JP3476611B2 - 多色発光素子及びそれを用いた表示装置 - Google Patents
多色発光素子及びそれを用いた表示装置Info
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
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- H01L2924/301—Electrical effects
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンドギャプが異
なる複数の半導体を利用して発光させる多色発光素子に
関し、特に、外部量子効率が高く、長時間使用時の信頼
性及び混色性に優れた多色発光素子及びそれを用いた表
示装置に関する。
なる複数の半導体を利用して発光させる多色発光素子に
関し、特に、外部量子効率が高く、長時間使用時の信頼
性及び混色性に優れた多色発光素子及びそれを用いた表
示装置に関する。
【従来の技術】今日、ＬＳＩ等のシリコンテクノロジー
及び光通信等の発展により、大量の情報を処理及び伝送
することが可能となった。これに伴い、多量な画像情報
処理可能なフルカラー化及び大型化した表示装置に対す
る社会の要求が、ますます高まりを見せている。
及び光通信等の発展により、大量の情報を処理及び伝送
することが可能となった。これに伴い、多量な画像情報
処理可能なフルカラー化及び大型化した表示装置に対す
る社会の要求が、ますます高まりを見せている。
【０００２】特に、不特定多数の人々が視認する大型表
示装置については、極めて要求が高い。この様な大型表
示装置としては、冷陰極管を多数組み合わせて表示する
マルチビジョンや液晶フィルターを利用した液晶プロジ
ェクター等が知られている。
示装置については、極めて要求が高い。この様な大型表
示装置としては、冷陰極管を多数組み合わせて表示する
マルチビジョンや液晶フィルターを利用した液晶プロジ
ェクター等が知られている。
【０００３】しかしながら、前述の方式は装置重量、装
置体積が大きい。また、駆動のために高電圧を使用する
ため保守点検がしにくい。或いは使用環境が制限される
などの問題がある。そのため、大型表示装置は、本格的
に普及するまでには至っていない。
置体積が大きい。また、駆動のために高電圧を使用する
ため保守点検がしにくい。或いは使用環境が制限される
などの問題がある。そのため、大型表示装置は、本格的
に普及するまでには至っていない。
【０００４】一方、最近フルカラー表示が可能であるＲ
ＧＢ（赤、緑、青）三原色がそれぞれ高輝度に発光可能
な固体発光素子（以下、ＬＥＤと呼ぶ。）が開発され
た。このＬＥＤの開発にともない大型表示装置等として
にわかにＬＥＤが注目されている。ＬＥＤを用いた表示
装置は、従来の表示装置と比べ装置体積、装置重量が極
めて小さくすることが可能であると同時に長寿命化が可
能である。また、従来の冷陰極管を使用したデイスプレ
イ等と比較して製造が比較的容易であり、駆動電圧及び
消費電力が極めて小さいために大型表示装置として特に
有望視されている。
ＧＢ（赤、緑、青）三原色がそれぞれ高輝度に発光可能
な固体発光素子（以下、ＬＥＤと呼ぶ。）が開発され
た。このＬＥＤの開発にともない大型表示装置等として
にわかにＬＥＤが注目されている。ＬＥＤを用いた表示
装置は、従来の表示装置と比べ装置体積、装置重量が極
めて小さくすることが可能であると同時に長寿命化が可
能である。また、従来の冷陰極管を使用したデイスプレ
イ等と比較して製造が比較的容易であり、駆動電圧及び
消費電力が極めて小さいために大型表示装置として特に
有望視されている。
【０００５】このＬＥＤとしては、共通基板であるステ
ム等の上に赤色、緑色及び青色からなる３つ以上のＬＥ
Ｄチップを配置しそれぞれの発光色の組み合わせにより
フルカラー表示させることができる発光素子いわゆる
「多色発光素子」が挙げられる。（以下、本願明細書に
おける多色発光素子とは、共通基板上に設けられた発光
波長が異なる電磁波を発光しうる半導体が複数設けられ
たものを示す。）具体的には、全てのＬＥＤチップを点
灯させると白色になり、赤と緑でイエロー、緑と青でシ
アンとなる。さらに、各ＬＥＤの明るさを調整して種々
の発光色とすることができる。この様な、多色発光素子
として特開平６ー１７７４３０号、特開平６ー１７７４
２５号等が挙げられる。
ム等の上に赤色、緑色及び青色からなる３つ以上のＬＥ
Ｄチップを配置しそれぞれの発光色の組み合わせにより
フルカラー表示させることができる発光素子いわゆる
「多色発光素子」が挙げられる。（以下、本願明細書に
おける多色発光素子とは、共通基板上に設けられた発光
波長が異なる電磁波を発光しうる半導体が複数設けられ
たものを示す。）具体的には、全てのＬＥＤチップを点
灯させると白色になり、赤と緑でイエロー、緑と青でシ
アンとなる。さらに、各ＬＥＤの明るさを調整して種々
の発光色とすることができる。この様な、多色発光素子
として特開平６ー１７７４３０号、特開平６ー１７７４
２５号等が挙げられる。
【０００６】ＲＧＢ３原色を使用したＬＥＤ構成の具体
的一例を図４及び図５に示す。このフルカラー表示可能
なＬＥＤは、足ピン４０４、４０５、４０６を備え、ス
テム４０７上に赤色ＬＥＤチップ４０１と緑色ＬＥＤチ
ップ４０２及び青色ＬＥＤチップ４０３を配置してあ
る。赤色ＬＥＤチップ４０１、緑色ＬＥＤチップ４０２
及び青色ＬＥＤチップ４０３は、それぞれの半導体に設
けられた一方の電極とステム４０７とをそれぞれＡｇペ
ーストを介して電気的に接続し他方の電極と足ピン４０
４、４０５、４０６とは電気的接続部材４０８を用いて
結線してある。次に図５に示すように、光拡散剤を低濃
度で分散させたエポキシ樹脂等の光分散部材５０１と、
透明のエポキシ樹脂などからなる透明部材５０２と、を
有するモールド５０３が形成される。即ち、モールド５
０３は、各ＬＥＤチップ４０１、４０２、４０３からの
光を混色等させるためのレンズとして機能している。上
記構成の各ＬＥＤチップをそれぞれ発光させることによ
って所望の発光色がえられる多色発光素子として機能さ
せることができる。この多色発光素子をマトリックス状
や所望の幾何学的形状に配置することによって表示装置
として利用することができる。
的一例を図４及び図５に示す。このフルカラー表示可能
なＬＥＤは、足ピン４０４、４０５、４０６を備え、ス
テム４０７上に赤色ＬＥＤチップ４０１と緑色ＬＥＤチ
ップ４０２及び青色ＬＥＤチップ４０３を配置してあ
る。赤色ＬＥＤチップ４０１、緑色ＬＥＤチップ４０２
及び青色ＬＥＤチップ４０３は、それぞれの半導体に設
けられた一方の電極とステム４０７とをそれぞれＡｇペ
ーストを介して電気的に接続し他方の電極と足ピン４０
４、４０５、４０６とは電気的接続部材４０８を用いて
結線してある。次に図５に示すように、光拡散剤を低濃
度で分散させたエポキシ樹脂等の光分散部材５０１と、
透明のエポキシ樹脂などからなる透明部材５０２と、を
有するモールド５０３が形成される。即ち、モールド５
０３は、各ＬＥＤチップ４０１、４０２、４０３からの
光を混色等させるためのレンズとして機能している。上
記構成の各ＬＥＤチップをそれぞれ発光させることによ
って所望の発光色がえられる多色発光素子として機能さ
せることができる。この多色発光素子をマトリックス状
や所望の幾何学的形状に配置することによって表示装置
として利用することができる。
【０００７】しかしながら、視認性及び信頼性の向上が
求められる今日においては上記構成の多色発光素子では
十分ではなく更なる高輝度低電力化、混色性の向上及び
耐久性が求められている。又上記構成の多色発光素子を
表示装置として用いた場合においては見る角度によって
著しく生じる混色不良現象を改善することが求められて
いる。
求められる今日においては上記構成の多色発光素子では
十分ではなく更なる高輝度低電力化、混色性の向上及び
耐久性が求められている。又上記構成の多色発光素子を
表示装置として用いた場合においては見る角度によって
著しく生じる混色不良現象を改善することが求められて
いる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本願発明は、上記課題
に鑑み信頼性が高く更なる高輝度化及び高混色性を達成
する多色発光素子及びそれを用いた表示装置を提供する
ことにある。
に鑑み信頼性が高く更なる高輝度化及び高混色性を達成
する多色発光素子及びそれを用いた表示装置を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願発明は、共通電極上
に波長の異なるＬＥＤチップが一直線的に配置され前記
共通電極が樹脂モールドにより封入されてなる多色発光
素子において、少なくとも第１の発光波長を有する第１
のＬＥＤチップが第１の発光波長より短い発光波長を発
光する第２のＬＥＤチップ及び第１の発光波長より短い
発光波長を発光する第３のＬＥＤチップの間に配置して
なる多色発光素子において、第１のＬＥＤチップは発光
観測面側の中心にボンデイングワイヤーが１つ接続され
ると共に第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップは
それぞれ少なくとも２以上のボンデイングワイヤーが発
光観測面側の発光中心からずれて接続されている多色発
光素子である。
に波長の異なるＬＥＤチップが一直線的に配置され前記
共通電極が樹脂モールドにより封入されてなる多色発光
素子において、少なくとも第１の発光波長を有する第１
のＬＥＤチップが第１の発光波長より短い発光波長を発
光する第２のＬＥＤチップ及び第１の発光波長より短い
発光波長を発光する第３のＬＥＤチップの間に配置して
なる多色発光素子において、第１のＬＥＤチップは発光
観測面側の中心にボンデイングワイヤーが１つ接続され
ると共に第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップは
それぞれ少なくとも２以上のボンデイングワイヤーが発
光観測面側の発光中心からずれて接続されている多色発
光素子である。
【００１０】また、本願発明の請求項２に記載の多色発
光素子は、第１のＬＥＤチップが赤色を発光し、第２の
ＬＥＤチップは緑色を発光すると共に、第３のＬＥＤチ
ップは青色を発光する。
光素子は、第１のＬＥＤチップが赤色を発光し、第２の
ＬＥＤチップは緑色を発光すると共に、第３のＬＥＤチ
ップは青色を発光する。
【００１１】さらに、本願発明の請求項３に記載の多色
発光素子は、第１のＬＥＤチップが黄色を発光し、第２
のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップは青緑色を発光
する。
発光素子は、第１のＬＥＤチップが黄色を発光し、第２
のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップは青緑色を発光
する。
【００１２】本願発明の請求項４に記載の多色発光素子
は、ボンデイングワイヤーがアルミニウム線あるいは金
線である。
は、ボンデイングワイヤーがアルミニウム線あるいは金
線である。
【００１３】さらにまた、本願発明の請求項５に記載の
表示装置は、各ＬＥＤチップが実質的に一直線上に配置
された上述の多色発光素子をマトリクス状に配置すると
共にＬＥＤチップの直線配置方向とマトリクスの上下方
向が略平行である表示パネルと、該表示パネルと電気的
に接続された駆動回路とを有する。
表示装置は、各ＬＥＤチップが実質的に一直線上に配置
された上述の多色発光素子をマトリクス状に配置すると
共にＬＥＤチップの直線配置方向とマトリクスの上下方
向が略平行である表示パネルと、該表示パネルと電気的
に接続された駆動回路とを有する。
【００１４】
【発明の効果】本願発明の請求項１の構成とすることに
より長時間使用時の輝度低下を抑え信頼性が向上すると
ともに混色性を向上させることが出来る。また、光度保
持率を維持しつつ製造を簡略化することができる。さら
に、発光効率を向上させることもできる。
より長時間使用時の輝度低下を抑え信頼性が向上すると
ともに混色性を向上させることが出来る。また、光度保
持率を維持しつつ製造を簡略化することができる。さら
に、発光効率を向上させることもできる。
【００１５】本願発明の請求項２の構成とすることによ
ってフルカラー表示においても混色性が向上する。
ってフルカラー表示においても混色性が向上する。
【００１６】本願発明の請求項３の構成とすることによ
り、混色性の高い白色光を発光させることができる。
り、混色性の高い白色光を発光させることができる。
【００１７】本願発明の請求項４の構成とすることによ
って、作業性を向上させることができる。
って、作業性を向上させることができる。
【００１８】本願発明の請求項５の構成とすることによ
って、多色発光素子が１画素として繰り返し近接して多
数配置された表示パネルを用いる表示装置においても混
色性を向上させることができる。即ち、見る角度におけ
る混色性が崩れることを低減させることができる。
って、多色発光素子が１画素として繰り返し近接して多
数配置された表示パネルを用いる表示装置においても混
色性を向上させることができる。即ち、見る角度におけ
る混色性が崩れることを低減させることができる。
【００１９】
【実施態様例】本願発明者らは種々の実験の結果、多色
発光素子においては混色性、輝度及び信頼性が各ＬＥＤ
チップに設けられた電気的接続部材と、波長の異なる各
ＬＥＤの特定配置によって大きく変わることを見いだ
し、これに基づいて発明するに至った。
発光素子においては混色性、輝度及び信頼性が各ＬＥＤ
チップに設けられた電気的接続部材と、波長の異なる各
ＬＥＤの特定配置によって大きく変わることを見いだ
し、これに基づいて発明するに至った。
【００２０】本願発明の構成による特性向上の理由は定
かではないが、バンドギャプの大きさによってほぼ発熱
量が比例すること及びＬＥＤチップの配置によって熱が
集中することが光度保持率に大きな関係があるためと考
えられる。
かではないが、バンドギャプの大きさによってほぼ発熱
量が比例すること及びＬＥＤチップの配置によって熱が
集中することが光度保持率に大きな関係があるためと考
えられる。
【００２１】即ち、ＬＥＤチップは、熱を受けることで
発光波長がずれるなどの悪影響が生じるが、多色発光素
子では個々ＬＥＤチップの発光色を混色させる必要があ
るためある程度接近して設けなければならず各ＬＥＤチ
ップが発生する熱を無視することが出来ない。特に混色
性向上のために３つ以上直線的に並べた場合、中央ほど
両側から熱を貰うため影響が大きい。さらに、個々の半
導体のバンドギャップは発光波長を決定すると供に発熱
量をも決定する。したがって、発光波長の異なるＬＥＤ
チップを直線的に配置した場合熱の影響が顕著に現れ光
度保持率が大きく変化すると考えられる。
発光波長がずれるなどの悪影響が生じるが、多色発光素
子では個々ＬＥＤチップの発光色を混色させる必要があ
るためある程度接近して設けなければならず各ＬＥＤチ
ップが発生する熱を無視することが出来ない。特に混色
性向上のために３つ以上直線的に並べた場合、中央ほど
両側から熱を貰うため影響が大きい。さらに、個々の半
導体のバンドギャップは発光波長を決定すると供に発熱
量をも決定する。したがって、発光波長の異なるＬＥＤ
チップを直線的に配置した場合熱の影響が顕著に現れ光
度保持率が大きく変化すると考えられる。
【００２２】したがって、発熱量の大きいＬＥＤチップ
を中央から離すと供に電気的接続部材を増やすことによ
って放熱量を多し光度保持率の向上が図られる。
を中央から離すと供に電気的接続部材を増やすことによ
って放熱量を多し光度保持率の向上が図られる。
【００２３】一方、混色性の変化は半導体や電気的接続
部材によって遮られ方が変化することによって生じる為
と考えられる。発光波長の長い電磁波を放出する半導体
から放出された光は、半導体のバンドギャプの関係から
前記発光波長より短い電磁波を放出する半導体を比較的
通過しやすいがこの逆の場合は吸収され易くなること及
び短波長光の方が長波長光よりワイヤーなどと接続され
た電気的接続部に吸収されやすいこと、との相乗効果に
より混色性に差ができるものと考えられる。
部材によって遮られ方が変化することによって生じる為
と考えられる。発光波長の長い電磁波を放出する半導体
から放出された光は、半導体のバンドギャプの関係から
前記発光波長より短い電磁波を放出する半導体を比較的
通過しやすいがこの逆の場合は吸収され易くなること及
び短波長光の方が長波長光よりワイヤーなどと接続され
た電気的接続部に吸収されやすいこと、との相乗効果に
より混色性に差ができるものと考えられる。
【００２４】また、ＬＥＤをパネルに実装しパネルの上
下方向に対してＬＥＤチップの並びがほぼ平行にして使
用する場合は、ＲＧＢ３色とも左右方向から混色性良く
みることができる。上下方向において赤色を中心として
緑色及び青色によって挟まれた構造では、人間の色差に
対する感度は青−緑間に比べイエローやマゼンタ系で高
いため赤色と緑色、赤色と青色とが接近させることによ
って混色を向上させることができる。従って、デイスプ
レイ全体として良好な混色性が得ることができると考え
られる。
下方向に対してＬＥＤチップの並びがほぼ平行にして使
用する場合は、ＲＧＢ３色とも左右方向から混色性良く
みることができる。上下方向において赤色を中心として
緑色及び青色によって挟まれた構造では、人間の色差に
対する感度は青−緑間に比べイエローやマゼンタ系で高
いため赤色と緑色、赤色と青色とが接近させることによ
って混色を向上させることができる。従って、デイスプ
レイ全体として良好な混色性が得ることができると考え
られる。
【００２５】以下、図を用いて本願発明を詳細に説明す
る。図１は、本願発明の概略断面図であり、図２は、本
願発明の概略模式図である。発光波長の異なる各ＬＥＤ
チップとして緑色（発光波長５５５ｎｍ）を発光するＬ
ＥＤチップ１０１、赤色（発光波長６６０ｎｍ）を発光
するＬＥＤチップ１０２及び青色（発光波長４８０ｎ
ｍ）を発光するＬＥＤチップ１０３が共通基板であるス
テム１０４上に接着剤を使用して固定してある。ここ
で、ＬＥＤチップは、発光波長の最も長い赤色を中心と
して両側に緑色と青色を配置する構成としてある。各Ｌ
ＥＤチップ１０１、１０２、１０３は、それぞれ電力を
供給するための電極であるリードフレーム１０５、１０
６、１０７及び共通電極として機能させるステム１０４
と電気的に接続されている。電気的接続としてはダイボ
ンド等の機器を用いて金線などの電気的接続部材１０８
をワイヤーボンデイングしてある。ステム１０４及び各
リードフレーム１０５は、樹脂モールド２０９としてエ
ポキシ樹脂などにより封入することによって多色発光が
可能なＬＥＤとしている。（なお、本願明細書における
多色発光素子とは、共通基板上に設けられた少なくとも
３以上の発光波長が異なる半導体を呼ぶ。）以下各々の
構成部品について説明する。
る。図１は、本願発明の概略断面図であり、図２は、本
願発明の概略模式図である。発光波長の異なる各ＬＥＤ
チップとして緑色（発光波長５５５ｎｍ）を発光するＬ
ＥＤチップ１０１、赤色（発光波長６６０ｎｍ）を発光
するＬＥＤチップ１０２及び青色（発光波長４８０ｎ
ｍ）を発光するＬＥＤチップ１０３が共通基板であるス
テム１０４上に接着剤を使用して固定してある。ここ
で、ＬＥＤチップは、発光波長の最も長い赤色を中心と
して両側に緑色と青色を配置する構成としてある。各Ｌ
ＥＤチップ１０１、１０２、１０３は、それぞれ電力を
供給するための電極であるリードフレーム１０５、１０
６、１０７及び共通電極として機能させるステム１０４
と電気的に接続されている。電気的接続としてはダイボ
ンド等の機器を用いて金線などの電気的接続部材１０８
をワイヤーボンデイングしてある。ステム１０４及び各
リードフレーム１０５は、樹脂モールド２０９としてエ
ポキシ樹脂などにより封入することによって多色発光が
可能なＬＥＤとしている。（なお、本願明細書における
多色発光素子とは、共通基板上に設けられた少なくとも
３以上の発光波長が異なる半導体を呼ぶ。）以下各々の
構成部品について説明する。
【００２６】（ＬＥＤチップ１０１、１０２、１０３）
半導体発光素子である各ＬＥＤチップは、液相成長法や
ＭＯＣＶＤ法等により基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、Ｚ
ｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａ
Ｐ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を
発光層として形成させた物が用いられる。半導体の構造
としては、ＭＩＳ接合やｐｎ接合を有したホモ構造、ヘ
テロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられ
る。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫
外光から赤外光まで種々選択することができる。
半導体発光素子である各ＬＥＤチップは、液相成長法や
ＭＯＣＶＤ法等により基板上にＧａＡｌＮ、ＺｎＳ、Ｚ
ｎＳｅ、ＳｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａ
Ｐ、ＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を
発光層として形成させた物が用いられる。半導体の構造
としては、ＭＩＳ接合やｐｎ接合を有したホモ構造、ヘ
テロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが挙げられ
る。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を紫
外光から赤外光まで種々選択することができる。
【００２７】次に、上記構成の半導体が形成された半導
体ウエハー等をダイヤモンド製の刃先を有するブレード
が回転するダイシングソーにより直接フルカットする
か、または刃先幅よりも広い幅の溝を切り込んだ後（ハ
ーフカット）、外力によって半導体ウエハーを割る。あ
るいは、先端のダイヤモンド針が往復直線運動するスク
ライバーにより半導体ウエハーに極めて細いスクライブ
ライン（経線）を例えば碁盤目状に引いた後、外力によ
ってウエハーを割り半導体ウエハーからチップ状にカッ
トする。
体ウエハー等をダイヤモンド製の刃先を有するブレード
が回転するダイシングソーにより直接フルカットする
か、または刃先幅よりも広い幅の溝を切り込んだ後（ハ
ーフカット）、外力によって半導体ウエハーを割る。あ
るいは、先端のダイヤモンド針が往復直線運動するスク
ライバーにより半導体ウエハーに極めて細いスクライブ
ライン（経線）を例えば碁盤目状に引いた後、外力によ
ってウエハーを割り半導体ウエハーからチップ状にカッ
トする。
【００２８】発光観測面側に複数の電極を形成するため
には各半導体を所望の形状にエッチングしてあることが
好ましい。エッチングとしては、ドライエッチングや、
ウエットエッチングがある。ドライエッチングとしては
例えば反応性イオンエッチング、イオンミリング、集束
ビームエッチング、ＥＣＲエッチング等が挙げられる。
又、ウエットエッチングとしては、硝酸と燐酸の混酸を
用いることが出来る。ただし、エッチングを行う前に所
望の形状に窒化珪素や二酸化珪素等の材料を用いてマス
クを形成することは言うまでもない。
には各半導体を所望の形状にエッチングしてあることが
好ましい。エッチングとしては、ドライエッチングや、
ウエットエッチングがある。ドライエッチングとしては
例えば反応性イオンエッチング、イオンミリング、集束
ビームエッチング、ＥＣＲエッチング等が挙げられる。
又、ウエットエッチングとしては、硝酸と燐酸の混酸を
用いることが出来る。ただし、エッチングを行う前に所
望の形状に窒化珪素や二酸化珪素等の材料を用いてマス
クを形成することは言うまでもない。
【００２９】野外などの使用を考慮する場合、高輝度な
半導体材料として緑色及び青色を窒化ガリウム系化合物
半導体を用いることが好ましく、また、赤色ではガリウ
ム、アルミニュウム、砒素系の半導体やアルミニュウ
ム、インジュウム、ガリウム、燐系の半導体を用いるこ
とが好ましいが、用途によって種々利用できることは言
うまでもない。
半導体材料として緑色及び青色を窒化ガリウム系化合物
半導体を用いることが好ましく、また、赤色ではガリウ
ム、アルミニュウム、砒素系の半導体やアルミニュウ
ム、インジュウム、ガリウム、燐系の半導体を用いるこ
とが好ましいが、用途によって種々利用できることは言
うまでもない。
【００３０】なお、窒化ガリウム系化合物半導体を使用
した場合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、Ｓｉ
Ｃ、Ｓｉ、ＺｎＯ等の材料が用いられる。結晶性の良い
窒化ガリウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用
いることが好ましい。このサファイヤ基板上にＧａＮ、
ＡｌＮ等のバッファー層を形成しその上にｐｎ接合を有
する窒化ガリウム半導体を形成させる。窒化ガリウム系
半導体は、不純物をドープしない状態でｎ型導電性を示
す。なお、発光効率を向上させる等所望のｎ型窒化ガリ
ウム半導体を形成させる場合は、ｎ型ドーパントとして
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが好
ましい。一方、ｐ型窒化ガリウム半導体を形成させる場
合は、ｐ型ドーパンドであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、
Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。窒化ガリウム半導体は、
ｐ型ドーパントをドープしただけではｐ型化しにくいた
めｐ型ドーパント導入後に、低電子線照射させたり、プ
ラズマ照射等によりアニールすることでｐ型化させる必
要がある。
した場合、半導体基板にはサファイヤ、スピネル、Ｓｉ
Ｃ、Ｓｉ、ＺｎＯ等の材料が用いられる。結晶性の良い
窒化ガリウムを形成させるためにはサファイヤ基板を用
いることが好ましい。このサファイヤ基板上にＧａＮ、
ＡｌＮ等のバッファー層を形成しその上にｐｎ接合を有
する窒化ガリウム半導体を形成させる。窒化ガリウム系
半導体は、不純物をドープしない状態でｎ型導電性を示
す。なお、発光効率を向上させる等所望のｎ型窒化ガリ
ウム半導体を形成させる場合は、ｎ型ドーパントとして
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等を適宜導入することが好
ましい。一方、ｐ型窒化ガリウム半導体を形成させる場
合は、ｐ型ドーパンドであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、
Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。窒化ガリウム半導体は、
ｐ型ドーパントをドープしただけではｐ型化しにくいた
めｐ型ドーパント導入後に、低電子線照射させたり、プ
ラズマ照射等によりアニールすることでｐ型化させる必
要がある。
【００３１】こうしてできた波長の異なるＬＥＤチップ
は、所望によって複数用いることができ、例えば青色を
２個、緑色及び赤色をそれぞれ１個ずつとすることが出
来る。また、発光波長は必ずしも青色、緑色、赤色に限
られる物ではなく、所望に応じて黄色などが発光できる
ように半導体のバンドギャプを調節すれば良い。また、
ＬＥＤチップの配置としては、発光波長の長いＬＥＤチ
ップほど中央側に配置されればよい。光学的には、それ
ぞれの発光素子を直線状に配置することが好ましい。具
体的な例としては、青緑色ＬＥＤチップに挟まれた黄色
ＬＥＤチップを用いて白色光を発光させることが出来
る。なお、表示装置用の多色発光素子として利用するた
めには赤色の発光波長が６１０ｎｍから７００ｎｍ、緑
色が４９５ｎｍから５６５ｎｍ、青色の発光波長が４３
０ｎｍから４９０ｎｍであることが好ましい。
は、所望によって複数用いることができ、例えば青色を
２個、緑色及び赤色をそれぞれ１個ずつとすることが出
来る。また、発光波長は必ずしも青色、緑色、赤色に限
られる物ではなく、所望に応じて黄色などが発光できる
ように半導体のバンドギャプを調節すれば良い。また、
ＬＥＤチップの配置としては、発光波長の長いＬＥＤチ
ップほど中央側に配置されればよい。光学的には、それ
ぞれの発光素子を直線状に配置することが好ましい。具
体的な例としては、青緑色ＬＥＤチップに挟まれた黄色
ＬＥＤチップを用いて白色光を発光させることが出来
る。なお、表示装置用の多色発光素子として利用するた
めには赤色の発光波長が６１０ｎｍから７００ｎｍ、緑
色が４９５ｎｍから５６５ｎｍ、青色の発光波長が４３
０ｎｍから４９０ｎｍであることが好ましい。
【００３２】（電気的接続部材１０８）電気的接続部材
１０８としては、各ＬＥＤ電極とのオーミック性、機械
的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求めら
れる。熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／ｃｍ 2 ／ｃｍ
／℃以上が好ましく、より好ましくは０．５ｃａｌ／ｃ
ｍ2／ｃｍ／℃以上である。具体的には、金、銅、白
金、アルミニュウム等及びそれらの合金を用いたボンデ
イングワイヤーが挙げられる。また、銀、カーボン等の
フィラーを樹脂で充填した導電性接着剤等を用いること
もできる。作業性を考慮してアルミニウム線あるいは金
線が好ましい。
１０８としては、各ＬＥＤ電極とのオーミック性、機械
的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが求めら
れる。熱伝導度としては０．０１ｃａｌ／ｃｍ 2 ／ｃｍ
／℃以上が好ましく、より好ましくは０．５ｃａｌ／ｃ
ｍ2／ｃｍ／℃以上である。具体的には、金、銅、白
金、アルミニュウム等及びそれらの合金を用いたボンデ
イングワイヤーが挙げられる。また、銀、カーボン等の
フィラーを樹脂で充填した導電性接着剤等を用いること
もできる。作業性を考慮してアルミニウム線あるいは金
線が好ましい。
【００３３】本発明において用いられる電気的接続部材
としては、放熱性向上の目的で複数設けることが出来る
が、多くなると発光面積が制限されるために輝度が低下
する。したがって、１つのＬＥＤチップとしては発光面
側に２〜６カ所が好ましい。
としては、放熱性向上の目的で複数設けることが出来る
が、多くなると発光面積が制限されるために輝度が低下
する。したがって、１つのＬＥＤチップとしては発光面
側に２〜６カ所が好ましい。
【００３４】しかしながら、本願発明においては中央側
のＬＥＤチップは、バンドギャプが小さいために発熱量
が少なく電気的接続部材を１つ設ける構成でも十分とな
る。電気的接続部材が１つであると両側のＬＥＤチップ
が２本以上であっても配線の自由度を大きくできると共
に製造工程を簡略化できる。
のＬＥＤチップは、バンドギャプが小さいために発熱量
が少なく電気的接続部材を１つ設ける構成でも十分とな
る。電気的接続部材が１つであると両側のＬＥＤチップ
が２本以上であっても配線の自由度を大きくできると共
に製造工程を簡略化できる。
【００３５】（電気的接続部）本願発明において用いら
れる電気的接続部１０９とは、各ＬＥＤチップに電力を
供給するために設けられたＬＥＤチップ上の電気的接点
であって、少なくともＬＥＤチップから放出された発光
波長の一部を吸収する物をいい、接続部においてＬＥＤ
からの発光を２０％以上遮光する物を言う。具体的に
は、ワイヤーボンデイングの際に生じるボール、ＬＥＤ
からの発光が吸収されるＬＥＤ上の電極や電気的接続を
させるための導電性樹脂等があげられる。電気的接続部
材を２以上設ける場合発光効率を向上させるには発光面
中心からずれていることが好ましい。
れる電気的接続部１０９とは、各ＬＥＤチップに電力を
供給するために設けられたＬＥＤチップ上の電気的接点
であって、少なくともＬＥＤチップから放出された発光
波長の一部を吸収する物をいい、接続部においてＬＥＤ
からの発光を２０％以上遮光する物を言う。具体的に
は、ワイヤーボンデイングの際に生じるボール、ＬＥＤ
からの発光が吸収されるＬＥＤ上の電極や電気的接続を
させるための導電性樹脂等があげられる。電気的接続部
材を２以上設ける場合発光効率を向上させるには発光面
中心からずれていることが好ましい。
【００３６】なお、本願発明でいうＬＥＤチップの発光
面中心とは、発光面の重心をいう。また、発光面中心か
らずれるとは、少なくとも電気的接続部が発光面中心に
かかっていないことを言う。
面中心とは、発光面の重心をいう。また、発光面中心か
らずれるとは、少なくとも電気的接続部が発光面中心に
かかっていないことを言う。
【００３７】（電極）本願発明に用いられるＬＥＤチッ
プの電極としては、種々の方法によって形成される。導
電性基板結晶上にＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ等の半導体を形
成させたＬＥＤの場合、基板結晶を除去するためアルミ
ナや炭化珪素の細粒によるラッピング、表面の平滑性を
向上させるためのポリシング及び洗浄の工程をへた後、
金や白金等を含有する材料を蒸着材料やスパッタ材料と
して用いそれぞれ所望の場所に蒸着方法やスパッタリン
グ方法などによって電極を形成させる。また、形成され
た半導体側に蒸着方法やスパッタ方法を利用して金、白
金等の金属を一部分堆積させ電極として利用することも
できる。なお、堆積させた金属と半導体とを溶着合金さ
せるために不活性ガス中において３００〜４００℃で数
秒から数分間熱処理することが好ましい。
プの電極としては、種々の方法によって形成される。導
電性基板結晶上にＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ等の半導体を形
成させたＬＥＤの場合、基板結晶を除去するためアルミ
ナや炭化珪素の細粒によるラッピング、表面の平滑性を
向上させるためのポリシング及び洗浄の工程をへた後、
金や白金等を含有する材料を蒸着材料やスパッタ材料と
して用いそれぞれ所望の場所に蒸着方法やスパッタリン
グ方法などによって電極を形成させる。また、形成され
た半導体側に蒸着方法やスパッタ方法を利用して金、白
金等の金属を一部分堆積させ電極として利用することも
できる。なお、堆積させた金属と半導体とを溶着合金さ
せるために不活性ガス中において３００〜４００℃で数
秒から数分間熱処理することが好ましい。
【００３８】発光素子の電極を介して発光させる場合
は、金属薄膜等で形成させた透光性（なお、ここで透光
性とは発光素子の発光する光の波長に対して電極を通過
すれば良い。）の電極とする必要がある。また、ｐ型導
電性を有する半導体と接続させる電極（以下、ｐ型電極
と呼ぶ。）としてはｐ型導電性を有する半導体層とオー
ミック接触させる必要がある。
は、金属薄膜等で形成させた透光性（なお、ここで透光
性とは発光素子の発光する光の波長に対して電極を通過
すれば良い。）の電極とする必要がある。また、ｐ型導
電性を有する半導体と接続させる電極（以下、ｐ型電極
と呼ぶ。）としてはｐ型導電性を有する半導体層とオー
ミック接触させる必要がある。
【００３９】窒化ガリウム系半導体の場合、これらの条
件を満たす材料として、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｒｈ等
の金属及びそれらの合金が挙げられる。また、透光性を
有する電極材料としてＩＴＯ、ＳｎＯ 2 、ＮｉＯ 2 等の金
属酸化物もあげられる。さらには、これらの上に前記金
属薄膜を積層することも可能である。金属等を透光性と
するためには蒸着方法、スパッタ方法等を用いて極めて
薄く形成させれば良い。また、金属を蒸着あるいはスパ
ッタ方法等によって形成させた後、アニーリングして金
属をｐ型導電性を有する半導体層中に拡散させると共に
外部に飛散させて所望の膜厚（透光性となる電極の膜
厚）に調整させた電極を形成させることもできる。透光
性となる金属電極の膜厚は、所望する発光波長や金属の
種類によっても異なるが、好ましくは、０．００１〜
０．１μｍであり、より好ましくは、０．０５〜０．２
μｍである。更に、電極を透光性とした場合、ｐ型電極
の形状としては、線状、平面状等目的に応じて形成させ
ることができる。ｐ型導電性を有する半導体層全体に形
成された平面状電極は、電流を全面に広げ全面発光とす
ることができる。
件を満たす材料として、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｒｈ等
の金属及びそれらの合金が挙げられる。また、透光性を
有する電極材料としてＩＴＯ、ＳｎＯ 2 、ＮｉＯ 2 等の金
属酸化物もあげられる。さらには、これらの上に前記金
属薄膜を積層することも可能である。金属等を透光性と
するためには蒸着方法、スパッタ方法等を用いて極めて
薄く形成させれば良い。また、金属を蒸着あるいはスパ
ッタ方法等によって形成させた後、アニーリングして金
属をｐ型導電性を有する半導体層中に拡散させると共に
外部に飛散させて所望の膜厚（透光性となる電極の膜
厚）に調整させた電極を形成させることもできる。透光
性となる金属電極の膜厚は、所望する発光波長や金属の
種類によっても異なるが、好ましくは、０．００１〜
０．１μｍであり、より好ましくは、０．０５〜０．２
μｍである。更に、電極を透光性とした場合、ｐ型電極
の形状としては、線状、平面状等目的に応じて形成させ
ることができる。ｐ型導電性を有する半導体層全体に形
成された平面状電極は、電流を全面に広げ全面発光とす
ることができる。
【００４０】さらにまた、ｐ型電極を極めて薄く形成さ
せた場合、電極上に直接ワイヤーボンデイングすると、
ボールがｐ型電極と合金化せず接続しにくくなる傾向が
あるため密着性向上のためにｐ型電極とは別にボンデイ
ング用の台座電極を形成させたり、ｐ型電極を多層構成
とすることが好ましい。台座電極の材質としては、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ａｌ等を使用することができる。台座電極の
膜厚としてはミクロンオーダーとすることが好ましい。
又、ｐ型電極の少なくとも一部を多層構成とする場合、
窒化ガリウムと接触させる接触電極にはＣｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｔｉ、Ａｇから選択され
る金属あるいは、これらの合金が好適に用いられボンデ
イングワイヤーと接触するボンデイング電極としてはＡ
ｌ、Ａｕ等の金属あるいはこれらの合金が好適に用いら
れる。なお、半導体素子通電時、ｐ型電極中にボンデイ
ング用電極材料がマイグレーションする場合があるため
ボンデイング用電極Ａｕ単体あるいはＡｌ及び／Ｃｒ含
有量が少ないＡｕ合金とすることが特に好ましい。
せた場合、電極上に直接ワイヤーボンデイングすると、
ボールがｐ型電極と合金化せず接続しにくくなる傾向が
あるため密着性向上のためにｐ型電極とは別にボンデイ
ング用の台座電極を形成させたり、ｐ型電極を多層構成
とすることが好ましい。台座電極の材質としては、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ａｌ等を使用することができる。台座電極の
膜厚としてはミクロンオーダーとすることが好ましい。
又、ｐ型電極の少なくとも一部を多層構成とする場合、
窒化ガリウムと接触させる接触電極にはＣｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｔｉ、Ａｇから選択され
る金属あるいは、これらの合金が好適に用いられボンデ
イングワイヤーと接触するボンデイング電極としてはＡ
ｌ、Ａｕ等の金属あるいはこれらの合金が好適に用いら
れる。なお、半導体素子通電時、ｐ型電極中にボンデイ
ング用電極材料がマイグレーションする場合があるため
ボンデイング用電極Ａｕ単体あるいはＡｌ及び／Ｃｒ含
有量が少ないＡｕ合金とすることが特に好ましい。
【００４１】サファイヤ基板を用いた窒化ガリウム系半
導体の場合、ｎ型導電性を有する半導体と電気的に接続
される電極（以下、ｎ型電極と呼ぶ。）としてはＣｒま
たはＮｉまたは、Ａｌの単体、合金としてはＡｕ、Ｐ
ｔ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｗより選択された
一種の金属と、Ｃｒとの合金、またはＮｉとの合金、Ｃ
ｒ−Ｎｉ合金または、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗやその合金
を使用することができる。又、それらの多層膜とするこ
ともできる。ｎ型電極としては、特にＣｒ単独、Ｃｒ−
Ｎｉ合金、Ｃｒ−Ａｕ合金、Ｎｉ−Ａｕ合金、Ｔｉ−Ａ
ｌまたはＴｉ−Ａｇ合金が好ましい。合金のＣｒ、Ｎ
ｉ、Ｔｉ、Ａｇ含有量は、合金材料や半導体材料によっ
て種々選択されるが多いほど好ましい。上記電極材料を
窒化ガリウム系化合物半導体に形成させるには予め合金
化させておいた金属、または金属単体を蒸着材料あるい
はスパッタ材料とすることによって電極を形成させるこ
とができる。
導体の場合、ｎ型導電性を有する半導体と電気的に接続
される電極（以下、ｎ型電極と呼ぶ。）としてはＣｒま
たはＮｉまたは、Ａｌの単体、合金としてはＡｕ、Ｐ
ｔ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｗより選択された
一種の金属と、Ｃｒとの合金、またはＮｉとの合金、Ｃ
ｒ−Ｎｉ合金または、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗやその合金
を使用することができる。又、それらの多層膜とするこ
ともできる。ｎ型電極としては、特にＣｒ単独、Ｃｒ−
Ｎｉ合金、Ｃｒ−Ａｕ合金、Ｎｉ−Ａｕ合金、Ｔｉ−Ａ
ｌまたはＴｉ−Ａｇ合金が好ましい。合金のＣｒ、Ｎ
ｉ、Ｔｉ、Ａｇ含有量は、合金材料や半導体材料によっ
て種々選択されるが多いほど好ましい。上記電極材料を
窒化ガリウム系化合物半導体に形成させるには予め合金
化させておいた金属、または金属単体を蒸着材料あるい
はスパッタ材料とすることによって電極を形成させるこ
とができる。
【００４２】なお、窒化ガリウム半導体の場合は、電極
材料と半導体材料をなじませオーミック特性を向上させ
るために４００℃以上でアニールすることが好ましい。
また、窒化ガリウム半導体の分解を抑制する目的から１
１００℃以下でアニールすることが好ましい。さらに、
アニーリングを窒素雰囲気中で行うことにより、窒化ガ
リュウム系化合物半導体中の窒素が分解して出て行くの
を抑制することができ、結晶性を保つことが出来る。
材料と半導体材料をなじませオーミック特性を向上させ
るために４００℃以上でアニールすることが好ましい。
また、窒化ガリウム半導体の分解を抑制する目的から１
１００℃以下でアニールすることが好ましい。さらに、
アニーリングを窒素雰囲気中で行うことにより、窒化ガ
リュウム系化合物半導体中の窒素が分解して出て行くの
を抑制することができ、結晶性を保つことが出来る。
【００４３】（共通基板１０４）共通基板としては、各
ＬＥＤチップを配置するために用いられるものであれば
よく、半導体基板やステム等種々の物が利用できる。ス
テムを共通基板１０４として利用する場合は各ＬＥＤチ
ップをダイボンド等の機器で積置するのに十分な大きさ
があれば良く絶縁体を介してリードフレームと接続させ
てもよい。ステム１０４を各ＬＥＤの共通電極として利
用する場合においては十分な電気伝導性とボンデイング
ワイヤー等との接続性が求められる。
ＬＥＤチップを配置するために用いられるものであれば
よく、半導体基板やステム等種々の物が利用できる。ス
テムを共通基板１０４として利用する場合は各ＬＥＤチ
ップをダイボンド等の機器で積置するのに十分な大きさ
があれば良く絶縁体を介してリードフレームと接続させ
てもよい。ステム１０４を各ＬＥＤの共通電極として利
用する場合においては十分な電気伝導性とボンデイング
ワイヤー等との接続性が求められる。
【００４４】各ＬＥＤチップとステムとの接続は熱硬化
性樹脂などによって行うことが出来る。具体的には、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド樹脂などが挙げられ
る。また、ＬＥＤチップとステムとを接着させると共に
電気的に接続させるためにはＡｇペースト、カーボンペ
ースト、金属バンプ等を用いることができる。さらに、
各ＬＥＤの発光効率を向上させるためにステム表面に反
射機能を持たせても良い。具体的な電気抵抗としては３
００μΩ−ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは、３μ
Ω−ｃｍ以下である。また、ステム上に複数のＬＥＤチ
ップを積置する場合は、ＬＥＤからの発熱量が多くなる
ため熱伝導度がよいことが求められる。具体的には、
０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましくより
好ましくは０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上であ
る。これらの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄入
り銅、錫入り銅、メタライズパターン付きセラミック等
が挙げられる。
性樹脂などによって行うことが出来る。具体的には、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂やイミド樹脂などが挙げられ
る。また、ＬＥＤチップとステムとを接着させると共に
電気的に接続させるためにはＡｇペースト、カーボンペ
ースト、金属バンプ等を用いることができる。さらに、
各ＬＥＤの発光効率を向上させるためにステム表面に反
射機能を持たせても良い。具体的な電気抵抗としては３
００μΩ−ｃｍ以下が好ましく、より好ましくは、３μ
Ω−ｃｍ以下である。また、ステム上に複数のＬＥＤチ
ップを積置する場合は、ＬＥＤからの発熱量が多くなる
ため熱伝導度がよいことが求められる。具体的には、
０．０１ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上が好ましくより
好ましくは０．５ｃａｌ／ｃｍ2／ｃｍ／℃以上であ
る。これらの条件を満たす材料としては、鉄、銅、鉄入
り銅、錫入り銅、メタライズパターン付きセラミック等
が挙げられる。
【００４５】（リードフレーム１０５、１０６、１０
７）リードフレームとしては、ボンデイングワイヤー等
との接続性及び電気伝導性が求められる。具体的な電気
抵抗としては、３００μΩ−ｃｍ以下が好ましく、より
好ましくは３μΩ−ｃｍ以下である。これらの条件を満
たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅等が挙
げられる。
７）リードフレームとしては、ボンデイングワイヤー等
との接続性及び電気伝導性が求められる。具体的な電気
抵抗としては、３００μΩ−ｃｍ以下が好ましく、より
好ましくは３μΩ−ｃｍ以下である。これらの条件を満
たす材料としては、鉄、銅、鉄入り銅、錫入り銅等が挙
げられる。
【００４６】（モールド２０９）モールド２０９は、各
ＬＥＤチップ及び電気的接続部材等を外部から保護する
ために設けることが好ましく一般には樹脂を用いて形成
させることができる。また、樹脂モールドに拡散剤を含
有させることによってＬＥＤからの指向性を緩和させ視
野角を増やすことができる。更に、樹脂モールドを所望
の形状にすることによってＬＥＤからの発光を集束させ
たり拡散させたりするレンズ効果を持たせることができ
る。従って、樹脂モールドは複数積層した構造でもよ
い。具体的には、凸レンズ形状、凹レンズ形状やそれら
を複数組み合わせた物である。さらに樹脂モールド自体
に着色させ所望外の波長をカットするフィルターの役目
をもたすこともできる。上記樹脂モールドの材料として
は、エポキシ樹脂、ユリア樹脂などの耐候性に優れた透
明樹脂が好適に用いられる。また、拡散剤としては、チ
タン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニュウム、酸
化珪素等が好適に用いられる。
ＬＥＤチップ及び電気的接続部材等を外部から保護する
ために設けることが好ましく一般には樹脂を用いて形成
させることができる。また、樹脂モールドに拡散剤を含
有させることによってＬＥＤからの指向性を緩和させ視
野角を増やすことができる。更に、樹脂モールドを所望
の形状にすることによってＬＥＤからの発光を集束させ
たり拡散させたりするレンズ効果を持たせることができ
る。従って、樹脂モールドは複数積層した構造でもよ
い。具体的には、凸レンズ形状、凹レンズ形状やそれら
を複数組み合わせた物である。さらに樹脂モールド自体
に着色させ所望外の波長をカットするフィルターの役目
をもたすこともできる。上記樹脂モールドの材料として
は、エポキシ樹脂、ユリア樹脂などの耐候性に優れた透
明樹脂が好適に用いられる。また、拡散剤としては、チ
タン酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニュウム、酸
化珪素等が好適に用いられる。
【００４７】（表示装置３０１）表示装置３０１として
は、本願発明の多色発光素子を複数個配置した表示パネ
ル３０２と駆動回路３０３である点灯回路など電気的に
接続されたものが用いられる。具体的には、多色発光素
子を任意形状に配置し標識などに利用できるが、本願発
明における表示装置としては、マトリクッス状に配置し
駆動回路からの出力パルスによってデイスプレイ等に使
用できる物を言う。駆動回路としては、入力される表示
データを一時的に記憶させるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ、Ａ
ｃｃｅｓｓ、Ｍｅｍｏｒｙ）と、該ＲＡＭに記憶される
データからＬＥＤを所定の明るさに点灯させるための階
調信号を演算する階調制御回路と、階調制御回路の出力
信号でスイッチングされて、ＬＥＤ３０４を点灯させる
ドライバーとを備える。階調制御回路は、ＲＡＭに記憶
されるデータからＬＥＤの点灯時間を演算してパルス信
号を出力する。階調制御回路から出力されるパルス信号
である階調信号は、ＬＥＤのドライバーに入力されてド
ライバをスイッチングさせる。ドライバーがオンになる
とＬＥＤが点灯され、オフになると消灯される。
は、本願発明の多色発光素子を複数個配置した表示パネ
ル３０２と駆動回路３０３である点灯回路など電気的に
接続されたものが用いられる。具体的には、多色発光素
子を任意形状に配置し標識などに利用できるが、本願発
明における表示装置としては、マトリクッス状に配置し
駆動回路からの出力パルスによってデイスプレイ等に使
用できる物を言う。駆動回路としては、入力される表示
データを一時的に記憶させるＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ、Ａ
ｃｃｅｓｓ、Ｍｅｍｏｒｙ）と、該ＲＡＭに記憶される
データからＬＥＤを所定の明るさに点灯させるための階
調信号を演算する階調制御回路と、階調制御回路の出力
信号でスイッチングされて、ＬＥＤ３０４を点灯させる
ドライバーとを備える。階調制御回路は、ＲＡＭに記憶
されるデータからＬＥＤの点灯時間を演算してパルス信
号を出力する。階調制御回路から出力されるパルス信号
である階調信号は、ＬＥＤのドライバーに入力されてド
ライバをスイッチングさせる。ドライバーがオンになる
とＬＥＤが点灯され、オフになると消灯される。
【００４８】以下、本願発明の実施例について説明する
が、本願発明は具体的実施例のみに限定されるものでは
ないことは言うまでもない。
が、本願発明は具体的実施例のみに限定されるものでは
ないことは言うまでもない。
【００４９】
【実施例】［実施例１］多色発光素子に用いられる各Ｌ
ＥＤチップ、緑色、青色及び赤色の発光層の半導体とし
てそれぞれＧａＰ（発光波長５５５ｎｍ）、ＳｉＣ（発
光波長４７０ｎｍ）、ＧａＡｌＡｓ（発光波長６６０ｎ
ｍ）を使用して構成させた。
ＥＤチップ、緑色、青色及び赤色の発光層の半導体とし
てそれぞれＧａＰ（発光波長５５５ｎｍ）、ＳｉＣ（発
光波長４７０ｎｍ）、ＧａＡｌＡｓ（発光波長６６０ｎ
ｍ）を使用して構成させた。
【００５０】具体的には、赤色を発光するＬＥＤチップ
は温度差液相成長法で連続的にｐ型ガリウム・砒素基板
上にｐ型ＧａＡｌＡｓを成長し、その上にｎ型ＧａＡｌ
Ａｓを成長し、発光領域であるｐ型ＧａＡｌＡｓを形成
させる。青色を発光するＬＥＤチップは、ｎ型基板上に
液相エピタキシャル結晶成長法を用いてＳｉＣを発光領
域にしたｐｎ接合半導体を形成させる。緑色を発光する
ＬＥＤチップは、液相成長法によりｎ型ガリウム・リン
基板結晶上にｎ型及びｐ型エピタキシャル成長法で連続
して成長する同種接合によりｐｎ接合を形成する。
は温度差液相成長法で連続的にｐ型ガリウム・砒素基板
上にｐ型ＧａＡｌＡｓを成長し、その上にｎ型ＧａＡｌ
Ａｓを成長し、発光領域であるｐ型ＧａＡｌＡｓを形成
させる。青色を発光するＬＥＤチップは、ｎ型基板上に
液相エピタキシャル結晶成長法を用いてＳｉＣを発光領
域にしたｐｎ接合半導体を形成させる。緑色を発光する
ＬＥＤチップは、液相成長法によりｎ型ガリウム・リン
基板結晶上にｎ型及びｐ型エピタキシャル成長法で連続
して成長する同種接合によりｐｎ接合を形成する。
【００５１】各ＬＥＤチップとなる半導体は、それぞれ
発光観測面側に発光中心をずらして電気的接続が形成で
きるようｐ型半導体あるいはｎ型半導体を部分的にドラ
イエッチングしてある。この後、金を各半導体に真空蒸
着させて電極を形成させた。こうしてできた各半導体ウ
エハーをＬＥＤチップとして使用するためにスクライバ
ーによってスクライブラインを引いた後、外力によって
３５０μｍ角の大きさに切断した。
発光観測面側に発光中心をずらして電気的接続が形成で
きるようｐ型半導体あるいはｎ型半導体を部分的にドラ
イエッチングしてある。この後、金を各半導体に真空蒸
着させて電極を形成させた。こうしてできた各半導体ウ
エハーをＬＥＤチップとして使用するためにスクライバ
ーによってスクライブラインを引いた後、外力によって
３５０μｍ角の大きさに切断した。
【００５２】このＬＥＤチップを表面反射性が良い銅製
ステム上にダイボンデング機器を用いて熱硬化性エポキ
シ樹脂によって図１の如く配置した。図１は、発光波長
の長い赤色（６６０ｎｍ）を発光するＬＥＤチップがそ
れよりも発光波長が短い青色（４８０ｎｍ）、緑色（５
５５ｎｍ）のＬＥＤチップにはさまれて中心となるよう
に固定されている。次にワイヤーボンデイング機器を用
いて直径０．０３ｍｍのＡｕ線をＬＥＤの各電極、ステ
ム及びリードフレームにワイヤーボンデイングした。こ
れを無着色のエポキシ樹脂が充填されたカップ中に入れ
１２０℃、５時間で硬化させた。こうして多色発光素子
が封入されたＬＥＤを５００個形成した。
ステム上にダイボンデング機器を用いて熱硬化性エポキ
シ樹脂によって図１の如く配置した。図１は、発光波長
の長い赤色（６６０ｎｍ）を発光するＬＥＤチップがそ
れよりも発光波長が短い青色（４８０ｎｍ）、緑色（５
５５ｎｍ）のＬＥＤチップにはさまれて中心となるよう
に固定されている。次にワイヤーボンデイング機器を用
いて直径０．０３ｍｍのＡｕ線をＬＥＤの各電極、ステ
ム及びリードフレームにワイヤーボンデイングした。こ
れを無着色のエポキシ樹脂が充填されたカップ中に入れ
１２０℃、５時間で硬化させた。こうして多色発光素子
が封入されたＬＥＤを５００個形成した。
【００５３】次に、このＬＥＤを基板上に７×７個のマ
トリックス状に配置しそれぞれ駆動回路と電気的に接続
させ図３に示した表示装置を１０個形成した。ＴＯＰＵ
ＫＯＮ社製ＢＭー７によってＬＥＤがｘ・ｙ色度図（Ｋ
ｅｌｌ Ｃｈａｒｔ）上で白色（ｘ＝０．３１、ｙ＝
０．３１）となる各ＬＥＤチップの光度（ａ）及び１０
００時間の連続点灯後の光度（ｂ）をそれぞれ測定し光
度保持率（（ａ／ｂ）×１００）として表した。測定結
果は、それぞれＬＥＤの１０個平均を実施例及び比較例
で比較し表１に示した。
トリックス状に配置しそれぞれ駆動回路と電気的に接続
させ図３に示した表示装置を１０個形成した。ＴＯＰＵ
ＫＯＮ社製ＢＭー７によってＬＥＤがｘ・ｙ色度図（Ｋ
ｅｌｌ Ｃｈａｒｔ）上で白色（ｘ＝０．３１、ｙ＝
０．３１）となる各ＬＥＤチップの光度（ａ）及び１０
００時間の連続点灯後の光度（ｂ）をそれぞれ測定し光
度保持率（（ａ／ｂ）×１００）として表した。測定結
果は、それぞれＬＥＤの１０個平均を実施例及び比較例
で比較し表１に示した。
【００５４】［比較例１］各ＬＥＤチップの電気的接続
部材を発光観測面側の発光中心に１つ設けた以外は実施
例１と同様にして多色発光素子及び表示装置を形成させ
た。このＬＥＤ及び表示装置を実施例１と同様にして測
定した。
部材を発光観測面側の発光中心に１つ設けた以外は実施
例１と同様にして多色発光素子及び表示装置を形成させ
た。このＬＥＤ及び表示装置を実施例１と同様にして測
定した。
【００５５】［比較例２］発光波長の最も短い青色を発
光する半導体を中心にし両端に赤色及び緑色を発光する
半導体を配置した以外は実施例１と同様にして多色発光
素子及び表示装置を形成させた。このＬＥＤ及び表示装
置を実施例１と同様にして測定した。
光する半導体を中心にし両端に赤色及び緑色を発光する
半導体を配置した以外は実施例１と同様にして多色発光
素子及び表示装置を形成させた。このＬＥＤ及び表示装
置を実施例１と同様にして測定した。
【００５６】［実施例２］中央のＬＥＤチップの電気的
接続部材を発光観測面側の発光中心に１つ設けた以外は
実施例１と同様にして多色発光素子及び表示装置を形成
させた。このＬＥＤ及び表示装置を実施例１と同様にし
て測定した。
接続部材を発光観測面側の発光中心に１つ設けた以外は
実施例１と同様にして多色発光素子及び表示装置を形成
させた。このＬＥＤ及び表示装置を実施例１と同様にし
て測定した。
【００５７】［実施例３］多色発光素子に用いられる各
ＬＥＤチップ、緑色、青色及び赤色の発光層の半導体と
してそれぞれＩｎＧａＮ（発光波長５２５ｎｍ）、Ｉｎ
ＧａＮ（発光波長４７０ｎｍ）、ＧａＡｌＡｓ（発光波
長６６０ｎｍ）を使用して構成させた。
ＬＥＤチップ、緑色、青色及び赤色の発光層の半導体と
してそれぞれＩｎＧａＮ（発光波長５２５ｎｍ）、Ｉｎ
ＧａＮ（発光波長４７０ｎｍ）、ＧａＡｌＡｓ（発光波
長６６０ｎｍ）を使用して構成させた。
【００５８】具体的には、赤色を発光するＬＥＤチップ
用の半導体ウエハーは、温度差液晶成長法で連続的にｐ
型ガリウム・砒素基板上にｐ型ＧａＡｌＡｓを成長し、
その上にｎ型ＧａＡｌＡｓを成長し、発光領域であるｐ
型ＧａＡｌＡｓを形成させる。青色及び緑色を発光する
半導体ウエハーは、厚さ４００μｍのサファイヤ基板上
にｎ型及びｐ型窒化ガリウム化合物半導体をＭＯＣＶＤ
成長法でそれぞれ５μｍ、１μｍ堆積させヘテロ構造の
ｐｎ接合を形成した２インチ径のものである。なお、ｐ
型窒化ガリウム半導体は、ｐ型ドーパントであるＭｇを
ドープした後アニールした形成させる。
用の半導体ウエハーは、温度差液晶成長法で連続的にｐ
型ガリウム・砒素基板上にｐ型ＧａＡｌＡｓを成長し、
その上にｎ型ＧａＡｌＡｓを成長し、発光領域であるｐ
型ＧａＡｌＡｓを形成させる。青色及び緑色を発光する
半導体ウエハーは、厚さ４００μｍのサファイヤ基板上
にｎ型及びｐ型窒化ガリウム化合物半導体をＭＯＣＶＤ
成長法でそれぞれ５μｍ、１μｍ堆積させヘテロ構造の
ｐｎ接合を形成した２インチ径のものである。なお、ｐ
型窒化ガリウム半導体は、ｐ型ドーパントであるＭｇを
ドープした後アニールした形成させる。
【００５９】緑色及び青色のＬＥＤチップは、発光観測
面側に発光中心をずらして電気的接続が形成できるよう
ｐ型半導体あるいはｎ型半導体を部分的にドライエッチ
ングする。次に、ｎ型電極としてＴｉ−Ａｌ合金を各半
導体にスパッタリングし、ｐ型電極としてＡｕを各半導
体にスパッタリングして電極を形成させた。その後、各
半導体ウエハーをＬＥＤチップとして使用するためにス
クライバーによってスクライブラインを引いた後、外力
によって３５０μｍ角の大きさに切断した。
面側に発光中心をずらして電気的接続が形成できるよう
ｐ型半導体あるいはｎ型半導体を部分的にドライエッチ
ングする。次に、ｎ型電極としてＴｉ−Ａｌ合金を各半
導体にスパッタリングし、ｐ型電極としてＡｕを各半導
体にスパッタリングして電極を形成させた。その後、各
半導体ウエハーをＬＥＤチップとして使用するためにス
クライバーによってスクライブラインを引いた後、外力
によって３５０μｍ角の大きさに切断した。
【００６０】一方、赤色ＬＥＤチップは発光観測側電極
として発光中心に直径０．１５ｍｍの円状の白金金属膜
を電極層として真空蒸着によって形成させた。また、非
発光観測側であるｐ型ＧａＡｌＡｓ基板上に金を電極層
として真空蒸着によって形成させた。このＬＥＤチップ
を銅製のステム上に図１と同様に発光波長の長い赤色を
発光するＬＥＤチップが中心となるように接着剤を用い
て固定させた。なお、緑色ＬＥＤチップ及び青色ＬＥＤ
チップは、実施例１と同様にして接着させたが赤色ＬＥ
Ｄチップに関しては接着剤としてＡｇペーストを用いて
固定させると共に共通基板であるステムと電気的にも接
続させてある。
として発光中心に直径０．１５ｍｍの円状の白金金属膜
を電極層として真空蒸着によって形成させた。また、非
発光観測側であるｐ型ＧａＡｌＡｓ基板上に金を電極層
として真空蒸着によって形成させた。このＬＥＤチップ
を銅製のステム上に図１と同様に発光波長の長い赤色を
発光するＬＥＤチップが中心となるように接着剤を用い
て固定させた。なお、緑色ＬＥＤチップ及び青色ＬＥＤ
チップは、実施例１と同様にして接着させたが赤色ＬＥ
Ｄチップに関しては接着剤としてＡｇペーストを用いて
固定させると共に共通基板であるステムと電気的にも接
続させてある。
【００６１】次に、ワイヤーホンデング機器を用いて直
径０．０３ｍｍのＡｕ線をＬＥＤチップの各電極、ステ
ム及びリードフレームにワイヤーボンデイングした。な
お、赤色ＬＥＤチップに関しては、電流を均等に流し発
光を均一にするために中央に電気的接続部材を形成し
た。これを無着色のエポキシ樹脂が充填されたカップ中
に入れ１２０℃５時間で硬化させた。こうして多色発光
素子が封入されたＬＥＤを５００個形成した。
径０．０３ｍｍのＡｕ線をＬＥＤチップの各電極、ステ
ム及びリードフレームにワイヤーボンデイングした。な
お、赤色ＬＥＤチップに関しては、電流を均等に流し発
光を均一にするために中央に電気的接続部材を形成し
た。これを無着色のエポキシ樹脂が充填されたカップ中
に入れ１２０℃５時間で硬化させた。こうして多色発光
素子が封入されたＬＥＤを５００個形成した。
【００６２】次に、このＬＥＤを基板上に７×７個のマ
トリックス状に配置しそれぞれ駆動回路と電気的に接続
させ表示装置を形成した。このＬＥＤ及び表示装置を実
施例１と同様にして測定した。
トリックス状に配置しそれぞれ駆動回路と電気的に接続
させ表示装置を形成した。このＬＥＤ及び表示装置を実
施例１と同様にして測定した。
【００６３】表１の結果から本願発明の多色発光素子が
比較のために示した多色発光素子より明らかに光度保持
率が優れていることが分かった。また、光度保持率が優
れていることにより結果的にＬＥＤとして消費電力も少
く寿命も延びる。また、本願発明の表示装置はいずれも
各比較例の表示装置よりも平均的に上下左右方向におけ
る混色性が優れていた。
比較のために示した多色発光素子より明らかに光度保持
率が優れていることが分かった。また、光度保持率が優
れていることにより結果的にＬＥＤとして消費電力も少
く寿命も延びる。また、本願発明の表示装置はいずれも
各比較例の表示装置よりも平均的に上下左右方向におけ
る混色性が優れていた。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、本願発明の多色発
光素子及びそれを用いた表示装置は、長時間使用時にお
ける輝度低下を抑制するとともに混色性を向上させるこ
とが出来る。更に、表示装置として用いた場合は、見る
角度における混色性が崩れることを低減させることがで
きる。
光素子及びそれを用いた表示装置は、長時間使用時にお
ける輝度低下を抑制するとともに混色性を向上させるこ
とが出来る。更に、表示装置として用いた場合は、見る
角度における混色性が崩れることを低減させることがで
きる。
【図１】 本願発明の多色発光素子のＬＥＤ概略断面図
である。
である。
【図２】 本願発明の多色発光素子を利用したＬＥＤの
概略模式図である。
概略模式図である。
【図３】 本願発明の多色発光を利用した表示装置の概
略模式図である。
略模式図である。
【図４】 本願発明と比較のために示した多色発光素子
を利用したＬＥＤ概略断面図である。
を利用したＬＥＤ概略断面図である。
【図５】 本願発明と比較のために示した多色発光素子
を利用したＬＥＤの概略模式図である。
を利用したＬＥＤの概略模式図である。
１０１ 緑色ＬＥＤチップ
１０２ 赤色ＬＥＤチップ
１０３ 青色ＬＥＤチップ
１０４ 共通基板であるステム
１０５、１０６、１０７ リードフレーム
１０８ 電気的接続部材
１０９ 電気的接続部
２０９ モールド
３０１ 表示装置
３０２ 表示パネル
３０３ 駆動回路
３０４ ＬＥＤ
４０４、４０５、４０６足ピン
４０７ ステム
４０１ 赤色ＬＥＤチップ
４０２ 緑色ＬＥＤチップ
４０３ 青色ＬＥＤチップ
５０１ 光分散部材
５０２ エポキシ樹脂などからなる透明部材
５０３ 樹脂モールド
【表１】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平６−177425（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−288341（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−338632（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−37026（ＪＰ，Ａ)
実開 平６−79165（ＪＰ，Ｕ)
Claims (5)
- 【請求項１】 共通電極上に波長の異なるＬＥＤチップ
が一直線的に配置され前記共通電極が樹脂モールドによ
り封入されてなる多色発光素子において、少なくとも第
１の発光波長を有する第１のＬＥＤチップが前記第１の
発光波長より短い発光波長を発光する第２のＬＥＤチッ
プ及び第１の発光波長より短い発光波長を発光する第３
のＬＥＤチップの間に配置され、前記第１のＬＥＤチッ
プは発光観測面側の中心にボンデイングワイヤーが１つ
接続されると共に第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤ
チップはそれぞれ少なくとも２以上のボンデイングワイ
ヤーが発光観測面側の発光中心からずれて接続されてい
ることを特徴とする多色発光素子。 - 【請求項２】 前記第１のＬＥＤチップは赤色を発光
し、前記第２のＬＥＤチップは緑色を発光すると共に、
前記第３のＬＥＤチップは青色を発光する請求項１に記
載の多色発光素子。 - 【請求項３】 前記第１のＬＥＤチップは黄色を発光
し、前記第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップ
は、青緑色を発光する請求項１に記載の多色発光素子。 - 【請求項４】 前記ボンデイングワイヤーは、アルミニ
ウム線あるいは金線である請求項１に記載の多色発光素
子。 - 【請求項５】 請求項１に記載の多色発光素子をマトリ
クス状に配置し該多色発光素子内の各ＬＥＤチップ配置
方向とマトリクスの上下方向が略平行である表示パネル
と、該表示パネルと電気的に接続された駆動回路とを有
する表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32553895A JP3476611B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 多色発光素子及びそれを用いた表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32553895A JP3476611B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 多色発光素子及びそれを用いた表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167861A JPH09167861A (ja) | 1997-06-24 |
| JP3476611B2 true JP3476611B2 (ja) | 2003-12-10 |
Family
ID=18178006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32553895A Expired - Fee Related JP3476611B2 (ja) | 1995-12-14 | 1995-12-14 | 多色発光素子及びそれを用いた表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3476611B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI677976B (zh) * | 2018-06-29 | 2019-11-21 | 相豐科技股份有限公司 | 發光顯像單元的複合層結構 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
| US6936859B1 (en) | 1998-05-13 | 2005-08-30 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound |
| US6287947B1 (en) * | 1999-06-08 | 2001-09-11 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Method of forming transparent contacts to a p-type GaN layer |
| JP4718507B2 (ja) * | 2000-07-25 | 2011-07-06 | 富士フイルム株式会社 | 発光ヘッド |
| JP4288553B2 (ja) | 2000-07-25 | 2009-07-01 | 富士フイルム株式会社 | カメラのストロボ装置 |
| JP2002170986A (ja) * | 2000-11-29 | 2002-06-14 | Kyocera Corp | 半導体発光装置 |
| WO2003083810A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Inax Corporation | Materiau solidifie a piece electrique, materiau lumineux solidifie et procede de production de materiau solidifie lumineux, et lampe a diode electroluminescente et ensemble de lampes a diodes electroluminescentes destine a etre utilise dans le materiau solidifie lumineux |
| KR100550852B1 (ko) | 2003-06-25 | 2006-02-10 | 삼성전기주식회사 | 4 리드의 다색 발광 소자 |
| JP2008010562A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Nippon Leiz Co Ltd | 光源装置および平面照明装置 |
| JP2011253158A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 表示ユニットおよびこれを用いた画像表示装置 |
| JP2012227249A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Citizen Electronics Co Ltd | Ｌｅｄパッケージ |
| WO2016047132A1 (ja) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | 東芝ホクト電子株式会社 | 発光モジュール |
| JP6156402B2 (ja) | 2015-02-13 | 2017-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN108288668A (zh) * | 2018-01-11 | 2018-07-17 | 宜兴市旭航电子有限公司 | 一种五脚全彩led封装结构 |
| JP2020096102A (ja) * | 2018-12-13 | 2020-06-18 | 三菱電機株式会社 | 電子モジュール |
-
1995
- 1995-12-14 JP JP32553895A patent/JP3476611B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| TWI677976B (zh) * | 2018-06-29 | 2019-11-21 | 相豐科技股份有限公司 | 發光顯像單元的複合層結構 |
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|---|---|
| JPH09167861A (ja) | 1997-06-24 |
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