KR102230355B1 - 백색 발광 소재의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (a) 열 증착(thermal evaporation) 방법을 수행하여, 기판 상에 청색 발광 소재를 형성하기 위한 금속을 증착하는 단계; (b) 상기 (a) 단계를 통해 금속막이 증착된 기판을 플라즈마 화학기상 증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 반응기 내 위치시키고, 플라즈마 상태의 규소(Si) 및 산소(O)에 노출시켜, 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리드 된 물질을 형성하는 단계; 및 (C) 적색, 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리드 되도록 상기 (b) 단계를 통해 형성된 물질을 어닐링(annealing)하여 상기 물질 내 적색 발광 소재를 형성하는 단계; 를 포함하는 백색 발광 소재의 제조방법을 제공한다.

Description

백색 발광 소재의 제조방법 {SYNTHESIS OF WHITE-LUMINESCENCE MATERIAL}
본 발명은 백색 발광 다이오드(light emitting diode; LED) 구현을 위한 소재로서, 다양한 분야에 응용 가능성을 가지는 백색 발광 소재의 제조 방법에 관한 것이다.
백색 LED는 낮은 소비전력, 긴 수명, 작은 크기, 빠른 응답성, 긴 내구성, 전류에 의한 광출력 제어의 용이성 등과 같은 다양한 장점들을 가지고 있어 다양한 분야에 활용되고 있다. 특히, 백색 LED 광원은 조명뿐만 아니라 디스플레이, 바이오센서 등 다양한 광전 소자에 높은 응용성을 가지고 있기에 많은 주목을 받고 있다.
현재 백색 LED를 제조하는 방법 중 가장 널리 연구되고 있는 방법은 청색 LED 광원에 황색 발광용 형광체를 조합하여 백색을 구현하는 것이다. 이 방법은 국제 공개특허공보 WO98/005078(“light emitting device and display device”, 출원일 : 1997. 07. 29, 공개일 : 1998. 02. 05.), 일본의 Shuji Nakamura의 저서(S. Nakamura, “The Blue Laser Diode”, Springer-Verlag, 1997) 등에 제시된 바 있다.
상술한 방법으로 제조된 백색 발광 소재는 백색 발광 효율은 우수한 반면 연색지수(color rendering index)가 낮고, 전류 밀도와 사용 시간에 따라 연색지수가 변하는 문제점이 존재한다. 특히, LED로부터 나오는 여기 광원인 청색 빛의 세기가 강하고 형광체로부터 나오는 녹색과 적색광의 강도가 약해 형광등이나 달빛과 같은 푸른색의 차가운 백색광이 만들어져 활용성이 제약되고 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로 연색지수가 우수하여 다양한 분야에 응용 가능한 백색 발광 소재의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법은 (a) 열 증착(thermal evaporation) 방법을 수행하여, 기판 상에 청색 발광 소재를 형성하기 위한 금속을 증착하는 단계; (b) 상기 (a) 단계를 통해 금속막이 증착된 기판을 플라즈마 화학기상 증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 반응기 내 위치시키고, 플라즈마 상태의 규소(Si) 및 산소(O)에 노출시켜, 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리드 된 물질을 형성하는 단계; 및 (C) 적색, 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리드 되도록 상기 (b) 단계를 통해 형성된 물질을 어닐링(annealing)하여 상기 물질 내 적색 발광 소재를 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 (a) 단계에서, 상기 금속은 아연(Zn)인 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 (b) 단계를 통해 형성된 청색 발광 소재는 산화아연(ZnO)이고, 녹색 발광 소재는 SiOx(0<x<2)로 구성된 산화실리콘인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 (b) 단계를 통해 형성된 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리드 된 물질은 산화아연(ZnO) 상을 포함하는 Si-풍부 산화물 나노 와이어(sillicon-rich oxide nanowires; SONWs)인 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 (c)단계에서 형성된 적색 발광 소재는 실리콘 나노 결정(Si nanocrystals; Si NCs)인 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 (b)단계는, 상기 PECVD 반응기 내 질소로 희석된 5 % 사일렌(SiH4) 및 아산화질소(N2O)로 이루어진 혼합가스를 공급하며, 상기 혼합가스의 혼합비율(R=N2O/SiH4)에 따라 백색 광 스펙트럼(white light spectrum)이 튜닝(tuning)되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 기판 상에 증착되는 금속막의 두께에 따라 백색 광 스펙트럼(white light spectrum)이 튜닝(tuning)되는 것을 특징으로 한다.
한편, 상술한 백색 발광 소재의 제조방법으로 백색 발광 소재를 제조할 수 있다.
이때, 백색 발광 소재는 350 nm 내지 900 nm 범위의 발광 파장을 가지는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상술한 백색 발광 소재를 사용하여 광전 소자를 제조할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 청색 LED 광원에 황색 발광용 형광체를 조합하여 백색을 구현함에 따라, 가시광 영역의 일부 스펙트럼만을 가지고 있기 때문에 낮은 연색지수를 가지던 종래기술과 달리, 본 발명은 적색, 녹색 및 청색 발광 나노 소재들을 하이브리드하여 350nm 내지 900nm의 발광 파장을 가지는 백색 발광 소재를 제조함으로써, 제조된 백색 발광 소재는 우수한 연색지수를 가질 수 있다.
둘째, 백색 발광 소재를 제조하는데 있어, PECVD 반응기 내 투입되는 혼합가스의 혼합비율 및 기판 상에 증착하는 금속막의 두께 조정을 통해 350 nm 내지 900 nm 범위 내에서 백색 광 스펙트럼의 튜닝이 가능하며, 이에 따라 본 발명에서 제시하는 제조방법으로 제조된 백색 발광 소재는 다양한 분야에 응용될 수 있다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법을 도시한 흐름도이다.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법에서 (b) 단계를 통해 제조된 샘플의 형태 및 물리적 특징을 도시한 것이다. 도2(a)는 샘플의 표면 SEM(scanning electron microscopy) 사진, 도2(b)는 도(a)에 도시된 나노 와이어에서 화살표가 가리키는 지점의 EXD(energy-dispersive X-ray) 스펙트럼, 도2(c) 및 도2(d)는 각각 XRD(X-ray diffraction) 패턴 및 PL(photoluminescence) 스펙트럼을 나타낸다.
도3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법으로 제조된 백색 발광 소재의 PL 스펙트럼과 청색(B), 녹색(G) 및 적색(R)의 PL 스펙트럼을 도시한 것이며, 도3(b)는 제조된 백색 발광 소재로부터 나오는 청색, 녹색, 적색 및 백색을 도시한 것이다.
도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법에 의해 제조된 백색 발광 소재의 PL 스펙트럼 튜닝 가능성을 설명하기 위해 도시한 것이다. 도4(a)는 PECVD 반응기 내 공급되는 혼합가스의 혼합 비율에 따른 PL 스펙트럼을 도시한 것이고, 도4(b)는 기판 상에 증착되는 아연(Zn) 막의 두께에 따른 PL 스펙트럼을 도시한 것이다.
본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 더 구체적으로 설명하되, 이미 주지되어진 기술적 부분에 대해서는 설명의 간결함을 위해 생략하거나 압축하기로 한다.
도1은 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법을 도시한 흐름도이며, 도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법에서 (b) 단계를 통해 제조된 샘플의 형태 및 물리적 특징을 도시한 것이다. 이때, 도2(a)는 샘플의 표면 SEM(scanning electron microscopy) 사진, 도2(b)는 도(a)에 도시된 나노 와이어에서 화살표가 가리키는 지점의 EXD(energy-dispersive X-ray) 스펙트럼, 도2(c) 및 도2(d)는 각각 XRD(X-ray diffraction) 패턴 및 PL(photoluminescence) 스펙트럼을 나타낸다. 그리고, 도3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법으로 제조된 백색 발광 소재의 PL 스펙트럼과 청색(B), 녹색(G) 및 적색(R)의 PL 스펙트럼을 도시한 것이며, 도3(b)는 제조된 백색 발광 소재로부터 나오는 청색, 녹색, 적색 및 백색을 도시한 것이다.
도1 내지 도3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법은 금속막을 증착하는 (a)단계, 녹색(G) 및 청색(B) 발광 소재를 하이브리드 하는 (b)단계 및 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광 소재를 하이브리드 하는 (c)단계를 포함하여 구성된다.
1.(a) 단계<S100>
(a) 단계(S100)는 열 증착(thermal evaporation) 방법을 수행하여, 기판 상에 청색 발광 소재를 형성하기 위한 금속을 증착하는 단계이다. 이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 금속은 아연(Zn)으로 마련될 수 있다. 또한, 기판은 p-type 실리콘 기판을 사용하였으나, 이에 한정되지 않는다.
여기서, 금속막의 금속원자는 후술할 (b) 단계(S200)에서 플라즈마 상태의 산소(O)와 반응하여, 청색 발광 소재인 산화아연(ZnO)를 형성한다. 또한, 금속막의 금속원자는 (b) 단계(S200)에서 나노 와이어(nanowires; NWs)를 형성하는 금속 촉매로 작용할 수 있다.
참고로, (a) 단계(S100)에서 기판 상에 증착된 금속막의 두께에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법으로 제조된 백색 발광 소재의 백색 광 스펙트럼(white light spectrum)이 튜닝(tuning)될 수 있다. 이에 관한 자세한 설명은 추후에 설명하고자 한다.
2.(b) 단계<S200>
(b) 단계(S200)는 (a) 단계(S100)를 통해 금속막이 증착된 기판을 플라즈마 화학기상 증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 반응기 내 위치시키고, 플라즈마 상태의 규소(Si) 및 산소(O)에 노출시켜, 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리드 된 물질을 형성하는 단계이다.
이때, (b) 단계(S200)를 통해 형성된 청색 발광 소재는 산화아연(ZnO)이고, 녹색 발광 소재는 SiOx(0<x<2)로 구성된 산화실리콘이다. 그리고, (b) 단계(S200)를 통해 형성된 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리드 된 물질은 산화아연(ZnO) 상을 포함하는 Si-풍부 산화물 나노 와이어(sillicon-rich oxide nanowires; SONWs)이다.
좀 더 자세히 설명하자면, (b) 단계(S200)는 PECVD 방법을 수행하며, 금속막이 코팅된 기판을 PECVD 반응기 내 위치시키고, PECVD 반응기 내 혼합가스를 공급한다. 이때, 혼합가스는 PECVD 반응기 내에서 플라즈마를 발생시키는 전극에 의해 이온화되며, 이온화된 플라즈마 상태의 규소(Si) 및 산소(O)는 금속막이 증착된 기판에 도달하여 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리된 물질 즉, SONWs를 형성한다.
이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법은 금속막이 증착된 기판을 접지된 전극위에 놓고, 380℃의 일정한 온도를 유지한 상태에서 10분간 플라즈마 상태의 규소(Si) 및 산소(O)에 노출시켜 SONWs를 형성한다.
여기서, 플라즈마 상태의 규소(Si) 및 산소(O)를 생성하기 위하여 PECVD 반응기 내 질소로 희석된 5 % 사일렌(SiH4) 및 아산화질소(N2O)로 이루어진 혼합가스를 공급하며, 혼합가스의 혼합비율 R은 N2O/SiH4로 정의된다.
참고로, 혼합가스의 혼합비율(R=N2O/SiH4)에 따라 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법으로 제조된 백색 발광 소재의 백색 광 스펙트럼(white light spectrum)이 튜닝(tuning)될 수 있다. 이에 관한 자세한 설명은 추후에 설명하고자 한다.
도2를 참고하면, 도2(a)는 300 nm의 두께를 가지는 아연(Zn) 막이 코팅된 기판을 380℃에서 10분간 플라즈마 상태의 규소(Si) 및 산소(O)에 노출시켜 성장한 샘플의 표면 SEM 사진이다. 이때, PECVD 반응기 내에는 R= 0.7인 혼합가스가 공급되었다. 도2(a)의 사진에서 나노 와이어(NWs)의 존재가 명확히 관찰된다. 이때, 나노 와이어(NWs)는 금속막의 금속원자 즉, 아연(Zn)이 금속 촉매로 작용함에 따라 형성될 수 있다.
도2(b)는 상기 나노 와이어(NWs)의 화학적 조성을 나타낸 것으로, 도2(b)에 도시된 EXD 스펙트럼은 도2(a)의 도시된 백색 화살표에 의해 지시된 지점을 측정한 것이다. 이때, 도2(b)의 스펙트럼은 각각 Si(
Figure 112019099069186-pat00001
38.0 at%), O(
Figure 112019099069186-pat00002
53.8 at%) 및 Zn 원소(
Figure 112019099069186-pat00003
2.4 at%)에 대응하는 3개의 피크가 존재한다. 이는, 상기 나노 와이어(NWs)가 Zn 원자를 포함하는 SiO1.4의 상에 기반을 둔 SONWs인 것을 나타낸다.
그리고, 도2(c)는 나노 와이어(NWs)의 XRD 패턴을 도시한 것이다. 도2(c)에 도시된 작은 피크들은 육각형의 형태를 가지는 ZnO 결정의 피크와 일치한다. 이로 부터, SONWs에 ZnO 상이 존재하는 것을 알 수 있다. 참고로, 도2(c)에 도시된 격자면(lattice planes)은 ICDD(international centre for diffraction data)에 포함된 ZnO 결정의 피크에 대응된다(ICDD card No.01-075-0576).
도2(d)는 실온(
Figure 112019099069186-pat00004
25℃)에서 측정된 SONWs 샘플의 PL 스펙트럼을 도시한 것이다. 이때, 도2(d)에서는 대략 380 nm 및 530 nm에서 2개의 피크가 관찰된다.
여기서, 380 nm에 가까운 피크는 ZnO 결정으로부터 나타난 것이다. 즉, SNOWs는 ZnO 상을 포함하고 있음을 알 수 있다. 반면에, 530 nm는 비가교 산소결함(nonbridging oxygen hole centers ;NHOHCs)의 존재에 의해 나타난 것으로, 보통, SiOx(0<x<2) 상 및 ZnO와 관련된 결함 중 적어도 어느 하나에 의해 나타날 수 있다.
도2에 도시된 결과들로부터 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법 중 (b) 단계를 통해 형성된 SONWs가 두개의 색(청색 및 녹색)이 하이브리드 된 발광 물질로 구성되어 있음을 확인할 수 있다.
2.(c) 단계<S300>
(c)단계(S300)는 적색, 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리드 되도록 (b) 단계를 통해 형성된 물질을 어닐링(annealing)하여 상기 물질 내 적색 발광 소재를 형성하는 단계이다. 이때, (c)단계에서 형성된 적색 발광 소재는 실리콘 나노 결정(Si nanocrystals; Si NCs)이다.
즉, (c)단계(S300)는 (b) 단계(S200)에서 얻어진 SONWs를 어닐링하여 그 안에 적색 발광 소재인 Si NCs를 생성시킴으로써, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광 나노 소재가 합성된 백색 발광 소재를 제조한다. 이때, 제조된 백색 발광 소재는 350 nm 내지 900 nm 범위의 발광 파장을 가진다.
참고로, Si NCs는 1100℃의 높은 온도에서 SiOx를 어닐링 함으로써, 쉽게 성장할 수 있다. 이에, 적색 발광 소재는 어닐링 공정을 통해 SiO1.4로 구성된 SONWs에 하이브리드 될 수 있다. 참고로, Si NCs는 실온에서 Red/NIR(near infra red) 영역의 빛을 강하게 방출한다.
여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법에 따른 어닐링 공정은 SONWs가 형성된 기판을 석영관 반응기 내에 위치시키고, 고순도 N2 가스(99.999%) 분위기에서 열처리하여 수행되었다.
도3을 참고하면, 도3(a)는 1100℃에서 1시간 동안 어닐링한 SONWs의 PL 스펙트럼(raw data)을 도시한 것이다. 이때, 도3(a)는 도1(d)에 도시된 PL 스펙트럼과 비교하였을 때, Red/NIR 영역에서의 PL 세기가 향상되어, 350 nm 내지 850 nm의 넓은 범위의 PL 스펙트럼을 가지는 백색광이 형성되었음을 보여준다.
그리고, 도3(a)는 청색, 녹색 및 적색에 대응하는 PL 밴드를 구분하기 위해 가우시안 함수(Gaussian function)를 이용하여 PL 스펙트럼을 3개의 서브 스펙트럼으로 분리하여 도시한 것이다. 3개의 서브 밴드의 피크는 각각 390 nm, 520 nm 및 700 nm로 추정되며, 이는 ZnO, SiOx 및 Si NCs 상으로부터 비롯된 PL 밴드와 대응된다.
또한, 이 PL 밴드는 도3(b)에 도시된 400nm, 550 nm 및 700 nm의 중심파장을 가지는 좁은 밴드 통과(band pass; BP) 필터를 이용해 얻은 이미지와 일치한다.
이에, 도3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법으로 제조된 백색 발광 소재는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 3가지 색이 성공적으로 하이브리드 되었음을 확인할 수 있다.
한편, 도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 백색 발광 소재의 제조방법에 의해 제조된 백색 발광 소재의 발광 스펙트럼 튜닝 가능성을 설명하기 위해 도시한 것이다. 도4(a)는 PECVD 반응기 내 공급되는 혼합가스의 혼합 비율에 따른 PL 스펙트럼을 도시한 것이고, 도4(b)는 기판 상에 증착되는 아연(Zn) 막의 두께에 따른 PL 스펙트럼을 도시한 것이다.
참고로, PL 세기는 각 스펙트럼의 최댓값으로 정규화(normalization) 되었다.
도4를 참조하면, 혼합가스의 혼합비율(R) 및 기판 상에 증착되는 금속막의 두께에 따라 백색 광 스펙트럼이 350 nm 내지 850 nm의 범위 내에서 조정될 수 있다.
먼저, 도4(a)는 300 nm의 두께를 가지는 아연(Zn) 막이 코팅된 기판을 PECVD 반응기 내 위치시키고, 각각 상이한 혼합가스의 혼합비(R=N2O/SiH4)에서 형성된 플라즈마에 노출시킨 뒤, 이를 통해 얻은 SNOWs를 1100℃에서 1시간 동안 어닐링한 샘플들의 PL 스펙트럼을 도시한 것이다.
도4(a)에서는 R의 비율이 높을 경우에, UV 영역에 근접한 파장 대역에서 PL의 세기가 높게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 또한, 도4(a)에 삽입된 데이터는 R 이 증가함에 따라 적색 관련 PL 성분이 감소하는 반면에 녹색 및 청색의 PL 성분이 증가하는 것을 나타낸다.
이러한 결과는 R값에 따라 백색 광 스펙트럼이 조정될 수 있음을 나타낸다.
다음으로, 도4(b)는 각각 100 nm 및 300 nm의 두께를 가지는 아연(Zn) 막이 코팅된 기판을 PECVD 반응기 내 위치시키고, R=0.7인 경우에 형성된 플라즈마에 노출시킨 뒤, 이를 통해 얻은 SNOWs를 1100℃에서 1시간 동안 어닐링한 샘플들의 PL 스펙트럼을 도시한 것이다.
도4(b)에서는 아연(Zn) 막의 두께가 두꺼운 경우에, UV 영역에 근접한 파장 대역에서 PL의 세기가 높게 나타나는 것을 확인할 수 있다. 이는, ZnO 상의 형성이 증가되었기에 나타난 결과로 이해할 수 있으며, 기판에 증착되는 금속(Zn)막의 두께에 따라 백색 광 스펙트럼이 조정될 수 있음을 나타낸다.
참고로, 본 발명에서 빛의 발광 특성을 분석하기 위하여 수행한 PL 측정은 실온(
Figure 112019099069186-pat00005
25℃)에서 이루어졌다.
상술한 백색 발광 소재의 제조방법으로 백색 발광 소재를 제조할 수 있으며, 여기서, 제조된 백색 발광 소재는 350 nm 내지 900 nm의 발광 파장을 가진다.
또한, 상술한 제조방법으로 제조된 백색 발광 소재를 사용하여 광전 소자를 제조할 수 있다.
위에서 설명한 바와 같이 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시 예에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시 예는 본 발명의 바람직한 예를 들어 설명하였을 뿐이기 때문에, 본 발명이 상기의 실시 예에만 국한되는 것으로 이해되어져서는 아니 되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 균등개념으로 이해되어져야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 백색 발광 소재의 제조방법으로서,
    (a) 열 증착(thermal evaporation) 방법을 수행하여, 기판 상에 청색 발광 소재를 형성하기 위한 금속을 증착하는 단계;
    (b) 상기 (a) 단계를 통해 금속막이 증착된 기판을 플라즈마 화학기상 증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD) 반응기 내 위치시키고, 플라즈마 상태의 규소(Si) 및 산소(O)에 노출시켜, 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리드 된 물질을 형성하는 단계; 및
    (c) 적색, 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리드 되도록 상기 (b) 단계를 통해 형성된 물질을 어닐링(annealing)하여 상기 물질 내 적색 발광 소재를 형성하는 단계; 를 포함하고,
    상기 (a) 단계에서, 상기 금속은 아연(Zn)이고,
    상기 (b) 단계를 통해 형성된 청색 발광 소재는 산화아연(ZnO)이고, 녹색 발광 소재는 SiOx로 구성된 산화실리콘이며 ― 여기서, 0<x<2임 ―,
    상기 (b) 단계를 통해 형성된 녹색 및 청색 발광 소재가 하이브리드 된 물질은 산화아연(ZnO) 상을 포함하는 Si-풍부 산화물 나노 와이어(sillicon-rich oxide nanowires; SONWs)이고,
    상기 (c)단계에서 형성된 적색 발광 소재는 실리콘 나노 결정(Si nanocrystals; Si NCs)인
    백색 발광 소재의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 (b)단계는, 상기 PECVD 반응기 내 질소로 희석된 5 % 사일렌(SiH4) 및 아산화질소(N2O)로 이루어진 혼합가스를 공급하며,
    상기 혼합가스의 혼합비율 R=N2O/SiH4에 따라 백색 광 스펙트럼(white light spectrum)이 튜닝(tuning)되는 것을 특징으로 하는
    백색 발광 소재의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 증착되는 금속막의 두께에 따라 백색 광 스펙트럼(white light spectrum)이 튜닝(tuning)되는 것을 특징으로 하는
    백색 발광 소재의 제조방법.
  8. 제1항, 제6항 또는 제7항 중 어느 한 항에 따른 백색 발광 소재의 제조방법으로 제조된
    백색 발광 소재.
  9. 제8항에 있어서,
    350 nm 내지 900 nm 범위의 발광 파장을 가지는 것을 특징으로 하는
    백색 발광 소재.
  10. 제8항에 따른 백색 발광 소재를 사용하여 제조된 광전소자.
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