JP2003533852A - Ｌｅｄデバイス用白色光放出性発光体 - Google Patents

Ｌｅｄデバイス用白色光放出性発光体

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JP2003533852A JP2001584499A JP2001584499A JP2003533852A JP 2003533852 A JP2003533852 A JP 2003533852A JP 2001584499 A JP2001584499 A JP 2001584499A JP 2001584499 A JP2001584499 A JP 2001584499A JP 2003533852 A JP2003533852 A JP 2003533852A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】白色光照明システムを提供する。 【解決手段】放射線源、約５７０〜約６２０ｎｍのピーク発光波長を有する第一の発光物質、及び第一の発光物質とは異なり、約４８０〜約５００ｎｍのピーク発光波長を有する第二の発光物質を含む白色光照明システムを提供する。このＬＥＤはＵＶＬＥＤであることができ、発光物質は２種類の発光体のブレンドでもよい。第一の発光体は橙色発光性のＥｕ2+とＭｎ2+をドープしたピロリン酸ストロンチウム（Ｓｒ0.8Ｅｕ0.1Ｍｎ0.1）2Ｐ2Ｏ7とすることができる。第二の発光体は青緑色発光性のＥｕ2+をドープしたＳＡＥ（Ｓｒ0.90-0.99Ｅｕ0.01-0.1）4Ａｌ14Ｏ25とすることができる。観察者はこの橙色光と青緑色光の組合せを白色光として認識する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術的背景】
本発明は、広い意味で白色光照明システムに係り、特に発光ダイオード（「Ｌ
ＥＤ」）が放出したＵＶ放射線を白色光に変換するセラミック発光体ブレンドに
係る。
【０００２】 白色光放出性ＬＥＤは液晶ディスプレイのバックライトとして、また従来の小
さいランプや蛍光灯の代替品として用いられている。Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ他著
「Ｔｈｅ Ｂｌｕｅ Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ」の第１０．４章、第２１６〜２
２１頁（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ １９９７）（引用により本明細書に含まれているも
のとする）に記載されているように、白色光ＬＥＤは青色発光半導体ＬＥＤの出
力面上にセラミック発光体層を形成することによって製造される。従来の青色Ｌ
ＥＤはＩｎＧａＮ単一量子井戸ＬＥＤであり、発光体はセリウムをドープしたイ
ットリウムアルミニウムガーネット（「ＹＡＧ：Ｃｅ」）Ｙ3Ａｌ5Ｏ12：Ｃｅ3+ である。このＬＥＤによって放出された青色光が発光体を励起し、黄色光を放出
させる。ＬＥＤが放出した青色光は発光体を通って伝えられ、発光体が放出した
黄色光と混合される。観察者は青色光と黄色光の混合物を白色光として認識する
。
【０００３】 しかし、この青色ＬＥＤ−ＹＡＧ：Ｃｅ発光体白色光照明システムには以下の
欠点がある。ＬＥＤ色出力（例えば、スペクトル出力分布及びピーク発光波長）
がＬＥＤ活性層のバンドギャップ幅及びＬＥＤにかかる電力によって変化する。
製造時、一定の割合のＬＥＤが、所望の幅より大きいか又は小さい実際のバンド
ギャップ幅を有する活性層をもつものが生成する。したがって、このようなＬＥ
Ｄの色出力は所望のパラメーターから外れている。また、特定のＬＥＤのバンド
ギャップが所望の幅をもっている場合でも、ＬＥＤの作動中このＬＥＤにかかる
電力が所望の値から外れることが多い。これもまた、ＬＥＤの色出力が所望のパ
ラメーターから外れる原因になる。このシステムが放出する光はＬＥＤに由来す
る青色成分を含んでいるので、このＬＥＤの色出力が所望のパラメーターから外
れると、このシステムの光出力も所望のパラメーターから外れる。所望のパラメ
ーターから大きく外れるとシステムの色出力が白色に見えない（すなわち、青味
がかったり黄色味かがったりする）ことがある。
【０００４】 さらに、青色ＬＥＤ−ＹＡＧ：Ｃｅ発光体システムの色出力はこの発光体の厚
さに極めて敏感なので、ＬＥＤランプの製造中日常的にしばしば起こる避けられ
ない所望のパラメーターからのずれ（すなわち、製造系統的変動）のために青色
ＬＥＤ−ＹＡＧ：Ｃｅ発光体システムの色出力は大きく変化する。発光体が薄過
ぎると、ＬＥＤが放出した青色光が所望量より多く発光体を透過し、ＬＥＤ−発
光体システムの合わせた光出力は青色ＬＥＤの出力によって支配されるので、こ
の光出力が青味がかって見えるようになる。逆に、発光体が厚過ぎると、所望の
量より少ない青色ＬＥＤ光が厚いＹＡＧ：Ｃｅ発光体層を通って透過する。この
場合、組み合わせたＬＥＤ−発光体システムは、ＹＡＧ：Ｃｅ発光体の黄色出力
に支配されるので黄色味がかって見えることになる。
【０００５】 したがって、発光体の厚さは従来技術のシステムの色出力に影響する重要な変
量である。残念ながら、青色ＬＥＤ−ＹＡＧ：Ｃｅ発光体システムの大規模生産
中発光体の正確な厚さを制御することは困難である。発光体の厚さが変化すると
、得られるシステムの出力が白色光照明用途に適さなくなることが多く、システ
ムの色出力は白色でなくなり（すなわち、青味がかったり又は黄色味がかったり
し）、その結果青色ＬＥＤ−ＹＡＧ：Ｃｅ発光体システムの製造収率が許容でき
ないほど低くなる。
【０００６】 また、青色ＬＥＤ−ＹＡＧ：Ｃｅ発光体システムは青色光と黄色光の分離のた
めハロー効果(halo effect)を受ける。ＬＥＤは指向性に青色光を放出する。し
かし、発光体は等方性に（すなわち、あらゆる方向に）黄色光を放出する。した
がって、システムの光出力をまっすぐ（すなわち、ＬＥＤ発光方向で）観察する
と、その光は青味がかった白色に見える。逆に、光出力をある角度で観察すると
、その光は黄色の発光体放出が優勢なため黄色味がかって見える。そのようなシ
ステムの光出力を平らな表面に当てると、青味がかった範囲を取り巻く黄色味が
かったハローとして見える。本発明は、上記したような問題を克服するか、又は
少なくとも低減することに関する。
【０００７】
【発明の概要】
本発明の１つの局面によると、放射線源と、約５７０〜約６２０ｎｍのピーク
発光波長を有する第一の発光物質と、第一の発光物質とは異なり、約４８０〜約
５００ｎｍのピーク発光波長を有する第二の発光物質とを含んでなる白色光照明
システムが提供される。
【０００８】 本発明の別の局面では、３７０〜４０５ｎｍのピーク発光波長を有する発光ダ
イオードと、第一のＡＰＯ：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+発光体（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、
Ｂａ又はＭｇの少なくとも１種からなる）と、 ａ）Ａ4Ｄ14Ｏ25：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくと
も１種からなり、ＤはＡｌ又はＧａの少なくとも１種からなる）、 ｂ）（２ＡＯ*０．８４Ｐ2Ｏ5 *０．１６Ｂ2Ｏ3）：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、
Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくとも１種からなる）、 ｃ）ＡＤ8Ｏ13：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくとも
１種からなり、ＤはＡｌ又はＧａの少なくとも１種からなる）、 ｄ）Ａ10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの
少なくとも１種からなる）、又は ｅ）Ａ2Ｓｉ3Ｏ8 *２ＡＣｌ2：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇ
の少なくとも１種からなる） の少なくとも１種の中から選択される第二の発光体とを含んでなる白色光照明シ
ステムが提供される。
【０００９】 また、本発明の別の局面によると、約５７０〜約６２０ｎｍのピーク発光波長
を有する第一の発光体粉末と、約４８０〜約５００ｎｍのピーク発光波長を有す
る第二の発光体粉末とをブレンドして発光体粉末混合物を形成し、この発光体粉
末混合物を放射線源に隣接して白色光照明システム中に配置することを含んでな
る白色光照明システムの製造方法が提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】
従来技術の問題に鑑みて、ＬＥＤ電力、ＬＥＤ活性層バンドギャップの幅及び
発光物質の厚さの変化に起因するようなシステム作動中及び製造プロセス中の変
化に対して感受性がより低い白色光照明システムを得ることが望ましい。本発明
者らは、放射線源−発光物質システムの色出力がＬＥＤのような放射線源によっ
て放出される可視光放射線を多く含まなければ前記のような変化に対するこのシ
ステムの色出力の感受性が低くなることを発見した。この場合、このシステムの
色出力はＬＥＤ電力、バンドギャップ幅及び発光物質の厚さによって大きく変化
することはない。発光物質という用語には、ルーズ又は充填粉末形態の発光物質
（発光体）と固体結晶体形態の発光物質（シンチレータ）とが含まれる。
【００１１】 このシステムが放出する白色光がＬＥＤのような放射線源によって放出された
可視光成分を多く含まなければ、このシステムの色出力が発光物質の厚さによっ
て大きく変化することはない。したがって、ＬＥＤ放射線が発光体のような発光
物質を透過する量はシステムの色出力に影響しない。これは少なくとも２つの方
法で達成することができる。
【００１２】 システムの色出力に対する影響を回避する１つの方法は、人間の目に見えない
波長の放射線を放出する放射線源を使用することである。例えば、ＬＥＤは、人
間の目には完全に見えない３８０ｎｍ以下の波長を有する紫外（ＵＶ）線を放出
するように構成することができる。また、人間の目は３８０〜４００ｎｍの波長
を有するＵＶ線及び４００〜４２０ｎｍの波長を有する紫色光に対して感受性が
高くない。したがって、約４２０ｎｍ以下の波長を有する放射線は人間の目には
あまり見えないので、ＬＥＤによって放出される４２０ｎｍ以下の波長を有する
放射線は、ＬＥＤの放出された放射線が発光体を透過するか否かに関わりなく、
ＬＥＤ−発光体システムの色出力に実質的に影響しないであろう。
【００１３】 システムの色出力に影響するのを避ける第二の方法は、放射線源からの放射線
が通り抜けられない厚い発光物質を用いることである。例えば、ＬＥＤが４２０
〜６５０ｎｍの可視光を放出する場合、発光体の厚さがシステムの色出力に影響
しないように確実にするには、発光体は、ＬＥＤから放出された可視光の有意な
量がその発光体を貫通するのを防ぐのに充分な厚さでなければならない。しかし
、システムの色出力に影響するのを避けるこの方法は可能ではあるが、システム
の出力効率が低下するので好ましくない。
【００１４】 上記のいずれの場合も、システムが放出する可視光の色は単に使用する発光物
質の種類にのみ依存する。したがって、ＬＥＤ−発光体システムが白色光を放出
するためには、発光体はＬＥＤ放射線を照射したときに白色光を放出しなければ
ならない。
【００１５】 本発明者らは、約５７０〜約６２０ｎｍのピーク発光波長を有する第一の橙色
発光性発光体と、約４８０〜約５００ｎｍのピーク発光波長を有する第二の青緑
色発光性発光体とを一緒に使用すると、人間の観察者はその組み合わさった光を
白色光として認識することを発見した。５７０〜６２０ｎｍのピーク発光波長を
有する発光体及び４８０〜５００ｎｍのピーク発光波長を有する発光体のような
任意の発光物質を放射線源と組み合わせて使用して白色光照明システムを形成す
ることができる。発光物質は、放射線源の特定の発光波長で高い量子効率を有す
るのが好ましい。また、発光物質は各々、他の発光物質が放出する波長の可視光
に対して透明であるのが好ましい。
【００１６】 図１に、上記原理を概略的に示す。図１で、ＬＥＤのような放射線源１は、第
一の発光体３と第二の発光体４のような２つの発光物質に入射する放射線２を放
出する。２つの発光体３、４は図１で対角線によって分離されているが、これは
２つの発光体が一緒にブレンドされていてもよいし、又は重なった別々の層から
なっていてもよいことを示している。この対角線は、定義の目的でのみ使用して
おり、発光体の間の絶対的な対角の境界を意味するものではない。
【００１７】 放射線２は４２０ｎｍ以下のように人間の目が感じない波長をもつのがよい。
或いは、発光体３、４は放射線２が反対側に貫通できないように厚くてもよい。
入手した放射線２を吸収した後、第一の発光体３は５７０〜６２０ｎｍのピーク
発光波長を有する橙色光５を放出し、一方第二の発光体４は４８０〜５００ｎｍ
のピーク発光波長を有する青緑色光６を放出する。人間の観察者７は橙色光５と
青緑色光６の組合せを白色光８として認識する。図１では、色混合の概念を示す
ために橙色光５と青緑色光６が別々の発光体領域から放出されるように概略的に
示されている。しかし、発光体３全体が光５を放出し、発光体４全体が光６を放
出するものと了解されたい。第一と第二の発光体３、４を互いにブレンドして単
一のブレンドした発光体層が形成されている場合、橙色光５と青緑色光６の両方
が同じ領域から放出され得る。
【００１８】 放射線源１は第一の発光体３と第二の発光体４から発光させることができる放
射線源からなることができる。放射線源１はＬＥＤからなるのが好ましい。しか
し、放射線源１はまた、蛍光灯や高圧水銀灯中の水銀、又はプラズマディスプレ
イ中のＮｅ、Ａｒ及び／又はＸｅのような希ガスなどのガスからなっていてもよ
い。
【００１９】 例えば、放射線源１はＬＥＤからなることができ、このＬＥＤは、第一の発光
体３と第二の発光体４に、ＬＥＤから放出された放射線２が第一の発光体３と第
二の発光体４上に当たったときに人間の観察者７にとって白色に見える放射線８
を放出させる。したがって、このＬＥＤは適切なIII−Ｖ、II−VI又はIV−IV半
導体層を主材とし３６０〜４２０ｎｍの発光波長を有する半導体ダイオードから
なってもよい。例えば、ＬＥＤはＧａＮ、ＺｎＳｅ又はＳｉＣ半導体を主材とす
る少なくとも１つの半導体層を含有していてもよい。ＬＥＤはさらに、所望であ
れば活性領域に１つ以上の量子井戸も含有していることができる。好ましくは、
ＬＥＤ活性領域は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ及び／又はＩｎＧａＮ半導体層を含むｐ
−ｎ接合を含んでいることができる。このｐ−ｎ接合は薄いドープなしのＩｎＧ
ａＮ層又は１つ以上のＩｎＧａＮ量子井戸によって分離されていてもよい。ＬＥ
Ｄは３６０〜４２０ｎｍ、好ましくは３７０〜４０５ｎｍ、最も好ましくは３７
０〜３９０ｎｍの発光波長を有することができる。しかし、４２０ｎｍを超える
発光波長を有するＬＥＤも、ＬＥＤから放出された光が発光体を貫通するのを防
止する厚さの発光体と共に使用することができる。例えば、ＬＥＤは３７０、３
７５、３８０、３９０又は４０５ｎｍの波長を有することができる。
【００２０】 上では、白色光照明システムの放射線源１を半導体発光ダイオードとして説明
した。しかし、本発明の放射線源は半導体発光ダイオードに限られない。例えば
、放射線源はレーザーダイオード又は有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）からなる
ことができる。上記した好ましい白色光照明システムは単一の放射線源１を含有
している。しかし、所望であれば、放出された白色光を改善したり放出された白
色光を異なる色（複数でもよい）の光と組み合わせるためにシステム中に複数の
放射線源を使用することができる。例えば、ディスプレイデバイスで、白色光放
出システムを赤色、緑色及び／又は青色発光ダイオードと組み合わせて使用して
もよい。
【００２１】 第一の発光物質は、放射線源１から入射した放射線２に応答して５７０〜６２
０ｎｍのピーク発光波長を有する可視光を放出するいかなる発光体でもよい。放
射線源１が３６０〜４２０ｎｍのピーク発光波長を有するＬＥＤからなる場合、
第一の発光体３はＡＰＯ：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+からなるのが好ましく、ここでＡはＳ
ｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくとも１種からなる。第一の発光体３はユーロピ
ウムとマンガンをドープしたピロリン酸アルカリ土類金属Ａ2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕ2+，
Ｍｎ2+からなるのが最も好ましく、これは（Ａ1-x-yＥｕxＭｎy）2Ｐ2Ｏ7と書く
ことができ、ここでＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくとも１種からなり、
０＜ｘ≦０．２、０＜ｙ≦０．２である。Ａはストロンチウムからなるのが好ま
しい。この発光体はＬＥＤ放射線源に対して好ましい。というのは、この発光体
は、５７５〜５９５ｎｍのピーク発光波長を有する可視光を放出し、またＬＥＤ
が放出するような３６０〜４２０ｎｍのピーク波長を有する入射放射線に対して
高い効力と高い量子効率を有するからである。また、第一の発光体はＡ3Ｐ2Ｏ8
：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+からなっていてもよく、ここでＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇ
の少なくとも１種からなる。
【００２２】 このＥｕ2+とＭｎ2+をドープしたピロリン酸アルカリ土類金属発光体で、Ｅｕ
イオンは一般に増感剤として機能し、Ｍｎイオンは一般に活性化剤として機能す
る。すなわち、Ｅｕイオンは放射線源が放出した入射エネルギー（すなわち、光
子）を吸収し、その吸収したエネルギーをＭｎイオンに伝達する。Ｍｎイオンは
吸収され伝達されたエネルギーによって励起状態に励起され、プロセス条件に応
じて約５７５から５９５ｎｍまで変化するピーク波長を有する広い放射線バンド
を放出する。
【００２３】 第二の発光物質は、放射線源１から入射した放射線２に応答して４８０〜５０
０ｎｍのピーク発光波長を有する可視光を放出するいかなる発光体４でもよい。
放射線源１が３６０〜４２０ｎｍのピーク発光波長を有するＬＥＤからなる場合
、４８０〜５００ｎｍのピーク発光波長を有すると共に３７０〜４２０ｎｍのピ
ーク波長を有する入射放射線に対して高い効力と量子効率を有する市販のいかな
る発光体でもよい。例えば、次の５種類の発光体がこの基準に合致する。 ａ）Ａ4Ｄ14Ｏ25：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくと
も１種からなり、ＤはＡｌ又はＧａの少なくとも１種からなる）、 ｂ）（２ＡＯ*０．８４Ｐ2Ｏ5 *０．１６Ｂ2Ｏ3）：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、
Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくとも１種からなる）、 ｃ）ＡＤ8Ｏ13：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくとも
１種からなり、ＤはＡｌ又はＧａの少なくとも１種からなる）、 ｄ）Ａ10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの
少なくとも１種からなる）、又は ｅ）Ａ2Ｓｉ3Ｏ8 *２ＡＣｌ2：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇ
の少なくとも１種からなる）。
【００２４】 上記５種類の発光体として好ましい市販の組成物は、 ａ）Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+（ＳＡＥ発光体ともいわれる）、 ｂ）（２ＳｒＯ*０．８４Ｐ2Ｏ5 *０．１６Ｂ2Ｏ3）：Ｅｕ2+、 ｃ）ＢａＡｌ8Ｏ13：Ｅｕ2+、 ｄ）（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｃａ）10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+、又は ｅ）Ｓｒ2Ｓｉ3Ｏ8 *２ＳｒＣｌ2：Ｅｕ2+ である。４８０〜４９３ｎｍの範囲のピーク発光波長を有するこれらの発光体は
、ＣＲＣ Ｐｒｅｓｓ（１９８７年、１９９９年）刊、Ｓ．Ｓｈｉｏｎｏｙａ及
びＷ．Ｍ．Ｙｅｎ編，Ｐｈｏｓｐｈｏｒ Ｈａｎｄｂｏｏｋ，第３８９〜４３２
頁（引用により本明細書に含まれているものとする）に記載されている。したが
って、第二の発光体４は発光体ａ）〜ｅ）の１種以上のいかなる組合せでもよい
。ＳＡＥ発光体は、３４０〜４００ｎｍの波長を有する入射放射線に対して少な
くとも９０％の量子効率を有し可視光の選択的吸収がほとんど又は全くないので
、好ましい。
【００２５】 しかし、５７０〜６２０ｎｍ又は４８０〜５００ｎｍのピーク発光波長を有す
るその他の発光体を上記発光体の代わりに、又はそれに加えて用いてもよい。例
えば、ＬＥＤ以外の放射線源の場合、２５４ｎｍ及び１４７ｎｍのピーク波長を
有する入射放射線に対して高い効力と高い量子効率を有する発光体をそれぞれ蛍
光灯及びプラズマディスプレイ用に使用してもよい。蛍光灯の水銀ガス発光は２
５４ｎｍのピーク発光波長を有し、プラズマディスプレイのＸｅプラズマ放電は
１４７ｎｍのピーク発光波長を有する。
【００２６】 本発明の好ましい局面では第一の発光体３と第二の発光体４が散在している。
最も好ましくは、第一の発光体３と第二の発光体４を互いにブレンドして均一な
ブレンドを形成する。このブレンド内の各発光体の量は使用する発光体の種類と
放射線源の種類に依存する。しかし、第一の発光体３と第二の発光体４は、第一
の発光体３からの発光５と第二の発光体４からの発光６との組合せ８が人間の観
察者７にとって白色と見えるようにブレンドしなければならない。
【００２７】 また、第一と第二の発光体３、４は放射線源１を覆って形成された別々の層か
らなっていてもよい。しかし、上側の発光体層は下側の発光体によって放出され
る放射線に対して実質的に透明でなければならない。さらに、２種類の発光体３
、４の一方は他方の発光体層内に埋め込まれたばらばらの粒子からなっていても
よい。所望であれば、第一の発光体３と第二の発光体４の一方又は両方を、５７
０〜６２０ｎｍ及び／又は４８０〜５００ｎｍのピーク発光波長を有する単結晶
シンチレーターで置き換えてもよい。
【００２８】 本発明の第一の好ましい実施形態では、第一と第二の発光体粉末を、ＬＥＤ放
射線源を含有する白色光照明システム中に配置する。本発明のこの好ましい局面
による白色光照明システムは異なる様々な構造をとることができる。
【００２９】 第一の好ましい構造を図２に概略的に示す。この照明システムは、発光ダイオ
ードチップ１１と、このＬＥＤチップと電気的に結合したリード線１３とをもっ
ている。リード線１３はそれより太いリードフレーム１５に支持された細いワイ
ヤからなっていてもよいし、又はリード線が自立性の電極からなりリードフレー
ムを省略してもよい。リード線１３はＬＥＤチップ１１に電流を流し、したがっ
てＬＥＤチップ１１に放射線を放出させる。
【００３０】 ＬＥＤチップ１１は、このＬＥＤチップとカプセル材料１９とを封入したシェ
ル１７の中にカプセル化されている。カプセル材料はＵＶ耐性エポキシからなる
のが好ましい。シェル１７は、例えばガラス又はプラスチックでよい。カプセル
材料は、例えばエポキシ又はシリコーンのようなポリマー材料でよい。しかし、
別個のシェル１７を省略し、カプセル材料１９の外面がシェル１７となってもよ
い。ＬＥＤチップ１１は、例えば、リードフレーム１５により、自立性の電極に
より、シェル１７の底部又はシェルもしくはリードフレームに装着された台座に
より、支持されていてもよい。
【００３１】 照明システムの第一の好ましい構造は、第一の発光体３と第二の発光体４から
なる発光体層２１をもっている。ＬＥＤチップ１１の発光面を覆って、又はすぐ
上に発光体層２１を形成するには、第一と第二の発光体３と４の粉末を含有する
懸濁液をＬＥＤチップ１１上に塗布し乾燥するとよい。乾燥後発光体粉末３、４
は固体の発光体層又はコーティング２１を形成する。シェル１７とカプセル材料
１９はいずれも、白色光２３がこれらの要素を透過できるように透明でなければ
ならない。発光体は、第一の発光体３が放出した橙色光５と、第二の発光体４が
放出した青緑色光６とからなる白色光２３を放出する。
【００３２】 図３に、本発明の第一の好ましい実施形態によるシステムの第二の好ましい構
造を示す。図３の構造は図２の構造と同じであるが、第一と第二の発光体粉末３
、４は、ＬＥＤチップ１１の上を覆って形成されているのではなく、カプセル材
料１９内に散在している点が異なっている。第一と第二の発光体粉末３、４はカ
プセル材料１９の単一の領域内に散在していてもよいし、或いはカプセル材料の
全体にわたって散在していてもよい。発光体粉末をカプセル材料内に散在させる
には、例えば、粉末をポリマー前駆体に加えた後ポリマー前駆体を硬化させてポ
リマー材料を固化させる。或いは、発光体粉末をエポキシカプセル材中に混合し
てもよい。その他の発光体散在法も使用できる。第一の発光体粉末３と第二の発
光体粉末４を予め混合した後これらの粉末３、４の混合物をカプセル材料１９に
加えてもよいし、発光体粉末３、４を別々にカプセル材料１９に加えてもよい。
或いは、所望であれば、第一と第二の発光体３、４を含む固体の発光体層２１を
カプセル材料１９中に挿入してもよい。この構造では、発光体層２１がＬＥＤに
より放出された放射線２５を吸収し、それに応答して白色光２３を放出する。
【００３３】 図４に、本発明の第一の好ましい実施形態によるシステムの第三の好ましい構
造を示す。図４の構造は図２の構造と同じであるが、第一と第二の発光体３、４
を含有する発光体層２１はＬＥＤチップ１１を覆って形成する代わりにシェル１
７上に形成されている。発光体層２１はシェル１７の内面上に形成するのが好ま
しいが、所望であれば発光体層２１をシェルの外面上に形成してもよい。発光体
層２１はシェルの全面に塗布してもよいし、シェル１７の表面の頂部のみに塗布
してもよい。
【００３４】 もちろん、図２〜４の実施形態を組み合わせてもよいし、発光体をこれらのう
ちの２つもしくは３つすべての配置で配置してもよいし、又はその他の適切な配
置で、例えばシェルとは別個にもしくはＬＥＤ中に組み込んで配置してもよい。
【００３５】 本発明の第二の好ましい実施形態では、蛍光灯放射線源を含有する白色光照明
システム中に第一と第二の発光体粉末３、４を入れる。蛍光灯の一部を概略的に
図５に示す。蛍光灯３１は、ランプカバー３３の表面上、好ましくは内面上に第
一の発光体３と第二の発光体４からなる発光体コーティング３５を含んでいる。
また蛍光灯３１はランプベース３７とカソード３９も含んでいるのが好ましい。
ランプカバー３３内には、カソード３９にかけた電圧に応じてＵＶ放射線を放出
する水銀のようなガスが封入されている。
【００３６】 本発明の第三の好ましい実施形態では、プラズマディスプレイデバイスを含む
白色光照明システム中に第一と第二の発光体粉末３、４を入れる。ＡＣ又はＤＣ
プラズマディスプレイパネルのようないかなるプラズマディスプレイデバイスで
も使用することができ、例えばＣＲＣ Ｐｒｅｓｓ（１９８７年、１９９９年）
刊、Ｓ．Ｓｈｉｏｎｏｙａ及びＷ．Ｍ．Ｙｅｎ編，Ｐｈｏｓｐｈｏｒ Ｈａｎｄ
ｂｏｏｋ，第６２３〜６３９頁（引用により本明細書に含まれているものとする
）に記載されているデバイスを使用することができる。図６に、ＤＣプラズマデ
ィスプレイデバイス４１の１つのセルを概略的に示す。このセルは、第一のガラ
スプレート４２、第二のガラスプレート４３、少なくとも１つのカソード４４、
少なくとも１つのアノード４５、第一と第二の発光体３、４からなる発光体層４
６、バリヤーリブ４７、及び希ガススペース４８をもっている。ＡＣプラズマデ
ィスプレイデバイスの場合はカソードとガススペース４８との間に追加の誘電体
層が加えられる。アノード４５とカソード４４との間に電圧をかけると、スペー
ス４８内の希ガスが短波長の真空紫外線（ＶＵＶ）を放出し、これが発光体層４
６を励起して白色光を放出させる。
【００３７】 個々の発光体３と４は、例えば、湿式化学法や固体状態法のような任意のセラ
ミック粉末法によって作成できる。ユーロピウムとマンガンをドープしたピロリ
ン酸ストロンチウム発光体からなる第一の発光体３の製造法は次の工程からなる
のが好ましい。
【００３８】 まず最初に、第一の発光体材料の出発化合物をるつぼ内で手操作によりブレン
ドもしくは混合するか又はボールミルのような適切な容器内で機械的にブレンド
もしくは混合して出発粉末混合物を形成する。この出発化合物は酸化物、リン酸
塩、水酸化物、シュウ酸塩、炭酸塩及び／又は硝酸塩からなる出発発光体化合物
でよい。好ましい出発発光体化合物は、リン酸水素ストロンチウムＳｒＨＰＯ4
、炭酸マンガンＭｎＣＯ3、酸化ユーロピウムＥｕ2Ｏ3、又はリン酸水素アンモ
ニウム（ＮＨ4）ＨＰＯ4からなる。（ＮＨ4）ＨＰＯ4粉末は、生成する第一の発
光体のモル数に対して化学量論比より２％過剰の量で加えるのが好ましい。同様
に、所望であれば、多少過剰のＳｒ化合物を加えてもよい。ストロンチウムのい
くらか又は全部をカルシウム、バリウム及び／又はマグネシウムで置換したい場
合には、カルシウム、バリウム及び／又はマグネシウムの出発化合物を加えるこ
ともできる。
【００３９】 次に、出発粉末混合物を空気中で約３００〜８００℃、好ましくは６００℃に
約１〜５時間加熱する。次いで、得られた粉末を再びブレンドした後、約１００
０〜１２５０℃、好ましくは１０００℃の還元性雰囲気中で焼成して、カ焼され
た発光体すなわちケーキを形成する。好ましくは、出発粉末混合物を窒素と０．
１〜１０％水素からなる雰囲気の炉内で４〜１０時間、好ましくは８時間カ焼し
た後炉を消すことによって同じ雰囲気中で冷却する。
【００４０】 白色光照明システムの一部に発光体粉末を容易に塗布するためには、カ焼され
た固体の発光体物体を第一の発光体粉末３に変換するとよい。固体の発光体物体
は粉砕法、ミル磨砕法又は微粉砕法、例えば湿式ミル、乾式ミル、ジェットミル
又は粉砕によって第一の発光体粉末に変換することができる。固体物体をプロパ
ノール、メタノール及び／又は水中で湿式ミルにかけた後乾燥するのが好ましい
。
【００４１】 第二の発光体４は次の５種類の発光体の１つ以上の組合せの中から選択するこ
とができる。 ａ）Ａ4Ｄ14Ｏ25：Ｅｕ2+、好ましくはＳｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+（「ＳＡＥ」）
、 ｂ）（２ＡＯ*０．８４Ｐ2Ｏ5 *０．１６Ｂ2Ｏ3）：Ｅｕ2+、好ましくは（２Ｓｒ
Ｏ*０．８４Ｐ2Ｏ5 *０．１６Ｂ2Ｏ3）：Ｅｕ2+、 ｃ）ＡＤ8Ｏ13：Ｅｕ2+、好ましくはＢａＡｌ8Ｏ13：Ｅｕ2+、 ｄ）Ａ10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+、好ましくは（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｃａ）10（ＰＯ4 ）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+、又は ｅ）Ａ2Ｓｉ3Ｏ8 *２ＡＣｌ2：Ｅｕ2+、好ましくはＳｒ2Ｓｉ3Ｏ8 *２ＳｒＣｌ2：
Ｅｕ2+。 これらの発光体の製造方法は、ＣＲＣ Ｐｒｅｓｓ（１９８７年、１９９９年）
刊、Ｓ．Ｓｈｉｏｎｏｙａ及びＷ．Ｍ． Ｙｅｎ編，Ｐｈｏｓｐｈｏｒ Ｈａｎ
ｄｂｏｏｋ，第３８９〜４３２頁（引用により本明細書に含まれているものとす
る）に記載されているように、業界で公知である。例えば、ＳＡＥ発光体を製造
するには、αアルミナ、酸化ユーロピウム及び炭酸ストロンチウムをホウ酸塩フ
ラックスと混合し、その混合物を１２００℃で数時間焼成し、その後混合物をフ
ォーミングガス（９８％Ｎ2／２％Ｈ2）中で冷却し、微粉砕し、カ焼された粉体
を篩い分けし、得られた粉末を湿ったＨ2／Ｎ2ガス混合物中１３００℃で再度焼
成し、次いでこの再焼成された粉体を再度微粉砕して第二の粉末４を形成する。
ＳＡＥ発光体の好ましい組成は（Ｓｒ1-xＥｕx）4Ａｌ14Ｏ25であり、ここでｘ
は０．１〜０．０１の範囲であり、好ましくは０．１の値をもつ。類似の方法を
用いてＢａＡｌ8Ｏ13：Ｅｕ2+発光体を形成することができるが、この場合炭酸
ストロンチウムの代わりに炭酸バリウムを使用する。
【００４２】 （２ＳｒＯ*０．８４Ｐ2Ｏ5 *０．１６Ｂ2Ｏ3）：Ｅｕ2+発光体の出発材料はＳ
ｒＨＰＯ4、ＳｒＣＯ3、Ｅｕ2Ｏ3、及びＨ3ＢＯ3（９９．５％）である。焼成は
、やや還元性の雰囲気中１１００〜１２５０℃で数時間行う。この発光体は２〜
３モル％のＥｕを含有するのが好ましい。（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｃａ）10（ＰＯ4）6Ｃ
ｌ2：Ｅｕ2+発光体の出発材料はＢａＨＰＯ4、ＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＭｇＯ、
ＮＨ4Ｃｌ及びＥｕ2Ｏ3である。焼成は、空気中８００℃で行い、次いで、再微
粉砕後やや還元性の雰囲気中で実施する。Ｓｒ2Ｓｉ3Ｏ8 *２ＳｒＣｌ2：Ｅｕ2+
発光体の出発材料は２：３：２の比のＳｒＣＯ3、ＳｒＯ2、ＳｒＣｌ2と０．１
Ｅｕ2Ｏ3である。これらの出発材料を水と混合し、空気中８５０℃で３時間焼成
し、微粉砕し、やや還元性の雰囲気中９５０℃で再度焼成し、再度微粉砕する。
次いで、この再度微粉砕したカ焼された物体を水で洗浄して残留しているＳｒＣ
ｌ2を除去する。しかし、これら５種類の第二の発光体４粉末はいずれも市場で
入手することができ、したがってその正確な製造法は重要ではない。
【００４３】 次に、第一と第二の発光体粉末３と４を互いにブレンド又は混合して発光体粉
末ブレンド又は混合物を形成する。これら粉末３、４はるつぼ内で手操作により
ブレンドしてもよいし、又はボールミルのような適切な別の容器内で機械的にブ
レンドしてもよい。もちろん、発光体粉末ブレンドは所望により２種類より多く
の粉末を含有していてもよい。また、第一と第二のカ焼された物体を微粉砕し、
互いにブレンドしてもよい。
【００４４】 発光体粉末ブレンドの組成は、第一と第二の発光体３、４及び放射線源１のピ
ーク発光波長に基づいて最適化することができる。例えば、４０５ｎｍのピーク
発光波長を有する放射線源の場合、発光体粉末ブレンドは、（Ｓｒ0.8Ｅｕ0.1Ｍ
ｎ0.1）2Ｐ2Ｏ7を８９重量％、ＳＡＥを１１重量％含有するのが好ましい。対照
的に、３８０ｎｍのピーク発光波長を有する放射線源の場合、発光体粉末ブレン
ドは、（Ｓｒ0.8Ｅｕ0.1Ｍｎ0.1）2Ｐ2Ｏ7を７７重量％、ＳＡＥを２３重量％含
有するのが好ましい。
【００４５】 次に、発光体粉末ブレンドを白色光照明システム中に入れる。例えば、本発明
の第一の好ましい実施形態に関連して上述したように、発光体粉末ブレンドを、
ＬＥＤチップを覆って配置するか、カプセル材料中に散在させるか、又はシェル
の表面上に塗布することができる。
【００４６】 発光体粉末ブレンドをＬＥＤチップ又はシェル上に塗布する場合には、発光体
粉末ブレンドと液体の懸濁液を用いてＬＥＤチップ又はシェル表面に塗布するの
が好ましい。この懸濁液は、場合により溶媒中に結合材を含有していてもよい。
この結合材は、酢酸ブチルやキシロールのような溶媒中のニトロセルロースやエ
チルセルロースのような有機物質からなるのが好ましい。結合材は粉末粒子同士
及び粉末粒子とＬＥＤ又はシェルとの接合力を高める。しかし、所望であれば、
プロセスを簡単化するために結合材を省略してもよい。塗布後懸濁液を乾燥し、
加熱して結合材を蒸発させることができる。発光体粉末ブレンドは溶媒の乾燥後
発光体層２１として機能する。
【００４７】 発光体ブレンドをカプセル材料１９内に散在させる場合には、発光体フレンド
をポリマー前駆体に加え、その後ポリマー前駆体を硬化させてポリマー材料を固
化させるとよい。また、発光体ブレンドをエポキシカプセル材と混合してもよい
。他の発光体散在法も使用できる。
【００４８】 発光体ブレンドを蛍光灯又はプラズマディスプレイ中に入れる場合には、発光
体粉末ブレンドと液体の懸濁液を用いて蛍光灯又はプラズマディスプレイの内面
に塗布する。上述したように、この懸濁液は、場合により溶媒中に結合材を含有
していてもよい。
【００４９】 発光体ブレンドのコーティングとして発光体塗布法を説明して来たが、第一と
第二の発光体３と４は、白色光照明システムの表面上に重ねた別個の層として形
成してもよい。さらに、所望により、発光物質は、発光体の代わりに、又は発光
体に加えて、単結晶シンチレーター材料を含んでいてもよい。シンチレーターは
いかなるシンチレーター製造法で作成することもできる。例えば、シンチレータ
ーはＣｚｏｌｃｈｒａｌｓｋｉ法、フロートゾーン法その他の結晶成長法によっ
て形成してもよい。次に、シンチレーターを、ＬＥＤチップを覆って配置するか
、又は白色光照明システムのシェルとして、もしくはシェルの頂部として使用す
ることができる。
【００５０】
【実施例】
以下の実施例は単なる例示であり、特許請求の範囲に記載した本発明の範囲を
いかなる意味でも限定するものではない。
【００５１】 実施例１ 第一の（Ｓｒ0.8Ｅｕ0.1Ｍｎ0.1）2Ｐ2Ｏ7発光体を製造するために、ＳｒＨＰ
Ｏ4、ＭｎＣＯ3、Ｅｕ2Ｏ3及び（ＮＨ4）ＨＰＯ4の粉末をブレンドして出発粉末
混合物を形成した。（ＮＨ4）ＨＰＯ4は、生成する第一の発光体のモル数に対し
て化学量論比より２％過剰の量で加えた。次に、この出発粉末混合物を空気中で
１時間約６００℃に加熱した。次いで、得られた粉末を再度ブレンドした後、窒
素と０．５％水素からなる還元性雰囲気中で８時間約１０００℃で焼成してカ焼
された発光体物体すなわちケーキを形成した。この固体の発光体ケーキを湿式ミ
ルとその後の乾燥によって第一の発光体粉末に変換した。
【００５２】 この第一の発光体粉末を市販のＳＡＥ発光体粉末と８９：１１の重量比でブレ
ンドして発光体粉末ブレンドすなわち混合物を得た。この発光体粉末ブレンドを
、４０５ｎｍのピーク発光波長を有する光源で照射した。発光体の発光は白色に
見え、そのＣＩＥ色座標は測光計算によりｘ＝０．３９、ｙ＝０．４２と決定さ
れた。この色座標は、人間の観察者に白色に見える色出力であることを示してい
る。
【００５３】 実施例２ 実施例１の実験を繰り返した。ただし、放射線源のピーク発光波長は３８０ｎ
ｍであり、発光体粉末ブレンドは７７：２３の重量比のピロリン酸ストロンチウ
ムとＳＡＥを含有していた。発光体の発光は白色に見え、そのＣＩＥ色座標は測
光計算によりｘ＝０．３９、ｙ＝０．４２と決定された。この色座標は、人間の
観察者に白色に見える色出力であることを示している。
【００５４】 例示の目的で好ましい実施形態について記載した。しかし、以上の説明は本発
明の範囲を限定するものではない。したがって、当業者には、特許請求の範囲に
記載した本発明の思想と範囲から逸脱することのない様々な修正、適用及び代替
が明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の１つの実施形態による白色光照明システムの概略図である。
【図２】 本発明の第一の好ましい実施形態によるＬＥＤを用いた照明システムの概略断
面図である。
【図３】 本発明の第一の好ましい実施形態によるＬＥＤを用いた照明システムの概略断
面図である。
【図４】 本発明の第一の好ましい実施形態によるＬＥＤを用いた照明システムの概略断
面図である。
【図５】 本発明の第二の好ましい実施形態による蛍光灯を用いた照明システムの概略断
面図である。
【図６】 本発明の第三の好ましい実施形態によるプラズマディスプレイを用いた照明シ
ステムの概略断面図である。
【符号の説明】
１ 放射線源 ２ 放射線 ３ 第一の発光体 ４ 第二の発光体 ５ 橙色光 ６ 青緑色光 ８ 白色光 １１ 発光ダイオードチップ １７ シェル １９ カプセル材料 ２１、４６ 発光体層 ２３ 白色光 ３１ 蛍光灯 ３５ 発光体コーティング ４１ ＤＣプラズマディスプレイデバイス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 11/64 ＣＰＳ Ｃ０９Ｋ 11/64 ＣＰＳ 11/71 ＣＰＷ 11/71 ＣＰＷ ＣＰＸ ＣＰＸ 11/72 ＣＰＭ 11/72 ＣＰＭ Ｆ２１Ｖ 5/04 Ｆ２１Ｖ 5/04 Ｚ Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｃ Ｎ // Ｆ２１Ｙ 101:02 Ｆ２１Ｙ 101:02 (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ， ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ， ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ， ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ ，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ， ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，Ｊ Ｐ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ， ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，Ｒ Ｏ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ， ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ Ｆターム(参考） 4H001 CA02 CA04 CA05 CF02 XA05 XA08 XA12 XA13 XA14 XA15 XA17 XA20 XA31 XA38 XA56 YA25 YA63 5F041 AA11 CA34 CA40 DA18 DA44 EE25 FF11

Claims (29)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 放射線源と、 約５７０〜約６２０ｎｍのピーク発光波長を有する第一の発光物質と、 第一の発光物質とは異なり、約４８０〜約５００ｎｍのピーク発光波長を有す
    る第二の発光物質と を含んでなる白色光照明システム。
  2. 【請求項２】 当該システムが放出する白色光が、放射線源が放出する可視
    光成分を含まない、請求項１記載のシステム。
  3. 【請求項３】 放射線源のピーク発光波長が３６０〜４２０ｎｍである、請
    求項１記載のシステム。
  4. 【請求項４】 放射線源が、ＩｎＧａＮ活性層を含有しており３７０〜４０
    ５ｎｍのピーク発光波長を有する発光ダイオードからなる、請求項３記載のシス
    テム。
  5. 【請求項５】 放射線源が蛍光灯に含まれているガスからなり、この放射線
    源が放出する放射線が紫外線からなる、請求項１記載のシステム。
  6. 【請求項６】 放射線源がプラズマディスプレイに含まれているガスからな
    り、この放射線源が放出する放射線が紫外線からなる、請求項１記載のシステム
    。
  7. 【請求項７】 第一の発光物質が第一のＡＰＯ：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+発光体から
    なり、ＡがＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくとも１種からなる、請求項１記載
    のシステム。
  8. 【請求項８】 第一の発光体がＡ2Ｐ2Ｏ7：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+からなる、請求
    項７記載のシステム。
  9. 【請求項９】 第一の発光体が（Ａ1-x-yＥｕxＭｎy）2Ｐ2Ｏ7からなり、０
    ＜ｘ≦０．２、０＜ｙ≦０．２である、請求項８記載のシステム。
  10. 【請求項１０】 第二の発光物質が、 ａ）Ａ4Ｄ14Ｏ25：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくと
    も１種からなり、ＤはＡｌ又はＧａの少なくとも１種からなる）、 ｂ）（２ＡＯ*０．８４Ｐ2Ｏ5 *０．１６Ｂ2Ｏ3）：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、
    Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくとも１種からなる）、 ｃ）ＡＤ8Ｏ13：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくとも
    １種からなり、ＤはＡｌ又はＧａの少なくとも１種からなる）、 ｄ）Ａ10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの
    少なくとも１種からなる）、又は ｅ）Ａ2Ｓｉ3Ｏ8 *２ＡＣｌ2：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇ
    の少なくとも１種からなる） の少なくとも１種の中から選択される第二の発光体からなる、請求項９記載のシ
    ステム。
  11. 【請求項１１】 第二の発光物質が、 ａ）Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+発光体、 ｂ）（２ＳｒＯ*０．８４Ｐ2Ｏ5 *０．１６Ｂ2Ｏ3）：Ｅｕ2+発光体、 ｃ）ＢａＡｌ8Ｏ13：Ｅｕ2+発光体、 ｄ）（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｃａ）10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+発光体、又は ｅ）Ｓｒ2Ｓｉ3Ｏ8 *２ＳｒＣｌ2：Ｅｕ2+発光体 の少なくとも１種の中から選択される第二の発光体からなる、請求項１０記載の
    システム。
  12. 【請求項１２】 第一の発光体と第二の発光体が散在している、請求項１１
    記載のシステム。
  13. 【請求項１３】 光源が３７０〜４０５ｎｍのピーク発光波長を有する発光
    ダイオードからなる、請求項１２記載のシステム。
  14. 【請求項１４】 さらに、発光ダイオードを含むシェルと、シェルと発光ダ
    イオードとの間のカプセル材料とを含んでおり、 ａ）第一と第二の発光体が発光ダイオードの表面を覆って塗布されているか、 ｂ）第一と第二の発光体がカプセル材料中に散在しているか、又は ｃ）第一と第二の発光体がシェル上に塗布されている、請求項１３記載のシステ
    ム。
  15. 【請求項１５】 第一の発光体が（Ｓｒ0.8Ｅｕ0.1Ｍｎ0.1）2Ｐ2Ｏ7からな
    り、第二の発光体が（Ｓｒ0.90-0.99Ｅｕ0.01-0.1）4Ａｌ14Ｏ25からなり、発光
    ダイオードのピーク発光波長が約３８０ｎｍであり、第一の発光体と第二の発光
    体の重量比が約７７：２３であり、当該システムが放出する放射線のＣＩＥ色座
    標がほぼｘ＝０．３９、ｙ＝０．４２である、請求項１４記載のシステム。
  16. 【請求項１６】 第一の発光体が（Ｓｒ0.8Ｅｕ0.1Ｍｎ0.1）2Ｐ2Ｏ7からな
    り、第二の発光体が（Ｓｒ0.90-0.99Ｅｕ0.01-0.1）4Ａｌ14Ｏ25からなり、発光
    ダイオードのピーク発光波長が約４０５ｎｍであり、第一の発光体と第二の発光
    体の重量比が約８９：１１であり、当該システムが放出する放射線のＣＩＥ色座
    標がほぼｘ＝０．３９、ｙ＝０．４２である、請求項１４記載のシステム。
  17. 【請求項１７】 ３７０〜４０５ｎｍのピーク発光波長を有する発光ダイオ
    ードと、 第一のＡＰＯ：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+発光体（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭ
    ｇの少なくとも１種からなる）と、 ａ）Ａ4Ｄ14Ｏ25：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なく
    とも１種からなり、ＤはＡｌ又はＧａの少なくとも１種からなる）、 ｂ）（２ＡＯ*０．８４Ｐ2Ｏ5 *０．１６Ｂ2Ｏ3）：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ
    、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくとも１種からなる）、 ｃ）ＡＤ8Ｏ13：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくと
    も１種からなり、ＤはＡｌ又はＧａの少なくとも１種からなる）、 ｄ）Ａ10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇ
    の少なくとも１種からなる）、又は ｅ）Ａ2Ｓｉ3Ｏ8 *２ＡＣｌ2：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭ
    ｇの少なくとも１種からなる） の少なくとも１種の中から選択される第二の発光体と を含んでなる白色光照明システム。
  18. 【請求項１８】 第一の発光体が（Ａ1-x-yＥｕxＭｎy）2Ｐ2Ｏ7（ただし、
    ０＜ｘ≦０．２、０＜ｙ≦０．２である）からなり、第二の発光体が、 ａ）Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+発光体、 ｂ）（２ＳｒＯ*０．８４Ｐ2Ｏ5 *０．１６Ｂ2Ｏ3）：Ｅｕ2+発光体、 ｃ）ＢａＡｌ8Ｏ13：Ｅｕ2+発光体、 ｄ）（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｃａ）10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+発光体、又は ｅ）Ｓｒ2Ｓｉ3Ｏ8 *２ＳｒＣｌ2：Ｅｕ2+発光体 の少なくとも１種の中から選択され、第一の発光体が第二の発光体と共に散在し
    ている、請求項１７記載のシステム。
  19. 【請求項１９】 さらに、発光ダイオードを含むシェルと、シェルと発光ダ
    イオードとの間のカプセル材料とを含んでおり、 ａ）第一と第二の発光体が発光ダイオードの表面を覆って塗布されているか、 ｂ）第一と第二の発光体がカプセル材料中に散在しているか、又は ｃ）第一と第二の発光体がシェル上に塗布されている、請求項１８記載のシステ
    ム。
  20. 【請求項２０】 第一の発光体が（Ｓｒ0.8Ｅｕ0.1Ｍｎ0.1）2Ｐ2Ｏ7からな
    り、第二の発光体が（Ｓｒ0.90-0.99Ｅｕ0.01-0.1）4Ａｌ14Ｏ25からなり、当該
    システムが放出する放射線のＣＩＥ色座標がほぼｘ＝０．３９、ｙ＝０．４２で
    あり、発光ダイオードのピーク発光波長及び第一の発光体と第二の発光体の重量
    比が次の関係を満たす、すなわち、ａ）発光ダイオードのピーク発光波長が約３
    ８０ｎｍであり、かつ第一の発光体と第二の発光体の重量比が約７７：２３であ
    るか、又は、ｂ）発光ダイオードのピーク発光波長が約４０５ｎｍであり、かつ
    第一の発光体と第二の発光体の重量比が約８９：１１である、請求項１９記載の
    システム。
  21. 【請求項２１】 約５７０〜約６２０ｎｍのピーク発光波長を有する第一の
    発光体粉末と、約４８０〜約５００ｎｍのピーク発光波長を有する第二の発光体
    粉末とをブレンドして発光体粉末混合物を形成し、 この発光体粉末混合物を放射線源に隣接して白色光照明システム中に配置する
    ことを含んでなる白色光照明システムの製造方法。
  22. 【請求項２２】 放射線源が３７０〜４０５ｎｍのピーク発光波長を有する
    発光ダイオードからなり、第一の発光体粉末がＡＰＯ：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+（ただし
    、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくとも１種からなる）からなり、第二の
    発光体粉末が、 ａ）Ａ4Ｄ14Ｏ25：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくと
    も１種からなり、ＤはＡｌ又はＧａの少なくとも１種からなる）、 ｂ）（２ＡＯ*０．８４Ｐ2Ｏ5 *０．１６Ｂ2Ｏ3）：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、
    Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくとも１種からなる）、 ｃ）ＡＤ8Ｏ13：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの少なくとも
    １種からなり、ＤはＡｌ又はＧａの少なくとも１種からなる）、 ｄ）Ａ10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇの
    少なくとも１種からなる）、又は ｅ）Ａ2Ｓｉ3Ｏ8 *２ＡＣｌ2：Ｅｕ2+（ただし、ＡはＳｒ、Ｃａ、Ｂａ又はＭｇ
    の少なくとも１種からなる） の少なくとも１種の中から選択される、請求項２１記載の方法。
  23. 【請求項２３】 ＡＰＯ：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+発光体が（Ａ1-x-yＥｕxＭｎy）2 Ｐ2Ｏ7（ただし、０＜ｘ≦０．２、０＜ｙ≦０．２である）からなり、第二の発
    光体が、 ａ）Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+、 ｂ）（２ＳｒＯ*０．８４Ｐ2Ｏ5 *０．１６Ｂ2Ｏ3）：Ｅｕ2+、 ｃ）ＢａＡｌ8Ｏ13：Ｅｕ2+、 ｄ）（Ｓｒ，Ｍｇ，Ｃａ）10（ＰＯ4）6Ｃｌ2：Ｅｕ2+、又は ｅ）Ｓｒ2Ｓｉ3Ｏ8 *２ＳｒＣｌ2：Ｅｕ2+ の少なくとも１種からなる、請求項２２記載の方法。
  24. 【請求項２４】 さらに、ＳｒＨＰＯ4粉末、Ｅｕ2Ｏ3粉末、ＭｎＣＯ3粉末
    及び（ＮＨ4）ＨＰＯ4粉末を混合して出発粉末混合物を形成し、この出発粉末混
    合物を空気中で約６００〜８００℃に加熱し、出発粉末混合物を約１０００〜１
    ２５０℃の還元性雰囲気中で焼成し、カ焼した物体を第一の発光体粉末に変換す
    ることを含んでいる、請求項２３記載の方法。
  25. 【請求項２５】 さらに、加熱工程の後焼成工程の前に出発粉末混合物をブ
    レンドすることを含んでいる、請求項２４記載の方法。
  26. 【請求項２６】 出発粉末混合物を窒素及び０．１〜１０％の水素からなる
    雰囲気の炉内で４〜１０時間焼成する、請求項２５記載の方法。
  27. 【請求項２７】 （ＮＨ4）ＨＰＯ4粉末を生成する第一の発光体のモル数に
    対して化学量論比の２％過剰の量加える、請求項２６記載の方法。
  28. 【請求項２８】 さらに、発光ダイオードをシェル中に配置し、このシェル
    をカプセル材料で充填することを含んでいる、請求項２２記載の方法。
  29. 【請求項２９】 さらに、 ａ）発光体粉末混合物と溶媒の懸濁液を発光ダイオードの表面上に塗布し、この
    懸濁液を乾燥するか、 ｂ）発光体粉末混合物をカプセル材料中に散在させるか、又は ｃ）発光体粉末混合物と溶媒の懸濁液をシェル上に塗布し、この懸濁液を乾燥す
    る ことを含んでいる、請求項２８記載の方法。
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