CZ2002167A3 - Bílé světlo emitující fosforová směs pro zařízení s prvky LED - Google Patents

Bílé světlo emitující fosforová směs pro zařízení s prvky LED Download PDF

Info

Publication number
CZ2002167A3
CZ2002167A3 CZ2002167A CZ2002167A CZ2002167A3 CZ 2002167 A3 CZ2002167 A3 CZ 2002167A3 CZ 2002167 A CZ2002167 A CZ 2002167A CZ 2002167 A CZ2002167 A CZ 2002167A CZ 2002167 A3 CZ2002167 A3 CZ 2002167A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
phosphor
phosphorus
group
light emitting
light
Prior art date
Application number
CZ2002167A
Other languages
English (en)
Inventor
Alok Mani Srivastava
Holly Ann Comanzo
Original Assignee
General Electric Company
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Company filed Critical General Electric Company
Publication of CZ2002167A3 publication Critical patent/CZ2002167A3/cs

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/851Wavelength conversion means
    • H10H20/8511Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512Wavelength conversion materials
    • H10H20/8513Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7737Phosphates
    • C09K11/7738Phosphates with alkaline earth metals
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

Bílé světlo emitující fosforová směs pro zařízení s prvky LED.
Oblast techniky
Předložený vynález se týká světelného systému, vyzařujícího bílé světlo, a zejména se týká keramické fosforové směsi pro přeměnu UV záření, vyzařovaného světlo emitující diodou (prvek LED), na bílé světlo.
Dosavadní stav techniky
Bílé světlo emitující prvky LED jsou používány jako prosvěcovací zdroje světla u displejů na bázi tekutých krystalů a také jsou používány jako náhrada fluorescenčních svítilen a běžných svítilen s malými rozměry. Jak je uvedeno v kapitole 10.4 publikace Blue Laser Diodě autora S. Nakamury a kolektivu, strany 216 až 221 (Springer 1997), na kterou se předložený vynález tímto odkazuje, jsou prvky LED, emitující bílé světlo, vyráběny vytvořením keramické fosforové vrstvy na výstupním povrchu polovodičového prvku LED, který emituje modré světlo. Modré světlo emitující prvek LED je obvykle InGaN prvek LED s jedinou kvantovou jámou a fosfor je ceriem dotovaný yttrium-hliníkový granát (YAG:Ce), Y3A15O32 '· Ce3+.
Modré světlo, které je emitováno prvkem LED, vybudí fosfor, což způsobí, že emituje žluté světlo. Modré světlo, které je emitováno prvkem LED, projde skrze fosfor a smísí se žlutým světlem, které emituje fosfor. Pozorovateli je tato směs modrého a žlutého světla jeví jako světlo bílé.
• *
Nicméně světelný systém, který je složen z prvku LED, emitujícího modré světlo, a YAG:Ce fosforu a který vyzařuje bílé světlo, se vyznačuje následujícími nevýhodami. Barvový výstup prvku LED ( například rozložení spektrální výkonové hustoty a špičkové emitované vlnové délky ) je závislý na šířce pásmové mezery aktivní vrstvy prvku LED a také je závislý na výkonu, který je přiváděn do prvku LED. V průběhu výrobního procesu je určité množství prvků LED vyrobeno tak, že skutečná šířka pásmové mezery jejich aktivní vrstvy je větší nebo menší než požadovaná šířka pásmové mezery aktivní vrstvy. V důsledku toho se potom parametry barvového výstupu podobných prvků LED odchylují od parametrů požadovaných. Dále je potřeba říci, že i v případě, že pásmová mezera určitého prvku LED má požadovanou šířku, dochází k tomu, že prvek LED je v průběhu svého provozu napájen výkonem, jehož velikost se často liší od požadované hodnoty. V důsledku tohoto jevu se potom parametry barvového výstupu prvku LED odchylují od požadovaných hodnot. Jelikož tímto systémem emitované světlo obsahuje modrou složku, vytvořenou prvkem LED, pak v případě, že se barvový výstup prvku LED odchýlí svými parametry od požadovaných hodnot, se světelný výstup systému svými parametry také odchýlí od požadovaných hodnot. Podstatné odchylky od požadovaných parametrů mohou způsobit, že barvový výstup celého systém se nejeví bílý ( jinými slovy, jeví se například jako namodralý nebo nažloutlý ).
Dále je potřeba říci, že barvový výstup systému, skládajícího se z modré světlo emitujícího prvku LED a YAG:Ce fosforu, se podstatným způsobem mění, což je dáno běžnými,
neodstranitelnými a častými odchylkami od požadovaný parametrů, vzniklých při výrobě svítilny na bází LED prvku ( ty mohou být způsobeny například systematickými tolerančními odchylkami ) , jelikož barvový výstup systému, skládajícího se z modré světlo emitujícího prvku LED a YAG:Ce fosforu, je velmi citlivý na velikost tloušťky fosforu. V případě, že je fosfor příliš tenký, pak fosforem pronikne větší než požadované množství modrého světla, emitovaného prvkem LED. Světelný výstup kombinovaného systému prvek LED - fosfor se potom bude jevit jako namodralý, jelikož v něm bude převažovat složka modrého světla, emitovaného prvkem LED. Pokud bude naopak vrstva fosforu příliš tenká, pak YAG:Ce fosforovou vrstvou pronikne menší než požadované množství modrého světla, emitovaného prvkem LED. Světelný výstup kombinovaného systému prvek LED - fosfor se potom bude jevit jako nažloutlý, protože v něm bude převažovat žlutá složka YAG:Ce fosforu.
Z těchto důvodů je tloušťka fosforu kritickou proměnnou, která má podstatný vliv na barvový výstup systémů podle dosavadního stavu techniky. Při velké sériové výrobě systémů, skládajících se z modré světlo emitujícího prvku LED a YAG:Ce fosforu, je ovšem bohužel velmi těžké kontrolovat přesnou tloušťku fosforu. Změny v tloušťce fosforu mají často za následek skutečnost, že výstup systému je nevhodný pro aplikace, ve kterých je používáno osvětlování bílým světlem, jelikož barvový výstup systému se nejeví jako bílý ( jinými slovy, jeví se například jako namodralý nebo nažloutlý ) . Tato skutečnost pak má za následek nepřijatelně nízkou výtěžnost při výrobě systémů, skládajících se z modré světlo emitujícího prvku LED a YAG:Ce fosforu.
• ft • ·
* :/ ♦ · * • · · Α ft * ·· ·
Systém, skládající se z modré světlo emitujícího prvku LED a YAG:Ce fosforu, se také vyznačuje efektem svatozáře, který vzniká jako důsledek oddělení modrého a žlutého světla. Prvek LED emituje modré světlo směrovým způsobem. Nicméně fosfor emituje žluté světlo izotropickým způsobem ( tedy ve všech směrech ) . Pokud je tedy světelný výstup systému pozorován v přímém směru ( tedy přímo v směru emise prvku LED ) , jeví se světlo namodrale bílé. Pokud je naopak světelný výstup pozorován pod úhlem, světlo se jeví jako nažloutlé, což je dáno převahou žlutého světla, emitovaného fosforem. V případě, že je světelný výstup podobného systému nasměrován na plochý povrch, je patrná nažloutlá záře, která obklopuje namodralou plochu. Z těchto důvodů si tedy předložený vynález pokládá za úkol vyřešit nebo alespoň omezit výše uvedené problémy.
Podstata vynálezu
Podstatou předloženého vynálezu je světelný systém, vyzařující bílé světlo, který obsahuje zdroj záření, první luminiscenční materiál se špičkovou emitovanou vlnovou délkou přibližně 570 až přibližně 620 nm, a druhý luminiscenční materiál se špičkovou emitovanou vlnovou délkou přibližně 480 až přibližně 500 nm, který se liší od prvního luminiscenčního materiálu.
V souladu s jiným aspektem předloženého vynálezu je vytvořen světelný systém, vyzařující bílé světlo, který obsahuje světlo emitující diodu se špičkovou emitovanou
první APO: Eu2 + , Mn2+ fosfor, ze skupiny, obsahující Sr, který je zvolen z alespoň
- 5 vlnovou délkou mezi 370 a 405 nm, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek Ca, Ba nebo Mg, a druhý fosfor, jedné z následujících substancí:
a) A4Di4O25 : Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg, a D zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Al nebo Ga;
b) (2A0 * 0,84P2Os * 0,16B2O3) :Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg;
c) AD8O13:Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg, a D zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Al nebo Ga;
d) Aio (POJ 6C12: Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg;
nebo
e) A2S13O8 * 2AC12: Eu , kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg.
Jiným aspektem předloženého vynálezu je návrh způsobu vytváření světelného systému, vyzařujícího bílé světlo, který obsahuje smíchání prvního fosforového prášku se špičkovou emitovanou vlnovou délkou přibližně 570 až přibližně 620 nm a druhého fosforového prášku se špičkovou emitovanou vlnovou délkou přibližně 480 až přibližně 500 nm za účelem vytvoření fosforové práškové směsi a umístění fosforové práškové směsi do světelného systému, vyzařujícího bílé světlo, do blízkosti zdroje záření.
Přehled obrázků na výkresech
Obr. 1 schematickým způsobem zobrazuje světelný systém, který vyzařuje bílé světlo a který je v souladu s jedním příkladem provedení předloženého vynálezu.
Obr. 2 až 4 schematickým způsobem zobrazují řezy světelnými systémy, které používají prvky LED a které jsou v souladu s prvním upřednostňovaným příkladem provedení předloženého vynálezu.
Obr. 5 schematickým způsobem zobrazuje řez světelným systémem, který používá fluorescenční svítilnu a který je v souladu s druhým upřednostňovaným příkladem provedení předloženého vynálezu.
Obr. 6 schematickým způsobem zobrazuje řez světelným systémem, který používá plazmový displej a který je v souladu se třetím upřednostňovaným příkladem provedení předloženého vynálezu.
Příklady provedení vynálezu
S ohledem na problémy, kterými je zatížen dosavadní stav φ φ
techniky, je potřeba vytvořit světelný systém, vyzařující bílé světlo, jehož barvový výstup by byl méně citlivý na změny parametrů systému, které vznikají při provozování systému a při jeho výrobě. Zmíněnými změnami parametrů jsou například změny napájecího výkonu prvku LED, změny šířky pásmové mezery aktivní vrstvy prvku LED a tloušťky luminiscenčního materiálu. Autoři předloženého vynálezu zjistili, že v případě, že barvový výstup systému, skládajícího se ze zdroje záření a luminiscenčního materiálu, neobsahuje podstatné viditelné záření, emitované zdrojem záření, jakým je prvek LED, pak barvový výstup je méně citlivý na uvedené změny parametrů. V tomto případě barvový výstup systému v podstatě nezávisí na napájecím výkonu prvku LED, šířce pásmové mezery a tloušťce luminiscenčního materiálu. Pod pojmem luminiscenční materiál se rozumí luminiscenční materiál ve volné nebo kompaktní práškové podobě ( fosfor ) a v pevné krystalické podobě ( scintilátor ) .
Barvový výstup systému v podstatě nezávisí na tloušťce luminiscenčního materiálu, pokud bílé světlo, které je emitováno systém, neobsahuje významnou viditelnou složku, emitovanou zdrojem záření, jakým je prvek LED. Proto množství záření prvku LED, které projde luminiscenčním materiálem, jakým je fosfor, neovlivní barvový výstup systému. Uvedené skutečnosti je možné dosáhnout alespoň dvěma způsoby.
První způsob, jak zabránit ovlivnění barvového výstupu systému, spočívá v použití zdroje záření, který emituje záření na vlnových délkách, jenž jsou neviditelné pro lidské oko.
Například prvek LED může být zkonstruován tak, že emituje
ultrafialové záření ( UV }, které má vlnovou délku 380 nm nebo méně a které je pro lidské oko zcela neviditelné. Lidské oko navíc není příliš citlivé na UV záření, které má vlnovou délku mezi 380 a 400 nm, a na fialové světlo, které má vlnovou délku mezi 400 a 420 nm. Záření, které je emitováno prvkem LED, jenž má vlnovou délku 420 nm nebo méně, by z výše uvedených důvodů v podstatě neovlivňovalo barvový výstup systému, skládajícího se z prvku LED - fosforu, bez ohledu na to, zda prvkem LED emitované záření prochází fosforem nebo ne, jelikož záření, které má vlnovou délku přibližně 420 nm nebo méně, je pro lidské oko v podstatě neviditelné.
Druhý způsob, jak zabránit ovlivnění barvového výstupu systému, spočívá v použití tlustého luminiscenčního materiálu, který neumožní, aby jím prošlo záření ze zdroje záření. Pokud například prvek LED emituje viditelné světlo mezi 420 a 650 nm, pak za účelem zajištění neovlivňování barvového výstupu tloušťkou fosforu systému by měl být fosfor dostatečně tlustý na to, aby zabránil průchodu fosforem jakémukoliv podstatnému množství viditelného světla, emitovaného prvkem LED. Nicméně ikdyž je tento způsob zabránění ovlivňování barvového výstupu systému v principu možný, není používán, jelikož snižuje výstupní efektivitu systému.
U obou výše popsaných případech závisí barva systémem emitovaného viditelného světla pouze na druhu použitého luminiscenčního materiálu. Aby systém, skládající se z prvku
LED - fosforu, emitoval bílé světlo, měl by prvkem LED ozářený fosfor také emitovat bílé světlo.
«· »···
Autoři předloženého vynálezu objevili skutečnost, že v případě, že je použit první fosfor, emitující oranžové světlo a vyznačující se špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi přibližně 570 a přibližně 620 nm, a společně s ním i druhý fosfor, emitující modro-zelené světlo a vyznačující se špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi přibližně 480 a přibližně 500 nm, že se lidskému pozorovateli jeví jimi emitované kombinované světlo jako světlo bílé. Pro účely vytvoření světelného systému, který vyzařuje bílé světlo, je možné v kombinaci se zdrojem záření použít jakékoliv luminiscenční materiály, jakými jsou fosfory, které se vyznačují špičkovými emitovanými vlnovými délkami mezi 570 a 620 nm a mezi 480 a 500 nm. Luminiscenční materiály mají s výhodou vysokou kvantovou účinnost na určité emisní vlnové délce zdroje záření. Každý luminiscenční materiál je navíc s výhodou průhledný pro vlnové délky viditelného světla, emitovaného jinými luminiscenčními materiály.
Obr. 1 schematickým způsobem zobrazuje výše uvedený princip. V souladu s obr. 1, emituje zdroj 1_ záření, jakým je prvek LED, záření 2^, které dopadá na dva luminiscenční materiály, kterými jsou první fosfor 3 a druhý fosfor j4. Oba fosfory 3 a _4 jsou na obr. 1 schematickým způsobem odděleny pomocí diagonální čáry, která naznačuje, že oba fosfory mohou být navzájem promíchány nebo že oba fosfory mohou představovat diskrétní sousední vrstvy. Diagonální čára je použita pouze pro definiční účely a nereprezentuje nutnou diagonální podobu hranice mezi uvedenými fosfory.
Záření 2 se může vyznačovat vlnovou délkou, na kterou není
0*
0« ···· lidské oko citlivé. Touto vlnovou délkou může být například vlnová délka o velikosti 420 nm a méně. Fosfory 3 a 4. mohou být také příliš tlusté na to, aby jimi mohlo proniknout záření 2_ na druhou stranu. Po absorbci dopadajícího záření 2_ první fosfor 3 emituje oranžové světlo 5 se špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi 570 a 620 nm, zatímco druhý fosfor £ emituje modro-zelené světlo 6 se špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi 480 a 500 nm. Lidský pozorovatel ]_ vnímá kombinaci oranžového světla _5 a modro-zeleného světla _6 jako bílé světlo 8_. Obr. 1 schematickým způsobem zobrazuje, že oranžové světlo 5 a modro-zelené světlo ý vychází z diskrétních fosforových oblastí, čímž je naznačen jev míšení barev. Nicméně je potřeba říci, že v případě, že první a druhý fosfor 3 a _4 jsou vzájemně smícháni do podoby jedné smíšené fosforové vrstvy, emituje fosfor 3_ světlo 5^ a fosfor 4_ emituje světlo 6. Jak oranžové světlo _5, tak i modro-zelené světlo 6 mohou být emitováni ze stejných ploch.
Zdroj _1 záření může představovat jakýkoliv zdroj záření, který je schopen vyvolat emisi prvního fosforu _3 a druhého fosforu 4. Zdroj 1^ záření je s výhodou realizován jako prvek LED. Nicméně zdrojem _! záření může být také plyn, jakým je rtuť ve fluorescenční svítilně nebo vzácný plyn, jakým je Ne, Ar a/nebo Xe v plazmových displejích, nebo jím může být vysokotlaká svítilna se rtuťovými párami.
Zdroj 1 záření může například zahrnovat jakýkoliv prvek
LED, který u prvního fosforu 3. a u druhého fosforu £ vyvolá emisi světelného záření 8_, jenž se lidskému pozorovateli 7 jeví jako bílá. Záření 2, emitované prvkem LED, je přitom nasměrováno na první fosfor 3 a druhý fosfor 4_. Prvek LED tedy může zahrnovat polovodičovou diodu, vytvořenou z jakýchkoliv vhodných polovodičových vrstev typu III-V, II-VI nebo IV-IV a vyznačující se emitovanou vlnová délka 360 až 420 nm. Prvek LED může například obsahovat alespoň jednu polovodičovou vrstvu, vytvořenou z GaN, ZnSe nebo SiC polovodičů. Pokud by bylo potřeba, může prvek LED v aktivní oblasti obsahovat také jednu nebo více kvantových jam. Aktivní oblast prvku LED může s výhodou obsahovat PN přechod, který je vytvořen z GaN, AlGaN a/nebo InGaN polovodičových vrstev. PN přechod může být oddělen tenkou nedotovanou InGaN vrstvou nebo jedním nebo větším počtem InGaN kvantových jam. Prvek LED se může vyznačovat emitovanou vlnovou délkou mezi 360 a 420 nm, s výhodou mezi 370 a 405 nm, nejlépe však mezi 370 a 390 nm. Nicméně prvek LED s emitovanou vlnovou délkou nad 420 nm může být použit ve spojení s tlustým fosforem, jehož tloušťka zabrání, aby světlo, které je emitováno prvkem LED, prošlo fosforem. Prvek LED se může vyznačovat například následujícími vlnovými délkami: 370, 375, 380, 390 nebo 405 nm.
Zdroj 1 záření světelného systému, který vyzařuje bílé světlo, byl ve výše uvedeném popise popsán jako polovodičová dioda, emitující světlo. Nicméně zdroj záření podle předloženého vynálezu se neomezuje pouze na polovodičovou diodu, emitující světlo. Zdroj záření může obsahovat laserovou diodu nebo organickou diodu ( OLED ), emitující světlo. Výše popsaný upřednostňovaný světelný systém, vyzařující bílé světlo, obsahuje jediný zdroj 1 záření. Nicméně v případě potřeby je možné v systému použít větší počet zdrojů záření za účelem vylepšení parametrů emitovaného bílého světla nebo za
účelem zkombinování emitovaného bílého světla se světlem s jinou barvou / s jinými barvami. Systém, který emituje bílé světlo, může být u zobrazovacího zařízení použit například v kombinaci s diodami, emitujícími červené, zelené a/nebo modré světlo.
Prvním luminiscenčním materiálem může být jakýkoliv fosfor 3, který v závislosti na dopadajícím záření 2 ze zdroj 1 záření emituje viditelné světlo se špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi 570 a 620 nm. Pokud zdroj 1_ záření obsahuje prvek LED se špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi 360 a 420 nm, pak první fosfor 3 s výhodou obsahuje APO: Eu2+, Mn2+ kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg. Výhodnější ovšem je, pokud první fosfor 2 obsahuje fosfor na bázi europiem a manganem dotovaného pyrofosfátu alkalické zeminy, A2P2O7: Eu2+,Mn2+, který může být zapsán jako (Ai_x_yEuxMny) 2P2O7, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg, a kde 0 < x < 0,2 a 0 < y < 0,2. As výhodou představuje stroncium. Uvedený fosfor je upřednostňován pro použití ve funkci zdroje záření prvku LED, protože tento fosfor emituje viditelné světlo se špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi 575 a 595 nm a protože se vyznačuje vysokou efektivitou a vysokou kvantovou účinností pro dopadající záření, které má špičkovou vlnovou délku mezi 360 a 420 nm, jaká je emitována prvkem LED. První fosfor také může obsahovat A3P2Oa: Eu2+, Mn2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg.
Ve fosforu na bázi Eu'
2+ a Mn2+ dotovaného pyrofosfátu • * « · · «« 00«
00·
• ·
0« 0·
0 « 0 « 0 0 • ·
Μ·’ alkalické zeminy slouží ionty Eu obvykle jako senzibilizátory a ionty Mn obvykle slouží jako aktivátory. Ionty Eu proto absorbují dopadající energii ( tedy fotony }, emitovanou zdrojem záření, a přenáší absorbovanou energii na ionty Mn. Mn ionty jsou přenesenou absorbovanou energií uvedeny do excitovaného stavu a emitují širokopásmové záření, které se vyznačuje špičkovou vlnovou délkou, jenž se v závislosti na provozních podmínkách mění od přibližně 575 do přibližně 595 nm.
Druhý luminiscenční materiál může být jakýkoliv fosfor £, který v závislosti na dopadajícím záření 2 ze zdroje záření emituje viditelné světlo se špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi 480 a 500 nm. Pokud zdroj 1 záření obsahuje prvek LED se špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi 360 a 420 nm, pak druhý fosfor může obsahovat jakýkoliv komerčně dostupný fosfor se špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi 480 a 500 nm, vysokou efektivitou a vysokou kvantovou účinností pro dopadající záření se špičkovou vlnovou délkou mezi 370 a 420 nm. Například následujících pět fosforů splňuje uvedené kritéria:
a) A4Di4O25: Eu2*, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg, a D zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Al nebo Ga;
b) (2AO * 0,84P2C>5 * 0,16B2O3) : Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg;
c) AD80i3:Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg, a D zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Al nebo Ga;
d) Αχό (PO4) 6C12: Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg;
nebo
e) A2Si3Os * 2AC12:Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg.
Upřednostňovanými složeními výše uvedených pěti fosforů, která jsou běžně komerčně dostupná, jsou:
a) Sr4Ali4025 :Eu2+ ( též známo jako fosfor SAE );
b) (2SrO * 0,84P2O5* 0, 16B2O3) : Eu2+;
c) BaAlsOn: Eu2+;
d) (Sr,Mg,Ca) ίο (PO4) 6C12:Eu2+;
nebo
e) Sr2Si30s * 2SrCl2:Euz+.
Tyto fosfory se vyznačují špičkovými emitovanými vlnovými délkami v rozsahu od 480 to 493 nm a jsou popsány na stranách 389 - 432 publikace Phosphor Handbook, editované autory Ξ. Shíonoyou a W. M. Yenem, CRC Press, (1987, 1999), na kterou se
0 0 β · * « ♦ · • 4 4 4 4 4
předložený vynález tímto odkazuje. Druhý fosfor 4_ proto může obsahovat jeden nebo větší počet fosforů a} až e) v jakékoliv kombinaci. Je upřednostňován SAE fosfor, protože se vyznačuje kvantovou účinností alespoň 90 % pro dopadající záření, které má vlnovou délku 340 až 400 nm, a málo absorbuje viditelné nebo jej absorbuje neselektivním způsobem.
Nicméně je možné použít i jiné fosfory, které mají špičkové emitované vlnové délky mezi 570 a 620 nm nebo mezi 480 a 500 nm, přičemž je možné je použít místo výše uvedených fosforů nebo je možné je použít společně. Například za účelem realizace zdroje záření, který má jinou podobu než podobu prvku LED, je možné použít fosfory, které mají vysokou efektivitu a vysokou kvantovou účinnost pro dopadající záření se špičkovou vlnovou délkou 254 nm a 147 nm, přičemž realizovaným zdrojem záření může být pro uvedené vlnové délky fluorescenční svítilna a plazmový displej. Emise par rtuti ve fluorescenční svítilně má špičkovou emitovanou vlnovou délku 254 nm a výboj v plasmatu Xe v plazmovém displeji má špičkovou emitovanou vlnovou délku 147 nm.
V souladu s upřednostňovaným aspektem předloženého vynálezu je první fosfor 3 promíchán s druhým fosforem 4_. Přitom nej výhodnější je stav, kdy je první fosfor 3 smíchán s druhým fosforem 4. a vytváří rovnoměrnou směs. Množství každého z fosforů ve směsi závisí na druhu fosforu a druhu použitého zdroje záření. Nicméně první fosfor 3 a druhý fosfor 4. by měli být smícháni takovým způsobem, aby se světelné záření 8_, zkombinované ze světelného záření 5_, emitovaného prvním fosforem 3, a ze světelného záření 6, emitovaného druhým
fosforem 4_, jevilo lidskému pozorovateli 1_ jako bílé.
První a druhý fosfor a 4_ však mohou být realizováni také tak, že vytváří diskrétní vrstvy na zdroji _1 záření. Nicméně je třeba zajistit, aby horní vrstva fosforu byla v podstatě průhledná pro záření, které je emitováno spodní vrstvou fosforu. Jeden z obou fosforů a může navíc obsahovat diskrétní částice, zapuštěné v druhé fosforové vrstvě. Pokud by bylo potřeba, jeden nebo oba fosfory ze skupiny, zahrnující první fosfor 2 a druhý fosfor £, mohou být nahrazeni jediným krystalovým scintilátorem, vyznačujícím se špičkovými emitovanými vlnovými délkami mezi 570 a 620 nm a/nebo mezi 480 a 500 nm.
V souladu s prvním upřednostňovaným příkladem provedení předloženého vynálezu je prášek prvního a prásek druhého fosforu umístěn do světelného systému, který vyzařuje bílé světlo a který jako zdroj záření zahrnuje prvek LED. V souladu s upřednostňovaným aspektem předloženého vynálezu může být světelný systém, vyzařující bílé světlo, realizován v různých strukturách.
První upřednostňovaná struktura je schematickým způsobem zobrazena na obr. 2. Světelný systém obsahuje čip 11 se světlo emitující diodou a elektrické vedení 13, které je elektricky spojeno s čipem prvku LED. Elektrické vedení 13 může představovat tenké drátky, podložené tlustšími přípojkami 15. Elektrické vedení může být realizováno také jako samcnosné elektrody a přípojky mohou být vynechány. Elektrické vedení 13 přivádí elektrický proud do čipu 11 prvku LED a tímto způsobem zajišťuje, že čip 11 prvku LED emituje záření.
Čip 11 prvku LED je zapouzdřen v pouzdru 17, které uzavírá čip prvku LED, a nachází se v zapouzdřovacím materiálu 19. Zapouzdřovací materiál s výhodou obsahuje epoxidovou pryskyřici, která je odolná proti UV záření. Pouzdro 17 může být například skleněné nebo plastové. Zapouzdřovací materiál může být například epoxyóový nebo polymerový materiál, jakým je silikon. Samostatné pouzdro 17 může být nicméně odděleno a vnější povrch zapouzdřovacího materiálu 19 může zahrnovat pouzdro 17. Čip 11 prvku LED může být uložen například na přípojkách 15, na samonosných elektrodách, na spodní části pouzdra 17 nebo na podstavci, který je připevněn k pouzdru nebo k přípojce.
První upřednostňována struktura světelného systému obsahuje fosforovou vrstvu 21, která zahrnuje první fosfor 3 a druhý fosfor _4. Fosforová vrstva 21 může být vytvořena nad světlo emitujícím povrchem čipu 11 prvku LED nebo přímo na něm a to pomocí potažení čipu 11 prvku LED suspenzí, jenž obsahuje prášek prvního fosforu 3 a prášek druhého fosforu £, a jejím usušením. Po dokončení procesu sušení vytvoří prášky fosforů 3 a _4 pevnou fosforovou vrstvu nebo potah 21. Jak pouzdro 17, tak i zapouzdřovací materiál 19 by měli být průhlední, aby bylo možné zajistit průchod bílého světla 23 uvedenými prvky. Fosfor emituje bílé světlo 2 3, který zahrnuje oranžové světlo 5, které je emitováno prvním fosforem 3_, a modro-zelené světlo _6, které je emitováno druhým fosforem 4_.
Obr. 3 zobrazuje druhou upřednostňovanou strukturu systému * » podle prvního upřednostňovaného příkladu provedení předloženého vynálezu. Struktura podle obr. 3 je stejná jako struktura podle obr. 2. Výjimkou je skutečnost, že prášek prvního fosforu 2 a prášek druhého fosforu 4_ jsou smícháni v rámci zapouzdřovacího materiálu 19 namísto nad čipem 11 prvku LED. Prášek prvního fosforu 3 a prášek druhého fosforu 4_ mohou být smícháni v jedné jediné oblasti zapouzdřovacího materiálu 19 nebo mohou být smícháni v celém objemu zapouzdřovacího materiálu. Fosforové prášky jsou smíchány v rámci zapouzdřovacího materiálu například pomocí přidání prášků do polymerového předchůdce a poté je polymerový předchůdce vytvrzen do podoby polymerového materiálu. Fosforové prášky mohou být smíchány s epoxydovým zapouzdřovacím materiálem. Je také možné použít i jiné způsoby promíchání fosforových prášků. Prášek prvního fosforu _3 a prášek druhého fosforu 4_ mohou být smícháni ještě před tím než bude směs prášků těchto fosforů 3 a 4_ přidána do zapouzdřovacího materiálu 19. Prášky uvedených fosforů 3 a 4 mohou být také do zapouzdřovacího materiálu 19 přidány odděleně. Pokud by bylo potřeba, tak muže být pevná fosforová vrstva 21, která obsahuje první a druhý fosfor 3 a 4_, také zasazena do zapouzdřovacího materiálu 19. V této struktuře fosforová vrstva 21 absorbuje záření 25, emitované prvkem LED, a v závislosti na tomto jevu emituje bílé světlo 23.
Obr. 4 zobrazuje třetí upřednostňovanou strukturu systému podle prvního upřednostňovaného příkladu provedení předloženého vynálezu. Struktura podle obr. 4 je stejná jako struktura podle obr. 2. Výjimkou je skutečnost, že fosforová vrstva 21, která obsahuje první a druhý fosfor 3 a £, je
·«· « · · · · · «•+a «· « ·*·· ·» ····
vytvořena na pouzdru 17 namísto na čipu 11 prvku LED.
Fosforová vrstva 21 je s výhodou vytvořena uvnitř povrchu
pouzdra 17 , ikdyž v případě potřeby může být fosforová vrstva
vytvořena na povrchu uvedeného pouzdra. Fosforová vrstva 21 může být vytvořena na celém povrchu pouzdra nebo pouze v horní části povrchu pouzdra 17.
Příklady provedené předloženého vynálezu podle obr. 2 až 4 mohou být samozřejmě různě zkombinovány a fosfor může být umístěn v libovolných dvou nebo ve všech třech polohách nebo v jakéhokoliv jiné vhodné poloze, jakou je od pouzdra oddělené poloha nebo zaintegrování do prvku LED.
V souladu s druhým upřednostňovaným příkladem provedení předloženého vynálezu jsou prášky prvního fosforu 2 a druhého fosforu _4 umístěny do světelného systému, který vyzařuje bílé světlo a který obsahuje fluorescenční svítilnu jako zdroj záření. Část fluorescenční svítilny je schematickým způsobem zobrazena na obr. 5. Svítilna 31 obsahuje fosforový plášť 35, který zahrnuje první fosfor 3_ a druhý fosfor _4 na povrchu krytu 33 svítilny, s výhodou na vnitřním povrchu. Fluorescenční svítilna 31 také s výhodou obsahuje patku 37 svítilny a katodu 39. Kryt 33 svítilny uzavírá plyn, jakým je rtuť, jenž emituje UV záření v závislosti na napětí, které je přiváděno na katodu 39.
V souladu se třetím upřednostňovaným příkladem provedení předloženého vynálezu jsou prášek prvního fosforu 3 a prášek druhého fosforu 4_ umístěni do světelného systému, který vyzařuje bílé světlo a který obsahuje plazmový displej. Přitom « · v
·
je možné použít jakýkoliv plazmový displej, ať už plazmový displej se střídavým napájením nebo se stejnosměrným napájením, jaké jsou popsány na stranách 623 až 639 publikace Phosphor Handbook, editované autory S. Shionoyou a W. M. Yenem, CRC Press, (1987, 1999), na kterou se tímto předložený vynález odkazuje. Obr. 6 schematickým způsobem zobrazuje jednu buňku 41 plazmového displeje se stejnosměrným napájením. Buňka obsahuje první skleněnou desku 42, druhou skleněnou desku 4 3, alespoň jednu katodu 44, alespoň jednu anodu 45, fosforovou vrstvu 46, obsahující první fosfor 3 a druhý fosfor hraniční žebra 47 a prostor 48 pro vzácný plyn. Ve střídavě napájeném plazmovém displeji je mezi katodu a prostor 48 pro vzácný plyn přidána ještě dodatečná dielektrická vrstva. Přivedení napětí mezi anodu 45 a katodu 44 způsobí, že vzácný plyn v prostoru 4 8 pro vzácný plyn emituje vakuové ultrafialové záření (VUV) s krátkou vlnovou délkou, která excituje fosforovou vrstvu 4 6, jenž pak v důsledku této skutečnosti emituje bílé světlo.
Jednotlivé fosfory 3_ a 4, mohou být vyrobeny jakýmkoliv keramickým práškovým způsobem, například za použití mokrých chemickým technologií nebo za použití technologií, pracujících s pevnou fází. Způsob výroby prvního fosforu _3, který zahrnuje fosfor na bázi europiem a manganem dotovaného pyrofosfátu stroncia, obsahuje následující fáze:
Výchozí složky materiálu prvního fosforu jsou nejprve manuálním způsobem smíchány nebo namixovány v kelímku nebo jsou mechanicky smíchány nebo namixovány v jiné vhodné nádobě, jakým je mlecí zařízení, založené na valení kamenných či
kovových koulí, díky čemuž je vytvořena výchozí prášková směs. Výchozí složky fosforu mohou obsahovat jakýkoliv oxid, fosfát, hydroxid, oxalát, uhličitan a/nebo dusičnan. Upřednostňované výchozí složky fosforu obsahují prášky hydrogenfosforečnan strontnatý SrHPO4, uhličitan manganičitý MnCC>3, oxid europitý EU2O3 a hydrogenf osforečnan amonný (NH4)HPO4. Prášek (NH4)HPO4 je s výhodou přimíchán v množství, které o 2 % přesahuje stechiometrický molovy poměr vytvořeného prvního fosforu. Pokud je potřeba, je také možné přidat malý nadbytek prvku Sr. Pokud je potřeba substituovat některé nebo všechny výchozí složky, obsahující stroncium, složkami, které obsahují vápník, baryum a/nebo hořčík, je možné jako výchozí složky přidat vápník, baryum a hořčík.
Výchozí prášková směs je poté ve vzduchu zahřívána při teplotě přibližně 300 až 800 °C po dobu přibližně 1 až 5 hodin, přednostně pak při teplotě 600 °C. Výsledný prášek je potom opětně promíchán a následně je žíhán v redukční atmosféře při teplotě přibližně 1000 až 1250 °C, s výhodou při teplotě 1000 °C, za účelem vytvoření vyčíhané fosforové hmoty nebo dávek. Výchozí prášková směs je s výhodou žíhána v peci v atmosféře, která obsahuje dusík a 0,1 až 10 % vodíku, přičemž žíhání je prováděno po dobu čtyř až deseti hodin, s výhodou po dobu osmi hodin, a následně je ochlazena ve stejné atmosféře ve vypnuté žíhací peci.
Pevná vyčíhaná fosforová hmota může být přeměněna na prášek prvního fosforu 3 za účelem jednoduššího potažení části světelného systému, vyzařujícího bílé světlo, získaným fosforovým práškem. Pevná fosforová hmota může být přeměněna
na prášek prvního fosforu pomocí drcení, mletí nebo pomocí podobných rozmělňovacích technologií, jakými je mokré mletí, suché mletí, proudové mletí nebo drcení. Pevná hmota je s výhodou mleta za mokra v propanolu, metanolu a/nebo ve vodě a následně je sušena.
Druhý fosfor £ může být zvolen z jakékoliv kombinace jednoho nebo většího počtu následujících pěti fosforů:
a) A4Di4O25: Eu2+, s výhodou Sr4Ali4O25: Eu2+ ( SAE )
b) (2A0 * 0,84P2O5 * 0,16B2O3) :Eu2+, s výhodou (2SrO * 0,84P2O5 * 0,16B2O3) : Eu2+
c) AD80i3:Eu2+, s výhodou BaAl80i3: Eu2+
d) Aio (P04) 6C12: Eu2+, s výhodou (Sr,Mg,Ca) 10 (P04) eCl2:Eu2+ nebo
e) A2Si3O8 * 2AC12:Eu2+, s výhodou Sr2SÍ3O8 * 2SrCl2:Eu2+
Způsob výroby těchto fosforů je znám z dosavadního stavu techniky a je popsán na stranách 389 až 432 publikace Phosphor Handbook, editované autory S. Shionoyou a W. M. Yenem, CRC Press, (1987, 1999), na kterou se tímto předložený vynález odkazuje. Například SAE fosfor je připraven pomocí následujících kroků: smíchání alfa oxidu hlinitého, oxid europitý a uhličitan strontnatý s boritanovým tavidlem; vypalování směsi při 1200 °C po dobu několika hodin a ·· 4 · · · * * · ♦ * • 4» 4 · 444 · » « · · 9 «44 «*·· 4« ·» «·« ·· «·*» následného ochlazení směsi ve výrobním plynu (98 % N2 / 2 %
H2) ; přeměny do práškové podoby a proceděním vyžíhané hmoty, opětovného vypálení výsledného prášku při teplotě 1300 °C ve vlhké plynové směsi H2/N2 a následné opětovné přeměny vyžíhané hmoty do podoby prášku za účelem vytvoření prášku druhého fosforu 4_. Upřednostňovaným složením SAE fosforu je (Sri-X Eux) 4Ali4O25, kde x nabývá hodnot v rozsahu od 0,1 do 0,01, přičemž upřednostňovanou hodnotou je 0,1. Podobná technologie může být použita pro vytvoření BaAlgOi3: Eu2+ fosforu, u kterého je namísto uhličitan strontnatý použit uhličitan barnatý.
Výchozí materiály pro (2SrO * 0,84P2Os * 0,16B2O3) : Eu2+ fosfor jsou SrHPO4, SrCO3, Eu2O3 a H3BO3 ( 99,5 % ). Vypálení je provedeno při teplotě 1100 až 1250 °C v lehce redukční atmosféře, přičemž je prováděno po dobu několika hodin. Fosfor s výhodou obsahuje 2 až 3 mol. % Eu. Výchozí materiály pro (Sr,Mg, Ca} iq (POJ gCl2: Eu2+ fosfor jsou BaHPO4, BaCO3, CaCO3, MgO, NH4C1 a Eu2O3. Vypálení je prováděno při teplotě 800 °C ve vzduchu a je po provedení přeměny do podoby prášku je prováděno v lehce redukční atmosféře. Výchozí materiály pro Sr2Si3O8 * 2SrCl2:Eu2+ fosfor jsou SrCO3, SiO2 a SrCl2 v poměru 2:3:2 s 0,lEu2Q3- Výchozí materiály jsou smíseny s vodou, žíhány ve vzduchu při teplotě 850 °C po dobu 3 hodin, přeměněny na prášek, opětně vyšíhány při teplotě 950 °C v lehce redukční atmosféře a poté jsou opět přeměněny na prášek. Do podoby prášku převedená vyžíhaná hmota je poté vymyta vodou za účelem odstranění zbývajícího SrCl2. Nicméně je potřeba říci, že libovolný z pěti práškových druhých fosforů £ je možné získat komerčním způsobem, a proto přesných způsob jejich výroby není podstatný.
Prášek prvního fosforu .3 a prášek druhého fosforu 4. jsou potom smícháni nebo společně smixováni za účelem vytvoření směsi fosforového prášku. Prásky fosforů 3 a £ mohou být smíchány v kelímku nebo jsou mechanicky smíchány nebo namixovány v jiné vhodné nádobě, jakým je mlecí zařízení, založené na valení kamenných či kovových koulí. Pokud je potřeba, může směs fosforových prášků samozřejmě obsahovat i více než dva prášky. První a druhá vyžíhaná hmota mohou být také společně přeměňovány na prášek a míchány.
Složení směsi fosforového prášku může být optimalizováno na základě složení prvního fosforu 3 a druhého fosforu £ a na základě špičkové emitované vlnové délky zdroje 1 záření. Například pro zdroj záření se špičkovou emitovanou vlnovou délkou o velikosti 405 nm směs fosforového prášku s výhodou obsahuje 89 % hmotnosti (Sro,e Eu0,i Mn0,i) 2P2O7 a 11 % hmotnosti SAE. Naopak pro zdroj záření se špičkovou emitovanou vlnovou délkou o velikosti 380 nm směs fosforového prášku s výhodou obsahuje 77 % hmotnosti (Sro,e Eu0,i Mn0,1)2^207 a 23 % hmotnosti SAE.
Směs fosforového prášku je poté umístěna do světelného systému, který vyzařuje bílé světlo. Směs fosforového prášku přitom může být například umístěna nad čip prvku LED, může být přimíchána do zapouzdřovacího materiál nebo může být nanesena na povrch pouzdra, jak již bylo řečeno ve výše uvedeném popise v souvislosti s prvním upřednostňovaným příkladem provedení předloženého vynálezu.
Pokud je směs fosforového prášku nanesena na čip prvku LED nebo na pouzdro, pak je pro účely potažení čipu prvku LED nebo povrchu pouzdra s výhodou použita suspenze směsi fosforového prášku a kapaliny. Suspenze může také volitelně obsahovat adhezní látku v rozpouštědle. Adhezní látkou je s výhodou organický materiál, jakým je nitrocelulóza nebo etylcelulóza, který se nachází v rozpouštědle, jakým je butylacetát nebo xylen. Adhézní látka zvyšuje vzájemné přilnutí částic prášku a také přilnutí k prvku LED nebo k pouzdru. Nicméně pokud je potřeba, může být za účelem zjednodušení celého procesu vynecháno použití adhézní látky. Po nanesení potahu je suspenze vysušena a může být zahřáta, aby se z ní vypařila adhézní látka. Směs fosforového prášku pak po vysušení rozpouštědla získá podobu fosforové vrstvy 21.
Pokud má být fosforová směs smíchána se zapouzdřovacím materiálem 19, pak může být fosforová směs přidána do polymerového předchůdce, přičemž polymerový předchůdce potom může být přeměněn na pevný polymerový materiál. Fosforová směs může být také smíchána s epoxydovým zapouzdřovacím materiálem. Je samozřejmě také možné použít jiný způsob promíchání fosforu.
Pokud je fosforová směs umístěna do fluorescenční svítilny nebo do plazmového displeje, pak je pro účely potažení vnitřního povrchu svítilny nebo plazmového displeje použita suspenze směsi fosforového prášku a kapaliny. Suspenze může také volitelně obsahovat adhézní látku v rozpouštědlu, jak již bylo řečeno ve výše uvedeném popise.
• · 00 · 00 0*
Ikdyž byl způsob potažení fosforem popsán jako potahování fosforovou směsí, může první fosfor .3 společně s druhým fosforem _4 tvořit strukturu jednotlivých, navzájem se překrývájicích vrstev na povrchu světelného systému, vyzařujícího bílé světlo. Pokud by bylo potřeba, mohou také luminiscenční materiály navíc obsahovat jednotlivé krystalové scintilátorové materiály, které jsou použity místo fosforů nebo které jsou použity v kombinaci s nimi. Scintilátory mohou být vyrobeny pomocí libovolného způsobu výroby scintilátorů. Scintilátory mohou být vyrobeny například pomocí Czochralského způsobu pěstování krystalů, pomocí plovoucí zóny nebo pomocí jiného způsobu pěstování krystalů. Scintilátory mohou být poté umístěny nad čip prvku LED nebo mohou být použity jako pouzdro nebo jako horní část pouzdra světelného systému, vyzařujícího bílé světlo.
Následující příklady jsou spíše ilustrativní povahy a neměly by být považovány za jakékoliv omezení podstaty předloženého vynálezu.
Příklad 1
První fosfor (Sro,g Euo,i Mno,i)2P20? byl připraven pomocí smíchání prášků SrHPO4, MnCO3, Eu2O3 a (NH4)HPO4, díky čemuž se získala výchozí prášková směs. (NH4)HPO4 byl přidán v množství, které o 2 % přesahuje stechiometrický molovy poměr vytvořeného prvního fosforu. Výchozí prášková směs byla poté ve vzduchu zahřáta na teplotu přibližně 600 °C, přičemž ohřívání probíhalo po dobu jedné hodiny. Výsledný prášek byl poté • * · · tt · · · tttt tttttt tt tt · tt · tt •tt ···· ·· tttttttt opětně smíchán a následně byl po dobu osmi hodin žíhán v redukční atmosféře, obsahující dusík a 0,5 % vodíku, při teplotě přibližně 1000 °C, díky čemuž se vytvořila vyžíhaná fosforová hmota. Pevná fosforová hmota byla pomocí mletí za mokra a pomocí následného sušení přeměněna do podoby prášku prvního fosforu.
Prášek prvního fosforu byl smíchán s komerčně získaným SAE fosforový práškem v hmotnostním poměru 89:11 za účelem získání směsi fosforového prášku. Směs fosforového prášku byla ozářena zdrojem záření se špičkovou emitovanou vlnovou délkou 405 nm. Fosforová emise se jevila jako bílá a na základě fotometrických výpočtů byly určeny její barevné souřadnice v barevném modelu CIE, přičemž jejich velikosti činily x=0,39 a y=0,42. Barevné souřadnice reprezentují barvový výstup, který se lidskému pozorovateli jeví jako bílý.
Příklad 2
Byl zopakován experiment podle Příkladu 1, ovšem výjimkou byla skutečnost, že zdroj záření se vyznačoval špičkovou emitovanou vlnovou délkou 380 nm a směs fosforového prášku obsahovala hmotnostní poměr 77:23 pyrofosforečnan strontnatý a SAE. Fosforová emise se jevila jako bílá a na základě fotometrických výpočtů byly určeny její barevné souřadnice v barevném modelu CIE, přičemž jejich velikosti činily x=O,39 a y=0,42. Barevné souřadnice reprezentují barvový výstup, který se lidskému pozorovateli jeví jako bílý.
4 4« · · 44 * · 4 v »·4 4 4 4 «4 *
Upřednostňované příklady provedení byly ve výše se nacházejícím popise popsány z ilustrativních důvodů. V této souvislosti je tedy potřeba říci, že podstata předloženého vynálezu se neomezuje pouze na uvedený popis. V souladu s uvedenými skutečnostmi jsou odborníkovi se znalostí dosavadního stavu techniky zřejmě četné modifikace, úpravy a varianty, které se svou povahou neodchylují od podstaty a ducha předloženého vynálezu.
Zastupuj e
JUDr. 0. Švorčík ?\J 2.CO2- -4<S4·· ·· ·* fcfc fcfc ·· • fcfcfc fcfcfcfc fcfcfc· • fcfc fcfc fcfcfc fc •fcfcfc fcfc fcfc fcfc··

Claims (29)

  1. PATENTOVÉ NÁROKY
    1. Světelný systém, vyzařující bílé světlo, vyznačující se tím, že obsahuje:
    - zdroj záření;
    - první luminiscenční materiál se špičkovou emitovanou vlnovou délkou o velikosti přibližně 570 až přibližně 620 nm;
    a
    - druhý luminiscenční materiál se špičkovou emitovanou vlnovou délkou o velikosti přibližně 480 až přibližně 500 nm, který se liší od prvního luminiscenčního materiálu.
  2. 2. Systém podle nároku 1 vyznačující se tím, že v systém emitovaném bílém světle chybí jakákoliv podstatná viditelná složka, emitovaná zdrojem záření.
  3. 3. Systém podle nároku 1 vyznačující se tím, že špičková emitovaná vlnová délka zdroje záření je 360 až 420 nm.
  4. 4. Systém podle nároku 3 vyznačující se tím, že zdroj záření obsahuje světlo emitující diodu, která obsahuje InGaN aktivní vrstvu a která má špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi 370 a 405 nm.
    • »
  5. 5. Systém podle nároku 1 vyznačující se tím, že :
    - zdroj záření obsahuje plyn, umístěný ve fluorescenční svítilně;
    - záření, emitované zdrojem záření, obsahuje ultrafialové záření.
  6. 6. Systém podle nároku 1 vyznačující se tím, že :
    - zdroj záření obsahuje plyn, umístěný v plazmovém displeji;
    - záření, emitované zdrojem záření, obsahuje ultrafialové záření.
  7. 7. Systém podle nároku 1 vyznačující se tím, že :
    - první luminiscenční materiál obsahuje první fosfor APO: Eu2+, Mn2+;
    a φφ φφ » φ · * • φφ φφ φφφφ φφφ φφφ φφ φφφφ
    A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg.
  8. 8. Systém podle nároku Ί vyznačující se tím, že první fosfor obsahuje A2P2O7: Eu2+, Mn2+.
  9. 9. Systém podle nároku 8 vyznačující se tím, že :
    - první fosfor obsahuje (Ai_x_yEuxMny} 2Ρ2Ο7;
    - 0 < x < 0,2;
    a
    - 0 < y < 0,2.
  10. 10. Systém podle nároku 9 vyznačující se tím, že druhý
    luminiscenční materiál alespoň jednoho z: obsahuje druhý fosfor, zvolený z a) A4Di4O25:Eu2 , kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg, a D zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Al nebo Ga;
    b) (2AO * 0,84P2O5 * 0,16B2O3) :Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg;
    c) ADeOi3:Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny,
    I» »· φ · φ • · * Φ · · ’ · · * X ϊ φ φφ * · • · · · φ ·
    - 32 «« • · I φ · · φφ· ’·. ............
    obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg, a D zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Al nebo Ga;
    d) Aio (PO4) 6C12: Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg;
    nebo
    e) A2Si3O8 * 2ACi2:Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg.
  11. 11. Systém podle nároku 10 vyznačuj ící se tím, že druhý luminiscenční materiál obsahuje druhý fosfor, zvolený z alespoň jednoho z:
    a) Sr4Ali4O25: Eu2+ fosfor;
    b) (2SrO * 0,84P2O5* 0,16B2O3) : Eu2 + fosfor;
    c) BaAlsOi3: Eu2+ fosfor;
    d) (Sr,Mg, Ca) 10 (P04) 6C12: Eu2+ fosfor;
    nebo
    e) Sr2Si3O8 * 2SrCl2:Eu2+ fosfor.
  12. 12. Systém podle nároku 11 vyznačující se tím, že první ι**·*'· • ·· • · · * • · « ft · · · ft · · • ft *··»
    4* • · ·
    0 · · ft 0 ·· ft 0 fosfor a druhý fosfor jsou promícháni.
  13. 13. Systém podle nároku 12 vyznačující se tím, že zdroj světla obsahuje světlo emitující diodu se špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi 370 a 405 nm.
  14. 14. Systém podle nároku 13 vyznačující se tím, že dále obsahuj e:
    - pouzdro, obsahující světlo emitující diodou;
    zapouzdřovací materiál diodou; mezi ' pouzdrem a světlem emitující přičemž: a) první a druhý fosfor j sou naneseni na povrch světlo emitující diody; b) první a druhý fosfor jsou smícháni se zapouzdřujícím
    materiálem;
    nebo první a druhý fosfor jsou naneseni na pouzdro.
  15. 15. Systém podle nároku 14 vyznačující se tím, že první fosfor obsahuje (Sr0,e Euo,i Μη0,ι)2Ρ2θ7;
    ··· · · · · ·'·« ·· ·· ···· ··
    - druhý fosfor obsahuje (Sro,9o-o,99 Eu0,oi-o,i) 4Ali4O25;
    - špičková emitovaná vlnová délka světlo emitující diody je přibližně 380 nm;
    - hmotnostní poměr prvního fosforu a druhého fosforu je přibližně 77:23;
    - CIE barevné souřadnice záření, emitovaného systém, jsou přibližně x=0,39 a y=0,42.
  16. 16. Systém podle nároku 14 vyznačující se tím, že :
    - první fosfor obsahuje (Sro,e Eu0,i Mno,i)2P207;
    - druhý fosfor obsahuje (Sr0,90-0,99 Eu0,01-0,1) 4A114O2s;
    - špičkové emitovaná vlnová délka světlo emitující diody je přibližně 405 nm;
    hmotnostní poměr prvního fosforu a druhého fosforu je přibližně 89:11;
    CIE barevné souřadnice záření, emitovaného systém, jsou přibližně x=0,39 a y=0,42.
  17. 17. Světelný systém, vyzařující bílé světlo, vyznačující se tím, že obsahuje:
    - světlo emitující diodu se špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi 370 a 405 nm;
    - první APO: Eu2+, Mn2+ fosfor, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg;
    a
    - druhý fosfor, zvolený z alespoň jednoho z:
    a) A4D14O25: Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg, a D zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Al nebo Ga;
    b) (2A0 * 0,84P205 ★ 0,16B2O3) : Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg;
    c) AD80i3:Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg, a D zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Al nebo Ga;
    d) Aio (P04) 6Cl2:Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg;
    nebo
    e) A2SÍ3O8 * 2AC12:Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg.
  18. 18. Systém podle nároku 17 vyznačující se tím, že :
    - první fosfor obsahuje (Sri-x-y Eux Mny)2I?2O7, kde 0 < x < 0,2 a 0 < y < 0,2 ;
    - druhý fosfor je zvolený z alespoň jednoho z:
    a) Sr4Ali4C>25: Eu2+ fosfor;
    b) (2SrO * 0,84P2O5* 0,16B2O3) : Eu2+ fosfor;
    c) BaAlgOi3: Eu2+ fosfor;
    d) (Sr, Mg, Ca) io { PO4) 6C12: Eu2+ fosfor;
    nebo
    e) Sr2Si3O8 * 2SrCl2:Eu2+ fosfor;
    ♦ · φ ·
    - první fosfor je promíchán s druhým fosforem.
  19. 19. Systém podle nároku 18 vyznačující se tím, že dále obsahuje:
    - pouzdro, obsahující světlo emitující diodu;
    - zapouzdřovaci materiál mezi pouzdrem a světlo emitující diodou;
    přičemž:
    a) první a druhý fosfor jsou naneseni na povrch světlo emitující diody;
    b) první a druhý fosfor jsou smícháni se zapouzdřovacím materiálem;
    nebo
    c) první a druhý fosfor jsou naneseni na pouzdro.
  20. 20. Systém podle nároku 19 vyznačující se tím, že první fosfor obsahuje (Sr0(B Eu0,i Mn0,i) 2P2O7;
    - druhý fosfor obsahuje {Src,90-0,99 Euq,oi-o, 1) ΆΙ14Ο25;
    - CIE barevné souřadnice záření, emitovaného systém, jsou přibližně x=0,39 a y=0,42.
    - špičková emitovaná vlnová délka světlo emitující diody a hmotnostní poměr prvního fosforu a druhého fosforu splňují jeden z následujících vztahů:
    a) špičková emitovaná vlnová délka světlo emitující diody je přibližně 380 nm a hmotnostní poměr prvního fosforu a druhého fosforu je přibližně 77:23;
    nebo
    b) špičková emitovaná vlnová délka světlo emitující diody je přibližně 405 nm a hmotnostní poměr fosforu a druhého fosforu je přibližně prvního
    89:11.
  21. 21. Způsob výroby světlo, vyznačující světelného systému, vyzařujícího bílé se tim, že obsahuje:
    - smíchání prášku prvního fosforu se špičkovou emitovanou vlnovou délkou o velikosti přibližně 570 až přibližně 620 nm a prášku druhého fosforu se špičkovou emitovanou « 0 vlnovou délkou o velikosti přibližně 480 až přibližně nm za účelem vytvoření fosforové práškové směsi;
    500 a
    - umístění fosforové práškové směsi do světelného systému, vyzařujícího bílé světlo, do blízkosti zdroje záření.
  22. 22. Způsob podle nároku 21 vyznačující se tím, že :
    - zdroj záření obsahuje světlo emitující diodu se špičkovou emitovanou vlnovou délkou mezi 370 a 405 nm;
    - prášek prvního fosforu obsahuje APO: Eu2+, Mn2+, kde A
    zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg; a d. - prášek druhého fosforu je zvolený z alespoň jednoho z: a) A4D14O25: Eu2 , kde A zahrnuje alespoň jeden
    prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg, a D zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Al nebo Ga;
    b} (2A0 * 0,84P2O5 * 0,16B2O3) : Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg;
    c) ADgOi3: Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg, a D zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Al nebo Ga;
    d) Aio (PO4) 6C12: Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg;
    nebo
    e) A2Si3O8 * 2ACl2:Eu2+, kde A zahrnuje alespoň jeden prvek ze skupiny, obsahující Sr, Ca, Ba nebo Mg.
  23. 23. Způsob podle nároku 22 vyznačující se tím, že :
    - APO: Eu2+, Mn2+ fosfor obsahuje (Ali_x_y Eux Mny}2P2O7, kde 0 < x < 0,2 a 0 < y < 0,2;
    - druhý fosfor obsahuje alespoň jeden z:
    a) Sr4Ali4O25: Eu2+;
    b) (2SrO * 0,84P2O5* 0,16B2O3) : Eu2+;
    «6 «a · · · *
    c) B3AlgOi3: Eu.2 ;
    d) (Sr,Mg,Ca) 10 (P04) eCl2:Eu2+;
    nebo
    e) Sr2SÍ30s * 2SrCl2:Eu2+.
  24. 24. Způsob podle nároku 23 vyznačující se tím, že dále obsahuj e:
    - smíchání SrHPO4 prášku, Eu2G3 prášku, MnCO3 prášku a (NH4}HPO4 prášku za účelem vytvoření výchozí práškové směsi;
    - zahřátí výchozí práškové směsi ve vzduchu na teplotu přibližně 600 až 800 °C;
    - vypálení výchozí práškové směsi v redukční atmosféře při teplotě přibližně 1000 až 1250 °C za účelem vytvoření vyčíhané hmoty;
    a
    - přeměnu vyžíhané hmoty do podoby prášku prvního fosforu.
  25. 25. Způsob podle nároku 2 4 vyznačující se tím, že dále obsahuje smíchání výchozí práškové směsi po provedení fáze • * zahřívání a před provedením fáze vypálení.
  26. 26. Způsob podle nároku 25 vyznačující se tím, že výchozí prášková směs je po dobu čtyř až deseti hodin vypalována v peci v atmosféře, obsahující dusík a 0,1 až 10 % vodíku.
  27. 27. Způsob podle nároku 26 vyznačující se tím, že (NH4)HPO4 prášek je přidán v množství, které o 2 % přesahuje stechiometrický molový poměr vytvořeného prvního fosforu.
  28. 28. Způsob podle nároku 22 vyznačující se tím, že dále obsahuje:
    - umístění světlo emitující diody do pouzdra;
    - vyplnění pouzdra zapouzdřovacím materiálem.
  29. 29. Způsob podle nároku 28 obsahuj e:
    vyznačující se tím, že dále
    a) potažení povrchu světlo emitující diody suspenzí fosforové práškové směsi a rozpouštědla a vysušení suspenze;
    b) smíchání fosforové práškové směsi se zapouzdřovacím materiálem;
    nebo
    c) nanesení suspenze fosforové práškové směsi a rozpouštědla na pouzdro a vysušení suspenze.
CZ2002167A 2000-05-15 2001-05-14 Bílé světlo emitující fosforová směs pro zařízení s prvky LED CZ2002167A3 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/571,379 US6501100B1 (en) 2000-05-15 2000-05-15 White light emitting phosphor blend for LED devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CZ2002167A3 true CZ2002167A3 (cs) 2002-07-17

Family

ID=24283448

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ2002167A CZ2002167A3 (cs) 2000-05-15 2001-05-14 Bílé světlo emitující fosforová směs pro zařízení s prvky LED

Country Status (9)

Country Link
US (3) US6501100B1 (cs)
EP (1) EP1295347A1 (cs)
JP (1) JP2003533852A (cs)
CN (1) CN1197175C (cs)
AU (1) AU782598B2 (cs)
BR (1) BR0106639A (cs)
CA (1) CA2375069A1 (cs)
CZ (1) CZ2002167A3 (cs)
WO (1) WO2001089000A1 (cs)

Families Citing this family (202)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6501100B1 (en) * 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
US6635987B1 (en) * 2000-09-26 2003-10-21 General Electric Company High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products
US6844903B2 (en) * 2001-04-04 2005-01-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Blue backlight and phosphor layer for a color LCD
US7091656B2 (en) * 2001-04-20 2006-08-15 Nichia Corporation Light emitting device
TW541722B (en) * 2001-04-20 2003-07-11 Nichia Corp Light emitting device
US6685852B2 (en) * 2001-04-27 2004-02-03 General Electric Company Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
JP2002344029A (ja) * 2001-05-17 2002-11-29 Rohm Co Ltd 発光ダイオードの色調調整方法
JP5157029B2 (ja) * 2001-05-31 2013-03-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体を用いた発光装置
JP2003147351A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Taiwan Lite On Electronics Inc 白色光光源の製作方法
DE60327926D1 (de) * 2002-02-15 2009-07-23 Mitsubishi Chem Corp Lichtemittierendes bauelement und zugehörige beleuchtungseinrichtung
KR100457864B1 (ko) * 2002-02-23 2004-11-18 삼성전기주식회사 백색 발광 램프용 형광체.
JP2003306674A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 白色led用蛍光体とそれを用いた白色led
US7391148B1 (en) 2002-06-13 2008-06-24 General Electric Company Phosphor blends for high-CRI fluorescent lamps
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
US20040032728A1 (en) * 2002-08-19 2004-02-19 Robert Galli Optical assembly for LED chip package
US7768189B2 (en) 2004-08-02 2010-08-03 Lumination Llc White LEDs with tunable CRI
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
EP1413619A1 (en) * 2002-09-24 2004-04-28 Osram Opto Semiconductors GmbH Luminescent material, especially for LED application
JP2004127988A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
US6867536B2 (en) * 2002-12-12 2005-03-15 General Electric Company Blue-green phosphor for fluorescent lighting applications
US6917057B2 (en) 2002-12-31 2005-07-12 Gelcore Llc Layered phosphor coatings for LED devices
US6765237B1 (en) 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
US6844671B2 (en) * 2003-01-31 2005-01-18 General Electric Company High luminosity phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
JP2004235546A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ
US6936857B2 (en) 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
US20040166234A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 Chua Bee Yin Janet Apparatus and method for coating a light source to provide a modified output spectrum
US7038370B2 (en) * 2003-03-17 2006-05-02 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
JP4531342B2 (ja) * 2003-03-17 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 白色有機発光素子および発光装置
US7125501B2 (en) * 2003-04-21 2006-10-24 Sarnoff Corporation High efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US7368179B2 (en) * 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US6787782B1 (en) 2003-04-23 2004-09-07 B/E Aerospace, Inc. Ultraviolet-light vehicle air cleaning system
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
JP2004352928A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及び照明装置
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
CN100477256C (zh) * 2003-06-24 2009-04-08 吉尔科有限公司 用于led芯片的白光生成的全光谱荧光体混合物
JP5456233B2 (ja) * 2003-06-24 2014-03-26 ジーイー ライティング ソリューションズ エルエルシー Ledチップによる白色光発生のためのフルスペクトル蛍光体混合物
US7088038B2 (en) 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
GB2405409A (en) * 2003-08-29 2005-03-02 Gen Electric Phosphor blends for high-CRI fluorescent lamps
TW200512949A (en) * 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US20050069726A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Douglas Elliot Paul Light emitting composite material and devices thereof
TW200525779A (en) * 2004-01-27 2005-08-01 Super Nova Optoelectronics Corp White-like light emitting device and its manufacturing method
WO2005083036A1 (en) * 2004-02-20 2005-09-09 Gelcore Llc Rules for efficient light sources using phosphor converted leds
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
US10499465B2 (en) 2004-02-25 2019-12-03 Lynk Labs, Inc. High frequency multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and systems and methods of using same
US10575376B2 (en) 2004-02-25 2020-02-25 Lynk Labs, Inc. AC light emitting diode and AC LED drive methods and apparatus
WO2011143510A1 (en) 2010-05-12 2011-11-17 Lynk Labs, Inc. Led lighting system
JPWO2005086239A1 (ja) * 2004-03-05 2008-01-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 白色発光ダイオード(led)及び白色ledの製造方法
US20070194280A1 (en) * 2004-03-19 2007-08-23 Hidetoshi Saitoh Aluminate phosphor and process for producing the same
US7327078B2 (en) * 2004-03-30 2008-02-05 Lumination Llc LED illumination device with layered phosphor pattern
JP2005293992A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US7361938B2 (en) 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
JP5226929B2 (ja) 2004-06-30 2013-07-03 三菱化学株式会社 発光素子並びにそれを用いた照明装置、画像表示装置
US8324640B2 (en) * 2004-07-02 2012-12-04 GE Lighting Solutions, LLC LED-based edge lit illumination system
KR101209488B1 (ko) 2004-07-06 2012-12-07 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 효율적인, 녹색 발광 인광체 및 적색 발광 인광체와의 조합
US20060181192A1 (en) * 2004-08-02 2006-08-17 Gelcore White LEDs with tailorable color temperature
US7453195B2 (en) 2004-08-02 2008-11-18 Lumination Llc White lamps with enhanced color contrast
US20070241657A1 (en) * 2004-08-02 2007-10-18 Lumination, Llc White light apparatus with enhanced color contrast
US7267787B2 (en) * 2004-08-04 2007-09-11 Intematix Corporation Phosphor systems for a white light emitting diode (LED)
US8017035B2 (en) * 2004-08-04 2011-09-13 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
US7321191B2 (en) * 2004-11-02 2008-01-22 Lumination Llc Phosphor blends for green traffic signals
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7564180B2 (en) * 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US7541728B2 (en) * 2005-01-14 2009-06-02 Intematix Corporation Display device with aluminate-based green phosphors
US7358542B2 (en) 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7497973B2 (en) 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US7648649B2 (en) 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
WO2006093011A1 (ja) * 2005-03-01 2006-09-08 Kabushiki Kaisha Toshiba 発光装置
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7274045B2 (en) 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
US7276183B2 (en) 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US20060226772A1 (en) * 2005-04-06 2006-10-12 Tan Kheng L Increased light output light emitting device using multiple phosphors
TWI333392B (en) * 2005-05-25 2010-11-11 Au Optronics Corp Emission layer and organic light emitting diode using thereof
US8215815B2 (en) 2005-06-07 2012-07-10 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8128272B2 (en) 2005-06-07 2012-03-06 Oree, Inc. Illumination apparatus
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
GB2428880A (en) * 2005-07-27 2007-02-07 Unity Opto Technology Co Ltd White Light LED
US7501753B2 (en) * 2005-08-31 2009-03-10 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
US20070080635A1 (en) * 2005-10-06 2007-04-12 Luminoso Photoelectric Technology Co. Light emitting device for visible light generation
CN100414727C (zh) * 2005-11-04 2008-08-27 江苏日月照明电器有限公司 一种白光led荧光粉涂覆厚度控制方法
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
US8337071B2 (en) 2005-12-21 2012-12-25 Cree, Inc. Lighting device
EP2372224A3 (en) 2005-12-21 2012-08-01 Cree, Inc. Lighting Device and Lighting Method
US7614759B2 (en) 2005-12-22 2009-11-10 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
US20070145879A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Abramov Vladimir S Light emitting halogen-silicate photophosphor compositions and systems
WO2007080555A1 (en) * 2006-01-16 2007-07-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor converted light emitting device
EP2002488A4 (en) * 2006-01-20 2012-05-30 Cree Inc DISTRIBUTION OF SPECTRAL CONTENT IN SOLID PHYSICIANS BY SPATIAL SEPARATION OF LUMIPHORIDE FILMS
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7821194B2 (en) 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
WO2007123938A2 (en) 2006-04-18 2007-11-01 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
CN101426883B (zh) * 2006-04-19 2013-01-02 西巴控股有限公司 无机荧光增白剂
WO2007124036A2 (en) 2006-04-20 2007-11-01 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
WO2007130536A2 (en) 2006-05-05 2007-11-15 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
AU2007256972A1 (en) 2006-05-30 2007-12-13 University Of Georgia Research Foundation White phosphors, methods of making white phosphors, white light emitting leds, methods of making white light emitting LEDs, and light bulb structures
JP2009539227A (ja) 2006-05-31 2009-11-12 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置、および照明方法
JP5323308B2 (ja) * 2006-09-19 2013-10-23 株式会社小糸製作所 発光モジュール
TW200833814A (en) * 2006-10-03 2008-08-16 Sarnoff Corp Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7897980B2 (en) * 2006-11-09 2011-03-01 Cree, Inc. Expandable LED array interconnect
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
CN100575453C (zh) * 2006-11-30 2009-12-30 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种白光led用橙光荧光粉及其制备方法
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
TWI325885B (en) * 2006-12-07 2010-06-11 Ind Tech Res Inst Red phosphor and white light illumination device
WO2008073794A1 (en) 2006-12-07 2008-06-19 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US7902564B2 (en) * 2006-12-22 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices
US7959827B2 (en) * 2007-12-12 2011-06-14 General Electric Company Persistent phosphor
US8333907B2 (en) 2007-01-17 2012-12-18 Utc Fire & Security Corporation Articles using persistent phosphors
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
KR101499269B1 (ko) 2007-02-22 2015-03-09 크리, 인코포레이티드 발광 장치, 발광 방법, 광 필터 및 광 필터링 방법
TWI326923B (en) * 2007-03-07 2010-07-01 Lite On Technology Corp White light emitting diode
US7864381B2 (en) * 2007-03-20 2011-01-04 Xerox Corporation Document illuminator with LED-driven phosphor
US7608829B2 (en) * 2007-03-26 2009-10-27 General Electric Company Polymeric composite scintillators and method for making same
US7625502B2 (en) * 2007-03-26 2009-12-01 General Electric Company Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same
US7708968B2 (en) * 2007-03-26 2010-05-04 General Electric Company Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same
JP5222600B2 (ja) * 2007-04-05 2013-06-26 株式会社小糸製作所 蛍光体
CN101711325B (zh) 2007-05-08 2013-07-10 科锐公司 照明装置和照明方法
EP2458262B1 (en) 2007-05-08 2019-01-23 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
KR20100022969A (ko) 2007-05-08 2010-03-03 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치 및 조명 방법
CN101688644B (zh) 2007-05-08 2011-06-15 科锐Led照明科技公司 照明装置及照明方法
US8079729B2 (en) 2007-05-08 2011-12-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US20090001397A1 (en) * 2007-05-29 2009-01-01 Oree, Advanced Illumiation Solutions Inc. Method and device for providing circumferential illumination
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
JP4999783B2 (ja) * 2007-07-12 2012-08-15 株式会社小糸製作所 発光装置
EP2015614B1 (en) * 2007-07-12 2010-12-15 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting device
TWI429731B (zh) 2007-07-16 2014-03-11 路明納森公司 由4價錳離子活化之發紅光錯合氟化磷光體
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
DE102007037875A1 (de) 2007-08-10 2009-02-12 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Strahlungsemittierende Vorrichtung
CN100462621C (zh) * 2007-09-07 2009-02-18 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发射白光的发光二极管
US11297705B2 (en) 2007-10-06 2022-04-05 Lynk Labs, Inc. Multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and methods of using same
US11317495B2 (en) 2007-10-06 2022-04-26 Lynk Labs, Inc. LED circuits and assemblies
CN101821544B (zh) 2007-10-10 2012-11-28 科锐公司 照明装置及制造方法
US8119028B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
US8545723B2 (en) * 2007-12-12 2013-10-01 General Electric Company Persistent phosphor
US8167674B2 (en) * 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US20090159915A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Shaul Branchevsky Led insert module and multi-layer lens
US7907804B2 (en) 2007-12-19 2011-03-15 Oree, Inc. Elimination of stitch artifacts in a planar illumination area
US8182128B2 (en) 2007-12-19 2012-05-22 Oree, Inc. Planar white illumination apparatus
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US20090189514A1 (en) * 2008-01-29 2009-07-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Luminescent material
CN101978297A (zh) 2008-03-05 2011-02-16 奥利高级照明解决公司 照明装置及其形成方法
KR101416319B1 (ko) * 2008-03-19 2014-07-09 삼성전자주식회사 메모리 칩들이 적층되는 메모리 모듈을 포함하는 반도체메모리 장치
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US7859000B2 (en) 2008-04-10 2010-12-28 Cree, Inc. LEDs using single crystalline phosphor and methods of fabricating same
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
US8301002B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8297786B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US20100098377A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Noam Meir Light confinement using diffusers
US9464225B2 (en) * 2008-11-17 2016-10-11 Cree, Inc. Luminescent particles, methods of identifying same and light emitting devices including the same
US9428688B2 (en) * 2008-11-17 2016-08-30 Cree, Inc. Phosphor composition
US20100208470A1 (en) * 2009-02-10 2010-08-19 Yosi Shani Overlapping illumination surfaces with reduced linear artifacts
US20100237378A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 Tzu-Han Lin Light emitting diode package structure and fabrication thereof
US8624527B1 (en) 2009-03-27 2014-01-07 Oree, Inc. Independently controllable illumination device
US8328406B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Oree, Inc. Low-profile illumination device
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US8727597B2 (en) 2009-06-24 2014-05-20 Oree, Inc. Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same
EP2480816A1 (en) 2009-09-25 2012-08-01 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
RU2511030C2 (ru) * 2009-12-04 2014-04-10 Анатолий Васильевич Вишняков Композиционный люминесцирующий материал для твердотельных источников белого света
US12279345B2 (en) 2009-12-28 2025-04-15 Lynk Labs, Inc. Light emitting diode and LED drive apparatus
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
US8835199B2 (en) * 2010-07-28 2014-09-16 GE Lighting Solutions, LLC Phosphor suspended in silicone, molded/formed and used in a remote phosphor configuration
KR101210101B1 (ko) * 2010-11-23 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 표시장치
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
JP2011077551A (ja) * 2010-12-29 2011-04-14 Panasonic Electric Works Co Ltd 発光装置
WO2012099966A2 (en) * 2011-01-18 2012-07-26 Whiteoptics Llc Color-shifting reflector
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
TWI418610B (zh) * 2011-03-07 2013-12-11 財團法人工業技術研究院 螢光材料、及包含其之發光裝置
US9159886B2 (en) 2011-04-19 2015-10-13 Intellectual Discovery Co., Ltd. Lighting apparatus with a carrier layer
US8860056B2 (en) * 2011-12-01 2014-10-14 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Structure and method for LED with phosphor coating
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
WO2013026053A1 (en) 2011-08-18 2013-02-21 Lynk Labs, Inc. Devices and systems having ac led circuits and methods of driving the same
US8591072B2 (en) 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
TW201324875A (zh) * 2011-12-01 2013-06-16 Hung Ta Trading Co Ltd 增強白光發光二極體演色性之方法
WO2013082609A1 (en) 2011-12-02 2013-06-06 Lynk Labs, Inc. Color temperature controlled and low thd led lighting devices and systems and methods of driving the same
JP5840540B2 (ja) 2012-03-15 2016-01-06 株式会社東芝 白色照明装置
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
WO2014006501A1 (en) 2012-07-03 2014-01-09 Yosi Shani Planar remote phosphor illumination apparatus
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
CN104845620A (zh) * 2015-05-05 2015-08-19 新疆大学 一种焦磷酸盐基质的红光荧光粉及其制备方法
US11437775B2 (en) * 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. Integrated light source using a laser diode
US10879673B2 (en) 2015-08-19 2020-12-29 Soraa Laser Diode, Inc. Integrated white light source using a laser diode and a phosphor in a surface mount device package
US11437774B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. High-luminous flux laser-based white light source
US10938182B2 (en) 2015-08-19 2021-03-02 Soraa Laser Diode, Inc. Specialized integrated light source using a laser diode
US11079077B2 (en) 2017-08-31 2021-08-03 Lynk Labs, Inc. LED lighting system and installation methods
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US12152742B2 (en) 2019-01-18 2024-11-26 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based light guide-coupled wide-spectrum light system
US12000552B2 (en) 2019-01-18 2024-06-04 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3371153A (en) * 1965-04-30 1968-02-27 Texas Instruments Inc Color display system utilizing red and cyan light
US4377768A (en) * 1981-06-11 1983-03-22 North American Philips Consumer Electronics Corp. Data display CRT having a white-emitting screen
US4661419A (en) 1984-07-31 1987-04-28 Fuji Photo Film Co., Ltd. Phosphor and radiation image storage panel containing the same
US5198679A (en) 1984-11-16 1993-03-30 Fuji Photo Film Co., Ltd. Phosphor and image storage panel
US5166456A (en) * 1985-12-16 1992-11-24 Kasei Optonix, Ltd. Luminescent phosphor composition
US5231328A (en) * 1987-06-22 1993-07-27 Kasei Optonix, Ltd. Phosphor and ultraviolet ray excited fluorescent tube employing it
US4989953A (en) * 1989-01-24 1991-02-05 Kirschner Kevin A Video display terminal filter
JPH0528938A (ja) * 1991-07-18 1993-02-05 Kokusai Electric Co Ltd 螢光表示管
JP3057338B2 (ja) * 1991-09-30 2000-06-26 双葉電子工業株式会社 カラー記録装置
US5838101A (en) * 1992-10-28 1998-11-17 Gte Products Corporation Fluorescent lamp with improved CRI and brightness
US5571451A (en) 1995-01-03 1996-11-05 General Electric Company Quantum splitting oxide phosphor and method of making
US6006175A (en) * 1996-02-06 1999-12-21 The Regents Of The University Of California Methods and apparatus for non-acoustic speech characterization and recognition
US6600175B1 (en) * 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
CN1534803B (zh) 1996-06-26 2010-05-26 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 具有发光变换元件的发光半导体器件
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5851063A (en) 1996-10-28 1998-12-22 General Electric Company Light-emitting diode white light source
US5966393A (en) 1996-12-13 1999-10-12 The Regents Of The University Of California Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications
US5925897A (en) 1997-02-14 1999-07-20 Oberman; David B. Optoelectronic semiconductor diodes and devices comprising same
US6197218B1 (en) * 1997-02-24 2001-03-06 Superior Micropowders Llc Photoluminescent phosphor powders, methods for making phosphor powders and devices incorporating same
WO1998039805A1 (de) 1997-03-03 1998-09-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Weisse lumineszenzdiode
US5813753A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US5847507A (en) 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
ES2299260T5 (es) * 1998-09-28 2011-12-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sistema de iluminación.
JP4350183B2 (ja) * 1998-12-16 2009-10-21 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
US6329676B1 (en) * 1999-03-01 2001-12-11 Toru Takayama Flat panel solid state light source
US6696703B2 (en) * 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
US6471388B1 (en) * 1999-12-30 2002-10-29 Bji Energy Solutions Llc Illumination apparatus for edge lit signs and display
US6621211B1 (en) * 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
US6501100B1 (en) * 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
US6685852B2 (en) * 2001-04-27 2004-02-03 General Electric Company Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
US6616862B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
US6844671B2 (en) * 2003-01-31 2005-01-18 General Electric Company High luminosity phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices

Also Published As

Publication number Publication date
AU6155301A (en) 2001-11-26
WO2001089000A1 (en) 2001-11-22
BR0106639A (pt) 2002-04-16
US7015510B2 (en) 2006-03-21
JP2003533852A (ja) 2003-11-11
US7267785B2 (en) 2007-09-11
US20060113553A1 (en) 2006-06-01
CA2375069A1 (en) 2001-11-22
AU782598B2 (en) 2005-08-11
US20030067008A1 (en) 2003-04-10
CN1386306A (zh) 2002-12-18
EP1295347A1 (en) 2003-03-26
US6501100B1 (en) 2002-12-31
CN1197175C (zh) 2005-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CZ2002167A3 (cs) Bílé světlo emitující fosforová směs pro zařízení s prvky LED
US6939481B2 (en) White light emitting phosphor blends for LED devices
US6685852B2 (en) Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
CN101288342B (zh) 包括陶瓷发光转换器的照明系统
US7901592B2 (en) Illumination system comprising a green-emitting ceramic luminescence converter
EP1566426B1 (en) Phosphor converted light emitting device
AU2004322660B2 (en) Novel phosphor systems for a white light emitting diode (LED)
TWI443854B (zh) 包含黃綠冷光材料的照明系統
TWI407474B (zh) 陶瓷冷光轉換器及包含該轉換器之照明系統
US20040256974A1 (en) Phosphor converted light emitting device
US6844671B2 (en) High luminosity phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
CN101072844A (zh) 包括辐射源和发光材料的照明系统
JP2009055043A (ja) 非化学量論的正方晶系アルカリ土類シリケート蛍光体を用いた発光装置
EP2516584B1 (en) Light emitting device having strontium/barium oxyorthosilicate type phosphors
CN100490192C (zh) 发光二极管