TWI747433B - 顯示面板 - Google Patents

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TWI747433B
TWI747433B TW109127244A TW109127244A TWI747433B TW I747433 B TWI747433 B TW I747433B TW 109127244 A TW109127244 A TW 109127244A TW 109127244 A TW109127244 A TW 109127244A TW I747433 B TWI747433 B TW I747433B
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郭庭瑋
劉品妙
黃景亮
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友達光電股份有限公司
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    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

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  • Measuring Pulse, Heart Rate, Blood Pressure Or Blood Flow (AREA)
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Abstract

一種顯示面板，包括基板、多個畫素區域、多個畫素電路、閘極驅動電路、多個內部信號線以及多個內部穿孔。基板具有第一表面及相對於第一表面的第二表面。這些畫素區域陣列排列於第一表面。每一畫素區域配置這些畫素電路的其中之一。閘極驅動電路具有多個驅動元件，這些驅動元件的其中之一配置於至少一畫素區域中。這些內部信號線配置於第二表面。這些內部穿孔形成於基板以個別電性連接這些驅動元件與這些內部信號線。

Description

顯示面板
本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種具有閘極驅動電路的顯示面板。
在現在的顯示面板設計中，是直接將閘極電路做進薄膜電晶體陣列(TFT Array)裡，稱為面板上閘極驅動電路(Gate on Panel，GOP)或陣列上閘極驅動電路(Gate on Array，GOA)。將閘極電路做進薄膜電晶體陣列可以大幅減少面板驅動晶片使用數量，以有效減少驅動晶片的腳位數，進而達到超窄邊框(border)設計，這是目前最為普遍的做法。
然而，顯示面板的閘極驅動電路會形成於邊框的部份，在做面板拼接時，就容易有較大的拼接縫隙出現，造成不易做拼接型顯示面板。
本發明提供一種顯示面板，可大幅降低具有閘極驅動電路的顯示面板的邊框。
本發明的顯示面板，包括基板、多個畫素區域、多個畫素電路、閘極驅動電路、多個內部信號線以及多個內部穿孔。基板具有第一表面及相對於第一表面的第二表面。這些畫素區域陣列排列於第一表面。每一畫素區域配置這些畫素電路的其中之一。閘極驅動電路具有多個驅動元件，這些驅動元件的其中之一配置於至少一畫素區域中。這些內部信號線配置於第二表面。這些內部穿孔形成於基板以個別電性連接這些驅動元件與這些內部信號線。
基於上述，本發明實施例的顯示面板，在基板的第二表面配置內部信號線，而垂直投影上方的第一表面的空間用以放置畫素電路(包括驅動元件或儲存元件)。藉此，可提升基板的空間利用率，並且可縮短顯示面板的邊框。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、100a~100g:顯示面板
101、101a、101a:基板
102:第一表面
103:第二表面
104:保護層
110_11~110_19、110_21~110_29、110:畫素區域
111_11~111_19、111_21~111_29、111_11a、111_21a、111_21b:畫素電路
C1~C3:電容
CK1~CK3:時脈信號
DE1~DE12:驅動元件
GDC:閘極驅電路
LCM1~LCM5共用信號線:
LS1、LS2、LS11、LS12、LS21、LS22、LSX1、LSX2:掃描線
LSC1、LSC:跨越信號線
LSHV:系統電壓線
LSI1~LSI4、LSI:內部信號線
S1[n]、S2[n]、S1[n+1]、S2[n+1]、S2[n-1]、S1、S2:掃描信號
SHT、SHTa~SHTc、SHT1~SHT5:位移暫存器
T1~T8:電晶體
VC1、VC2、VC:跨越穿孔
VGH:閘極高電壓
VI1~VI5、VI:內部穿孔
圖1A為依據本發明第一實施例的顯示面板的系統示意圖。
圖1B為依據本發明第一實施例的顯示面板的剖面示意圖。
圖2為依據本發明第二實施例的顯示面板的系統示意圖。
圖3為依據本發明第三實施例的顯示面板的系統示意圖。
圖4A為依據本發明第四實施例的顯示面板的系統示意圖。
圖4B為依據本發明第四實施例的顯示面板的位移暫存器的電路示意圖。
圖5為依據本發明第五實施例的顯示面板的系統示意圖。
圖6為依據本發明第六實施例的顯示面板的系統示意圖。
圖7為依據本發明第七實施例的顯示面板的系統示意圖。
圖8為依據本發明第八實施例的顯示面板的系統示意圖。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
應當理解，儘管術語”第一”、”第二”、”第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的”第一元件”、”部件”、”區域”、”層”或”部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而 不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式”一”、”一個”和”該”旨在包括複數形式，包括”至少一個”。”或”表示”及/或”。如本文所使用的，術語”及/或”包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語”包括”及/或”包括”指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
圖1A為依據本發明第一實施例的顯示面板的系統示意圖。圖1B為依據本發明第一實施例的顯示面板的剖面示意圖。請參照圖1A及圖1B，在本實施例中，顯示面板100包括基板101、多個畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)、多個畫素電路(如111_11~111_16及111_21~111_26)、多個驅動元件(如DE1~DE10)、多條掃描線(如LS1~LS2)、多個內部信號線(如LSI1~LSI4)、多個內部穿孔(如VI1~VI5)、保護層104、多個跨越信號線(如LSC1)及多個跨越穿孔(如VC1~VC2)。其中，相鄰的驅動元件DE1~DE10包括用以構成單個位移暫存器SHT的多個電晶體及至少一電容，並且多個位移暫存器SHT構成顯示面板100的閘極驅動電路(如圖6所示GDC)。
基板101具有第一表面102及相對於第一表面102的第二表面103。畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)陣列排列於基板101的第一表面102上。每一畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)用以配置畫素電路(如 111_11~111_16及111_21~111_26)的其中之一。
驅動元件(如DE1~DE10)的其中之一配置於畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)中的對應一者，例如驅動元件DE1配置於畫素區域110_11，驅動元件DE2配置於畫素區域110_12，其餘可參照圖1A所示，亦即各個位移暫存器SHT的驅動元件(如DE1~DE10)配置於兩列的畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)之間。在本發明實施例中，各個位移暫存器SHT的驅動元件(如DE1~DE10)可以配置於兩列的這些畫素區域110_11~110_16中相鄰的8至100個畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)。
畫素區域110_16及110_26沒有配置驅動元件，因此可以整個區域都用來配置畫素電路(如111_16及111_26)，但畫素區域110_11~110_15及111_21~111_25僅可使用大部份的區域來配置畫素電路(如111_11~111_15及111_21~111_25)。
內部信號線(如LSI1~LSI4)配置於基板101的第二表面103上。內部穿孔(如VI1~VI5)形成於基板101上，以個別電性連接這些驅動元件(如DE1~DE10)與內部信號線(如LSI1~LSI4)，例如內部穿孔VI1電性連接內部信號線LSI1與驅動元件DE1，內部穿孔VI2電性連接內部信號線LSI2與驅動元件DE1，其餘可參照圖1B所示。藉此，當連接導線配置在基板101的第二表面時，垂直投影上方的第一表面的空間可以放置畫素電路(包括驅動元件或儲存元件)，以提升基板101的空間利用率， 並且可縮短顯示面板100的邊框。其中，基板101的穿孔之間的距離不能太近。
保護層104用以覆蓋畫素電路(如111_11~111_16及111_21~111_26)及位移暫存器SHT的驅動元件(如DE1~DE10)。跨越信號線(如LSC1)配置於保護層104上。跨越穿孔(如VC1~VC2)形成於保護層104以個別電性連接驅動元件(如DE1~DE10)與跨越信號線(如LSC1)，例如跨越穿孔VC1電性連接跨越信號線LSC1與驅動元件DE1，跨越穿孔VC2電性連接跨越信號線LSC1與驅動元件DE3。由於位移暫存器SHT的驅動元件DE1~DE10具有兩個或三個端點，亦即可能需要兩個或三個穿孔，但基板101上穿孔的數目過多會影響基板101容易剝離。因此，透過個別在基板101與保護層104上形成穿孔，可以降低基板101上穿孔的數目，以顯示面板100剝離的機率。
在本發明實施例中，在基板101及/或保護層104上形成穿孔可依據電路需求而定，亦即可隨著顯示面板100的解析度、畫素電路(如111_11~111_16及111_21~111_26)的大小及/或畫素電路(如111_11~111_16及111_21~111_26)的佈局設計而定，本發明實施例不以此為限。
掃描線(如LS1~LS2)用以個別電性連接一列的畫素電路(如111_11~111_16及111_21~111_26)與對應的位移暫存器SHT，以個別傳送不同的掃描信號至對應列的畫素電路(如111_11~111_16及111_21~111_26)，例如掃描線LS1電性連接畫 素電路111_11~111_16與位移暫存器SHT，掃描線LS2電性連接畫素電路111_21~111_26與另一位移暫存器(未繪示)。
在本發明實施例中，畫素電路(如111_11~111_16及111_21~111_26)例如是液晶畫素電路、微型發光二極體畫素電路或有機發光二極體畫素電路，但本發明實施例不以此為限。並且，在本實施例中，驅動元件(如DE1~DE10)是個別配置於一個畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)中，但在本發明其他實施例中，驅動元件(如DE1~DE10)可以個別配置於多個相鄰的畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)中，亦即每個驅動元件(如DE1~DE10)可以個別配置於至少一畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)中。
在本發明實施例中，在用於配置驅動元件(如DE1~DE10)的各個畫素區域110_11~110_16中，各個畫素電路111_11~111_16的元件數可以是介於3~15之間(亦即為2T1C結構(2個電晶體+1個電容)~14T1C結構(14個電晶體+1個電容)，並且驅動元件(DE1~DE10)的個數可以是介於1/4~1(亦即配置於4~1個畫素區域)。藉此，在用於配置驅動元件(如DE1~DE10)的各個畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)中，各個畫素電路(如111_11~111_16及111_21~111_26)的元件數與驅動元件(如DE1~DE10)的個數的比值介於3至60之間。更進一步來說，在用於配置驅動元件(如DE1~DE10)的各個畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)中，各個畫素電路(如 111_11~111_16及111_21~111_26)的元件數與驅動元件(如DE1~DE10)的個數的比值介於3至15之間，此依據電路設計而定，本發明實施例不以此為限。
在本發明的實施例中，當顯示面板100的畫素電路111_11~111_16可以設計為2T1C結構(亦即2個電晶體+1個電容)~18T3C結構(亦即18個電晶體+3個電容)，此時畫素電路的元件數可以是介於3~21，且驅動元件的個數是介於1/4~1(亦即配置於4~1個畫素區域)，則各個畫素電路9(如111_11~111_16)的元件數與驅動元件(如DE1~DE10)的個數的比值係介於3至84之間。進一步來說，各個畫素電路9(如111_11~111_16)的元件數與驅動元件(如DE1~DE10)的個數的比值係介於3至21之間。另外，在本發明一些實施例中，閘極電路的驅動元件(如DE1~DE10)的個數依據電路設計可以到達40個。
圖2為依據本發明第二實施例的顯示面板的系統示意圖。請參照圖1A及圖2，在本實施例中，顯示面板100a大致相同於顯示面板100，其不同之處在於位移暫存器SHTa，其中相同或相似元件使用相同或相似標號。在本實施例中，位移暫存器SHTa的驅動元件DE11是佔用了兩個相鄰的畫素區域110_11及110_21，以提供更高的驅動能力(例如約兩倍的驅動能力)，並且畫素電路111_21a所佔用的畫素區域110_21的區域更少。
圖3為依據本發明第三實施例的顯示面板的系統示意圖。請參照圖1A及圖3，在本實施例中，顯示面板100b大致相 同於顯示面板100，其不同之處在於位移暫存器SHTb，其中相同或相似元件使用相同或相似標號。在本實施例中，位移暫存器SHTb的驅動元件DE11是佔用了兩個畫素區域110_11及110_21中更多的區域，以提供更高的驅動能力(例如約四倍的驅動能力)，並且畫素電路111_11a所佔用的畫素區域110_11的區域更少且畫素電路111_21b所佔用的畫素區域110_21的區域更少。
圖4A為依據本發明第四實施例的顯示面板的系統示意圖。圖4B為依據本發明第四實施例的顯示面板的位移暫存器的電路示意圖。請參照圖1A、圖4A及圖4B，顯示面板100c大致相同於顯示面板100，其不同之處在於位移暫存器SHTc、掃描線LS11、LS12、LS21、LS22、系統電壓線LSHV，其中相同或相似元件使用相同或相似標號。
掃描線LS11及LS12電性連接配置於對應一列的畫素區域(如110_11~110_19)中的畫素電路(如111_11~111_19)，且個別接收對應的掃描信號S1[n]及S2[n]。掃描線LS21、LS22電性連接配置於對應另一列的畫素區域(如110_21~110_29)中的畫素電路(如111_11~111_19)，且個別接收對應的掃描信號S1[n+1]及S2[n+1]。系統電壓線LSHV用以接收閘極高電壓VGH。
位移暫存器SHTc包括電晶體T1~T8及電容C1~C3，其中電晶體T1~T8以P型電晶體為例，但本發明實施例不以此為限。電晶體T1配置於畫素區域110_11中，並且電晶體T1的源極及閘極接收前一列畫素電路(如111_11~111_16及111_21~111_26)所 接收的掃描信號S2[n-1]。電晶體T2配置於畫素區域110_13及110_14中，電晶體T2的源極接收時脈信號CK1，電晶體T2的汲極透過跨越穿孔VC(圖4A中繪示為實心圓)及跨越信號線LSC(圖4A中繪示為實心線)電性連接至掃描線LS11，並且電晶體T2的閘極透過內部穿孔VI(圖4A中繪示為空心圓)及內部信號線LSI(圖4A中繪示為虛線)電性連接至電晶體T1的汲極。
電晶體T3配置於畫素區域110_16及110_17中，電晶體T3的源極接收時脈信號CK2，電晶體T3的汲極透過跨越穿孔VC及跨越信號線LSC電性連接至掃描線LS21，並且電晶體T3的閘極透過內部穿孔VI及內部信號線LSI電性連接至電晶體T1的汲極。
電容C1配置於畫素區域110_15中，電容C1的一端透過跨越穿孔VC及跨越信號線LSC電性連接至掃描線LS11，並且電容C1的另一端透過內部穿孔VI及內部信號線LSI電性連接至電晶體T1的汲極。
電容C2配置於畫素區域110_18中，電容C2的一端透過跨越穿孔VC及跨越信號線LSC電性連接至掃描線LS21，並且電容C2的另一端透過內部穿孔VI及內部信號線LSI電性連接至電晶體T1的汲極。
電晶體T4配置於畫素區域110_12中，電晶體T4的源極及閘極接收時脈信號CK3。電晶體T5配置於畫素區域110_21中，電晶體T5的源極透過內部穿孔VI及內部信號線LSI電性連接至 電晶體T4的汲極，電晶體T5的閘極透過內部穿孔VI及內部信號線LSI電性連接至電晶體T1的汲極，並且電晶體T5的汲極透過跨越穿孔VC及跨越信號線LSC電性連接至系統電壓線LSHV。
電晶體T6配置於畫素區域110_22中，電晶體T6的源極透過內部穿孔VI及內部信號線LSI電性連接至電晶體T1的汲極，電晶體T6的閘極透過內部穿孔VI及內部信號線LSI電性連接至電晶體T5的源極，並且電晶體T6的汲極透過跨越穿孔VC及跨越信號線LSC電性連接至系統電壓線LSHV。
電晶體T7配置於畫素區域110_23及111_24中，電晶體T7的源極透過跨越穿孔VC及跨越信號線LSC電性連接至掃描線LS11，電晶體T7的閘極透過內部穿孔VI及內部信號線LSI電性連接至電晶體T5的源極，並且電晶體T7的汲極透過跨越穿孔VC及跨越信號線LSC電性連接至系統電壓線LSHV。
電晶體T8配置於畫素區域110_25及111_26中，電晶體T8的源極透過跨越穿孔VC及跨越信號線LSC電性連接至掃描線LS21，電晶體T8的閘極透過內部穿孔VI及內部信號線LSI電性連接至電晶體T5的源極，並且電晶體T8的汲極透過跨越穿孔VC及跨越信號線LSC電性連接至系統電壓線LSHV。
電容C3的一端透過內部穿孔VI及內部信號線LSI電性連接至電晶體T5的源極，並且電容C3的另一端透過跨越穿孔VC及跨越信號線LSC電性連接至系統電壓線LSHV。
圖5為依據本發明第五實施例的顯示面板的系統示意 圖。請參照圖1A及圖5，在本實施例中，顯示面板100d大致相同於顯示面板100，其不同之處在於更包括共用信號線(如LCM1~LCM5)，其中共用信號線(如LCM1~LCM5)可以傳送共享的電壓(例如系統高電壓、共用電壓、接地電壓等)，相同或相似元件使用相同或相似標號。在本實施例中，共用信號線(如LCM1~LCM5)與掃描線(如LS1、LS2)垂直且與掃描線(如LS1、LS2)交錯，並且配置於兩相鄰畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)之間。
在本發明實施例中，各個共用信號線(如LCM1~LCM5)被各個畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)的畫素電路(如111_11~111_16及111_21~111_26)與驅動元件(如DE1~DE10)所共用。並且，各個共用信號線(如LCM1~LCM5)被相鄰的畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)的畫素電路(如111_11~111_16及111_21~111_26)所共用。藉此，可提升基板101的走線的空間利用率。
圖6為依據本發明第六實施例的顯示面板的系統示意圖。請參照圖1A及圖5，在本實施例中，顯示面板100e大致相同於顯示面板100，其不同之處在於繪示構成閘極驅電路GDC的多個位移暫存器SHT1~SHT5，其中位移暫存器SHT1~SHT5可參照圖1A所示位移暫存器SHT，並且相同或相似元件使用相同或相似標號。
在本實施例中，畫素區域100以陣列排列於基板100上， 並且每一列的畫素區域100對應兩條掃描線LSX1及LSX2(個別接收掃描信號S1及S2)。位移暫存器SHT1~SHT5個別配置於兩列的畫素區域110之間。在本實施例中，沿著掃描線LSX1、LSX2的延伸方向，每一列的位移暫存器(如SHT1~SHT5)的配置位置不同於上一列的位移暫存器(如SHT1~SHT5)的配置位置及下一列的位移暫存器(如SHT1~SHT5)的配置位置，例如位移暫存器SHT2的配置位置不同於位移暫存器SHT1及SHT3的配置位置。
圖7為依據本發明第七實施例的顯示面板的系統示意圖。請參照圖1及圖7，顯示面板100f大致相同於顯示面板100，其不同之處在於基板101b的形狀，其中相同或相似元件使用相同或相似標號。在本實施例中，基板101a的形狀為心形，並且隨著外廓的變化，每一列的畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)對應至少一個位移暫存器SHT，例如每一列的畫素區域的數目越少，則可以只對應一個位移暫存器SHT，每一列的畫素區域的數目越多，則可以對應兩個或兩個以上位移暫存器SHT，此依據電路設計而定，本發明實施例不以此為限。
圖8為依據本發明第八實施例的顯示面板的系統示意圖。請參照圖1及圖8，顯示面板100g大致相同於顯示面板100，其不同之處在於基板101b的形狀，其中相同或相似元件使用相同或相似標號。在本實施例中，基板101b的形狀為同心圓，並且隨著外廓的變化，每一列的畫素區域(如110_11~110_16及110_21~110_26)對應至少一個位移暫存器SHT，例如每一列的畫 素區域的數目越少，則可以只對應一個位移暫存器SHT，每一列的畫素區域的數目越多，則可以對應兩個或兩個以上位移暫存器SHT，此依據電路設計而定，本發明實施例不以此為限。
綜上所述，本發明實施例的顯示面板，在基板的第二表面配置內部信號線，而垂直投影上方的第一表面的空間用以放置畫素電路(包括驅動元件或儲存元件)。藉此，可提升基板的空間利用率，並且可縮短顯示面板的邊框。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100:顯示面板
101:基板
110_11~110_16、110_21~110_26:畫素區域
111_11~111_16、111_21~111_26:畫素電路
DE1~DE10:驅動元件
LS1、LS2:掃描線
SHT:位移暫存器

Claims (17)

  1. 一種顯示面板，包括：一基板，具有一第一表面及相對於該第一表面的一第二表面；多個畫素區域，陣列排列於該第一表面；多個畫素電路，每一該些畫素區域配置該些畫素電路的其中之一；一閘極驅動電路，具有多個驅動元件，該些驅動元件的其中之一配置於至少一畫素區域中；多個內部信號線，配置於該第二表面；以及多個內部穿孔，形成於該基板以個別電性連接些驅動元件與該些內部信號線。
  2. 如請求項1所述的顯示面板，其中該些驅動元件形成多個位移暫存器。
  3. 如請求項2所述的顯示面板，其中各該些位移暫存器的該些驅動元件包括多個電晶體及至少一電容。
  4. 如請求項2所述的顯示面板，其中各該些位移暫存器電性連接多條掃描線的其中之一。
  5. 如請求項2所述的顯示面板，其中各該些位移暫存器的該些驅動元件配置於兩列的該些畫素區域之間。
  6. 如請求項5所述的顯示面板，其中各該些位移暫存器的該些驅動元件配置於該兩列的該些畫素區域中相鄰的8至100個畫素區域。
  7. 如請求項2所述的顯示面板，其中每一列的該些畫素區域對應至少一個位移暫存器。
  8. 如請求項2所述的顯示面板，其中沿著該些掃描線的延伸方向，每一列的位移暫存器的配置位置不同於上一列的位移暫存器的配置位置及下一列的位移暫存器的配置位置。
  9. 如請求項1所述的顯示面板，其中各該些驅動元件配置於該些畫素區域中相鄰的至少兩個畫素區域。
  10. 如請求項1所述的顯示面板，其中在用於配置該閘極驅動電路的該些驅動元件的各該些畫素區域中，各該些畫素電路的元件數與該些驅動元件的個數的比值介於3至60之間。
  11. 如請求項10所述的顯示面板，其中在用於配置該閘極驅動電路的該些驅動元件的各該些畫素區域中，各該些畫素電路的元件數與該些驅動元件的個數的比值介於3至15之間。
  12. 如請求項1所述的顯示面板，其中在用於配置該閘極驅動電路的該些驅動元件的各該些畫素區域中，各該些畫素電路的元件數與該些驅動元件的個數的比值介於3至84之間。
  13. 如請求項12所述的顯示面板，其中在用於配置該閘極驅動電路的該些驅動元件的各該些畫素區域中，各該些畫素電路的元件數與該些驅動元件的個數的比值介於3至21之間。
  14. 如請求項1所述的顯示面板，其中該些畫素區域中配置多個共用信號線，其中各該些共用信號線被各該些畫素區域的畫素電路與該些驅動元件所共用。
  15. 如請求項14所述的顯示面板，其中各該些共用信號線被相鄰的該些畫素區域的畫素電路與該些驅動元件所共用。
  16. 如請求項15所述的顯示面板，其中該些共用信號線與多條掃描線垂直。
  17. 如請求項1所述的顯示面板，更包括：一保護層，用以覆蓋該些畫素電路及該閘極驅動電路；多個跨越信號線，配置於該保護層上；以及多個跨越穿孔，形成於該保護層以個別電性連接些驅動元件與該些跨越信號線。
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