KR20070080694A - 보라색 광을 이용한 백색 반도체 발광 소자 - Google Patents

보라색 광을 이용한 백색 반도체 발광 소자 Download PDF

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Abstract

보라색 광을 이용한 백색 반도체 발광 소자가 개시된다.
개시된 반도체 발광 소자는, 보라색 파장의 베이스 광을 방출하는 발광칩; 상기 베이스 광의 일부에 의해 여기되어 상기 베이스 광과 다른 파장의 여기광을 발광시키는 적어도 하나의 형광체;를 포함하여, 5-10%의 보라색 베이스 광과 상기 여기광이 혼색되어 백색광을 방출한다.
상기 구성에 의해 광효율과 연색성이 향상된다.

Description

보라색 광을 이용한 백색 반도체 발광 소자{White light emitting device using violet light}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 백색 반도체 발광 소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2a는 본 발명에 따른 백색 반도체 발광 소자에서 베이스 광이 1% 남아 있을 때 파장에 따른 광세기를 나타낸 것이다.
도 2b는 본 발명에 따른 백색 반도체 발광 소자에서 베이스 광이 3% 남아 있을 때 파장에 따른 광세기를 나타낸 것이다.
도 2c는 본 발명에 따른 백색 반도체 발광 소자에서 베이스 광이 8% 남아 있을 때 파장에 따른 광세기를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 백색 반도체 발광 소자에서 베이스 광이 각각 8%와 6% 남아 있을 때 파장에 따른 광세기를 비교하여 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 백색 반도체 발광 소자에서 베이스광의 잔류량에 따른 CRI값을 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명에 따른 백색 반도체 발광 소자에서 베이스광의 잔류량에 따른 색 온도의 변화를 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 백색 반도체 발광 소자에서 베이스광의 잔류량에 따 른 색 좌표의 변화를 나타낸 것이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명에 따른 백색 반도체 발광 소자의 여러 가지 구조를 나타낸 것이다.
<도면 중 주요 부분에 대한 설명>
10,110...발광 칩, 15,130,150...형광체
BL...베이스 광, EL...여기광
100...베이스, 105...컵
115...리드프레임, 120...와이어
본 발명은 백색 반도체 발광 소자에 관한 것으로, 보라색 파장의 베이스 광의 일부 광을 이용하여 여기시키고 나머지 보라색 광과 여기광에 의해 백색광을 발광시키는 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
백색 발광 소자는 LCD 백라이트 유닛, 카레라폰 플래시, 전광판, 조명 등 그 적용 영역이 점점 확대되고 있어, 백색 발광 소자에 대한 연구 개발이 활발히 진행되고 있다. 백색 발광 소자의 제작 방법으로는, 단일 칩을 이용한 방법으로 청색이나 UV LED 칩 위에 형광물질을 결합하여 백색을 얻는 방법과, 멀티 칩을 이용한 방법으로 두 개 혹은 세 개의 서로 다른 파장의 광을 방출하는 LED 칩들을 조합하여 백색을 얻는 방법이 있다. 멀티 칩을 이용하여 백색을 구현하는 방법 중 하나가 R,G,B 세 개의 칩을 조합하여 제작한 것인데, 각각의 칩마다 동작 전압이 불균일하고, 주변 온도에 따라 각각의 칩의 출력이 변해 색 좌표가 달라지는 문제점이 있다. 따라서, 백색 발광 소자를 구현하는 방법으로 비교적 제작이 용이하고 효율이 우수한 단일 칩을 이용한 방법이 많이 이용된다. 예를 들어, 청색 발광 LED와, 청색 발광 LED에 의해 여기되어 황색을 발광하는 형광체를 조합하여 백색 LED를 제작한다. 또한, UV 발광 LED와, UV 발광 LED에 의해 여기된 복수 파장의 광을 혼합하여 백색을 구현하는 방법이 있는데, 이때 UV 광은 형광 물질을 여기시키기 위한 광으로 전체가 사용되며 백색광을 형성하는데 직접적으로 기여하지는 않는다.
한편, 백색광의 특성을 분석하는 지표로서, 상관 색온도 (CCT; Correlated Color Temperature)와 연색성 지수(CRI; Color Rendering Index)가 있다. 상관 색온도(CCT)는 물체가 가시 광선을 내며 빛나고 있을 때, 그 색이 어떤 온도의 흑체가 복사하는 색과 같을 때, 그 흑체의 온도와 물체의 온도가 같다고 보고 그 온도를 나타낸 것이다. 같은 백색광이라도 색온도가 낮으면 그 색이 좀더 따뜻하게 느껴지며, 색온도가 높으면 차게 느껴지므로, 색온도를 조절하여 다양한 색감을 연출할 수 있다.
또한, 연색성지수(CRI)는 태양광을 사물에 조사했을 때와 인공 조명을 조사했을 때, 사물의 색이 달라지는 정도를 나타내며, 사물의 색이 태양광에서와 같을 때 CRI 값을 100으로 정의한다. 즉, 연색성지수는 인공 조명하에서 사물의 색상이 태양광에서의 사물의 색상에 얼마나 근접한지를 나타내는 지수로서 0-100까지의 수치를 갖는다. CRI가 100에 접근하는 백색광원일수록 태양광에 가깝게 느껴지는 것 이다. 백열전구의 CRI는 80 이상이고, 형광램프는 75 이상인데 비하여 상용화된 백색 LED의 CRI는 대략 70-75 정도를 나타낸다.
따라서, 같은 백색광이라 하더라도 연색성을 높여 자연광에 가깝게 느낄 수 있도록 하는 것이 요구된다.
본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 보라색 광의 일부 광을 이용하여 적어도 하나의 형광체를 여기시키고, 이 여기광과 나머지 보라색 광을 혼합하여 백색광을 방출함으로써 광효율과 연색성이 우수한 백색 반도체 발광 소자를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 백색 반도체 발광 소자는, 보라색 파장의 베이스 광을 방출하는 발광칩; 상기 베이스 광의 일부에 의해 여기되어 상기 베이스 광과 다른 파장의 여기광을 발광시키는 적어도 하나의 형광체;를 포함하여, 5-10%의 보라색 베이스 광과 상기 여기광이 혼색되어 백색광을 방출하는 것을 특징으로 한다.
상기 베이스 광은 395-450nm 범위의 파장을 가진다.
상기 형광체는 황색 발광 형광체, 적색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체 및 청색 발광 형광체 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 황색 발광 형광체는 547-597 nm 파장대의 광을 발광한다.
상기 적색 발광 형광체는 580-700 nm 파장대의 광을 발광한다.
상기 녹색 발광 형광체는 490-580 nm 파장대의 광을 발광한다.
상기 청색 발광 형광체는 450-490 nm 파장대의 광을 발광한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 백색 반도체 발광 소자에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 백색 반도체 발광 소자를 개략적으로 도시한 것으로, 보라색 파장의 베이스 광(BL)을 방출하는 발광 칩(10)과, 상기 베이스 광(BL)의 일부에 의해 여기되는 적어도 하나의 형광체(15)를 포함한다. 상기 베이스 광(BL)은 395-450nm 의 파장 범위를 가지며, 베이스 광의 일부 광은 상기 형광체(15)를 여기시켜 상기 베이스 광(BL)과 다른 파장의 여기광(EL)을 방출하는데 사용되고, 나머지 베이스 광은 상기 여기광(EL)과 혼합되어 백색광을 방출하는데 사용된다.
바람직하게는 발광 칩(10)으로부터 발광된 베이스 광 중 5-10%의 광이 상기 여기광(EL)과 혼합되어 백색광을 방출한다. 베이스광의 일부가 형광체를 여기시켜 형광체는 베이스광보다 작은 파장의 광으로 변환된 광을 발광시키고, 이러한 변환된 여기광과 나머지 베이스광이 혼색되어 백색광을 발광한다.
베이스 광 중 백색광 형성을 위해 남은 잔류량에 따라 CCT와 CRI가 어떻게 영향을 받는지에 대해 알아보기 위해 시뮬레이션한 결과를 표로 나타내면 다음과 같다.
잔류 베이스광(%) lm/w CCT CRI
10 15.4 8949 94
8 18.7 5246 94
3 15.6 4856 93
1 14.6 4480 90
0 13.6 4500 88
표 1에 따르면, 잔류 베이스광이 없는 경우에 비해 잔류 베이스광이 10%까지 높아질수록 CRI 값이 향상됨을 알 수 있다. 도 2a는 베이스 광이 1% 잔류된 경우, 파장에 따른 광세기를 나타낸 것이고, 도 2b는 베이스 광이 3% 잔류된 경우, 파장에 따른 광세기를 나타낸 것이며, 도 2c는 베이스 광이 8% 잔류된 경우 파장에 따른 광세기를 나타낸 것이다.
도 3은 잔류 베이스 광이 8%일 때와 6%일 때 파장에 따른 광세기를 비교하여 나타낸 것으로, V로 표시된 부분이 보라색 파장대의 베이스 광을 나타낸다. 도 4를 참조하면, 베이스광이 0-10% 범위에서 잔류할 때, 잔류량에 따른 CRI 변화를 나타낸 것으로, 베이스광 전체가 형광체에 의해 다른 파장의 광으로 변환되고 잔류되지 않을 때에 비해, 베이스광의 일부가 남아 백색광을 형성하는데 기여할 때 CRI 가 향상됨을 보여준다. CRI는 잔류 베이스광이 1%일 때 7.3% 상승, 잔류 베이스광이 3%일 때 14.7% 상승, 잔류 베이스광이 8%일 때 잔류 베이스광이 없을 때에 비해 37.5% 상승, 잔류 베이스광이 10%일 때 13.2% 상승되었다. 본 발명에서는 CRI가 대략 13% 이상 상승되도록 베이스광이 3-10% 범위 내에서 남도록 하는 것이 좋다. 더욱 바람직하게는 베이스광이 5-10% 잔류하고, 나머지 베이스광이 형광물질에 의해 베이스광보다 작은 적어도 하나의 파장의 광으로 변환된다. 또한, 잔류 베이스광이 대략 8%일 때 가장 높은 CRI 값을 나타낸다. 상기 잔류 베이스광과 형광체에 의해 변환된 광이 혼합되어 백색광을 형성한다.
도 5는 베이스광의 잔류량에 따른 색온도의 변화를 나타낸 것으로, 베이스광의 잔류량이 1-11% 범위 내에서 증가할 때 색온도가 증가됨을 알 수 있다.
한편, 본 발명에서는 보라색 파장의 베이스광과, 상기 베이스광의 일부에 의해 황색 형광체, 청색 형광체, 녹색 형광체, 적색 형광체 중 적어도 하나로부터 여기된 광이 혼합되어 백색광이 형성된다. 예를 들어, 보라색 파장의 베이스광과 황색 파장의 여기광, 보라색 파장의 베이스광과 청색, 녹색, 적색 파장의 여기광이 혼합되어 백색광을 형성한다.
황색 형광체로는 (Sr(1-x-y)EuxMny)4Si(PO4)4 (0<x,y<0.2) 또는 (Ba, Sr, Ca, Mg)4Si(PO4)4:Eu,Mn이 사용되며, 적색 형광체로는 (Li(2-z)-xMx)(MoO4)y:Euz,Smq (여기서, M=K, Mg, Na, Ca, Sr, 또는 Ba)(0≤x≤2, 0.5≤y≤5, 0.001≤z≤1.5, 0.001≤q≤1.0) 또는 K5Eu2.5(WO4)6.25:Sm0.08 이 사용된다. 녹색 형광체로는 (Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+(0≤x≤1)이, 청색 형광체로는 Sr5(Sr5(PO4))3Cl:Eu이, Orange-red 형광체로는 (Sr1-x-yCazEuxMny)4Si(PO4)4 (0<x<0.2,0<y<0.2,0<z<0.5)이 사용된다.
상기 황색 발광 형광체는 547-597 nm 파장대의 광을 발광하며, 상기 적색 발광 형광체는 580-700 nm 파장대의 광을 발광하며, 상기 녹색 발광 형광체는 490-580 nm 파장대의 광을 발광하며, 상기 청색 발광 형광체는 450-490 nm 파장대의 광을 발광한다.
도 6은 색좌표를 나타낸 것으로, 베이스광의 일부가 형광체를 여기시키는데 사용되고 나머지 광이 여기광과 혼색되어 백색광을 형성하는데 기여하는 경우에 백색광(white)에 대한 스펙트럼 궤적을 나타낸 것이다. A, B, C, D, 및 E는 각각 잔류 베이스광이 10%, 8%, 3%, 1%, 및 0%일 때를 나타낸것이다. 베이스광의 전부가 형광체를 여기시키는데 사용된 경우에는 백색광 스펙트럼 궤적에서 상대적으로 많이 벗어나 있음을 알 수 있다. 다음 표는 보라색 파장의 베이스 광의 잔류 량에 따른 색좌표 (x,y) 및 밝기를 비교하여 나타낸 것이다.
잔류 베이스광(%) 전압 (V) 전류 (A) 전력 (W) 밝기 (lm) lm/W x y 피크 파장 (nm)
10 3.44 0.350 0.0742 19 15.4 0.28 0.30 449
8 3.48 0.350 0.0826 23 18,7 0.34 0.34 449
3 3.46 0.350 0.0617 19 15.6 0.35 0.37 451
1 3.50 0.350 0.0546 18 14.6 0.37 0.40 523
0 3.51 0.350 0.0493 17 13.6 0.37 0.41 524
도 7a는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 표면실장형 백색 반도체 발광 소자를 나타낸 것으로, 베이스(100)에 컵(105)이 형성되고, 상기 컵(105)의 바닥에 발광 칩(110)이 배치되며, 발광 칩(110)의 음극과 양극에 리드프레임(115)이 와이어(120) 본딩되어 있다. 상기 리드프레임(115)과 와이어(120)를 통해 발광 칩(110)에 전기가 공급되어 발광 칩(110)으로부터 베이스 광이 발광된다. 상기 컵(105) 내부에는 에폭시 수지 또는 실리콘 수지와 같은 광투과성 수지(125)에 형광체(130)가 고르게 혼합되어 있다. 발광 칩(110)은 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층을 포함하고, 리드프레임(115)을 통해 양극과 음극에 전압이 인가되면 p형 반도체층으로부터 정공이, n형 반도체층으로부터 전자가 활성층으로 공급된다. 활성층에서 정공과 전자가 결합하여 생성된 광이 발광 칩 밖으로 방출된다.
상기 발광 칩(110)은 보라색 파장의 광을 발광시키며, 상기 형광체(130)로는 앞서 설명한 황색 형광체, 청색 형광체, 녹색 형광체, 적색 형광체 중 적어도 하나가 혼합되어 있다. 상기 보라색 파장의 광의 잔류 량은 형광체의 양을 변화시켜 조절할 수 있으며, 형광체들의 혼합 비율을 변화시켜 색좌표 및 색온도, 연색성 지수의 조절이 가능하다.
도 7b는 형광체를 컵(105)의 상부에 형광막(150)으로 형성할 수도 있음을 보여준다. 여기서, 도 7a에서 사용된 참조 번호와 동일한 참조 번호를 사용한 부재는 실질적으로 동일한 작용 효과를 하는 것으로 여기서는 그 상세한 설명을 생략하기로 한다.
상기한 실시예 들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상을 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 하기의 특허청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 백색 반도체 발광 소자는 보라색 파장의 베이스 광의 일부를 형광체를 여기시키는데 사용하고, 나머지 베이스 광과 여기된 광을 혼합하여 백색 광을 형성함으로써 광효율을 높이고, CRI를 향상시킨다.

Claims (23)

  1. 보라색 파장의 베이스 광을 방출하는 발광칩;
    상기 베이스 광의 일부에 의해 여기되어 상기 베이스 광과 다른 파장의 여기광을 발광시키는 적어도 하나의 형광체;를 포함하여, 5-10%의 보라색 베이스 광과 상기 여기광이 혼색되어 백색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 백색 반도체 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 베이스 광은 395-450nm 범위의 파장을 가지는 것을 특징으로 하는 백색 반도체 발광 소자.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 황색 발광 형광체, 적색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체 및 청색 발광 형광체 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 황색 발광 형광체는 547-597 nm 파장대의 광을 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 적색 발광 형광체는 580-700 nm 파장대의 광을 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  6. 제 3항에 있어서,
    상기 녹색 발광 형광체는 490-580 nm 파장대의 광을 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  7. 제 3항에 있어서,
    상기 청색 발광 형광체는 450-490 nm 파장대의 광을 발광하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  8. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Sr(1-x-y)EuxMny)4Si(PO4)4 (0<x<0.2,0<y<0.2)인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  9. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Sr(1-x-y)EuxMny)4Si(PO4)4 (0<x<0.2,0<y<0.2)와 Sr5(Sr5(PO4))3Cl:Eu를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  10. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Sr(1-x-y)EuxMny)4Si(PO4)4 (0<x<0.2,0<y<0.2)와 (Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+(0≤x≤1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  11. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Sr(1-x-y)EuxMny)4Si(PO4)4 (0<x<0.2,0<y<0.2)와 (Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+(0≤x≤1)와 Sr5(Sr5(PO4))3Cl:Eu를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  12. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Sr(1-x-y)EuxMny)4Si(PO4)4 (0<x<0.2,0<y<0.2)와 K5Eu2.5(WO4)6.25:Sm0.08를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  13. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Sr(1-x-y)EuxMny)4Si(PO4)4 (0<x<0.2,0<y<0.2)와 (Li(2-z)- xMx)(MoO4)y:Euz, Smq (M=K, Mg, Na, Ca, Sr, 또는 Ba)(0≤x≤2, 0.5≤y≤5, 0.001≤z≤1.5, 0.001≤q≤1.0)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  14. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Sr(1-x-y)EuxMny)4Si(PO4)4 (0<x<0.2,0<y<0.2), (Li(2-z)-xMx)(MoO4)y:Euz, Smq (M=K, Mg, Na, Ca, Sr, 또는 Ba)(0≤x≤2, 0.5≤y≤5, 0.001≤z≤1.5, 0.001≤q≤1.0), Sr5(Sr5(PO4))3Cl:Eu를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  15. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Sr(1-x-y)EuxMny)4Si(PO4)4 (0<x<0.2,0<y<0.2), K5Eu2.5(WO4)6.25:Sm0.08, Sr5(Sr5(PO4))3Cl:Eu를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  16. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Ba1-xSrx)2SiO4:Eu와 (Li(2-z)-xMx)(MoO4)y:Euz, Smq (M=K, Mg, Na, Ca, Sr, 또는 Ba)(0≤x≤2, 0.5≤y≤5, 0.001≤z≤1.5, 0.001≤q≤1.0)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  17. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+(0≤x≤1)와 K5Eu2.5(WO4)6.25:Sm0.08를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  18. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 Sr5(Sr5(PO4))3Cl:Eu, (Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+(0≤x≤1) 및 (Li(2-z)-xMx)(MoO4)y:Euz, Smq (M=K, Mg, Na, Ca, Sr, 또는 Ba)(0≤x≤2, 0.5≤y≤5, 0.001≤z≤1.5, 0.001≤q≤1.0)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  19. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 Sr5(Sr5(PO4))3Cl:Eu, (Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+(0≤x≤1) 및 K5Eu2.5(WO4)6.25:Sm0.08를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  20. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Sr(1-x-y)EuxMny)4Si(PO4)4, (Li(2-z)-xMx)(MoO4)y:Euz, Smq (M=K, Mg, Na, Ca, Sr, 또는 Ba)(0≤x≤2, 0.5≤y≤5, 0.001≤z≤1.5, 0.001≤q≤1.0), (Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+(0≤x≤1) 및 Sr5(Sr5(PO4))3Cl:Eu를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  21. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Ba, Sr, Ca, Mg)4Si(PO4)4:Eu,Mn, (Li(2-z)-xMx)(MoO4)y:Euz, Smq (M=K, Mg, Na, Ca, Sr, 또는 Ba)(0≤x≤2, 0.5≤y≤5, 0.001≤z≤1.5, 0.001≤q≤1.0), (Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+(0≤x≤1) 및 Sr5(Sr5(PO4))3Cl:Eu를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  22. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Sr(1-x-y)EuxMny)4Si(PO4)4(0<x<0.2;0<y<0.2), K5Eu2.5(WO4)6.25:Sm0.08, (Ba1-xSrx)SiO4:Eu2+(0≤x≤1) 및 Sr5(Sr5(PO4))3Cl:Eu를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  23. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 형광체는 (Ba, Sr, Ca, Mg)4Si(PO4)4:Eu,Mn, K5Eu2 .5(WO4)6.25:Sm0 .08 (Ba1- xSrx)SiO4:Eu2+(0≤x≤1) 및 Sr5(Sr5(PO4))3Cl:Eu를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
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