JP2016027644A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
A2[M1-aMn4+ aF6]・・・(I)
(ただし、上記一般式(I)中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4+からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす数を示す。)で表され、前記第二蛍光体は、その組成が一般式(II)
(x−a)MgO・(a/2)Sc2O3・yMgF2・cCaF2・(1−b)GeO2・(b/2)Mt2O3:zMn4+・・・(II)
(ただし、上記一般式(II)中、x、y、z、a、b、cについて、2.0≦x≦4.0、0<y<1.5、0<z<0.05、0≦a<0.5、0<b<0.5、0≦c<1.5、y+c<1.5である。また、上記一般式(II)中のMtはAl、Ga、Inから選択された少なくとも1種である。)で表されるものである。
A2[M1-aMn4+ aF6]・・・(I)
(ただし、上記一般式(I)中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4+からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす数を示す。)
(x−a)MgO・(a/2)Sc2O3・yMgF2・cCaF2・(1−b)GeO2・(b/2)Mt2O3:zMn4+・・・(II)
(ただし、上記一般式(II)中、x、y、z、a、b、cについて、2.0≦x≦4.0、0<y<1.5、0<z<0.05、0≦a<0.5、0<b<0.5、0≦c<1.5、y+c<1.5である。また、上記一般式(II)中のMtはAl、Ga、Inから選択された少なくとも1種である。)
(半導体発光装置)
(発光素子)
(第一蛍光体)
A2[M1-aMn4+ aF6]・・・(I)
(式中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4+からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす数を示す。)なお、このKSF蛍光体の詳細は、本願出願人が先に特許出願した特願2014−122887号を参照できる。
(第二蛍光体)
ただし、上記一般式(II)中x、y、z、a、b、cについて、2.0≦x≦4.0、0<y<1.5、0<z<0.05、0≦a<0.5、0<b<0.5、0≦c<1.5、y+c<1.5である。また、上記一般式(II)中のMtはAl、Ga、Inから選択された少なくとも1種である。上記一般式(II)において、好ましくは0.05≦a≦0.3、0.05≦b<0.3とすることで、さらに輝度も向上させることができる。なお、このMGF蛍光体の詳細は、本願出願人が先に特許出願した特願2014−113515号を参照できる。
(第三蛍光体)
(その他の蛍光体)
よる悪影響を受けることがある場合は、封止部材50の最表面からも離間して配置することで、発光装置の外部からの水分による悪影響を避けることができる。
[実施例]
(実施例1〜3)
10…発光素子
20…第一のリード
30…第二のリード
40…成形体
50…封止部材
60…ワイヤ
70…蛍光体
70A…第一蛍光体
70B…第二蛍光体
70C…第三蛍光体
Claims (11)
- 青色の光を発する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子からの光により励起されて、赤色の蛍光を発する第一蛍光体と、
前記半導体発光素子からの光により励起されて、前記第一蛍光体とは異なる発光ピーク波長を有する赤色の蛍光を発する第二蛍光体と、
前記半導体発光素子からの光により励起されて、緑色から黄色の蛍光を発する第三蛍光体と
を備え、
前記発光素子からの光と前記第一乃至第三蛍光体の蛍光との混色光を発する半導体発光装置であって、
前記第一蛍光体は、その組成が一般式(I)
A2[M1-aMn4+ aF6]・・・(I)
(ただし、上記一般式(I)中、Aは、K+、Li+、Na+、Rb+、Cs+及びNH4+からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、Mは、第4族元素及び第14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素であり、aは0<a<0.2を満たす数を示す。)
で表され、
前記第二蛍光体は、その組成が一般式(II)
(x−a)MgO・(a/2)Sc2O3・yMgF2・cCaF2・(1−b)GeO2・(b/2)Mt2O3:zMn4+・・・(II)
(ただし、上記一般式(II)中、x、y、z、a、b、cについて、2.0≦x≦4.0、0<y<1.5、0<z<0.05、0≦a<0.5、0<b<0.5、0≦c<1.5、y+c<1.5である。また、上記一般式(II)中のMtはAl、Ga、Inから選択された少なくとも1種である。)
で表される半導体発光装置。 - 請求項1に記載の半導体発光装置であって、
前記第一蛍光体は、610〜650nmの範囲に発光ピークを有する半導体発光装置。 - 請求項1または2に記載の半導体発光装置であって、
前記第二蛍光体は、650nm以上に発光ピークを有する半導体発光装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体発光装置であって、
前記第三蛍光体は、500〜560nmの範囲に発光ピークを有する半導体発光装置。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体発光装置であって、
前記第一蛍光体は、その組成式が、K2[Si0.97Mn4+ 0.03F6]で表される半導体発光装置。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体発光装置であって、
前記第二蛍光体は、その組成式が、3.4MgO・0.1Sc2O3・0.5MgF2・0.885GeO2・0.1Ga2O3:0.015Mn4+で表される半導体発光装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体発光装置であって、
前記第三蛍光体は、その組成式が、(Lu,Y,Gd,Tb)3(Al,Ga)5O12:Ceで表される半導体発光装置。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体発光装置であって、
前記第一蛍光体および前記第二蛍光体の総量に対する第二蛍光体の重量%が、25〜80重量%である半導体発光装置。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体発光装置であって、
前記半導体発光装置の特殊演色性評価数R9〜R12について、評価試験色の色度座標上の4点を結んでなる色域面積比Gaが、105以上である半導体発光装置。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体発光装置であって、
前記第三蛍光体が、前記半導体発光素子の上に配置され、
前記第一蛍光体及び第二蛍光体が、前記第三蛍光体の上に配置されてなる半導体発光装置。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体発光装置であって、
前記第三蛍光体が、前記半導体発光素子の上に配置され、
前記第二蛍光体が、前記第三蛍光体の上に配置され、
前記第一蛍光体が、前記第二蛍光体の上に配置されてなる半導体発光装置。
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