ES2148997T5 - Dispositivo emisor de luz y dispositivo de pantalla. - Google Patents

Dispositivo emisor de luz y dispositivo de pantalla. Download PDF

Info

Publication number
ES2148997T5
ES2148997T5 ES97933047T ES97933047T ES2148997T5 ES 2148997 T5 ES2148997 T5 ES 2148997T5 ES 97933047 T ES97933047 T ES 97933047T ES 97933047 T ES97933047 T ES 97933047T ES 2148997 T5 ES2148997 T5 ES 2148997T5
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
light
light emitting
phosphorescent
emitting component
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
ES97933047T
Other languages
English (en)
Other versions
ES2148997T3 (es
Inventor
Yoshinori Shimizu
Kensho Sakano
Yasunobu Noguchi
Toshio Moriguchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=27524906&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=ES2148997(T5) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Publication of ES2148997T3 publication Critical patent/ES2148997T3/es
Application granted granted Critical
Publication of ES2148997T5 publication Critical patent/ES2148997T5/es
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7767—Chalcogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent
    • C09K11/08—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766—Luminescent materials, e.g. electroluminescent or chemiluminescent containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774—Aluminates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0066—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form characterised by the light source being coupled to the light guide
    • G02B6/0073—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
    • H01J29/18—Luminescent screens
    • H01J29/20—Luminescent screens characterised by the luminescent material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0013—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide
    • G02B6/0023—Means for improving the coupling-in of light from the light source into the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed between the light guide and the light source, or around the light source
    • G02B6/0025—Diffusing sheet or layer; Prismatic sheet or layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/0001—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems
    • G02B6/0011—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings specially adapted for lighting devices or systems the light guides being planar or of plate-like form
    • G02B6/0033—Means for improving the coupling-out of light from the light guide
    • G02B6/005—Means for improving the coupling-out of light from the light guide provided by one optical element, or plurality thereof, placed on the light output side of the light guide
    • G02B6/0051—Diffusing sheet or layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/882—Scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5524—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising aluminium [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5525—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Surgical Instruments (AREA)

Abstract

DIODO EMISOR DE LUZ BLANCA QUE COMPRENDE UN COMPONENTE EMISOR DE LUZ QUE UTILIZA UN SEMICONDUCTOR COMO CAPA EMISORA DE LUZ Y UN FOSFORO QUE ABSORBE UNA PARTE DE LUZ EMITIDA POR EL COMPONENTE EMISOR DE LUZ Y EMITE LUZ DE UNA LONGITUD DE ONDA DISTINTA A LA DE LA LUZ ABSORBIDA, EN DONDE LA CAPA EMISORA DE LUZ DEL COMPONENTE EMISOR DE LUZ ES UN SEMICONDUCTOR COMPUESTO DE NITRURO Y EL FOSFORO CONTIENE MATERIAL FLUORESCENTE GRANATE ACTIVADO CON CERIO QUE CONTIENE AL MENOS UN ELEMENTO SELECCIONADO DEL GRUPO FORMADO POR Y, LU, SC, LA, GD Y SM, Y AL MENOS UN ELEMENTO SELECCIONADO DEL GRUPO FORMADO POR AL, GA E IN Y QUE ESTA SUJETO A UN MENOR DETERIORO DE LAS CARACTERISTICAS DE EMISION AUN CUANDO SEA UTILIZADO CON UNA ELEVADA LUMINANCIA DURANTE UN LARGO PERIODO DE TIEMPO.

Description

Dispositivo emisor de luz y dispositivo de pantalla.
Antecedentes de la invención Campo de la invención
La presente invención se refiere a un diodo emisor de luz usado en pantallas de LED, fuentes de retroiluminación, señales de tráfico, señales de ferrocarril, conmutadores de iluminación, indicadores, etc. Mas particularmente, se refiere a un dispositivo emisor de luz (LED) que comprende un fosforescente que convierte la longitud de onda de la luz emitida por un componente emisor de luz y emite luz, y un dispositivo de pantalla que usa el dispositivo emisor de luz.
Descripción de la técnica relacionada
Un diodo emisor de luz es compacto y emite una luz de color claro con alta eficacia. También carece de problemas tales como quemado y tiene buenas características de excitación inicial, gran resistencia a la vibración y durabilidad para soportar operaciones repetidas de encendido/apagado, dado que es un elemento semiconductor. Por lo anterior ha sido usado ampliamente en aplicaciones tales como diferentes indicadores y fuentes de luz. Recientemente se han desarrollado diodos emisores de luz para colores RGB (rojo, verde y azul) con ultra alta luminancia y alta eficiencia, y se han puesto en uso grandes presentaciones de pantalla de LED que usan estos diodos emisores de luz. La pantalla de LED puede ser operada con menor energía eléctrica y tienen tan buenas características como poco peso y larga vida y, por lo tanto, se espera que se utilicen más ampliamente en el futuro.
Recientemente, se han realizados diversos intentos para fabricar fuentes de luz blanca mediante el uso de diodos emisores de luz. Dado que el diodo emisor de luz tiene un espectro de emisión favorable para generar luz monocromática, la producción de una fuente de luz blanca requiere disponer tres componentes emisores de luz roja, verde y azul próximos entre sí, mientras se difunde y mezcla la luz emitida por los mismos. Cuando se genera luz blanca con dicha configuración se ha producido el problema de que no se puede generar luz blanca del tono deseado debido a variaciones en el tono, luminancia y otros factores del componente emisor de luz. Asimismo, cuando los componentes emisores de luz están fabricados de materiales diferentes, la energía eléctrica requerida para la excitación difiere de un diodo emisor de luz a otro, haciendo necesario aplicar voltajes diferentes a los diferentes componentes emisores de luz, lo que conduce a un circuito excitador complejo. Además, dado que los componentes emisores de luz son componentes emisores de luz semiconductores, el tono de color esta sometido a variaciones debido a las diferencias en las características de temperatura, cambios cronológicos y entorno de Operación, o pueden originarse irregularidades en el color debido a la falta de mezclado uniforme de la luz emitida por los componentes emisores de luz. De dicha forma, los diodos emisores de luz son eficaces como dispositivos emisores de luz para generar colores individuales, aunque una fuente de luz satisfactoria capaz de emitir luz blanca mediante el uso de componentes emisores de luz no ha sido obtenida hasta la fecha.
Con objeto de resolver dichos problemas, el presente solicitante desarrolló previamente diodos emisores de luz que convierten el color de la luz emitida por los componentes emisores de luz por medio de un material fluorescente revelado en las patentes japonesas JP-A-5-152609, JP-A-7-99345, JP-A-7-176794 y JP-A-8-7614. Los diodos emisores de luz revelados en estas publicaciones son tales que usando de componentes emisores de luz de un tipo son capaces de generar luz de color blanco y de otros colores y están constituidos de la forma siguiente.
El diodo emisor de luz revelado en las publicaciones anteriores esta fabricado mediante el montaje de un componente emisor de luz, que tiene un gran salto de energía entre bandas de la capa emisora de luz, en una copa provista en la punta de un bastidor conductor y que tiene un material fluorescente que absorbe la luz emitida por el componente emisor de luz y emite luz de una longitud de onda diferente de la de la luz absorbida (conversión de la longitud de onda) contenida en un molde de resina que cubre el componente emisores de luz.
El diodo emisor de luz revelado como se describió anteriormente capaz de emitir luz blanca mezclando la luz de una pluralidad de fuentes puede fabricarse usando un componente emisor de luz capaz de emitir luz azul y moldeando el componente emisor de luz con una resina que incluye un material fluorescente que absorbe la luz emitida por el diodo emisor de luz azul y emite luz amarillenta.
Sin embargo, los diodos emisores de luz convencionales tienen problemas tales como la deterioro del material fluorescente lo que conduce a la desviación del tono del color y el obscurecimiento del material fluorescente lo que produce una disminución de la eficacia de la extracción de luz. En la presente el obscurecimiento se refiere, en el caso de uso de un material fluorescente inorgánico tal como material fluorescente de (Cd, Zn)S, por ejemplo, parte de los elementos metálicos que constituyen el material fluorescente precipitan o cambian sus propiedades lo que conduce a la coloración, o, en el caso de usar un material orgánico fluorescente, a coloración debida a la rotura del doble enlace de la molécula. Especialmente cuando un componente emisor de luz fabricado de un semiconductor con un gran salto de energía entre bandas se usa para mejorar la eficacia de la conversión del material fluorescente (es decir, la energía de luz emitida por el semiconductor se incrementa y el numero de fotones que tienen energía por encima de un umbral que puede ser absorbido por el material fluorescente se incrementa, dando como resultado que se absorbe mas luz), o la cantidad del consumo del material fluorescente disminuye (es decir, el material fluorescente es irradiado con energía relativamente mayor), la energía de la luz absorbida por el material fluorescente inevitablemente se incrementa dando como resultado una degradación mas significativa del material fluorescente. El uso del componente emisor de luz con alta intensidad de emisión de luz durante un periodo de tiempo prolongado produce una degradación significativa adicional del material fluorescente.
Asimismo, el material fluorescente dispuesto en la vecindad del componente emisor de luz puede ser expuesto a una alta temperatura de forma tal que se incrementa la temperatura del componente emisor de luz y el calor transmitido desde el medio externo (por ejemplo la luz solar en caso de dispositivos usados en el exterior).
Además, algunos materiales fluorescentes están sometidos a un deterioro acelerado debido a la combinación de la humedad introducida desde el exterior o introducida durante el proceso de producción, la luz y el calor transmitidos desde el componente emisor de luz.
Cuando se trata de un tinte orgánico de propiedad iónica, el campo eléctrico de la corriente continua en la proximidad del chip puede originar electroforesis, que da como resultado un cambio en el tono de color.
El documento EP-A-0209942 revela una lámpara de descarga de vapor de mercurio a baja presión. Esta lámpara tiene un relleno que comprende mercurio y un gas raro y una capa luminiscente que comprende un material luminiscente cuya emisión esta principalmente entre 590 y 630 nm y entre 520 y 565 nm. La luz emitida por la lámpara de descarga esta en un rango de longitud de onda que es casi totalmente invisible y tiene que ser transformada por la capa luminiscente para volverse visible. La lámpara esta también provista con una capa de absorción que comprende un aluminato luminiscente activado por cerio trivalente y que tiene una estructura de cristal de granate.
Esta lámpara no puede ser producida como un dispositivo simple, pequeño, ligero y de poco coste.
Sumario de la invención
Por lo tanto, un objetivo de la presente invención es resolver los problemas descritos anteriormente y suministrar un dispositivo emisor de luz que experimenta solamente niveles de deterioro extremadamente bajos en la intensidad de la luz emitida, una eficacia en la emisión de luz y cambio de color durante uno tiempo de uso prolongado con una alta luminancia.
El solicitante presente completó la presente invención mediante la investigación basada a la Asunción de que el dispositivo emisor de luz con un componente emisor de luz y un material fluorescente debe cumplir los requisitos siguientes para lograr el objetivo anteriormente mencionado.
(1)
El componente emisor de luz debe ser capaz de emitir luz de alta luminancia con característica de emisión de luz que sea estables durante un largo periodo de uso.
(2)
El material fluorescente dispuesto en la vecindad del componente emisor de luz de alta luminancia debe mostrar una resistencia excelente a la luz y al calor, de forma que las propiedades del mismo no cambien aún cuando se use durante un periodo de tiempo prolongado mientras que esta expuesto a la luz de alta intensidad emitida por el componente emisor de luz (particularmente el material fluorescente dispuesto en la vecindad del componente emisor de luz esta expuesto a la luz de una intensidad de radiación tan alta como aproximadamente entre 30 y 40 veces la de la luz del sol de acuerdo con una estimación, y se requiere tener mas durabilidad contra una luz como la luz que emite un componente emisor de luz de la mayor luminancia).
(3)
Con respecto a la relación con el componente emisor de luz, el material fluorescente debe ser capaz de absorber con alta eficiencia la luz de alta monocromacidad emitida por el componente emisor de luz y emitir luz de una longitud de onda diferente a la de la luz emitida por el componente emisor de luz.
De esta manera, la presente invención provee un dispositivo emisor de luz de acuerdo con la reivindicación 1.
El semiconductor compuesto de nitruro (representado genéricamente por la fórmula química y In_{i}Ga_{j}Al_{k}N, donde 0\leqi, 0\leqj, 0\leqk e i+j+k=1)) mencionado anteriormente contiene diversos materiales incluso InGaN y GaN dopados con diversas impurezas.
El fosforescente mencionado anteriormente contiene diversos materiales definidos en la forma descrita anteriormente, que incluyen Y_{3}Al_{5}O_{12}; Ce y Gd_{3}In_{5}O_{12}; Ce.
Dado que el dispositivo emisor de luz de la presente invención usa el componente emisor de luz fabricado de un semiconductor compuesto de nitruro capaz de emitir luz con alta luminancia, el dispositivo emisor de luz es capaz de emitir luz con alta luminancia. Asimismo, el fosforescente usado en el dispositivo emisor de luz tiene una excelente resistencia a la luz, de forma que las propiedades fluorescentes del mismo experimentan menos cambios aún cuando se usen durante un periodo de tiempo prolongado mientras está expuesto a luz de alta intensidad. Esto hace posible reducir la degradación de sus características durante un largo periodo de uso y reducir el deterioro debido a la luz de alta intensidad emitida por el componente emisor de luz, así como por una luz extraña (luz solar que incluye luz ultravioleta, etc.) durante su uso en el exterior, con lo que se provee un dispositivo emisor de luz que experimente extremadamente menos cambio de color y menos descenso de su luminancia. El dispositivo emisor de luz de la presente invención puede también utilizarse en aplicaciones que requieran velocidades de respuestas tan altas como 120 ns, por ejemplo, dado que el fosforescente usado en su interior le permite brillar solamente durante un corto periodo de tiempo.
En el dispositivo emisor de luz de la presente invención, el pico de emisión principal del componente emisor de luz está establecido dentro del rango de 400 nm a 530 nm y la longitud de onda de emisión principal del fosforescente se establece de forma que sea mayor que el pico de emisión principal del componente emisor de luz. Esto hace posible emitir eficazmente luz blanca.
Además, en el dispositivo emisor de luz de la presente invención, es preferible que la capa emisora de luz del componente emisor de luz contenga un semiconductor de nitruro de galio que contenga In.
Otras características preferentes de las realizaciones de la presente invención se describen en las reivindicaciones dependientes.
El dispositivo emisor de luz de acuerdo con una realización de la presente invención comprende una placa de guía óptica sustancialmente rectangular suministrada con el componente emisor de luz montado sobre una cara lateral frontal de la misma y, a excepción de una superficie principal, las demás están cubiertas por un material reflector, en el que la luz emitida por el componente emisor de luz es convertida en luz plana por el fosforescente y la placa de guía óptica para ser una salida de la superficie principal de la placa de guía óptica.
En esta realización, el fosforescente está contenido preferiblemente en un material de revestimiento montado en dicha cara lateral frontal y en contacto directo con el componente emisor de luz o está instalado en una superficie principal de la placa de guía óptica no cubierta por el material reflector.
El dispositivo de pantalla LED de acuerdo con la presente invención tiene un dispositivo de pantalla LED que comprende los dispositivos emisores de luz de la presente invención dispuestos en una matriz y un circuito excitador que excita el dispositivo de pantalla LED para presentar los datos introducidos en el mismo. Dicha configuración hace posible proveer un dispositivo de pantalla LED de un coste relativamente bajo que es capaz de presentaciones de alta definición y menos irregularidades en el color debidas al ángulo de visión.
Generalmente, un material fluorescente que absorbe luz de una longitud de onda corta y emite luz de una longitud de onda larga tiene mayor eficiencia que un material fluorescente que absorbe luz de una longitud de onda alta y emite luz de una longitud de onda corta. Es preferible usar un componente emisor de luz que emita luz visible que un componente emisor de luz que emita luz ultravioleta que degrade la resina (material del molde, material de revestimiento, etc.). De esta manera, en el diodo emisor de luz de la presente invención, a objeto de mejorar la eficacia de la emisión de luz y de asegurar una larga vida, el pico de emisión principal del componente emisor de luz se establece dentro de un rango de longitud de onda corta de 400 nm a 530 nm en la región visible de luz y la longitud de onda de emisión principal del fosforescente se establece que sea mas larga que el pico principal de emisión del componente emisor de luz. Con esta configuración, dado que la luz convertida por el material fluorescente tiene una longitud de onda mas larga que la de la luz emitida por el componente emisor de luz, no será absorbida por el componente emisor de luz incluso cuando el componente emisor de luz sea irradiado con luz que ha sido reflejada y convertida por el material fluorescente (dado que la energía de la luz convertida es menor que el salto de energía entre bandas. De dicha forma, en una realización de la presente invención, la luz que ha sido reflejada por el material fluorescente o similar es reflejada por la copa en la que el componente emisor de luz esta montado, haciendo posible una eficiencia de emisión más alta.
Breve descripción de los dibujos
La Figura 1 es una vista esquemática en sección de un diodo emisor de luz tipo conductor según la realización de la presente invención.
La Figura 2 es una vista esquemática en sección de un diodo emisor de luz tipo punta según una segunda realización de la presente invención.
La Figura 3A es un gráfico que muestra el espectro de excitación del material fluorescente de granate activado por cerio usado en la primera realización de la presente invención.
La Figura 3B es un gráfico que muestra el espectro de emisión del material fluorescente de granate activado por cerio usado en la primera realización de la presente invención.
La Figura 4 es un gráfico que muestra el espectro de emisión del diodo emisor de luz de la primera realización de la presente invención.
La Figura 5A es un gráfico que muestra el espectro de excitación del material fluorescente de itrio-aluminio-granate activado con cerio usado en la segunda realización de la presente invención.
La Figura 5B es un gráfico que muestra el espectro de emisión del material fluorescente de itrio-aluminio-granate activado por cerio usado en la segunda realización de la presente invención.
La Figura 6 muestra el diagrama de cromacidad de la luz emitida por el diodo emisor de luz de la segunda realización, donde los puntos A y B indican los colores de la luz emitida por el componente emisor de luz y los puntos C y D indican los colores de la luz emitida por los dos tipos de fosforescente.
La Figura 7 es una vista esquemática en sección de la fuente de luz plana según otra realización de la presente invención.
La Figura 8 es una vista esquemática en sección de otra fuente de luz plana diferente de la de la Figuras 7.
La Figura 9 es una vista seccional esquemática de otra fuente de luz plana diferente de las mostradas en las Figuras 7 y 8.
La Figura 10 es un diagrama de bloques de un dispositivo de pantalla que es una aplicación de la presente invención.
La Figura 11 es una vista en planta de la unidad de pantalla LED del dispositivo de pantalla de la Figura 10.
La Figura 12 es una vista en planta del dispositivo de pantalla LED en el cual un pixel esta constituido por 4 diodos emisores de luz que incluyen el diodo emisor de luz de la presente invención y los que emiten colores RGB.
La Figura 13A muestra los resultados del ensayo de vida útil de los diodos emisores de luz del ejemplo 1 y del ejemplo comparativo 1, que muestra los resultados a 25ºC y la Figura 13B muestra los resultados del ensayo de vida útil de los diodos emisores de luz del ejemplo 1 y del ejemplo comparativo 1, que muestra los resultados a 60ºC y 90% de humedad relativa.
La Figura 14A muestra los resultados del ensayo de alterabilidad a la intemperie en las condiciones climáticas del ejemplo 9 y del ejemplo comparativo 2 ue muestra el cambio de relación de retención de luminancia con el tiempo y la Figura 14B muestra los resultados de alterabilidad a la intemperie en las condiciones climáticas del ejemplo 9 y del ejemplo comparativo 2 que muestra el cambio del tono de color antes y después del ensayo.
La Figura 15A muestra los resultados del ensayo de fiabilidad del ejemplo 9 y del ejemplo comparativo 2 mostrando la relación entre la retención de luminancia y el tiempo, y la Figura 15B es un gráfico que muestra la relación entre el tono de color y el tiempo.
La Figura 16 es un diagrama de cromacidad que muestra el rango del tono de color que se puede obtener con el diodo emisor de luz que combina los materiales fluorescentes mostrados en la Tabla 1 y el LED azul que tiene un pico de la longitud de onda en 465 nm.
La Figura 17 es un diagrama de cromacidad que muestra el cambio en el tono de color cuando la concentración del material fluorescente se cambia en el diodo emisor de luz que combina los materiales fluorescentes mostrados en la Tabla 1 y el LED azul con un pico en la longitud de onda de 465 nm.
La Figura 18A muestra el espectro de emisión del fosforescente (Y0,6Gd0,4)3sAl5O12: Ce del ejemplo 18A.
La Figura 18B muestra el espectro de emisión del componente emisor de luz del ejemplo 18B con un pico en la longitud de onda de 460 nm.
La Figura 18C muestra el espectro de emisión del diodo emisor de luz del ejemplo 2.
La Figura 19A muestra el espectro de emisión del fosforescente (Y0,2Gd0,3)3Al5O12: Ce del ejemplo 5.
La Figura 19B muestra el espectro de emisión del componente emisor de luz del ejemplo 5 que tiene una longitud de onda con un pico de emisión de 450 nm.
La Figura 19C muestra el espectro de emisión del diodo emisor de luz del ejemplo 5.
La Figura 20A muestra el espectro de emisión del fosforescente Y3Al5O12: Ce del ejemplo 6.
La Figura 20B muestra el espectro de emisión del componente emisor de luz del ejemplo 6 que tiene una longitud de onda con un pico de emisión de 450 nm.
La Figura 20C muestra el espectro de emisión del diodo emisor de luz del ejemplo 6.
La Figura 21A muestra el espectro de emisión del fosforescente Y3(Al0,5Ga0,5)5O12: Ce de la séptima realización de la presente invención.
La Figura 21B muestra el espectro de emisión del componente emisor de luz del ejemplo 7 que tiene una longitud de onda con pico de emisión de 450 nm.
La Figura 21C muestra el espectro de emisión del diodo emisor de luz del ejemplo 7.
La Figura 22A muestra el espectro de emisión del fosforescente (Y0,8Gd0,2)3Al5O12: Ce del ejemplo 11.
La Figura 22B muestra el espectro de emisión del fosforescente (Y0,4Gd0,5)3Al5O12: Ce del ejemplo 11.
La Figura 22C muestra el espectro de emisión del componente emisor de luz del ejemplo 11 que tiene una longitud de onda con pico de emisión de 470 nm.
La Figura 23 muestra el espectro de emisión del diodo emisor de luz del ejemplo 11.
Descripción detallada de las realizaciones preferentes
Haciendo referencia ahora a los dibujos adjuntos, se describirán a Continuación las realizaciones preferentes de la presente invención.
Un diodo emisor de luz 100 de la Figura 1 es un diodo emisor de luz tipo conductor que tiene una montura conductora 105 y un conductor interno 106, en el que el componente emisor de luz 102 está instalado sobre una copa 105a de la montura conductora 105, y la copa 105a está rellena con una resina de revestimiento 101 que contiene un fosforescente especificado para cubrir el componente emisor de luz 102 y está moldeada en resina. Un electrodo n y un electrodo p del componente emisor de luz 102 están conectados a la montura conductora 105 y al conductor interno 106, respectivamente, por medio de hilos 103.
En el diodo emisor de luz constituido como se ha descrito anteriormente, parte de la luz emitida por el componente emisor de luz (chip LED) 102 (en adelante denominado luz LED) excita el fosforescente contenido en la resina de revestimiento 101 para generar luz fluorescente con una longitud de onda diferente de la de la luz LED, de forma que la luz fluorescente emitida por el fosforescente y la luz LED que es emitida sin contribución a la excitación del fosforescente son mezcladas y emitidas. Como resultado, el diodo emisor de luz 100 también emite luz con una longitud de onda diferente de la luz LED emitida por el componente emisor de luz 102.
La Figura 2 muestra un diodo emisor de luz tipo chip en la cual el diodo emisor de luz (chip LED) 202 está instalado en un entrante de una carcasa 204 que está rellena con un material de revestimiento que contiene un fosforescente especificado para formar un revestimiento 201. El componente emisor de luz 202 se fija usando una resina epoxi o similar que contiene Ag, por ejemplo, y un electrodo n y un electrodo p del componente emisor de luz 202 están conectados a unos terminales metálicos 205 instalados sobre la carcasa 204 por medio de hilos conductores 203. En el diodo emisor de luz tipo chip constituido como se ha descrito anteriormente, de forma similar al diodo emisor de luz tipo conductor de la Figura 1, la luz fluorescente emitida por el fosforescente y la luz LED que se transmite sin ser absorbida por el fosforescente son mezcladas y emitidas, de forma que el diodo emisor de luz 200 también emite luz con una longitud de onda diferente de la luz LED emitida por el componente emisor de luz 202.
El diodo emisor de luz que contiene el fosforescente en la forma descrita anteriormente tiene las características siguientes.
1.
La luz emitida por el componente emisor de luz (LED) se emite normalmente a través de un electrodo que suministra energía eléctrica al componente emisor de luz. La luz emitida es parcialmente bloqueada por el electrodo formado sobre el componente emisor de luz, dando como resultado una pauta de emisión particular y por lo tanto no es emitida uniformemente en todas las direcciones. Sin embargo, el diodo emisor de luz que contiene el material fluorescente puede emitir luz uniformemente sobre un amplio rango sin formar una pauta de emisión indeseable dado que la luz es emitida después de ser difundida por el material fluorescente.
2.
Aunque la luz emitida por el componente emisor de luz (LED) tiene un pico monocromático, el pico es amplio y tiene una propiedad alta de dar color. Esta característica da como resultado una ventaja indispensable para una aplicación que requiere longitudes de onda de un rango relativamente amplio. La fuente de luz para un escáner de imágenes ópticas, por ejemplo, es deseable que tenga un pico de emisión amplio.
Los diodos emisores de luz de las primera y segunda realizaciones que se van a describir a continuación tienen la configuración mostrada en la Figura 1 o en la Figura 2, en la que un componente emisor de luz que usa un compuesto de nitruro semiconductor con una energía relativamente alta en la región visible y un fosforescente particular están combinados y tienen tales propiedades favorables como la capacidad de emitir luz de alta luminancia y menor degradación de la eficacia de emisión de luz y menos cambio de color tras un periodo de uso prolongado.
En general, un material fluorescente que absorbe luz de una longitud de onda corta y emite luz de una longitud de onda larga tiene una eficacia mayor que un material fluorescente que absorbe luz de una longitud de onda larga y emite luz de una longitud de onda corta y, por lo tanto, es preferible usar un componente emisor de luz de un compuesto de nitruro semiconductor que sea capaz de emitir luz azul de una longitud de onda corta. Ni que decir tiene que es preferible el uso de un componente emisor de luz con alta luminancia.
Un fosforescente a utilizar en combinación con el componente emisor de luz de compuesto de nitruro semiconductor debe tener los siguientes requerimientos:
1.
Una resistencia excelente contra la luz para soportar luz de alta intensidad durante un periodo de tiempo prolongado, porque el material fluorescente se instala en la vecindad de los componentes emisores de luz 102, 202 y esta expuesto a una luz de una intensidad tan alta como aproximadamente 30 a 40 veces la luz del sol.
2.
Capacidad de emitir eficazmente luz en la región del azul para la excitación por medio de los componentes emisores de luz 102, 202. Cuando se usa una mezcla de colores, debe ser capaz de emitir luz azul, no un rayo ultravioleta, con alta eficiencia.
3.
Capacidad de emitir luz desde la región verde a la roja a fin de su mezcla con la luz azul para generar luz blanca.
4.
Buenas características de temperatura apropiadas para su localización en la vecindad de los componentes emisores de luz 102, 202 y la influencia resultante de la diferencia de temperaturas debido al calor generado por el chip cuando esta encendido.
5.
Capacidad para cambiar continuamente el tono de color en cuanto a la proporción de la composición o proporción de mezclado de una pluralidad de materiales fluorescentes.
6.
Capacidad para soportar las condiciones climáticas en el entorno de Operación del diodo emisor de luz.
Realización 1
El diodo emisor de luz de la primera realización de la presente invención emplea un elemento semiconductor de un compuesto de nitruro de galio que tiene un gran salto de energía entre bandas en la capa emisora de luz y es capaz de emitir luz azul, y un fosforescente granate activado con cerio en combinación. Con esta configuración, el diodo emisor de luz de la primera realización podrá emitir luz blanca mezclando la luz azul emitida por los componentes emisores de luz 102, 202 y la luz amarilla emitida por el fosforescente excitado por la luz azul.
Dado que el fosforescente granate activado con cerio que se usa en el diodo emisor de luz de la primera realización tiene alta resistencia y buen comportamiento en condiciones climáticas, puede emitir luz con grados extremadamente pequeños de cambio de color y disminución de la luminancia de la luz emitida aún cuando sea irradiado por una luz muy intensa emitida por los componentes emisores de luz 102, 202 situados en la vecindad durante un periodo de tiempo prolongado.
Los componentes del diodo emisor de luz de la primera realización se describirán en detalle a Continuación.
Fosforescente
El fosforescente usado en el diodo emisor de luz de la primera realización es un tipo de fosforescente que, cuando es excitado por la luz visible o rayos ultravioleta emitidos por la capa emisora de luz semiconductora, emite luz de una longitud de onda diferente de la de la luz de excitación. El fosforescente es específicamente un material fluorescente granate activado con cerio que contiene al menos un elemento seleccionado de entre Y, Lu, Sc, La, Gd y Sm y al menos un elemento seleccionado de entre Al, Ga e In. Según la presente invención, el material fluorescente es preferiblemente material fluorescente de itrio-aluminio-granate (YAG fosforescente) activado con cerio, o un material fluorescente representado por la formula general (Re1-rSm_{r})3(Al1-sGa_{s})5O12:Ce, donde 0 \leq r < 1 y 0 \leq s \leq 1, y Re es al menos uno seleccionado de entre Y y Gd. En el caso de que la luz LED emitida por el componente emisor de luz emplee el compuesto de nitruro de galio semiconductor y la luz fluorescente emitida por el fosforescente tenga un color de cuerpo amarillo estén en la relación de colores complementarios, puede ser emitida luz blanca mezclando la luz LED y la luz fluorescente.
En la primera realización, dado que el fosforescente se usa mezclado con una resina que forma el revestimiento de resina 101 y el material de revestimiento 201 (detallado a Continuación), el tono de color del diodo emisor de luz se puede ajustar, incluyendo el color blanco y el color de la lámpara incandescente controlando la proporción de mezclado con la resina o la cantidad usada en el relleno la copa 105 o el entrante de la carcasa 204 según la longitud de onda de la luz emitida por el componente emisor de luz de nitruro de galio.
La distribución de la concentración del fosforescente tiene influencia también sobre la mezcla de colores y su durabilidad. Es decir, cuando la concentración de fosforescente se incrementa desde la superficie del revestimiento o se moldea donde el fosforescente esta contenido hacia el componente emisor de luz, se hace menos probable que se vea afectado por la humedad externa con lo que se hace más fácil suprimir el deterioro debido a la humedad. Por otra parte, cuando la concentración de fosforescente se incrementa desde el componente emisor de luz hacia la superficie del molde, es más probable que se vea afectado por la humedad externa, pero menos probable que se vea afectado por el calor y la radiación del componente emisor de luz, haciendo posible de esta manera suprimir el deterioro del fosforescente. Dichas distribuciones de la concentración del fosforescente se puede conseguir seleccionando o controlando el material que contiene el fosforescente, que da lugar a la temperatura y viscosidad, y la configuración y la distribución de partículas del fosforescente.
Usando el fosforescente de la primera realización, se puede fabricar un diodo emisor de luz con unas características de emisión excelentes porque el material fluorescente tiene suficiente resistencia a la luz para operar con alta eficacia aún cuando esté dispuesto próximo a, o en la vecindad de los componentes emisores de luz 102, 202 con una intensidad de radiación (Ee) comprendida entre 3 Wcm-^{2} y 10 Wcm-^{2}.
El fosforescente usado en la primera realización es, a causa de su estructura de granate, resistente al calor, a la luz y a la humedad, por lo que es capaz de absorber luz de excitación con un pico a una longitud de onda próxima a 450 nm, como se muestra en la Figura 3A. También emite luz de amplio espectro con un pico próximo a 580 nm, que se desvanece a 700 nm, como se muestra en la Figura 3B. Además, la eficiencia de la emisión de luz excitada en la región de las longitudes de onda de 460 nm y superiores se puede incrementar incluyendo Gd en el cristal del fosforescente de la primera realización. Cuando se incrementa el contenido en Gd, la longitud de onda del pico de emisión se desplaza hacia una longitud de onda mas larga y todo el espectro de emisión se desplaza hacia longitudes de onda mas largas. Esto significa que, cuando se requiere la emisión de luz de un color más rojizo, se puede conseguirse incrementando el grado de sustitución por Gd. Cuando el contenido Gd se incrementa, la luminancia de la luz emitida por fotoluminiscencia bajo la luz azul tiende a disminuir.
Especialmente, cuando parte del Al se sustituye por Ga en la composición del material fluorescente YAG con una estructura de granate, la longitud de onda de la luz emitida se desplaza hacia una longitud de onda mas corta y, cuando parte de Y se sustituye por GD, la longitud de onda de la luz emitida se desplaza hacia una longitud de onda mas larga.
La tabla 1 muestra la composición y las características de emisión de luz del material fluorescente YAG representado por la formula general (YGd_{a})3(AlbGab)O:Ce.
\vskip1.000000\baselineskip
TABLA 1
1
Los valores mostrados en la Tabla 1 fueron medidos excitando el material fluorescente con luz azul de 460 nm. La luminancia y la eficiencia en la Tabla 1 se dan en valores relativos a los del material Nº. 1 que se considera 100.
Al sustituir Al por Gd, la proporción está preferiblemente dentro del rango de Ga:Al = 1:1 a 4:6 y en consideración de la eficiencia de emisión y longitud de onda de emisión. Análogamente, al sustituir Y por Gd, la proporción está preferiblemente dentro entre Y: Gd = 9:1 y 1:9, y más preferiblemente entre 4:1 y 2:3. Esto se debe a que un grado de sustitución con Gd por debajo del 20% da lugar a un color del componente mayor que verde y un componente rojo menor, y a que un grado de sustitución con Gd por encima del 60% da lugar a un componente rojo incrementado pero a un rápido descenso de la luminancia. Cuando la relación Y:Gd entre Y y Gd en el material fluorescente YAG se establece dentro de 4:1 a 2:3, en particular, un diodo emisor de luz capaz de emitir luz blanca sustancialmente a lo largo del lugar de radiación del cuerpo negro se puede hacer usando un tipo de material fluorescente de Itrio-aluminio-Granate, dependiendo de la longitud de onda de emisión del componente emisor de luz. Cuando la relación Y:Gd de Y y Gd en el material fluorescente YAG se establece dentro del rango entre 2:3 y 1:4, un diodo emisor de luz capaz de emitir luz de lámpara incandescente se puede fabricar aunque su luminancia sea baja. Cuando el contenido (grado de sustitución) de CE se establece dentro del rango entre 0,003 y 0,2, la intensidad luminosa relativa del diodo emisor de luz no menor que el 70% se puede conseguir. Cuando el contenido es menor de 0,003, la intensidad luminosa disminuye porque el número de centros de emisión excitados de fotoluminiscencia debida a Ge disminuye y, cuando el contenido es superior a 0,2 se produce la densidad de apagado.
Por consiguiente, la longitud de onda de la luz emitida se puede desplazar a una longitud de onda más corta sustituyendo parte Y de la composición por Ga. De esta manera, el color de la luz de emisión se puede cambiar continuamente cambiando la composición. Asimismo, el material fluorescente es excitado difícilmente por las líneas de emisión de Hg que tienen longitudes de onda de 254 nm y 365 nm, pero que es excitado con una eficacia superior por la luz LED emitida por el componente emisor de luz azul con una longitud de onda de aproximadamente 450 nm. De esta manera, el material fluorescente tiene unas características ideales para convertir la luz azul del componente emisor de luz semiconductor de nitruro, en luz blanca, de forma tal que la capacidad de cambio continuo de la longitud de onda de pico cambiando la proporción de Gd.
Según la primera realización, la eficacia de la emisión de luz del diodo emisor de luz se puede mejorar más combinando el componente emisor de luz que emplea un semiconductor de nitruro de galio y el fosforescente fabricado mediante la adicción del elemento samario (Sm) de tierra rara a los materiales fluorescentes de itrio-aluminio-granate (YAG) activados con cerio.
El material para fabricar dicho fosforescente se hace usando óxidos de Y, Gd, Ce, Sm, Al y Ga o compuestos que se puedan convertir fácilmente en dichos óxidos a alta temperatura, y el mezclando suficientemente estos materiales en proporciones estoiquiométricas. Esta mezcla se mezcla con una cantidad apropiada de un floruro, tal como el floruro de amonio usado como fluidificante y cocido en un crisol a una temperatura de 1350 a 1450ºC en aire durante 2 a 5 horas. Seguidamente, el material cocido fue molido por un molido de bolas en agua, lavado, separado, secado y tamizado para obtener de dicha forma el material deseado.
En el proceso de producción descrito anteriormente, la mezcla de material se puede hacer también disolviendo los elementos de tierra rara Y, Gd, Ce y Sm en proporciones estoiquiométricas en un ácido, coprecipitando la solución con ácido oxálico y cociendo el coprecipitado para obtener un óxido del coprecipitado, y seguidamente, mezclándolo con óxido de aluminio y óxido de galio.
El fosforescente representado por la formula general (Y_{1-p-q-r}GdpCe_{q}Sm_{r})_{3}Al_{5}O_{12} que incluye Sm se puede hacer sujeto a la menor dependencia de la temperatura independientemente del contenido incrementado de Gd. Es decir, el fosforescente, cuando contiene Sm, tiene una luminiscencia de emisión mejorada a mayor temperatura. La amplitud de la mejora se incrementa a medida que se incrementa el contenido de gadolinio, la longitud de onda en pico de emisión se desplaza desde 530 nm a una longitud de onda más larga hasta 570 nm, mientras que todo el espectro de emisión también se desplaza a longitudes de ondas más largas. Cuando se necesita luz de sombra roja más fuerte se puede conseguir incrementando la cantidad de Gd añadida para sustitución. Cuando el contenido de Gd se incrementa, la luminiscencia de fotoluminiscencia con luz azul disminuye gradualmente. Por consiguiente, el valor de p es preferiblemente 0,8 o inferior, o más preferiblemente 0,7 o inferior. Más preferiblemente es 0,6 o inferior.
El fosforescente representado por la fórmula general (Y_{1-p-q-r}GdpCeqSm_{r})_{3}Al_{5}O_{12} que incluye Sm se puede sujeto a menos dependencia de la temperatura independientemente del contenido incrementado de Gd. Es decir, el fosforescente, cuando contiene Sm, tiene una luminancia de emisión muy mejorada a altas temperaturas. La amplitud de la mejora se incrementa a medida que se incrementa el contenido de Ga. Las características de temperatura se pueden mejorar en gran medida particularmente mediante la adición de Sm en el caso de material fluorescente de una composición tal que la sombra roja sea reforzada incrementando el contenido en Gd porque tiene pobres características de temperatura. La características de temperaturas mencionada aquí se mide en cuanto al porcentaje (%) de la luminancia de emisión del material fluorescente a alta temperatura (200ºC) respecto de la luminancia de emisión de la luz azul de excitación con una longitud de onda de 450 nm a la temperatura normal (25ºC).
La proporción de Sm esta preferiblemente dentro del rangos de 0,0003 \leq r \leq 0,08 para dar una característica de temperatura del 60% o superior. El valor de r por debajo de este rango conduce a un menor efecto de mejora de la característica de temperatura. Por el contrario, cuando el valor de r esta por encima de este rango, la característica de temperatura se deteriora. El rango de 0,0007 \leq r \leq 0,02 para la proporción de Sm cuando la característica de temperatura se hace del 80% o superior es mas deseable.
La proporción q de Ce esta preferiblemente en un rango de 0,003 \leq q \leq 0,2, lo cual hace posible una luminancia de emisión relativa del 70% o superior. La luminancia relativa de emisión se refiere a la luminancia de emisión en porcentaje respecto a la luminancia de emisión de un material fluorescente en el que q =0,03.
Cuando la proporción q de Ce es 0,003 o inferior la luminancia disminuye porque el número de centros de emisión excitados de fotoluminiscencia debido al Ce disminuye y, cuando q es superior a 0,2, se produce la densidad de apagado. La densidad de apagado se refiere a la disminución en la intensidad de emisión que se produce cuando la concentración de un agente de activación añadido para incrementar la luminancia del material fluorescente se incrementa mas allá de un nivel optimo.
También se puede usar una mezcla de dos o mas tipos de fosforescente con una composición de (Y1__{p}__{q}__{r}Gd_{p}Ceq
Sm_{r})3Al5O12 y contenidos diferentes de Al, Ga, Y yGs o Sm. Esto incrementa los componentes RGB y permite la aplicación, por ejemplo, de un dispositivo de pantalla de cristal liquido a todo color usando un filtro de color.
Componentes emisores de luz 102, 202
El componente emisor de luz se embebe preferiblemente en un material de moldeo en la forma mostrada en la Figura 1 y en la Figura 2. El componente emisor de luz usado en el diodo emisor de luz de la presente invención es un compuesto de nitruro de galio semiconductor capaz de excitar eficazmente los materiales fluorescentes de granate activados con cerio. Lo componentes emisores de luz 102, 202 que emplean un compuesto semiconductor de nitruro de galio se fabrican conformando una capa emisora de luz de nitruro de galio semiconductor, tal como InGaN, sobre el sustrato en un proceso MOCVD. La estructura del componente emisor de luz podrá ser una homoestructura, eteroestructura o una doble eteroestructura que tenga una unión MIS, unión PIN o unión PN. Se podrá seleccionar diversas longitudes de ondas de emisión en función del material de la capa semiconductora y de la cristalinidad de la misma. También se podrá fabricar con una estructura quántica de un solo pocillo o una estructura quántica de pocillos múltiples en la que la capa de activación semiconductora este formada tan fina como pueda producir el efecto quántico. Según la presente invención, un diodo emisor de luz capaz de emitir con una luminancia superior sin la deterioro del fosforescente se podrá fabricar haciendo la capa de activación del componente emisor de luz según una estructura cuantica de un solo pocillo de InGaN.
Cuando se usa un compuesto semiconductor de nitruro de galio, se puede usar zafiro, espinela, SiC, Si, ZnO, o similares como sustrato semiconductor, el uso de sustrato de zafiro es preferible con objeto de formar nitruro de galio de buena cristalinidad. Una capa de nitruro de galio semiconductor se forma sobre el sustrato de zafiro para formar una unión PN por medio de una capa amortiguadora de GaN, AlN, etc. El semiconductor de nitruro de galio tiene una conductividad tipo N bajo la condición de que no este dopado con ninguna impureza, aunque con objeto de formar un semiconductor de nitruro de galio tipo N con las propiedades deseadas (concentración de portadora etc.) con una emisión de luz mejorada como la mencionada, será preferiblemente dopado con un dopante tipo N tal como Si, Ge, Se, Te, y C. Con objeto de formar un semiconductor de nitruro de galio tipo P, por otra parte, es preferible dopar con un dopante tipo P, tal como Zn, Mg, Be, Ca, Sr, y Ba. Dado que es difícil volver un compuesto de nitruro de galio semiconductor a simplemente tipo P dopándolo con un dopante tipo P, es preferible tratar el compuesto de nitruro de galio semiconductor dopado con un dopante tipo P en un proceso tal como calentándolo en un horno, irradiándolo con un haz de electrones de baja velocidad e irradiándolo con plasma para de dicha forma volverlo al tipo P. Tras exponer la superficies de los semiconductores de nitruro de galio tipo P y tipo N mediante grabado químico u otro procedimientos, los electrodos con las formas deseadas se forman sobre las capas del semiconductor mediante bombardeo iónico o deposición de vapor.
A continuación, la oblea semiconductora que se ha conformado se corta en piezas mediante una sierra de dados o se separan por fuerzas externas tras cortar unos surcos (medios cortes) que tengan una anchura mayor que la anchura del filo de la cuchilla. O de otra manera la oblea se corta en chips grabando un dibujo en rejilla de líneas extremadamente finas sobre la oblea semiconductora por medio de un grabador con un punzón de diamante que haga un movimiento en vaivén recto. De dicha forma, se puede hacer el componente emisor de luz del compuesto semiconductor de nitruro de galio.
Con objeto de emitir luz blanca con el diodo emisor de luz de la primera realización, la longitud de onda de la luz emitida por el componente emisor de luz es preferiblemente de 400 nm a 530 nm, inclusive, en consideración a la relación de color complementario con el fosforescente y el deterioro de la resina, y más preferiblemente entre 420 nm y 490 nm, inclusive. Es aún más preferible que la longitud de onda esté entre 450 nm y 475 nm, con objeto de mejorar la eficacia de emisión del componente emisor de luz y del fosforescente. El espectro de emisión del diodo emisor de luz blanca de la primera realización se muestra en la Figura 4. El componente emisor de luz representado en dicha Figura es del tipo conductor mostrado en la Figura 1, que emplea el componente emisor de luz y el fosforescente de la primera realización que se describirá más adelante. En la Figura 4 la emisión con un tipo de aproximadamente 450 nm es la luz emitida por el componente emisor de luz y la emisión con un tipo de aproximadamente 570 nm es la emisión fotoluminiscente excitada por el componente emisor de luz.
La Figura 16 muestra los colores que pueden representarse por el diodo emisor de luz blanca fabricado mediante la combinación del material fluorescente mostrado en la Tabla 1 y el LED azul (componente emisor de luz) con una longitud de onda en pico de 465 nm. El color de la luz emitida por dicho diodo emisor de luz blanca se corresponde con un punto de una línea recta que conecta un punto de cromacidad generada por el LED azul y un punto de cromacidad generada por el material fluorescente, y de dicha forma, la región de color blanco amplia (parte sombreada en la Figura 16) en la parte central del diagrama de cromacidad se podrá cubrir totalmente usando los materiales fluorescente 1 a 7 de la Tabla 1. La Figura 17 muestra el cambio en el color de emisión cuando el contenido de los materiales fluorescente en el diodo emisor de luz blanca es cambiado. El contenido de los materiales fluorescente se da en porcentajes en peso respecto a la resina usada en el material de revestimiento. Como podrá apreciarse en la Figura 17, el color de la luz se aproxima a de los materiales fluorescentes cuando el contenido del material fluorescente se incrementa y se aproxima al del LED azul cuando el contenido del material fluorescente se disminuye.
Según la presente invención, un componente emisor de luz que no excita el material fluorescente podrá utilizarse conjuntamente con el componente emisor de luz que emite luz que excita el material fluorescente. Específicamente, además del material fluorescente, que es un compuesto de nitruro semiconductor capaz de excitar el material fluorescente, se disponen conjuntamente un componente emisor de luz con una capa emisora de luz fabricada de fosfato de galio, arseniuro de aluminio-galio, fosfato de arsenio-galio o fosfato de aluminio-indio. Con dicha configuración, la luz emitida por el componente emisor de luz que no excita el material fluorescente se irradia hacia el exterior sin ser absorbida por el material fluorescente, fabricándose un diodo emisor de luz que puede emitir luz roja/blanca.
A continuación se van a describir otros componentes de los diodos emisores de luz de la Figura 1 y de la Figura 2.
Hilos conductores 103, 203
Los hilos conductores 103, 203 deben tener una buena conductividad eléctrica, una buena conductibilidad térmica y una buena conexión mecánica con los electrodos de los componentes emisores de luz 102, 202. La conductibilidad térmica es preferiblemente de 0,042 J (0,01 cal)/(s)(cm^{2})(ºC/cm) o superior y más preferiblemente de 2,09 J (0,5 cal)/(s) (cm^{2}) (ºC/cm) o superior. Para mejorar la viabilidad, el diámetro del hilo conductor es preferiblemente de 10 a 45 \mum, inclusive. Incluso cuando se usa el mismo material para el revestimiento que incluye el material fluorescente y el molde, a causa de la diferencia del coeficiente de dilatación térmica debido al material fluorescente contenido en cualquiera de los dos materiales mencionados anteriormente, el hilo conductor es muy posible que se rompa en la interfaz. Por dicha razón, el diámetro del hilo conductor es preferiblemente no menor de 25 \mum y, debido al área emisora de luz y facilidad de manipulación, preferiblemente dentro de 35 \mum. El hilo conductor puede ser de un metal como por ejemplo oro, cobre, platino y aluminio y una aleación de los mismos. Cuando se utiliza un hilo conductor de dichos material y configuración, se puede conectar fácilmente a los electrodos de los componentes emisores de luz, el conductor interno y el conductor de la montura por medio de un dispositivo de unión de cables o hilos.
Montura conductora 105
La montura conductora 105 comprende una copa 105a y un conductor 105b, y su superficie tiene un tamaño suficiente para montar el componente emisor de luz 102 con el dispositivo de unión de hilos en la copa 105a. En el caso de que una pluralidad de componentes emisores de luz estén instalados en la copa y se utilice una montura conductora como electrodo común para el componente emisor de luz a causa de que materiales de electrodos diferentes se pueden usar, se requiere una conductividad eléctrica suficiente y buena conductividad con el hilo de unión y los demás. Cuando el componente emisor de luz esté instalado en la copa de la montura conductora y la copa se llene con el material fluorescente, la luz emitida por el material fluorescente es, incluso si es isotrópico, reflejada por la copa en una dirección deseada y de dicha forma se podrá evitar una iluminación errónea debida a la luz de otros diodos emisores de luz montados en las proximidades. Iluminación errónea se refiere aquí al fenómeno de que otros diodos emisores
de luz montados en las proximidades aparezcan como iluminadores a pesar de no estar suministrados con energía.
La unión del componente emisor de luz 102 y la montura conductora 105 con la copa 105a se puede lograr por medio de una resina termoplástica, tal como una resina epoxi, una resina acrílica y una resina de imida. Cuando se usa un componente emisor de luz orientado hacia abajo (como un tipo de componente emisor de luz como luz emitida se extrae el lado del sustrato y está configurado para montar los electrodos opuestos a la copa 105a), se puede utilizar pasta de Ag, pasta de carbón, unión metálica o similares para unir y conectar eléctricamente el componente emisor de luz y la montura conductora al mismo tiempo. Además, con objeto de mejorar la eficacia en la utilización de la luz del diodo emisor de luz, la superficie de la copa de la montura conductora sobre la cual está montado el componente emisor de luz puede estar pulida especularmente para asignar una función reflectora a la superficie. En este caso, es preferible una rugosidad de la superficie de 0,1 S a 0,8 S, inclusive (S es una unidad japonesa según la norma ISO 468 de 1982). La resistencia eléctrica de la montura conductora es preferiblemente de 300 \mu\Omega-cm y más preferiblemente dentro de 3 \mu\Omega-cm. Cuando se monta una pluralidad de componentes emisores de luz sobre la montura conductora, los componentes emisores de luz generan una cantidad significativa de calor y, por consiguiente, se requiere una alta conductividad térmica. Específicamente, la conductividad térmica es preferiblemente 0,042 J (0,01 cal)/(s) (cm^{2}) (ºC/cm) o superior y más preferiblemente de 2,09 J (0,5 cal)/(s) (cm^{2}) (ºC/cm) o superior. Los materiales que satisfacen estos requisitos contienen acero, cobre, acero revestido de cobre, estaño revestido de cobre y materiales cerámicos metalizados.
Conductor interno 106
El conductor interno 106 está conectado a uno de los electrodos del componente emisor de luz 102 montado sobre la montura conductora 105 por medio de un hilo conductor o similar. En el caso de un diodo emisor de luz en el que una pluralidad de componentes emisores de luz están instalados sobre la montura conductora, es necesario disponer una pluralidad de conductores internos 106 de manera tal que los hilos conductores no se toquen entre sí. Por ejemplo, el contacto de los hilos conductores entre sí puede prevenir incrementando el área de la cara terminal donde el conductor interno se conecta a medida que la distancia desde la montura conductora se incrementa de forma que el espacio entre los hilos conductores queda asegurado. La rugosidad superficial de la cara terminal del conductor interno que conecta con el hilo conductor es preferiblemente de 1,6 S (S es una unidad Japonesa según la norma ISO 468 de 1982) a 10 S, inclusive (S es una unidad Japonesa según la norma ISO 468 de 1982) en consideración a un contacto próximo.
Con objeto de conformar el conductor interno con la forma deseada, se puede punzonar por medio de un troquel. Además, se puede fabricar mediante punzonado para formar un conductor interno presurizándolo seguidamente sobre la cara terminal para de dicha forma controlar el área y la altura de la cara terminal.
Se requiere que el conductor interno tenga una buena conectividad con los hilos de unión que son hilos conductores y tienen una buena conductividad eléctrica. Específicamente, es preferible que la resistencia eléctrica esté dentro de 300 \mu\Omega-cm y más preferiblemente dentro de 3 \mu\Omega-cm. Los materiales que satisfacen dichos requerimientos contienen hierro, cobre, cobre que contiene hierro, cobre que contiene zinc, aluminio chapado en plata, cobre u oro, hierro y cobre.
Material de revestimiento 101
El material de revestimiento 101 está provisto en la copa de la montura conductora separado del material de moldeo 104 y, en la primera realización, contiene el fosforescente que convierte la luz emitida por el componente emisor de luz. El material de revestimiento puede ser un material transparente con un buen comportamiento respecto al clima, tal como resina epoxi, resina de urea y resina de silicio o vidrio. Se puede utilizar un dispersante conjuntamente con el fosforescente. Como dispersante es preferible utilizar titanato de bario, oxido de titanio, oxido de aluminio, dióxido de silicio y similares. Cuando el material fluorescente se forma mediante bombardeo iónico se puede omitir el material de revestimiento. En este caso se podrá fabricar un diodo emisor de luz capaz de mezclar colores mediante el control del grosor de la película o permitiendo una abertura en la capa de material fluorescente.
Material de moldeo 104
El moldeo 104 tiene la función de proteger el componente emisor de luz 102, el hilo conductor 103 y el material de revestimiento 101 que contiene fosforescente contra las perturbaciones externas. Según la primera realización, es preferible que el material de moldeo 104 contenga además un dispersante, que pueda desviar la directividad de la luz del componente emisor de luz 102, lo que da lugar a un ángulo de visión incrementado. El material de moldeo 104 tiene la función de una lente para enfocar o difundir la luz emitida por el componente emisor de luz. Por consiguiente, se puede fabricar el material de moldeo 104 con una configuración de lente convexa o lente cóncava, y puede tener forma elíptica cuando se observe en la dirección del eje óptico o una combinación de las mismas. Asimismo, el material de moldeo 104 se puede fabricar con una estructura de capas múltiples de materiales diferentes laminados. Como material de moldeo 104 es preferible emplear materiales transparentes con buen comportamiento en las condiciones climáticas tal como resina de epoxi, resina de urea, resina de silicio o vidrio. Como dispersante se puede utilizar titanato de vario, oxido de titanio, oxido de aluminio, dióxido de silicio y similares. Además del dispersante, el fosforescente podrá estar contenido en el material del moldeo. A saber, según la presente invención, el fosforescente puede estar contenido bien en el material de moldeo o en el material de revestimiento. Cuando el fosforescente esta contenido en el material de moldeo, el ángulo división se puede incrementar adicionalmente. El fosforescente puede estar también contenido tanto en el material de revestimiento como en el material de moldeo. Además se puede usar una resina que incluya el fosforescente con el material de revestimiento mientras que se utilicen vidrios, diferente del material de revestimiento, como material de moldeo. Esto hace posible fabricar un diodo emisor de luz que esté menos sometido a la influencia de la humedad con una buena productividad. El moldeo y el revestimiento se pueden hacer del mismo material con objeto de igualar el índice de refracción, en función de la aplicación. Según la presente invención, la adicción del dispersante y/o de un agente colorante en el material de moldeo tiene los efectos de enmascarar el color del material fluorescente oscurecido y de mejorar el rendimiento del mezclado de colores. Es decir, el material fluorescente absorbe el componente azul de la luz extraña y emite luz con lo que da un aspecto verdaderamente coloreado de amarillo. Sin embargo, el dispersante contenido en el material de moldeo da un color blanco lechoso al material de moldeo y el agente de coloración da un color deseado. De esta manera, el color del material fluorescente no es reconocido por el observador. En el caso de que el componente emisor de luz emita luz con una longitud de onda principal de 430 nm o superior, es preferible que este contenido un elemento absorbedor de la luz ultravioleta que sirva como estabilizador de la luz.
Realización diferente
El diodo emisor de luz de otra realización se fabrica utilizando un elemento dotado con un compuesto nitruro de galio semiconductor que tiene un salto de energía entre bandas en la capa emisora de luz como componente emisor de luz y un material fluorescente que incluye dos o mas tipos de fosforescente de composiciones diferentes, o preferiblemente materiales fluorescentes de itrio-aluminio-granate activado con cerio como fosforescente. Con esta configuración se puede fabricar un diodo emisor de luz que permite dar un tono de color deseado mediante el control del contenido de dos o mas materiales fluorescentes incluso cuando la longitud de onda de la luz LED emitida por el componente emisor de luz se desvíe del valor deseado debido a variaciones en el proceso de producción. En este caso, el color de emisión del diodo emisor de luz se puede hacer constante usando un material fluorescente con una longitud de onda de emisión relativamente corta para un componente emisor de luz de una longitud de onda de emisión relativamente corta y usando un material fluorescente con una longitud de emisión relativamente larga para un componente emisor de luz con una longitud de onda de emisión relativamente larga.
En cuanto al material fluorescente, se puede usar también como fosforescente un material fluorescente representado por la formula general (Re1-_{r}Sm_{r})3(Al1-_{s}Ga_{s})5O12:Ce. Aquí 0 \leq r \leq 1, y Re se selecciona al menos entre Y, Gd y La. Esta configuración hace posible minimizar la desnaturalización del material fluorescente aún cuando el material fluorescente esté expuesto a la luz visible de alta intensidad y alta energía emitida por el componente emisor de luz durante un largo periodo de tiempo o cuando se usa bajo condiciones ambientales diversas y, por consiguiente, se puede hacer un diodo emisor de luz que está sometido a cambios de color extremadamente insignificante y baja disminución de la luminancia de emisión y tiene el componente de emisión deseado de alta luminancia.
Fosforescente de la realización diferente
Ahora se va a describir en detalle el fosforescente usado en el componente emisor de luz de la realización anterior. Esta realización es similar a la primera realización, con la excepción de que se usan dos o mas tipos de fosforescente de composiciones diferentes activados con cerio, como se describió anteriormente, siendo el procedimiento de uso del material fluorescente básicamente el mismo.
Análogamente al caso de la primera realización, al diodo emisor de luz se le puede suministrar una alta estabilidad frente a las condiciones climatologiítas mediante el control de la distribución del fosforescente (como por ejemplo amortiguando la concentración con la distancia desde el componente emisor de luz). Dicha distribución de la concentración del fosforescente se puede conseguir seleccionando o controlando el material que contiene el fosforescente, la temperatura y viscosidad de conformación y la configuración y distribución de las partículas de fosforescente. De dicha forma, según dicha realización, la distribución de la concentración del material fluorescente se determina de acuerdo con las condiciones de operación. Además, según dicha realización, la eficacia de la emisión de luz se puede incrementar designando la configuración de los dos o mas tipos de material fluorescente (por ejemplo, disponiéndolos en el orden de cercanía al componente emisor de luz) de acuerdo con la luz generada por el componente emisor de luz.
Con la configuración de esta realización, de forma similar a la primera realización, el diodo emisor de luz tiene una alta eficacia y suficiente resistencia a la luz incluso cuando se dispone próximo a, o en la vecindad del componente emisor de luz de una relativa alta emisión con una intensidad de radiación (Ee) dentro del rango de 3 a 10 Wcm-^{2}.
El material fluorescente de itrio-aluminio-granate activado con cerio (material fluorescente YAG) usado en esta realización tiene una estructura de granate similar al caso de la primera realización y es, por consiguiente, resistente al calor, luz y humedad. La longitud de onda en pico de excitación del material fluorescente de itrio-aluminio-granate de dicha realización puede establecerse en las proximidades de 450 nm en la forma indicada por la línea continua de la Figura 5A, y la longitud de onda tipo de emisión se puede establecer en las proximidades de 510 nm, en la forma indicada por la línea continua de la Figura 5B, mientras que se hace el espectro de emisión tan amplio para cubrir hasta 700 nm, lo cual hace posible emitir luz verde. La longitud de onda en pico de excitación de otro material fluorescente de itrio-aluminio-granate activado con cerio de dicha realización se puede establecer en las proximidades de 450 nm, en la forma indicada por la línea de trazos de la Figura 5A y la longitud de onda tipo de emisión se puede establecer en las proximidades de 600 nm en la forma indicada por la línea de trazos de la Figura B mientras que se hace el espectro de emisión tan amplio como para extenderse hasta 750 nm, lo cual hace posible emitir luz roja.
La longitud de onda de la luz emitida se desplaza hasta una longitud de onda mas corta mediante la sustitución de parte de Al, entre los constituyentes del material fluorescente de YAG con estructura de granate, con Ga, y la longitud de onda de la luz emitida se desplaza hasta una longitud de onda mas corta sustituyendo parte de Y con Gd y/o La. La proporción del sustituyente del Al con Ga es preferiblemente Ga:Al =1:1 a 4:6 en consideración de la eficacia de emisión de luz y la longitud de onda de emisión. De forma similar, la proporción de sustitución de Y con Gd y/o La es preferiblemente Y:Gd y/o La=9:1 a 1:9 o mas preferiblemente Y:Gd y/o La=4:1 a 2:3. La sustitución de menos del 10% da como resultado un incremento del componente verde y una disminución del componente rojo. Por otra parte, la sustitución del 80% o más incrementa el componente rojo pero disminuye abruptamente la luminancia.
El material para fabricar dicho fosforescente se hace usando óxidos de Y, Gd, Ce, La, Al, Sm y Ga o componentes que se pueden convertir fácilmente en dichos óxidos a altas temperaturas y mezclando suficientemente dichos materiales en proporciones estoiquiométricas. O bien, el material de la mezcla se obtiene disolviendo los elementos de tierra rara Y, Gd, Ce, La, Al, Sm en proporciones estoiquiométricas en ácido, coprecipitación de la solución con ácido oxálico y cociendo el coprecipitado para obtener un oxido del coprecipitado, que es posteriormente mezclado con oxido de aluminio y oxido de galio. Dicha mezcla se mezcla con una cantidad apropiada de floruro, tal como floruro de amonio usado como fluidificante y se cuece en un crisol a una temperatura de 1350 a 1450ºC en aire durante 2 a 5 horas. Posteriormente, el material cocido se muele en un molino de bolas en agua, se lava, se separa, se seca y se tamiza para obtener de dicha forma el material deseado.
En esta realización, los dos o más tipos de materiales fluorescentes de itrio-aluminio-granate activado con cerio de composiciones diferentes pueden ser usados para su mezclado o dispuestos independientemente (como por ejemplo laminados). Cuando los dos o más tipos de materiales fluorescentes se mezclan, la parte convertidora en color se puede conformar de manera relativamente fácil y de una forma apropiada para su producción en masa. Cuando los dos o más tipos de material fluorescente se disponen independientemente, el color se puede ajustar tras conformarlo mediante la laminación de las capas hasta que se obtiene un color deseado. Asimismo, cuando se disponen dos o mas tipos de material fluorescente independientemente, es preferible disponer un material fluorescente que absorba luz del componente emisor de luz de una longitud de onda corta próxima al elemento LED y un material fluorescente que absorba luz de una longitud de onda alejado del elemento LED. Dicha configuración posibilita una absorción y emisión eficiente de la luz.
El diodo emisor de luz de esta realización se fabrica usando dos o más tipos de materiales fluorescentes de itrio-aluminio-granate de diferentes composiciones como materiales fluorescentes, en la forma descrita anteriormente. Esto hace posible fabricar un diodo emisor de luz capaz de emitir luz de forma eficiente del color deseado. Es decir, cuando la longitud de onda de la luz emitida por el componente emisor de luz semiconductor se corresponde con un punto de la línea recta que conecta el punto A y el punto B del diagrama cromático de la Figura 6, se puede emitir luz de cualquier color en la región sombreada encerrada por los puntos A, B, C y D de la Figura 6 que son los puntos de cromacidad (puntos C y D) de los dos o mas tipos de materiales fluorescentes de itrio-aluminio-granate de composiciones diferentes. Según esta realización, el color se puede controlar cambiando las composiciones o cantidades de los elementos LED y de los materiales fluorescentes. En particular, un diodo emisor de luz de menor variación en la longitud de onda de emisión se puede fabricar seleccionando los materiales fluorescentes según la longitud de onda de emisión del elemento LED. Asimismo, un diodo emisor de luz que incluya componentes RGB con alta luminancia se puede fabricar seleccionando la longitud de onda de emisión de los materiales fluorescentes.
Además, dado que el material fluorescente de itrio-aluminio-granate (YAG) usado en esta realización tiene una estructura de granate, el diodo emisor de luz de esta realización puede emitir luz de alta luminiscencia durante un largo periodo de tiempo. Asimismo, los diodos emisores de luz de la primera realización y de la presente realización están dotados con un componente emisor de luz instalado vía material fluorescente. Asimismo, a causa de que la luz convertida tiene una longitud de onda mas larga que la de la luz emitida por el componente emisor de luz, la energía de la luz convertida es menor que el salto de energía entre bandas del semiconductor de nitruro y es menos probable que sea absorbida por la capa de nitruro semiconductor. De dicha forma, aunque la luz emitida por el material fluorescente esté dirigida también al elemento LED a causa de la isotropía de emisión, la luz emitida por el material fluorescente nunca es absorbida por el elemento LED y de esta manera no disminuirá la eficacia de emisión y del diodo emisor de luz.
Fuente de luz plana
En la figura 7 se muestra una fuente de luz plana que es otra realización de la presente invención.
En la fuente de luz plana mostrada en la Figura 7, el fosforescente usado en la primera realización esta contenido en el material de revestimiento 701. Con dicha configuración, la luz azul emitida por el nitruro de galio semiconductor convierte su color y es emitida en un estado plano vía una placa de guía óptica 704 y una lamina dispersiva 706.
Específicamente, un componente emisor de luz 702 de la fuente de luz plana de la Figura 7 esta fijado a un sustrato metálico 703 con una forma de C invertida donde se forma una capa aislante y un dibujo conductor (no se muestra). Tras conectar eléctricamente el electrodo del componente emisor de luz y del dibujo conductor, el fosforescente se mezcla con una resina epoxi y se aplica dentro del sustrato 703 de metal con forma de C invertida sobre el cual el componente emisor de luz 702 esta montado. El componente emisor de luz así asegurado se fija sobre una cara terminal de la placa guía óptica acrílica 704 por medio de una resina de epoxi. Una película reflectora 707 que contiene un agente de difusión blanco se dispone sobre uno de los planos principales de la placa de guía óptica 704 donde la lamina dispersiva 706 no esta formada, al objeto de prevenir fluorescencia.
Análogamente, se dispone un reflector 705 sobre toda la superficie de la parte posterior de la placa de guía óptica 704 y sobre una cara terminal en la cual el componente emisor de luz no esta dispuesto, con objeto de mejorar la eficacia de emisión de luz. Con esta configuración, se pueden hacer los diodos emisores de luz de emisión de luz plana que generen suficiente luminancia para la luz posterior del LCE.
La aplicación del diodo emisor de luz de emisión de luz plana a una pantalla de cristal liquido se puede lograr disponiendo una placa polarizada sobre una plano principal de la placa de guía óptica 704 vía cristal líquido inyectado entre los sustratos de vidrio (no representados) sobre los cuales se forma un dibujo conductor translucido.
Con referencia ahora a la Figura 8 y a la Figura 9, a continuación se va a describir una fuente de luz plana según otra realización de la presente invención. El dispositivo emisor de luz mostrado en la Figura 8 esta fabricado con una configuración tal que la luz azul emitida por el diodo emisor de luz 702 es convertida en luz blanca por un convertidor de color 701 que contiene fosforescente y que es emitida en un estado plano vía una placa de guía óptica 704.
El dispositivo emisor de luz mostrado en la Figura 9 esta fabricado con una configuración tal que la luz azul emitida por el componente emisor de luz 702 se vuelve a un estado plano por medio de la placa de guía óptica 704, posteriormente se convierte en luz blanca por medio de una lamina dispersiva 706 que contiene fosforescente formado sobre uno de los planos principales de la placa de guía óptica 704 para emitir de dicha forma luz blanca en estado plano. El fosforescente podrá estar o bien contenido en la lamina dispersiva 706 o formado en una lamina dispersándolo conjuntamente con una resina de unión sobre la lamina dispersiva 706. Además, el material de unión que incluye el fosforescente puede estar conformado en gotas, no en láminas, directamente sobre la placa de guía óptica 704.
Aplicación Dispositivo de pantalla
A Continuación se describirá un dispositivo de pantalla según la presente invención. La Figura 10 es un diagrama de bloques que muestra la configuración del dispositivo de pantalla según la presente invención. Como se muestra en la Figura 10, el dispositivo de pantalla comprende un dispositivo de pantalla de LED 601 y un circuito de excitación 610 que tiene un excitador 602, un medio de almacenamiento de datos de vídeo 603 y un medio de control de tono 604. El dispositivo de pantalla de LED 601, que tiene unos diodos emisores de luz blanca 501 mostrados en la Figura 1 o la Figura 2 dispuestos en una configuración matricial en una carcasa 504 como se muestra en la Figura 11, se usa como dispositivo de pantalla de LED monocromática. La carcasa 504 esta provista con un material de bloqueo de la luz 505 formado integralmente con la misma.
El circuito de excitación 610 tiene un medio de almacenamiento de datos de vídeo (RAM) 603 para almacenar temporalmente los datos de exhibición que son introducidos, un medio de control de tono 604 que computa y emite las señales de tono para controlar los diodos emisores de luz individuales del dispositivo de pantalla de LED para iluminar con el brillo especificado según los datos leídos de la RAM 603, y el excitador 602 que es conmutado por las señales suministradas desde el medio de control de tono 604 para excitar el diodo emisor de luz para iluminar. El circuito de control de tono 604 recupera los datos de la RAM 603 y computa la duración de iluminación de los diodos emisores de luz del dispositivo de pantalla de LED 601, emitiendo posteriormente unas señales de pulsos para encender y apagar los diodos emisores de luz del dispositivo de pantalla de LED 601. En el dispositivo de pantalla constituido como se ha descrito anteriormente, el dispositivo de pantalla de LED 601 es capaz de exhibir imágenes según las señales de pulsos introducidas por el circuito de excitación y tiene las ventajas siguientes.
El dispositivo de pantalla de LED que exhibe con luz blanca usando los diodos emisores de luz de tres colores, RGB, es requerido para exhibir controlando al mismo tiempo la salida de emisión de luz de los diodos emisores de luz R, G y B y consecuentemente debe controlar los diodos emisores de luz tomando en cuenta la intensidad de emisión, características de temperatura y otros factores de los diodos emisores de luz, lo que da lugar a una configuración complicada del circuito excitador que excita el dispositivo de pantalla de LED. En el dispositivo de pantalla de la presente invención, sin embargo, a causa de que el dispositivo de pantalla de LED 601 esta constituido usando diodos emisores de luz 501 de la presente invención que pueden emitir luz blanca sin usar los diodos emisores de luz de tres tipos, RGB, no es necesario que el circuito excitador controle individualmente los diodos emisores de luz R, G y B, haciendo posible simplificar la configuración del circuito excitador y la fabricación del dispositivo de pantalla a bajo coste.
Con el dispositivo de pantalla de LED que exhibe en luz blanca usando los diodos emisores de luz de tres tipos, RGB, los tres diodos emisores de luz deben ser iluminados al mismo tiempo y la luz de los diodos emisores de luz se debe mezclar con objeto de exhibir luz blanca combinando los tres diodos emisores de luz RGB para cada pixel, dando como resultado una gran área de exhibición para cada pixel y haciendo imposible exhibir con alta definición. El dispositivo de pantalla de LED del dispositivo de exhibición según la presente invención, por el contrario, puede exhibir con luz blanca y puede hacerlo con un solo diodo emisor de luz, siendo de dicha forma capaz de exhibir con luz blanca de alta definición. Además, con el dispositivo de pantalla de LED que exhibe mezclando los colores de tres diodos emisores de luz, se da el caso de exhibir cambios de color debido al bloqueo de algunos de los diodos emisores de luz RGB en función del Angulo de visión, el dispositivo de pantalla de LED de la presente invención no tiene dicho problema.
Como se ha descrito anteriormente, el dispositivo de pantalla provisto con el dispositivo de pantalla de LED que emplea el diodo emisor de luz de la presente invención que es capaz de emitir luz blanca, es capaz de exhibir luz blanca estable con mayor definición y tiene la ventaja de una menos irregularidades del color. El dispositivo de pantalla de LED de la presente invención que es capaz de exhibir con luz blanca también impone menos estimulación al ojo en comparación con un dispositivo de pantalla LED convencional que emplea solamente colores verde y rojo, y es por consiguiente adecuado para su uso durante un largo periodo de tiempo.
Realización de otro dispositivo de pantalla que emplea el diodo emisor de luz de la presente invención
El diodo emisor de luz de la presente invención se puede usar para constituir un dispositivo de pantalla de LED en el que un pixel esta constituido por tres diodos emisores de luz RGB y un diodo emisor de luz de la presente invención, como se muestra en la Figura 12. Conectando el dispositivo de pantalla de LED y un circuito de excitación especificado, se puede constituir un dispositivo de pantalla capaz de exhibir diversas imágenes. El circuito de excitación de este dispositivo de pantalla tiene, análogamente al caso de un dispositivo de pantalla monocromático, un medio de almacenamiento de datos de vídeo (RAM) para almacenar temporalmente los datos de exhibición introducidos, un circuito de control de tono que procesa los datos almacenados en la RAM para computar las señales de tono e iluminar los diodos emisores de luz con un brillo especificado y un excitador que puede ser conmutado por una seña de salida del circuito de control de tono que da lugar a que se iluminen los diodos emisores de luz. El circuito de excitación se requiere exclusivamente para cada uno de los diodos emisores de luz RGB y el diodo emisor de luz blanca. El circuito de control de tono computa la duración de iluminación de los diodos emisores de luz a partir de los datos almacenados en la RAM y emite señales de pulsos para encender y apagar los diodos emisores de luz. Cuando se exhibe con luz blanca, la anchura de las señales de pulsos para iluminar los diodos emisores de luz RGB se hace mas corta, o el valor en pico de la señal de pulsos se hace menor o no se emite en absoluto señal de pulsos alguna. Por otra parte, se suministra una señal de pulsos al diodo emisor de luz blanca en compensación de lo anterior, lo cual origina que el dispositivo de pantalla LED exhiba con luz blanca.
Como se ha descrito anteriormente, el brillo de exhibición se puede mejorar añadiendo el diodo emisor de luz blanca a los diodos emisores de luz RGB. Cuando los diodos emisores de luz RGB se combinan para exhibir luz blanca, uno o dos de los colores RGB podrá potenciarse dando como resultado la imposibilidad de exhibir luz blanca pura en función del ángulo de emisión, solucionándose dicho problema añadiendo el diodo emisor de luz blanca a dicho dispositivo de pantalla.
Para el circuito de excitación de dicho dispositivo de pantalla como se ha descrito anteriormente, es preferible que se provea una CPU aparte como circuito de control de tono que computa la señal de pulsos para iluminar el diodo emisor de luz blanca con un brillo especificado. La señal de pulsos emitida por el circuito de control de tono se suministra al excitador del diodo emisor de luz blanca para conmutar el excitador. El diodo emisor de luz blanca se ilumina cuando el excitador esta activado y se apaga cuando el excitador esta desactivado.
Señal de tráfico
Cuando el diodo emisor de luz de la presente invención se utiliza como señal de tráfico, es un tipo de dispositivo de pantalla del que se pueden obtener ventajas tales como una iluminación estable durante un largo periodo de tiempo sin desigualdades de color aún cuando parte de los diodos emisores de luz se apaguen. La señal de trafico que emplea el diodo emisor de luz de la presente invención tiene una configuración tal que los diodos emisores de luz blanca están dispuestos sobre un sustrato sobre el cual esta formado un dibujo conductor. Un circuito de diodos emisores de luz en el que dichos diodos emisores de luz están conectados en serie o en paralelo es manipulado como un conjunto de diodos emisores de luz. Se usan dos o más conjuntos de diodos emisores de luz, teniendo cada uno los diodos emisores de luz dispuestos en una configuración en espiral. Cuando todos los diodos emisores de luz están dispuestos, se disponen sobre todo el área en una configuración circular. Tras conectar las líneas eléctricas estañando la conexión de los diodos emisores de luz y el sustrato con una fuente de energía eléctrica externa, se asegura en un chasis de una señal de ferrocarril. El dispositivo de pantalla de LED se coloca en un chasis moldeado en aluminio equipado con un miembro de bloqueo de luz y se sella sobre la superficie con un llenador de caucho de silicona. El chasis está dotado con una lente de color blanco sobre el plano de exhibición del mismo. El cableado eléctrico del dispositivo de pantalla de LED se pasa a través de una empaquetadura de caucho situada sobre la parte posterior del chasis para sellar el interior del chasis del exterior con el interior del chasis cerrado. De esta manera se hace una señal de luz blanca. Se puede hacer una señal de mayor fiabilidad dividiendo los diodos emisores de luz de la presente invención en una pluralidad de grupos y disponiéndolos en una configuración en espiral que parte de un centro hacia el exterior mientras que está conectado en paralelo. La configuración en espiral desde el centro hacia el exterior puede ser continua o intermitente. De esta manera se puede seleccionar el número deseado de diodos emisores de luz y el número deseado de conjuntos de diodos emisores de luz en función del área de exhibición del dispositivo de pantalla de LED. Esta señal es, aun cuando uno de los conjuntos de diodos emisores de luz o parte de los diodos emisores de luz no se iluminan debido algún problema, capaz de iluminar de forma homogénea en una configuración circular sin desplazamiento de color por medio de los conjuntos de diodos emisores de luz restantes o de los diodos emisores de luz restantes. Debido a de que los diodos emisores de luz están dispuestos en una configuración en espiral se pueden disponer de forma más densa cerca
del centro y ser excitados sin impresión diferente alguna con las señales que emplean lámparas de incandescencia.
Ejemplos
Los siguientes ejemplos ilustran adicionalmente la presente invención en detalle, pero no se deben considerar limitaciones del ámbito de la misma.
Ejemplo 1
El ejemplo 1 provee un componente emisor de luz que tiene un pico de emisión en 450 nm y una media anchura de 30 nm que emplea un semiconductor de GaInN El componente emisor de luz de la presente invención está fabricando haciendo fluir gas de TMG (trimetil galio), gas de TMI (trimetil indio), gas de nitrógeno y un gas dopante conjuntamente junto con un gas portador sobre un sustrato de zafiro limpio y formando una capa semiconductora de un compuesto de nitruro de galio en el proceso de MOCVD. Un semiconductor de nitruro de galio con una conductividad tipo N y un semiconductor de nitruro de galio con una conductibilidad tipo P se forman conmutando SiH_{4} y Cp_{2}Mg (bis(ciclopentadienil) magnesio) como gas dopante. El elemento de LED del ejemplo 1 tiene una capa de contacto que es un semiconductor de nitruro de galio con una conductibilidad tipo N, y una capa amortiguadora que es un semiconductor de nitruro de galio-aluminio con una conductibilidad tipo P y una capa de contacto que es un semiconductor de nitruro de galio que tiene una conductibilidad tipo P, y formado entre la capa de contacto que tiene una conductibilidad tipo N y la capa amortiguadora que tiene una conductibilidad tipo P está una capa de activación no dopada de InGaN de un espesor aproximado de 3 nm para fabricar una estructura cuántica de un solo pocillo. El sustrato de zafiro tiene una capa semiconductora de nitruro de galio formada sobre el mismo bajo a baja temperatura para hacer una
capa amortiguadora. El semiconductor tipo P es cocido a una temperatura de 400ºC o superior tras formar la película.
Tras exponer las superficies de las capas semiconductoras tipo P y tipo N mediante ataque químico, se forman los electrodos n y p por bombardeo iónico. Tras escribir la oblea semiconductora que ha sido fabricada como se ha descrito anteriormente, se fabrican los componentes emisores de luz dividiendo la oblea con una fuerza externa.
El componente emisor de luz fabricado en el proceso anterior se monta en una copa de una montura conductora que está fabricada de acero chapado en plata para su unión por troquel con una resina epoxi. A continuación los electrodos del componente emisor de luz, la montura conductora y el conductor interno se conectan eléctricamente mediante hilos conductores con alambre de oro de 30 \mum de diámetro para hacer un diodo emisor de luz tipo conductor.
Un fosforescente se fabrica disolviendo los elementos de tierra rara de Y, Gd y Ce en un ácido en proporciones estoiquiométricas y coprecipitando la solución con ácido oxálico. El óxido del coprecipitado obtenido cociendo dicho material se mezcla con óxido de aluminio para obtener de esta manera la mezcla de materiales.
La mezcla se mezcla posteriormente con floruro de amonio usado como fluidificante y se cuece en un crisol a una temperatura de 1.400ºC en aire durante 3 horas. A continuación, el material cocido es molido en un molino de bolas en agua, lavado, separado, secado y tamizado para obtener el material deseado. El fosforescente fabricado en la forma descrita anteriormente es un material fluorescente de itrio-aluminio-granate representado por la formula general (Y_{0,8}Gd_{0,2})_{3}Al_{5}O_{12}:Ce donde aproximadamente el 20% de Y está sustituido por Gd y la relación de sustitución de Ce es 0,03.
80 partes en peso del material fluorescente con una composición de (Y_{0,8}Gd_{0,2})_{3}Al_{5}O_{12}:Ce que ha sido hecha en el procedimiento anterior y 100 partes en peso de resina de epoxi se mezclan suficientemente para convertirlos en una lechada. La lechada se vierte en la copa dispuesta en la montura conductora sobre la cual está montado el componente emisor de luz. Tras su vertido, la lechada se cura a 130ºC durante una hora. De esta manera se forma sobre el componente emisor de luz un revestimiento que tiene un grosor de 120 \mum y que contiene el fosforescente. En el ejemplo 1 el revestimiento se forma para contener el fosforescente en una concentración que se incrementa gradualmente hacia el componente emisor de luz. La intensidad de irradiación es de aproximadamente 3,5 W/cm_{^{2}}. El componente emisor de luz y el fosforescente se moldean con resina epoxi traslúcida al objeto de protección contra las tensiones extrañas, humedad y polvo. Un bastidor conductor con una capa de revestimiento de fosforescente formada sobre el mismo se coloca en un molde con forma de bala y se mezcla con la resina epoxi traslúcida y, seguidamente, se cura a 150ºC durante 5 horas.
Bajo observación visual del diodo emisor de luz formado como se ha descrito anteriormente en la dirección normal al plano de emisión de luz, se ha encontrado que la parte central daba un color amarillento debido al color del cuerpo de fosforescente.
Las medidas del punto de cromacidad, temperatura del color, e índice de aportación de color del diodo emisor de luz fabricado como se ha descrito anteriormente y capaz de emitir luz blanca dio valores de (0,302, 0,280) para el punto de cromacidad (x, y), una temperatura de color de 8080 K y 87,5 para el índice de producción de color (Ra) que son aproximados a las características de una lámpara fluorescente de forma de onda 3. La eficacia de emisión de luz fue de 9,5 lm/W, comparable a la de una lámpara incandescente. Además en ensayos de vida útil en condiciones de energización con una corriente de 60 mA a 25ºC, 20 mA a 25ºC y 20 mA a 60ºC, con 90% de humedad relativa, no se observó cambio alguno debido al material fluorescente, supuesto que el diodo emisor de luz no tenía diferencia alguna en su vida útil comparado con un diodo emisor de luz azul convencional.
Ejemplo Comparativo 1
La formación del diodo emisor de luz y las pruebas de vida útil se realizaron de la misma forma que en ejemplo 1, excepto por el cambio del fosforescente de (Y_{0,8}Gd_{0,2})_{3}Al_{5}O_{12}:Ce a (ZnCd)S:Cu, Al. El diodo emisor de luz que había sido formado mostró, inmediatamente tras su energización, emisión de luz blanca pero con baja luminancia. En una prueba de vida útil la emisión disminuyó hasta cero en aproximadamente 10 horas. El análisis de la causa del deterioro mostró que el material fluorescente estaba ennegrecido.
Se supone que este problema lo causó la luz emitida por el componente emisor de luz y la humedad que se había depositado sobre el material fluorescente o entrado desde el exterior llevado por fotolisis para producir zinc coloidal y precipitarlo sobre la superficie del material fluorescente, dando como resultado una superficie ennegrecida. Los resultados del ensayo de vida útil en condiciones de energización con una corriente de 20 mA a 25ºC y 20 mA a 60ºC, con 90% de humedad relativa se muestran en la Figura 13 conjuntamente con los resultados del ejemplo 1. La luminancia se da en términos de valor relativo con respecto al valor inicial como referencia. En la figura 13, una línea continua indica el ejemplo 1 y una línea ondulada indica el ejemplo comparativo 1.
Ejemplo 2
En el ejemplo 2, se fabricó un componente emisor de luz de la misma forma que en el ejemplo 1 excepto que se incrementó el contenido de In en el compuesto de nitruro semiconductor del componente emisor de luz de forma que tuviera un pico de emisión en 460 nm y se incrementó el contenido de Gd en el fosforescente del ejemplo 1 para tener una composición (Y_{0,6}Gd_{0,4})_{3}Al_{5}O_{12}:Ce.
Las medidas del punto de cromacidad, temperatura de color e índice de aportación de color del diodo emisor de luz que se hicieron de la manera descrita anteriormente y capaces de emitir luz blanca, dieron unos valores de (0,375, 0,370) para el punto de cromacidad (x, y), temperatura de color de 4400 K e índice de aportación de color (Ra) de 86,0. Las Figuras 18A, 18B y 18C muestran el espectro de emisión del fosforescente, el componente emisor de luz y el diodo emisor de luz del ejemplo 2, respectivamente.
100 piezas de diodos emisores de luz del ejemplo 2 se fabricaron y se tomaron sus intensidades luminosas promedio de los mismos tras una iluminación de 1000 horas. En términos de porcentaje del valor de la intensidad luminosa antes del ensayo de vida útil, el promedio de la intensidad luminosa tras la prueba de vida útil fue del 98,8%, probando que no existían diferencias en dichas características.
Ejemplo 3
100 diodos emisores de luz se fabricaron de la misma forma que en el ejemplo 1, excepto que se añadió Sm a los elementos de tierra rara Y, Gd y Ce del fosforescente para hacer un material fluorescente con una composición de (Y_{0,39}Gd_{0,57}Ce_{0,03}Sm_{0,01})_{3}Al_{5}O_{12}. Cuando se hizo que los diodos emisores de luz iluminaran a una alta temperatura de 130ºC, la característica de temperatura promedio fue de aproximadamente 8% mejor que en el ejemplo 1.
Ejemplo 4
Un dispositivo de pantalla de LED del ejemplo 4 se fabricó con los diodos emisores de luz del ejemplo 1 dispuestos en una matriz de 16 por 16 sobre un sustrato de material cerámico sobre el cual se formó un dibujo de cobre como el mostrado en la Figura 11. En el dispositivo de pantalla de LED del ejemplo 4, el sustrato sobre el cual se dispusieron los diodos emisores de luz se situó en un chasis 504 fabricado de resina de fenol y provisto con un miembro de bloqueo de luz 505 formado integralmente con el mismo. El chasis, los diodos emisores de luz, el sustrato y parte del miembro de bloqueo de luz, excepto por las puntas de los diodos emisores de luz se cubrieron con caucho de silicio 502 coloreado en negro con un pigmento. El sustrato y los diodos emisores de luz se soldaron por medio de una máquina de soldadura automática.
El dispositivo de pantalla de LED hecho con la configuración descrita anteriormente, una RAM que temporalmente almacena los datos de exhibición introducidos, un circuito de control de tono que procesa los datos almacenados en la RAM para computar las señales de tono para iluminar los diodos emisores de luz con un brillo especificado y un medio excitador que es conmutado por la señal de salida del circuito de control de tono para hacer que los diodos emisores de luz iluminados estén conectados eléctricamente para fabricar un dispositivo de pantalla de LED. Mediante la excitación del dispositivo de pantalla LED se verificó que el aparato se puede utilizar como un dispositivo de pantalla de LED negro y blanco.
Ejemplo 5
El diodo emisor de luz del ejemplo 5 se fabricó de la misma manera que en el ejemplo 1 con la excepción de que se utilizó fosforescente representado por la formula general (Y_{0,2}Gd_{0,8})_{3}Al_{5}O_{12}:Ce. 100 piezas de diodos emisores de luz del ejemplo 5 se fabricaron y se midieron varias de sus características.
Las medidas del punto de cromacidad dieron valores de (0,450, 0,420) de promedio para el punto de cromacidad (x, y) y se emitió luz de una lámpara incandescente de color. La Figura 19A, la Figura 19B y la Figura 19C muestran el espectro de emisión del fosforescente, el componente emisor de luz y el diodo emisor de luz del ejemplo 5, respectivamente. Aunque los diodos emisores de luz del ejemplo 5 mostraron una luminancia de aproximadamente un 40% inferior que la de los diodos emisores de luz del ejemplo 5, mostraron una buena característica de comportamiento climático comparable a los del ejemplo 1 en el ensayo de vida útil.
Ejemplo 6
El diodo emisor de luz del ejemplo 6 se fabricó de la misma manera que en el ejemplo 1 con la excepción de que se utilizó fosforescente representado por la formula general Y_{3}Al_{5}O_{12}:Ce. 100 piezas de diodos emisores de luz del ejemplo 6 se fabricaron y se midieron varias de sus características.
Las medidas del punto de cromacidad de la luz blanca ligeramente amarillo-verdosa comparado con el ejemplo 1 se emitió. El diodo emisor de luz del ejemplo 6 mostró una buena característica de comportamiento en condiciones climáticas similares a las del ejemplo 1 en la prueba de vida útil. Las Figuras 20A, 20B y 20C muestran el espectro de emisión del fosforescente, el componente emisor de luz y el diodo emisor de luz del ejemplo 6, respectivamente.
Ejemplo 7
El diodo emisor de luz del ejemplo 7 se fabricó de la misma manera que en el ejemplo 1 con la excepción de que se utilizó fosforescente representado por la formula general Y_{3}(Al_{0,5}Ga_{0,5})_{5}O_{12}:Ce. 100 piezas de diodos emisores de luz del ejemplo 7 se fabricaron y se midieron varias de sus características.
Aunque los diodos emisores de luz del ejemplo 7 mostraron una luminancia baja, emitieron luz blanca verdosa y mostraron unas buenas características de comportamiento de condiciones climáticas similares a las del ejemplo 1 en la prueba de vida útil. Las Figuras 21A, 21B y 21C muestran el espectro de emisión del fosforescente, el componente emisor de luz y el diodo emisor de luz del ejemplo 7, respectivamente.
Ejemplo 8
El diodo emisor de luz del ejemplo 8 se fabricó de la misma manera que en el ejemplo 1 con la excepción de que se utilizó fosforescente representado por la formula general Gd_{3}(Al_{0,5}Ga_{0,5})_{5}O_{12}:Ce. 100 piezas de diodos emisores de luz del ejemplo 8 se fabricaron y se midieron varias de sus características.
\newpage
Aunque los diodos emisores de luz del ejemplo 8 mostraron una baja luminancia, mostraron un buen comportamiento en condiciones climáticas similar al del ejemplo 1 en la prueba de vida útil.
Ejemplo 9
El diodo emisor de luz del ejemplo 9 es un dispositivo emisor de luz plana con la configuración mostrada en la Figura 7.
Un semiconductor de In_{0,05}Ga_{0,95}N con un pico de emisión en 450 nm se usó como componente emisor de luz. Los componentes emisores de luz se fabricaron fluyendo gas TMG (trimetril galio), gas TMI (trimetril indio), gas de nitrógeno y gas dopante conjuntamente con un gas portador sobre un sustrato de zafiro limpio formándose una capa semiconductora de un compuesto de nitruro de galio en un proceso MOCVD. Una capa semiconductora de nitruro de galio con una conductividad tipo N y una capa semi-conductora de nitruro de galio con una conductividad tipo P se formaron conmutando SiH_{4} y Cp_{2}Mg (bis(ciclopentadienil) magnesio como gas dopante, formándose de dicha forma una unión PN. Para el componente emisor de luz semiconductor, se formaron una capa de contacto de un semiconductor de nitruro de galio con una conductividad tipo N, una capa de revestimiento de nitruro de galio-aluminio semiconductor con una conductividad tipo N, una capa de revestimiento de nitruro de galio-aluminio semiconductor con una conductividad tipo P y una capa de contacto de nitruro de galio semiconductor con una conductividad tipo P. Se formó una capa de activación de InGaN dopado con Zn que hace una unión doble entre la capa de revestimiento con una conductividad tipo N y una capa de revestimiento con una conductividad tipo P. Se suministró una capa amortiguadora sobre el sustrato de zafiro formando una capa de nitruro de galio semiconductor a baja temperatura. La capa semiconductora de nitruro tipo P se coció a una temperatura de 400º o superior tras la formación de la película.
Tras formar las capas semiconductoras y exponer las superficies de las capas semiconductoras tipo P y tipo N por grabado químico, se formaron unos electrodos mediante bombardeo de electrones. Tras grabar la oblea semiconductora fabricada como se ha descrito anteriormente los componentes emisores de luz se hicieron componentes emisores de luz mediante la división de la oblea con una fuerza externa.
El componente emisor de luz se montó sobre una montura conductora que tenía una copa en la punta de un bastidor conductor de cobre chapado en plata, unión por troquel con resina epoxi. Los electrodos del componente emisor de luz , la montura conductora y el conductor interno se conectaron eléctricamente por medio de unión por hilo con hilos de oro de un diámetro de 30 \mum.
El bastidor conductor con el componente emisor de luz fijado sobre el mismo se colocó en un troquel con forma de bala y se selló con una resina de epoxi translúcida para su moldeo, y se curo posteriormente a 150ºC durante 5 horas para formar de dicha manera un diodo emisor de luz azul. El diodo emisor de luz azul se conectó a una cara terminal de la placa guía óptica acrílica puliéndose sus caras terminales. Sobre una superficie y una cara terminal de la placa acrílica se aplicaron impresiones por estarcido usando titanato de bario dispersado en un aglutinante acrílico como reflector del color blanco que se curó posteriormente.
Se fabricó fosforescente de colores verde y rojo disolviendo elemento de tierra rara de Y, Gd, Ce y La, en ácido en proporciones estoiquiométricas y se coprecipitó la solución con ácido oxálico. Se obtuvo óxido de coprecipitado horneando dicho material mezclado con óxido de aluminio y óxido de galio para obtener de dicha forma los materiales de la mezcla respectiva. La mezcla se mezcló posteriormente con floruro de amonio usado como fluidificante se coció en un crisol a una temperatura de 1.400ºC en aire durante tres horas. A continuación el material cocido se molió en un molino de bolas en agua, se lavó, se separó, se secó y se tamizó para obtener de dicha forma el material deseado.
120 partes en peso del primer material fluorescente con una composición de Y_{3}(Al_{0,6}Ga_{0,4})_{5}O_{12}:Ce y capaz de emitir luz verde se preparó en la forma descrita anteriormente y 100 partes en peso de un segundo material fluorescente con una composición de (Y_{0,4}Gd_{0,6})_{3}Al_{5}O_{12}:Ce y capaz de emitir luz roja se preparó en un proceso similar al del primer material fluorescente siendo suficientemente mezclados con 100 partes en peso de resina de epoxi para formar una disolución. La disolución se aplicó uniformemente sobre la capa acrílica con un grosor de 0,5 mm por medio de un multirevestidor y se secó para formar una capa de material fluorescente a utilizar como material convertidor de color con un grosor de aproximadamente 30 \mum. La capa de material fluorescente se cortó con el mismo tamaño de forma que el plano emisor de luz principal de la placa de guía óptica y dispuesta sobre la placa de guía óptica para formar de dicha forma el dispositivo emisor de luz plana. Las mediciones del punto de cromacidad y del índice de suministro de color del dispositivo emisor de luz dio unos valores de (0,29, 0,34) para el punto de cromacidad (x, y) y 92,0 para el índice de suministro de color (Ra) que son aproximadamente las propiedades de una lámpara fluorescente de una forma de onda 3 . La eficacia de emisión de luz de 12 lm/W fue comprable a la de la lámpara incandescente. Además, en ensayos de comportamiento en condiciones climáticas y de energización con una corriente de 60 mA a temperatura de laboratorio, 20 mA a temperatura de laboratorio y 20 mA a 60ºC con 90% de humedad relativa no se observaron cambios en el material fluorescente.
Ejemplo comparativo 2
La formación del diodo emisor de luz y las pruebas de comportamiento en condiciones climáticas del mismo se condujeron de la misma forma que en el ejemplo 9 excepto por el mezclado de las mismas cantidades de un pigmento fluorescente orgánico verde (FA-001 de Synleuch Chemisch) y un pigmento fluorescente orgánico rojo (FA-005 de Synleuch Chemisch) que son derivados de perileno, en vez del primer material fluorescente representado por la formula general de Y_{3}(Al_{0,6}Ga_{0,4})_{5}O_{12}:Ce capaz de emitir luz verde y el segundo material fluorescente representado por la formula general de (Y_{0,4}Gd_{0,6})_{3}Al_{5}O_{12}:Ce capaz de emitir luz roja del ejemplo 9. Las coordenadas de cromacidad del diodo emisor de luz del ejemplo comparativo 1 así formado fueron (x, y) = (0,34, 0,35). Las características de comportamiento en condiciones climáticas se midieron en un ensayo realizado por radiación con rayos ultravioletas generados por un arco de carbón durante 200 horas, representando una radiación equivalente de luz solar durante un período de un año mientras que se midió la relación de retención de luminancia y el tono de color varias veces durante el período de ensayo. En un ensayo de fiabilidad, el componente emisor de luz se energizó para emitir luz a una temperatura constante de 70ºC mientras se medía la luminancia y el tono de color en tiempo diferente. Los resultados se muestran en la Figura 14 y en la Figura 15 conjuntamente con el ejemplo 9. Como se aprecia claramente en las Figuras
14 y 15, el componente emisor de luz del ejemplo 9 experimenta menos de deterioro que en el ejemplo comparativo 2.
Ejemplo 10
El diodo emisor de luz del ejemplo 10 es un diodo emisor de luz tipo conductor.
En el diodo emisor de luz del ejemplo 10, se utilizó un componente emisor de luz con una capa emisora de luz de In_{0,05}Ga_{0,95}N con un pico de emisión en 450 nm fabricada de la misma forma que en el ejemplo 9. El componente emisor de luz se montó en la copa provista en la punta de una montura conductora de cobre chapado en plata, mediante unión a troquel con resina de epoxi. Los electrodos del componente emisor de luz, la montura conductora y el conductor interno se conectaron eléctricamente mediante unión por hilo de oro.
El fosforescente se fabricó mezclando un primer material fluorescente representado por la formula general Y_{3}(Al_{0,5}Ga_{0,5})_{5}O_{12}:Ce capaz de emitir luz verde y un segundo material fluorescente representado por la formula general (Y_{0,2}Gd_{0,8})_{3}Al_{5}O_{12}:Ce capaz de emitir luz roja y se preparó como sigue. A saber, los elementos de tierra rara Y, Gd y Ce se disolvieron en ácido en proporciones estoiquiométrica y se coprecipitó la solución con ácido oxálico. El óxido de la coprecipitación obtenido mediante cocción se mezcló con óxido de aluminio y óxido de galio para obtener de dicha forma los materiales de las mezclas respectivas. La mezcla se mezcló con floruro de amonio usado como fluidificante y se coció en un crisol a una temperatura de 1.400ºC en aire durante 3 horas. A continuación, el material cocido se molió en un molino de bolas con agua, se lavó, se separó, se secó y se tamizó para obtener de dicha forma los materiales fluorescente primero y segundo con la distribución de partículas especificada.
40 partes en peso del primer material fluorescente, 40 partes en peso del segundo material fluorescente y 100 partes en peso de resina de epoxi se mezclaron suficientemente para formar una suspensión. La suspensión se vertió dentro de la copa provista sobre la montura conductora en la que el componente emisor de luz se colocó. A continuación la resina, incluido el fosforescente, se curó a 130ºC durante una hora. De dicha forma se formó una capa de revestimiento incluyendo el fosforescente con un grosor de 120 \mum sobre el componente emisor de luz. La concentración del fosforescente en la capa de revestimiento se incrementó gradualmente hacia el componente emisor de luz. Además, el componente emisor de luz y el fosforescente se sellaron mediante moldeo con una resina de epoxi translúcida al objeto de protección contra tensiones extrañas, humedad y polvo. Un bastidor conductor con la capa de revestimiento de fosforescente formada sobre el mismo se colocó en un troquel con forma de bala y se mezcló con la resina de epoxi traslucida y posteriormente se curó a 150ºC durante 5 horas. Bajo observación visual del diodo emisor de luz formado en la forma descrita anteriormente en la dirección normal al plano emisor de luz se encontró que la parte central suministraba color amarillento debido al color del cuerpo de fosforescente.
Las mediciones del punto de cromaticidad, temperatura del color e índice de aportación de color del diodo emisor de luz del ejemplo 10 fabricado de la forma descrita anteriormente dio unos valores de (0,32, 0,34) para el punto de cromacidad (x, y), 89,0 para el índice de aportación de color (Ra) y una eficacia de emisión de luz de 10 lm/W. Además, en las pruebas de comportamiento en condiciones climáticas y energización con una corriente 60 mA a temperatura ambiente, 20 mA a temperatura ambiente y 20 mA a 60ºC, con 90% de humedad relativa, no se observaron cambios debido al fosforescente, no mostrando diferencia alguna con un diodo emisor de luz azul ordinario en las características de vida útil.
Ejemplo 11
Un semiconductor de In_{0,4}Ga_{0,6}N con un pico de emisión de 470 nm se usó como elemento LED. Los componentes emisores de luz se fabricaron fluyendo gas TMG (trimetril galio), GTMI (trimetril indio), gas de nitrógeno y gas dopante conjuntamente con un gas portador sobre un sustrato de zafiro limpio para formar de dicha forma una capa semiconductora de un compuesto de nitruro de galio en el proceso MOCVD. Una capa semiconductora de nitruro de galio con una conductibilidad de tipo N y una capa semiconductora de nitruro de galio con una conductibilidad de P se formaron conmutando SiH_{4} y Cp_{2}Mg (bis(ciclopentadietil)magnesio) usado como gas dopante, para formar de dicha manera una unión PN. Para el elemento LED, se formaron una capa de contacto de nitruro de galio semiconductor con una conductibilidad tipo N, una capa de revestimiento con un semiconductor de nitruro de galio-aluminio con una conductibilidad tipo P y una capa de contacto con un semiconductor de nitruro de galio con una conductibilidad tipo P. Se formó una capa de activación de InGaN no dopado con un grosor de aproximadamente 3 nm entre la capa de contacto con una conductibilidad tipo N y una capa de revestimiento con una conductibilidad tipo P para fabricar de dicha manera una estructura cuántica de un solo pocillo. Se suministró una capa amortiguadora sobre el sustrato de zafiro mediante la formación de una capa semiconductora de nitruro de galio a baja temperatura.
Tras formar las capas y exponer las superficies de las capas semiconductoras tipo P y tipo N mediante ataque químico se formaron los electrodos mediante bombardeo iónico. Tras dibujar la oblea semiconductora fabricada como se ha descrito anteriormente, se cortaron los componentes emisores de luz de la oblea con una fuerza externa.
El componente emisor de luz se montó en una copa en la punta de una montura conductora de cobre chapado en plata mediante unión por troquel con resina de epoxi. SE conectaron eléctricamente los electrodos del primer componente emisor de luz, la montura conductora y la montura interna mediante unión con hilos de oro de un diámetro de 30 \mum.
El bastidor conductor con el componente emisor de luz fijado sobre el mismo se colocó en un troquel con forma de bala y se selló con una resina de epoxi traslúcida para moldeo, que se curó posteriormente a 150º durante 5 horas, para formar de dicha manera un diodo emisor de luz azul. El diodo emisor de luz azul se conectó a una cara terminal de la placa de guía óptica acrílica puliéndose sus caras terminales. Sobre una superficie y una cara lateral de la placa acrílica se aplicó una impresión por estarcido usando titanato de bario dispersado en un aglutinante acrílico como reflector de color blanco que fue posteriormente curado.
El fosforescente se fabricó mezclando un material fluorescente representado por la formula general (Y_{0,8}Gd_{0,2})_{3}
Al_{5}O_{12}:Ce capaz de emitir luz amarilla de una longitud de onda relativamente corta y un material fluorescente representado por la formula general (Y0_{4}Gd0_{6})3Al5O_{12}:Ce capaz de emitir luz amarilla de una longitud de onda relativamente larga preparada con los hilos. Los elementos de tierra rara Y, Gd y Ce se disolvieron en ácidos en proporciones estoiquiométricas y se coprecipito la solución con ácido oxálico. El óxido de la coprecipitación obtenida mediante cocción se mezclo con óxido de aluminio para obtener de dicha forma el material de mezcla. La mezcla se mezclo posteriormente con floruro de amonio usado como fluidificante flux y se coció en un crisol a una temperatura de 1.400ºC en aire durante 3 horas. A Continuación el material cocido se molió con un molino de bolas en agua, se lavo, separo, seco y tamizo.
100 partes de peso del material fluorescente amarillo de una longitud de onda relativamente corta y 100 partes en peso de un material fluorescente amarillo de una longitud de onda relativamente larga fabricados como se ha mencionado anteriormente se mezclaron suficientemente con 1000 partes en peso de resina acrílica y se moldearon por extrusión para de dicha forma formar una película de material fluorescente para su uso como material conversor de color de aproximadamente de 180 \mum de grosor. La película de material fluorescente se corto con el mismo tamaño que el plano de emisión principal de la placa de guía óptica y se dispuso sobre la placa de guía óptica para fabricar de dicha forma un dispositivo emisor de luz. Las mediciones del punto de cromacidad e índice de aportación de color del dispositivo emisor de luz del ejemplo 3 fabricado como se ha descrito anteriormente dieron unos valores de (0,33, 0,34) para el punto de cromacidad (x, y), 88,0 para el índice de suministro de color (Ra) y una eficacia de emisión de luz de 101 m/W. Las Figuras 22A, 22B y 22C muestran los espectros de emisión del material fluorescente representado por (Y0,8Gd0,2)3Al5O_{12}:Ce y un material fluorescente representado por la formula general (Y0,4Gd0,6)3Al5O12:Ce usado en el ejemplo 11. La Figura 23 muestra el espectro de emisión del diodo emisor de luz del ejemplo 11. Tras unos ensayos de vida útil en condiciones de energización con una corriente de 60 mA a temperatura ambiente, 20 mA a temperatura ambiente y 20 mA a 60ºC, con 90% de humedad relativa no se observaron cambios en el material fluorescente. De forma similar, la cromacidad deseada se pueda mantener incluso cuando la longitud de onda del componente emisor de luz se cambia cuando se cambia el contenido del material fluorescente.
Ejemplo 12
El diodo emisor de luz del ejemplo 12 se fabricó de la misma manera que en el ejemplo 1 excepto que se usó fosforescente representado por la formula general Y3In_{5}O_{12}:Ce. Se fabricaron 100 piezas del diodo emisor de luz del ejemplo 12. Aunque el diodo emisor de luz del ejemplo 12 mostró una luminancia inferior a la de los diodos emisores de luz del ejemplo 1, mostró buenas características de comportamiento en condiciones climáticas comprables a las del ejemplo 1 en el ensayo de vida útil.
Como se describió anteriormente, el diodo emisor de luz de la presente invención puede emitir luz de un color deseado y su eficacia de emisión está sometida a un menos deterioro, con buenas características de comportamiento en condiciones climáticas incluso cuando se use con alta luminancia durante un largo período de tiempo. De dicha forma, la aplicación del diodo emisor de luz no esta limitada a aparatos electrónicos sino que puede abrir nuevas aplicaciones incluyendo pantallas para automóviles, aeroplanos y boyas para puertos, así como para uso en el exterior como señales e iluminación de vías de comunicación.

Claims (13)

1. Un dispositivo emisor de luz, que comprende un componente (102) emisor de luz y un fosforescente (101) capaz de absorber una parte de la luz emitida por el componente emisor de luz y que emite luz de una longitud de onda diferente a la de la luz absorbida; en el que dicho componente (102) emisor de luz comprende un compuesto semiconductor basado en GaN y dicho fosforescente contiene un material fluorescente de granate según la formula:
(Y1-rGdr)3Al5O12:Ce,
en la que 0 \leqr \leq 1 en la que Al puede ser sustituido al menos parcialmente por Ga y/o In, y
en la que dicho componente (102) emisor de luz es un diodo emisor de luz (LED) azul y
en el que dicho fosforescente está situado en contacto directo o indirecto con dicho diodo emisor de luz azul y
en el que el pico de emisión principal del diodo emisor de luz se establece dentro del rango entre 400 nm y 530 nm y la longitud de onda de emisión principal del fosforescente se establece para que sea más larga que el pico de emisión principal del componente emisor de luz.
2. Un dispositivo emisor de luz según la reivindicación 1, en el que el semiconductor compuesto basado en GaN contiene In.
3. Un dispositivo según una de las reivindicaciones 1 o 2, en el que el componente (102) emisor de luz está instalado sobre una copa (105a) de una primera montura conductora (105), dicha copa (105a) se llena de un material (101) de revestimiento para cubrir el componente (102) emisor de luz, en el que el componente (102) emisor de luz tiene dos electrodos, uno de los cuales está conectado por medio de un hilo (103) conductor a una segunda montura conductora (106), dicho componente (102) emisor de luz, dicha copa (105a), dichos materiales de revestimientos están cubiertos por un material de moldeo, dicha primera montura conductora y dicha segunda montura conductora (106) están parcialmente cubiertos por dicho material (104) de moldeo, y en el que dicho fosforescente puede estar contenido bien en el material (104) de moldeo o en el material (101) de revestimiento o tanto en el material (101) de revestimiento como en el material (104) de moldeo.
4. Un dispositivo según la reivindicación 3, en el que el material (104) de moldeo es un material transparente tal como resina de epoxi, resina de urea, resina de sílice o vidrio.
5. Un dispositivo según la reivindicación 3, en el que el material (101) de revestimiento es un material transparente tal como resina de epoxi, resina de urea, resina de sílice o vidrio.
6. Un dispositivo según las reivindicaciones 3 a 5, en el que el material (104) de moldeo es igual que el material (101) de revestimiento.
7. Un dispositivo según las reivindicaciones 3 a 6, en el que el material (104) de moldeo contiene un dispersante tal como titanato de bario, óxido de titanio, óxido de aluminio o dióxido de sílice.
8. Un dispositivo según las reivindicaciones 3 a 7, en el que el material (104) de moldeo (104) contiene un agente colorante.
9. Un dispositivo según una de las reivindicaciones 1 a 2, en el que el componente (202) emisor de luz está montado en el entrante de una carcasa (204) de moldeada, dicha carcasa se llena de un material (201) de revestimiento para cubrir el componente (202) emisor de luz, en el que dicho componente (202) emisor de luz tiene electrodos conectados por medio de hilos (203) conductores a terminales (205) metálicos instalados en partes opuestas de dicha carcasa (204), y en el que el material (201) de revestimiento contiene dicho fosforescente.
10. Un dispositivo según una de las reivindicaciones 1 a 2, que comprende una placa (704) de guía óptica sustancialmente rectangular que está provista con un componente (702) emisor de luz montado sobre una cara lateral anterior de la misma y, excepto en una superficie principal, está cubierta con un material reflector (705).
11. Un dispositivo según la reivindicación 10, en el que dicho fosforescente está contenido en un material (701) de revestimiento montado sobre dicha cara lateral anterior y en contacto directo con el componente (702) emisor de luz.
12. Un dispositivo según la reivindicación 10, en el que el fosforescente (706) esta instalado sobre una superficie principal de la placa (704) de guía óptica no cubierta con el material (705) reflector.
13. Un dispositivo de pantalla de LED que comprende dispositivos según una de las reivindicaciones 1 a 3 y 9 dispuestos en una matriz y un circuito de excitación que excita el dispositivo de pantalla de LED según los datos de exhibición introducidos en el mismo.
ES97933047T 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y dispositivo de pantalla. Expired - Lifetime ES2148997T5 (es)

Applications Claiming Priority (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8-198585 1996-07-29
JP19858596 1996-07-29
JP24433996 1996-09-17
JP8-244339 1996-09-17
JP24538196 1996-09-18
JP8-245381 1996-09-18
JP8-359004 1996-12-27
JP35900496 1996-12-27
JP8101097 1997-03-31
JP9-81010 1997-03-31
PCT/JP1997/002610 WO1998005078A1 (fr) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositif electroluminescent et dispositif d'affichage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
ES2148997T3 ES2148997T3 (es) 2000-10-16
ES2148997T5 true ES2148997T5 (es) 2008-03-01

Family

ID=27524906

Family Applications (9)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES97933047T Expired - Lifetime ES2148997T5 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y dispositivo de pantalla.
ES10158422.5T Expired - Lifetime ES2576052T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz
ES00101746.6T Expired - Lifetime ES2553570T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Procedimiento de preparación de un dispositivo emisor de luz blanca
ES10158437.3T Expired - Lifetime ES2576053T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y visualizador
ES04001378.1T Expired - Lifetime ES2550823T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Una fuente de luz plana
ES10158429.0T Expired - Lifetime ES2569615T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y dispositivo de visualización
ES10184754.9T Expired - Lifetime ES2545981T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y visualizador
ES10158455.5T Expired - Lifetime ES2569616T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y dispositivo de visualización
ES10158416.7T Expired - Lifetime ES2544690T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y visor

Family Applications After (8)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES10158422.5T Expired - Lifetime ES2576052T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz
ES00101746.6T Expired - Lifetime ES2553570T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Procedimiento de preparación de un dispositivo emisor de luz blanca
ES10158437.3T Expired - Lifetime ES2576053T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y visualizador
ES04001378.1T Expired - Lifetime ES2550823T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Una fuente de luz plana
ES10158429.0T Expired - Lifetime ES2569615T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y dispositivo de visualización
ES10184754.9T Expired - Lifetime ES2545981T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y visualizador
ES10158455.5T Expired - Lifetime ES2569616T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y dispositivo de visualización
ES10158416.7T Expired - Lifetime ES2544690T3 (es) 1996-07-29 1997-07-29 Dispositivo emisor de luz y visor

Country Status (19)

Country Link
US (25) US5998925A (es)
EP (14) EP2197053B1 (es)
JP (19) JP3503139B2 (es)
KR (7) KR100517271B1 (es)
CN (11) CN1249825C (es)
AT (1) ATE195831T1 (es)
AU (1) AU720234B2 (es)
BR (7) BR9715362B1 (es)
CA (4) CA2479842C (es)
DE (6) DE29724642U1 (es)
DK (9) DK2197054T3 (es)
ES (9) ES2148997T5 (es)
GR (1) GR3034493T3 (es)
HK (1) HK1052409B (es)
MY (1) MY125748A (es)
PT (5) PT936682E (es)
SG (5) SG182008A1 (es)
TW (2) TW383508B (es)
WO (1) WO1998005078A1 (es)

Families Citing this family (1492)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3404064B2 (ja) * 1993-03-09 2003-05-06 株式会社日立製作所 半導体装置及びその製造方法
US6013199A (en) 1997-03-04 2000-01-11 Symyx Technologies Phosphor materials
US6153971A (en) * 1995-09-21 2000-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source with only two major light emitting bands
US6041345A (en) * 1996-03-08 2000-03-21 Microsoft Corporation Active stream format for holding multiple media streams
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US20040239243A1 (en) * 1996-06-13 2004-12-02 Roberts John K. Light emitting assembly
BRPI9715293B1 (pt) 1996-06-26 2016-11-01 Osram Ag elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3190259B2 (ja) 1996-07-12 2001-07-23 株式会社クボタ プラグバルブ
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
DE19655185B9 (de) * 1996-09-20 2012-03-01 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19655445B3 (de) * 1996-09-20 2016-09-22 Osram Gmbh Weißes Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionsschicht und Verwendung solcher Halbleiterbauelemente
US6613247B1 (en) 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
JP3434658B2 (ja) 1997-01-14 2003-08-11 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
JP3378465B2 (ja) * 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
US6319425B1 (en) * 1997-07-07 2001-11-20 Asahi Rubber Inc. Transparent coating member for light-emitting diodes and a fluorescent color light source
US6623670B2 (en) 1997-07-07 2003-09-23 Asahi Rubber Inc. Method of molding a transparent coating member for light-emitting diodes
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
DE69835216T2 (de) 1997-07-25 2007-05-31 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer nitridverbindung
US7038398B1 (en) 1997-08-26 2006-05-02 Color Kinetics, Incorporated Kinetic illumination system and methods
US6806659B1 (en) 1997-08-26 2004-10-19 Color Kinetics, Incorporated Multicolored LED lighting method and apparatus
US7161313B2 (en) * 1997-08-26 2007-01-09 Color Kinetics Incorporated Light emitting diode based products
US7014336B1 (en) 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US20030133292A1 (en) 1999-11-18 2003-07-17 Mueller George G. Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JPH11135838A (ja) * 1997-10-20 1999-05-21 Ind Technol Res Inst 白色発光ダイオード及びその製造方法
US7598686B2 (en) 1997-12-17 2009-10-06 Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. Organic light emitting diode methods and apparatus
US6458295B1 (en) * 1997-12-24 2002-10-01 Hitachi Medical Corporation Phosphors, and radiation detectors and X-ray CT unit made by using the same
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6469322B1 (en) 1998-02-06 2002-10-22 General Electric Company Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
US6294800B1 (en) 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
JP3900144B2 (ja) * 1998-02-17 2007-04-04 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
JP3541709B2 (ja) * 1998-02-17 2004-07-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
FR2775250B1 (fr) * 1998-02-24 2000-05-05 Wilco International Sarl Moyen d'eclairage pour aeronef compatible avec un systeme de vision nocturne
US20080042554A1 (en) * 1998-05-18 2008-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Image display device and light emission device
JP3645422B2 (ja) * 1998-07-14 2005-05-11 東芝電子エンジニアリング株式会社 発光装置
JP2000081848A (ja) * 1998-09-03 2000-03-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置を搭載した電子機器
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
ES2299260T5 (es) † 1998-09-28 2011-12-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sistema de iluminación.
US6366018B1 (en) 1998-10-21 2002-04-02 Sarnoff Corporation Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6404125B1 (en) * 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6299338B1 (en) 1998-11-30 2001-10-09 General Electric Company Decorative lighting apparatus with light source and luminescent material
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
DE19902750A1 (de) * 1999-01-25 2000-08-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement zur Erzeugung von mischfarbiger elektromagnetischer Strahlung
JP4296644B2 (ja) 1999-01-29 2009-07-15 豊田合成株式会社 発光ダイオード
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6680569B2 (en) 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
US6140669A (en) * 1999-02-20 2000-10-31 Ohio University Gallium nitride doped with rare earth ions and method and structure for achieving visible light emission
KR100683877B1 (ko) 1999-03-04 2007-02-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 레이저소자
JP3937644B2 (ja) * 1999-03-25 2007-06-27 セイコーエプソン株式会社 光源及び照明装置並びにその照明装置を用いた液晶装置
WO2000079605A1 (fr) 1999-06-23 2000-12-28 Citizen Electronics Co., Ltd. Diode électroluminescente
DE50004145D1 (de) 1999-07-23 2003-11-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchstoff für lichtquellen und zugehörige lichtquelle
CA2343909C (en) 1999-07-23 2013-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Arrangement of luminescent materials, wavelength-converting casting compound and light source
JP2001144331A (ja) 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6515421B2 (en) * 1999-09-02 2003-02-04 General Electric Company Control of leachable mercury in fluorescent lamps
US6630691B1 (en) * 1999-09-27 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
EP1142033A1 (en) * 1999-09-27 2001-10-10 LumiLeds Lighting U.S., LLC A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
US6299498B1 (en) * 1999-10-27 2001-10-09 Shin Lung Liu White-light emitting diode structure and manufacturing method
JP4197814B2 (ja) * 1999-11-12 2008-12-17 シャープ株式会社 Ｌｅｄ駆動方法およびｌｅｄ装置と表示装置
EP1610593B2 (en) 1999-11-18 2020-02-19 Signify North America Corporation Generation of white light with Light Emitting Diodes having different spectrum
EP2975912B1 (en) † 1999-11-18 2022-04-27 Signify North America Corporation System for generating and modulating illumination conditions
US20020176259A1 (en) 1999-11-18 2002-11-28 Ducharme Alfred D. Systems and methods for converting illumination
TW500962B (en) * 1999-11-26 2002-09-01 Sanyo Electric Co Surface light source and method for adjusting its hue
US6357889B1 (en) 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
US6513949B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6350041B1 (en) * 1999-12-03 2002-02-26 Cree Lighting Company High output radial dispersing lamp using a solid state light source
US6666567B1 (en) 1999-12-28 2003-12-23 Honeywell International Inc. Methods and apparatus for a light source with a raised LED structure
JP2001177145A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US6566808B1 (en) 1999-12-22 2003-05-20 General Electric Company Luminescent display and method of making
US7576496B2 (en) * 1999-12-22 2009-08-18 General Electric Company AC powered OLED device
TW480879B (en) * 2000-01-06 2002-03-21 Dynascan Technology Corp Method to compensate for the color no uniformity of color display
KR20010080796A (ko) * 2000-01-07 2001-08-25 허영덕 백색광용 형광체 및 그 제조방법, 그리고 이를 이용한백색광 발생방법
US6700322B1 (en) * 2000-01-27 2004-03-02 General Electric Company Light source with organic layer and photoluminescent layer
US7049761B2 (en) 2000-02-11 2006-05-23 Altair Engineering, Inc. Light tube and power supply circuit
US6522065B1 (en) * 2000-03-27 2003-02-18 General Electric Company Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device
US6409938B1 (en) 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
US6538371B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
WO2001075359A1 (en) * 2000-04-03 2001-10-11 Getinge/Castle, Inc. High power led source and optical delivery system
US6653765B1 (en) 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
US6603258B1 (en) * 2000-04-24 2003-08-05 Lumileds Lighting, U.S. Llc Light emitting diode device that emits white light
JP4521929B2 (ja) * 2000-04-26 2010-08-11 株式会社日立メディコ 蛍光体及びそれを用いた放射線検出器及びｘ線ｃｔ装置
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US7304325B2 (en) * 2000-05-01 2007-12-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor light-emitting device
US6604971B1 (en) 2000-05-02 2003-08-12 General Electric Company Fabrication of LED lamps by controlled deposition of a suspension media
US6466135B1 (en) 2000-05-15 2002-10-15 General Electric Company Phosphors for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
US6501100B1 (en) * 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
US6621211B1 (en) 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
US6555958B1 (en) 2000-05-15 2003-04-29 General Electric Company Phosphor for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
JP2001332765A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Iwasaki Electric Co Ltd Ｌｅｄ表示灯
WO2001093342A1 (de) 2000-05-29 2001-12-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis
DE10026435A1 (de) * 2000-05-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP2002057376A (ja) * 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
JP4386693B2 (ja) * 2000-05-31 2009-12-16 パナソニック株式会社 Ｌｅｄランプおよびランプユニット
AUPQ818100A0 (en) 2000-06-15 2000-07-06 Arlec Australia Limited Led lamp
US7320632B2 (en) * 2000-06-15 2008-01-22 Lednium Pty Limited Method of producing a lamp
JP2002190622A (ja) 2000-12-22 2002-07-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード用透光性蛍光カバー
JP4926337B2 (ja) * 2000-06-28 2012-05-09 アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 光源
US6883926B2 (en) 2000-07-25 2005-04-26 General Electric Company Light emitting semi-conductor device apparatus for display illumination
DE10036940A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
JP2002050797A (ja) 2000-07-31 2002-02-15 Toshiba Corp 半導体励起蛍光体発光装置およびその製造方法
US6747406B1 (en) * 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
DE10041328B4 (de) * 2000-08-23 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verpackungseinheit für Halbleiterchips
JP2002076434A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
KR100406856B1 (ko) * 2000-08-30 2003-11-21 가부시키가이샤 시티즌 덴시 표면 실장형 발광 다이오드 및 그 제조방법
US6614103B1 (en) 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
JP2002084002A (ja) * 2000-09-06 2002-03-22 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
US6255129B1 (en) * 2000-09-07 2001-07-03 Highlink Technology Corporation Light-emitting diode device and method of manufacturing the same
US6525464B1 (en) * 2000-09-08 2003-02-25 Unity Opto Technology Co., Ltd. Stacked light-mixing LED
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US6635987B1 (en) * 2000-09-26 2003-10-21 General Electric Company High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products
US7378982B2 (en) * 2000-09-28 2008-05-27 Abdulahi Mohamed Electronic display with multiple pre-programmed messages
JP3609709B2 (ja) * 2000-09-29 2005-01-12 株式会社シチズン電子 発光ダイオード
JP2002111072A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6998281B2 (en) * 2000-10-12 2006-02-14 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
JP2002133925A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Sanken Electric Co Ltd 蛍光カバー及び半導体発光装置
US6476549B2 (en) * 2000-10-26 2002-11-05 Mu-Chin Yu Light emitting diode with improved heat dissipation
JP2002141559A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sanken Electric Co Ltd 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
FI109632B (fi) 2000-11-06 2002-09-13 Nokia Corp Valkoinen valaisu
US6365922B1 (en) * 2000-11-16 2002-04-02 Harvatek Corp. Focusing cup for surface mount optoelectronic diode package
US6518600B1 (en) 2000-11-17 2003-02-11 General Electric Company Dual encapsulation for an LED
JP4683719B2 (ja) * 2000-12-21 2011-05-18 株式会社日立メディコ 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置
KR100367854B1 (ko) * 2000-12-28 2003-01-10 대주정밀화학 주식회사 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 알루미늄산이트륨황색 형광체 및 그 제조방법
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US20020084745A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
JP3819713B2 (ja) * 2001-01-09 2006-09-13 日本碍子株式会社 半導体発光素子
JP2002280607A (ja) * 2001-01-10 2002-09-27 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6930737B2 (en) * 2001-01-16 2005-08-16 Visteon Global Technologies, Inc. LED backlighting system
JP2002217459A (ja) * 2001-01-16 2002-08-02 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及び該発光ダイオードを光源として用いた液晶表示器のバックライト装置
US6703780B2 (en) * 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
EP1244152A3 (en) * 2001-01-26 2008-12-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Reflective light emitting diode, reflective optical device and its manufacturing method
JP2002232013A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
DE10105800B4 (de) * 2001-02-07 2017-08-31 Osram Gmbh Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung
JP4724924B2 (ja) * 2001-02-08 2011-07-13 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
US6541800B2 (en) 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
JP4116260B2 (ja) 2001-02-23 2008-07-09 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2002270899A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Mitsubishi Electric Lighting Corp 色温度可変ｌｅｄ光源モジュール
US6611000B2 (en) 2001-03-14 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lighting device
US6630786B2 (en) * 2001-03-30 2003-10-07 Candescent Technologies Corporation Light-emitting device having light-reflective layer formed with, or/and adjacent to, material that enhances device performance
US6844903B2 (en) * 2001-04-04 2005-01-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Blue backlight and phosphor layer for a color LCD
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP2002314138A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
CN1268972C (zh) * 2001-04-10 2006-08-09 皇家菲利浦电子有限公司 照明装置和显示设备
JP2002309247A (ja) * 2001-04-16 2002-10-23 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム蛍光体及びその製造方法
TW541722B (en) * 2001-04-20 2003-07-11 Nichia Corp Light emitting device
US6685852B2 (en) 2001-04-27 2004-02-03 General Electric Company Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
US6686676B2 (en) 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US6658373B2 (en) * 2001-05-11 2003-12-02 Field Diagnostic Services, Inc. Apparatus and method for detecting faults and providing diagnostics in vapor compression cycle equipment
US6616862B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
KR100419611B1 (ko) 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
US6596195B2 (en) 2001-06-01 2003-07-22 General Electric Company Broad-spectrum terbium-containing garnet phosphors and white-light sources incorporating the same
US7012588B2 (en) * 2001-06-05 2006-03-14 Eastman Kodak Company Method for saving power in an organic electroluminescent display using white light emitting elements
US6642652B2 (en) * 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
JP4114331B2 (ja) * 2001-06-15 2008-07-09 豊田合成株式会社 発光装置
US6798136B2 (en) * 2001-06-19 2004-09-28 Gelcore Llc Phosphor embedded die epoxy and lead frame modifications
US6758587B2 (en) 2001-06-25 2004-07-06 Grote Industries, Inc. Light emitting diode license lamp with reflector
TWI287569B (en) * 2001-06-27 2007-10-01 Nantex Industry Co Ltd Yttrium aluminium garnet fluorescent powder comprising at least two optical active center, its preparation and uses
DE10133352A1 (de) 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP2003027057A (ja) * 2001-07-17 2003-01-29 Hitachi Ltd 光源およびそれを用いた画像表示装置
JP2003031856A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光素子及びその製造方法
US20030015708A1 (en) 2001-07-23 2003-01-23 Primit Parikh Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
TW552726B (en) 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
KR20080087049A (ko) 2001-09-03 2008-09-29 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 형광체 층, 반도체발광장치, 반도체발광소자의 제조방법
US6791283B2 (en) * 2001-09-07 2004-09-14 Opalec Dual mode regulated light-emitting diode module for flashlights
DE10146719A1 (de) * 2001-09-20 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10147040A1 (de) 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE20115914U1 (de) * 2001-09-27 2003-02-13 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH, 81543 München Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
KR100894372B1 (ko) * 2001-10-01 2009-04-22 파나소닉 주식회사 반도체 발광소자와 이를 이용한 발광장치
KR100624403B1 (ko) * 2001-10-06 2006-09-15 삼성전자주식회사 인체의 신경계 기반 정서 합성 장치 및 방법
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
JP2003124521A (ja) * 2001-10-09 2003-04-25 Rohm Co Ltd ケース付半導体発光装置
US7011421B2 (en) * 2001-10-18 2006-03-14 Ilight Technologies, Inc. Illumination device for simulating neon lighting through use of fluorescent dyes
DE10153259A1 (de) * 2001-10-31 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2003147351A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Taiwan Lite On Electronics Inc 白色光光源の製作方法
DE10241989A1 (de) * 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US20030117794A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Tien-Rong Lu Flat color-shift medium
TW518773B (en) * 2001-12-31 2003-01-21 Solidlite Corp Manufacturing method of white LED
KR20030060281A (ko) * 2002-01-08 2003-07-16 주식회사 이츠웰 발광 다이오드 장치 및 이를 이용한 디스플레이
KR100497339B1 (ko) * 2002-01-08 2005-06-23 주식회사 이츠웰 발광 다이오드 장치 및 이를 이용한 조명 기구, 표시 장치그리고 백라이트 장치
WO2003062775A1 (en) * 2002-01-17 2003-07-31 Hutchinson Technology Inc. Spectroscopy light source
JP3973082B2 (ja) * 2002-01-31 2007-09-05 シチズン電子株式会社 両面発光ｌｅｄパッケージ
JP2003243700A (ja) * 2002-02-12 2003-08-29 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
EP1942531B1 (en) * 2002-02-15 2010-05-19 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device and illuminator using the same
US6881983B2 (en) * 2002-02-25 2005-04-19 Kopin Corporation Efficient light emitting diodes and lasers
JP4113017B2 (ja) * 2002-03-27 2008-07-02 シチズンホールディングス株式会社 光源装置および表示装置
TW558065U (en) * 2002-03-28 2003-10-11 Solidlite Corp Purplish pink light emitting diode
US6762432B2 (en) * 2002-04-01 2004-07-13 Micrel, Inc. Electrical field alignment vernier
JP4172196B2 (ja) * 2002-04-05 2008-10-29 豊田合成株式会社 発光ダイオード
US6911079B2 (en) * 2002-04-19 2005-06-28 Kopin Corporation Method for reducing the resistivity of p-type II-VI and III-V semiconductors
JP3956972B2 (ja) * 2002-04-25 2007-08-08 日亜化学工業株式会社 蛍光物質を用いた発光装置
CA2427559A1 (en) * 2002-05-15 2003-11-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. White color light emitting device
US8232725B1 (en) * 2002-05-21 2012-07-31 Imaging Systems Technology Plasma-tube gas discharge device
KR100449503B1 (ko) * 2002-05-29 2004-09-22 서울반도체 주식회사 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100449502B1 (ko) * 2002-05-29 2004-09-22 서울반도체 주식회사 백색 발광 다이오드 및 그 제작 방법
KR100632659B1 (ko) * 2002-05-31 2006-10-11 서울반도체 주식회사 백색 발광 다이오드
JP4145872B2 (ja) * 2002-06-11 2008-09-03 あき電器株式会社 自転車の前照灯及び前照灯電気回路
US20030230977A1 (en) * 2002-06-12 2003-12-18 Epstein Howard C. Semiconductor light emitting device with fluoropolymer lens
DE60325851D1 (de) * 2002-06-13 2009-03-05 Cree Inc Halbleiter-strahlungsquelle mit gesättigtem phosphor
WO2003107423A1 (en) * 2002-06-14 2003-12-24 Lednium Pty. Ltd. A lamp and method of producing a lamp
US6972516B2 (en) * 2002-06-14 2005-12-06 University Of Cincinnati Photopump-enhanced electroluminescent devices
TW200401462A (en) 2002-06-17 2004-01-16 Kopin Corp Light-emitting diode device geometry
US7002180B2 (en) 2002-06-28 2006-02-21 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device
US6734091B2 (en) 2002-06-28 2004-05-11 Kopin Corporation Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
TW558775B (en) * 2002-06-27 2003-10-21 Solidlite Corp Package of compound type LED
US6809471B2 (en) 2002-06-28 2004-10-26 General Electric Company Phosphors containing oxides of alkaline-earth and Group-IIIB metals and light sources incorporating the same
US6955985B2 (en) 2002-06-28 2005-10-18 Kopin Corporation Domain epitaxy for thin film growth
EP1535299B1 (en) * 2002-07-16 2009-11-18 odelo GmbH White led headlight
JP4118742B2 (ja) * 2002-07-17 2008-07-16 シャープ株式会社 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
AU2003261181A1 (en) * 2002-07-19 2004-02-09 Microsemi Corporation Process for fabricating, and light emitting device resulting from, a homogenously mixed powder/pelletized compound
JP3923867B2 (ja) * 2002-07-26 2007-06-06 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 面状光源装置及びそれを用いた液晶表示装置
CN100595938C (zh) 2002-08-01 2010-03-24 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件及其制造方法、使用此的发光装置
JP2004071807A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Sharp Corp 照明装置、カメラ装置及び携帯機器
US20040032728A1 (en) * 2002-08-19 2004-02-19 Robert Galli Optical assembly for LED chip package
AU2002368183A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. White light emitting device
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
KR100499129B1 (ko) * 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
CN1318540C (zh) * 2002-09-13 2007-05-30 北京有色金属研究总院 一种蓝光激发的白色led用荧光粉及其制造方法
KR20110118848A (ko) * 2002-09-19 2011-11-01 크리 인코포레이티드 경사 측벽을 포함하고 인광물질이 코팅된 발광 다이오드, 및 그의 제조방법
JP4263453B2 (ja) * 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
US7460196B2 (en) * 2002-09-25 2008-12-02 Lg Displays Co., Ltd. Backlight device for liquid crystal display and method of fabricating the same
US6815241B2 (en) * 2002-09-25 2004-11-09 Cao Group, Inc. GaN structures having low dislocation density and methods of manufacture
JP4201167B2 (ja) * 2002-09-26 2008-12-24 シチズン電子株式会社 白色発光装置の製造方法
CN1233046C (zh) * 2002-09-29 2005-12-21 光宝科技股份有限公司 一种制作白光发光二极管光源的方法
JP2004127988A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
JP2004131567A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Hamamatsu Photonics Kk 発光体と、これを用いた電子線検出器、走査型電子顕微鏡及び質量分析装置
US7009199B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
US7554258B2 (en) 2002-10-22 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body
RU2219622C1 (ru) * 2002-10-25 2003-12-20 Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" Полупроводниковый источник белого света
TW586246B (en) * 2002-10-28 2004-05-01 Super Nova Optoelectronics Cor Manufacturing method of white light LED and the light-emitting device thereof
JP4040955B2 (ja) * 2002-11-06 2008-01-30 株式会社小糸製作所 車両用前照灯及びその製造方法
JP5138145B2 (ja) * 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
KR20040044701A (ko) * 2002-11-21 2004-05-31 삼성전기주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2004186168A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオード素子用シリコーン樹脂組成物
US7595113B2 (en) * 2002-11-29 2009-09-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. LED devices and silicone resin composition therefor
JP4072632B2 (ja) * 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
TW559627B (en) * 2002-12-03 2003-11-01 Lite On Technology Corp Method for producing bright white light diode with fluorescent powder
US6897486B2 (en) 2002-12-06 2005-05-24 Ban P. Loh LED package die having a small footprint
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
US6744196B1 (en) * 2002-12-11 2004-06-01 Oriol, Inc. Thin film LED
US6975369B1 (en) * 2002-12-12 2005-12-13 Gelcore, Llc Liquid crystal display with color backlighting employing light emitting diodes
US7544309B2 (en) * 2002-12-13 2009-06-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
DE10259945A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer
TW591811B (en) * 2003-01-02 2004-06-11 Epitech Technology Corp Ltd Color mixing light emitting diode
TWI351548B (en) 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of liquid crystal display dev
KR100639647B1 (ko) 2003-01-20 2006-11-01 우베 고산 가부시키가이샤 광 변환용 세라믹스 복합 재료 및 그 용도
DE102004003135A1 (de) * 2003-02-20 2004-09-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beschichteter Leuchtstoff und lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff
DE10307282A1 (de) * 2003-02-20 2004-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beschichteter Leuchtstoff, lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
CN1777999B (zh) * 2003-02-26 2010-05-26 美商克立股份有限公司 复合式白色光源及其制造方法
US20040173807A1 (en) * 2003-03-04 2004-09-09 Yongchi Tian Garnet phosphors, method of making the same, and application to semiconductor LED chips for manufacturing lighting devices
TWI289937B (en) * 2003-03-04 2007-11-11 Topco Scient Co Ltd White light LED
TWI246780B (en) 2003-03-10 2006-01-01 Toyoda Gosei Kk Solid-state component device and manufacturing method thereof
CA2518625A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-23 Lednium Pty. Ltd. A lamp and a process for producing a lamp
KR101142725B1 (ko) 2003-03-13 2012-05-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광막, 발광장치, 발광막의 제조방법 및 발광장치의제조방법
CN100509994C (zh) * 2003-03-13 2009-07-08 日亚化学工业株式会社 发光膜、发光装置、发光膜的制造方法以及发光装置的制造方法
US7038370B2 (en) * 2003-03-17 2006-05-02 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
US7276025B2 (en) * 2003-03-20 2007-10-02 Welch Allyn, Inc. Electrical adapter for medical diagnostic instruments using LEDs as illumination sources
JP2006523245A (ja) * 2003-03-28 2006-10-12 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 粒子または原材料上に被覆物を形成させる方法および属する製品
US20040196318A1 (en) * 2003-04-01 2004-10-07 Su Massharudin Bin Method of depositing phosphor on light emitting diode
US20040252488A1 (en) * 2003-04-01 2004-12-16 Innovalight Light-emitting ceiling tile
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
US7278766B2 (en) * 2003-04-04 2007-10-09 Honeywell International Inc. LED based light guide for dual mode aircraft formation lighting
JP2004311822A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Solidlite Corp 赤紫色発光ダイオード
DE10316769A1 (de) * 2003-04-10 2004-10-28 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoffbassierte LED und zugehöriger Leuchtstoff
US6903380B2 (en) * 2003-04-11 2005-06-07 Weldon Technologies, Inc. High power light emitting diode
KR20040090667A (ko) * 2003-04-18 2004-10-26 삼성전기주식회사 디스플레이용 라이트 유닛
US20040207311A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Jung-Pin Cheng White light emitting device
US7368179B2 (en) * 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US7125501B2 (en) * 2003-04-21 2006-10-24 Sarnoff Corporation High efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
KR20040092512A (ko) 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
EP2270887B1 (en) 2003-04-30 2020-01-22 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7157745B2 (en) * 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
US7528421B2 (en) 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7633093B2 (en) 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
US7777235B2 (en) 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
WO2004099342A1 (en) * 2003-05-12 2004-11-18 Luxpia Co., Ltd. Tb,b-based yellow phosphor, its preparation method, and white semiconductor light emitting device incorporating the same
US7108386B2 (en) 2003-05-12 2006-09-19 Illumitech Inc. High-brightness LED-phosphor coupling
US6982045B2 (en) * 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
JP2004352928A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及び照明装置
JP3977774B2 (ja) * 2003-06-03 2007-09-19 ローム株式会社 光半導体装置
US7122841B2 (en) 2003-06-04 2006-10-17 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting devices
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
US7075225B2 (en) * 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
JP2005026688A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
US7786988B2 (en) * 2003-07-16 2010-08-31 Honeywood Technologies, Llc Window information preservation for spatially varying power conservation
US7583260B2 (en) * 2003-07-16 2009-09-01 Honeywood Technologies, Llc Color preservation for spatially varying power conservation
US7663597B2 (en) 2003-07-16 2010-02-16 Honeywood Technologies, Llc LCD plateau power conservation
US7602388B2 (en) * 2003-07-16 2009-10-13 Honeywood Technologies, Llc Edge preservation for spatially varying power conservation
US7714831B2 (en) * 2003-07-16 2010-05-11 Honeywood Technologies, Llc Background plateau manipulation for display device power conservation
US7580033B2 (en) * 2003-07-16 2009-08-25 Honeywood Technologies, Llc Spatial-based power savings
US6987353B2 (en) * 2003-08-02 2006-01-17 Phosphortech Corporation Light emitting device having sulfoselenide fluorescent phosphor
US7109648B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-19 Phosphortech Inc. Light emitting device having thio-selenide fluorescent phosphor
US7112921B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-26 Phosphortech Inc. Light emitting device having selenium-based fluorescent phosphor
KR20050016804A (ko) * 2003-08-04 2005-02-21 서울반도체 주식회사 발광 소자용 고휘도 형광체 구조 및 이를 사용하는 발광소자
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
US7235817B2 (en) * 2003-08-07 2007-06-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED Lamp
US20050104072A1 (en) 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
WO2005022032A1 (ja) * 2003-08-28 2005-03-10 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置及び蛍光体
TWI233697B (en) * 2003-08-28 2005-06-01 Genesis Photonics Inc AlInGaN light-emitting diode with wide spectrum and solid-state white light device
JP2007504644A (ja) * 2003-08-29 2007-03-01 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 色混合照明システム
US7029935B2 (en) * 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
JP3813144B2 (ja) * 2003-09-12 2006-08-23 ローム株式会社 発光制御回路
US7502392B2 (en) * 2003-09-12 2009-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser oscillator
US7204607B2 (en) * 2003-09-16 2007-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
TW200512949A (en) * 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP2005089671A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーン樹脂組成物
JP4378242B2 (ja) * 2003-09-25 2009-12-02 株式会社小糸製作所 車両用灯具
WO2005031882A1 (ja) * 2003-09-30 2005-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba 発光装置
US7135129B2 (en) 2003-10-22 2006-11-14 Yano Tech (Shanghai) Limited Inorganic fluorescent material used for solid-state light source
US7442326B2 (en) 2003-10-29 2008-10-28 Lumination Llc Red garnet phosphors for use in LEDs
US7252787B2 (en) * 2003-10-29 2007-08-07 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US7094362B2 (en) * 2003-10-29 2006-08-22 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
KR100558446B1 (ko) * 2003-11-19 2006-03-10 삼성전기주식회사 파장변환용 몰딩 화합물 수지 태블릿 제조방법과 이를이용한 백색 발광다이오드 제조방법
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP4654670B2 (ja) * 2003-12-16 2011-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US7066623B2 (en) * 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
TWI229462B (en) * 2003-12-22 2005-03-11 Solidlite Corp Improved method of white light LED
DE10360546A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
KR100610249B1 (ko) * 2003-12-23 2006-08-09 럭스피아 주식회사 황색 발광 형광체 및 그것을 채용한 백색 반도체 발광장치
US7791274B2 (en) * 2004-01-07 2010-09-07 Panasonic Corporation LED lamp
JP4231418B2 (ja) * 2004-01-07 2009-02-25 株式会社小糸製作所 発光モジュール及び車両用灯具
US7183588B2 (en) * 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
JP2005209794A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール及び灯具
CN1860329A (zh) * 2004-01-29 2006-11-08 松下电器产业株式会社 Led照明光源
TWI250664B (en) * 2004-01-30 2006-03-01 South Epitaxy Corp White light LED
US20050179046A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation P-type electrodes in gallium nitride-based light-emitting devices
US20050179042A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation Monolithic integration and enhanced light extraction in gallium nitride-based light-emitting devices
DE602005018022D1 (de) * 2004-02-20 2010-01-14 Philips Intellectual Property Beleuchtungssystem mit einer strahlungsquelle und einem fluoreszierenden material
EP1566426B1 (en) 2004-02-23 2015-12-02 Philips Lumileds Lighting Company LLC Phosphor converted light emitting device
US7250715B2 (en) 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
US10499465B2 (en) 2004-02-25 2019-12-03 Lynk Labs, Inc. High frequency multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and systems and methods of using same
WO2011143510A1 (en) 2010-05-12 2011-11-17 Lynk Labs, Inc. Led lighting system
US10575376B2 (en) 2004-02-25 2020-02-25 Lynk Labs, Inc. AC light emitting diode and AC LED drive methods and apparatus
WO2005083805A1 (ja) * 2004-02-26 2005-09-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ｌｅｄ光源
TWI262609B (en) * 2004-02-27 2006-09-21 Dowa Mining Co Phosphor and manufacturing method thereof, and light source, LED using said phosphor
DE102004029412A1 (de) * 2004-02-27 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips
TWI229465B (en) 2004-03-02 2005-03-11 Genesis Photonics Inc Single chip white light component
WO2005086239A1 (ja) 2004-03-05 2005-09-15 Konica Minolta Holdings, Inc. 白色発光ダイオード（ｌｅｄ）及び白色ｌｅｄの製造方法
US7573072B2 (en) * 2004-03-10 2009-08-11 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
DE102004012028A1 (de) * 2004-03-11 2005-10-06 Lite-On Technology Co. Phosphoreszierendes Material, sowie dieses verwendende, weißes Licht emittierende Vorrichtung
DE602005008719D1 (en) * 2004-03-12 2008-09-18 Avery Dennison Corp Notinformationsschild
KR101195171B1 (ko) * 2004-03-12 2012-10-29 애버리 데니슨 코포레이션 비상정보 조명 시스템
CN100410703C (zh) * 2004-03-12 2008-08-13 艾利丹尼森公司 具有被动磷光光源的照明系统
AU2005225985A1 (en) * 2004-03-12 2005-10-06 Avery Dennison Corporation Lighting system with a passive phosphorescent light source
US20050205874A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Ru-Shi Liu Phosphor material and white light-emitting device using the same
US6924233B1 (en) * 2004-03-19 2005-08-02 Agilent Technologies, Inc. Phosphor deposition methods
JP2005272697A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーン樹脂組成物、光半導体用封止材および光半導体装置
JPWO2005093860A1 (ja) * 2004-03-26 2008-02-14 シャープ株式会社 発光装置
JP2005310756A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯
US7355284B2 (en) 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
DE102004015570A1 (de) * 2004-03-30 2005-11-10 J.S. Technology Co., Ltd. Weiß-Licht-LED-Anordnung
JP5013405B2 (ja) * 2004-03-31 2012-08-29 日本電気硝子株式会社 蛍光体及び発光ダイオード
JP3983793B2 (ja) 2004-04-19 2007-09-26 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明光源の製造方法およびｌｅｄ照明光源
US7462086B2 (en) * 2004-04-21 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Phosphor for phosphor-converted semiconductor light emitting device
KR100887489B1 (ko) * 2004-04-27 2009-03-10 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
CN100401516C (zh) * 2004-04-28 2008-07-09 宏齐科技股份有限公司 白光发光二极管组件的制作方法
TWI228841B (en) * 2004-04-29 2005-03-01 Lite On Technology Corp Luminescence method and apparatus for color temperature adjustable white light
US7837348B2 (en) * 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
KR101433343B1 (ko) 2004-05-05 2014-08-22 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 고체-상태 에미터 및 하향-변환 재료를 이용한 고효율 광 소스
KR100655894B1 (ko) * 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
US11158768B2 (en) 2004-05-07 2021-10-26 Bruce H. Baretz Vacuum light emitting diode
US7315119B2 (en) * 2004-05-07 2008-01-01 Avago Technologies Ip (Singapore) Pte Ltd Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
US7077978B2 (en) * 2004-05-14 2006-07-18 General Electric Company Phosphors containing oxides of alkaline-earth and group-IIIB metals and white-light sources incorporating same
TWI241034B (en) * 2004-05-20 2005-10-01 Lighthouse Technology Co Ltd Light emitting diode package
US7339332B2 (en) * 2004-05-24 2008-03-04 Honeywell International, Inc. Chroma compensated backlit display
ATE395391T1 (de) * 2004-05-27 2008-05-15 Koninkl Philips Electronics Nv Beleuchtungssystem mit einer strahlungsquelle und einem fluoreszierenden material
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US7280288B2 (en) * 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
JP4583076B2 (ja) 2004-06-11 2010-11-17 スタンレー電気株式会社 発光素子
US7065534B2 (en) * 2004-06-23 2006-06-20 Microsoft Corporation Anomaly detection in data perspectives
WO2006001316A1 (ja) 2004-06-24 2006-01-05 Ube Industries, Ltd. 白色発光ダイオード装置
KR20060000313A (ko) * 2004-06-28 2006-01-06 루미마이크로 주식회사 대입경 형광 분말을 포함하는 색변환 발광 장치 그의 제조방법 및 그에 사용되는 수지 조성물
DE102004064150B4 (de) * 2004-06-29 2010-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauteil mit Gehäuse mit leitfähiger Beschichtung zum ESD-Schutz
US7255469B2 (en) * 2004-06-30 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a light guide and an interference reflector
WO2006008935A1 (ja) 2004-06-30 2006-01-26 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体、及び、それを用いた発光素子、並びに、画像表示装置、照明装置
JP4996463B2 (ja) * 2004-06-30 2012-08-08 クリー インコーポレイテッド 発光デバイスをパッケージするためのチップスケール方法およびチップスケールにパッケージされた発光デバイス
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US20060006366A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Vladimir Abramov Wave length shifting compositions for white emitting diode systems
JP2008506011A (ja) 2004-07-06 2008-02-28 サーノフ コーポレーション 効率的な緑色発光蛍光体、及び赤色発光蛍光体との組合せ
US8508119B2 (en) * 2004-07-13 2013-08-13 Fujikura Ltd. Phosphor and an incandescent lamp color light emitting diode lamp using the same
CN100485976C (zh) * 2004-07-14 2009-05-06 凯鼎科技股份有限公司 发光二极管封装体
US7476337B2 (en) * 2004-07-28 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US8417215B2 (en) * 2004-07-28 2013-04-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for positioning of wireless medical devices with short-range radio frequency technology
US7311858B2 (en) * 2004-08-04 2007-12-25 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
US7267787B2 (en) * 2004-08-04 2007-09-11 Intematix Corporation Phosphor systems for a white light emitting diode (LED)
US8017035B2 (en) * 2004-08-04 2011-09-13 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
WO2006016326A2 (en) * 2004-08-06 2006-02-16 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Led lamp system
FR2874021B1 (fr) 2004-08-09 2006-09-29 Saint Gobain Cristaux Detecteu Materiau scintillateur dense et rapide a faible luminescence retardee
US7750352B2 (en) 2004-08-10 2010-07-06 Pinion Technologies, Inc. Light strips for lighting and backlighting applications
US7259401B2 (en) * 2004-08-23 2007-08-21 Lite-On Technology Corporation Reflection-type optoelectronic semiconductor device
US20060044806A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Abramov Vladimir S Light emitting diode system packages
DE102005042778A1 (de) * 2004-09-09 2006-04-13 Toyoda Gosei Co., Ltd., Nishikasugai Optische Festkörpervorrichtung
US20060076908A1 (en) * 2004-09-10 2006-04-13 Color Kinetics Incorporated Lighting zone control methods and apparatus
JP4667803B2 (ja) 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
DE102004045950A1 (de) * 2004-09-22 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US7372198B2 (en) * 2004-09-23 2008-05-13 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor
TWI256149B (en) * 2004-09-27 2006-06-01 Advanced Optoelectronic Tech Light apparatus having adjustable color light and manufacturing method thereof
US20060067073A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Chu-Chi Ting White led device
JP4060841B2 (ja) * 2004-10-06 2008-03-12 住友ゴム工業株式会社 生タイヤビード部成型方法、及びそれに用いる生タイヤビード部成型装置
KR100485673B1 (ko) 2004-10-11 2005-04-27 씨엠에스테크놀로지(주) 백색 발광장치
US7713441B2 (en) * 2004-10-15 2010-05-11 Mitsubishi Chemical Corporation Fluorescent material, fluorescent device using the same, and image display device and lighting equipment
RU2315078C2 (ru) * 2004-10-18 2008-01-20 Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная компания "Люминифор-Платан" (ООО НПК "Люминофор-Платан") Фотолюминофоры для коротковолновых светоизлучающих диодов (сид)
US7733002B2 (en) 2004-10-19 2010-06-08 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device provided with an alkaline earth metal boric halide phosphor for luminescence conversion
WO2006043719A1 (ja) * 2004-10-21 2006-04-27 Ube Industries, Ltd. 発光ダイオード素子、発光ダイオード用基板及び発光ダイオード素子の製造方法
DE102005028748A1 (de) * 2004-10-25 2006-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Bauelementgehäuse
US20060097385A1 (en) 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7772609B2 (en) * 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US7670872B2 (en) * 2004-10-29 2010-03-02 LED Engin, Inc. (Cayman) Method of manufacturing ceramic LED packages
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US7473933B2 (en) * 2004-10-29 2009-01-06 Ledengin, Inc. (Cayman) High power LED package with universal bonding pads and interconnect arrangement
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
JP4757477B2 (ja) * 2004-11-04 2011-08-24 株式会社 日立ディスプレイズ 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
US7462317B2 (en) 2004-11-10 2008-12-09 Enpirion, Inc. Method of manufacturing an encapsulated package for a magnetic device
US7426780B2 (en) 2004-11-10 2008-09-23 Enpirion, Inc. Method of manufacturing a power module
US7481562B2 (en) 2004-11-18 2009-01-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for providing illuminating light using quantum dots
US7866853B2 (en) * 2004-11-19 2011-01-11 Fujikura Ltd. Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting element module and manufacturing method thereof, display device, lighting device, and traffic light
CN101072844A (zh) 2004-12-07 2007-11-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括辐射源和发光材料的照明系统
US7402831B2 (en) * 2004-12-09 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, broadband, or “white” emission
US7719015B2 (en) * 2004-12-09 2010-05-18 3M Innovative Properties Company Type II broadband or polychromatic LED's
US7745814B2 (en) * 2004-12-09 2010-06-29 3M Innovative Properties Company Polychromatic LED's and related semiconductor devices
US20060125716A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Wong Lye Y Light-emitting diode display with compartment
US8044572B2 (en) 2004-12-17 2011-10-25 Ube Industries, Ltd. Light conversion structure and light-emitting device using the same
JP4591071B2 (ja) * 2004-12-20 2010-12-01 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
JP2006209076A (ja) * 2004-12-27 2006-08-10 Nichia Chem Ind Ltd 導光体およびそれを用いた面発光装置
WO2006070899A1 (ja) 2004-12-27 2006-07-06 Ube Industries, Ltd. サイアロン蛍光体粒子およびその製造方法
TWI245440B (en) * 2004-12-30 2005-12-11 Ind Tech Res Inst Light emitting diode
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US20080165523A1 (en) * 2005-01-10 2008-07-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination System Comprising Ceramic Luminescence Converter
US7646033B2 (en) * 2005-01-11 2010-01-12 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light light emitting diodes
US8680534B2 (en) 2005-01-11 2014-03-25 Semileds Corporation Vertical light emitting diodes (LED) having metal substrate and spin coated phosphor layer for producing white light
US8012774B2 (en) * 2005-01-11 2011-09-06 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Coating process for a light-emitting diode (LED)
US7195944B2 (en) * 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
US7304694B2 (en) 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
TWI249861B (en) * 2005-01-12 2006-02-21 Lighthouse Technology Co Ltd Wavelength converting substance and light emitting device and encapsulating material comprising the same
US7777247B2 (en) * 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
KR100588209B1 (ko) 2005-01-19 2006-06-08 엘지전자 주식회사 백색 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7602116B2 (en) * 2005-01-27 2009-10-13 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light apparatus capable of emitting light of multiple wavelengths using nanometer fluorescent material, light device and manufacturing method thereof
EP1686630A3 (en) 2005-01-31 2009-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Led device having diffuse reflective surface
JP5045432B2 (ja) * 2005-01-31 2012-10-10 宇部興産株式会社 赤色蛍光体の製造方法および赤色蛍光体
KR101139891B1 (ko) * 2005-01-31 2012-04-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 확산 반사면을 구비한 발광 다이오드 소자
KR20060088228A (ko) * 2005-02-01 2006-08-04 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 나노미터 형광 물질을 이용하여 다수 파장의 빛을 방출할수 있는 발광 장치, 발광 소자 및 그의 제조 방법
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
US7497973B2 (en) 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
DE102005008834A1 (de) * 2005-02-16 2006-08-24 Aspre Ag Display zur Erstellung von durch auffallendes Licht erkennbaren farbigen Bildern und Texten
TWI419375B (zh) * 2005-02-18 2013-12-11 日亞化學工業股份有限公司 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置
JP4669713B2 (ja) * 2005-02-18 2011-04-13 株式会社リコー 画像読取装置及び画像形成装置
WO2006087661A1 (en) * 2005-02-21 2006-08-24 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
CN1684279A (zh) * 2005-02-25 2005-10-19 炬鑫科技股份有限公司 发光元件
WO2006093015A1 (ja) * 2005-02-28 2006-09-08 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法並びにその応用
US20060193131A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Mcgrath William R Circuit devices which include light emitting diodes, assemblies which include such circuit devices, and methods for directly replacing fluorescent tubes
US7439668B2 (en) * 2005-03-01 2008-10-21 Lumination Llc Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality
JP4866558B2 (ja) * 2005-03-10 2012-02-01 シチズン電子株式会社 画像撮影用照明装置
CN100454590C (zh) * 2005-03-11 2009-01-21 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管、发光二极管模组及背光系统
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
JP5652426B2 (ja) * 2005-03-18 2015-01-14 三菱化学株式会社 蛍光体混合物、発光装置、画像表示装置、及び照明装置
CN101442097B (zh) * 2005-03-18 2010-11-10 三菱化学株式会社 发光装置、白光发光装置、照明装置及图像显示装置
JP5286639B2 (ja) * 2005-03-18 2013-09-11 三菱化学株式会社 蛍光体混合物、発光装置、画像表示装置、及び照明装置
US8269410B2 (en) 2005-03-18 2012-09-18 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
TWI249867B (en) 2005-03-24 2006-02-21 Lighthouse Technology Co Ltd Light-emitting diode package, cold cathode fluorescence lamp and photoluminescence material thereof
US7276183B2 (en) 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US7316497B2 (en) * 2005-03-29 2008-01-08 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source
JP2006278980A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光装置
KR101142519B1 (ko) 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
JP2006282447A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd 透光性材料およびその製造方法
EP1878778A4 (en) * 2005-03-31 2012-04-04 Mitsubishi Chem Corp FLUORESCENT, FLUORESCENT FIBER, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND FLUORESCENT RESIN-BASED LUMINESCENCE DEVICE
US20060221022A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 Roger Hajjar Laser vector scanner systems with display screens having optical fluorescent materials
US7474286B2 (en) 2005-04-01 2009-01-06 Spudnik, Inc. Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light
US7791561B2 (en) 2005-04-01 2010-09-07 Prysm, Inc. Display systems having screens with optical fluorescent materials
US7733310B2 (en) 2005-04-01 2010-06-08 Prysm, Inc. Display screens having optical fluorescent materials
US7893631B2 (en) * 2005-04-06 2011-02-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. White light luminaire with adjustable correlated colour temperature
DE102006016548B9 (de) 2005-04-15 2021-12-16 Osram Gmbh Blau bis Gelb-Orange emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
US7489073B2 (en) * 2005-04-15 2009-02-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Blue to yellow-orange emitting phosphor, and light source having such a phosphor
JP4972957B2 (ja) * 2005-04-18 2012-07-11 三菱化学株式会社 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、並びに画像表示装置、照明装置
US7329371B2 (en) * 2005-04-19 2008-02-12 Lumination Llc Red phosphor for LED based lighting
CN1854858A (zh) * 2005-04-19 2006-11-01 夏普株式会社 发光装置、液晶显示装置和照明装置
JP4843990B2 (ja) * 2005-04-22 2011-12-21 日亜化学工業株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置
GB2425449B (en) * 2005-04-26 2007-05-23 City Greening Engineering Comp Irrigation system
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
US8089425B2 (en) 2006-03-03 2012-01-03 Prysm, Inc. Optical designs for scanning beam display systems using fluorescent screens
US8000005B2 (en) 2006-03-31 2011-08-16 Prysm, Inc. Multilayered fluorescent screens for scanning beam display systems
US7690167B2 (en) * 2005-04-28 2010-04-06 Antonic James P Structural support framing assembly
JP4535928B2 (ja) * 2005-04-28 2010-09-01 シャープ株式会社 半導体発光装置
KR100704492B1 (ko) * 2005-05-02 2007-04-09 한국화학연구원 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법
JP4738049B2 (ja) * 2005-05-02 2011-08-03 ユニ・チャーム株式会社 吸収性物品
US7602408B2 (en) * 2005-05-04 2009-10-13 Honeywood Technologies, Llc Luminance suppression power conservation
US7760210B2 (en) * 2005-05-04 2010-07-20 Honeywood Technologies, Llc White-based power savings
TWI260799B (en) * 2005-05-06 2006-08-21 Harvatek Corp Multi-wavelength white light light-emitting diode
DE102005023134A1 (de) * 2005-05-19 2006-11-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lumineszenzkonversions-LED
EP1888710B1 (en) 2005-05-24 2011-11-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof
EP1887067B1 (en) 2005-05-24 2014-04-16 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and use thereof
US7632000B2 (en) * 2005-05-25 2009-12-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight assembly and liquid crystal display device having the same
TW200704283A (en) 2005-05-27 2007-01-16 Lamina Ceramics Inc Solid state LED bridge rectifier light engine
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
WO2006129228A2 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising color deficiency compensating luminescent material
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP1890343A4 (en) * 2005-06-07 2014-04-23 Fujikura Ltd SUBSTRATE ON ILLUMINATING ELEMENT INSTALLATION, ILLUMINATING ELEMENT MODULE, ILLUMINATION DEVICE, DISPLAY AND TRAFFIC SIGNALING DEVICE
JP2006344690A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Fujikura Ltd 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機
US8215815B2 (en) 2005-06-07 2012-07-10 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
WO2006131924A2 (en) 2005-06-07 2006-12-14 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus
JP2006343500A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Olympus Corp 光源装置及び投影光学装置
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
JP5124978B2 (ja) * 2005-06-13 2013-01-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20060290133A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-28 Westrim, Inc. Postbound album
WO2006134982A1 (ja) * 2005-06-14 2006-12-21 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 蛍光体含有樹脂組成物およびシート、それらを用いた発光素子
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
JP2006351773A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
KR100638868B1 (ko) * 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR101266130B1 (ko) 2005-06-23 2013-05-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 단파장 ｌｅｄ들 및 다운-컨버젼 물질들로 백색광을생성하기 위한 패키지 설계
US8896216B2 (en) 2005-06-28 2014-11-25 Seoul Viosys Co., Ltd. Illumination system
CN101865375B (zh) 2005-06-28 2013-03-13 首尔Opto仪器股份有限公司 发光装置
TWI422044B (zh) * 2005-06-30 2014-01-01 克立公司 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置
DE102005038698A1 (de) * 2005-07-08 2007-01-18 Tridonic Optoelectronics Gmbh Optoelektronische Bauelemente mit Haftvermittler
JP2007027431A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Toshiba Corp 発光装置
KR100649679B1 (ko) * 2005-07-19 2006-11-27 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백 라이트 유닛
US20070025106A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Korry Electronics Co. Night vision compatible area light fixture
TW200717866A (en) * 2005-07-29 2007-05-01 Toshiba Kk Semiconductor light emitting device
WO2007015732A2 (en) * 2005-08-01 2007-02-08 Intex Recreation Corp. A method of varying the color of light emitted by a light-emitting device
KR100533922B1 (ko) * 2005-08-05 2005-12-06 알티전자 주식회사 황색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
EP1914810B1 (en) * 2005-08-10 2017-10-04 Ube Industries, Ltd. Substrate for light emitting diode and light emitting diode
JP2009504809A (ja) * 2005-08-11 2009-02-05 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング 規則的に配列した空洞を有するフォトニック材料
US7329907B2 (en) 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
US20070045641A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Yin Chua Janet B Light source with UV LED and UV reflector
KR20080037734A (ko) 2005-08-23 2008-04-30 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치와 그를 이용한 백 라이트 및 액정 표시 장치
KR100691273B1 (ko) * 2005-08-23 2007-03-12 삼성전기주식회사 복합 형광체 분말, 이를 이용한 발광 장치 및 복합 형광체분말의 제조 방법
USD535707S1 (en) 2005-08-25 2007-01-23 Mattel, Inc. Electronic toy house
US7847302B2 (en) * 2005-08-26 2010-12-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
US20070052342A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP2007067326A (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
WO2007032520A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-22 Showa Denko K.K. Light-emitting device
JP2007110090A (ja) * 2005-09-13 2007-04-26 Sony Corp ＧａＮ系半導体発光素子、発光装置、画像表示装置、面状光源装置、及び、液晶表示装置組立体
JP4966530B2 (ja) 2005-09-15 2012-07-04 国立大学法人 新潟大学 蛍光体
DE102005045649A1 (de) * 2005-09-23 2007-03-29 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lichtmodul und Lichtsystem
USD533773S1 (en) 2005-09-26 2006-12-19 Mattel, Inc. Packaging for a toy
US7936418B2 (en) * 2005-09-29 2011-05-03 Kabushiki Kaisha Toshiba White light-emitting device and manufacturing method thereof, and backlight and liquid crystal display device using the same
JP4281839B2 (ja) * 2005-09-30 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたバックライトユニット
KR20080059418A (ko) * 2005-09-30 2008-06-27 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 고상 조명용 질화 및 산질화 세륨계 형광물질들
KR100724591B1 (ko) 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
US8631560B2 (en) 2005-10-05 2014-01-21 Enpirion, Inc. Method of forming a magnetic device having a conductive clip
US7688172B2 (en) 2005-10-05 2010-03-30 Enpirion, Inc. Magnetic device having a conductive clip
US8701272B2 (en) 2005-10-05 2014-04-22 Enpirion, Inc. Method of forming a power module with a magnetic device having a conductive clip
US8139362B2 (en) * 2005-10-05 2012-03-20 Enpirion, Inc. Power module with a magnetic device having a conductive clip
US7479660B2 (en) * 2005-10-21 2009-01-20 Perkinelmer Elcos Gmbh Multichip on-board LED illumination device
KR100693463B1 (ko) * 2005-10-21 2007-03-12 한국광기술원 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드
US7360934B2 (en) * 2005-10-24 2008-04-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light supply unit, illumination unit, and illumination system
KR100571882B1 (ko) * 2005-10-27 2006-04-17 알티전자 주식회사 황색 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 장치
KR100771779B1 (ko) * 2005-11-04 2007-10-30 삼성전기주식회사 황색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
USD532461S1 (en) 2005-11-10 2006-11-21 Mattel, Inc. Electronic toy house
USD536042S1 (en) 2005-11-10 2007-01-30 Mattel, Inc. Electronic toy house
TWI291247B (en) * 2005-11-11 2007-12-11 Univ Nat Chiao Tung Nanoparticle structure and manufacturing process of multi-wavelength light emitting devices
CN100511736C (zh) * 2005-11-11 2009-07-08 亿镫光电科技股份有限公司 增光发光装置
KR101258397B1 (ko) * 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
US20070114561A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Comanzo Holly A High efficiency phosphor for use in LEDs
CN101313048B (zh) * 2005-11-24 2012-06-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有固态荧光材料的显示器件
JP2009517790A (ja) * 2005-11-28 2009-04-30 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 書き換え可能な光記録担体上にデータを記録する装置及び方法
US20070128745A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Brukilacchio Thomas J Phosphor deposition method and apparatus for making light emitting diodes
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
CN100334185C (zh) * 2005-12-09 2007-08-29 天津理工大学 稀土钇铝石榴石发光材料及气相制备法
US8465183B2 (en) * 2005-12-14 2013-06-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device and method for manufacturing same
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
JP2007165728A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Toshiba Discrete Technology Kk 発光装置及び可視光通信用照明装置
JP2007165811A (ja) 2005-12-16 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
CN103925521A (zh) 2005-12-21 2014-07-16 科锐公司 照明装置
DE102005061204A1 (de) * 2005-12-21 2007-07-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Beleuchtungsvorrichtung, Beleuchtungssteuergerät und Beleuchtungssystem
KR101332139B1 (ko) * 2005-12-21 2013-11-21 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
US8112921B2 (en) 2005-12-21 2012-02-14 Cree, Inc. Sign and method for lighting
JP2009527071A (ja) 2005-12-22 2009-07-23 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
US20070158660A1 (en) * 2005-12-22 2007-07-12 Acol Technologies S.A. Optically active compositions and combinations of same with InGaN semiconductors
US7474287B2 (en) * 2005-12-23 2009-01-06 Hong Kong Applied Science And Technology Light emitting device
US7659544B2 (en) * 2005-12-23 2010-02-09 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Light emitting device with at least two alternately driven light emitting diodes
CN1988188A (zh) * 2005-12-23 2007-06-27 香港应用科技研究院有限公司 具有荧光层结构的发光二极管晶粒及其制造方法
EP1969284B1 (en) * 2005-12-27 2012-06-13 Showa Denko K.K. Flat light source device and display device using the same
KR100728134B1 (ko) * 2005-12-30 2007-06-13 김재조 발광 장치
US9351355B2 (en) 2005-12-30 2016-05-24 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Illumination system having color temperature control and method for controlling the same
WO2007081719A2 (en) 2006-01-05 2007-07-19 Illumitex, Inc. Separate optical device for directing light from an led
DE102006001195A1 (de) 2006-01-10 2007-07-12 Sms Demag Ag Verfahren zum Gieß-Walzen mit erhöhter Gießgeschwindigkeit und daran anschließendem Warmwalzen von relativ dünnen Metall-,insbesondere Stahlwerkstoff-Strängen,und Gieß-Walz-Einrichtung
CN100464233C (zh) * 2006-01-17 2009-02-25 群康科技(深圳)有限公司 背光模块
KR100821684B1 (ko) * 2006-01-17 2008-04-11 주식회사 에스티앤아이 백색 발광 다이오드 소자
CN101370908B (zh) 2006-01-19 2012-04-18 宇部兴产株式会社 陶瓷复合体光转换构件和用其的发光装置
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US8264138B2 (en) * 2006-01-20 2012-09-11 Cree, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
JP2007226190A (ja) * 2006-01-30 2007-09-06 Konica Minolta Holdings Inc 映像表示装置およびヘッドマウントディスプレイ
DE102006005042A1 (de) 2006-02-03 2007-08-09 Tridonic Optoelectronics Gmbh Licht emittierende Vorrichtung mit nicht-aktiviertem Leuchtstoff
RU2315135C2 (ru) 2006-02-06 2008-01-20 Владимир Семенович Абрамов Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов iii группы
TWI317756B (en) * 2006-02-07 2009-12-01 Coretronic Corp Phosphor, fluorescent gel, and light emitting diode device
EP1989725B1 (en) 2006-02-14 2019-06-05 Massachusetts Institute of Technology White light emitting devices
US7884816B2 (en) 2006-02-15 2011-02-08 Prysm, Inc. Correcting pyramidal error of polygon scanner in scanning beam display systems
US8451195B2 (en) 2006-02-15 2013-05-28 Prysm, Inc. Servo-assisted scanning beam display systems using fluorescent screens
US20080000467A1 (en) * 2006-02-16 2008-01-03 Design Annex Disposable charcoal lighting apparatus
US20070194684A1 (en) * 2006-02-21 2007-08-23 Chen Yi-Yi Light emitting diode structure
KR100735453B1 (ko) * 2006-02-22 2007-07-04 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
JP5027427B2 (ja) * 2006-02-23 2012-09-19 パナソニック株式会社 発光ダイオードを用いた白色照明装置
RU2302687C1 (ru) * 2006-02-26 2007-07-10 Закрытое акционерное общество "ПОЛА+" Светодиодное устройство
JP4992250B2 (ja) 2006-03-01 2012-08-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7737634B2 (en) 2006-03-06 2010-06-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED devices having improved containment for liquid encapsulant
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
JP2007250629A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法、並びに蛍光パターン形成物
KR100746749B1 (ko) 2006-03-15 2007-08-09 (주)케이디티 광 여기 시트
US7795600B2 (en) * 2006-03-24 2010-09-14 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use with light emitting diodes and method for making same
JP5032043B2 (ja) * 2006-03-27 2012-09-26 豊田合成株式会社 フェラスメタルアルカリ土類金属ケイ酸塩混合結晶蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP4980640B2 (ja) * 2006-03-31 2012-07-18 三洋電機株式会社 照明装置
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
JP5068472B2 (ja) * 2006-04-12 2012-11-07 昭和電工株式会社 発光装置の製造方法
WO2007123938A2 (en) * 2006-04-18 2007-11-01 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7821194B2 (en) 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7997745B2 (en) 2006-04-20 2011-08-16 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2007127029A2 (en) * 2006-04-24 2007-11-08 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
FR2900382B1 (fr) * 2006-04-26 2009-02-27 Benotec Soc Par Actions Simpli Chariot de manutention a au moins trois roues directrices
US7888868B2 (en) * 2006-04-28 2011-02-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source with light-directing structures
WO2007131195A2 (en) 2006-05-05 2007-11-15 Spudnik, Inc. Phosphor compositions and other fluorescent materials for display systems and devices
JP4944948B2 (ja) 2006-05-05 2012-06-06 クリー インコーポレイテッド 照明装置
US20070262288A1 (en) * 2006-05-09 2007-11-15 Soshchin Naum Inorganic fluorescent powder as a solid light source
TWI357435B (en) 2006-05-12 2012-02-01 Lextar Electronics Corp Light emitting diode and wavelength converting mat
WO2007135707A1 (ja) 2006-05-18 2007-11-29 Nichia Corporation 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP4188404B2 (ja) 2006-05-19 2008-11-26 三井金属鉱業株式会社 白色蛍光体および白色発光素子乃至装置
US7846391B2 (en) 2006-05-22 2010-12-07 Lumencor, Inc. Bioanalytical instrumentation using a light source subsystem
EP2027412B1 (en) 2006-05-23 2018-07-04 Cree, Inc. Lighting device
EP2027602A4 (en) * 2006-05-23 2012-11-28 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MAKING
US20070274093A1 (en) * 2006-05-25 2007-11-29 Honeywell International, Inc. LED backlight system for LCD displays
CN101077973B (zh) * 2006-05-26 2010-09-29 大连路明发光科技股份有限公司 硅酸盐荧光材料及其制造方法以及使用其的发光装置
WO2007139894A2 (en) 2006-05-26 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Solid state light emitting device and method of making same
CN101501870B (zh) * 2006-05-31 2012-10-31 株式会社藤仓 发光元件安装用基板、发光元件模块以及显示装置
WO2007142946A2 (en) 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of lighting
US20070280622A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 3M Innovative Properties Company Fluorescent light source having light recycling means
US20070279914A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source with reflector
JP4899651B2 (ja) * 2006-06-07 2012-03-21 ソニー株式会社 発光ダイオード点灯回路、照明装置及び液晶表示装置
US20070284565A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-13 3M Innovative Properties Company Led device with re-emitting semiconductor construction and optical element
CN102403439A (zh) * 2006-06-12 2012-04-04 3M创新有限公司 具有再发光半导体构造和会聚光学元件的led装置
US7863634B2 (en) * 2006-06-12 2011-01-04 3M Innovative Properties Company LED device with re-emitting semiconductor construction and reflector
US7952110B2 (en) 2006-06-12 2011-05-31 3M Innovative Properties Company LED device with re-emitting semiconductor construction and converging optical element
US7902542B2 (en) 2006-06-14 2011-03-08 3M Innovative Properties Company Adapted LED device with re-emitting semiconductor construction
CN101489951A (zh) * 2006-06-21 2009-07-22 株式会社村田制作所 透光性陶瓷及光学部件以及光学装置
JP4282693B2 (ja) * 2006-07-04 2009-06-24 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP4520437B2 (ja) * 2006-07-26 2010-08-04 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄ用蛍光物質入り硬化性シリコーン組成物およびその組成物を使用するｌｅｄ発光装置。
CN100590172C (zh) 2006-07-26 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种含硅的led荧光粉及其制造方法和所制成的发光器件
US7804147B2 (en) 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
US7943952B2 (en) 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
JP4957110B2 (ja) * 2006-08-03 2012-06-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20080029774A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Acol Technologies S.A. Semiconductor light source packages with broadband and angular uniformity support
US8154191B2 (en) 2006-08-15 2012-04-10 Luming Science And Technology Group Co., Ltd. Silicate base luminescent materials having multiple emission peaks, processes for preparing the same and light emitting devices using the same
US20080113877A1 (en) * 2006-08-16 2008-05-15 Intematix Corporation Liquid solution deposition of composition gradient materials
TWI317562B (en) * 2006-08-16 2009-11-21 Ind Tech Res Inst Light-emitting device
US7909482B2 (en) 2006-08-21 2011-03-22 Innotec Corporation Electrical device having boardless electrical component mounting arrangement
US7763478B2 (en) * 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
JP5100059B2 (ja) * 2006-08-24 2012-12-19 スタンレー電気株式会社 蛍光体、その製造方法およびそれを用いた発光装置
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US7703942B2 (en) 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US7910938B2 (en) 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
WO2008041566A1 (fr) 2006-09-25 2008-04-10 Ube Industries, Ltd. Composite céramique pour phototransformation et dispositif d'émission de lumière utilisant celui-ci
WO2008042703A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-10 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source having multiple fluorescent species
US20090275157A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device shaping
JP2010506402A (ja) 2006-10-02 2010-02-25 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄのシステムおよび方法
TW200833814A (en) * 2006-10-03 2008-08-16 Sarnoff Corp Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
GB2442505A (en) * 2006-10-04 2008-04-09 Sharp Kk A display with a primary light source for illuminating a nanophosphor re-emission material
EP2074668B1 (en) * 2006-10-10 2018-02-28 Tridonic Jennersdorf GmbH Phosphor-converted light emitting diode
TW200825571A (en) * 2006-10-18 2008-06-16 Koninkl Philips Electronics Nv Illumination system and display device
US9120975B2 (en) 2006-10-20 2015-09-01 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
US8529791B2 (en) 2006-10-20 2013-09-10 Intematix Corporation Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications
US8475683B2 (en) 2006-10-20 2013-07-02 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates
US8133461B2 (en) 2006-10-20 2012-03-13 Intematix Corporation Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation
WO2008052318A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-08 Tir Technology Lp Light source comprising a light-excitable medium
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
CN101182416B (zh) * 2006-11-13 2010-09-22 北京有色金属研究总院 含二价金属元素的铝酸盐荧光粉及制造方法和发光器件
TWI496315B (zh) 2006-11-13 2015-08-11 Cree Inc 照明裝置、被照明的殼體及照明方法
US7769066B2 (en) 2006-11-15 2010-08-03 Cree, Inc. Laser diode and method for fabricating same
US7813400B2 (en) 2006-11-15 2010-10-12 Cree, Inc. Group-III nitride based laser diode and method for fabricating same
US8045595B2 (en) 2006-11-15 2011-10-25 Cree, Inc. Self aligned diode fabrication method and self aligned laser diode
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
WO2008063657A2 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Light emitting devices and displays with improved performance
US7692263B2 (en) 2006-11-21 2010-04-06 Cree, Inc. High voltage GaN transistors
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
US8337045B2 (en) 2006-12-04 2012-12-25 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9310026B2 (en) 2006-12-04 2016-04-12 Cree, Inc. Lighting assembly and lighting method
CN101611259B (zh) 2006-12-07 2012-06-27 科锐公司 照明装置和照明方法
JP5028562B2 (ja) * 2006-12-11 2012-09-19 株式会社ジャパンディスプレイイースト 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置
WO2008073400A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
US8013506B2 (en) 2006-12-12 2011-09-06 Prysm, Inc. Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity
EP2103187B1 (en) * 2006-12-12 2010-05-26 Inverto NV Led lighting that has continuous and adjustable color temperature (ct), while maintaining a high cri
TWI359857B (en) * 2006-12-25 2012-03-11 Ind Tech Res Inst White light illumination device
CN100543555C (zh) * 2006-12-29 2009-09-23 晶宏半导体股份有限公司 侧光源背光模块
KR100788557B1 (ko) * 2007-01-03 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 광흡수층을 갖는 액정 표시 장치용 연성 회로 기판
JP4660507B2 (ja) * 2007-01-03 2011-03-30 三星モバイルディスプレイ株式會社 フレキシブル回路基板及びこれを有する液晶表示装置
KR100788556B1 (ko) * 2007-01-03 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 광흡수층을 갖는 액정 표시 장치용 연성 회로 기판
JP2008186802A (ja) * 2007-01-04 2008-08-14 Toshiba Corp バックライト装置、液晶表示装置
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US7800304B2 (en) * 2007-01-12 2010-09-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-chip packaged LED light source
TWI325186B (en) * 2007-01-19 2010-05-21 Harvatek Corp Led chip package structure using ceramic material as a substrate
US7834367B2 (en) 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
CN101250408B (zh) * 2007-01-22 2011-03-23 罗维鸿 暖白色发光二极管及其带橙黄辐射的荧光粉
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US7781783B2 (en) * 2007-02-07 2010-08-24 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. White light LED device
US7709853B2 (en) 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US20080192458A1 (en) * 2007-02-12 2008-08-14 Intematix Corporation Light emitting diode lighting system
US9061450B2 (en) * 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
CN101657671B (zh) * 2007-02-22 2012-07-11 科锐公司 照明装置、照明方法、滤光器和滤光方法
DE102007009820A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Anordnung und optisches Verfahren
US20080218998A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-11 Quest William J Device having multiple light sources and methods of use
TWI390748B (zh) * 2007-03-09 2013-03-21 Light energy of the battery efficiency film
KR100818518B1 (ko) * 2007-03-14 2008-03-31 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US8408773B2 (en) 2007-03-19 2013-04-02 Innotec Corporation Light for vehicles
US7712933B2 (en) 2007-03-19 2010-05-11 Interlum, Llc Light for vehicles
GB2460802B (en) * 2007-03-20 2012-09-05 Prysm Inc Delivering and displaying advertisment or other application data to display systems
US7687816B2 (en) * 2007-03-20 2010-03-30 International Business Machines Corporation Light emitting diode
TWI338957B (en) 2007-03-23 2011-03-11 Lite On Technology Corp Light-emitting device with open-loop control and manufacturing method thereof
KR100848872B1 (ko) * 2007-03-29 2008-07-29 서울반도체 주식회사 Ｒｇｂ를 이용한 발광장치
TWI378138B (en) * 2007-04-02 2012-12-01 Univ Nat Chiao Tung Green-emitting phosphors and process for producing the same
DE102008017039A1 (de) 2007-04-05 2008-10-09 Koito Manufacturing Co., Ltd. Leuchtstoff
US8169454B1 (en) 2007-04-06 2012-05-01 Prysm, Inc. Patterning a surface using pre-objective and post-objective raster scanning systems
US7697183B2 (en) 2007-04-06 2010-04-13 Prysm, Inc. Post-objective scanning beam systems
US7964888B2 (en) 2007-04-18 2011-06-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device packages and methods
WO2008134056A1 (en) * 2007-04-26 2008-11-06 Deak-Lam Inc. Photon energy coversion structure
WO2008135072A1 (de) * 2007-05-04 2008-11-13 Noctron Soparfi S.A. Beleuchtungsvorrichtung sowie flüssigkristall-bildschirm mit einer solchen beleuchtungsvorrichtung
US7910944B2 (en) 2007-05-04 2011-03-22 Cree, Inc. Side mountable semiconductor light emitting device packages and panels
DE102007026795A1 (de) * 2007-05-04 2008-11-06 Noctron Holding S.A. Beleuchtungsvorrichtung sowie Flüssigkristall-Bildschirm mit einer solchen Beleuchtungsvorrichtung
DE102007025573A1 (de) * 2007-05-31 2008-12-04 Noctron Holding S.A. Flüssigkristall-Anzeigefeld
BRPI0811561A2 (pt) * 2007-05-08 2015-06-16 Cree Led Lighting Solutions Dispositivo de iluminação e método de iluminação
JP2010527156A (ja) 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
TWI422785B (zh) 2007-05-08 2014-01-11 克里公司 照明裝置及照明方法
CN101711325B (zh) * 2007-05-08 2013-07-10 科锐公司 照明装置和照明方法
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
CN101688644B (zh) 2007-05-08 2011-06-15 科锐Led照明科技公司 照明装置及照明方法
TWI349694B (en) * 2007-05-14 2011-10-01 Univ Nat Chiao Tung A novel phosphor for white light-emitting diodes and fabrication of the same
RU2442197C2 (ru) 2007-05-17 2012-02-10 Призм, Инк. Многослойные экраны со светоизлучающими полосками для систем отображения со сканирующим лучом
EP2158429A2 (en) * 2007-05-29 2010-03-03 Oree, Advanced Illumination Solutions INC. Method and device for providing circumferential illumination
KR100886785B1 (ko) * 2007-06-04 2009-03-04 박기운 발광 장치 및 그 제조방법 및 백색계 발광 다이오드
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US7942556B2 (en) * 2007-06-18 2011-05-17 Xicato, Inc. Solid state illumination device
CA2635155C (en) * 2007-06-18 2015-11-24 Institut National D'optique Method for detecting objects with visible light
US8767215B2 (en) 2007-06-18 2014-07-01 Leddartech Inc. Method for detecting objects with light
DE102007028120A1 (de) 2007-06-19 2008-12-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Chlorosilikat-Leuchtstoffs und damit hergestellter Leuchtstoff
JP4925119B2 (ja) * 2007-06-21 2012-04-25 シャープ株式会社 酸化物蛍光体および発光装置
US7878657B2 (en) 2007-06-27 2011-02-01 Prysm, Inc. Servo feedback control based on invisible scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US8556430B2 (en) 2007-06-27 2013-10-15 Prysm, Inc. Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
TWI365546B (en) * 2007-06-29 2012-06-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode device and fabrication method thereof
EP2175006B1 (en) 2007-07-09 2013-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Group of phosphor particles, and light-emitting device using the same
US7852523B2 (en) * 2007-07-11 2010-12-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Scanner module and image scanning apparatus employing the same
KR101279034B1 (ko) * 2007-07-11 2013-07-02 삼성전자주식회사 스캐너 모듈 및 이를 채용한 화상독취장치
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US7924478B2 (en) * 2007-07-11 2011-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Scanner module and image scanning apparatus employing the same
EP2015614B1 (en) 2007-07-12 2010-12-15 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting device
TWI429731B (zh) * 2007-07-16 2014-03-11 路明納森公司 由４價錳離子活化之發紅光錯合氟化磷光體
CN101743488B (zh) 2007-07-17 2014-02-26 科锐公司 具有内部光学特性结构的光学元件及其制造方法
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
TWI384052B (zh) * 2007-07-25 2013-02-01 Univ Nat Chiao Tung 新穎螢光體與其製造方法
TWI363085B (en) 2007-07-26 2012-05-01 Univ Nat Chiao Tung A novel phosphor and fabrication of the same
DE102007036226A1 (de) * 2007-08-02 2009-02-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Anbringungsstruktur für LEDs, LED-Baugruppe, LED-Baugruppensockel, Verfahren zum Ausbilden einer Anbringungsstruktur
US8098375B2 (en) 2007-08-06 2012-01-17 Lumencor, Inc. Light emitting diode illumination system
US7863635B2 (en) * 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
US7652301B2 (en) * 2007-08-16 2010-01-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Optical element coupled to low profile side emitting LED
RU2467051C2 (ru) 2007-08-22 2012-11-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Люминофоры на основе нестехиометрических тетрагональных силикатов меди и щелочноземельного металла и способ их получения
WO2009028869A2 (en) * 2007-08-27 2009-03-05 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and lighting apparatus using the same
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
US7791093B2 (en) * 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
US8866185B2 (en) * 2007-09-06 2014-10-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. White light LED with multiple encapsulation layers
US7851990B2 (en) * 2007-09-06 2010-12-14 He Shan Lide Electronic Enterprise Company Ltd. Method for generating low color temperature light and light emitting device adopting the same
US8018315B2 (en) 2007-09-10 2011-09-13 Enpirion, Inc. Power converter employing a micromagnetic device
US7955868B2 (en) 2007-09-10 2011-06-07 Enpirion, Inc. Method of forming a micromagnetic device
US8133529B2 (en) 2007-09-10 2012-03-13 Enpirion, Inc. Method of forming a micromagnetic device
US7920042B2 (en) 2007-09-10 2011-04-05 Enpirion, Inc. Micromagnetic device and method of forming the same
DE102007049005A1 (de) * 2007-09-11 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
DE202007019100U1 (de) 2007-09-12 2010-09-02 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED-Modul, LED-Leuchtmittel und LED-Leuchte für die energieeffiziente Wiedergabe von weißem Licht
US8519437B2 (en) 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
DE102007053286B4 (de) * 2007-09-20 2025-03-27 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP5075552B2 (ja) * 2007-09-25 2012-11-21 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いたｌｅｄランプ
JP2009081379A (ja) 2007-09-27 2009-04-16 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
KR100891020B1 (ko) * 2007-09-28 2009-03-31 한국과학기술원 새로운 조성의 황색 발광 Ｃｅ3+부활 칼슘 실리케이트 황색형광체 및 그 제조방법
US20090117672A1 (en) 2007-10-01 2009-05-07 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of fabrication thereof
US8883528B2 (en) * 2007-10-01 2014-11-11 Intematix Corporation Methods of producing light emitting device with phosphor wavelength conversion
US11317495B2 (en) 2007-10-06 2022-04-26 Lynk Labs, Inc. LED circuits and assemblies
US11297705B2 (en) 2007-10-06 2022-04-05 Lynk Labs, Inc. Multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and methods of using same
TWI481068B (zh) * 2007-10-10 2015-04-11 克里公司 照明裝置及其製造方法
US9012937B2 (en) * 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
CN100546058C (zh) * 2007-10-15 2009-09-30 佛山市国星光电股份有限公司 功率发光二极管封装结构
US9086213B2 (en) 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
US7915627B2 (en) * 2007-10-17 2011-03-29 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US7984999B2 (en) * 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
KR101294849B1 (ko) * 2007-10-23 2013-08-08 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8018139B2 (en) * 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
US8119028B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
TWI334047B (en) * 2007-11-22 2010-12-01 Au Optronics Corp Liquid crystal display
DE102007056562A1 (de) 2007-11-23 2009-05-28 Oerlikon Textile Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur optischen Detektion von Verunreinigungen in längsbewegtem Garn
JP2009130301A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Sharp Corp 発光素子および発光素子の製造方法
JP5558665B2 (ja) * 2007-11-27 2014-07-23 パナソニック株式会社 発光装置
KR100998233B1 (ko) 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지
CN101453804B (zh) * 2007-12-05 2010-04-07 亿镫光电科技股份有限公司 白光发光装置
TWI336015B (en) * 2007-12-06 2011-01-11 Au Optronics Corp Liquid crystal display
WO2009072539A1 (ja) 2007-12-07 2009-06-11 Kabushiki Kaisha Toshiba 蛍光体およびそれを用いたｌｅｄ発光装置
EP2232592B1 (en) 2007-12-12 2013-07-17 Innotec Corporation Method for overmolding a circuit board
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8182128B2 (en) 2007-12-19 2012-05-22 Oree, Inc. Planar white illumination apparatus
US20090159915A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Shaul Branchevsky Led insert module and multi-layer lens
US7907804B2 (en) 2007-12-19 2011-03-15 Oree, Inc. Elimination of stitch artifacts in a planar illumination area
US8118447B2 (en) 2007-12-20 2012-02-21 Altair Engineering, Inc. LED lighting apparatus with swivel connection
JP5003464B2 (ja) * 2007-12-21 2012-08-15 三菱電機株式会社 光伝送モジュール
JP2009153712A (ja) 2007-12-26 2009-07-16 Olympus Corp 光源装置およびそれを備えた内視鏡装置
US7815339B2 (en) 2008-01-09 2010-10-19 Innotec Corporation Light module
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
CN101482247A (zh) * 2008-01-11 2009-07-15 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 照明装置
US8058088B2 (en) 2008-01-15 2011-11-15 Cree, Inc. Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
US8940561B2 (en) * 2008-01-15 2015-01-27 Cree, Inc. Systems and methods for application of optical materials to optical elements
US20090309114A1 (en) * 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
US8337029B2 (en) * 2008-01-17 2012-12-25 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US20090185113A1 (en) * 2008-01-22 2009-07-23 Industrial Technology Research Institute Color Filter Module and Device of Having the Same
CN101493216B (zh) * 2008-01-24 2011-11-09 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管光源模组
US9151884B2 (en) * 2008-02-01 2015-10-06 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source with active chromphore
CN101939849A (zh) 2008-02-08 2011-01-05 伊鲁米特克有限公司 用于发射器层成形的系统和方法
KR101245005B1 (ko) 2008-02-18 2013-03-18 가부시키가이샤 고이토 세이사꾸쇼 백색 발광 장치 및 이것을 이용한 차량용 등기구
EP2247891B1 (en) * 2008-02-21 2019-06-05 Signify Holding B.V. Gls-alike led light source
WO2009105581A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Nitto Denko Corporation Light emitting device with translucent ceramic plate
CN101514801A (zh) * 2008-02-22 2009-08-26 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 照明装置
US8163203B2 (en) 2008-02-27 2012-04-24 The Regents Of The University Of California Yellow emitting phosphors based on Ce3+-doped aluminate and via solid solution for solid-state lighting applications
JP2009206459A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Sharp Corp 色変換部材およびそれを用いた発光装置
WO2009109974A2 (en) 2008-03-05 2009-09-11 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
TWI521266B (zh) * 2008-04-03 2016-02-11 友達光電股份有限公司 液晶顯示器
US9525148B2 (en) 2008-04-03 2016-12-20 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
CN105870345B (zh) 2008-04-03 2019-01-01 三星研究美国股份有限公司 包括量子点的发光器件
US8692532B2 (en) 2008-04-16 2014-04-08 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US8541991B2 (en) 2008-04-16 2013-09-24 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US8686698B2 (en) 2008-04-16 2014-04-01 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US9246390B2 (en) 2008-04-16 2016-01-26 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
WO2009130636A1 (en) * 2008-04-23 2009-10-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. A luminous device
DE102009018603B9 (de) 2008-04-25 2021-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
US20090268461A1 (en) * 2008-04-28 2009-10-29 Deak David G Photon energy conversion structure
DE102008021438A1 (de) 2008-04-29 2009-12-31 Schott Ag Konversionsmaterial insbesondere für eine, eine Halbleiterlichtquelle umfassende weiße oder farbige Lichtquelle, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dieses Konversionsmaterial umfassende Lichtquelle
DE102008021658A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung mit Volumenstrukturierung
DE202008005987U1 (de) * 2008-04-30 2009-09-03 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht
US9287469B2 (en) 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
JP2011524064A (ja) 2008-05-06 2011-08-25 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
DE102008022888A1 (de) * 2008-05-08 2009-11-19 Lok-F Gmbh Leuchtvorrichtung
TWI362769B (en) 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
JP2009277887A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光装置
WO2009141960A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device as well as light source device and lighting system including the same
US8242525B2 (en) * 2008-05-20 2012-08-14 Lightscape Materials, Inc. Silicate-based phosphors and LED lighting devices using the same
US8360599B2 (en) 2008-05-23 2013-01-29 Ilumisys, Inc. Electric shock resistant L.E.D. based light
US8461613B2 (en) 2008-05-27 2013-06-11 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
DE102008025318A1 (de) * 2008-05-27 2009-12-10 Setrinx S.A.R.L. Leuchtchip und Leuchtvorrichtung mit einem solchen
US7868340B2 (en) 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
US20090301388A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Soraa Inc. Capsule for high pressure processing and method of use for supercritical fluids
US8097081B2 (en) 2008-06-05 2012-01-17 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US8871024B2 (en) * 2008-06-05 2014-10-28 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US9157167B1 (en) 2008-06-05 2015-10-13 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US7906766B2 (en) * 2008-06-16 2011-03-15 Northrop Grumman Systems Corporation Systems and methods for simulating a vehicle exhaust plume
US20090321758A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Wen-Huang Liu Led with improved external light extraction efficiency
KR101448153B1 (ko) * 2008-06-25 2014-10-08 삼성전자주식회사 발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 멀티칩 패키지 방식의발광 다이오드 소자
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
WO2009158491A2 (en) * 2008-06-25 2009-12-30 Cardullo Mario W Uv generated visible light source
US20090320745A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Soraa, Inc. Heater device and method for high pressure processing of crystalline materials
US9404197B2 (en) 2008-07-07 2016-08-02 Soraa, Inc. Large area, low-defect gallium-containing nitride crystals, method of making, and method of use
WO2010005914A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-14 Soraa, Inc. High quality large area bulk non-polar or semipolar gallium based substrates and methods
WO2011044554A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Soraa, Inc. Method for synthesis of high quality large area bulk gallium based crystals
US8297786B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8301002B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
JP2010027704A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Stanley Electric Co Ltd 蛍光体セラミック板を用いた発光装置の製造方法
TW201005075A (en) * 2008-07-24 2010-02-01 Univ Nat Chiao Tung White-emitting phosphors and lighting apparatus thereof
US7869112B2 (en) * 2008-07-25 2011-01-11 Prysm, Inc. Beam scanning based on two-dimensional polygon scanner for display and other applications
US7946729B2 (en) 2008-07-31 2011-05-24 Altair Engineering, Inc. Fluorescent tube replacement having longitudinally oriented LEDs
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8979999B2 (en) * 2008-08-07 2015-03-17 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8430958B2 (en) * 2008-08-07 2013-04-30 Soraa, Inc. Apparatus and method for seed crystal utilization in large-scale manufacturing of gallium nitride
US20100033077A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 Glory Science Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
DE102008038249A1 (de) * 2008-08-18 2010-02-25 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung alpha-Sialon-Leuchtstoff
CN101577301B (zh) * 2008-09-05 2011-12-21 佛山市国星光电股份有限公司 白光led的封装方法及使用该方法制作的led器件
US20120181919A1 (en) * 2008-08-27 2012-07-19 Osram Sylvania Inc. Luminescent Ceramic Composite Converter and Method of Making the Same
US8164710B2 (en) * 2008-09-04 2012-04-24 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight assembly and liquid crystal display apparatus having the same
US20100060198A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Lite-On It Corporation LED Lamp and Method for Producing a LED Lamp
US20100058837A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Quest William J Device having multiple light sources and methods of use
US8143769B2 (en) * 2008-09-08 2012-03-27 Intematix Corporation Light emitting diode (LED) lighting device
GB0816557D0 (en) 2008-09-10 2008-10-15 Merck Patent Gmbh Electro-optical switching element and electro-optical display
EP2163593A1 (en) 2008-09-15 2010-03-17 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Production of nitride-based phosphors
US8256924B2 (en) 2008-09-15 2012-09-04 Ilumisys, Inc. LED-based light having rapidly oscillating LEDs
US8342712B2 (en) 2008-09-30 2013-01-01 Disney Enterprises, Inc. Kinetic flame device
US8339802B2 (en) 2008-10-02 2012-12-25 Enpirion, Inc. Module having a stacked magnetic device and semiconductor device and method of forming the same
US9054086B2 (en) 2008-10-02 2015-06-09 Enpirion, Inc. Module having a stacked passive element and method of forming the same
US8266793B2 (en) 2008-10-02 2012-09-18 Enpirion, Inc. Module having a stacked magnetic device and semiconductor device and method of forming the same
US8153473B2 (en) 2008-10-02 2012-04-10 Empirion, Inc. Module having a stacked passive element and method of forming the same
DE102008051256B4 (de) * 2008-10-10 2018-05-24 Ivoclar Vivadent Ag Halbleiter-Strahlungsquelle
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US20100098377A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Noam Meir Light confinement using diffusers
CN102187478B (zh) 2008-10-17 2013-06-05 株式会社小糸制作所 发光模块、发光模块的制造方法及灯具单元
US7938562B2 (en) 2008-10-24 2011-05-10 Altair Engineering, Inc. Lighting including integral communication apparatus
US8214084B2 (en) 2008-10-24 2012-07-03 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting with building controls
US8444292B2 (en) 2008-10-24 2013-05-21 Ilumisys, Inc. End cap substitute for LED-based tube replacement light
US8901823B2 (en) 2008-10-24 2014-12-02 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
US8324817B2 (en) 2008-10-24 2012-12-04 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
US8653984B2 (en) 2008-10-24 2014-02-18 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting control with emergency notification systems
US8022631B2 (en) * 2008-11-03 2011-09-20 General Electric Company Color control of light sources employing phosphors
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
JP4868427B2 (ja) * 2008-11-13 2012-02-01 国立大学法人名古屋大学 半導体発光装置
JP2010116522A (ja) * 2008-11-14 2010-05-27 Mitsubishi Plastics Inc 蓄光フィルム及び発光装置
TWI384591B (zh) * 2008-11-17 2013-02-01 億光電子工業股份有限公司 發光二極體電路板
US8853712B2 (en) 2008-11-18 2014-10-07 Cree, Inc. High efficacy semiconductor light emitting devices employing remote phosphor configurations
US8004172B2 (en) * 2008-11-18 2011-08-23 Cree, Inc. Semiconductor light emitting apparatus including elongated hollow wavelength conversion tubes and methods of assembling same
US9052416B2 (en) 2008-11-18 2015-06-09 Cree, Inc. Ultra-high efficacy semiconductor light emitting devices
US8220971B2 (en) 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
US8456082B2 (en) 2008-12-01 2013-06-04 Ifire Ip Corporation Surface-emission light source with uniform illumination
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8878230B2 (en) * 2010-03-11 2014-11-04 Soraa, Inc. Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture
US20100147210A1 (en) * 2008-12-12 2010-06-17 Soraa, Inc. high pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US9589792B2 (en) 2012-11-26 2017-03-07 Soraa, Inc. High quality group-III metal nitride crystals, methods of making, and methods of use
US9543392B1 (en) 2008-12-12 2017-01-10 Soraa, Inc. Transparent group III metal nitride and method of manufacture
US8987156B2 (en) 2008-12-12 2015-03-24 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
USRE47114E1 (en) 2008-12-12 2018-11-06 Slt Technologies, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US7834372B2 (en) * 2008-12-16 2010-11-16 Jinhui Zhai High luminous flux warm white solid state lighting device
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
JP2010171379A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
KR101493708B1 (ko) * 2008-12-26 2015-02-16 삼성전자주식회사 백색 발광 장치
US8698463B2 (en) 2008-12-29 2014-04-15 Enpirion, Inc. Power converter with a dynamically configurable controller based on a power conversion mode
US9548714B2 (en) 2008-12-29 2017-01-17 Altera Corporation Power converter with a dynamically configurable controller and output filter
US8390193B2 (en) 2008-12-31 2013-03-05 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US8556452B2 (en) 2009-01-15 2013-10-15 Ilumisys, Inc. LED lens
US8362710B2 (en) 2009-01-21 2013-01-29 Ilumisys, Inc. Direct AC-to-DC converter for passive component minimization and universal operation of LED arrays
US8664880B2 (en) 2009-01-21 2014-03-04 Ilumisys, Inc. Ballast/line detection circuit for fluorescent replacement lamps
US20100181582A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
US8242462B2 (en) 2009-01-23 2012-08-14 Lumencor, Inc. Lighting design of high quality biomedical devices
TWI449996B (zh) * 2009-01-23 2014-08-21 Au Optronics Corp 高色彩飽合度之顯示裝置及其使用之色彩調整方法
JP2010171342A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Sony Corp 色変換部材およびその製造方法、発光装置、表示装置
US20110100291A1 (en) * 2009-01-29 2011-05-05 Soraa, Inc. Plant and method for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
JP2010177620A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Showa Denko Kk 発光装置の製造方法
US20100195307A1 (en) * 2009-02-04 2010-08-05 Klaus Bollmann Phosphor Composite Coated Diffuser device and method
US20100208470A1 (en) * 2009-02-10 2010-08-19 Yosi Shani Overlapping illumination surfaces with reduced linear artifacts
KR101077264B1 (ko) * 2009-02-17 2011-10-27 (주)포인트엔지니어링 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법
US8137587B2 (en) 2009-02-19 2012-03-20 Nitto Denko Corporation Method of manufacturing phosphor translucent ceramics and light emitting devices
US8123981B2 (en) * 2009-02-19 2012-02-28 Nitto Denko Corporation Method of fabricating translucent phosphor ceramics
WO2010097731A1 (en) * 2009-02-25 2010-09-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Uv-emitting discharge lamp
WO2010101272A1 (ja) 2009-03-03 2010-09-10 宇部興産株式会社 発光素子形成用複合基板、発光ダイオード素子及びその製造方法
US8541931B2 (en) * 2009-03-17 2013-09-24 Intematix Corporation LED based lamp including reflective hood to reduce variation in illuminance
TWM374153U (en) * 2009-03-19 2010-02-11 Intematix Technology Ct Corp Light emitting device applied to AC drive
TWI405838B (zh) * 2009-03-27 2013-08-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 紅光螢光材料及其製造方法、及白光發光裝置
US8624527B1 (en) 2009-03-27 2014-01-07 Oree, Inc. Independently controllable illumination device
KR100984126B1 (ko) * 2009-03-30 2010-09-28 서울대학교산학협력단 발광소자 코팅 방법, 광커플러 및 광커플러 제조 방법
TW201037059A (en) * 2009-04-01 2010-10-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Red light fluorescent material and manufacturing method thereof, and white light luminescent device
WO2010116953A1 (ja) * 2009-04-06 2010-10-14 シャープ株式会社 蛍光体粒子群およびそれを用いた発光装置、液晶テレビ
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US8384097B2 (en) 2009-04-08 2013-02-26 Ledengin, Inc. Package for multiple light emitting diodes
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
KR20120008060A (ko) * 2009-04-21 2012-01-25 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 인광체를 갖는 조명 장치
KR101004713B1 (ko) * 2009-04-22 2011-01-04 주식회사 에피밸리 디스플레이의 디밍 제어방법
US8192048B2 (en) * 2009-04-22 2012-06-05 3M Innovative Properties Company Lighting assemblies and systems
KR101753740B1 (ko) 2009-04-28 2017-07-04 삼성전자주식회사 광학 재료, 광학 부품 및 방법
DE102009020569B4 (de) 2009-05-08 2019-02-21 Schott Ag Leuchtstoffe auf Basis Eu2+-(co-) dotierter Yttrium-Aluminium-Granat-Kristalle und deren Verwendung
WO2010132517A2 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 David Gershaw Led retrofit for miniature bulbs
US8328406B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Oree, Inc. Low-profile illumination device
US8330381B2 (en) 2009-05-14 2012-12-11 Ilumisys, Inc. Electronic circuit for DC conversion of fluorescent lighting ballast
US8227276B2 (en) * 2009-05-19 2012-07-24 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8227269B2 (en) * 2009-05-19 2012-07-24 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8597963B2 (en) * 2009-05-19 2013-12-03 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8440500B2 (en) * 2009-05-20 2013-05-14 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
US9800017B1 (en) 2009-05-29 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Laser device and method for a vehicle
US8509275B1 (en) 2009-05-29 2013-08-13 Soraa, Inc. Gallium nitride based laser dazzling device and method
US9250044B1 (en) 2009-05-29 2016-02-02 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use
WO2010141235A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Nitto Denko Corporation Light-emitting divice comprising a dome-shaped ceramic phosphor
KR101800345B1 (ko) * 2009-06-01 2017-11-22 닛토덴코 가부시키가이샤 발광 세라믹 및 이를 이용한 발광 디바이스
US8299695B2 (en) 2009-06-02 2012-10-30 Ilumisys, Inc. Screw-in LED bulb comprising a base having outwardly projecting nodes
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
JP2012530383A (ja) 2009-06-16 2012-11-29 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア オキシフッ化物蛍光体および固体照明用途のためのオキシフッ化物蛍光体を含む白色発光ダイオード
US8651692B2 (en) * 2009-06-18 2014-02-18 Intematix Corporation LED based lamp and light emitting signage
US8426871B2 (en) * 2009-06-19 2013-04-23 Honeywell International Inc. Phosphor converting IR LEDs
WO2011005579A2 (en) 2009-06-23 2011-01-13 Altair Engineering, Inc. Illumination device including leds and a switching power control system
DE102009030205A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
US8727597B2 (en) 2009-06-24 2014-05-20 Oree, Inc. Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same
KR101055762B1 (ko) * 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
WO2010151600A1 (en) 2009-06-27 2010-12-29 Michael Tischler High efficiency leds and led lamps
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
CN102473803B (zh) 2009-07-28 2014-09-10 A·V·维什尼科夫 用于固体白光源的无机发光材料
DE102009035100A1 (de) * 2009-07-29 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode und Konversionselement für eine Leuchtdiode
JP5444919B2 (ja) * 2009-07-29 2014-03-19 ソニー株式会社 照明装置、及び液晶表示装置
JP2009260390A (ja) * 2009-08-05 2009-11-05 Osram-Melco Ltd 可変色発光ダイオード素子
KR101172143B1 (ko) * 2009-08-10 2012-08-07 엘지이노텍 주식회사 백색 발광다이오드 소자용 시온계 산화질화물 형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 ｌｅｄ 소자
DE102009037186A1 (de) 2009-08-12 2011-02-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil
US8197105B2 (en) * 2009-08-13 2012-06-12 Intematix Corporation LED-based lamps
KR20120062773A (ko) 2009-08-14 2012-06-14 큐디 비젼, 인크. 조명 장치, 조명 장치용 광학 요소, 및 방법
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
JP5406638B2 (ja) * 2009-08-31 2014-02-05 カシオ計算機株式会社 光源装置及びプロジェクタ
JP5406639B2 (ja) * 2009-08-31 2014-02-05 カシオ計算機株式会社 光源装置及びプロジェクタ
US9909058B2 (en) * 2009-09-02 2018-03-06 Lg Innotek Co., Ltd. Phosphor, phosphor manufacturing method, and white light emitting device
KR101163902B1 (ko) 2010-08-10 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
USD608938S1 (en) 2009-09-03 2010-01-26 Osram Sylvania Inc. Lamp base with translucent light guide
TWI385782B (zh) * 2009-09-10 2013-02-11 隆達電子股份有限公司 白光發光元件
EP2480816A1 (en) 2009-09-25 2012-08-01 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
US7977641B2 (en) * 2009-09-29 2011-07-12 General Electric Company Scintillator, associated detecting device and method
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
DE102009049056A1 (de) 2009-10-12 2011-04-14 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Beschichtung eines Silikat-Leuchtstoffs
TWI403005B (zh) * 2009-10-12 2013-07-21 英特明光能股份有限公司 發光二極體及其製作方法
US8089086B2 (en) * 2009-10-19 2012-01-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source
US20110090669A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 Tsung-Ting Sun Led lighting device and light source module for the same
US8440104B2 (en) * 2009-10-21 2013-05-14 General Electric Company Kimzeyite garnet phosphors
CN101760197B (zh) * 2009-10-27 2013-08-07 上海祥羚光电科技发展有限公司 一种白光led用黄色荧光粉及其制备方法
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
CN102597161A (zh) 2009-10-30 2012-07-18 加利福尼亚大学董事会 用于固态白光照明应用的基于氧氟化物的固溶体磷光体和包括所述磷光体的白光发光二极管
KR101924080B1 (ko) 2009-11-11 2018-11-30 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 양자점을 포함하는 디바이스
KR101020998B1 (ko) * 2009-11-12 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
JP4888853B2 (ja) * 2009-11-12 2012-02-29 学校法人慶應義塾 液晶表示装置の視認性改善方法、及びそれを用いた液晶表示装置
TWI531088B (zh) * 2009-11-13 2016-04-21 首爾偉傲世有限公司 具有分散式布拉格反射器的發光二極體晶片
US8963178B2 (en) * 2009-11-13 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
US8779685B2 (en) 2009-11-19 2014-07-15 Intematix Corporation High CRI white light emitting devices and drive circuitry
CN102667312B (zh) * 2009-12-08 2014-10-15 夏普株式会社 照明装置、显示装置以及电视接收装置
JP5565793B2 (ja) * 2009-12-08 2014-08-06 学校法人立命館 深紫外発光素子及びその製造方法
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
JP5707697B2 (ja) 2009-12-17 2015-04-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
CN101847680A (zh) * 2009-12-21 2010-09-29 深圳市成光兴实业发展有限公司 采用丝网印刷工艺的白光led荧光粉膜层及制作方法
KR101646255B1 (ko) * 2009-12-22 2016-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
KR20110076447A (ko) * 2009-12-29 2011-07-06 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
CN101760196B (zh) * 2009-12-29 2012-11-21 四川大学 一种白光led用黄色荧光粉的合成方法
CN101797698B (zh) * 2009-12-30 2012-01-18 马勒三环气门驱动(湖北)有限公司 气门轴向尺寸的控制方法
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
US8384121B2 (en) 2010-06-29 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. Electronic devices with yielding substrates
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
CN102656248B (zh) 2010-01-08 2014-07-16 夏普株式会社 荧光体、发光装置及使用它的液晶显示装置
US9631782B2 (en) * 2010-02-04 2017-04-25 Xicato, Inc. LED-based rectangular illumination device
WO2011097137A1 (en) 2010-02-04 2011-08-11 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same
US20120305973A1 (en) * 2010-02-08 2012-12-06 Yoshihiko Chosa Light-emitting device and surface light source device using the same
KR20110094996A (ko) * 2010-02-18 2011-08-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 그 제조방법 및 조명시스템
WO2011105666A1 (ko) * 2010-02-24 2011-09-01 Shim Hyun-Seop 엘이디 색변환용 유브이 코팅 조성물
GB2478287A (en) 2010-03-01 2011-09-07 Merck Patent Gmbh Electro-optical switching element and electro-optical display
US8716038B2 (en) 2010-03-02 2014-05-06 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpiece processing systems and associated methods of color correction
US8562161B2 (en) 2010-03-03 2013-10-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
JP5769290B2 (ja) * 2010-03-03 2015-08-26 国立研究開発法人産業技術総合研究所 照明装置
US8632196B2 (en) 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
US20110220920A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Brian Thomas Collins Methods of forming warm white light emitting devices having high color rendering index values and related light emitting devices
KR101857772B1 (ko) * 2010-03-16 2018-06-28 필립스 라이팅 홀딩 비.브이. 조명 장치
WO2011115820A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Nitto Denko Corporation Garnet-based phosphor ceramic sheets for light emitting device
US8324798B2 (en) * 2010-03-19 2012-12-04 Nitto Denko Corporation Light emitting device using orange-red phosphor with co-dopants
KR101666442B1 (ko) * 2010-03-25 2016-10-17 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
EP2553332B1 (en) 2010-03-26 2016-03-23 iLumisys, Inc. Inside-out led bulb
WO2011119907A2 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Altair Engineering, Inc. Led light tube with dual sided light distribution
US8541958B2 (en) 2010-03-26 2013-09-24 Ilumisys, Inc. LED light with thermoelectric generator
EP2555261A1 (en) * 2010-03-30 2013-02-06 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device
CN102844404A (zh) 2010-03-31 2012-12-26 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 磷光体和含有它的leds
EP2554627B1 (en) 2010-03-31 2018-01-10 Ube Industries, Ltd. Ceramic composites for light conversion, process for production thereof, and light-emitting devices provided with same
US8322884B2 (en) 2010-03-31 2012-12-04 Abl Ip Holding Llc Solid state lighting with selective matching of index of refraction
US9080729B2 (en) 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US8395312B2 (en) * 2010-04-19 2013-03-12 Bridgelux, Inc. Phosphor converted light source having an additional LED to provide long wavelength light
TWI394827B (zh) * 2010-04-20 2013-05-01 China Glaze Co Ltd 螢光材料與白光發光裝置
TWI374179B (en) * 2010-05-07 2012-10-11 Chi Mei Corp Fluorescent substance and light-emitting device
JP4809508B1 (ja) 2010-05-14 2011-11-09 パナソニック株式会社 Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄランプおよび照明装置
JP2011242536A (ja) * 2010-05-17 2011-12-01 Canon Inc 表示装置
KR20130083388A (ko) * 2010-05-20 2013-07-22 다리엔 루밍라이트 컴퍼니 리미티드 벗겨지는 광변환 발광필름
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
US8596821B2 (en) 2010-06-08 2013-12-03 Cree, Inc. LED light bulbs
JP5323131B2 (ja) 2010-06-09 2013-10-23 信越化学工業株式会社 蛍光粒子及び発光ダイオード並びにこれらを用いた照明装置及び液晶パネル用バックライト装置
CN102277164B (zh) * 2010-06-10 2013-11-06 奇美实业股份有限公司 荧光粉体及发光装置
US8807799B2 (en) 2010-06-11 2014-08-19 Intematix Corporation LED-based lamps
US8888318B2 (en) 2010-06-11 2014-11-18 Intematix Corporation LED spotlight
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
KR101699497B1 (ko) 2010-06-22 2017-01-24 도요보 가부시키가이샤 액정표시장치, 편광판 및 편광자 보호 필름
JP5706962B2 (ja) 2010-06-24 2015-04-22 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 発光ダイオード
US9371973B2 (en) 2010-06-28 2016-06-21 Shenzhen Liown Electronics Company Ltd. Electronic lighting device and method for manufacturing same
JP2012019062A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法
US8454193B2 (en) 2010-07-08 2013-06-04 Ilumisys, Inc. Independent modules for LED fluorescent light tube replacement
US8207663B2 (en) 2010-07-09 2012-06-26 Nitto Denko Corporation Phosphor composition and light emitting device using the same
US8596813B2 (en) 2010-07-12 2013-12-03 Ilumisys, Inc. Circuit board mount for LED light tube
US20130049575A1 (en) * 2010-07-14 2013-02-28 Shunsuke Fujita Phosphor composite member, led device and method for manufacturing phosphor composite member
US8941135B2 (en) 2010-07-15 2015-01-27 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same
DE102010031755A1 (de) * 2010-07-21 2012-02-09 Merck Patent Gmbh Aluminat-Leuchtstoffe
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
CN102339936B (zh) * 2010-07-27 2015-04-29 展晶科技(深圳)有限公司 发光装置封装结构及其制造方法
EP2599133A2 (en) 2010-07-28 2013-06-05 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having distributed bragg reflector
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
CN103201213B (zh) 2010-08-04 2016-04-13 宇部兴产株式会社 硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、利用该粉末的CaAlSiN3磷光体、利用该粉末的Sr2Si5N8磷光体、利用该粉末的(Sr,Ca)AlSiN3磷光体、利用该粉末的La3Si6N11磷光体和该磷光体的制造方法
CN102376860A (zh) 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
US8946998B2 (en) 2010-08-09 2015-02-03 Intematix Corporation LED-based light emitting systems and devices with color compensation
US8852455B2 (en) 2010-08-17 2014-10-07 Intematix Corporation Europium-activated, beta-SiAlON based green phosphors
WO2012024607A2 (en) 2010-08-20 2012-02-23 Research Triangle Institute, International Lighting devices utilizing optical waveguides and remote light converters, and related methods
US9562671B2 (en) 2010-08-20 2017-02-07 Research Triangle Institute Color-tunable lighting devices and methods of use
WO2012024591A1 (en) 2010-08-20 2012-02-23 Research Triangle Institute, International Photoluminescent nanofiber composites, methods for fabrication, and related lighting devices
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
EP2426186B1 (en) 2010-09-03 2016-03-23 Stcube, Inc. Led light converting resin composition and led member using the same
TWI486254B (zh) 2010-09-20 2015-06-01 Nitto Denko Corp 發光陶瓷層板及其製造方法
DE102010041236A1 (de) 2010-09-23 2012-03-29 Osram Ag Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US8354784B2 (en) 2010-09-28 2013-01-15 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
KR20130139938A (ko) 2010-10-05 2013-12-23 인터매틱스 코포레이션 포토루미네센스 파장 변환을 구비한 고체상태 발광 디바이스 및 표지판
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US8604678B2 (en) 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
DE102010042217A1 (de) 2010-10-08 2012-04-12 Osram Ag Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US8729559B2 (en) 2010-10-13 2014-05-20 Soraa, Inc. Method of making bulk InGaN substrates and devices thereon
US8846172B2 (en) 2010-10-18 2014-09-30 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same
US9399733B2 (en) 2010-10-22 2016-07-26 Anatoly Vasilyevich Vishnyakov Luminescent material for solid-state sources of white light
WO2012058556A2 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Altair Engineering, Inc. Mechanisms for reducing risk of shock during installation of light tube
EP2634234B1 (en) * 2010-10-29 2017-12-06 National Institute for Materials Science Light-emitting device
JP5545866B2 (ja) * 2010-11-01 2014-07-09 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
CN102456294A (zh) * 2010-11-02 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 Led显示装置
US8329484B2 (en) * 2010-11-02 2012-12-11 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Phosphor with Ce3+/Ce3+, Li+ doped luminescent materials
DE102010050832A1 (de) * 2010-11-09 2012-05-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzkonversionselement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil mit Lumineszenzkonversionselement
US8651681B2 (en) 2010-11-10 2014-02-18 Osram Sylvania Inc. Luminescent ceramic converter and LED containing same
US20150188002A1 (en) * 2010-11-11 2015-07-02 Auterra, Inc. Light emitting devices having rare earth and transition metal activated phosphors and applications thereof
WO2012066425A2 (en) 2010-11-16 2012-05-24 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same
CN102097571A (zh) * 2010-11-16 2011-06-15 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 一种黄绿光二极管、背光源、手机及照明指示装置
KR20130122937A (ko) 2010-11-18 2013-11-11 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 파장 변환 소자 및 그것을 구비하는 광원
TWI460892B (zh) * 2010-11-19 2014-11-11 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構
KR20120054484A (ko) * 2010-11-19 2012-05-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이의 제조방법
US8343785B2 (en) * 2010-11-30 2013-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Nitridosilicate phosphor tunable light-emitting diodes by using UV and blue chips
TWI418611B (zh) 2010-11-30 2013-12-11 松下電器產業股份有限公司 螢光體及發光裝置
WO2012075018A1 (en) * 2010-12-01 2012-06-07 Nitto Denko Corporation Emissive ceramic materials having a dopant concentration gradient and methods of making and using the same
US20120138874A1 (en) 2010-12-02 2012-06-07 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion and photoluminescent compositions therefor
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
US8870415B2 (en) 2010-12-09 2014-10-28 Ilumisys, Inc. LED fluorescent tube replacement light with reduced shock hazard
KR101471641B1 (ko) 2010-12-16 2014-12-10 우베 고산 가부시키가이샤 광변환용 세라믹 복합체, 그 제조 방법, 및 그것을 구비한 발광 장치
US8867295B2 (en) 2010-12-17 2014-10-21 Enpirion, Inc. Power converter for a memory module
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
WO2012088404A1 (en) 2010-12-23 2012-06-28 Qd Vision, Inc. Quantum dot containing optical element
CN102140690B (zh) * 2010-12-31 2013-05-01 陈哲艮 光致发光晶片及其制备方法和应用
KR101340552B1 (ko) * 2010-12-31 2013-12-11 제일모직주식회사 모바일 폰의 모듈 조립 방법
US8865022B2 (en) 2011-01-06 2014-10-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor particles and making method
US9617469B2 (en) 2011-01-06 2017-04-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor particles, making method, and light-emitting diode
US8354684B2 (en) 2011-01-09 2013-01-15 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in an interconnect structure
JP5445473B2 (ja) 2011-01-14 2014-03-19 信越化学工業株式会社 光学材料形成用シリコーン樹脂組成物及び光学材料
US8389957B2 (en) 2011-01-14 2013-03-05 Lumencor, Inc. System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system
US8466436B2 (en) 2011-01-14 2013-06-18 Lumencor, Inc. System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system
US9508904B2 (en) 2011-01-31 2016-11-29 Cree, Inc. Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
KR101210066B1 (ko) 2011-01-31 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 이를 포함하는 표시장치
US9068701B2 (en) 2012-01-26 2015-06-30 Cree, Inc. Lamp structure with remote LED light source
US9234655B2 (en) 2011-02-07 2016-01-12 Cree, Inc. Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
JP5654378B2 (ja) * 2011-02-18 2015-01-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
US8314566B2 (en) 2011-02-22 2012-11-20 Quarkstar Llc Solid state lamp using light emitting strips
TWI431813B (zh) * 2011-02-24 2014-03-21 新世紀光電股份有限公司 Light emitting diode components
KR101952138B1 (ko) 2011-02-24 2019-02-26 닛토 덴코 가부시키가이샤 형광체 성분을 갖는 발광 복합물
TWM407494U (en) * 2011-02-25 2011-07-11 Unity Opto Technology Co Ltd LED package structure
US20130329448A1 (en) * 2011-03-01 2013-12-12 Osram Gmbh Lighting apparatus with phosphor element
US8278806B1 (en) 2011-03-02 2012-10-02 Osram Sylvania Inc. LED reflector lamp
JP2012182376A (ja) * 2011-03-02 2012-09-20 Stanley Electric Co Ltd 波長変換部材および光源装置
US9085732B2 (en) 2011-03-11 2015-07-21 Intematix Corporation Millisecond decay phosphors for AC LED lighting applications
EP2688114B1 (en) 2011-03-15 2017-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba White light source
US9004705B2 (en) 2011-04-13 2015-04-14 Intematix Corporation LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion
KR101337999B1 (ko) * 2011-04-20 2013-12-06 조성매 단일상 형광체를 포함하는 백색 발광 다이오드
CN102563543B (zh) 2011-05-09 2015-01-07 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 基于光波长转换产生高亮度单色光的方法及光源
WO2013019299A2 (en) 2011-05-11 2013-02-07 Qd Vision, Inc. Method for processing devices including quantum dots and devices
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
CN102305370B (zh) * 2011-05-18 2013-04-17 福建华映显示科技有限公司 背光模块及选取暨配置背光模块的发光组件的方法
JP6180113B2 (ja) * 2011-05-18 2017-08-16 東洋紡株式会社 三次元画像表示対応液晶表示装置に適した偏光板及び液晶表示装置
US10180597B2 (en) * 2011-05-18 2019-01-15 Toyobo Co., Ltd. Liquid crystal display device, polarizing plate, and polarizer protection film
US8860056B2 (en) * 2011-12-01 2014-10-14 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Structure and method for LED with phosphor coating
US8747697B2 (en) * 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
TWI467808B (zh) * 2011-06-27 2015-01-01 Delta Electronics Inc 發光二極體元件、其製作方法以及發光裝置
US8663501B2 (en) 2011-06-29 2014-03-04 General Electric Company Green emitting phosphor
CN103222026A (zh) 2011-07-04 2013-07-24 松下电器产业株式会社 等离子体显示面板
EP2730637B1 (en) 2011-07-05 2017-06-14 Panasonic Corporation Rare-earth aluminum garnet type fluorescent substance and light-emitting device obtained using same
KR101305696B1 (ko) 2011-07-14 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 표시장치 및 광학 부재
US8492185B1 (en) 2011-07-14 2013-07-23 Soraa, Inc. Large area nonpolar or semipolar gallium and nitrogen containing substrate and resulting devices
KR20130009020A (ko) 2011-07-14 2013-01-23 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101893494B1 (ko) 2011-07-18 2018-08-30 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101241549B1 (ko) 2011-07-18 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101262520B1 (ko) 2011-07-18 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101294415B1 (ko) 2011-07-20 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
JP5396439B2 (ja) * 2011-07-22 2014-01-22 学校法人慶應義塾 液晶表示装置の視認性改善方法、及びそれを用いた液晶表示装置
JP5559108B2 (ja) * 2011-08-05 2014-07-23 株式会社東芝 半導体発光装置
WO2013024910A1 (ko) * 2011-08-16 2013-02-21 삼성전자주식회사 색온도 조절이 가능한 ｌｅｄ 장치
WO2013026053A1 (en) 2011-08-18 2013-02-21 Lynk Labs, Inc. Devices and systems having ac led circuits and methods of driving the same
WO2013028965A2 (en) 2011-08-24 2013-02-28 Ilumisys, Inc. Circuit board mount for led light
JP5899485B2 (ja) * 2011-08-29 2016-04-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法
KR101823930B1 (ko) 2011-08-29 2018-01-31 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 어레이 및 발광소자 패키지 제조 방법
CN103299719B (zh) 2011-09-02 2014-10-22 三菱化学株式会社 照明方法和发光装置
WO2013031943A1 (ja) 2011-09-02 2013-03-07 三菱化学株式会社 照明方法及び発光装置
WO2013036062A2 (en) * 2011-09-08 2013-03-14 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module
US8841146B2 (en) 2011-09-12 2014-09-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method and system for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers having controlled color characteristics
US8492746B2 (en) 2011-09-12 2013-07-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) dice having wavelength conversion layers
US8912021B2 (en) 2011-09-12 2014-12-16 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. System and method for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers
US8410508B1 (en) 2011-09-12 2013-04-02 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method
DE102011113802A1 (de) 2011-09-20 2013-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Modul mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
US10688527B2 (en) 2011-09-22 2020-06-23 Delta Electronics, Inc. Phosphor device comprising plural phosphor agents for converting waveband light into plural color lights with different wavelength peaks
US10310363B2 (en) 2011-09-22 2019-06-04 Delta Electronics, Inc. Phosphor device with spectrum of converted light comprising at least a color light
TWI448806B (zh) 2011-09-22 2014-08-11 Delta Electronics Inc 螢光劑裝置及其所適用之光源系統及投影設備
JP5690696B2 (ja) 2011-09-28 2015-03-25 富士フイルム株式会社 平版印刷版の製版方法
US20130088848A1 (en) 2011-10-06 2013-04-11 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
US8992051B2 (en) 2011-10-06 2015-03-31 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
US9365766B2 (en) 2011-10-13 2016-06-14 Intematix Corporation Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion
US9115868B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Intematix Corporation Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion
EP2766936B1 (en) 2011-10-13 2019-09-18 Intematix Corporation Light emitting device with photoluminescence wavelength conversion component
US9694158B2 (en) 2011-10-21 2017-07-04 Ahmad Mohamad Slim Torque for incrementally advancing a catheter during right heart catheterization
US10029955B1 (en) 2011-10-24 2018-07-24 Slt Technologies, Inc. Capsule for high pressure, high temperature processing of materials and methods of use
CN102495495B (zh) 2011-10-28 2015-03-11 友达光电股份有限公司 具可透视性的显示装置及其使用的影像显示方法
KR101251815B1 (ko) * 2011-11-07 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
US8591072B2 (en) 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
WO2013078251A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision, Inc. Stress-resistant component for use with quantum dots
WO2013082609A1 (en) 2011-12-02 2013-06-06 Lynk Labs, Inc. Color temperature controlled and low thd led lighting devices and systems and methods of driving the same
JP5712916B2 (ja) * 2011-12-22 2015-05-07 信越化学工業株式会社 イットリウムセリウムアルミニウムガーネット蛍光体及び発光装置
EP2607449B1 (en) 2011-12-22 2014-04-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of yttrium-cerium-aluminum garnet phosphor
CN103173217B (zh) * 2011-12-23 2017-03-01 李建立 耐温氮化物荧光材料及含有其的发光装置
US8482104B2 (en) 2012-01-09 2013-07-09 Soraa, Inc. Method for growth of indium-containing nitride films
US9642515B2 (en) 2012-01-20 2017-05-09 Lumencor, Inc. Solid state continuous white light source
WO2013112542A1 (en) 2012-01-25 2013-08-01 Intematix Corporation Long decay phosphors for lighting applications
KR20140112534A (ko) 2012-02-08 2014-09-23 파나소닉 주식회사 발광 장치
KR101419664B1 (ko) 2012-02-08 2014-07-15 파나소닉 주식회사 이트륨알루미늄가넷 타입의 형광체
JP5893429B2 (ja) * 2012-02-21 2016-03-23 スタンレー電気株式会社 メタンガスセンサ用蛍光体、メタンガスセンサ用光源及びメタンガスセンサ
DE102012202927B4 (de) 2012-02-27 2021-06-10 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
US9184518B2 (en) 2012-03-02 2015-11-10 Ilumisys, Inc. Electrical connector header for an LED-based light
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
JP2015510954A (ja) 2012-03-06 2015-04-13 日東電工株式会社 発光デバイス用のセラミック体
US9581311B2 (en) * 2012-03-12 2017-02-28 L-3 Communications Corporation Backlight display using photoluminescent material tuned to improve NVIS compatibility
US9068717B2 (en) * 2012-03-12 2015-06-30 L-3 Communications Corporation Backlight display using photoluminescent material tuned to improve NVIS compatibility
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
WO2013146994A1 (ja) 2012-03-30 2013-10-03 宇部興産株式会社 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置
US10559939B1 (en) 2012-04-05 2020-02-11 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US9800016B1 (en) 2012-04-05 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
JP2015121569A (ja) * 2012-04-16 2015-07-02 シャープ株式会社 表示装置
KR102071849B1 (ko) 2012-04-20 2020-01-31 메르크 파텐트 게엠베하 전기-광학 스위칭 소자 및 전기-광학 디스플레이
EP2842176B1 (en) 2012-04-26 2018-11-07 Intematix Corporation Methods and apparatus for implementing color consistency in remote wavelength conversion
US8907809B2 (en) 2012-05-03 2014-12-09 Abl Ip Holding Llc Visual perception and acuity disruption techniques and systems
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
WO2013166601A1 (en) * 2012-05-07 2013-11-14 Radovanovic Pavle Light emitting material and method for production thereof
WO2013172025A1 (ja) 2012-05-16 2013-11-21 パナソニック株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたｌｅｄ素子および半導体レーザ発光装置
WO2013175773A1 (ja) 2012-05-22 2013-11-28 パナソニック株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたｌｅｄ素子および半導体レーザ発光装置
US9685594B2 (en) 2012-05-31 2017-06-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. LED module and method of preparing the LED module, lighting device
JP5304939B1 (ja) * 2012-05-31 2013-10-02 大日本印刷株式会社 光学積層体、偏光板、偏光板の製造方法、画像表示装置、画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の視認性改善方法
US10145026B2 (en) 2012-06-04 2018-12-04 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules
US9231178B2 (en) 2012-06-07 2016-01-05 Cooledge Lighting, Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
JP5789564B2 (ja) * 2012-06-11 2015-10-07 学校法人慶應義塾 液晶表示装置の視認性改善方法、及びそれを用いた液晶表示装置
WO2013188678A1 (en) 2012-06-13 2013-12-19 Innotec, Corp. Flexible light pipe
KR20130140462A (ko) 2012-06-14 2013-12-24 삼성디스플레이 주식회사 포토루미네슨스 표시 장치
US9217561B2 (en) 2012-06-15 2015-12-22 Lumencor, Inc. Solid state light source for photocuring
US9857519B2 (en) 2012-07-03 2018-01-02 Oree Advanced Illumination Solutions Ltd. Planar remote phosphor illumination apparatus
WO2014008463A1 (en) 2012-07-06 2014-01-09 Ilumisys, Inc. Power supply assembly for led-based light tube
US9271367B2 (en) 2012-07-09 2016-02-23 Ilumisys, Inc. System and method for controlling operation of an LED-based light
US8994056B2 (en) 2012-07-13 2015-03-31 Intematix Corporation LED-based large area display
JP2014130998A (ja) * 2012-07-20 2014-07-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、波長変換部材、蛍光体組成物、及び蛍光体混合物
JP2014170895A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Mitsubishi Chemicals Corp 波長変換部材及びこれを用いた発光装置
WO2014014079A1 (ja) * 2012-07-20 2014-01-23 三菱化学株式会社 発光装置、波長変換部材、蛍光体組成物、及び蛍光体混合物
JP2014019860A (ja) 2012-07-24 2014-02-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 蛍光体前駆体の製造方法、蛍光体の製造方法及び波長変換部品
US9275912B1 (en) 2012-08-30 2016-03-01 Soraa, Inc. Method for quantification of extended defects in gallium-containing nitride crystals
WO2014034228A1 (ja) 2012-08-31 2014-03-06 三菱化学株式会社 照明方法及び発光装置
WO2014050183A1 (ja) 2012-09-28 2014-04-03 シャープ株式会社 蛍光体含有封止材の製造方法、蛍光体含有封止材、発光装置の製造方法およびディスペンサー
US9299555B1 (en) 2012-09-28 2016-03-29 Soraa, Inc. Ultrapure mineralizers and methods for nitride crystal growth
RU2533709C2 (ru) * 2012-10-05 2014-11-20 Общество с ограниченной ответственностью "Минерал" Монокристаллический люминофорный материал для светодиодов белого света
EP2733190B1 (en) 2012-11-16 2020-01-01 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor composition and light emitting device package having the same
DE102012220980A1 (de) 2012-11-16 2014-05-22 Osram Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement
WO2014091539A1 (ja) * 2012-12-10 2014-06-19 株式会社エルム 発光装置、ｌｅｄ照明装置、および、前記発光装置に用いられる蛍光体含有フィルム片の製造方法
TWM450828U (zh) * 2012-12-14 2013-04-11 點量科技股份有限公司 熱電分離的發光二極體模組和相關的散熱載板
US9437788B2 (en) * 2012-12-19 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) component comprising a phosphor with improved excitation properties
WO2014097527A1 (ja) 2012-12-20 2014-06-26 パナソニック株式会社 希土類アルミニウムガーネットタイプ無機酸化物、蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP6089686B2 (ja) * 2012-12-25 2017-03-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
US9474116B2 (en) 2013-01-03 2016-10-18 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Minimized color shift lighting arrangement during dimming
TW201428087A (zh) 2013-01-11 2014-07-16 kai-xiong Cai 發光裝置及其耐溫碳化物螢光材料
TW201429009A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 立誠光電股份有限公司 發光二極體裝置及散熱基板的製造方法
CN103943759B (zh) 2013-01-21 2018-04-27 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 包括发光含钆材料的物件及其形成工艺
US9217543B2 (en) 2013-01-28 2015-12-22 Intematix Corporation Solid-state lamps with omnidirectional emission patterns
DE102013100888A1 (de) * 2013-01-29 2014-07-31 Schott Ag Licht-Konzentrator oder -Verteiler
US8754435B1 (en) 2013-02-19 2014-06-17 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED package and related methods
US8933478B2 (en) 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
CN104885571B (zh) 2013-03-04 2017-06-09 西铁城电子株式会社 发光装置、发光装置的设计方法、发光装置的驱动方法、照明方法和发光装置的制造方法
WO2014136407A1 (ja) 2013-03-08 2014-09-12 パナソニック株式会社 希土類アルミニウムガーネットタイプ無機酸化物、蛍光体及びこれを用いた発光装置
US9754807B2 (en) * 2013-03-12 2017-09-05 Applied Materials, Inc. High density solid state light source array
US9285084B2 (en) 2013-03-14 2016-03-15 Ilumisys, Inc. Diffusers for LED-based lights
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
EP2973751A4 (en) 2013-03-15 2016-11-16 Gary Wayne Jones CONVERSION DEVICE FOR SPECTRAL ENVIRONMENTAL LIGHT
CN105121951A (zh) * 2013-03-15 2015-12-02 英特曼帝克司公司 光致发光波长转换组件
JP5718398B2 (ja) * 2013-03-18 2015-05-13 オリンパス株式会社 内視鏡装置
JP5698780B2 (ja) * 2013-03-18 2015-04-08 オリンパス株式会社 光源装置およびそれを備えた内視鏡装置
JP5698779B2 (ja) * 2013-03-18 2015-04-08 オリンパス株式会社 光源装置を有する内視鏡装置
CZ304579B6 (cs) 2013-04-22 2014-07-16 Crytur Spol. S R. O. Dioda emitující bílé světlo s monokrystalickým luminoforem a způsob výroby
US9966511B2 (en) * 2013-04-25 2018-05-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting diode component
JP6167913B2 (ja) 2013-04-26 2017-07-26 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP6102763B2 (ja) 2013-04-26 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
US8941295B2 (en) 2013-04-29 2015-01-27 Kai-Shon Tsai Fluorescent material and illumination device
US9231168B2 (en) 2013-05-02 2016-01-05 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure
JP2013179335A (ja) * 2013-05-08 2013-09-09 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光素子
JPWO2014188847A1 (ja) * 2013-05-21 2017-02-23 セントラル硝子株式会社 広帯域発光材料及び白色光発光材料
US9704834B2 (en) 2013-05-28 2017-07-11 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing light-emitting device
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
WO2014203841A1 (ja) * 2013-06-18 2014-12-24 シャープ株式会社 発光装置
KR102098589B1 (ko) 2013-07-04 2020-04-09 삼성전자주식회사 파장변환부재 및 그 제조방법과, 이를 구비한 반도체 발광장치
CN104332539B (zh) 2013-07-22 2017-10-24 中国科学院福建物质结构研究所 GaN基LED外延结构及其制造方法
TW201508207A (zh) * 2013-08-27 2015-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 車燈模組
JP6139334B2 (ja) * 2013-08-28 2017-05-31 東芝マテリアル株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びにその蛍光体を用いたｌｅｄランプ
US9863595B2 (en) 2013-08-28 2018-01-09 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting unit with optical plate reflecting excitation light and transmitting fluorescent light, and light-emitting device, illumination device, and vehicle headlight including the unit
KR102106143B1 (ko) 2013-09-02 2020-05-04 대주전자재료 주식회사 적색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
WO2015045260A1 (ja) 2013-09-30 2015-04-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置、照明光源、照明装置
BR112016007234B1 (pt) 2013-10-08 2022-02-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Fósforo para emissão de luz vermelha e seu processo de produção
US9267650B2 (en) 2013-10-09 2016-02-23 Ilumisys, Inc. Lens for an LED-based light
JP6384893B2 (ja) 2013-10-23 2018-09-05 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
JP5620562B1 (ja) 2013-10-23 2014-11-05 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
FR3012677B1 (fr) * 2013-10-25 2015-12-25 Commissariat Energie Atomique Dispositif emissif lumineux, dispositif et procede d'ajustement d'une emission lumineuse d'une diode electroluminescente a phosphore
CN105745303A (zh) 2013-11-13 2016-07-06 Lg伊诺特有限公司 蓝绿色荧光粉、发光器件封装和包括其的照明装置
US9499740B2 (en) 2013-11-22 2016-11-22 Nitto Denko Corporation Light extraction element
US9551468B2 (en) 2013-12-10 2017-01-24 Gary W. Jones Inverse visible spectrum light and broad spectrum light source for enhanced vision
US10288233B2 (en) 2013-12-10 2019-05-14 Gary W. Jones Inverse visible spectrum light and broad spectrum light source for enhanced vision
JP6222452B2 (ja) 2013-12-17 2017-11-01 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
CN111554790B (zh) 2013-12-27 2023-09-15 西铁城电子株式会社 发光装置的设计方法
CN105849920B (zh) 2013-12-27 2020-11-06 西铁城电子株式会社 发光装置和发光装置的设计方法
CN106063381A (zh) 2014-01-22 2016-10-26 伊卢米斯公司 具有被寻址led的基于led的灯
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
JP6528418B2 (ja) 2014-01-29 2019-06-12 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置
CN103779488A (zh) * 2014-01-31 2014-05-07 芜湖市神龙新能源科技有限公司 一种白色led灯光电玻璃
JP6038824B2 (ja) 2014-02-07 2016-12-07 信越化学工業株式会社 硬化性組成物、半導体装置、及びエステル結合含有有機ケイ素化合物
KR101501020B1 (ko) * 2014-02-17 2015-03-13 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
US9360188B2 (en) 2014-02-20 2016-06-07 Cree, Inc. Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements
KR102219263B1 (ko) 2014-02-28 2021-02-24 대주전자재료 주식회사 산질화물계 적색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
US9442245B2 (en) * 2014-03-13 2016-09-13 Norman Napaul Pepin Light scaffold electric arc sound effect
US9680067B2 (en) * 2014-03-18 2017-06-13 GE Lighting Solutions, LLC Heavily phosphor loaded LED packages having higher stability
US9590148B2 (en) 2014-03-18 2017-03-07 GE Lighting Solutions, LLC Encapsulant modification in heavily phosphor loaded LED packages for improved stability
JP2015199640A (ja) 2014-04-01 2015-11-12 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いてなる発光デバイス
KR102213650B1 (ko) 2014-04-18 2021-02-08 대주전자재료 주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
US9593812B2 (en) 2014-04-23 2017-03-14 Cree, Inc. High CRI solid state lighting devices with enhanced vividness
US9241384B2 (en) 2014-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state lighting devices with adjustable color point
US9510400B2 (en) 2014-05-13 2016-11-29 Ilumisys, Inc. User input systems for an LED-based light
US9215761B2 (en) 2014-05-15 2015-12-15 Cree, Inc. Solid state lighting devices with color point non-coincident with blackbody locus
US9318670B2 (en) 2014-05-21 2016-04-19 Intematix Corporation Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements
JP2016027613A (ja) 2014-05-21 2016-02-18 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いた発光装置
CN103980902A (zh) * 2014-05-21 2014-08-13 烟台建塬光电技术有限公司 掺杂Ga、Bi的铝酸盐绿色荧光粉及其制备方法
DE102014107321B4 (de) 2014-05-23 2019-06-27 Tailorlux Gmbh Infrarot LED
KR101476217B1 (ko) 2014-05-28 2014-12-24 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
US9515056B2 (en) 2014-06-06 2016-12-06 Cree, Inc. Solid state lighting device including narrow spectrum emitter
US9192013B1 (en) 2014-06-06 2015-11-17 Cree, Inc. Lighting devices with variable gamut
JP6406109B2 (ja) 2014-07-08 2018-10-17 日亜化学工業株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法
KR101467808B1 (ko) 2014-07-14 2014-12-03 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
US20160064630A1 (en) * 2014-08-26 2016-03-03 Texas Instruments Incorporated Flip chip led package
KR102275147B1 (ko) 2014-09-12 2021-07-09 대주전자재료 주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 이용한 발광 장치
US9528876B2 (en) 2014-09-29 2016-12-27 Innovative Science Tools, Inc. Solid state broad band near-infrared light source
CN105459888B (zh) * 2014-09-30 2020-03-20 福特全球技术公司 光致发光车辆图形
CN105567236B (zh) * 2014-10-15 2018-07-20 有研稀土新材料股份有限公司 石榴石型荧光粉和制备方法及包含该荧光粉的装置
WO2016086180A1 (en) 2014-11-26 2016-06-02 Ledengin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
US9701411B2 (en) * 2014-12-10 2017-07-11 Airbus Operations Gmbh Evacuation slide with a guidance marking
JP6486099B2 (ja) * 2014-12-19 2019-03-20 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光モジュール
JP6514510B2 (ja) * 2015-01-14 2019-05-15 株式会社小糸製作所 車両用灯具
US9702524B2 (en) 2015-01-27 2017-07-11 Cree, Inc. High color-saturation lighting devices
US9530944B2 (en) 2015-01-27 2016-12-27 Cree, Inc. High color-saturation lighting devices with enhanced long wavelength illumination
EP4166627B1 (en) 2015-02-26 2025-12-03 Luxium Solutions SAS Scintillation crystal including a co-doped rare earth silicate, a radiation detection apparatus including the scintillation crystal, and a process of forming the same
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
US9681510B2 (en) 2015-03-26 2017-06-13 Cree, Inc. Lighting device with operation responsive to geospatial position
US10249802B2 (en) * 2015-04-02 2019-04-02 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
US9509217B2 (en) 2015-04-20 2016-11-29 Altera Corporation Asymmetric power flow controller for a power converter and method of operating the same
US9974138B2 (en) 2015-04-21 2018-05-15 GE Lighting Solutions, LLC Multi-channel lamp system and method with mixed spectrum
US9943042B2 (en) 2015-05-18 2018-04-17 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Grow light embodying power delivery and data communications features
US10161568B2 (en) 2015-06-01 2018-12-25 Ilumisys, Inc. LED-based light with canted outer walls
US9900957B2 (en) 2015-06-11 2018-02-20 Cree, Inc. Lighting device including solid state emitters with adjustable control
JP6833683B2 (ja) 2015-06-12 2021-02-24 株式会社東芝 蛍光体およびその製造方法、ならびにｌｅｄランプ
CN106328008B (zh) * 2015-06-30 2019-03-22 光宝光电(常州)有限公司 胶体填充至壳体的制法、发光二极管的数字显示器及制法
JP6544082B2 (ja) * 2015-06-30 2019-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN107848830B (zh) * 2015-07-22 2020-03-03 松下知识产权经营株式会社 石榴石化合物和其制造方法、使用了该石榴石化合物的发光装置和装饰物及该石榴石化合物的使用方法
US11437774B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. High-luminous flux laser-based white light source
CN106501994B (zh) * 2015-09-08 2021-10-29 青岛海信电器股份有限公司 一种量子点发光器件、背光模组及显示装置
US9844116B2 (en) 2015-09-15 2017-12-12 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
US9788387B2 (en) 2015-09-15 2017-10-10 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
EP3356724A4 (en) 2015-09-29 2019-04-17 Cabatech, LLC HORTICULTURE GREENHOUSE LAMPS
JP2017107071A (ja) 2015-12-10 2017-06-15 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び波長変換素子、並びにそれらを用いた発光装置
JP6681581B2 (ja) * 2015-12-21 2020-04-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置
US10354938B2 (en) 2016-01-12 2019-07-16 Greentech LED Lighting device using short thermal path cooling technology and other device cooling by placing selected openings on heat sinks
WO2017121833A1 (en) 2016-01-14 2017-07-20 Basf Se Perylene bisimides with rigid 2,2'-biphenoxy bridges
US11050005B2 (en) 2016-03-08 2021-06-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor and light emitting device
EP3428697B1 (en) 2016-03-10 2023-03-01 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting device
KR102383556B1 (ko) * 2016-03-10 2022-04-06 루미리즈 홀딩 비.브이. Led 모듈
US10054485B2 (en) 2016-03-17 2018-08-21 Raytheon Company UV LED-phosphor based hyperspectral calibrator
WO2017200097A1 (ja) 2016-05-20 2017-11-23 株式会社 東芝 白色光源
JP2018003006A (ja) 2016-06-24 2018-01-11 パナソニック株式会社 蛍光体およびその製造方法、ならびに発光装置
JP6880528B2 (ja) 2016-06-27 2021-06-02 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いてなる発光デバイス
JP6906277B2 (ja) 2016-06-27 2021-07-21 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いてなる発光デバイス
US10611959B2 (en) 2016-08-29 2020-04-07 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor and light emitting device
US10595376B2 (en) 2016-09-13 2020-03-17 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
CA3248553A1 (en) * 2016-09-14 2025-02-21 Lutron Technology Company Llc Illumination device and method for adjusting periodic changes in emulation output
JP2018058383A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 トヨタ自動車株式会社 車両下部構造
EP3523303B1 (en) 2016-10-06 2020-09-23 Basf Se 2-phenylphenoxy-substituted perylene bisimide compounds and their use
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
KR101961030B1 (ko) * 2016-11-18 2019-03-22 효성화학 주식회사 휘도 향상 필름과 그 제조방법
WO2018096135A1 (en) 2016-11-28 2018-05-31 Merck Patent Gmbh Composition comprising a nanosized light emitting material
CN110036089B (zh) 2016-12-07 2022-08-30 神岛化学工业株式会社 陶瓷组合物
TW201828505A (zh) * 2017-01-20 2018-08-01 聯京光電股份有限公司 光電封裝體及其製造方法
US10465869B2 (en) 2017-01-30 2019-11-05 Ideal Industries Lighting Llc Skylight fixture
US10451229B2 (en) 2017-01-30 2019-10-22 Ideal Industries Lighting Llc Skylight fixture
US10174438B2 (en) 2017-03-30 2019-01-08 Slt Technologies, Inc. Apparatus for high pressure reaction
DE102017108136B4 (de) 2017-04-13 2019-03-14 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Geometrisch geformte Bauelemente in einer Anordnung für einen Überführungsdruck (Transfer Print) und zugehörige Verfahren
JP6917179B2 (ja) * 2017-04-18 2021-08-11 スタンレー電気株式会社 白色発光装置
TWI672638B (zh) 2017-05-04 2019-09-21 宏達國際電子股份有限公司 影像處理方法、非暫態電腦可讀取媒體以及影像處理系統
JP6863071B2 (ja) * 2017-05-19 2021-04-21 日亜化学工業株式会社 希土類アルミニウム・ガリウム酸塩の組成を有する蛍光体及び発光装置
DE102017116936B4 (de) * 2017-07-26 2024-10-02 Ledvance Gmbh Verbindung eines elektrischen Leitelements mit einer Leiterplatte eines Leuchtmittels
US11079077B2 (en) 2017-08-31 2021-08-03 Lynk Labs, Inc. LED lighting system and installation methods
US11578264B2 (en) * 2017-09-20 2023-02-14 Materion Precision Optics (Shanghai) Limited Phosphor wheel with inorganic binder
JP7022367B2 (ja) 2017-09-27 2022-02-18 日本電気硝子株式会社 波長変換材料に用いられるガラス、波長変換材料、波長変換部材及び発光デバイス
JP7002275B2 (ja) * 2017-10-03 2022-02-21 株式会社小糸製作所 車両用灯具
KR102428755B1 (ko) * 2017-11-24 2022-08-02 엘지디스플레이 주식회사 파장 변환이 가능한 광섬유 및 이를 사용하는 백라이트 유닛
JP7268315B2 (ja) 2017-12-12 2023-05-08 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びその製造方法、並びに発光装置
KR102718070B1 (ko) 2017-12-19 2024-10-17 바스프 에스이 시아노아릴 치환된 벤즈(오티)오크산텐 화합물
CN108264234A (zh) * 2018-01-11 2018-07-10 武汉理工大学 一种嵌有GYAGG：Ce微晶相的闪烁微晶玻璃及其制备方法
US20190219874A1 (en) * 2018-01-16 2019-07-18 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight module and display device
DE102019202785B4 (de) 2018-03-02 2024-01-18 Coorstek Kk Glaselement
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
EP3768799B1 (en) 2018-03-20 2022-02-09 Basf Se Yellow light emitting device
WO2019208057A1 (ja) 2018-04-25 2019-10-31 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いた発光装置
CN119208351A (zh) 2018-05-17 2024-12-27 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN112384593A (zh) 2018-06-22 2021-02-19 巴斯夫欧洲公司 作为用于显示器和照明应用的绿色发射体的光稳定氰基取代硼二吡咯亚甲基染料
EP3588187A1 (en) 2018-06-22 2020-01-01 Sunland Optics Srl An image projection system
IT201900009681A1 (it) 2019-06-20 2020-12-20 Tlpicoglass Srl Sistema di proiezione di immagini
WO2020012923A1 (ja) 2018-07-12 2020-01-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源装置、プロジェクタ及び車両
WO2020031598A1 (ja) * 2018-08-07 2020-02-13 三井金属鉱業株式会社 光拡散部材、並びにこれを用いた光拡散構造体及び発光構造体
DE102018213377A1 (de) * 2018-08-09 2020-02-13 Robert Bosch Gmbh Spektrometer und Verfahren zur Kalibrierung des Spektrometers
DE112019004568T5 (de) 2018-09-12 2021-05-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wellenlängenumwandlungselement, lichtquellenvorrichtung, bei der dieses verwendet wird, projektor und fahrzeug
DE102018217889B4 (de) 2018-10-18 2023-09-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gelber Leuchtstoff und Konversions-LED
RU192820U1 (ru) * 2018-11-13 2019-10-02 Василий Сергеевич Евтеев Свето-информационное устройство
JP2022515966A (ja) * 2018-11-15 2022-02-24 レヴィン，ディーン 流体の発光デカンテーション装置および流体の光処理方法
CN111286330A (zh) 2018-12-06 2020-06-16 松下知识产权经营株式会社 荧光体及使用了它的半导体发光装置
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
JP2020106831A (ja) 2018-12-27 2020-07-09 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光装置
US11466384B2 (en) 2019-01-08 2022-10-11 Slt Technologies, Inc. Method of forming a high quality group-III metal nitride boule or wafer using a patterned substrate
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
US12152742B2 (en) 2019-01-18 2024-11-26 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based light guide-coupled wide-spectrum light system
US12000552B2 (en) 2019-01-18 2024-06-04 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle
JP7145096B2 (ja) 2019-02-12 2022-09-30 信越化学工業株式会社 微小構造体移載装置、スタンプヘッドユニット、微小構造体移載用スタンプ部品及び微小構造体集積部品の移載方法
US11781714B2 (en) 2019-03-18 2023-10-10 Bridgelux, Inc. LED-filaments and LED-filament lamps
CN113841238A (zh) 2019-03-18 2021-12-24 英特曼帝克司公司 Led灯丝
US12140785B2 (en) 2019-04-18 2024-11-12 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Wavelength conversion member, production method therefor, and light-emitting device
WO2020213455A1 (ja) 2019-04-18 2020-10-22 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びその製造方法、並びに発光装置
US11313671B2 (en) 2019-05-28 2022-04-26 Mitutoyo Corporation Chromatic confocal range sensing system with enhanced spectrum light source configuration
RU2720046C1 (ru) * 2019-07-17 2020-04-23 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" Светодиодная гетероструктура с квантовыми ямами комбинированного профиля
RU195810U1 (ru) * 2019-09-27 2020-02-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) Светоизлучающий диод
KR102230355B1 (ko) 2019-09-27 2021-03-22 강원대학교산학협력단 백색 발광 소재의 제조방법
US11112555B2 (en) 2019-09-30 2021-09-07 Nichia Corporation Light-emitting module with a plurality of light guide plates and a gap therein
US11561338B2 (en) 2019-09-30 2023-01-24 Nichia Corporation Light-emitting module
JP2021059686A (ja) 2019-10-09 2021-04-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体およびそれを使用した半導体発光装置
CN114556599A (zh) 2019-12-23 2022-05-27 日本电气硝子株式会社 波长转换部件、发光元件和发光装置
US11705322B2 (en) 2020-02-11 2023-07-18 Slt Technologies, Inc. Group III nitride substrate, method of making, and method of use
US12091771B2 (en) 2020-02-11 2024-09-17 Slt Technologies, Inc. Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use
US11721549B2 (en) 2020-02-11 2023-08-08 Slt Technologies, Inc. Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use
EP4136187A4 (en) 2020-04-14 2024-06-19 General Electric Company GREEN-EMMITTING PHOSPHORS AND DEVICES THEREFOR
US11254864B2 (en) 2020-04-14 2022-02-22 General Electric Company Films with narrow band emission phosphor materials
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
CN111944350B (zh) * 2020-08-27 2022-01-25 兰州大学 基于YAG Ce的暖白色荧光汽车涂漆及其制备方法
EP4208521A4 (en) * 2020-09-01 2024-10-09 General Electric Company DEVICES COMPATIBLE WITH NIGHT VISION EQUIPMENT
US11444225B2 (en) 2020-09-08 2022-09-13 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd Light emitting diode package having a protective coating
US11329206B2 (en) 2020-09-28 2022-05-10 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd Lead frame and housing sub-assembly for use in a light emitting diode package and method for manufacturing the same
WO2022107794A1 (ja) 2020-11-19 2022-05-27 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びその製造方法
WO2022164631A1 (en) 2021-01-26 2022-08-04 Solutia Inc. Light systems having a diffusive pvb interlayer
JP7707616B2 (ja) 2021-04-01 2025-07-15 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
CN117296162A (zh) 2021-04-13 2023-12-26 通用电气公司 用于显示器和照明应用的铀基磷光体和组合物
US20240347677A1 (en) 2021-07-29 2024-10-17 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device and electronic apparatus
JP7744225B2 (ja) * 2021-12-09 2025-09-25 スタンレー電気株式会社 照明装置、車両用灯具システム
US12438015B2 (en) 2021-12-17 2025-10-07 X-Celeprint Limited Stamps with structured microposts
TWI882499B (zh) * 2023-10-30 2025-05-01 隆達電子股份有限公司 光源模組
CN117432974B (zh) * 2023-11-09 2025-12-30 惠州雷士光电科技有限公司 光源模组、照明装置及其混光方法
CN117602938B (zh) * 2023-12-07 2025-11-14 江苏师范大学 一种激光照明用透镜型荧光复合陶瓷及其制备方法

Family Cites Families (257)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US362048A (en) * 1887-04-26 watkins
US215074A (en) * 1879-05-06 Improvement in stamp-mills
US5816677A (en) 1905-03-01 1998-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Backlight device for display apparatus
US2557049A (en) * 1946-05-03 1951-06-12 Turner Of Indiana Power-driven posthole digger
US2924732A (en) * 1957-07-05 1960-02-09 Westinghouse Electric Corp Area-type light source
NL278121A (es) * 1961-05-08
NL135101C (es) 1964-05-14
GB1112992A (en) * 1964-08-18 1968-05-08 Texas Instruments Inc Three-dimensional integrated circuits and methods of making same
US3342308A (en) * 1966-08-09 1967-09-19 Sperry Rand Corp Corn processing machine elevator unit structure
US3560649A (en) * 1967-05-23 1971-02-02 Tektronix Inc Cathode ray tube with projection means
US3560849A (en) 1967-08-15 1971-02-02 Aai Corp Liquid temperature controlled test chamber and transport apparatus for electrical circuit assemblies
US3554776A (en) * 1967-11-24 1971-01-12 Allied Chem Novel perylenetetracarboxylic diimide compositions
US3623857A (en) * 1968-03-22 1971-11-30 Johns Manville Glass melting pot
US3510732A (en) * 1968-04-22 1970-05-05 Gen Electric Solid state lamp having a lens with rhodamine or fluorescent material dispersed therein
SE364160B (es) * 1969-05-26 1974-02-11 Western Electric Co
US3699478A (en) * 1969-05-26 1972-10-17 Bell Telephone Labor Inc Display system
BE757125A (fr) 1969-10-06 1971-03-16 Rca Corp Procede photographique pour former l'ecran luminescent d'un tube a rayons cathodiques
US3691482A (en) * 1970-01-19 1972-09-12 Bell Telephone Labor Inc Display system
US3652956A (en) * 1970-01-23 1972-03-28 Bell Telephone Labor Inc Color visual display
US3699476A (en) * 1971-03-05 1972-10-17 Rca Corp Crystal controlled digital logic gate oscillator
JPS4717684U (es) 1971-03-27 1972-10-30
JPS4839866U (es) 1971-09-13 1973-05-18
DE2244397C3 (de) 1971-09-21 1974-07-18 Tovarna Motornih Vozil Tomos, Koper (Jugoslawien) Schalteinrichtung für ein mehrstufiges Keilriemenwechselgetriebe
JPS48102585A (es) * 1972-04-04 1973-12-22
JPS491221A (es) 1972-04-17 1974-01-08
JPS5240959B2 (es) 1972-08-07 1977-10-15
JPS4979379A (es) 1972-12-06 1974-07-31
JPS4985068U (es) * 1972-11-10 1974-07-23
FR2248663B1 (es) 1972-12-13 1978-08-11 Radiotechnique Compelec
JPS5531825Y2 (es) 1972-12-27 1980-07-29
JPS49106283A (es) 1973-02-09 1974-10-08
JPS49112577A (es) 1973-02-23 1974-10-26
US3819974A (en) * 1973-03-12 1974-06-25 D Stevenson Gallium nitride metal-semiconductor junction light emitting diode
JPS5640994B2 (es) 1973-03-22 1981-09-25
US3842306A (en) 1973-06-21 1974-10-15 Gen Electric Alumina coatings for an electric lamp
JPS5043913A (es) 1973-08-20 1975-04-21
JPS5079379A (es) 1973-11-13 1975-06-27
JPS5079379U (es) * 1973-11-24 1975-07-09
US3882502A (en) * 1974-01-17 1975-05-06 Us Navy Crt multiple-scan display apparatus and method providing target discrimination
JPS5713156B2 (es) * 1974-02-28 1982-03-15
US4123161A (en) * 1974-06-18 1978-10-31 Pappas George J Apparatus for and method of examining light
JPS5240959A (en) 1975-09-29 1977-03-30 Toshiba Corp Color picture tube
JPS5245181A (en) 1975-10-07 1977-04-09 Matsushita Electric Works Ltd Chain
US4001628A (en) * 1976-02-25 1977-01-04 Westinghouse Electric Corporation Low-pressure fluorescent discharge device which utilizes both inorganic and organic phosphors
US4143297A (en) * 1976-03-08 1979-03-06 Brown, Boveri & Cie Aktiengesellschaft Information display panel with zinc sulfide powder electroluminescent layers
JPS537153U (es) 1976-07-05 1978-01-21
JPS537153A (en) 1976-07-09 1978-01-23 Fujitsu Ltd Program loop detection-recording system
GB1589964A (en) 1976-09-03 1981-05-20 Johnson Matthey Co Ltd Luminescent materials
NL7707008A (nl) * 1977-06-24 1978-12-28 Philips Nv Luminescentiescherm.
JPS5441660A (en) 1977-09-09 1979-04-03 Matsushita Electric Works Ltd Timer
JPS5332545Y2 (es) 1977-09-13 1978-08-11
FR2407588A1 (fr) 1977-10-28 1979-05-25 Cit Alcatel Procede de realisation de barres d'alimentation
JPS555533U (es) * 1978-06-26 1980-01-14
NL7806828A (nl) * 1978-06-26 1979-12-28 Philips Nv Luminescentiescherm.
JPS583420B2 (ja) 1978-06-27 1983-01-21 株式会社リコー マトリクス駆動回路
JPS556687A (en) * 1978-06-29 1980-01-18 Handotai Kenkyu Shinkokai Traffic use display
US4271408A (en) * 1978-10-17 1981-06-02 Stanley Electric Co., Ltd. Colored-light emitting display
DE3117571A1 (de) * 1981-05-04 1982-11-18 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Lumineszenz-halbleiterbauelement
CA1192919A (en) 1981-12-21 1985-09-03 Bernard J. Finn Vehicle wheel suspension
JPS5930107U (ja) 1982-08-19 1984-02-24 スタンレー電気株式会社 カラ−フイルタ−付導光板
NL8203543A (nl) 1982-09-13 1984-04-02 Oce Nederland Bv Kopieerapparaat.
JPS5950445A (ja) 1982-09-16 1984-03-23 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 電子写真材料
JPS5950455U (ja) * 1982-09-24 1984-04-03 三洋電機株式会社 発光ダイオ−ド装置
JPS5967673A (ja) * 1982-10-12 1984-04-17 Toyo Commun Equip Co Ltd 面照明用発光ダイオ−ド
NL8205044A (nl) * 1982-12-30 1984-07-16 Philips Nv Lagedrukkwikdampontladingslamp.
JPS6073580A (ja) * 1983-09-29 1985-04-25 東芝ライテック株式会社 表示装置
JPS6081878A (ja) 1983-10-11 1985-05-09 Shinyoushiya:Kk 複合形発光ダイオ−ドの発光光色制御方法
US4550256A (en) 1983-10-17 1985-10-29 At&T Bell Laboratories Visual display system utilizing high luminosity single crystal garnet material
JPS60185457A (ja) 1984-03-05 1985-09-20 Canon Inc フアクシミリ装置
US4857228A (en) * 1984-04-24 1989-08-15 Sunstone Inc. Phosphors and methods of preparing the same
JPS60185457U (ja) * 1984-05-19 1985-12-09 セイレイ工業株式会社 枝打機のエンジンストツプセンサ−配置構造
JPS61158606A (ja) 1984-12-28 1986-07-18 株式会社小糸製作所 照明装置
NL8502025A (nl) * 1985-07-15 1987-02-02 Philips Nv Lagedrukkwikdampontladingslamp.
JPS6220237U (es) * 1985-07-23 1987-02-06
JPS62109185U (es) * 1985-12-27 1987-07-11
NL8600023A (nl) * 1986-01-08 1987-08-03 Philips Nv Lagedrukkwikdampontladingslamp.
JPS62167398A (ja) 1986-01-17 1987-07-23 花王株式会社 高密度粒状洗剤組成物
JPS62189770A (ja) 1986-02-15 1987-08-19 Fumio Inaba 接合型半導体発光素子
JPS62232827A (ja) 1986-03-31 1987-10-13 松下電器産業株式会社 照光素子付操作パネル駆動回路
EP0288014B1 (en) * 1987-04-20 1998-08-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Cassette, device and method of erasing a stimulable phosphor sheet
JPH079998B2 (ja) * 1988-01-07 1995-02-01 科学技術庁無機材質研究所長 立方晶窒化ほう素のＰ−ｎ接合型発光素子
JPS63291980A (ja) 1987-05-25 1988-11-29 Canon Inc 強誘電性液晶素子
JPS63299186A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Hitachi Ltd 発光素子
US4929965A (en) * 1987-09-02 1990-05-29 Alps Electric Co. Optical writing head
JPH01189695A (ja) * 1988-01-25 1989-07-28 Yokogawa Electric Corp Ｌｅｄ表示装置
DE3804293A1 (de) * 1988-02-12 1989-08-24 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode
JP2594609B2 (ja) 1988-04-08 1997-03-26 富士通株式会社 表示パネルのバック照明構造
JPH01260707A (ja) 1988-04-11 1989-10-18 Idec Izumi Corp 白色発光装置
JPH0218973A (ja) * 1988-07-07 1990-01-23 Shibasoku Co Ltd 発光ダイオード試験装置
US5043716A (en) * 1988-07-14 1991-08-27 Adaptive Micro Systems, Inc. Electronic display with lens matrix
JPH0291980A (ja) 1988-09-29 1990-03-30 Toshiba Lighting & Technol Corp 固体発光素子
JP2770350B2 (ja) 1988-10-20 1998-07-02 富士通株式会社 液晶表示装置
US5034965A (en) 1988-11-11 1991-07-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Efficient coding method and its decoding method
JPH02202073A (ja) * 1989-01-31 1990-08-10 Hitachi Chem Co Ltd 電子部品
JP2704181B2 (ja) * 1989-02-13 1998-01-26 日本電信電話株式会社 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法
JPH02271304A (ja) * 1989-04-12 1990-11-06 Seiko Epson Corp 表示体用照明装置
US4992704A (en) 1989-04-17 1991-02-12 Basic Electronics, Inc. Variable color light emitting diode
JPH0324692A (ja) 1989-06-21 1991-02-01 Fuji Electric Co Ltd 自動貸出機の制御装置
JPH0324692U (es) 1989-07-18 1991-03-14
US5221984A (en) 1989-09-18 1993-06-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical data transmission device with parallel channel paths for arrayed optical elements
JPH03152898A (ja) 1989-11-09 1991-06-28 Hitachi Maxell Ltd 分散型ｅｌ素子
US5118985A (en) * 1989-12-29 1992-06-02 Gte Products Corporation Fluorescent incandescent lamp
JP2995664B2 (ja) * 1990-05-17 1999-12-27 小糸工業株式会社 情報表示装置
NL9001193A (nl) * 1990-05-23 1991-12-16 Koninkl Philips Electronics Nv Straling-emitterende halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
JP2506223B2 (ja) 1990-06-28 1996-06-12 トリニティ工業株式会社 自動塗装装置
EP0500937A4 (en) 1990-06-28 1993-09-15 Daihen Corporation Method of electrically joining ceramics, device used therefor and adhesive agent therefor
JPH0463162A (ja) 1990-06-29 1992-02-28 Suzuki Motor Corp 塗装装置
US5257049A (en) 1990-07-03 1993-10-26 Agfa-Gevaert N.V. LED exposure head with overlapping electric circuits
JPH0480286A (ja) 1990-07-23 1992-03-13 Matsushita Electron Corp 蛍光高圧水銀灯
JP2924125B2 (ja) 1990-07-30 1999-07-26 東レ株式会社 不織布用ポリエステル繊維
DE9013615U1 (de) * 1990-09-28 1990-12-06 AEG Niederspannungstechnik GmbH & Co KG, 24534 Neumünster Elektrolumineszenz- oder Laserdiode
JPH0463162U (es) * 1990-10-02 1992-05-29
JPH0463163U (es) 1990-10-04 1992-05-29
KR940002570B1 (ko) * 1990-11-02 1994-03-25 삼성전관 주식회사 백색발광 형광체
JPH04175265A (ja) * 1990-11-07 1992-06-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 着色透光性ｙａｇ焼結体及びその製造方法
JP2593960B2 (ja) * 1990-11-29 1997-03-26 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子とその製造方法
JP3160914B2 (ja) * 1990-12-26 2001-04-25 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
JPH04234481A (ja) * 1990-12-28 1992-08-24 Matsushita Electron Corp 蛍光高圧水銀灯
FR2677139B1 (fr) * 1991-05-31 1994-03-18 Hughes Aircraft Cy Substance luminescence emettant dans le rouge lointain, pour tubes cathodiques.
US5202777A (en) * 1991-05-31 1993-04-13 Hughes Aircraft Company Liquid crystal light value in combination with cathode ray tube containing a far-red emitting phosphor
JPH0543913A (ja) 1991-08-08 1993-02-23 Mitsubishi Materials Corp 相手攻撃性のきわめて低いＦｅ基焼結合金製バルブシ−ト
JPH0563068A (ja) 1991-08-30 1993-03-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハバスケツト
JPH0579379A (ja) 1991-09-19 1993-03-30 Hitachi Ltd 制御方法
JP2666228B2 (ja) * 1991-10-30 1997-10-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5306662A (en) * 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
JP2540791B2 (ja) 1991-11-08 1996-10-09 日亜化学工業株式会社 ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH05142424A (ja) 1991-11-26 1993-06-11 Nec Kansai Ltd 平面発光板
US5208462A (en) 1991-12-19 1993-05-04 Allied-Signal Inc. Wide bandwidth solid state optical source
ES2100275T3 (es) * 1992-01-07 1997-06-16 Philips Electronics Nv Lampara de descarga en mercurio de baja presion.
JPH0560368U (ja) * 1992-01-27 1993-08-10 恵助 山下 箸
JPH0563068U (ja) 1992-01-31 1993-08-20 シャープ株式会社 樹脂封止型発光体
JPH05226676A (ja) 1992-02-14 1993-09-03 Sharp Corp 半導体装置
JP3047600B2 (ja) 1992-03-04 2000-05-29 株式会社イナックス 濾過装置付き気泡浴槽装置の制御方法
JPH0613659A (ja) * 1992-04-30 1994-01-21 Takiron Co Ltd 発光ダイオードの輝度調整装置
JPH05331584A (ja) 1992-06-02 1993-12-14 Toyota Motor Corp 高弾性・高強度アルミニウム合金
JP3365787B2 (ja) * 1992-06-18 2003-01-14 シャープ株式会社 Ｌｅｄチップ実装部品
JP2917742B2 (ja) 1992-07-07 1999-07-12 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法
JPH0629576A (ja) * 1992-07-09 1994-02-04 Sharp Corp 発光表示素子
JPH0627327A (ja) 1992-07-13 1994-02-04 Seiko Epson Corp 照明装置
EP0579897B1 (en) * 1992-07-23 2003-10-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor
WO1994003931A1 (en) 1992-08-07 1994-02-17 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Nitride based semiconductor device and manufacture thereof
JPH0669546A (ja) * 1992-08-21 1994-03-11 Asahi Chem Ind Co Ltd 発光ダイオード
US5334855A (en) * 1992-08-24 1994-08-02 Motorola, Inc. Diamond/phosphor polycrystalline led and display
JPH0682633A (ja) 1992-09-03 1994-03-25 Chuo Musen Kk 面光源
JP2842739B2 (ja) 1992-09-14 1999-01-06 富士通株式会社 面光源ユニット及び液晶表示装置
DE69322607T2 (de) * 1992-09-23 1999-06-17 Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven Quecksilberniederdruckentladungslampe
JPH06139973A (ja) 1992-10-26 1994-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平板型画像表示装置
JP3284208B2 (ja) 1992-11-17 2002-05-20 東ソー株式会社 バックライト
JP2560963B2 (ja) 1993-03-05 1996-12-04 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5578839A (en) 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
US5317348A (en) * 1992-12-01 1994-05-31 Knize Randall J Full color solid state laser projector system
JP2711205B2 (ja) 1993-01-20 1998-02-10 鐘紡株式会社 複合発泡ポリエステルシート
JP3467788B2 (ja) 1993-02-09 2003-11-17 東ソー株式会社 バックライト
JP2932467B2 (ja) 1993-03-12 1999-08-09 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH07321407A (ja) 1993-04-05 1995-12-08 Fuji Electric Co Ltd 樹脂封止形レーザーダイオード装置
JPH06296043A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
JPH06314826A (ja) * 1993-04-28 1994-11-08 Victor Co Of Japan Ltd 発光ダイオードアレイ
JPH0742152A (ja) 1993-07-29 1995-02-10 Hitachi Constr Mach Co Ltd パイルハンマ
US5514179A (en) * 1993-08-10 1996-05-07 Brennan; H. George Modular facial implant system
JP2584562Y2 (ja) 1993-09-01 1998-11-05 ダイハツ工業株式会社 ラックアンドピニオン式ステアリングのラックガイド
JPH0799345A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH07114904A (ja) 1993-10-18 1995-05-02 Hitachi Ltd バックライト光源用蛍光放電灯
JPH07120754A (ja) * 1993-10-26 1995-05-12 Fujikura Ltd 照光モジュール
JPH0732638U (ja) 1993-11-15 1995-06-16 ミネベア株式会社 面状光源装置
JPH07176794A (ja) * 1993-12-17 1995-07-14 Nichia Chem Ind Ltd 面状光源
JP3190774B2 (ja) * 1993-12-24 2001-07-23 株式会社東芝 Ｌｅｄランプ用リードフレーム及びｌｅｄ表示装置
JP2606025Y2 (ja) * 1993-12-24 2000-09-11 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード素子
JPH07193281A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Mitsubishi Materials Corp 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード
EP0664586A1 (en) 1994-01-20 1995-07-26 Fuji Electric Co., Ltd. Resin-sealed laser diode device
US5505986A (en) 1994-02-14 1996-04-09 Planar Systems, Inc. Multi-source reactive deposition process for the preparation of blue light emitting phosphor layers for AC TFEL devices
JPH07225378A (ja) * 1994-02-15 1995-08-22 Asahi Optical Co Ltd Ｌｃｄ照明装置
JPH07235207A (ja) 1994-02-21 1995-09-05 Copal Co Ltd バックライト
JPH07248495A (ja) * 1994-03-14 1995-09-26 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH07253594A (ja) 1994-03-15 1995-10-03 Fujitsu Ltd 表示装置
JPH07263748A (ja) 1994-03-22 1995-10-13 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US5640216A (en) * 1994-04-13 1997-06-17 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device having video signal driving circuit mounted on one side and housing
JP3329573B2 (ja) 1994-04-18 2002-09-30 日亜化学工業株式会社 Ｌｅｄディスプレイ
JPH07307491A (ja) * 1994-05-11 1995-11-21 Mitsubishi Cable Ind Ltd Ｌｅｄ集合体モジュールおよびその作製方法
JP2979961B2 (ja) 1994-06-14 1999-11-22 日亜化学工業株式会社 フルカラーｌｅｄディスプレイ
JP3116727B2 (ja) * 1994-06-17 2000-12-11 日亜化学工業株式会社 面状光源
JP3227059B2 (ja) * 1994-06-21 2001-11-12 株式会社小糸製作所 車輌用灯具
JPH0863119A (ja) 1994-08-01 1996-03-08 Motorola Inc 単色ｌｅｄを用いた全色画像表示装置
JPH0854839A (ja) * 1994-08-09 1996-02-27 Sony Corp カラー画像表示装置
JPH0864860A (ja) * 1994-08-17 1996-03-08 Mitsubishi Materials Corp 色純度の高い赤外可視変換青色発光ダイオード
JP3309939B2 (ja) 1994-09-09 2002-07-29 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JPH08130329A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄ照明
US5777350A (en) * 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
JP3127195B2 (ja) * 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
US5710628A (en) * 1994-12-12 1998-01-20 Visible Genetics Inc. Automated electrophoresis and fluorescence detection apparatus and method
JPH08170077A (ja) 1994-12-19 1996-07-02 Hitachi Ltd 蛍光体、その製造方法、発光スクリーン及びそれを用いた陰極線管
JP2735057B2 (ja) 1994-12-22 1998-04-02 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
KR100399460B1 (ko) 1995-01-30 2003-12-24 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 조명장치
JP3542677B2 (ja) * 1995-02-27 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH08321918A (ja) * 1995-03-22 1996-12-03 Canon Inc 導光体、該導光体を有する照明装置及び該照明装置を有する情報処理装置
US5623181A (en) * 1995-03-23 1997-04-22 Iwasaki Electric Co., Ltd. Multi-layer type light emitting device
JPH08293825A (ja) * 1995-04-21 1996-11-05 Fujitsu Ltd スペースダイバーシティ受信装置
US5630741A (en) * 1995-05-08 1997-05-20 Advanced Vision Technologies, Inc. Fabrication process for a field emission display cell structure
US5594751A (en) * 1995-06-26 1997-01-14 Optical Concepts, Inc. Current-apertured vertical cavity laser
US5825113A (en) * 1995-07-05 1998-10-20 Electric Power Research Institute, Inc. Doubly salient permanent magnet machine with field weakening (or boosting) capability
JPH0927642A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Clarion Co Ltd 照明装置
JP3120703B2 (ja) * 1995-08-07 2000-12-25 株式会社村田製作所 導電性ペースト及び積層セラミック電子部品
JPH0964325A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Sony Corp 固体撮像素子とその製造方法
US5798537A (en) * 1995-08-31 1998-08-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Blue light-emitting device
US5949751A (en) * 1995-09-07 1999-09-07 Pioneer Electronic Corporation Optical recording medium and a method for reproducing information recorded from same
JPH09116225A (ja) * 1995-10-20 1997-05-02 Hitachi Ltd 半導体発光素子
JP3612693B2 (ja) * 1995-10-31 2005-01-19 岩崎電気株式会社 発光ダイオード配列体及び発光ダイオード
JPH09130546A (ja) * 1995-11-01 1997-05-16 Iwasaki Electric Co Ltd 線状光源用発光ダイオード
JP3476611B2 (ja) * 1995-12-14 2003-12-10 日亜化学工業株式会社 多色発光素子及びそれを用いた表示装置
US5870797A (en) * 1996-02-23 1999-02-16 Anderson; Kent George Vacuum cleaning system
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US5949182A (en) * 1996-06-03 1999-09-07 Cornell Research Foundation, Inc. Light-emitting, nanometer scale, micromachined silicon tips
BRPI9715293B1 (pt) 1996-06-26 2016-11-01 Osram Ag elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5684309A (en) * 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
US6608332B2 (en) 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
JPH1036835A (ja) 1996-07-29 1998-02-10 Nichia Chem Ind Ltd フォトルミネセンス蛍光体
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
IE820328L (en) * 1996-08-15 1983-08-16 Eaton Corp Illumination system
US6004001A (en) 1996-09-12 1999-12-21 Vdo Adolf Schindling Ag Illumination for a display
US5781363A (en) * 1996-10-15 1998-07-14 International Business Machines Corporation Servo-free velocity estimator for coil driven actuator arm in a data storage drive
US5966393A (en) * 1996-12-13 1999-10-12 The Regents Of The University Of California Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications
JP4271747B2 (ja) * 1997-07-07 2009-06-03 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
JPH1139917A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Hewlett Packard Co <Hp> 高演色性光源
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JP3541709B2 (ja) 1998-02-17 2004-07-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6105200A (en) * 1998-04-21 2000-08-22 Cooper; Byron W. Can top cleaning device
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6798537B1 (en) * 1999-01-27 2004-09-28 The University Of Delaware Digital color halftoning with generalized error diffusion vector green-noise masks
US6575930B1 (en) * 1999-03-12 2003-06-10 Medrad, Inc. Agitation devices and dispensing systems incorporating such agitation devices
US6513949B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6538371B1 (en) 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
AU1142001A (en) * 2000-10-19 2002-04-29 Dsm N.V. Protein hydrolysates
JP2002270020A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Casio Comput Co Ltd 光源装置
US6536371B2 (en) * 2001-08-01 2003-03-25 One World Technologies, Inc. Rotary direction indicator
CN100472823C (zh) * 2003-10-15 2009-03-25 日亚化学工业株式会社 发光装置
US7318651B2 (en) * 2003-12-18 2008-01-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash module with quantum dot light conversion
US7083302B2 (en) * 2004-03-24 2006-08-01 J. S. Technology Co., Ltd. White light LED assembly
KR100655894B1 (ko) * 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
US7546032B2 (en) * 2004-09-30 2009-06-09 Casio Computer Co., Ltd. Electronic camera having light-emitting unit
JP4679183B2 (ja) * 2005-03-07 2011-04-27 シチズン電子株式会社 発光装置及び照明装置
JP5240959B2 (ja) 2005-11-16 2013-07-17 国立大学法人 香川大学 薬剤とその製造方法
JP4839866B2 (ja) 2006-02-02 2011-12-21 トヨタ自動車株式会社 車両側部構造
JPWO2007111368A1 (ja) 2006-03-29 2009-08-13 Ｔｔｉ・エルビュー株式会社 イオントフォレーシス装置
JP4717684B2 (ja) 2006-03-30 2011-07-06 富士通テレコムネットワークス株式会社 コンデンサ充電装置
US20080144821A1 (en) 2006-10-26 2008-06-19 Marvell International Ltd. Secure video distribution
KR100930171B1 (ko) * 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
JP5079379B2 (ja) 2007-04-16 2012-11-21 長谷川香料株式会社 二次沈殿が抑制された精製クロロゲン酸類の製法
WO2008143315A1 (ja) 2007-05-22 2008-11-27 Nec San-Ei Instruments, Ltd. データ記録再生装置
US8119028B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
WO2010023840A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device and backlight source, backlight source system, display device, and electronic device using the same
JP5331584B2 (ja) 2009-06-12 2013-10-30 株式会社フジクラ 圧力センサアレイ、圧力センサアレイパッケージ、並びに圧力センサモジュール及び電子部品
JP5441660B2 (ja) 2009-12-15 2014-03-12 日本特殊陶業株式会社 キャパシタの製造方法及びキャパシタ内蔵配線基板
JP5343885B2 (ja) 2010-02-16 2013-11-13 住友電装株式会社 防水機能付き端子金具及び防水コネクタ
JP5472484B2 (ja) 2010-11-24 2014-04-16 トヨタ自動車株式会社 車両用動力伝達装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5953514B2 (ja) 2016-07-20
EP1429398A2 (en) 2004-06-16
HK1052409B (en) 2015-10-09
JP2000208815A (ja) 2000-07-28
US20140084323A1 (en) 2014-03-27
US7329988B2 (en) 2008-02-12
JP2016086176A (ja) 2016-05-19
DE69702929T2 (de) 2001-02-01
BRPI9715264B1 (pt) 2017-05-09
HK1144979A1 (en) 2011-03-18
PT936682E (pt) 2001-01-31
DK2197053T3 (en) 2015-09-14
SG182008A1 (en) 2012-07-30
BRPI9715363B1 (pt) 2016-12-06
US7362048B2 (en) 2008-04-22
JP3729166B2 (ja) 2005-12-21
CA2479538C (en) 2009-04-14
PT2197053E (pt) 2015-09-04
JP6101943B2 (ja) 2017-03-29
HK1149851A1 (en) 2011-10-14
JP5610056B2 (ja) 2014-10-22
JP2011009793A (ja) 2011-01-13
JP4124248B2 (ja) 2008-07-23
DE69702929T3 (de) 2008-03-13
US7901959B2 (en) 2011-03-08
US20070114914A1 (en) 2007-05-24
DK2197055T3 (en) 2016-05-02
CN1249824C (zh) 2006-04-05
EP2197053B1 (en) 2015-07-01
US20040090180A1 (en) 2004-05-13
PT2276080E (pt) 2015-10-12
CN1495921A (zh) 2004-05-12
SG115349A1 (en) 2005-10-28
JP2008160140A (ja) 2008-07-10
HK1066097A1 (zh) 2005-03-11
US9130130B2 (en) 2015-09-08
KR100517271B1 (ko) 2005-09-28
US8685762B2 (en) 2014-04-01
JP5821154B2 (ja) 2015-11-24
JP2016178320A (ja) 2016-10-06
EP1429397A2 (en) 2004-06-16
EP0936682A4 (en) 1999-10-06
US7071616B2 (en) 2006-07-04
EP2197055A3 (en) 2013-01-16
CN1893132A (zh) 2007-01-10
US7968866B2 (en) 2011-06-28
EP2197057A2 (en) 2010-06-16
US20050280357A1 (en) 2005-12-22
KR100559346B1 (ko) 2006-03-15
CN100424901C (zh) 2008-10-08
HK1144982A1 (en) 2011-03-18
US20110297990A1 (en) 2011-12-08
US20040000868A1 (en) 2004-01-01
KR20050053800A (ko) 2005-06-10
DE69702929T4 (de) 2010-10-07
EP2197055B1 (en) 2016-03-30
CA2262136C (en) 2005-02-22
CN1495917A (zh) 2004-05-12
BR9710792B1 (pt) 2011-06-28
DE29724642U1 (de) 2002-08-08
CA2479538A1 (en) 1998-02-05
DE69702929D1 (de) 2000-09-28
JP2014212336A (ja) 2014-11-13
HK1052409A1 (en) 2003-12-12
CA2262136A1 (en) 1998-02-05
BR9715361B1 (pt) 2013-08-27
US20100006819A1 (en) 2010-01-14
DK1017111T3 (en) 2016-01-11
ATE195831T1 (de) 2000-09-15
PT1017111E (pt) 2016-01-22
KR20030097609A (ko) 2003-12-31
DE29724764U1 (de) 2004-01-08
EP0936682B1 (en) 2000-08-23
HK1030095A1 (en) 2001-04-20
US20070159060A1 (en) 2007-07-12
HK1021073A1 (en) 2000-05-26
DE29724670U1 (de) 2002-09-19
US20100264842A1 (en) 2010-10-21
SG10201502321UA (en) 2015-05-28
EP1017112A8 (en) 2004-05-12
US8309375B2 (en) 2012-11-13
DK2197054T3 (en) 2016-06-27
US20040222435A1 (en) 2004-11-11
US20090316068A1 (en) 2009-12-24
US7915631B2 (en) 2011-03-29
EP1017112A3 (en) 2004-04-14
EP2197054A2 (en) 2010-06-16
KR20030097577A (ko) 2003-12-31
EP1017111A2 (en) 2000-07-05
JP2003179259A (ja) 2003-06-27
EP1017112A9 (en) 2004-07-07
EP2197057B1 (en) 2016-03-30
EP2276080A3 (en) 2013-01-09
DK0936682T3 (da) 2000-10-30
HK1027668A1 (en) 2001-01-19
US20090315015A1 (en) 2009-12-24
BR9715362B1 (pt) 2012-12-11
KR20030097578A (ko) 2003-12-31
MY125748A (en) 2006-08-30
EP2197054A3 (en) 2013-01-16
ES2576053T3 (es) 2016-07-05
BR9715365B1 (pt) 2013-09-03
CN1249822C (zh) 2006-04-05
CN1495918A (zh) 2004-05-12
SG182856A1 (en) 2012-08-30
AU720234C (en) 1998-02-20
CN1253949C (zh) 2006-04-26
ES2148997T3 (es) 2000-10-16
US6069440A (en) 2000-05-30
CN1495919A (zh) 2004-05-12
US20080138918A1 (en) 2008-06-12
CN100424902C (zh) 2008-10-08
EP1017111B1 (en) 2015-10-14
US7215074B2 (en) 2007-05-08
US8754428B2 (en) 2014-06-17
EP1017112A2 (en) 2000-07-05
US20100019270A1 (en) 2010-01-28
EP0936682B9 (en) 2007-11-28
ES2553570T3 (es) 2015-12-10
ES2550823T3 (es) 2015-11-12
US7126274B2 (en) 2006-10-24
BR9710792A (pt) 2000-01-11
DK0936682T4 (da) 2007-12-03
US20040004437A1 (en) 2004-01-08
EP1271664A3 (en) 2004-03-31
US7855092B2 (en) 2010-12-21
HK1144978A1 (en) 2011-03-18
TW383508B (en) 2000-03-01
DE29724458U1 (de) 2001-04-26
US7969090B2 (en) 2011-06-28
KR20050044817A (ko) 2005-05-12
JP3700502B2 (ja) 2005-09-28
EP1429398B1 (en) 2015-09-23
EP2197056A3 (en) 2013-01-23
JP2014078746A (ja) 2014-05-01
JP2013102196A (ja) 2013-05-23
DE29724773U1 (de) 2004-02-12
EP1429397A3 (en) 2010-09-22
CN100449807C (zh) 2009-01-07
CN1825646A (zh) 2006-08-30
DK2276080T3 (en) 2015-09-14
EP2194590A3 (en) 2013-01-23
US7531960B2 (en) 2009-05-12
US8148177B2 (en) 2012-04-03
US20110062864A1 (en) 2011-03-17
JP2006332692A (ja) 2006-12-07
DK2197057T3 (en) 2016-04-18
US6614179B1 (en) 2003-09-02
CN1249823C (zh) 2006-04-05
EP0936682B2 (en) 2007-08-01
EP2194590A2 (en) 2010-06-09
AU3635597A (en) 1998-02-20
CA2481364C (en) 2008-09-16
CN1495925A (zh) 2004-05-12
JP2014187398A (ja) 2014-10-02
EP2276080A2 (en) 2011-01-19
BR9715263B1 (pt) 2014-10-14
CN1133218C (zh) 2003-12-31
CA2481364A1 (en) 1998-02-05
EP2194590B1 (en) 2016-04-20
JP2002198573A (ja) 2002-07-12
HK1066096A1 (zh) 2005-03-11
JP5177317B2 (ja) 2013-04-03
EP1045458A2 (en) 2000-10-18
JP2005317985A (ja) 2005-11-10
JP5692445B2 (ja) 2015-04-01
EP1429398A3 (en) 2010-09-22
US20100019224A1 (en) 2010-01-28
KR100524117B1 (ko) 2005-10-26
JP2014209656A (ja) 2014-11-06
EP0936682A1 (en) 1999-08-18
EP2197053A2 (en) 2010-06-16
ES2569615T3 (es) 2016-05-11
WO1998005078A1 (fr) 1998-02-05
US20100001258A1 (en) 2010-01-07
JP5214253B2 (ja) 2013-06-19
HK1144980A1 (en) 2011-03-18
EP1045458A3 (en) 2004-03-31
EP2276080B2 (en) 2022-06-29
EP2197056A2 (en) 2010-06-16
CN1249825C (zh) 2006-04-05
CN100382349C (zh) 2008-04-16
HK1066095A1 (zh) 2005-03-11
ES2545981T3 (es) 2015-09-17
US20100264841A1 (en) 2010-10-21
US7026756B2 (en) 2006-04-11
JP2009135545A (ja) 2009-06-18
CN1893133A (zh) 2007-01-10
US20090315014A1 (en) 2009-12-24
EP2197057A3 (en) 2013-01-23
CN1495920A (zh) 2004-05-12
ES2576052T3 (es) 2016-07-05
CN1240144C (zh) 2006-02-01
EP1017111A3 (en) 2004-04-14
SG182857A1 (en) 2012-08-30
US7943941B2 (en) 2011-05-17
KR100549906B1 (ko) 2006-02-06
EP1271664B1 (en) 2015-02-18
JP5725045B2 (ja) 2015-05-27
US20100117516A1 (en) 2010-05-13
US7682848B2 (en) 2010-03-23
DK1429398T3 (en) 2015-11-30
JP4530094B2 (ja) 2010-08-25
JP5177199B2 (ja) 2013-04-03
ES2544690T3 (es) 2015-09-02
KR100549902B1 (ko) 2006-02-06
CN1893131A (zh) 2007-01-10
DK2194590T3 (en) 2016-06-27
EP1271664A2 (en) 2003-01-02
EP2197055A2 (en) 2010-06-16
JP2016154247A (ja) 2016-08-25
KR20000029696A (ko) 2000-05-25
US8679866B2 (en) 2014-03-25
EP1429397B1 (en) 2017-01-25
EP2276080B1 (en) 2015-07-08
AU720234B2 (en) 2000-05-25
ES2569616T3 (es) 2016-05-11
US5998925A (en) 1999-12-07
JP2012231190A (ja) 2012-11-22
JP3503139B2 (ja) 2004-03-02
EP2197054B1 (en) 2016-04-20
KR100434871B1 (ko) 2004-06-07
CA2479842A1 (en) 1998-02-05
PT1429398E (pt) 2015-12-16
JP2014212335A (ja) 2014-11-13
CA2479842C (en) 2011-08-16
KR100491481B1 (ko) 2005-05-27
GR3034493T3 (en) 2000-12-29
US8610147B2 (en) 2013-12-17
EP2197053A3 (en) 2013-01-16
TWI156177B (en) 2005-01-11
CN1268250A (zh) 2000-09-27
US20110053299A1 (en) 2011-03-03
JP5664815B2 (ja) 2015-02-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2148997T5 (es) Dispositivo emisor de luz y dispositivo de pantalla.
US6608332B2 (en) Light emitting device and display
AU5366900A (en) Light emitting device and display

Legal Events

Date Code Title Description
FG2A Definitive protection

Ref document number: 936682

Country of ref document: ES