JPH06314826A - 発光ダイオードアレイ - Google Patents
発光ダイオードアレイInfo
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- JPH06314826A JPH06314826A JP12515993A JP12515993A JPH06314826A JP H06314826 A JPH06314826 A JP H06314826A JP 12515993 A JP12515993 A JP 12515993A JP 12515993 A JP12515993 A JP 12515993A JP H06314826 A JPH06314826 A JP H06314826A
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- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
Abstract
(57)【要約】
【目的】 信号光受光面に反射光がノイズ信号として流
入しないようにする。 【構成】 光吸収壁４０は、ＬＥＤ光に対する光吸収性
の高い材料により構成されており、２０μｍ角の角柱状
の光吸収壁４０が発光部１１の左右両側１０μｍの位置
に発光部１１の列と平行に設けられている。このとき、
発光部１１から出力された光のうち、水平角度が３０゜
以下の光はこの光吸収壁４０の中を２０μｍ以上通過す
るので、その間にほとんどの光が吸収され、ボンディン
グワイヤ（図示せず）に照射されて反射する反射光の強
度は、十分弱いものとなり、受光面においてノイズとし
て検出されることはなくなる。
入しないようにする。 【構成】 光吸収壁４０は、ＬＥＤ光に対する光吸収性
の高い材料により構成されており、２０μｍ角の角柱状
の光吸収壁４０が発光部１１の左右両側１０μｍの位置
に発光部１１の列と平行に設けられている。このとき、
発光部１１から出力された光のうち、水平角度が３０゜
以下の光はこの光吸収壁４０の中を２０μｍ以上通過す
るので、その間にほとんどの光が吸収され、ボンディン
グワイヤ（図示せず）に照射されて反射する反射光の強
度は、十分弱いものとなり、受光面においてノイズとし
て検出されることはなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオードアレイ
に係り、特に、発光ダイオードから出力される光が周辺
の部品に反射して生じる不要な反射光を防止した発光ダ
イオードアレイに関するものである。
に係り、特に、発光ダイオードから出力される光が周辺
の部品に反射して生じる不要な反射光を防止した発光ダ
イオードアレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】発光ダイオードアレイ（以下、ＬＥＤア
レイとも記す）はディスプレイ装置の光源やプリンタ装
置のヘッド用光源などとして使用されている。そして、
これらの機器に現在使用されているＬＥＤアレイは最も
高密度のもので８００ｄｐｉ程度である。
レイとも記す）はディスプレイ装置の光源やプリンタ装
置のヘッド用光源などとして使用されている。そして、
これらの機器に現在使用されているＬＥＤアレイは最も
高密度のもので８００ｄｐｉ程度である。
【０００３】ここで、この８００ｄｐｉのＬＥＤアレイ
について、図５と共に説明する。図５（Ａ）は従来の発
光ダイオードアレイを示す断面図、同図（Ｂ）は同平面
図である。このＬＥＤアレイは、ＬＥＤアレイチップ１
０上にアレイ状に並べて形成された複数の発光部１１
と、この発光部１１と同じ数のワイヤボンディングパッ
ド部（以下、Ｗ／Ｂパッドと記す）１２が発光部１１の
列の両側に２段づつに並べて形成され、各発光部１１と
Ｗ／Ｂパッド１２とは、それぞれ配線電極部１３によっ
て接続されている。そして、ＬＥＤアレイチップ１０の
裏面には電極１４が設けられている。また、ＬＥＤアレ
イチップ１０上のそれぞれのＷ／Ｂパッド１２には、そ
れぞれＡｕ、Ａｌなどのボンディングワイヤ３０の一端
側がボンディングされ、その他端側は、ＬＥＤアレイ駆
動用ＩＣチップ２０上のＷ／Ｂパッド２２にボンディン
グされており、ＬＥＤアレイチップ１０のＷ／Ｂパッド
１２とＩＣチップ２０のＷ／Ｂパッド２２を電気的に接
続している。なお、ＬＥＤアレイチップ１０とＩＣチッ
プ２０は、共にプリント基板等の実装基板５０上に配置
されている。
について、図５と共に説明する。図５（Ａ）は従来の発
光ダイオードアレイを示す断面図、同図（Ｂ）は同平面
図である。このＬＥＤアレイは、ＬＥＤアレイチップ１
０上にアレイ状に並べて形成された複数の発光部１１
と、この発光部１１と同じ数のワイヤボンディングパッ
ド部（以下、Ｗ／Ｂパッドと記す）１２が発光部１１の
列の両側に２段づつに並べて形成され、各発光部１１と
Ｗ／Ｂパッド１２とは、それぞれ配線電極部１３によっ
て接続されている。そして、ＬＥＤアレイチップ１０の
裏面には電極１４が設けられている。また、ＬＥＤアレ
イチップ１０上のそれぞれのＷ／Ｂパッド１２には、そ
れぞれＡｕ、Ａｌなどのボンディングワイヤ３０の一端
側がボンディングされ、その他端側は、ＬＥＤアレイ駆
動用ＩＣチップ２０上のＷ／Ｂパッド２２にボンディン
グされており、ＬＥＤアレイチップ１０のＷ／Ｂパッド
１２とＩＣチップ２０のＷ／Ｂパッド２２を電気的に接
続している。なお、ＬＥＤアレイチップ１０とＩＣチッ
プ２０は、共にプリント基板等の実装基板５０上に配置
されている。
【０００４】そして、市販されている最も細いボンディ
ングワイヤ３０としては直径が２０μｍ程度のものもあ
るが、信頼性その他の理由から、高密度実装に使用され
るボンディングワイヤ３０としては２５μｍ径のものが
多い。このようなＬＥＤアレイの場合、発光部１１の列
の左右上方には多数のボンディングワイヤ３０が配置さ
れることになり、これら多数のボンディングワイヤ３０
によって発光部１１から発光される光が乱反射される。
ングワイヤ３０としては直径が２０μｍ程度のものもあ
るが、信頼性その他の理由から、高密度実装に使用され
るボンディングワイヤ３０としては２５μｍ径のものが
多い。このようなＬＥＤアレイの場合、発光部１１の列
の左右上方には多数のボンディングワイヤ３０が配置さ
れることになり、これら多数のボンディングワイヤ３０
によって発光部１１から発光される光が乱反射される。
【０００５】また、本発明者らは空間光変調素子を用い
た投射型高精細ディスプレイ装置において空間光変調素
子への書き込み光源として利用する１６００ｄｐｉのＬ
ＥＤアレイを開発している。そして、この１６００ｄｐ
ｉのＬＥＤアレイでは、Ｗ／Ｂパッド１２を発光部１１
の列の両側に４段づつに並べて形成しているので、ボン
ディングワイヤ３０による配線も、より高密度となる。
その結果、各発光部１１から放射された光が、このボン
ディングワイヤ３０によって反射される量も増加して、
ボンディングワイヤ３０が反射性の高い反射壁のように
作用することとなる。
た投射型高精細ディスプレイ装置において空間光変調素
子への書き込み光源として利用する１６００ｄｐｉのＬ
ＥＤアレイを開発している。そして、この１６００ｄｐ
ｉのＬＥＤアレイでは、Ｗ／Ｂパッド１２を発光部１１
の列の両側に４段づつに並べて形成しているので、ボン
ディングワイヤ３０による配線も、より高密度となる。
その結果、各発光部１１から放射された光が、このボン
ディングワイヤ３０によって反射される量も増加して、
ボンディングワイヤ３０が反射性の高い反射壁のように
作用することとなる。
【０００６】このように、ＬＥＤアレイにおいて、発光
部１１の列の横上方にボンディングワイヤ３０等の光反
射性を有する部品が配置された場合は、ＬＥＤアレイの
光を受光する受光面（受光素子）に発光部１１からの直
接光と反射光の両方が照射されることになる。
部１１の列の横上方にボンディングワイヤ３０等の光反
射性を有する部品が配置された場合は、ＬＥＤアレイの
光を受光する受光面（受光素子）に発光部１１からの直
接光と反射光の両方が照射されることになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＬＥＤアレイの発光部
から出力される信号光が発光部の列の横上方に設けられ
た部品によって反射されると、発光部からの直接光を受
光するための受光面にこの反射光が流入してノイズ信号
として作用するため、本来受光すべき受光素子以外の受
光素子にこの反射光が流入して検知されると、本来の発
光部からは発光していないにもかかわらず、発光された
ものとして誤動作を起こす原因となっていた。
から出力される信号光が発光部の列の横上方に設けられ
た部品によって反射されると、発光部からの直接光を受
光するための受光面にこの反射光が流入してノイズ信号
として作用するため、本来受光すべき受光素子以外の受
光素子にこの反射光が流入して検知されると、本来の発
光部からは発光していないにもかかわらず、発光された
ものとして誤動作を起こす原因となっていた。
【０００８】そして、特に、１６００ｄｐｉのＬＥＤア
レイ等、発光部を高密度に集積した場合には、ボンディ
ングワイヤ等も高密度化して反射光が増加し、さらに各
受光部も互いに近接し、かつ高感度化したものを用いる
場合が多くなるので、反射光に対する対策が必要となっ
ていた。
レイ等、発光部を高密度に集積した場合には、ボンディ
ングワイヤ等も高密度化して反射光が増加し、さらに各
受光部も互いに近接し、かつ高感度化したものを用いる
場合が多くなるので、反射光に対する対策が必要となっ
ていた。
【０００９】そこで、本発明は、信号光受光面に反射光
がノイズ信号として流入しない（あるいは受光素子が反
射光を検出しないようにその強度を十分に弱める）よう
にしたＬＥＤアレイを提供することを目的とする。
がノイズ信号として流入しない（あるいは受光素子が反
射光を検出しないようにその強度を十分に弱める）よう
にしたＬＥＤアレイを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の手段として、半導体基板上に複数の発光ダイオードが
列状に形成された発光ダイオードアレイにおいて、前記
半導体基板上に前記発光ダイオード列と平行な光吸収壁
を設けたことを特徴とする発光ダイオードアレイを提供
しようとするものである。
の手段として、半導体基板上に複数の発光ダイオードが
列状に形成された発光ダイオードアレイにおいて、前記
半導体基板上に前記発光ダイオード列と平行な光吸収壁
を設けたことを特徴とする発光ダイオードアレイを提供
しようとするものである。
【００１１】
【実施例】図６は１６００ｄｐｉのＬＥＤアレイを発光
部１１のアレイ方向に対して垂直方向に裁断したときの
断面図である。同図において、ＬＥＤアレイチップ（半
導体基板）１０上にアレイ状に並べて形成された複数の
発光部（発光ダイオード）１１と、この発光部１１と同
じ数のワイヤボンディングパッド部（以下、Ｗ／Ｂパッ
ドと記す）１２が発光部１１の列の両側（図では片側の
み示す）に４段づつに並べて形成され、各発光部１１と
Ｗ／Ｂパッド１２とは、それぞれ配線電極部１３によっ
て接続されている。そして、ＬＥＤアレイチップ１０の
裏面には電極（図示せず）が設けられている。
部１１のアレイ方向に対して垂直方向に裁断したときの
断面図である。同図において、ＬＥＤアレイチップ（半
導体基板）１０上にアレイ状に並べて形成された複数の
発光部（発光ダイオード）１１と、この発光部１１と同
じ数のワイヤボンディングパッド部（以下、Ｗ／Ｂパッ
ドと記す）１２が発光部１１の列の両側（図では片側の
み示す）に４段づつに並べて形成され、各発光部１１と
Ｗ／Ｂパッド１２とは、それぞれ配線電極部１３によっ
て接続されている。そして、ＬＥＤアレイチップ１０の
裏面には電極（図示せず）が設けられている。
【００１２】また、ＬＥＤアレイチップ１０上のそれぞ
れのＷ／Ｂパッド１２には、それぞれＡｕ、Ａｌなどの
ボンディングワイヤ３０の一端側がボンディングされ、
その他端側は、ＬＥＤアレイ駆動用ＩＣチップ２０上の
Ｗ／Ｂパッド２２にボンディングされており、ＬＥＤア
レイチップ１０のＷ／Ｂパッド１２とＩＣチップ２０の
Ｗ／Ｂパッド２２を電気的に接続している。なお、ＬＥ
Ｄアレイチップ１０とＩＣチップ２０は、共にプリント
基板等の実装基板５０上に配置されている。そして、こ
の図のようにしてボンディングワイヤ３０の配線を行っ
た場合、発光部１１からＷ／Ｂパッド１２までの距離
は、約５０００μｍであり、このとき発光部１１から出
力される光のうち、ボンディングワイヤ３０によって反
射される光は、照射水平角度が３０゜以下のものであ
る。
れのＷ／Ｂパッド１２には、それぞれＡｕ、Ａｌなどの
ボンディングワイヤ３０の一端側がボンディングされ、
その他端側は、ＬＥＤアレイ駆動用ＩＣチップ２０上の
Ｗ／Ｂパッド２２にボンディングされており、ＬＥＤア
レイチップ１０のＷ／Ｂパッド１２とＩＣチップ２０の
Ｗ／Ｂパッド２２を電気的に接続している。なお、ＬＥ
Ｄアレイチップ１０とＩＣチップ２０は、共にプリント
基板等の実装基板５０上に配置されている。そして、こ
の図のようにしてボンディングワイヤ３０の配線を行っ
た場合、発光部１１からＷ／Ｂパッド１２までの距離
は、約５０００μｍであり、このとき発光部１１から出
力される光のうち、ボンディングワイヤ３０によって反
射される光は、照射水平角度が３０゜以下のものであ
る。
【００１３】したがって、ＬＥＤアレイチップ１０上の
発光部１１の列の近傍に、発光部１１の列と平行に光吸
収壁４０を設け、発光部１１から出力される光を反射す
る部品（ボンディングワイヤ３０）に直接照射しないよ
うにすれば反射光を防止することができる。そして、図
６に示したＬＥＤアレイチップ１０上にこの光吸収壁４
０を設ける場合は、発光部１１から出力される光のうち
３０゜以下の光を遮る高さと十分に吸収する厚みとを有
することにより、反射部品によって生じる反射光をなく
す、または無視できる程度まで弱めることができ、ノイ
ズ信号を防止することが可能となる。
発光部１１の列の近傍に、発光部１１の列と平行に光吸
収壁４０を設け、発光部１１から出力される光を反射す
る部品（ボンディングワイヤ３０）に直接照射しないよ
うにすれば反射光を防止することができる。そして、図
６に示したＬＥＤアレイチップ１０上にこの光吸収壁４
０を設ける場合は、発光部１１から出力される光のうち
３０゜以下の光を遮る高さと十分に吸収する厚みとを有
することにより、反射部品によって生じる反射光をなく
す、または無視できる程度まで弱めることができ、ノイ
ズ信号を防止することが可能となる。
【００１４】図１は、本発明の発光ダイオードアレイの
一実施例を示す発光部１１のアレイ方向に対して垂直方
向に裁断したときの拡大断面図であり、図６に示す１６
００ｄｐｉのＬＥＤアレイに光吸収壁４０を設けた場合
を示すものである。そして、発光部１１は、紙面垂直方
向に並んだアレイとなっており、後述する光吸収壁４０
は、紙面垂直方向に延びた略直方体となっている。同図
において、光吸収壁４０は、アモルファスシリコンやカ
ドミウム・テルル合金等、ＬＥＤ光に対する光吸収性の
高い材料により構成されており、２０μｍ角の角柱状の
光吸収壁４０が発光部１１の左右両側１０μｍの位置に
発光部１１の列と平行に設けられている。
一実施例を示す発光部１１のアレイ方向に対して垂直方
向に裁断したときの拡大断面図であり、図６に示す１６
００ｄｐｉのＬＥＤアレイに光吸収壁４０を設けた場合
を示すものである。そして、発光部１１は、紙面垂直方
向に並んだアレイとなっており、後述する光吸収壁４０
は、紙面垂直方向に延びた略直方体となっている。同図
において、光吸収壁４０は、アモルファスシリコンやカ
ドミウム・テルル合金等、ＬＥＤ光に対する光吸収性の
高い材料により構成されており、２０μｍ角の角柱状の
光吸収壁４０が発光部１１の左右両側１０μｍの位置に
発光部１１の列と平行に設けられている。
【００１５】このとき、発光部１１から出力された光の
うち、水平角度が３０゜以上の光はこの光吸収壁４０の
中を２０μｍ以上通過するので、その間にほとんどの光
が吸収され、ボンディングワイヤ３０（図６参照）に照
射されて反射する反射光の強度は、十分弱いものとな
り、受光面においてノイズとして検出されることはなく
なる。
うち、水平角度が３０゜以上の光はこの光吸収壁４０の
中を２０μｍ以上通過するので、その間にほとんどの光
が吸収され、ボンディングワイヤ３０（図６参照）に照
射されて反射する反射光の強度は、十分弱いものとな
り、受光面においてノイズとして検出されることはなく
なる。
【００１６】次に、ＬＥＤアレイチップ１０の要部の断
面図により製造工程を示した図２（Ａ）〜（Ｄ）を参照
しながら、光吸収壁４０の材料としてアモルファスシリ
コンを用いた場合の光吸収壁４０の製造方法の一実施例
について説明する。まず、同図（Ａ）に示すように、Ｌ
ＥＤアレイチップ１０に拡散などにより、発光部１１を
列状に設け、ＳｉＮまたはＳｉＯ2 などの絶縁膜１５を
成膜して各発光部１１上を窓開けしてから図示せぬＷ／
Ｂパッド１２と共に配線電極１３を形成し、さらにＷ／
Ｂパッド１２を除く最表面はＳｉＮx 膜１６を成膜して
表面を保護する。
面図により製造工程を示した図２（Ａ）〜（Ｄ）を参照
しながら、光吸収壁４０の材料としてアモルファスシリ
コンを用いた場合の光吸収壁４０の製造方法の一実施例
について説明する。まず、同図（Ａ）に示すように、Ｌ
ＥＤアレイチップ１０に拡散などにより、発光部１１を
列状に設け、ＳｉＮまたはＳｉＯ2 などの絶縁膜１５を
成膜して各発光部１１上を窓開けしてから図示せぬＷ／
Ｂパッド１２と共に配線電極１３を形成し、さらにＷ／
Ｂパッド１２を除く最表面はＳｉＮx 膜１６を成膜して
表面を保護する。
【００１７】そして、同図（Ｂ）に示すように、ＳｉＮ
x 膜１６の上にスパッタ法によりアモルファスシリコン
膜４１を厚さ２０μｍまで堆積させる。さらに、その上
に、アモルファスシリコン膜４１が発光部１１の列から
それぞれ１０μｍ離れた位置に２０μｍ幅で発光部１１
の列と平行に残るように、ＳｉＮx などのフォトレジス
ト１７をパターニングしてエッチングマスクとし、アモ
ルファスシリコン４１をこのフォトレジスト１７に対し
て選択的にエッチングできるエッチャント、例えばＥＰ
Ｗエッチング液を使用してアモルファスシリコン４１を
選択的にエッチングして、同図（Ｃ）に示すような光吸
収壁４０を形成する。その後、フォトレジスト１７を剥
離することにより、同図（Ｄ）に示すように完成する。
このように、光吸収壁４０は簡単に形成することができ
る。
x 膜１６の上にスパッタ法によりアモルファスシリコン
膜４１を厚さ２０μｍまで堆積させる。さらに、その上
に、アモルファスシリコン膜４１が発光部１１の列から
それぞれ１０μｍ離れた位置に２０μｍ幅で発光部１１
の列と平行に残るように、ＳｉＮx などのフォトレジス
ト１７をパターニングしてエッチングマスクとし、アモ
ルファスシリコン４１をこのフォトレジスト１７に対し
て選択的にエッチングできるエッチャント、例えばＥＰ
Ｗエッチング液を使用してアモルファスシリコン４１を
選択的にエッチングして、同図（Ｃ）に示すような光吸
収壁４０を形成する。その後、フォトレジスト１７を剥
離することにより、同図（Ｄ）に示すように完成する。
このように、光吸収壁４０は簡単に形成することができ
る。
【００１８】なお、この実施例では光吸収壁４０の側壁
面は垂直となっているが、本発明はこれに特定するのも
のではなく、他の形状、例えば順テーパや逆テーパ状で
あってもよい。但し、発光部１１に面した側壁面は、壁
面に到来した光が壁面上で反射しにくい形状、あるいは
反射しても、受光面上の直接光を検出する部分と同じ部
分に反射光を集光するか、逆に反射光が受光面に到達し
ない形状に、側壁面を形成するようにするのが望まし
い。また、光吸収壁４０の発光部１１に面した側壁面で
の反射を抑えるためには、公知の手法により反射防止膜
を光吸収壁の表面にコーティングしたり、側壁面を逆ス
パッタ法などにより荒くすることも効果的である。
面は垂直となっているが、本発明はこれに特定するのも
のではなく、他の形状、例えば順テーパや逆テーパ状で
あってもよい。但し、発光部１１に面した側壁面は、壁
面に到来した光が壁面上で反射しにくい形状、あるいは
反射しても、受光面上の直接光を検出する部分と同じ部
分に反射光を集光するか、逆に反射光が受光面に到達し
ない形状に、側壁面を形成するようにするのが望まし
い。また、光吸収壁４０の発光部１１に面した側壁面で
の反射を抑えるためには、公知の手法により反射防止膜
を光吸収壁の表面にコーティングしたり、側壁面を逆ス
パッタ法などにより荒くすることも効果的である。
【００１９】図３は、本発明の他の実施例を示すもので
あり、光吸収壁４０の材料として、厚膜フォトレジスト
等、上述したアモルファスシリコンやカドミウム・テル
ル合金などに比べてＬＥＤ光に対する光吸収性が低い高
分子材料を使用した場合を示すものである。この場合、
光吸収壁４０の高さ及び厚みを上述した実施例よりも大
きくする必要があり、同図に示す例では高さを４０μ
ｍ、厚みを１００μｍとした光吸収壁４０を発光部１１
の左右両側１０μｍの位置に設けている。そして、この
ような大きさにすることにより、発光部１１から出力さ
れる３０゜以下の光が、光吸収壁４０内を通過する際の
光路長を長くして吸収量を増加させている。
あり、光吸収壁４０の材料として、厚膜フォトレジスト
等、上述したアモルファスシリコンやカドミウム・テル
ル合金などに比べてＬＥＤ光に対する光吸収性が低い高
分子材料を使用した場合を示すものである。この場合、
光吸収壁４０の高さ及び厚みを上述した実施例よりも大
きくする必要があり、同図に示す例では高さを４０μ
ｍ、厚みを１００μｍとした光吸収壁４０を発光部１１
の左右両側１０μｍの位置に設けている。そして、この
ような大きさにすることにより、発光部１１から出力さ
れる３０゜以下の光が、光吸収壁４０内を通過する際の
光路長を長くして吸収量を増加させている。
【００２０】また、第４図に示すように、光吸収壁４０
の上面及び発光部１１と反対側の側壁面に、モリブデン
等のＬＥＤ光に対する反射性が非常に高い材料からなる
反射薄膜４２を形成しても良い。そして、このような構
造とした場合、光吸収壁４０に入射した光は、反射薄膜
４２とＬＥＤアレイチップ１０の表面との間で繰り返し
反射され、その間に光吸収壁４０によって吸収されるた
め、光吸収壁４０の吸収効率がさらに向上する。このた
め、光吸収壁４０の材料として、ＬＥＤ光に対する光吸
収性が低い高分子材料を使用した場合でも、光吸収壁４
０の大きさを小さくすることができる。
の上面及び発光部１１と反対側の側壁面に、モリブデン
等のＬＥＤ光に対する反射性が非常に高い材料からなる
反射薄膜４２を形成しても良い。そして、このような構
造とした場合、光吸収壁４０に入射した光は、反射薄膜
４２とＬＥＤアレイチップ１０の表面との間で繰り返し
反射され、その間に光吸収壁４０によって吸収されるた
め、光吸収壁４０の吸収効率がさらに向上する。このた
め、光吸収壁４０の材料として、ＬＥＤ光に対する光吸
収性が低い高分子材料を使用した場合でも、光吸収壁４
０の大きさを小さくすることができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明の発光ダイオードアレイは、半導
体基板上に発光ダイオード列と平行な光吸収壁を設けた
ので、周囲に散乱する光を吸収することができる。ま
た、半導体基板上の発光部横上方に配置された発光ダイ
オードから出力された光を反射する部品と発光ダイオー
ド列との間に、発光ダイオード列と平行に光吸収壁を設
けた場合には、周辺部品で反射して受光面に達する反射
光を防止または無視できる程度まで弱めることができる
ので、受光面でのノイズが減少し、誤動作を防ぐことが
できる。この結果、ＬＥＤプリンタや投射型高精細ディ
スプレイ装置等、特に高密度化した発光ダイオードアレ
イを使用する機器においても、鮮明な濃度ムラの無い画
像を得ることができるという効果がある。
体基板上に発光ダイオード列と平行な光吸収壁を設けた
ので、周囲に散乱する光を吸収することができる。ま
た、半導体基板上の発光部横上方に配置された発光ダイ
オードから出力された光を反射する部品と発光ダイオー
ド列との間に、発光ダイオード列と平行に光吸収壁を設
けた場合には、周辺部品で反射して受光面に達する反射
光を防止または無視できる程度まで弱めることができる
ので、受光面でのノイズが減少し、誤動作を防ぐことが
できる。この結果、ＬＥＤプリンタや投射型高精細ディ
スプレイ装置等、特に高密度化した発光ダイオードアレ
イを使用する機器においても、鮮明な濃度ムラの無い画
像を得ることができるという効果がある。
【００２２】さらに、光吸収壁の材料として、アモルフ
ァスシリコンまたはカドミウムテルル膜を用いた場合に
は、光の吸収性が高く、光吸収壁を小さくすることがで
きる。そして、光吸収壁の材料として、有機高分子材料
を用いた場合には、光吸収性を有する各種材料のなかか
ら適宜選択して使用することができる。また、光吸収壁
の上面及び発光ダイオード列と反対側の側壁面に反射率
の高い膜を形成した場合には、より効率良く光吸収する
ことができ、光吸収壁を小さくすることができる。そし
て、光吸収壁の発光ダイオード列側の側壁面に反射防止
膜を形成した場合には、光吸収壁そのものによる反射も
防止することができる。
ァスシリコンまたはカドミウムテルル膜を用いた場合に
は、光の吸収性が高く、光吸収壁を小さくすることがで
きる。そして、光吸収壁の材料として、有機高分子材料
を用いた場合には、光吸収性を有する各種材料のなかか
ら適宜選択して使用することができる。また、光吸収壁
の上面及び発光ダイオード列と反対側の側壁面に反射率
の高い膜を形成した場合には、より効率良く光吸収する
ことができ、光吸収壁を小さくすることができる。そし
て、光吸収壁の発光ダイオード列側の側壁面に反射防止
膜を形成した場合には、光吸収壁そのものによる反射も
防止することができる。
【図１】本発明の発光ダイオードアレイの一実施例を示
す拡大断面図である。
す拡大断面図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は図１に示した発光ダイオード
アレイの製造方法を示す工程図である。
アレイの製造方法を示す工程図である。
【図３】本発明の発光ダイオードアレイの他の実施例を
示す拡大断面図である。
示す拡大断面図である。
【図４】本発明の発光ダイオードアレイの応用例を示す
拡大断面図である。
拡大断面図である。
【図５】（Ａ）は８００ｄｐｉの発光ダイオードアレイ
を示す側面図、（Ｂ）は同平面図である。
を示す側面図、（Ｂ）は同平面図である。
【図６】１６００ｄｐｉの発光ダイオードアレイを示す
側面図である。
側面図である。
１０ ＬＥＤアレイチップ（半導体基板） １１ 発光部（発光ダイオード） １２，２２ ワイヤボンディングパッド（Ｗ／Ｂパッ
ド） １３ 配線電極 １４ 裏面電極 １５ 絶縁膜 １６ ＳｉＮx 膜 １７ フォトレジスト ２０ ＬＥＤアレイ駆動用ＩＣチップ ３０ ボンディングワイヤ ４０ 光吸収壁 ４１ アモルファスシリコン膜 ４２ 反射薄膜 ５０ 実装基板
ド） １３ 配線電極 １４ 裏面電極 １５ 絶縁膜 １６ ＳｉＮx 膜 １７ フォトレジスト ２０ ＬＥＤアレイ駆動用ＩＣチップ ３０ ボンディングワイヤ ４０ 光吸収壁 ４１ アモルファスシリコン膜 ４２ 反射薄膜 ５０ 実装基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/125 Ａ 7247−5Ｄ
Claims (6)
- 【請求項１】半導体基板上に複数の発光ダイオードが列
状に形成された発光ダイオードアレイにおいて、 前記半導体基板上に前記発光ダイオード列と平行な光吸
収壁を設けたことを特徴とする発光ダイオードアレイ。 - 【請求項２】半導体基板上に複数の発光ダイオードが列
状に形成された発光ダイオードアレイにおいて、 前記半導体基板上の発光部横上方に配置された発光ダイ
オードから出力された光を反射する部品と発光ダイオー
ド列との間に、発光ダイオード列と平行に光吸収壁を設
けたことを特徴とする発光ダイオードアレイ。 - 【請求項３】光吸収壁の材料として、アモルファスシリ
コンまたはカドミウム・テルル合金を用いたことを特徴
とする請求項１または請求項２記載の発光ダイオードア
レイ。 - 【請求項４】光吸収壁の材料として、有機高分子材料を
用いたことを特徴とする請求項１または請求項２記載の
発光ダイオードアレイ。 - 【請求項５】光吸収壁の上面及び発光ダイオード列と反
対側の側壁面に反射率の高い膜を形成したことを特徴と
する請求項１、請求項２、請求項３または請求項４記載
の発光ダイオードアレイ。 - 【請求項６】光吸収壁の発光ダイオード列側の側壁面に
反射防止膜を形成したことを特徴とする請求項１、請求
項２、請求項３、請求項４または請求項５記載の発光ダ
イオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12515993A JPH06314826A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 発光ダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12515993A JPH06314826A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 発光ダイオードアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314826A true JPH06314826A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14903343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12515993A Pending JPH06314826A (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 発光ダイオードアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06314826A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001018451A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 発光素子アレイを用いた光学装置 |
| JP2008124372A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Fuji Xerox Co Ltd | Ｌｅｄアレイ、ｌｅｄアレイヘッド及び画像記録装置 |
| JP2010003890A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Oki Data Corp | 複合半導体装置及びプリントヘッド及び画像形成装置 |
| JP5157896B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2013-03-06 | 富士ゼロックス株式会社 | マイクロレンズ付き発光素子アレイ及び光書込みヘッド |
| JP2014209656A (ja) * | 1996-07-29 | 2014-11-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置と表示装置 |
-
1993
- 1993-04-28 JP JP12515993A patent/JPH06314826A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014209656A (ja) * | 1996-07-29 | 2014-11-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置と表示装置 |
| JP2001018451A (ja) * | 1999-07-12 | 2001-01-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 発光素子アレイを用いた光学装置 |
| JP4625996B2 (ja) * | 1999-07-12 | 2011-02-02 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光素子アレイを用いた光学装置 |
| JP5157896B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2013-03-06 | 富士ゼロックス株式会社 | マイクロレンズ付き発光素子アレイ及び光書込みヘッド |
| JP2008124372A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Fuji Xerox Co Ltd | Ｌｅｄアレイ、ｌｅｄアレイヘッド及び画像記録装置 |
| JP2010003890A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Oki Data Corp | 複合半導体装置及びプリントヘッド及び画像形成装置 |
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