General Electric Company Method for producing a palette of colors for persistent phosphors and phosphors made by same
US8333907B2 (en) 2007-01-17 2012-12-18 Utc Fire & Security Corporation Articles using persistent phosphors
US7864381B2 (en) 2007-03-20 2011-01-04 Xerox Corporation Document illuminator with LED-driven phosphor
US7625502B2 (en) * 2007-03-26 2009-12-01 General Electric Company Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same
US7608829B2 (en) * 2007-03-26 2009-10-27 General Electric Company Polymeric composite scintillators and method for making same
US7708968B2 (en) * 2007-03-26 2010-05-04 General Electric Company Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same
US8545723B2 (en) * 2007-12-12 2013-10-01 General Electric Company Persistent phosphor
KR101416319B1 (ko) * 2008-03-19 2014-07-09 삼성전자주식회사 메모리 칩들이 적층되는 메모리 모듈을 포함하는 반도체메모리 장치
JP5836122B2 (ja) 2008-07-07 2015-12-24 グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ ナノ構造のｌｅｄ
US8703016B2 (en) 2008-10-22 2014-04-22 General Electric Company Phosphor materials and related devices
US8329060B2 (en) * 2008-10-22 2012-12-11 General Electric Company Blue-green and green phosphors for lighting applications
US8456082B2 (en) 2008-12-01 2013-06-04 Ifire Ip Corporation Surface-emission light source with uniform illumination
EP2401343A1 (en) * 2009-02-25 2012-01-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Uv-emitting discharge lamp
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US20110109220A1 (en) * 2009-11-09 2011-05-12 Han-Ming Lee Intermittent cyclic permanent illuminating LED lamp
US20110147661A1 (en) * 2009-12-21 2011-06-23 Sam Joseph Camardello Novel aluminosilicate based blue persistent phosphors
TWI464463B (zh) * 2010-06-11 2014-12-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 導光板及背光模組
CN102382649B (zh) * 2010-08-31 2014-02-19 海洋王照明科技股份有限公司 掺In的稀土氧化物发光材料及其制备方法
KR20120097697A (ko) * 2011-02-25 2012-09-05 삼성전자주식회사 발광 다이오드
CN105754601A (zh) * 2011-03-08 2016-07-13 英特曼帝克司公司 以卤化铝酸盐为主的发黄绿光到黄光的磷光体及其用途
KR101851726B1 (ko) 2011-11-23 2018-04-24 엘지이노텍 주식회사 표시장치
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US8933478B2 (en) * 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
US8847261B1 (en) 2013-03-14 2014-09-30 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting devices having engineered phosphor elements
JP2014181260A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Toshiba Corp 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
CN104119869A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种镓酸锶发光材料及其制备方法
US11251343B2 (en) * 2017-02-08 2022-02-15 Current Lighting Solutions, Llc LED design of lower CCT utilizing PFS phosphor

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09217059A (ja) * 1996-02-08 1997-08-19 Toshiba Corp 青色発光蛍光体，その製造方法および蛍光ランプ
JPH11508628A (ja) * 1995-07-05 1999-07-27 エイチ． キタイ，エイドリアン エレクトロルミネセンス材料としてのドープされた非晶質及び結晶性の酸化ガリウム蛍りん光体、ガリウム酸のアルカリ土類塩蛍りん光体、並びにドープされたゲルマニウム酸亜鉛蛍りん光体
JP2000001672A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Hirotsu Naotoshi 蓄光性蛍光体微粒粉末及びその製造方法
JP2000356964A (ja) * 1998-12-25 2000-12-26 Nemoto & Co Ltd 表示部材、表示装置、計測装置および時計
JP2001049251A (ja) * 1999-08-06 2001-02-20 Agency Of Ind Science & Technol 高輝度応力発光材料、その製造方法及びそれを用いた発光方法
JP2001131544A (ja) * 1999-11-08 2001-05-15 Read Co Ltd 耐熱・耐水性・高輝度・長残光性黄緑発光色蓄光体及びその製造法
JP2002012863A (ja) * 2000-06-27 2002-01-15 Sumitomo Chem Co Ltd 蓄光材用アルミン酸塩系蛍光体の製造方法
WO2002011214A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungseinheit mit mindestens einer led als lichtquelle
JP2002171000A (ja) * 2000-09-21 2002-06-14 Sharp Corp 半導体発光装置およびそれを用いた発光表示装置
JP2003197979A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光素子

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2543825B2 (ja) 1993-04-28 1996-10-16 根本特殊化学株式会社 蓄光性蛍光体
TW353678B (en) 1994-08-17 1999-03-01 Mitsubishi Chem Corp Aluminate phosphor
JP3456553B2 (ja) 1994-11-01 2003-10-14 根本特殊化学株式会社 蓄光性蛍光体
US5777350A (en) 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
JPH101666A (ja) 1996-06-13 1998-01-06 Kasei Optonix Co Ltd アルミン酸塩蛍光体、その製造方法及び真空紫外線励起発光素子
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5788882A (en) * 1996-07-03 1998-08-04 Adrian H. Kitai Doped amorphous and crystalline alkaline earth gallates as electroluminescent materials
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
AU2790197A (en) 1997-05-19 1998-12-11 Citizen Watch Co. Ltd. Phosphorescent pigment and process for preparing the same
US6278135B1 (en) 1998-02-06 2001-08-21 General Electric Company Green-light emitting phosphors and light sources using the same
WO2000060026A1 (fr) 1999-03-31 2000-10-12 Somar Corporation Materiau phosphorescent, composition contenant ce materiau, et procede d'absorption d'energie avec ce materiau
US6190577B1 (en) 1999-07-20 2001-02-20 Usr Optonix Inc. Indium-substituted aluminate phosphor and method for making the same

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11508628A (ja) * 1995-07-05 1999-07-27 エイチ． キタイ，エイドリアン エレクトロルミネセンス材料としてのドープされた非晶質及び結晶性の酸化ガリウム蛍りん光体、ガリウム酸のアルカリ土類塩蛍りん光体、並びにドープされたゲルマニウム酸亜鉛蛍りん光体
JPH09217059A (ja) * 1996-02-08 1997-08-19 Toshiba Corp 青色発光蛍光体，その製造方法および蛍光ランプ
JP2000001672A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Hirotsu Naotoshi 蓄光性蛍光体微粒粉末及びその製造方法
JP2000356964A (ja) * 1998-12-25 2000-12-26 Nemoto & Co Ltd 表示部材、表示装置、計測装置および時計
JP2001049251A (ja) * 1999-08-06 2001-02-20 Agency Of Ind Science & Technol 高輝度応力発光材料、その製造方法及びそれを用いた発光方法
JP2001131544A (ja) * 1999-11-08 2001-05-15 Read Co Ltd 耐熱・耐水性・高輝度・長残光性黄緑発光色蓄光体及びその製造法
JP2002012863A (ja) * 2000-06-27 2002-01-15 Sumitomo Chem Co Ltd 蓄光材用アルミン酸塩系蛍光体の製造方法
WO2002011214A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungseinheit mit mindestens einer led als lichtquelle
JP2002171000A (ja) * 2000-09-21 2002-06-14 Sharp Corp 半導体発光装置およびそれを用いた発光表示装置
JP2003197979A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光素子

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7091656B2 (en) 2001-04-20 2006-08-15 Nichia Corporation Light emitting device
US7247257B2 (en) 2001-04-20 2007-07-24 Nichia Corporation Light emitting device
US8221649B2 (en) 2004-04-27 2012-07-17 Panasonic Corporation Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
US8226853B2 (en) 2004-04-27 2012-07-24 Panasonic Corporation Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
US8551362B2 (en) 2004-04-27 2013-10-08 Panasonic Corporation Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
US7938983B2 (en) 2005-03-09 2011-05-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US8038905B2 (en) 2005-03-09 2011-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US7911127B2 (en) 2005-03-30 2011-03-22 Samsung Led Co., Ltd. Phosphor blend for wavelength conversion and white light emitting device using the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR100869396B1 (ko) 2008-11-21
TWI309673B (en) 2009-05-11
CN1470596B (zh) 2011-06-22
CN1470596A (zh) 2004-01-28
EP1378555A1 (en) 2004-01-07
KR20040002788A (ko) 2004-01-07
KR20070111432A (ko) 2007-11-21
KR100802831B1 (ko) 2008-02-12
US20040000862A1 (en) 2004-01-01
US6809471B2 (en) 2004-10-26
CN101157855A (zh) 2008-04-09
TW200404883A (en) 2004-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004107623A (ja) アルカリ土類金属及び第ｉｉｉｂ族金属の酸化物を含む蛍光体並びに該蛍光体を組み込んだ光源
US6596195B2 (en) Broad-spectrum terbium-containing garnet phosphors and white-light sources incorporating the same
US7077978B2 (en) Phosphors containing oxides of alkaline-earth and group-IIIB metals and white-light sources incorporating same
JP5461752B2 (ja) アルカリ土類金属及び１３族金属の酸化物を含む蛍光体及び該蛍光体を組み込む光源
JP5139300B2 (ja) 紫外線および長波長励起用ケイ酸塩系蛍光体とその製造方法
JP2004107623A5 (ja)
JP2003533852A (ja) Ｌｅｄデバイス用白色光放出性発光体
JP2004529252A5 (ja)
US6761837B2 (en) Europium-activated phosphors containing oxides of rare-earth and group-IIIB metals and method of making the same
US7022263B2 (en) Europium-activated phosphors containing oxides of rare-earth and group-IIIB metals and method of making the same
WO2006090865A1 (ja) 蛍光体、発光装置及び白色発光ダイオード
JP4619509B2 (ja) 発光装置
CN111892924B (zh) 一种Cu离子掺杂镓酸盐基橙红色发光材料及其制备方法
JP2006206892A (ja) 蛍光体及びその製造方法並びにランプ
JP3754701B2 (ja) 蛍光体及びそれを使用した発光素子
TW201005074A (en) Phosphor and method for producing the same
JP2007321139A (ja) 蛍光体の製造方法、蛍光体、発光素子、発光装置、画像表示装置及び照明装置
KR20040038742A (ko) 진공 자외선 여기 발광 소자용 형광체
WO2018124106A1 (ja) 蓄光を有する蛍光体及びその製造方法、並びに蓄光性発光製品
JPS60166381A (ja) 螢光体

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060626

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060626

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081007

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090107

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090113

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090407

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20090407

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20090407

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090512