RU195810U1 - Светоизлучающий диод - Google Patents
Светоизлучающий диод Download PDFInfo
- Publication number
- RU195810U1 RU195810U1 RU2019130932U RU2019130932U RU195810U1 RU 195810 U1 RU195810 U1 RU 195810U1 RU 2019130932 U RU2019130932 U RU 2019130932U RU 2019130932 U RU2019130932 U RU 2019130932U RU 195810 U1 RU195810 U1 RU 195810U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting diode
- diffusant
- circuit board
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
Abstract
Полезная модель относится к светотехнике, в частности к светоизлучающим диодам, и может найти применение в осветительных устройствах бытового и производственного назначения.Светоизлучающий диод содержит плату, выполненную в виде многослойной структуры, которая содержит теплоотводящую основу с размещенными на ней последовательно слоями диэлектрического материала и металлических слоев, на которых выполнена заданная топология печатной платы, по крайней мере один светоизлучающий кристалл, защищенный светопрозрачной герметизирующей средой, содержащей по крайней мере один тип люминофора. Поверх герметизирующего слоя нанесен дополнительный слой оптически прозрачного компаунда с диффузантом.Экспериментально установлено, что в предложенной конструкции светодиода улучшается пространственная равномерность распределения коррелированной цветовой температуры за счет перемешивания излучения в компаунде с диффузантом. 2 ил.
Description
Полезная модель относится к светотехнике, в частности к светоизлучающим диодам, матрицам и линейным сборкам светоизлучающих диодов.
Наибольшее распространение в настоящее время получили светоизлучающие диоды белого цвета свечения на основе полупроводникового кристалла, изготовленного из нитрида галлия и его соединений с индием и алюминием, и люминофорной композиции на основе люминофора из иттрий алюминиевого граната и оптически прозрачного компаунда [1].
Известен светоизлучающий диод [2], содержащий по крайней мере один светоизлучающий кристалл, защищенный светопрозрачной герметизирующей средой, содержащей по крайней мере один тип люминофора. Светоизлучающий кристалл установлен на плате, выполненной в виде многослойной структуры, которая содержит теплоотводящую основу с размещенными на ней последовательно слоями диэлектрического материала и металлических слоев, на которых выполнена заданная топология печатной платы.
Недостатком данной конструкции является пространственная неоднородность распределения коррелированной цветовой температуры (КЦТ) вдоль светодиода. Для подсветки ЖК-дисплеев, в устройствах освещения для телевидения и фотосъемки, в светотехнических устройствах для музейного освещения крайне важна пространственная однородность КЦТ, иначе освещаемый объект приобретает цветовую неравномерность.
Целью предлагаемой полезной модели является создание светоизлучающего диода с повышенной пространственной равномерностью распределения КЦТ.
Технический результат предлагаемой полезной модели заключается в повышении пространственной равномерностью распределения КЦТ светодиода.
Указанный технический результат достигается тем, что в конструкцию светодиода, содержащую плату, выполненную в виде многослойной структуры, которая содержит теплоотводящую основу с размещенными на ней последовательно слоями диэлектрического материала и металлических слоев, на которых выполнена заданная топология печатной платы, по крайней мере один светоизлучающий кристалл, защищенный светопрозрачной герметизирующей средой, содержащей по крайней мере один тип люминофора, поверх герметизирующего слоя нанесен дополнительный слой оптически прозрачного компаунда с диффузантом. Слой компаунда с диффузантом служит для дополнительного перемешивания излучений кристалла и люминофора, что позволяет получить более равномерное распределение КЦТ в пространстве над излучающей поверхностью светодиода.
Далее сущность полезной модели поясняется чертежами.
Фиг. 1 - Схематический вид предлагаемой конструкции светоизлучающего диода. Здесь: 1 - теплоотводящая основа с размещенными на ней последовательно слоями диэлектрического материала и металлических слоев, 2 - излучающий кристалл, 3 - защищающий светопрозрачный герметизирующий слой, 4 - дополнительный слой оптически прозрачного компаунда с диффузантом.
Фиг. 2 - Распределения значений коррелированной цветовой температуры вдоль продольной оси светодиода - прототипа (квадраты) и предложенного технического решения (треугольники).
Для подтверждения положительного эффекта проведены экспериментальные исследования. Светодиод изготовлен в корпусе L050050-09 из LTCC керамики с габаритными размерами корпуса 5×5×1,1 мм3 с кристаллом Cree C450EZ1950. На кристалл нанесен защищающий светопрозрачный герметизирующий слой люминофорной композиции (7,5% люминофора L-550S смешаны с компаундом Elastosil RT 604) методом заливки. После полимеризации люминофорной композиции, на него равномерным слоем нанесена смесь диффузанта (порошок двуокиси кремния белого цвета) с компаундом Elastosil RT 604.
Измерения значений коррелированной цветовой температуры осуществлялись с помощью прибора CS-200 Chromameter Konica Minolta. Установлено, что разность значений КЦТ вдоль продольной оси в предлагаемой конструкции (6750-3995=2755) К в четыре раза меньше разности значений КЦТ светодиода - прототипа (15060-3995=11065) К (Фиг. 2).
Предлагаемая конструкция светодиода доступна для массового производства практически без изменения технологического заводского процесса.
Выполненные патентные исследования и анализ других источников информации показали, что предлагаемое техническое решение является новым, возможным для промышленного производства с экспериментально подтвержденным положительным эффектом.
Источники информации, использованные при составлении описания.
1. Шуберт Ф. Светодиоды. - Пер. с англ. под ред. А.Э. Юновича. - 2-е издание. - М.: ФИЗМАТЛИТ, 2008. - 496 с.
2. Светоизлучающий диод. Патент РФ 86795 U1 от 30.04.2009 г. МПК H01L 33/00 // Агафонов Д.Ф. и др.
Claims (1)
- Светоизлучающий диод, содержащий плату, выполненную в виде многослойной структуры, которая содержит теплоотводящую основу с размещенными на ней последовательно слоями диэлектрического материала и металлических слоев, на которых выполнена заданная топология печатной платы, по крайней мере один светоизлучающий кристалл, защищенный светопрозрачной герметизирующей средой, содержащей по крайней мере один тип люминофора, отличающийся тем, что поверх герметизирующего слоя нанесен дополнительный слой оптически прозрачного компаунда с диффузантом.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019130932U RU195810U1 (ru) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | Светоизлучающий диод |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2019130932U RU195810U1 (ru) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | Светоизлучающий диод |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU195810U1 true RU195810U1 (ru) | 2020-02-05 |
Family
ID=69416366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2019130932U RU195810U1 (ru) | 2019-09-27 | 2019-09-27 | Светоизлучающий диод |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU195810U1 (ru) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3819974A (en) * | 1973-03-12 | 1974-06-25 | D Stevenson | Gallium nitride metal-semiconductor junction light emitting diode |
US4298820A (en) * | 1978-06-26 | 1981-11-03 | U.S. Philips Corporation | Luminescent screen |
JPH0799345A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
WO1998012757A1 (de) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Wellenlängenkonvertierende vergussmasse, deren verwendung und verfahren zu deren herstellung |
US5847507A (en) * | 1997-07-14 | 1998-12-08 | Hewlett-Packard Company | Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens |
RU2134000C1 (ru) * | 1997-12-31 | 1999-07-27 | Абрамов Владимир Семенович | Светодиодное устройство |
US6069440A (en) * | 1996-07-29 | 2000-05-30 | Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light emitting device having a nitride compound semiconductor and a phosphor containing a garnet fluorescent material |
RU86795U1 (ru) * | 2009-04-30 | 2009-09-10 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение Российские системы автоматики и телемеханики" | Светоизлучающий диод |
-
2019
- 2019-09-27 RU RU2019130932U patent/RU195810U1/ru active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3819974A (en) * | 1973-03-12 | 1974-06-25 | D Stevenson | Gallium nitride metal-semiconductor junction light emitting diode |
US4298820A (en) * | 1978-06-26 | 1981-11-03 | U.S. Philips Corporation | Luminescent screen |
JPH0799345A (ja) * | 1993-09-28 | 1995-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
US6069440A (en) * | 1996-07-29 | 2000-05-30 | Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Light emitting device having a nitride compound semiconductor and a phosphor containing a garnet fluorescent material |
WO1998012757A1 (de) * | 1996-09-20 | 1998-03-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Wellenlängenkonvertierende vergussmasse, deren verwendung und verfahren zu deren herstellung |
US5847507A (en) * | 1997-07-14 | 1998-12-08 | Hewlett-Packard Company | Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens |
RU2134000C1 (ru) * | 1997-12-31 | 1999-07-27 | Абрамов Владимир Семенович | Светодиодное устройство |
RU86795U1 (ru) * | 2009-04-30 | 2009-09-10 | Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение Российские системы автоматики и телемеханики" | Светоизлучающий диод |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2508616C2 (ru) | Осветительное устройство с сид и одним или более пропускающими окнами | |
TW200729559A (en) | High luminance light emitting diode and liquid crystal display device using the same | |
US10443791B2 (en) | LED module having planar sectors for emitting different light spectra | |
US20110291114A1 (en) | Led package structure | |
WO2006034831A3 (en) | Methods and systems for illuminating | |
JP2011509427A5 (ru) | ||
JP4876760B2 (ja) | 発光装置および白色変換シート | |
JP2010263128A (ja) | 照明装置の製造方法 | |
CN101718400A (zh) | 一种大角度led照明装置 | |
TWI451048B (zh) | 發光裝置、燈泡及其照明方法 | |
JP2014154644A (ja) | Ledパッケージ及びこれを備えた発光装置 | |
JP4980640B2 (ja) | 照明装置 | |
JP2011249747A (ja) | 演色評価数を向上させる1パッケージled光源 | |
KR100951843B1 (ko) | 필터 및 반도체 패키지 | |
WO2019093339A1 (ja) | Led照明用実装基板を有する照明装置 | |
CN109891152B (zh) | 包括具有类似关闭状态外观的多个不同光源的照明设备 | |
RU195810U1 (ru) | Светоизлучающий диод | |
RU2012104556A (ru) | Устройство подсветки, устройство отображения и телевизионный приемник | |
CN203068300U (zh) | 一种液晶显示器背光源 | |
EP2492898A2 (en) | Light Emitting Device | |
CN103236483A (zh) | 发光二极管封装结构及封装方法 | |
CN203787464U (zh) | 基于量子点的白光led器件 | |
CN102620169A (zh) | 照明区域色温选择性分布的方法 | |
KR102400249B1 (ko) | 발광 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 | |
CN202484671U (zh) | 一种带可调光的照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
QB9K | Licence granted or registered (utility model) |
Free format text: LICENCE FORMERLY AGREED ON 20200922 Effective date: 20200922 |