PT1017111E - Método de preparar um dispositivo emissor de luz - Google Patents

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PT1017111E
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light
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fluorescent material
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PT101746T
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Yoshinori Shimizu
Kensho Sakano
Yasunobu Noguchi
Toshio Moriguchi
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Nichia Corp
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Description

DESCRIÇÃO "MÉTODO DE PREPARAR UM DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ" ANTECEDENTES DA INVENÇÃO (Campo da Invenção) A presente invenção refere-se a um díodo emissor de luz utilizado em visualização LED, fonte de retroiluminação, sinais de trânsito, sinais ferroviários, interruptores de iluminação, indicadores, etc. Mais especialmente, refere-se a um dispositivo emissor de luz (LED), compreendendo um fósforo, o qual converte o comprimento de onda da luz emitida por um componente emissor de luz e emite luz e um dispositivo de visualização que utiliza o dispositivo emissor de luz. (Descrição da Técnica Relacionada)
Um díodo emissor de luz é compacto e emite luz de cor clara com elevada eficiência. Está também isento de problemas, tais como fundir e tem uma boa característica de energia, resistência elevada a vibrações e capacidade de duração para suportar operações repetidas de ligar/desligar, porque é um elemento semicondutor. Assim tem sido largamente utilizado em tais aplicações como vários indicadores e várias fontes de iluminação. Recentemente têm sido desenvolvidos díodos emissores de luz para as cores RGB (vermelho, verde, azul) tendo uma luminância ultra elevada e eficiência elevada e têm sido utilizados em grandes monitores LED que utilizam estes díodos emissores de luz. 0 monitor LED pode ser operado com menos energia e tem características tão boas como peso ligeiro e longa duração e é portanto de esperar que no futuro seja largamente utilizado.
Recentemente, têm sido preparadas várias tentativas para preparar fontes de luz branca utilizando díodos emissores de luz. Uma vez que o díodo emissor de luz tem um espectro de emissão favorável para produzir luz monocromática, preparar uma fonte de luz branca, requer dispor três componentes emissores de luz R, G, e B próximos uns dos outros, enquanto se difunde e mistura a luz por eles emitida. Quando se produz luz branca com uma tal disposição, tem existido um problema tal que a luz branca da tonalidade desejada não pode ser produzida devido às variações na tonalidade, luminância e outros fatores do componente emissor de luz. De igual modo, quando os componentes emissores de luz são preparados de materiais diferentes, a energia elétrica necessária para acionar difere de um díodo emissor de luz para outro, tornando-se necessário aplicar tensões diferentes aos diferentes componentes emissores de luz, o que conduz a um circuito de acionamento complexo. Além disso, devido aos componentes emissores de luz serem componentes emissores de luz semicondutores, a tonalidade da cor é sujeita a variação devido à diferença nas características de temperatura, alterações temporárias e ambiente de funcionamento ou a irregularidade na cor pode ser provocada devido a falha em misturar uniformemente a luz emitida pelos componentes emissores de luz. Assim os díodos emissores de luz são eficientes como dispositivos emissores de luz para produzir cores individuais, embora não se tenha obtido até à data uma fonte de luz satisfatória capaz de emitir luz branca utilizando componentes emissores de luz.
De modo a resolver estes problemas, a presente requerente desenvolveu anteriormente díodos emissores de luz que convertem a cor da luz, a qual é emitida por componentes emissores de luz, por meio de um material fluorescente divulgado nas Patentes Japonesas JP-A5—152609, JP-A—7-99345, JP-A-7-176794 e JP-A8-7614. Os díodos emissores de luz divulgados nestas publicações são tais que, utilizando componentes emissores de luz de um tipo, são capazes de produzir luz de cores branca e outras e são preparados como se segue.
Os díodos emissores de luz divulgados nas publicações anteriores são preparados, montando um componente emissor de luz, tendo uma grande lacuna da banda de energia da camada emissora de luz, num recetáculo proporcionado na ponta de uma armação condutora e tendo um material fluorescente que absorve luz emitida pelo componente emissor de luz e emite luz de um comprimento de onda diferente daquele da luz absorvida (conversão de comprimento de onda), contido num molde de resina que cobre o componente emissor de luz. O díodo emissor de luz divulgado, como descrito acima, capaz de emitir luz branca pela mistura da luz de uma pluralidade de fontes, pode ser constituído utilizando um componente emissor de luz capaz de emitir luz azul e moldando o componente emissor de luz com uma resina que inclui um material fluorescente que absorve a luz emitida pelo díodo emissor de luz azul e emite luz amarelada.
No entanto, os díodos emissores de luz convencionais têm problemas, tais como a deterioração do material fluorescente o que conduz ao desvio da tonalidade da cor e ao escurecimento do material fluorescente, resultando numa diminuição de eficiência de luz a extrair. Aqui o escurecimento refere-se, no caso de se utilizar um material fluorescente inorgânico, tal como material fluorescente de (Cd, Zn)S, por exemplo, à parte dos elementos metálicos que constituem o material fluorescente que aceleram ou alteram as respetivas propriedades que conduzem à coloração ou, no caso de se utilizar um material fluorescente orgânico, à coloração devida à rotura da dupla ligação na molécula. Especialmente quando se utiliza um componente emissor de luz preparado a partir de um semicondutor tendo uma lacuna da banda de elevada energia para melhorar a eficiência de conversão do material fluorescente (isto é, aumenta a energia de luz emitida pelo semicondutor e aumenta o número de fotões tendom energias acima de um limiar que possam ser absorvidas pelo material fluorescente, resultando em ser absorvida mais luz) ou diminuída a quantidade de consumo de material fluorescente (isto é, o material fluorescente é irradiado com energia relativamente mais elevada), a energia da luz absorvida pelo material fluorescente aumenta inevitavelmente resultando numa degradação mais expressiva do material fluorescente. A utilização do componente emissor de luz com intensidade mais elevada de emissão de luz por um período prolongado de tempo causa, além disso, uma degradação mais significativa do material fluorescente. 0 documento EP-A0209942 divulga uma lâmpada de descarga de vapor de mercúrio de baixa pressão. Esta lâmpada tem um enchimento que compreende mercúrio e um gás raro e uma camada luminescente compreendendo material luminescente cuja emissão reside, principalmente, na gama de 590-630 nm e na gama de 520-565 nm. A luz emitida pela lâmpada de descarga está numa gama de comprimento de onda que é quase totalmente invisível e tem de ser transformada pela camada de luminescente para se tornar visível. A lâmpada é também proporcionada com uma camada de absorção que compreende um aluminato luminescente ativado por cério trivalente e tendo uma estrutura de cristal de granada.
Também o material fluorescente proporcionado na vizinhança do componente emissor de luz pode ser exposto a uma temperatura elevada, tais como a subida de temperatura do componente emissor de luz e ao calor transmitido do ambiente exterior (por exemplo, luz solar no caso do dispositivo ser utilizado ao ar livre)
Além disso, alguns materiais fluorescentes são submetidos a deterioração acelerada, devido à combinação de humidade recebida proveniente do exterior ou introduzida durante o processo de produção, à luz e ao calor transmitido do componente emissor de luz .
Relativamente a um corante orgânico de propriedade iónica, o campo elétrico de corrente contínua na vizinhança do circuito integrado pode causar eletroforese, resultando numa alteração na tonalidade da cor. Esta lâmpada não pode ser realizada como um dispositivo simples, pequeno, leve e económico.
SUMÁRIO DA INVENÇÃO
Assim, um objetivo da presente invenção é resolver os problemas descritos anteriormente e proporcionar um método de preparar um dispositivo emissor de luz branca que apenas experimente graus extremamente baixos de deterioração na intensidade de luz de emissão, na eficiência de emissão de luz e na alteração da cor durante um longo período de tempo de utilização com elevada luminância. 0 objetivo acima pode ser alcançado pelas características definidas nas reivindicações. A presente requerente completou a presente invenção através de pesquisas baseadas na hipótese de que o dispositivo emissor de luz tendo um componente emissor de luz e um material fluorescente que deve satisfazer as seguintes exigências para se alcançar o objetivo acima mencionado. (1) 0 componente emissor de luz deve ser capaz de emitir luz de elevada luminância com característica emissora de luz que seja estável durante um longo período de utilização. (2) 0 material fluorescente que é proporcionado na vizinhança do componente emissor de luz de elevada luminância, deve apresentar excelente resistência contra a luz e o calor de tal modo que as propriedades respetivas não se alterem mesmo quando utilizado durante um período prolongado de tempo enquanto estiver a ser exposto à luz de elevada intensidade emitida pelo componente emissor de luz (especialmente o material fluorescente proporcionado na vizinhança do componente emissor de luz é exposto à luz de uma intensidade de radiação tão elevada como cerca de 30 a 40 vezes a da luz solar, de acordo com a estimativa da requerente e é necessário ter maior durabilidade contra a luz quando é utilizado um componente emissor de luz de luminância mais elevada). (3) Relativamente à relação com o componente emissor de luz, o material fluorescente deve ser capaz de absorver com eficiência elevada a luz de elevada monocromaticidade emitida pelo componente emissor de luz e emitir luz de um comprimento de onda diferente daquele da luz emitida pelo componente emissor de luz. 0 semicondutor composto de nitreto (geralmente representado pela fórmula química InxGa^AldSr onde Odi, Odj, Odk e i + j+k=l), mencionado anteriormente, contém vários materiais que incluem InGaN e GaN dopados com várias impurezas. 0 fósforo mencionado anteriormente contém vários materiais conforme se definiu anteriormente, incluindo Y3Al50i2:Ce e Gd3In50i2: Ce.
Uma vez que o dispositivo emissor de luz preparado pela presente invenção utiliza o componente emissor de luz preparado de um semicondutor composto de nitreto capaz de emitir luz com luminância elevada, o dispositivo emissor de luz é capaz de emitir luz com luminância elevada. Também o fósforo utilizado no dispositivo emissor de luz tem resistência excelente contra a luz, de tal modo que as suas propriedades fluorescentes experimentam menor alteração mesmo quando utilizadas durante um período prolongado de tempo enquanto estando a ser exposta à luz de intensidade elevada. Isto torna possível reduzir a degradação das características durante o longo período de utilização e reduzir a deterioração devida à luz de intensidade elevada emitida pelo componente emissor de luz, bem como luz exterior (luz solar, incluindo a luz ultravioleta, etc.) durante utilização no exterior e proporcionar, desse modo, um dispositivo emissor que experimenta alteração da cor extremamente menor e menor diminuição de luminância. 0 dispositivo emissor de luz preparado pela presente invenção pode também ser utilizado em aplicações tais que requerem, por exemplo, velocidades de resposta tão elevadas como 120 ns, por exemplo, devido ao fósforo ai utilizado permitir posteriormente brilhar apenas por um curto período de tempo.
No dispositivo emissor de luz preparado pela presente invenção, o pico de emissão principal do componente emissor de luz está estabelecido dentro da gama de 400 nm a 530 nm e o comprimento de onda de emissão principal de fósforo está estabelecido ser mais longo do que o pico de emissão principal do componente emissor de luz. Isto torna possível emitir luz branca de modo eficiente.
Além disso, no dispositivo emissor de luz preparado pela presente invenção, é preferido que a camada emissora de luz do componente emissor de luz contenha um semicondutor de nitreto de gálio, o qual contém In. Outras características preferidas de formas de realização da presente invenção estão descritas nas reivindicações dependentes. O dispositivo emissor de luz preparado pela presente invenção pode compreender uma placa de guia ótica substancialmente retangular dotada do componente emissor de luz montado sobre uma sua face lateral e, exceto para uma superfície principal, as faces são cobertas com um material refletor, em que a luz emitida pelo componente emissor de luz é transformada em luz planar pelo fósforo e a placa de guia ótica para ser uma saída da superfície principal da placa de guia ótica
Um dispositivo de visualização LED compreende os dispositivos emissores de luz preparados pela presente invenção dispostos numa matriz e um circuito de acionamento que comanda o dispositivo de visualização LED de acordo com os dados de visualização que são introduzidos naquele à entrada. Esta configuração torna possível proporcionar um dispositivo de visualização LED de relativamente baixo custo que é capaz de visualização de alta definição com menos irregularidade da cor devido ao ângulo de visão.
Geralmente, um material fluorescente que absorve luz de um comprimento de onda curto e emite luz de um comprimento de onda longo, tem eficiência mais elevada do que o material fluorescente que absorve luz de um comprimento de onda longo e emite luz de um comprimento de onda curto. É preferível utilizar um componente emissor de luz que emita luz visível do que um componente emissor de luz que emita luz ultravioleta que degrada a resina (material de moldagem, material de revestimento, etc.). Assim para o díodo emissor de luz da presente invenção, para o objetivo de melhorar a eficiência emissora de luz e assegurar longa duração, o pico de emissão principal do componente emissor de luz é estabelecido dentro duma gama de comprimento de onda relativamente curto de 400 nm a 530 nm na região da luz visível, e o comprimento de onda de emissão principal do fósforo é estabelecido ser maior do que o pico de emissão principal do componente emissor da luz. Com esta disposição, uma vez que a luz transformada pelo material fluorescente tem um comprimento de onda mais longo do que aquele da luz emitida pelo componente emissor de luz, não será absorvida pelo componente emissor de luz, mesmo quando o componente emissor de luz é irradiado com luz tendo sido refletida e transformada pelo material fluorescente (dado que a energia da luz transformada é menor do que a energia da lacuna da banda). Assim, num dispositivo emissor de luz preparado pela presente invenção, a luz tendo sido refletida pelo material fluorescente ou semelhante é refletida pelo recetáculo em que o componente emissor de luz é montado, dando origem a eficiência mais elevada da emissão possível.
BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS A Fig. 1 é uma vista esquemática em corte de um díodo emissor de luz do tipo condutor preparado pela presente invenção, A Fig. 2 é uma vista esquemática em corte de um díodo emissor de luz do tipo de ponta preparado pela presente invenção, A Fig. 3A é um gráfico que mostra o espectro de excitação do material fluorescente de granada ativado por cério utilizado na presente invenção, A Fig. 3B é um gráfico que mostra o espectro de emissão de material fluorescente de granada ativado pelo cério utilizado na presente invenção, A Fig. 4 é um gráfico que mostra o espectro de emissão do díodo emissor de luz preparado pela presente invenção, A Fig. 5A é um gráfico que mostra o espectro de excitação de material fluorescente de ítrio-alumínio-granada ativado por cério utilizado na presente invenção, A Fig. 5B é um gráfico que mostra o espectro da emissão do material fluorescente de ítrio-alumínio-granada ativado por cério utilizado na presente invenção, A Fig. 6 mostra o diagrama de cromaticidade da luz emitida pelo diodo emissor de luz, enquanto os pontos A e B indicam as cores da luz emitida pelo componente emissor de luz e os pontos C e D indicam as cores da luz emitida por dois tipos de fósforos, A Fig. 7 é uma vista esquemática em corte da fonte de luz planar de acordo com outra forma de realização preparada pela presente invenção, A Fig. 8 é uma vista esquemática em corte de outra fonte de luz planar diferente daquela da Fig. 7, A Fig. 9 é uma vista esquemática em corte de outra fonte de luz planar diferente daquelas da Fig. 7 e Fig. 8, A Fig. 10 é um diagrama de blocos de um dispositivo de visualização, A Fig. 11 é uma vista em planta do dispositivo de visualização LED da unidade de visualização da Fig. 10, A Fig. 12 é uma vista em planta do dispositivo de visualização LED em que um pixel é constituído a partir de quatro díodos emissores de luz incluindo o díodo emissor de luz preparado pela presente invenção e aqueles emitindo cores RGB, A Fig. 13A mostra os resultados do teste de duração de vida dos díodos emissores de luz do Exemplo 1 e Exemplo 1 Comparativo, que mostra os resultados a 25 °C e a Fig. 13B mostra os resultados de teste duração de vida dos díodos emissores de luz do Exemplo 1 e Exemplo 1 Comparativo, que mostra os resultados a 60 °C e 90% de HR, A Fig. 14A mostra os resultados do teste de capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas do Exemplo 9 e Exemplo 2 Comparativo que mostram a alteração da razão de retenção de luminância com o tempo e a Fig. 14B mostra os resultados do teste de capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas do Exemplo 9 e Exemplo 2 Comparativo que mostram a tonalidade da cor antes e depois do teste, A Fig. 15A mostra os resultados do teste de fiabilidade do Exemplo 9 e Exemplo 2 Comparativo que mostra a relação entre a razão de retenção de luminância e o tempo e a Fig.lõB é um gráfico que mostra a relação entre a tonalidade da cor e o tempo, A Fig. 16 é um diagrama de cromaticidade que mostra a gama de tonalidade da cor que pode ser obtida com um diodo emissor de luz que combina os materiais fluorescentes mostrados na Tabela 1 e o LED azul tendo um comprimento de onda de pico a 465 nm, A Fig. 17 é um diagrama de cromat icidade que mostra a alteração na tonalidade da cor quando a concentração de material fluorescente é alterada no díodo emissor de luz, o qual combina os materiais fluorescentes mostrados na Tabela 1 e o LED azul tendo um comprimento de onda de pico a 465 nm, A Fig. 18A mostra o espectro de emissão do fósforo (Y0.6Gd0.4) 3AI5O12: Ce do Exemplo 2, A Fig. 18B mostra o espectro de emissão do componente emissor de luz do Exemplo 2 tendo o comprimento de onda de pico de 460 nm, A Fig. 18C mostra o espectro de emissão de luz do díodo emissor de luz do Exemplo 2, A Fig. 19A mostra o espectro de emissão do fósforo (Yo.2Gdo.8) 3AI5O12: Ce do Exemplo 5, A Fig. 19B mostra o espectro de emissão do componente emissor de luz do Exemplo 5 tendo o comprimento de onda do pico de emissão de 450 nm, A Fig. 19C mostra o espectro de emissão do díodo emissor de luz do Exemplo 5, A Fig. 20A mostra o espectro de emissão do fósforo Y3Al50i2:Ce do Exemplo 6, A Fig. 20B mostra o espectro de emissão do componente de emissão de luz do Exemplo 6 que tem o comprimento de onda de pico de emissão de 450 nm, A Fig. 20C mostra o espectro de emissão do díodo emissor de luz do Exemplo 6, A Fig. 21A mostra o espectro de emissão do fósforo Y3 (Alo.sGao.s) 50i2:Ce do Exemplo 7, A Fig. 21B mostra o espectro de emissão do componente emissor de luz do Exemplo 7 tendo o comprimento de onda de pico de emissão de 450 nm, A Fig. 21C mostra o espectro de emissão do díodo emissor de luz do Exemplo 7, A Fig. 22A mostra o espectro de emissão do fósforo (Y0.8Gd0.2) 3AI5O12: Ce do Exemplo 11, A Fig. 22B mostra o espectro de emissão do fósforo (Y0. 4Gd0.6) 3AI5O12: Ce do Exemplo 11, A Fig. 22C mostra o espectro de emissão do componente emissor de luz do Exemplo 11 tendo o comprimento de onda de pico de emissão de 470 nm, e A Fig. 23 mostra o espectro de emissão do díodo emissor de luz do Exemplo 11.
Um díodo 100 emissor de luz da Fig. 1 é um díodo emissor de luz do tipo condutor tendo um condutor 105 de suporte e um condutor 106 interior, em que um componente 102 emissor de luz está instalado num recetáculo 105a do condutor 105 de suporte e o recetáculo 105a é cheio com uma resina 101 de revestimento que contém uma substância fluorescente especificada para cobrir o componente 102 emissor de luz e é moldado em resina. Um elétrodo n e um elétrodo p do componente 102 emissor de luz estão ligados respetivamente ao condutor 105 de suporte e ao condutor 106 interior, por meio de fios 103.
No díodo emissor de luz constituído como descrito acima, parte da luz emitida pelo componente 102 emissor de luz (circuito integrado de LED) (daqui em diante referido como luz de LED) excita o fósforo contido na resina 101 de revestimento para produzir luz fluorescente que tem um comprimento de onda diferente daquele da luz de LED, de tal modo que a luz fluorescente emitida pelo fósforo e a luz de LED que é produzida à saída, sem contribuir para a excitação do fósforo, são misturadas e produzidas à saída. Como resultado, o díodo 100 emissor de luz também produz à saída luz tendo um comprimento de onda diferente daquele da luz de LED emitida pelo componente 102 emissor de luz. A Fig. 2 mostra um díodo emissor de luz do tipo circuito integrado, em que o díodo 202 emissor de luz (circuito integrado de LED) é instalado numa reentrância de um invólucro 204 que é preenchido com um material de revestimento que contém um fósforo especificado para formar um revestimento 201. O componente 202 emissor de luz é fixo utilizando uma resina de epóxi ou semelhante que contenha Ag, por exemplo, e um elétrodo n e um elétrodo p do componente 202 emissor de luz são ligados aos terminais 205 de metal instalados no invólucro 204 por meio de fios 203 condutores. No díodo emissor de luz do tipo circuito integrado constituído como descrito acima, de modo semelhante ao díodo emissor de luz do tipo condutor da Fig. 1, a luz fluorescente emitida pelo fósforo e a luz de LED que é transmitida sem ser absorvida pelo fósforo, são misturadas e exibidas, de tal modo que o diodo 200 emissor de luz também exibe luz tendo um comprimento de onda diferente daquele da luz de LED emitida pelo componente 202 emissor de luz. O diodo emissor de luz contendo o fósforo como descrito acima tem as seguintes caracteristicas. 1. A luz emitida por um componente emissor de luz (LED) é normalmente emitida através de um elétrodo que fornece energia elétrica ao componente emissor de luz. A luz emitida é parcialmente bloqueada pelo elétrodo formado no componente emissor de luz que resulta num modelo de emissão especial e, portanto, não é emitida uniformemente em cada direção. Portanto, o diodo emissor de luz que contém o material fluorescente, pode emitir luz uniformemente sobre uma gama larga sem formar modelo de emissão indesejável, uma vez que a luz é emitida depois de ser difundida pelo material fluorescente. 2. Embora a luz emitida pelo componente emissor de luz (LED) tenha um pico monocromático, o pico é amplo e tem a propriedade de tornar a cor intensa. Esta caracteristica torna—se uma vantagem indispensável para uma aplicação que requeira comprimentos de onda de uma gama relativamente larga. A fonte de luz para um digitalizador de imagem ótica, por exemplo, é desejável ter um pico de emissão mais amplo.
Os díodos emissores de luz que serão descritos a seguir têm a configuração mostrada na Fig. 1 ou Fig. 2, em que um componente emissor de luz que utiliza um semicondutor composto de nitreto tendo energia relativamente elevada na região visível e um fósforo especial são combinados e têm tais propriedades favoráveis, como capacidade para emitir luz de elevada luminância e menor degradação de eficiência de emissão de luz e menor mudança de cor durante um período de utilização prolongado.
Em geral, um material fluorescente que absorve luz de um comprimento de onda curto e emite luz de um comprimento de onda longo tem eficiência mais elevada do que um material fluorescente que absorve luz de um comprimento de onda longo e emite luz de um comprimento de onda curto e, portanto, é preferível utilizar um componente emissor de luz semicondutor composto de nitreto que é capaz de emitir luz azul de comprimento de onda curto. Não é necessário dizer que é preferível que a utilização de um componente emissor de luz tenha luminância elevada.
Um fósforo a ser utilizado em combinação com o componente emissor de luz semicondutor composto de nitreto deve satisfazer os seguintes requisitos 1. Resistência excelente contra a luz, para resistir a luz de uma intensidade elevada, por um longo período de tempo, uma vez que o material fluorescente é instalado na vizinhança dos componentes 102, 202 emissores de luz e é exposto à luz de intensidade tão elevada como cerca de 30 a 40 vezes a da luz solar. 2. Capacidade para emitir luz eficientemente na região azul para a excitação por meio de componentes 102, 202 emissores de luz. Quando é utilizada a mistura das cores, deverá ser capaz de emitir com uma elevada eficiência, luz azul, não por raios ultravioleta. 3. Capacidade para emitir luz a partir das regiões verdes a vermelho com o objetivo de misturar com luz azul para produzir luz branca. 4. Boa caracteristica de temperatura, apropriada para localização na vizinhança dos componentes 102, 202 emissores de luz e a influência resultante da diferença de temperatura devido ao calor produzido pelo circuito integrado quando iluminado. 5. Capacidade de modificar continuamente a tonalidade da cor em termos da proporção de composição ou razão de mistura de uma pluralidade de materiais fluorescentes. 6. Capacidade de resistir às condições meteorológicas adversas no ambiente de funcionamento do diodo emissor de luz . O diodo emissor de luz preparado pela presente invenção emprega um elemento semicondutor composto de nitreto de gálio que tem uma lacuna de banda de energia elevada na camada emissora de luz e é capaz de emitir luz azul e um fósforo de granada ativado com cério em combinação. Com esta configuração, o diodo emissor de luz pode emitir luz branca misturando a luz azul emitida pelos componentes 102, 202 emissores de luz e luz amarela emitida pelo fósforo excitado pela luz azul.
Uma vez que a substância fluorescente de granada ativada com cério que é utilizada no diodo emissor de luz tem resistência à luz e capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas, pode emitir luz com graus extremamente pequenos de mudança de cor e diminuir na luminância da luz emitida mesmo quando irradiada por luz muito intensa emitida pelos componentes 102, 202 emissores de luz localizados na vizinhança durante um longo período de tempo.
Serão a seguir descritos em pormenor componentes do díodo emissor de luz. (Fósforo) O fósforo utilizado no díodo emissor de luz é um fósforo que, quando excitado pela luz visível ou raio ultravioleta emitido pela camada emissora de luz do semicondutor, emite luz de um diferente comprimento de onda daquele da luz de excitação. O fósforo é especificamente material fluorescente de granada ativado com cério que contém, pelo menos, um elemento selecionado de Y, Lu, Sc, La, Gd e Sm e, pelo menos, um elemento selecionado de Ai, Ga e In. De acordo com a presente invenção, o material fluorescente é, de um modo preferido, material fluorescente de ítrio—alumínio—granada (fósforo YAG) ativado com cério ou um material fluorescente representado pela fórmula geral (Rei-rSmr) 3 (Ali-5Gas) 50i2: Ce, onde Odr<l e Ods<l e Re é, pelo menos, um selecionado de Y e Gd. No caso da luz de LED emitida pelo componente emissor de luz que emprega o semicondutor composto de nitreto de gálio e a luz fluorescente emitida pelo fósforo tendo cor do corpo amarela estar na relação das cores complementares, a cor branca pode ser produzida à saída misturando a luz de LED e a luz fluorescente.
Na presente invenção, uma vez que o fósforo é utilizado misturando com uma resina que faz a resina 101 de revestimento e o material 201 de revestimento (descrito em pormenor mais adiante) , a tonalidade da cor do diodo emissor de luz pode ser ajustada, incluindo a cor da lâmpada incandescente e a cor branca, controlando a proporção da mistura com a resina ou a quantidade utilizada no enchimento do recetáculo 105 ou a reentrância do invólucro 204 de acordo com o comprimento de onda de luz emitida pelo componente emissor de luz de nitreto de gálio. A distribuição da concentração de fósforo tem influência também na mistura da cor e na durabilidade. Isto é, quando a concentração do fósforo aumenta da superfície do revestimento ou molde onde o fósforo está contido para o componente emissor de luz, torna-se menos provável que seja afetada por humidade exterior tornando-se desse modo mais fácil suprimir a deterioração devida à humidade. Por outro lado, quando a concentração do fósforo aumenta do componente emissor de luz para a superfície da moldagem, torna-se mais provável que seja afetada pela humidade exterior, mas menos provável que seja afetada pelo calor e radiação do componente emissor de luz, tornando-a assim possível suprimir a deterioração do fósforo. Tais distribuições da concentração do fósforo podem ser obtidas selecionando ou controlando o material que contém fósforo, a temperatura de formação e a viscosidade e a configuração e distribuição de partículas do fósforo.
Utilizando o fósforo, pode preparar-se o díodo emissor de luz tendo características de emissão excelentes, porque o material fluorescente tem suficiente resistência à luz para funcionamento com elevada eficiência, mesmo quando disposto adjacente ou na vizinhança dos componentes 102, 202 emissores de luz com intensidade de irradiação (Ee) dentro da gama de 3 Wcm 2 a 10 WcitT2 O fósforo utilizado presente invenção é, devido à estrutura da granada, resistente ao calor, luz e humidade e é, portanto, capaz de absorver luz de excitação tendo um pico num comprimento de onda próximo de 450 nm conforme se mostra na Fig. 3A. Também emite luz de largo espectro tendo um pico perto de 580 nm que vai decrescendo até 700 nm, conforme se mostra na Fig. 3B. Além disso, a eficiência de emissão de luz excitada numa região de comprimentos de onda de 460 nm e mais elevados, pode ser aumentado incluindo Gd no cristal do fósforo. Quando o conteúdo de Gd é aumentado, o comprimento de onda do pico de emissão é alterado para comprimento de onda maior e todo o espectro de emissão é alterado para comprimentos de onda maiores. Isto significa que, quando é necessária emissão de luz mais avermelhada, esta pode obter-se aumentando o grau de substituição com Gd. Quando o conteúdo de Gd é aumentado, a luminância de luz emitida por fotoluminescência sob luz azul tende a diminuir.
Especialmente quando parte de AI é substituído com Ga entre a composição de material fluorescente YAG tendo estrutura de granada, o comprimento de onda da luz emitido muda para comprimento de onda mais pequeno e, quando parte de Y é substituído com Gd, o comprimento de onda de luz emitida muda para comprimento de onda maior. A Tabela 1 mostra a composição e as características emissoras da luz do material fluorescente YAG representado pela fórmula geral (Yi-aGa) 3 (Ali_bGab) 5O12: Ce .
Os valores mostrados na Tabela 1 foram medidos pela
excitação do material fluorescente com luz azul de 460 nm. A luminância e eficiência na Tabela 1 são dadas em valores relativos aos do material N2 1 os quais são estabelecidos para 100.
Quando se substitui Ai com Ga, a proporção está, de um modo preferido, dentro da gama de Ga:Al = l:l para 4:6 em consideração da eficiência de emissão e comprimento de onda de emissão. De modo semelhante, quando substituindo Y com Gd, a proporção está, de um modo preferido, dentro da gama de Y: Gd=9:l para 1:9 e, de um modo mais preferido, de 4:1 para 2:3. É devido a um grau de substituição com Gd abaixo de 20% resulta numa cor de maior componente verde e menor de componente vermelho e um grau de substituição com Gd acima de 60% resulta num aumento de componente vermelho mas diminuição rápida na luminância. Quando é estabelecida a relação Y:Gd de Y e Gd no material fluorescente YAG dentro da gama de 4:1 para 2:3, em especial, pode preparar-se um díodo emissor de luz capaz de emitir substancialmente luz branca ao longo do local de radiação do corpo negro utilizando um tipo de material fluorescente de ítrio-aluminio-granada, dependendo do comprimento de onda de emissão do componente emissor de luz. Quando a relação Y: Gd de Y e Gd no material fluorescente YAG é estabelecida dentro da gama de 2:3 a 1:4, pode preparar-se um díodo emissor de luz capaz de emitir luz de lâmpada de incandescência embora a luminância seja baixa. Quando o conteúdo (grau de substituição) de Ce é estabelecido dentro da gama de 0,003 a 0,2, pode obter—se a intensidade luminosa relativa do díodo emissor de luz nunca menor do que 70%. Quando o conteúdo é menor do que 0,003, a intensidade luminosa decresce porque o número de centros de emissão excitados de fotoluminescência devido ao Ce diminui e, quando o conteúdo é maior do que 0,2, ocorre extinção da densidade.
Assim, o comprimento de onda da luz emitida pode ser deslocado para um comprimento de onda menor substituindo parte do AI da composição com Ga e o comprimento de onda da luz emitida pode ser deslocado para um comprimento de onda maior substituindo parte de Y da composição com Gd. Deste modo, a cor da luz de emissão pode ser modificada continuamente modificando a composição. Também o material fluorescente é vigorosamente excitado pelas linhas de emissão de Hg que têm comprimentos de onda, tais como 254 nm e 365 nm, mas é excitado com eficiência mais elevada pela luz de LED emitida por um componente emissor de luz azul tendo um comprimento de onda de cerca de 450 nm.
Assim o material fluorescente tem características ideais para converter luz azul do componente emissor de luz de semicondutor de nitreto em luz branca, tal como a capacidade de modificar continuamente o comprimento de onda de pico modificando a proporção de Gd. A eficiência da emissão de luz do diodo emissor de luz pode ser ainda melhorada combinando o componente emissor de luz que emprega semicondutor de nitreto de gálio e o fósforo preparado adicionando o elemento terroso raro samário (Sm) a materiais fluorescentes (YAG) de ítrio-alumínio-granada ativados com cério. 0 material para preparar um tal fósforo é preparado utilizando óxidos de Y, Gd, Ce, Sm, Ai e Ga ou compostos que possam ser facilmente convertidos neste óxidos a temperatura elevada e misturando suficientemente estes materiais em proporções estequiométricas. Esta mistura é misturada com uma quantidade apropriada de um fluoreto, tal como fluoreto de amónio utilizado como um fundente e aquecido num cadinho a uma temperatura de 1350 a 1450 °C ao ar durante 2 a 5 horas. Então o material aquecido é moido por um moinho de esferas em água, lavado, separado, seco e peneirado para se obter, desse modo, o material desejado.
No processo de produção anteriormente descrito, o material misturado pode também ser preparado dissolvendo elementos terrosos raros Y, Gd, Ce e Sm em proporções estequiométricas num ácido, coprecipitando a solução com ácido oxálico e aquecendo o coprecipitado para obter um óxido do coprecipitado e, então, misturá-lo com óxido de alumínio e óxido de gálio. O fósforo representado pela fórmula geral (Yi-p-q-rGdpCeqSmr) 3A150i2 pode emitir luz de comprimentos de onda de 460 nm e maiores com eficiência mais elevada depois da excitação, porque o Gd está contido no cristal. Quando o conteúdo de gadolinio é aumentado, o comprimento de onda de pico da emissão muda de 530 nm para um comprimento de onda maior até 570 nm, enquanto todo o espectro de emissão muda para comprimentos de onda maiores. Quando é necessária luz de tonalidade vermelha mais intensa, esta pode obter-se aumentando a quantidade adicionada de Gd para substituição. Quando o conteúdo de Gd é aumentado, a luminância de fotoluminescência com luz azul diminui gradualmente. Portanto, o valor de p é, de um modo preferido, 0,8 ou inferior ou, de um modo mais preferido, 0,7 ou inferior. Além disso, de um modo ainda mais preferido, é 0,6 ou inferior. O fósforo representado pela fórmula geral (Yi-p-q-rGdpCeqSmr) 3AI5O12 que inclui Sm pode ser submetido a menos dependência da temperatura, independentemente do conteúdo aumentado de Gd. Isto é, o fósforo, quando está contido Sm, tem a luminância de emissão bastante melhorada a temperaturas mais elevadas. A extensão da melhoria aumenta com o conteúdo de Gd. A caracteristica de temperatura pode ser bastante melhorada especialmente pela adição de Sm no caso de material fluorescente de tal composição, enquanto a tonalidade de vermelho é reforçada pelo aumento do conteúdo de Gd, porque tem caracteristicas pobres de temperatura. A caracteristica da temperatura aqui mencionada é medida em termos da relação (%) de luminância de emissão do material fluorescente a uma temperatura elevada (200 °C) relativamente à luminância de emissão de luz azul de excitação que ser preparado comprimento de onda de 450 nm à temperatura normal (25 °C) A proporção de Sm está, de um modo preferido, dentro da gama de 0,0003dr<0,08 para proporcionar uma caracteristica de temperatura de 60% ou mais elevada. O valor de r abaixo desta gama conduz a menor efeito de melhoramento da característica de temperatura. Quando o valor de r está acima desta gama, pelo contrário, a característica de temperatura deteriora-se. É mais desejável a gama de 0,0007<r<0,02 para a proporção de Sm onde a característica de temperatura se torne 80% ou mais elevada. A proporção q de Ce está, de um modo preferido, numa gama de 0,003bqb0,2, o que torna a relativa luminância de emissão de 70% ou mais elevada possível. A luminância de emissão relativa refere-se à luminância de emissão em termos de percentagem para a luminância de emissão de um material fluorescente onde q = 0,03.
Quando a proporção q de Ce é 0,003 ou inferior, a luminância diminui, porque o número de centros de emissão excitados de fotoluminescência devido a Ce diminuir e, quando o q é maior do que 0,2, ocorre extinção da densidade. A extinção da densidade refere-se à diminuição em intensidade de emissão a qual ocorre quando a concentração de um agente de ativação adicionado para aumentar a luminância do material fluorescente é aumentado além de um nível ótimo.
Pode também utilizar—se uma mistura de dois ou mais tipos de fósforos tendom composições de (Yi-p-q-rGdpCeqSirg) 3A15012 tendo conteúdos diferentes de Ai, Ga, Y e Gs ou Sm. Isto aumenta os componentes de RGB e permite a aplicação, por exemplo, a um dispositivo de visualização de cristal líquido de coloração completa, utilizando um filtro de cor. (Componentes 102, 202 emissores de luz)
Como se mostra nas Fig. 1 e Fig. 2, o componente emissor de luz é, de um modo preferido, implantado com firmeza num material de moldagem. O componente emissor de luz utilizado no díodo emissor de luz preparado pela presente invenção é um semicondutor composto de nitreto de gálio capaz de excitar eficientemente os materiais fluorescentes de granada ativados com cério. Os componentes 102, 202 emissores de luz que empregam semicondutor composto de nitreto de gálio são preparados formando uma camada emissora de luz de semicondutor de nitreto de gálio, tal como InGaN, sobre um substrato no processo de MOCVD. A estrutura do componente emissor de luz pode ser estrutura homogénea, estrutura heterogénea ou estrutura heterogénea dupla, as quais têm junção MIS, junção PIN ou junção PN. Vários comprimentos de onda de emissão podem ser selecionados dependendo do material da camada semicondutora e da sua cristalinidade. Podem também ser preparados num quantum único bem estruturado ou num quantum múltiplo bem estruturado onde é formada uma camada de ativação de semicondutor tão delgada como pode ocorrer o efeito de quantum. De acordo com a presente invenção, pode ser preparado um díodo emissor de luz capaz de emitir com luminância mais elevada sem deterioração do fósforo fazendo a camada de ativação do componente emissor de luz num quantum único bem estruturado de InGaN.
Quando é utilizado um semicondutor composto de nitreto de gálio, embora possam ser utilizados como substrato de semicondutor, safira, espinela, SiC, Si, ZnO ou semelhante, é preferível utilizar substrato de safira com o objetivo de formar nitreto de gálio de boa cristalinidade. Uma camada semicondutora de nitreto de gálio é formada sobre o substrato de safira para formar uma junção PN por meio de uma camada tampão de GaN, A1N, etc. 0 semicondutor de nitreto de gálio tem condutividade do tipo N sob a condição de não dopado com qualquer impureza, embora com a finalidade de formar um semicondutor de nitreto de gálio de tipo N tendo as propriedades desejadas (concentração de cargas portadoras, etc.) tais como melhor eficiência de emissão de luz, seja, de um modo preferido, dopado com aditivo tipo N, tais como Si, Ge, Se, Te e C. Por outro lado, com o objetivo de formar semicondutor de nitreto de gálio tipo P, é, de um modo preferido, dopado com aditivo tipo P, tais como Zn, Mg, Be, Ca, Sr e Ba. Uma vez que é difícil transformar um semicondutor composto de nitreto de gálio em tipo P, dopando simplesmente um aditivo tipo P, é preferível tratar o semicondutor composto de nitreto de gálio dopado com aditivo tipo P num processo, tais como aquecimento num forno, irradiação com um feixe de eletrões de baixa velocidade e irradiação de plasma, transformando-o, desse modo, em tipo P. Depois de expor as superfícies dos semicondutores de nitreto de gálio do tipo P e do tipo N por gravação de água forte ou por outro processo, são formados elétrodos das formas desejadas nas camadas semicondutoras por crepitação ou depósito de vapor.
Em seguida, a bolacha semicondutora, a qual foi formada, é cortada em peças, por meio de uma serra de cubos, ou separadas por uma força exterior depois de cortar ranhuras (meio-corte) que têm largura maior do que a largura da aresta da bolacha. Ou de outro modo, a bolacha é cortada em circuitos integrados por uma matriz reticulada gravando linhas extremamente finas sobre a bolacha semicondutora por meio de um instrumento aguçado de traçar linhas, o qual tem um estilete de diamante tendo um movimento recíproco contínuo. Pode assim preparar-se o componente emissor de luz de semicondutor composto de nitreto de gálio.
Com a finalidade de emitir luz branca com o diodo emissor de luz preparado pela presente invenção o, o comprimento de onda da luz emitida pelo componente emissor de luz é, de um modo preferido, de 400 nm a 530 nm inclusive em consideração da relação da cor complementar com o fósforo e deterioração da resina e, de um modo mais preferido, de 420 nm a 490 nm, inclusive. É ainda mais preferido que o comprimento de onda seja desde 450 nm a 475 nm, com o objetivo de melhorar a eficiência de emissão do componente emissor de luz e do fósforo. Mostra-se na Fig. 4 o espectro de emissão do diodo emissor de luz branca. O componente emissor de luz aqui mostrado é do tipo condutor mostrado na Fig. 1, o qual emprega o componente emissor de luz e o fósforo a ser descrito mais tarde. Na Fig. 4, a emissão tendo um pico de cerca de 450 nm é a luz emitida pelo componente emissor de luz e a emissão tendo um pico de cerca de 570 nm é a emissão fotoluminescente excitada pelo componente emissor de luz . A Fig. 16 mostra as cores que podem ser representadas pelo diodo emissor de luz branca construído pela combinação de material fluorescente mostrado na Tabela 1 e LED azul (componente emissor de luz) tendo comprimento de onda de pico de 465 nm. A cor da luz emitida por este díodo emissor de luz branca corresponde a um ponto numa linha reta que liga um ponto de cromat icidade produzido pelo LED azul e um ponto de cromaticidade produzido pelo material fluorescente e, portanto, a larga região de cor branca (porção sombreada na Fig. 16) na porção central do diagrama de cromaticidade pode ser completamente coberto utilizando os materiais fluorescentes 1 a 7 na Tabela 1. A Fig. 17 mostra a alteração na cor de emissão quando os conteúdos de materiais fluorescentes no díodo emissor de luz branca são modificados. Os conteúdos de materiais fluorescentes são dados em percentagem de peso para a resina utilizada no material de revestimento. Conforme se verá a partir da Fig. 17, a cor da luz aproxima-se daquela dos materiais fluorescentes quando o conteúdo de material fluorescente é aumentado e aproxima—se daquela do LED azul quando o conteúdo de material fluorescente é diminuído.
Um componente emissor de luz que não excite o material fluorescente pode ser utilizado em conjunto com o componente emissor de luz o qual emite luz que excita o material fluorescente. Explicitamente, além do componente emissor de luz que é um semicondutor composto de nitreto capaz de excitar o material fluorescente, um componente emissor de luz tendo uma camada emissora de luz preparada de fosfato de gálio, arsenieto de gálio e alumínio, fosfato de arsénio e gálio ou fosfato de alumínio e índio é disposto em conjunto. Com esta configuração, a luz emitida pelo componente emissor que não excita o material fluorescente, é irradiada para o exterior sem ser absorvida pelo material fluorescente, fazendo um díodo emissor de luz que pode emitir luz vermelha/branca.
Serão descritos a seguir outros componentes dos díodos emissores da Fig. 1 e Fig. 2. (Fios condutores 103, 203)
Os fios 103, 203 condutores deverão ter boa condut ividade
elétrica, boa condutividade térmica e boa ligação mecânica com os elétrodos dos componentes 102, 202 emissores de luz. A condutividade térmica é, de um modo preferido, 0,042 J (0,01 cal) / (s) (cm2) (°C/cm) ou mais elevada e, de um modo mais preferido, 2,09 J (0,5 cal)/(s) (cm2) (°C/cm) ou mais elevada. Para efeitos práticos, o diâmetro do fio condutor é, de um modo preferido, de 10 pm a 45 pm, inclusive. Mesmo quando o mesmo material é utilizado para o revestimento que inclui o material fluorescente e para a moldagem, devido à diferença no coeficiente de expansão térmica devido ao material fluorescente contido em qualquer dos dois materiais anteriores, o fio condutor é provável que parta no ponto de ligação. Por esta razão, o diâmetro do fio condutor é, de um modo preferido, superior a 25 pm e, pela razão da área de emissão de luz e facilidade de tratamento, de um modo preferido, dentro de 35 pm. O fio condutor pode ser um metal, tais como ouro, cobre, platina e alumínio ou uma sua liga. Quando é utilizado um fio condutor desse material e configuração, este pode ser facilmente ligado aos elétrodos dos componentes emissores de luz, ao condutor interior e ao condutor de suporte por meio de um dispositivo de ligação do fio. (Condutor 105 de suporte) O condutor 105 de suporte compreende um recetáculo 105a e um condutor 105b e basta ter uma dimensão suficiente para montar o componente 102 emissor de luz com o dispositivo de ligação do fio no recetáculo 105a. No caso em que uma pluralidade de componentes emissores de luz sejam instalados no recetáculo e o condutor de suporte seja utilizado como elétrodo comum para o componente emissor de luz, devido a poderem ser utilizados materiais de elétrodos diferentes, é necessário suficiente condutividade elétrica e boa condutividade com o fio de ligação e outros. Quando o componente emissor de luz é instalado no recetáculo do condutor de suporte e o recetáculo é cheio com o material fluorescente, a luz emitida pelo material fluorescente é, mesmo se isotrópica, refletida pelo recetáculo, numa direção desejada e, portanto, pode ser impedida a iluminação errónea devido à luz de outro diodo emissor de luz montado próximo. Aqui iluminação errónea refere-se a um fenómeno tal, em que outro diodo emissor de luz montado próximo, aparece com forte iluminação apesar de não ser fornecido com energia. A ligação do componente 102 emissor de luz e o condutor 105 de suporte com o recetáculo 105a pode ser obtida por meio de uma resina termoplástica, tais como resina epóxi, resina de acrílico e resina de imida. Quando é utilizado um componente emissor de luz virado para baixo (um tal tipo de componente emissor de luz como luz emitida é extraído do lado do substrato e é configurado para montar os elétrodos a oporem-se ao recetáculo 105a), podem utilizar-se mistura semilíquida de Ag, mistura semilíquida de carbono, amolgamento metálico ou semelhante para prender e ligar eletricamente, ao mesmo tempo, o componente emissor de luz e o condutor de suporte. Além disso, com o objetivo de melhorar a eficiência de utilização da luz do díodo emissor de luz, a superfície do recetáculo do condutor de suporte, sobre a qual o componente emissor de luz é montado pode ser polida como um espelho para dar uma função refletora à superfície. Neste caso, a rugosidade da superfície é, de um modo preferido, desde 0,1 S (unidade Japonesa de acordo com a norma ISO 468 de 1982) até 0,8 S (unidade Japonesa de acordo com a norma ISO 468 de 1982) inclusive. A resistência elétrica do condutor de suporte está, de um modo preferido, dentro de 300 μΩ-cm e, de um modo mais preferido, dentro de 3 μΩ-cm. Quando se monta uma pluralidade de componentes emissores de luz sobre o condutor de suporte, os componentes emissores de luz produzem quantidade significativa de calor e, portanto, é necessária uma condutividade térmica elevada. Especificamente, a condutividade térmica é, de um modo preferido, 0,042 J (0,01 cal)/(S)(cm2) (°C/cm) ou mais elevada, e, de um modo mais preferido, 2,09 J(0,5 cal/(S) (cm2) (°C/cm) ou mais elevada. Os materiais que satisfazem estas necessidades contêm ferro (aço), cobre, (aço revestido a cobre), (estanho revestido a cobre) e cerâmica metalizada. (Condutor 106 interior) O condutor 106 interior é ligado a um dos elétrodos do componente 102 emissor de luz montado sobre o condutor 105 de suporte por meio de um fio condutor ou semelhante. No caso de um diodo emissor de luz onde uma pluralidade dos componentes emissores de luz são instalados sobre o condutor de suporte, é necessário dispor uma pluralidade de condutores 106 interiores de tal modo que os fios condutores não toquem um no outro. Por exemplo, o contacto dos fios condutores, uns com os outros, pode ser evitado aumentando a área da face da extremidade onde o condutor interior é preso por fio, dado que a distância do condutor de suporte aumenta de tal modo que o espaço entre os fios condutores é assegurado. As irregularidades da superfície da face da extremidade do condutor interior que liga ao fio condutor são, de um modo preferido, desde 1,6 S a 10 S (Unidade
Japonesa de acordo com a norma ISO 468 DE 1982) inclusive, em consideração de contacto próximo.
De modo a formar o condutor interior numa forma desejada, pode perfurar-se por meio de uma matriz. Além disso, este pode ser perfurado para formar o condutor interior pressionando-o então sobre a face da extremidade para controlar assim a área e a altura da face da extremidade. É necessário que o condutor interior tenha uma boa conectividade com os fios de ligação que são fios condutores e têm boa condutividade elétrica. Especificamente, a resistência elétrica está, de um modo preferido, dentro de 300 μΩ-cm e, de um modo mais preferido, dentro de 3 μΩ-cm. Os materiais que satisfazem estas exigências contêm ferro, cobre, cobre contendo ferro, cobre contendo estanho, alumínio, ferro e cobre revestido com cobre, ouro ou prata. (Material 101 de revestimento) O material 101 de revestimento é proporcionado no recetáculo do condutor de suporte em separado do material 104 de moldagem e contém o fósforo o qual converte a luz emitida pelo componente emissor de luz. O material de revestimento pode ser um material transparente tendo boa capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas, tais como resina epóxi, resina de ureia e resina de silicone ou vidro. Pode ser utilizado um dispersante em conjunto com o fósforo. São, de um modo preferido, utilizados como dispersantes, titanato de bário, óxido de titânio, óxido de alumínio, dióxido de silício e semelhantes. Quando o material fluorescente é formado por crepitação, pode ser omitido o material de revestimento. Neste caso, pode ser preparado um diodo emissor de luz capaz de misturar cores controlando a espessura da película ou proporcionando um orifício na camada de material fluorescente. (Material 104 de moldagem) A moldagem 104 tem a função de proteger o componente 102 emissor de luz, o fio 103 condutor e o material 101 de revestimento que contém fósforo de perturbação externa. É preferível que o material 104 de moldagem contenha, além disso, um dispersante, que pode não adelgaçar a diretividade da luz do componente 102 emissor de luz, resultando no aumento do ângulo de visão, O material 104 de moldagem tem a função da lente para focar ou difundir a luz emitida pelo componente emissor de luz. Portanto, o material 104 de moldagem pode ser preparado com a configuração de lente convexa ou lente côncava e pode ter uma forma elíptica quando vista na direção do eixo ótico ou uma combinação destas. Também o material 104 de moldagem pode ser preparado numa estrutura de camadas múltiplas de diferentes materiais sendo laminados. Como o material 104 de moldagem, os materiais transparentes que têm elevada capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas, tais como resina epóxi, resina de ureia, resina de silicone ou vidro são, de um modo preferido, empregues. Como o dispersante, podem ser utilizados titanato de bário, óxido de titânio, óxido de alumínio, dióxido de silício e semelhante. Além do dispersante, pode também ser contido, no material de moldagem, fósforo. Nomeadamente, de acordo com a presente invenção, o fósforo pode estar contido no material de moldagem ou no material de revestimento. Quando o fósforo está contido no material de moldagem, o ângulo de visão pode ser ainda aumentado. 0 fósforo pode também estar contido no material de revestimento e no material de moldagem. Além disso, uma resina que inclua a substância fluorescente pode ser utilizada como o material de revestimento embora utilizando vidro, diferente do material de revestimento, como o material de moldagem. Isto torna possível produzir um díodo emissor de luz que seja menos sujeito à influência da humidade, com boa produtividade. A moldagem e o revestimento podem também ser preparados do mesmo material com a finalidade de condizer com o índice de refração, dependendo da aplicação. Adicionando o dispersante e/ou um agente de coloração no material de moldagem tem os efeitos de mascarar a cor do material fluorescente tornada obscura e melhorar o desempenho da mistura de cores. Isto é, o material fluorescente absorve o componente azul de luz exterior e emite luz para desse modo dar uma tal aparência como se colorida em amarelo. No entanto, o dispersante contido no material de moldagem dá cor branca leitosa ao material de moldagem e o agente de coloração produz uma cor desejada. Assim a cor do material fluorescente não será reconhecida pelo observador. No caso do componente de luz emissor emitir luz tendo o principal comprimento de onda de 430 nm ou superior, é mais preferido que o absorvedor ultravioleta que serve como estabilizador de luz seja contido.
Forma de Realização Diferente O díodo emissor de luz de outra forma de realização é preparado utilizando um elemento dotado com semicondutor composto de nitreto de gálio, o qual tem lacuna da banda de energia elevada na camada emissora de luz como o componente emissor de luz e um material fluorescente incluindo dois ou mais tipos de fósforos de diferentes composições ou, de um modo preferido, materiais fluorescentes de ítrio-alumínio-granada ativados com cério como o fósforo. Com esta configuração, pode ser preparado um diodo emissor de luz que permita dar a tonalidade da cor desejada controlando os conteúdos dos dois ou mais materiais fluorescentes mesmo quando o comprimento de onda da luz de LED emitida pelo componente emissor de luz desvia do valor desejado devido às variações no processo de produção. Neste caso, a cor de emissão do diodo emissor de luz pode ser preparada constantemente utilizando um material fluorescente tendo um comprimento de onda de emissão relativamente curto para um componente emissor de luz de um comprimento de onda de emissão relativamente curto e utilizando um material fluorescente tendo um comprimento de onda de emissão relativamente longo para um componente emissor de luz de um comprimento de onda de emissão relativamente longo.
Como para o material fluorescente, um material fluorescente representado pela fórmula geral (Rei-rSmr) 3 (Ali-5Gas) 50i2: Ce pode também ser utilizado como o fósforo. Aqui Odr<l e Ods<l e Re é, pelo menos, um selecionado de Y, Gd e La. Esta configuração torna possível minimizar a desnaturação do material fluorescente mesmo quando o material fluorescente é exposto à luz visível de elevada intensidade e elevada energia emitida pelo componente emissor de luz por um longo período de tempo ou quando utilizado sob várias condições de ambiente e, portanto, pode ser preparado um díodo emissor de luz que é sujeito à mudança da cor extremamente insignificante e diminuição de luminância de emissão e tem o componente de emissão desejado de elevada luminância. (Fósforo da forma de realização diferente)
Agora o fósforo utilizado no componente emissor de luz da forma de realização anterior será a seguir descrito em pormenor. Esta segunda forma de realização é semelhante forma de realização descrita acima, exceto por dois ou mais tipos de fósforos de diferentes composições ativadas com cério serem utilizados como o fósforo, como descrito acima, e o método de utilizar o material fluorescente é basicamente o mesmo.
De modo semelhante ao caso da primeira forma de realização, ao díodo emissor de luz pode ser dada elevada capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas controlando a distribuição do fósforo (tal como estreitando a concentração com a distância do componente emissor de luz) . Uma tal distribuição da concentração de fósforo pode ser conseguida selecionando ou controlando o material que contém a substância fluorescente, a temperatura de formação e a viscosidade, e a configuração e distribuição das partículas do fósforo.
Assim, a distribuição da concentração de material fluorescente é determinada de acordo com as condições de funcionamento. De igual modo, a eficiência de emissão de luz pode ser aumentada concebendo a disposição de dois ou mais tipos de materiais fluorescentes (por exemplo, dispondo na ordem de proximidade ao componente emissor de luz) de acordo com a luz produzida pelo componente emissor de luz.
Com a configuração desta forma de realização, de modo semelhante à forma de realização descrita acima, o díodo emissor de luz tem eficiência elevada e suficiente resistência à luz mesmo quando disposto adjacente a ou na vizinhança da relativamente elevada saída do componente emissor de luz com intensidade de radiação (Ee) dentro da gama de 3 WcirT2 a 10 Wcm-2. O material fluorescente de ítrio-alumínio-granada ativado com cério (material fluorescente YAG) utilizado nesta forma de realização tem estrutura de granada de modo semelhante ao caso forma de realização descrita acima e é, portanto, resistente ao calor, luz e humidade. O comprimento de onda de pico de excitação do material fluorescente de ítrio-alumínio-granada desta forma de realização pode ser estabelecido perto de 450 nm conforme se indica pela linha a cheio na Fig. 5A e o comprimento de onda de pico de emissão podem ser estabelecidos próximo de 510 nm conforme se indica pela linha a cheio na Fig. 5B, embora fazendo o espectro de emissão tão largo com a cauda a descair para fora de 700 nm. Isto torna possível emitir luz verde. O comprimento de onda de pico de excitação de outro material fluorescente de ítrio-alumínio-granada ativado com cério desta forma de realização pode ser estabelecido próximo de 450 nm conforme se indica pela linha a tracejado na Fig. 5A e o comprimento de onda de pico de emissão podem ser estabelecidos próximo de 600 nm, conforme se indica pela linha a tracejado na Fig. 5B, embora fazendo o espectro de emissão tão amplo com a cauda a descair para fora de 750 nm. Isto torna possível emitir luz vermelha. O comprimento de onda da luz emitida é mudado para um comprimento de onda menor, substituindo parte de Ai, entre os constituintes do material fluorescente YAG tendo estrutura de granada, com Ga e o comprimento de onda da luz emitida é mudado para um comprimento de onda mais longo substituindo parte de Y com Gd e/ou La. A proporção de substituição de Ai com Ga é, de um modo preferido, de Ga:Al = l:l para 4:6 em consideração da eficiência da emissão de luz e o comprimento de onda de emissão. De modo semelhante, a proporção de substituição de Y com Gd e/ou La é, de um modo preferido, de Y:Gd e/ou La=9:l para 1:9 ou, de um modo mais preferido, de Y:Gd e/ou La=4:1 para 2:3. A substituição de menos do que 20% resulta num aumento do componente verde e uma diminuição do componente vermelho. A substituição de 80% ou parte maior, por outro lado, aumenta o componente vermelho mas diminui a pique a luminância. O material para preparar um tal fósforo é preparado utilizando óxidos de Y, Gd, Ce, La, Sm, e Ga ou compostos que podem ser facilmente convertidos nestes óxidos a temperaturas elevadas, e misturando suficientemente estes materiais em proporções estequiométricas. Ou seja, o material de mistura é obtido dissolvendo elementos terrosos raros Y, Gd, Ce, La, e Sm nas proporções estequiométricas em ácido, coprecipitando a solução com ácido oxálico e aquecendo o coprecipitado para obter um óxido do coprecipitado, o qual é então misturado com óxido de alumínio e óxido de gálio. Esta mistura é misturada com uma quantidade apropriada de um fluoreto, tal como fluoreto de alumínio, utilizado como um fundente e aquecido num cadinho à temperatura desde 1350 a 1450 °C no ar, durante 2 a 5 horas. Então o material aquecido é moído por um moinho de esferas em água, lavado, separado, seco e passado pela peneira para obter, desse modo, o material desejado.
Nesta forma de realização, os dois ou mais tipos de materiais fluorescentes de ítrio-alumínio-granada ativados com cério de diferentes composições podem ser utilizados misturando ou dispostos independentemente (laminados, por exemplo). Quando os dois ou mais tipos de materiais fluorescentes são misturados, podem ser formados de modo relativamente fácil e num modo apropriado para a produção em massa. Quando os dois ou mais tipos de materiais fluorescentes são dispostos independentemente, a cor pode ser ajustada depois de os formar laminando as camadas até ser obtida uma cor desejada. Também quando dispondo os dois ou mais tipos de materiais fluorescentes independentemente, é preferível dispor um material fluorescente que absorva luz do componente emissor de luz de um comprimento de onda menor próximo do elemento de LED e um material fluorescente que absorva luz de um comprimento de onda maior longe do elemento de LED. Esta disposição permite absorção eficiente e emissão eficientes de luz. 0 díodo emissor de luz, desta forma de realização, é preparado utilizando dois ou mais tipos de materiais fluorescentes de ítrio-alumínio-granada de diferentes composições como os materiais fluorescentes, conforme se descreveu anteriormente. Isto torna possível construir um díodo emissor de luz capaz de emitir luz da cor desejada eficientemente. Isto é, quando o comprimento de onda da luz emitido pelo componente emissor de luz do semicondutor corresponde a um ponto na linha reta que liga o ponto A e ponto B no diagrama de cromaticidade da Fig. 6, pode ser emitida luz de qualquer cor na região sombreada cercada pelos pontos A, B, C e D na Fig. 6 que são os pontos de cromaticidade (pontos C e D) de dois ou mais tipos de materiais fluorescentes de ítrio-alumínio-granada de diferentes composições. De acordo com esta forma de realização, a cor pode ser controlada, mudando as composições ou quantidades dos elementos de LED e materiais fluorescentes. Em especial, pode ser preparado um díodo emissor de luz de menor variação no comprimento de onda de emissão selecionando os materiais fluorescentes de acordo com o comprimento de onda de emissão do elemento de LED, compensando desse modo, para a variação do comprimento de onda de emissão do elemento de LED. Também pode ser preparado um diodo emissor de luz que inclua componentes RGB com elevada luminância selecionando o comprimento de onda de emissão dos materiais fluorescentes.
Além disso, uma vez que o material fluorescente de ítrio-alumínio-granada (YAG), utilizado nesta forma de realização tem estrutura de granada, o diodo emissor de luz desta forma de realização pode emitir luz de elevada luminância por um longo período de tempo.
Também os díodos emissores de luz da forma de realização descrita acima e esta forma de realização são dotados com componente emissor de luz instalado por meio de material fluorescente. Também porque a luz convertida tem comprimento de onda maior do que aquele da luz emitida pelo componente emissor de luz, a energia da luz convertida é menor do que a lacuna da banda do semicondutor de nitreto, e é menos provável ser absorvida pela camada semicondutora de nitreto. Assim, embora a luz emitida pelo material fluorescente seja dirigida também ao elemento de LED, devido à isotropia de emissão, a luz emitida pelo material fluorescente nunca é absorvida pelo elemento de LED e, portanto, a eficiência de emissão do díodo emissor de luz não será diminuída. (Fonte de luz planar)
Na Fig. 7 é mostrada uma fonte de luz planar a qual é outra forma de realização preparada pela presente invenção.
Na fonte de luz planar mostrada na Fig. 7, o fósforo utilizado na presente invenção está contido num material 701 de revestimento. Com esta configuração, a luz azul emitida pelo semicondutor de nitreto de gálio é convertida na cor e é produzida em estado planar por meio duma placa 704 de orientação ótica e uma folha 706 dispersiva.
Especificamente, um componente 702 emissor de luz da fonte de luz planar da Fig. 7, é fixo num substrato 703 metálico com a forma de C invertido sobre o qual uma camada de isolamento e um molde condutor (não mostrado) são formados. Depois de ligar eletricamente o elétrodo do componente emissor de luz e o molde condutor, o fósforo é misturado com resina epóxi e aplicado dentro do substrato 703 metálico com a forma de C invertido sobre o qual é montado o componente 702 emissor de luz. O componente emissor de luz assim assegurado, é fixo sobre uma face da extremidade de uma placa 704 de orientação ótica de acrílico por meio de uma resina de epóxi. Uma película 707 refletora contendo um agente de difusão branco, está disposta sobre um dos planos principais da placa 704 de orientação ótica onde a folha 706 dispersiva não é formada, com o propósito de evitar fluorescência.
De modo semelhante, um refletor 705 é proporcionado sobre toda a superfície na parte posterior da placa 704 de guia ótica e sobre uma face da extremidade onde o componente emissor de luz não é proporcionado, com o objetivo de melhorar a eficiência de emissão de luz. Com esta configuração, podem ser preparados díodos emissores de luz para emissão de luz planar os quais produzem suficiente luminância para a luz de retroiluminação de LCD. A aplicação do díodo emissor de luz para emissão de luz planar a um dispositivo de visualização de cristal líquido pode conseguir-se dispondo uma placa polarizadora sobre um plano principal da placa 704 de guia ótica por meio do cristal líquido injetado entre substratos de vidro (não mostrados) sobre os quais é formado um molde condutor translúcido.
Será agora descrita a seguir, referindo a Fig. 8 e Fig. 9, uma fonte de luz planar de acordo com outra forma de realização que não faz parte da presente invenção. O dispositivo emissor de luz mostrado na Fig. 8 é preparado numa configuração tal, que a luz azul emitida pelo díodo 702 emissor de luz é convertida em luz branca por um conversor 701 de cor que contém o fósforo e é produzido à saída no estado planar por meio de uma placa 704 de guia ótica. O dispositivo emissor de luz mostrado na Fig. 9 é preparado numa configuração tal, que a luz azul emitida pelo componente 702 emissor de luz é transformada no estado planar pela placa 704 de guia ótica, então convertida em luz branca por uma folha 706 dispersiva contendo fósforo formado sobre um do plano principal da placa 704 de guia ótica, para produzir à saída desse modo, luz branca no estado planar. O fósforo pode estar contido na folha 706 dispersiva ou formada numa folha espalhando-a em conjunto com uma resina aglutinante sobre a folha 706 dispersiva. Além disso, o elemento aglutinante que inclui o fósforo pode ser formado por pontos, não por folha, diretamente sobre a placa 704 de orientação ótica. <Aplicação> (Dispositivo de visualização)
Será agora descrito em seguida, um dispositivo de visualização. A Fig. 10 é um diagrama de blocos que mostra a configuração do dispositivo de visualização. Como se mostra na Fig. 10, o dispositivo de visualização compreende um dispositivo 601 de visualização LED e um circuito 610 de acionamento tendo um controlador 602, meios 603 de armazenamento de dados de video e meios 604 de controlo de tonalidade. O dispositivo 601 de visualização LED, tendo diodos 501 emissores de luz branca mostrados na Fig. 1 ou Fig. 2, dispostos com a configuração de uma matriz num invólucro 504 como se mostra na Fig. 11, é utilizado como dispositivo de visualização LED monocromático. O invólucro 504 é dotado de um material 505 de bloqueamento da luz que é formado integralmente com este. O circuito 610 de acionamento tem os meios 603 de armazenamento (RAM) de dados video para armazenar temporariamente dados de visualização que são introduzidos, os meios 604 de controlo de tonalidade que calculam e produzem à saida sinais de tonalidade para controlar os diodos emissores de luz individual do dispositivo 601 de visualização LED para iluminar com o brilho especificado de acordo com os dados lidos da RAM 603 e o controlador 602 que é comutado por sinais fornecidos do meio 604 de controlo de tonalidade para acionar o diodo emissor de luz. O circuito 604 de controlo de tonalidade restaura os dados da RAM 603 e calcula a duração de iluminação dos diodos emissores de luz do dispositivo 601 de visualização LED, então, produz á saida, sinais de impulso para ligar e desligar os diodos emissores de luz ao dispositivo 601 de visualização LED. No dispositivo de visualização constituído como descrito acima, o dispositivo 601 de visualização LED é capaz de exibir imagens de acordo com os sinais de impulso que são introduzidos à entrada do circuito de acionamento e tem as seguintes vantagens. O dispositivo de visualização LED que exibe luz branca utilizando díodos emissores de luz de três cores, RGB, é necessário para revelar, enquanto controla a emissão de luz à saída dos díodos emissores de luz R, G e B e devendo controlar em consequência disto os díodos emissores de luz considerando a intensidade de emissão, as características de temperatura e outros fatores dos díodos emissores de luz, que resultam na configuração complicada do circuito de acionamento que comanda o dispositivo de visualização LED. No entanto, no dispositivo de visualização, uma vez que o dispositivo 601 de visualização LED é formado pela utilização de díodos 501 emissores de luz da presente invenção que podem emitir luz branca sem utilizar díodos emissores de luz de três espécies, RGB, não é necessário para o circuito de acionamento controlar individualmente os díodos emissores de luz R, G e B, tornando possível simplificar a configuração do circuito de acionamento e construir o dispositivo de visualização a um custo reduzido.
Com um dispositivo de visualização LED que exibe luz branca utilizando díodos emissores de luz de três tipos, RGB, os três díodos emissores de luz devem ser iluminados ao mesmo tempo e a luz dos díodos emissores deve ser misturada com o objetivo de exibir luz branca, combinando os três díodos emissores de luz RGB para cada pixel, resultando numa grande área de visualização para cada pixel e tornando-se impossível exibir com alta definição. Em contraste, o dispositivo de visualização LED do dispositivo emissor de luz, pode exibir luz branca e pode ser preparado com um único diodo emissor de luz e é portanto capaz de exibir com luz branca de definição mais elevada. Além disso, com o dispositivo de visualização LED que exibe as cores misturadas dos três díodos emissores de luz, existe um caso de alterações de cor de visualização, devido ao bloqueamento de alguns dos díodos emissores de luz RGB que dependem do ângulo de visão, enquanto o dispositivo de vídeo de LED não tem esse problema.
Como descrito acima, o dispositivo de visualização dotado com o dispositivo de visualização LED que emprega o díodo emissor de luz preparado pela presente invenção, o qual é capaz de emitir luz branca, é capaz de exibir luz branca estável com maior definição e tem a vantagem de menor irregularidade da cor. 0 dispositivo de visualização LED que é capaz de exibir luz branca também impõe menos estímulo ao olho comparado ao dispositivo de visualização de LED convencional que emprega apenas as cores vermelha e verde e é, portanto, apropriado para utilização durante um longo período de tempo. (Forma de realização de outro dispositivo de visualização empregando o díodo emissor de luz preparado pela presente invenção) 0 díodo emissor de luz preparado pela presente invenção pode ser utilizado para formar um dispositivo de visualização LED em que um pixel é constituído por três díodos emissores de luz RGB e um diodo emissor de luz preparado pela presente invenção, como se mostra na Fig. 12. Ligando o dispositivo de visualização LED e um circuito de acionamento especificado, pode formar-se um dispositivo de visualização capaz de exibir várias imagens. 0 circuito de acionamento deste dispositivo de visualização tem, de modo semelhante a um caso de dispositivo de visualização monocromático, meios (RAM) de armazenamento de dados de video para armazenar temporariamente os dados de visualização de entrada, um circuito de controlo de tonalidade que processa os dados armazenados na RAM para calcular sinais de tonalidade para iluminação dos díodos emissores de luz com brilho especificado e um controlador que é comutado pelo sinal de saída do circuito de controlo de tonalidade de modo a provocar que os díodos emissores de luz iluminem. 0 circuito de acionamento é necessário exclusivamente para cada um dos díodos emissores de luz RGB e o díodo emissor de luz branca. 0 circuito de controlo de tonalidade calcula a duração de iluminação dos díodos emissores de luz dos dados armazenados na RAM, e produz à saída sinais de impulsos para ligar e desligar os díodos emissores de luz. Quando exibindo luz branca, a largura dos sinais de impulso para iluminação dos díodos emissores de RGB é tornada mais pequena, ou o valor do pico de sinal de impulso é tornado inferior ou absolutamente nenhum sinal de impulso é produzido à saída. Por outro lado, é dado um sinal de impulso ao díodo emissor de luz branca em sua compensação. Isto origina que o dispositivo de visualização LED revele luz branca.
Como descrito acima, o brilho do dispositivo de visualização pode ser melhorado, adicionando o díodo emissor de luz branca aos díodos emissores de luz RGB. Quando os díodos emissores de luz RGB são combinados para exibir luz branca, uma ou duas das cores de RGB podem ser reforçadas resultando numa falha em exibir luz branca pura que dependendo do ângulo de visão, um tal problema é resolvido adicionando o díodo emissor de luz branca como no dispositivo de visualização. É preferível, para o circuito de acionamento de tal dispositivo de visualização como descrito acima, que seja proporcionado uma CPU separadamente como um circuito de controlo de tonalidade que calcula o sinal de impulso para iluminar o díodo emissor de luz branca com o brilho especificado. 0 sinal de impulso que é produzido à saída do circuito de controlo de tonalidade é dado ao controlador do díodo emissor de luz branca para comutar, desse modo, o controlador. 0 díodo emissor de luz branca ilumina quando o controlador é ligado e extingue-se quando o controlador é desligado. (Sinal de trânsito)
Quando o díodo emissor de luz preparado pela presente invenção é utilizado como um sinal de trânsito que é um tipo de dispositivo de visualização, tais vantagens podem ser obtidas como iluminação estável durante um longo período de tempo e sem qualquer irregularidade de cor, mesmo quando parte dos díodos emissores de luz se extinguem. 0 sinal de trânsito que emprega o díodo emissor de luz preparado pela presente invenção tem uma tal configuração visto que díodos emissores de luz branca são dispostos sobre um substrato, sobre o qual é formado um molde condutor. Um circuito de díodos emissores de luz em que tais díodos emissores de luz são ligados em série ou paralelo, é acionado como um conjunto de díodos emissores de luz. São utilizados dois ou mais conjuntos dos díodos emissores de luz, estando cada um dos díodos emissores de luz dispostos numa configuração em espiral. Quando todos os díodos emissores de luz são dispostos, estes são dispostos sobre toda a área numa configuração circular. Depois de ligar as linhas de energia soldando a ligação dos díodos emissores de luz e o substrato com a fonte de energia externa, é presa num chassis de sinal ferroviário. 0 dispositivo de visualização LED é colocado num chassis fundido em molde de alumínio equipado com um componente de bloqueamento de luz e é vedado na superfície com enchimento de borracha de silicone. 0 chassis é dotado de uma lente de cor branca sobre o seu plano de visualização. A cablagem elétrica do dispositivo de visualização LED é passada através de uma guarnição de borracha na parte posterior do chassis, para isolar o interior do chassis do exterior, com o interior do chassis fechado. Assim é preparado um sinal de luz branca. Pode preparar-se um sinal de segurança mais intenso dividindo os díodos emissores de luz preparados pela presente invenção numa pluralidade de grupos e dispondo-os numa configuração em espiral que gira em turbilhão do centro em direção ao exterior, embora ligando—os em paralelo. A configuração de girar em turbilhão do centro para o exterior pode ser ou contínua ou intermitente. Portanto, o número desejado dos conjuntos de díodos emissores de luz pode ser selecionado dependendo na área de visualização do dispositivo de visualização LED. Este sinal é, mesmo quando um dos conjuntos dos díodos emissores de luz ou parte dos díodos emissores de luz falham na iluminação devido a algum contratempo, capaz de iluminar uniformemente numa configuração circular sem alteração de cor por meio do conjunto restante de díodos emissores de luz ou restantes díodos emissores de luz. Devido aos díodos emissores de luz estarem dispostos numa configuração em espiral, estes podem ser dispostos de modo mais denso perto do centro e acionados sem qualquer ideia diferente dos sinais que empregam lâmpadas incandescentes. <Exemplos>
Os seguintes Exemplos ilustram ainda em pormenor o díodo emissor de luz preparado pela presente invenção mas não são para ser entendidos de modo a limitar o seu objetivo. (Exemplo 1)
0 Exemplo 1 proporciona um componente emissor de luz que tem um pico de emissão a 450 nm e uma meia largura de 30 nm que emprega um semicondutor de GalnN. O componente emissor de luz utilizado na presente invenção é preparado pelo escoamento de TMG gasoso (trimetil gálio), TMI gasoso (trimetil índio), azoto gasoso e gás dopante em conjunto com um veículo gasoso sobre um substrato de safira limpa e formando uma camada semicondutora composta de nitreto de gálio no processo de MOCVD. São formados um semicondutor de nitreto de gálio tendo condutividade tipo N e um semicondutor de nitreto de gálio tendo condutividade tipo P comutando SiH4 e Cp2Mg (bis (ciclopentadienil) magnésio) como gás dopante. O elemento LED do Exemplo 1 tem uma camada de contacto que é um semicondutor de nitreto de gálio tendo condutividade tipo N, uma camada revestida que é um semicondutor de nitreto de gálio e alumínio tendo condutividade tipo P e uma camada de contacto que é um semicondutor de nitreto de gálio tendo condutividade tipo P e, formada entre a camada de contacto tendo condutividade tipo N e a camada de revestimento tendo condutividade tipo P, está uma camada de ativação de InGaN não dopada de espessura de cerca de 3 nm para preparar uma única estrutura de fonte de quantum. O substrato de safira tem uma camada semicondutora de nitreto de gálio formada em cima sob uma temperatura baixa de modo a preparar uma camada tampão. O semicondutor tipo P é recozido à temperatura de 400 °C ou acima desta, depois de formar a película.
Depois de expor as superfícies das camadas semicondutoras de tipo P e tipo N à gravura com água forte os elétrodos n e p são formados por projeção de partículas. Depois de marcar a bolacha semicondutora tendo sido preparada como descrito acima, os componentes emissores de luz são preparados dividindo a bolacha com força exterior. O componente emissor de luz preparado pelo processo anterior é montado num recetáculo de um condutor de suporte que é preparado de aço revestido de prata ligando a matriz com resina epóxi. Então os elétrodos do componente emissor de luz, o condutor de suporte e o condutor interior são ligados eletricamente por fios com fios de ouro de 30 pm de diâmetro, de modo a preparar um díodo emissor de luz do tipo condutor.
Prepara-se fósforo dissolvendo elementos terrosos raros de Y, Gd e Ce num ácido em proporções estequiométricas, e coprecipitando a solução com ácido oxálico. O óxido do coprecipitado obtido levando este material à chama é misturado com óxido de alumínio, para obter assim o material da mistura. A mistura foi então misturada com fluoreto de amónio utilizado como um fundente e aquecido num cadinho, à temperatura de 1400 °C ao ar, durante 3 horas. Então o material aquecido é moído por um moinho de esferas, lavado, separado, seco e peneirado desse modo para se obter o material desejado. O fósforo preparado como descrito acima é material fluorescente de ítrio-alumínio-granada representado pela fórmula geral (Yo.sGdo.2) 3AI5O12: Ce onde cerca de 20% de Y é substituído com Gd e a relação de substituição de Ce é 0,03.
As 80 partes em peso de material fluorescente que tem uma composição de (Yo.8Gd0.2) 3AI5O12: Ce tendom sido preparadas pelo processo anterior e as 100 partes em peso de resina epóxi são misturadas de forma suficiente para se transformar numa mistura semilíquida em suspensão. A mistura semilíquida em suspensão é vazada no recetáculo proporcionado sobre o condutor de suporte em cima do qual o componente emissor de luz é montado; Depois de vazar, a mistura semilíquida em suspensão é curada, a 130 °C, durante uma hora. Assim um revestimento tendo uma espessura de 120 pm, o qual contém a substância fluorescente, é formado sobre o componente emissor de luz. No Exemplo 1, o revestimento é formado de modo a conter fósforo em concentração a aumentar gradualmente para o componente emissor de luz. A intensidade de irradiação é de cerca de 3,5 W/cm2. O componente emissor de luz e o fósforo são moldados com resina epóxi translúcida para o propósito de proteção contra tensões estranhas, humidade e poeira. Uma estrutura de condutor com a camada de revestimento de fósforo em cima é colocada numa matriz com a forma de bala e misturada com resina epóxi translúcida e então curada, a 150 °C, durante 5 horas.
Verificou-se através da observação visual do díodo emissor de luz formado como descrito acima na direção normal ao plano emissor de luz, que a parte central era restituída em cor amarelada devido à cor do corpo do fósforo. As medições do ponto de cromaticidade, da temperatura da cor e do índice de restituição da cor do díodo emissor de luz preparado como descrito acima e capaz de emitir luz branca, deram valores de (0,302, 0,280) para o ponto de cromaticidade (x, y) , temperatura da cor de 8080 K e 87,5 para índice (Ra), de restituição da cor (Ra) os quais são aproximados às características de uma lâmpada fluorescente de 3 formas de onda. A eficiência emissora de luz era 9,5 lm/W, comparável aquela de uma lâmpada incandescente. Além disso, em testes ao vivo sob condições de energização com uma corrente de 60 mA a 25 °C, 20 mA a 25 °C e 20 mA a 60 °C com 90% de HR, não foi observada nenhuma alteração devida ao material fluorescente, provando que o díodo emissor de luz não diferia na vida útil do díodo emissor de luz azul convencional. (Exemplo 1 Comparativo)
Foram conduzidos do mesmo modo como no Exemplo 1 a formação de um díodo emissor de luz e os seus testes de duração, exceto em mudar a substância fluorescente de (Yo.8Gdo.2) 3AI5O12 para (ZnCd)S:Cu,AI. O díodo emissor de luz que tinha sido formado mostrou, imediatamente depois da energização, emissão de luz branca mas com baixa luminância. Num teste de duração, a produção à saída diminuiu para zero em cerca de 100 horas. A análise da causa da deterioração mostrou que o material fluorescente estava enegrecido.
Esta perturbação é suposto ter sido causada com a luz emitida pelo componente emissor de luz e pela humidade que o material fluorescente tenha apanhado ou entrado do exterior causada por fotólise ao preparar-se zinco coloidal para precipitar sobre a superfície do material fluorescente, resultando na superfície enegrecida. Mostram-se na Fig. 13 em conjunto com os resultados do Exemplo 1 os resultados dos testes de duração sob condições de energização com uma corrente de 20 mA a 25 °C e 20 mA a 60 °C com 90% de HR. A luminância é dada em termos de valor relativo com respeito ao valor inicial como a referência. A linha continua indica o Exemplo 1 e uma linha interrompida indica o Exemplo 1 Comparativo na Figura 13. (Exemplo 2)
No Exemplo 2, o componente emissor de luz foi preparado do mesmo modo como no Exemplo 1, exceto para aumentar o conteúdo de In no semicondutor composto de nitreto do componente emissor de luz para ter o pico de emissão a 460 nm e aumentar o conteúdo de Gd no fósforo do que aquele do Exemplo 1 para ter uma composição de (Yo. ôGo . 4) 3AI5O12: Ce .
As medições do ponto de cromaticidade, da temperatura da cor e o índice de restituição da cor do díodo emissor de luz, as quais foram preparadas como descrito acima e capaz de emitir luz branca, deram valores de (0,375, 0,370) para o ponto de
cromaticidade (x, y) , temperatura de cor de 4400 K e 86,0 para índice (Ra) de restituição da cor. As Fig. 18A, 18B e Fig. 18C mostram respetivamente, o espectro de emissão do fósforo, o componente emissor de luz e o díodo emissor de luz do Exemplo 2.
Foram preparadas 100 peças dos díodos emissores de luz do Exemplo 2 e foram tomadas as médias das intensidades luminosas respetivas depois de 1000 horas de iluminação. Em termos de percentagem do valor da intensidade luminosa antes do teste de duração, a média de intensidade luminosa depois do teste de duração era 98,9%, demonstrando nenhuma diferença na característica. (Exemplo 3)
Foram preparados 100 díodos emissores de luz do mesmo modo como no Exemplo 1 exceto pela adição de Sm, além dos elementos terrosos raros Y, Gd e Ce no fósforo para preparar um material fluorescente com a composição de (Y0.39Gdo.57Ceo.o3Sm0,oi) 3A15O12 · Quando os díodos emissores de luz eram preparados iluminar a uma temperatura elevada de 130 °C, era obtida uma característica da temperatura média de cerca de 8% melhor do que aquela do Exemplo 1. (Exemplo 4)
Conforme se mostra na Fig. 11, o dispositivo de visualização LED do Exemplo 4 é preparado de díodos emissores de luz do Exemplo 1 que são dispostos numa matriz 16 x 16 sobre um substrato de cerâmica em cima do qual é formado um molde de cobre. No dispositivo de visualização LED do Exemplo 4, o substrato em cima do qual os díodos emissores de luz são dispostos é colocado num chassis 504 que é preparado a partir de resina de fenol e é dotado de um componente 505 de bloqueamento de luz que está aí integralmente constituído. O chassis, os díodos emissores de luz, o substrato e parte do componente de bloqueamento da luz, exceto para as extremidades dos díodos emissores de luz, são revestidos com borracha 506 de silicone colorida em preto com um pigmento. O substrato e os díodos emissores de luz são soldados por meio de uma máquina de soldar automática. São eletricamente ligados para preparar um dispositivo de visualização LED, o dispositivo de visualização LED preparado de acordo com a configuração descrita anteriormente, uma RAM que armazena temporariamente os dados de visualização de entrada, um circuito de controlo de tonalidade que processa os dados armazenados na RAM para calcular sinais de tonalidade para iluminar os díodos emissores de luz com brilho especificado e meio de acionamento que é comutado pelo sinal de saída do circuito de controlo de tonalidade para causar que os díodos emissores de luz a iluminem. Verificou-se que o equipamento pode ser utilizado como dispositivo de visualização LED preto e branco comandando os dispositivos de visualização LED. (Exemplo 5) 0 díodo emissor de luz do Exemplo 5 foi preparado do mesmo modo como no Exemplo 1, exceto em utilizar fósforo representado pela fórmula geral (Y0.2Gd0.8) 3AI5O12 :Ce. Foram preparadas 100 peças dos díodos emissores de luz do Exemplo 5 e feitas medições para várias características. A medição do ponto de cromaticidade deu valores em média de (0,450, 0,420) para o ponto (x, y) de cromaticidade e era emitida luz da cor da lâmpada de cor incandescente, As Fig. 19A, Fig. 19B e Fig. 19C mostram, respetivamente, o espectro de emissão do fósforo, o componente emissor de luz e o díodo emissor de luz do Exemplo 5. Embora os díodos emissores de luz do Exemplo 5 mostrassem luminância de cerca de 40% inferior do que aquela dos díodos emissores de luz do Exemplo 1, mostraram boa capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas comparável aquelas do Exemplo 1 no teste de duração. (Exemplo 6) 0 díodo emissor de luz do Exemplo 6 foi preparado do mesmo modo como no Exemplo 1, exceto em utilizar fósforo representado pela fórmula geral Y3Al50i2:Ce. Foram preparadas 100 peças dos díodos emissores de luz do Exemplo 6 e feitas medições para várias características. Foi emitida a medição do ponto de cromaticidade da luz branca ligeiramente amarela esverdeada comparada ao Exemplo 1. O díodo emissor de luz do Exemplo 6 mostrou boa capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas semelhante aquela do Exemplo 1 no teste de duração. As Fig. 20A, 20B e Fig. 20C mostram respetivamente, o espectro de emissão de fósforo, o componente emissor de luz e o díodo emissor de luz do Exemplo 6. (Exemplo 7) O díodo emissor de luz do Exemplo 7 foi preparado do mesmo modo como no Exemplo 1, exceto em utilizar fósforo representado pela fórmula geral Y3 (Alo.5Gao.5) 50i2: Ce. Foram preparadas 100 peças de díodos emissores de luz do Exemplo 7 e feitas medições para várias características.
Embora os díodos emissores de luz do Exemplo 7 mostrassem uma baixa luminância, emitiram luz branca esverdeada e mostraram boa capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas semelhantes aquelas do Exemplo 1 no teste de duração. As Fig. 21A, Fig. 21B e Fig. 21C mostram, respetivamente, o espectro de emissão do fósforo, o componente emissor de luz e o díodo emissor de luz do Exemplo 7. (Exemplo 8) 0 díodo emissor de luz do Exemplo 8 foi preparado do mesmo modo como no Exemplo 1 exceto em utilizar fósforo representado pela fórmula geral Gd3 (Al0.5Ga0.5) 50i2: Ce que não contém Y. Foram preparadas 100 peças dos diodos emissores de luz do Exemplo 8 e feitas medições para várias características.
Embora os díodos emissores de luz do Exemplo 8 mostrassem uma baixa luminância, mostraram uma boa capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas semelhante aquela do Exemplo 1 no teste de duração. (Exemplo 9) O díodo emissor de luz do Exemplo 9 é dispositivo emissor de luz planar tendo a configuração mostrada na Fig. 7. O semicondutor de Ino.05Gao.95N tendo o pico de emissão a 450 nm, é utilizado como um componente emissor de luz. Os componentes emissores de luz são preparados escoando TMG gasoso (trimetil gálio), TMI gasoso (trimetil índio), azoto gasoso e gás dopante em conjunto com um gás condutor sobre um substrato de safira limpa e formando uma camada semicondutora composta de nitreto de gálio no processo de MOCVD. Uma camada semicondutora de nitreto de gálio tendo condutividade de tipo N e uma camada semicondutora de nitreto de gálio tendo condutividade deo tipo P são formadas comutando SiH4 e Cp2Mg (bis(ciclopentadienil)magnésio) como gás dopante, formando desse modo uma junção PN. Para o componente emissor de luz do semicondutor são formadas, uma camada de contacto que é semicondutor de nitreto de gálio tendo condutividade tipo N, uma camada revestida que é semicondutor de nitreto de gálio e alumínio tendo condutividade tipo N, uma camada revestida que é semicondutor de nitreto de gálio e alumínio tendo condutividade do tipo P e uma camada de contacto que é semicondutor de nitreto de gálio tendo condutividade tipo P. Uma camada de ativação de Zn-dopado de InGaN que faz uma junção duplamente heterogénea, é formada entre a camada revestida tendo condutividade tipo N e a camada revestida tendo condutividade tipo P. Uma camada tampão é proporcionada sobre o substrato de safira, formando a camada semicondutora de nitreto de gálio a baixa temperatura. A camada semicondutora de nitreto tipo P é recozida à temperatura de 400 °C ou acima desta depois de formar a película.
Depois de formar as camadas semicondutoras e expor as superfícies das camadas semicondutoras tipo P e tipo N por gravura com água forte, são formados elétrodos por crepitação. Depois de riscar a bolacha semicondutora que foi preparada como descrito acima, os componentes emissores de luz são preparados como componentes emissores de luz dividindo a bolacha por meio de uma força exterior. O componente emissor de luz é montado num condutor de suporte tendo um recetáculo na extremidade de uma estrutura de condutor de cobre revestido de prata, prendendo a matriz com resina epóxi. Os elétrodos do componente emissor de luz, o condutor de suporte e o condutor interior são eletricamente ligados prendendo por fio com fios de ouro que têm um diâmetro de 30 pm. A estrutura do condutor com o componente emissor de luz ligado em cima é colocada numa matriz com a forma de bala e vedada com resina epóxi translúcida para moldagem, que é então curada a 150 °C durante 5 horas, para formar desse modo um diodo emissor de luz azul. O diodo emissor de luz azul é ligado a uma face da extremidade de uma placa de orientação ótica de acrílico que é polida em todas as faces das extremidades. Sobre uma superfície e face lateral da placa de acrílico, é aplicada impressão do ecrã utilizando titanato de bário disperso num aglutinante de acrílico como refletor de cor branca, que é então curado. O fósforo de cores verde e vermelha é preparado dissolvendo elementos terrosos raros de Y, Gd, Ce e La em ácido nas proporções estequiométricas e coprecipitando a solução com ácido oxálico. O óxido do coprecipitado obtido aquecendo este material, é misturado com óxido de alumínio e óxido de gálio, para obter, desse modo, a respetiva mistura de materiais. A mistura é então misturada com fluoreto de amónio utilizado como um fundente, e aquecida num cadinho à temperatura de 1400 °C ao ar, durante 3 horas. Então o material aquecido é moído por um moinho de esferas na água, lavado, separado, seco e peneirado para se obter desse modo o material desejado.
120 partes em peso do primeiro material fluorescente tendo uma composição de Y3 (Al0,6Gao,4) 50i2: Ce e capaz de emitir luz verde preparada como descrito acima e 100 partes em peso do segundo material fluorescente tendo uma composição de (Y0,4Gd0,6) 3AI5O12: Ce e capaz de emitir luz vermelha preparada num processo semelhante aquele para o primeiro material fluorescente, são suficientemente misturadas com 100 partes em peso de resina epóxi, para formar uma mistura semilíquida em suspensão. A mistura semilíquida em suspensão é aplicada uniformemente por cima de uma camada de acrílico tendo uma espessura de 0,5 mm por meio de uma multicamada e seca para formar uma camada de material fluorescente a ser utilizado como um material de conversão de cor tendo uma espessura de cerca de 30 pm. A camada de material fluorescente é cortada dentro do mesmo tamanho como aquele do principal plano emissor de luz da placa de orientação ótica, e disposto sobre a placa de orientação ótica para formar desse modo o dispositivo emissor de luz planar. Medições do ponto de cromat icidade e do índice de restituição da cor do dispositivo emissor de luz deram valores de (0,29, 0,34) para o ponto (x, y) de cromat icidade e 92,0 para o índice (Ra) de restituição de cor que são valores aproximados das propriedades da lâmpada fluorescente de 3 formas de onda. Foi obtida uma eficiência emissora de luz de 12 ím/W comparável à de uma lâmpada incandescente. Além disso, em testes na capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas sob condições de energização com uma corrente de 60 mA à temperatura ambiente, 20 mA à temperatura ambiente e 20 mA a 60 °C com 90% RH, nenhuma alteração foi observada devida ao material fluorescente. (Exemplo 2 Comparativo) A formação de díodo emissor e os seus testes de capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas foram conduzidos do mesmo modo como no Exemplo 9, exceto em misturar as mesmas quantidades de um pigmento fluorescente orgânico verde (FA-001 de Synleuch Chemish) e um pigmento fluorescente orgânico vermelho (FA-005 de Synleuch Chemish) os quais são derivados de perileno, em vez do primeiro material fluorescente representado pela fórmula Y0, 3 (Al0, 6Ga0, 4) 50i2: Ce capaz de emitir luz verde e o segundo material fluorescente representado pela fórmula geral (Y0. 4Gd0.6) 3AI5O12: Ce capaz de emitir luz vermelha do Exemplo 9. As coordenadas de cromaticidade do diodo emissor de luz do Exemplo 1 Comparativo assim formado, foram (x, y) = (0,34, 0,35). O teste de capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas foi conduzido pela irradiação com raios ultravioletas produzidos pelo arco de carbono durante 200 horas, o que representa a irradiação equivalente da luz solar durante um período de um ano, embora medindo a relação de retenção de luminância e a tonalidade da cor em vários momentos durante o período de teste. Num teste de segurança, o componente emissor de luz foi energizado para emitir luz a uma temperatura constante de 70 °C embora medindo a luminância e a tonalidade da cor em ocasiões diferentes. Os resultados são mostrados na Fig. 14 e Fig. 15, em conjunto com o Exemplo 9. Como será evidente a partir da Fig. 14 e Fig. 15, o componente emissor de luz do Exemplo 9 experimenta menos deterioração do que o Exemplo 2 Comparativo. (Exemplo 10) O díodo emissor de luz do Exemplo 10 é um díodo emissor de luz do tipo condutor.
No díodo emissor de luz do Exemplo 10, é utilizado o componente emissor de luz que tem uma camada emissora de luz de Ino.05Gao.95N com pico de emissão a 450 nm, o qual é preparado do mesmo modo como no Exemplo 9. O componente emissor de luz é montado no recetáculo proporcionado na extremidade de um condutor de suporte de cobre revestido de prata, prendendo à matriz com resina epóxi. Os elétrodos do componente emissor de luz, e o condutor de suporte e o condutor interior foram eletricamente ligados por fios metálicos com fios de ouro. 0 fósforo é preparado misturando um primeiro material fluorescente representado pela fórmula geral Y3 (Al0.5Ga0,5) 50i2: Ce capaz de emitir luz verde e um segundo material fluorescente representado pela fórmula geral (YovGdo.s) 3AI5O12: Ce capaz de emitir luz vermelha preparada como se segue. Nomeadamente, os elementos terrosos raros de Y, Gd e Ce são dissolvidos em ácido nas proporções estequiométricas, e coprecipitando a solução com ácido oxálico. 0 óxido da coprecipitação obtido por aquecimento é misturado com óxido de alumínio e óxido de gálio, para obter, desse modo, os materiais da mistura respetivos. A mistura é misturada com fluoreto de amónio utilizado com um fundente e aquecido num cadinho a uma temperatura de 1400 °C ao ar durante 3 horas. Então o material aquecido é moído num moinho de esferas na água, lavado, separado, seco e peneirado de modo a obter-se o primeiro e segundo materiais fluorescentes da distribuição de partícula especificada. 40 partes em peso do primeiro material fluorescente, 40 partes em peso do segundo material fluorescente e 100 partes em peso de resina epóxi são suficientemente misturados para formar uma mistura semilíquida em suspensão. A mistura semilíquida em suspensão é derramada dentro do recetáculo que é proporcionado no condutor de suporte em que o componente emissor de luz é colocado. Então a resina incluindo fósforo é curada, a 130 2C, durante 1 hora. Assim a camada de revestimento que inclui o fósforo em espessura de 120 pm é formada sobre o componente emissor de luz. A concentração da substância fluorescente na camada de revestimento é aumentada gradualmente para o componente emissor de luz. Além disso, o componente emissor de luz e o fósforo são vedados, moldando com resina epóxi translúcida para o propósito de proteção contra tensões exteriores, humidade e pó. Uma estrutura de condutor com a camada de revestimento de fósforo formada em cima disso é colocada numa matriz com a forma de bala e misturada com resina epóxi translúcida e, então, curada, a 150 °C, durante 5 horas. Sob observação visual do diodo emissor de luz formado como descrito acima na direção normal ao plano de emissão de luz, verificou-se que a parte central era tornada amarelada devido à cor do corpo do fósforo.
As medições do ponto de cromaticidade, temperatura da cor e índice de restituição de cor do díodo emissor de luz do Exemplo 10 que foi preparado como anteriormente se descreveu deram valores de (0,32, 0,34) para o ponto de cromaticidade (x, y) , 89,0 para índice (Ra) de restituição de cor e eficiência de emissão de luz de 10 ím/W. Além disso em testes de capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas sob condições de energização com uma corrente de 60 mA à temperatura ambiente, 20 mA à temperatura ambiente e 20 mA a 60 °C com 90% de HR, nenhuma alteração foi observada devido à substância fluorescente, mostrando nenhuma diferença de um díodo emissor de luz azul convencional na característica da duração de serviço. (Exemplo 11) O semicondutor In0,4Gao,6N tendo um pico de emissão a 470 nm é utilizado como um elemento LED. Os componentes emissores de luz são preparados escoando TMG gasoso (trimetil gálio), TMI gasoso (trimetil índio), azoto gasoso e gás dopante em conjunto com um substrato de safira limpa para formar, desse modo, uma camada semicondutora composta de nitreto de gálio no processo de MOCVD. Uma camada semicondutora de nitreto de gálio tendo condutividade tipo N e uma camada semicondutora de nitreto de gálio tendo condutividade tipo P foram formadas comutando SiH4 e Cp2Mg (bis (ciclopentadienil)magnésio) , utilizados como gás dopante, formando desse modo uma junção PN. Para o elemento LED, são formadas, uma camada de contacto que é semicondutor de nitreto de gálio tendo condutividade tipo N, uma camada de revestimento que é semicondutor de nitreto de gálio e alumínio tendo condut ividade tipo P e uma camada de contacto que é semicondutor de nitreto de gálio tendo condutividade tipo P. Uma camada de ativação de InGaN não dopado com espessura de cerca de 3 nm é formada entre a camada de contacto tendo condutividade tipo N e a camada de revestimento tendo condutividade tipo P, para preparar desse modo uma única estrutura compacta de quantum. Uma camada tampão é proporcionada sobre o substrato de safira formando uma camada semicondutora de nitreto de gálio a baixa temperatura.
Depois de formar as camadas e expor as superfícies das camadas semicondutoras do tipo P e tipo N à gravura com água forte, são formados elétrodos por projeção de partículas. Depois de riscar a bolacha semicondutora que é preparada como descrito acima, os componentes emissores de luz são preparados dividindo a bolacha por meio duma força exterior. 0 componente emissor de luz é montado num recetáculo na extremidade de um condutor de suporte revestido de prata por ligando a matriz com resina epóxi. Os elétrodos do componente emissor de luz, o condutor de suporte e o condutor interior são eletricamente ligados por fios com fios de ouro que têm um diâmetro de 30 pm. A estrutura de condutor com o componente emissor de luz ligado em cima desta é colocada numa matriz com a forma de uma bala e vedada com resina epóxi translúcida para moldagem, a qual é então curada, a 150 °C, durante 5 horas, para formar, desse modo, um diodo emissor de luz azul. O diodo emissor de luz azul é ligado a uma face da extremidade de uma placa de guia de emissão ótica de acrílico que é polida sobre todas as faces das extremidades. É aplicada sobre uma superfície e a face lateral da placa de acrílico, impressão do ecrã utilizando titanato de bário disperso num aglutinante de acrílico como refletor de luz branca, o qual é então curado. O fósforo é preparado misturando um material fluorescente representado pela fórmula geral (Yo.8Gdo.2) 3A150i2 : Ce capaz de emitir luz amarela de comprimento de onda relativamente pequeno e um material fluorescente representado pela fórmula geral (Y0. 4Gd0.6) 3A150i2 : Ce capaz de emitir luz amarela de comprimento de onda relativamente grande preparado como se segue. Nomeadamente, elementos terrosos raros de Y, Gd e Ce são dissolvidos em ácido em proporções estequiométricas e coprecipitando a solução com ácido oxálico. O óxido da coprecipitação obtido por aquecimento é misturado com óxido de alumínio, para obter, desse modo, material da mistura respetiva. A mistura é misturada com fluoreto de amónio utilizado como um fundente e aquecido num cadinho à temperatura de 140 °C ao ar durante 3 horas. Então o material aquecido é moido por um moinho de esferas em água, lavado, separado, seco e peneirado. 100 partes em peso de material fluorescente amarelo de comprimento de onda relativamente pequeno e 100 partes em peso de material fluorescente amarelo de comprimento de onda relativamente grande, as quais são preparadas como descrito acima são misturadas suficientemente com 1000 partes em peso de resina de acrílico e obtida por extrusão, para formar, desse modo, uma película de material fluorescente a fim de ser utilizada como material de conversão de cor de cerca de 180 pm de espessura. A película de material fluorescente é cortada dentro do mesmo tamanho conforme o plano de emissão principal da placa de orientação ótica e disposto sobre a placa de guia ótica, para preparar desse modo um dispositivo emissor de luz. As medições de ponto de cromaticidade e índice de restituição da cor do dispositivo emissor de luz do Exemplo 3 que é preparado como descrito, acima deram valores de (0,33, 0,34) para o ponto de cromaticidade (x, y), 88,0 para índice (Ra) de restituição da cor e eficiência emissora de luz de 10 Ím/W. As Fig. 22A,
Fig. 22B e Fig. 22C mostram o espectro de emissão do material fluorescente representado por (Y0.8Gd0.2) 3AI5O12: Ce e um material fluorescente representado pela fórmula geral (Y0. 4Gd0.6) 3AI5O12: Ce utilizado no Exemplo 11. A Fig. 23 mostra o espectro de emissão do díodo emissor de luz do Exemplo 11. Além disso, em testes de duração sob condições de energização com uma corrente de 60 mA à temperatura ambiente, 20 mA à temperatura ambiente e 20 mA a 60 SC com 90% RH, não foi observada nenhuma alteração devido ao material fluorescente.
De modo semelhante, a cromaticidade desejada pode ser mantida mesmo quando o comprimento de onda do componente emissor de luz é alterado pela alteração do conteúdo do material fluorescente. (Exemplo 12) 0 díodo emissor de luz do Exemplo 12 foi preparado do mesmo modo como no Exemplo 1 exceto pela utilização de fósforo representada pela fórmula geral Y3In50i2:Ce. Foram preparadas 100 peças do díodo emissor de luz do Exemplo 12. Embora o díodo emissor de luz do Exemplo 12 mostrasse luminância menor do que aquela dos díodos emissores de luz do Exemplo 1, mostrou boa capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas comparável aquela do Exemplo 1 no teste de duração.
Como descrito acima, o díodo emissor de luz preparado pela presente invenção pode emitir luz de uma cor desejada e está sujeito a menos deterioração da eficiência de emissão e a boa capacidade de resistência às condições meteorológicas adversas mesmo quando utilizado com luminância elevada por um longo período de tempo. Portanto, a aplicação do díodo emissor de luz não é limitada a aplicações eletrónicas, mas pode abrir novas aplicações que incluem dispositivos de visualização para automóveis, aviões e boias para portos de abrigo e portos de mar, bem como para utilização exterior, tais como em sinalização e iluminação de autoestradas.
Lisboa, 17 de dezembro de 2015

Claims (4)

  1. REIVINDICAÇÕES 1. Método de preparar um dispositivo emissor de luz branca, o qual compreende: preparar um material de fósforo compreendendo um material de granada fluorescente ativado por cério, o qual contém, pelo menos, um elemento selecionado de Y, LU, Sc, LA, Gd e SM e, pelo menos, um elemento selecionado de Al, Ga e In; misturar o material de fósforo com uma resina translúcida compreendendo uma selecionada do grupo de resina epóxi, resina de ureia e silicone para preparar uma mistura semilíquida; verter a mistura semilíquida sobre um condutor de suporte ou um invólucro onde um circuito integrado díodo emissor de luz (LED) tendo um semicondutor à base de nitreto de gálio, está montado; curar a mistura semilíquida para preparar um revestimento que contém o material fosforoso, este revestimento cobrindo direta ou indiretamente o circuito integrado LED, este revestimento absorvendo uma parte de uma luz azul emitida pelo circuito integrado LED e emitindo luz de comprimentos de onda diferentes daqueles da luz azul absorvida, a combinação da luz emitida pelo revestimento e da luz do circuito integrado LED não absorvida no revestimento formando luz branca. 1 1 Método de preparar um dispositivo emissor de luz branca de acordo com a reivindicação 1, em que o material de fósforo é preparado por um processo compreendendo os passos de: misturar óxidos de Y, Lu, Sc, La, Gd, Sm, Ai, Ga, In e Ce, ou compostos que podem ser convertidos facilmente nestes óxidos a alta temperatura, em proporções estequiométricas, misturando os óxidos misturados com uma quantidade apropriada de um fluoreto, tal como um fluoreto de amónio utilizado como um fluxo, cozer a mistura num cadinho a uma temperatura entre 1350 1C e 1450 1C no ar durante 2 a 5 horas, moer num moinho de bolas em água, lavar, separar, secar e peneirar o material cozido.
  2. 3. Método de preparar um dispositivo emissor de luz branca de acordo com a reivindicação 1, em que o passo de misturar o material de fósforo é realizado misturando duas ou mais espécies de fósforos tendo composições de (Yi-p-q-r GdpCeqSmr) 3AI5O12 tendo diferentes conteúdos de Ai, Y e Gd ou Sm com uma resina translúcida.
  3. 4. Método de preparar um dispositivo emissor de luz branca de acordo com as reivindicações 1 a 3, em que o circuito integrado LED compreende um substrato selecionado do grupo consistindo de safira, espinela, SiC, Si e ZnO.
  4. 5. Método de preparar um dispositivo emissor de luz branca de acordo com as reivindicações 1 a 4, em que o condutor de montagem é dotado de uma taça ou o invólucro é dotado de uma reentrância, à qual o circuito integrado LED está fixo por uma resina epoxi contendo Ag e na qual a mistura semilíquida é vertida. Lisboa, 17 de dezembro de 2015 1
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Families Citing this family (1492)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3404064B2 (ja) * 1993-03-09 2003-05-06 株式会社日立製作所 半導体装置及びその製造方法
US6013199A (en) 1997-03-04 2000-01-11 Symyx Technologies Phosphor materials
US6153971A (en) * 1995-09-21 2000-11-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source with only two major light emitting bands
US6041345A (en) * 1996-03-08 2000-03-21 Microsoft Corporation Active stream format for holding multiple media streams
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US20040239243A1 (en) * 1996-06-13 2004-12-02 Roberts John K. Light emitting assembly
BRPI9715293B1 (pt) 1996-06-26 2016-11-01 Osram Ag elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico
DE19638667C2 (de) * 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3190259B2 (ja) 1996-07-12 2001-07-23 株式会社クボタ プラグバルブ
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
DE19655185B9 (de) * 1996-09-20 2012-03-01 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19655445B3 (de) * 1996-09-20 2016-09-22 Osram Gmbh Weißes Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionsschicht und Verwendung solcher Halbleiterbauelemente
US6613247B1 (en) 1996-09-20 2003-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Wavelength-converting casting composition and white light-emitting semiconductor component
JP3434658B2 (ja) 1997-01-14 2003-08-11 サンケン電気株式会社 半導体発光装置
JP3378465B2 (ja) * 1997-05-16 2003-02-17 株式会社東芝 発光装置
US6319425B1 (en) * 1997-07-07 2001-11-20 Asahi Rubber Inc. Transparent coating member for light-emitting diodes and a fluorescent color light source
US6623670B2 (en) 1997-07-07 2003-09-23 Asahi Rubber Inc. Method of molding a transparent coating member for light-emitting diodes
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
DE69835216T2 (de) 1997-07-25 2007-05-31 Nichia Corp., Anan Halbleitervorrichtung aus einer nitridverbindung
US7038398B1 (en) 1997-08-26 2006-05-02 Color Kinetics, Incorporated Kinetic illumination system and methods
US6806659B1 (en) 1997-08-26 2004-10-19 Color Kinetics, Incorporated Multicolored LED lighting method and apparatus
US7161313B2 (en) * 1997-08-26 2007-01-09 Color Kinetics Incorporated Light emitting diode based products
US7014336B1 (en) 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US20030133292A1 (en) 1999-11-18 2003-07-17 Mueller George G. Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JPH11135838A (ja) * 1997-10-20 1999-05-21 Ind Technol Res Inst 白色発光ダイオード及びその製造方法
US7598686B2 (en) 1997-12-17 2009-10-06 Philips Solid-State Lighting Solutions, Inc. Organic light emitting diode methods and apparatus
US6458295B1 (en) * 1997-12-24 2002-10-01 Hitachi Medical Corporation Phosphors, and radiation detectors and X-ray CT unit made by using the same
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6469322B1 (en) 1998-02-06 2002-10-22 General Electric Company Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
US6294800B1 (en) 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
JP3900144B2 (ja) * 1998-02-17 2007-04-04 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
JP3541709B2 (ja) * 1998-02-17 2004-07-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
FR2775250B1 (fr) * 1998-02-24 2000-05-05 Wilco International Sarl Moyen d'eclairage pour aeronef compatible avec un systeme de vision nocturne
US20080042554A1 (en) * 1998-05-18 2008-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Image display device and light emission device
JP3645422B2 (ja) * 1998-07-14 2005-05-11 東芝電子エンジニアリング株式会社 発光装置
JP2000081848A (ja) * 1998-09-03 2000-03-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置を搭載した電子機器
US6335548B1 (en) * 1999-03-15 2002-01-01 Gentex Corporation Semiconductor radiation emitter package
ES2299260T5 (es) † 1998-09-28 2011-12-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sistema de iluminación.
US6366018B1 (en) 1998-10-21 2002-04-02 Sarnoff Corporation Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6404125B1 (en) * 1998-10-21 2002-06-11 Sarnoff Corporation Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
US6299338B1 (en) 1998-11-30 2001-10-09 General Electric Company Decorative lighting apparatus with light source and luminescent material
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP2000208822A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体発光装置
DE19902750A1 (de) * 1999-01-25 2000-08-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement zur Erzeugung von mischfarbiger elektromagnetischer Strahlung
JP4296644B2 (ja) 1999-01-29 2009-07-15 豊田合成株式会社 発光ダイオード
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
US6680569B2 (en) 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
US6351069B1 (en) 1999-02-18 2002-02-26 Lumileds Lighting, U.S., Llc Red-deficiency-compensating phosphor LED
US6140669A (en) * 1999-02-20 2000-10-31 Ohio University Gallium nitride doped with rare earth ions and method and structure for achieving visible light emission
KR100683877B1 (ko) 1999-03-04 2007-02-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 반도체 레이저소자
JP3937644B2 (ja) * 1999-03-25 2007-06-27 セイコーエプソン株式会社 光源及び照明装置並びにその照明装置を用いた液晶装置
WO2000079605A1 (fr) 1999-06-23 2000-12-28 Citizen Electronics Co., Ltd. Diode électroluminescente
DE50004145D1 (de) 1999-07-23 2003-11-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchstoff für lichtquellen und zugehörige lichtquelle
CA2343909C (en) 1999-07-23 2013-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Arrangement of luminescent materials, wavelength-converting casting compound and light source
JP2001144331A (ja) 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6515421B2 (en) * 1999-09-02 2003-02-04 General Electric Company Control of leachable mercury in fluorescent lamps
US6630691B1 (en) * 1999-09-27 2003-10-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diode device comprising a luminescent substrate that performs phosphor conversion
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
EP1142033A1 (en) * 1999-09-27 2001-10-10 LumiLeds Lighting U.S., LLC A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
US6299498B1 (en) * 1999-10-27 2001-10-09 Shin Lung Liu White-light emitting diode structure and manufacturing method
JP4197814B2 (ja) * 1999-11-12 2008-12-17 シャープ株式会社 Ｌｅｄ駆動方法およびｌｅｄ装置と表示装置
EP1610593B2 (en) 1999-11-18 2020-02-19 Signify North America Corporation Generation of white light with Light Emitting Diodes having different spectrum
EP2975912B1 (en) † 1999-11-18 2022-04-27 Signify North America Corporation System for generating and modulating illumination conditions
US20020176259A1 (en) 1999-11-18 2002-11-28 Ducharme Alfred D. Systems and methods for converting illumination
TW500962B (en) * 1999-11-26 2002-09-01 Sanyo Electric Co Surface light source and method for adjusting its hue
US6357889B1 (en) 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
US6513949B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6350041B1 (en) * 1999-12-03 2002-02-26 Cree Lighting Company High output radial dispersing lamp using a solid state light source
US6666567B1 (en) 1999-12-28 2003-12-23 Honeywell International Inc. Methods and apparatus for a light source with a raised LED structure
JP2001177145A (ja) * 1999-12-21 2001-06-29 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US6566808B1 (en) 1999-12-22 2003-05-20 General Electric Company Luminescent display and method of making
US7576496B2 (en) * 1999-12-22 2009-08-18 General Electric Company AC powered OLED device
TW480879B (en) * 2000-01-06 2002-03-21 Dynascan Technology Corp Method to compensate for the color no uniformity of color display
KR20010080796A (ko) * 2000-01-07 2001-08-25 허영덕 백색광용 형광체 및 그 제조방법, 그리고 이를 이용한백색광 발생방법
US6700322B1 (en) * 2000-01-27 2004-03-02 General Electric Company Light source with organic layer and photoluminescent layer
US7049761B2 (en) 2000-02-11 2006-05-23 Altair Engineering, Inc. Light tube and power supply circuit
US6522065B1 (en) * 2000-03-27 2003-02-18 General Electric Company Single phosphor for creating white light with high luminosity and high CRI in a UV led device
US6409938B1 (en) 2000-03-27 2002-06-25 The General Electric Company Aluminum fluoride flux synthesis method for producing cerium doped YAG
US6538371B1 (en) * 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
WO2001075359A1 (en) * 2000-04-03 2001-10-11 Getinge/Castle, Inc. High power led source and optical delivery system
US6653765B1 (en) 2000-04-17 2003-11-25 General Electric Company Uniform angular light distribution from LEDs
US6603258B1 (en) * 2000-04-24 2003-08-05 Lumileds Lighting, U.S. Llc Light emitting diode device that emits white light
JP4521929B2 (ja) * 2000-04-26 2010-08-11 株式会社日立メディコ 蛍光体及びそれを用いた放射線検出器及びｘ線ｃｔ装置
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US7304325B2 (en) * 2000-05-01 2007-12-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor light-emitting device
US6604971B1 (en) 2000-05-02 2003-08-12 General Electric Company Fabrication of LED lamps by controlled deposition of a suspension media
US6466135B1 (en) 2000-05-15 2002-10-15 General Electric Company Phosphors for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
US6501100B1 (en) * 2000-05-15 2002-12-31 General Electric Company White light emitting phosphor blend for LED devices
US6621211B1 (en) 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
US6555958B1 (en) 2000-05-15 2003-04-29 General Electric Company Phosphor for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
JP2001332765A (ja) * 2000-05-22 2001-11-30 Iwasaki Electric Co Ltd Ｌｅｄ表示灯
WO2001093342A1 (de) 2000-05-29 2001-12-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis
DE10026435A1 (de) * 2000-05-29 2002-04-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kalzium-Magnesium-Chlorosilikat-Leuchtstoff und seine Anwendung bei Lumineszenz-Konversions-LED
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP2002057376A (ja) * 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
JP4386693B2 (ja) * 2000-05-31 2009-12-16 パナソニック株式会社 Ｌｅｄランプおよびランプユニット
AUPQ818100A0 (en) 2000-06-15 2000-07-06 Arlec Australia Limited Led lamp
US7320632B2 (en) * 2000-06-15 2008-01-22 Lednium Pty Limited Method of producing a lamp
JP2002190622A (ja) 2000-12-22 2002-07-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード用透光性蛍光カバー
JP4926337B2 (ja) * 2000-06-28 2012-05-09 アバゴ・テクノロジーズ・ジェネラル・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 光源
US6883926B2 (en) 2000-07-25 2005-04-26 General Electric Company Light emitting semi-conductor device apparatus for display illumination
DE10036940A1 (de) * 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
JP2002050797A (ja) 2000-07-31 2002-02-15 Toshiba Corp 半導体励起蛍光体発光装置およびその製造方法
US6747406B1 (en) * 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
DE10041328B4 (de) * 2000-08-23 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verpackungseinheit für Halbleiterchips
JP2002076434A (ja) * 2000-08-28 2002-03-15 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
KR100406856B1 (ko) * 2000-08-30 2003-11-21 가부시키가이샤 시티즌 덴시 표면 실장형 발광 다이오드 및 그 제조방법
US6614103B1 (en) 2000-09-01 2003-09-02 General Electric Company Plastic packaging of LED arrays
JP2002084002A (ja) * 2000-09-06 2002-03-22 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置
US6255129B1 (en) * 2000-09-07 2001-07-03 Highlink Technology Corporation Light-emitting diode device and method of manufacturing the same
US6525464B1 (en) * 2000-09-08 2003-02-25 Unity Opto Technology Co., Ltd. Stacked light-mixing LED
JP2002141556A (ja) 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US6635987B1 (en) * 2000-09-26 2003-10-21 General Electric Company High power white LED lamp structure using unique phosphor application for LED lighting products
US7378982B2 (en) * 2000-09-28 2008-05-27 Abdulahi Mohamed Electronic display with multiple pre-programmed messages
JP3609709B2 (ja) * 2000-09-29 2005-01-12 株式会社シチズン電子 発光ダイオード
JP2002111072A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6998281B2 (en) * 2000-10-12 2006-02-14 General Electric Company Solid state lighting device with reduced form factor including LED with directional emission and package with microoptics
US6650044B1 (en) 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
JP2002133925A (ja) * 2000-10-25 2002-05-10 Sanken Electric Co Ltd 蛍光カバー及び半導体発光装置
US6476549B2 (en) * 2000-10-26 2002-11-05 Mu-Chin Yu Light emitting diode with improved heat dissipation
JP2002141559A (ja) * 2000-10-31 2002-05-17 Sanken Electric Co Ltd 発光半導体チップ組立体及び発光半導体リードフレーム
FI109632B (fi) 2000-11-06 2002-09-13 Nokia Corp Valkoinen valaisu
US6365922B1 (en) * 2000-11-16 2002-04-02 Harvatek Corp. Focusing cup for surface mount optoelectronic diode package
US6518600B1 (en) 2000-11-17 2003-02-11 General Electric Company Dual encapsulation for an LED
JP4683719B2 (ja) * 2000-12-21 2011-05-18 株式会社日立メディコ 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置
KR100367854B1 (ko) * 2000-12-28 2003-01-10 대주정밀화학 주식회사 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 알루미늄산이트륨황색 형광체 및 그 제조방법
AT410266B (de) 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US20020084745A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
JP3819713B2 (ja) * 2001-01-09 2006-09-13 日本碍子株式会社 半導体発光素子
JP2002280607A (ja) * 2001-01-10 2002-09-27 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6930737B2 (en) * 2001-01-16 2005-08-16 Visteon Global Technologies, Inc. LED backlighting system
JP2002217459A (ja) * 2001-01-16 2002-08-02 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード及び該発光ダイオードを光源として用いた液晶表示器のバックライト装置
US6703780B2 (en) * 2001-01-16 2004-03-09 General Electric Company Organic electroluminescent device with a ceramic output coupler and method of making the same
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
EP1244152A3 (en) * 2001-01-26 2008-12-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Reflective light emitting diode, reflective optical device and its manufacturing method
JP2002232013A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
DE10105800B4 (de) * 2001-02-07 2017-08-31 Osram Gmbh Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung
JP4724924B2 (ja) * 2001-02-08 2011-07-13 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
US6541800B2 (en) 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
JP4116260B2 (ja) 2001-02-23 2008-07-09 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2002270899A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Mitsubishi Electric Lighting Corp 色温度可変ｌｅｄ光源モジュール
US6611000B2 (en) 2001-03-14 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lighting device
US6630786B2 (en) * 2001-03-30 2003-10-07 Candescent Technologies Corporation Light-emitting device having light-reflective layer formed with, or/and adjacent to, material that enhances device performance
US6844903B2 (en) * 2001-04-04 2005-01-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Blue backlight and phosphor layer for a color LCD
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP2002314138A (ja) 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
CN1268972C (zh) * 2001-04-10 2006-08-09 皇家菲利浦电子有限公司 照明装置和显示设备
JP2002309247A (ja) * 2001-04-16 2002-10-23 Nichia Chem Ind Ltd 窒化ガリウム蛍光体及びその製造方法
TW541722B (en) * 2001-04-20 2003-07-11 Nichia Corp Light emitting device
US6685852B2 (en) 2001-04-27 2004-02-03 General Electric Company Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
US6686676B2 (en) 2001-04-30 2004-02-03 General Electric Company UV reflectors and UV-based light sources having reduced UV radiation leakage incorporating the same
US6658373B2 (en) * 2001-05-11 2003-12-02 Field Diagnostic Services, Inc. Apparatus and method for detecting faults and providing diagnostics in vapor compression cycle equipment
US6616862B2 (en) * 2001-05-21 2003-09-09 General Electric Company Yellow light-emitting halophosphate phosphors and light sources incorporating the same
KR100419611B1 (ko) 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
US6596195B2 (en) 2001-06-01 2003-07-22 General Electric Company Broad-spectrum terbium-containing garnet phosphors and white-light sources incorporating the same
US7012588B2 (en) * 2001-06-05 2006-03-14 Eastman Kodak Company Method for saving power in an organic electroluminescent display using white light emitting elements
US6642652B2 (en) * 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
JP4114331B2 (ja) * 2001-06-15 2008-07-09 豊田合成株式会社 発光装置
US6798136B2 (en) * 2001-06-19 2004-09-28 Gelcore Llc Phosphor embedded die epoxy and lead frame modifications
US6758587B2 (en) 2001-06-25 2004-07-06 Grote Industries, Inc. Light emitting diode license lamp with reflector
TWI287569B (en) * 2001-06-27 2007-10-01 Nantex Industry Co Ltd Yttrium aluminium garnet fluorescent powder comprising at least two optical active center, its preparation and uses
DE10133352A1 (de) 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP2003027057A (ja) * 2001-07-17 2003-01-29 Hitachi Ltd 光源およびそれを用いた画像表示装置
JP2003031856A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Okaya Electric Ind Co Ltd 発光素子及びその製造方法
US20030015708A1 (en) 2001-07-23 2003-01-23 Primit Parikh Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation
JP4055503B2 (ja) * 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
TW552726B (en) 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
KR20080087049A (ko) 2001-09-03 2008-09-29 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 형광체 층, 반도체발광장치, 반도체발광소자의 제조방법
US6791283B2 (en) * 2001-09-07 2004-09-14 Opalec Dual mode regulated light-emitting diode module for flashlights
DE10146719A1 (de) * 2001-09-20 2003-04-17 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10147040A1 (de) 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE20115914U1 (de) * 2001-09-27 2003-02-13 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH, 81543 München Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
KR100894372B1 (ko) * 2001-10-01 2009-04-22 파나소닉 주식회사 반도체 발광소자와 이를 이용한 발광장치
KR100624403B1 (ko) * 2001-10-06 2006-09-15 삼성전자주식회사 인체의 신경계 기반 정서 합성 장치 및 방법
JP3948650B2 (ja) * 2001-10-09 2007-07-25 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド 発光ダイオード及びその製造方法
JP2003124521A (ja) * 2001-10-09 2003-04-25 Rohm Co Ltd ケース付半導体発光装置
US7011421B2 (en) * 2001-10-18 2006-03-14 Ilight Technologies, Inc. Illumination device for simulating neon lighting through use of fluorescent dyes
DE10153259A1 (de) * 2001-10-31 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP2003147351A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Taiwan Lite On Electronics Inc 白色光光源の製作方法
DE10241989A1 (de) * 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US20030117794A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Tien-Rong Lu Flat color-shift medium
TW518773B (en) * 2001-12-31 2003-01-21 Solidlite Corp Manufacturing method of white LED
KR20030060281A (ko) * 2002-01-08 2003-07-16 주식회사 이츠웰 발광 다이오드 장치 및 이를 이용한 디스플레이
KR100497339B1 (ko) * 2002-01-08 2005-06-23 주식회사 이츠웰 발광 다이오드 장치 및 이를 이용한 조명 기구, 표시 장치그리고 백라이트 장치
WO2003062775A1 (en) * 2002-01-17 2003-07-31 Hutchinson Technology Inc. Spectroscopy light source
JP3973082B2 (ja) * 2002-01-31 2007-09-05 シチズン電子株式会社 両面発光ｌｅｄパッケージ
JP2003243700A (ja) * 2002-02-12 2003-08-29 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
EP1942531B1 (en) * 2002-02-15 2010-05-19 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device and illuminator using the same
US6881983B2 (en) * 2002-02-25 2005-04-19 Kopin Corporation Efficient light emitting diodes and lasers
JP4113017B2 (ja) * 2002-03-27 2008-07-02 シチズンホールディングス株式会社 光源装置および表示装置
TW558065U (en) * 2002-03-28 2003-10-11 Solidlite Corp Purplish pink light emitting diode
US6762432B2 (en) * 2002-04-01 2004-07-13 Micrel, Inc. Electrical field alignment vernier
JP4172196B2 (ja) * 2002-04-05 2008-10-29 豊田合成株式会社 発光ダイオード
US6911079B2 (en) * 2002-04-19 2005-06-28 Kopin Corporation Method for reducing the resistivity of p-type II-VI and III-V semiconductors
JP3956972B2 (ja) * 2002-04-25 2007-08-08 日亜化学工業株式会社 蛍光物質を用いた発光装置
CA2427559A1 (en) * 2002-05-15 2003-11-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. White color light emitting device
US8232725B1 (en) * 2002-05-21 2012-07-31 Imaging Systems Technology Plasma-tube gas discharge device
KR100449503B1 (ko) * 2002-05-29 2004-09-22 서울반도체 주식회사 백색 칩 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100449502B1 (ko) * 2002-05-29 2004-09-22 서울반도체 주식회사 백색 발광 다이오드 및 그 제작 방법
KR100632659B1 (ko) * 2002-05-31 2006-10-11 서울반도체 주식회사 백색 발광 다이오드
JP4145872B2 (ja) * 2002-06-11 2008-09-03 あき電器株式会社 自転車の前照灯及び前照灯電気回路
US20030230977A1 (en) * 2002-06-12 2003-12-18 Epstein Howard C. Semiconductor light emitting device with fluoropolymer lens
DE60325851D1 (de) * 2002-06-13 2009-03-05 Cree Inc Halbleiter-strahlungsquelle mit gesättigtem phosphor
WO2003107423A1 (en) * 2002-06-14 2003-12-24 Lednium Pty. Ltd. A lamp and method of producing a lamp
US6972516B2 (en) * 2002-06-14 2005-12-06 University Of Cincinnati Photopump-enhanced electroluminescent devices
TW200401462A (en) 2002-06-17 2004-01-16 Kopin Corp Light-emitting diode device geometry
US7002180B2 (en) 2002-06-28 2006-02-21 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting device
US6734091B2 (en) 2002-06-28 2004-05-11 Kopin Corporation Electrode for p-type gallium nitride-based semiconductors
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
TW558775B (en) * 2002-06-27 2003-10-21 Solidlite Corp Package of compound type LED
US6809471B2 (en) 2002-06-28 2004-10-26 General Electric Company Phosphors containing oxides of alkaline-earth and Group-IIIB metals and light sources incorporating the same
US6955985B2 (en) 2002-06-28 2005-10-18 Kopin Corporation Domain epitaxy for thin film growth
EP1535299B1 (en) * 2002-07-16 2009-11-18 odelo GmbH White led headlight
JP4118742B2 (ja) * 2002-07-17 2008-07-16 シャープ株式会社 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
AU2003261181A1 (en) * 2002-07-19 2004-02-09 Microsemi Corporation Process for fabricating, and light emitting device resulting from, a homogenously mixed powder/pelletized compound
JP3923867B2 (ja) * 2002-07-26 2007-06-06 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 面状光源装置及びそれを用いた液晶表示装置
CN100595938C (zh) 2002-08-01 2010-03-24 日亚化学工业株式会社 半导体发光元件及其制造方法、使用此的发光装置
JP2004071807A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Sharp Corp 照明装置、カメラ装置及び携帯機器
US20040032728A1 (en) * 2002-08-19 2004-02-19 Robert Galli Optical assembly for LED chip package
AU2002368183A1 (en) * 2002-08-21 2004-03-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. White light emitting device
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
KR100499129B1 (ko) * 2002-09-02 2005-07-04 삼성전기주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
CN1318540C (zh) * 2002-09-13 2007-05-30 北京有色金属研究总院 一种蓝光激发的白色led用荧光粉及其制造方法
KR20110118848A (ko) * 2002-09-19 2011-11-01 크리 인코포레이티드 경사 측벽을 포함하고 인광물질이 코팅된 발광 다이오드, 및 그의 제조방법
JP4263453B2 (ja) * 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
US7460196B2 (en) * 2002-09-25 2008-12-02 Lg Displays Co., Ltd. Backlight device for liquid crystal display and method of fabricating the same
US6815241B2 (en) * 2002-09-25 2004-11-09 Cao Group, Inc. GaN structures having low dislocation density and methods of manufacture
JP4201167B2 (ja) * 2002-09-26 2008-12-24 シチズン電子株式会社 白色発光装置の製造方法
CN1233046C (zh) * 2002-09-29 2005-12-21 光宝科技股份有限公司 一种制作白光发光二极管光源的方法
JP2004127988A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
JP2004131567A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Hamamatsu Photonics Kk 発光体と、これを用いた電子線検出器、走査型電子顕微鏡及び質量分析装置
US7009199B2 (en) * 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
US7554258B2 (en) 2002-10-22 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body
RU2219622C1 (ru) * 2002-10-25 2003-12-20 Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" Полупроводниковый источник белого света
TW586246B (en) * 2002-10-28 2004-05-01 Super Nova Optoelectronics Cor Manufacturing method of white light LED and the light-emitting device thereof
JP4040955B2 (ja) * 2002-11-06 2008-01-30 株式会社小糸製作所 車両用前照灯及びその製造方法
JP5138145B2 (ja) * 2002-11-12 2013-02-06 日亜化学工業株式会社 蛍光体積層構造及びそれを用いる光源
KR20040044701A (ko) * 2002-11-21 2004-05-31 삼성전기주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2004186168A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオード素子用シリコーン樹脂組成物
US7595113B2 (en) * 2002-11-29 2009-09-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. LED devices and silicone resin composition therefor
JP4072632B2 (ja) * 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
TW559627B (en) * 2002-12-03 2003-11-01 Lite On Technology Corp Method for producing bright white light diode with fluorescent powder
US6897486B2 (en) 2002-12-06 2005-05-24 Ban P. Loh LED package die having a small footprint
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
US6744196B1 (en) * 2002-12-11 2004-06-01 Oriol, Inc. Thin film LED
US6975369B1 (en) * 2002-12-12 2005-12-13 Gelcore, Llc Liquid crystal display with color backlighting employing light emitting diodes
US7544309B2 (en) * 2002-12-13 2009-06-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
DE10259945A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe mit verlängerter Fluoreszenzlebensdauer
TW591811B (en) * 2003-01-02 2004-06-11 Epitech Technology Corp Ltd Color mixing light emitting diode
TWI351548B (en) 2003-01-15 2011-11-01 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of liquid crystal display dev
KR100639647B1 (ko) 2003-01-20 2006-11-01 우베 고산 가부시키가이샤 광 변환용 세라믹스 복합 재료 및 그 용도
DE102004003135A1 (de) * 2003-02-20 2004-09-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beschichteter Leuchtstoff und lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff
DE10307282A1 (de) * 2003-02-20 2004-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beschichteter Leuchtstoff, lichtemittierende Vorrichtung mit derartigem Leuchtstoff und Verfahren zu seiner Herstellung
CN1777999B (zh) * 2003-02-26 2010-05-26 美商克立股份有限公司 复合式白色光源及其制造方法
US20040173807A1 (en) * 2003-03-04 2004-09-09 Yongchi Tian Garnet phosphors, method of making the same, and application to semiconductor LED chips for manufacturing lighting devices
TWI289937B (en) * 2003-03-04 2007-11-11 Topco Scient Co Ltd White light LED
TWI246780B (en) 2003-03-10 2006-01-01 Toyoda Gosei Kk Solid-state component device and manufacturing method thereof
CA2518625A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-23 Lednium Pty. Ltd. A lamp and a process for producing a lamp
KR101142725B1 (ko) 2003-03-13 2012-05-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광막, 발광장치, 발광막의 제조방법 및 발광장치의제조방법
CN100509994C (zh) * 2003-03-13 2009-07-08 日亚化学工业株式会社 发光膜、发光装置、发光膜的制造方法以及发光装置的制造方法
US7038370B2 (en) * 2003-03-17 2006-05-02 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting device
US7276025B2 (en) * 2003-03-20 2007-10-02 Welch Allyn, Inc. Electrical adapter for medical diagnostic instruments using LEDs as illumination sources
JP2006523245A (ja) * 2003-03-28 2006-10-12 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 粒子または原材料上に被覆物を形成させる方法および属する製品
US20040196318A1 (en) * 2003-04-01 2004-10-07 Su Massharudin Bin Method of depositing phosphor on light emitting diode
US20040252488A1 (en) * 2003-04-01 2004-12-16 Innovalight Light-emitting ceiling tile
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
US7278766B2 (en) * 2003-04-04 2007-10-09 Honeywell International Inc. LED based light guide for dual mode aircraft formation lighting
JP2004311822A (ja) * 2003-04-09 2004-11-04 Solidlite Corp 赤紫色発光ダイオード
DE10316769A1 (de) * 2003-04-10 2004-10-28 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoffbassierte LED und zugehöriger Leuchtstoff
US6903380B2 (en) * 2003-04-11 2005-06-07 Weldon Technologies, Inc. High power light emitting diode
KR20040090667A (ko) * 2003-04-18 2004-10-26 삼성전기주식회사 디스플레이용 라이트 유닛
US20040207311A1 (en) * 2003-04-18 2004-10-21 Jung-Pin Cheng White light emitting device
US7368179B2 (en) * 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US7125501B2 (en) * 2003-04-21 2006-10-24 Sarnoff Corporation High efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
KR20040092512A (ko) 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
EP2270887B1 (en) 2003-04-30 2020-01-22 Cree, Inc. High powered light emitter packages with compact optics
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7157745B2 (en) * 2004-04-09 2007-01-02 Blonder Greg E Illumination devices comprising white light emitting diodes and diode arrays and method and apparatus for making them
US7528421B2 (en) 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US7633093B2 (en) 2003-05-05 2009-12-15 Lighting Science Group Corporation Method of making optical light engines with elevated LEDs and resulting product
US7777235B2 (en) 2003-05-05 2010-08-17 Lighting Science Group Corporation Light emitting diodes with improved light collimation
WO2004099342A1 (en) * 2003-05-12 2004-11-18 Luxpia Co., Ltd. Tb,b-based yellow phosphor, its preparation method, and white semiconductor light emitting device incorporating the same
US7108386B2 (en) 2003-05-12 2006-09-19 Illumitech Inc. High-brightness LED-phosphor coupling
US6982045B2 (en) * 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
JP2004352928A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及び照明装置
JP3977774B2 (ja) * 2003-06-03 2007-09-19 ローム株式会社 光半導体装置
US7122841B2 (en) 2003-06-04 2006-10-17 Kopin Corporation Bonding pad for gallium nitride-based light-emitting devices
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
US7075225B2 (en) * 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
JP2005026688A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh 放射放出半導体チップ、該半導体チップの作製方法および該半導体チップの明るさの調整設定方法
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
US7786988B2 (en) * 2003-07-16 2010-08-31 Honeywood Technologies, Llc Window information preservation for spatially varying power conservation
US7583260B2 (en) * 2003-07-16 2009-09-01 Honeywood Technologies, Llc Color preservation for spatially varying power conservation
US7663597B2 (en) 2003-07-16 2010-02-16 Honeywood Technologies, Llc LCD plateau power conservation
US7602388B2 (en) * 2003-07-16 2009-10-13 Honeywood Technologies, Llc Edge preservation for spatially varying power conservation
US7714831B2 (en) * 2003-07-16 2010-05-11 Honeywood Technologies, Llc Background plateau manipulation for display device power conservation
US7580033B2 (en) * 2003-07-16 2009-08-25 Honeywood Technologies, Llc Spatial-based power savings
US6987353B2 (en) * 2003-08-02 2006-01-17 Phosphortech Corporation Light emitting device having sulfoselenide fluorescent phosphor
US7109648B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-19 Phosphortech Inc. Light emitting device having thio-selenide fluorescent phosphor
US7112921B2 (en) * 2003-08-02 2006-09-26 Phosphortech Inc. Light emitting device having selenium-based fluorescent phosphor
KR20050016804A (ko) * 2003-08-04 2005-02-21 서울반도체 주식회사 발광 소자용 고휘도 형광체 구조 및 이를 사용하는 발광소자
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
US7235817B2 (en) * 2003-08-07 2007-06-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED Lamp
US20050104072A1 (en) 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
WO2005022032A1 (ja) * 2003-08-28 2005-03-10 Mitsubishi Chemical Corporation 発光装置及び蛍光体
TWI233697B (en) * 2003-08-28 2005-06-01 Genesis Photonics Inc AlInGaN light-emitting diode with wide spectrum and solid-state white light device
JP2007504644A (ja) * 2003-08-29 2007-03-01 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ 色混合照明システム
US7029935B2 (en) * 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
JP3813144B2 (ja) * 2003-09-12 2006-08-23 ローム株式会社 発光制御回路
US7502392B2 (en) * 2003-09-12 2009-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser oscillator
US7204607B2 (en) * 2003-09-16 2007-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
TW200512949A (en) * 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
US7915085B2 (en) 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
JP2005089671A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーン樹脂組成物
JP4378242B2 (ja) * 2003-09-25 2009-12-02 株式会社小糸製作所 車両用灯具
WO2005031882A1 (ja) * 2003-09-30 2005-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba 発光装置
US7135129B2 (en) 2003-10-22 2006-11-14 Yano Tech (Shanghai) Limited Inorganic fluorescent material used for solid-state light source
US7442326B2 (en) 2003-10-29 2008-10-28 Lumination Llc Red garnet phosphors for use in LEDs
US7252787B2 (en) * 2003-10-29 2007-08-07 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US7094362B2 (en) * 2003-10-29 2006-08-22 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
KR100558446B1 (ko) * 2003-11-19 2006-03-10 삼성전기주식회사 파장변환용 몰딩 화합물 수지 태블릿 제조방법과 이를이용한 백색 발광다이오드 제조방법
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP4654670B2 (ja) * 2003-12-16 2011-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US7066623B2 (en) * 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
TWI229462B (en) * 2003-12-22 2005-03-11 Solidlite Corp Improved method of white light LED
DE10360546A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
KR100610249B1 (ko) * 2003-12-23 2006-08-09 럭스피아 주식회사 황색 발광 형광체 및 그것을 채용한 백색 반도체 발광장치
US7791274B2 (en) * 2004-01-07 2010-09-07 Panasonic Corporation LED lamp
JP4231418B2 (ja) * 2004-01-07 2009-02-25 株式会社小糸製作所 発光モジュール及び車両用灯具
US7183588B2 (en) * 2004-01-08 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emission device
JP2005209794A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Koito Mfg Co Ltd 発光モジュール及び灯具
CN1860329A (zh) * 2004-01-29 2006-11-08 松下电器产业株式会社 Led照明光源
TWI250664B (en) * 2004-01-30 2006-03-01 South Epitaxy Corp White light LED
US20050179046A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation P-type electrodes in gallium nitride-based light-emitting devices
US20050179042A1 (en) * 2004-02-13 2005-08-18 Kopin Corporation Monolithic integration and enhanced light extraction in gallium nitride-based light-emitting devices
DE602005018022D1 (de) * 2004-02-20 2010-01-14 Philips Intellectual Property Beleuchtungssystem mit einer strahlungsquelle und einem fluoreszierenden material
EP1566426B1 (en) 2004-02-23 2015-12-02 Philips Lumileds Lighting Company LLC Phosphor converted light emitting device
US7250715B2 (en) 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
US10499465B2 (en) 2004-02-25 2019-12-03 Lynk Labs, Inc. High frequency multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and systems and methods of using same
WO2011143510A1 (en) 2010-05-12 2011-11-17 Lynk Labs, Inc. Led lighting system
US10575376B2 (en) 2004-02-25 2020-02-25 Lynk Labs, Inc. AC light emitting diode and AC LED drive methods and apparatus
WO2005083805A1 (ja) * 2004-02-26 2005-09-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Ｌｅｄ光源
TWI262609B (en) * 2004-02-27 2006-09-21 Dowa Mining Co Phosphor and manufacturing method thereof, and light source, LED using said phosphor
DE102004029412A1 (de) * 2004-02-27 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterchips
TWI229465B (en) 2004-03-02 2005-03-11 Genesis Photonics Inc Single chip white light component
WO2005086239A1 (ja) 2004-03-05 2005-09-15 Konica Minolta Holdings, Inc. 白色発光ダイオード（ｌｅｄ）及び白色ｌｅｄの製造方法
US7573072B2 (en) * 2004-03-10 2009-08-11 Lumination Llc Phosphor and blends thereof for use in LEDs
DE102004012028A1 (de) * 2004-03-11 2005-10-06 Lite-On Technology Co. Phosphoreszierendes Material, sowie dieses verwendende, weißes Licht emittierende Vorrichtung
DE602005008719D1 (en) * 2004-03-12 2008-09-18 Avery Dennison Corp Notinformationsschild
KR101195171B1 (ko) * 2004-03-12 2012-10-29 애버리 데니슨 코포레이션 비상정보 조명 시스템
CN100410703C (zh) * 2004-03-12 2008-08-13 艾利丹尼森公司 具有被动磷光光源的照明系统
AU2005225985A1 (en) * 2004-03-12 2005-10-06 Avery Dennison Corporation Lighting system with a passive phosphorescent light source
US20050205874A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Ru-Shi Liu Phosphor material and white light-emitting device using the same
US6924233B1 (en) * 2004-03-19 2005-08-02 Agilent Technologies, Inc. Phosphor deposition methods
JP2005272697A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Shin Etsu Chem Co Ltd 硬化性シリコーン樹脂組成物、光半導体用封止材および光半導体装置
JPWO2005093860A1 (ja) * 2004-03-26 2008-02-14 シャープ株式会社 発光装置
JP2005310756A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯
US7355284B2 (en) 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
DE102004015570A1 (de) * 2004-03-30 2005-11-10 J.S. Technology Co., Ltd. Weiß-Licht-LED-Anordnung
JP5013405B2 (ja) * 2004-03-31 2012-08-29 日本電気硝子株式会社 蛍光体及び発光ダイオード
JP3983793B2 (ja) 2004-04-19 2007-09-26 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明光源の製造方法およびｌｅｄ照明光源
US7462086B2 (en) * 2004-04-21 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Phosphor for phosphor-converted semiconductor light emitting device
KR100887489B1 (ko) * 2004-04-27 2009-03-10 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치
CN100401516C (zh) * 2004-04-28 2008-07-09 宏齐科技股份有限公司 白光发光二极管组件的制作方法
TWI228841B (en) * 2004-04-29 2005-03-01 Lite On Technology Corp Luminescence method and apparatus for color temperature adjustable white light
US7837348B2 (en) * 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
KR101433343B1 (ko) 2004-05-05 2014-08-22 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 고체-상태 에미터 및 하향-변환 재료를 이용한 고효율 광 소스
KR100655894B1 (ko) * 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
US11158768B2 (en) 2004-05-07 2021-10-26 Bruce H. Baretz Vacuum light emitting diode
US7315119B2 (en) * 2004-05-07 2008-01-01 Avago Technologies Ip (Singapore) Pte Ltd Light-emitting device having a phosphor particle layer with specific thickness
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
US7077978B2 (en) * 2004-05-14 2006-07-18 General Electric Company Phosphors containing oxides of alkaline-earth and group-IIIB metals and white-light sources incorporating same
TWI241034B (en) * 2004-05-20 2005-10-01 Lighthouse Technology Co Ltd Light emitting diode package
US7339332B2 (en) * 2004-05-24 2008-03-04 Honeywell International, Inc. Chroma compensated backlit display
ATE395391T1 (de) * 2004-05-27 2008-05-15 Koninkl Philips Electronics Nv Beleuchtungssystem mit einer strahlungsquelle und einem fluoreszierenden material
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US7280288B2 (en) * 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
JP4583076B2 (ja) 2004-06-11 2010-11-17 スタンレー電気株式会社 発光素子
US7065534B2 (en) * 2004-06-23 2006-06-20 Microsoft Corporation Anomaly detection in data perspectives
WO2006001316A1 (ja) 2004-06-24 2006-01-05 Ube Industries, Ltd. 白色発光ダイオード装置
KR20060000313A (ko) * 2004-06-28 2006-01-06 루미마이크로 주식회사 대입경 형광 분말을 포함하는 색변환 발광 장치 그의 제조방법 및 그에 사용되는 수지 조성물
DE102004064150B4 (de) * 2004-06-29 2010-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauteil mit Gehäuse mit leitfähiger Beschichtung zum ESD-Schutz
US7255469B2 (en) * 2004-06-30 2007-08-14 3M Innovative Properties Company Phosphor based illumination system having a light guide and an interference reflector
WO2006008935A1 (ja) 2004-06-30 2006-01-26 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体、及び、それを用いた発光素子、並びに、画像表示装置、照明装置
JP4996463B2 (ja) * 2004-06-30 2012-08-08 クリー インコーポレイテッド 発光デバイスをパッケージするためのチップスケール方法およびチップスケールにパッケージされた発光デバイス
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US20060006366A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Vladimir Abramov Wave length shifting compositions for white emitting diode systems
JP2008506011A (ja) 2004-07-06 2008-02-28 サーノフ コーポレーション 効率的な緑色発光蛍光体、及び赤色発光蛍光体との組合せ
US8508119B2 (en) * 2004-07-13 2013-08-13 Fujikura Ltd. Phosphor and an incandescent lamp color light emitting diode lamp using the same
CN100485976C (zh) * 2004-07-14 2009-05-06 凯鼎科技股份有限公司 发光二极管封装体
US7476337B2 (en) * 2004-07-28 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
US8417215B2 (en) * 2004-07-28 2013-04-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for positioning of wireless medical devices with short-range radio frequency technology
US7311858B2 (en) * 2004-08-04 2007-12-25 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
US7267787B2 (en) * 2004-08-04 2007-09-11 Intematix Corporation Phosphor systems for a white light emitting diode (LED)
US8017035B2 (en) * 2004-08-04 2011-09-13 Intematix Corporation Silicate-based yellow-green phosphors
WO2006016326A2 (en) * 2004-08-06 2006-02-16 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Led lamp system
FR2874021B1 (fr) 2004-08-09 2006-09-29 Saint Gobain Cristaux Detecteu Materiau scintillateur dense et rapide a faible luminescence retardee
US7750352B2 (en) 2004-08-10 2010-07-06 Pinion Technologies, Inc. Light strips for lighting and backlighting applications
US7259401B2 (en) * 2004-08-23 2007-08-21 Lite-On Technology Corporation Reflection-type optoelectronic semiconductor device
US20060044806A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Abramov Vladimir S Light emitting diode system packages
DE102005042778A1 (de) * 2004-09-09 2006-04-13 Toyoda Gosei Co., Ltd., Nishikasugai Optische Festkörpervorrichtung
US20060076908A1 (en) * 2004-09-10 2006-04-13 Color Kinetics Incorporated Lighting zone control methods and apparatus
JP4667803B2 (ja) 2004-09-14 2011-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7217583B2 (en) 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
DE102004045950A1 (de) * 2004-09-22 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US7372198B2 (en) * 2004-09-23 2008-05-13 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor
TWI256149B (en) * 2004-09-27 2006-06-01 Advanced Optoelectronic Tech Light apparatus having adjustable color light and manufacturing method thereof
US20060067073A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Chu-Chi Ting White led device
JP4060841B2 (ja) * 2004-10-06 2008-03-12 住友ゴム工業株式会社 生タイヤビード部成型方法、及びそれに用いる生タイヤビード部成型装置
KR100485673B1 (ko) 2004-10-11 2005-04-27 씨엠에스테크놀로지(주) 백색 발광장치
US7713441B2 (en) * 2004-10-15 2010-05-11 Mitsubishi Chemical Corporation Fluorescent material, fluorescent device using the same, and image display device and lighting equipment
RU2315078C2 (ru) * 2004-10-18 2008-01-20 Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная компания "Люминифор-Платан" (ООО НПК "Люминофор-Платан") Фотолюминофоры для коротковолновых светоизлучающих диодов (сид)
US7733002B2 (en) 2004-10-19 2010-06-08 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device provided with an alkaline earth metal boric halide phosphor for luminescence conversion
WO2006043719A1 (ja) * 2004-10-21 2006-04-27 Ube Industries, Ltd. 発光ダイオード素子、発光ダイオード用基板及び発光ダイオード素子の製造方法
DE102005028748A1 (de) * 2004-10-25 2006-05-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiterbauelement und Bauelementgehäuse
US20060097385A1 (en) 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7772609B2 (en) * 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US7670872B2 (en) * 2004-10-29 2010-03-02 LED Engin, Inc. (Cayman) Method of manufacturing ceramic LED packages
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US7473933B2 (en) * 2004-10-29 2009-01-06 Ledengin, Inc. (Cayman) High power LED package with universal bonding pads and interconnect arrangement
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
JP4757477B2 (ja) * 2004-11-04 2011-08-24 株式会社 日立ディスプレイズ 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
US7462317B2 (en) 2004-11-10 2008-12-09 Enpirion, Inc. Method of manufacturing an encapsulated package for a magnetic device
US7426780B2 (en) 2004-11-10 2008-09-23 Enpirion, Inc. Method of manufacturing a power module
US7481562B2 (en) 2004-11-18 2009-01-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for providing illuminating light using quantum dots
US7866853B2 (en) * 2004-11-19 2011-01-11 Fujikura Ltd. Light-emitting element mounting substrate and manufacturing method thereof, light-emitting element module and manufacturing method thereof, display device, lighting device, and traffic light
CN101072844A (zh) 2004-12-07 2007-11-14 皇家飞利浦电子股份有限公司 包括辐射源和发光材料的照明系统
US7402831B2 (en) * 2004-12-09 2008-07-22 3M Innovative Properties Company Adapting short-wavelength LED's for polychromatic, broadband, or “white” emission
US7719015B2 (en) * 2004-12-09 2010-05-18 3M Innovative Properties Company Type II broadband or polychromatic LED's
US7745814B2 (en) * 2004-12-09 2010-06-29 3M Innovative Properties Company Polychromatic LED's and related semiconductor devices
US20060125716A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Wong Lye Y Light-emitting diode display with compartment
US8044572B2 (en) 2004-12-17 2011-10-25 Ube Industries, Ltd. Light conversion structure and light-emitting device using the same
JP4591071B2 (ja) * 2004-12-20 2010-12-01 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
JP2006209076A (ja) * 2004-12-27 2006-08-10 Nichia Chem Ind Ltd 導光体およびそれを用いた面発光装置
WO2006070899A1 (ja) 2004-12-27 2006-07-06 Ube Industries, Ltd. サイアロン蛍光体粒子およびその製造方法
TWI245440B (en) * 2004-12-30 2005-12-11 Ind Tech Res Inst Light emitting diode
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US20080165523A1 (en) * 2005-01-10 2008-07-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Illumination System Comprising Ceramic Luminescence Converter
US7646033B2 (en) * 2005-01-11 2010-01-12 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light light emitting diodes
US8680534B2 (en) 2005-01-11 2014-03-25 Semileds Corporation Vertical light emitting diodes (LED) having metal substrate and spin coated phosphor layer for producing white light
US8012774B2 (en) * 2005-01-11 2011-09-06 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Coating process for a light-emitting diode (LED)
US7195944B2 (en) * 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
US7304694B2 (en) 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
TWI249861B (en) * 2005-01-12 2006-02-21 Lighthouse Technology Co Ltd Wavelength converting substance and light emitting device and encapsulating material comprising the same
US7777247B2 (en) * 2005-01-14 2010-08-17 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device mounting substrates including a conductive lead extending therein
KR100588209B1 (ko) 2005-01-19 2006-06-08 엘지전자 주식회사 백색 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7602116B2 (en) * 2005-01-27 2009-10-13 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light apparatus capable of emitting light of multiple wavelengths using nanometer fluorescent material, light device and manufacturing method thereof
EP1686630A3 (en) 2005-01-31 2009-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Led device having diffuse reflective surface
JP5045432B2 (ja) * 2005-01-31 2012-10-10 宇部興産株式会社 赤色蛍光体の製造方法および赤色蛍光体
KR101139891B1 (ko) * 2005-01-31 2012-04-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 확산 반사면을 구비한 발광 다이오드 소자
KR20060088228A (ko) * 2005-02-01 2006-08-04 어드밴스드 옵토일렉트로닉 테크놀로지 인코포레이티드 나노미터 형광 물질을 이용하여 다수 파장의 빛을 방출할수 있는 발광 장치, 발광 소자 및 그의 제조 방법
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
US7497973B2 (en) 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
DE102005008834A1 (de) * 2005-02-16 2006-08-24 Aspre Ag Display zur Erstellung von durch auffallendes Licht erkennbaren farbigen Bildern und Texten
TWI419375B (zh) * 2005-02-18 2013-12-11 日亞化學工業股份有限公司 具備控制配光特性用之透鏡之發光裝置
JP4669713B2 (ja) * 2005-02-18 2011-04-13 株式会社リコー 画像読取装置及び画像形成装置
WO2006087661A1 (en) * 2005-02-21 2006-08-24 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material
CN1684279A (zh) * 2005-02-25 2005-10-19 炬鑫科技股份有限公司 发光元件
WO2006093015A1 (ja) * 2005-02-28 2006-09-08 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法並びにその応用
US20060193131A1 (en) * 2005-02-28 2006-08-31 Mcgrath William R Circuit devices which include light emitting diodes, assemblies which include such circuit devices, and methods for directly replacing fluorescent tubes
US7439668B2 (en) * 2005-03-01 2008-10-21 Lumination Llc Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality
JP4866558B2 (ja) * 2005-03-10 2012-02-01 シチズン電子株式会社 画像撮影用照明装置
CN100454590C (zh) * 2005-03-11 2009-01-21 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管、发光二极管模组及背光系统
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
JP5652426B2 (ja) * 2005-03-18 2015-01-14 三菱化学株式会社 蛍光体混合物、発光装置、画像表示装置、及び照明装置
CN101442097B (zh) * 2005-03-18 2010-11-10 三菱化学株式会社 发光装置、白光发光装置、照明装置及图像显示装置
JP5286639B2 (ja) * 2005-03-18 2013-09-11 三菱化学株式会社 蛍光体混合物、発光装置、画像表示装置、及び照明装置
US8269410B2 (en) 2005-03-18 2012-09-18 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
TWI249867B (en) 2005-03-24 2006-02-21 Lighthouse Technology Co Ltd Light-emitting diode package, cold cathode fluorescence lamp and photoluminescence material thereof
US7276183B2 (en) 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US7316497B2 (en) * 2005-03-29 2008-01-08 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source
JP2006278980A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光装置
KR101142519B1 (ko) 2005-03-31 2012-05-08 서울반도체 주식회사 적색 형광체 및 녹색 형광체를 갖는 백색 발광다이오드를채택한 백라이트 패널
JP2006282447A (ja) 2005-03-31 2006-10-19 Fuji Photo Film Co Ltd 透光性材料およびその製造方法
EP1878778A4 (en) * 2005-03-31 2012-04-04 Mitsubishi Chem Corp FLUORESCENT, FLUORESCENT FIBER, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND FLUORESCENT RESIN-BASED LUMINESCENCE DEVICE
US20060221022A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 Roger Hajjar Laser vector scanner systems with display screens having optical fluorescent materials
US7474286B2 (en) 2005-04-01 2009-01-06 Spudnik, Inc. Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light
US7791561B2 (en) 2005-04-01 2010-09-07 Prysm, Inc. Display systems having screens with optical fluorescent materials
US7733310B2 (en) 2005-04-01 2010-06-08 Prysm, Inc. Display screens having optical fluorescent materials
US7893631B2 (en) * 2005-04-06 2011-02-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. White light luminaire with adjustable correlated colour temperature
DE102006016548B9 (de) 2005-04-15 2021-12-16 Osram Gmbh Blau bis Gelb-Orange emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
US7489073B2 (en) * 2005-04-15 2009-02-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Blue to yellow-orange emitting phosphor, and light source having such a phosphor
JP4972957B2 (ja) * 2005-04-18 2012-07-11 三菱化学株式会社 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、並びに画像表示装置、照明装置
US7329371B2 (en) * 2005-04-19 2008-02-12 Lumination Llc Red phosphor for LED based lighting
CN1854858A (zh) * 2005-04-19 2006-11-01 夏普株式会社 发光装置、液晶显示装置和照明装置
JP4843990B2 (ja) * 2005-04-22 2011-12-21 日亜化学工業株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置
GB2425449B (en) * 2005-04-26 2007-05-23 City Greening Engineering Comp Irrigation system
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
US8089425B2 (en) 2006-03-03 2012-01-03 Prysm, Inc. Optical designs for scanning beam display systems using fluorescent screens
US8000005B2 (en) 2006-03-31 2011-08-16 Prysm, Inc. Multilayered fluorescent screens for scanning beam display systems
US7690167B2 (en) * 2005-04-28 2010-04-06 Antonic James P Structural support framing assembly
JP4535928B2 (ja) * 2005-04-28 2010-09-01 シャープ株式会社 半導体発光装置
KR100704492B1 (ko) * 2005-05-02 2007-04-09 한국화학연구원 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법
JP4738049B2 (ja) * 2005-05-02 2011-08-03 ユニ・チャーム株式会社 吸収性物品
US7602408B2 (en) * 2005-05-04 2009-10-13 Honeywood Technologies, Llc Luminance suppression power conservation
US7760210B2 (en) * 2005-05-04 2010-07-20 Honeywood Technologies, Llc White-based power savings
TWI260799B (en) * 2005-05-06 2006-08-21 Harvatek Corp Multi-wavelength white light light-emitting diode
DE102005023134A1 (de) * 2005-05-19 2006-11-23 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lumineszenzkonversions-LED
EP1888710B1 (en) 2005-05-24 2011-11-23 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof
EP1887067B1 (en) 2005-05-24 2014-04-16 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and use thereof
US7632000B2 (en) * 2005-05-25 2009-12-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Backlight assembly and liquid crystal display device having the same
TW200704283A (en) 2005-05-27 2007-01-16 Lamina Ceramics Inc Solid state LED bridge rectifier light engine
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
WO2006129228A2 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising color deficiency compensating luminescent material
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP1890343A4 (en) * 2005-06-07 2014-04-23 Fujikura Ltd SUBSTRATE ON ILLUMINATING ELEMENT INSTALLATION, ILLUMINATING ELEMENT MODULE, ILLUMINATION DEVICE, DISPLAY AND TRAFFIC SIGNALING DEVICE
JP2006344690A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Fujikura Ltd 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機
US8215815B2 (en) 2005-06-07 2012-07-10 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8272758B2 (en) 2005-06-07 2012-09-25 Oree, Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
WO2006131924A2 (en) 2005-06-07 2006-12-14 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus
JP2006343500A (ja) * 2005-06-08 2006-12-21 Olympus Corp 光源装置及び投影光学装置
US9412926B2 (en) 2005-06-10 2016-08-09 Cree, Inc. High power solid-state lamp
JP5124978B2 (ja) * 2005-06-13 2013-01-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20060290133A1 (en) * 2005-06-13 2006-12-28 Westrim, Inc. Postbound album
WO2006134982A1 (ja) * 2005-06-14 2006-12-21 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 蛍光体含有樹脂組成物およびシート、それらを用いた発光素子
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
JP2006351773A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
KR100638868B1 (ko) * 2005-06-20 2006-10-27 삼성전기주식회사 금속 반사 층을 형성한 엘이디 패키지 및 그 제조 방법
KR101266130B1 (ko) 2005-06-23 2013-05-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 단파장 ｌｅｄ들 및 다운-컨버젼 물질들로 백색광을생성하기 위한 패키지 설계
US8896216B2 (en) 2005-06-28 2014-11-25 Seoul Viosys Co., Ltd. Illumination system
CN101865375B (zh) 2005-06-28 2013-03-13 首尔Opto仪器股份有限公司 发光装置
TWI422044B (zh) * 2005-06-30 2014-01-01 克立公司 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置
DE102005038698A1 (de) * 2005-07-08 2007-01-18 Tridonic Optoelectronics Gmbh Optoelektronische Bauelemente mit Haftvermittler
JP2007027431A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Toshiba Corp 発光装置
KR100649679B1 (ko) * 2005-07-19 2006-11-27 삼성전기주식회사 측면 발광형 엘이디 패키지 및 이를 이용한 백 라이트 유닛
US20070025106A1 (en) * 2005-07-29 2007-02-01 Korry Electronics Co. Night vision compatible area light fixture
TW200717866A (en) * 2005-07-29 2007-05-01 Toshiba Kk Semiconductor light emitting device
WO2007015732A2 (en) * 2005-08-01 2007-02-08 Intex Recreation Corp. A method of varying the color of light emitted by a light-emitting device
KR100533922B1 (ko) * 2005-08-05 2005-12-06 알티전자 주식회사 황색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
EP1914810B1 (en) * 2005-08-10 2017-10-04 Ube Industries, Ltd. Substrate for light emitting diode and light emitting diode
JP2009504809A (ja) * 2005-08-11 2009-02-05 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング 規則的に配列した空洞を有するフォトニック材料
US7329907B2 (en) 2005-08-12 2008-02-12 Avago Technologies, Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity
US20070045641A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Yin Chua Janet B Light source with UV LED and UV reflector
KR20080037734A (ko) 2005-08-23 2008-04-30 가부시끼가이샤 도시바 발광 장치와 그를 이용한 백 라이트 및 액정 표시 장치
KR100691273B1 (ko) * 2005-08-23 2007-03-12 삼성전기주식회사 복합 형광체 분말, 이를 이용한 발광 장치 및 복합 형광체분말의 제조 방법
USD535707S1 (en) 2005-08-25 2007-01-23 Mattel, Inc. Electronic toy house
US7847302B2 (en) * 2005-08-26 2010-12-07 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Blue LED with phosphor layer for producing white light and different phosphor in outer lens for reducing color temperature
US20070052342A1 (en) * 2005-09-01 2007-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP2007067326A (ja) * 2005-09-02 2007-03-15 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
WO2007032520A1 (en) * 2005-09-13 2007-03-22 Showa Denko K.K. Light-emitting device
JP2007110090A (ja) * 2005-09-13 2007-04-26 Sony Corp ＧａＮ系半導体発光素子、発光装置、画像表示装置、面状光源装置、及び、液晶表示装置組立体
JP4966530B2 (ja) 2005-09-15 2012-07-04 国立大学法人 新潟大学 蛍光体
DE102005045649A1 (de) * 2005-09-23 2007-03-29 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lichtmodul und Lichtsystem
USD533773S1 (en) 2005-09-26 2006-12-19 Mattel, Inc. Packaging for a toy
US7936418B2 (en) * 2005-09-29 2011-05-03 Kabushiki Kaisha Toshiba White light-emitting device and manufacturing method thereof, and backlight and liquid crystal display device using the same
JP4281839B2 (ja) * 2005-09-30 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたバックライトユニット
KR20080059418A (ko) * 2005-09-30 2008-06-27 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 고상 조명용 질화 및 산질화 세륨계 형광물질들
KR100724591B1 (ko) 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
US8631560B2 (en) 2005-10-05 2014-01-21 Enpirion, Inc. Method of forming a magnetic device having a conductive clip
US7688172B2 (en) 2005-10-05 2010-03-30 Enpirion, Inc. Magnetic device having a conductive clip
US8701272B2 (en) 2005-10-05 2014-04-22 Enpirion, Inc. Method of forming a power module with a magnetic device having a conductive clip
US8139362B2 (en) * 2005-10-05 2012-03-20 Enpirion, Inc. Power module with a magnetic device having a conductive clip
US7479660B2 (en) * 2005-10-21 2009-01-20 Perkinelmer Elcos Gmbh Multichip on-board LED illumination device
KR100693463B1 (ko) * 2005-10-21 2007-03-12 한국광기술원 2 이상의 물질을 포함하는 봉지층을 구비한 광 확산 발광다이오드
US7360934B2 (en) * 2005-10-24 2008-04-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Light supply unit, illumination unit, and illumination system
KR100571882B1 (ko) * 2005-10-27 2006-04-17 알티전자 주식회사 황색 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 장치
KR100771779B1 (ko) * 2005-11-04 2007-10-30 삼성전기주식회사 황색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
USD532461S1 (en) 2005-11-10 2006-11-21 Mattel, Inc. Electronic toy house
USD536042S1 (en) 2005-11-10 2007-01-30 Mattel, Inc. Electronic toy house
TWI291247B (en) * 2005-11-11 2007-12-11 Univ Nat Chiao Tung Nanoparticle structure and manufacturing process of multi-wavelength light emitting devices
CN100511736C (zh) * 2005-11-11 2009-07-08 亿镫光电科技股份有限公司 增光发光装置
KR101258397B1 (ko) * 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
US20070114561A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Comanzo Holly A High efficiency phosphor for use in LEDs
CN101313048B (zh) * 2005-11-24 2012-06-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有固态荧光材料的显示器件
JP2009517790A (ja) * 2005-11-28 2009-04-30 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 書き換え可能な光記録担体上にデータを記録する装置及び方法
US20070128745A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Brukilacchio Thomas J Phosphor deposition method and apparatus for making light emitting diodes
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
CN100334185C (zh) * 2005-12-09 2007-08-29 天津理工大学 稀土钇铝石榴石发光材料及气相制备法
US8465183B2 (en) * 2005-12-14 2013-06-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting device and method for manufacturing same
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
JP2007165728A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Toshiba Discrete Technology Kk 発光装置及び可視光通信用照明装置
JP2007165811A (ja) 2005-12-16 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
CN103925521A (zh) 2005-12-21 2014-07-16 科锐公司 照明装置
DE102005061204A1 (de) * 2005-12-21 2007-07-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Beleuchtungsvorrichtung, Beleuchtungssteuergerät und Beleuchtungssystem
KR101332139B1 (ko) * 2005-12-21 2013-11-21 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
US8112921B2 (en) 2005-12-21 2012-02-14 Cree, Inc. Sign and method for lighting
JP2009527071A (ja) 2005-12-22 2009-07-23 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
US20070158660A1 (en) * 2005-12-22 2007-07-12 Acol Technologies S.A. Optically active compositions and combinations of same with InGaN semiconductors
US7474287B2 (en) * 2005-12-23 2009-01-06 Hong Kong Applied Science And Technology Light emitting device
US7659544B2 (en) * 2005-12-23 2010-02-09 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. Light emitting device with at least two alternately driven light emitting diodes
CN1988188A (zh) * 2005-12-23 2007-06-27 香港应用科技研究院有限公司 具有荧光层结构的发光二极管晶粒及其制造方法
EP1969284B1 (en) * 2005-12-27 2012-06-13 Showa Denko K.K. Flat light source device and display device using the same
KR100728134B1 (ko) * 2005-12-30 2007-06-13 김재조 발광 장치
US9351355B2 (en) 2005-12-30 2016-05-24 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Illumination system having color temperature control and method for controlling the same
WO2007081719A2 (en) 2006-01-05 2007-07-19 Illumitex, Inc. Separate optical device for directing light from an led
DE102006001195A1 (de) 2006-01-10 2007-07-12 Sms Demag Ag Verfahren zum Gieß-Walzen mit erhöhter Gießgeschwindigkeit und daran anschließendem Warmwalzen von relativ dünnen Metall-,insbesondere Stahlwerkstoff-Strängen,und Gieß-Walz-Einrichtung
CN100464233C (zh) * 2006-01-17 2009-02-25 群康科技(深圳)有限公司 背光模块
KR100821684B1 (ko) * 2006-01-17 2008-04-11 주식회사 에스티앤아이 백색 발광 다이오드 소자
CN101370908B (zh) 2006-01-19 2012-04-18 宇部兴产株式会社 陶瓷复合体光转换构件和用其的发光装置
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US8264138B2 (en) * 2006-01-20 2012-09-11 Cree, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
JP2007226190A (ja) * 2006-01-30 2007-09-06 Konica Minolta Holdings Inc 映像表示装置およびヘッドマウントディスプレイ
DE102006005042A1 (de) 2006-02-03 2007-08-09 Tridonic Optoelectronics Gmbh Licht emittierende Vorrichtung mit nicht-aktiviertem Leuchtstoff
RU2315135C2 (ru) 2006-02-06 2008-01-20 Владимир Семенович Абрамов Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов iii группы
TWI317756B (en) * 2006-02-07 2009-12-01 Coretronic Corp Phosphor, fluorescent gel, and light emitting diode device
EP1989725B1 (en) 2006-02-14 2019-06-05 Massachusetts Institute of Technology White light emitting devices
US7884816B2 (en) 2006-02-15 2011-02-08 Prysm, Inc. Correcting pyramidal error of polygon scanner in scanning beam display systems
US8451195B2 (en) 2006-02-15 2013-05-28 Prysm, Inc. Servo-assisted scanning beam display systems using fluorescent screens
US20080000467A1 (en) * 2006-02-16 2008-01-03 Design Annex Disposable charcoal lighting apparatus
US20070194684A1 (en) * 2006-02-21 2007-08-23 Chen Yi-Yi Light emitting diode structure
KR100735453B1 (ko) * 2006-02-22 2007-07-04 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
JP5027427B2 (ja) * 2006-02-23 2012-09-19 パナソニック株式会社 発光ダイオードを用いた白色照明装置
RU2302687C1 (ru) * 2006-02-26 2007-07-10 Закрытое акционерное общество "ПОЛА+" Светодиодное устройство
JP4992250B2 (ja) 2006-03-01 2012-08-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US7737634B2 (en) 2006-03-06 2010-06-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED devices having improved containment for liquid encapsulant
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
JP2007250629A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法、並びに蛍光パターン形成物
KR100746749B1 (ko) 2006-03-15 2007-08-09 (주)케이디티 광 여기 시트
US7795600B2 (en) * 2006-03-24 2010-09-14 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use with light emitting diodes and method for making same
JP5032043B2 (ja) * 2006-03-27 2012-09-26 豊田合成株式会社 フェラスメタルアルカリ土類金属ケイ酸塩混合結晶蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP4980640B2 (ja) * 2006-03-31 2012-07-18 三洋電機株式会社 照明装置
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
JP5068472B2 (ja) * 2006-04-12 2012-11-07 昭和電工株式会社 発光装置の製造方法
WO2007123938A2 (en) * 2006-04-18 2007-11-01 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7821194B2 (en) 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7997745B2 (en) 2006-04-20 2011-08-16 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2007127029A2 (en) * 2006-04-24 2007-11-08 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
FR2900382B1 (fr) * 2006-04-26 2009-02-27 Benotec Soc Par Actions Simpli Chariot de manutention a au moins trois roues directrices
US7888868B2 (en) * 2006-04-28 2011-02-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. LED light source with light-directing structures
WO2007131195A2 (en) 2006-05-05 2007-11-15 Spudnik, Inc. Phosphor compositions and other fluorescent materials for display systems and devices
JP4944948B2 (ja) 2006-05-05 2012-06-06 クリー インコーポレイテッド 照明装置
US20070262288A1 (en) * 2006-05-09 2007-11-15 Soshchin Naum Inorganic fluorescent powder as a solid light source
TWI357435B (en) 2006-05-12 2012-02-01 Lextar Electronics Corp Light emitting diode and wavelength converting mat
WO2007135707A1 (ja) 2006-05-18 2007-11-29 Nichia Corporation 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP4188404B2 (ja) 2006-05-19 2008-11-26 三井金属鉱業株式会社 白色蛍光体および白色発光素子乃至装置
US7846391B2 (en) 2006-05-22 2010-12-07 Lumencor, Inc. Bioanalytical instrumentation using a light source subsystem
EP2027412B1 (en) 2006-05-23 2018-07-04 Cree, Inc. Lighting device
EP2027602A4 (en) * 2006-05-23 2012-11-28 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MAKING
US20070274093A1 (en) * 2006-05-25 2007-11-29 Honeywell International, Inc. LED backlight system for LCD displays
CN101077973B (zh) * 2006-05-26 2010-09-29 大连路明发光科技股份有限公司 硅酸盐荧光材料及其制造方法以及使用其的发光装置
WO2007139894A2 (en) 2006-05-26 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Solid state light emitting device and method of making same
CN101501870B (zh) * 2006-05-31 2012-10-31 株式会社藤仓 发光元件安装用基板、发光元件模块以及显示装置
WO2007142946A2 (en) 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of lighting
US20070280622A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 3M Innovative Properties Company Fluorescent light source having light recycling means
US20070279914A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source with reflector
JP4899651B2 (ja) * 2006-06-07 2012-03-21 ソニー株式会社 発光ダイオード点灯回路、照明装置及び液晶表示装置
US20070284565A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-13 3M Innovative Properties Company Led device with re-emitting semiconductor construction and optical element
CN102403439A (zh) * 2006-06-12 2012-04-04 3M创新有限公司 具有再发光半导体构造和会聚光学元件的led装置
US7863634B2 (en) * 2006-06-12 2011-01-04 3M Innovative Properties Company LED device with re-emitting semiconductor construction and reflector
US7952110B2 (en) 2006-06-12 2011-05-31 3M Innovative Properties Company LED device with re-emitting semiconductor construction and converging optical element
US7902542B2 (en) 2006-06-14 2011-03-08 3M Innovative Properties Company Adapted LED device with re-emitting semiconductor construction
CN101489951A (zh) * 2006-06-21 2009-07-22 株式会社村田制作所 透光性陶瓷及光学部件以及光学装置
JP4282693B2 (ja) * 2006-07-04 2009-06-24 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP4520437B2 (ja) * 2006-07-26 2010-08-04 信越化学工業株式会社 Ｌｅｄ用蛍光物質入り硬化性シリコーン組成物およびその組成物を使用するｌｅｄ発光装置。
CN100590172C (zh) 2006-07-26 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种含硅的led荧光粉及其制造方法和所制成的发光器件
US7804147B2 (en) 2006-07-31 2010-09-28 Cree, Inc. Light emitting diode package element with internal meniscus for bubble free lens placement
US7943952B2 (en) 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US20080029720A1 (en) 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
JP4957110B2 (ja) * 2006-08-03 2012-06-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20080029774A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Acol Technologies S.A. Semiconductor light source packages with broadband and angular uniformity support
US8154191B2 (en) 2006-08-15 2012-04-10 Luming Science And Technology Group Co., Ltd. Silicate base luminescent materials having multiple emission peaks, processes for preparing the same and light emitting devices using the same
US20080113877A1 (en) * 2006-08-16 2008-05-15 Intematix Corporation Liquid solution deposition of composition gradient materials
TWI317562B (en) * 2006-08-16 2009-11-21 Ind Tech Res Inst Light-emitting device
US7909482B2 (en) 2006-08-21 2011-03-22 Innotec Corporation Electrical device having boardless electrical component mounting arrangement
US7763478B2 (en) * 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
JP5100059B2 (ja) * 2006-08-24 2012-12-19 スタンレー電気株式会社 蛍光体、その製造方法およびそれを用いた発光装置
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US7703942B2 (en) 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US8425271B2 (en) * 2006-09-01 2013-04-23 Cree, Inc. Phosphor position in light emitting diodes
US7910938B2 (en) 2006-09-01 2011-03-22 Cree, Inc. Encapsulant profile for light emitting diodes
WO2008041566A1 (fr) 2006-09-25 2008-04-10 Ube Industries, Ltd. Composite céramique pour phototransformation et dispositif d'émission de lumière utilisant celui-ci
WO2008042703A1 (en) * 2006-09-29 2008-04-10 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source having multiple fluorescent species
US20090275157A1 (en) * 2006-10-02 2009-11-05 Illumitex, Inc. Optical device shaping
JP2010506402A (ja) 2006-10-02 2010-02-25 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄのシステムおよび方法
TW200833814A (en) * 2006-10-03 2008-08-16 Sarnoff Corp Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
GB2442505A (en) * 2006-10-04 2008-04-09 Sharp Kk A display with a primary light source for illuminating a nanophosphor re-emission material
EP2074668B1 (en) * 2006-10-10 2018-02-28 Tridonic Jennersdorf GmbH Phosphor-converted light emitting diode
TW200825571A (en) * 2006-10-18 2008-06-16 Koninkl Philips Electronics Nv Illumination system and display device
US9120975B2 (en) 2006-10-20 2015-09-01 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
US8529791B2 (en) 2006-10-20 2013-09-10 Intematix Corporation Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications
US8475683B2 (en) 2006-10-20 2013-07-02 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates
US8133461B2 (en) 2006-10-20 2012-03-13 Intematix Corporation Nano-YAG:Ce phosphor compositions and their methods of preparation
WO2008052318A1 (en) * 2006-10-31 2008-05-08 Tir Technology Lp Light source comprising a light-excitable medium
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
CN101182416B (zh) * 2006-11-13 2010-09-22 北京有色金属研究总院 含二价金属元素的铝酸盐荧光粉及制造方法和发光器件
TWI496315B (zh) 2006-11-13 2015-08-11 Cree Inc 照明裝置、被照明的殼體及照明方法
US7769066B2 (en) 2006-11-15 2010-08-03 Cree, Inc. Laser diode and method for fabricating same
US7813400B2 (en) 2006-11-15 2010-10-12 Cree, Inc. Group-III nitride based laser diode and method for fabricating same
US8045595B2 (en) 2006-11-15 2011-10-25 Cree, Inc. Self aligned diode fabrication method and self aligned laser diode
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
WO2008063657A2 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Qd Vision, Inc. Light emitting devices and displays with improved performance
US7692263B2 (en) 2006-11-21 2010-04-06 Cree, Inc. High voltage GaN transistors
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
US8337045B2 (en) 2006-12-04 2012-12-25 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9310026B2 (en) 2006-12-04 2016-04-12 Cree, Inc. Lighting assembly and lighting method
CN101611259B (zh) 2006-12-07 2012-06-27 科锐公司 照明装置和照明方法
JP5028562B2 (ja) * 2006-12-11 2012-09-19 株式会社ジャパンディスプレイイースト 照明装置及びこの照明装置を用いた表示装置
WO2008073400A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
US8013506B2 (en) 2006-12-12 2011-09-06 Prysm, Inc. Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity
EP2103187B1 (en) * 2006-12-12 2010-05-26 Inverto NV Led lighting that has continuous and adjustable color temperature (ct), while maintaining a high cri
TWI359857B (en) * 2006-12-25 2012-03-11 Ind Tech Res Inst White light illumination device
CN100543555C (zh) * 2006-12-29 2009-09-23 晶宏半导体股份有限公司 侧光源背光模块
KR100788557B1 (ko) * 2007-01-03 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 광흡수층을 갖는 액정 표시 장치용 연성 회로 기판
JP4660507B2 (ja) * 2007-01-03 2011-03-30 三星モバイルディスプレイ株式會社 フレキシブル回路基板及びこれを有する液晶表示装置
KR100788556B1 (ko) * 2007-01-03 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 광흡수층을 갖는 액정 표시 장치용 연성 회로 기판
JP2008186802A (ja) * 2007-01-04 2008-08-14 Toshiba Corp バックライト装置、液晶表示装置
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US7800304B2 (en) * 2007-01-12 2010-09-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-chip packaged LED light source
TWI325186B (en) * 2007-01-19 2010-05-21 Harvatek Corp Led chip package structure using ceramic material as a substrate
US7834367B2 (en) 2007-01-19 2010-11-16 Cree, Inc. Low voltage diode with reduced parasitic resistance and method for fabricating
CN101250408B (zh) * 2007-01-22 2011-03-23 罗维鸿 暖白色发光二极管及其带橙黄辐射的荧光粉
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8232564B2 (en) 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US7781783B2 (en) * 2007-02-07 2010-08-24 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. White light LED device
US7709853B2 (en) 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US20080192458A1 (en) * 2007-02-12 2008-08-14 Intematix Corporation Light emitting diode lighting system
US9061450B2 (en) * 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
US20080197369A1 (en) * 2007-02-20 2008-08-21 Cree, Inc. Double flip semiconductor device and method for fabrication
CN101657671B (zh) * 2007-02-22 2012-07-11 科锐公司 照明装置、照明方法、滤光器和滤光方法
DE102007009820A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optische Anordnung und optisches Verfahren
US20080218998A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-11 Quest William J Device having multiple light sources and methods of use
TWI390748B (zh) * 2007-03-09 2013-03-21 Light energy of the battery efficiency film
KR100818518B1 (ko) * 2007-03-14 2008-03-31 삼성전기주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US8408773B2 (en) 2007-03-19 2013-04-02 Innotec Corporation Light for vehicles
US7712933B2 (en) 2007-03-19 2010-05-11 Interlum, Llc Light for vehicles
GB2460802B (en) * 2007-03-20 2012-09-05 Prysm Inc Delivering and displaying advertisment or other application data to display systems
US7687816B2 (en) * 2007-03-20 2010-03-30 International Business Machines Corporation Light emitting diode
TWI338957B (en) 2007-03-23 2011-03-11 Lite On Technology Corp Light-emitting device with open-loop control and manufacturing method thereof
KR100848872B1 (ko) * 2007-03-29 2008-07-29 서울반도체 주식회사 Ｒｇｂ를 이용한 발광장치
TWI378138B (en) * 2007-04-02 2012-12-01 Univ Nat Chiao Tung Green-emitting phosphors and process for producing the same
DE102008017039A1 (de) 2007-04-05 2008-10-09 Koito Manufacturing Co., Ltd. Leuchtstoff
US8169454B1 (en) 2007-04-06 2012-05-01 Prysm, Inc. Patterning a surface using pre-objective and post-objective raster scanning systems
US7697183B2 (en) 2007-04-06 2010-04-13 Prysm, Inc. Post-objective scanning beam systems
US7964888B2 (en) 2007-04-18 2011-06-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device packages and methods
WO2008134056A1 (en) * 2007-04-26 2008-11-06 Deak-Lam Inc. Photon energy coversion structure
WO2008135072A1 (de) * 2007-05-04 2008-11-13 Noctron Soparfi S.A. Beleuchtungsvorrichtung sowie flüssigkristall-bildschirm mit einer solchen beleuchtungsvorrichtung
US7910944B2 (en) 2007-05-04 2011-03-22 Cree, Inc. Side mountable semiconductor light emitting device packages and panels
DE102007026795A1 (de) * 2007-05-04 2008-11-06 Noctron Holding S.A. Beleuchtungsvorrichtung sowie Flüssigkristall-Bildschirm mit einer solchen Beleuchtungsvorrichtung
DE102007025573A1 (de) * 2007-05-31 2008-12-04 Noctron Holding S.A. Flüssigkristall-Anzeigefeld
BRPI0811561A2 (pt) * 2007-05-08 2015-06-16 Cree Led Lighting Solutions Dispositivo de iluminação e método de iluminação
JP2010527156A (ja) 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
TWI422785B (zh) 2007-05-08 2014-01-11 克里公司 照明裝置及照明方法
CN101711325B (zh) * 2007-05-08 2013-07-10 科锐公司 照明装置和照明方法
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
CN101688644B (zh) 2007-05-08 2011-06-15 科锐Led照明科技公司 照明装置及照明方法
TWI349694B (en) * 2007-05-14 2011-10-01 Univ Nat Chiao Tung A novel phosphor for white light-emitting diodes and fabrication of the same
RU2442197C2 (ru) 2007-05-17 2012-02-10 Призм, Инк. Многослойные экраны со светоизлучающими полосками для систем отображения со сканирующим лучом
EP2158429A2 (en) * 2007-05-29 2010-03-03 Oree, Advanced Illumination Solutions INC. Method and device for providing circumferential illumination
KR100886785B1 (ko) * 2007-06-04 2009-03-04 박기운 발광 장치 및 그 제조방법 및 백색계 발광 다이오드
US7999283B2 (en) 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US7942556B2 (en) * 2007-06-18 2011-05-17 Xicato, Inc. Solid state illumination device
CA2635155C (en) * 2007-06-18 2015-11-24 Institut National D'optique Method for detecting objects with visible light
US8767215B2 (en) 2007-06-18 2014-07-01 Leddartech Inc. Method for detecting objects with light
DE102007028120A1 (de) 2007-06-19 2008-12-24 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines Chlorosilikat-Leuchtstoffs und damit hergestellter Leuchtstoff
JP4925119B2 (ja) * 2007-06-21 2012-04-25 シャープ株式会社 酸化物蛍光体および発光装置
US7878657B2 (en) 2007-06-27 2011-02-01 Prysm, Inc. Servo feedback control based on invisible scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US8556430B2 (en) 2007-06-27 2013-10-15 Prysm, Inc. Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
TWI365546B (en) * 2007-06-29 2012-06-01 Ind Tech Res Inst Light emitting diode device and fabrication method thereof
EP2175006B1 (en) 2007-07-09 2013-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Group of phosphor particles, and light-emitting device using the same
US7852523B2 (en) * 2007-07-11 2010-12-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Scanner module and image scanning apparatus employing the same
KR101279034B1 (ko) * 2007-07-11 2013-07-02 삼성전자주식회사 스캐너 모듈 및 이를 채용한 화상독취장치
US10505083B2 (en) * 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US7924478B2 (en) * 2007-07-11 2011-04-12 Samsung Electronics Co., Ltd. Scanner module and image scanning apparatus employing the same
EP2015614B1 (en) 2007-07-12 2010-12-15 Koito Manufacturing Co., Ltd. Light emitting device
TWI429731B (zh) * 2007-07-16 2014-03-11 路明納森公司 由４價錳離子活化之發紅光錯合氟化磷光體
CN101743488B (zh) 2007-07-17 2014-02-26 科锐公司 具有内部光学特性结构的光学元件及其制造方法
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
TWI384052B (zh) * 2007-07-25 2013-02-01 Univ Nat Chiao Tung 新穎螢光體與其製造方法
TWI363085B (en) 2007-07-26 2012-05-01 Univ Nat Chiao Tung A novel phosphor and fabrication of the same
DE102007036226A1 (de) * 2007-08-02 2009-02-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Anbringungsstruktur für LEDs, LED-Baugruppe, LED-Baugruppensockel, Verfahren zum Ausbilden einer Anbringungsstruktur
US8098375B2 (en) 2007-08-06 2012-01-17 Lumencor, Inc. Light emitting diode illumination system
US7863635B2 (en) * 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
US7652301B2 (en) * 2007-08-16 2010-01-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Optical element coupled to low profile side emitting LED
RU2467051C2 (ru) 2007-08-22 2012-11-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Люминофоры на основе нестехиометрических тетрагональных силикатов меди и щелочноземельного металла и способ их получения
WO2009028869A2 (en) * 2007-08-27 2009-03-05 Lg Electronics Inc. Light emitting device package and lighting apparatus using the same
US8128249B2 (en) 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
US7791093B2 (en) * 2007-09-04 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with particles in encapsulant for increased light extraction and non-yellow off-state color
US8866185B2 (en) * 2007-09-06 2014-10-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. White light LED with multiple encapsulation layers
US7851990B2 (en) * 2007-09-06 2010-12-14 He Shan Lide Electronic Enterprise Company Ltd. Method for generating low color temperature light and light emitting device adopting the same
US8018315B2 (en) 2007-09-10 2011-09-13 Enpirion, Inc. Power converter employing a micromagnetic device
US7955868B2 (en) 2007-09-10 2011-06-07 Enpirion, Inc. Method of forming a micromagnetic device
US8133529B2 (en) 2007-09-10 2012-03-13 Enpirion, Inc. Method of forming a micromagnetic device
US7920042B2 (en) 2007-09-10 2011-04-05 Enpirion, Inc. Micromagnetic device and method of forming the same
DE102007049005A1 (de) * 2007-09-11 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
DE202007019100U1 (de) 2007-09-12 2010-09-02 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED-Modul, LED-Leuchtmittel und LED-Leuchte für die energieeffiziente Wiedergabe von weißem Licht
US8519437B2 (en) 2007-09-14 2013-08-27 Cree, Inc. Polarization doping in nitride based diodes
DE102007053286B4 (de) * 2007-09-20 2025-03-27 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP5075552B2 (ja) * 2007-09-25 2012-11-21 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いたｌｅｄランプ
JP2009081379A (ja) 2007-09-27 2009-04-16 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
KR100891020B1 (ko) * 2007-09-28 2009-03-31 한국과학기술원 새로운 조성의 황색 발광 Ｃｅ3+부활 칼슘 실리케이트 황색형광체 및 그 제조방법
US20090117672A1 (en) 2007-10-01 2009-05-07 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of fabrication thereof
US8883528B2 (en) * 2007-10-01 2014-11-11 Intematix Corporation Methods of producing light emitting device with phosphor wavelength conversion
US11317495B2 (en) 2007-10-06 2022-04-26 Lynk Labs, Inc. LED circuits and assemblies
US11297705B2 (en) 2007-10-06 2022-04-05 Lynk Labs, Inc. Multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and methods of using same
TWI481068B (zh) * 2007-10-10 2015-04-11 克里公司 照明裝置及其製造方法
US9012937B2 (en) * 2007-10-10 2015-04-21 Cree, Inc. Multiple conversion material light emitting diode package and method of fabricating same
CN100546058C (zh) * 2007-10-15 2009-09-30 佛山市国星光电股份有限公司 功率发光二极管封装结构
US9086213B2 (en) 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
US7915627B2 (en) * 2007-10-17 2011-03-29 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US7984999B2 (en) * 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
KR101294849B1 (ko) * 2007-10-23 2013-08-08 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8018139B2 (en) * 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
US8119028B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
TWI334047B (en) * 2007-11-22 2010-12-01 Au Optronics Corp Liquid crystal display
DE102007056562A1 (de) 2007-11-23 2009-05-28 Oerlikon Textile Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur optischen Detektion von Verunreinigungen in längsbewegtem Garn
JP2009130301A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Sharp Corp 発光素子および発光素子の製造方法
JP5558665B2 (ja) * 2007-11-27 2014-07-23 パナソニック株式会社 発光装置
KR100998233B1 (ko) 2007-12-03 2010-12-07 서울반도체 주식회사 슬림형 ｌｅｄ 패키지
CN101453804B (zh) * 2007-12-05 2010-04-07 亿镫光电科技股份有限公司 白光发光装置
TWI336015B (en) * 2007-12-06 2011-01-11 Au Optronics Corp Liquid crystal display
WO2009072539A1 (ja) 2007-12-07 2009-06-11 Kabushiki Kaisha Toshiba 蛍光体およびそれを用いたｌｅｄ発光装置
EP2232592B1 (en) 2007-12-12 2013-07-17 Innotec Corporation Method for overmolding a circuit board
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
US8167674B2 (en) 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8182128B2 (en) 2007-12-19 2012-05-22 Oree, Inc. Planar white illumination apparatus
US20090159915A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Shaul Branchevsky Led insert module and multi-layer lens
US7907804B2 (en) 2007-12-19 2011-03-15 Oree, Inc. Elimination of stitch artifacts in a planar illumination area
US8118447B2 (en) 2007-12-20 2012-02-21 Altair Engineering, Inc. LED lighting apparatus with swivel connection
JP5003464B2 (ja) * 2007-12-21 2012-08-15 三菱電機株式会社 光伝送モジュール
JP2009153712A (ja) 2007-12-26 2009-07-16 Olympus Corp 光源装置およびそれを備えた内視鏡装置
US7815339B2 (en) 2008-01-09 2010-10-19 Innotec Corporation Light module
US8878219B2 (en) 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
CN101482247A (zh) * 2008-01-11 2009-07-15 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 照明装置
US8058088B2 (en) 2008-01-15 2011-11-15 Cree, Inc. Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
US8940561B2 (en) * 2008-01-15 2015-01-27 Cree, Inc. Systems and methods for application of optical materials to optical elements
US20090309114A1 (en) * 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
US8337029B2 (en) * 2008-01-17 2012-12-25 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US20090185113A1 (en) * 2008-01-22 2009-07-23 Industrial Technology Research Institute Color Filter Module and Device of Having the Same
CN101493216B (zh) * 2008-01-24 2011-11-09 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 发光二极管光源模组
US9151884B2 (en) * 2008-02-01 2015-10-06 3M Innovative Properties Company Fluorescent volume light source with active chromphore
CN101939849A (zh) 2008-02-08 2011-01-05 伊鲁米特克有限公司 用于发射器层成形的系统和方法
KR101245005B1 (ko) 2008-02-18 2013-03-18 가부시키가이샤 고이토 세이사꾸쇼 백색 발광 장치 및 이것을 이용한 차량용 등기구
EP2247891B1 (en) * 2008-02-21 2019-06-05 Signify Holding B.V. Gls-alike led light source
WO2009105581A1 (en) * 2008-02-21 2009-08-27 Nitto Denko Corporation Light emitting device with translucent ceramic plate
CN101514801A (zh) * 2008-02-22 2009-08-26 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 照明装置
US8163203B2 (en) 2008-02-27 2012-04-24 The Regents Of The University Of California Yellow emitting phosphors based on Ce3+-doped aluminate and via solid solution for solid-state lighting applications
JP2009206459A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Sharp Corp 色変換部材およびそれを用いた発光装置
WO2009109974A2 (en) 2008-03-05 2009-09-11 Oree, Advanced Illumination Solutions Inc. Illumination apparatus and methods of forming the same
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
TWI521266B (zh) * 2008-04-03 2016-02-11 友達光電股份有限公司 液晶顯示器
US9525148B2 (en) 2008-04-03 2016-12-20 Qd Vision, Inc. Device including quantum dots
CN105870345B (zh) 2008-04-03 2019-01-01 三星研究美国股份有限公司 包括量子点的发光器件
US8692532B2 (en) 2008-04-16 2014-04-08 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US8541991B2 (en) 2008-04-16 2013-09-24 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US8686698B2 (en) 2008-04-16 2014-04-01 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
US9246390B2 (en) 2008-04-16 2016-01-26 Enpirion, Inc. Power converter with controller operable in selected modes of operation
WO2009130636A1 (en) * 2008-04-23 2009-10-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. A luminous device
DE102009018603B9 (de) 2008-04-25 2021-01-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Leuchtvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
US20090268461A1 (en) * 2008-04-28 2009-10-29 Deak David G Photon energy conversion structure
DE102008021438A1 (de) 2008-04-29 2009-12-31 Schott Ag Konversionsmaterial insbesondere für eine, eine Halbleiterlichtquelle umfassende weiße oder farbige Lichtquelle, Verfahren zu dessen Herstellung sowie dieses Konversionsmaterial umfassende Lichtquelle
DE102008021658A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung mit Volumenstrukturierung
DE202008005987U1 (de) * 2008-04-30 2009-09-03 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit kalottenförmiger Farbkonversionsschicht
US9287469B2 (en) 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
JP2011524064A (ja) 2008-05-06 2011-08-25 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド 量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含有する固体照明装置
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
DE102008022888A1 (de) * 2008-05-08 2009-11-19 Lok-F Gmbh Leuchtvorrichtung
TWI362769B (en) 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
JP2009277887A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光装置
WO2009141960A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 Panasonic Corporation Semiconductor light-emitting device as well as light source device and lighting system including the same
US8242525B2 (en) * 2008-05-20 2012-08-14 Lightscape Materials, Inc. Silicate-based phosphors and LED lighting devices using the same
US8360599B2 (en) 2008-05-23 2013-01-29 Ilumisys, Inc. Electric shock resistant L.E.D. based light
US8461613B2 (en) 2008-05-27 2013-06-11 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
DE102008025318A1 (de) * 2008-05-27 2009-12-10 Setrinx S.A.R.L. Leuchtchip und Leuchtvorrichtung mit einem solchen
US7868340B2 (en) 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
US20090301388A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-10 Soraa Inc. Capsule for high pressure processing and method of use for supercritical fluids
US8097081B2 (en) 2008-06-05 2012-01-17 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US8871024B2 (en) * 2008-06-05 2014-10-28 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US9157167B1 (en) 2008-06-05 2015-10-13 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US7906766B2 (en) * 2008-06-16 2011-03-15 Northrop Grumman Systems Corporation Systems and methods for simulating a vehicle exhaust plume
US20090321758A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Wen-Huang Liu Led with improved external light extraction efficiency
KR101448153B1 (ko) * 2008-06-25 2014-10-08 삼성전자주식회사 발광 다이오드용 멀티칩 패키지 및 멀티칩 패키지 방식의발광 다이오드 소자
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
WO2009158491A2 (en) * 2008-06-25 2009-12-30 Cardullo Mario W Uv generated visible light source
US20090320745A1 (en) * 2008-06-25 2009-12-31 Soraa, Inc. Heater device and method for high pressure processing of crystalline materials
US9404197B2 (en) 2008-07-07 2016-08-02 Soraa, Inc. Large area, low-defect gallium-containing nitride crystals, method of making, and method of use
WO2010005914A1 (en) * 2008-07-07 2010-01-14 Soraa, Inc. High quality large area bulk non-polar or semipolar gallium based substrates and methods
WO2011044554A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Soraa, Inc. Method for synthesis of high quality large area bulk gallium based crystals
US8297786B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
US8301002B2 (en) 2008-07-10 2012-10-30 Oree, Inc. Slim waveguide coupling apparatus and method
JP2010027704A (ja) * 2008-07-16 2010-02-04 Stanley Electric Co Ltd 蛍光体セラミック板を用いた発光装置の製造方法
TW201005075A (en) * 2008-07-24 2010-02-01 Univ Nat Chiao Tung White-emitting phosphors and lighting apparatus thereof
US7869112B2 (en) * 2008-07-25 2011-01-11 Prysm, Inc. Beam scanning based on two-dimensional polygon scanner for display and other applications
US7946729B2 (en) 2008-07-31 2011-05-24 Altair Engineering, Inc. Fluorescent tube replacement having longitudinally oriented LEDs
US10036099B2 (en) 2008-08-07 2018-07-31 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8979999B2 (en) * 2008-08-07 2015-03-17 Soraa, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
US8430958B2 (en) * 2008-08-07 2013-04-30 Soraa, Inc. Apparatus and method for seed crystal utilization in large-scale manufacturing of gallium nitride
US20100033077A1 (en) * 2008-08-08 2010-02-11 Glory Science Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the light emitting device
DE102008038249A1 (de) * 2008-08-18 2010-02-25 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung alpha-Sialon-Leuchtstoff
CN101577301B (zh) * 2008-09-05 2011-12-21 佛山市国星光电股份有限公司 白光led的封装方法及使用该方法制作的led器件
US20120181919A1 (en) * 2008-08-27 2012-07-19 Osram Sylvania Inc. Luminescent Ceramic Composite Converter and Method of Making the Same
US8164710B2 (en) * 2008-09-04 2012-04-24 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight assembly and liquid crystal display apparatus having the same
US20100060198A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Lite-On It Corporation LED Lamp and Method for Producing a LED Lamp
US20100058837A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-11 Quest William J Device having multiple light sources and methods of use
US8143769B2 (en) * 2008-09-08 2012-03-27 Intematix Corporation Light emitting diode (LED) lighting device
GB0816557D0 (en) 2008-09-10 2008-10-15 Merck Patent Gmbh Electro-optical switching element and electro-optical display
EP2163593A1 (en) 2008-09-15 2010-03-17 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Production of nitride-based phosphors
US8256924B2 (en) 2008-09-15 2012-09-04 Ilumisys, Inc. LED-based light having rapidly oscillating LEDs
US8342712B2 (en) 2008-09-30 2013-01-01 Disney Enterprises, Inc. Kinetic flame device
US8339802B2 (en) 2008-10-02 2012-12-25 Enpirion, Inc. Module having a stacked magnetic device and semiconductor device and method of forming the same
US9054086B2 (en) 2008-10-02 2015-06-09 Enpirion, Inc. Module having a stacked passive element and method of forming the same
US8266793B2 (en) 2008-10-02 2012-09-18 Enpirion, Inc. Module having a stacked magnetic device and semiconductor device and method of forming the same
US8153473B2 (en) 2008-10-02 2012-04-10 Empirion, Inc. Module having a stacked passive element and method of forming the same
DE102008051256B4 (de) * 2008-10-10 2018-05-24 Ivoclar Vivadent Ag Halbleiter-Strahlungsquelle
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US20100098377A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Noam Meir Light confinement using diffusers
CN102187478B (zh) 2008-10-17 2013-06-05 株式会社小糸制作所 发光模块、发光模块的制造方法及灯具单元
US7938562B2 (en) 2008-10-24 2011-05-10 Altair Engineering, Inc. Lighting including integral communication apparatus
US8214084B2 (en) 2008-10-24 2012-07-03 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting with building controls
US8444292B2 (en) 2008-10-24 2013-05-21 Ilumisys, Inc. End cap substitute for LED-based tube replacement light
US8901823B2 (en) 2008-10-24 2014-12-02 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
US8324817B2 (en) 2008-10-24 2012-12-04 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
US8653984B2 (en) 2008-10-24 2014-02-18 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting control with emergency notification systems
US8022631B2 (en) * 2008-11-03 2011-09-20 General Electric Company Color control of light sources employing phosphors
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
JP4868427B2 (ja) * 2008-11-13 2012-02-01 国立大学法人名古屋大学 半導体発光装置
JP2010116522A (ja) * 2008-11-14 2010-05-27 Mitsubishi Plastics Inc 蓄光フィルム及び発光装置
TWI384591B (zh) * 2008-11-17 2013-02-01 億光電子工業股份有限公司 發光二極體電路板
US8853712B2 (en) 2008-11-18 2014-10-07 Cree, Inc. High efficacy semiconductor light emitting devices employing remote phosphor configurations
US8004172B2 (en) * 2008-11-18 2011-08-23 Cree, Inc. Semiconductor light emitting apparatus including elongated hollow wavelength conversion tubes and methods of assembling same
US9052416B2 (en) 2008-11-18 2015-06-09 Cree, Inc. Ultra-high efficacy semiconductor light emitting devices
US8220971B2 (en) 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
US8456082B2 (en) 2008-12-01 2013-06-04 Ifire Ip Corporation Surface-emission light source with uniform illumination
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8878230B2 (en) * 2010-03-11 2014-11-04 Soraa, Inc. Semi-insulating group III metal nitride and method of manufacture
US20100147210A1 (en) * 2008-12-12 2010-06-17 Soraa, Inc. high pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US9589792B2 (en) 2012-11-26 2017-03-07 Soraa, Inc. High quality group-III metal nitride crystals, methods of making, and methods of use
US9543392B1 (en) 2008-12-12 2017-01-10 Soraa, Inc. Transparent group III metal nitride and method of manufacture
US8987156B2 (en) 2008-12-12 2015-03-24 Soraa, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
USRE47114E1 (en) 2008-12-12 2018-11-06 Slt Technologies, Inc. Polycrystalline group III metal nitride with getter and method of making
US7834372B2 (en) * 2008-12-16 2010-11-16 Jinhui Zhai High luminous flux warm white solid state lighting device
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
JP2010171379A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
KR101493708B1 (ko) * 2008-12-26 2015-02-16 삼성전자주식회사 백색 발광 장치
US8698463B2 (en) 2008-12-29 2014-04-15 Enpirion, Inc. Power converter with a dynamically configurable controller based on a power conversion mode
US9548714B2 (en) 2008-12-29 2017-01-17 Altera Corporation Power converter with a dynamically configurable controller and output filter
US8390193B2 (en) 2008-12-31 2013-03-05 Intematix Corporation Light emitting device with phosphor wavelength conversion
US8556452B2 (en) 2009-01-15 2013-10-15 Ilumisys, Inc. LED lens
US8362710B2 (en) 2009-01-21 2013-01-29 Ilumisys, Inc. Direct AC-to-DC converter for passive component minimization and universal operation of LED arrays
US8664880B2 (en) 2009-01-21 2014-03-04 Ilumisys, Inc. Ballast/line detection circuit for fluorescent replacement lamps
US20100181582A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
US8242462B2 (en) 2009-01-23 2012-08-14 Lumencor, Inc. Lighting design of high quality biomedical devices
TWI449996B (zh) * 2009-01-23 2014-08-21 Au Optronics Corp 高色彩飽合度之顯示裝置及其使用之色彩調整方法
JP2010171342A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Sony Corp 色変換部材およびその製造方法、発光装置、表示装置
US20110100291A1 (en) * 2009-01-29 2011-05-05 Soraa, Inc. Plant and method for large-scale ammonothermal manufacturing of gallium nitride boules
JP2010177620A (ja) * 2009-02-02 2010-08-12 Showa Denko Kk 発光装置の製造方法
US20100195307A1 (en) * 2009-02-04 2010-08-05 Klaus Bollmann Phosphor Composite Coated Diffuser device and method
US20100208470A1 (en) * 2009-02-10 2010-08-19 Yosi Shani Overlapping illumination surfaces with reduced linear artifacts
KR101077264B1 (ko) * 2009-02-17 2011-10-27 (주)포인트엔지니어링 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법
US8137587B2 (en) 2009-02-19 2012-03-20 Nitto Denko Corporation Method of manufacturing phosphor translucent ceramics and light emitting devices
US8123981B2 (en) * 2009-02-19 2012-02-28 Nitto Denko Corporation Method of fabricating translucent phosphor ceramics
WO2010097731A1 (en) * 2009-02-25 2010-09-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Uv-emitting discharge lamp
WO2010101272A1 (ja) 2009-03-03 2010-09-10 宇部興産株式会社 発光素子形成用複合基板、発光ダイオード素子及びその製造方法
US8541931B2 (en) * 2009-03-17 2013-09-24 Intematix Corporation LED based lamp including reflective hood to reduce variation in illuminance
TWM374153U (en) * 2009-03-19 2010-02-11 Intematix Technology Ct Corp Light emitting device applied to AC drive
TWI405838B (zh) * 2009-03-27 2013-08-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd 紅光螢光材料及其製造方法、及白光發光裝置
US8624527B1 (en) 2009-03-27 2014-01-07 Oree, Inc. Independently controllable illumination device
KR100984126B1 (ko) * 2009-03-30 2010-09-28 서울대학교산학협력단 발광소자 코팅 방법, 광커플러 및 광커플러 제조 방법
TW201037059A (en) * 2009-04-01 2010-10-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Red light fluorescent material and manufacturing method thereof, and white light luminescent device
WO2010116953A1 (ja) * 2009-04-06 2010-10-14 シャープ株式会社 蛍光体粒子群およびそれを用いた発光装置、液晶テレビ
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US8384097B2 (en) 2009-04-08 2013-02-26 Ledengin, Inc. Package for multiple light emitting diodes
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
KR20120008060A (ko) * 2009-04-21 2012-01-25 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 인광체를 갖는 조명 장치
KR101004713B1 (ko) * 2009-04-22 2011-01-04 주식회사 에피밸리 디스플레이의 디밍 제어방법
US8192048B2 (en) * 2009-04-22 2012-06-05 3M Innovative Properties Company Lighting assemblies and systems
KR101753740B1 (ko) 2009-04-28 2017-07-04 삼성전자주식회사 광학 재료, 광학 부품 및 방법
DE102009020569B4 (de) 2009-05-08 2019-02-21 Schott Ag Leuchtstoffe auf Basis Eu2+-(co-) dotierter Yttrium-Aluminium-Granat-Kristalle und deren Verwendung
WO2010132517A2 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 David Gershaw Led retrofit for miniature bulbs
US8328406B2 (en) 2009-05-13 2012-12-11 Oree, Inc. Low-profile illumination device
US8330381B2 (en) 2009-05-14 2012-12-11 Ilumisys, Inc. Electronic circuit for DC conversion of fluorescent lighting ballast
US8227276B2 (en) * 2009-05-19 2012-07-24 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8227269B2 (en) * 2009-05-19 2012-07-24 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8597963B2 (en) * 2009-05-19 2013-12-03 Intematix Corporation Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion
US8440500B2 (en) * 2009-05-20 2013-05-14 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
US9800017B1 (en) 2009-05-29 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Laser device and method for a vehicle
US8509275B1 (en) 2009-05-29 2013-08-13 Soraa, Inc. Gallium nitride based laser dazzling device and method
US9250044B1 (en) 2009-05-29 2016-02-02 Soraa Laser Diode, Inc. Gallium and nitrogen containing laser diode dazzling devices and methods of use
WO2010141235A1 (en) * 2009-06-01 2010-12-09 Nitto Denko Corporation Light-emitting divice comprising a dome-shaped ceramic phosphor
KR101800345B1 (ko) * 2009-06-01 2017-11-22 닛토덴코 가부시키가이샤 발광 세라믹 및 이를 이용한 발광 디바이스
US8299695B2 (en) 2009-06-02 2012-10-30 Ilumisys, Inc. Screw-in LED bulb comprising a base having outwardly projecting nodes
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
JP2012530383A (ja) 2009-06-16 2012-11-29 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア オキシフッ化物蛍光体および固体照明用途のためのオキシフッ化物蛍光体を含む白色発光ダイオード
US8651692B2 (en) * 2009-06-18 2014-02-18 Intematix Corporation LED based lamp and light emitting signage
US8426871B2 (en) * 2009-06-19 2013-04-23 Honeywell International Inc. Phosphor converting IR LEDs
WO2011005579A2 (en) 2009-06-23 2011-01-13 Altair Engineering, Inc. Illumination device including leds and a switching power control system
DE102009030205A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
US8727597B2 (en) 2009-06-24 2014-05-20 Oree, Inc. Illumination apparatus with high conversion efficiency and methods of forming the same
KR101055762B1 (ko) * 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
WO2010151600A1 (en) 2009-06-27 2010-12-29 Michael Tischler High efficiency leds and led lamps
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
CN102473803B (zh) 2009-07-28 2014-09-10 A·V·维什尼科夫 用于固体白光源的无机发光材料
DE102009035100A1 (de) * 2009-07-29 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode und Konversionselement für eine Leuchtdiode
JP5444919B2 (ja) * 2009-07-29 2014-03-19 ソニー株式会社 照明装置、及び液晶表示装置
JP2009260390A (ja) * 2009-08-05 2009-11-05 Osram-Melco Ltd 可変色発光ダイオード素子
KR101172143B1 (ko) * 2009-08-10 2012-08-07 엘지이노텍 주식회사 백색 발광다이오드 소자용 시온계 산화질화물 형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 ｌｅｄ 소자
DE102009037186A1 (de) 2009-08-12 2011-02-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauteil
US8197105B2 (en) * 2009-08-13 2012-06-12 Intematix Corporation LED-based lamps
KR20120062773A (ko) 2009-08-14 2012-06-14 큐디 비젼, 인크. 조명 장치, 조명 장치용 광학 요소, 및 방법
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
JP5406638B2 (ja) * 2009-08-31 2014-02-05 カシオ計算機株式会社 光源装置及びプロジェクタ
JP5406639B2 (ja) * 2009-08-31 2014-02-05 カシオ計算機株式会社 光源装置及びプロジェクタ
US9909058B2 (en) * 2009-09-02 2018-03-06 Lg Innotek Co., Ltd. Phosphor, phosphor manufacturing method, and white light emitting device
KR101163902B1 (ko) 2010-08-10 2012-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
USD608938S1 (en) 2009-09-03 2010-01-26 Osram Sylvania Inc. Lamp base with translucent light guide
TWI385782B (zh) * 2009-09-10 2013-02-11 隆達電子股份有限公司 白光發光元件
EP2480816A1 (en) 2009-09-25 2012-08-01 Cree, Inc. Lighting device with low glare and high light level uniformity
US7977641B2 (en) * 2009-09-29 2011-07-12 General Electric Company Scintillator, associated detecting device and method
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
DE102009049056A1 (de) 2009-10-12 2011-04-14 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Beschichtung eines Silikat-Leuchtstoffs
TWI403005B (zh) * 2009-10-12 2013-07-21 英特明光能股份有限公司 發光二極體及其製作方法
US8089086B2 (en) * 2009-10-19 2012-01-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source
US20110090669A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 Tsung-Ting Sun Led lighting device and light source module for the same
US8440104B2 (en) * 2009-10-21 2013-05-14 General Electric Company Kimzeyite garnet phosphors
CN101760197B (zh) * 2009-10-27 2013-08-07 上海祥羚光电科技发展有限公司 一种白光led用黄色荧光粉及其制备方法
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
CN102597161A (zh) 2009-10-30 2012-07-18 加利福尼亚大学董事会 用于固态白光照明应用的基于氧氟化物的固溶体磷光体和包括所述磷光体的白光发光二极管
KR101924080B1 (ko) 2009-11-11 2018-11-30 삼성 리서치 아메리카 인코포레이티드 양자점을 포함하는 디바이스
KR101020998B1 (ko) * 2009-11-12 2011-03-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
JP4888853B2 (ja) * 2009-11-12 2012-02-29 学校法人慶應義塾 液晶表示装置の視認性改善方法、及びそれを用いた液晶表示装置
TWI531088B (zh) * 2009-11-13 2016-04-21 首爾偉傲世有限公司 具有分散式布拉格反射器的發光二極體晶片
US8963178B2 (en) * 2009-11-13 2015-02-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector and method of fabricating the same
US8779685B2 (en) 2009-11-19 2014-07-15 Intematix Corporation High CRI white light emitting devices and drive circuitry
CN102667312B (zh) * 2009-12-08 2014-10-15 夏普株式会社 照明装置、显示装置以及电视接收装置
JP5565793B2 (ja) * 2009-12-08 2014-08-06 学校法人立命館 深紫外発光素子及びその製造方法
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
JP5707697B2 (ja) 2009-12-17 2015-04-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
CN101847680A (zh) * 2009-12-21 2010-09-29 深圳市成光兴实业发展有限公司 采用丝网印刷工艺的白光led荧光粉膜层及制作方法
KR101646255B1 (ko) * 2009-12-22 2016-08-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법
KR20110076447A (ko) * 2009-12-29 2011-07-06 삼성전자주식회사 발광 장치 및 이를 포함하는 표시 장치
CN101760196B (zh) * 2009-12-29 2012-11-21 四川大学 一种白光led用黄色荧光粉的合成方法
CN101797698B (zh) * 2009-12-30 2012-01-18 马勒三环气门驱动(湖北)有限公司 气门轴向尺寸的控制方法
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
US8384121B2 (en) 2010-06-29 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. Electronic devices with yielding substrates
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
CN102656248B (zh) 2010-01-08 2014-07-16 夏普株式会社 荧光体、发光装置及使用它的液晶显示装置
US9631782B2 (en) * 2010-02-04 2017-04-25 Xicato, Inc. LED-based rectangular illumination device
WO2011097137A1 (en) 2010-02-04 2011-08-11 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same
US20120305973A1 (en) * 2010-02-08 2012-12-06 Yoshihiko Chosa Light-emitting device and surface light source device using the same
KR20110094996A (ko) * 2010-02-18 2011-08-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지, 그 제조방법 및 조명시스템
WO2011105666A1 (ko) * 2010-02-24 2011-09-01 Shim Hyun-Seop 엘이디 색변환용 유브이 코팅 조성물
GB2478287A (en) 2010-03-01 2011-09-07 Merck Patent Gmbh Electro-optical switching element and electro-optical display
US8716038B2 (en) 2010-03-02 2014-05-06 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpiece processing systems and associated methods of color correction
US8562161B2 (en) 2010-03-03 2013-10-22 Cree, Inc. LED based pedestal-type lighting structure
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
JP5769290B2 (ja) * 2010-03-03 2015-08-26 国立研究開発法人産業技術総合研究所 照明装置
US8632196B2 (en) 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
US20110220920A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Brian Thomas Collins Methods of forming warm white light emitting devices having high color rendering index values and related light emitting devices
KR101857772B1 (ko) * 2010-03-16 2018-06-28 필립스 라이팅 홀딩 비.브이. 조명 장치
WO2011115820A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Nitto Denko Corporation Garnet-based phosphor ceramic sheets for light emitting device
US8324798B2 (en) * 2010-03-19 2012-12-04 Nitto Denko Corporation Light emitting device using orange-red phosphor with co-dopants
KR101666442B1 (ko) * 2010-03-25 2016-10-17 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
EP2553332B1 (en) 2010-03-26 2016-03-23 iLumisys, Inc. Inside-out led bulb
WO2011119907A2 (en) 2010-03-26 2011-09-29 Altair Engineering, Inc. Led light tube with dual sided light distribution
US8541958B2 (en) 2010-03-26 2013-09-24 Ilumisys, Inc. LED light with thermoelectric generator
EP2555261A1 (en) * 2010-03-30 2013-02-06 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device
CN102844404A (zh) 2010-03-31 2012-12-26 奥斯兰姆施尔凡尼亚公司 磷光体和含有它的leds
EP2554627B1 (en) 2010-03-31 2018-01-10 Ube Industries, Ltd. Ceramic composites for light conversion, process for production thereof, and light-emitting devices provided with same
US8322884B2 (en) 2010-03-31 2012-12-04 Abl Ip Holding Llc Solid state lighting with selective matching of index of refraction
US9080729B2 (en) 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
US8395312B2 (en) * 2010-04-19 2013-03-12 Bridgelux, Inc. Phosphor converted light source having an additional LED to provide long wavelength light
TWI394827B (zh) * 2010-04-20 2013-05-01 China Glaze Co Ltd 螢光材料與白光發光裝置
TWI374179B (en) * 2010-05-07 2012-10-11 Chi Mei Corp Fluorescent substance and light-emitting device
JP4809508B1 (ja) 2010-05-14 2011-11-09 パナソニック株式会社 Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄランプおよび照明装置
JP2011242536A (ja) * 2010-05-17 2011-12-01 Canon Inc 表示装置
KR20130083388A (ko) * 2010-05-20 2013-07-22 다리엔 루밍라이트 컴퍼니 리미티드 벗겨지는 광변환 발광필름
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
US8596821B2 (en) 2010-06-08 2013-12-03 Cree, Inc. LED light bulbs
JP5323131B2 (ja) 2010-06-09 2013-10-23 信越化学工業株式会社 蛍光粒子及び発光ダイオード並びにこれらを用いた照明装置及び液晶パネル用バックライト装置
CN102277164B (zh) * 2010-06-10 2013-11-06 奇美实业股份有限公司 荧光粉体及发光装置
US8807799B2 (en) 2010-06-11 2014-08-19 Intematix Corporation LED-based lamps
US8888318B2 (en) 2010-06-11 2014-11-18 Intematix Corporation LED spotlight
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it
KR101699497B1 (ko) 2010-06-22 2017-01-24 도요보 가부시키가이샤 액정표시장치, 편광판 및 편광자 보호 필름
JP5706962B2 (ja) 2010-06-24 2015-04-22 ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 発光ダイオード
US9371973B2 (en) 2010-06-28 2016-06-21 Shenzhen Liown Electronics Company Ltd. Electronic lighting device and method for manufacturing same
JP2012019062A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法
US8454193B2 (en) 2010-07-08 2013-06-04 Ilumisys, Inc. Independent modules for LED fluorescent light tube replacement
US8207663B2 (en) 2010-07-09 2012-06-26 Nitto Denko Corporation Phosphor composition and light emitting device using the same
US8596813B2 (en) 2010-07-12 2013-12-03 Ilumisys, Inc. Circuit board mount for LED light tube
US20130049575A1 (en) * 2010-07-14 2013-02-28 Shunsuke Fujita Phosphor composite member, led device and method for manufacturing phosphor composite member
US8941135B2 (en) 2010-07-15 2015-01-27 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same
DE102010031755A1 (de) * 2010-07-21 2012-02-09 Merck Patent Gmbh Aluminat-Leuchtstoffe
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
CN102339936B (zh) * 2010-07-27 2015-04-29 展晶科技(深圳)有限公司 发光装置封装结构及其制造方法
EP2599133A2 (en) 2010-07-28 2013-06-05 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode having distributed bragg reflector
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
CN103201213B (zh) 2010-08-04 2016-04-13 宇部兴产株式会社 硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、利用该粉末的CaAlSiN3磷光体、利用该粉末的Sr2Si5N8磷光体、利用该粉末的(Sr,Ca)AlSiN3磷光体、利用该粉末的La3Si6N11磷光体和该磷光体的制造方法
CN102376860A (zh) 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
US8946998B2 (en) 2010-08-09 2015-02-03 Intematix Corporation LED-based light emitting systems and devices with color compensation
US8852455B2 (en) 2010-08-17 2014-10-07 Intematix Corporation Europium-activated, beta-SiAlON based green phosphors
WO2012024607A2 (en) 2010-08-20 2012-02-23 Research Triangle Institute, International Lighting devices utilizing optical waveguides and remote light converters, and related methods
US9562671B2 (en) 2010-08-20 2017-02-07 Research Triangle Institute Color-tunable lighting devices and methods of use
WO2012024591A1 (en) 2010-08-20 2012-02-23 Research Triangle Institute, International Photoluminescent nanofiber composites, methods for fabrication, and related lighting devices
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
EP2426186B1 (en) 2010-09-03 2016-03-23 Stcube, Inc. Led light converting resin composition and led member using the same
TWI486254B (zh) 2010-09-20 2015-06-01 Nitto Denko Corp 發光陶瓷層板及其製造方法
DE102010041236A1 (de) 2010-09-23 2012-03-29 Osram Ag Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US8354784B2 (en) 2010-09-28 2013-01-15 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
KR20130139938A (ko) 2010-10-05 2013-12-23 인터매틱스 코포레이션 포토루미네센스 파장 변환을 구비한 고체상태 발광 디바이스 및 표지판
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US8610341B2 (en) 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
US8604678B2 (en) 2010-10-05 2013-12-10 Intematix Corporation Wavelength conversion component with a diffusing layer
US8614539B2 (en) 2010-10-05 2013-12-24 Intematix Corporation Wavelength conversion component with scattering particles
DE102010042217A1 (de) 2010-10-08 2012-04-12 Osram Ag Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US8729559B2 (en) 2010-10-13 2014-05-20 Soraa, Inc. Method of making bulk InGaN substrates and devices thereon
US8846172B2 (en) 2010-10-18 2014-09-30 Nitto Denko Corporation Light emissive ceramic laminate and method of making same
US9399733B2 (en) 2010-10-22 2016-07-26 Anatoly Vasilyevich Vishnyakov Luminescent material for solid-state sources of white light
WO2012058556A2 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Altair Engineering, Inc. Mechanisms for reducing risk of shock during installation of light tube
EP2634234B1 (en) * 2010-10-29 2017-12-06 National Institute for Materials Science Light-emitting device
JP5545866B2 (ja) * 2010-11-01 2014-07-09 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
CN102456294A (zh) * 2010-11-02 2012-05-16 展晶科技(深圳)有限公司 Led显示装置
US8329484B2 (en) * 2010-11-02 2012-12-11 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Phosphor with Ce3+/Ce3+, Li+ doped luminescent materials
DE102010050832A1 (de) * 2010-11-09 2012-05-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzkonversionselement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil mit Lumineszenzkonversionselement
US8651681B2 (en) 2010-11-10 2014-02-18 Osram Sylvania Inc. Luminescent ceramic converter and LED containing same
US20150188002A1 (en) * 2010-11-11 2015-07-02 Auterra, Inc. Light emitting devices having rare earth and transition metal activated phosphors and applications thereof
WO2012066425A2 (en) 2010-11-16 2012-05-24 Saint-Gobain Cristaux Et Detecteurs Scintillation compound including a rare earth element and a process of forming the same
CN102097571A (zh) * 2010-11-16 2011-06-15 深圳市瑞丰光电子股份有限公司 一种黄绿光二极管、背光源、手机及照明指示装置
KR20130122937A (ko) 2010-11-18 2013-11-11 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 파장 변환 소자 및 그것을 구비하는 광원
TWI460892B (zh) * 2010-11-19 2014-11-11 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體封裝結構
KR20120054484A (ko) * 2010-11-19 2012-05-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이의 제조방법
US8343785B2 (en) * 2010-11-30 2013-01-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Nitridosilicate phosphor tunable light-emitting diodes by using UV and blue chips
TWI418611B (zh) 2010-11-30 2013-12-11 松下電器產業股份有限公司 螢光體及發光裝置
WO2012075018A1 (en) * 2010-12-01 2012-06-07 Nitto Denko Corporation Emissive ceramic materials having a dopant concentration gradient and methods of making and using the same
US20120138874A1 (en) 2010-12-02 2012-06-07 Intematix Corporation Solid-state light emitting devices and signage with photoluminescence wavelength conversion and photoluminescent compositions therefor
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
US8870415B2 (en) 2010-12-09 2014-10-28 Ilumisys, Inc. LED fluorescent tube replacement light with reduced shock hazard
KR101471641B1 (ko) 2010-12-16 2014-12-10 우베 고산 가부시키가이샤 광변환용 세라믹 복합체, 그 제조 방법, 및 그것을 구비한 발광 장치
US8867295B2 (en) 2010-12-17 2014-10-21 Enpirion, Inc. Power converter for a memory module
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
WO2012088404A1 (en) 2010-12-23 2012-06-28 Qd Vision, Inc. Quantum dot containing optical element
CN102140690B (zh) * 2010-12-31 2013-05-01 陈哲艮 光致发光晶片及其制备方法和应用
KR101340552B1 (ko) * 2010-12-31 2013-12-11 제일모직주식회사 모바일 폰의 모듈 조립 방법
US8865022B2 (en) 2011-01-06 2014-10-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor particles and making method
US9617469B2 (en) 2011-01-06 2017-04-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phosphor particles, making method, and light-emitting diode
US8354684B2 (en) 2011-01-09 2013-01-15 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in an interconnect structure
JP5445473B2 (ja) 2011-01-14 2014-03-19 信越化学工業株式会社 光学材料形成用シリコーン樹脂組成物及び光学材料
US8389957B2 (en) 2011-01-14 2013-03-05 Lumencor, Inc. System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system
US8466436B2 (en) 2011-01-14 2013-06-18 Lumencor, Inc. System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system
US9508904B2 (en) 2011-01-31 2016-11-29 Cree, Inc. Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
KR101210066B1 (ko) 2011-01-31 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 이를 포함하는 표시장치
US9068701B2 (en) 2012-01-26 2015-06-30 Cree, Inc. Lamp structure with remote LED light source
US9234655B2 (en) 2011-02-07 2016-01-12 Cree, Inc. Lamp with remote LED light source and heat dissipating elements
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
JP5654378B2 (ja) * 2011-02-18 2015-01-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
US8314566B2 (en) 2011-02-22 2012-11-20 Quarkstar Llc Solid state lamp using light emitting strips
TWI431813B (zh) * 2011-02-24 2014-03-21 新世紀光電股份有限公司 Light emitting diode components
KR101952138B1 (ko) 2011-02-24 2019-02-26 닛토 덴코 가부시키가이샤 형광체 성분을 갖는 발광 복합물
TWM407494U (en) * 2011-02-25 2011-07-11 Unity Opto Technology Co Ltd LED package structure
US20130329448A1 (en) * 2011-03-01 2013-12-12 Osram Gmbh Lighting apparatus with phosphor element
US8278806B1 (en) 2011-03-02 2012-10-02 Osram Sylvania Inc. LED reflector lamp
JP2012182376A (ja) * 2011-03-02 2012-09-20 Stanley Electric Co Ltd 波長変換部材および光源装置
US9085732B2 (en) 2011-03-11 2015-07-21 Intematix Corporation Millisecond decay phosphors for AC LED lighting applications
EP2688114B1 (en) 2011-03-15 2017-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba White light source
US9004705B2 (en) 2011-04-13 2015-04-14 Intematix Corporation LED-based light sources for light emitting devices and lighting arrangements with photoluminescence wavelength conversion
KR101337999B1 (ko) * 2011-04-20 2013-12-06 조성매 단일상 형광체를 포함하는 백색 발광 다이오드
CN102563543B (zh) 2011-05-09 2015-01-07 深圳市绎立锐光科技开发有限公司 基于光波长转换产生高亮度单色光的方法及光源
WO2013019299A2 (en) 2011-05-11 2013-02-07 Qd Vision, Inc. Method for processing devices including quantum dots and devices
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
CN102305370B (zh) * 2011-05-18 2013-04-17 福建华映显示科技有限公司 背光模块及选取暨配置背光模块的发光组件的方法
JP6180113B2 (ja) * 2011-05-18 2017-08-16 東洋紡株式会社 三次元画像表示対応液晶表示装置に適した偏光板及び液晶表示装置
US10180597B2 (en) * 2011-05-18 2019-01-15 Toyobo Co., Ltd. Liquid crystal display device, polarizing plate, and polarizer protection film
US8860056B2 (en) * 2011-12-01 2014-10-14 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Structure and method for LED with phosphor coating
US8747697B2 (en) * 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
TWI467808B (zh) * 2011-06-27 2015-01-01 Delta Electronics Inc 發光二極體元件、其製作方法以及發光裝置
US8663501B2 (en) 2011-06-29 2014-03-04 General Electric Company Green emitting phosphor
CN103222026A (zh) 2011-07-04 2013-07-24 松下电器产业株式会社 等离子体显示面板
EP2730637B1 (en) 2011-07-05 2017-06-14 Panasonic Corporation Rare-earth aluminum garnet type fluorescent substance and light-emitting device obtained using same
KR101305696B1 (ko) 2011-07-14 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 표시장치 및 광학 부재
US8492185B1 (en) 2011-07-14 2013-07-23 Soraa, Inc. Large area nonpolar or semipolar gallium and nitrogen containing substrate and resulting devices
KR20130009020A (ko) 2011-07-14 2013-01-23 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101893494B1 (ko) 2011-07-18 2018-08-30 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101241549B1 (ko) 2011-07-18 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101262520B1 (ko) 2011-07-18 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101294415B1 (ko) 2011-07-20 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
JP5396439B2 (ja) * 2011-07-22 2014-01-22 学校法人慶應義塾 液晶表示装置の視認性改善方法、及びそれを用いた液晶表示装置
JP5559108B2 (ja) * 2011-08-05 2014-07-23 株式会社東芝 半導体発光装置
WO2013024910A1 (ko) * 2011-08-16 2013-02-21 삼성전자주식회사 색온도 조절이 가능한 ｌｅｄ 장치
WO2013026053A1 (en) 2011-08-18 2013-02-21 Lynk Labs, Inc. Devices and systems having ac led circuits and methods of driving the same
WO2013028965A2 (en) 2011-08-24 2013-02-28 Ilumisys, Inc. Circuit board mount for led light
JP5899485B2 (ja) * 2011-08-29 2016-04-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂塗布装置および樹脂塗布方法
KR101823930B1 (ko) 2011-08-29 2018-01-31 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 어레이 및 발광소자 패키지 제조 방법
CN103299719B (zh) 2011-09-02 2014-10-22 三菱化学株式会社 照明方法和发光装置
WO2013031943A1 (ja) 2011-09-02 2013-03-07 三菱化学株式会社 照明方法及び発光装置
WO2013036062A2 (en) * 2011-09-08 2013-03-14 Lg Innotek Co., Ltd. Lighting module
US8841146B2 (en) 2011-09-12 2014-09-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method and system for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers having controlled color characteristics
US8492746B2 (en) 2011-09-12 2013-07-23 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) dice having wavelength conversion layers
US8912021B2 (en) 2011-09-12 2014-12-16 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. System and method for fabricating light emitting diode (LED) dice with wavelength conversion layers
US8410508B1 (en) 2011-09-12 2013-04-02 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diode (LED) package having wavelength conversion member and wafer level fabrication method
DE102011113802A1 (de) 2011-09-20 2013-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Modul mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
US10688527B2 (en) 2011-09-22 2020-06-23 Delta Electronics, Inc. Phosphor device comprising plural phosphor agents for converting waveband light into plural color lights with different wavelength peaks
US10310363B2 (en) 2011-09-22 2019-06-04 Delta Electronics, Inc. Phosphor device with spectrum of converted light comprising at least a color light
TWI448806B (zh) 2011-09-22 2014-08-11 Delta Electronics Inc 螢光劑裝置及其所適用之光源系統及投影設備
JP5690696B2 (ja) 2011-09-28 2015-03-25 富士フイルム株式会社 平版印刷版の製版方法
US20130088848A1 (en) 2011-10-06 2013-04-11 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
US8992051B2 (en) 2011-10-06 2015-03-31 Intematix Corporation Solid-state lamps with improved radial emission and thermal performance
US9365766B2 (en) 2011-10-13 2016-06-14 Intematix Corporation Wavelength conversion component having photo-luminescence material embedded into a hermetic material for remote wavelength conversion
US9115868B2 (en) 2011-10-13 2015-08-25 Intematix Corporation Wavelength conversion component with improved protective characteristics for remote wavelength conversion
EP2766936B1 (en) 2011-10-13 2019-09-18 Intematix Corporation Light emitting device with photoluminescence wavelength conversion component
US9694158B2 (en) 2011-10-21 2017-07-04 Ahmad Mohamad Slim Torque for incrementally advancing a catheter during right heart catheterization
US10029955B1 (en) 2011-10-24 2018-07-24 Slt Technologies, Inc. Capsule for high pressure, high temperature processing of materials and methods of use
CN102495495B (zh) 2011-10-28 2015-03-11 友达光电股份有限公司 具可透视性的显示装置及其使用的影像显示方法
KR101251815B1 (ko) * 2011-11-07 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
US8591072B2 (en) 2011-11-16 2013-11-26 Oree, Inc. Illumination apparatus confining light by total internal reflection and methods of forming the same
WO2013078251A1 (en) 2011-11-22 2013-05-30 Qd Vision, Inc. Stress-resistant component for use with quantum dots
WO2013082609A1 (en) 2011-12-02 2013-06-06 Lynk Labs, Inc. Color temperature controlled and low thd led lighting devices and systems and methods of driving the same
JP5712916B2 (ja) * 2011-12-22 2015-05-07 信越化学工業株式会社 イットリウムセリウムアルミニウムガーネット蛍光体及び発光装置
EP2607449B1 (en) 2011-12-22 2014-04-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of yttrium-cerium-aluminum garnet phosphor
CN103173217B (zh) * 2011-12-23 2017-03-01 李建立 耐温氮化物荧光材料及含有其的发光装置
US8482104B2 (en) 2012-01-09 2013-07-09 Soraa, Inc. Method for growth of indium-containing nitride films
US9642515B2 (en) 2012-01-20 2017-05-09 Lumencor, Inc. Solid state continuous white light source
WO2013112542A1 (en) 2012-01-25 2013-08-01 Intematix Corporation Long decay phosphors for lighting applications
KR20140112534A (ko) 2012-02-08 2014-09-23 파나소닉 주식회사 발광 장치
KR101419664B1 (ko) 2012-02-08 2014-07-15 파나소닉 주식회사 이트륨알루미늄가넷 타입의 형광체
JP5893429B2 (ja) * 2012-02-21 2016-03-23 スタンレー電気株式会社 メタンガスセンサ用蛍光体、メタンガスセンサ用光源及びメタンガスセンサ
DE102012202927B4 (de) 2012-02-27 2021-06-10 Osram Gmbh Lichtquelle mit led-chip und leuchtstoffschicht
US9184518B2 (en) 2012-03-02 2015-11-10 Ilumisys, Inc. Electrical connector header for an LED-based light
US11032884B2 (en) 2012-03-02 2021-06-08 Ledengin, Inc. Method for making tunable multi-led emitter module
JP2015510954A (ja) 2012-03-06 2015-04-13 日東電工株式会社 発光デバイス用のセラミック体
US9581311B2 (en) * 2012-03-12 2017-02-28 L-3 Communications Corporation Backlight display using photoluminescent material tuned to improve NVIS compatibility
US9068717B2 (en) * 2012-03-12 2015-06-30 L-3 Communications Corporation Backlight display using photoluminescent material tuned to improve NVIS compatibility
US9488359B2 (en) 2012-03-26 2016-11-08 Cree, Inc. Passive phase change radiators for LED lamps and fixtures
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
WO2013146994A1 (ja) 2012-03-30 2013-10-03 宇部興産株式会社 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置
US10559939B1 (en) 2012-04-05 2020-02-11 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
US9800016B1 (en) 2012-04-05 2017-10-24 Soraa Laser Diode, Inc. Facet on a gallium and nitrogen containing laser diode
JP2015121569A (ja) * 2012-04-16 2015-07-02 シャープ株式会社 表示装置
KR102071849B1 (ko) 2012-04-20 2020-01-31 메르크 파텐트 게엠베하 전기-광학 스위칭 소자 및 전기-광학 디스플레이
EP2842176B1 (en) 2012-04-26 2018-11-07 Intematix Corporation Methods and apparatus for implementing color consistency in remote wavelength conversion
US8907809B2 (en) 2012-05-03 2014-12-09 Abl Ip Holding Llc Visual perception and acuity disruption techniques and systems
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
WO2013166601A1 (en) * 2012-05-07 2013-11-14 Radovanovic Pavle Light emitting material and method for production thereof
WO2013172025A1 (ja) 2012-05-16 2013-11-21 パナソニック株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたｌｅｄ素子および半導体レーザ発光装置
WO2013175773A1 (ja) 2012-05-22 2013-11-28 パナソニック株式会社 波長変換素子およびその製造方法ならびに波長変換素子を用いたｌｅｄ素子および半導体レーザ発光装置
US9685594B2 (en) 2012-05-31 2017-06-20 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. LED module and method of preparing the LED module, lighting device
JP5304939B1 (ja) * 2012-05-31 2013-10-02 大日本印刷株式会社 光学積層体、偏光板、偏光板の製造方法、画像表示装置、画像表示装置の製造方法及び画像表示装置の視認性改善方法
US10145026B2 (en) 2012-06-04 2018-12-04 Slt Technologies, Inc. Process for large-scale ammonothermal manufacturing of semipolar gallium nitride boules
US9231178B2 (en) 2012-06-07 2016-01-05 Cooledge Lighting, Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
JP5789564B2 (ja) * 2012-06-11 2015-10-07 学校法人慶應義塾 液晶表示装置の視認性改善方法、及びそれを用いた液晶表示装置
WO2013188678A1 (en) 2012-06-13 2013-12-19 Innotec, Corp. Flexible light pipe
KR20130140462A (ko) 2012-06-14 2013-12-24 삼성디스플레이 주식회사 포토루미네슨스 표시 장치
US9217561B2 (en) 2012-06-15 2015-12-22 Lumencor, Inc. Solid state light source for photocuring
US9857519B2 (en) 2012-07-03 2018-01-02 Oree Advanced Illumination Solutions Ltd. Planar remote phosphor illumination apparatus
WO2014008463A1 (en) 2012-07-06 2014-01-09 Ilumisys, Inc. Power supply assembly for led-based light tube
US9271367B2 (en) 2012-07-09 2016-02-23 Ilumisys, Inc. System and method for controlling operation of an LED-based light
US8994056B2 (en) 2012-07-13 2015-03-31 Intematix Corporation LED-based large area display
JP2014130998A (ja) * 2012-07-20 2014-07-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、波長変換部材、蛍光体組成物、及び蛍光体混合物
JP2014170895A (ja) * 2013-03-05 2014-09-18 Mitsubishi Chemicals Corp 波長変換部材及びこれを用いた発光装置
WO2014014079A1 (ja) * 2012-07-20 2014-01-23 三菱化学株式会社 発光装置、波長変換部材、蛍光体組成物、及び蛍光体混合物
JP2014019860A (ja) 2012-07-24 2014-02-03 Shin Etsu Chem Co Ltd 蛍光体前駆体の製造方法、蛍光体の製造方法及び波長変換部品
US9275912B1 (en) 2012-08-30 2016-03-01 Soraa, Inc. Method for quantification of extended defects in gallium-containing nitride crystals
WO2014034228A1 (ja) 2012-08-31 2014-03-06 三菱化学株式会社 照明方法及び発光装置
WO2014050183A1 (ja) 2012-09-28 2014-04-03 シャープ株式会社 蛍光体含有封止材の製造方法、蛍光体含有封止材、発光装置の製造方法およびディスペンサー
US9299555B1 (en) 2012-09-28 2016-03-29 Soraa, Inc. Ultrapure mineralizers and methods for nitride crystal growth
RU2533709C2 (ru) * 2012-10-05 2014-11-20 Общество с ограниченной ответственностью "Минерал" Монокристаллический люминофорный материал для светодиодов белого света
EP2733190B1 (en) 2012-11-16 2020-01-01 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor composition and light emitting device package having the same
DE102012220980A1 (de) 2012-11-16 2014-05-22 Osram Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement
WO2014091539A1 (ja) * 2012-12-10 2014-06-19 株式会社エルム 発光装置、ｌｅｄ照明装置、および、前記発光装置に用いられる蛍光体含有フィルム片の製造方法
TWM450828U (zh) * 2012-12-14 2013-04-11 點量科技股份有限公司 熱電分離的發光二極體模組和相關的散熱載板
US9437788B2 (en) * 2012-12-19 2016-09-06 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) component comprising a phosphor with improved excitation properties
WO2014097527A1 (ja) 2012-12-20 2014-06-26 パナソニック株式会社 希土類アルミニウムガーネットタイプ無機酸化物、蛍光体及びこれを用いた発光装置
JP6089686B2 (ja) * 2012-12-25 2017-03-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
US9474116B2 (en) 2013-01-03 2016-10-18 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Minimized color shift lighting arrangement during dimming
TW201428087A (zh) 2013-01-11 2014-07-16 kai-xiong Cai 發光裝置及其耐溫碳化物螢光材料
TW201429009A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 立誠光電股份有限公司 發光二極體裝置及散熱基板的製造方法
CN103943759B (zh) 2013-01-21 2018-04-27 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 包括发光含钆材料的物件及其形成工艺
US9217543B2 (en) 2013-01-28 2015-12-22 Intematix Corporation Solid-state lamps with omnidirectional emission patterns
DE102013100888A1 (de) * 2013-01-29 2014-07-31 Schott Ag Licht-Konzentrator oder -Verteiler
US8754435B1 (en) 2013-02-19 2014-06-17 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED package and related methods
US8933478B2 (en) 2013-02-19 2015-01-13 Cooledge Lighting Inc. Engineered-phosphor LED packages and related methods
CN104885571B (zh) 2013-03-04 2017-06-09 西铁城电子株式会社 发光装置、发光装置的设计方法、发光装置的驱动方法、照明方法和发光装置的制造方法
WO2014136407A1 (ja) 2013-03-08 2014-09-12 パナソニック株式会社 希土類アルミニウムガーネットタイプ無機酸化物、蛍光体及びこれを用いた発光装置
US9754807B2 (en) * 2013-03-12 2017-09-05 Applied Materials, Inc. High density solid state light source array
US9285084B2 (en) 2013-03-14 2016-03-15 Ilumisys, Inc. Diffusers for LED-based lights
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
EP2973751A4 (en) 2013-03-15 2016-11-16 Gary Wayne Jones CONVERSION DEVICE FOR SPECTRAL ENVIRONMENTAL LIGHT
CN105121951A (zh) * 2013-03-15 2015-12-02 英特曼帝克司公司 光致发光波长转换组件
JP5718398B2 (ja) * 2013-03-18 2015-05-13 オリンパス株式会社 内視鏡装置
JP5698780B2 (ja) * 2013-03-18 2015-04-08 オリンパス株式会社 光源装置およびそれを備えた内視鏡装置
JP5698779B2 (ja) * 2013-03-18 2015-04-08 オリンパス株式会社 光源装置を有する内視鏡装置
CZ304579B6 (cs) 2013-04-22 2014-07-16 Crytur Spol. S R. O. Dioda emitující bílé světlo s monokrystalickým luminoforem a způsob výroby
US9966511B2 (en) * 2013-04-25 2018-05-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting diode component
JP6167913B2 (ja) 2013-04-26 2017-07-26 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP6102763B2 (ja) 2013-04-26 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びそれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法
US8941295B2 (en) 2013-04-29 2015-01-27 Kai-Shon Tsai Fluorescent material and illumination device
US9231168B2 (en) 2013-05-02 2016-01-05 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure
JP2013179335A (ja) * 2013-05-08 2013-09-09 Mitsubishi Chemicals Corp 白色発光素子
JPWO2014188847A1 (ja) * 2013-05-21 2017-02-23 セントラル硝子株式会社 広帯域発光材料及び白色光発光材料
US9704834B2 (en) 2013-05-28 2017-07-11 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing light-emitting device
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
WO2014203841A1 (ja) * 2013-06-18 2014-12-24 シャープ株式会社 発光装置
KR102098589B1 (ko) 2013-07-04 2020-04-09 삼성전자주식회사 파장변환부재 및 그 제조방법과, 이를 구비한 반도체 발광장치
CN104332539B (zh) 2013-07-22 2017-10-24 中国科学院福建物质结构研究所 GaN基LED外延结构及其制造方法
TW201508207A (zh) * 2013-08-27 2015-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 車燈模組
JP6139334B2 (ja) * 2013-08-28 2017-05-31 東芝マテリアル株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びにその蛍光体を用いたｌｅｄランプ
US9863595B2 (en) 2013-08-28 2018-01-09 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting unit with optical plate reflecting excitation light and transmitting fluorescent light, and light-emitting device, illumination device, and vehicle headlight including the unit
KR102106143B1 (ko) 2013-09-02 2020-05-04 대주전자재료 주식회사 적색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
WO2015045260A1 (ja) 2013-09-30 2015-04-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置、照明光源、照明装置
BR112016007234B1 (pt) 2013-10-08 2022-02-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Fósforo para emissão de luz vermelha e seu processo de produção
US9267650B2 (en) 2013-10-09 2016-02-23 Ilumisys, Inc. Lens for an LED-based light
JP6384893B2 (ja) 2013-10-23 2018-09-05 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
JP5620562B1 (ja) 2013-10-23 2014-11-05 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
FR3012677B1 (fr) * 2013-10-25 2015-12-25 Commissariat Energie Atomique Dispositif emissif lumineux, dispositif et procede d'ajustement d'une emission lumineuse d'une diode electroluminescente a phosphore
CN105745303A (zh) 2013-11-13 2016-07-06 Lg伊诺特有限公司 蓝绿色荧光粉、发光器件封装和包括其的照明装置
US9499740B2 (en) 2013-11-22 2016-11-22 Nitto Denko Corporation Light extraction element
US9551468B2 (en) 2013-12-10 2017-01-24 Gary W. Jones Inverse visible spectrum light and broad spectrum light source for enhanced vision
US10288233B2 (en) 2013-12-10 2019-05-14 Gary W. Jones Inverse visible spectrum light and broad spectrum light source for enhanced vision
JP6222452B2 (ja) 2013-12-17 2017-11-01 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
CN111554790B (zh) 2013-12-27 2023-09-15 西铁城电子株式会社 发光装置的设计方法
CN105849920B (zh) 2013-12-27 2020-11-06 西铁城电子株式会社 发光装置和发光装置的设计方法
CN106063381A (zh) 2014-01-22 2016-10-26 伊卢米斯公司 具有被寻址led的基于led的灯
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
JP6528418B2 (ja) 2014-01-29 2019-06-12 日亜化学工業株式会社 蛍光体及びこれを用いた発光装置
CN103779488A (zh) * 2014-01-31 2014-05-07 芜湖市神龙新能源科技有限公司 一种白色led灯光电玻璃
JP6038824B2 (ja) 2014-02-07 2016-12-07 信越化学工業株式会社 硬化性組成物、半導体装置、及びエステル結合含有有機ケイ素化合物
KR101501020B1 (ko) * 2014-02-17 2015-03-13 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지, 백라이트 유닛, 조명 장치 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
US9360188B2 (en) 2014-02-20 2016-06-07 Cree, Inc. Remote phosphor element filled with transparent material and method for forming multisection optical elements
KR102219263B1 (ko) 2014-02-28 2021-02-24 대주전자재료 주식회사 산질화물계 적색 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
US9442245B2 (en) * 2014-03-13 2016-09-13 Norman Napaul Pepin Light scaffold electric arc sound effect
US9680067B2 (en) * 2014-03-18 2017-06-13 GE Lighting Solutions, LLC Heavily phosphor loaded LED packages having higher stability
US9590148B2 (en) 2014-03-18 2017-03-07 GE Lighting Solutions, LLC Encapsulant modification in heavily phosphor loaded LED packages for improved stability
JP2015199640A (ja) 2014-04-01 2015-11-12 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いてなる発光デバイス
KR102213650B1 (ko) 2014-04-18 2021-02-08 대주전자재료 주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 이용한 백색 발광 장치
US9593812B2 (en) 2014-04-23 2017-03-14 Cree, Inc. High CRI solid state lighting devices with enhanced vividness
US9241384B2 (en) 2014-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state lighting devices with adjustable color point
US9510400B2 (en) 2014-05-13 2016-11-29 Ilumisys, Inc. User input systems for an LED-based light
US9215761B2 (en) 2014-05-15 2015-12-15 Cree, Inc. Solid state lighting devices with color point non-coincident with blackbody locus
US9318670B2 (en) 2014-05-21 2016-04-19 Intematix Corporation Materials for photoluminescence wavelength converted solid-state light emitting devices and arrangements
JP2016027613A (ja) 2014-05-21 2016-02-18 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いた発光装置
CN103980902A (zh) * 2014-05-21 2014-08-13 烟台建塬光电技术有限公司 掺杂Ga、Bi的铝酸盐绿色荧光粉及其制备方法
DE102014107321B4 (de) 2014-05-23 2019-06-27 Tailorlux Gmbh Infrarot LED
KR101476217B1 (ko) 2014-05-28 2014-12-24 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
US9515056B2 (en) 2014-06-06 2016-12-06 Cree, Inc. Solid state lighting device including narrow spectrum emitter
US9192013B1 (en) 2014-06-06 2015-11-17 Cree, Inc. Lighting devices with variable gamut
JP6406109B2 (ja) 2014-07-08 2018-10-17 日亜化学工業株式会社 蛍光体およびそれを用いた発光装置ならびに蛍光体の製造方法
KR101467808B1 (ko) 2014-07-14 2014-12-03 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지
US20160064630A1 (en) * 2014-08-26 2016-03-03 Texas Instruments Incorporated Flip chip led package
KR102275147B1 (ko) 2014-09-12 2021-07-09 대주전자재료 주식회사 산질화물계 형광체 및 이를 이용한 발광 장치
US9528876B2 (en) 2014-09-29 2016-12-27 Innovative Science Tools, Inc. Solid state broad band near-infrared light source
CN105459888B (zh) * 2014-09-30 2020-03-20 福特全球技术公司 光致发光车辆图形
CN105567236B (zh) * 2014-10-15 2018-07-20 有研稀土新材料股份有限公司 石榴石型荧光粉和制备方法及包含该荧光粉的装置
WO2016086180A1 (en) 2014-11-26 2016-06-02 Ledengin, Inc. Compact emitter for warm dimming and color tunable lamp
US9701411B2 (en) * 2014-12-10 2017-07-11 Airbus Operations Gmbh Evacuation slide with a guidance marking
JP6486099B2 (ja) * 2014-12-19 2019-03-20 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光モジュール
JP6514510B2 (ja) * 2015-01-14 2019-05-15 株式会社小糸製作所 車両用灯具
US9702524B2 (en) 2015-01-27 2017-07-11 Cree, Inc. High color-saturation lighting devices
US9530944B2 (en) 2015-01-27 2016-12-27 Cree, Inc. High color-saturation lighting devices with enhanced long wavelength illumination
EP4166627B1 (en) 2015-02-26 2025-12-03 Luxium Solutions SAS Scintillation crystal including a co-doped rare earth silicate, a radiation detection apparatus including the scintillation crystal, and a process of forming the same
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
US9681510B2 (en) 2015-03-26 2017-06-13 Cree, Inc. Lighting device with operation responsive to geospatial position
US10249802B2 (en) * 2015-04-02 2019-04-02 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
US9509217B2 (en) 2015-04-20 2016-11-29 Altera Corporation Asymmetric power flow controller for a power converter and method of operating the same
US9974138B2 (en) 2015-04-21 2018-05-15 GE Lighting Solutions, LLC Multi-channel lamp system and method with mixed spectrum
US9943042B2 (en) 2015-05-18 2018-04-17 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Grow light embodying power delivery and data communications features
US10161568B2 (en) 2015-06-01 2018-12-25 Ilumisys, Inc. LED-based light with canted outer walls
US9900957B2 (en) 2015-06-11 2018-02-20 Cree, Inc. Lighting device including solid state emitters with adjustable control
JP6833683B2 (ja) 2015-06-12 2021-02-24 株式会社東芝 蛍光体およびその製造方法、ならびにｌｅｄランプ
CN106328008B (zh) * 2015-06-30 2019-03-22 光宝光电(常州)有限公司 胶体填充至壳体的制法、发光二极管的数字显示器及制法
JP6544082B2 (ja) * 2015-06-30 2019-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN107848830B (zh) * 2015-07-22 2020-03-03 松下知识产权经营株式会社 石榴石化合物和其制造方法、使用了该石榴石化合物的发光装置和装饰物及该石榴石化合物的使用方法
US11437774B2 (en) 2015-08-19 2022-09-06 Kyocera Sld Laser, Inc. High-luminous flux laser-based white light source
CN106501994B (zh) * 2015-09-08 2021-10-29 青岛海信电器股份有限公司 一种量子点发光器件、背光模组及显示装置
US9844116B2 (en) 2015-09-15 2017-12-12 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
US9788387B2 (en) 2015-09-15 2017-10-10 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
EP3356724A4 (en) 2015-09-29 2019-04-17 Cabatech, LLC HORTICULTURE GREENHOUSE LAMPS
JP2017107071A (ja) 2015-12-10 2017-06-15 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び波長変換素子、並びにそれらを用いた発光装置
JP6681581B2 (ja) * 2015-12-21 2020-04-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、及び、照明装置
US10354938B2 (en) 2016-01-12 2019-07-16 Greentech LED Lighting device using short thermal path cooling technology and other device cooling by placing selected openings on heat sinks
WO2017121833A1 (en) 2016-01-14 2017-07-20 Basf Se Perylene bisimides with rigid 2,2'-biphenoxy bridges
US11050005B2 (en) 2016-03-08 2021-06-29 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor and light emitting device
EP3428697B1 (en) 2016-03-10 2023-03-01 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light emitting device
KR102383556B1 (ko) * 2016-03-10 2022-04-06 루미리즈 홀딩 비.브이. Led 모듈
US10054485B2 (en) 2016-03-17 2018-08-21 Raytheon Company UV LED-phosphor based hyperspectral calibrator
WO2017200097A1 (ja) 2016-05-20 2017-11-23 株式会社 東芝 白色光源
JP2018003006A (ja) 2016-06-24 2018-01-11 パナソニック株式会社 蛍光体およびその製造方法、ならびに発光装置
JP6880528B2 (ja) 2016-06-27 2021-06-02 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いてなる発光デバイス
JP6906277B2 (ja) 2016-06-27 2021-07-21 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いてなる発光デバイス
US10611959B2 (en) 2016-08-29 2020-04-07 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor and light emitting device
US10595376B2 (en) 2016-09-13 2020-03-17 Biological Innovation & Optimization Systems, LLC Systems and methods for controlling the spectral content of LED lighting devices
CA3248553A1 (en) * 2016-09-14 2025-02-21 Lutron Technology Company Llc Illumination device and method for adjusting periodic changes in emulation output
JP2018058383A (ja) * 2016-09-30 2018-04-12 トヨタ自動車株式会社 車両下部構造
EP3523303B1 (en) 2016-10-06 2020-09-23 Basf Se 2-phenylphenoxy-substituted perylene bisimide compounds and their use
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
KR101961030B1 (ko) * 2016-11-18 2019-03-22 효성화학 주식회사 휘도 향상 필름과 그 제조방법
WO2018096135A1 (en) 2016-11-28 2018-05-31 Merck Patent Gmbh Composition comprising a nanosized light emitting material
CN110036089B (zh) 2016-12-07 2022-08-30 神岛化学工业株式会社 陶瓷组合物
TW201828505A (zh) * 2017-01-20 2018-08-01 聯京光電股份有限公司 光電封裝體及其製造方法
US10465869B2 (en) 2017-01-30 2019-11-05 Ideal Industries Lighting Llc Skylight fixture
US10451229B2 (en) 2017-01-30 2019-10-22 Ideal Industries Lighting Llc Skylight fixture
US10174438B2 (en) 2017-03-30 2019-01-08 Slt Technologies, Inc. Apparatus for high pressure reaction
DE102017108136B4 (de) 2017-04-13 2019-03-14 X-Fab Semiconductor Foundries Ag Geometrisch geformte Bauelemente in einer Anordnung für einen Überführungsdruck (Transfer Print) und zugehörige Verfahren
JP6917179B2 (ja) * 2017-04-18 2021-08-11 スタンレー電気株式会社 白色発光装置
TWI672638B (zh) 2017-05-04 2019-09-21 宏達國際電子股份有限公司 影像處理方法、非暫態電腦可讀取媒體以及影像處理系統
JP6863071B2 (ja) * 2017-05-19 2021-04-21 日亜化学工業株式会社 希土類アルミニウム・ガリウム酸塩の組成を有する蛍光体及び発光装置
DE102017116936B4 (de) * 2017-07-26 2024-10-02 Ledvance Gmbh Verbindung eines elektrischen Leitelements mit einer Leiterplatte eines Leuchtmittels
US11079077B2 (en) 2017-08-31 2021-08-03 Lynk Labs, Inc. LED lighting system and installation methods
US11578264B2 (en) * 2017-09-20 2023-02-14 Materion Precision Optics (Shanghai) Limited Phosphor wheel with inorganic binder
JP7022367B2 (ja) 2017-09-27 2022-02-18 日本電気硝子株式会社 波長変換材料に用いられるガラス、波長変換材料、波長変換部材及び発光デバイス
JP7002275B2 (ja) * 2017-10-03 2022-02-21 株式会社小糸製作所 車両用灯具
KR102428755B1 (ko) * 2017-11-24 2022-08-02 엘지디스플레이 주식회사 파장 변환이 가능한 광섬유 및 이를 사용하는 백라이트 유닛
JP7268315B2 (ja) 2017-12-12 2023-05-08 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びその製造方法、並びに発光装置
KR102718070B1 (ko) 2017-12-19 2024-10-17 바스프 에스이 시아노아릴 치환된 벤즈(오티)오크산텐 화합물
CN108264234A (zh) * 2018-01-11 2018-07-10 武汉理工大学 一种嵌有GYAGG：Ce微晶相的闪烁微晶玻璃及其制备方法
US20190219874A1 (en) * 2018-01-16 2019-07-18 Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight module and display device
DE102019202785B4 (de) 2018-03-02 2024-01-18 Coorstek Kk Glaselement
US10575374B2 (en) 2018-03-09 2020-02-25 Ledengin, Inc. Package for flip-chip LEDs with close spacing of LED chips
EP3768799B1 (en) 2018-03-20 2022-02-09 Basf Se Yellow light emitting device
WO2019208057A1 (ja) 2018-04-25 2019-10-31 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びそれを用いた発光装置
CN119208351A (zh) 2018-05-17 2024-12-27 株式会社半导体能源研究所 显示装置
CN112384593A (zh) 2018-06-22 2021-02-19 巴斯夫欧洲公司 作为用于显示器和照明应用的绿色发射体的光稳定氰基取代硼二吡咯亚甲基染料
EP3588187A1 (en) 2018-06-22 2020-01-01 Sunland Optics Srl An image projection system
IT201900009681A1 (it) 2019-06-20 2020-12-20 Tlpicoglass Srl Sistema di proiezione di immagini
WO2020012923A1 (ja) 2018-07-12 2020-01-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光源装置、プロジェクタ及び車両
WO2020031598A1 (ja) * 2018-08-07 2020-02-13 三井金属鉱業株式会社 光拡散部材、並びにこれを用いた光拡散構造体及び発光構造体
DE102018213377A1 (de) * 2018-08-09 2020-02-13 Robert Bosch Gmbh Spektrometer und Verfahren zur Kalibrierung des Spektrometers
DE112019004568T5 (de) 2018-09-12 2021-05-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wellenlängenumwandlungselement, lichtquellenvorrichtung, bei der dieses verwendet wird, projektor und fahrzeug
DE102018217889B4 (de) 2018-10-18 2023-09-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Gelber Leuchtstoff und Konversions-LED
RU192820U1 (ru) * 2018-11-13 2019-10-02 Василий Сергеевич Евтеев Свето-информационное устройство
JP2022515966A (ja) * 2018-11-15 2022-02-24 レヴィン，ディーン 流体の発光デカンテーション装置および流体の光処理方法
CN111286330A (zh) 2018-12-06 2020-06-16 松下知识产权经营株式会社 荧光体及使用了它的半导体发光装置
US11239637B2 (en) 2018-12-21 2022-02-01 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber delivered laser induced white light system
US11421843B2 (en) 2018-12-21 2022-08-23 Kyocera Sld Laser, Inc. Fiber-delivered laser-induced dynamic light system
JP2020106831A (ja) 2018-12-27 2020-07-09 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光装置
US11466384B2 (en) 2019-01-08 2022-10-11 Slt Technologies, Inc. Method of forming a high quality group-III metal nitride boule or wafer using a patterned substrate
US11884202B2 (en) 2019-01-18 2024-01-30 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system
US12152742B2 (en) 2019-01-18 2024-11-26 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based light guide-coupled wide-spectrum light system
US12000552B2 (en) 2019-01-18 2024-06-04 Kyocera Sld Laser, Inc. Laser-based fiber-coupled white light system for a vehicle
JP7145096B2 (ja) 2019-02-12 2022-09-30 信越化学工業株式会社 微小構造体移載装置、スタンプヘッドユニット、微小構造体移載用スタンプ部品及び微小構造体集積部品の移載方法
US11781714B2 (en) 2019-03-18 2023-10-10 Bridgelux, Inc. LED-filaments and LED-filament lamps
CN113841238A (zh) 2019-03-18 2021-12-24 英特曼帝克司公司 Led灯丝
US12140785B2 (en) 2019-04-18 2024-11-12 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Wavelength conversion member, production method therefor, and light-emitting device
WO2020213455A1 (ja) 2019-04-18 2020-10-22 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びその製造方法、並びに発光装置
US11313671B2 (en) 2019-05-28 2022-04-26 Mitutoyo Corporation Chromatic confocal range sensing system with enhanced spectrum light source configuration
RU2720046C1 (ru) * 2019-07-17 2020-04-23 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" Светодиодная гетероструктура с квантовыми ямами комбинированного профиля
RU195810U1 (ru) * 2019-09-27 2020-02-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР) Светоизлучающий диод
KR102230355B1 (ko) 2019-09-27 2021-03-22 강원대학교산학협력단 백색 발광 소재의 제조방법
US11112555B2 (en) 2019-09-30 2021-09-07 Nichia Corporation Light-emitting module with a plurality of light guide plates and a gap therein
US11561338B2 (en) 2019-09-30 2023-01-24 Nichia Corporation Light-emitting module
JP2021059686A (ja) 2019-10-09 2021-04-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体およびそれを使用した半導体発光装置
CN114556599A (zh) 2019-12-23 2022-05-27 日本电气硝子株式会社 波长转换部件、发光元件和发光装置
US11705322B2 (en) 2020-02-11 2023-07-18 Slt Technologies, Inc. Group III nitride substrate, method of making, and method of use
US12091771B2 (en) 2020-02-11 2024-09-17 Slt Technologies, Inc. Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use
US11721549B2 (en) 2020-02-11 2023-08-08 Slt Technologies, Inc. Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use
EP4136187A4 (en) 2020-04-14 2024-06-19 General Electric Company GREEN-EMMITTING PHOSPHORS AND DEVICES THEREFOR
US11254864B2 (en) 2020-04-14 2022-02-22 General Electric Company Films with narrow band emission phosphor materials
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
CN111944350B (zh) * 2020-08-27 2022-01-25 兰州大学 基于YAG Ce的暖白色荧光汽车涂漆及其制备方法
EP4208521A4 (en) * 2020-09-01 2024-10-09 General Electric Company DEVICES COMPATIBLE WITH NIGHT VISION EQUIPMENT
US11444225B2 (en) 2020-09-08 2022-09-13 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd Light emitting diode package having a protective coating
US11329206B2 (en) 2020-09-28 2022-05-10 Dominant Opto Technologies Sdn Bhd Lead frame and housing sub-assembly for use in a light emitting diode package and method for manufacturing the same
WO2022107794A1 (ja) 2020-11-19 2022-05-27 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及びその製造方法
WO2022164631A1 (en) 2021-01-26 2022-08-04 Solutia Inc. Light systems having a diffusive pvb interlayer
JP7707616B2 (ja) 2021-04-01 2025-07-15 日本電気硝子株式会社 波長変換部材及び発光デバイス
CN117296162A (zh) 2021-04-13 2023-12-26 通用电气公司 用于显示器和照明应用的铀基磷光体和组合物
US20240347677A1 (en) 2021-07-29 2024-10-17 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device and electronic apparatus
JP7744225B2 (ja) * 2021-12-09 2025-09-25 スタンレー電気株式会社 照明装置、車両用灯具システム
US12438015B2 (en) 2021-12-17 2025-10-07 X-Celeprint Limited Stamps with structured microposts
TWI882499B (zh) * 2023-10-30 2025-05-01 隆達電子股份有限公司 光源模組
CN117432974B (zh) * 2023-11-09 2025-12-30 惠州雷士光电科技有限公司 光源模组、照明装置及其混光方法
CN117602938B (zh) * 2023-12-07 2025-11-14 江苏师范大学 一种激光照明用透镜型荧光复合陶瓷及其制备方法

Family Cites Families (257)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US362048A (en) * 1887-04-26 watkins
US215074A (en) * 1879-05-06 Improvement in stamp-mills
US5816677A (en) 1905-03-01 1998-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Backlight device for display apparatus
US2557049A (en) * 1946-05-03 1951-06-12 Turner Of Indiana Power-driven posthole digger
US2924732A (en) * 1957-07-05 1960-02-09 Westinghouse Electric Corp Area-type light source
NL278121A (pt) * 1961-05-08
NL135101C (pt) 1964-05-14
GB1112992A (en) * 1964-08-18 1968-05-08 Texas Instruments Inc Three-dimensional integrated circuits and methods of making same
US3342308A (en) * 1966-08-09 1967-09-19 Sperry Rand Corp Corn processing machine elevator unit structure
US3560649A (en) * 1967-05-23 1971-02-02 Tektronix Inc Cathode ray tube with projection means
US3560849A (en) 1967-08-15 1971-02-02 Aai Corp Liquid temperature controlled test chamber and transport apparatus for electrical circuit assemblies
US3554776A (en) * 1967-11-24 1971-01-12 Allied Chem Novel perylenetetracarboxylic diimide compositions
US3623857A (en) * 1968-03-22 1971-11-30 Johns Manville Glass melting pot
US3510732A (en) * 1968-04-22 1970-05-05 Gen Electric Solid state lamp having a lens with rhodamine or fluorescent material dispersed therein
SE364160B (pt) * 1969-05-26 1974-02-11 Western Electric Co
US3699478A (en) * 1969-05-26 1972-10-17 Bell Telephone Labor Inc Display system
BE757125A (fr) 1969-10-06 1971-03-16 Rca Corp Procede photographique pour former l'ecran luminescent d'un tube a rayons cathodiques
US3691482A (en) * 1970-01-19 1972-09-12 Bell Telephone Labor Inc Display system
US3652956A (en) * 1970-01-23 1972-03-28 Bell Telephone Labor Inc Color visual display
US3699476A (en) * 1971-03-05 1972-10-17 Rca Corp Crystal controlled digital logic gate oscillator
JPS4717684U (pt) 1971-03-27 1972-10-30
JPS4839866U (pt) 1971-09-13 1973-05-18
DE2244397C3 (de) 1971-09-21 1974-07-18 Tovarna Motornih Vozil Tomos, Koper (Jugoslawien) Schalteinrichtung für ein mehrstufiges Keilriemenwechselgetriebe
JPS48102585A (pt) * 1972-04-04 1973-12-22
JPS491221A (pt) 1972-04-17 1974-01-08
JPS5240959B2 (pt) 1972-08-07 1977-10-15
JPS4979379A (pt) 1972-12-06 1974-07-31
JPS4985068U (pt) * 1972-11-10 1974-07-23
FR2248663B1 (pt) 1972-12-13 1978-08-11 Radiotechnique Compelec
JPS5531825Y2 (pt) 1972-12-27 1980-07-29
JPS49106283A (pt) 1973-02-09 1974-10-08
JPS49112577A (pt) 1973-02-23 1974-10-26
US3819974A (en) * 1973-03-12 1974-06-25 D Stevenson Gallium nitride metal-semiconductor junction light emitting diode
JPS5640994B2 (pt) 1973-03-22 1981-09-25
US3842306A (en) 1973-06-21 1974-10-15 Gen Electric Alumina coatings for an electric lamp
JPS5043913A (pt) 1973-08-20 1975-04-21
JPS5079379A (pt) 1973-11-13 1975-06-27
JPS5079379U (pt) * 1973-11-24 1975-07-09
US3882502A (en) * 1974-01-17 1975-05-06 Us Navy Crt multiple-scan display apparatus and method providing target discrimination
JPS5713156B2 (pt) * 1974-02-28 1982-03-15
US4123161A (en) * 1974-06-18 1978-10-31 Pappas George J Apparatus for and method of examining light
JPS5240959A (en) 1975-09-29 1977-03-30 Toshiba Corp Color picture tube
JPS5245181A (en) 1975-10-07 1977-04-09 Matsushita Electric Works Ltd Chain
US4001628A (en) * 1976-02-25 1977-01-04 Westinghouse Electric Corporation Low-pressure fluorescent discharge device which utilizes both inorganic and organic phosphors
US4143297A (en) * 1976-03-08 1979-03-06 Brown, Boveri & Cie Aktiengesellschaft Information display panel with zinc sulfide powder electroluminescent layers
JPS537153U (pt) 1976-07-05 1978-01-21
JPS537153A (en) 1976-07-09 1978-01-23 Fujitsu Ltd Program loop detection-recording system
GB1589964A (en) 1976-09-03 1981-05-20 Johnson Matthey Co Ltd Luminescent materials
NL7707008A (nl) * 1977-06-24 1978-12-28 Philips Nv Luminescentiescherm.
JPS5441660A (en) 1977-09-09 1979-04-03 Matsushita Electric Works Ltd Timer
JPS5332545Y2 (pt) 1977-09-13 1978-08-11
FR2407588A1 (fr) 1977-10-28 1979-05-25 Cit Alcatel Procede de realisation de barres d'alimentation
JPS555533U (pt) * 1978-06-26 1980-01-14
NL7806828A (nl) * 1978-06-26 1979-12-28 Philips Nv Luminescentiescherm.
JPS583420B2 (ja) 1978-06-27 1983-01-21 株式会社リコー マトリクス駆動回路
JPS556687A (en) * 1978-06-29 1980-01-18 Handotai Kenkyu Shinkokai Traffic use display
US4271408A (en) * 1978-10-17 1981-06-02 Stanley Electric Co., Ltd. Colored-light emitting display
DE3117571A1 (de) * 1981-05-04 1982-11-18 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Lumineszenz-halbleiterbauelement
CA1192919A (en) 1981-12-21 1985-09-03 Bernard J. Finn Vehicle wheel suspension
JPS5930107U (ja) 1982-08-19 1984-02-24 スタンレー電気株式会社 カラ−フイルタ−付導光板
NL8203543A (nl) 1982-09-13 1984-04-02 Oce Nederland Bv Kopieerapparaat.
JPS5950445A (ja) 1982-09-16 1984-03-23 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 電子写真材料
JPS5950455U (ja) * 1982-09-24 1984-04-03 三洋電機株式会社 発光ダイオ−ド装置
JPS5967673A (ja) * 1982-10-12 1984-04-17 Toyo Commun Equip Co Ltd 面照明用発光ダイオ−ド
NL8205044A (nl) * 1982-12-30 1984-07-16 Philips Nv Lagedrukkwikdampontladingslamp.
JPS6073580A (ja) * 1983-09-29 1985-04-25 東芝ライテック株式会社 表示装置
JPS6081878A (ja) 1983-10-11 1985-05-09 Shinyoushiya:Kk 複合形発光ダイオ−ドの発光光色制御方法
US4550256A (en) 1983-10-17 1985-10-29 At&T Bell Laboratories Visual display system utilizing high luminosity single crystal garnet material
JPS60185457A (ja) 1984-03-05 1985-09-20 Canon Inc フアクシミリ装置
US4857228A (en) * 1984-04-24 1989-08-15 Sunstone Inc. Phosphors and methods of preparing the same
JPS60185457U (ja) * 1984-05-19 1985-12-09 セイレイ工業株式会社 枝打機のエンジンストツプセンサ−配置構造
JPS61158606A (ja) 1984-12-28 1986-07-18 株式会社小糸製作所 照明装置
NL8502025A (nl) * 1985-07-15 1987-02-02 Philips Nv Lagedrukkwikdampontladingslamp.
JPS6220237U (pt) * 1985-07-23 1987-02-06
JPS62109185U (pt) * 1985-12-27 1987-07-11
NL8600023A (nl) * 1986-01-08 1987-08-03 Philips Nv Lagedrukkwikdampontladingslamp.
JPS62167398A (ja) 1986-01-17 1987-07-23 花王株式会社 高密度粒状洗剤組成物
JPS62189770A (ja) 1986-02-15 1987-08-19 Fumio Inaba 接合型半導体発光素子
JPS62232827A (ja) 1986-03-31 1987-10-13 松下電器産業株式会社 照光素子付操作パネル駆動回路
EP0288014B1 (en) * 1987-04-20 1998-08-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Cassette, device and method of erasing a stimulable phosphor sheet
JPH079998B2 (ja) * 1988-01-07 1995-02-01 科学技術庁無機材質研究所長 立方晶窒化ほう素のＰ−ｎ接合型発光素子
JPS63291980A (ja) 1987-05-25 1988-11-29 Canon Inc 強誘電性液晶素子
JPS63299186A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 Hitachi Ltd 発光素子
US4929965A (en) * 1987-09-02 1990-05-29 Alps Electric Co. Optical writing head
JPH01189695A (ja) * 1988-01-25 1989-07-28 Yokogawa Electric Corp Ｌｅｄ表示装置
DE3804293A1 (de) * 1988-02-12 1989-08-24 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode
JP2594609B2 (ja) 1988-04-08 1997-03-26 富士通株式会社 表示パネルのバック照明構造
JPH01260707A (ja) 1988-04-11 1989-10-18 Idec Izumi Corp 白色発光装置
JPH0218973A (ja) * 1988-07-07 1990-01-23 Shibasoku Co Ltd 発光ダイオード試験装置
US5043716A (en) * 1988-07-14 1991-08-27 Adaptive Micro Systems, Inc. Electronic display with lens matrix
JPH0291980A (ja) 1988-09-29 1990-03-30 Toshiba Lighting & Technol Corp 固体発光素子
JP2770350B2 (ja) 1988-10-20 1998-07-02 富士通株式会社 液晶表示装置
US5034965A (en) 1988-11-11 1991-07-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Efficient coding method and its decoding method
JPH02202073A (ja) * 1989-01-31 1990-08-10 Hitachi Chem Co Ltd 電子部品
JP2704181B2 (ja) * 1989-02-13 1998-01-26 日本電信電話株式会社 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法
JPH02271304A (ja) * 1989-04-12 1990-11-06 Seiko Epson Corp 表示体用照明装置
US4992704A (en) 1989-04-17 1991-02-12 Basic Electronics, Inc. Variable color light emitting diode
JPH0324692A (ja) 1989-06-21 1991-02-01 Fuji Electric Co Ltd 自動貸出機の制御装置
JPH0324692U (pt) 1989-07-18 1991-03-14
US5221984A (en) 1989-09-18 1993-06-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical data transmission device with parallel channel paths for arrayed optical elements
JPH03152898A (ja) 1989-11-09 1991-06-28 Hitachi Maxell Ltd 分散型ｅｌ素子
US5118985A (en) * 1989-12-29 1992-06-02 Gte Products Corporation Fluorescent incandescent lamp
JP2995664B2 (ja) * 1990-05-17 1999-12-27 小糸工業株式会社 情報表示装置
NL9001193A (nl) * 1990-05-23 1991-12-16 Koninkl Philips Electronics Nv Straling-emitterende halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
JP2506223B2 (ja) 1990-06-28 1996-06-12 トリニティ工業株式会社 自動塗装装置
EP0500937A4 (en) 1990-06-28 1993-09-15 Daihen Corporation Method of electrically joining ceramics, device used therefor and adhesive agent therefor
JPH0463162A (ja) 1990-06-29 1992-02-28 Suzuki Motor Corp 塗装装置
US5257049A (en) 1990-07-03 1993-10-26 Agfa-Gevaert N.V. LED exposure head with overlapping electric circuits
JPH0480286A (ja) 1990-07-23 1992-03-13 Matsushita Electron Corp 蛍光高圧水銀灯
JP2924125B2 (ja) 1990-07-30 1999-07-26 東レ株式会社 不織布用ポリエステル繊維
DE9013615U1 (de) * 1990-09-28 1990-12-06 AEG Niederspannungstechnik GmbH & Co KG, 24534 Neumünster Elektrolumineszenz- oder Laserdiode
JPH0463162U (pt) * 1990-10-02 1992-05-29
JPH0463163U (pt) 1990-10-04 1992-05-29
KR940002570B1 (ko) * 1990-11-02 1994-03-25 삼성전관 주식회사 백색발광 형광체
JPH04175265A (ja) * 1990-11-07 1992-06-23 Sumitomo Electric Ind Ltd 着色透光性ｙａｇ焼結体及びその製造方法
JP2593960B2 (ja) * 1990-11-29 1997-03-26 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子とその製造方法
JP3160914B2 (ja) * 1990-12-26 2001-04-25 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
JPH04234481A (ja) * 1990-12-28 1992-08-24 Matsushita Electron Corp 蛍光高圧水銀灯
FR2677139B1 (fr) * 1991-05-31 1994-03-18 Hughes Aircraft Cy Substance luminescence emettant dans le rouge lointain, pour tubes cathodiques.
US5202777A (en) * 1991-05-31 1993-04-13 Hughes Aircraft Company Liquid crystal light value in combination with cathode ray tube containing a far-red emitting phosphor
JPH0543913A (ja) 1991-08-08 1993-02-23 Mitsubishi Materials Corp 相手攻撃性のきわめて低いＦｅ基焼結合金製バルブシ−ト
JPH0563068A (ja) 1991-08-30 1993-03-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハバスケツト
JPH0579379A (ja) 1991-09-19 1993-03-30 Hitachi Ltd 制御方法
JP2666228B2 (ja) * 1991-10-30 1997-10-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5306662A (en) * 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
JP2540791B2 (ja) 1991-11-08 1996-10-09 日亜化学工業株式会社 ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH05142424A (ja) 1991-11-26 1993-06-11 Nec Kansai Ltd 平面発光板
US5208462A (en) 1991-12-19 1993-05-04 Allied-Signal Inc. Wide bandwidth solid state optical source
ES2100275T3 (es) * 1992-01-07 1997-06-16 Philips Electronics Nv Lampara de descarga en mercurio de baja presion.
JPH0560368U (ja) * 1992-01-27 1993-08-10 恵助 山下 箸
JPH0563068U (ja) 1992-01-31 1993-08-20 シャープ株式会社 樹脂封止型発光体
JPH05226676A (ja) 1992-02-14 1993-09-03 Sharp Corp 半導体装置
JP3047600B2 (ja) 1992-03-04 2000-05-29 株式会社イナックス 濾過装置付き気泡浴槽装置の制御方法
JPH0613659A (ja) * 1992-04-30 1994-01-21 Takiron Co Ltd 発光ダイオードの輝度調整装置
JPH05331584A (ja) 1992-06-02 1993-12-14 Toyota Motor Corp 高弾性・高強度アルミニウム合金
JP3365787B2 (ja) * 1992-06-18 2003-01-14 シャープ株式会社 Ｌｅｄチップ実装部品
JP2917742B2 (ja) 1992-07-07 1999-07-12 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法
JPH0629576A (ja) * 1992-07-09 1994-02-04 Sharp Corp 発光表示素子
JPH0627327A (ja) 1992-07-13 1994-02-04 Seiko Epson Corp 照明装置
EP0579897B1 (en) * 1992-07-23 2003-10-15 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor
WO1994003931A1 (en) 1992-08-07 1994-02-17 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Nitride based semiconductor device and manufacture thereof
JPH0669546A (ja) * 1992-08-21 1994-03-11 Asahi Chem Ind Co Ltd 発光ダイオード
US5334855A (en) * 1992-08-24 1994-08-02 Motorola, Inc. Diamond/phosphor polycrystalline led and display
JPH0682633A (ja) 1992-09-03 1994-03-25 Chuo Musen Kk 面光源
JP2842739B2 (ja) 1992-09-14 1999-01-06 富士通株式会社 面光源ユニット及び液晶表示装置
DE69322607T2 (de) * 1992-09-23 1999-06-17 Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven Quecksilberniederdruckentladungslampe
JPH06139973A (ja) 1992-10-26 1994-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 平板型画像表示装置
JP3284208B2 (ja) 1992-11-17 2002-05-20 東ソー株式会社 バックライト
JP2560963B2 (ja) 1993-03-05 1996-12-04 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5578839A (en) 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
US5317348A (en) * 1992-12-01 1994-05-31 Knize Randall J Full color solid state laser projector system
JP2711205B2 (ja) 1993-01-20 1998-02-10 鐘紡株式会社 複合発泡ポリエステルシート
JP3467788B2 (ja) 1993-02-09 2003-11-17 東ソー株式会社 バックライト
JP2932467B2 (ja) 1993-03-12 1999-08-09 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JPH07321407A (ja) 1993-04-05 1995-12-08 Fuji Electric Co Ltd 樹脂封止形レーザーダイオード装置
JPH06296043A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
JPH06314826A (ja) * 1993-04-28 1994-11-08 Victor Co Of Japan Ltd 発光ダイオードアレイ
JPH0742152A (ja) 1993-07-29 1995-02-10 Hitachi Constr Mach Co Ltd パイルハンマ
US5514179A (en) * 1993-08-10 1996-05-07 Brennan; H. George Modular facial implant system
JP2584562Y2 (ja) 1993-09-01 1998-11-05 ダイハツ工業株式会社 ラックアンドピニオン式ステアリングのラックガイド
JPH0799345A (ja) * 1993-09-28 1995-04-11 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH07114904A (ja) 1993-10-18 1995-05-02 Hitachi Ltd バックライト光源用蛍光放電灯
JPH07120754A (ja) * 1993-10-26 1995-05-12 Fujikura Ltd 照光モジュール
JPH0732638U (ja) 1993-11-15 1995-06-16 ミネベア株式会社 面状光源装置
JPH07176794A (ja) * 1993-12-17 1995-07-14 Nichia Chem Ind Ltd 面状光源
JP3190774B2 (ja) * 1993-12-24 2001-07-23 株式会社東芝 Ｌｅｄランプ用リードフレーム及びｌｅｄ表示装置
JP2606025Y2 (ja) * 1993-12-24 2000-09-11 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード素子
JPH07193281A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Mitsubishi Materials Corp 指向性の少ない赤外可視変換発光ダイオード
EP0664586A1 (en) 1994-01-20 1995-07-26 Fuji Electric Co., Ltd. Resin-sealed laser diode device
US5505986A (en) 1994-02-14 1996-04-09 Planar Systems, Inc. Multi-source reactive deposition process for the preparation of blue light emitting phosphor layers for AC TFEL devices
JPH07225378A (ja) * 1994-02-15 1995-08-22 Asahi Optical Co Ltd Ｌｃｄ照明装置
JPH07235207A (ja) 1994-02-21 1995-09-05 Copal Co Ltd バックライト
JPH07248495A (ja) * 1994-03-14 1995-09-26 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH07253594A (ja) 1994-03-15 1995-10-03 Fujitsu Ltd 表示装置
JPH07263748A (ja) 1994-03-22 1995-10-13 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体発光素子及びその製造方法
US5640216A (en) * 1994-04-13 1997-06-17 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display device having video signal driving circuit mounted on one side and housing
JP3329573B2 (ja) 1994-04-18 2002-09-30 日亜化学工業株式会社 Ｌｅｄディスプレイ
JPH07307491A (ja) * 1994-05-11 1995-11-21 Mitsubishi Cable Ind Ltd Ｌｅｄ集合体モジュールおよびその作製方法
JP2979961B2 (ja) 1994-06-14 1999-11-22 日亜化学工業株式会社 フルカラーｌｅｄディスプレイ
JP3116727B2 (ja) * 1994-06-17 2000-12-11 日亜化学工業株式会社 面状光源
JP3227059B2 (ja) * 1994-06-21 2001-11-12 株式会社小糸製作所 車輌用灯具
JPH0863119A (ja) 1994-08-01 1996-03-08 Motorola Inc 単色ｌｅｄを用いた全色画像表示装置
JPH0854839A (ja) * 1994-08-09 1996-02-27 Sony Corp カラー画像表示装置
JPH0864860A (ja) * 1994-08-17 1996-03-08 Mitsubishi Materials Corp 色純度の高い赤外可視変換青色発光ダイオード
JP3309939B2 (ja) 1994-09-09 2002-07-29 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JPH08130329A (ja) * 1994-10-31 1996-05-21 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄ照明
US5777350A (en) * 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
JP3127195B2 (ja) * 1994-12-06 2001-01-22 シャープ株式会社 発光デバイスおよびその製造方法
US5710628A (en) * 1994-12-12 1998-01-20 Visible Genetics Inc. Automated electrophoresis and fluorescence detection apparatus and method
JPH08170077A (ja) 1994-12-19 1996-07-02 Hitachi Ltd 蛍光体、その製造方法、発光スクリーン及びそれを用いた陰極線管
JP2735057B2 (ja) 1994-12-22 1998-04-02 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
KR100399460B1 (ko) 1995-01-30 2003-12-24 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 조명장치
JP3542677B2 (ja) * 1995-02-27 2004-07-14 セイコーエプソン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
JPH08321918A (ja) * 1995-03-22 1996-12-03 Canon Inc 導光体、該導光体を有する照明装置及び該照明装置を有する情報処理装置
US5623181A (en) * 1995-03-23 1997-04-22 Iwasaki Electric Co., Ltd. Multi-layer type light emitting device
JPH08293825A (ja) * 1995-04-21 1996-11-05 Fujitsu Ltd スペースダイバーシティ受信装置
US5630741A (en) * 1995-05-08 1997-05-20 Advanced Vision Technologies, Inc. Fabrication process for a field emission display cell structure
US5594751A (en) * 1995-06-26 1997-01-14 Optical Concepts, Inc. Current-apertured vertical cavity laser
US5825113A (en) * 1995-07-05 1998-10-20 Electric Power Research Institute, Inc. Doubly salient permanent magnet machine with field weakening (or boosting) capability
JPH0927642A (ja) * 1995-07-13 1997-01-28 Clarion Co Ltd 照明装置
JP3120703B2 (ja) * 1995-08-07 2000-12-25 株式会社村田製作所 導電性ペースト及び積層セラミック電子部品
JPH0964325A (ja) * 1995-08-23 1997-03-07 Sony Corp 固体撮像素子とその製造方法
US5798537A (en) * 1995-08-31 1998-08-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Blue light-emitting device
US5949751A (en) * 1995-09-07 1999-09-07 Pioneer Electronic Corporation Optical recording medium and a method for reproducing information recorded from same
JPH09116225A (ja) * 1995-10-20 1997-05-02 Hitachi Ltd 半導体発光素子
JP3612693B2 (ja) * 1995-10-31 2005-01-19 岩崎電気株式会社 発光ダイオード配列体及び発光ダイオード
JPH09130546A (ja) * 1995-11-01 1997-05-16 Iwasaki Electric Co Ltd 線状光源用発光ダイオード
JP3476611B2 (ja) * 1995-12-14 2003-12-10 日亜化学工業株式会社 多色発光素子及びそれを用いた表示装置
US5870797A (en) * 1996-02-23 1999-02-16 Anderson; Kent George Vacuum cleaning system
US6600175B1 (en) 1996-03-26 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Solid state white light emitter and display using same
US5949182A (en) * 1996-06-03 1999-09-07 Cornell Research Foundation, Inc. Light-emitting, nanometer scale, micromachined silicon tips
BRPI9715293B1 (pt) 1996-06-26 2016-11-01 Osram Ag elemento de cobertura para um elemento de construção optoeletrônico
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5684309A (en) * 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
US6608332B2 (en) 1996-07-29 2003-08-19 Nichia Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Light emitting device and display
JPH1036835A (ja) 1996-07-29 1998-02-10 Nichia Chem Ind Ltd フォトルミネセンス蛍光体
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
IE820328L (en) * 1996-08-15 1983-08-16 Eaton Corp Illumination system
US6004001A (en) 1996-09-12 1999-12-21 Vdo Adolf Schindling Ag Illumination for a display
US5781363A (en) * 1996-10-15 1998-07-14 International Business Machines Corporation Servo-free velocity estimator for coil driven actuator arm in a data storage drive
US5966393A (en) * 1996-12-13 1999-10-12 The Regents Of The University Of California Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications
JP4271747B2 (ja) * 1997-07-07 2009-06-03 株式会社朝日ラバー 発光ダイオード用透光性被覆材及び蛍光カラー光源
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
JPH1139917A (ja) * 1997-07-22 1999-02-12 Hewlett Packard Co <Hp> 高演色性光源
US6340824B1 (en) * 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
JP3541709B2 (ja) 1998-02-17 2004-07-14 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6105200A (en) * 1998-04-21 2000-08-22 Cooper; Byron W. Can top cleaning device
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6798537B1 (en) * 1999-01-27 2004-09-28 The University Of Delaware Digital color halftoning with generalized error diffusion vector green-noise masks
US6575930B1 (en) * 1999-03-12 2003-06-10 Medrad, Inc. Agitation devices and dispensing systems incorporating such agitation devices
US6513949B1 (en) * 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
US6538371B1 (en) 2000-03-27 2003-03-25 The General Electric Company White light illumination system with improved color output
AU1142001A (en) * 2000-10-19 2002-04-29 Dsm N.V. Protein hydrolysates
JP2002270020A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Casio Comput Co Ltd 光源装置
US6536371B2 (en) * 2001-08-01 2003-03-25 One World Technologies, Inc. Rotary direction indicator
CN100472823C (zh) * 2003-10-15 2009-03-25 日亚化学工业株式会社 发光装置
US7318651B2 (en) * 2003-12-18 2008-01-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash module with quantum dot light conversion
US7083302B2 (en) * 2004-03-24 2006-08-01 J. S. Technology Co., Ltd. White light LED assembly
KR100655894B1 (ko) * 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
US7546032B2 (en) * 2004-09-30 2009-06-09 Casio Computer Co., Ltd. Electronic camera having light-emitting unit
JP4679183B2 (ja) * 2005-03-07 2011-04-27 シチズン電子株式会社 発光装置及び照明装置
JP5240959B2 (ja) 2005-11-16 2013-07-17 国立大学法人 香川大学 薬剤とその製造方法
JP4839866B2 (ja) 2006-02-02 2011-12-21 トヨタ自動車株式会社 車両側部構造
JPWO2007111368A1 (ja) 2006-03-29 2009-08-13 Ｔｔｉ・エルビュー株式会社 イオントフォレーシス装置
JP4717684B2 (ja) 2006-03-30 2011-07-06 富士通テレコムネットワークス株式会社 コンデンサ充電装置
US20080144821A1 (en) 2006-10-26 2008-06-19 Marvell International Ltd. Secure video distribution
KR100930171B1 (ko) * 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
JP5079379B2 (ja) 2007-04-16 2012-11-21 長谷川香料株式会社 二次沈殿が抑制された精製クロロゲン酸類の製法
WO2008143315A1 (ja) 2007-05-22 2008-11-27 Nec San-Ei Instruments, Ltd. データ記録再生装置
US8119028B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
WO2010023840A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device and backlight source, backlight source system, display device, and electronic device using the same
JP5331584B2 (ja) 2009-06-12 2013-10-30 株式会社フジクラ 圧力センサアレイ、圧力センサアレイパッケージ、並びに圧力センサモジュール及び電子部品
JP5441660B2 (ja) 2009-12-15 2014-03-12 日本特殊陶業株式会社 キャパシタの製造方法及びキャパシタ内蔵配線基板
JP5343885B2 (ja) 2010-02-16 2013-11-13 住友電装株式会社 防水機能付き端子金具及び防水コネクタ
JP5472484B2 (ja) 2010-11-24 2014-04-16 トヨタ自動車株式会社 車両用動力伝達装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5953514B2 (ja) 2016-07-20
EP1429398A2 (en) 2004-06-16
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JP5821154B2 (ja) 2015-11-24
JP2016178320A (ja) 2016-10-06
EP1429397A2 (en) 2004-06-16
EP0936682A4 (en) 1999-10-06
US7071616B2 (en) 2006-07-04
EP2197055A3 (en) 2013-01-16
CN1893132A (zh) 2007-01-10
US7968866B2 (en) 2011-06-28
EP2197057A2 (en) 2010-06-16
US20050280357A1 (en) 2005-12-22
KR100559346B1 (ko) 2006-03-15
CN100424901C (zh) 2008-10-08
HK1144982A1 (en) 2011-03-18
US20110297990A1 (en) 2011-12-08
US20040000868A1 (en) 2004-01-01
KR20050053800A (ko) 2005-06-10
DE69702929T4 (de) 2010-10-07
EP2197055B1 (en) 2016-03-30
CA2262136C (en) 2005-02-22
CN1495917A (zh) 2004-05-12
BR9710792B1 (pt) 2011-06-28
DE29724642U1 (de) 2002-08-08
CA2479538A1 (en) 1998-02-05
DE69702929D1 (de) 2000-09-28
JP2014212336A (ja) 2014-11-13
HK1052409A1 (en) 2003-12-12
CA2262136A1 (en) 1998-02-05
BR9715361B1 (pt) 2013-08-27
US20100006819A1 (en) 2010-01-14
DK1017111T3 (en) 2016-01-11
ATE195831T1 (de) 2000-09-15
KR20030097609A (ko) 2003-12-31
DE29724764U1 (de) 2004-01-08
EP0936682B1 (en) 2000-08-23
HK1030095A1 (en) 2001-04-20
US20070159060A1 (en) 2007-07-12
HK1021073A1 (en) 2000-05-26
DE29724670U1 (de) 2002-09-19
US20100264842A1 (en) 2010-10-21
SG10201502321UA (en) 2015-05-28
EP1017112A8 (en) 2004-05-12
US8309375B2 (en) 2012-11-13
DK2197054T3 (en) 2016-06-27
US20040222435A1 (en) 2004-11-11
US20090316068A1 (en) 2009-12-24
US7915631B2 (en) 2011-03-29
EP1017112A3 (en) 2004-04-14
EP2197054A2 (en) 2010-06-16
KR20030097577A (ko) 2003-12-31
EP1017111A2 (en) 2000-07-05
JP2003179259A (ja) 2003-06-27
EP1017112A9 (en) 2004-07-07
EP2197057B1 (en) 2016-03-30
EP2276080A3 (en) 2013-01-09
DK0936682T3 (da) 2000-10-30
HK1027668A1 (en) 2001-01-19
US20090315015A1 (en) 2009-12-24
BR9715362B1 (pt) 2012-12-11
KR20030097578A (ko) 2003-12-31
MY125748A (en) 2006-08-30
EP2197054A3 (en) 2013-01-16
ES2576053T3 (es) 2016-07-05
BR9715365B1 (pt) 2013-09-03
CN1249822C (zh) 2006-04-05
CN1495918A (zh) 2004-05-12
SG182856A1 (en) 2012-08-30
AU720234C (en) 1998-02-20
CN1253949C (zh) 2006-04-26
ES2148997T3 (es) 2000-10-16
US6069440A (en) 2000-05-30
CN1495919A (zh) 2004-05-12
US20080138918A1 (en) 2008-06-12
CN100424902C (zh) 2008-10-08
EP1017111B1 (en) 2015-10-14
US7215074B2 (en) 2007-05-08
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JP2006332692A (ja) 2006-12-07
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US6614179B1 (en) 2003-09-02
CN1249823C (zh) 2006-04-05
EP0936682B2 (en) 2007-08-01
EP2194590A2 (en) 2010-06-09
AU3635597A (en) 1998-02-20
CA2481364C (en) 2008-09-16
CN1495925A (zh) 2004-05-12
JP2014187398A (ja) 2014-10-02
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EP2194590B1 (en) 2016-04-20
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US20100019224A1 (en) 2010-01-28
KR100524117B1 (ko) 2005-10-26
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WO1998005078A1 (fr) 1998-02-05
US20100001258A1 (en) 2010-01-07
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EP1045458A3 (en) 2004-03-31
EP2276080B2 (en) 2022-06-29
EP2197056A2 (en) 2010-06-16
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HK1066095A1 (zh) 2005-03-11
ES2545981T3 (es) 2015-09-17
US20100264841A1 (en) 2010-10-21
US7026756B2 (en) 2006-04-11
JP2009135545A (ja) 2009-06-18
CN1893133A (zh) 2007-01-10
US20090315014A1 (en) 2009-12-24
EP2197057A3 (en) 2013-01-23
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ES2576052T3 (es) 2016-07-05
CN1240144C (zh) 2006-02-01
EP1017111A3 (en) 2004-04-14
SG182857A1 (en) 2012-08-30
US7943941B2 (en) 2011-05-17
KR100549906B1 (ko) 2006-02-06
EP1271664B1 (en) 2015-02-18
JP5725045B2 (ja) 2015-05-27
US20100117516A1 (en) 2010-05-13
US7682848B2 (en) 2010-03-23
DK1429398T3 (en) 2015-11-30
JP4530094B2 (ja) 2010-08-25
JP5177199B2 (ja) 2013-04-03
ES2544690T3 (es) 2015-09-02
KR100549902B1 (ko) 2006-02-06
CN1893131A (zh) 2007-01-10
DK2194590T3 (en) 2016-06-27
EP1271664A2 (en) 2003-01-02
EP2197055A2 (en) 2010-06-16
JP2016154247A (ja) 2016-08-25
KR20000029696A (ko) 2000-05-25
US8679866B2 (en) 2014-03-25
EP1429397B1 (en) 2017-01-25
EP2276080B1 (en) 2015-07-08
AU720234B2 (en) 2000-05-25
ES2569616T3 (es) 2016-05-11
US5998925A (en) 1999-12-07
JP2012231190A (ja) 2012-11-22
JP3503139B2 (ja) 2004-03-02
EP2197054B1 (en) 2016-04-20
KR100434871B1 (ko) 2004-06-07
CA2479842A1 (en) 1998-02-05
PT1429398E (pt) 2015-12-16
JP2014212335A (ja) 2014-11-13
CA2479842C (en) 2011-08-16
KR100491481B1 (ko) 2005-05-27
GR3034493T3 (en) 2000-12-29
US8610147B2 (en) 2013-12-17
EP2197053A3 (en) 2013-01-16
TWI156177B (en) 2005-01-11
CN1268250A (zh) 2000-09-27
US20110053299A1 (en) 2011-03-03
JP5664815B2 (ja) 2015-02-04

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