JP2003197979A - 発光素子 - Google Patents
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電力の省エネルギー効果を高めるべくＬＥＤ
チップをパルス駆動した場合でも点滅感を感じさせるこ
となく連続発光させることができる発光素子の提供を目
的とする。 【解決手段】 陰極リード１１を接続するダイボンディ
ングカップ１２上に、主発光ピーク波長が４２０ｎｍ以
下で紫色から紫外光を発光するＬＥＤチップ１３を配置
する。このＬＥＤチップ１３の周囲を被覆するように、
ダイボンディングカップ１２内に長残光特性を有する蛍
光物質を含む被覆材１４を充填するとともに、ＬＥＤチ
ップ１３とボンディングワイヤー１５で接続する陽極リ
ード１６、陰極リード線１１とともに全体を樹脂レンズ
１７で砲弾型に形成する。
チップをパルス駆動した場合でも点滅感を感じさせるこ
となく連続発光させることができる発光素子の提供を目
的とする。 【解決手段】 陰極リード１１を接続するダイボンディ
ングカップ１２上に、主発光ピーク波長が４２０ｎｍ以
下で紫色から紫外光を発光するＬＥＤチップ１３を配置
する。このＬＥＤチップ１３の周囲を被覆するように、
ダイボンディングカップ１２内に長残光特性を有する蛍
光物質を含む被覆材１４を充填するとともに、ＬＥＤチ
ップ１３とボンディングワイヤー１５で接続する陽極リ
ード１６、陰極リード線１１とともに全体を樹脂レンズ
１７で砲弾型に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤチップの発
光を蛍光物質の励起光源として発光する発光素子に係
り、特に省エネルギー効果を図るべくＬＥＤチップを間
欠的なパルス駆動させた場合でも点滅感や明滅感を感じ
させることなく連続発光させることができる発光素子に
関するものである。
光を蛍光物質の励起光源として発光する発光素子に係
り、特に省エネルギー効果を図るべくＬＥＤチップを間
欠的なパルス駆動させた場合でも点滅感や明滅感を感じ
させることなく連続発光させることができる発光素子に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＥＤチップの発光を蛍光物質の
励起光源とする発光素子としては、ＬＥＤチップの周囲
に、ＬＥＤチップの発光により励起されて発光する蛍光
物質を配置するものが存在している。
励起光源とする発光素子としては、ＬＥＤチップの周囲
に、ＬＥＤチップの発光により励起されて発光する蛍光
物質を配置するものが存在している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の発光素子にあっては、ＬＥＤチップが消灯すると当
然のことながら短残光性である蛍光物質は励起されなく
なって発光が消滅し、すなわち発光素子が消灯するもの
であった。そのため、電力の省エネルギー効果を高める
べくＬＥＤチップを間欠的なパルス駆動させた場合に
は、発光素子は点滅してしまい、点滅することなく安定
した状態で一定した明るさが望ましい表示には用いるこ
とができなかった。
来の発光素子にあっては、ＬＥＤチップが消灯すると当
然のことながら短残光性である蛍光物質は励起されなく
なって発光が消滅し、すなわち発光素子が消灯するもの
であった。そのため、電力の省エネルギー効果を高める
べくＬＥＤチップを間欠的なパルス駆動させた場合に
は、発光素子は点滅してしまい、点滅することなく安定
した状態で一定した明るさが望ましい表示には用いるこ
とができなかった。
【０００４】そこで本発明は、電力の省エネルギー効果
を高めるべくＬＥＤチップをパルス駆動した場合でも点
滅感や明滅感を感じさせることなく連続発光させること
ができる発光素子の提供を目的とする。
を高めるべくＬＥＤチップをパルス駆動した場合でも点
滅感や明滅感を感じさせることなく連続発光させること
ができる発光素子の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の発光素子は、ＬＥＤチップ表面に蛍光物質
を含む被覆材を被着させ、このＬＥＤチップの発光で上
記蛍光物質を励起して発光させる発光素子において、蛍
光物質は長残光特性を有することを特徴とするものであ
る。
め、本発明の発光素子は、ＬＥＤチップ表面に蛍光物質
を含む被覆材を被着させ、このＬＥＤチップの発光で上
記蛍光物質を励起して発光させる発光素子において、蛍
光物質は長残光特性を有することを特徴とするものであ
る。
【０００６】また、ＬＥＤチップは、その主発光ピーク
波長が４２０ｎｍ以下であることを特徴とするものであ
る。
波長が４２０ｎｍ以下であることを特徴とするものであ
る。
【０００７】また、長残光特性を有する蛍光物質は、希
士類付活二価金属アルミン酸塩、希士類付活二価金属ホ
ウ素置換アルミン酸塩、Ｅｕ付活及び希士類等共付活ケ
イ酸塩又はＥｕ付活希土類酸硫化物であることを特徴と
するものである。
士類付活二価金属アルミン酸塩、希士類付活二価金属ホ
ウ素置換アルミン酸塩、Ｅｕ付活及び希士類等共付活ケ
イ酸塩又はＥｕ付活希土類酸硫化物であることを特徴と
するものである。
【０００８】また、被覆材は、長残光特性を有する蛍光
物質と合成樹脂又は無機結合材との容量比で１０〜４０
０％の範囲で混合して成ることを特徴とするものであ
る。
物質と合成樹脂又は無機結合材との容量比で１０〜４０
０％の範囲で混合して成ることを特徴とするものであ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の発光素子について以下に
説明する。本発明の発光素子は、使用する主ピーク発光
波長が４２０ｎｍ以下の紫から青紫の色の光を発光する
ＬＥＤチップの表面に、このＬＥＤチップの発光で励起
され発光する長残光特性を有する蛍光物質を含む被覆材
を被着したものである。
説明する。本発明の発光素子は、使用する主ピーク発光
波長が４２０ｎｍ以下の紫から青紫の色の光を発光する
ＬＥＤチップの表面に、このＬＥＤチップの発光で励起
され発光する長残光特性を有する蛍光物質を含む被覆材
を被着したものである。
【００１０】長残光特性を有する蛍光物質としては、以
下のものを使用することができる。 １．希土類付活二価金属アルミン酸塩で構成されたも
の。 具体的には、ＭＡｌ2Ｏ4で表される化合物を母結晶と
し、付活剤及び共付活剤として各種希土類を用いたも
の。但し、Ｍは、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群から選
ばれた少なくとも一種の金属単体または化合物であり、
ＭにはＭｇを添加することもできる。例えば、ＳｒＡｌ
2Ｏ４：Ｅｕ，Ｄｙである。 ２．希土類付活二価金属ホウ素置換アルミン酸塩で構成
された組成のもの。 具体的には、ＭＯ（Ａｌ、Ｂ）2Ｏ3で表される化合物を
母結晶とし、付活剤としてＥｕ２＋、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｄｙ
及びＳｍからなる群から選ばれた少なくとも１種の二価
金属酸化物を用いたもの。但し、ＭＯは、ＭｇＯ、Ｃａ
Ｏ、ＺｎＯからなる群から選ばれた少なくとも１種の二
価金属酸化物である。 ３．Ｅｕ付活及び希土類等共付活ケイ酸塩で構成された
もの。 具体的には、ＭＯ、ｎＳｉＯ2：Ｅｕ、Ｍ′で表される
化合物。但し、Ｍは、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群か
ら選ばれた少なくとも一種の金属単体または化合物であ
る。Ｍ′は共付活剤であり、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、
Ｈｏ、Ｖ、Ｎｂ及びＴａからなる群から選ばれた少なく
とも一種の金属である。 ４．Ｅｕ付活希土類酸硫化物で構成されたもの。 具体的には、Ｍ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕで表される化合物を母結晶
とし、付活剤としてＥｕを用いたもの。但し、Ｍは、
Ｙ，Ｌａ及びＧｄからなる群から選ばれた少なくとも一
種の金属である。例えば、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕである。
下のものを使用することができる。 １．希土類付活二価金属アルミン酸塩で構成されたも
の。 具体的には、ＭＡｌ2Ｏ4で表される化合物を母結晶と
し、付活剤及び共付活剤として各種希土類を用いたも
の。但し、Ｍは、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群から選
ばれた少なくとも一種の金属単体または化合物であり、
ＭにはＭｇを添加することもできる。例えば、ＳｒＡｌ
2Ｏ４：Ｅｕ，Ｄｙである。 ２．希土類付活二価金属ホウ素置換アルミン酸塩で構成
された組成のもの。 具体的には、ＭＯ（Ａｌ、Ｂ）2Ｏ3で表される化合物を
母結晶とし、付活剤としてＥｕ２＋、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｄｙ
及びＳｍからなる群から選ばれた少なくとも１種の二価
金属酸化物を用いたもの。但し、ＭＯは、ＭｇＯ、Ｃａ
Ｏ、ＺｎＯからなる群から選ばれた少なくとも１種の二
価金属酸化物である。 ３．Ｅｕ付活及び希土類等共付活ケイ酸塩で構成された
もの。 具体的には、ＭＯ、ｎＳｉＯ2：Ｅｕ、Ｍ′で表される
化合物。但し、Ｍは、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群か
ら選ばれた少なくとも一種の金属単体または化合物であ
る。Ｍ′は共付活剤であり、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｄｙ、Ｅｒ、
Ｈｏ、Ｖ、Ｎｂ及びＴａからなる群から選ばれた少なく
とも一種の金属である。 ４．Ｅｕ付活希土類酸硫化物で構成されたもの。 具体的には、Ｍ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕで表される化合物を母結晶
とし、付活剤としてＥｕを用いたもの。但し、Ｍは、
Ｙ，Ｌａ及びＧｄからなる群から選ばれた少なくとも一
種の金属である。例えば、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕである。
【００１１】これらの長残光特性を有する蛍光体と短残
光特性の蛍光体との比較は、表１に示すとおりである。
本発明の長残光特性を有する蛍光体として、Ｙ2Ｏ2Ｓ：
Ｅｕ及びＳｒＡｌ2Ｏ4：Ｅｕ，Ｄｙを用い、短残光特性
の蛍光体としてはＺｎＳ：Ｃｕを用いた。そしてこれら
の蛍光体を含む被覆材を、定格順方向電圧が＋３．７
Ｖ、定格電流が２０ｍＡのＬＥＤチップで、主発光ピー
ク波長が３９５ｎｍの紫色から紫外光を発光するＬＥＤ
チップの表面に被着した上で、これをその定格の＋３．
７Ｖ、２０ｍＡで、かつ矩形波（１：１）の３０〜６０
Ｈｚの電源周波数で点滅駆動させて光を発光したとき
に、これらの発光素子が点滅して見えるか（×）、軽い
点滅（明滅）して見えるか（△）、または点灯したまま
に見えるか（○）を目視で確認したものである。
光特性の蛍光体との比較は、表１に示すとおりである。
本発明の長残光特性を有する蛍光体として、Ｙ2Ｏ2Ｓ：
Ｅｕ及びＳｒＡｌ2Ｏ4：Ｅｕ，Ｄｙを用い、短残光特性
の蛍光体としてはＺｎＳ：Ｃｕを用いた。そしてこれら
の蛍光体を含む被覆材を、定格順方向電圧が＋３．７
Ｖ、定格電流が２０ｍＡのＬＥＤチップで、主発光ピー
ク波長が３９５ｎｍの紫色から紫外光を発光するＬＥＤ
チップの表面に被着した上で、これをその定格の＋３．
７Ｖ、２０ｍＡで、かつ矩形波（１：１）の３０〜６０
Ｈｚの電源周波数で点滅駆動させて光を発光したとき
に、これらの発光素子が点滅して見えるか（×）、軽い
点滅（明滅）して見えるか（△）、または点灯したまま
に見えるか（○）を目視で確認したものである。
【表１】
【００１２】このように、本発明の長残光特性を有する
蛍光体を用いた発光素子にあっては、３５Ｈｚでは軽い
点滅（明滅）があるものの４０Ｈｚ以上では完全に点灯
したままに見えるのに対し、短残光特性の蛍光体を被着
させたＬＥＤチップでは、４０Ｈｚまでは点滅して見
え、５０Ｈｚでやっと点灯して見えるという結果であ
り、本発明の長残光特性を有する蛍光体の効果が明らか
になった。
蛍光体を用いた発光素子にあっては、３５Ｈｚでは軽い
点滅（明滅）があるものの４０Ｈｚ以上では完全に点灯
したままに見えるのに対し、短残光特性の蛍光体を被着
させたＬＥＤチップでは、４０Ｈｚまでは点滅して見
え、５０Ｈｚでやっと点灯して見えるという結果であ
り、本発明の長残光特性を有する蛍光体の効果が明らか
になった。
【００１３】図１は、本発明の発光素子の第１の実施例
を示している。この発光素子１０は、陰極リード１１を
接続するダイボンディングカップ１２上に、主発光ピー
ク波長が４２０ｎｍ以下で紫色から紫外光を発光するＬ
ＥＤチップ１３を配置し、ＬＥＤチップ１３の周囲を被
覆するようにダイボンディングカップ１２内に被覆材１
４を充填するとともに、ＬＥＤチップ１３とボンディン
グワイヤー１５で接続する陽極リード１６、上記陰極リ
ード線１１とともに全体を樹脂レンズ１７で砲弾型に形
成したものである。
を示している。この発光素子１０は、陰極リード１１を
接続するダイボンディングカップ１２上に、主発光ピー
ク波長が４２０ｎｍ以下で紫色から紫外光を発光するＬ
ＥＤチップ１３を配置し、ＬＥＤチップ１３の周囲を被
覆するようにダイボンディングカップ１２内に被覆材１
４を充填するとともに、ＬＥＤチップ１３とボンディン
グワイヤー１５で接続する陽極リード１６、上記陰極リ
ード線１１とともに全体を樹脂レンズ１７で砲弾型に形
成したものである。
【００１４】この被覆材１４は、上述した長残光特性を
有する蛍光物質と合成樹脂又は無機結合材とを容量比で
１０〜４００％の範囲で混合するか、合成樹脂又は無機
結合材の表面に蛍光物質を被着させるものとする。蛍光
物質と合成樹脂又は無機結合材とを混合させる場合に、
容量比が１０％未満では蛍光物質が不足して輝度が低く
なり、また４００％を越えると蛍光物質の発光が他の蛍
光物質に吸収される作用により必ずしも輝度が増加しな
い問題が生じ、これらのことから本発明の１０〜４００
％の範囲とすることで高輝度の発光が得られるものであ
る。また、合成樹脂又は無機結合材の表面に蛍光物質を
被着させる場合には、蛍光物質を密に被着させることで
も蛍光物質の発光が吸収されることなく高輝度の発光が
得られるものである。
有する蛍光物質と合成樹脂又は無機結合材とを容量比で
１０〜４００％の範囲で混合するか、合成樹脂又は無機
結合材の表面に蛍光物質を被着させるものとする。蛍光
物質と合成樹脂又は無機結合材とを混合させる場合に、
容量比が１０％未満では蛍光物質が不足して輝度が低く
なり、また４００％を越えると蛍光物質の発光が他の蛍
光物質に吸収される作用により必ずしも輝度が増加しな
い問題が生じ、これらのことから本発明の１０〜４００
％の範囲とすることで高輝度の発光が得られるものであ
る。また、合成樹脂又は無機結合材の表面に蛍光物質を
被着させる場合には、蛍光物質を密に被着させることで
も蛍光物質の発光が吸収されることなく高輝度の発光が
得られるものである。
【００１５】図２は、同じく本発明の発光素子の第２の
実施例であるチップ型の発光素子を示すものである。こ
の発光素子２０は、基板２１上に陰極リード２２を接続
するダイボンディングカップ２３を配置し、ダイボンデ
ィングカップ２３上にＬＥＤチップ２４を配置する。Ｌ
ＥＤチップ２４の周囲を被覆するようにダイボンディン
グカップ２３内に被覆材２５を充填するとともに、陰極
リード２２と、ＬＥＤチップ２４とボンディングワイヤ
ー２６で接続する陽極リード２７を基板２１に沿って下
方に配置するとともに、基板２１上面を樹脂レンズ２８
で凸状に形成したものである。この被覆材２５は、上記
第１の実施例の被覆材と同一のものを使用する。
実施例であるチップ型の発光素子を示すものである。こ
の発光素子２０は、基板２１上に陰極リード２２を接続
するダイボンディングカップ２３を配置し、ダイボンデ
ィングカップ２３上にＬＥＤチップ２４を配置する。Ｌ
ＥＤチップ２４の周囲を被覆するようにダイボンディン
グカップ２３内に被覆材２５を充填するとともに、陰極
リード２２と、ＬＥＤチップ２４とボンディングワイヤ
ー２６で接続する陽極リード２７を基板２１に沿って下
方に配置するとともに、基板２１上面を樹脂レンズ２８
で凸状に形成したものである。この被覆材２５は、上記
第１の実施例の被覆材と同一のものを使用する。
【００１６】このような構成からなる本発明の発光素子
にあっては、ＬＥＤチップを発光させると、その４２０
ｎｍ以下の発光が被覆材内の長残光特性を有する蛍光物
質を励起して各種可視光を発光するとともに、ＬＥＤチ
ップを消灯してもこの蛍光物質は減衰しながらも一定程
度の時間発光を継続するものである。
にあっては、ＬＥＤチップを発光させると、その４２０
ｎｍ以下の発光が被覆材内の長残光特性を有する蛍光物
質を励起して各種可視光を発光するとともに、ＬＥＤチ
ップを消灯してもこの蛍光物質は減衰しながらも一定程
度の時間発光を継続するものである。
【００１７】尚、上述した各実施例にあっては、凹部状
のダイボンディングカップの底部にＬＥＤチップを配置
した上でダイボンディングカップ内に被覆材を充填する
構成について説明したが、勿論これに限定されることは
なく、特に図示しないが、平板上にＬＥＤチップを載せ
これを被覆するように凸状に被覆材を盛り上げること
で、発光量が増加し高輝度が得られるようにしてもよい
ものである。
のダイボンディングカップの底部にＬＥＤチップを配置
した上でダイボンディングカップ内に被覆材を充填する
構成について説明したが、勿論これに限定されることは
なく、特に図示しないが、平板上にＬＥＤチップを載せ
これを被覆するように凸状に被覆材を盛り上げること
で、発光量が増加し高輝度が得られるようにしてもよい
ものである。
【００１８】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明の発光素子に
よれば、ＬＥＤチップ表面に蛍光物質を含む被覆材を被
着させこのＬＥＤチップの発光で上記蛍光物質を励起し
て発光させる発光素子において、蛍光物質は長残光特性
を有することで、ＬＥＤチップを間欠的に点滅させた場
合でも消灯時に蛍光物質が残光することにより点滅感や
明滅感を感じさせることのない連続発光が可能となり、
好適な省エネルギー効果を発揮することができる。
よれば、ＬＥＤチップ表面に蛍光物質を含む被覆材を被
着させこのＬＥＤチップの発光で上記蛍光物質を励起し
て発光させる発光素子において、蛍光物質は長残光特性
を有することで、ＬＥＤチップを間欠的に点滅させた場
合でも消灯時に蛍光物質が残光することにより点滅感や
明滅感を感じさせることのない連続発光が可能となり、
好適な省エネルギー効果を発揮することができる。
【図１】本発明の発光素子の第１の実施例を示す説明図
である。
である。
【図２】本発明の発光素子の第２の実施例を示す説明図
である。
である。
１０ 発光素子
１１ 陰極リード
１２ ダイボンディングカップ
１３ ＬＥＤチップ
１４ 被覆材
１５ ボンディングワイヤー
１６ 陽極リード
１７ 樹脂レンズ
２０ 発光素子
２１ 基板
２２ 陰極リード
２３ ダイボンディングカップ
２４ ＬＥＤチップ
２５ 被覆材
２６ ボンディングワイヤー
２７ 陽極リード
２８ 樹脂レンズ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 加藤 陽弘
東京都世田谷区三軒茶屋２−46−３ 岡谷
電機産業株式会社東京事業所内
Ｆターム(参考） 4H001 XA05 XA08 XA12 XA13 XA14
XA16 XA20 XA30 XA38 XA39
XA56 XA57 XA64 YA23 YA41
YA59 YA60 YA62 YA63 YA66
YA67 YA68 YA73
5F041 AA12 DA17 DA43 EE25
Claims (4)
- 【請求項１】 ＬＥＤチップ表面に蛍光物質を含む被覆
材を被着させ、このＬＥＤチップの発光で上記蛍光物質
を励起して発光させる発光素子において、蛍光物質は長
残光特性を有することを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】 ＬＥＤチップは、その主発光ピーク波長
が４２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載
の発光素子。 - 【請求項３】 長残光特性を有する蛍光物質は、希士類
付活二価金属アルミン酸塩、希士類付活二価金属ホウ素
置換アルミン酸塩、Ｅｕ付活及び希士類等共付活ケイ酸
塩又はＥｕ付活希土類酸硫化物であることを特徴とする
請求項１記載の発光素子。 - 【請求項４】 被覆材は、長残光特性を有する蛍光物質
と合成樹脂又は無機結合材との容量比で１０〜４００％
の範囲で混合して成ることを特徴とする請求項１記載の
発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001400726A JP2003197979A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001400726A JP2003197979A (ja) | 2001-12-28 | 2001-12-28 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004107623A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-04-08 | General Electric Co <Ge> | アルカリ土類金属及び第ｉｉｉｂ族金属の酸化物を含む蛍光体並びに該蛍光体を組み込んだ光源 |
| KR20070080694A (ko) * | 2006-02-08 | 2007-08-13 | 삼성전기주식회사 | 보라색 광을 이용한 백색 반도체 발광 소자 |
| JPWO2006033239A1 (ja) * | 2004-09-22 | 2008-05-15 | 株式会社東芝 | 発光装置とそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置 |
| KR100990337B1 (ko) * | 2004-02-19 | 2010-10-29 | 홍-유안 테크놀러지 씨오., 엘티디. | 발광 장치 제조 장비 |
| WO2012062014A1 (zh) * | 2010-11-09 | 2012-05-18 | 四川新力光源有限公司 | 脉冲电流驱动led白光发光装置 |
| JP2013526006A (ja) * | 2010-03-12 | 2013-06-20 | シチュアン サンフォー ライト カンパニー リミテッド | パルス電流駆動の白色光ｌｅｄ照明装置 |
| CN103887415A (zh) * | 2014-03-14 | 2014-06-25 | 深圳市联腾科技有限公司 | 长余辉led发光体、户外led显示屏及其余辉展示控制方法 |
| US9087973B1 (en) | 2014-06-20 | 2015-07-21 | Grote Industries, Llc | Egress and/or flicker-free lighting device with persistent luminescence |
| CN112951969A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-06-11 | 方显峰 | 一种长余辉led |
-
2001
- 2001-12-28 JP JP2001400726A patent/JP2003197979A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004107623A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-04-08 | General Electric Co <Ge> | アルカリ土類金属及び第ｉｉｉｂ族金属の酸化物を含む蛍光体並びに該蛍光体を組み込んだ光源 |
| KR100990337B1 (ko) * | 2004-02-19 | 2010-10-29 | 홍-유안 테크놀러지 씨오., 엘티디. | 발광 장치 제조 장비 |
| JP2012209565A (ja) * | 2004-09-22 | 2012-10-25 | Toshiba Corp | 発光装置の製造方法、バックライト、および液晶表示装置 |
| JPWO2006033239A1 (ja) * | 2004-09-22 | 2008-05-15 | 株式会社東芝 | 発光装置とそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置 |
| US8154190B2 (en) | 2004-09-22 | 2012-04-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Light emitting device with resin layer containing blue, green and red emitting phosphors which emits white light when excited by ultraviolet light |
| JP5086641B2 (ja) * | 2004-09-22 | 2012-11-28 | 株式会社東芝 | 発光装置とそれを用いたバックライトおよび液晶表示装置 |
| KR20070080694A (ko) * | 2006-02-08 | 2007-08-13 | 삼성전기주식회사 | 보라색 광을 이용한 백색 반도체 발광 소자 |
| JP2013526006A (ja) * | 2010-03-12 | 2013-06-20 | シチュアン サンフォー ライト カンパニー リミテッド | パルス電流駆動の白色光ｌｅｄ照明装置 |
| WO2012062014A1 (zh) * | 2010-11-09 | 2012-05-18 | 四川新力光源有限公司 | 脉冲电流驱动led白光发光装置 |
| CN103887415A (zh) * | 2014-03-14 | 2014-06-25 | 深圳市联腾科技有限公司 | 长余辉led发光体、户外led显示屏及其余辉展示控制方法 |
| WO2015135272A1 (zh) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | 江门市科恒实业股份有限公司 | 长余辉led发光体、户外led显示屏及其余辉展示控制方法 |
| US9087973B1 (en) | 2014-06-20 | 2015-07-21 | Grote Industries, Llc | Egress and/or flicker-free lighting device with persistent luminescence |
| CN112951969A (zh) * | 2021-03-30 | 2021-06-11 | 方显峰 | 一种长余辉led |
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