TWI745025B

TWI745025B - 發光裝置及其製造方法

Info

Publication number: TWI745025B
Application number: TW109127587A
Authority: TW
Inventors: 王薰儀; 梁育馨; 黃柏榮; 奚鵬博; 鄭君丞
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2020-01-14
Filing date: 2020-08-13
Publication date: 2021-11-01
Also published as: TW202127412A; TWI729856B; TW202127971A; TW202127699A; TWI734558B; TW202127405A; TW202127427A; TWI742744B; TW202127420A; TW202127119A; TW202127654A; TWI732551B; TWI728822B; TW202127403A; TWI738464B; TWI747433B; TW202032226A; TWI742705B; TW202127698A; TW202127114A

Abstract

提供一種發光裝置，包括第一基板、第二基板、多個導電接墊、發光元件以及主動元件。第二基板設置於第一基板上，第二基板遠離第一基板的第一表面上具有凹槽，凹槽的第一側壁設置有反射層。發光元件設置於凹槽的底面且電性連接這些導電接墊。主動元件設置於第二基板的第一表面，其中主動元件透過貫穿第一基板以及第二基板的第一通孔以及貫穿第一基板的第二通孔電性連接至這些導電接墊的至少其中一個。亦提供一種發光裝置的製造方法。

Description

發光裝置及其製造方法

本發明是有關於一種發光裝置。

微發光二極體（Micro-LED）顯示面板因此導電性高、耗電量低、發光效率佳、色彩飽和度高等優點，以及近年來成為高解析度顯示面板的發展重點之一。為實現更高的發光效能，會在Micro-LED基板上設置堤（bank），在相鄰的堤之間形成的凹槽中放置Micro-LED晶片，利用堤的側壁來創造聚光功能。堤的膜層要做得夠厚，需要長時間的成膜製程，且蝕刻難度會增加。除此之外，堤大多為有機材料製成，當此有機材料的OD值（Optical Density）不夠大時，可能會有相鄰的微發光二極體彼此混光的問題。

本發明提供一種具有聚光功能的發光裝置，並提供發光裝置的製造方法。

根據本發明一實施例，提供一種發光裝置，包括第一基板、第二基板、多個導電接墊、發光元件以及主動元件。第二基板設置於第一基板上，第二基板遠離第一基板的第一表面上具有凹槽，凹槽的第一側壁設置有反射層。這些導電接墊設置於第一基板以及第二基板之間。發光元件設置於凹槽的底面且電性連接這些導電接墊。主動元件設置於第二基板的第一表面，其中主動元件透過貫穿第一基板以及第二基板的第一通孔以及貫穿第一基板的第二通孔電性連接至這些導電接墊的至少其中一個。

根據本發明一實施例，提供一種發光裝置製造方法，包括設置第一基板；在第一基板上設置多個導電接墊；在第一基板以及這些導電接墊上設置第二基板；在第二基板上設置主動元件；以雷射鑽孔在第二基板遠離第一基板的第一表面上鑽（drill）出凹槽；以雷射鑽孔自第一基板的第二表面鑽出貫穿第一基板以及第二基板的第一通孔以及貫穿第一基板的第二通孔；在第一通孔內、第二通孔內以及凹槽側壁電鍍金屬，其中第一通孔內的金屬電性連接主動元件，第二通孔內的金屬電性連接這些導電接墊中的第一導電接墊；在第一基板遠離第二基板的第二表面電鍍導電層以電性連接第一通孔內的金屬以及第二通孔內的金屬；以雷射鑽孔鑽出凹槽以暴露這些導電接墊；以及設置發光元件在凹槽的底面，並電性連接發光元件以及第一導電接墊。

本發明實施例提供的發光裝置將發光元件設置於第二基板的凹槽內，並利用凹槽的側壁上的反射層來反射光束。因為在第二基板上形成凹槽所需的時間較短而可減少製程的成本及時間。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。如本領域技術人員將認識到的，可以各種不同的方式修改所描述的實施例，而不脫離本發明的精神或範圍。

在附圖中，為了清楚起見，放大了各元件等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在「另一元件上」、或「連接到另一元件」、「重疊於另一元件」時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者也可以存在中間元件。相反的，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電連接。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下面」可以包括上方和下方的取向。

本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在限制區域的精確形狀。

參照圖1A，其繪示了根據本發明第一實施例的發光裝置100及第二實施例的發光裝置200中的第一基板以及導電接墊的製造方法。如圖1A所示，設置第一基板101，其具備表面101B。第一基板101上設置了第一導電接墊PD1以及第二導電接墊PD2，第一導電接墊PD1具備頂面PD1T，且第二導電接墊PD2具備頂面PD2T。第一基板101的厚度例如小於等於10微米。在一實施例中，第一基板101可以聚亞醯胺(Polyimide, PI)來製作，並且是可撓的軟性基板，但是本發明不以此為限。

參照圖1B，其繪示了根據本發明第一實施例的發光裝置100及第二實施例的發光裝置200中的第二基板的製造方法。在圖1B中，在第一基板101、第一導電接墊PD1以及第二導電接墊PD2上設置第二基板102，其具備表面102T。第二基板102的厚度例如大於等於10微米，但是本發明不以此為限。在一實施例中，可以在第一基板101上塗布(coating)並固化(curing)聚亞醯胺來製作第二基板102。

參照圖1C，其繪示了根據本發明第一實施例的發光裝置100中的主動元件層的製造方法。在圖1C中，第二基板102上設置了主動元件層103A。主動元件層103A例如包括了第一金屬層1031、第二金屬層1032、第三金屬層1033、半導體層1034、閘絕緣層1035、層間絕緣層1036以及鈍化層1037。第一金屬層1031、第二金屬層1032、第三金屬層1033以及半導體層1034都經圖案化而定義出需要的構件，例如主動元件TFT、掃描線以及資料線等，其中掃描線電性連接第一金屬層1031，資料線電性連接第三金屬層1033的第一部分1033S。閘絕緣層1035設置於第一金屬層1031以及半導體層1034之間。閘絕緣層1035以及層間絕緣層1036設置於第二金屬層1032以及半導體層1034之間，且第二金屬層1032以及半導體層1034藉由導電通孔電性相連。鈍化層1037設置於第二金屬層1032以及第三金屬層1033之間，且第二金屬層1032以及第三金屬層1033藉由導電通孔電性相連。

參照圖1D，其繪示了根據本發明第一實施例的發光裝置100中的凹槽及通孔的製造方法。根據本發明第一實施例，以雷射鑽孔（laser drilling）鑽出貫穿主動元件層103A的開口103AH，開口103AH具有側壁AHS。在另一實施例中，可以黃光微影製程製造貫穿主動元件層103A的開口103AH。

同樣參照圖1D，在第二基板102的表面102T以雷射鑽孔鑽出與開口103AH對應的凹槽102AG，凹槽102AG具有側壁AGS，其中凹槽102AG在第一基板101的垂直投影重疊第一導電接墊PD1以及第二導電接墊PD2的垂直投影。應當注意的是，在圖1D中，凹槽102AG的底面與第一導電接墊PD1的頂面PD1T以及第二導電接墊PD2的頂面PD2T不共面。具體地，在圖1D中，凹槽102AG的底面在第一基板101的法線方向上遠離第一導電接墊PD1的頂面PD1T以及第二導電接墊PD2的頂面PD2T設置，也就是第一導電接墊PD1以及第二導電接墊PD2在此時都沒有暴露在凹槽102AG中。

除此之外，以雷射鑽孔自第一基板101的表面101B鑽出貫穿第一基板101、第二基板102、閘絕緣層1035、層間絕緣層1036以及鈍化層1037的第一通孔VA1以及第三通孔VA3。第一通孔VA1暴露第三金屬層1033的第二部分1033D的至少一部份，且第一通孔VA1在第一基板101的垂直投影重疊第三金屬層1033的第二部分1033D的垂直投影。第三通孔VA3暴露第三金屬層1033的第一部分1033S的至少一部份，且第三通孔VA3在第一基板101的垂直投影重疊第三金屬層1033的第一部分1033S的垂直投影。除此之外，以雷射鑽孔自第一基板101的表面101B鑽出貫穿第一基板101的第二通孔VA2以及第四通孔VA4。第二通孔VA2暴露至少一部份的第一導電接墊PD1，且第二通孔VA2在第一基板101的垂直投影重疊第一導電接墊PD1的垂直投影。第四通孔VA4暴露至少一部份的第二導電接墊PD2，且第四通孔VA4在第一基板101的垂直投影重疊第二導電接墊PD2的垂直投影。

參照圖1E，其繪示了根據本發明第一實施例的發光裝置100中的反射層及導電通孔的製造方法。具體而言，在凹槽102AG的內壁以及開口103AH的側壁AHS電鍍金屬以形成反射層ARL，上述凹槽102AG的內壁包括側壁AGS以及底面（未標示）。在本實施例中，所電鍍的反射層ARL的材質是銅，但是本發明不以此為限。

除此之外，在第一通孔VA1內、第二通孔VA2內、第三通孔VA3內、第四通孔VA4內電鍍金屬，使得這些通孔成為導電通孔。根據本發明一實施例，所電鍍的金屬是銅，但是本發明不以此為限。第一通孔VA1內的金屬電性連接主動元件TFT的第三金屬層1033的第二部分1033D，第二通孔VA2內的金屬電性連接第一導電接墊PD1。此外，進一步在第一基板101的表面101B上電鍍導電層MC12以電性連接第一通孔VA1內的金屬以及第二通孔VA2內的金屬，使得第一導電接墊PD1藉由第二通孔VA2內的金屬、導電層MC12、第一通孔VA1內的金屬電性連接主動元件TFT。

參照圖1F，其繪示了根據本發明第一實施例的發光裝置100的剖面圖。接續圖1E的步驟，在圖1F中，以雷射鑽孔鑽出凹槽102AG，使得第一導電接墊PD1的頂面PD1T以及第二導電接墊PD2的頂面PD2T在凹槽102AG的底面AGB上暴露出來。

接下來，在凹槽102AG的底面AGB上設置發光元件104，並將發光元件104電性連接暴露出來的第一導電接墊PD1以及第二導電接墊PD2，完成根據本發明第一實施例的發光裝置100。選擇性地，還可在第一基板101下設置驅動元件105。第三通孔VA3內的金屬電性連接主動元件TFT以及驅動元件105。具體而言，驅動元件105藉由第三通孔VA3內的金屬電性連接主動元件TFT的第三金屬層1033的第一部分1033S，主動元件TFT藉由第三金屬層1033的第二部分1033D電性連接第一導電接墊PD1以及發光元件104，實現了驅動元件105對發光元件104的控制。此外，發光元件104藉由第二導電接墊PD2電性連接至發光裝置100的共用電極層。根據本發明一實施例，發光元件104可以是微發光二極體（Micro-LED），驅動元件105可以是驅動晶片，但是本發明不以此為限。

如圖1F所示，根據本發明第一實施例，提供一種發光裝置100，包括第一基板101、第二基板102、導電接墊PD1及PD2、發光元件104以及主動元件TFT。第二基板102設置於第一基板101上，第二基板102遠離第一基板101的表面102T上具有凹槽102AG，凹槽102AG的側壁AGS設置有反射層ARL。導電接墊PD1及PD2設置於第一基板101以及第二基板102之間。發光元件104設置於凹槽102AG的底面AGB且電性連接導電接墊PD1及PD2。主動元件TFT設置於第二基板102的表面102T。主動元件TFT透過貫穿第一基板101以及第二基板102的第一通孔VA1內的金屬以及貫穿第一基板101的第二通孔VA2內的金屬電性連接至第一導電接墊PD1。當發光裝置100的發光元件104射出光束，且此光束中偏離第一基板101的法線方向的光束朝反射層ARL入射時，反射層ARL可以反射此入射的光束。換言之，發光元件104射出的光束藉由反射層ARL的反射而得到聚光的效果。

根據本發明第二實施例的發光裝置的製造方法的前半段與圖1A與圖1B所示的本發明第一實施例的發光裝置的製造方法的前半段相同，在此僅說明本發明第二實施例的發光裝置的製造方法的後半段。參照圖2A，其繪示了根據本發明第二實施例的發光裝置200中的主動元件層的製造方法。在圖2A中，第二基板102上設置了主動元件層103B，主動元件層103B包括了第一金屬層1031、第二金屬層1032、第三金屬層1033、半導體層1034、閘絕緣層1035、層間絕緣層1036、鈍化層1037以及金屬環1038。第一金屬層1031、第二金屬層1032、第三金屬層1033以及半導體層1034都經圖案化而定義出需要的構件，例如主動元件TFT、掃描線以及資料線等，其中掃描線電性連接第一金屬層1031，資料線電性連接第三金屬層1033的第一部分1033S。閘絕緣層1035設置於第一金屬層1031以及半導體層1034之間。閘絕緣層1035以及層間絕緣層1036設置於第二金屬層1032以及半導體層1034之間，且第二金屬層1032以及半導體層1034藉由導電通孔電性相連。鈍化層1037設置於第二金屬層1032以及第三金屬層1033之間，且第二金屬層1032以及第三金屬層1033藉由導電通孔電性相連。金屬環1038具備中空區域1038C，金屬環1038的外徑標示為1038D，金屬環1038的內徑標示為1038CD（即中空區域1038C的直徑），且金屬環1038與第一金屬層1031是由同一金屬層圖案化而成，但是本發明不限於此。在本發明另一實施例中，金屬環1038可以與第二金屬層1032由同一金屬層圖案化而成。

參照圖2B，其繪示了根據本發明第二實施例的發光裝置200中的凹槽及通孔的製造方法。根據本發明第二實施例，以雷射鑽孔鑽出貫穿主動元件層103B的開口103BH，開口103BH具有側壁BHS1以及BHS2。所使用的雷射的線寬LSD大於中空區域1038C的直徑1038CD，小於金屬環1038的直徑1038D。具體而言，對於設置在金屬環1038上的層間絕緣層1036以及鈍化層1037，由雷射鑽孔所鑽出的側壁BHS1在第一基板101上的投影的直徑大於中空區域1038C的直徑1038CD。對於設置在金屬環1038下的閘絕緣層1035，由雷射鑽孔所鑽出的側壁BHS2在第一基板101上的投影的直徑會因為設置金屬環1038而小於中空區域1038C的直徑1038CD。也就是說，金屬環1038的設置限制了側壁BHS2所對應出的開口的面積。具體而言，透過設置金屬環1038，並選擇適當的雷射線寬LSD與金屬環1038的內徑及外徑，可以控制主動元件層103B的開口103BH的大小。換言之，由於金屬環1038的設置，開口103BH的側壁BHS1在第一基板101上的投影相較於側壁BHS2在第一基板101上的投影可以具有較大的直徑。因此，相較於側壁BHS2所圍繞出的開口面積，側壁BHS1所圍繞出的開口面積可以增加。

同樣參照圖2B，在第二基板102的表面102T以雷射鑽孔鑽出與開口103BH對應的凹槽102BG，凹槽102BG具有側壁BGS，其中凹槽102BG在第一基板101的垂直投影重疊第一導電接墊PD1以及第二導電接墊PD2的垂直投影。具體而言，由於第二基板102設置在金屬環1038下方，凹槽102BG的形狀同樣會受到金屬環1038的限制。應當注意的是，在圖2B中，凹槽102BG的底面與第一導電接墊PD1的頂面PD1T以及第二導電接墊PD2的頂面PD2T不共面。具體地，在圖2B中，凹槽102BG的底面在第一基板101的法線方向上遠離第一導電接墊PD1的頂面PD1T以及第二導電接墊PD2的頂面PD2T設置，也就是第一導電接墊PD1以及第二導電接墊PD2在此時都沒有暴露在凹槽102BG中。

除此之外，以雷射鑽孔自第一基板101的表面101B鑽出貫穿第一基板101、第二基板102、閘絕緣層1035、層間絕緣層1036以及鈍化層1037的第一通孔VA1以及第三通孔VA3。其中，第一通孔VA1暴露第三金屬層1033的第二部分1033D的至少一部份，且第一通孔VA1在第一基板101的垂直投影重疊第三金屬層1033的第二部分1033D的垂直投影。第三通孔VA3暴露第三金屬層1033的第一部分1033S的至少一部份，且第三通孔VA3在第一基板101的垂直投影重疊第三金屬層1033的第一部分1033S的垂直投影。除此之外，以雷射鑽孔自第一基板的表面101B鑽出貫穿第一基板101的第二通孔VA2以及第四通孔VA4。第二通孔VA2暴露至少一部份的第一導電接墊PD1，且第二通孔VA2在第一基板101的垂直投影重疊第一導電接墊PD1的垂直投影。第四通孔VA4暴露至少一部份的第二導電接墊PD2，且第四通孔VA4在第一基板101的垂直投影重疊第二導電接墊PD2的垂直投影。

參照圖2C，其繪示了根據本發明第二實施例的發光裝置200中的反射層及導電通孔的製造方法。具體而言，在凹槽102BG的內壁以及開口103BH的側壁BHS1及BHS2電鍍金屬以形成反射層BRL，上述凹槽102BG的內壁包括側壁BGS以及底面（未標示）。在本實施例中，所電鍍的反射層BRL是銅，但是本發明不以此為限。應當注意的是，如前面關於圖2B的描述，側壁BHS1所圍繞出的開口面積大於側壁BHS2所圍繞出的開口面積，兩側壁BHS1及BHS2上的反射層BRL所圍繞出的開口面積大小也有不同。具體而言，側壁BHS1上的反射層BRL所圍繞出的開口面積可以大於側壁BHS2上的反射層BRL所圍繞出的開口面積。

參照圖2D，其繪示了根據本發明第二實施例的發光裝置200的剖面圖。接續圖2C的步驟，在圖2D中，以雷射鑽孔鑽出凹槽102BG，使得第一導電接墊PD1的頂面PD1T以及第二導電接墊PD2的頂面PD2T在凹槽102BG的底面BGB上暴露出來。

接下來，在凹槽102BG的底面BGB上設置發光元件104，並將發光元件104電性連接暴露出來的第一導電接墊PD1以及第二導電接墊PD2，完成根據本發明第二實施例的發光裝置200。選擇性地，還可在第一基板101下設置驅動元件105。第三通孔VA3內的金屬電性連接主動元件TFT以及驅動元件105。具體而言，驅動元件105藉由第三通孔VA3內的金屬電性連接主動元件TFT的第三金屬層1033的第一部分1033S，主動元件TFT藉由第三金屬層1033的第二部分1033D電性連接第一導電接墊PD1以及發光元件104，實現了驅動元件105對發光元件104的控制。此外，發光元件104藉由第二導電接墊PD2電性連接至發光裝置200的共用電極層。根據本發明一實施例，發光元件104可以是微發光二極體，驅動元件105可以是驅動晶片，但是本發明不以此為限。

如圖2D所示，當發光裝置200的發光元件104射出光束，且此光束中偏離第一基板101的法線方向的光束朝反射層BRL入射時，反射層BRL可以反射此入射的光束。換言之，發光元件104射出的光束藉由反射層BRL的反射而得到聚光的效果。除此之外，由於反射層BRL可反射光束，因此可改變光束的行進，可以減少甚至避免發光元件104射出的光束與發光裝置200的其他發光元件射出的光束混光的狀況。

具體而言，請先參照圖3，其繪示了銅以及樹脂的反射率曲線圖。如圖3所示，銅在可見光範圍內的反射率大於樹脂的反射率。相較於本發明所屬領域的習知技藝中以樹脂形成堤來反射光束，本發明利用開口的側壁以及凹槽的側壁上的銅來反射光束，提供了更好的聚光功能，並避免了混光的狀況，而不需要額外構建堤，使得發光裝置得以具備窄邊框，並大幅度降低了製程的成本及時間。

接下來參照圖4，其繪示了根據本發明第三實施例的發光裝置300的剖面圖。在此必須說明的是，第三實施例沿用圖1F所示第一實施例的發光裝置100的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考第一實施例，在此不再重複贅述。在圖4中，發光裝置300的凹槽102AG的底面AGB上填充了色轉換層106，此外，為了提高色轉換效率，不同於第一實施例的第二基板102的厚度範圍（大於等於10微米），發光裝置300的第二基板102的厚度被設置為大於等於15微米，以增加凹槽102AG的深度，來提升整體色轉換層106的體積。

接下來參照圖5，其繪示了根據本發明第四實施例的發光裝置400的剖面圖。在此必須說明的是，第四實施例沿用圖2D所示第二實施例的發光裝置200的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考第二實施例，在此不再重複贅述。在圖5中，發光裝置400的凹槽102AG的底面BGB上填充了色轉換層106，此外，為了提高色轉換效率，不同於第二實施例的第二基板102的厚度範圍（大於等於10微米），發光裝置400的第二基板102的厚度被設置為大於等於15微米，以增加凹槽102BG的深度，來提升整體色轉換層106的體積。應當注意的是，如前面關於圖2C的描述，側壁BHS1上的反射層BRL所圍繞出的開口面積可以大於側壁BHS2上的反射層BRL所圍繞出的開口面積，因此，開口103BH中與側壁BHS1對應的部分可以填充色轉換層106的容積得以提高，進一步提高了色轉換效率。

接下來參照圖6，其繪示了根據本發明第五實施例的發光裝置的剖面圖。在此必須說明的是，第四實施例沿用圖2D所示第二實施例的發光裝置200的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考第二實施例，在此不再重複贅述。

圖6所示的發光裝置500與圖2D所示的發光裝置200不同在於，主動元件層103B中並未設置金屬環，且主動元件層103B的開口103BH是以黃光微影製程而非雷射鑽孔來設置的。透過黃光微影製程，開口103BH的尺寸亦可以提高，使得反射層CRL所環繞的開口103BH可以容置較大體積的色轉換層106，提高色轉換效率。

綜上所述，本發明實施例提供的發光裝置將發光元件設置於第二基板的凹槽內，並利用凹槽的側壁上的反射層來反射光束。相較於習知技藝中形成堤來反射光束，本發明實施例提供的發光裝置不需要額外構建堤（bank），大幅度降低了製程的成本及時間，還提供了更好的聚光功能，避免了混光的狀況。

100、200、300、400、500:發光裝置 101:第一基板 101B:表面 102:第二基板 102T:表面 102AG、102BG:凹槽 103A、103B:主動元件層 103AH、103BH:開口 1031:第一金屬層 1032:第二金屬層 1033:第三金屬層 1033S:第一部分 1033D:第二部分 1034:半導體層 1035:閘絕緣層 1036:層間絕緣層 1037:鈍化層 1038:金屬環 1038C:中空區域 1038CD:金屬環內徑 1038D:金屬環外徑 104:發光元件 105:驅動元件 106:色轉換層 AGS、BGS:側壁 AGB、BGB:底面 AHS、BHS1、BHS2:側壁 ARL、BRL、CRL:反射層 LSD:線寬 MC12:導電層 PD1:第一導電接墊 PD1T:第一導電接墊頂面 PD2:第二導電接墊 PD2T:第二導電接墊頂面 TFT:主動元件 VA1~VA4:通孔

圖1A至圖1F是根據本發明第一實施例的發光裝置的製造方法的流程剖面示意圖。圖2A至圖2D是根據本發明第二實施例的發光裝置的製造方法的後半段的流程剖面示意圖。圖3繪示了銅以及樹脂的反射率曲線圖。圖4繪示了根據本發明第三實施例的發光裝置的剖面圖。圖5繪示了根據本發明第四實施例的發光裝置的剖面圖。圖6繪示了根據本發明第五實施例的發光裝置的剖面圖。

100:發光裝置

101:第一基板

101B:表面

102:第二基板

102T:表面

102AG:凹槽

103A:主動元件層

103AH:開口

1031:第一金屬層

1032:第二金屬層

1033:第三金屬層

1033S:第一部分

1033D:第二部分

1034:半導體層

1035:閘絕緣層

1036:層間絕緣層

1037:鈍化層

104:發光元件

105:驅動元件

AGB:底面

ARL:反射層

MC12:導電層

PD1:第一導電接墊

PD1T:第一導電接墊頂面

PD2:第二導電接墊

PD2T:第二導電接墊頂面

TFT:主動元件

VA1~VA4:通孔

Claims

一種發光裝置，包括：一第一基板；一第二基板，設置於該第一基板上，其中該第二基板遠離該第一基板的一第一表面上具有一凹槽，該凹槽的一第一側壁設置有一反射層；多個導電接墊，設置於該第一基板以及該第二基板之間；一發光元件，設置於該凹槽的一底面且電性連接該些導電接墊；一主動元件，設置於該第二基板的該第一表面，其中該主動元件透過貫穿該第一基板以及該第二基板的一第一通孔、設置於該第一基板遠離該第二基板的一第二表面的一導電層以及貫穿該第一基板的一第二通孔電性連接至該些導電接墊的至少其中一個；一主動元件層，其中該主動元件層具有該主動元件與一開口，該開口在該第一基板的垂直投影完全重疊且大於該凹槽在該第一基板的垂直投影；以及一色轉換層，填充於該凹槽以及該開口內，且該第二基板的厚度大於等於15微米。
如請求項1所述的發光裝置，更包括一驅動元件，設置於該第一基板的該第二表面，並透過一第三通孔電性連接該主動元件。
如請求項2所述的發光裝置，其中該第一通孔在該第一基板的垂直投影重疊該主動元件在該第一基板的垂直投影，該第二通孔在該第一基板的垂直投影重疊該導電接墊在該第一基板的垂直投影，且該第三通孔在該第一基板的垂直投影重疊該主動元件在該第一基板的垂直投影。
如請求項1所述的發光裝置，其中該反射層更延伸至該開口的一第二側壁。
如請求項1所述的發光裝置，其中該主動元件層更具有環繞該開口的一金屬環。
如請求項5所述的發光裝置，其中該金屬環與該主動元件的一電極是由同一金屬層圖案化而成。
如請求項1所述的發光裝置，其中該第一基板的厚度小於等於10微米，且該第二基板的厚度大於等於10微米。
一種發光裝置製造方法，包括：設置一第一基板；在該第一基板上設置多個導電接墊；設置一第二基板，其中該些導電接墊在該第一基板以及該第二基板之間；在該第二基板遠離該第一基板的一第一表面上設置一主動元件；以雷射鑽孔在該第一表面上鑽出一凹槽；以雷射鑽孔自該第一基板遠離該第二基板的一第二表面鑽出貫穿該第一基板以及該第二基板的一第一通孔以及貫穿該第一基板的一第二通孔；在該第一通孔內、該第二通孔內以及該凹槽的側壁電鍍金屬，其中該第一通孔內的金屬電性連接該主動元件，該第二通孔內的金屬電性連接該些導電接墊中的一第一導電接墊；在該第二表面電鍍一導電層以電性連接該第一通孔內的金屬以及該第二通孔內的金屬；以雷射鑽孔鑽出該凹槽，以暴露該些導電接墊；設置一發光元件在該凹槽的一底面，並電性連接該發光元件以及該第一導電接墊；在該第二基板的該第一表面設置一主動元件層，其中該主動元件層具有該主動元件；在該主動元件層設置一開口，其中該開口貫穿該主動元件層，且該開口在該第一基板的垂直投影完全重疊且大於該凹槽在該第一基板的垂直投影；在該開口側壁電鍍金屬，其中該凹槽的側壁上的金屬以及該開口側壁上的金屬一體地設置；以及在該凹槽以及該開口內填充一色轉換層，其中該第二基板的厚度大於等於15微米。
如請求項8所述的發光裝置製造方法，更包括：以雷射鑽孔自該第一基板的該第二表面鑽出貫穿該第一基板以及該第二基板的一第三通孔；在該第三通孔內電鍍金屬，其中該第三通孔內的金屬電性連接該主動元件；以及在該第一基板的該第二表面設置一驅動元件，其中該驅動元件電性連接該第三通孔內的金屬。
如請求項8所述的發光裝置製造方法，更包括：以雷射鑽孔或黃光微影製程在該主動元件層形成該開口。
如請求項8所述的發光裝置製造方法，更包括：在該主動元件層內設置一金屬環，其中該金屬環具備一中空區域，且該金屬環與該主動元件的一電極由同一金屬層圖案化而成；以及以雷射鑽孔鑽出貫穿該主動元件層且對應該中空區域的該開口，其中雷射鑽孔的雷射線寬大於該金屬環的內徑，且小於該金屬環的外徑。
如請求項8所述的發光裝置製造方法，更包括：以雷射鑽孔自該第一基板的該第二表面鑽出貫穿該第一基板以及該第二基板的一第三通孔；在該第三通孔內電鍍金屬，其中該第三通孔內的金屬電性連接該主動元件；以及在該第一基板的該第二表面設置一驅動元件，其中該驅動元件電性連接該第三通孔內的金屬。
如請求項8所述的發光裝置製造方法，其中該第一基板的厚度小於等於10微米，且該第二基板的厚度大於等於10微米。
如請求項8所述的發光裝置製造方法，更包括：在該凹槽內填充一色轉換層。
如請求項8所述的發光裝置製造方法，更包括：以塗布方式形成該第二基板。