TWI684270B - 透明顯示面板及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種透明顯示面板，包括以下元件。主動層位於基底上。閘絕緣層位於主動層上。閘極位於閘絕緣層上。第一層間絕緣層位於閘極與閘絕緣層上。第二層間絕緣層位於第一層間絕緣層上。輔助結構位於第二層間絕緣層上並定義透明區。源極與汲極位於第二層間絕緣層上且分別電性連接至主動層。第三層間絕緣層位於源極與汲極上。第四層間絕緣層位於第三層間絕緣層上，並於透明區中與第一層間絕緣層接觸。電致發光元件位於第四層間絕緣層上。
Description
本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法，且特別是有關於一種透明顯示面板及其製造方法。
有機電致發光元件(organic electroluminescent device)是一種可將電能轉換成光能且具有高轉換效率的半導體元件，其常見的用途為指示燈以及顯示面板之發光元件等。由於有機電致發光元件具備如無視角問題、製程簡易、低成本、高應答速度、使用溫度範圍廣泛與全彩化等特性，因此符合多媒體時代顯示器特性的要求，可望成為平面顯示器之主流。
目前，將有機電致發光元件應用於透明電子產品已有研發案例，以使觀看者通過透明背景來觀看圖像，此透明電子產品例如為車用玻璃、智能窗戶、透明顯示器等等。
本發明之一實施例提供一種透明顯示面板及其製造方法，
其可增加透明顯示面板的穿透率並減少黃化現象。
本發明之一實施例提供一種透明顯示面板的製造方法，其步驟如下。形成主動層於基底上。形成閘絕緣層於主動層上。形成閘極於閘絕緣層上。形成第一層間絕緣層於閘極與閘絕緣層上。形成第二層間絕緣層於第一層間絕緣層上。形成輔助結構於第二層間絕緣層上。形成源極與汲極於第二層間絕緣層上且分別電性連接至主動層。形成第三層間絕緣層於源極與汲極上，並延伸覆蓋輔助結構。以輔助結構作為蝕刻停止層，移除第三層間絕緣層的一部分與第二層間絕緣層的一部分，以暴露出第一層間絕緣層於預定透明區。形成第四層間絕緣層於第三層間絕緣層上。形成下電極於第四層間絕緣層上且電性連接至汲極。形成畫素定義層於第四層間絕緣層上，其中畫素定義層具有開口位於顯像區。形成電致發光層於開口中。形成上電極於電致發光層上。
本發明之一實施例提供一種透明顯示面板，包括基底、主動層、閘絕緣層、閘極、第一層間絕緣層、第二層間絕緣層、輔助結構、源極、汲極、第三層間絕緣層、第四層間絕緣層以及電致發光元件。主動層位於基底上。閘絕緣層位於主動層上。閘極位於閘絕緣層上。第一層間絕緣層位於閘極與閘絕緣層上。第二層間絕緣層位於第一層間絕緣層上。輔助結構位於閘絕緣層上並定義透明區，其中輔助結構的厚度為400奈米至700奈米。源極與汲極位於第二層間絕緣層上且分別電性連接至主動層。第三層間絕緣層位於源極與汲極上。第四層間絕緣層位於第三層間絕緣層上。電致
發光元件位於第四層間絕緣層上。
本發明之一實施例提供一種透明顯示面板的製造方法，其步驟如下。形成主動層於基底上。形成第一閘絕緣層於主動層上。形成第二閘絕緣層於第一閘絕緣層上。形成閘極與輔助結構於第二閘絕緣層上。形成第一層間絕緣層於閘極、第二閘絕緣層以及輔助結構上。形成第二層間絕緣層於第一層間絕緣層上。形成源極與汲極於第二層間絕緣層上且分別電性連接至主動層。形成第三層間絕緣層於源極、汲極以及第二層間絕緣層上。以輔助結構作為蝕刻停止層，移除第三層間絕緣層的一部分、第二層間絕緣層的一部分、第一層間絕緣層的一部分以及第二閘絕緣層的一部分，以暴露出第一閘絕緣層於預定透明區。形成第四層間絕緣層於第三層間絕緣層上，其中第四層間絕緣層之至少一部分係位於預定透明區。形成下電極於第四層間絕緣層上且電性連接至汲極。形成畫素定義層於第四層間絕緣層上，其中畫素定義層之至少一部分係位於預定透明區，畫素定義層具有開口位於顯像區。形成電致發光層於開口中。形成上電極於電致發光層上。
基於上述，本發明之一實施例藉由輔助結構當作蝕刻停止層，以精準地控制透明區中的絕緣層的厚度。因此，透明區中的堆疊層的配置可增加透明顯示面板的穿透率並減少黃化現象。另外，輔助結構亦可與閘極或是源極/汲極同時形成，而不需要增加額外的製程步驟。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉
實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
1、2、3、4‧‧‧透明顯示面板
10、12、14、16、18、20‧‧‧開口
100‧‧‧基底
101‧‧‧第一閘絕緣層
101a‧‧‧透明區外的第一閘絕緣層
101b‧‧‧透明區中的第一閘絕緣層
102‧‧‧主動層
103‧‧‧第二閘絕緣層
104‧‧‧閘絕緣層
106‧‧‧閘極
108‧‧‧第一層間絕緣層
108a‧‧‧透明區外的第一層間絕緣層
108b‧‧‧透明區中的第一層間絕緣層
110‧‧‧第二層間絕緣層
112‧‧‧導電層
114‧‧‧源極
116‧‧‧汲極
118、118a、118b、118c、118d、118e、118f、218‧‧‧輔助結構
120‧‧‧第三層間絕緣層
122‧‧‧光阻圖案
124‧‧‧第四層間絕緣層
126‧‧‧畫素定義層
128‧‧‧下電極
130‧‧‧電致發光層
132‧‧‧上電極
C‧‧‧電容器
D‧‧‧資料線
EL‧‧‧電致發光元件
S‧‧‧掃描線
P‧‧‧畫素單元
PC‧‧‧畫素電路單元
R1‧‧‧顯像區
R2‧‧‧透明區
R2’‧‧‧預定透明區
T1、T2、T3、T4‧‧‧厚度
TR‧‧‧薄膜電晶體
TR1‧‧‧第一薄膜電晶體
TR2‧‧‧第二薄膜電晶體
Vdd‧‧‧電源線
圖1A至圖1F是依照本發明的第一實施例的一種透明顯示面板的製造流程示意圖。
圖2是依照本發明的第一實施例的一種透明顯示面板的像素電路單元的示意圖。
圖3是依照本發明的第二實施例的一種透明顯示面板的剖面示意圖。
圖4是依照本發明的第三實施例的一種透明顯示面板的剖面示意圖。
圖5是依照本發明的第四實施例的一種透明顯示面板的剖面示意圖。
參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之標號表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。
圖1A至圖1F是依照本發明的第一實施例的一種透明顯示面板的製造流程示意圖。圖2是依照本發明的第一實施例的一
種透明顯示面板的像素電路單元的示意圖。
本發明的第一實施例提供一種透明顯示面板1的製造方法，其步驟如下。請參照圖1A，提供基底100。在一實施例中，基板100的材料可以是無機透明材料(例如玻璃、石英、其它適合材料及其組合)、有機透明材料(例如聚烯類、聚醯類、聚醇類、聚酯類、橡膠、熱塑性聚合物、熱固性聚合物、聚芳香烴類、聚甲基丙醯酸甲酯類、聚碳酸酯類、其它合適材料、上述之衍生物及其組合)或其組合。
接著，於基底100上形成主動層102。在一實施例中，主動層102的材料包括半導體材料。所述半導體材料包括(但不限於)矽基半導體材料(例如多晶矽)、氧化物基半導體材料(例如氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化銦鎵鋅等)或其組合。
之後，於主動層102上形成閘絕緣層104。閘絕緣層104覆蓋主動層102與基底100的表面。在一實施例中，閘絕緣層104的材料包括矽的氧化物(例如氧化矽)、矽的氮化物(例如氮化矽)或其組合。雖然圖1A僅繪示出單一層的閘絕緣層104，但本發明不以此為限。在其他實施例中，閘絕緣層104可以是兩層結構或是更多層結構。
然後，於閘絕緣層104上形成閘極106。如圖1A所示，閘絕緣層104配置在主動層102與閘極106之間。在一實施例中，閘極106可包括金屬材料，例如是鉬、鋁、鉻、金、鈦、鎳、銅及其合金。
接著，於閘極106與閘絕緣層104上形成第一層間絕緣層108，並於第一層間絕緣層108上形成第二層間絕緣層110。在一實施例中，第一層間絕緣層108的材料包括無機介電材料，其包括矽的氧化物(例如氧化矽)、矽的氮化物(例如氮化矽)或其組合。在一實施例中，第二層間絕緣層110的材料包括無機介電材料，其包括矽的氧化物(例如氧化矽)、矽的氮化物(例如氮化矽)或其組合。在替代實施例中，第一層間絕緣層108的材料與第二層間絕緣層110的材料相同。在其他實施例中，第一層間絕緣層108的材料與第二層間絕緣層110的材料不同。舉例來說，第一層間絕緣層108可以是氧化矽；第二層間絕緣層110可以是氮化矽。
請參照圖1A，在形成第一層間絕緣層108與第二層間絕緣層110之後，形成開口10、12。開口10、12分別貫穿第二層間絕緣層110、第一層間絕緣層108以及閘絕緣層104，以暴露出主動層102的部分頂面。
請參照圖1B，於第二層間絕緣層110上形成導電層112。導電層112填入開口10、12中，並延伸覆蓋第二層間絕緣層110的頂面。在一實施例中，導電層112包括金屬、金屬氧化物或其組合。所述金屬可例如是鉬、鋁、鉻、金、鈦、鎳、銅及其合金。所述金屬氧化物可例如是銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或其組合。
請參照圖1B與圖1C，圖案化導電層112，以於第二層間
絕緣層110上形成源極114、汲極116以及輔助結構118。也就是說，輔助結構118、源極114及汲極116係由相同膜層(即導電層112)圖案化所形成。因此，輔助結構118的形成並不需要增加額外的製程步驟。舉例來說，源極114形成在開口10中，且與主動層102電性連接。汲極116形成在開口12中，亦與主動層102電性連接。薄膜電晶體TR包含源極114、汲極116、主動層102以及閘極106。輔助結構118配置於薄膜電晶體TR旁，且用以定義出預定透明區R2’。
另外，輔助結構118亦可不與源極114以及汲極116同時形成。舉例來說，在形成源極114與汲極116之後，可在第二層間絕緣層110上形成輔助層(未繪示)。然後，圖案化所述輔助層，藉此形成輔助結構118。在此實施例中，輔助結構118的材料可與源極114以及汲極116的材料不同。在一實施例中，輔助結構118的材料包括金屬、金屬氧化物、有機化合物或其組合，且其厚度為400奈米至700奈米。
此外，如圖1C所示，在剖面圖的角度來看，輔助結構118的形狀為兩個彼此分離的塊狀。而在上視圖的角度來看，如圖2所示，輔助結構118可以是具有單一個方框的輔助結構118a、具有單一個圓框的輔助結構118b、具有單一個十字形的輔助結構118c、具有多個條狀的輔助結構118d、具有多個圓框的輔助結構118e或具有多個方框的輔助結構118f。在一些實施例中，各畫素單元P可包括不同形狀的輔助結構118。在替代實施例中，各畫素單元P
可包括相同形狀的輔助結構118。
請繼續參照圖1C與圖1D，形成輔助結構118之後，於第二層間絕緣層110上形成第三層間絕緣層120。第三層間絕緣層120覆蓋源極114與汲極116，且延伸覆蓋輔助結構118。在一實施例中，第三層間絕緣層120的材料包括無機介電材料，其包括矽的氧化物(例如氧化矽)、矽的氮化物(例如氮化矽)或其組合。接著，如圖1D所示，在第三層間絕緣層120中形成開口14。開口14暴露出汲極116的頂面。
請參照圖1D與圖1E，形成開口14之後，於第三層間絕緣層120上形成光阻圖案122。光阻圖案122具有開口16，以對應預定透明區R2’。在一實施例中，開口16的面積大於預定透明區R2’的面積，且與輔助結構118部分重疊。接著，如圖1E所示，以光阻圖案122為蝕刻罩幕，並以輔助結構118為蝕刻停止層，進行蝕刻製程，移除第三層間絕緣層120的一部分、第二層間絕緣層110的一部分以及第一層間絕緣層108的一部分，以暴露出透明區中的第一層間絕緣層108b於預定透明區R2’。在此情況下，由於預定透明區R2’中的第三層間絕緣層120與第二層間絕緣層110已被移除，因此，以下段落可將預定透明區R2’稱為透明區R2。在一些實施例中，所述蝕刻製程可以是非等向性蝕刻製程，例如是反應性離子蝕刻(RIE)製程。在替代實施例中，所述蝕刻製程對輔助結構118與第三層間絕緣層120的蝕刻選擇比為3%至8%；所述蝕刻製程對輔助結構118與第二層間絕緣層110的蝕刻選擇
比為2%至5%。
如圖1E所示，在所述蝕刻製程之後，透明區R2以外的透明區外的第一層間絕緣層108a的厚度T1為200奈米至400奈米；而透明區R2中剩餘的透明區中的第一層間絕緣層108b的厚度T2則為20奈米至100奈米。也就是說，透明區R2以外的透明區外的第一層間絕緣層108a的厚度T1大於透明區R2中剩餘的透明區中的第一層間絕緣層108b的厚度T2。
值得注意的是，本實施例可藉由輔助結構118當作蝕刻停止層，以精準地控制透明區R2中的透明區中的第一層間絕緣層108b的厚度T2。舉例來說，當第一層間絕緣層108、第二層間絕緣層110以及第三層間絕緣層120之膜層特性相近的條件下，在進行所述蝕刻製程時難以判斷蝕刻終點(etching endpoint)，本實施例之輔助結構118可當作所述蝕刻製程的蝕刻終點，以完全移除透明區R2中的第二層間絕緣層110與第三層間絕緣層120，並精準地控制剩餘的透明區中的第一層間絕緣層108b的厚度T2。在一實施例中，當透明區中的第一層間絕緣層108b的厚度T2控制為20奈米至100奈米時，其可增加透明區R2的穿透率並減少黃化現象。
請參照圖1E與圖1F，在移除光阻圖案122之後，於第三層間絕緣層120上形成第四層間絕緣層124。第四層間絕緣層124延伸覆蓋透明區R2中的透明區中的第一層間絕緣層108b。如圖1F所示，第四層間絕緣層124直接接觸透明區R2中的透明區
中的第一層間絕緣層108b。在一實施例中，第四層間絕緣層124包括有機介電材料、無機介電材料或其組合。所述有機介電材料可例如是光阻材料、丙烯酸類樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂或其組合。所述無機介電材料包括矽的氧化物(例如氧化矽)、矽的氮化物(例如氮化矽)或其組合。
然後，在第四層間絕緣層124中形成開口18。開口18可對應開口14，且與開口14重疊，但本發明不以此為限。接著，在開口14、18中形成下電極128。下電極128填滿開口14、18並延伸覆蓋第四層間絕緣層124的部分頂面。如圖1F所示，下電極128與汲極116接觸且電性連接。
如圖1F所示，在形成下電極128之後，在第四層間絕緣層124上形成畫素定義層126。畫素定義層126覆蓋下電極128，且延伸覆蓋透明區R2中的第三層間絕緣層120。在一實施例中，畫素定義層126包括有機介電材料、無機介電材料或其組合。所述有機介電材料可例如是光阻材料、丙烯酸類樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂或其組合。所述無機介電材料包括矽的氧化物(例如氧化矽)、矽的氮化物(例如氮化矽)或其組合。
接著，在畫素定義層126中形成開口20，並在開口20中形成電致發光層130。在一實施例中，電致發光層130可包括電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層。但本發明不以此為限，在其他實施例中可依據設計來調整或更動電致發光層130的配置。然後，於電致發光層130上形成上電極132。
上電極132覆蓋電致發光層130上上且延伸覆蓋畫素定義層126的頂面。在其他實施例中，當上電極132為透明電極時，其亦可延伸覆蓋透明區R2中的畫素定義層126。在本實施例中，電致發光元件EL包含下電極128、電致發光層130以及上電極132，但本發明不以此為限。
在形成上電極132之後，本發明的第一實施例的透明顯示面板1便已完成。透明顯示面板1包括顯像區R1與透明區R2。透明區R2之透明度高於顯像區R1之透明度。電致發光元件EL位於顯像區R1，其用以顯示圖像。閘絕緣層104、透明區中的第一層間絕緣層108b、第四層間絕緣層124以及畫素定義層126形成的堆疊層位於透明區R2。所述堆疊層可增加透明顯示面板1的穿透率並減少黃化現象。因此，透明顯示面板1可視為透明狀態，以使觀看者能夠更清晰地觀看顯像區R1所顯示的圖像。
如圖1F與圖2所示，透明顯示面板1包括多個畫素單元P排列成一陣列。雖然圖2所繪示的畫素單元P是排列成2×3陣列，但本發明可根據設計需求來調整畫素單元P的數量與配置。如圖2所示，畫素單元P包括顯像區R1與透明區R2。在本實施例中，透明區R2的面積大於顯像區R1的面積，以使外部光可穿過透明區R2，進而使得觀看者能夠看到基底100下方的物體。因此，觀看者可藉由透明背景來觀看顯像區R1所顯示的圖像。顯像區R1包括畫素電路單元PC。畫素電路單元PC包括第一薄膜電晶體TR1、第二薄膜電晶體TR2以及電容器C。第一薄膜電晶體
TR1電性連接掃描線S與資料線D。第二薄膜電晶體TR2電性連接第一薄膜電晶體TR1與電源線Vdd。電容器C電性連接第一薄膜電晶體TR1與第二薄膜電晶體TR2。在一實施例中，第一薄膜電晶體TR1可以是開關電晶體(switching transistor)；第二薄膜電晶體TR2可以是驅動電晶體(driving transistor)。第一薄膜電晶體TR1與第二薄膜電晶體TR2電性連接到下電極128(如圖1F所示)，第二薄膜電晶體TR2即為薄膜電晶體TR。在一些實施例中，第一薄膜電晶體TR1與第二薄膜電晶體TR2可以是P型電晶體。但本發明不以此為限，在其他實施例中，第一薄膜電晶體TR1與第二薄膜電晶體TR2中的至少一者可以是N型電晶體。雖然圖2中所繪示的畫素電路單元PC包括兩個薄膜電晶體TR1、TR2以及單一個電容器C，但本發明可依據設計需求來調整薄膜電晶體與電容器的數量與配置。
圖3是依照本發明的第二實施例的一種透明顯示面板的剖面示意圖。
請參照圖3，第二實施例的透明顯示面板2與第一實施例的透明顯示面板1基本上相似。上述兩者的不同之處在於：第二實施例的透明顯示面板2的畫素定義層126直接接觸透明區R2中的透明區中的第一層間絕緣層108b。舉例來說，在第三層間絕緣層120中形成開口14之後，在第三層間絕緣層120上形成第四層間絕緣層124。然後，在第四層間絕緣層124上形成光阻圖案(未繪示)。接著，以所述光阻圖案為蝕刻罩幕，並以輔助結構118為
蝕刻停止層，進行蝕刻製程，移除第四層間絕緣層124的一部分、第三層間絕緣層120的一部分、第二層間絕緣層110的一部分以及第一層間絕緣層108的一部分，以暴露出透明區中的第一層間絕緣層108b於透明區R2。因此，最終形成的透明顯示面板2的透明區R2中形成有閘絕緣層104、透明區中的第一層間絕緣層108b以及畫素定義層126的堆疊層。所述堆疊層可增加透明顯示面板2的穿透率並減少黃化現象。
圖4是依照本發明的第三實施例的一種透明顯示面板的剖面示意圖。
請參照圖4，第三實施例的透明顯示面板3與第一實施例的透明顯示面板1基本上相似。上述兩者的不同之處在於：第三實施例的透明顯示面板3的輔助結構218形成在閘絕緣層104上。舉例來說，閘絕緣層104包括第一閘絕緣層101與第二閘絕緣層103。第二閘絕緣層103形成在第一閘絕緣層101上，且第一閘絕緣層101配置於基底100與第二閘絕緣層103之間。在一實施例中，第一閘絕緣層101包括無機介電材料，其包括矽的氧化物(例如氧化矽)、矽的氮化物(例如氮化矽)或其組合。第二閘絕緣層103包括無機介電材料，其包括矽的氧化物(例如氧化矽)、矽的氮化物(例如氮化矽)或其組合。在替代實施例中，第一閘絕緣層101與第二閘絕緣層103包括不同材料，舉例來說，第一閘絕緣層101可以是氧化矽，第二閘絕緣層103可以是氮化矽。
另外，在本實施例中，輔助結構218與閘極106係由相
同膜層圖案化所形成。也就是說，輔助結構218與閘極106是同時形成的且具有相同材料。但本發明不以此為限，在其他實施例中，輔助結構218與閘極106亦可依序形成。
如圖4所示，在形成輔助結構218之後，在輔助結構218上依序形成第一層間絕緣層108、第二層間絕緣層110以及第三層間絕緣層120。然後，以輔助結構218為蝕刻停止層，進行蝕刻製程，以移除第三層間絕緣層120的一部分、第二層間絕緣層110的一部分、第一層間絕緣層108的一部分、第二閘絕緣層103的一部分以及第一閘絕緣層101的一部分，進而暴露出透明區中的第一閘絕緣層101b於透明區R2。如圖4所示，在所述蝕刻製程之後，透明區R2以外的透明區外的第一閘絕緣層101a的厚度T3仍保持200奈米至450奈米；而透明區R2中剩餘的透明區中的第一閘絕緣層101b的厚度T4則為20奈米至150奈米。在所述蝕刻製程之後，於透明區中的第一閘絕緣層101b上依序形成第四層間絕緣層124與畫素定義層126。因此，最終形成的透明顯示面板3的透明區R2中形成透明區中的第一閘絕緣層101b、第四層間絕緣層124以及畫素定義層126的堆疊層。所述堆疊層可增加透明顯示面板3的穿透率並減少黃化現象。
圖5是依照本發明的第四實施例的一種透明顯示面板的剖面示意圖。
請參照圖5，第四實施例的透明顯示面板4與第三實施例的透明顯示面板3基本上相似。上述兩者的不同之處在於：第四
實施例的透明顯示面板4的畫素定義層126直接接觸透明區R2中的透明區中的第一閘絕緣層101b。舉例來說，在第三層間絕緣層120中形成開口14之後，在第三層間絕緣層120上形成第四層間絕緣層124。然後，在第四層間絕緣層124上形成光阻圖案(未繪示)。接著，以所述光阻圖案為蝕刻罩幕，並以輔助結構218為蝕刻停止層，進行蝕刻製程，移除第四層間絕緣層124的一部分、第三層間絕緣層120的一部分、第二層間絕緣層110的一部分、第一層間絕緣層108的一部分、第二閘絕緣層103的一部分以及第一閘絕緣層101的一部分，以暴露出透明區中的第一閘絕緣層101b於透明區R2。所述蝕刻製程之後，於透明區中的第一閘絕緣層101b上形成畫素定義層126。因此，最終形成的透明顯示面板4的透明區R2中形成透明區中的第一閘絕緣層101b與畫素定義層126的堆疊層。所述堆疊層可增加透明顯示面板4的穿透率並減少黃化現象。
綜上所述，本發明之至少一實施例藉由輔助結構當作蝕刻停止層，以精準地控制透明區中的絕緣層的厚度。因此，透明區中的堆疊層的配置可增加透明顯示面板的穿透率並減少黃化現象。另外，輔助結構亦可與閘極或是源極/汲極同時形成，而不需要增加額外的製程步驟。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視
後附的申請專利範圍所界定者為準。
1：透明顯示面板 14、18、20：開口 100：基底 102：主動層 104：閘絕緣層 106：閘極 108：第一層間絕緣層 108a：透明區外的第一層間絕緣層 108b：透明區中的第一層間絕緣層 110：第二層間絕緣層 114：源極 116：汲極 118：輔助結構 120：第三層間絕緣層 124：第四層間絕緣層 126：畫素定義層 128：下電極 130：電致發光層 132：上電極 EL：電致發光元件 R1：顯像區 R2：透明區
Claims (20)
- 一種透明顯示面板的製造方法，包括： 形成一主動層於一基底上； 形成一閘絕緣層於該主動層上； 形成一閘極於該閘絕緣層上； 形成一第一層間絕緣層於該閘極與該閘絕緣層上； 形成一第二層間絕緣層於該第一層間絕緣層上； 形成一輔助結構於該第二層間絕緣層上； 形成一源極與一汲極於該第二層間絕緣層上且分別電性連接至該主動層； 形成一第三層間絕緣層於該源極與該汲極上，並延伸覆蓋該輔助結構； 以該輔助結構作為蝕刻停止層，移除該第三層間絕緣層的一部分與該第二層間絕緣層的一部分，以暴露出該第一層間絕緣層於一預定透明區； 形成一第四層間絕緣層於該第三層間絕緣層上，其中該第四層間絕緣層之至少一部分係位於該預定透明區； 形成一下電極於該第四層間絕緣層上且電性連接至該汲極； 形成一畫素定義層於該第四層間絕緣層上，其中該畫素定義層之至少一部分係位於該預定透明區，該畫素定義層具有一開口位於一顯像區； 形成一電致發光層於該開口中；以及 形成一上電極於該電致發光層上。
- 如申請專利範圍第1項所述的透明顯示面板的製造方法，其中形成該輔助結構於該第二層間絕緣層上的步驟包括： 形成一輔助層於該第二層間絕緣層上；以及 圖案化該輔助層，以暴露出該第二層間絕緣層，藉此形成該輔助結構定義出該預定透明區。
- 如申請專利範圍第1項所述的透明顯示面板的製造方法，其中該輔助結構為單一個方框、單一個圓框、單一個十字形、多個條狀、多個圓框、多個方框或其組合。
- 如申請專利範圍第1項所述的透明顯示面板的製造方法，其中以該輔助結構作為蝕刻停止層，移除該第三層間絕緣層的該部分與該第二層間絕緣層的該部分的步驟包括： 形成一光阻圖案於該第三層間絕緣層上；以及 以該光阻圖案為罩幕，移除該第三層間絕緣層的該部分、該第二層間絕緣層的該部分以及該第一層間絕緣層的一部分，使得位於該預定透明區外的該第一層間絕緣層的厚度為T1，而位於該預定透明區中的剩餘的第一層間絕緣層的厚度為T2，200奈米≦T1≦400奈米且20奈米≦T2≦100奈米。
- 如申請專利範圍第4項所述的透明顯示面板的製造方法，其中以該輔助結構作為蝕刻停止層，移除該第三層間絕緣層的該部分與該第二層間絕緣層的該部分的步驟之後，該第四層間絕緣層直接接觸該剩餘的第一層間絕緣層。
- 如申請專利範圍第4項所述的透明顯示面板的製造方法，其中以該輔助結構作為蝕刻停止層，移除該第三層間絕緣層的該部分與該第二層間絕緣層的該部分的步驟包括：移除該第四層間絕緣層的一部分，以暴露出該第一層間絕緣層於該預定透明區，且該畫素定義層直接接觸該剩餘的第一層間絕緣層。
- 如申請專利範圍第1項所述的透明顯示面板的製造方法，其中該第一層間絕緣層的材料為矽的氧化物或矽的氮化物，且該第二層間絕緣層的材料為矽的氮化物或矽的氧化物。
- 如申請專利範圍第1項所述的透明顯示面板的製造方法，其中該輔助結構的材料包括金屬、金屬氧化物、有機化合物或其組合，且該輔助結構的厚度為400奈米至700奈米。
- 如申請專利範圍第1項所述的透明顯示面板的製造方法，其中該輔助結構與該第三層間絕緣層的蝕刻選擇比為3%至8%；該輔助結構與該第二層間絕緣層的蝕刻選擇比為2%至5%。
- 如申請專利範圍第1項所述的透明顯示面板的製造方法，其中該輔助結構、該源極及該汲極係由相同膜層圖案化所形成。
- 一種透明顯示面板，包括： 一主動層位於一基底上； 一閘絕緣層位於該主動層上； 一閘極位於該閘絕緣層上； 一第一層間絕緣層位於該閘極與該閘絕緣層上； 一第二層間絕緣層位於該第一層間絕緣層上； 一輔助結構位於該閘絕緣層上並定義一透明區，其中該輔助結構的厚度為400奈米至700奈米； 一源極與一汲極位於該第二層間絕緣層上且分別電性連接至該主動層； 一第三層間絕緣層位於該源極與該汲極上； 一第四層間絕緣層位於該第三層間絕緣層上；以及 一電致發光元件位於該第四層間絕緣層上。
- 如申請專利範圍第11項所述的透明顯示面板，更包含一畫素定義層於該第四層間絕緣層上，其中該輔助結構更位於該第二層間絕緣層上，位於該透明區外的該第一層間絕緣層的厚度為T1，位於該透明區中的該第一層間絕緣層的厚度為T2，200奈米≦T1≦400奈米且20奈米≦T2≦100奈米，該第四層間絕緣層或該畫素定義層於該透明區中與該第一層間絕緣層接觸。
- 如申請專利範圍第11項所述的透明顯示面板，更包含一畫素定義層於該第四層間絕緣層上，其中該輔助結構位於該閘絕緣層以及該第一層間絕緣層之間，該閘絕緣層包含一第一閘絕緣層於該主動層上以及一第二閘絕緣層於該第一閘絕緣層上，其中位於該透明區外的該第一閘絕緣層的厚度為T3，位於該透明區中的該第一閘絕緣層的厚度為T4，200奈米≦T3≦450奈米且20奈米≦T4≦150奈米，該第四層間絕緣層或該畫素定義層於該透明區中與該第一閘絕緣層接觸。
- 如申請專利範圍第11項所述的透明顯示面板，其中該輔助結構的材料包括金屬、金屬氧化物、有機化合物或其組合，且該輔助結構為單一個方框、單一個圓框、單一個十字形、多個條狀、多個圓框、多個方框或其組合，該第一層間絕緣層的材料為矽的氧化物或矽的氮化物，且該第二層間絕緣層的材料為矽的氮化物或矽的氧化物。
- 一種透明顯示面板的製造方法，包括： 形成一主動層於一基底上； 形成一第一閘絕緣層於該主動層上； 形成一第二閘絕緣層於該第一閘絕緣層上； 形成一閘極與一輔助結構於該第二閘絕緣層上； 形成一第一層間絕緣層於該閘極、該第二閘絕緣層以及該輔助結構上； 形成一第二層間絕緣層於該第一層間絕緣層上； 形成一源極與一汲極於該第二層間絕緣層上且分別電性連接至該主動層； 形成一第三層間絕緣層於該源極、該汲極以及該第二層間絕緣層上； 以該輔助結構作為蝕刻停止層，移除該第三層間絕緣層的一部分、該第二層間絕緣層的一部分、該第一層間絕緣層的一部分以及該第二閘絕緣層的一部分，以暴露出該第一閘絕緣層於一預定透明區； 形成一第四層間絕緣層於該第三層間絕緣層上，其中該第四層間絕緣層之至少一部分係位於該預定透明區； 形成一下電極於該第四層間絕緣層上且電性連接至該汲極； 形成一畫素定義層於該第四層間絕緣層上，其中該畫素定義層之至少一部分係位於該預定透明區，該畫素定義層具有一開口位於一顯像區； 形成一電致發光層於該開口中；以及 形成一上電極於該電致發光層上。
- 如申請專利範圍第15項所述的透明顯示面板的製造方法，其中以該輔助結構作為蝕刻停止層，移除該第三層間絕緣層的該部分、該第二層間絕緣層的該部分、該第一層間絕緣層的該部分以及該第二閘絕緣層的該部分的步驟包括： 形成一光阻圖案於該第三層間絕緣層上；以及 以該光阻圖案為罩幕，移除該第三層間絕緣層的該部分、該第二層間絕緣層的該部分、該第一層間絕緣層的該部分、該第二閘絕緣層的該部分以及該第一閘絕緣層的一部分，使得位於該預定透明區外的該第一閘絕緣層的厚度為T3，位於該預定透明區中的剩餘的第一閘絕緣層的厚度為T4，200奈米≦T3≦450奈米且20奈米≦T4≦150奈米。
- 如申請專利範圍第16項所述的透明顯示面板的製造方法，其中以該輔助結構作為蝕刻停止層，移除該第三層間絕緣層的該部分、該第二層間絕緣層的該部分、該第一層間絕緣層的該部分以及該第二閘絕緣層的該部分的步驟之後，該第四層間絕緣層直接接觸該剩餘的第一閘絕緣層。
- 如申請專利範圍第16項所述的透明顯示面板的製造方法，其中以該輔助結構作為蝕刻停止層，移除該第三層間絕緣層的該部分、該第二層間絕緣層的該部分、該第一層間絕緣層的該部分以及該第二閘絕緣層的該部分的步驟包括：移除該第四層間絕緣層的一部分，以暴露出該第一閘絕緣層於該預定透明區，且該畫素定義層直接接觸該剩餘的第一閘絕緣層。
- 如申請專利範圍第15項所述的透明顯示面板的製造方法，其中該輔助結構與該第三層間絕緣層的蝕刻選擇比為3%至8%；該輔助結構與該第二層間絕緣層的蝕刻選擇比為2%至5%。
- 如申請專利範圍第15項所述的透明顯示面板的製造方法，其中該輔助結構及該閘極係由相同膜層圖案化所形成。
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