KR101467808B1 - 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지 - Google Patents

황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 형광체에 관한 것으로 특히, 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 황색 발광 형광체에 있어서, 황색 발광 형광체에 있어서, 중심파장이 510 내지 550 nm의 대역에 위치하는 광을 방출하는 제1형광체; 상기 제1형광체와 혼합되어 중심파장이 560 내지 600 nm 대역에 위치하는 광을 발광하는 제2형광체; 및 상기 제1 및 제2형광체와 혼합되어 중심파장이 610 내지 630 nm 대역에 위치하는 광을 발광하고, 550 nm 파장에서의 광 흡수율이 50 % 이하인 제3형광체를 포함하여 구성될 수 있다.

Description

황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지 {Phosphor emitting yellow light and light emitting device package using the same}
본 발명은 형광체에 관한 것으로 특히, 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emitting diode; LED)는 기존의 일반 조명 중 가장 대표적이라 할 수 있는 형광등을 대체 할 수 있는 차세대 발광 소자 후보 중의 하나이다.
LED는 기존의 광원보다 소비전력이 적으며, 형광등과 달리 수은을 포함하지 않아 친환경적이라 할 수 있다. 또한 기존의 광원과 비교하여 수명이 길며 응답 속도가 빠르다는 장점을 갖는다.
이러한 LED는 이 LED로부터 방출되는 광을 흡수하여 여러 색상의 광을 발광하는 형광체와 함께 이용될 수 있다. 이와 같은 형광체는 보통 황색, 녹색 및 적색 광을 발광할 수 있다.
백색 LED는 현재 청색 발광 LED와 발광 파장을 변환하는 형광체의 구성으로 제작되고 있다. 이러한 백색 LED의 사용 범위가 커질수록 더욱 효율적인 LED가 요구되고 있으며, 이를 위해서는 형광체의 발광 효율 개선이 요구되고 있다. 또한, 이에 따라 더 신뢰성이 우수한 LED의 요구가 높아지고 있다.
LED에 이용되는 형광체로는 황색 형광체로 산화물 형광체인 미국 특허 등록 제5998925호로 대표되는 YAG 형광체가 알려져 있지만, 이러한 YAG 형광체는 열 안정성이 떨어지고 고온이 되면 휘도 저하, 색좌표의 변화 등의 문제가 발생할 수 있다. 또한, 발광 색조가 한정되어 색의 재현 범위가 좁고, 형광체가 청색 LED 광의 일부를 흡수하는 문제점이 있다.
또한, 황색 내지 녹색 계열의 형광체로서 산화물 형광체 및 실리케이트계 형광체가 알려져 있지만, 이들은 열 안정성이 상대적으로 낮으며 내 습성이 나쁘기 때문에 LED 패키지의 신뢰성에 악영향을 줄 수 있다.
따라서, LED와 함께 백색광을 만들 수 있는 고효율의 신뢰성이 우수한 형광체의 개발이 요구된다.
더욱이, 청색 발광 LED가 고출력화 될수록 파장이 단파장 측으로 이동할 수 있는데 이에 따라 단파장에서도 여기 효율이 높은 황색 발광 형광체의 개발이 요구된다.
또한, LED와 함께 사용되어 백색광을 만드는 경우에 연색 특성이 우수한 형광체의 개발이 요구된다.
본 발명은 형광체에 있어서, 고효율, 고휘도 및 높은 연색 특성을 가지는 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 소자 패키지를 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 제1관점으로서, 본 발명은, 황색 발광 형광체에 있어서, 중심파장이 510 내지 550 nm의 대역에 위치하는 광을 방출하는 제1형광체; 상기 제1형광체와 혼합되어 중심파장이 560 내지 600 nm 대역에 위치하는 광을 발광하는 제2형광체; 및 상기 제1 및 제2형광체와 혼합되어 중심파장이 610 내지 630 nm 대역에 위치하는 광을 발광하고, 550 nm 파장에서의 광 흡수율이 50 % 이하인 제3형광체를 포함하여 구성될 수 있다.
여기서, 상기 제2형광체는, Li을 금속성분으로 가지는 α형 SiAlON(Li-α-SiAlON:Eu) 및 Ca을 금속성분으로 가지는 α형 SiAlON(Ca-α-SiAlON:Eu) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제2형광체는, 하기의 화학식 1로 표현되고,
<화학식 1>
Figure 112014065825274-pat00001
상기 m 및 n은, 0 ≤ m ≤ 2 및 0 ≤ n ≤ 1 중 적어도 하나의 조건을 만족할 수 있다.
여기서, 상기 제1형광체는, BaYSi4N7:Eu, Ba3Si6O12N2:Eu, CaSi2O2N2:Eu, SrYSi4N7:Eu, Ca을 금속성분으로 가지는 α형 SiAlON(Ca-α-SiAlON:Yb), LuAG, SrSi2O2N2:Eu 및 β형 SiAlON:Eu 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 제1형광체는, 상기 제1형광체 내지 제3형광체의 합을 100 wt%로 했을 때, 62 내지 75.8 wt%의 함량을 가질 수 있다.
여기서, 상기 제2형광체는, 상기 제1형광체 내지 제3형광체의 합을 100 wt%로 했을 때, 20 내지 35 wt%의 함량을 가질 수 있다.
여기서, 상기 제3형광체는, 상기 제1형광체 내지 제3형광체의 합을 100 wt%로 했을 때, 3 내지 4.2 wt%의 함량을 가질 수 있다.
여기서, 상기 제2형광체에 대한 제3형광체의 비율은, 8.6 내지 21.0 %일 수 있다.
여기서, 상기 제3형광체는, CaAlSiN3:Eu, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, K2SiF6:Mn, La3Si6N11:Ce, SrAlSiN3:Eu, SrCN2:Eu, Ca2Si5N8:Eu, Ba2Si5N8:Eu, SrAlSi4N7:Eu 및 (Sr,Ba)SiN2:Eu 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 황색 발광 형광체는 480 nm 내지 780 nm 파장 대역의 발광 스펙트럼의 반치폭이 120 nm 이상일 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 제2관점으로서, 본 발명은, 황색 발광 형광체에 있어서, 중심파장이 510 내지 550 nm의 대역에 위치하는 광을 방출하는 제1형광체; 중심파장이 560 내지 600 nm 대역에 위치하는 광을 발광하는 제2형광체; 및 중심파장이 610 내지 630 nm 대역에 위치하는 광을 발광하는 제3형광체를 포함하고, 상기 제1 내지 제3형광체의 혼합물은 근 자외선 또는 청색 광에 의하여 여기되어 480 내지 780 nm 파장 대역에 중심파장이 위치하는 스펙트럼의 광을 발광하고, 상기 스펙트럼의 반치폭은 120 nm 이상일 수 있다.
여기서, 상기 제3형광체는, 상기 여기광에 의한 빛의 흡수를 최소화하도록 설계될 수 있다.
여기서, 상기 제3형광체는, 550 nm 파장에서의 광 흡수율이 50% 이하일 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 제3관점으로서, 본 발명은, 황색 발광 형광체에 있어서, 중심파장이 510 내지 550 nm의 대역에 위치하는 광을 방출하는 제1형광체; 중심파장이 560 내지 600 nm 대역에 위치하는 광을 발광하는 제2형광체; 및 중심파장이 610 내지 630 nm 대역에 위치하는 광을 발광하는 제3형광체를 포함하고, 상기 제1형광체, 제2형광체 및 제3형광체의 중량비는 상기 제1형광체 내지 제3형광체의 합을 100 wt%로 했을 때 각각 67.7 wt%, 28.7 wt% 및 3.6 wt%인 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 이루기 위한 제4관점으로서, 본 발명은, 상기의 황색 발광 형광체; 및 상기 황색 발광 형광체를 여기시키는 근 자외선 또는 청색 여기 광을 발광하는 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지를 제공할 수 있다.
본 발명에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
먼저, 본 발명을 통해 우수한 발광 특성을 가지는 황색 발광 형광체를 제공할 수 있고, 이러한 황색 발광 형광체는 광속(휘도)저하를 최소화하고 연색 평가 지수(CRI)를 향상시킬 수 있다.
그리고, 본 발명의 연속 스펙트럼 설계에 의하여 연색 평가 지수를 향상시킬 수 있고, 이를 위한 형광체의 최적의 혼합 비율을 제공함으로써 넓은 스펙트럼을 가지는 발광체(예를 들면, 발광 소자 패키지) 구현을 통해 디스플레이에서 광색역의 색을 표현할 수 있다.
도 1은 사람의 시감 특성을 나타내는 그래프이다.
도 2는 황색 발광 형광체를 이용하여 백색 발광 소자 패키지를 구현한 예에서 발광 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 3 내지 도 5는 적색 형광체의 여기 및 발광 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 황색 발광 형광체를 이용하여 백색 발광 소자 패키지를 구현한 경우의 발광 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 황색 발광 형광체가 이용된 발광 소자 패키지의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 황색 발광 형광체가 이용된 발광 소자 패키지의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 황색 발광 형광체를 이용하여 백색광이 구현되는 과정을 설명하기 위한 도 7의 일부 확대도이다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명에 의한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명이 여러 가지 수정 및 변형을 허용하면서도, 그 특정 실시예들이 도면들로 예시되어 나타내어지며, 이하에서 상세히 설명될 것이다. 그러나 본 발명을 개시된 특별한 형태로 한정하려는 의도는 아니며, 오히려 본 발명은 청구항들에 의해 정의된 본 발명의 사상과 합치되는 모든 수정, 균등 및 대용을 포함한다.
층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 "상(on)"에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 중간 요소가 존재할 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
비록 제1, 제2 등의 용어가 여러 가지 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들을 설명하기 위해 사용될 수 있지만, 이러한 요소들, 성분들, 영역들, 층들 및/또는 지역들은 이러한 용어에 의해 한정되어서는 안 된다는 것을 이해할 것이다.
본 발명에 의하면 근 자외선 및 청색 여기원에 의한 여기 효율이 우수한 녹색, 호박색(Amber; 이하, 앰버라 칭함) 및 적색 형광체를 혼합하여 휘도가 우수하고 연색성이 높은 황색 광을 구현할 수 있다.
이러한 황색 발광 형광체는, 중심파장이 510 내지 550 nm의 대역에 위치하는 광을 방출하는 제1형광체(녹색 형광체), 중심파장이 560 내지 600 nm 대역에 위치하는 광을 발광하는 제2형광체(앰버 형광체) 및 중심파장이 610 내지 630 nm 대역에 위치하는 광을 발광하는 제3형광체(적색 형광체)의 혼합물로 이루어질 수 있다.
이하, 제1형광체는 녹색 형광체, 제2형광체는 앰버 형광체, 그리고 제3형광체는 적색 형광체로 칭하여 설명한다.
이와 같은 녹색 형광체, 앰버 형광체, 그리고 적색 형광체는 아래와 같은 물질을 포함할 수 있다.
즉, 녹색 형광체는, BaYSi4N7:Eu, Ba3Si6O12N2:Eu, CaSi2O2N2:Eu, SrYSi4N7:Eu, Ca을 금속성분으로 가지는 α(알파)형 SiAlON(Ca-α-SiAlON:Yb), LuAG, SrSi2O2N2:Eu 및 β(베타)형 SiAlON:Eu 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
이와 같은 녹색 형광체는 위에서 언급한 중심파장이 510 내지 550 nm의 대역에 위치하는 광을 방출할 수 있다.
여기서, LuAG는 Lu3Al5O12:Ce의 화학식으로 알려져 있고, β형 SiAlON은 Si6 -zAlzOzN8-z의 기본 구조식에 Eu가 첨가된 화학식으로 표현될 수 있다.
앰버 형광체는, Li을 금속성분으로 가지는 α형 SiAlON(Li-α-SiAlON:Eu) 및 Ca을 금속성분으로 가지는 α형 SiAlON(Ca-α-SiAlON:Eu) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
이와 같은 앰버 형광체는 위에서 언급한 중심파장이 560 내지 600 nm 대역에 위치하는 광을 발광할 수 있다.
적색 형광체는, CaAlSiN3:Eu, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu(SCASN), Sr2Si5N8:Eu, K2SiF6:Mn, La3Si6N11:Ce, SrAlSiN3:Eu, SrCN2:Eu, Ca2Si5N8:Eu, Ba2Si5N8:Eu, SrAlSi4N7:Eu 및 (Sr,Ba)SiN2:Eu 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
이와 같은 적색 형광체는 중심파장이 610 내지 630 nm 대역에 위치하는 광을 발광할 수 있다.
이러한 녹색 형광체, 앰버 형광체 및 적색 형광체는 주로 질화물 형광체 또는 산질화물 형광체를 예로 들었으나, 그 이외의 다른 형광체도 이용될 수 있음은 물론이다.
여기서, 앰버 형광체는, 하기의 화학식 1로 표현되고, m 및 n은, 0 ≤ m ≤ 2 및 0 ≤ n ≤ 1 중 적어도 하나의 조건을 만족할 수 있다.
<화학식 1>
Figure 112014065825274-pat00002
한편, 적색 형광체는 550 nm 파장에서의 광 흡수율이 50 % 이하일 수 있다. 즉, 550 nm의 파장의 광에 의하여 여기되는 비율은 50 % 이하일 수 있다. 이에 대하여는 자세히 후술한다.
이와 같은 특징을 가지는 녹색 형광체, 앰버 형광체 및 적색 형광체의 혼합에 의하여 구현되는 황색 발광 형광체는 480 nm 내지 780 nm 파장 대역의 발광 스펙트럼의 반치폭이 120 nm 이상일 수 있다. 이는 광의 연색성이 크게 증가함을 의미할 수 있다.
여기서, 녹색 형광체는, 녹색 형광체, 앰버 형광체 및 적색 형광체의 합을 100 wt%(중량비)로 했을 때, 62 내지 75.8 wt%의 함량을 가질 수 있다.
여기서, 앰버 형광체는, 녹색 형광체, 앰버 형광체 및 적색 형광체의 합을 100 wt%로 했을 때, 20 내지 35 wt%의 함량을 가질 수 있다.
여기서, 적색 형광체는, 녹색 형광체, 앰버 형광체 및 적색 형광체의 합을 100 wt%로 했을 때, 3 내지 4.2 wt%의 함량을 가질 수 있다.
한편, 앰버 형광체에 대한 적색 형광체의 비율은, 8.6 내지 21.0 %일 수 있다.
이와 같은 녹색 형광체, 앰버 형광체 및 적색 형광체의 혼합물은, 근 자외선 또는 청색 광에 의하여 여기되어 높은 휘도의 황색 광을 발광할 수 있다. 또한, 이러한 황색 광은 여기광인 청색 광과 혼합되어 높은 휘도와 높은 연색성을 가지는 백색 광을 발광할 수 있다. 이러한 근 자외선 또는 청색 광에서 여기율이 우수하여 고 효율의 형광체 특성을 발휘할 수 있다.
금속성분으로 Ca을 가지는 α형 SiAlON은 발광 중심파장이 600 nm 정도이나, 위에서 설명한 바와 같이, 중심파장이 550 내지 590 nm 대역인 Li-α-SiAlON을 이용하면 동일한 피크 세기를 가지는 발광에 대하여 시감 특성이 25 % 정도 높아질 수 있다. 더 좋게는 중심 파장이 578 내지 588 nm 대역에 위치하는 광이 발광될 수 있도록 하면 시감 특성은 더 향상될 수 있다. 또한, 550 내지 560 nm 대역에서 흡수량이 조절된 적색 형광체를 혼합하여 휘도를 높이면서 연색성을 더 향상시킬 수 있다. 그러나, 위에서 언급한 바와 같이, 경우에 따라, 중심파장이 560 내지 600 nm 대역에 위치하는 광을 방출하는 형광체의 경우에도 본 발명의 특성을 이룰 수 있다.
도 1은 사람의 시감(視感) 특성을 나타내는 그래프(Photonic curve)이다.
도시하는 바와 같이, 사람의 시감도의 값은 대략 555 nm 파장에서 최대값을 가진다. 즉, 동일한 강도의 빛에 대하여 사람은 555 nm 파장 대역의 빛을 가장 강한 것으로 감지한다.
따라서, 통상 600 nm 정도의 발광 중심파장을 가지는 α형 SiAlON에 비하여, 본 발명에서 이용되는 중심파장이 550 내지 590 nm 대역인 Li-α-SiAlON은 시감 특성에서 우수할 수 있다.
즉, 동일한 강도의 빛에 대하여 보다 밝게 감지할 수 있으므로, 이와 같은 발광 파장의 조절은 휘도가 증가하는 효과로 작용할 수 있다.
이와 같은 본 발명의 앰버 형광체로 이용될 수 있는 Li-α-SiAlON은, 동일한 피크 세기의 발광에 대하여 Ca-α-SiAlON에 비하여 시감 특성이 25 % 정도 향상될 수 있다.
본 발명에서는 중심 파장이 550 내지 590 nm 대역인 발광을 구현하기 위하여 SiAlON 합성시 Li의 치환량을 조절하고 산소(Oxygen)의 양을 조절할 수 있다.
표 1은 이러한 앰버 형광체 구현시 산소의 함량(n; 화학식1에서의 값)을 조절하여 얻은 형광체의 발광 파장(피크 파장) 및 발광 휘도를 나타내고 있다.
이러한 발광을 위하여 화학식 1에서 m 및 n은, 0 ≤ m ≤ 2 및 0 ≤ n ≤ 1 중 적어도 하나의 조건을 만족할 수 있다. 또한, 화학식 1에서 x는 활성제(Eu)의 함량을 나타내며, 금속 이온(리튬(Li) 및 알루미늄(Al))과 10% 이내의 범위에서 치환되는 것이 보통이다. 즉, x는 0.01 내지 0.1 사이의 값을 가질 수 있다.
Figure 112014065825274-pat00003
표 1에서 나타내는 바와 같이, 앰버 형광체의 산소(Oxygen)의 함량에 따라 발광 파장이 변경될 수 있음을 알 수 있다. 즉, 산소(Oxygen)의 함량(n)이 0인 경우에 588 nm의 발광 파장을 가지고 이때의 발광 휘도는 95%를 가짐을 알 수 있고, 산소의 함량(n)이 1인 경우, 발광 파장은 578 nm까지 낮아질 수 있음을 알 수 있다.
그리고 추가적인 시감 특성을 통한 발광효율 개선을 위해 산소(Oxygen)의 함량(n)을 1 ≤ n ≤ 2 사이로 변화시킬 경우, 발광파장을 560 nm까지 변화시키는 것이 가능하다. 이와 같이, 산소의 함량을 조정함에 따라, 특히 산소의 함량을 증가시키는 것에 의해 발광 파장을 단파장으로 이동하는 것이 용이할 수 있다.
표 1에서 보면 산소(Oxygen)의 함량(n)이 0.1이고 발광파장이 583 nm일 때 발광 휘도가 가장 높음을 알 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에서는 녹색 발광 형광체인 제1형광체와 앰버 색상 발광 형광체인 제2형광체를 혼합하여 휘도가 우수한 황색 광을 구현할 수 있다.
또한, 녹색 형광체 및 앰버 형광체 각각의 발광 파장 및 혼합 비율을 조절함으로써 발광 휘도를 향상시킬 수 있다. 이와 함께 광원의 연색성을 나타내는 연색 평가 지수(color rendering index; CRI)가 함께 개선될 수 있다.
이러한 연색 평가 지수(CRI)는 광원의 연색성을 나타내는 것을 목적으로 한 지수로서 시료 광원 아래에서 물체의 색 지각이 규정된 기준 광 아래서 동일한 물체의 색 지각에 합치되는 정도를 수치화한 것이다.
표 2는 이와 같이 녹색 형광체와 앰버 형광체를 혼합하여 휘도 및 CRI가 향상될 수 있음을 나타내고 있다.
Figure 112014065825274-pat00004
즉, 종래의 황색 형광체(Yellow 형광체; 통상적으로 많이 사용되는 YAG 형광체를 나타낸다.)와 Ca-α-SiAlON를 이용하여 황색 발광 형광체를 구현한 것에 대비하여, 본 발명의 녹색(Green) 형광체(535 nm 피크 파장을 갖는 경우) 및 앰버(Amber) 형광체(583 nm 피크 파장을 갖는 경우)를 사용함으로써 발광 휘도 및 CRI가 종래의 황색 형광체에 비하여 향상될 수 있음을 알 수 있다.
도 2는 황색 발광 형광체를 이용하여 백색 발광 소자 패키지를 구현한 경우의 일례로서의 발광 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 2에서 도시하는 바와 같이, 청색 여기광 및 이 청색광에 의하여 황색 발광 형광체가 여기되어 발광한 황색광이 혼합되어 우수한 품질의 백색 광을 발산할 수 있음을 알 수 있다.
즉, 이러한 황색 발광 형광체(Green + 583 nm Amber)의 예는 종래의 황색 발광 형광체(Yellow) 및 다른 예(Green + 600 nm Amber)에 비하여 향상된 광의 특성을 보이고 있다.
이와 같이, 황색 발광 대역에서 광의 강도 및 시감도가 우수하여, 근자외선 또는 청색 발광 소자와 함께 고 품질의 백색 광을 만들어낼 수 있다.
이상과 같이 녹색 형광체와 앰버 형광체의 조합으로 황색 발광을 구현한 발광 소자 패키지는 시감 효율이 우수한 555 nm 파장 주변에서 피크(peak)의 세기가 강한 장점이 있다.
그러나, 도 2에서 도시하는 바와 같이 발광 소자 패키지의 스펙트럼(spectrum)을 살펴보면, 500 내지 600 nm 대역의 파장의 반치폭이 고품질 조명 관점에서 충분히 넓지 않을 수 있다.
따라서, 조명에서 고품위 컬러 표현을 구현하기 위하여 가시광 파장 영역(380 nm 내지 780 nm 대역)에서 고른 피크 세기의 구현이 필요할 수 있다. 이를 통해 광의 연색 평가 지수(CRI)로 표현되는 연색 특성을 태양광에 가까운 수준으로 개선할 수 있다.
또한, 이와 같은 넓은 스펙트럼을 가지는 발광 소자 패키지의 구현을 통해 이를 이용하는 디스플레이에서 광색역의 색을 표현할 수 있다.
위에서 언급한 바와 같이, 이러한 연색 평가 지수(CRI)는 광원의 연색성을 나타내는 것을 목적으로 한 지수로서, 이는 시료 광원 아래에서 물체의 색 지각이 규정된 기준 광 아래서 동일한 물체의 색 지각에 합치되는 정도를 수치화한 것이다.
조명에서의 연색 평가 지수는 색을 인식하는 시각적 환경이 얼마나 태양광 아래에서의 환경과 흡사한가를 나타낸 수치로서, 구체적으로, 테스트 광원에서 물체의 반사색이 기준 광에서의 반사 색과 일치하는 정도를 수치화하여 조명의 품질을 나타내고 있다.
위에서 설명한 녹색 형광체와 앰버 형광체의 혼합을 통하여 황색 형광체를 구현하는 경우보다 연색 특성을 개선하기 위해서는 발광 스펙트럼을 더 넓은 형태로 변경하여 가시광 파장 영역(380 nm 내지 780 nm)에서 고른 피크 세기가 분포될 수 있도록 구현할 수 있다.
이와 같은 형태로 스펙트럼을 개선하기 위해 녹색 형광체와 앰버 형광체에 장파장의 적색 형광체를 첨가하여 혼합 형광체를 구현할 수 있다. 이를 통하여 580 nm 이상의 장파장에서의 스펙트럼이 증가할 수 있고, 고른 피크 세기가 구현될 수 있다.
또한, 이와 같은 적색 형광체 혼합에 대한 컬러 균형(color balance)을 맞추기 위하여 녹색 형광체의 함량을 증가시킬 수 있다. 즉, 위와 같이 적색 형광체의 혼합에 따라 550 nm를 기준으로 장파장(550 nm 이상)의 스펙트럼이 증가할 수 있으므로 컬러 균형을 위하여 단파장(550 nm 이하) 녹색 형광체의 함량을 증가시킬 수 있다.
한편, 도 3에서 도시하는 같이, 적색 형광체는 청색 여기광 이외에 녹색 형광체 및 앰버 형광체의 발광, 그리고 이들 발광의 혼합광인 황색 발광을 흡수(여기)하여 발광할 수 있다.
도 3에서, 좌측의 점선은 여기(Excitation) 스펙트럼, 즉, 적색 형광체가 흡수하는 빛의 스펙트럼을 나타내고, 우측의 실선은 발광(Emission) 스펙트럼을 나타내고 있다.
따라서, 이러한 적색 형광체의 여기 스펙트럼을 조절하여 구현함으로써, 이 적색 형광체에 의한 청색 여기광 이외의 광의 흡수를 최소화할 수 있다. 이를 통하여 황색 형광체의 발광 효율이 감소하지 않도록 할 수 있으며, 결과적으로, 연색성을 향상시키면서 발광 효율을 함께 증가시킬 수 있다.
이를 위하여, 적색 형광체의 550 nm 파장에서의 흡수 강도(Intensity)를 50% 이하가 되도록 조정할 수 있다. 즉, 적색 형광체의 흡수 스펙트럼 강도의 50%가 되는 지점을 550 nm 파장 이하로 조정하여 녹색, 앰버 및 황색 형광체의 발광의 흡수를 최소화할 수 있다.
이러한 적색 형광체의 설계를 자세히 설명하면 다음과 같다.
위에서 언급한 바와 같이, 연색성을 개선하는 등의 발광 특성 향상을 위해 적색 형광체를 혼합할 경우, 도 4에서 도시하는 바와 같이, 여기광 이외의 형광체에 의한 발광 파장 대역(예를 들면, 녹색의 530 nm 및 황색의 560 nm)의 빛을 흡수하게 되므로 광의 휘도 저하를 가져올 수 있다.
이러한 현상을 최소화하기 위해 적색 형광체의 여기 스펙트럼을 단파장으로 이동시켜 550 nm 대역 이하에서 광의 흡수량을 50%가 되도록 하여 여기광 이외의 광의 흡수를 최소화하여 설계할 수 있다.
도 4에서는 각 적색 발광 파장에 따른 여기(흡수) 스펙트럼(Excitation spectrum)의 예를 나타내고 있다. 또한, 도 5에서는 피크 파장이 다른 적색 형광체의 스펙트럼의 예를 나타내고 있다.
이러한 예에서, 610 nm 피크 파장을 가지는 적색 형광체는 550 nm 파장에서 흡수율이 50% 이하임을 알 수 있다. 정확히, 547 nm 파장에서 흡수율이 50%가 되는 것을 알 수 있다. 또한, 630 nm 피크 파장을 가지는 적색 형광체는 564 nm 파장에서 흡수율이 50%가 되고, 650 nm 피크 파장을 가지는 적색 형광체는 585 nm 파장에서 흡수율이 50%가 되며, 660 nm 피크 파장을 가지는 적색 형광체는 600 nm 파장에서 흡수율이 50%가 되는 것을 알 수 있다.
이러한 설계를 통하여, 550 nm 파장에서 흡수율이 50% 이하인 610 nm 피크 파장을 가지는 적색 형광체를 이용하면 여기광 이외의 광에 의한 흡수를 최소화할 수 있음을 알 수 있다. 그러나, 경우에 따라, 위의 예에서 630 nm, 650 nm 및 660 nm 피크 파장을 가지는 적색 형광체를 이용할 수도 있다.
이와 같이, 적색 형광체의 흡수율을 조절할 수 있고, 또한 조절된 적색 형광체의 피크 파장에 따른 형광체를 선택하여 연색성을 향상시키면서 발광 효율을 함께 증가시킬 수 있다.
<실시예>
표 3은 형광체의 함량비에 따른 CRI와 상대 광속을 나타낸다.
Figure 112014066308035-pat00017
표 3에서는 녹색(Green) 형광체, 피크 파장 580 nm의 앰버(Amber) 형광체 및 피크 파장 610 nm의 적색 형광체를 혼합하여 황색 형광체를 구현하고, 이들 형광체의 함량에 따른 CRI 및 상대 광속을 나타내고 있다.
여기서, 녹색 형광체로서 LuAG, 앰버 형광체로서 Li-α-SiAlON, 그리고 적색 형광체로서 여기 파장이 조절된 SCASN((Sr,Ca)AlSiN3:Eu)을 이용한 예를 나타내고 있다.
이러한 물질을 이용한 경우, 조건 3과 같이, 앰버 형광체 대비 적색 형광체의 비율이 12.7 %인 경우에 최적의 CRI 및 발광 효율(상대 광속)을 보임을 알 수 있다. 여기서 발광 효율은 상대적인 값으로서, 조건 3의 경우를 100 %로 놓은 경우의 상대적인 값을 나타낸다.
또한, 이때의 녹색 형광체, 앰버 형광체 및 적색 형광체의 중량 비율은 각각 67.7 wt%, 28.66 wt% 및 3.64 wt% 이다. 이때, 이러한 중량 비율은 소수점 둘째 자리에서 반올림하면 각각 67.7 wt%, 28.7 wt% 및 3.6 wt%가 되는데, 이러한 값에 의한 CRI 및 상대 광속도 충분히 의미 있는 값을 가질 수 있다. 예를 들어, 이러한 반올림한 값은 CRI 및 상대 광속 관점에서 최적의 중량비에 대한 오차 범위 내에 있을 수 있다.
그러나, 그 외의 경우도 형광체로서 구현되는데 의미를 가질 수 있는 CRI 및 발광 효율 값을 가질 수 있다. 즉, 표 3에서 보는 바와 같이, 녹색 형광체의 중량 비율이 62 내지 75.8 wt%인 경우, 앰버 형광체가 20 내지 35 wt%인 경우, 그리고 적색 형광체가 3 내지 4.2 wt%인 경우에 의미를 가질 수 있다.
또한, 앰버 형광체 대비 적색 형광체의 비율은 8.6 내지 21.0 %일 경우에 발광 소자 패키지에 적용시 CRI 또는 발광 효율이 상대적으로 증가할 수 있는 의미 있는 값으로 고려될 수 있다.
표 4는 표 3에서 최적의 CRI 및 발광 효율(상대 광속)을 가지는 비율을 가지는 경우와 다른 형광체를 비교한 CRI 및 상대 광속을 나타내고 있다.
Figure 112014066308035-pat00018
비교가 되는 황색 형광체(Yellow)는 조건 1에서 보여지는 YAG 형광체의 예를 나타내고 있으며, 이러한 YAG 형광체는 CRI가 67, 상대 광속이 103 %인 것을 알 수 있다.
또한, 조건 2에서 보여지는 녹색 형광체와 600 nm 피크 파장을 가지는 앰버 형광체를 함께 사용한 경우에는 CRI가 74로 증가하나 상대 광속은 오히려 감소하는 것을 알 수 있다.
한편, 녹색 형광체와 580 nm 피크 파장을 가지는 앰버 형광체를 이용하는 경우에는 CIR가 71로 조건 1의 YAG 형광체에 비하여 증가함을 알 수 있고, 상대 광속 또한 103 %로 증가함을 알 수 있다.
비교예로서, 조건 4에서 보여지는 녹색 형광체, 580 nm 피크 파장을 가지는 앰버 형광체 및 630 nm 피크 파장을 가지는 적색 형광체를 이용하는 경우에는 CRI가 74로 상승하나, 상대 광속은 100 %로 줄어든 것을 알 수 있다.
그러나 조건 5에서 보여지는 본 실시예에 의한 녹색 형광체, 580 nm 피크 파장을 가지는 앰버 형광체 및 610 nm 피크 파장을 가지는 적색 형광체를 이용하는 경우에는 CIR가 74로 상승하고, 상대 광속은 103 %로서 YAG 형광체에 비하여 작아지지 않은 것을 알 수 있다. 여기서 조건 5의 상대 광속은 YAG 형광체와 동일하게 103 % 맞추어 표현되었으며, 그 외에는 표 3의 조건 3과 동일한 상태를 나타내고 있다.
도 6은 본 발명의 황색 발광 형광체를 이용하여 백색 발광 소자 패키지를 구현한 경우의 발광 스펙트럼을 나타내는 그래프이다.
도 6에서 도시하는 바와 같이, 430 nm 파장 근처의 청색광 및 이 청색광에 의하여 본 발명에 의한 황색 발광 형광체가 여기되어 발광한 황색광이 혼합되어 우수한 품질의 백색 광을 발산할 수 있음을 알 수 있다.
즉, 본 발명의 황색 발광 형광체(Green + Amber + Red)는 비교예(Green + Amber)에 비하여 향상된 광의 특성을 보이고 있다.
이와 같이, 비교예에 비하여 광의 강도 및 시감도가 저하되지 않음을 알 수 있으며, 근자외선 또는 청색 발광 소자와 함께 고 품질의 백색 광을 만들어낼 수 있다.
이러한 비교예의 경우는 도 2에서 본 바와 같이, 이미 YAG와 같은 통상의 황색 형광체에 비하여 향상된 특성을 보인다.
그런데, 도시하는 바와 같이, 본 발명의 황색 발광 형광체에 의한 스펙트럼은 가시광 파장 영역(380 nm 내지 780 nm)에서 상대적으로 고른 피크 세기가 분포되는 것을 알 수 있으며, 이와 같이, 발광 스펙트럼이 더 넓은 형태로 변경되어 연색 특성이 향상됨을 알 수 있다.
이와 같이, 근 자외선 또는 청색 광에 의하여 여기되어 480 내지 780 nm 파장 대역에 위치하는 넓은 형태의 스펙트럼의 광을 발광함을 알 수 있고, 이러한 스펙트럼의 반치폭은 118 nm인 비교예의 경우보다 넓은 120 nm 이상의 값을 가짐을 알 수 있다. 구체적으로, 본 예에서 본 발명에 의한 황색 형광체의 발광 스펙트럼의 반치폭은 131 nm를 가짐을 알 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명을 통해 우수한 발광 특성을 가지는 황색 발광 형광체를 제공할 수 있고, 이러한 황색 발광 형광체는 광속(휘도)저하를 최소화하고 연색 평가 지수(CRI)가 향상되는 것을 알 수 있다.
또한, 이와 같은 방법으로 CRI 80 이상 고연색성을 가지는 발광체 설계에 이용될 수 있으며, 이를 통해 연색 특성(CRI)을 태양광에 가까운 수준으로 개선할 수 있을 것으로 보인다.
그리고 본 발명의 연속 스펙트럼 설계에 의하여 연색 평가 지수를 향상시킬 수 있고, 이를 위한 형광체의 최적의 혼합 비율을 제공함으로써 넓은 스펙트럼을 가지는 발광체(예를 들면, 발광 소자 패키지) 구현을 통해 디스플레이에서 광색역의 색을 표현할 수 있다.
<발광 소자 패키지>
도 7은 본 발명의 황색 발광 형광체가 이용된 발광 소자 패키지의 일례를 나타내는 단면도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 램프형의 발광 소자 패키지(100)의 예를 나타내고 있다.
이러한 램프형의 백색 발광 소자 패키지(100)는 한 쌍의 리드 프레임(110, 120)과, 전압의 인가에 따라 빛을 발생시키는 발광 소자(130)를 포함한다.
발광 소자(130)는 리드 프레임(110, 120)과 와이어(140)에 의하여 전기적으로 연결되고, 발광 소자(130) 상에는 광 투과성 수지(150)가 몰딩된다. 이러한 발광 소자(130)는 근 자외선 또는 청색 광을 발광할 수 있다.
또한, 근 자외선 발광 소자 대신 동일한 파장 영역에 주 발광 피크를 가지는 발광 소자로서, 레이저 다이오드, 면 발광 레이저 다이오드, 무기 전계 발광 소자, 유기 전계 발광 소자 등을 사용할 수도 있다. 본 발명에서는 바람직한 응용 예로서 질화물 반도체 발광 다이오드가 이용되는 예를 나타내고 있다. 도 7에서 발광 소자(130)는 개략적으로 표현되고 있으며, 수평형 또는 수직형 질화물 반도체 발광 다이오드가 모두 이용될 수 있다.
이러한 광 투과성 수지(150)에는 형광체(170, 171, 172; 도 9 참고)가 분산되어 구비될 수 있고, 광 투과성 수지(150) 상에는 소자 전체의 외부 공간을 마감하는 외장재(160)가 구비될 수 있다.
여기서 사용되는 형광체(170, 171, 172)는 각각 위에서 설명한 제1형광체(녹색 형광체; 170), 제2형광체(앰버 형광체; 171) 및 제3형광체(적색 형광체; 172)를 포함하여 발광 조사(130)에 의해 발광되어 황색 광을 발광할 수 있다. 여기에 경우에 따라 다른 형광체가 더 혼합되어 이용될 수 있다. 이러한 형광체는 경우에 따라 두 종류 이상이 구비될 수 있다.
몰딩 부재로 사용되는 광 투과성 수지(150)는 광 투과 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 아크릴 수지 등이 사용될 수 있다. 바람직하게는 광 투과 에폭시 수지 또는 광 투과 실리콘 수지 등이 사용될 수 있다.
본 실시예의 광 투과성 수지(150)도 발광 소자(130) 주위를 전체적으로 몰딩 할 수도 있지만 필요에 따라 발광 부위에 부분적으로 몰딩되어 구비될 수도 있다.
즉, 고출력 발광 소자의 경우에는 발광 소자(130)의 대형화로 인해 전체적으로 몰딩할 경우, 광 투과성 수지(150)에 분산되는 형광체(170, 171, 172)의 균일 분산에 불리할 수 있기 때문이다. 이 경우 발광 부위에 부분적으로 몰딩하는 것이 유리할 수 있다.
도 8은 본 발명의 황색 발광 형광체가 이용된 발광 소자 패키지의 다른 예를 나타내는 단면도이다. 도 8은 표면 실장 형 발광 소자 패키지(200)를 나타내고 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표면 실장 형 발광 소자 패키지(200)는 도 8에 도시된 바와 같이, 양극 및 음극의 리드 프레임(210, 220)이 구비되고, 이 양극 및 음극의 리드 프레임(210, 220) 중 어느 하나의 위에 위치하여 전압의 인가에 따라 빛을 발생시키는 발광 소자(240)를 포함한다. 이러한 발광 소자(240)는 발광 다이오드 또는 레이저 다이오드를 이용할 수 있다.
도 8에서는 수평형 구조를 가지는 발광 소자(240)의 예를 도시하고 있으나, 수직형 구조의 발광 소자가 이용될 수 있음은 물론이다.
이러한 발광 소자(240)는 리드 프레임(210, 220)과 와이어(250)에 의하여 전기적으로 연결되고, 발광 소자(240) 상에는 광 투과성 수지(260)가 몰딩된다. 이러한 리드 프레임(210, 220)은 패키지 몸체(230)에 의하여 고정될 수 있고, 패키지 몸체(230)는 반사컵 형상을 제공할 수 있다.
또한, 이러한 광 투과성 수지(260)에는 형광체(270, 271, 272)가 분산되어 구성될 수 있다.
여기에 사용되는 형광체(270, 271, 272)는 위에서 설명한 제1형광체(270), 제2형광체(271) 및 제3형광체(273)가 혼합되어 분산되어 사용될 수 있으며, 이외에 다른 형광체가 함께 분산되어 구비될 수 있다. 이러한 형광체는 경우에 따라 두 종류 이상이 구비될 수 있다.
몰딩 부재로 사용되는 광 투과성 수지(260)는 광 투과 에폭시 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드 수지, 요소 수지, 아크릴 수지 등이 사용될 수 있다. 바람직하게는 광 투과 에폭시 수지 또는 광 투과 실리콘 수지 등이 사용될 수 있다.
이러한 광 투과성 수지(260)는 발광 소자(240) 주위를 전체적으로 몰딩할 수도 있지만 필요에 따라 발광 부위에 부분적으로 몰딩하는 것도 가능하다.
그 외에 설명되지 않은 부분은 도 7을 참조하여 설명한 사항과 동일한 사항이 적용될 수 있다.
위에서 상세히 설명한 본 발명에 따른 발광 소자 패키지(100, 200)는 백색 발광 패키지로 구현될 수 있다.
도 9는 도 7의 일부 확대도로서, 백색광이 구현되는 과정을 설명하면 다음과 같다. 이러한 설명은 도 8에서 도시하는 경우에도 그대로 적용될 수 있다.
발광 소자(130)에서 출사되는 근 자외선 또는 청색 광에 해당하는 400 내지 480 nm 파장 영역의 푸른 빛이 형광체(170, 171, 172)를 통과하게 된다.
여기에 일부 빛은 형광체(170, 171, 172)를 여기시켜 도 6에서 도시하는 바와 같은 발광 파장 중심이 500 내지 600 nm 범위의 주요 피크를 갖는 광을 발생시키고, 나머지 빛은 푸른 빛으로 그대로 투과시킨다.
이때, 발광 소자(130)에서 방출되는 빛은, 도시하는 바와 같이, 각각의 형광체(170, 171, 172)를 여기시켜 이들 형광체로부터 광(a, b, c)이 방출되어 혼합되어 황색 광이 방출될 수 있으며, 이러한 황색 광은 발광 소자(130)의 청색 광과 혼합되어 백색 광이 방출될 수 있다.
그 결과, 400 내지 700 nm의 넓은 파장의 스펙트럼을 갖는 백색광을 발광하게 된다. 이때, 적색 형광체(172)에 의하여 더 넓은 스펙트럼이 형성되며, 이를 통하여 연색성이 우수한 고품질의 광을 구현할 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
100, 200: 발광 소자 패키지 110, 120, 210, 220: 리드 프레임
130, 240: 발광 소자 140, 250: 와이어
150, 260: 광 투과성 수지 160: 외장재
170, 171, 172, 270, 271, 272: 형광체
230: 패키지 몸체

Claims (20)

  1. BaYSi4N7:Eu, Ba3Si6O12N2:Eu, CaSi2O2N2:Eu, SrYSi4N7:Eu, Ca을 금속성분으로 가지는 α형 SiAlON(Ca-α-SiAlON:Yb), Lu3Al5O12:Ce, SrSi2O2N2:Eu 및 β형 SiAlON:Eu 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 중심파장이 510 내지 550 nm의 대역에 위치하는 광을 방출하는 제1형광체;
    Li을 금속성분으로 가지는 α형 SiAlON(Li-α-SiAlON:Eu) 및 Ca을 금속성분으로 가지는 α형 SiAlON(Ca-α-SiAlON:Eu) 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 제1형광체와 혼합되어 중심파장이 560 내지 600 nm 대역에 위치하는 광을 발광하는 제2형광체; 및
    CaAlSiN3:Eu, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, K2SiF6:Mn, La3Si6N11:Ce, SrAlSiN3:Eu, SrCN2:Eu, Ca2Si5N8:Eu, Ba2Si5N8:Eu, SrAlSi4N7:Eu 및 (Sr,Ba)SiN2:Eu 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 제1 및 제2형광체와 혼합되어 중심파장이 610 내지 630 nm 대역에 위치하는 광을 발광하고, 550 nm 파장에서의 광 흡수율이 50 % 이하인 제3형광체를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2형광체는, Li을 금속성분으로 가지는 α형 SiAlON(Li-α-SiAlON:Eu)인 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2형광체는, 하기의 화학식 1로 표현되고,
    <화학식 1>
    Figure 112014065825274-pat00007

    상기 m 및 n은, 0 ≤ m ≤ 2 및 0 ≤ n ≤ 1 중 적어도 하나의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1형광체는, 화학식 Lu3Al5O12:Ce로 표현되는 형광체인 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1형광체는, 상기 제1형광체 내지 제3형광체의 합을 100 wt%로 했을 때, 62 내지 75.8 wt%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2형광체는, 상기 제1형광체 내지 제3형광체의 합을 100 wt%로 했을 때, 20 내지 35 wt%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제3형광체는, 상기 제1형광체 내지 제3형광체의 합을 100 wt%로 했을 때, 3 내지 4.2 wt%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2형광체에 대한 제3형광체의 비율은, 8.6 내지 21.0 %인 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제3형광체는, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu로 표현되는 형광체인 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  10. 제1항에 있어서, 상기 황색 발광 형광체는 480 nm 내지 780 nm 파장 대역의 발광 스펙트럼의 반치폭이 120 nm 이상인 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  11. 황색 발광 형광체에 있어서,
    BaYSi4N7:Eu, Ba3Si6O12N2:Eu, CaSi2O2N2:Eu, SrYSi4N7:Eu, Ca을 금속성분으로 가지는 α형 SiAlON(Ca-α-SiAlON:Yb), Lu3Al5O12:Ce, SrSi2O2N2:Eu 및 β형 SiAlON:Eu 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 중심파장이 510 내지 550 nm의 대역에 위치하는 광을 방출하는 제1형광체;
    Li을 금속성분으로 가지는 α형 SiAlON(Li-α-SiAlON:Eu) 및 Ca을 금속성분으로 가지는 α형 SiAlON(Ca-α-SiAlON:Eu) 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 중심파장이 560 내지 600 nm 대역에 위치하는 광을 발광하는 제2형광체; 및
    CaAlSiN3:Eu, (Sr,Ca)AlSiN3:Eu, Sr2Si5N8:Eu, K2SiF6:Mn, La3Si6N11:Ce, SrAlSiN3:Eu, SrCN2:Eu, Ca2Si5N8:Eu, Ba2Si5N8:Eu, SrAlSi4N7:Eu 및 (Sr,Ba)SiN2:Eu 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 중심파장이 610 내지 630 nm 대역에 위치하는 광을 발광하는 제3형광체를 포함하고,
    상기 제1 내지 제3형광체의 혼합물은 근 자외선 또는 청색 여기광에 의하여 여기되어 480 내지 780 nm 파장 대역에 중심파장이 위치하는 스펙트럼의 광을 발광하고, 상기 스펙트럼의 반치폭은 120 nm 이상인 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제3형광체는, 상기 여기광에 의한 빛의 흡수를 최소화하도록 설계된 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제3형광체는, 550 nm 파장에서의 광 흡수율이 50% 이하인 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  14. 제11항에 있어서, 상기 제1형광체는, 상기 제1형광체 내지 제3형광체의 합을 100 wt%로 했을 때, 62 내지 75.8 wt%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  15. 제11항에 있어서, 상기 제2형광체는, 상기 제1형광체 내지 제3형광체의 합을 100 wt%로 했을 때, 20 내지 35 wt%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  16. 제11항에 있어서, 상기 제3형광체는, 상기 제1형광체 내지 제3형광체의 합을 100 wt%로 했을 때, 3 내지 4.2 wt%의 함량을 가지는 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  17. 황색 발광 형광체에 있어서,
    화학식 Lu3Al5O12:Ce로 표현되는 형광체를 포함하고, 중심파장이 510 내지 550 nm의 대역에 위치하는 광을 방출하는 제1형광체;
    Li을 금속성분으로 가지는 α형 SiAlON(Li-α-SiAlON:Eu)를 포함하고, 중심파장이 560 내지 600 nm 대역에 위치하는 광을 발광하는 제2형광체; 및
    (Sr,Ca)AlSiN3:Eu로 표현되는 형광체를 포함하고, 중심파장이 610 내지 630 nm 대역에 위치하는 광을 발광하는 제3형광체를 포함하고,
    상기 제1형광체, 제2형광체 및 제3형광체의 중량비는 상기 제1형광체 내지 제3형광체의 합을 100 wt%로 했을 때 각각 62 내지 75.8 wt%, 20 내지 35 wt% 및 3 내지 4.2 wt%인 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제3형광체는, 550 nm 파장에서의 광 흡수율이 50% 이하인 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  19. 제17항에 있어서, 상기 제2형광체는, 하기의 화학식 1로 표현되고,
    <화학식 1>
    Figure 112014107899890-pat00019

    상기 m 및 n은, 0 ≤ m ≤ 2 및 0 ≤ n ≤ 1 중 적어도 하나의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 황색 발광 형광체.
  20. 제1항, 제11항 및 제17항 중 어느 한 항의 황색 발광 형광체; 및
    상기 황색 발광 형광체를 여기시키는 근 자외선 또는 청색 여기 광을 발광하는 발광 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017082557A1 (ko) * 2015-11-10 2017-05-18 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 장치
KR20200005026A (ko) * 2018-07-05 2020-01-15 엘지전자 주식회사 적색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 장치

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8875445B2 (en) * 2012-10-29 2014-11-04 Stephen Lee Lippert Light weight modular units for staggered stacked building system
KR102261952B1 (ko) * 2014-08-26 2021-06-08 엘지이노텍 주식회사 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
US10017396B1 (en) 2017-04-28 2018-07-10 Eie Materials, Inc. Phosphors with narrow green emission
US10056530B1 (en) * 2017-07-31 2018-08-21 Eie Materials, Inc. Phosphor-converted white light emitting diodes having narrow-band green phosphors
US10177287B1 (en) 2017-09-19 2019-01-08 Eie Materials, Inc. Gamut broadened displays with narrow band green phosphors
KR102550462B1 (ko) * 2018-03-09 2023-07-03 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
US10236422B1 (en) 2018-05-17 2019-03-19 Eie Materials, Inc. Phosphors with narrow green emission
US10174242B1 (en) 2018-05-17 2019-01-08 Eie Materials, Inc. Coated thioaluminate phosphor particles
CN108977200A (zh) * 2018-06-27 2018-12-11 朗昭创新控股（深圳）有限公司 荧光粉组合物及其制备方法
CN112752827A (zh) * 2018-09-26 2021-05-04 松下知识产权经营株式会社 暖色复合荧光体、波长转换体以及发光装置
JP7303437B2 (ja) * 2018-09-28 2023-07-05 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを備えた灯具

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090048589A (ko) * 2006-08-14 2009-05-14 가부시키가이샤후지쿠라 발광 디바이스 및 조명장치
KR20120014853A (ko) * 2010-08-10 2012-02-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR20130047022A (ko) * 2011-10-31 2013-05-08 한국기계연구원 복합 사이알론 형광체 분말
KR101297619B1 (ko) * 2011-09-09 2013-08-19 주식회사 에클립스 백색 led 소자용 삼사정계 산화질화물 황색형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 ｌｅｄ 소자

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP4104013B2 (ja) * 2005-03-18 2008-06-18 株式会社フジクラ 発光デバイス及び照明装置
CN103131410A (zh) * 2005-04-01 2013-06-05 三菱化学株式会社 无机功能材料原料用合金粉末及荧光体
JP2007204730A (ja) 2005-09-06 2007-08-16 Sharp Corp 蛍光体及び発光装置
CN1927997A (zh) * 2005-09-06 2007-03-14 夏普株式会社 荧光体和发光装置
US8013506B2 (en) * 2006-12-12 2011-09-06 Prysm, Inc. Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity
JP2009019163A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sharp Corp 発光装置用蛍光体粒子集合体、発光装置、および液晶表示用バックライト装置
TWI464921B (zh) * 2009-02-25 2014-12-11 Epistar Corp 主波長分佈收斂之發光元件及其製造方法
WO2010018873A1 (ja) 2008-08-13 2010-02-18 宇部興産株式会社 Ｌｉ含有α－サイアロン系蛍光体とその製造方法、照明器具ならびに画像表示装置
JP5565046B2 (ja) 2010-03-31 2014-08-06 宇部興産株式会社 Ｌｉ含有α−サイアロン系蛍光体の製造方法
WO2012050199A1 (ja) * 2010-10-15 2012-04-19 三菱化学株式会社 白色発光装置及び照明器具
WO2013118334A1 (ja) * 2012-02-09 2013-08-15 電気化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
CN103367611B (zh) * 2012-03-28 2017-08-08 日亚化学工业株式会社 波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置
JP5960014B2 (ja) * 2012-09-28 2016-08-02 日東電工株式会社 蛍光接着シート、光半導体素子−蛍光体層感圧接着体および光半導体装置
EP2921543B1 (en) 2012-11-13 2017-07-19 Denka Company Limited Phosphor, light-emitting element and lighting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090048589A (ko) * 2006-08-14 2009-05-14 가부시키가이샤후지쿠라 발광 디바이스 및 조명장치
KR20120014853A (ko) * 2010-08-10 2012-02-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR101297619B1 (ko) * 2011-09-09 2013-08-19 주식회사 에클립스 백색 led 소자용 삼사정계 산화질화물 황색형광체, 그의 제조방법 및 그를 이용한 백색 ｌｅｄ 소자
KR20130047022A (ko) * 2011-10-31 2013-05-08 한국기계연구원 복합 사이알론 형광체 분말

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017082557A1 (ko) * 2015-11-10 2017-05-18 엘지전자 주식회사 황색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 장치
KR20200005026A (ko) * 2018-07-05 2020-01-15 엘지전자 주식회사 적색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 장치
KR102637411B1 (ko) 2018-07-05 2024-02-16 엘지전자 주식회사 적색 발광 형광체 및 이를 이용한 발광 장치

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