DE19655185B9 - Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement - Google Patents
Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement Download PDFInfo
- Publication number
- DE19655185B9 DE19655185B9 DE19655185A DE19655185A DE19655185B9 DE 19655185 B9 DE19655185 B9 DE 19655185B9 DE 19655185 A DE19655185 A DE 19655185A DE 19655185 A DE19655185 A DE 19655185A DE 19655185 B9 DE19655185 B9 DE 19655185B9
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- luminescence conversion
- component according
- semiconductor body
- conversion element
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 137
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 40
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 19
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 18
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 18
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 11
- 238000007739 conversion coating Methods 0.000 claims description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 5
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 4
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052605 nesosilicate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004762 orthosilicates Chemical class 0.000 claims description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 3
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100476480 Mus musculus S100a8 gene Proteins 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009102 absorption Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000012764 mineral filler Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009103 reabsorption Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003748 yttrium compounds Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf ein mischfarbiges, insbesondere weißes Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement, gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
- In vielen potentiellen Anwendungsgebieten für Leuchtdioden, wie zum Beispiel bei Anzeigeelementen im Kfz-Armaturenbrett, Beleuchtung in Flugzeugen und Autos und bei vollfarbtauglichen LED-Displays, tritt verstärkt die Forderung nach Leuchtdiodenanordnungen auf, mit denen sich mischfarbiges Licht, insbesondere weißes Licht erzeugen läßt. Bisher läßt sich weißes „LED”-Licht beispielsweise mit sogenannten Multi-LEDs erzeugen, bei denen drei verschiedenfarbige Leuchtdioden (i. a. eine rote, eine grüne und eine blaue) oder zwei komplementärfarbige Leuchtdioden (z. B. eine blaue und eine gelbe) verwendet werden. Neben einem erhöhten Montageaufwand sind für solche Multi-LEDs auch aufwendige Ansteuerelektroniken erforderlich, da die verschiedenen Diodentypen unterschiedliche Ansteuerspannungen benötigen. Außerdem wird die Langzeitstabilität hinsichtlich Wellenlänge und Intensität durch unterschiedliche Alterungserscheinungen der verschiedenen Leuchtdioden und auch aufgrund der unterschiedlichen Ansteuerspannungen und den daraus resultierdenden unterschiedlichen Betriebsströmen beeinträchtigt. Ein zusätzlicher Nachteil der Multi-LEDs besteht darin, daß die Bauteilminiaturisierung stark begrenzt ist.
- Die Druckschrift
JP 07-99345 A - Die Druckschrift
JP 05-152699 A - Die Druckschrift
EP 0 596 548 A1 beschreibt eine Quecksilberentladungslampe, die zur Einstellung des Farbortes ihres Lichtes lumineszierendes Material aufweist. - Die Druckschrift
JP 07-176794 A - Die Druckschrift
DE 38 04 293 A1 beschreibt eine Elektrolumineszenz- oder Laserdiode, deren lichtabstrahlende Oberfläche mit einem Element aus einem Kunststoff bedeckt ist, dem Titanoxid und mindestens ein fluoreszierender lichtwandelnder organischer Farbstoff zugesetzt ist. - Die Druckschrift
EP 0 936 682 A1 offenbart eine weißes Licht emittierende Diode mit einem Granatleuchtstoff. Um die Neuheit gegenüber dieser nachveröffentlichten Druckschrift unzweifelhaft herzustellen, wurde der Disclaimer „ausgenommen Granate” in den Patentanspruch 1 aufgenommen. - Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art zu entwickeln, mit dem auf technisch einfache Weise, mit einem möglichst geringen Bauteileaufwand, mischfarbiges Licht, insbesondere weißes Licht erzeugt werden kann.
- Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis 22. Die Unteransprüche 23 bis 25 geben bevorzugte Verwendungsmöglichkeiten des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements an.
- Erfindungsgemäß ist ein Strahlung aussendender Halbleiterkörper, mit mindestens einem ersten und mindestens einem zweiten mit dem Halbleiterkörper elektrisch leitend verbundenen elektrischen Anschluß vorgesehen, dem ein Lumineszenzkonversionselement zugeordnet ist. Der Halbleiterkörper weist eine Schichtenfolge auf, die eine elektromagnetische Strahlung mit Wellenlängen λ ≤ 520 nm aussendet. Sie weist insbesondere eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht aus GaxIn1-xN oder GaxAl1-xN auf. Das Lumineszenzkonversionselement wandelt Strahlung eines ersten spektralen Teilbereiches der von dem Halbleiterkörper ausgesandten, aus einem ersten Wellenlängenbereich stammenden Strahlung in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereiches um, derart, daß das Halbleiterbauelement Strahlung aus mindestens einem zweiten spektralen Teilbereich des ersten Wellenlängenbereiches und Strahlung des zweiten Wellenlängenbereiches aussendet. Das Lumineszenzkonversionselement ist dazu mit mindestens einem anorganischen Leuchtstoff aus der Gruppe der mit Seltenen Erden dotierten Orthosilikate, ausgenommen Granate, versehen. Das heißt zum Beispiel, daß das Lumineszenzkonversionselement einen Teil einer vom Halbleiterkörper ausgesandten Strahlung spektral selektiv absorbiert und im längerwelligen Bereich (im zweiten Wellenlängenbereich) emittiert. Idealerweise weist die von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung bei einer Wellenlänge λ ≤ 520 nm ein Intensitätsmaximum auf.
- Bei einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements besteht das Lumineszenzkonversionselement zumindest teilweise aus einem transparenten Epoxidharz, das mit dem anorganischen Leuchtstoff versehen ist. Vorteilhafterweise lassen sich nämlich anorganische Leuchtstoffe insbesondere Phosphore wie z. B. YAG:Ce(Y3Al5O12:Ce3+), auf einfache Weise in Epoxidharz einbinden. Weiterhin als Leuchtstoffe geeignet sind weitere mit Seltenen Erden dotierte Granate wie z. B. Y3Ga5O12:Ce3+, Y(Al, Ga)5O12:Ce3+ und Y(Al, Ga)5O12:Tb3+ sowie mit Seltenen Erden dotierte Erdalkali-Sulfide wie z. B. SrS:Ce3+, Na, SrS:Ce3+, Cl, SrS:CeCl3, CaS:Ce3+ und SrSe:Ce3+.
- Zur Erzeugung von mischfarbigem Licht eignen sich darüberhinaus mit Seltenen Erden dotierte Thiogallate wie z. B. CaGa2S4:Ce3+ und SrGa2S4:Ce3+ sowie mit Seltenen Erden dotierte Aluminate wie z. B. YAlO3:Ce3+, YGaO3:Ce3+, Y(Al, Ga)O3:Ce3+ und mit Seltenen Erden dotierte Orthosilikate M2SiO5:Ce3+ (M: Sc, Y, Sc) wie z. B. Y2SiO5:Ce3+. Bei allen Yttriumverbindungen kann das Yttrium im Prinzip auch durch Scandium oder Lanthan ersetzt werden.
- Ebenso kann vorteilhafterweise bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement auch eine Anzahl (einer oder mehrere) von aus dem ersten Wellenlängenbereich stammenden ersten spektralen Teilbereichen in mehrere zweite Wellenlängenbereiche umgewandelt werden. Dadurch ist es vorteilhafterweise möglich, vielfältige Farbmischungen und Farbtemperaturen zu erzeugen.
- Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement hat den besonderen Vorteil, daß das über Lumineszenkonversion erzeugte Wellenlängenspektrum und damit die Farbe des abgestrahlten Lichtes nicht von der Höhe der Betriebsstromstärke durch den Halbleiterkörper abhängt. Dies ist insbesondere dann von großer Bedeutung, wenn die Umgebungstemperatur des Halbleiterbauelementes und damit bekanntermaßen auch die Betriebsstromstärke stark schwankt. Besonders Leuchtdioden mit einem Halbleiterkörper auf der Basis von GaN sind diesbezüglich sehr empfindlich.
- Außerdem benötigt das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement im Gegensatz zu den eingangs genannten Multi-LEDs nur eine einzige Ansteuerspannung und damit auch nur eine einzige Ansteuerschaltungsanordnung, wodurch der Bauteileaufwand sehr gering gehalten werden kann.
- Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist als Lumineszenzkonversionselement über oder auf dem Halbleiterkörper eine teiltransparente, d. h. eine für die von dem Strahlung aussendenden Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung teilweise transparente Lumineszenzkonversionsschicht vorgesehen. Um eine einheitliche Farbe des abgestrahlten Lichtes sicherzustellen, ist vorteilhafterweise die Lumineszenzkonversionsschicht derart ausgebildet, daß sie durchweg eine konstante Dicke aufweist. Ein besonderer Vorteil eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements gemäß dieser Weiterbildung besteht darin, daß auf einfache Weise eine hohe Reproduzierbarkeit erzielt werden kann, was für eine effiziente Massenfertigung von wesentlicher Bedeutung ist. Als Lumineszenzkonversionsschicht kann beispielsweise eine mit anorganischem Leuchtstoff versetzte Lack- oder Kunstharzschicht vorgesehen sein.
- Eine andere bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes weist als Lumineszenzkonversionselement eine teiltransparente Lumineszenzkonversionsumhüllung auf, die zumindest einen Teil des Halbleiterkörpers (und evtl. Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse) umschließt und gleichzeitig als Bauteilumhüllung (Gehäuse) genutzt sein kann. Der Vorteil eines Halbleiterbauelements gemäß dieser Ausführungsform besteht im wesentlichen darin, daß zu seiner Herstellung konventionelle, für die Herstellung von herkömmlichen Leuchtdioden (z. B. Radial-Leuchdioden) eingesetzte Produktionslinien genutzt werden können. Für die Bauteilumhüllung ist anstelle des bei herkömmlichen Leuchtdioden dafür verwendeten transparenten Kunststoffes das Material der Lumineszenzkonversionsumhüllung verwendet.
- Bei vorteilhaften Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements und der beiden oben genannten bevorzugten Ausführungsformen besteht die Lumineszenzkonversionsschicht bzw. die Lumineszenzkonversionsumhüllung aus einem transparenten Material (z. B. Kunststoff (wie Epoxidharz)), das mit mindestens einem anorganischen Farbstoff versehen ist (Beispiele für geeignete Kunststoffe finden sich weiter unten). Auf diese Weise lassen sich Lumineszenzkonversionselemente besonders kostengünstig herstellen. Die dazu notwendigen Verfahrensschritte sind nämlich ohne großen Aufwand in herkömmliche Produktionslinien für Leuchtdioden integrierbar.
- Bei einer besonders bevorzugten Weiterbildung der Erfindung bzw. der o. g. Ausführungsformen ist vorgesehen, daß der oder die zweiten Wellenlängenbereiche zumindest teilweise größere Wellenlängen aufweisen als der erste Wellenlängenbereich.
- Insbesondere ist vorgesehen, daß ein zweiter spektraler Teilbereich des ersten Wellenlängenbereiches und ein zweiter Wellenlängenbereich zueinander komplementär sind. Auf diese Weise kann aus einer einzigen farbigen Lichtquelle, insbesondere einer Leuchtdiode mit einem einzigen blaues oder grünes Licht abstrahlenden Halbleiterkörper, mischfarbiges, insbesondere weißes Licht erzeugt werden. Um z. B. mit einem blaues Licht aussendenden Halbleiterkörper weißes Licht zu erzeugen, wird ein Teil des von dem Halbleiterkörper ausgesandten Spektralbereiches in einen gelben Spektralbereich konvertiert. Die Farbtemperatur des weißen Lichtes kann dabei durch geeignete Wahl des anorganischen Leuchtstoffes und geeignete Gestaltung des Lumineszenzkonversionselements (z. B. hinsichtlich Schichtdicke und Leuchtstoffkonzentration), variiert werden. Darüberhinaus bieten diese Anordnungen vorteilhafterweise auch die Möglichkeit, Leuchtstoffmischungen einzusetzen, wodurch sich vorteilhafterweise der gewünschte Farbton sehr genau einstellen läßt.
- Ebenso können Lumineszenzkonversionselemente inhomogen ausgestaltet sein, z. B. mittels einer inhomogenen Leuchtstoffverteilung. Unterschiedliche Weglängen des Lichtes durch das Lumineszenzkonversionselement können dadurch vorteilhafterweise kompensiert werden.
- Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements weist das Lumineszenzkonversionselement oder ein anderer Bestandteil einer Bauteilumhüllung zur Farbanpassung einen oder mehrere Farbstoffe auf, die keine Wellenlängenkonversion bewirken. Hierzu können die für die Herstellung von herkömmlichen Leuchdioden verwendeten Farbstoffe wie z. B. Azo-, Anthrachinon- oder Perinon-Farbstoffe wie herkömmlich eingesetzt werden.
- Bei einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements ist zumindest ein Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers von einer ersten, z. B. aus einem Kunststoff bestehenden transparenten Umhüllung umgeben, auf der die Lumineszenzkonversionsschicht aufgebracht ist. Dadurch wird die Strahlungsdichte im Lumineszenzkonversionselement und somit dessen Strahlungsbelastung verringert, was sich je nach verwendeten Materialien positiv auf die Lebensdauer des Lumineszenzkonversionselementes auswirkt.
- Bei einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung sowie der oben genannten Ausführungsformen ist ein Halbleiterkörper, z. B. eine Leuchdiode oder eine Laserdiode verwendet, bei dem das ausgesandte Strahlungsspektrum bei einer Wellenlänge zwischen 420 nm und 460 nm, insbesondere bei 430 nm (z. B. Halbleiterkörper auf der Basis von GaxAl1-xN) oder 450 nm (z. B. Halbleiterkörper auf der Basis von GaxIn1-xN) ein Intenistätsmaximum. Mit einem derartigen erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement lassen sich vorteilhafterweise nahezu sämtliche Farben und Mischfarben der C.I.E.-Farbtafel erzeugen.
- Bei einer weiteren besonders bevorzugten Weiterbildung der Erfindung und deren Ausführungsformen ist die Lumineszenzkonversionsumhüllung bzw. die Lumineszenzkonversionsschicht aus einem Lack oder aus einem Kunststoff, wie beispielsweise die für die Umhüllung optoelektronischer Bauelemente eingesetzten Silikon-, Thermoplast- oder Duroplastmaterialien (Epoxid- u. Acrylatharze) hergestellt. Desweiteren können z. B. aus Thermoplastmaterialien gefertigte Abdeckelemente als Lumineszenzkonversionsschicht eingesetzt sein. Sämtliche oben genannten Materialien lassen sich auf einfache Weise mit einem oder mehreren anorganischen Leuchtstoffen versetzen.
- Besonders einfach läßt sich ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement vorteilhafterweise dann realisieren, wenn der Halbleiterkörper gemäß einer bevorzugten Weiterbildung in einer Ausnehmung eines gegebenenfalls vorgefertigten Gehäuses angeordnet ist und die Ausnehmung mit einem die Lumineszenzkonversionsschicht aufweisenden Abdeckelement versehen ist. Ein derartiges Halbleiterbauelement läßt sich in großer Stückzahl in herkömmlichen Produktionslinien herstellen. Hierzu muß lediglich nach der Montage des Halbleiterkörpers in das Gehäuse, das Abdeckelement, beispielsweise eine Lack- oder Gießharzschicht oder eine vorgefertigte Abdeckplatte aus Thermoplastmaterial, auf das Gehäuse aufgebracht werden. Optional kann die Ausnehmung des Gehäuses mit einem transparenten Material, beispielsweise einem transparenten Kunststoff, gefüllt sein, das z. B. die Wellenlänge des von dem Halbleiterkörper ausgesandten Lichtes nicht verändert oder aber, falls gewünscht, bereits lumineszenzkonvertierend ausgebildet sein kann. Im letztgenannten Fall kann das Abdeckelement auch weggelassen sein.
- Vorteilhafte Materialien zur Herstellung der o. g. Lumineszenzkonversionsschicht bzw. Lumineszenzkonversionsumhüllung sind z. B. Polymethylmetacrylat (PMMA) oder Epoxidharz dem ein oder mehrere anorganische Leuchtstoffe zugesetzt sind.
- Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements bestehen zumindest alle lichtdurchstrahlten Komponenten der Umhüllung, d. h. auch die Lumineszenzkonversionsumhüllung bzw. -schicht aus rein anorganischen Materialien. Das Lumineszenzkonversionselement besteht somit aus einem anorganischen Leuchtstoff, der in einem temperaturstabilen, transparenten oder teiltransparenten anorganischen Material eingebettet ist. Insbesondere besteht das Lumineszenzkonversionselement aus einem anorganischen Phosphor, der in ein vorteilhafterweise niedrig schmelzendes anorganisches Glas (z. B. Silikatglas) eingebettet ist. Eine bevorzugte Herstellungsweise für eine derartige Lumineszenzkonversionsschicht ist die Sol-Gel-Technik, mit der die gesamte Lumineszenzkonversionsschicht, d. h. sowohl der anorganische Leuchtstoff als auch das Einbettmaterial in einem Arbeitsgang hergestellt werden kann.
- Um die Durchmischung der von dem Halbleiterkörper ausgesandten Strahlung des ersten Wellenlängenbereiches mit der lumineszenzkonvertierten Strahlung des zweiten Wellenlängebereiches und damit die Farbkonstanz des abstrahlten Lichtes zu verbessern, ist bei einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements der Lumineszenzumhüllung bzw. der Lumineszenzkonversionsschicht und/oder einer anderen Komponente der Bauteilumhüllung zusätzlich ein im Blauen lumineszierender Farbstoff hinzugefügt, der eine sogenannte Richtcharakteristik der von dem Halbleiterkörper abgestrahlten Strahlung abschwächt. Unter Richtcharakteristik ist zu verstehen, daß die von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung eine bevorzugte Abstrahlrichtung aufweist.
- Bei einer anderen vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements ist zu diesem Zweck ein pulverförmiger anorganischer Leuchtstoff verwendet, der sich in dem ihn umhüllenden Stoff (Matrix) nicht löst. Außerdem weisen der anorganische Leuchtstoff und der ihn umhüllende Stoff voneinander verschiedene Brechungsindizes auf. Dies führt vorteilhafterweise dazu, daß abhängig von der Korngröße des Leuchtstoffes, ein Anteil des nicht vom Leuchtstoff absorbierten Lichtes gestreut wird. Dadurch ist die Richtcharakteristik der von dem Halbleiterkörper abgestrahlten Strahlung effizient geschwächt, so daß die nicht absorbierte Strahlung und die lumineszenzkonvertierte Strahlung homogen gemischt werden, was zu einem räumlich homogenen Farbeindruck führt. Das ist z. B. der Fall, wenn YAG:Ce mit einer Korngröße von 4 μm–13 μm in Epoxidharz eingebettet ist.
- Ein weißes Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement läßt sich beispielsweise dadurch realisieren, daß einem zur Herstellung der Lumineszenzkonversionsumhüllung oder -schicht verwendeten Epoxidharz der anorganische Leuchtstoff Y3Al5O12:Ce3+ beigemischt wird. Ein Teil einer von dem Halbleiterkörper ausgesandten blauen Strahlung wird von dem anorganischen Leuchtstoff Y3Al5O12:Ce3+ in den gelben Spektralbereich und somit in einen komplementären Wellenlängenbereich verschoben. Der Farbton (Farbort in der CIE-Farbtafel) des weißen Lichts kann dabei durch geeignete Wahl der Farbstoffmischung und -konzentration variiert werden.
- Bei einer weiteren bevorzugten Weiterbildung eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements bzw. der oben angegebenen vorteilhaften Ausführungsformen sind dem Lumineszenzkonversionselement oder einer anderen strahlungsdurchlässigen Komponente der Bauteilumhüllung zusätzlich lichtstreuende Partikel, sogenannte Diffusoren zugesetzt. Hierdurch läßt sich vorteilhafterweise der Farbeindruck und die Abstrahlcharakteristik des Halbleiterbauelements weiter optimieren.
- Von besonderem Vorteil ist, daß die Leuchteffizienz von weißleuchtenden erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementen bzw. deren o. g. Ausführungsformen mit einem im wesentlichen auf der Basis von GaN hergestellten blau leuchtenden Halbleiterkörper gegenüber der Leuchteffizienz einer Glühlampe erheblich erhöht ist. Der Grund dafür besteht darin, daß zum einen die externe Quantenausbeute derartiger Halbleiterkörper bei einigen Prozent liegt und andererseits die Lumineszenzausbeute von anorganischen Leuchtstoffen oft bei über 90% angesiedelt ist. Darüberhinaus zeichnet sich das erfindungsgemaße Halbleiterbauelement im Vergleich zur Glühbirne durch eine extrem lange Lebensdauer, größere Robustheit und eine kleinere Betriebsspannung aus.
- Vorteilhaft ist weiterhin, daß die für das menschliche Auge wahrnehmbare Helligkeit des erfindungsgemaßen Halbleiterbauelements gegenüber einem ohne Lumineszenzkonversionselement ausgestatteten, aber sonst identischen Halbleiterbauelement deutlich erhöht werden kann, da die Augenempfindlichkeit zu höherer Wellenlänge hin zunimmt. Es kann darüberhinaus auch ultraviolettes Licht in sichtbares Licht umgewandelt werden.
- Das hier vorgestellte Konzept der Lumineszenzkonversion mit blauem Licht eines Halbleiterkörpers läßt sich vorteilhafterweise auch auf mehrstufige Lumineszenzkonversionselemente erweitern, nach dem Schema ultraviolett → blau → grün → gelb → rot. Hierbei werden mehrere unterschiedlich spektral selektiv emittierende Lumineszenzkonversionselemente relativ zum Halbleiterkörper hintereinander angeordnet.
- Ebenso können vorteilhafterweise mehrere unterschiedlich spektral selektiv emittierende anorganische Leuchtstoffe gemeinsam in einen transparenten Kunststoff eines Lumineszenzkonversionselements eingebettet sein. Hierdurch ist ein sehr breites Farbenspektrum erzeugbar.
- Besonders vorteilhaft können erfindungsgemäße Halbleiterbauelemente gemäß der vorliegenden Erfindung z. B. in vollfarbtauglichen LED-Anzeigevorrichtungen (Displays) oder zu Beleuchtungszwecken in Flugzeugen, Kraftfahrzeugen usw. eingesetzt werden.
- Ein besonderer Vorteil von erfindungsgemäßen weißes Licht abstrahlenden Halbleiterbauelementen auf der Basis Ce-dotierter Phosphore als Leuchtstoff besteht darin, daß diese Leuchtstoffe bei Anregung mit blauem Licht eine spektrale Verschiebung von ca. 100 nm zwischen Absorption und Emission bewirkt. Dies führt zu einer wesentlichen Reduktion der Reabsorption des vom Leuchtstoff emittierten Lichtes und damit zu einer höheren Lichtausbeute. Außerdem besitzen derartige anorganische Leuchtstoffe vorteilhafterweise im allgemeinen eine hohe thermische und photochemische (z. B. UV-)Stabilität (wesentlich höher als organische Leuchtstoffe), so daß auch Weiß leuchtende Dioden für Außenanwendung und/oder hohe Temperaturbereiche herstellbar sind.
- Besonders vorteilhaft lassen sich erfindungsgemäße Halbleiterbauelemente insbesondere aufgrund ihrer geringen Leistungsaufnahme in vollfarbtauglichen LED-Displays, zur Beleuchtung von Kfz-Innenräumen oder von Flugzeugkabinen sowie zur Beleuchtung von Anzeigevorrichtungen wie Kfz-Armaturen oder Flüssigkristallanzeigen verwenden.
- Es zeigen:
-
1 eine schematische Schnittansicht durch ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements; -
2 eine schematische Schnittansicht eines zweiten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes; -
3 eine schematische Schnittansicht durch ein drittes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäße Halbleiterbauelementes; -
4 eine schematische Schnittansicht eines vierten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements; -
5 eine schematische Schnittansicht eines fünften Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes; -
6 eine schematische Schnittansicht eines sechsten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes; -
7 eine schematische Darstellung eines Emissionsspektrums eines blaues Licht abstrahlenden Halbleiterkörpers mit einer Schichtenfolge auf der Basis von GaN; -
8 eine schematische Darstellung der Emissionsspektren von Halbleiterbauelementen, die weißes Licht abstrahlen; -
9 eine schematische Schnittdarstellung durch einen Halbleiterkörper, der blaues Licht aussendet; -
10 eine schematische Schnittansicht eines siebten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes; -
11 eine schematische Schnittansicht eines achten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes und -
12 eine schematische Schnittansicht eines neunten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes. - In den verschiedenen Figuren sind jeweils gleiche oder gleichwirkende Teile immer mit denselben Bezugszeichen versehen.
- Bei dem in
1 dargestellten Licht aussendenden Halbleiterbauelement weist ein Halbleiterkörper1 , z. B. eine Leuchtdiode oder eine Laserdiode, einen Rückseitenkontakt11 , einen Vorderseitenkontakt12 und eine sich aus einer Anzahl von unterschiedlichen Schichten zusammensetzende Schichtenfolge7 auf, die mindestens eine eine Strahlung (z. B. ultraviolette, blaue oder grüne Strahlung) aussendende aktive Zone besitzt. - Ein Beispiel für eine geeignete Schichtenfolge
7 für dieses und für sämtliche im folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele ist in9 gezeigt. Hierbei ist auf einem Substrat18 , das z. B. aus SiC besteht, eine Schichtenfolge aus einer AlN- oder GaN-Schicht19 , einer n-leitenden GaN-Schicht20 , einer n-leitenden GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht21 , einer weiteren n-leitenden GaN- oder GaxIn1-xN-Schicht22 , einer p-leitenden GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht23 und einer p-leitenden GaN-Schicht24 aufgebracht. Auf einer Hauptfläche25 der p-leitenden GaN-Schicht24 und einer Hauptfläche26 des Substrats18 ist jeweils eine Kontaktmetallisierung27 ,28 aufgebracht, die aus einem herkömmlich in der Halbleitertechnik für elektrische Kontakte verwendeten Werkstoff besteht. - Es kann jedoch auch jeder andere dem Fachmann für das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement als geeignet erscheinende Halbleiterkorper verwendet werden. Dies gilt ebenso fur samtliche nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele.
- Im Ausführungsbeispiel von
1 ist der Halbleiterkörper1 mittels eines elektrisch leitenden Verbindungsmittels, z. B. ein metallisches Lot oder ein Klebstoff, mit seinem Rückseitenkontakt11 auf einem ersten elektrischen Anschluß2 befestigt. Der Vorderseitenkontakt12 ist mittels eines Bonddrahtes14 mit einem zweiten elektrischen Anschluß3 verbunden. - Der Halbleiterkörper
1 und Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse2 und3 sind unmittelbar von einer Lumineszenzkonversionsumhüllung5 umschlossen. Diese besteht beispielsweise aus einem für transparente Leuchtdiodenumhüllungen verwendbaren transparenten Kunststoff (z. B. Epoxidharz oder Polymethylmetaacrylat) oder einem niedrig schmelzenden anorganischen Glas, dem ein anorganischer Leuchtstoff6 für ein weißes Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement, beigemischt ist. - Das in
2 dargestellte Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements unterscheidet sich von dem der1 dadurch, daß der Halbleiterkörper1 und Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse2 und3 anstatt von einer Lumineszenzkonversionsumhüllung von einer transparenten Umhüllung15 umschlossen sind. Diese transparente Umhüllung15 bewirkt keine Wellenlängenänderung einer von dem Halbleiterkörper1 ausgesandten Strahlung und besteht beispielsweise aus einem in der Leuchtdiodentechnik herkömmlich verwendeten Epoxid-, Silikon- oder Acrylatharz oder aus einem anderen geeigneten strahlungsdurchlässigen Material wie z. B. anorganisches Glas. - Auf diese transparente Umhüllung
15 ist eine Lumineszenzkonversionsschicht4 aufgebracht, die, wie in der2 dargestellt, die gesamte Oberfläche der Umhüllung15 bedeckt. Ebenso denkbar ist, daß die Lumineszenzkonversionsschicht4 nur einen Teilbereich dieser Oberfläche bedeckt. Die Lumineszenzkonversionsschicht4 besteht beispielsweise wiederum aus einem transparenten Kunststoff (z. B. Epoxidharz, Lack oder Polymethylmetaacrylat) oder aus einem anorganischen Glas, der bzw. das mit einem anorganischen Leuchtstoff6 versetzt ist. - Dieses Ausführungsbeispiel hat den besonderen Vorteil, daß für die gesamte von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung die Weglänge durch das Lumineszenzkonverionselement näherungsweise gleich groß ist. Dies spielt insbesondere dann eine bedeutende Rolle, wenn, wie oftmals der Fall, der genaue Farbton des von dem Halbleiterbauelement abgestrahlten Lichtes von dieser Weglänge abhängt.
- Zur besseren Auskopplung des Lichtes aus der Lumineszenzkonversionsschicht
4 von2 kann auf einer Seitenfläche des Bauelements eine linsenförmige Abdeckung29 (gestrichelt eingezeichnet) vorgesehen sein, die eine Totalreflexion der Strahlung innerhalb der Lumineszenzkonversionsschicht4 reduziert. Diese linsenförmige Abdeckung29 kann aus transparentem Kunststoff oder Glas bestehen und auf die Lumineszenzkonversionsschicht4 beispielsweise aufgeklebt oder direkt als Bestandteil der Lumineszenzkonversionsschicht4 ausgebildet sein. - Bei dem in
3 dargestellten Ausführungsbeispiel sind der erste und der zweite elektrische Anschluß2 ,3 in ein lichtundurchlässiges evtl. vorgefertigtes Grundgehäuse8 mit einer Ausnehmung9 eingebettet. Unter „vorgefertigt” ist zu verstehen, daß das Grundgehäuse8 bereits an den Anschlüssen2 ,3 beispielsweise mittels Spritzguß fertig ausgebildet ist, bevor der Halbleiterkörper auf den ersten Anschluß2 montiert wird. Das Grundgehäuse8 besteht beispielsweise aus einem lichtundurchlässigen Kunststoff und die Ausnehmung9 ist als Reflektor17 (ggf. durch geeignete Beschichtung der Innenwände der Ausnehmung9 ) ausgebildet. Solche Grundgehäuse8 werden seit langem insbesondere bei oberflächenmontierbaren Leuchtdioden (SMDTOPLEDs) verwendet und werden daher an dieser Stelle nicht mehr näher erläutert. Sie werden vor der Montage der Halbleiterkörper auf ein die elektrischen Anschlüsse2 ,3 aufweisendes Leiterband (Leadframe) aufgebracht. - Die Ausnehmung
9 ist von einer Lumineszenzkonversionsschicht4 , beispielsweise eine separat hergestellte und auf dem Grundgehäuse8 befestigte Abdeckplatte17 aus Kunststoff, abgedeckt. Als geeignete Materialien für die Lumineszenzkonversionsschicht4 kommen wiederum die weiter oben im allgemeinen Teil der Beschreibung genannten Kunststoffe oder anorganisches Glas in Verbindung mit den dort genannten anorganischen Leuchtstoffen in Frage. Die Ausnehmung9 kann sowohl mit einem transparenten Kunststoff, mit einem anorganischen Glas oder mit Gas gefüllt als auch mit einem Vakuum versehen sein. - Wie bei dem Ausführungsbeispiel nach
2 kann auch hier zur besseren Auskopplung des Lichtes aus der Lumineszenzkonversionsschicht4 auf dieser eine linsenförmige Abdeckung29 (gestrichelt eingezeichnet) vorgesehen sein, die eine Totalreflexion der Strahlung innerhalb der Lumineszenzkonversionsschicht4 reduziert. Diese Abdeckung29 kann wiederum aus transparentem Kunststoff oder aus anorganischem Glas bestehen und auf die Lumineszenzkonversionsschicht4 beispielsweise aufgeklebt oder zusammen mit der Lumineszenzkonversionsschicht4 einstückig ausgebildet sein. - Ebenso ist es möglich, daß die Ausnehmung
9 , wie in10 gezeigt, mit einem mit einem anorganischen Leuchtstoff6 versehenen Kunststoff oder Glas, d. h. mit einer Lumineszenzumhüllung5 gefüllt ist, die das Lumineszenzkonversionselement bildet. Eine Abdeckplatte17 und/oder eine linsenförmige Abdeckung29 kann dann auch weggelassen sein. Weiterhin ist optional, wie in11 dargestellt, der erste elektrische Anschluß2 z. B. durch Prägen im Bereich des Halbleiterkörpers1 als Reflektorwanne34 ausgebildet, die mit einer Lumineszenzkonversionsumhüllung5 gefüllt ist. - In
4 ist als weiteres Ausführungsbeispiel eine sogenannte Radialdiode dargestellt. Hierbei ist der Halbleiterkörper1 in einem als Reflektor ausgebildeten Teil16 des ersten elektrischen Anschlußes2 beispielsweise mittels Löten oder Kleben befestigt. Auch derartige Gehäusebauformen sind aus der Leuchtdiodentechnik wohlbekannt und bedürfen von daher keiner näheren Erläuterung. - Bei dem Ausführungsbeispiel von
4 ist der Halbleiterkörper1 von einer transparenten Umhüllung15 umgeben, die wie beim zweitgenannten Ausführungsbeispiel (2 ) keine Wellenlängenänderung der von dem Halbleiterkörper1 ausgesandten Strahlung bewirkt und beispielsweise aus einem herkömmlich in der Leuchtdiodentechnik verwendeten transparenten Epoxidharz oder aus einem anorganischen Glas bestehen kann. - Auf dieser transparenten Umhüllung
15 ist eine Lumineszenzkonversionsschicht4 aufgebracht. Als Material hierfür kommen beispielsweise wiederum die im Zusammenhang mit den vorgenannten Ausführungsbeispielen angeführten Kunststoffe oder anorganisches Glas in Verbindung mit den oben genannten Leuchtstoffen in Frage. - Der gesamte Aufbau, bestehend aus Halbleiterkörper
1 , Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse2 ,3 , transparente Umhüllung15 und Lumineszenzkonversionsschicht4 , ist von einer weiteren transparenten Umhüllung10 umschlossen, die keine Wellenlängenänderung der durch die Lumineszenzkonversionsschicht4 hindurchgetretenen Strahlung bewirkt. Sie besteht beispielsweise wiederum aus einem herkömmlich in der Leuchtdiodentechnik verwendeten transparenten Epoxidharz oder aus Glas. - Das in
5 gezeigte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem von4 insbesondere dadurch, daß die freien Oberflächen des Halbleiterkörpers1 unmittelbar von einer Lumineszenzkonversionsumhüllung5 bedeckt sind, die wiederum von einer weiteren transparenten Umhüllung10 umgeben ist. In5 ist weiterhin beispielhaft ein Halbleiterkörper1 dargestellt, bei dem anstelle des Rückseitenkontaktes11 ein weiterer Kontakt auf der Halbleiterschichtenfolge7 angebracht ist, der mittels eines zweiten Bonddrahtes14 mit dem zugehörigen elektrischen Anschluß2 oder3 verbunden ist. Selbstverständlich sind derartige Halbleiterkörper1 auch bei allen anderen hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen einsetzbar. Umgekehrt ist natürlich auch bei dem Ausführungsbeispiel von5 ein Halbleiterkörper1 gemäß den vorgenannten Ausführungsbeispielen verwendbar. - Der Vollständigkeit halber sei an dieser Stelle angemerkt, daß selbstverständlich auch bei der Bauform nach
5 analog zu dem Ausführungsbeispiel nach1 eine einstückige Lumineszenzkonversionsumhüllung5 , die dann an die Stelle der Kombination aus Lumineszenzkonversionsumhüllung5 und weiterer transparenter Umhüllung10 tritt, verwendet sein kann. - Bei dem Ausführungsbeispiel von
6 ist eine Lumineszenzkonversionsschicht4 (mögliche Materialien wie oben angegeben) direkt auf den Halbleiterkörper1 aufgebracht. Dieser und Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse2 ,3 sind von einer weiteren transparenten Umhüllung10 umschlossen, die keine Wellenlängenänderung der durch die Lumineszenzkonversionsschicht4 hindurchgetretenen Strahlung bewirkt und beispielsweise aus einem in der Leuchtdiodentechnik verwendbaren transparenten Epoxidharz oder aus Glas gefertigt ist. - Solche, mit einer Lumineszenzkonversionsschicht
4 versehenen Halbleiterkörper1 ohne Umhüllung können natürlich vorteilhafterweise in sämtlichen aus der Leuchtdiodentechnik bekannten Gehäusebauformen (z. B. SMD-Gehäuse, Radial-Gehäuse (man vergleiche5 )) verwendet sein. - Bei dem in
12 dargestellten Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements ist auf dem Halbleiterkörper1 ein transparentes Wannenteil35 angeordnet, das über dem Halbleiterkörper1 eine Wanne36 aufweist. Das Wannenteil35 besteht beispielsweise aus transparentem Epoxidharz oder aus anorganischem Glas und ist z. B. mittels Umspritzen der elektrischen Anschlüsse2 ,3 einschließlich Halbleiterkörper1 gefertigt. In dieser Wanne36 ist eine Lumineszenzkonversionsschicht4 angeordnet, die z. B. wiederum aus Epoxidharz oder anorganischem Glas gefertigt ist, in das Partikel37 , bestehend aus einem der o. g. anorganischen Leuchtstoffe, eingebunden sind. Bei dieser Bauform wird vorteilhafterweise auf sehr einfache Weise sichergestellt, daß sich der Leuchtstoff während der Herstellung des Halbleiterbauelements an nicht vorgesehenen Stellen, z. B. neben dem Halbleiterkörper, ansammelt. Das Wannenteil35 kann selbstverständlicherweise auch separat hergestellt und anderweitig, z. B. an einem Gehäuseteil, über dem Halbleiterkörper1 befestigt sein. - Bei sämtlichen der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele kann zur Optimierung des Farbeindrucks des abgestrahlten Lichts sowie zur Anpassung der Abstrahlcharakteristik das Lumineszenzkonversionselement (Lumineszenzkonversionsumhüllung
5 oder Lumineszenzkonversionsschicht4 ), ggf. die transparente Umhüllung15 , und/oder ggf. die weitere transparente Umhüllung10 lichtstreuende Partikel, sogenannte Diffusoren aufweisen. Beispiele für derartige Diffusoren sind mineralische Füllstoffe, insbesondere CaF2, TiO2, SiO2, CaCO3 oder BaSO4 oder auch organische Pigmente. Diese Materialien können auf einfache Weise den o. g. Umhüllungs- bzw. Schichtmaterialien zugesetzt werden. - In den
7 und8 sind Emissionsspektren eines blaues Licht abstrahlenden Halbleiterkörpers (7 ) (Lumineszenzmaximum bei λ ~ 430 nm) bzw. von Weiß leuchtenden Halbleiterbauelementen (8 ) gezeigt, die mittels solcher Halbleiterkörper hergestellt sind. An der Abszisse ist die Wellenänge λ in nm und an der Ordinate ist eine relative Intensität der ausgesandten Strahlung aufgetragen. - Von der vom Halbeiterkörper ausgesandten Strahlung nach
7 wird nur ein Teil in einen längerwelligen Wellenlängenbereich konvertiert, so daß als Mischfarbe weißes Licht entsteht. Die verschiedenartig gestrichelten Linien30 bis33 von8 stellen Emissionsspektren von Halbleiterbauelementen in Form von Radialdioden dar, bei denen das Lumineszenzkonversionselement, in diesem Fall eine Lumineszenzkonversionsumhüllung aus Epoxidharz, unterschiedliche YAG:Ce-Konzentrationen aufweist. Jedes Emissionsspektrum weist zwischen λ = 420 nm und λ = 430 nm, also im blauen Spektralbereich, und zwischen λ = 520 nm und λ = 545 nm, also im grünen Spektralbereich, jeweils ein Intensitätsmaximum auf, wobei die Emissionsbanden mit dem längerwelligen Intensitätsmaximum zu einem großen Teil im gelben Spektralbereich liegen. Das Diagramm von8 verdeutlicht, daß bei dem Halbleiterbauelement auf einfache Weise durch Veränderung der Leuchtstoffkonzentration im Epoxidharz der CIE-Farbort des weißen Lichtes verändert werden kann. - Weiterhin ist es möglich, anorganische Leuchtstoffe auf Basis von Ce-dotierten Granaten, Thiogallaten, Erdalkali-Sulfiden und Aluminaten direkt auf den Halbleiterkörper aufzubringen, ohne sie in Epoxidharz oder Glas zu dispergieren.
- Ein weiterer besonderer Vorteil der oben genannten anorganischen Leuchtstoffe ergibt sich daraus, daß die Leuchtstoffkonzentration z. B. im Epoxidharz nicht wie bei organischen Farbstoffen durch die Löslichkeit begrenzt wird. Dadurch sind keine großen Dicken von Lumineszenzkonversionselementen nötig.
Claims (25)
- Mischfarbiges Licht abstrahlendes Bauelement mit – einem blaues Licht aussendenden Halbleiterkörper (
1 ), der elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs mit einem Intensitätsmaximum bei einer Wellenlänge λ ≤ 520 nm aussendet, und – einem Lumineszenzkonversionselement (4 ,5 ), das einen lumineszierenden Leuchtstoff aufweist, der einen Teil des vom Halbleiterkörper (1 ) ausgesandten blauen Lichts absorbiert und sichtbares Licht eines längerwelligen zweiten Wellenlängenbereichs emittiert, wobei das Lumineszenzkonversionselement (4 ,5 ) – anorganische Leuchtstoffpartikel (6 ) enthält, – sowohl für die Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs als auch für die Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs zumindest teilweise durchlässig ist, – zumindest zum Teil dem Halbleiterkörper (1 ) in Abstrahlrichtung des Bauelements nachgeordnet ist, – von dem Halbleiterkörper (1 ) abgestrahltes sichtbares Licht des ersten Wellenlängenbereichs mit lumineszenzkonvertiertem sichtbarem Licht des zweiten Wellenlängenbereichs mischt, und – der Leuchtstoff einen oder mehrere Stoffe aus der Gruppe der mit Seltenen Erden dotierten Orthosilikate ausgenommen Granate aufweist. - Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement mit mehreren verschiedenartigen anorganischen Leuchtstoffen (
6 ) versehen ist. - Bauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß einer der Leuchtstoffe einen oder mehrere weitere Stoffe aus der Gruppe der Ce-dotierten Granate aufweist.
- Bauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß einer der Leuchtstoffe YAG:Ce aufweist.
- Bauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß einer der weiteren Leuchtstoffe einen oder mehrere Stoffe aus der Gruppe der mit Seltenen Erden dotierten Erdalkali-Sulfide, mit Seltenen Erden dotierten Thiogallate und mit Seltenen Erden dotierten Aluminate aufweist.
- Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Wellenlängenbereich und der zweite Wellenlängenbereich sichtbares Licht zueinander komplementärer Farben aufweist.
- Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Lumineszenzkonversionselement eine Lumineszenzkonversionsumhüllung (
5 ) vorgesehen ist, die zumindest einen Teil des Halbleiterkörpers (1 ) und Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse (2 ,3 ) unmittelbar umschließt. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers (
1 ) von einer transparenten Umhüllung (15 ) umgeben ist und daß auf der transparenten Umhüllung (15 ) das Lumineszenzkonversionselement (4 ) aufgebracht ist. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß dem Halbleiterkörper (
1 ) in Abstrahlrichtung eine Lumineszenzkonversionsschicht (4 ) nachgeordnet ist, die durchweg eine konstante Dicke aufweist. - Bauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Lumineszenzkonversionsschicht (
4 ) auf dem Halbleiterkörper (1 ) aufgebracht ist und durchweg eine konstante Dicke aufweist. - Bauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (
1 ) in einer Ausnehmung (9 ) eines Grundgehäuses (8 ) angeordnet ist und die Ausnehmung (9 ) mit einer die Lumineszenzkonversionsschicht (4 ) aufweisenden Abdeckschicht (17 ) versehen ist. - Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (
1 ) in einer Ausnehmung (9 ) eines Grundgehäuses (8 ) angeordnet ist und die Ausnehmung (9 ) zumindest teilweise mit der Lumineszenzkonversionsumhüllung (5 ) gefüllt ist. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement (
4 ,5 ) mehrere Bereiche mit unterschiedlichen Wellenlängenkonversionseigenschaften aufweist. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement (
4 ,5 ) eine Kunststoffmatrix, insbesondere eine Epoxidharz-, Silikon- oder Polymethylmetacrylat-Marix aufweist. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil des anorganischen Leuchtstoffes (
6 ) unmittelbar auf dem Halbleiterkörper (1 ) aufgebracht ist. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest auf oder über einem Teil der Oberfläche des Lumineszenzkonversionselements (
4 ,5 ) eine transparente Umhüllung (10 ) vorgesehen ist. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement (
4 ,5 ) und/oder die transparente Umhüllung (10 ,15 ) zusätzlich lichtstreuende Partikel, insbesondere CaF2, TiO2, SiO2, CaCO3 oder BaSO4 oder auch organische Pigmente, aufweist. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement (
4 ,5 ) und/oder die transparente Umhüllung (10 ,15 ) zusätzlich mit mindestens einem im Blauen lumineszierenden Lumineszenzfarbstoff versehen ist. - Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff gelbes Licht aussendet und das Lumineszenzkonversionselement insgesamt weißes Licht abstrahlt.
- Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß ein erstes Leuchtstoffmaterial grünes Licht und ein zweites Leuchtstoffmaterial rotes Licht aussendet und das Lumineszenzkonversionselement insgesamt weißes Licht abstrahlt.
- Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß das von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlungsspektrum bei einer Wellenlänge zwischen 420 nm und 460 nm ein Intensitätsmaximum aufweist.
- Bauelement nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff als weiterer Stoff YAG:Ce enthält und das Lumineszenzkonversionselement (
4 ,5 ) Strahlung des Halbleiterkörpers (1 ) mit Strahlung der Leuchtstoffpartikel (6 ) zu weißem Licht mischt. - Verwendung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 22 in einer vollfarbtauglichen LED-Anzeigevorrichtung.
- Verwendung einer Mehrzahl von Bauelementen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 22 zur Beleuchtung von Flugzeug- oder Fahrzeuginnenräumen.
- Verwendung eines Bauelements gemäß einem der Ansprüche 1 bis 22 zur Beleuchtung von Anzeigevorrichtungen, insbesondere zur Beleuchtung von Flüssigkristallanzeigen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19655185A DE19655185B9 (de) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19655185A DE19655185B9 (de) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19655185B4 DE19655185B4 (de) | 2011-11-24 |
DE19655185B9 true DE19655185B9 (de) | 2012-03-01 |
Family
ID=44900666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19655185A Expired - Lifetime DE19655185B9 (de) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE19655185B9 (de) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013109890A1 (de) * | 2013-09-10 | 2015-03-12 | Ligitek Electronics Co., Ltd. | Flexibles LED-Lichtquellenmodul |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3804293A1 (de) * | 1988-02-12 | 1989-08-24 | Philips Patentverwaltung | Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode |
JPH05152609A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
EP0596548A1 (de) * | 1992-09-23 | 1994-05-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Quecksilberniederdruckentladungslampe |
JPH0799345A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
JPH07176794A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 面状光源 |
EP0936682A1 (de) * | 1996-07-29 | 1999-08-18 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Licht-emittierende vorrichtung und anzeigevorrichtung |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007099345A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Somei:Kk | ホルダー |
-
1996
- 1996-09-20 DE DE19655185A patent/DE19655185B9/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3804293A1 (de) * | 1988-02-12 | 1989-08-24 | Philips Patentverwaltung | Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode |
JPH05152609A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
EP0596548A1 (de) * | 1992-09-23 | 1994-05-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Quecksilberniederdruckentladungslampe |
JPH0799345A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
JPH07176794A (ja) * | 1993-12-17 | 1995-07-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 面状光源 |
EP0936682A1 (de) * | 1996-07-29 | 1999-08-18 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Licht-emittierende vorrichtung und anzeigevorrichtung |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
aufgerufen über URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Garnet Wikipedia, Artikel: Garnet, Version / letzte Änderung des Artikles: 13.02.2011, [abgerufen am 16.02.2011] * |
aufgerufen über URL: http://www.britannica.com/EBchecked/topic/491579/rare-earth-element/81172/Other-applications Encyclopedia Britannica, Frank Harold Spedding Ed., Artikel: Rare-Earth Element, Section: Other-Applications, Version /letzte Änderung des Artikles: 26.02.2010, [abgerufen am 16.02.2011] * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19655185B4 (de) | 2011-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1441397B1 (de) | Strahlungskonvertierendes Abdeckelement für ein Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Licht abstrahlendes halbleiterbauelement | |
DE19638667C2 (de) | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement | |
EP1259990B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines lichtabstrahlenden halbleiterkörpers mit lumineszenzkonversionselement | |
DE69702929T2 (de) | Licht-emittierende vorrichtung und anzeigevorrichtung | |
DE19625622A1 (de) | Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement | |
WO2003005458A1 (de) | Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
WO2002052615A2 (de) | Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement | |
DE19655185B9 (de) | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement | |
DE19655445B3 (de) | Weißes Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionsschicht und Verwendung solcher Halbleiterbauelemente |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R079 | Amendment of ipc main class |
Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000 Ipc: H01L0033520000 |
|
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG, DE Free format text: FORMER OWNER: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH, 93055 REGENSBURG, DE Effective date: 20110624 Owner name: OSRAM GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH, 93055 REGENSBURG, DE Effective date: 20110624 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE Effective date: 20110624 Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCHAFT Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE Effective date: 20110624 |
|
R130 | Divisional application to |
Ref document number: 19655445 Country of ref document: DE Effective date: 20110406 |
|
R083 | Amendment of/additions to inventor(s) | ||
R026 | Opposition filed against patent | ||
R026 | Opposition filed against patent |
Effective date: 20120223 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE |
|
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: OSRAM GMBH, DE Free format text: FORMER OWNER: OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG, 81543 MUENCHEN, DE Effective date: 20130917 |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER, PATENTANWALTSGESELLSCH, DE Effective date: 20130917 Representative=s name: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHA, DE Effective date: 20130917 |
|
R031 | Decision of examining division/federal patent court maintaining patent unamended now final |
Effective date: 20140124 |
|
R008 | Case pending at federal patent court | ||
R039 | Revocation action filed | ||
R039 | Revocation action filed |
Effective date: 20140929 |
|
R020 | Patent grant now final | ||
R040 | Withdrawal/refusal of revocation action now final | ||
R071 | Expiry of right |