TWI309673B - Phosphors containing oxides of alkaline-earth and group-iiia metals and light sources incorporating the same - Google Patents

Phosphors containing oxides of alkaline-earth and group-iiia metals and light sources incorporating the same Download PDF

Info

Publication number
TWI309673B
TWI309673B TW092116401A TW92116401A TWI309673B TW I309673 B TWI309673 B TW I309673B TW 092116401 A TW092116401 A TW 092116401A TW 92116401 A TW92116401 A TW 92116401A TW I309673 B TWI309673 B TW I309673B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
phosphorescent
earth metal
rare earth
metal
Prior art date
Application number
TW092116401A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200404883A (en
Inventor
Achyut Setlur Anant
Mani Srivastava Alok
Ann Comanzo Holly
Original Assignee
Gen Electric
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gen Electric filed Critical Gen Electric
Publication of TW200404883A publication Critical patent/TW200404883A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI309673B publication Critical patent/TWI309673B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7729Chalcogenides
    • C09K11/7731Chalcogenides with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7737Phosphates
    • C09K11/7738Phosphates with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7784Chalcogenides
    • C09K11/7786Chalcogenides with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7792Aluminates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)

Description

1309673 玖、發明說明: ί發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種含有鹼土族及ΙΙΙΑ族金屬氧化物之磷 光質,該等金屬氧化物係以稀土族離子活化。詳言之,本 發明係關於一種含有鹼土族及⑴八族金屬氧化物之磷光質. ,菽等金屬氧化物係至少以銪離子活化,其中陽離子與陰 、 離子义比係非化學計量的比率。本發明亦關於一種含該等 磷光質之光源。 【先前技術】 磷光質為一發光物質,其在一部分電磁波譜中吸收輻射 能量,並在另一部分電磁波譜中發射能量。一種重要類別 的磷光質係具有很高化學純度且具有受控組成之結晶無機 化合物,已加入少量其它元素(其被稱作"活化劑„)至該等 結晶無機化合物中以將彼等轉化為螢光物質。可藉由活化 劑與無機化合物之正確組合控制發射的顏色。最為有用及 有名的磷光質在電磁波譜之可見部分中對應該可見範圍之 外的電磁輻射之激勵發出輕射。已在录蒸汽放電燈管中使· 用有名之磷光質以將該激勵汞蒸汽發射之紫外線("υν")輻 射轉化為可見光。其它磷光質可在被電子(其在陰極射線管 中使用)或X射線(舉例而言,χ射線偵測系統中的閃爍體) 激勵後發射可見光.。 - 隨著激勵輻射的波長與所發出輻射的波長之間的差異縮 小,使用磷光質之照明裝置的效率提高。因此,在尋求如 何提高白色光源之效率的過程中,吾人已致力於尋找波長
85479-9604I3.DOC 1309673 在近uv至藍色可見光範圍之内的激勵輻射來源及響應該. 等波長之嶙光質。術語”近UV"意即波長在約315奈米至約 400奈米範圍之内的UV輻射。發光二極體("LED")技術中最 近的進展帶來了在近uv範圍之内發射的有效led。在近 UV至藍光範圍之内發出輻射之該等led在下文中將被稱 * 作UV/藍光LED”。如本文所用,一UV/藍光LED可發出波 I 長在近UV範圍、在藍光範圍或在自近uv至藍光的廣闊範 圍(内的輻射。提供可被發自該等uv/藍光LED輻射源之 輻射激勵的一定範圍的磷光質以允許在用於製備各種顏色% 的LED之磷光質的使用中有其靈活性,此將成為照明技術 的一個進展。當該等磷光質與來自該等uv/藍光[ED之發射 光結合時,可提供消耗低功率之有效而持久的照明裝置。 最近已出現基於銦、鋁及鎵之氮化物的組合物之許多近 UV/藍光LED。舉例而言,$國專利第5,777,35〇號所揭示 之LED包括氮化銦、氮化鎵及卜與卜型AiGaN之多層體,該 等多層體發射之波長範圍為約38〇奈米至約42〇奈米。該 LED之活性層體可與纟它物質摻雜以在”到藍力波長範參 園之内移動該LED發射主峰。發射主峰在藍光波長中之 LED與以鈽活化的黃色發光釔鋁石榴石磷光質("YAG:Ce” 之塗層n合以產生白光’其揭示;^美國專利第 號中。儘管可藉由基於LED之裝置滿足一實質部分的對於‘ 白光裝置之需要,但是由於YAG:ceg唯—已知可被在藍光 範圍中之輻射激勵的黃色發光磷光質,所以uv/藍光LED 與磷光質結合之能力受到限制。
85479-960413.DOC 1309673 亦可藉由混合藍、綠及紅光產生白光。因此,期望提供. 在近uv至藍光範圍之内可被激勵且以該等顏色發射之新 穎而有效的磷光質。由於吾人熟知之發射綠光之磷光質大 致上可在中uv波長範圍(約2〇〇_3〇〇奈米)被激勵,因此特別 期望提供一種發射綠光之有效磷光質。亦期望提供可與. UV/藍光led結合生成高效率及/或高顏色指數("CRI")之、 白光的新穎磷光質摻合物。 【發明内容】 本發明提供以稀土族金屬離子活化而含有鹼土族&πΐΑ % 族金屬氧化物之磷光質,該等碍光質可藉由波長在近㈣到 藍光範圍(自約315奈米至約彻奈米)之内的輻射激勵,以 有=地發射約480奈米至約6〇〇奈米的綠色至黃色可見光。 通书’本發明<磷光質係為至少摻雜有充當活化劑的趙離 子之鹼土族及IIIA族金屬氧化物。可包括一種或多種其它 稀土族金屬離子作為一共活化劑,該等其它稀土族金屬離 子係選自由卸、镨、敍、彭、亂、鏑、欽,、接、镱及離 子組成之群。本發明之磷光質具有如下之通式: (Mi_xREx)yD2〇4 > 其中Μ係選自由Sr ' Ba、^及其組合組成之群的驗土族金 屬;RE係至少包含錄之稀土族金屬;d係選自由銘、錄、, 銦及其組合組成又群的至少一種週期表族金屬;、 〇.〇〇1<Χ<0.3,且y滿足選自由〇 75<y<i;^i<y<i丄组成之群 的一個條件。 在本發明的j員觀點中,該鱗光質可還包含幾。
85479-960413.DOC 1309673 本發明的另一項觀點係為一種製造磷光質的方法,該磷 光質係包含至少以銪離子活化的至少一種鹼土族金屬氧化 物及至少一種IIIA族金屬氧化物,該方法包含以下步驟: (a)提供大量下列化合物:至少包含銪之至少一種稀土族金 屬’選自由锶、鋇、鈣及其組合組成之群的至少一種鹼土 族金屬,及選自由鋁、鎵、銦及其組合組成之群的至少一 種ΙΠΑ族金屬;選定該等化合物的量使得達成該磷光質之 最終組合物;(b)視需要添加選自由至少一種金屬鹵化物組 成之群的至少一種助熔化合物,該金屬卣化物之金屬係選 自由鳃、鋇、鈣、鋁、鎵、銦及稀土族金屬組成之群;(c) 將該等化合物混合在一起;及(d)在還原氛圍中於一定溫度 下且以足夠的時間烺燒該混合物,以將該混合物轉化為包 含至少一種鹼土族金屬氧化物及至少一種ΙΠΑ族金屬氧化 物的至少以銪離子活化的磷光質。 在本發明的又一項觀點中,該方法還包含在於還原氛園 中烺燒該混合物之化合物之前,將其轉化為含氧化合物的 步驟。 在本發明的又一項觀點中,一發射可見光之光源包括一 UV/藍光LED及至少該包含至少一種驗土族金屬氧化物及 至少一種IIIA族金屬氧化物而至少以銪離子活化的磷光質。 經細閱本發明之下列詳細說明及數字與元件一一對應的 附圖,吾人可瞭解本發明之其它特色及優點。 【實施方式】 本發明提供一種磷光質,該等磷光質可藉由波長在近^^、 85479-960413.DOC -9- 1309673 自約315奈米至約480奈米)之内的韓射激勵, 以有效地發射約彻奈米至約咖奈米的綠色至黃色 :在本文中可交替使用術語"電磁糾,,、"卿,及”光"以 波長在uv到深紅色光範圍(自約100奈米至約_奈米 X内的電磁輻射。詳言之’本發明之磷光質具有一在人類 肉眼之最大靈敏度範圍之内的發射主學。在本發明中,金 屬以與抗衡離子結合的形態存在,而非零價金屬形式。本 發明之磷光質包含至少—種驗土族金屬氧化物及至少一種 ιπα族金屬氧化物,該等金屬氧化物係以至少包含錯之至 少一種稀土族金屬離子摻雜。該磷光質具有如下之通式. 其中_選自由Sr、Ba'㈣其組合組成之群的驗土族金 屬;RE係至少包含銪之稀土族金屬;D係選自由銘、嫁、 銦及其組合组成之群的至少一種週期表族金屬; 〇〇〇1 X 〇.3,且丫滿足選自由0.75<y<l及l<y<l.l組成之群 的一個條件。 在一較佳實施例t,該ί粦光質具有通式(SrixEUx)yAl2〇4 :其中〇.〇〇1<X<0·3 ’且y滿足選自由0.75<y<l及l<y〈l.l组 成之群的一個條件。 在本發明的另—實施例中,利用選自由鈽、镨、钕、釤 、釓、鏑、鈦、铒、铥、镱及離子組成之群的另一種稀 土族金屬離子進—步共同活化該磷光質。該等其它稀土族 金屬離子可佔有該鹼土族金屬及稀土族金屬總量之約 0.001至約30原予百分比、較佳約0.001至約20原子百分比
85479-960413.DOC 1309673 更佳約0.001至約10原子百分比。—較佳共活化劑係鏑。 在本發明的另一項觀點中’該磷光質可還包括含量為鹼 土族金屬之約0.001至約20原子百分比的鎂。 本發明包括至少以館活化之至少—種驗土族金屬氧化物 V種IIIA族金屬氧化物的磷光質可藉由固態反應製 得。該方法包含如下步驟:(a)提供大量下列元素之含氧化 口物.(1)至少包含銪之至少一種稀土族金屬;(2)選自由鳃 鋇、鈣及其組合組成之群的至少一種鹼土族金屬;及(3) 選自由鋁豸、銦及其組合組成之群的至少一種工族金 屬’選定該等化合物的量使得達成該磷光質之最終組合物 ;(b)將該等含氧化合物混合在一起以形成一混合物;及⑷ 在暹原氛園中於一定溫度下且以足夠的時間烺燒該混合物 ,以將該混合物轉化為包含至少一種驗土族金屬氧化物及
至y —種IIIA族金屬氧化物而至少以銪離子活化的磷光質。
在一較佳實施例中,該方法還包括在將該等化合物混合 在一起^前,將選自由鳃、鋇、鈣、鋁、鎵、銦、銪及其 ’、且a組成之群的至少一種金屬卣化物作為一助熔劑添加至 孩等含氧化合物中。可按高達約20、較佳高達約1〇、更佳 向達、”勺5重量百分比之混合物總重量添加該鹵化物。較佳鹵 化物係氟化物。 在本發明的另一項觀點中,該方法還包括在混合之前, 將至V—種额外稀土族金屬的至少一種含氧化合物添加至 孩含氧化合物之混合物中。該至少一種額外稀土族金屬在 該磷光質中充當共活化劑,其係選自由鈽、镨、敛、釤、
85479-960413.DOC -II- 1309673 乳、鏑、欽、姆、銀、鏡及縳组成之群。 在一較佳實施例中,該等含氧化合物為氧化物。 在本發明的另一項觀點中,該等含氧化合物可為可分解 成氧化物的化合物,諸如碳酸鹽、確酸鹽、氮化物、硫酸 鹽、亞硫酸鹽、氯酸鹽、高氣酸鹽、鹵氧化物、酷酸鹽、 檸檬酸鹽、有機酸鹽及其組合。較佳選定該等含氧化合物 使得彼等在約400°C至約900°C範圍之内的溫度下分解。分 解通常於在還原氛圍中的烺燒步驟之前,在空氣或空氣與 惰性氣體(諸如氮氣、氦氣、氬氣、氖氣、氪氣、氙氣及其 混合物)之混合物中進行。 可藉由包括但不限於在一高速摻合器或一螺條摻合器中 攪拌或摻合的任何機械方法混合該等化合物。可在一球磨 機、一錘磨機或一噴磨機中結合及粉碎該等含氧化合物。 可藉由濕磨進行混合,尤其是當要將該等含氧化合物之混 合物製成溶液用以隨後沈澱時。濕磨所用之溶劑可為酒精 ,諸如甲醇、乙醇或丙醇。若該混合物是濕的,則可在煅 燒步驟之前先將其乾燥。 於約900°C至約1300°C (較佳約l〇〇〇°C至約1200°C )之溫 度下,以足夠的時間烺燒該含氧化合物之混合物或分解之 氧化產物以將該混合物轉化為最終磷光質。可於一分批或 連續的製程中進行炮燒,較佳加以揽拌或混合動作以促進 良好氣體-固體接觸。烺燒時間依將被烺燒之混合物的量、 傳導經過煅燒設備的氣體速率及於該煅燒設備中氣體-固 體接觸的質量而定。通常,約1分鐘至約10小時之烺燒時間 85479-960413.DOC -12- 1309673 足矣。還原氛圍通常包含一還原氣體,諸如氫氣、—氧化 礙或f組合,視需要以一惰性氣體,諸如氮氣、氦氣、氬 氣、氖氣、氪氣、氣氣或其組合稀釋。—適當還原氛園在 氮氣中包含約w體積百分比之氫氣。或者,可將—含有該 混合物之坩堝包於一含有高純度碳粒子之第二密閉坩财 ,並於限量的空氣中烺燒該坩堝使得碳粒予與空氣中的氧 發生反應,藉此生成提供還原氛圍所需之一氧化碳。可於 一實質上恒定之溫度下進行煅燒,或溫度自室溫斜線上升 ,其後在烺燒期間保持於最終烺燒溫度。或者,可分階段 於兩種或多種溫度下完成烺燒,各階段可於不同還原氛圍 下進行。 圖1展示磷光質Sro gEuo.iAl2。4之激勵及發射光譜,如本 文所述,固態反應產生該光譜。於生產該樣品之過程中, 以、2重量百分比之該混合物總重量的量將氟化銘用作助 溶劑。於約ll〇(TC下在被佈置於以碳粒子填塞之第二坩鍋 中的第一掛鍋内,及於在氮氣中包含1體積百分比氫氣之氛 圍下烺燒該混合物◊應注意在約3 50奈米至約430奈米之波 長範圍内可有效地激勵該磷光質。該磷光質具有 Sr4Al14〇25:Eu2+磷光質("SAe")之約65-70°/❶的相對量子效 率、於405奈米下約8〇%的吸收及x=〇.276及y=0.571之CIE 座標。 或者’可用濕式方法製備該磷光質。包含銪的至少一種 稀土族金屬;選自由鳃、鋇、鈣及其組合組成之群的至少 一種鹼土族金屬;及選自由鋁、鎵、銦及其組合組成之群
85479-960413.DOC -13- 1309673 ” y種IIIA族金屬之一種或多種化合物可以並非係可 、解於水冷液之氧化物,諸如硝酸鹽、硫酸鹽、醋酸鹽、 J·:豕酸鹽、氯酸鹽、高氯酸鹽、鹵氧化物或有機化合物。 :等有機化合物之非限制性實例係含有丨至6個碳原子之一 兀及二元羧酸的金屬鹽、含有1至6個碳原子之二元羧酸酯 /、有1或2個芳香環之芳香酸的金屬鹽、金屬乙醯丙酮化 =、含有1至6個碳原子之金屬醇鹽及金屬苯酚鹽。舉例而 T,在酸(例如硝酸溶液)中摻合及溶解包含銪的至少一種 稀土知:盘屬,選自由鳃、鋇、鈣及其組合組成之群的至少 種鹼土族金屬;及選自由鋁、鎵、銦及其組合组成之群 的至少一種IIIA族金屬製成的一種或多種化合物。在本發 月的個實施例中,至少一種該等化合物,較佳地一 ΠΙΑ 族化合物為齒化物,較佳為氟化物。選擇酸溶液之濃度以 迅速溶解該等化合物,且該選擇在熟悉此項技術者的技術 範圍疋内。其後以增量將氫氧化銨添加至含有該等金屬之 酸性溶液,同時攪拌以沈澱含有選定元素之氫氧化物混合 物直到沈澱完成。通常,當該等溶液混合物之ρΗ值升至8 以上時,該步驟完成。亦可將其它銨化合物,諸如碳酸銨 或草酸銨用於選定元素化合物之沈澱。可用有機鹼,諸如 甲醇胺、乙醇胺、丙醇胺、二甲醇胺、二乙醇胺、二丙醇 胺、二甲醇胺、三乙醇胺或三丙醇胺取代氫氧化銨。過濾 、清洗且視需要於空氣中乾燥沈殿物。可視需要在空氣或 工氣與一惰性氣體之混合物中、於約4 〇 〇 °c至約9 〇 〇 °c之間 、以足夠的時間加熱該沈澱物以確保實質上完成物質的脫 85479-960413.DOC -14- 1309673 水及所用之任何有機物質的分解。吾人希望在加熱之前研 磨或粉碎該乾燥沈澱物。分解之後,混合物實質上包含至 少銪之氧化物、至少一種驗土族金屬氧化物及至少一種 IIIA族金屬氧化物。其後於一如前所揭示之還原氛圍下烺 燒該乾燥沈澱物或該分解沈澱物。 可將本發明之磷光質與其它磷光質摻合用於具有高發光 度及CRI之光源中。表1比較了本發明之含有磷光質 Sr0.8Eu().的掺合物與先前技術的掺合物之模擬結果 。在表 1 中,”HALO"、”SAE"、"SECA"及"BAMn”分別表示 磷光質Ca5(P04)3Cl:Mn2+,Eu2+(在黃色-紅色區域發射)、 Sr4Al14025:Eu2+(在藍色-綠色區域發射)、 (Sr,Ba,Ca)5(P04)3(Cl,0H):Eu2+(在藍色區域發射)、 (8&,0&,81:)]^§3八114025:£112+,]^112+(在綠色區域發射)。 表1 摻合物 發光度 CRI 紅色 綠色 藍色 (lm/W electrical) (%) (%) (%) HALO/SAE 296 75 15.1 6.92 2.95 HALO/SECA/BAMn 306 93 15.7 6.54 7.97 HALO/SECA/ 318 87 14.1 9.25 7.8 Sr〇.8Eu〇.iAl2〇4 本發明之Sro.sEuuAUC^與HALO及SECA磷光質及SECA 磷光質之另一摻合物的光譜功率分配的模擬展示HALO磷 光質之約90%的量子效率、於405奈米下約77%之吸收、約 85479-960413.DOC -15- 1309673 340 lm/Welectrical之發光度、82之€111、約4〇〇〇κ之相關色溫 及X 0.3 8 7且y-〇. 395之CIE座標,其將該光源幾乎置於黑體 軌跡。圖2及圖3展示該摻合物之吸收及發射光譜。該磷光 質摻合物(光瑨功率分配可提供與螢光燈相似的照明。 基於LED之發射白光的裝置 將包含本發明之磷光質與在藍色、黃色及紅色區域發射 之其它選定磷光質的磷光質摻合物併入一包含一發射約 350奈米至約450奈米範圍内之近uv到藍光之LED的裝置 中,應提供有效使用電功率之白色光源。該摻合物可為前 文剛剛描述之摻合物。發射藍光之磷光質(其發射主峰在約 400奈米至約480奈米範圍之内)的非限制性實例係 (Ba,Sr,Ca)5(P04)3(Cl,F,0H):Eu2+及(Ba,Sr,Ca) MgAl1()〇17:Eu2+ 。發射藍-綠光之磷光質(其發射主峰在約480奈米至約500 奈米範圍之内)的非限制性實例係SqAlMOaEi^+C'SAE") 、2Sr0.0.84P205 〇.l6B203:Eu2+、MgW04、BaTiP2〇8&
Ca5(P〇4)3(Cl’F,OH):Sb3 +,Mn2+。發射綠光之磷光質(其發射 主峰在約5 00奈米至約550奈米範圍之内)的非限制性實例 係 LaP〇4:Ce3+,Tb3+("LAP")、CeMgAl„019:Tb3+及GbMgB5〇10:
Ce3 +,Tb3+(”CBT”^發射黃-橙光之磷光質(其發射主峰在約 550奈米至約630奈米範圍之内)的非限制性實例 Y3Al5〇12:Ce3+("YAG:Ce”)及(Ba,Sr,Ca)5(P04)3(Cl,F,0H):Eu2+,Mn2+,Sb3+。 發射紅光之磷光質(其發射主峰在約610奈米至約7〇〇奈米 範圍之内)的非限制性實例係Y2〇3:Eu3+,(Sr,MgMP〇4p:Sn2+ ,YBO3:Eu3+&3.5MgO.0.5MgF2.GeO2:Mn4+。 85479-960413.DOC 16, 1309673 可製造白色光源以藉由使用一 UV/藍光LED提供點光源 裝置或藉由使用複數個UV/藍光LED提供大面積照明裝置 。術?吾"大面積"表示大於約1 0平方公分。 在圖4所示之本發明的實施例中,白色光源i 〇包含一發射 約350奈米至約45〇奈米範圍内近uV至藍光iLED ι〇〇及一 含有本發明之嶙光質的磷光質摻合物。將LED 100裝配於 具有一與LED 100相鄰之反射表面14〇之杯室12〇中。適用 於發射白光之裝置的UV/藍光LED係基於InGaN半導體之 LED ’諸如上文提到之美國專利第5,777,35〇號的[ED,該 項專利之内容以引用的方式併入本文。亦可使用其它uv/ 藍光LED,諸如基於與各種金屬摻雜以提供較大能帶隙的 GaN半導體之LED。提供電導線15〇與152以供應電功率至 LED 1〇〇。一透明鑄件16〇包含環氧樹脂、矽酮或玻璃18〇 其中實質上均勻地散佈本發明之磷光質捧合物的粒子2〇〇 。或者’可將該等摻合物粒子施用至LED 100或僅將彼等 散佈於透明鑄件160的一部分。亦可使用其它透明聚合物 (諸如聚碳酸酯)以形成該透明鑄件。另外,在該透明鑄件 中,亦可於磷光質粒子之間含有光散射物質(諸如Ti〇2或 Ah〇3)之粒子以改良發射自光源1〇的光之均勻度。可選擇 LED之InGaN活性層體的組合物及施用於該鑄件中之磷光 質的量以使得未被磷光質吸收的由LED發射的一部分藍光 與由该磷光質摻合物發射的廣光譜光結合以提供具有所要 色溫及CRI之白色光源1G。如本文所揭示之白色光源適用 於背面照明或全面照明之目的。
85479-960413.DOC -17- 1309673 可藉由配置複數個藍光LED於一反射面板上、提供適當、 丑導線至單個led、施用包含本發明之磷光質摻合物及聚 w黏合劑(諸如環氧樹脂)的塗層、然後將整體結合結構密 封於一透明且密封封口中產生用於全面照明之大面積白色 光源。可將該磷光質摻合物/聚合物塗層直接施用至單個 · led,或可將其施用至整個面板表面。於前一種狀況下,. 在將該磷光質摻合物施用至LED上之後,可將一額外聚合 物塗層施用至整個面板表面。另外,可在該聚合物基質中 提i、光散射固體(諸如Ti〇2或Al2〇3)之粒子以增強自該裝 置之光發射之均勻度。 佐管本文已描述各種實施例,但應自該說明瞭解熟悉此 項技術者可達成其中之元素、變體、同等物或改良之各種 組合,且該等組合仍在如後附申請專利範圍所定義之本發 明範_之内。 【圖式簡單說明】 圖1展示磷光質Sr〇.8EU(MAl2〇4之激勵及發射光譜。 圖 2 展示由 Sr〇 8Eu〇 lAl2〇4、ca5(p〇4)3C1:Mn2+,Eu2+及· ^^^^(:仏斤仏从^…抝:以^組成之磷光質摻合物的吸收 光譜。 圖3展示圖2之鱗光質捧合物的發射光譜。 圖4展包含一 LED及本發明之至少一種磷光質的光源 _ 之實施例。 【圖式代表符號說明】 10 光源 85479-960413.DOC •18- 1309673 100 發光二極體(LED) 120 杯室 140 反射表面 150 , 152 電導線 160 透明鑄件 180 透明物質 200 磷光質摻合物之粒子 -19-
85479-960413.DOC

Claims (1)

  1. 拾、申請專利範圍: 1. 一種磷光質,其包括選自由鳃、鋇、鈣及其組合組成之 群的至少一種鹼土族金屬之氧化物及選自由鋁、鎵、銦 及其組合組成之群的至少一種IIIA族金屬之氧化物,該 磷光質係以至少包含銪之至少一種稀土族金屬之離子活 化,該磷光質具有如下之通式 (M1.xREx)yD204 ; 其中Μ係該至少一種鹼土族金屬;RE係至少包含銪之 該稀土族金屬;D係該至少一種IIIA族金屬;〇.〇〇1<x<〇 3 ’且y滿足一選自由0.75<y<l與l<y<l.i組成之群的條件。 2 ·如申請專利範圍第1項之ί粦光質,其中該磷光質吸收波長 範圍在約350奈米至約480奈米内之電磁輻射,且具有一 波長範圍在約500奈米至約6〇〇奈米内之發射主學。 3. 如申請專利範圍第丨項之磷光質,其中該磷光質尚與選自 由錦、镨、钕、彭、乱、鋼、欽、辦、银、鏡及錢組成 疋群的至少一種額外稀土族金屬摻雜。 4. 如申請專利範圍第3項之磷光質,其中該至少—種額外稀 土族金屬係佔有該至少一種鹼土族金屬、該銪及該至少 一種額外稀土族金屬之總量的約0.001至約30原子百分 比。 5. 如申請專利範圍第3項之麟光質,其中該至少—種額外稀 土族金屬係佔有該至少一種鹼土族金屬、該銪及該至少 種額外稀土族金屬之總量的約0‘001至約20原子百分 比。 B5479-960413.DOC !3〇9673 •如中請專利範園第3項之磷光質,其中該至少一種額外稀 土族金屬係佔有該至少—種驗土族金屬、該銪及該至少 —種額外稀土族金屬之總量的約0.001至約1〇原子百分 比。 7·如申請專利項之磷光質,其中該磷光f尚包括缓。 8·如申請專利範圍第7項之磷光質,其中該鎂佔有該至少一 種鹼土族金屬之約〇·〇〇 1至約20原子百分比。 9. -種磷光質’其包括鳃及鋁之氧化物,且其係以銪離子 活化,該磷光質具有如下之通式 (Srj.xEux)yAl2〇4 » ’、中 0·001<χ<〇.3且y滿足一選自由 〇 與 Kyq 1 组成之群的條件。 —種磷光質摻合物,其包括: (a) . —第一磷光質’其包括選自由鳃、鋇、鈣及其組 合組成之群的至少一種鹼土族金屬之氧化物及選自由鋁 、鎵、銦及其組合組成之群的至少一種ΠΙΑ族金屬之氧 化物,該磷光質係以至少包含銪之至少一種稀土族金屬 之離子活化,該磷光質具有如下之通式 (Mi_xREx)yD2〇4 ; 其中Μ係該至少一種鹼土族金屬;re係至少包含銪之 該稀土族金屬;D係該至少一種⑴八族金屬;〇 〇〇1<χ<〇 3 ,且y滿足一選自由〇.75<y<l與l<y<i.i組成之群的條件 ;及 (b) .至少一種額外磷光質,其係選自由可被波長在約 85479-960413.DOC -2- 1309673 】5不米土約48G奈米範㈣之輕射激勵切光質组 群,該等磷光質具有一波長為藍、藍綠、綠、黃_撥及 紅光波長中至少一個的發射主峰。 11 12 13. 14. 15. 16. 17. 18. 如申請專利_第1()項之磷光質掺合物,其中該第一鱗 光質尚包括用量為㈣土族金屬之約〇〇〇ι至約2〇原予 百分比的鎂。 ’' .如申請專财請第1G項之磷光#摻合物,其巾位於該藍 光波長内之發射料係介於約4⑽奈米至約4叫米 内。 如申請專利範圍第1G項之磷光質摻合物,其中位於該藍_ 綠光波長内I發射主峰係介於約48〇奈米至約5〇〇奈米範 圍内。 如申請專利範圍第1〇項之鱗光質摻合物,其中位於該綠 光波長内之發射主峰係介於約5〇〇奈米至約“Ο奈米範 内。 、& _ 如申請專利範圍第10項之磷光質摻合物,其中位於該黃- 橙光波長内之發射主峰係介於約55〇奈米至約63〇太 圍内。 u靶擊 如申請專利範園第10項之磷光質摻合物,其中位於詨、名 光波長内之發射主峰係介於約610奈米至約700奈米範= 内。 一種磷光質摻合物,其包括Sr。8EUQ1Α1Λ、- Ca5(P04)3Cl:Mn2+,Eu2+及(Sr,Ba,Ca)5(p〇4)3(cl 4。 一種製備一磷光質之方法,該方法包括: B5479-960413.DOC 1309673 、⑷.提供大量之下列元素的含氧化合物:至少包含褚 疋至少-種稀土族金屬;選自由趣、鋇、缺其組合組 成之群的至少—種驗土族金屬;及選自由銘、鎵、姻及 其組合組成之群的至少—種ΠΙΑ族金屬; ㈨.將該等含氧化合物混合在—起以形成一混合物 ;及 (〇·於-還原氛圍中在一溫度下以足夠的時間烺燒 該混合物,以將該混合物轉化為具有如下通式之該鱗光 質 (M1.xREx)yD204 ; 其中Μ係該至少一種鹼土族金屬;尺£係至少包含銪之 該稀土族金屬;D係該至少一種„认族金屬;〇 〇〇ι<χ<〇.3 ,且y滿足一選自由〇.75<y<l與Kyd」組成之群的條件。 19. 如申請專利範圍第18項之方法,其尚包括添加選自由稀 土族金屬、鳃、鋇、鈣、鋁、鎵、銦及其組合組成之群 的至少一種金屬之至少一種鹵化物。 20. 如申請專利範圍第18項之方法,其中該含氧化合物係氧 化物。 21. 如申請專利範圍第18項之方法,其中該煅燒係於介於約 900°C至約1300°C範圍内的溫度下進行。 22·如申請專利範圍第18項之方法,其中該烺燒係於介於約 1000°C至約1100°C範圍内的溫度下進行β 23.如申請專利範圍第18項之方法’其中該烺燒係於一實質 上恒定之溫度下進行。 85479-960413.DOC -4- 1309673 24·如申請專利範圍第18項之方法,其中該溫度係自環境温 度斜線上升至一最終溫度。 25.如申請專利範園第18項之方法,其中該錢進行約i分鐘 至約10小時。 &如申請專利範圍第18項之方法,其中㈣燒係在一包含 —選自由氫氣與-氧化碳組成之群之氣體的氛圍中進行。 27. 如申請專利範圍第18項之方法,其中該娘燒係在一於氮 氣中包含約i至約3體積百分比之氫氣的氛圍中進行。 28. —種製備一磷光質之方法,該方法包括: (a) .提供大量之下列元素的含氧化合物:至少包含銪 之至y種稀土族金屬,選自由鳃、鋇、鈣及其組合組 成之群的至少一種鹼土族金屬;及選自由鋁、鎵、銦及 其組合組成之群的至少一種III A族金屬; (b) .將该等含氧化合物混合在一起以形成一混合物 :及 (c) ·加熱該混合物以將該混合物轉化為氧化物之一 混合物;及 (d) ·於一還原氛圍中在一溫度下以足夠的時間烺燒 茲混合物以將該混合物轉化為具有如下通式之該磷光質 (Mi.xREx)yD204 : 其中Μ係該至少一種鹼土族金屬;尺£係至少包含銪之 該稀土族金屬;D係該至少一種⑴八族金屬;〇 〇〇1<χ<〇 3 ,且y滿足一選自由0_75<y<l與l<y<;L1組成之群的條件。 29. 如申請專利範圍第28項之方法,其中該等化合物係選自 85479-960413.DOC -5- 1309673 由碳酸鹽、硝酸鹽、氮化物、硫酸鹽、亞硫酸鹽、氯酸 鹽、南鼠酸鹽、鹵乳化物、酷故鹽、檸;檬酸鹽、有機酸 鹽及其組合組成之群。 30.如申請專利範圍第28項之方法,其尚包括添加選自由稀 土族金屬、鳃、鋇、鈣、鋁、鎵、銦及其組合組成之群 的至少一種金屬之至少一種卣化物。 3 1.如申請專利範圍第28項之方法’其中該加熱係於一介於 約400°C至約900°C範圍内的溫度下進行。 32. 如申請專利範圍第28項之方法,其中該加熱係於一含氧 氣體中進行》 33. 如申請專利範圍第28項之方法,其中該烺燒係於一介於 约900°C至約1300°C範圍内的溫度下進行。 34·如申請專利範圍第28項之方法,其中該烺燒係於一介於 約1000°c至約1100°c範圍内的溫度下進行。 35. 如申請專利範圍第28項之方法,其中該烺燒係於一實質 上恒定之溫度下進行。 36. 如申請專利範圍第28項之方法,其中該溫度係自環境溫 度斜線上升至一最終溫度。 37·如申請專利範圍第28項之方法,其中該烺燒進行約i分鐘 至約10小時。 38·如_請專利範圍第28項之方法,其中該烺燒係於包含一 選自由氫氣與一氧化碳組成之群之氣體的氛圍中進行。 39.如申凊專利範圍第28項之方法,其中該舰係在一於氮 氣中包含約1至約3體積百分比之氫氣的氛圍中進行。 85479-960413.d〇C . 1309673 4〇·—種製備磷光質之方法,該方法包括; (a).提供—第一溶液,包含下列元素之化合物:至少 包括銪之至少一種稀土族金屬;選自由銘、鋼、舞及其 組合組成之群的至少一種驗土族金屬;及選自由銘、鎵 、銦及其組合組成之群的至少一種IIIA族金屬,該等化 合物係選自由硝酸鹽、硫酸鹽、醋酸鹽、檸檬酸鹽、氯 酸鹽、高氣酸鹽、函氧化物、含有丨至6個碳原子之有機 酸鹽、含有1至6個碳原予之二元羧酸酯、含有丨至2個芳
    香環之芳香酸之鹽、乙醯丙酮化物、醇鹽、苯紛鹽及其 混合物組成之群; (b) · &供一第一溶液,包含一選自由氫氧化銨、碳酸 銨草版銨、甲醇胺、乙醇胺、丙醇胺、二甲醇胺、二 乙醇胺、二丙醇胺、三甲醇胺、三乙醇胺或三丙醇胺及 其混合物组成之群的物質; (c) .將該第二溶液添加至該第一溶液,以形成一沈澱 物;及 (d).在一還原氛圍中於一溫度下以足夠的時間烺燒參 該沈澱物,以將該混合物轉化為具有如下通式之該轉光質 (M1.xREx)yD204 ; 其中Μ係該至少一種驗土族金屬;re係至少包含錐之. 該稀土族金屬;D係該至少—種IHA族金屬;0,001<χ<〇.3 · ’且y滿足-選自由o.75<y<mi<y<li組成之群的條件。 如申請專利範園第40項之太、本甘,> a , 貝又万去,其尚包括添加選自由稀 土族金屬、總、鋇、鈣、鈕、於 ’ 鎵、錮及其組合組成之群 85479-96〇413.D〇C 42 的至少一種金屬之至少一種_化物。 如申請專利範圍第40項之方法,其尚包括在烺燒步驟之 前於介於約400T:至約900。〇範圍内之溫度下加熱該沈澱 物。 43. 44. 45. 46. 47. 48. 49. 50. 51. 如申凊專利範圍第42項之方法,其中該加熱係於一含氧 氣體中進行。 如申請專利範圍第42項之方法,其中該烺燒係於一介於 约9〇0 C至約13 00°c範園内之溫度下進行。 如申請專利範圍第42項之方法,其中該烺燒係於一介於 约lOOOt至约ll〇(TC範圍内之溫度下進行。 如申請專利範圍第42項之方法,其中該娘燒係於一實質 上惶足之溫度下進行。 如申請專利範圍第42項之方法,其中該溫度自環境溫度 斜線上升至一最終溫度。 如申請專利範圍第42項之方法,其中該娘燒係進行W 分鐘至約1 〇小時。 如申請專利範圍第42項之方法,其中該煅燒係於一包含 —選自由氫氣與-氧化碳組成之群之氣義氛園中進行。 如申請專利範圍第42項之方法,其中㈣燒係在一於氮 乳中包含約1至約3體積百分比之氫氣的氛圍中進行。 —種光源(10),其包括: ⑷.至少-個LED_),其能夠發射—波長在約31ί 奈米至約480奈米範圍内之輻射;及 (b). —磷光質鑄件(16〇), V }具包括一透明物質(180)及 85479-960413.DOC 1309673 一磷光質摻合物之粒子(200),該磷光質摻合物包括: (1). 一第一磷光質,其包括選自由鳃、鋇、舞及 其組合組成之群的至少一種鹼土族金屬之氧化物及 選自由鋁、鎵、銦及其組合組成之群的至少一種πιΑ 族金屬之氧化物,該磷光質係以至少包含銪之至少 一種稀土族金屬之離子活化,該磷光質具有如下通式 (Mi_xREx)yD2〇4 ; 其中Μ係該至少一種鹼土族金屬;^^係至少包含銪之 該稀土族金屬;D係該至少一種ΠΙΑ族金屬;o.ooi<χ<0.3 ,且y滿足一選自由〇.75<y<l與組成之群的條件 :及 (2)·至少一種額外磷光質,其係選自由可被波長在 約315奈米至約480奈米範圍内之輻射激勵之磷光質 組成之群,該等磷光質具有一波長為藍、藍_綠、綠、 黃-橙及紅光波長中至少一個的發射主峰。 52·如申請專利範圍第51項之光源(1 〇),其中該第一鱗光質 尚包括用量為該至少一種鹼土族金屬之約〇.〇〇1至約2〇 原子百分比的鎂。 53如申請專利範圍第5 1項之光源(10) ’其中該磷光質鑄件 尚包括一光散射物質之粒子。 54·如申請專利範圍第51項之光源(1〇),其中在該藍光波長 中之該發射主峰範圍在約400奈米至約480奈米之内。 55.如申請專利範圍第51項之光源(1〇) ’其中在該藍_綠光波 長中之該發射主峰範圍在約480奈米至約5〇〇奈米之内。 85479.960413.DOC -9- 13〇9673 6·如申請專利範圍第51項之光源(1〇),其中在該綠光波長 中之該發射主峰範圍在約500奈米至約55〇奈米之内。 57·如申請專利範圍第51項之光源(1〇),其中在該黃-橙光波 長中之該發射主峰範圍在約550奈米至約630奈米之内。 58. 如申請專利範圍第51項之光源(1〇),其中在該紅光波長 中之該發射主峰範圍在約610奈米至約7〇〇奈米之内。 59. —種光源(10),其包括·· (a) .至少一個LED(IOO),其能夠發射一波長在約315 奈米至約480奈米範圍内之輻射;及 (b) . —鱗光質鑄件(16〇),其包括—透明物質(18〇)及 —磷光質摻合物之粒子(200) ’該磷光質摻合物包括 Sr0.8EU()1Al2O4、Ca5(P04)3Cl:Mn2+,Eu2+及(sr,Ba,Ca)5 (P〇4)3(Cl,OH) :Eu2+。 60. 如申請專利範圍第59項之光源(1〇),其中該磷光質鑄件 (160)尚包括一光散射物質之粒子。 61. —種光源(10),其包括: (a) .複數個LED( 100),其附著於一反射面板上,該等 LED能夠發射一波長範圍在約3 15奈米至約48〇奈米内之 輕射, (b) . —磷光質塗層(180),其包括一聚合黏和劑及散佈 於其中之一磷光質摻合物之粒子(200),按自該led(1〇〇) 發射之輻射的方向配置該塗層(180),該磷光質掺合物包 括: (1)· 一第一磷光質,其包括選自由鳃、鋇、約及其 85479-960413.DOC •10- 1309673 組合組成之群的至少一種鹼土族金屬之氧化物及選 自由鋁、鎵、鉬及其粗合組成之群的至少—種11认族 金屬之氧化物’該磷光質係以至少包含銪之至少一種 稀土族金屬之離子活化,該磷光質具有如下通式 (Mi_xREx)yD2〇4 » 其中Μ係該至少一種鹼土族金屬;尺£係至少包含銪之 該稀土族金屬;D係該至少一種冚八族金屬;〇〇〇1<χ<〇3 ,且y滿足一選自由0.75<y<l與成之群的條件 :及 (2).至少一種額外磷光質,其係選自由可被波長在 約3 1 5奈米至約480奈米範圍内之輻射激勵之磷光賀 組成之群,該等磷光質具有一波長為藍、藍_綠、綠、 黃-橙及紅光波長中至少一個的發射主峰。 62. 63. 64. 如申請專利範圍第61項之光源(1〇),其中該塗層還包括 —光散射物質之粒予。 如申請專利範圍第61項之光源(1〇),其尚包括一配置於全 體該面板、該等LED(l〇〇)及該磷光質塗層周園之封口。 一種光源(10),其包括: (a) .複數個LED( 1〇〇),其附著於一反射面板上,該等 LED能夠發射一波長範圍在約315奈米至約480奈米内之 輕射, (b) ·—磷光質塗層(180),其包括一聚合黏和劑及散佈 於其中之—磷光質掺合物之粒子(200),按自該等 LED( 1 〇〇)發射之輻射的方向配置該塗層(180),該磷光質 85479-960413.DOC -11- 1309673 摻合物包括 Sro.sEuo.iAhC^、Ca5(P04)3Cl:Mn2+,Eu2+及· (Sr,Ba,Ca)5(P04)3(Cl,〇H):Eu2+。
    85479-960413.DOC 12- 1309673 柒、 指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(1 )圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明: (無元件代表符號) 捌、 本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: (Mi.xREx)yD2〇4 85479-960413.DOC
TW092116401A 2002-06-28 2003-06-17 Phosphors containing oxides of alkaline-earth and group-iiia metals and light sources incorporating the same TWI309673B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/064,285 US6809471B2 (en) 2002-06-28 2002-06-28 Phosphors containing oxides of alkaline-earth and Group-IIIB metals and light sources incorporating the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200404883A TW200404883A (en) 2004-04-01
TWI309673B true TWI309673B (en) 2009-05-11

Family

ID=29720373

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW092116401A TWI309673B (en) 2002-06-28 2003-06-17 Phosphors containing oxides of alkaline-earth and group-iiia metals and light sources incorporating the same

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6809471B2 (zh)
EP (1) EP1378555A1 (zh)
JP (1) JP2004107623A (zh)
KR (2) KR100802831B1 (zh)
CN (2) CN1470596B (zh)
TW (1) TWI309673B (zh)

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7051351B2 (en) * 1999-03-08 2006-05-23 Microsoft Corporation System and method of inserting advertisements into an information retrieval system display
US7091656B2 (en) * 2001-04-20 2006-08-15 Nichia Corporation Light emitting device
WO2002086978A1 (fr) * 2001-04-20 2002-10-31 Nichia Corporation Dispositif photoemetteur
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
GB0118258D0 (en) * 2001-07-26 2001-09-19 Cambridge Display Tech Ltd Electrode compositions
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7768189B2 (en) * 2004-08-02 2010-08-03 Lumination Llc White LEDs with tunable CRI
US20040061810A1 (en) * 2002-09-27 2004-04-01 Lumileds Lighting, U.S., Llc Backlight for a color LCD using wavelength-converted light emitting devices
TWI246780B (en) * 2003-03-10 2006-01-01 Toyoda Gosei Kk Solid-state component device and manufacturing method thereof
DE602004002296T2 (de) * 2003-04-07 2007-04-26 Nanolumens Acquisition, Inc. Europium-dotierte gallium-indium oxide als rot-emittierende, elektrolumineszente phosphormaterialien
JP5456233B2 (ja) * 2003-06-24 2014-03-26 ジーイー ライティング ソリューションズ エルエルシー Ledチップによる白色光発生のためのフルスペクトル蛍光体混合物
WO2005015646A1 (ja) * 2003-08-07 2005-02-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led照明光源
US7488432B2 (en) * 2003-10-28 2009-02-10 Nichia Corporation Fluorescent material and light-emitting device
US7183588B2 (en) * 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
US7329904B2 (en) * 2004-01-30 2008-02-12 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED lamp device
US20050236958A1 (en) * 2004-04-23 2005-10-27 Harvatek Corporation White light-emitting device
KR100777501B1 (ko) * 2004-04-27 2007-11-28 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
US7077980B2 (en) * 2004-05-03 2006-07-18 General Electric Company Phosphors containing oxides of alkaline-earth and group-13 metals, and light sources incorporating the same
KR101209488B1 (ko) * 2004-07-06 2012-12-07 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 효율적인, 녹색 발광 인광체 및 적색 발광 인광체와의 조합
US8417215B2 (en) * 2004-07-28 2013-04-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for positioning of wireless medical devices with short-range radio frequency technology
US20070241657A1 (en) * 2004-08-02 2007-10-18 Lumination, Llc White light apparatus with enhanced color contrast
US7453195B2 (en) 2004-08-02 2008-11-18 Lumination Llc White lamps with enhanced color contrast
US20060181192A1 (en) * 2004-08-02 2006-08-17 Gelcore White LEDs with tailorable color temperature
US20060081815A1 (en) * 2004-10-15 2006-04-20 Terralium Industries Inc. Light accumulating and luminous materials and a process to produce same
WO2006095285A1 (en) 2005-03-09 2006-09-14 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
KR100799839B1 (ko) * 2005-03-30 2008-01-31 삼성전기주식회사 파장변환용 형광체 혼합물과 이를 이용한 백색 발광장치
US20060228973A1 (en) * 2005-04-11 2006-10-12 Jlj, Inc. LED Light Strings
US7329907B2 (en) 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
US20070114561A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Comanzo Holly A High efficiency phosphor for use in LEDs
US8906262B2 (en) 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
KR100764148B1 (ko) * 2006-01-17 2007-10-05 루시미아 주식회사 시트상 형광체와 그 제조방법 및 이를 이용한 발광장치
JP2007300069A (ja) 2006-04-04 2007-11-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子、この発光素子を用いた発光装置及びこの発光素子の製造方法
US7713442B2 (en) 2006-10-03 2010-05-11 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
US8475683B2 (en) 2006-10-20 2013-07-02 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates
US8529791B2 (en) 2006-10-20 2013-09-10 Intematix Corporation Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications
US9120975B2 (en) 2006-10-20 2015-09-01 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
US8133461B2 (en) 2006-10-20 2012-03-13 Intematix Corporation Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation
US7959827B2 (en) * 2007-12-12 2011-06-14 General Electric Company Persistent phosphor
US8003012B2 (en) * 2007-01-17 2011-08-23 General Electric Company Method for producing a palette of colors for persistent phosphors and phosphors made by same
US20080171229A1 (en) * 2007-01-17 2008-07-17 General Electric Company Method of producing a palette of colors for persistent phosphors and phosphors made by same
US8333907B2 (en) 2007-01-17 2012-12-18 Utc Fire & Security Corporation Articles using persistent phosphors
US7864381B2 (en) * 2007-03-20 2011-01-04 Xerox Corporation Document illuminator with LED-driven phosphor
US7708968B2 (en) 2007-03-26 2010-05-04 General Electric Company Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same
US7608829B2 (en) * 2007-03-26 2009-10-27 General Electric Company Polymeric composite scintillators and method for making same
US7625502B2 (en) * 2007-03-26 2009-12-01 General Electric Company Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same
US8545723B2 (en) * 2007-12-12 2013-10-01 General Electric Company Persistent phosphor
KR101416319B1 (ko) * 2008-03-19 2014-07-09 삼성전자주식회사 메모리 칩들이 적층되는 메모리 모듈을 포함하는 반도체메모리 장치
KR20110039313A (ko) 2008-07-07 2011-04-15 글로 에이비 나노구조 led
US8703016B2 (en) 2008-10-22 2014-04-22 General Electric Company Phosphor materials and related devices
US8329060B2 (en) * 2008-10-22 2012-12-11 General Electric Company Blue-green and green phosphors for lighting applications
US8456082B2 (en) 2008-12-01 2013-06-04 Ifire Ip Corporation Surface-emission light source with uniform illumination
US20110301672A1 (en) * 2009-02-25 2011-12-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Uv-emitting discharge lamp
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US20110109220A1 (en) * 2009-11-09 2011-05-12 Han-Ming Lee Intermittent cyclic permanent illuminating LED lamp
US20110147661A1 (en) * 2009-12-21 2011-06-23 Sam Joseph Camardello Novel aluminosilicate based blue persistent phosphors
TWI464463B (zh) * 2010-06-11 2014-12-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 導光板及背光模組
CN102382649B (zh) * 2010-08-31 2014-02-19 海洋王照明科技股份有限公司 掺In的稀土氧化物发光材料及其制备方法
KR20120097697A (ko) * 2011-02-25 2012-09-05 삼성전자주식회사 발광 다이오드
KR101472989B1 (ko) * 2011-03-08 2014-12-15 인터매틱스 코포레이션 할로겐화된-알루미네이트에 기반한 황녹색 내지 황색-발광 인광체
KR101851726B1 (ko) 2011-11-23 2018-04-24 엘지이노텍 주식회사 표시장치
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US8933478B2 (en) * 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
US8847261B1 (en) * 2013-03-14 2014-09-30 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting devices having engineered phosphor elements
JP2014181260A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Toshiba Corp 蛍光体、発光装置、および蛍光体の製造方法
CN104119869A (zh) * 2013-04-26 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种镓酸锶发光材料及其制备方法
US11251343B2 (en) * 2017-02-08 2022-02-15 Current Lighting Solutions, Llc LED design of lower CCT utilizing PFS phosphor

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2543825B2 (ja) 1993-04-28 1996-10-16 根本特殊化学株式会社 蓄光性蛍光体
TW353678B (en) 1994-08-17 1999-03-01 Mitsubishi Chem Corp Aluminate phosphor
JP3456553B2 (ja) 1994-11-01 2003-10-14 根本特殊化学株式会社 蓄光性蛍光体
US5777350A (en) 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
US5725801A (en) 1995-07-05 1998-03-10 Adrian H. Kitai Doped amorphous and crystalline gallium oxides, alkaline earth gallates and doped zinc germanate phosphors as electroluminescent materials
JPH09217059A (ja) * 1996-02-08 1997-08-19 Toshiba Corp 青色発光蛍光体,その製造方法および蛍光ランプ
JPH101666A (ja) 1996-06-13 1998-01-06 Kasei Optonix Co Ltd アルミン酸塩蛍光体、その製造方法及び真空紫外線励起発光素子
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5788882A (en) * 1996-07-03 1998-08-04 Adrian H. Kitai Doped amorphous and crystalline alkaline earth gallates as electroluminescent materials
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
EP0990690B1 (en) 1997-05-19 2004-10-06 Citizen Watch Co. Ltd. Phosphorescent pigment and process for preparing the same
US6278135B1 (en) 1998-02-06 2001-08-21 General Electric Company Green-light emitting phosphors and light sources using the same
JP2000001672A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Hirotsu Naotoshi 蓄光性蛍光体微粒粉末及びその製造方法
JP2000356964A (ja) * 1998-12-25 2000-12-26 Nemoto & Co Ltd 表示部材、表示装置、計測装置および時計
WO2000060026A1 (fr) 1999-03-31 2000-10-12 Somar Corporation Materiau phosphorescent, composition contenant ce materiau, et procede d'absorption d'energie avec ce materiau
US6190577B1 (en) 1999-07-20 2001-02-20 Usr Optonix Inc. Indium-substituted aluminate phosphor and method for making the same
JP3511083B2 (ja) * 1999-08-06 2004-03-29 独立行政法人産業技術総合研究所 高輝度応力発光材料、その製造方法及びそれを用いた発光方法
JP3559210B2 (ja) * 1999-11-08 2004-08-25 株式会社リード 耐熱・耐水性・高輝度・長残光性黄緑発光色蓄光体及びその製造法
JP2002012863A (ja) * 2000-06-27 2002-01-15 Sumitomo Chem Co Ltd 蓄光材用アルミン酸塩系蛍光体の製造方法
DE10036940A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
JP4077170B2 (ja) * 2000-09-21 2008-04-16 シャープ株式会社 半導体発光装置
JP2003197979A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004107623A (ja) 2004-04-08
KR20040002788A (ko) 2004-01-07
CN1470596A (zh) 2004-01-28
KR100869396B1 (ko) 2008-11-21
US20040000862A1 (en) 2004-01-01
EP1378555A1 (en) 2004-01-07
US6809471B2 (en) 2004-10-26
TW200404883A (en) 2004-04-01
CN1470596B (zh) 2011-06-22
CN101157855A (zh) 2008-04-09
KR20070111432A (ko) 2007-11-21
KR100802831B1 (ko) 2008-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI309673B (en) Phosphors containing oxides of alkaline-earth and group-iiia metals and light sources incorporating the same
US6596195B2 (en) Broad-spectrum terbium-containing garnet phosphors and white-light sources incorporating the same
TWI377242B (en) Aluminate-based blue phosphors
US7358542B2 (en) Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
TWI374178B (en) Novel aluminate-based green phosphors
JP5461752B2 (ja) アルカリ土類金属及び13族金属の酸化物を含む蛍光体及び該蛍光体を組み込む光源
US20050253114A1 (en) Phosphors containing oxides of alkaline-earth and group-IIIB metals and white-light sources incorporating same
JP4796774B2 (ja) ホウ素及び希土類金属を含有する蛍光体、及び該蛍光体を組み込んだ光源
JP2005133063A (ja) Iiia族及びiiib族のホウ素並びに金属を含む蛍光体
TW200948932A (en) Novel silicate-based yellow-green phosphors
JP2003533852A (ja) Ledデバイス用白色光放出性発光体
JP2003147351A (ja) 白色光光源の製作方法
US6761837B2 (en) Europium-activated phosphors containing oxides of rare-earth and group-IIIB metals and method of making the same
JP2505784B2 (ja) 低圧水銀蒸気放電灯
US7022263B2 (en) Europium-activated phosphors containing oxides of rare-earth and group-IIIB metals and method of making the same
TW200904946A (en) Green light-emitting fluorescent substance, method of manufacturing the same and light-emitting device using the same
TWI326704B (en) A phosphor and method for making the same
JP3754701B2 (ja) 蛍光体及びそれを使用した発光素子
JP2023125736A (ja) 緑色蛍光体および緑色蛍光体の製造方法
CN112607775A (zh) 一种Ho3+激活的绿色下转换荧光粉及其制备方法
JP2006225417A (ja) 蛍光体の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees