DE19655185B4 - Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement - Google Patents

Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement Download PDF

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Abstract

Mischfarbiges Licht abstrahlendes Bauelement mit – einem blaues Licht aussendenden Halbleiterkörper (1), der elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs mit einem Intensitätsmaximum bei einer Wellenlänge λ ≤ 520 nm aussendet, und – einem Lumineszenzkonversionselement (4, 5), das einen lumineszierenden Leuchtstoff aufweist, der einen Teil des vom Halbleiterkörper (1) ausgesandten Strahlung blauen Lichts absorbiert und sichtbares Licht eines längerwelligen zweiten Wellenlängenbereichs emittiert, wobei das Lumineszenzkonversionselement (4, 5) – anorganische Leuchtstoffpartikel (6) enthält, – sowohl für die Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs als auch für die Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs zumindest teilweise durchlässig ist, – zumindest zum Teil dem Halbleiterkörper (1) in Abstrahlrichtung des Bauelements nachgeordnet ist, – von dem Halbleiterkörper (1) abgestrahltes sichtbares Licht des ersten Wellenlängenbereichs mit lumineszenzkonvertiertem sichtbarem Licht des zweiten Wellenlängenbereichs mischt, und – der Leuchtstoff einen oder mehrere Stoffe aus der Gruppe der mit Seltenen Erden dotierten Orthosilikate ausgenommen Granate...

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf ein mischfarbiges, insbesondere weißes Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement, gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
  • In vielen potentiellen Anwendungsgebieten für Leuchtdioden, wie zum Beispiel bei Anzeigeelementen im Kfz-Armaturenbrett, Beleuchtung in Flugzeugen und Autos und bei vollfarbtauglichen LED-Displays, tritt verstärkt die Forderung nach Leuchtdiodenanordnungen auf, mit denen sich mischfarbiges Licht, insbesondere weißes Licht erzeugen läßt. Bisher läßt sich weißes „LED”-Licht beispielsweise mit sogenannten Multi-LEDs erzeugen, bei denen drei verschiedenfarbige Leuchtdioden (i. a. eine rote, eine grüne und eine blaue) oder zwei komplementärfarbige Leuchtdioden (z. B. eine blaue und eine gelbe) verwendet werden. Neben einem erhöhten Montageaufwand sind für solche Multi-LEDs auch aufwendige Ansteuerelektroniken erforderlich, da die verschiedenen Diodentypen unterschiedliche Ansteuerspannungen benötigen. Außerdem wird die Langzeitstabilität hinsichtlich Wellenlänge und Intensität durch unterschiedliche Alterungserscheinungen der verschiedenen Leuchtdioden und auch aufgrund der unterschiedlichen Ansteuerspannungen und den daraus resultierdenden unterschiedlichen Betriebsströmen beeinträchtigt. Ein zusätzlicher Nachteil der Multi-LEDs besteht darin, daß die Bauteilminiaturisierung stark begrenzt ist.
  • Die Druckschrift JP 07-99345 A offenbart eine LED mit einem fluoreszierenden Pigment in einem Harz, das den strahlungsemittierenden Halbleiterchip der LED verkapselt, und einer weiteren transparenten Umhüllung.
  • Die Druckschrift JP 05-152699 A beschreibt eine LED mit einem lichtemittierenden Halbleiterkörper auf Galliumnitridbasis und einer Umhüllung aus einem Harz, das fluoreszierendes Material umfasst.
  • Die Druckschrift EP 0 596 548 A1 beschreibt eine Quecksilberentladungslampe, die zur Einstellung des Farbortes ihres Lichtes lumineszierendes Material aufweist.
  • Die Druckschrift JP 07-176794 A beschreibt eine flächige Lichtquelle mit LEDs sowie einer Schicht, die fluoreszierendes Material und lichtstreuendes Pulver umfasst.
  • Die Druckschrift DE 38 04 293 A1 beschreibt eine Elektrolumineszenz- oder Laserdiode, deren lichtabstrahlende Oberfläche mit einem Element aus einem Kunststoff bedeckt ist, dem Titanoxid und mindestens ein fluoreszierender lichtwandelnder organischer Farbstoff zugesetzt ist.
  • Die Druckschrift EP 0 963 682 A1 offenbart eine weißes Licht emittierende Diode mit einem Granatleuchtstoff. Um der Neuheit gegenüber dieser nachveröffentlichten Drucktschrift unzweifelhaft herzustelle, wurde der Disclaimer „ausgenommen Granate” in den Patentanspruch 1 aufgenommen.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art zu entwickeln, mit dem auf technisch einfache Weise, mit einem möglichst geringen Bauteileaufwand, mischfarbiges Licht, insbesondere weißes Licht erzeugt werden kann.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche 2 bis 22. Die Unteransprüche 23 bis 25 geben bevorzugte Verwendungsmöglichkeiten des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements an.
  • Erfindungsgemäß ist ein Strahlung aussendender Halbleiterkörper, mit mindestens einem ersten und mindestens einem zweiten mit dem Halbleiterkörper elektrisch leitend verbundenen elektrischen Anschluß vorgesehen, dem ein Lumineszenzkonversionselement zugeordnet ist. Der Halbleiterkörper weist eine Schichtenfolge auf, die eine elektromagnetische Strahlung mit Wellenlängen λ ≤ 520 nm aussendet. Sie weist insbesondere eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht aus GaxIn1-xN oder GaxAl1-xN auf. Das Lumineszenzkonversionselement wandelt Strahlung eines ersten spektralen Teilbereiches der von dem Halbleiterkörper ausgesandten, aus einem ersten Wellenlängenbereich stammenden Strahlung in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereiches um, derart, daß das Halbleiterbauelement Strahlung aus mindestens einem zweiten spektralen Teilbereich des ersten Wellenlängenbereiches und Strahlung des zweiten Wellenlängenbereiches aussendet. Das Lumineszenzkonversionselement ist dazu mit mindestens einem anorganischen Leuchtstoff aus der Gruppe der mit seltenen Erden dotierten Orthosilikate ausgenommen Granate, versehen. Das heißt zum Beispiel, daß das Lumineszenzkonversionselement einen Teil einer vom Halbleiterkörper ausgesandten Strahlung spektral selektiv absorbiert und im längerwelligen Bereich (im zweiten Wellenlängenbereich) emittiert. Idealerweise weist die von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung bei einer Wellenlänge λ ≤ 520 nm ein Intensitätsmaximum auf.
  • Bei einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements besteht das Lumineszenzkonversionselement zumindest teilweise aus einem transparenten Epoxidharz, das mit dem anorganischen Leuchtstoff versehen ist. Vorteilhafterweise lassen sich nämlich anorganische Leuchtstoffe insbesondere Phosphore wie z. B. YAG:Ce (Y3Al5O12:Ce3 +), auf einfache Weise in Epoxidharz einbinden. Weiterhin als Leuchtstoffe geeignet sind weitere mit Seltenen Erden dotierte Granate wie z. B. Y3Ga5O12:Ce3 +, Y(Al, Ga)5O12:Ce3+ und Y(Al, Ga)5O12:Tb3+ sowie mit Seltenen Erden dotierte Erdalkali-Sulfide wie z. B. SrS:Ce3+, Na, SrS:Ce3+, Cl, SrS:CeCl3, CaS:Ce3+ und SrSe:Ce3+.
  • Zur Erzeugung von mischfarbigem Licht eignen sich darüberhinaus mit Seltenen Erden dotierte Thiogallate wie z. B. CaGa2S4:Ce3+ und SrGa2S4:Ce3+ sowie mit Seltenen Erden dotierte Aluminate wie z. B. YAlO3:Ce3 +, YGaO3:Ce3+, Y(Al, Ga)O3:Ce3+ und mit Seltenen Erden dotierte Orthosilikate M2SiO5:Ce3+ (M:Sc, Y, Sc) wie z. B. Y2SiO5:Ce3+. Bei allen Yttriumverbindungen kann das Yttrium im Prinzip auch durch Scandium oder Lanthan ersetzt werden.
  • Ebenso kann vorteilhafterweise bei dem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement auch eine Anzahl (einer oder mehrere) von aus dem ersten Wellenlängenbereich stammenden ersten spektralen Teilbereichen in mehrere zweite Wellenlängenbereiche umgewandelt werden. Dadurch ist es vorteilhafterweise möglich, vielfältige Farbmischungen und Farbtemperaturen zu erzeugen.
  • Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement hat den besonderen Vorteil, daß das über Lumineszenkonversion erzeugte Wellenlängenspektrum und damit die Farbe des abgestrahlten Lichtes nicht von der Höhe der Betriebsstromstärke durch den Halbleiterkörper abhängt. Dies ist insbesondere dann von großer Bedeutung, wenn die Umgebungstemperatur des Halbleiterbauelementes und damit bekanntermaßen auch die Betriebsstromstärke stark schwankt. Besonders Leuchtdioden mit einem Halbleiterkörper auf der Basis von GaN sind diesbezüglich sehr empfindlich.
  • Außerdem benötigt das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement im Gegensatz zu den eingangs genannten Multi-LEDs nur eine einzige Ansteuerspannung und damit auch nur eine einzige Ansteuerschaltungsanordnung, wodurch der Bauteileaufwand sehr gering gehalten werden kann.
  • Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist als Lumineszenzkonversionselement über oder auf dem Halbleiterkörper eine teiltransparente, d. h. eine für die von dem Strahlung aussendenden Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung teilweise transparente Lumineszenzkonversionsschicht vorgesehen. Um eine einheitliche Farbe des abgestrahlten Lichtes sicherzustellen, ist vorteilhafterweise die Lumineszenzkonversionsschicht derart ausgebildet, daß sie durchweg eine konstante Dicke aufweist. Ein besonderer Vorteil eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements gemäß dieser Weiterbildung besteht darin, daß auf einfache Weise eine hohe Reproduzierbarkeit erzielt werden kann, was für eine effiziente Massenfertigung von wesentlicher Bedeutung ist. Als Lumineszenzkonversionsschicht kann beispielsweise eine mit anorganischem Leuchtstoff versetzte Lack- oder Kunstharzschicht vorgesehen sein.
  • Eine andere bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes weist als Lumineszenzkonversionselement eine teiltransparente Lumineszenzkonversionsumhüllung auf, die zumindest einen Teil des Halbleiterkörpers (und evtl. Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse) umschließt und gleichzeitig als Bauteilumhüllung (Gehäuse) genutzt sein kann. Der Vorteil eines Halbleiterbauelements gemäß dieser Ausführungsform besteht im wesentlichen darin, daß zu seiner Herstellung konventionelle, für die Herstellung von herkömmlichen Leuchtdioden (z. B. Radial-Leuchdioden) eingesetzte Produktionslinien genutzt werden können. Für die Bauteilumhüllung ist anstelle des bei herkömmlichen Leuchtdioden dafür verwendeten transparenten Kunststoffes das Material der Lumineszenzkonversionsumhüllung verwendet.
  • Bei vorteilhaften Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements und der beiden oben genannten bevorzugten Ausführungsformen besteht die Lumineszenzkonversionsschicht bzw. die Lumineszenzkonversionsumhüllung aus einem transparenten Material (z. B. Kunststoff (wie Epoxidharz)), das mit mindestens einem anorganischen Farbstoff versehen ist (Beispiele für geeignete Kunststoffe finden sich weiter unten). Auf diese Weise lassen sich Lumineszenzkonversionselemente besonders kostengünstig herstellen. Die dazu notwendigen Verfahrensschritte sind nämlich ohne großen Aufwand in herkömmliche Produktionslinien für Leuchtdioden integrierbar.
  • Bei einer besonders bevorzugten Weiterbildung der Erfindung bzw. der o. g. Ausführungsformen ist vorgesehen, daß der oder die zweiten Wellenlängenbereiche zumindest teilweise größere Wellenlängen aufweisen als der erste Wellenlängenbereich.
  • Insbesondere ist vorgesehen, daß ein zweiter spektraler Teilbereich des ersten Wellenlängenbereiches und ein zweiter Wellenlängenbereich zueinander komplementär sind. Auf diese Weise kann aus einer einzigen farbigen Lichtquelle, insbesondere einer Leuchtdiode mit einem einzigen blaues oder grünes Licht abstrahlenden Halbleiterkörper, mischfarbiges, insbesondere weißes Licht erzeugt werden. Um z. B. mit einem blaues Licht aussendenden Halbleiterkörper weißes Licht zu erzeugen, wird ein Teil des von dem Halbleiterkörper ausgesandten Spektralbereiches in einen gelben Spektralbereich konvertiert. Die Farbtemperatur des weißen Lichtes kann dabei durch geeignete Wahl des anorganischen Leuchtstoffes und geeignete Gestaltung des Lumineszenzkonversionselements (z. B. hinsichtlich Schichtdicke und Leuchtstoffkonzentration), variiert werden. Darüberhinaus bieten diese Anordnungen vorteilhafterweise auch die Möglichkeit, Leuchtstoffmischungen einzusetzen, wodurch sich vorteilhafterweise der gewünschte Farbton sehr genau einstellen läßt.
  • Ebenso können Lumineszenzkonversionselemente inhomogen ausgestaltet sein, z. B. mittels einer inhomogenen Leuchtstoffverteilung. Unterschiedliche Weglängen des Lichtes durch das Lumineszenzkonversionselement können dadurch vorteilhafterweise kompensiert werden.
  • Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements weist das Lumineszenzkonversionselement oder ein anderer Bestandteil einer Bauteilumhüllung zur Farbanpassung einen oder mehrere Farbstoffe auf, die keine Wellenlängenkonversion bewirken. Hierzu können die für die Herstellung von herkömmlichen Leuchdioden verwendeten Farbstoffe wie z. B. Azo-, Anthrachinon- oder Perinon-Farbstoffe wie herkömmlich eingesetzt werden.
  • Bei einer vorteilhaften Weiterbildung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements ist zumindest ein Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers von einer ersten, z. B. aus einem Kunststoff bestehenden transparenten Umhüllung umgeben, auf der die Lumineszenzkonversionsschicht aufgebracht ist. Dadurch wird die Strahlungsdichte im Lumineszenzkonversionselement und somit dessen Strahlungsbelastung verringert, was sich je nach verwendeten Materialien positiv auf die Lebensdauer des Lumineszenzkonversionselementes auswirkt.
  • Bei einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung sowie der oben genannten Ausführungsformen ist ein Halbleiterkörper, z. B. eine Leuchdiode oder eine Laserdiode verwendet, bei dem das ausgesandte Strahlungsspektrum bei einer Wellenlänge zwischen 420 nm und 460 nm, insbesondere bei 430 nm (z. B. Halbleiterkörper auf der Basis von GaxAl1-xN) oder 450 nm (z. B. Halbleiterkörper auf der Basis von GaxIn1-xN) ein Intenistätsmaximum. Mit einem derartigen erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement lassen sich vorteilhafterweise nahezu sämtliche Farben und Mischfarben der C.I.E.-Farbtafel erzeugen.
  • Bei einer weiteren besonders bevorzugten Weiterbildung der Erfindung und deren Ausführungsformen ist die Lumineszenzkonversionsumhüllung bzw. die Lumineszenzkonversionsschicht aus einem Lack oder aus einem Kunststoff, wie beispielsweise die für die Umhüllung optoelektronischer Bauelemente eingesetzten Silikon-, Thermoplast- oder Duroplastmaterialien (Epoxid- u. Acrylatharze) hergestellt. Desweiteren können z. B. aus Thermoplastmaterialien gefertigte Abdeckelemente als Lumineszenzkonversionsschicht eingesetzt sein. Sämtliche oben genannten Materialien lassen sich auf einfache Weise mit einem oder mehreren anorganischen Leuchtstoffen versetzen.
  • Besonders einfach läßt sich ein erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement vorteilhafterweise dann realisieren, wenn der Halbleiterkörper gemäß einer bevorzugten Weiterbildung in einer Ausnehmung eines gegebenenfalls vorgefertigten Gehäuses angeordnet ist und die Ausnehmung mit einem die Lumineszenzkonversionsschicht aufweisenden Abdeckelement versehen ist. Ein derartiges Halbleiterbauelement läßt sich in großer Stückzahl in herkömmlichen Produktionslinien herstellen. Hierzu muß lediglich nach der Montage des Halbleiterkörpers in das Gehäuse, das Abdeckelement, beispielsweise eine Lack- oder Gießharzschicht oder eine vorgefertigte Abdeckplatte aus Thermoplastmaterial, auf das Gehäuse aufgebracht werden. Optional kann die Ausnehmung des Gehäuses mit einem transparenten Material, beispielsweise einem transparenten Kunststoff, gefüllt sein, das z. B. die Wellenlänge des von dem Halbleiterkörper ausgesandten Lichtes nicht verändert oder aber, falls gewünscht, bereits lumineszenzkonvertierend ausgebildet sein kann. Im letztgenannten Fall kann das Abdeckelement auch weggelassen sein.
  • Vorteilhafte Materialien zur Herstellung der o. g. Lumineszenzkonversionsschicht bzw. Lumineszenzkonversionsumhüllung sind z. B. Polymethylmetacrylat (PMMA) oder Epoxidharz dem ein oder mehrere anorganische Leuchtstoffe zugesetzt sind.
  • Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements bestehen zumindest alle lichtdurchstrahlten Komponenten der Umhüllung, d. h. auch die Lumineszenzkonversionsumhüllung bzw. -schicht aus rein anorganischen Materialien. Das Lumineszenzkonversionselement besteht somit aus einem anorganischen Leuchtstoff, der in einem temperaturstabilen, transparenten oder teiltransparenten anorganischen Material eingebettet ist. Insbesondere besteht das Lumineszenzkonversionselement aus einem anorganischen Phosphor, der in ein vorteilhafterweise niedrig schmelzendes anorganisches Glas (z. B. Silikatglas) eingebettet ist. Eine bevorzugte Herstellungsweise für eine derartige Lumineszenzkonversionsschicht ist die Sol-Gel-Technik, mit der die gesamte Lumineszenzkonversionsschicht, d. h. sowohl der anorganische Leuchtstoff als auch das Einbettmaterial in einem Arbeitsgang hergestellt werden kann.
  • Um die Durchmischung der von dem Halbleiterkörper ausgesandten Strahlung des ersten Wellenlängenbereiches mit der lumineszenzkonvertierten Strahlung des zweiten Wellenlängebereiches und damit die Farbkonstanz des abstrahlten Lichtes zu verbessern, ist bei einer vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements der Lumineszenzumhüllung bzw. der Lumineszenzkonversionsschicht und/oder einer anderen Komponente der Bauteilumhüllung zusätzlich ein im Blauen lumineszierender Farbstoff hinzugefügt, der eine sogenannte Richtcharakteristik der von dem Halbleiterkörper abgestrahlten Strahlung abschwächt. Unter Richtcharakteristik ist zu verstehen, daß die von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung eine bevorzugte Abstrahlrichtung aufweist.
  • Bei einer anderen vorteilhaften Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements ist zu diesem Zweck ein pulverförmiger anorganischer Leuchtstoff verwendet, der sich in dem ihn umhüllenden Stoff (Matrix) nicht löst. Außerdem weisen der anorganische Leuchtstoff und der ihn umhüllende Stoff voneinander verschiedene Brechungsindizes auf. Dies führt vorteilhafterweise dazu, daß abhängig von der Korngröße des Leuchtstoffes, ein Anteil des nicht vom Leuchtstoff absorbierten Lichtes gestreut wird. Dadurch ist die Richtcharakteristik der von dem Halbleiterkörper abgestrahlten Strahlung effizient geschwächt, so daß die nicht absorbierte Strahlung und die lumineszenzkonvertierte Strahlung homogen gemischt werden, was zu einem räumlich homogenen Farbeindruck führt. Das ist z. B. der Fall, wenn YAG:Ce mit einer Korngröße von 4 μm–13 μm in Epoxidharz eingebettet ist.
  • Ein weißes Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement läßt sich beispielsweise dadurch realisieren, daß einem zur Herstellung der Lumineszenzkonversionsumhüllung oder -schicht verwendeten Epoxidharz der anorganische Leuchtstoff Y3Al5O12:Ce3+ beigemischt wird. Ein Teil einer von dem Halbleiterkörper ausgesandten blauen Strahlung wird von dem anorganischen Leuchtstoff Y3Al5O12:Ce3+ in den gelben Spektralbereich und somit in einen komplementären Wellenlängenbereich verschoben. Der Farbton (Farbort in der CIE-Farbtafel) des weißen Lichts kann dabei durch geeignete Wahl der Farbstoffmischung und -konzentration variiert werden.
  • Bei einer weiteren bevorzugten Weiterbildung eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements bzw. der oben angegebenen vorteilhaften Ausführungsformen sind dem Lumineszenzkonversionselement oder einer anderen strahlungsdurchlässigen Komponente der Bauteilumhüllung zusätzlich lichtstreuende Partikel, sogenannte Diffusoren zugesetzt. Hierdurch läßt sich vorteilhafterweise der Farbeindruck und die Abstrahlcharakteristik des Halbleiterbauelements weiter optimieren.
  • Von besonderem Vorteil ist, daß die Leuchteffizienz von weißleuchtenden erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementen bzw. deren o. g. Ausführungsformen mit einem im wesentlichen auf der Basis von GaN hergestellten blau leuchtenden Halbleiterkörper gegenüber der Leuchteffizienz einer Glühlampe erheblich erhöht ist. Der Grund dafür besteht darin, daß zum einen die externe Quantenausbeute derartiger Halbleiterkörper bei einigen Prozent liegt und andererseits die Lumineszenzausbeute von anorganischen Leuchtstoffen oft bei über 90% angesiedelt ist. Darüberhinaus zeichnet sich das erfindungsgemaße Halbleiterbauelement im Vergleich zur Glühbirne durch eine extrem lange Lebensdauer, gröbere Robustheit und eine kleinere Betriebsspannung aus.
  • Vorteilhaft ist weiterhin, daß die für das menschliche Auge wahrnehmbare Helligkeit des erfindungsgemaßen Halbleiterbauelements gegenüber einem ohne Lumineszenzkonversionselement ausgestatteten, aber sonst identischen Halbleiterbauelement deutlich erhöht werden kann, da die Augenempfindlichkeit zu höherer Wellenlänge hin zunimmt. Es kann darüberhinaus auch ultraviolettes Licht in sichtbares Licht umgewandelt werden.
  • Das hier vorgestellte Konzept der Lumineszenzkonversion mit blauem Licht eines Halbleiterkörpers läßt sich vorteilhafterweise auch auf mehrstufige Lumineszenzkonversionselemente erweitern, nach dem Schema ultraviolett → blau → grün → gelb → rot. Hierbei werden mehrere unterschiedlich spektral selektiv emittierende Lumineszenzkonversionselemente relativ zum Halbleiterkörper hintereinander angeordnet.
  • Ebenso können vorteilhafterweise mehrere unterschiedlich spektral selektiv emittierende anorganische Leuchtstoffe gemeinsam in einen transparenten Kunststoff eines Lumineszenzkonversionselements eingebettet sein. Hierdurch ist ein sehr breites Farbenspektrum erzeugbar.
  • Besonders vorteilhaft können erfindungsgemäße Halbleiterbauelemente gemäß der vorliegenden Erfindung z. B. in vollfarbtauglichen LED-Anzeigevorrichtungen (Displays) oder zu Beleuchtungszwecken in Flugzeugen, Kraftfahrzeugen usw. eingesetzt werden.
  • Ein besonderer Vorteil von erfindungsgemäßen weißes Licht abstrahlenden Halbleiterbauelementen auf der Basis Ce-dotierter Phosphore als Leuchtstoff besteht darin, daß diese Leuchtstoffe bei Anregung mit blauem Licht eine spektrale Verschiebung von ca. 100 nm zwischen Absorption und Emission bewirkt. Dies führt zu einer wesentlichen Reduktion der Reabsorption des vom Leuchtstoff emittierten Lichtes und damit zu einer höheren Lichtausbeute. Außerdem besitzen derartige anorganische Leuchtstoffe vorteilhafterweise im allgemeinen eine hohe thermische und photochemische (z. B. UV-)Stabilität (wesentlich höher als organische Leuchtstoffe), so daß auch Weiß leuchtende Dioden für Außenanwendung und/oder hohe Temperaturbereiche herstellbar sind.
  • Besonders vorteilhaft lassen sich erfindungsgemäße Halbleiterbauelemente insbesondere aufgrund ihrer geringen Leistungsauf nahme in vollfarbtauglichen LED-Displays, zur Beleuchtung von Kfz-Innenräumen oder von Flugzeugkabinen sowie zur Beleuchtung von Anzeigevorrichtungen wie Kfz-Armaturen oder Flüssigkristallanzeigen verwenden.
  • 1 eine schematische Schnittansicht durch ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements;
  • 2 eine schematische Schnittansicht eines zweiten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes;
  • 3 eine schematische Schnittansicht durch ein drittes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäße Halbleiterbauelementes;
  • 4 eine schematische Schnittansicht eines vierten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements;
  • 5 eine schematische Schnittansicht eines fünften Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes;
  • 6 eine schematische Schnittansicht eines sechsten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes;
  • 7 eine schematische Darstellung eines Emissionsspektrums eines blaues Licht abstrahlenden Halbleiterkörpers mit einer Schichtenfolge auf der Basis von GaN;
  • 8 eine schematische Darstellung der Emissionsspektren von Halbleiterbauelementen, die weißes Licht abstrahlen;
  • 9 eine schematische Schnittdarstellung durch einen Halbleiterkörper, der blaues Licht aussendet;
  • 10 eine schematische Schnittansicht eines siebten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes
  • 11 eine schematische Schnittansicht eines achten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes und
  • 12 eine schematische Schnittansicht eines neunten Ausführungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes.
  • In den verschiedenen Figuren sind jeweils gleiche oder gleichwirkende Teile immer mit denselben Bezugszeichen versehen.
  • Bei dem in 1 dargestellten Licht aussendenden Halbleiterbauelement weist ein Halbleiterkörper 1, z. B. eine Leuchtdiode oder eine Laserdiode, einen Rückseitenkontakt 11, einen Vorderseitenkontakt 12 und eine sich aus einer Anzahl von unterschiedlichen Schichten zusammensetzende Schichtenfolge 7 auf, die mindestens eine eine Strahlung (z. B. ultraviolette, blaue oder grüne Strahlung) aussendende aktive Zone besitzt.
  • Ein Beispiel für eine geeignete Schichtenfolge 7 für dieses und für sämtliche im folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele ist in 9 gezeigt. Hierbei ist auf einem Substrat 18, das z. B. aus SiC besteht, eine Schichtenfolge aus einer AlN- oder GaN-Schicht 19, einer n-leitenden GaN-Schicht 20, einer n-leitenden GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht 21, einer weiteren n-leitenden GaN- oder GaxIn1-xN-Schicht 22, einer p-leitenden GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht 23 und einer p-leitenden GaN-Schicht 24 aufgebracht. Auf einer Hauptfläche 25 der p-leitenden GaN-Schicht 24 und einer Hauptfläche 26 des Substrats 18 ist jeweils eine Kontaktmetallisierung 27, 28 aufgebracht, die aus einem herkömmlich in der Halbleitertechnik für elektrische Kontakte verwendeten Werkstoff besteht.
  • Es kann jedoch auch jeder andere dem Fachmann für das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement als geeignet erscheinende Halbleiterkorper verwendet werden. Dies gilt ebenso für samtliche nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele.
  • Im Ausführungsbeispiel von 1 ist der Halbleiterkörper 1 mittels eines elektrisch leitenden Verbindungsmittels, z. B. ein metallisches Lot oder ein Klebstoff, mit seinem Rückseitenkontakt 11 auf einem ersten elektrischen Anschluß 2 befestigt. Der Vorderseitenkontakt 12 ist mittels eines Bonddrahtes 14 mit einem zweiten elektrischen Anschluß 3 verbunden.
  • Der Halbleiterkörper 1 und Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse 2 und 3 sind unmittelbar von einer Lumineszenzkonversionsumhüllung 5 umschlossen. Diese besteht beispielsweise aus einem für transparente Leuchtdiodenumhüllungen verwendbaren transparenten Kunststoff (z. B. Epoxidharz oder Polymethylmetaacrylat) oder einem niedrig schmelzenden anorganischen Glas, dem ein anorganischer Leuchtstoff 6 für ein weißes Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement, beigemischt ist.
  • Das in 2 dargestellte Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements unterscheidet sich von dem der 1 dadurch, daß der Halbleiterkörper 1 und Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse 2 und 3 anstatt von einer Lumineszenzkonversionsumhüllung von einer transparenten Umhüllung 15 umschlossen sind. Diese transparente Umhüllung 15 bewirkt keine Wellenlängenänderung einer von dem Halbleiterkörper 1 ausgesandten Strahlung und besteht beispielsweise aus einem in der Leuchtdiodentechnik herkömmlich verwendeten Epoxid-, Silikon- oder Acrylatharz oder aus einem anderen geeigneten strahlungsdurchlässigen Material wie z. B. anorganisches Glas.
  • Auf diese transparente Umhüllung 15 ist eine Lumineszenzkonversionsschicht 4 aufgebracht, die, wie in der 2 dargestellt, die gesamte Oberfläche der Umhüllung 15 bedeckt. Ebenso denkbar ist, daß die Lumineszenzkonversionsschicht 4 nur einen Teilbereich dieser Oberfläche bedeckt. Die Lumineszenzkonversionsschicht 4 besteht beispielsweise wiederum aus einem transparenten Kunststoff (z. B. Epoxidharz, Lack oder Polymethylmetaacrylat) oder aus einem anorganischen Glas, der bzw. das mit einem anorganischen Leuchtstoff 6 versetzt ist.
  • Dieses Ausführungsbeispiel hat den besonderen Vorteil, daß für die gesamte von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung die Weglänge durch das Lumineszenzkonverionselement näherungsweise gleich groß ist. Dies spielt insbesondere dann eine bedeutende Rolle, wenn, wie oftmals der Fall, der genaue Farbton des von dem Halbleiterbauelement abgestrahlten Lichtes von dieser Weglänge abhängt.
  • Zur besseren Auskopplung des Lichtes aus der Lumineszenzkonversionsschicht 4 von 2 kann auf einer Seitenfläche des Bauelements eine linsenförmige Abdeckung 29 (gestrichelt eingezeichnet) vorgesehen sein, die eine Totalreflexion der Strahlung innerhalb der Lumineszenzkonversionsschicht 4 reduziert. Diese linsenförmige Abdeckung 29 kann aus transparentem Kunststoff oder Glas bestehen und auf die Lumineszenzkonversionsschicht 4 beispielsweise aufgeklebt oder direkt als Bestandteil der Lumineszenzkonversionsschicht 4 ausgebildet sein.
  • Bei dem in 3 dargestellten Ausführungsbeispiel sind der erste und der zweite elektrische Anschluß 2, 3 in ein lichtundurchlässiges evtl. vorgefertigtes Grundgehäuse 8 mit einer Ausnehmung 9 eingebettet. Unter „vorgefertigt” ist zu verstehen, daß das Grundgehäuse 8 bereits an den Anschlüssen 2, 3 beispielsweise mittels Spritzguß fertig ausgebildet ist, bevor der Halbleiterkörper auf den ersten Anschluß 2 montiert wird. Das Grundgehäuse 8 besteht beispielsweise aus einem lichtundurchlässigen Kunststoff und die Ausnehmung 9 ist als Reflektor 17 (ggf. durch geeignete Beschichtung der Innenwände der Ausnehmung 9) ausgebildet. Solche Grundgehäuse 8 werden seit langem insbesondere bei oberflächenmontierbaren Leuchtdioden (SMDTOPLEDs) verwendet und werden daher an dieser Stelle nicht mehr näher erläutert. Sie werden vor der Montage der Halbleiterkörper auf ein die elektrischen Anschlüsse 2, 3 aufweisendes Leiterband (Leadframe) aufgebracht.
  • Die Ausnehmung 9 ist von einer Lumineszenzkonversionsschicht 4, beispielsweise eine separat hergestellte und auf dem Grundgehäuse 8 befestigte Abdeckplatte 17 aus Kunststoff, abgedeckt. Als geeignete Materialien für die Lumineszenzkonversionsschicht 4 kommen wiederum die weiter oben im allgemeinen Teil der Beschreibung genannten Kunststoffe oder anorganisches Glas in Verbindung mit den dort genannten anorganischen Leuchtstoffen in Frage. Die Ausnehmung 9 kann sowohl mit einem transparenten Kunststoff, mit einem anorganischen Glas oder mit Gas gefüllt als auch mit einem Vakuum versehen sein.
  • Wie bei dem Ausführungsbeispiel nach 2 kann auch hier zur besseren Auskopplung des Lichtes aus der Lumineszenzkonversionsschicht 4 auf dieser eine linsenförmige Abdeckung 29 (gestrichelt eingezeichnet) vorgesehen sein, die eine Totalreflexion der Strahlung innerhalb der Lumineszenzkonversionsschicht 4 reduziert. Diese Abdeckung 29 kann wiederum aus transparentem Kunststoff oder aus anorganischem Glas bestehen und auf die Lumineszenzkonversionsschicht 4 beispielsweise aufgeklebt oder zusammen mit der Lumineszenzkonversionsschicht 4 einstückig ausgebildet sein.
  • Ebenso ist es möglich, daß die Ausnehmung 9, wie in 10 gezeigt, mit einem mit einem anorganischen Leuchtstoff 6 versehenen Kunststoff oder Glas, d. h. mit einer Lumineszenzumhüllung 5 gefüllt ist, die das Lumineszenzkonversionselement bildet. Eine Abdeckplatte 17 und/oder eine linsenförmige Abdeckung 29 kann dann auch weggelassen sein. Weiterhin ist optional, wie in 11 dargestellt, der erste elektrische Anschluß 2 z. B.
  • durch Prägen im Bereich des Halbleiterkörpers 1 als Reflektorwanne 34 ausgebildet, die mit einer Lumineszenzkonversionsumhüllung 5 gefüllt ist.
  • In 4 ist als weiteres Ausführungsbeispiel eine sogenannte Radialdiode dargestellt. Hierbei ist der Halbleiterkörper 1 in einem als Reflektor ausgebildeten Teil 16 des ersten elektrischen Anschlußes 2 beispielsweise mittels Löten oder Kleben befestigt. Auch derartige Gehäusebauformen sind aus der Leuchtdiodentechnik wohlbekannt und bedürfen von daher keiner näheren Erläuterung.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel von 4 ist der Halbleiterkörper 1 von einer transparenten Umhüllung 15 umgeben, die wie beim zweitgenannten Ausführungsbeispiel (2) keine Wellenlängenänderung der von dem Halbleiterkörper 1 ausgesandten Strahlung bewirkt und beispielsweise aus einem herkömmlich in der Leuchtdiodentechnik verwendeten transparenten Epoxidharz oder aus einem anorganischen Glas bestehen kann.
  • Auf dieser transparenten Umhüllung 15 ist eine Lumineszenzkonversionsschicht 4 aufgebracht. Als Material hierfür kommen beispielsweise wiederum die im Zusammenhang mit den vorgenannten Ausführungsbeispielen angeführten Kunststoffe oder anorganisches Glas in Verbindung mit den oben genannten Leuchtstoffen in Frage.
  • Der gesamte Aufbau, bestehend aus Halbleiterkörper 1, Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse 2, 3, transparente Umhüllung 15 und Lumineszenzkonversionsschicht 4, ist von einer weiteren transparenten Umhüllung 10 umschlossen, die keine Wellenlängenänderung der durch die Lumineszenzkonversionsschicht 4 hindurchgetretenen Strahlung bewirkt. Sie besteht beispielsweise wiederum aus einem herkömmlich in der Leuchtdiodentechnik verwendeten transparenten Epoxidharz oder aus Glas.
  • Das in 5 gezeigte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem von 4 insbesondere dadurch, daß die freien Oberflächen des Halbleiterkörpers 1 unmittelbar von einer Lumineszenzkonversionsumhüllung 5 bedeckt sind, die wiederum von einer weiteren transparenten Umhüllung 10 umgeben ist. In 5 ist weiterhin beispielhaft ein Halbleiterkörper 1 dargestellt, bei dem anstelle des Rückseitenkontaktes 11 ein weiterer Kontakt auf der Halbleiterschichtenfolge 7 angebracht ist, der mittels eines zweiten Bonddrahtes 14 mit dem zugehörigen elektrischen Anschluß 2 oder 3 verbunden ist. Selbstverständlich sind derartige Halbleiterkörper 1 auch bei allen anderen hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen einsetzbar. Umgekehrt ist natürlich auch bei dem Ausführungsbeispiel von 5 ein Halbleiterkörper 1 gemäß den vorgenannten Ausführungsbeispielen verwendbar.
  • Der Vollständigkeit halber sei an dieser Stelle angemerkt, daß selbstverständlich auch bei der Bauform nach 5 analog zu dem Ausführungsbeispiel nach 1 eine einstückige Lumineszenzkonversionsumhüllung 5, die dann an die Stelle der Kombination aus Lumineszenzkonversionsumhüllung 5 und weiterer transparenter Umhüllung 10 tritt, verwendet sein kann.
  • Bei dem Ausführungsbeispiel von 6 ist eine Lumineszenzkonversionsschicht 4 (mögliche Materialien wie oben angegeben) direkt auf den Halbleiterkörper 1 aufgebracht. Dieser und Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse 2, 3 sind von einer weiteren transparenten Umhüllung 10 umschlossen, die keine Wellenlängenänderung der durch die Lumineszenzkonversionsschicht 4 hindurchgetretenen Strahlung bewirkt und beispielsweise aus einem in der Leuchtdiodentechnik verwendbaren transparenten Epoxidharz oder aus Glas gefertigt ist.
  • Solche, mit einer Lumineszenzkonversionsschicht 4 versehenen Halbleiterkörper 1 ohne Umhüllung können natürlich vorteilhafterweise in sämtlichen aus der Leuchtdiodentechnik bekannten Gehäusebauformen (z. B. SMD-Gehäuse, Radial-Gehäuse (man vergleiche 5)) verwendet sein.
  • Bei dem in 12 dargestellten Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements ist auf dem Halbleiterkörper 1 ein transparentes Wannenteil 35 angeordnet, das über dem Halbleiterkörper 1 eine Wanne 36 aufweist. Das Wannenteil 35 besteht beispielsweise aus transparentem Epoxidharz oder aus anorganischem Glas und ist z. B. mittels Umspritzen der elektrischen Anschlüsse 2, 3 einschließlich Halbleiterkörper 1 gefertigt. In dieser Wanne 36 ist eine Lumineszenzkonversionsschicht 4 angeordnet, die z. B. wiederum aus Epoxidharz oder anorganischem Glas gefertigt ist, in das Partikel 37, bestehend aus einem der o. g. anorganischen Leuchtstoffe, eingebunden sind. Bei dieser Bauform wird vorteilhafterweise auf sehr einfache Weise sichergestellt, daß sich der Leuchtstoff während der Herstellung des Halbleiterbauelements an nicht vorgesehenen Stellen, z. B. neben dem Halbleiterkörper, ansammelt. Das Wannenteil 35 kann selbstverständlicherweise auch separat hergestellt und anderweitig, z. B. an einem Gehäuseteil, über dem Halbleiterkörper 1 befestigt sein.
  • Bei sämtlichen der oben beschriebenen Ausführungsbeispiele kann zur Optimierung des Farbeindrucks des abgestrahlten Lichts sowie zur Anpassung der Abstrahlcharakteristik das Lumineszenzkonversionselement (Lumineszenzkonversionsumhüllung 5 oder Lumineszenzkonversionsschicht 4), ggf. die transparente Umhüllung 15, und/oder ggf. die weitere transparente Umhüllung 10 lichtstreuende Partikel, sogenannte Diffusoren aufweisen. Beispiele für derartige Diffusoren sind mineralische Füllstoffe, insbesondere CaF2, TiO2, SiO2, CaCO3 oder BaSO4 oder auch organische Pigmente. Diese Materialien können auf einfache Weise den o. g. Umhüllungs- bzw. Schichtmaterialien zugesetzt werden.
  • In den 7 und 8 sind Emissionsspektren eines blaues Licht abstrahlenden Halbleiterkörpers (7) (Lumineszenzmaximum bei λ ~ 430 nm) bzw. von Weiß leuchtenden Halbleiterbauelementen (8) gezeigt, die mittels solcher Halbleiterkörper hergestellt sind. An der Abszisse ist die Wellenänge λ in nm und an der Ordinate ist eine relative Intensität der ausgesandten Strahlung aufgetragen.
  • Von der vom Halbeiterkörper ausgesandten Strahlung nach 7 wird nur ein Teil in einen längerwelligen Wellenlängenbereich konvertiert, so daß als Mischfarbe weißes Licht entsteht. Die verschiedenartig gestrichelten Linien 30 bis 33 von 8 stellen Emissionsspektren von Halbleiterbauelementen in Form von Radialdioden dar, bei denen das Lumineszenzkonversionselement, in diesem Fall eine Lumineszenzkonversionsumhüllung aus Epoxidharz, unterschiedliche YAG:Ce-Konzentrationen aufweist. Jedes Emissionsspektrum weist zwischen λ = 420 nm und λ = 430 nm, also im blauen Spektralbereich, und zwischen λ = 520 nm und λ = 545 nm, also im grünen Spektralbereich, jeweils ein Intensitätsmaximum auf, wobei die Emissionsbanden mit dem längerwelligen Intensitätsmaximum zu einem großen Teil im gelben Spektralbereich liegen. Das Diagramm von 8 verdeutlicht, daß bei dem Halbleiterbauelement auf einfache Weise durch Veränderung der Leuchtstoffkonzentration im Epoxidharz der CIE-Farbort des weißen Lichtes verändert werden kann.
  • Weiterhin ist es möglich, anorganische Leuchtstoffe auf Basis von Ce-dotierten Granaten, Thiogallaten, Erdalkali-Sulfiden und Aluminaten direkt auf den Halbleiterkörper aufzubringen, ohne sie in Epoxidharz oder Glas zu dispergieren.
  • Ein weiterer besonderer Vorteil der oben genannten anorganischen Leuchtstoffe ergibt sich daraus, daß die Leuchtstoff konzentration z. B. im Epoxidharz nicht wie bei organischen Farbstoffen durch die Löslichkeit begrenzt wird. Dadurch sind keine großen Dicken von Lumineszenzkonversionselementen nötig.

Claims (25)

  1. Mischfarbiges Licht abstrahlendes Bauelement mit – einem blaues Licht aussendenden Halbleiterkörper (1), der elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs mit einem Intensitätsmaximum bei einer Wellenlänge λ ≤ 520 nm aussendet, und – einem Lumineszenzkonversionselement (4, 5), das einen lumineszierenden Leuchtstoff aufweist, der einen Teil des vom Halbleiterkörper (1) ausgesandten Strahlung blauen Lichts absorbiert und sichtbares Licht eines längerwelligen zweiten Wellenlängenbereichs emittiert, wobei das Lumineszenzkonversionselement (4, 5) – anorganische Leuchtstoffpartikel (6) enthält, – sowohl für die Strahlung des ersten Wellenlängenbereichs als auch für die Strahlung des zweiten Wellenlängenbereichs zumindest teilweise durchlässig ist, – zumindest zum Teil dem Halbleiterkörper (1) in Abstrahlrichtung des Bauelements nachgeordnet ist, – von dem Halbleiterkörper (1) abgestrahltes sichtbares Licht des ersten Wellenlängenbereichs mit lumineszenzkonvertiertem sichtbarem Licht des zweiten Wellenlängenbereichs mischt, und – der Leuchtstoff einen oder mehrere Stoffe aus der Gruppe der mit Seltenen Erden dotierten Orthosilikate ausgenommen Granate aufweist.
  2. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement mit mehreren verschiedenartigen anorganischen Leuchtstoffen (6) versehen ist.
  3. Bauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß einer der Leuchtstoffe einen oder mehrere weitere Stoffe aus der Gruppe der Ce-dotierten Granate aufweist.
  4. Bauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet daß einer der Leuchtstoffe YAG:Ce aufweist.
  5. Bauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß einer der weiteren Leuchtstoffe einen oder mehrere Stoffe aus der Gruppe der mit Seltenen Erden dotierten Erdalkali–Sulfide, mit Seltenen Erden dotierten Thiogallate und mit Seltenen Erden dotierten Aluminate aufweist.
  6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Wellenlängenbereich und der zweite Wellenlängenbereich sichtbares Licht zueinander komplementärer Farben aufweist.
  7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Lumineszenzkonversionselement eine Lumineszenzkonversionsumhüllung (5) vorgesehen ist, die zumindest einen Teil des Halbleiterkörpers (1) und Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse (2, 3) unmittelbar umschließt.
  8. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers (1) von einer transparenten Umhüllung (15) umgeben ist und daß auf der transparenten Umhüllung (15) das Lumineszenzkonversionselement (4) aufgebracht ist.
  9. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß dem Halbleiterkörper (1) in Abstrahlrichtung eine Lumineszenzkonversionsschicht (4) nachgeordnet ist, die durchweg eine konstante Dicke aufweist.
  10. Bauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Lumineszenzkonversionsschicht (4) dem Halbleiterkörper (1) aufgebracht ist und durchweg eine konstante Dicke aufweist.
  11. Bauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (1) in einer Ausnehmung (9) eines Grundgehäuses (8) angeordnet ist und die Ausnehmung (9) mit einer die Lumineszenzkonversionsschicht (4) aufweisenden Abdeckschicht (17) versehen ist.
  12. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (1) in einer Ausnehmung (9) eines Grundgehäuses (8) angeordnet ist und die Ausnehmung (9) zumindest teilweise mit der Lumineszenzkonversionsumhüllung (5) gefüllt ist.
  13. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement (4, 5) mehrere Bereiche mit unterschiedlichen Wellenlängenkonversionseigenschaften aufweist.
  14. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement (4, 5) eine eine Kunststoffmatrix, insbesondere eine Epoxidharz-, Silikon- oder Polymethylmetacrylat-Marix aufweist.
  15. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil des anorganischen Leuchtstoffes (6) unmittelbar auf dem Halbleiterkörper (1) aufgebracht ist.
  16. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest auf oder über einem Teil der Oberfläche des Lumineszenzkonversionselements (4, 5) eine transparente Umhüllung (10) vorgesehen ist.
  17. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement (4, 5) und/oder die transparente Umhüllung (10, 15) zusätzlich lichtstreuende Partikel, insbesondere CaF2, TiO2, SiO2, CaCO3 oder BaSO4 oder auch organische Pigmente, aufweist.
  18. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement (4, 5) und/oder die transparente Umhüllung (10, 15) zusätzlich mit mindestens einem im Blauen lumineszierenden Lumineszenzfarbstoff versehen ist.
  19. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchtstoff gelbes Licht aussendet und das Lumineszenzkonversionselement insgesamt weißes Licht abstrahlt.
  20. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß ein erstes Leuchtstoffmaterial grünes Licht und ein zweites Leuchtstoffmaterial rotes Licht aussendet und das Lumineszenzkonversionselement insgesamt weißes Licht abstrahlt.
  21. Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß das von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlungsspektrum bei einer Wellenlänge zwischen 420 nm und 460 nm ein Intensitätsmaximum aufweist.
  22. Bauelement nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß der Leuchstoff als weiteren Stift YAG:Ce enthält und das Lumineszenzkonversionselement (4, 5) Strahlung des Halbleiterkörpers (1) mit Strahlung der Leuchtstoffpartikel (6) zu weißem Licht mischt.
  23. Verwendung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 22 in einer vollfarbtauglichen LED-Anzeigevorrichtung.
  24. Verwendung einer Mehrzahl von Bauelementen gemäß einem der Ansprpüche 1 bis 22 zur Beleuchtung von Flugzeug- oder Fahrzeuginnenräumen.
  25. Verwendung eines Bauelements gemäß einem der Ansprüche 1 bis 22 zur Beleuchtung von Anzeigevorrichtungen, insbesondere zur Beleuchtung von Flüssigkristallanzeigen.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013109890A1 (de) * 2013-09-10 2015-03-12 Ligitek Electronics Co., Ltd. Flexibles LED-Lichtquellenmodul

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3804293A1 (de) * 1988-02-12 1989-08-24 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
EP0596548A1 (de) * 1992-09-23 1994-05-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Quecksilberniederdruckentladungslampe
JPH07176794A (ja) * 1993-12-17 1995-07-14 Nichia Chem Ind Ltd 面状光源
EP0936682A1 (de) * 1996-07-29 1999-08-18 Nichia Chemical Industries, Ltd. Licht-emittierende vorrichtung und anzeigevorrichtung
JP2007099345A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Somei:Kk ホルダー

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0799345A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3804293A1 (de) * 1988-02-12 1989-08-24 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
EP0596548A1 (de) * 1992-09-23 1994-05-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Quecksilberniederdruckentladungslampe
JPH07176794A (ja) * 1993-12-17 1995-07-14 Nichia Chem Ind Ltd 面状光源
EP0936682A1 (de) * 1996-07-29 1999-08-18 Nichia Chemical Industries, Ltd. Licht-emittierende vorrichtung und anzeigevorrichtung
JP2007099345A (ja) * 2005-10-05 2007-04-19 Somei:Kk ホルダー

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
aufgerufen über URL: http://en.wikipedia.org/wiki/Garnet Wikipedia, Artikel: Garnet, Version / letzte Änderung des Artikles: 13.02.2011, [abgerufen am 16.02.2011] *
aufgerufen über URL: http://www.britannica.com/EBchecked/topic/491579/rare-earth-element/81172/Other-applications Encyclopedia Britannica, Frank Harold Spedding Ed., Artikel: Rare-Earth Element, Section: Other-Applications, Version /letzte Änderung des Artikles: 26.02.2010, [abgerufen am 16.02.2011] *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013109890A1 (de) * 2013-09-10 2015-03-12 Ligitek Electronics Co., Ltd. Flexibles LED-Lichtquellenmodul

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