TW201607022A - 有機發光顯示設備及其製造方法 - Google Patents

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安基完
張龍在
吳泳銀
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三星顯示器有限公司
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Abstract

一種有機發光顯示設備，其包含：基板；設置在基板上的薄膜電晶體(TFT)；位在基板與TFT之間的黑色矩陣；位在基板與TFT之間且具有以黑色矩陣覆蓋的邊緣部分的像素電極；覆蓋TFT且露出像素電極的頂表面的絕緣層；設置在像素電極上的有機發光層；以及設置在有機發光層上的反向電極。

Description

有機發光顯示設備及其製造方法
相關申請案之交互參照
在本申請案中提交的申請資料表中確定的國外或國內優先權聲明的任何及所有申請案將併入本文。本申請案主張於2014年07月16日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2014-0089801號之效益，其揭露內容於此併入全文作為參考。
本揭露係關於一種有機發光顯示設備以及其製造方法。
有機發光顯示設備係為一種自發光顯示裝置，其包含電洞注入電極、電子注入電極以及形成在電洞注入電極與電子注入電極之間的有機發光層，且隨著藉由電洞注入電極所注入之電洞以及藉由電子注入電極所注入之電子再組合及分解(disintegrated)而發光。有機發光顯示設備展示各種高品質特性，例如低功耗、高亮度以及快反應速度，因此作為下一代顯示設備而被注目。
本發明的一或多個實施例係包含具有高光學效率、低製造成本的有機發光顯示設備以及其製造方法。
其他態樣將部分闡述於下列說明中，而部分將從描述中顯而易見，或可由實施提出的實施例而得知。
根據本發明之一或多個實施例，有機發光顯示設備包含基板；薄膜電晶體(TFT)，其設置在基板上；黑色矩陣，其位在基板與TFT之間；像素電極，其位在基板與TFT之間且具有由黑色矩陣覆蓋的邊緣部分；絕緣層，其覆蓋TFT且露出像素電極的頂表面；有機發光層，其設置在像素電極上；以及反向電極，其設置在有機發光層上。
TFT包含主動層、閘極電極、源極電極以及汲極電極，且主動層、閘極電極、源極電極以及汲極電極中至少一個係直接形成在黑色矩陣上。
像素電極係經由在黑色矩陣中形成的接觸孔連接至TFT的源極電極或汲極電極。
黑色矩陣含有耐受溫度等於或高於550°C之材料。
黑色矩陣含有矽氧樹脂。
露出像素電極的絕緣層包覆黑色矩陣的側表面。
阻隔層設置在像素電極上。
阻隔層含有與源極電極及汲極電極相同的金屬。
阻隔層係被黑色矩陣覆蓋。
黑色矩陣含有如下列化學式1所示的材料，其中，在化學式1中的R係選自氫、-F、 -Cl、-Br、-I、C1 -C60 烷基以及C1 -C60 烷氧基。 化學式1
像素電極含有透明材料，且反向電極含有反射材料。
根據本揭露的一或多個實施例，一種製造有機發光顯示設備之方法，該方法包含在基板上形成像素電極；形成黑色矩陣以覆蓋像素電極的端部；在黑色矩陣上形成TFT；形成絕緣層以覆蓋TFT且露出像素電極的頂表面；在像素電極上形成有機發光層；以及在有機發光層上形成反向電極。
TFT包含主動層、閘極電極、源極電極以及汲極電極，黑色矩陣含有耐受溫度等於或高於550°C的材料，且主動層、閘極電極、源極電極以及汲極電極中至少一個是直接形成在黑色矩陣上。
黑色矩陣含有矽氧樹脂。
絕緣層被形成以包覆黑色矩陣的側表面。
阻隔層係進一步形成在像素電極上，且在用於形成源極電極與汲極電極的圖樣的製程中，阻隔層也與源極電極及汲極電極一起被蝕刻。
阻隔層含有與源極電極及汲極電極相同的金屬。
阻隔層係被黑色矩陣覆蓋。
接觸孔進一步形成在黑色矩陣中，且像素電極經由接觸孔與TFT的源極電極或汲極電極接觸。
像素電極含有透明材料，且反向電極含有反射材料。
由於本揭露允許各種變化和眾多實施例，特定實施例將在圖式中繪示並於書面描述中詳細說明。然而，其非旨在將本揭露限制於特定實施模式，且應理解的是，在不脫離本揭露的精神與技術範疇下，所有改變、等效物及替代物均涵蓋在本揭露中。如本文所使用之術語「及/或(and/or)」係包含一個或多個相關所列舉之項目的任何與所有組合。
本揭露之實施例將參照附圖在下面更詳細描述。無論圖式編號，相同或對應的構件係賦予相同參考符號，且將省略重複的說明。
將被理解的是雖然術語「第一(first)」、「第二(second)」等在本文中被使用以描述多種部件，這些部件不應該被這些術語限制。這些部件可僅用於區別一個部件與另一個部件。
在本文中所用之單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」也旨在包含複數形式，除非上下文另有明確地指示。
將進一步被理解的是，本文中所使用之用詞「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」指所述特徵或組件之存在，但不排除一或多個其他特徵或組件之存在或增加。
將理解的是當層、區域或構件被稱為「形成在」另一層、區域或構件「上」時，其可直接或間接地形成在另一層、區域或構件上。亦即，例如，可存在中間層、區域或構件。
圖式中之元件尺寸為了便於解釋可能被誇大。換言之，因為圖式中構件之尺寸及厚度為了便於解釋可能任意地示出，故以下之實施例不侷限於此。
第1圖係為根據本揭露之第一實施例之有機發光顯示(OLED)設備1之示意性截面圖。
參照第1圖，像素電極111、反向電極115、以及至少包含有機發光層113a且設置在像素電極111與反向電極115之間的中介層113設置在根據第一實施例的有機發光顯示設備1的基板10上。
根據本實施例，藉由有機發光層113a發出的光係藉由反向電極115反射，傳遞通過像素電極111，且射向基板10。換句話說，根據本實施例之有機發光顯示設備1係為底發光型OLED設備。
基板10可不僅包含玻璃基板，亦可包含由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚亞醯胺等所形成的塑膠基板。
緩衝層11可進一步設置以在基板10的頂部形成平坦表面，以避免雜質原子的滲透。基板10可形成為含有矽氮化物及/或矽氧化物的單一層或多層。
像素電極111可包含透明材料，然而反向電極115可包含反射材料。像素電極111可作為陽極，而反向電極115可作為陰極，且電極之極性可顛倒。
至少包含有機發光層113a的中介層113設置在像素電極111與反向電極115之間。雖然第1圖未顯示，電洞注入層、電洞傳遞層、電子傳遞層以及電子注入層之中的至少一層可進一步設置在像素電極111與反向電極115之間。然而，本揭露不限於此，且任意各種其他功能層也可被設置。
薄膜電晶體(TFT)TFT1設置成遠離像素電極111的一側。TFT TFT1包含主動層121、閘極電極123、源極電極125a以及汲極電極125b。
主動層121可包含通道區域121c以及在通道區域121c外側且摻雜離子雜質的源極區域121a與汲極區域 121b。根據本實施例，主動層121可含有多晶矽，其經由結晶製程結晶非晶矽所形成。
為閘極絕緣層之第一絕緣層13係形成在主動層121上，且閘極電極123設置在對應通道區域121c之位置的第一絕緣層13上。
閘極電極123可由含有選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)以及銅(Cu)之中的一或多種金屬的單一層或多層所形成。
為層間絕緣層之第二絕緣層14係形成在閘極電極123上，且源極電極125a以及汲極電極125b設置在第二絕緣層14上。
源極電極125a以及汲極電極125b分別經由形成在第二絕緣層14的開口(未圖示)接觸主動層121的源極區域121a與汲極區域121b。源極電極125a以及汲極電極125b可由含有選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)以及銅(Cu)之中的一或多種金屬的單一層或多層所形成。
黑色矩陣12設置在基板10與TFT TFT1之間。形成黑色矩陣12以覆蓋像素電極111的邊緣部分且含有耐受溫度等於或高於550°C的有機材料。黑色矩陣12可含有如下列化學式1所示的材料，其中在化學式1中的R係選自氫、-F、-Cl、-Br、-I、C1 -C60 烷基以及C1 -C60 烷氧基。同時，黑色矩陣12可含有矽氧樹脂。 化學式1
如上所述的TFT TFT1的主動層121、閘極電極123、源極電極125a以及汲極電極125b之中的至少一個係直接設置在黑色矩陣12上。根據本實施例，揭露了其中主動層121係直接設置在黑色矩陣12上之結構。根據本實施例，由於黑色矩陣12形成為有機絕緣層，因此黑色矩陣12可作用為平坦化層。
當以垂直於基板10的位置觀察時，像素電極111係位在基板10與TFT TFT1之間。像素電極111的邊緣部分係被黑色矩陣12覆蓋。經由形成在黑色矩陣12的接觸開孔C2(參照第2B圖)，像素電極111係與TFT TFT1的源極電極125a或汲極電極 125b連接。
第三絕緣層15包含開口C7(參照第2G圖)，其覆蓋TFT TFT1且露出像素電極111的頂表面。第三絕緣層15也覆蓋黑色矩陣12的側表面。
第2A圖至第2G圖係為根據第一實施例之有機發光顯示設備1之製造方法之示意性截面圖。
參照第2A圖，緩衝層11形成在基板10上，透明導電層(未圖示)係形成在緩衝層11上，且像素電極111係藉由圖樣化透明導電層而形成。
參照第2B圖，包含有機材料的絕緣層形成在像素電極111上，且黑色矩陣12係藉由圖樣化絕緣層而形成。
黑色矩陣12覆蓋像素電極111的邊緣部分，且形成開口C1及C2以露出像素電極111的頂表面。
黑色矩陣12含有耐受溫度等於或高於550°C的有機材料。例如，黑色矩陣12可包含如上述化學式1所示的材料。此外，黑色矩陣12可藉由利用鹼可溶性、UV硬化的矽氧樹脂作為結合料(binder)而形成。因此，含有矽氧樹脂的黑色矩陣12可利用光罩進行圖樣化。
參照第2C圖，主動層121形成在黑色矩陣12上。主動層121可先由非晶矽形成，且接著主動層121可經由結晶製程形成為多晶矽。結晶非晶矽之方法可包含快速熱退火(RTA)、固相結晶化(SPC)、準分子雷射退火(ELA)、金屬誘發結晶(MIC)、金屬誘發側向結晶(MILC)、順序橫向固化(SLS)等。在此，由於在主動層121之下的黑色矩陣12含有較高熱耐受有機絕緣材料，因此主動層121可直接形成在黑色矩陣12上。
參照第2D圖，第一絕緣層13形成在黑色矩陣12上，且閘極電極123形成在第一絕緣層13上。
雖然未圖示，主動層121藉由利用閘極電極123作為自對準遮罩摻雜離子雜質。主動層121包含摻雜離子雜質的源極區域121a與汲極區域121b以及設置在源極區域121a與汲極區域121b之間的通道區域121c。
參照第2E圖，在形成閘極電極123之後，形成第二絕緣層14。露出像素電極111的頂表面的開口C6及C3 以及露出源極區域121a與汲極區域121b的開口C4及C5藉由同時圖樣化第二絕緣層14及第一絕緣層13而形成。
開口C6係形成為自第2C圖的開口C1平緩地(smoothly)延伸，而開口C3係形成為自第2C圖的開口C2平緩地延伸。
參照第2F圖，金屬層(未圖示)形成在第2E圖所示的操作的生成結構上，且源極電極125a與汲極電極125b係藉由圖樣化金屬層而形成。
金屬層(未圖示)可含有選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)以及銅 (Cu)及其合金之中的金屬。
參照第2G圖，第三絕緣層15形成在第2F圖所示的操作的生成結構上，且開口C7形成為露出像素電極111的頂表面。第三絕緣層15包覆像素電極111的邊緣部分且覆蓋黑色矩陣12的側表面。
由於黑色矩陣12形成在如上所述製造的有機發光顯示設備1中，因此不需利用昂貴的光偏振膜以降低外部的光反射。此外，由於黑色矩陣12係由較高熱耐受有機材料形成以及作用為平坦化層，而不需形成獨立的平坦化層。
第3圖係為根據比較實施例之有機發光顯示設備2之示意性截面圖。
在根據比較實施例的有機發光顯示設備2中，黑色矩陣22設置在基板10與TFT TFT2之間。像素電極111設置在第三絕緣層15上，且像素電極111與TFT TFT2的源極電極125a或汲極電極125b連接。第四絕緣層17覆蓋像素電極111的側表面。根據比較實施例的黑色矩陣22由金屬所形成。由於黑色矩陣22由金屬所形成，而需要在黑色矩陣22上設置平坦化層。同時，形成有機平坦化層16以抑制黑色矩陣與形成在黑色矩陣22之上的電路配線耦接。在形成有機平坦化層16之後，執行一系列的光刻操作。例如，隨著執行用於形成主動層121、閘極電極123、源極電極125a與汲極電極125b的光刻操作以及用於結晶主動層121的操作，由金屬形成的黑色矩陣22上的有機平坦化層16在高溫下會剝離之缺陷產生。
然而，根據本實施例的有機發光顯示設備1，由於黑色矩陣是由較高熱耐受有機材料形成且黑色矩陣作用為平坦化層，而不需設置獨立之平坦化層。因此，不會有在金屬黑色矩陣與有機平坦化層之間發生的剝離缺陷。
第4圖係為根據第二實施例之有機發光顯示設備3之示意性截面圖。在下文中，本實施例的描述將集中在第一實施例與第二實施例之間的差異。
參照第4圖，根據第二實施例的有機發光顯示設備3中，像素電極111、反向電極115以及包含至少一有機發光層113a且設置在像素電極111與反向電極115之間的中介層113係設置在根據第二實施例的有機發光顯示設備3的基板上。
根據本實施例，藉由有機發光層113a發出的光係藉由反向電極115反射而傳遞通過像素電極111，且射向基板10。換句話說，根據本實施例之有機發光顯示設備3係為底發光型OLED設備。
緩衝層11形成在基板10上，且薄膜電晶體(TFT)TFT3設置成遠離像素電極111的一側。TFT TFT3包含主動層121、閘極電極123、源極電極125a以及汲極電極125b。
主動層121可包含通道區域121c以及在通道區域121c外側且摻雜離子雜質的源極區域121a與汲極區域121b。根據本實施例，主動層121可含有多晶矽，其經由結晶製程結晶非晶矽所形成。為閘極絕緣層之第一絕緣層13係形成在主動層121上，且閘極電極123設置在對應通道區域121c位置的第一絕緣層13上。
為層間絕緣層之第二絕緣層14係形成在閘極電極123上，且源極電極125a以及汲極電極125b設置在第二絕緣層14上。
源極電極125a以及汲極電極125b分別經由形成在第二絕緣層14的開口接觸主動層121的源極區域121a與汲極區域121b。源極電極125a以及汲極電極125b可由含有選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)以及銅 (Cu)之中的一或多種金屬的單一層或多層所形成。
阻隔層112設置在像素電極111的頂表面的端部。阻隔層112可含有與源極電極125a以及汲極電極125b相同的金屬。
黑色矩陣12設置在基板10與TFT TFT3之間。形成黑色矩陣12以覆蓋像素電極111的邊緣部分且含有耐受溫度等於或高於550°C的有機材料。黑色矩陣12可含有如上述化學式1所示的材料。同時，黑色矩陣12可含有矽氧樹脂。
第5A圖至第5F圖係為根據第二實施例之有機發光顯示設備3之製造方法之示意性截面圖。
參照第5A圖，緩衝層11形成在基板10上，透明導電層(未圖示)形成在緩衝層11上，金屬層(未圖示)形成在透明導電層上，且像素電極111以及阻隔層112藉由同時圖樣化透明導電層及金屬層而形成。
參照第5B圖，包含有機材料的絕緣層形成在阻隔層112上，且黑色矩陣12藉由圖樣化絕緣層而形成。
黑色矩陣12覆蓋阻隔層112的邊緣部分，且形成開口C1及C2以露出阻隔層112的頂表面。
黑色矩陣12含有耐受溫度等於或高於550°C的有機材料。例如，黑色矩陣12可包含如上述化學式1所示的材料。此外，黑色矩陣12可藉由利用鹼可溶性、UV硬化的矽氧樹脂作為結合料而形成。因此，含有矽氧樹脂的黑色矩陣12可利用光罩進行圖樣化。
參照第5C圖，主動層121形成在黑色矩陣12上。主動層121可先由非晶矽形成，且接著主動層121可經由結晶製程形成為多晶矽。結晶非晶矽之方法可包含快速熱退火(RTA)、固相結晶化(SPC)、準分子雷射退火(ELA)、金屬誘發結晶(MIC)、金屬誘發側向結晶(MILC)、順序橫向固化(SLS)等。在此，由於在主動層121之下的黑色矩陣12含有較高熱耐受有機絕緣材料，因此主動層121可直接形成在黑色矩陣12上。
當主動層121被乾性蝕刻時，假如阻隔層112未設置在像素電極111上，像素電極111可能直接受到等離子損傷。然而，由於阻隔層112設置在像素電極111的頂部上，因此可避免像素電極111受到損傷。
參照第5D圖，第一絕緣層13形成在黑色矩陣12上，且閘極電極123形成在第一絕緣層13上。
雖然未圖示，但是主動層121藉由利用閘極電極123作為自對準遮罩摻雜離子雜質。主動層121包含摻雜離子雜質的源極區域121a與汲極區域121b以及設置在源極區域121a與汲極區域121b之間的通道區域121c。
參照第5E圖，在形成閘極電極123之後，形成第二絕緣層14。露出阻隔層112的頂表面的開口C6及C3 以及露出源極區域121a與汲極區域121b的開口C4及C5係藉由同時圖樣化第二絕緣層14及第一絕緣層13而形成。開口C6係形成為自第5C圖的開口C1平緩地延伸，而開口C3係形成為自第5C圖的開口C2平緩地延伸。
參照第5F圖，金屬層(未圖示)形成在第5E圖所示的操作的生成結構上，且源極電極125a與汲極電極125b係藉由圖樣化金屬層而形成。在此，移除部分的阻隔層112以露出像素電極111的部分頂表面。
金屬層(未圖示)可含有選自鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈣(Ca)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)以及銅 (Cu)及其合金之中的金屬。
同時，雖然未圖示，但是第三絕緣層15(參照第4圖)形成在第5F圖所示的操作的生成結構上，且形成開口以露出像素電極111的頂表面。第三絕緣層15包覆像素電極111的邊緣部分且覆蓋黑色矩陣12的側表面。
如上所述製造的有機發光顯示設備3中，當阻隔層112形成在像素電極111之上，阻隔層112保護像素電極111，同時圖樣化主動層121及絕緣層，因而降低像素電極111的損傷。
第6圖係為根據第三實施例之有機發光顯示設備4之示意性截面圖。在下文中，本實施例的描述將集中在與第一實施例及/或第二實施例的差異。
參照第6圖，根據第三實施例的有機發光顯示設備4中，像素電極111、反向電極115以及包含至少一有機發光層113a且設置在像素電極111與反向電極115之間的中介層113設置在根據第三實施例的有機發光顯示設備4的基板上。
根據本實施例，藉由有機發光層113a發出的光係藉由反向電極115反射而傳遞通過像素電極111，且射向基板10。換句話說，根據本實施例之有機發光顯示設備4係為底發光型OLED設備。
緩衝層11形成在基板10上，且薄膜電晶體(TFT) TFT4設置成遠離像素電極111的一側。TFT TFT4包含主動層121、閘極電極123、源極電極315a以及汲極電極315b。
本實施例揭露一種底部閘極型TFT。閘極電極123係直接形成在黑色矩陣12上，且作用為閘極絕緣層的第一絕緣層13形成在閘極電極123上。
主動層121形成在第一絕緣層13上。主動層121可含有非晶矽或矽氧化物。
源極電極315a以及汲極電極315b形成在主動層121上，為層間絕緣層之第二絕緣層14係形成在主動層121、源極電極315a以及汲極電極315b上。
如上所述，根據上述的一或多個實施例，根據本揭露之實施例的有機發光顯示設備可展現改善之光學效率及降低之製造成本。
應當被理解的是，本文描述的例示性實施例應該被理解為僅是描述性意義而非限制目的。各實施例中特徵或態樣的描述應一般被認為可應用於其他實施例中之其他相似特徵或態樣。
雖然已參考圖式描述本揭露之一個或多個實施例，所屬技術領域中具有通常知識者將理解的是，在沒有背離由下列申請專利範圍所定義之本揭露之精神及範疇下，可在形式上及細節上進行各種改變。
1、2、3、4‧‧‧有機發光顯示設備
10‧‧‧基板
11‧‧‧緩衝層
111‧‧‧像素電極
112‧‧‧阻隔層
113‧‧‧中介層
113a‧‧‧有機發光層
115‧‧‧反向電極
12、22‧‧‧黑色矩陣
121‧‧‧主動層
121a‧‧‧源極區域
121b‧‧‧汲極區域
121c‧‧‧通道區域
123‧‧‧閘極電極
125a、315a‧‧‧源極電極
125b、315b‧‧‧汲極電極
13‧‧‧第一絕緣層
14‧‧‧第二絕緣層
15‧‧‧第三絕緣層
16‧‧‧有機平坦化層
17‧‧‧第四絕緣層
C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7‧‧‧開口
TFT1、TFT2、TFT3、TFT4‧‧‧薄膜電晶體
這些及/或其他態樣從下列實施例之描述搭配附圖將變得顯而易見且更容易理解，其中：
第1圖係為根據第一實施例之有機發光顯示(OLED)設備之示意性截面圖；
第2A圖至第2G圖係為根據第一實施例之有機發光顯示設備之製造方法之示意性截面圖；
第3圖係為根據比較實施例之有機發光顯示設備之示意性截面圖；
第4圖係為根據第二實施例之有機發光顯示設備之示意性截面圖；
第5A圖至第5F圖係為根據第二實施例之有機發光顯示設備之製造方法之示意性截面圖；以及
第6圖係為根據第三實施例之有機發光顯示設備之示意性截面圖。
1‧‧‧有機發光顯示設備
10‧‧‧基板
11‧‧‧緩衝層
111‧‧‧像素電極
113‧‧‧中介層
113a‧‧‧有機發光層
115‧‧‧反向電極
12‧‧‧黑色矩陣
121‧‧‧主動層
121a‧‧‧源極區域
121b‧‧‧汲極區域
121c‧‧‧通道區域
123‧‧‧閘極電極
125a‧‧‧源極電極
125b‧‧‧汲極電極
13‧‧‧第一絕緣層
14‧‧‧第二絕緣層
15‧‧‧第三絕緣層
C1‧‧‧開口
TFT1‧‧‧薄膜電晶體

Claims (20)

  1. 一種有機發光顯示設備，其包含： 一基板； 一薄膜電晶體，係設置在該基板上； 一黑色矩陣，係位在該基板與該薄膜電晶體之間； 一像素電極，係位在該基板與該薄膜電晶體之間且具有藉由該黑色矩陣覆蓋的一邊緣部分； 一絕緣層，係覆蓋該薄膜電晶體且露出該像素電極的一頂表面； 一有機發光層，係設置在該像素電極上；以及 一反向電極，係設置在該有機發光層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該薄膜電晶體包含一主動層、一閘極電極、一源極電極以及一汲極電極，以及 選擇自該主動層、該閘極電極、該源極電極以及該汲極電極的至少一層係直接形成在該黑色矩陣上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該薄膜電晶體包含一源極電極與一汲極電極，且該像素電極係經由形成在該黑色矩陣的一接觸孔與該薄膜電晶體的該源極電極及該汲極電極連接。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該黑色矩陣含有耐受溫度等於或高於550°C的材料。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示設備，其中該黑色矩陣含有矽氧樹脂。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中露出該像素電極的該絕緣層覆蓋該黑色矩陣的側表面。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中一阻隔層設置在該像素電極上。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示設備，其中該薄膜電晶體包含一源極電極與一汲極電極，且該阻隔層含有與該源極電極及該汲極電極相同的金屬。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示設備，其中該阻隔層係被該黑色矩陣覆蓋。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該黑色矩陣含有如下列化學式1所示的材料，其中在化學式1中的R係選自氫、-F、-Cl、-Br、-I、C1 -C60 烷基以及C1 -C60 烷氧基。 化學式1
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該像素電極含有一透明材料，以及 該反向電極含有一反射材料。
  12. 一種製造有機發光顯示設備之方法，該方法包含： 在一基板上形成一像素電極； 形成一黑色矩陣以覆蓋該像素電極之端部； 在該黑色矩陣上形成一薄膜電晶體； 形成一絕緣層以覆蓋該薄膜電晶體且露出該像素電極之頂表面； 在該像素電極上形成一有機發光層；以及 在該有機發光層上形成一反向電極。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該薄膜電晶體包含一主動層、一閘極電極、一源極電極以及一汲極電極， 該黑色矩陣含有耐受溫度等於或高於550°C的材料，以及 選自該主動層、該閘極電極、該源極電極以及該汲極電極的至少一層係直接形成在該黑色矩陣上。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該黑色矩陣含有矽氧樹脂。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中形成該絕緣層以包覆該黑色矩陣的側表面。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該薄膜電晶體包含一源極電極與一汲極電極，且一阻隔層進一步形成在該像素電極上，以及 在用於形成該源極電極及該汲極電極的圖樣的一製程中，該阻隔層也與該源極電極及該汲極電極一起被蝕刻。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中該阻隔層含有與該源極電極及該汲極電極相同的金屬。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之方法，該阻隔層係被該黑色矩陣覆蓋。
  19. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該薄膜電晶體包含一源極電極與一汲極電極，且一接觸孔係進一步形成在該黑色矩陣中，以及 該像素電極經由該接觸孔與該薄膜電晶體之該源極電極或該汲極電極接觸。
  20. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該像素電極含有一透明材料，且該反向電極含有一反射材料。
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