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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device
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株式会社半导体能源研究所 |
显示装置
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2008-09-19 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
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CN102160103B
(zh)
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2008-09-19 |
2013-09-11 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置
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CN103545342B
(zh)
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2008-09-19 |
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株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置
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2008-09-19 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시장치
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
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(ko)
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시장치 및 표시장치를 구비한 전자기기
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薄膜トランジスタおよび表示装置
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2008-10-08 |
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株式会社半导体能源研究所 |
显示装置
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半導体装置及び表示装置
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
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半導體裝置及其製造方法
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2008-10-31 |
2016-03-14 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
도전성 산질화물 및 도전성 산질화물막의 제작 방법
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(ko)
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2008-10-31 |
2016-06-28 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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2011-06-10 |
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半導体装置
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2011-06-14 |
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박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판과 이들을 제조하는 방법
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2011-06-17 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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半導体装置
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シフトレジスタ回路
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2011-09-29 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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半導体装置及び半導体装置の作製方法
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(ja)
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酸化物半導体膜及び半導体装置
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JP2013093565A
(ja)
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2011-10-07 |
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半導体装置
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(en)
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
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(ja)
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2011-10-13 |
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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(en)
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2011-10-13 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising oxide semiconductor film
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(ja)
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2011-10-13 |
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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JP6226518B2
(ja)
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2011-10-24 |
2017-11-08 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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KR101976212B1
(ko)
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2011-10-24 |
2019-05-07 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
|
KR20140086954A
(ko)
|
2011-10-28 |
2014-07-08 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제작 방법
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US8604472B2
(en)
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2011-11-09 |
2013-12-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
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US8796682B2
(en)
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2011-11-11 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a semiconductor device
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(en)
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2011-11-11 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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JP2013104079A
(ja)
*
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2011-11-11 |
2013-05-30 |
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ターゲット、CoベースのまたはFeベースの磁気記録媒体のための下層材料および磁気記録媒体
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JP6076038B2
(ja)
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2011-11-11 |
2017-02-08 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置の作製方法
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JP6122275B2
(ja)
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2011-11-11 |
2017-04-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
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(en)
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2011-11-25 |
2014-07-08 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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2011-11-25 |
2015-02-10 |
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Method for manufacturing semiconductor device
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US9057126B2
(en)
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2011-11-29 |
2015-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing sputtering target and method for manufacturing semiconductor device
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US9076871B2
(en)
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
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JP6147992B2
(ja)
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2011-11-30 |
2017-06-14 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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TWI591611B
(zh)
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2011-11-30 |
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半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體顯示裝置
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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|
JP2013137853A
(ja)
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Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
記憶装置および記憶装置の駆動方法
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KR102084274B1
(ko)
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제작 방법
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JP2013149953A
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半導体装置及び半導体装置の作製方法
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及其製造方法
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(ko)
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2011-12-27 |
2020-04-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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(en)
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2012-01-26 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
|
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(zh)
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2012-01-26 |
2017-05-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及半導體裝置的製造方法
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US9196741B2
(en)
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
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(en)
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing semiconductor device
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US9859114B2
(en)
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer
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(en)
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2012-02-09 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
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(en)
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2012-02-09 |
2013-08-15 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, display device including semiconductor device, electronic device including semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device
|
JP6108858B2
(ja)
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
p型半導体材料および半導体装置
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JP6075922B2
(ja)
|
2012-02-29 |
2017-02-08 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
JP6220526B2
(ja)
|
2012-02-29 |
2017-10-25 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
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KR101963226B1
(ko)
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2019-04-01 |
삼성전자주식회사 |
트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자
|
JP2013183001A
(ja)
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2013-09-12 |
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半導体装置
|
US9735280B2
(en)
|
2012-03-02 |
2017-08-15 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film
|
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(en)
|
2012-03-05 |
2014-06-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Latch circuit and semiconductor device
|
US9058892B2
(en)
|
2012-03-14 |
2015-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and shift register
|
JP6168795B2
(ja)
|
2012-03-14 |
2017-07-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
US8941113B2
(en)
|
2012-03-30 |
2015-01-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor element, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor element
|
JP6059566B2
(ja)
|
2012-04-13 |
2017-01-11 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
JP6128906B2
(ja)
|
2012-04-13 |
2017-05-17 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
WO2013154195A1
(en)
|
2012-04-13 |
2013-10-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
JP6143423B2
(ja)
|
2012-04-16 |
2017-06-07 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の製造方法
|
US9219164B2
(en)
|
2012-04-20 |
2015-12-22 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device with oxide semiconductor channel
|
CN202549848U
(zh)
*
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2012-04-28 |
2012-11-21 |
京东方科技集团股份有限公司 |
显示装置、阵列基板和薄膜晶体管
|
US9048323B2
(en)
|
2012-04-30 |
2015-06-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
KR102295737B1
(ko)
*
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2012-05-10 |
2021-09-01 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 디바이스
|
KR102082793B1
(ko)
|
2012-05-10 |
2020-02-28 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 그 제작 방법
|
KR20230104756A
(ko)
|
2012-05-10 |
2023-07-10 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
KR102087443B1
(ko)
|
2012-05-11 |
2020-03-10 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 구동 방법
|
US9001549B2
(en)
|
2012-05-11 |
2015-04-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
US8995607B2
(en)
|
2012-05-31 |
2015-03-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Pulse signal output circuit and shift register
|
US8901557B2
(en)
|
2012-06-15 |
2014-12-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
US9059219B2
(en)
|
2012-06-27 |
2015-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
|
KR20200019269A
(ko)
|
2012-06-29 |
2020-02-21 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
KR102161077B1
(ko)
|
2012-06-29 |
2020-09-29 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
US8873308B2
(en)
|
2012-06-29 |
2014-10-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Signal processing circuit
|
CN107123688B
(zh)
|
2012-06-29 |
2021-04-09 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置
|
JP2015521804A
(ja)
*
|
2012-07-03 |
2015-07-30 |
アイメック・ヴェーゼットウェーImec Vzw |
薄膜トランジスタの製造方法
|
KR102099262B1
(ko)
|
2012-07-11 |
2020-04-09 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
액정 표시 장치, 및 액정 표시 장치의 구동 방법
|
JP2014032399A
(ja)
*
|
2012-07-13 |
2014-02-20 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
液晶表示装置
|
JP6006558B2
(ja)
|
2012-07-17 |
2016-10-12 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置及びその製造方法
|
KR102368865B1
(ko)
|
2012-07-20 |
2022-03-02 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
|
DE112013007836B3
(de)
|
2012-07-20 |
2023-06-22 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Anzeigevorrichtung
|
JP2014042004A
(ja)
|
2012-07-26 |
2014-03-06 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置及びその作製方法
|
JP6224931B2
(ja)
|
2012-07-27 |
2017-11-01 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
DE112013003841T5
(de)
|
2012-08-03 |
2015-04-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Halbleitervorrichtung
|
SG11201505225TA
(en)
|
2012-08-03 |
2015-08-28 |
Semiconductor Energy Lab |
Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device
|
US9245958B2
(en)
|
2012-08-10 |
2016-01-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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|
US8937307B2
(en)
|
2012-08-10 |
2015-01-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
TWI581404B
(zh)
|
2012-08-10 |
2017-05-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置以及該半導體裝置的驅動方法
|
JP2014057296A
(ja)
|
2012-08-10 |
2014-03-27 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置の駆動方法
|
JP2014057298A
(ja)
|
2012-08-10 |
2014-03-27 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
半導体装置の駆動方法
|
US9929276B2
(en)
|
2012-08-10 |
2018-03-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
JP2014199899A
(ja)
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2012-08-10 |
2014-10-23 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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KR102099261B1
(ko)
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2012-08-10 |
2020-04-09 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제작 방법
|
KR102100290B1
(ko)
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2012-08-14 |
2020-05-27 |
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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 장치
|
KR20140026257A
(ko)
|
2012-08-23 |
2014-03-05 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
|
KR102161078B1
(ko)
|
2012-08-28 |
2020-09-29 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 그 제작 방법
|
US9625764B2
(en)
|
2012-08-28 |
2017-04-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and electronic device
|
KR20140029202A
(ko)
|
2012-08-28 |
2014-03-10 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
|
DE102013216824A1
(de)
|
2012-08-28 |
2014-03-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Halbleitervorrichtung
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TWI611511B
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2012-08-31 |
2018-01-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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2012-09-13 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
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US9018624B2
(en)
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2012-09-13 |
2015-04-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and electronic appliance
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KR102226090B1
(ko)
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2012-10-12 |
2021-03-09 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치의 제작 방법 및 반도체 장치의 제조 장치
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WO2014061535A1
(en)
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2012-10-17 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
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(ja)
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2012-10-17 |
2016-11-09 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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KR102220279B1
(ko)
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2012-10-19 |
2021-02-24 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
산화물 반도체막을 포함하는 다층막 및 반도체 장치의 제작 방법
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US9287411B2
(en)
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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KR102279459B1
(ko)
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2012-10-24 |
2021-07-19 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제작 방법
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TWI782259B
(zh)
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2012-10-24 |
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日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及其製造方法
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JP6219562B2
(ja)
*
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2012-10-30 |
2017-10-25 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置及び電子機器
|
TWI661553B
(zh)
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2012-11-16 |
2019-06-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
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JP6285150B2
(ja)
*
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2012-11-16 |
2018-02-28 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
JP6317059B2
(ja)
|
2012-11-16 |
2018-04-25 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置及び表示装置
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KR102148549B1
(ko)
|
2012-11-28 |
2020-08-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
|
US9412764B2
(en)
|
2012-11-28 |
2016-08-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, display device, and electronic device
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US9246011B2
(en)
|
2012-11-30 |
2016-01-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
US9153649B2
(en)
|
2012-11-30 |
2015-10-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for evaluating semiconductor device
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US9594281B2
(en)
|
2012-11-30 |
2017-03-14 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device
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JP6320009B2
(ja)
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2018-05-09 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置及びその作製方法
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KR102207028B1
(ko)
|
2012-12-03 |
2021-01-22 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
JP5995698B2
(ja)
*
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2012-12-06 |
2016-09-21 |
富士フイルム株式会社 |
薄膜トランジスタ及びその製造方法、結晶性酸化物半導体薄膜及びその製造方法、表示装置、並びにx線センサ
|
KR20220145922A
(ko)
|
2012-12-25 |
2022-10-31 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
KR102241249B1
(ko)
|
2012-12-25 |
2021-04-15 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
저항 소자, 표시 장치, 및 전자기기
|
US9905585B2
(en)
|
2012-12-25 |
2018-02-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising capacitor
|
KR101395906B1
(ko)
*
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2012-12-26 |
2014-05-19 |
중앙대학교 산학협력단 |
박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
TWI607510B
(zh)
|
2012-12-28 |
2017-12-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及半導體裝置的製造方法
|
KR102305310B1
(ko)
|
2012-12-28 |
2021-09-24 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
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(en)
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2013-01-18 |
2016-07-12 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
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(zh)
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半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置的製造方法
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2013-01-30 |
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有機電界発光素子、表示装置および有機電界発光素子の製造方法
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(zh)
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2013-02-12 |
2018-03-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
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TWI611567B
(zh)
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2013-02-27 |
2018-01-11 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置、驅動電路及顯示裝置
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KR102153110B1
(ko)
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체막 및 반도체 장치
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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(ja)
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
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US10347769B2
(en)
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Thin film transistor with multi-layer source/drain electrodes
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JP6376788B2
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2013-03-26 |
2018-08-22 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置およびその作製方法
|
JP6395409B2
(ja)
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2013-03-27 |
2018-09-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置およびその作製方法
|
JP6211287B2
(ja)
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2013-04-04 |
2017-10-11 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
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JP6224338B2
(ja)
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、表示装置及び半導体装置の作製方法
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JP6198434B2
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2013-04-11 |
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置及び電子機器
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US10304859B2
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Semiconductor device having an oxide film on an oxide semiconductor film
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Display device and electronic device
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2013-04-24 |
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Semiconductor device
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JP6401483B2
(ja)
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2013-04-26 |
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
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TWI631711B
(zh)
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半導體裝置
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(zh)
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半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
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(en)
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2013-05-20 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
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US9343579B2
(en)
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2013-05-20 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
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薄膜トランジスタ装置とその製造方法、および表示装置
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(zh)
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日商半導體能源研究所股份有限公司 |
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JP6374221B2
(ja)
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2013-06-05 |
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
TWI624936B
(zh)
|
2013-06-05 |
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半導體能源研究所股份有限公司 |
顯示裝置
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2017-09-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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|
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2015-05-11 |
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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
|
JP2015036797A
(ja)
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2013-08-15 |
2015-02-23 |
ソニー株式会社 |
表示装置および電子機器
|
JP6329843B2
(ja)
|
2013-08-19 |
2018-05-23 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
KR102232133B1
(ko)
|
2013-08-22 |
2021-03-24 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
US9443987B2
(en)
|
2013-08-23 |
2016-09-13 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
TW202203465A
(zh)
|
2013-10-10 |
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日商半導體能源研究所股份有限公司 |
液晶顯示裝置
|
JP2015179247A
(ja)
|
2013-10-22 |
2015-10-08 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
KR102244460B1
(ko)
|
2013-10-22 |
2021-04-23 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
DE102014220672A1
(de)
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2013-10-22 |
2015-05-07 |
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Halbleitervorrichtung
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2013-10-22 |
2016-03-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, method for manufacturing the same, and etchant used for the same
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US9583516B2
(en)
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2013-10-25 |
2017-02-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device
|
JP6440457B2
(ja)
|
2013-11-07 |
2018-12-19 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
JP2016001712A
(ja)
|
2013-11-29 |
2016-01-07 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
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(en)
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2013-11-29 |
2018-01-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
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(en)
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2013-11-29 |
2015-06-04 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
KR20160091968A
(ko)
|
2013-11-29 |
2016-08-03 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 반도체 장치를 제작하는 방법, 및 표시 장치
|
JP6496132B2
(ja)
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2013-12-02 |
2019-04-03 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
KR20220047897A
(ko)
|
2013-12-02 |
2022-04-19 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
|
US9991392B2
(en)
|
2013-12-03 |
2018-06-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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|
JP2016027597A
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2013-12-06 |
2016-02-18 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
US9349751B2
(en)
|
2013-12-12 |
2016-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
TWI642186B
(zh)
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2013-12-18 |
2018-11-21 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
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2013-12-20 |
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2013-12-26 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
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Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same
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半導体装置
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KR102528615B1
(ko)
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2014-03-13 |
2023-05-08 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
촬상 장치
|
SG11201606647PA
(en)
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2014-03-14 |
2016-09-29 |
Semiconductor Energy Lab Co Ltd |
Circuit system
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US9917110B2
(en)
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2014-03-14 |
2018-03-13 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
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JP2015176965A
(ja)
*
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2014-03-14 |
2015-10-05 |
株式会社日本製鋼所 |
酸化物系材料の製造方法
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KR20160132982A
(ko)
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2014-03-18 |
2016-11-21 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치와 그 제작 방법
|
KR102400212B1
(ko)
|
2014-03-28 |
2022-05-23 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
트랜지스터 및 반도체 장치
|
JP6541398B2
(ja)
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2014-04-11 |
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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KR20160144492A
(ko)
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2014-04-18 |
2016-12-16 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 전자 장치
|
KR102380829B1
(ko)
|
2014-04-23 |
2022-03-31 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
촬상 장치
|
JP6486712B2
(ja)
|
2014-04-30 |
2019-03-20 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
酸化物半導体膜
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US10043913B2
(en)
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2014-04-30 |
2018-08-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor film, semiconductor device, display device, module, and electronic device
|
TWI686899B
(zh)
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2014-05-02 |
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日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置、觸控感測器、顯示裝置
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JP6537341B2
(ja)
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2014-05-07 |
2019-07-03 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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TWI695502B
(zh)
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2014-05-09 |
2020-06-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
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TWI672804B
(zh)
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2014-05-23 |
2019-09-21 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置的製造方法
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US9874775B2
(en)
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2014-05-28 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Liquid crystal display device and electronic device
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WO2015182000A1
(en)
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
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WO2015181997A1
(en)
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2014-05-30 |
2015-12-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
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TWI646658B
(zh)
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2014-05-30 |
2019-01-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
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US9881954B2
(en)
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2014-06-11 |
2018-01-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device
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WO2015189731A1
(en)
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2014-06-13 |
2015-12-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device
|
KR20150146409A
(ko)
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2014-06-20 |
2015-12-31 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 표시 장치, 입출력 장치, 및 전자 기기
|
US9722090B2
(en)
|
2014-06-23 |
2017-08-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate
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US9461179B2
(en)
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure
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(en)
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2014-08-21 |
2018-12-04 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
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US10559667B2
(en)
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2014-08-25 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device
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US9766517B2
(en)
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2014-09-05 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and display module
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(en)
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device
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US9450581B2
(en)
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2014-09-30 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Logic circuit, semiconductor device, electronic component, and electronic device
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JP6392061B2
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東京エレクトロン株式会社 |
電子デバイス、その製造方法、及びその製造装置
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JP6570417B2
(ja)
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
撮像装置および電子機器
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CN111477657B
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2014-10-28 |
2024-03-05 |
株式会社半导体能源研究所 |
功能面板、功能面板的制造方法、模块、数据处理装置
|
CN113540130A
(zh)
|
2014-10-28 |
2021-10-22 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置、显示装置的制造方法及电子设备
|
JP2016092413A
(ja)
|
2014-10-29 |
2016-05-23 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
撮像装置および電子機器
|
TWI711165B
(zh)
|
2014-11-21 |
2020-11-21 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及電子裝置
|
KR102456654B1
(ko)
|
2014-11-26 |
2022-10-18 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 전자 기기
|
JP6647841B2
(ja)
|
2014-12-01 |
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
酸化物の作製方法
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US9773832B2
(en)
|
2014-12-10 |
2017-09-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
JP5859632B2
(ja)
*
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2014-12-22 |
2016-02-10 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
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US9741742B2
(en)
|
2014-12-22 |
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Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University |
Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device
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US10446582B2
(en)
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2019-10-15 |
Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University |
Method of providing an imaging system and imaging system thereof
|
US10522693B2
(en)
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2015-01-16 |
2019-12-31 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Memory device and electronic device
|
US9647132B2
(en)
|
2015-01-30 |
2017-05-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and memory device
|
TWI792065B
(zh)
|
2015-01-30 |
2023-02-11 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
成像裝置及電子裝置
|
TWI732383B
(zh)
|
2015-02-06 |
2021-07-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
裝置及其製造方法以及電子裝置
|
KR20240042119A
(ko)
|
2015-02-06 |
2024-04-01 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 그 제작 방법
|
JP6744108B2
(ja)
|
2015-03-02 |
2020-08-19 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
トランジスタ、トランジスタの作製方法、半導体装置および電子機器
|
TWI686870B
(zh)
|
2015-03-03 |
2020-03-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置、顯示裝置及使用該顯示裝置之電子裝置
|
JPWO2016139828A1
(ja)
*
|
2015-03-03 |
2017-04-27 |
株式会社東芝 |
半導体装置
|
JP6765199B2
(ja)
|
2015-03-17 |
2020-10-07 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
タッチパネル
|
CN107430461B
(zh)
|
2015-03-17 |
2022-01-28 |
株式会社半导体能源研究所 |
触摸屏
|
JP6662665B2
(ja)
|
2015-03-19 |
2020-03-11 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置及び該液晶表示装置を用いた電子機器
|
JP6688116B2
(ja)
|
2015-03-24 |
2020-04-28 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
撮像装置および電子機器
|
US10429704B2
(en)
|
2015-03-26 |
2019-10-01 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device, display module including the display device, and electronic device including the display device or the display module
|
TW202340820A
(zh)
|
2015-03-27 |
2023-10-16 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
觸控面板
|
US9685476B2
(en)
|
2015-04-03 |
2017-06-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device
|
US9716852B2
(en)
|
2015-04-03 |
2017-07-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Broadcast system
|
US10389961B2
(en)
|
2015-04-09 |
2019-08-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device
|
US10372274B2
(en)
|
2015-04-13 |
2019-08-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and touch panel
|
US9848146B2
(en)
|
2015-04-23 |
2017-12-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device
|
DE102016206922A1
(de)
|
2015-05-08 |
2016-11-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Touchscreen
|
US9912897B2
(en)
|
2015-05-11 |
2018-03-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device
|
US10684500B2
(en)
|
2015-05-27 |
2020-06-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Touch panel
|
US10139663B2
(en)
|
2015-05-29 |
2018-11-27 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Input/output device and electronic device
|
KR102553553B1
(ko)
|
2015-06-12 |
2023-07-10 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
촬상 장치, 및 그 동작 방법 및 전자 기기
|
KR102619052B1
(ko)
|
2015-06-15 |
2023-12-29 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
|
WO2017006419A1
(ja)
|
2015-07-06 |
2017-01-12 |
堺ディスプレイプロダクト株式会社 |
表示装置
|
TWI713367B
(zh)
|
2015-07-07 |
2020-12-11 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
成像裝置及其運作方法
|
US9887218B2
(en)
|
2015-07-16 |
2018-02-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device, operating method thereof, and electronic device
|
US9876946B2
(en)
|
2015-08-03 |
2018-01-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device
|
US10373991B2
(en)
|
2015-08-19 |
2019-08-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device, operating method thereof, and electronic device
|
US10090344B2
(en)
|
2015-09-07 |
2018-10-02 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device, method for operating the same, module, and electronic device
|
KR102660456B1
(ko)
|
2015-09-10 |
2024-04-23 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
촬상 장치, 모듈, 전자 기기, 및 촬상 장치의 동작 방법
|
US10896923B2
(en)
|
2015-09-18 |
2021-01-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method of operating an imaging device with global shutter system
|
JP2017063420A
(ja)
|
2015-09-25 |
2017-03-30 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
US9935143B2
(en)
|
2015-09-30 |
2018-04-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
US10109667B2
(en)
|
2015-10-09 |
2018-10-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device, module, and electronic device
|
JP6864456B2
(ja)
|
2015-10-15 |
2021-04-28 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
JP6917700B2
(ja)
|
2015-12-02 |
2021-08-11 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
KR20180093000A
(ko)
|
2015-12-11 |
2018-08-20 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 분리 방법
|
JP6907512B2
(ja)
*
|
2015-12-15 |
2021-07-21 |
株式会社リコー |
電界効果型トランジスタの製造方法
|
CN106887436B
(zh)
*
|
2015-12-16 |
2019-10-25 |
鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
薄膜晶体管阵列基板及其制备方法
|
US10114263B2
(en)
|
2015-12-18 |
2018-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device
|
US10020336B2
(en)
|
2015-12-28 |
2018-07-10 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device and electronic device using three dimentional (3D) integration
|
KR102617041B1
(ko)
|
2015-12-28 |
2023-12-26 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
장치, 텔레비전 시스템, 및 전자 기기
|
US9806179B2
(en)
*
|
2016-01-14 |
2017-10-31 |
Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. |
Method for fabricating conducting structure and thin film transistor array panel
|
US10027896B2
(en)
|
2016-01-15 |
2018-07-17 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Image display system, operation method of the same, and electronic device
|
JP6676990B2
(ja)
*
|
2016-02-01 |
2020-04-08 |
株式会社リコー |
電界効果型トランジスタの製造方法
|
JP7020783B2
(ja)
|
2016-02-03 |
2022-02-16 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
撮像装置
|
US10115741B2
(en)
|
2016-02-05 |
2018-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
US9954003B2
(en)
|
2016-02-17 |
2018-04-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
US10347681B2
(en)
|
2016-02-19 |
2019-07-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging device
|
US10573621B2
(en)
|
2016-02-25 |
2020-02-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Imaging system and manufacturing apparatus
|
US10263114B2
(en)
|
2016-03-04 |
2019-04-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same
|
US10014325B2
(en)
|
2016-03-10 |
2018-07-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and electronic device
|
US9882064B2
(en)
|
2016-03-10 |
2018-01-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Transistor and electronic device
|
CN108780256B
(zh)
|
2016-03-15 |
2022-10-18 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置、模块及电子设备
|
US10333004B2
(en)
|
2016-03-18 |
2019-06-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, semiconductor wafer, module and electronic device
|
US10096720B2
(en)
|
2016-03-25 |
2018-10-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Transistor, semiconductor device, and electronic device
|
JP6863803B2
(ja)
|
2016-04-07 |
2021-04-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
|
WO2017175095A1
(en)
|
2016-04-08 |
2017-10-12 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method thereof
|
US10032918B2
(en)
|
2016-04-22 |
2018-07-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for manufacturing the same
|
JP6968567B2
(ja)
|
2016-04-22 |
2021-11-17 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
US10008502B2
(en)
|
2016-05-04 |
2018-06-26 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Memory device
|
JP2017203983A
(ja)
*
|
2016-05-06 |
2017-11-16 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、システム、及び動作方法
|
JP7109887B2
(ja)
|
2016-05-20 |
2022-08-01 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示システム
|
US10078243B2
(en)
|
2016-06-03 |
2018-09-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device
|
TWI712029B
(zh)
|
2016-06-17 |
2020-12-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
顯示裝置,及顯示裝置的驅動方法
|
KR102330605B1
(ko)
|
2016-06-22 |
2021-11-24 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
JP2016174186A
(ja)
*
|
2016-06-27 |
2016-09-29 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
|
TWI737665B
(zh)
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2016-07-01 |
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日商半導體能源硏究所股份有限公司 |
半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
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TWI709952B
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2016-07-01 |
2020-11-11 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
電子裝置、電子裝置的驅動方法
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TWI754542B
(zh)
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2016-07-11 |
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日商半導體能源研究所股份有限公司 |
濺射靶材及金屬氧化物
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KR20190032414A
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2016-07-26 |
2019-03-27 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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KR102446134B1
(ko)
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2016-07-29 |
2022-09-21 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 표시 시스템, 및 전자 기기
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2016-08-05 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
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2016-08-10 |
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半導体装置、表示モジュール及び電子機器
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(ko)
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2016-08-17 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치
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TWI718330B
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日商半導體能源硏究所股份有限公司 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치, 표시 모듈, 및 표시 장치의 제작 방법
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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KR20180048327A
(ko)
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
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Display device
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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日商半導體能源硏究所股份有限公司 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
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Speichervorrichtung
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 시스템 및 데이터 처리 방법
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2017-07-26 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
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(ko)
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2017-08-11 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 전자 기기
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KR102531991B1
(ko)
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2017-08-25 |
2023-05-11 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
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TWI780204B
(zh)
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日商半導體能源研究所股份有限公司 |
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
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显示装置以及电子设备
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2017-11-09 |
2023-09-14 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치, 그 동작 방법, 및 전자 기기
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(ko)
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2017-12-22 |
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 전자 기기
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株式会社半导体能源研究所 |
显示装置及电子设备
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CN112219233A
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株式会社半导体能源研究所 |
显示装置及电子设备
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置および電子機器
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置および電子機器
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置の作製方法、表示装置の作製装置
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Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device, display module, and electronic device
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JP7441176B2
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2018-11-09 |
2024-02-29 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置および電子機器
|
JP6715312B2
(ja)
*
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2018-12-04 |
2020-07-01 |
三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. |
表示装置
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CN113168804A
(zh)
|
2018-12-19 |
2021-07-23 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置及电子设备
|
KR102019935B1
(ko)
*
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2018-12-21 |
2019-11-04 |
엘지디스플레이 주식회사 |
박막트랜지스터를 구비한 엑스레이 검출기
|
US11373610B2
(en)
|
2018-12-26 |
2022-06-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display apparatus including circuit and pixel
|
CN113348501A
(zh)
|
2019-02-05 |
2021-09-03 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置及电子设备
|
KR101987800B1
(ko)
*
|
2019-02-08 |
2019-10-01 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 표시판 및 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법
|
WO2020229911A1
(ja)
|
2019-05-10 |
2020-11-19 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置および電子機器
|
JP7356815B2
(ja)
*
|
2019-05-14 |
2023-10-05 |
トライベイル テクノロジーズ, エルエルシー |
薄膜トランジスタ基板及び表示装置
|
WO2020240329A1
(ja)
*
|
2019-05-30 |
2020-12-03 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置および電子機器
|
WO2020254914A1
(ja)
|
2019-06-21 |
2020-12-24 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
酸化物半導体を用いる記憶回路
|
JP2021015976A
(ja)
|
2019-07-12 |
2021-02-12 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
記憶装置
|
JPWO2021033075A1
(xx)
|
2019-08-22 |
2021-02-25 |
|
|
US20220293603A1
(en)
|
2019-09-09 |
2022-09-15 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor Device
|
US11210048B2
(en)
|
2019-10-04 |
2021-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device, display module, and electronic device
|
KR20220079567A
(ko)
|
2019-10-11 |
2022-06-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
기억 장치
|
WO2022009017A1
(ja)
|
2020-07-09 |
2022-01-13 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置および電子機器
|
TW202211195A
(zh)
|
2020-08-12 |
2022-03-16 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
顯示裝置、其工作方法以及電子裝置
|
US20230335050A1
(en)
|
2020-10-01 |
2023-10-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display apparatus and electronic device
|
US12009432B2
(en)
|
2021-03-05 |
2024-06-11 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Transistor and display device
|