JP4873183B2 - 蛍光体及び発光装置 - Google Patents

蛍光体及び発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4873183B2
JP4873183B2 JP2007529526A JP2007529526A JP4873183B2 JP 4873183 B2 JP4873183 B2 JP 4873183B2 JP 2007529526 A JP2007529526 A JP 2007529526A JP 2007529526 A JP2007529526 A JP 2007529526A JP 4873183 B2 JP4873183 B2 JP 4873183B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
phosphor
examples
silicate
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007529526A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2007015542A1 (ja
Inventor
嘉典 村崎
芳樹 里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Priority to JP2007529526A priority Critical patent/JP4873183B2/ja
Publication of JPWO2007015542A1 publication Critical patent/JPWO2007015542A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4873183B2 publication Critical patent/JP4873183B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342Silicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77344Aluminosilicates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/77922Silicates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

本発明は信号灯、照明、ディスプレイ、インジケーターや各種光源などに使用可能で、蛍光体を用いた発光装置に係わる。特に、発光素子からの発光スペクトルにより励起され、可視領域に発光可能な蛍光体を用い、白色や橙赤色などが発光可能な発光装置を提供することにある。
従来、長波長の紫外線領域から可視光の短波長領域で発光する蛍光体は色々あるが、耐光性に優れ効率よく橙赤色を発光する蛍光体は知られていない。緑色を発光する蛍光体として、耐候性に極めて弱く、発光効率も悪い(Sr,Ca)S:Eu系の蛍光体が主に用いられてきた。
また、異なる発光色であるが珪酸塩蛍光体としては、青色発光ダイオードが放つ青色光を吸収して黄色系の蛍光を放つ黄色系蛍光体としてSrSiO:Euの化学式で表される珪酸塩蛍光体が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−277441号
しかし、ディスプレイや照明までも含めた光源として利用されるためには、従来知られている橙赤色発光の蛍光体の発光効率では十分でなく、さらなる輝度の向上や量産性の改良が求められている。特に、長波長の紫外線領域から可視光の短波長領域で励起され、YAl12:Ce(以下、「YAG系蛍光体」という。)などと比較して橙赤色を十分な輝度で発光可能な蛍光体は知られていない。そのため、赤味成分が多い色調を実現する場合、橙赤系発光の蛍光体の混合割合を多くしなければならず、相対輝度が低下する場合がある。
以上のことから、本発明は、橙赤色に発光する高輝度の蛍光体及びそれを用いた発光装置を提供することを目的とする。
上記の問題点を解決すべく、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、上述した問題を解決できることを見出し、本発明を完成するに到った。
本発明は、460nm付近の励起光源からの光を吸収して波長変換し、CIE色度図範囲内における色調x、yが、0.400≦x≦0.580、0.400≦y≦0.580の範囲に発光する、Mg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選択される少なくとも1種と、Si、Ge、Snからなる群から選択される少なくとも1種と、Euを少なくとも有する賦活剤と、を含有する蛍光体に関する。これにより所定の色調範囲に発光する高輝度の蛍光体を提供することができる。特に、Si、Ge、Snからなる群から選択されるSiを必須とする少なくとも1種である、シリケート系蛍光体であることが好ましい。これにより耐候性に優れた蛍光体を提供することができるからである。
本発明は、一般式M 5−xEu 2m+(3/2)n+5(式中、x、m、nは、0.0001≦x≦0.3、1.0≦m<2.5、0≦n<2.5である。MはMg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選択される少なくとも1種、MはSi、Ge、Snからなる群から選択される少なくとも1種、MはB、Al、Ga、In及び希土類元素から選択される少なくとも1種である。)である蛍光体に関する。これにより橙赤色等に発光する高輝度の蛍光体を提供することができる。
本発明は、300nm乃至530nmの領域に発光ピーク波長を有する発光素子と、前記発光素子からの光を吸収して波長変換され、前記発光素子と異なる発光ピーク波長の光を放出する、一般式M 5−xEu 2m+(3/2)n+5(式中、x、m、nは、0.0001≦x≦0.3、1.0≦m<2.5、0≦n<2.5である。MはMg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選択される少なくとも1種、MはSi、Ge、Snからなる群から選択される少なくとも1種、MはB、Al、Ga、In及び希土類元素から選択される少なくとも1種である。)で表される蛍光体と、を有する発光装置に関する。これにより種々の発光色を実現できる発光装置を提供することができる。特に、橙赤色系に発光する発光装置や、他の色に発光する蛍光体等を組み合わせた白色系に発光する発光装置などを提供することができる。
本発明は、以上説明したように構成されていることにより、耐候性に優れ、高輝度に発光する蛍光体を提供することができる。
以下、本発明に係る蛍光体及び発光装置を、実施の形態及び実施例を用いて説明する。だたし、本発明は、この実施の形態及び実施例に限定されない。
<蛍光体>
以下、実施の形態に係る蛍光体について説明する。
本発明に係る蛍光体は、460nmの励起光源からの光を吸収して波長変換し、CIE色度図範囲内における色調x、yが、0.400≦x≦0.580、0.400≦y≦0.580の範囲に発光する、Mg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選択される少なくとも1種と、Si、Ge、Snからなる群から選択される少なくとも1種と、Euを少なくとも有する賦活剤と、を含有する。
本発明に係る蛍光体は、一般式M 5−xEu 2m+(3/2)n+5(式中、x、m、nは、0.0001≦x≦0.3、1.0≦m<2.5、0≦n<2.5である。MはMg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選択される少なくとも1種、MはSi、Ge、Snからなる群から選択される少なくとも1種、MはB、Al、Ga、In及び希土類元素から選択される少なくとも1種である。)で表される。
このうち、Si、Ge、Snからなる群から選択されるSiを必須とする少なくとも1種であるシリケート系蛍光体について、以下説明するがこれに限定されない。
(シリケート系蛍光体)
一般式M 5−xEu 2m+(3/2)n+5(式中、x、m、nは、0.0001≦x≦0.3、1.0≦m<2.5、0≦n<2.5である。MはMg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選択される少なくとも1種、MはSi、Ge、Snからなる群から選択されるSiを必須とする少なくとも1種、MはB、Al、Ga、In及び希土類元素から選択される少なくとも1種である。)で表される。n=0のときは、M 5−xEu 2m+5となる。MはMg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選択されるSrを必須とする少なくとも1種であることが好ましい。Mの希土類系元素は、Pr、Nd、Dy、Hoであることが好ましい。高輝度に発光するからである。
シリケート系蛍光体は、約530nmより長波長側の光では励起効率が低くなる。そのため、530nm以下の短波長側の光により効率よく励起される。また、300nm以上の光により効率よく励起される。
シリケート系蛍光体を励起すると550nmから630nmの領域に発光ピーク波長を有する。このシリケート系蛍光体の発光ピーク波長はシリケート系蛍光体の組成を種々変更すること、励起波長を変更することにより変えることができる。
シリケート系蛍光体の組成中のx、m、nは、0.0001≦x≦0.3、1.0≦m<2.5、0≦n<2.5の範囲である。このうち、0.01≦x≦0.3が好ましい。この範囲にすることによりより高輝度にすることができるからである。1.9≦m<2.5が好ましい。この範囲にすることにより高輝度にすることができるからである。nを変更することにより種々の色調を有する蛍光体を提供することができる。
(シリケート系蛍光体の製造方法)
次に、本発明に係るシリケート系蛍光体、Sr4.8Ba0.1Eu0.1Siの製造方法を説明するが、本製造方法に限定されない。
まずSrCO、BaCO、SiO及びEuを、所定の配合比となるように調整、混合する。BaCO、SrCO、SiO、Euの代わりに酸化物、炭酸化物、窒化物、イミド化合物、アミド化合物などの化合物を使用することもできる。また、例えばSrF、BaFなどのフラックスを用いることもできる。
次に、上記原料を秤量しボールミル等の混合機によって乾式で十分に混合する。
この原料混合物を坩堝に投入し、還元雰囲気下にて焼成する。焼成は、管状炉、箱型炉、高周波炉、メタル炉などを使用することができる。焼成温度は、特に限定されないが、1000℃から1600℃の範囲で焼成を行うことが好ましい。還元雰囲気は、窒素−水素雰囲気、窒素雰囲気、アンモニア雰囲気、アルゴン等の不活性ガス雰囲気等でもよい。
得られた焼成品を粉砕、分散、篩過して目的のシリケート系蛍光体を得ることができる。
<発光装置>
以下、実施の形態に係る発光装置について説明する。図1は、実施の形態に係る発光装置を示す概略断面図である。
実施の形態に係る発光装置10は、リードフレーム4のカップ部4aに発光素子1を載置している。カップ部4a内には蛍光体2を混合した封止部材3を配置している。カップ部4a及び封止部材3をモールド封止部材5で被覆している。蛍光体2は、少なくとも上述のシリケート系蛍光体を内在している。リードフレーム4は一対の正負の電極となっており、発光素子1の持つ正負の電極と電気的に接続している。
発光素子1は、電気エネルギーを光に換える光電変換素子であり、具体的には発光ダイオード、レーザーダイオード、面発光レーザーダイオード、無機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子などが該当する。特に、半導体発光素子の高出力化の面からは、発光ダイオードまたは面発光レーザーダイオードが好ましい。発光素子1は、長波長側の紫外線領域から短波長側の可視光領域に発光ピーク波長を有すれば良いが、特にシリケート系蛍光体を高効率に励起する、530nmから630nmの領域に発光ピーク波長を有するものが好ましい。
蛍光体2には、シリケート系蛍光体の他に、他の蛍光体が含まれていてもよい。他の蛍光体としては、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類ケイ酸塩、希土類酸硫化物、アルカリ土類硫化物、アルカリ土類チオガレート、アルカリ土類窒化ケイ素、ゲルマン酸塩、又は、Ce等のランタノイド系元素で主に付活される希土類アルミン酸塩、希土類ケイ酸塩、又は、Eu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか1以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体を使用することができるが、これに限定されない。
Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に付活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体には、M(POX:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体には、MX:R(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体には、SrAl:R、SrAl1425:R、CaAl:R、BaMgAl1627:R、BaMgAl1017:R(Rは、Eu、Mn、EuとMn、のいずれか1以上である。)などがある。
希土類酸硫化物蛍光体には、LaS:Eu、YS:Eu、GdS:Euなどがある。
Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体には、YAl12:Ce、(Y0.8Gd0.2Al12:Ce、Y(Al0.8Ga0.212:Ce、(Y,Gd)(Al,Ga)12の組成式で表されるYAG系蛍光体などがある。
このほかCaS:Eu、ZnGeO:Mn、MGa:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種以上である。)などがある。また、MSi:Eu、MSi10:Eu、M1.8Si0.2:Eu、M0.9Si0.110:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種以上である。)などもある。
上述の第2の蛍光体は、所望に応じてEuに代えて、又は、Euに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Ti等から選択される1種以上を含有させることもできる。
また、上記蛍光体以外の蛍光体であって、同様の性能、効果を有する蛍光体も使用することができる。
これらの蛍光体は、発光素子1の励起光により、黄色、赤色、緑色、青色に発光スペクトルを有する蛍光体を使用することができるほか、これらの中間色である黄色、青緑色などに発光スペクトルを有する蛍光体も使用することができる。これらの蛍光体をシリケート系蛍光体と組み合わせて使用することにより、種々の発光色を有する発光装置を製造することができる。
例えば、青色に発光する発光素子と、橙赤色領域に発光するシリケート系蛍光体2と、を使用することによって、アンバー色に発光する発光装置10を提供することができる。
また、例えば、青色に発光する発光素子と、黄緑色領域に発光するYAG系蛍光体と橙赤色領域に発光するシリケート系蛍光体とを有する蛍光体2と、を使用することによって、演色性の良好な白色に発光する発光装置10を提供することができる。これにより、ブロードな発光スペクトルを有する所望の白色光を実現することができる。
封止部材3は、耐熱性、耐光性に優れた部材を用いることが好ましい。例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ユリア樹脂などを使用することができる。封止部材3に拡散剤、着色剤、紫外線吸収剤を含有することもできる。
モールド封止部材5は、発光素子1やワイヤ、リードフレーム4の一部などを保護するために設ける。モールド封止部材5は、凸レンズ形状、凹レンズ形状の他、複数積層する構造であっても良い。モールド封止部材5の具体的材料としては、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂、シリカゾル、ガラスなどの透光性、耐候性、温度特性に優れた材料を使用することができる。モールド封止部材5には、拡散剤、着色剤、紫外線吸収剤や蛍光体を含有することもできる。
<実施例>
以下、実施例に基づき、本発明をより具体的に説明する。図2は、実施例1及び6のシリケート系蛍光体の励起スペクトルを示す図である。図3は、実施例1及び6のシリケート系蛍光体の発光スペクトルを示す図である。図4は、CIE色度図である。CIE色度図には、一例として実施例6を示している。CIE色度図には黒体放射軌跡を示している。シリケート系蛍光体の一般式はM 5−xEu 2m+(3/2)n+5(式中、x、m、nは、0.0001≦x≦0.3、1.0≦m<2.5、0≦n<2.5である。MはMg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選択される少なくとも1種、MはSi、Ge、Snからなる群から選択される少なくとも1種、MはB、Al、Ga、In及び希土類元素から選択される少なくとも1種である。)である。実施例1乃至48のシリケート系蛍光体はいずれもこの組成範囲内である。以下、表に示す実施例1乃至48のシリケート系蛍光体の組成は焼成前のものである。
実施例1乃至10並びに12乃至48は、励起光源に約460nmのものを使用して、発光時の色調x、yを測定する。相対輝度は(Y0.8Gd0.2Al12:Ceと比較する。
実施例11は、励起光源に約400nmのものを使用して、発光時の色調x、yを測定する。相対輝度はSrAl:Euと比較する。
<実施例1乃至11>
実施例1のシリケート系蛍光体は、Sr4.9Eu0.1Siである。実施例2乃至11のシリケート系蛍光体は、(Sr,Ba)4.9Eu0.1Siである。SrとBaの組成比は表に示す通りである。実施例1乃至11のシリケート系蛍光体はx=0.1、m=2、n=0として、Mの組成比を変更したものである。
実施例1乃至11のシリケート系蛍光体を測定した結果を表に示す。
Figure 0004873183
実施例6のシリケート系蛍光体を例にとって、その製造方法について説明するが、実施例1乃至48もほぼ同様な方法により製造することができる。
原料としてSrCO、BaCO、SiO、Euと、フラックスとしてSrFとを用い、Sr4.4Ba0.5Eu0.1Siの組成比となるように調整、混合する。
SrCO 129.9g
BaCO 19.7g
SiO 24.0g
Eu 3.52g
SrF 0.62g
上記原料を秤量し混合機により乾式で十分に混合する。この混合原料を坩堝に詰め、水素−窒素の還元雰囲気下にて300℃/hrで1200℃まで昇温し、高温部1200℃で3時間焼成する。得られた焼成品を粉砕、分散、篩過することにより目的の蛍光体粉末が得られた。実施例1乃至48も実施例6とほぼ同様の方法で形成されたものである。
この実施例6のシリケート系蛍光体は、460nmの励起光源を使用して発光させたところ、橙色に発光しており、発光輝度はYAG系蛍光体に対して71.9%であった。
実施例1乃至10、12乃至48のいずれも、CIE色度図範囲内における色調x、yが、0.400≦x≦0.580、0.400≦y≦0.580の範囲に発光する。特に、実施例2乃至10、実施例12乃至23は、CIE色度図範囲内における色調x、yが、0.530≦x≦0.580、0.420≦y≦0.470の範囲に発光する。
<実施例12乃至15>
実施例12乃至15のシリケート系蛍光体は、(Sr,Ba)5−xEuSiである。実施例12乃至15のシリケート系蛍光体はm=2、n=0として、Mの組成比及びxを変更したものである。実施例12乃至15のシリケート系蛍光体を測定した結果を表に示す。
Figure 0004873183
<実施例16乃至19>
実施例16乃至19のシリケート系蛍光体は、Sr4.4Ba0.5Eu0.1Si2m+5である。実施例16乃至19のシリケート系蛍光体はx=0.1、n=0として、Mの組成比及びmを変更したものである。実施例16乃至19のシリケート系蛍光体を測定した結果を表に示す。
Figure 0004873183
<実施例20乃至23、参考例1及び2>
実施例20乃至27のシリケート系蛍光体は、(Sr,Ba)4.9Eu0.15Si 9.075である。MにPr、Nd、Dy、Hoを用いる。実施例20乃至23のシリケート系蛍光体はx=0.1、m=2、n=0.05として、Mの元素を変更したものである。実施例20乃至23のシリケート系蛍光体を測定した結果を表に示す。
Figure 0004873183
<実施例24乃至27>
実施例24乃至27のシリケート系蛍光体は、(Sr,Ba,Ca)4.9Eu0.1Siである。実施例20乃至27のシリケート系蛍光体はx=0.1、m=2、n=0として、Mの組成比を変更したものである。実施例24乃至27のシリケート系蛍光体を測定した結果を表に示す。
Figure 0004873183
<実施例28、参考例3乃至5>
実施例28のシリケート系蛍光体は、Sr4.4Ba0.5Eu0.1SiAl2m+(3/2)n+5である。実施例28のシリケート系蛍光体はx=0.1、M=Alとして、m、nを変更したものである。実施例28のシリケート系蛍光体を測定した結果を表に示す。
Figure 0004873183
<実施例29及び30>
実施例29及び30のシリケート系蛍光体は、(Sr,Mg)4.9Eu0.1Siである。実施例29及び30のシリケート系蛍光体はx=0.1、m=2、n=0として、Mの組成比を変更したものである。実施例29及び30のシリケート系蛍光体を測定した結果を表に示す。
Figure 0004873183
<実施例31乃至41>
実施例31乃至41のシリケート系蛍光体は、(Sr,Ca)4.9Eu0.1Siである。実施例31乃至41のシリケート系蛍光体はx=0.1、m=2、n=0として、Mの組成比を変更したものである。実施例31乃至41のシリケート系蛍光体を測定した結果を表に示す。
Figure 0004873183
<実施例42乃至45>
実施例42乃至45のシリケート系蛍光体は、M 4.9Eu0.1Siである。実施例42乃至45のシリケート系蛍光体はx=0.1、m=2、n=0として、Mの組成比を変更したものである。実施例42乃至45のシリケート系蛍光体を測定した結果を表に示す。
Figure 0004873183
<実施例46乃至48>
実施例46乃至48のシリケート系蛍光体は、Sr4.4Ba0.5Eu0.1Si9+(3/2)nである。実施例46乃至48のシリケート系蛍光体はx=0.1、m=2、M=Bとして、nを変更したものである。実施例46乃至48のシリケート系蛍光体を測定した結果を表に示す。
Figure 0004873183
<比較例1及び2>
比較例1のシリケート系蛍光体はSr4.4Ba0.5Eu0.1Si11である。比較例2のシリケート系蛍光体はSr4.4Ba0.5Eu0.1Si2.510である。比較例1及び2のシリケート系蛍光体はx=0.1、m=3若しくは2.5、n=0としている。比較例1及び2のシリケート系蛍光体を測定した結果を表に示す。
Figure 0004873183
<実施例49乃至59>
実施例49乃至59は発光装置である。図1は、実施の形態に係る発光装置を示す概略断面図である。図4は、CIE色度図である。CIE色度図には、一例として実施例6を示している。図5は、実施例49の発光装置の発光スペクトルを示す図である。図6は、実施例50乃至59の発光装置の発光スペクトルを示す図である。
460nm近傍に発光ピーク波長を有する発光素子1と、Sr4.4Ba0.5Eu0.1Siの組成を持つ実施例6のシリケート系蛍光体2と、を有する発光装置10である。CIE色度図に発光素子1と蛍光体2との色度座標を示す。発光素子1は色度x=0.149、色度y=0.032を示す。460nm近傍に発光ピーク波長を有する発光素子1で蛍光体2を励起させたときの色度x、yは、色度x=0.560、色度y=0.430である。
図に示すようにアンバー色に発光する実施例49の発光装置10を提供することができる。また、カップ部4a内に配置する実施例6の蛍光体2の量を調整することにより、実施例50乃至59の発光装置10を製造することができる。蛍光体2は、実施例59の方が実施例50よりも多く使用している。また、実施例59の方が実施例50よりも橙赤色成分が多い。実施例49乃至59の発光装置10は、CIE色度図において発光素子1が示す色度と、実施例6の蛍光体2の色度とを結ぶ直線近傍の色度を示す。
<実施例60乃至67>
実施例60乃至67は発光装置である。図1は、実施の形態に係る発光装置を示す概略断面図である。図4は、CIE色度図である。CIE色度図には、一例として実施例6と(Y0.8Gd0.2Al12:Ceとを示している。図7は、実施例60の発光装置の発光スペクトルを示す図である。図8は、実施例61乃至67の発光装置の発光スペクトルを示す図である。
460nm近傍に発光ピーク波長を有する発光素子1と、Sr4.4Ba0.5Eu0.1Siの組成を持つ実施例6のシリケート系蛍光体と(Y0.8Gd0.2Al12:Ceの組成を持つYAG蛍光体とを混合した蛍光体2と、を有する発光装置10である。CIE色度図に発光素子1と蛍光体2との色度座標を示す。発光素子1は色度x=0.149、色度y=0.032を示す。460nm近傍に発光ピーク波長を有する発光素子1でシリケート系蛍光体を励起させたときの色度x、yは、色度x=0.560、色度y=0.430である。460nm近傍に発光ピーク波長を有する発光素子1でYAG蛍光体を励起させたときの色度x、yは、色度x=0.384、色度y=0.572である。
図に示すように橙赤色成分が増した白色に発光する実施例60の発光装置10を提供することができる。この実施例60の発光装置10は高い演色性を示す。また、カップ部4a内に配置するシリケート系蛍光体とYAG蛍光体とを混合した蛍光体2の量を調整することにより、実施例61乃至67の発光装置10を製造することができる。
実施例61乃至67の発光装置は、CIE色度図において発光素子1が示す色度と、シリケート系蛍光体が示す色度と、YAG蛍光体が示す色度と、を結ぶ三角形内部近傍の色度を示す。
本発明の発光装置は、信号灯、照明、ディスプレイ、インジケーターや各種光源などに使用可能で、蛍光体を用いた発光装置に利用することができる。
実施の形態に係る発光装置を示す概略断面図である。 実施例1及び6のシリケート系蛍光体の励起スペクトルを示す図である。 実施例1及び6のシリケート系蛍光体の発光スペクトルを示す図である。 CIE色度図である。 実施例49の発光装置の発光スペクトルを示す図である。 実施例50乃至59の発光装置の発光スペクトルを示す図である。 実施例60の発光装置の発光スペクトルを示す図である。 実施例61乃至67の発光装置の発光スペクトルを示す図である。
符号の説明
1 発光素子
2 蛍光体
3 封止部材
4 リードフレーム
5 モールド封止部材
10 発光装置

Claims (3)

  1. 一般式
    5−xEu 2m+(3/2)n+5
    (式中、x、m、nは、0.0001≦x≦0.3、1.0≦m<2.5、0≦n<2.5である。MはMg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選択される少なくとも1種、 はSi、M はB、Al及び希土類元素から選択される少なくとも1種である。)であることを特徴とする蛍光体。
  2. 前記蛍光体は、460nm付近の励起光源からの光を吸収して波長変換し、CIE色度図範囲内における色調x、yが、0.400≦x≦0.580、0.400≦y≦0.580の範囲に発光することを特徴とする請求項1に記載の蛍光体。
  3. 300nm乃至530nmの領域に発光ピーク波長を有する発光素子と、
    前記発光素子からの光を吸収して波長変換され、前記発光素子と異なる発光ピーク波長の光を放出する、一般式
    5−xEu 2m+(3/2)n+5
    (式中、x、m、nは、0.0001≦x≦0.3、1.0≦m<2.5、0≦n<2.5である。MはMg、Ca、Sr、Ba、Znからなる群から選択される少なくとも1種、 はSi、M はB、Al及び希土類元素から選択される少なくとも1種である。)
    で表される蛍光体と、
    を有することを特徴とする発光装置。
JP2007529526A 2005-08-04 2006-08-03 蛍光体及び発光装置 Active JP4873183B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007529526A JP4873183B2 (ja) 2005-08-04 2006-08-03 蛍光体及び発光装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005226089 2005-08-04
JP2005226089 2005-08-04
JP2007529526A JP4873183B2 (ja) 2005-08-04 2006-08-03 蛍光体及び発光装置
PCT/JP2006/315391 WO2007015542A1 (ja) 2005-08-04 2006-08-03 蛍光体及び発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2007015542A1 JPWO2007015542A1 (ja) 2009-02-19
JP4873183B2 true JP4873183B2 (ja) 2012-02-08

Family

ID=37708822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007529526A Active JP4873183B2 (ja) 2005-08-04 2006-08-03 蛍光体及び発光装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7927512B2 (ja)
EP (1) EP1911826B1 (ja)
JP (1) JP4873183B2 (ja)
DE (1) DE602006011168D1 (ja)
WO (1) WO2007015542A1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4770319B2 (ja) * 2005-08-04 2011-09-14 日亜化学工業株式会社 蛍光体及び発光装置
US8013517B2 (en) * 2006-12-29 2011-09-06 Lg Innotek Co., Ltd. Phosphor material, coating phosphor composition, and light emitting device
CN102017206A (zh) 2008-04-17 2011-04-13 株式会社东芝 白光发射设备、背光灯、液晶显示设备、以及照明设备
KR101047775B1 (ko) 2008-09-23 2011-07-07 주식회사 포스포 형광체 및 발광소자
US20110012141A1 (en) * 2009-07-15 2011-01-20 Le Toquin Ronan P Single-color wavelength-converted light emitting devices
KR102259343B1 (ko) 2012-11-07 2021-06-09 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 형광체를 펌핑하는 iii-족 질화물계 레이저 다이오드를 채용한 백색 광원
EP2733190B1 (en) 2012-11-16 2020-01-01 LG Innotek Co., Ltd. Phosphor composition and light emitting device package having the same
CN103254895B (zh) * 2013-05-12 2014-09-24 吉林大学 硅铝酸盐绿色荧光粉及其制备方法
US10283681B2 (en) 2013-09-12 2019-05-07 Cree, Inc. Phosphor-converted light emitting device
LT6215B (lt) * 2013-10-22 2015-08-25 Vilniaus Universitetas Fotobiologiškai draugiškas konversijos fosfore šviestukas
TWI700353B (zh) * 2015-09-24 2020-08-01 晶元光電股份有限公司 螢光材料及其製備方法
CN106811195A (zh) * 2017-01-18 2017-06-09 厦门科煜光电有限公司 一种新型硅磷酸盐化合物发光材料
CN106811196A (zh) * 2017-01-18 2017-06-09 厦门科煜光电有限公司 一种新型硅磷酸盐化合物发光材料的制备方法
CN107488449A (zh) * 2017-06-26 2017-12-19 浙江转喆科技有限公司 下转换转光剂及其制备方法和下转换蓝色转光膜及其制备方法
CN107474353A (zh) * 2017-06-26 2017-12-15 浙江转喆科技有限公司 一种转光膜及其制备方法
US20200251622A1 (en) * 2019-02-06 2020-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Conversion Element, Radiation-Emitting Semiconductor Device and Method for Producing a Conversion Element

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003021691A1 (en) * 2001-09-03 2003-03-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5839718A (en) * 1997-07-22 1998-11-24 Usr Optonix Inc. Long persistent phosphorescence phosphor
EP1104799A1 (en) * 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP3756930B2 (ja) 2001-09-03 2006-03-22 松下電器産業株式会社 半導体発光デバイスの製造方法
JP2004115633A (ja) 2002-09-25 2004-04-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 珪酸塩蛍光体およびそれを用いた発光装置
FR2846663B1 (fr) * 2002-11-05 2006-08-11 Rhodia Elect & Catalysis Materiau transformant la lumiere, notamment pour parois de serres, comprenant comme additif un silicate de baryum et de magnesium
DE10259946A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-15 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe
DE10259949A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-01 Robert Bosch Gmbh Piezoaktor
CN100412156C (zh) * 2003-03-28 2008-08-20 韩国化学研究所 硅酸锶基磷光体、其制造方法和使用该磷光体的led
US6982045B2 (en) * 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003021691A1 (en) * 2001-09-03 2003-03-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
EP1911826B1 (en) 2009-12-16
WO2007015542A1 (ja) 2007-02-08
DE602006011168D1 (de) 2010-01-28
EP1911826A1 (en) 2008-04-16
US20100219746A1 (en) 2010-09-02
US7927512B2 (en) 2011-04-19
EP1911826A4 (en) 2008-08-13
JPWO2007015542A1 (ja) 2009-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4873183B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
US7274045B2 (en) Borate phosphor materials for use in lighting applications
JP3763719B2 (ja) オキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体
JP4543250B2 (ja) 蛍光体混合物および発光装置
JP4207489B2 (ja) α−サイアロン蛍光体
KR101616013B1 (ko) 알파-사이알론 형광체
WO2011105571A1 (ja) ハロリン酸塩蛍光体、及び白色発光装置
US20080203892A1 (en) Illumination System Comprising a Radiation Source and a Luminescent Material
JP2008538455A (ja) Ledベースの照明用の赤色蛍光体
WO2006095285A1 (en) Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
JP2008505477A (ja) 放射線源と蛍光物質とを含む照明システム
KR20120131152A (ko) 할로인산염 형광체, 및 백색 발광 장치
JP7454785B2 (ja) 蛍光体およびそれを使用した発光装置
JP2009040918A (ja) 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置
JP2010270196A (ja) 蛍光体及び蛍光体の製造方法、並びに、蛍光体含有組成物、発光装置、照明装置、画像表示装置及び蛍光塗料
JP2016027644A (ja) 半導体発光装置
JP4770319B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP4899431B2 (ja) 窒化物系蛍光体及びそれを用いた発光装置
WO2008065567A1 (en) Illumination system comprising hetero- polyoxometalate
JP2013144794A (ja) 酸窒化物系蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP2013214718A (ja) 酸窒化物系蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP7361314B2 (ja) 蛍光体およびそれを使用した発光装置
JP7345141B2 (ja) 蛍光体およびそれを使用した発光装置
JP2022163451A (ja) 蛍光体およびそれを使用した発光装置
JP2023057391A (ja) 蛍光体

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100914

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101115

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111026

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111108

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141202

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4873183

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141202

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250