WO2023230793A1 - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开提供一种显示基板。该显示基板包括衬底、发光器件层和光取出层。衬底包括显示不同颜色的第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区。发光器件层包括发射不同颜色光的第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件，第一发光器件位于第一子像素区，第二发光器件位于第二子像素区，第三发光器件位于第三子像素区。光取出层位于发光器件层远离衬底的一侧。光取出层包括第一光取出部、第二光取出部和第三光取出部，第一光取出部位于第一子像素区，第二光取出部位于第二子像素区，第三光取出部位于第三子像素区。其中，第一光取出部、第二光取出部和第三光取出部中的至少两者，在垂直于衬底的方向上的尺寸不同。
Description
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
随着显示技术的发展，透明显示屏(Transparent Display)技术应运而生。透明显示屏因其至少部分区域具有透光性，使观看者能够清楚地看见显示屏后方的背景，适用于建筑物窗户、汽车车窗、商店橱窗等多处场景。
发明内容
一方面，提供一种显示基板。该显示基板包括衬底、发光器件层和光取出层。所述衬底包括显示不同颜色的第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区。所述发光器件层位于所述衬底的一侧。所述发光器件层包括发射不同颜色光的第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件，所述第一发光器件位于所述第一子像素区，所述第二发光器件位于所述第二子像素区，所述第三发光器件位于所述第三子像素区。所述光取出层位于所述发光器件层远离所述衬底的一侧。所述光取出层包括第一光取出部、第二光取出部和第三光取出部，所述第一光取出部位于所述第一子像素区，所述第二光取出部位于所述第二子像素区，所述第三光取出部位于所述第三子像素区。其中，所述第一光取出部、所述第二光取出部和所述第三光取出部中的至少两者，在垂直于所述衬底的方向上的尺寸不同。
在一些实施例中，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一光取出部的尺寸大于所述第二光取出部的尺寸，且所述第二光取出部的尺寸大于所述第三光取出部的尺寸。
在一些实施例中，所述发光器件层包括阳极、阴极层、以及位于所述阳极和所述阴极层之间的有机层。所述有机层包括材料互不相同的第一有机层、第二有机层和第三有机层，所述第一有机层位于所述第一子像素区，所述第二有机层位于所述第二子像素区，所述第三有机层位于所述第三子像素区。其中，所述第一有机层、所述第二有机层和所述第三有机层中的至少两者，在垂直于所述衬底的方向上的尺寸互不相同。
在一些实施例中，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一有机层的尺寸大于所述第二有机层的尺寸，且所述第二有机层的尺寸大于所述第三有机层的尺寸。
在一些实施例中，所述第一光取出部、所述第二光取出部和所述第三光取出部中的至少两者远离所述衬底一侧的表面，与所述衬底之间的平均间距不同。
在一些实施例中，所述第一光取出部、所述第二光取出部和所述第三光取出部各自远离所述衬底一侧的表面，与所述衬底之间的平均间距互不相同。
在一些实施例中，所述第一光取出部远离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的平均间距，大于所述第二光取出部远离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的平均间距；所述第二光取出部远离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的平均间距，大于所述第三光取出部远离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的平均间距。
在一些实施例中，所述第一光取出部、所述第二光取出部和所述第三光取出部中的至少一者，在垂直于所述衬底的方向上的尺寸处于
的范围内。
在一些实施例中，发光器件层包括阴极层。该阴极层包括第一阴极部、第二阴极部和第三阴极部。所述第一阴极部位于所述第一子像素区，所述第二阴极部位于所述第二子像素区，所述第三阴极部案位于所述第三子像素区。其中，所述第一阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸、所述第二阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸、以及所述第三阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸大致相等。
在一些实施例中，所述衬底还包括位于所述第一子像素区、所述第二子像素区、所述第三子像素区之间的透光区。所述阴极层还包括位于所述透光区内的第四阴极部。所述第一阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸，大于所述第四阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸。
在一些实施例中，所述衬底还包括位于所述第一子像素区、所述第二子像素区、所述第三子像素区之间的透光区。所述阴极层还包括位于所述透光区内的第四阴极部。所述第一阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸，与所述第四阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸大致相等。
在一些实施例中，所述光取出层在所述衬底上的正投影，与所述第四阴极部在所述衬底上的正投影不重叠。
在一些实施例中，显示基板还包括封装层。所述封装层覆盖所述光取出层。其中，所述封装层与所述第四阴极部直接接触。
在一些实施例中，显示基板还包括封装层。所述封装层包括第一封装部、第二封装部和第三封装部。所述第一封装部位于所述第一子像素区，所述第 二封装部位于所述第二子像素区，所述第三封装部位于所述第三子像素区。其中，所述第一封装部、所述第二封装部和所述第三封装部中的至少两者，在垂直于所述衬底的方向上的尺寸不同。
在一些实施例中，所述衬底还包括位于所述第一子像素区、所述第二子像素区、所述第三子像素区之间的透光区。所述封装层还包括位于所述透光区的第四封装部。其中，所述第四封装部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸，大于所述第一封装部、所述第二封装部和所述第三封装部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸。
在一些实施例中，显示相同颜色的两个子像素区相邻设置，相邻设置的两个子像素区之间还包括透光区。其中，一个光取出部覆盖所述显示相同颜色的两个子像素区、以及位于所述两个子像素区之间的透光区。
在一些实施例中，所述显示相同颜色的两个子像素区、以及位于所述两个子像素区之间的透光区均具有有机层和阴极层。所述透光区内有机层的材料，与所述显示相同颜色的两个子像素区内有机层的材料相同。
在一些实施例中，显示基板包括透光显示区、以及位于所述透光显示区至少一侧的主显示区。所述透光显示区的显示基板，包括如上任一实施例所述的显示基板。
又一方面，提供一种显示装置。显示装置包括如上任一实施例中的显示基板。
又一方面，提供一种显示基板的制作方法。所述方法包括：提供一衬底。所述衬底包括第一子像素区、第二子像素区、第三子像素区、以及位于所述第一子像素区、所述第二子像素区、所述第三子像素区之间的透光区。在所述衬底上形成所述发光器件层；所述发光器件层包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件，所述第一发光器件位于所述第一子像素区，所述第二发光器件位于所述第二子像素区，所述第三发光器件位于所述第三子像素区。在所述发光器件层远离所述衬底的一侧，形成光取出层；所述光取出层包括第一光取出部、第二光取出部和第三光取出部，所述第一光取出部位于所述第一子像素区，所述第二光取出部位于所述第二子像素区，所述第三光取出部位于所述第三子像素区；其中，所述第一光取出部、所述第二光取出部和所述第三光取出部中的至少两者，在垂直于所述衬底的方向上的尺寸不同。
在一些实施例中，所述形成光取出层，包括：在所述发光器件层远离所述衬底的一侧，形成第一光取出薄膜。所述第一光取出薄膜位于所述第一子 像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区。在所述第一光取出薄膜远离所述衬底的一侧，形成第二光取出薄膜。所述第二光取出薄膜覆盖所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区中的一者或两者。
在一些实施例中，所述在所述衬底上形成所述发光器件层，包括：在所述衬底上，形成第一阴极材料层。所述第一阴极材料层覆盖所述第一子像素区、所述第二子像素区、所述第三子像素区和所述透光区。在所述第一阴极材料层上，形成位于所述透光区内的第一隔离柱。在所述第一隔离柱和所述第一阴极材料层远离形成所述衬底的一侧，形成第二阴极材料层。所述第二阴极材料层包括阴极薄膜和阴极牺牲层，所述阴极薄膜覆盖所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区，所述阴极牺牲层覆盖所述第一隔离柱；其中，所述第一隔离柱隔断相邻两个子像素区的阴极薄膜。
在一些实施例中，所述形成光取出层，包括：形成第一光取出材料层。所述第一光取出材料层包括第一光取出薄膜和第一牺牲薄膜，所述第一光取出薄膜位于所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区，所述第一牺牲薄膜覆盖所述阴极牺牲层。其中，所述第一隔离柱隔断所述第一光取出薄膜和所述第一牺牲薄膜。在所述第一光取出材料层上，形成位于所述第三子像素区内的第二隔离柱。形成第二光取出材料层；所述第二光取出材料层包括第二光取出薄膜和第二牺牲薄膜，所述第二光取出薄膜位于所述第一子像素区和所述第二子像素区，所述第二牺牲薄膜覆盖所述第一牺牲薄膜和所述第二隔离柱。其中，所述第二隔离柱隔断所述第二光取出薄膜和所述第二牺牲薄膜。去除所述第一隔离柱和所述第二隔离柱、以及覆盖所述第一隔离柱和所述第二隔离柱的阴极牺牲层、第一牺牲薄膜和第二牺牲薄膜，形成位于所述第一子像素区的第一光取出部、位于所述第二子像素区的第二光取出部和位于所述第三子像素区的第三光取出部。
在一些实施例中，在所述形成第二光取出材料层之后，还包括：在所述第二光取出材料层上，形成位于所述第二子像素区的第三隔离柱。形成第三光取出材料层；所述第三光取出材料层包括第三光取出薄膜和第三牺牲薄膜，所述第三光取出薄膜位于所述第一子像素区，所述第三牺牲薄膜覆盖所述第二牺牲薄膜和所述第三隔离柱；其中，所述第三隔离柱隔断所述第三光取出薄膜和所述第三牺牲薄膜。
所述去除所述第一隔离柱和所述第二隔离柱、以及覆盖所述第一隔离柱和所述第二隔离柱的阴极牺牲层、第一牺牲薄膜和第二牺牲薄膜，包括：去除所述第一隔离柱、所述第二隔离柱和所述第三隔离柱、以及覆盖所述第一 隔离柱、所述第二隔离柱和所述第三隔离柱的阴极牺牲层、第一牺牲薄膜、第二牺牲薄膜和第三牺牲薄膜。
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据一些实施例提供的显示基板的结构图；
图2为不同光取出层厚度下红色光、绿色光和蓝色光的出光效率图；
图3为根据一些实施例提供的显示面板的结构图；
图4为沿图3中A-A’线形成的剖视图；
图5为根据一些实施例提供的显示基板的结构图；
图6A～图6C为根据一些实施例提供的显示基板中像素单元区中各子像素区的排布位置图；
图7为根据一些实施例提供的显示基板的结构图；
图8为根据一些实施例提供的显示基板中发光器件的结构图；
图9为不同阴极厚度下多色光线的透光曲线图；
图10为不同透光率下阴极方阻的曲线图；
图11为根据一些实施例提供的显示基板的结构图；
图12A～图12B为根据一些实施例提供的显示基板中像素单元区中各子像素区的排布位置图；
图13为根据一些实施例提供的显示基板的结构图；
图14为根据一些实施例提供的显示基板的结构图；
图15为根据一些实施例提供的显示基板的结构图；
图16为根据一些实施例提供的显示基板的结构图；
图17为根据一些实施例提供的显示基板的俯视图；
图18为根据一些实施例提供的显示基板的制作方法的流程图；
图19A～图19M为根据一些实施例提供的显示基板在不同制作阶段的结构图；
图20为根据一些实施例提供的显示基板的制作方法的流程图；
图21为根据一些实施例提供的显示基板的制作方法的流程图；
图22为根据一些实施例提供的显示基板的制作方法的流程图；
图23为根据一些实施例提供的显示基板的制作方法的流程图。
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如，描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而，术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
如本文中所使用，根据上下文，术语“如果”任选地被解释为意思是“当…… 时”或“在……时”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，根据上下文，短语“如果确定……”或“如果检测到[所陈述的条件或事件]”任选地被解释为是指“在确定……时”或“响应于确定……”或“在检测到[所陈述的条件或事件]时”或“响应于检测到[所陈述的条件或事件]”。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样，“约”、“大致”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
在一些技术方案中，如图1所示，显示基板000包括衬底基板010、位于衬底基板010上的发光功能层020、以及位于发光功能层020上的光取出层030。光取出层030覆盖第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3，其中，光取出层030在垂直于衬底基板010方向(第二方向Y)上的尺寸相统一(附图中以相同填充图案表示在第二方向Y上具有相同尺寸)，即光取出层030为在各个位置具有相同厚度(在第二方向Y上的尺寸)的薄膜结构。
然而，本公开的发明人发现：不同颜色的发光器件在最优出光效率下的对应的光取出层030的厚度不同，如图2所示。因此，采用统一厚度的光取出层030存在显示面板出光效率低的问题。
基于此，本公开的一些实施例提供一种显示基板、显示面板和显示装置。以下分别进行介绍。
图3为根据一些实施例的显示面板的立体图。图4为根据图3所示实施 例的显示面板沿着线A-A'的示意性截面图。如图3和图4所示，显示面板100包括显示基板200和颜色转换基板300。显示面板100包括用于显示图像的显示区AA和不显示图像的非显示区SA，非显示区SA围绕在显示区AA的至少一侧。在一些示例中，非显示区SA可以封闭包围显示区AA，可以在至少一个方向上位于显示区AA的外侧。显示面板100还包括用于密封显示基板200和颜色转换基板300的密封层400，以及填充在显示基板200和颜色转换基板CS之间的填充层500。
上述显示面板100在平面图中可以具有矩形形状，也可以具有圆形、椭圆、菱形、梯形、正方形或其他根据显示需要的形状。
显示装置包括上述显示面板100。例如，显示装置可以为平板计算机、智能电话、头戴式显示器、汽车导航单元、照相机、在车辆中提供的中心信息显示器(CID)、手表型电子装置或其他穿戴设备、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)和游戏机的中小型电子装置，以及诸如电视、外部广告牌、监控器、包含显示屏幕的家用电器、个人计算机和膝上型计算机的中大型电子装置。如上所述的电子装置可以代表用于应用显示装置的单纯示例，并且因此本领域普通技术人员可以认识到，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，显示装置也可以是其他电子装置。
颜色转换基板300可以和显示基板200相对设置。颜色转换基板300可以包括用于转换入射光的颜色的颜色转换结构。颜色转换图案可以包括滤色器和波长转换图案中的至少一种。
密封层400可以位于显示基板200和颜色转换基板300之间并且在非显示区SA中。密封层400可以在非显示区SA中沿着显示基板200和颜色转换基板300的边缘设置，以在平面图中围绕显示区AA的外围或在显示区AA的外围周围。密封层300可以由有机材料制成，例如由环氧基树脂制成，但不限于此。
填充层500可以位于并填充显示基板200和颜色转换基板300之间、并且由密封层400围绕的空间。填充物500可以由能够透射光的材料制成。填充层500可以由有机材料制成，例如，由硅基有机材料或环氧基有机材料等形成，但不限于此。在一些实施例中，填充层FL可以省略。
上述显示面板100可以为：有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)显示面板、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)显示面板、微发光二极管(Micro Light Emitting Diodes，简称Micro LED)显示面板等，本公开对此不做具体限定。
本公开以下实施例均是以上述显示面板100为OLED显示面板为例，对本公开进行说明，但应当认为并不限于OLED显示装置。
结合图5至图7所示，本公开的一些实施例提供一种显示基板200。显示基板200包括衬底SUB、发光器件层LDL和光取出层CPL。
衬底SUB包括多个重复排列的像素单元区PU。每个像素单元区PU可以包括显示不同颜色的第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3。示例性地，第一子像素区P1被配置为显示红色光，第二子像素区P2被配置为显示绿色光，第三子像素区P3被配置为显示蓝色光。
在一些示例中，如图6A～图6C所示，一个像素单元区PU包括一个第一子像素区P1、一个第二子像素区P2和一个第三子像素区P3。一个第一子像素区P1、一个第二子像素区P2和一个第三子像素区P3相互间隔且重复性地排布于显示区AA内。在此情况下，透光区P4可以位于第一子像素区P1与第二子像素区P2之间、第二子像素区P2和第三子像素区P3之间、以及第三子像素区P3和第一子像素区P1之间。
在一些示例中，一个像素单元区PU包括一个第一子像素区P1、两个第二子像素区P2和一个第三子像素区P3。一个第一子像素区P1、两个第二子像素区P2和一个第三子像素区P3相互间隔且重复性地排布于显示区AA内。在此情况下，透光区P4还可以位于两个第二子像素区P2之间。
如图5所示，在一个像素单元区PU内，在第一方向X上，第一子像素区P1具有第一宽度WL1，第二子像素区P2具有第二宽度WL2，第三子像素区P3具有第三宽度WL3。其中，第一宽度WL1、第二宽度WL2和第三宽度WL3可以相同，也可以彼此不同，本公开对此不作限定。
如图7所示，显示基板200可以包括位于衬底基板SUB上的多个像素电路S。在一个像素单元区PU中，可以包括第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3。例如，第一像素电路S1位于第一子像素区P1内，第二像素电路S2位于第二子像素区P2内，第三像素电路S3位于第三子像素区P3内。又例如，第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3中至少一者的薄膜晶体管可以位于透光区P4内。
第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3中至少一者的薄膜晶体管可以是包括多晶硅的薄膜晶体管或包括氧化物半导体的薄膜晶体管。例如，当薄膜晶体管为包括氧化物半导体的薄膜晶体管时，可以具有顶栅的薄膜晶体管结构。薄膜晶体管可以和信号线连接，所述信号线包括但不限于栅极线、数据线和电源线。
如图7所示，显示基板200可以包括绝缘层INL，可以位于第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3上。绝缘层INL可以具有平坦化的表面。绝缘层INL可以由有机层形成。例如，绝缘层INL可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂或酯树脂等。绝缘层INL可以具有通孔，暴露第一像素电路S1、第二像素电路S2和第三像素电路S3的电极，以便实现电连接。
结合图5和图7所示，显示基板200可以包括位于衬底基板SUB上的发光器件层LDL。发光器件层LDL形成有多个和像素电路S连接的发光器件LD。在一个像素单元区PU内，发光器件LD包括第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3。例如，第一发光器件LD1可以位于第一子像素区P1中，第二发光器件LD2可以位于第二子像素区P2中，并且第三发光器件LD3可以位于第三子像素区P3中。
第一发光器件LD1包括第一阳极AE1，第二发光器件LD2包括第二阳极AE2，并且第三发光器件LD3包括第三阳极AE3。第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3可以设置在绝缘层上。第一阳极AE1可以位于第一子像素区P1内，可以通过绝缘层INL上的通孔连接到第一像素电路S1。第二阳极AE2可以位于第二子像素区P2中，可以通过绝缘层INL上的通孔连接到第二像素电路S2。第三阳极AE3可以位于第三子像素区P3中，可以通过绝缘层INL上的通孔连接到第三像素电路S3。第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3中至少一者的至少一部分可以延伸到透光区P4。第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3的宽度或面积可以相同，也可以彼此不同。在一些实施例中，第一阳极AE1的宽度可以大于第二阳极电极AE2的宽度，并且第二阳极电极AE2的宽度可以大于第三阳极电极AE3的宽度。在另一些实施例中，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3可以为反射电极。第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3可以为单层或叠层结构，可以由如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir或Cr的金属及其混合物材料制成，也可以由ITO、IZO或IGZO等有导电性的金属氧化物材料制成。
显示基板200可以包括位于第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3上的像素定义层PDL。像素限定层PDL可以包括分别暴露第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3的发光开口，并且可以分别限定第一子像素区P1、第二子像素区P2、第三子像素区P3和透光区P4。像素限定层PDL的材料可以为丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)等有机绝缘 材料中的至少一种。
结合图5和图7所示，第一发光器件LD1包括第一有机层OL1，第二发光器件LD2包括第二有机层OL2，并且第三发光器件LD3包括第三有机层OL3。第一有机层OL1可以位于第一子像素区P1内，第二有机层OL2可以位于第二子像素区P2内，第三有机层OL3可以位于第三子像素区P3内。
第一有机层OL1、第二有机层OL2和第三有机层OL3可以包括形成在第一子像素区P1、第二子像素区P2、第三子像素区P3、透光区P4之上的一个或多个可以堆叠的膜层，例如电子传输层ETL、发光材料层EML和空穴传输层HTL。在一些实施例中，如图8所示，第一有机层OL1可以包括位于第一阳极AE1上的第一空穴传输层HTL1、位于第一空穴传输层HTL1上的第一发光材料层EML1以及位于第一发光材料层EML1上的第一电子传输层ETL1。第一发光材料层EML1可以是红色发光层。第二有机层OL2可以包括位于第二阳极AE2上的第二空穴传输层HTL2、位于第二空穴传输层HTL2上的第二发光材料层EML2以及位于第二发光材料层EML2上的第二电子传输层ETL2。第二发光材料层EML1可以是绿色发光层。第三有机层OL3可以包括位于第三阳极AE3上的第三空穴传输层HTL3、位于第三空穴传输层HTL3上的第三发光材料层EML3以及位于第三发光材料层EML3上的第三电子传输层ETL3。第三发光材料层EML3可以是蓝色发光层。其中，第一空穴传输层HTL1、第二空穴传输层HTL2和第三空穴传输层HTL3可以相互连接形成覆盖第一子像素区P1、第二子像素区P2、第三子像素区P3和透光区P4的连续膜。类似地，第一电子传输层ETL1、第二电子传输层ETL2和第三电子传输层ETL3可以相互连接形成覆盖第一子像素区P1、第二子像素区P2、第三子像素区P3和透光区P4的连续膜。
如图16所示，在一些实施例中，第一有机层OL1、第二有机层OL2和第三有机层OL3中的至少两者，在第二方向上的尺寸互不相同。可以理解地，第一子像素区P1中第一阳极A1与第一阴极部CE1之间的距离、第二子像素区P2中第二阳极A2与第二阴极部CE2之间的距离、以及第三子像素区P3中第三阳极A3与第三阴极部CE3之间的距离，这三者中至少两者互不相同。
在一些示例中，第一有机层OL1在第二方向上的尺寸可以大于第二有机层OL2在第二方向上的尺寸，且第二有机层OL2在第二方向上的尺寸大致等于第三有机层OL2在第二方向上的尺寸。可以理解地，第一子像素区P1中第一阳极A1与第一阴极部CE1之间的距离，可以大于第二子像素区P2中第二阳极A2与第二阴极部CE2之间的距离，且第二子像素区P2中第二阳极A2 与第二阴极部CE2之间的距离，可以大致等于第三子像素区P3中第三阳极A3与第三阴极部CE3之间的距离。
在一些示例中，第一有机层OL1在第二方向上的尺寸、第二有机层OL2在第二方向上的尺寸和第三有机层OL2在第二方向上的尺寸，互不相同。
在一些示例中，阳极是反射电极可以反射光线，阴极是透射电极可以透出光线，这样在阳极和阴极之间形成了微腔结构。
经本公开发明人研究发现，红色光对应的最优出光效率的微腔结构在第二方向Y上的尺寸大于绿色光对应的最优出光效率的的微腔结构在第二方向Y上的尺寸，且绿色光对应的最优出光效率的微腔结构在第二方向Y上的尺寸大于蓝色光对应的最优出光效率的微腔结构在第二方向Y上的尺寸。
例如，第一有机层OL1在第二方向上的尺寸大于第二有机层OL2在第二方向上的尺寸，且第二有机层OL2在第二方向上的尺寸大于第三有机层OL3在第二方向上的尺寸。可以理解地，第一子像素区P1中第一阳极A1与第一阴极部CE1之间的距离，大于第二子像素区P2中第二阳极A2与第二阴极部CE2之间的距离，且第二子像素区P2中第二阳极A2与第二阴极部CE2之间的距离，大于第三子像素区P3中第三阳极A3与第三阴极部CE3之间的距离。
在此情况下，能够便于红色光、绿色光和蓝色光的出光效率均达到各自的最优出光效率，从而能够提高显示基板200的出光效率。
在一些示例中，可以是由于有机层OL中发光材料层EML在第二方向上的尺寸的区别，导致不同有机层OL在第二方向上的尺寸存在区别。此处不作限定。
结合图5和图7所示，第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3还包括共用的阴极层CE。阴极层CE可以位于第一子像素区P1、第二子像素区P2、第三子像素区P3和透光区P4上。阴极层CE可以具有半透射或透射性质。在一些实施例中，阴极层CE可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或其化合物或混合物，例如Ag和Mg的混合物。在另一些实施例中，阴极CE可以包括透明导电氧化物(TCO)。例如，阴极CE可以包括氧化钨(W
xO
y)、氧化钛(TiO
2)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)或氧化镁(MgO)等。在一些实施例中，显示基板200还可以包括辅助阴极(图未示)。辅助阴极能够降低阴极CE的电阻，从而改善阴极的IR drop问题，提升大尺寸OLED显示基板的均匀性。
结合图5所示，在一个像素单元区PU内，阴极CE可以包括相互连接的 第一阴极部CE1、第二阴极部CE2、第三阴极部CE3和第四阴极部CE4。例如，第一阴极部CE1位于第一子像素区P1内，第二阴极部CE2位于第二子像素区P2内，第三阴极部CE3位于第三子像素区P3内，第四阴极部CE4位于第四子像素区P4内。第四阴极部CE4将相互分离的第一阴极部CE1、第二阴极部CE2和第三阴极部CE3连接。
在一些实施例中，如图5所示，第一阴极部CE1在第二方向Y上的尺寸、第二阴极部CE2在第二方向Y上的尺寸、第三阴极部CE3在第二方向Y上的尺寸可以大致相等。
在一些示例中，第一阴极部CE1在第二方向Y上的尺寸、第二阴极部CE2在第二方向Y上的尺寸、第三阴极部CE3在第二方向Y上的尺寸、以及第四阴极部CE4在第二方向Y上的尺寸大致相等。
在一些示例中，第四阴极部CE4在第二方向Y上的尺寸，可以小于第一阴极部CE1、第二阴极部CE2和第三阴极部CE3中任一者在第二方向Y上的尺寸。即，第四阴极部CE4在第二方向Y上的尺寸，可以小于第一阴极部CE1在第二方向Y上的尺寸；和/或，第四阴极部CE4在第二方向Y上的尺寸，可以小于第二阴极部CE2在第二方向Y上的尺寸；和/或，第四阴极部CE4在第二方向Y上的尺寸，可以小于第三阴极部CE3在第二方向Y上的尺寸。
经本公开发明人研究发现，如表1、图9和图10所示，以阴极CE在第二方向Y上的尺寸为
为参照，阴极CE在第二方向Y上的尺寸减小，红色光、绿色光和蓝色光的比例发生变化，可见光全波段透光率(Tr比例)随之升高。同时，阴极CE的方阻(Rs比例)也随之升高。
表1
从表1中可以看出，在阴极CE在第二方向Y上的尺寸减小至
时，相较于阴极CE在在第二方向Y上的尺寸为
时，Tr比例提升了19.2％。然而，阴极CE的Rs比例的提高，会降低发光器件的性能。
结合图9和图10中可以看出，阴极CE在第二方向Y上的尺寸升高，阴极CE针对不同颜色的光线的透光率相应降低，而透光率升高会导致阴极CE 的方阻也随之升高。
本实施例中，第四阴极部CE在第二方向Y上的尺寸小于各子像素区中阴极部(例如第一阴极部CE1)在第二方向Y上的尺寸，既能够提高透光区P4的透光率，以提高显示基板200的透光性能。又能够通过第一阴极部CE1、第二阴极部CE2和第三阴极部CE3在第二方向Y上的尺寸，确保子像素区P中发光器件的发光效率。
本示例中，能够提高显示基板200透光性能的基础上，提高显示基板200的发光效率。
结合图5和图7所示，在一些实施例中，第一阴极部CE1远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，可以大致等于第二阴极部CE2远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，且可以大致等于第三阴极部CE3远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距。后续基于本实施例进行说明。
在一些实施例中，第四阴极部CE4在第二方向Y上的尺寸可以处于
的范围内。例如：
或
在一些实施例中，第一阴极部CE1、第二阴极部CE2、第三阴极部CE3中的至少一者，在第二方向Y上的尺寸可以处于
的范围内。例如：
或
在一些实施例中，结合图5和图7所示，多个发光器件LD远离衬底基板SUB一侧的可以包括光取出层CPL，以提高出光率。光取出层CPL的材料通常为折射率大、且吸光系数较小的有机材料。
在一个像素单元区PU内，光取出层CPL包括第一光取出部CPL1、第二光取出部CPL2和第三光取出部CPL3。第一光取出部CPL1位于第一子像素区P1内，第二光取出部CPL2位于第二子像素区P2内，第三光取出部CPL3位于第三子像素区P3内。
在第一像素区P1内，第一光取出部CPL1可以直接位于第一阴极部CE1上。在第二像素区P2内，第二光取出部CPL2可以直接位于第二阴极部CE2上。在第三像素区P3内，第三光取出部CPL3可以直接位于第三阴极部CE3上。
第一光取出部CPL1、第二光取出部CPL2和第三光取出部CPL3中的至少一者，在第二方向Y上的尺寸可以处于
的范围内。例如：
或
经本公开发明人研究发现，红色光对应的最优出光效率的光取出层CPL厚度(例如
)大于绿色光对应的最优出光效率的光取出层CPL厚度(例如
)，且绿色光对应的最优出光效率的光取出层CPL厚度大于蓝色光对应的最优出光效率的光取出层CPL厚度(例如
)。第一光取出部CPL1、第二光取出部CPL2和第三光取出部CPL3中的至少一者，在第二方向Y上的尺寸可以处于
的范围内，能够使得第一光取出部CPL1、第二光取出部CPL2和第三光取出部CPL3中的至少一者接近甚至符合自身对应的最优出光效率的CPL的厚度，从而提高显示基板的出光效率。
在一些实施例中，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸、第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸、以及第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸中的至少两者可以不同。
在一些示例中，第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸，与第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸大致相等，且小于第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸。
可以理解的，第二光取出部CPL2远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，与第三光取出部CPL3远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距大致相等，且小于第一光取出部CPL1远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距。
例如，第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸和第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸均为
第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸为
在此情况下，红色光和绿色光的出光效率均达到各自的最优出光效率，从而能够提高显示基板200的出光效率。
又例如，第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸和第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸均为
第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸为
在此情况下，红色光和蓝色光的出光效率均达到各自的最优出光效率，从而能够提高显示基板200的出光效率。
在一些示例中，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸，与第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸大致相等，且大于第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸。
可以理解的，第一光取出部CPL1远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，与第二光取出部CPL2远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距大致相等，且大于第三光取出部CPL3远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距。
例如，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸和第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸均为
第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸为
在此情况下，红色光和蓝色光的出光效率均达到各自的最优出光效率，从而能够提高显示基板200的出光效率。
又例如，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸和第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸均为
第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸为
在此情况下，绿色光和蓝色光的出光效率均达到各自的最优出光效率，从而能够提高显示基板200的出光效率。
在一些示例中，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸，与第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸大致相等，且大于第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸。
可以理解的，第一光取出部CPL1远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，与第三光取出部CPL3远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距大致相等，且大于第二光取出部CPL2远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距。
例如，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸和第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸均为
第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸为
在此情况下，红色光和绿色光的出光效率均达到各自的最优出光效率，从而能够提高显示基板200的出光效率。
在一些实施例中，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸、第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸和第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸可以互不相同。
可以理解的，第一光取出部CPL1远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距、第二光取出部CPL2远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距、以及第三光取出部CPL3远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距互不相等。
在一些示例中，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸大于第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸，第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸大于第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸。
可以理解的，第一光取出部CPL1远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，大于第三光取出部CPL3远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，且第三光取出部CPL3远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距大于第二光取出部CPL2 远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距互不相等。
例如，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸为
第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸均为
第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸为
在此情况下，红色光和绿色光的出光效率均达到各自的最优出光效率，从而能够提高显示基板200的出光效率。
在一些示例中，如图5所示，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸大于第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸，并且第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸大于第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸。
可以理解的，第一光取出部CPL1远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，大于第二光取出部CPL2远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，且第二光取出部CPL2远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距大于第三光取出部CPL3远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距互不相等。
例如：第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸为
第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸为
第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸为
在此情况下，红色光、绿色光和蓝色光的出光效率均各自达到最优出光效率，从而提高显示基板200的出光效率。
表2
如表2所示，在光取出部CPL的厚度均为
作为参考，本示例中第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸为
第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸为
第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸为
的结构，能够提高8％的白色光的出光效率。
在一些实施例中，如图5所示，光取出层CPL不位于透光区P4内。即，多个光取出部之间相互独立设置。第四阴极部CE4位于透光区P4内，可以理解为，第四阴极部CE4在衬底基板SUB上的正投影，与第四阴极部CE4在衬底基板SUB上的正投影不重叠。
在一些实施例中，显示相同颜色的两个子像素区相邻设置。其中，一个光取出部覆盖显示相同颜色的两个子像素区、以及位于该两个子像素区之间的透光区。
在一些示例中，如图11所示，两个相邻设置的像素单元区PU中，可以 将显示相同颜色的两个子像素区相邻设置。以一个像素单元包括红色子像素区R、绿色子像素区G和蓝色子像素区B为例，可以按照：RGBBGRRGB……的排列方式进行排列。在此情况下，显示基板200可以包括两个蓝色子像素区B相邻设置，还可以包括两个红色子像素区R相邻设置。
如图11所示，一个第三光取出部CPL3覆盖相邻的两个第三子像素区P3、以及该两个第三子像素区P3之间的透光区P4。其他颜色不同的两个子像素区P之间的透光区P4内没有光取出层CPL。
在一些示例中，如图12A和图12B所示，一个像素单元区PU中可以包括显示相同颜色的两个子像素区，显示相同颜色的两个子像素区可以相邻设置。例如，一个像素单元区PU内包括一个红色子像素区R、两个绿色子像素区G和一个蓝色子像素区B，其中，一个像素单元区PU内的两个绿色子像素区G相邻设置。
例如：如图13所示，两个第二子像素区P2相邻设置，一个第二光取出部CPL2覆盖相邻设置的两个第二子像素区P2、以及该两个第二子像素区P2之间的透光区P4。可以理解地，两个相邻的第二子像素区P2共用同一个第二光取出部CPL2。
类似地，也可以是两个第一子像素区P1相邻设置，两个相邻设置的第一子像素区P1共用同一个第一光取出部CPL1；还可以是两个第三子像素区P3相邻设置，两个相邻设置的第三子像素区P3共用同一个第三光取出部CPL3，此处不作赘述。
在一些实施例中，如图13所示，显示相同颜色的两个子像素区相邻设置。其中，一个阴极部覆盖显示相同颜色的两个子像素区、以及位于该两个子像素区之间的透光区。
例如：如图13所示，两个第二子像素区P2相邻设置。一个第二阴极部CE2覆盖相邻设置的两个第二子像素区P2、以及该两个第二子像素区P2之间的透光区P4。可以理解地，两个相邻的第二子像素区P2共用同一个第二阴极部CE2。
类似地，也可以是两个第一子像素区P1相邻设置，两个相邻设置的第一子像素区P1共用同一个第一阴极部CE1；还可以是两个第三子像素区P3相邻设置，两个相邻设置的第三子像素区P3共用同一个第三阴极部CE3，此处不作赘述。
如图13所示，第二光取出部CPL2和第二阴极部CE2均覆盖相邻设置的两个第二子像素区P2、以及该两个第二子像素区P2之间的透光区P4。可以 理解地，第二光取出部CPL2在衬底基板SUB上的正投影与第二阴极部CE2在衬底基板SUB上的正投影重合。
需要说明的是，在两个子像素区P共用同一阴极部和/或同一个光取出部的情况下，上述电子传输层ETL、电子注入层EIL、空穴传输层和空穴注入层HIL中的至少一者也可以共用。
在一些实施例中，显示相同颜色的两个子像素区、以及位于两个子像素区之间的透光区P4均具有有机层OL和阴极层CE。
透光区P4内有机层OL的材料，与显示相同颜色的两个子像素区内有机层OL的材料相同。可以理解地，位于显示相同颜色的两个子像素区的有机层与透光区P4内的有机层为相互连接的一体结构。
如图14所示，两个第二子像素区P2相邻设置。相邻设置的两个第二子像素区P2之间的透光区P4内的第二有机层OL2，与两侧的两个第二子像素区P2内的第二有机层OL2相互连接。
例如，两个相邻设置的第二子像素区P2、以及位于两个相邻设置的第二子像素区P2之间的透光区P4，可以同时发出绿色的光线。
以图14为例，在制作显示基板的过程中，可以利用一个掩膜版的开口同时制作相邻设置的两个第二子像素区P2的第二有机层OL2、以及位于相邻设置的两个第二子像素区P2之间的透光区P4内的第二有机层OL2。
如图14所示，在一些示例中，相邻设置的两个第二子像素区P2之间的透光区P4内的第四阴极部CE4，与两侧的两个第二子像素区P2内的第二阴极部CE2相互连接，形成一体结构。
如图14所示，在一些示例中，覆盖相邻设置的两个第二子像素区P2的第二光取出部CPL2，同时覆盖了位于相邻设置的两个第二子像素区P2之间的透光区P4。
如图7和图15所示，显示基板200可以包括用于封装发光功能层LDL和光取出层CPL的封装层TFE。封装层TFE可以为覆盖第一子像素区P1、第二子像素区P2、第三子像素区P3和透光区P4的连续膜。
在一个像素单元区PU内，封装层TFE可以包括第一封装部TFE1、第二封装部TFE2和第三封装部TFE3。例如，第一封装部TFE1位于第一子像素区P1内，第二封装部TFE2位于第二子像素区P2内，第三封装部TFE3位于第三子像素区P3内。
在第一像素区P1内，第一封装部TFE1可以直接位于第一光取出部CPL1上。在第二像素区P2内，第二封装部TFE2可以直接位于第二光取出部CPL2 上。在第三像素区P3内，第三封装部TFE3可以直接位于第三光取出部CPL3上。
如图15所示，在一些实施例中，第一封装部TFE1远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，可以大致等于第二封装部TFE2远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，且可以大致等于第三封装部TFE3远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距。可以理解为，封装层TFE远离衬底基板SUB一侧的表面提供有平坦的表面。
在一些实施例中，第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸、第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸、以及第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸中的至少两者可以不同。
在一些示例中，第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸、与第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸大致相等，且大于第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸。
例如，第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸，与第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸大致相等，且小于第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸。第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸、与第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸大致相等，且大于第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸。
在一些示例中，第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸，与第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸大致相等，且小于第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸。
例如，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸，与第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸大致相等，且大于第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸。第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸，与第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸大致相等，且小于第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸。
在一些示例中，第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸，与第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸大致相等，且小于第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸。
例如，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸，与第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸大致相等，且大于第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸。第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸，与第三封装部TFE3在 第二方向Y上的尺寸大致相等，且小于第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸。
如图15所示，在一些实施例中，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸与第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸之和，可以大致等于第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸与第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸之和，可以大致等于第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸与第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸之和。
在一些其他的实施例中，封装层TFE远离衬底基板SUB一侧的表面可以不是平坦的表面。例如，第一封装部TFE1远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，可以大于第二封装部TFE2远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距。此处不作限定。
在一些实施例中，第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸、第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸、以及第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸可以互不相同。
在一些示例中，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸大于第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸，第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸大于第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸。第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸小于第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸，第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸小于第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸。
在一些示例中，如图15所示，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸大于第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸，并且第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸大于第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸。第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸小于第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸，并且第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸小于第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸。
在一些实施例中，封装层TFE还包括位于透光区P4的第四封装部TFE4。第四封装部TFE4在第二方向Y上的尺寸，可以既大于第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸，也大于第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸，还大于第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸。
在一些示例中，第四封装部TFE4远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，既可以大致等于第一封装部TFE1远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，也可以大致等于第二封装 部TFE2远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距，还可以大致等于第三封装部TFE3远离衬底基板SUB一侧的表面与衬底基板SUB之间的平均间距。
例如，第四封装部TFE4在第二方向Y上的尺寸与第四阴极部CE4在第二方向Y上的尺寸之和，可以大致等于第一阴极部CE1在第二方向Y上的尺寸、第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸和第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸之和。
上述一些实施例中已说明，第四阴极部CE4在第二方向Y上的尺寸小于第一阴极部CE1在第二方向Y上的尺寸，因此第四封装部TFE4在第二方向Y上的尺寸可以大于第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸和第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸之和。
类似地，第四封装部TFE4在第二方向Y上的尺寸可以大于第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸和第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸之和。第四封装部TFE4在第二方向Y上的尺寸可以大于第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸和第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸之和。
如图16所示，在一些实施例中，第一有机层OL1在第二方向Y上的尺寸大于第二有机层OL2在第二方向Y上的尺寸，并且第二有机层OL2在第二方向Y上的尺寸大于第三有机层OL3在第二方向Y上的尺寸。第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸小于第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸，并且第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸小于第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸。
如图15和图16所示，在一些实施例中，封装层TFE可以包括堆叠设置的第一封装层ENL1、第二封装层ENL2和第三封装层ENL3。例如，第一封装层ENL1和第三封装层ENL3由无机材料制成，上述的无机材料选自氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)或氟化锂中的至少一种。又例如，第二封装层ENL2由有机材料制成，上述的有机材料为烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯，乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂或二萘嵌苯树脂中的至少一种。本领域技术人员可以根据需要改变薄膜封装层TFE的层数、材料和结构，本公开不限于此。
在一些示例中，第一封装层ENL1和第三封装层ENL3为均匀厚度的薄膜结构。例如，第一封装部TFE1的第一封装层ENL1在第二方向Y上的尺寸，大致等于第二封装部TFE2的第一封装层ENL1在第二方向Y上的尺寸，且 大致等于第三封装部TFE3的第一封装层ENL1在第二方向Y上的尺寸，还大致等于第四封装部TFE4的第一封装层ENL1在第二方向Y上的尺寸。第三封装层ENL3与第一封装层ENL1类似，此处不再赘述。
在一些示例中，上述第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸、第二封装部TFE2在第二方向Y上的尺寸、第三封装部TFE3在第二方向Y上的尺寸、以及第四封装部TFE4在第二方向Y上的尺寸不同。例如可以是第一封装部TFE1中的第二封装层ENL2在第二方向Y上的尺寸、第二封装部TFE2中的第二封装层ENL2在第二方向Y上的尺寸、第三封装部TFE3中的第二封装层ENL2在第二方向Y上的尺寸、以及第四封装部TFE4中的第二封装层ENL2在第二方向Y上的尺寸不同。
可以理解地，第四封装部TFE4在第二方向Y上的尺寸大于第一封装部TFE1在第二方向Y上的尺寸，可以是第四封装部TFE4中的第二封装层ENL2在第二方向Y上的尺寸，大于第一封装部TFE1中的第二封装层ENL2在第二方向Y上的尺寸。
如图17所示，在一些实施例中，显示基板200包括透光显示区AA1、以及位于透光显示区AA1至少一侧的主显示区AA2。透光显示区AA1的显示基板包括如上任一实施例提供的显示基板200。
上述显示区AA包括透光显示区AA1和主显示区AA2。例如，主显示区AA2位于透光显示区AA1外的一侧，即主显示区AA2部分包围透光显示区AA1；又例如，主显示区AA2位于透光显示区AA1外的四周，即包括上下两侧和左右两侧，这样主显示区AA2完全包围透光显示区AA1。
综上，本公开实施例提供的显示基板，通过在第二方向Y上的尺寸不同的多个光取出部，能够提高显示基板的出光效率。
本公开实施例提供一种显示基板的制作方法。该制作方法可以制作得到如上一些实施例的显示基板。如图18所示，显示基板的制作方法包括步骤S10～S30。
步骤S10：提供一衬底基板SUB。如图19A所示，衬底基板SUB包括第一子像素区P1、第二子像素区P2、第三子像素区P3、以及位于第一子像素区P1、第二子像素区P2、第三子像素区P3之间的透光区P4。
衬底基板SUB的材料例如可以是聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，简称PET)、聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)、环烯烃聚合物(Cyclo Olefin Polymer，简称COP)等。
第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3的具体介绍在之 前已经详细说明，此处不作赘述。
步骤S20：在衬底基板SUB上形成发光器件层LDL，如图19G所示。发光器件层LDL包括第一发光器件LD1、第二发光器件LD2和第三发光器件LD3，第一发光器件LD1位于第一子像素区P1，第二发光器件LD2位于第二子像素区P2，第三发光器件LD3位于第三子像素区P3。
如图7所示，在一些实施例中，在衬底基板SUB上形成发光器件层LDL之前，还可以在衬底基板SUB上形成像素电路层。像素电路层包括多个像素电路S。多个像素电路S的具体介绍在之前已经详细说明，此处不作赘述。
在形成多个像素电路S之后，形成覆盖多个像素电路的绝缘层INL。
在一些实施例中，在绝缘层INL上形成发光器件层LDL，包括：在绝缘层上依次形成阳极AE、像素界定层PDL、有机层OL和阴极层CE。
在一些示例中，如图19B所示，阳极AE可以在绝缘层(图19A～图19M中未示)上，通过一次构图工艺形成。阳极AE可以由如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir或Cr的金属及其混合物材料制成，也可以由ITO、IZO或IGZO等有导电性的金属氧化物材料制成。
阳极AE可以包括第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3。第一阳极AE1位于第一子像素区P1内，第二阳极AE2位于第二子像素区P2内，第三阳极AE3位于第三子像素区P3内。
在一些示例中，如图19C所示，像素界定层PDL可以在绝缘层和阳极AE上形成。例如，利用沉积工艺形成一层覆盖绝缘层和阳极AE的像素界定材料层，并通过刻蚀工艺去除部分像素界定材料层，得到像素界定层PDL。像素界定层PDL包括位于第一子像素区P1的第一发光开口K1、位于第二子像素区P2的第二发光开口K2、以及位于第三子像素区P3的第三发光开口K3。
在一些示例中，如图19D所示，可以在像素界定层PDL和阳极AE上形成有机层OL。有机层可以包括位于第一子像素区P1的第一有机层OL1、位于第二子像素区P2的第二有机层OL2和位于第三子像素区P3的第三有机层OL3。
示例性地，一种颜色的有机层中发光层的形成过程包括：利用沉积工艺形成覆盖像素界定层PDL和阳极AE的一种颜色的发光材料层，之后利用刻蚀工艺去除部分该发光材料层，保留位于一种子像素区的部位。例如，利用沉积工艺形成覆盖像素界定层PDL和阳极AE的红色的发光材料层，之后利用刻蚀工艺去除第二子像素区P2、第三子像素区P3和透光区P4中的红色的 发光材料层，保留第一子像素区P1中的红色的发光材料层作为第一有机层OL1中发光层。第二有机层OL2和第三有机层OL3中发光层的制作方式与第一有机层OL1中发光层的制作方式大致相同，此处不作赘述。
第一有机层OL1可以覆盖第一发光开口K1，第二有机层OL1可以覆盖第二发光开口K2，第三有机层OL1可以覆盖第三发光开口K3。
在一些示例中，如图19G所示，阴极层CE可以在像素界定层PDL和有机层OL上形成。阴极层CE位于第一子像素区P1、第二子像素区P2、第三子像素区P3和透光区P4上。阴极层CE可以具有半透射或透射性质。在一些实施例中，阴极层CE可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti或其化合物或混合物，例如Ag和Mg的混合物。
在一个像素单元区PU内，阴极CE可以包括相互连接的第一阴极部CE1、第二阴极部CE2、第三阴极部CE3和第四阴极部CE4。例如，第一阴极部CE1位于第一子像素区P1内，第二阴极部CE2位于第二子像素区P2内，第三阴极部CE3位于第三子像素区P3内，第四阴极部CE4位于第四子像素区P4内。第四阴极部CE4将相互分离的第一阴极部CE1、第二阴极部CE2和第三阴极部CE3连接。
其中，位于第一子像素区P1中的第一阴极AE1、第一有机层OL1和第一阴极部CE1共同构成第一发光器件LD1。位于第二子像素区P2中的第二阴极AE2、第二有机层OL2和第二阴极部CE2共同构成第二发光器件LD2。位于第三子像素区P3中的第三阴极AE3、第三有机层OL3和第三阴极部CE3共同构成第三发光器件LD3。
步骤S30：在发光器件层LDL远离衬底基板SUB的一侧，形成光取出层CPL，如图19M所示。光取出层CPL包括第一光取出部CPL1、第二光取出部CPL2和第三光取出部CPL3。第一光取出部CPL1位于第一子像素区P1，第二光取出部CPL2位于第二子像素区P2，第三光取出部CPL3位于第三子像素区P3。其中，第一光取出部CPL1、第二光取出部CPL2和第三光取出部CPL3中的至少两者，在垂直于衬底基板SUB的方向上的尺寸不同。
如图19M所示，光取出层CPL可以形成与阴极层CE上。光取出层CPL可以包括位于第一子像素区P1的第一光取出部CPL1、位于第二子像素区P2的第二光取出部CPL2和位于第三子像素区P3的第三光取出部CPL3。
在一些实施例中，步骤S30可以包括：利用蒸镀工艺形成覆盖阴极层CE的光取出材料层，之后利用不同位置透光率不同的掩膜版(例如半色调掩膜 版(Half Tone Mask))对光取出材料层进行曝光、显影后，刻蚀得到在第一子像素区P1保留的光取出材料层作为第一光取出部CPL1、在第二子像素区P2保留的光取出材料层作为第二光取出部CPL2、以及在第三子像素区P3保留的光取出材料层作为第三光取出部CPL3。
在一些示例中，掩膜版对应第一子像素区P1位置处的透光率，与对应第二子像素区P2位置处的透光率不同。这样，最后形成于第一子像素区P1的第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸，与形成于第二子像素区P2的第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸不同。
在一些实施例中，如图20所示，步骤S30可以包括：步骤S31和步骤S32。
步骤S31：在发光器件层LDL远离衬底基板SUB的一侧，形成第一光取出薄膜CPL1.0，如图19H所示。第一光取出薄膜CPL1.0位于第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3。
示例性地，利用蒸镀工艺形成覆盖阴极层CE的第一光取出材料层，之后利用刻蚀工艺去除透光区P4中的第一光取出材料层，保留位于各子像素区P的第一光取出材料层作为第一光取出薄膜CPL1.0。
步骤S32：在第一光取出薄膜CPL1.0远离衬底基板的一侧，形成第二光取出薄膜CPL2.0，如图19J所示。第二光取出薄膜CPL2.0覆盖第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3中的一者或两者。
示例性地，利用蒸镀工艺再形成覆盖阴极层CE和第一光取出薄膜CPL1.0的第二光取出材料层，之后利用刻蚀工艺去除透光区P4和至少一个子像素区P中的第二光取出材料层，保留至少一个子像素区P中的第二光取出材料层，从而形成在垂直于衬底基板的方向上的尺寸不同的至少两个光取出部。
例如，第二光取出材料层覆盖阴极层CE和第一光取出薄膜CPL1.0后，利用刻蚀工艺去除透光区P4和第三子像素区P3中的第二光取出材料层，保留第一子像素区P1和第二子像素区P2中的第二光取出材料层作为第二光取出薄膜CPL2.0。从而，在第一子像素区P1中的第一光取出薄膜CPL1.1和第二光取出薄膜CPL2.1作为第一光取出部CPL1，在第二子像素区P2中的第一光取出薄膜CPL1.2和第二光取出薄膜CPL2.2作为第二光取出部CPL2，在第三子像素区P3的第一光取出薄膜CPL1.3作为第三光取出部CPL3。
因此，第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸与第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸大致相等，且大于第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸。
又例如，第二光取出材料层覆盖阴极层CE和第一光取出薄膜CPL1.0后，利用刻蚀工艺去除透光区P4、第二子像素区P2和第三子像素区P3中的第二光取出材料层，保留第一子像素区P1中的第二光取出材料层作为第二光取出薄膜CPL2.0。从而，在第一子像素区P1的第一光取出薄膜和第二光取出薄膜作为第一光取出部CPL1，在第二子像素区P2的第一光取出薄膜作为第二光取出部CPL2，在第三子像素区P3的第一光取出薄膜作为第三光取出部CPL3。
因此，第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸与第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸大致相等，且小于第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸。
需要说明的是，上述第一光取出材料层的材料和第二光取出材料层的材料可以是相同的材料，也可以是性质近似的两种材料，此处不作限定。
综上，结合不同颜色的光线在最优出光效率下对应光取出部在第二方向Y上的尺寸不同的情况，本公开提供的显示基板能够适应性地调整不同子像素区P内的光取出部在第二方向Y上的尺寸，从而提高子像素区P的出光效率，从而能够提高显示基板200的出光效率。
如图21所示，在一些实施例中，步骤S20可以包括步骤S21～步骤S23。
步骤S21：在衬底基板SUB上，形成第一阴极材料层CE1.0，如图19E所示。第一阴极材料层CE1.0覆盖第一子像素区P1、第二子像素区P2、第三子像素区P3和透光区P4。
示例性地，可以利用沉积工艺形成第一阴极材料层CE1.0。第一阴极材料层CE1.0可以为均匀膜厚的层结构，第一阴极材料层CE1.0在第二方向Y上的尺寸可以处于
例如，
或
步骤S20在步骤S21之前还可以包括形成阳极AE和有机层OL的步骤，之前已经详细说明，此处不作赘述。
步骤S22：在第一阴极材料层CE1.0上，形成位于透光区P4内的第一隔离柱Z1，如图19F所示。
第一隔离柱Z1远离衬底基板SUB一侧的端部大于第一隔离柱Z1靠近衬底基板SUB一侧的端部。例如，第一隔离柱Z1的剖面形状可以为梯形，梯形的长底边远离衬底基板SUB，梯形的短底边靠近衬底基板SUB。又例如，如图19F所示，第一隔离柱Z1的剖面形状可以为“T”字形。
在一些示例中，形成第一隔离柱Z1的过程可以包括：利用沉积工艺形成覆盖第一阴极材料层CE1.0的第一隔离材料层。之后，利用刻蚀工艺去除第 一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3中的第一隔离材料层，保留透光区P4中的第一隔离材料层。之后，利用沉积工艺形成覆盖第一阴极材料层CE1.0和保留的第一隔离材料层的第二隔离材料层。之后，利用刻蚀工艺去除第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3中的第二隔离材料层，保留透光区P4中的第二隔离材料层。此时，在透光区P4中形成相互堆叠的第一隔离材料层和第二隔离材料层。之后，利用湿法刻蚀工艺刻蚀透光区P4中的部分第一隔离材料层，以缩小第一隔离材料层在第一方向X上的尺寸，从而形成第一隔离柱Z1。
需要说明的是，以上仅是一种示例的说明，并不限定其他形成第一隔离柱Z1的方式。
步骤S23：在第一隔离柱Z1和第一阴极材料层CE1.0远离形成衬底基板SUB的一侧，形成第二阴极材料层，结合图19G所示。第二阴极材料层包括阴极薄膜CE2.0和阴极牺牲层CE’，阴极薄膜CE2.0覆盖第一子像素区P1、第二子像素区P1和第三子像素区P3。阴极牺牲层CE’覆盖第一隔离柱Z1。其中，第一隔离柱Z1隔断相邻两个子像素区的第二阴极材料层。
示例性地，可以利用沉积工艺形成第二阴极材料层。第二阴极材料层可以为均匀膜厚的层结构，第二阴极材料层在第二方向Y上的尺寸可以处于
例如，
或
在一些示例中，第二阴极材料层覆盖第一子像素区P1、第二子像素区P1、第三子像素区P3、以及透光区P4。其中，第一子像素区P1中的第二阴极材料层CE2.1、第二子像素区P2中的第二阴极材料层CE2.2、以及第三子像素区P3中的第二阴极材料层CE2.3共同构成阴极薄膜CE2.0。透光区P4中的第二阴极材料层CE2.4为阴极牺牲层CE’，阴极牺牲层CE’位于第一隔离柱Z1上。
如图19G所示，第一隔离柱Z1将阴极牺牲层CE’与阴极薄膜CE2.0隔断，又由于透光区P4位于相邻两个子像素区之间，因此第一隔离柱Z1将各个子像素区的第二阴极材料层隔断。
位于第一子像素区P1中的第一阴极材料层CE1.1和第二阴极材料层CE2.1共同构成第一阴极部CE1；位于第二子像素区P2中的第一阴极材料层CE1.2和第二阴极材料层CE2.2共同构成第二阴极部CE2；位于第三子像素区P3中的第一阴极材料层CE1.3和第二阴极材料层CE2.3共同构成第三阴极部CE3。
如图19M所示，后续可以将第一隔离柱Z1从衬底基板SUB上剥离，从而去除透光区P4内的阴极牺牲层CE’，以减薄透光区P4的阴极层的厚度。因此，透光区P4内的第一阴极材料层CE1.4作为第四阴极部CE4。
本实施例中，利用第一隔离柱Z1提高各子像素区内的阴极部在第二方向Y上的尺寸，能够提高各子像素区内各颜色发光器件的发光效率。另外，透光区P4内的第四阴极部CE4在第二方向Y上的尺寸小于子像素区内的阴极部(例如第一子像素区P1内的第一阴极部CE1)在第二方向Y上的尺寸，能够提高透光区P4中透光率，从而提高显示基板200的透光性能。
在一些实施例中，如图22所示，步骤S30可以包括：步骤S33～步骤S36。
步骤S33：形成第一光取出材料层，如图19H所示。第一光取出材料层包括第一光取出薄膜CPL1.0和第一牺牲薄膜CPL’，第一光取出薄膜CPL1.0位于第一子像素区P1、第二子像素区P2和第三子像素区P3，第一牺牲薄膜CPL’覆盖阴极牺牲层CE’。其中，第一隔离柱Z1隔断第一光取出薄膜CPL1.0和第一牺牲薄膜CPL’。
如图19H所示，在步骤S23形成第二阴极材料层之后，可以利用蒸镀工艺在第二阴极材料层上形成第一光取出材料层。第一光取出材料层覆盖第一子像素区P1、第二子像素区P2、第三子像素区P3和透光区P4。其中，位于第一子像素区P1中的第一光取出材料层CPL1.1、位于第二子像素区P2中的第一光取出材料层CPL1.2以及位于第三子像素区P3中的第一光取出材料层CPL1.3共同构成第一光取出薄膜CPL1.0。位于透光区P4中的第一光取出材料层CPL1.4为第一牺牲薄膜CPL’，第一牺牲薄膜CPL’位于阴极牺牲层CE’上。
如图19H所示，第一隔离柱Z1将第一牺牲薄膜CPL’与第一光取出薄膜CPL1.0隔断，又由于透光区P4位于相邻两个子像素区之间，因此第一隔离柱Z1将各个子像素区的第一光取出薄膜隔断。
后续可以将第一隔离柱Z1从衬底基板SUB上剥离，从而同时去除透光区P4内的阴极牺牲层CE2.4和第一牺牲薄膜CPL1.4。
步骤S34：在第一光取出材料层上，形成位于第三子像素区P3内的第二隔离柱Z2，如图19I所示。
第二隔离柱Z2和第一隔离柱Z1的结构特点和形成方式基本相同，之前已详细说明第一隔离柱Z1的相关内容，此处不作赘述。
如图19I所示，在一些示例中，第二隔离柱Z2远离衬底基板SUB一侧的表面与第一牺牲薄膜CPL’远离衬底基板SUB一侧的表面为连续的表面。
步骤S35：形成第二光取出材料层，如图19J所示。第二光取出材料层包括第二光取出薄膜CPL2.0和第二牺牲薄膜CPL”，第二光取出薄膜CPL2.0位于第一子像素区P1和第二子像素区P2，第二牺牲薄膜CPL”覆盖第一牺牲薄膜CPL’和第二隔离柱Z2；其中，第二隔离柱Z2隔断第二光取出薄膜CPL2.0和第二牺牲薄膜CPL”。
请结合图19J所示，可以利用蒸镀工艺在第一光取出材料层上形成第二光取出材料层。第二光取出材料层覆盖第一子像素区P1、第二子像素区P2、第三子像素区P3和透光区P4。其中，位于第一子像素区P1中的第二光取出材料层CPL2.1、以及位于第二子像素区P2中的第二光取出材料层CPL2.2共同构成第二光取出薄膜CPL2.0。位于第三子像素区P3中的第二光取出材料层CPL2.3、以及位于透光区P4中的第二光取出材料层CPL2.4共同构成第二牺牲薄膜CPL”，位于透光区P4的第二光取出材料层CPL2.4位于第一牺牲薄膜CPL’上，位于第三子像素区P3的第二光取出材料层CPL2.3位于第二隔离柱Z2上。
结合图19J所示，第二隔离柱Z2和第一隔离柱Z1共同将第二牺牲薄膜CPL”与第二光取出薄膜CPL2.0隔断，又由于透光区P4还位于第一子像素区P1和第二子像素区P2之间，因此第一隔离柱Z1还将第一子像素区P1中的第二光取出薄膜与第二子像素区P2中的第二光取出薄膜隔断。
步骤S36：去除第一隔离柱Z1和第二隔离柱Z2、以及覆盖第一隔离柱Z1和第二隔离柱Z1中的阴极牺牲层CE’、第一牺牲薄膜CPL’和第二牺牲薄膜CPL”，形成位于第一子像素区P1的第一光取出部CPL1、位于第二子像素区P2的第二光取出部CPL2和位于第三子像素区P3的第三光取出部CPL3。
在第一子像素区P1内保留的第一光取出材料层CPL1.1和第二光取出材料层CPL2.1共同构成第一光取出部CPL1，在第二子像素区P2内保留的第一光取出材料层CPL1.2和第二光取出材料层CPL2.2共同构成第二光取出部CPL2，在第三子像素区P3内保留的第一光取出材料层CPL1.3构成第三光取出部CPL3。
第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸，为第一光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸。第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸与第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸大致相等，均为第一光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸与第二光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸之和。
在一些示例中，第一发光器件LD1的最优发光效率对应的光取出层CPL的厚度为
第二发光器件LD2的最优发光效率对应的光取出层CPL的 厚度为
第三发光器件LD3的最优发光效率对应的光取出层CPL的厚度为
例如，第一光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸为
第二光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸为
从而，第三光取出部CPL3的厚度为
第三子像素区P3的出光效率达到最优；第二光取出部CPL2的厚度为
第二子像素区P2的出光效率达到最优。
又例如，第一光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸为
第二光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸为
从而，第三光取出部CPL3的厚度为
第三子像素区P3的出光效率达到最优；第一光取出部CPL1的厚度为
第一子像素区P1的出光效率达到最优。
本实施例中，第一隔离柱Z1和第二隔离柱Z2可以同时去除，且去除第一隔离柱Z1和第二隔离柱Z2的过程中连带覆盖第一隔离柱Z1和第二隔离柱Z1中的阴极牺牲层CE’、第一牺牲薄膜CPL’和第二牺牲薄膜CPL”一并去除。
经过本公开发明人研究发现，隔离柱在阴极层CE上的剥离次数越少，显示基板200的出光性能越好。本实施例中，通过将第一隔离柱Z1和第二隔离柱Z2同时去除，能够减少隔离柱在阴极层CE上的剥离次数，提高显示基板的出光性能。
本实施例中，能够在显示基板200上形成在第二方向Y上尺寸不同的光取出部，能够适应性地调整不同子像素区P内的光取出部在第二方向Y上的尺寸，从而提高子像素区P的出光效率，从而能够提高显示基板200的出光效率。
在一些实施例中，如图23所示，在步骤S35之后，还可以包括步骤S37和步骤S38。
步骤S37：在第二光取出材料层上，形成位于第二子像素区P2的第三隔离柱Z3，请结合图19K所示。
第三隔离柱Z3和第一隔离柱Z1的结构特点和形成方式基本相同，之前已详细说明第一隔离柱Z1的相关内容，此处不作赘述。
第三隔离柱Z3可以直接位于第二子像素区P2中的第二光取出材料层CPL2.2上。在一些示例中，第三隔离柱Z3远离衬底基板SUB一侧的表面与第二牺牲薄膜CPL”远离衬底基板SUB一侧的表面为连续的表面。
步骤S38：形成第三光取出材料层，请结合图19L所示。第三光取出材料层包括第三光取出薄膜CPL3.0和第三牺牲薄膜CPL”’，第三光取出薄膜CPL3.0位于第一子像素区P3，第三牺牲薄膜CPL”’覆盖第二牺牲薄膜CPL” 和第三隔离柱Z3。其中，第三隔离柱Z3隔断第三光取出薄膜CPL3.0和第三牺牲薄膜CPL”’。
如图19L所示，可以利用蒸镀工艺在第二光取出材料层上形成第三光取出材料层。第三光取出材料层覆盖第一子像素区P1、第二子像素区P2、第三子像素区P3和透光区P4。其中，位于第一子像素区P1中的第三光取出材料层CPL3.1为第三光取出薄膜CPL3.0。位于第二子像素区P2中的第三光取出材料层CPL3.2、位于第三子像素区P3中的第三光取出材料层CPL3.3、以及位于透光区P4中的第三光取出材料层CPL3.4共同构成第三牺牲薄膜CPL”’，位于透光区P4和第三子像素区P3的第三光取出材料层CPL3.4位于第二牺牲薄膜CPL”上，位于第二子像素区P2的第三光取出材料层CPL3.2位于第三隔离柱Z3上。
如图19L所示，第三隔离柱Z3、第二隔离柱Z2和第一隔离柱Z1共同将第三牺牲薄膜CPL”’与第三光取出薄膜CPL3.0隔断。
步骤S36，可以包括：步骤S361。
步骤S361：去除第一隔离柱Z1、第二隔离柱Z2和第三隔离柱Z3、以及覆盖第一隔离柱Z1、第二隔离柱Z2和第三隔离柱Z3的阴极牺牲层、第一牺牲薄膜CPL’、第二牺牲薄膜CPL”和第三牺牲薄膜CPL”’。
完成步骤S361之后，如图19M所示，在显示基板上形成位于第一子像素区P1的第一光取出部CPL1、位于第二子像素区P2的第二光取出部CPL2和位于第三子像素区P3的第三光取出部CPL3。
在第一子像素区P1内保留的第一光取出材料层CPL1.1、第二光取出材料层CPL2.1和第三光取出材料层CPL3.1共同构成第一光取出部CPL1。在第二子像素区P2内保留的第一光取出材料层CPL1.2和第二光取出材料层CPL2.2共同构成第二光取出部CPL2，在第三子像素区P3内保留的第一光取出材料层CPL1.3构成第三光取出部CPL3。
第三光取出部CPL3在第二方向Y上的尺寸，为第一光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸。第二光取出部CPL2在第二方向Y上的尺寸，为第一光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸与第二光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸之和。第一光取出部CPL1在第二方向Y上的尺寸，为第一光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸、第二光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸、以及第三光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸之和。
在一些示例中，第一发光器件LD1的最优发光效率对应的光取出层CPL的厚度为
第二发光器件LD2的最优发光效率对应的光取出层CPL的 厚度为
第三发光器件LD3的最优发光效率对应的光取出层CPL的厚度为
例如，第一光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸为
第二光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸为
第三光取出薄膜在第二方向Y上的尺寸为
从而，第三光取出部CPL3的厚度为
第三子像素区P3的出光效率达到最优；第二光取出部CPL2的厚度为
第二子像素区P2的出光效率达到最优；第一光取出部CPL1的厚度为
第一子像素区P1的出光效率达到最优。
本实施例中，第一隔离柱Z1、第二隔离柱Z2和第三隔离柱Z3可以同时去除，且去除第一隔离柱Z1、第二隔离柱Z2和第三隔离柱Z3的过程中连带覆盖第一隔离柱Z1和第二隔离柱Z1中的阴极牺牲层、第一牺牲薄膜、第二牺牲薄膜和第三牺牲薄膜一并去除。这样，能够减少隔离柱在阴极层上的剥离次数，提高显示基板的出光性能。
在一些实施例中，隔离柱形成于电子传输层ETL上。经本公开发明人研究发现，隔离柱从ETL上去除后会破坏ETL的性能，导致发光器件的出光效率降低。
| 测试电压15mA/cm 2 | 电压比例 | 出光效率 | 取样坐标 |
| 参考ETL | 100％ | 100％ | 0.226，0.729 |
| 隔离柱从ETL去除后的ETL | 183％ | 80％ | 0.238，0.706 |
表3
从表2可以看出，隔离柱从ETL上去除后的ETL在测试电压比例提升情况下，出光效率反而低于参考出光效率。隔离柱破坏了ETL的性能，导致发光器件的出光效率降低。
本实施例中，通过将隔离柱设置于阴极CE上，能够避免隔离柱去除时对ETL的破坏，确保发光器件LD的出光效率，从而提高显示基板200的出光效率。
本实施例中，能够在显示基板上形成在第二方向Y上尺寸不同的光取出部，能够适应性地调整不同子像素区P内的光取出部在第二方向Y上的尺寸，从而提高子像素区P的出光效率，从而能够提高显示基板200的出光效率。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (24)
- 一种显示基板，包括：衬底，所述衬底包括显示不同颜色的第一子像素区、第二子像素区和第三子像素区；发光器件层，位于所述衬底的一侧；所述发光器件层包括发射不同颜色光的第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件，所述第一发光器件位于所述第一子像素区，所述第二发光器件位于所述第二子像素区，所述第三发光器件位于所述第三子像素区；光取出层，位于所述发光器件层远离所述衬底的一侧；所述光取出层包括第一光取出部、第二光取出部和第三光取出部，所述第一光取出部位于所述第一子像素区，所述第二光取出部位于所述第二子像素区，所述第三光取出部位于所述第三子像素区；其中，所述第一光取出部、所述第二光取出部和所述第三光取出部中的至少两者，在垂直于所述衬底的方向上的尺寸不同。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一光取出部的尺寸大于所述第二光取出部的尺寸，且所述第二光取出部的尺寸大于所述第三光取出部的尺寸。
- 根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述发光器件层包括阳极、阴极层、以及位于所述阳极和所述阴极层之间的有机层；所述有机层包括材料互不相同的第一有机层、第二有机层和第三有机层，所述第一有机层位于所述第一子像素区，所述第二有机层位于所述第二子像素区，所述第三有机层位于所述第三子像素区；其中，所述第一有机层、所述第二有机层和所述第三有机层中的至少两者，在垂直于所述衬底的方向上的尺寸互不相同。
- 根据权利要求3所述的显示基板，其中，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一有机层的尺寸大于所述第二有机层的尺寸，且所述第二有机层的尺寸大于所述第三有机层的尺寸。
- 根据权利要求1～4中任一项所述的显示基板，其中，所述第一光取出部、所述第二光取出部和所述第三光取出部中的至少两者远离所述衬底一侧的表面，与所述衬底之间的平均间距不同。
- 根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述第一光取出部、所述第二光取出部和所述第三光取出部各自远离所述衬底一侧的表面，与所述衬底之间的平均间距互不相同。
- 根据权利要求5或6所述的显示基板，其中，所述第一光取出部远离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的平均间距，大于所述第二光取出部远离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的平均间距；所述第二光取出部远离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的平均间距，大于所述第三光取出部远离所述衬底一侧的表面与所述衬底之间的平均间距。
- 根据权利要求1～7中任一项所述的显示基板，其中，所述第一光取出部、所述第二光取出部和所述第三光取出部中的至少一者，在垂直于所述衬底的方向上的尺寸处于的范围内。
- 根据权利要求1～8中任一项所述的显示基板，其中，所述发光器件层包括：阴极层，包括第一阴极部、第二阴极部和第三阴极部；所述第一阴极部位于所述第一子像素区，所述第二阴极部位于所述第二子像素区，所述第三阴极部案位于所述第三子像素区；其中，所述第一阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸、所述第二阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸、以及所述第三阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸大致相等。
- 根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述衬底还包括位于所述第一子像素区、所述第二子像素区、所述第三子像素区之间的透光区；所述阴极层还包括位于所述透光区内的第四阴极部；所述第一阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸，大于所述第四阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸。
- 根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述衬底还包括位于所述第一子像素区、所述第二子像素区、所述第三子像素区之间的透光区；所述阴极层还包括位于所述透光区内的第四阴极部；所述第一阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸，与所述第四阴极部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸大致相等。
- 根据权利要求10或11所述的显示基板，其中，所述光取出层在所述衬底上的正投影，与所述第四阴极部在所述衬底上的正投影不重叠。
- 根据权利要求10～12中任一项所述的显示基板，其中，还包括：封装层，覆盖所述光取出层；其中，所述封装层与所述第四阴极部直接接触。
- 根据权利要求1～13中任一项所述的显示基板，其中，还包括：封装层，包括第一封装部、第二封装部和第三封装部；所述第一封装部 位于所述第一子像素区，所述第二封装部位于所述第二子像素区，所述第三封装部位于所述第三子像素区；其中，所述第一封装部、所述第二封装部和所述第三封装部中的至少两者，在垂直于所述衬底的方向上的尺寸不同。
- 根据权利要求14所述的显示基板，其中，所述衬底还包括位于所述第一子像素区、所述第二子像素区、所述第三子像素区之间的透光区；所述封装层还包括位于所述透光区的第四封装部；其中，所述第四封装部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸，大于所述第一封装部、所述第二封装部和所述第三封装部在垂直于所述衬底的方向上的尺寸。
- 根据权利要求1～9中任一项所述的显示基板，其中，显示相同颜色的两个子像素区相邻设置，相邻设置的两个子像素区之间还包括透光区；其中，一个光取出部覆盖所述显示相同颜色的两个子像素区、以及位于所述两个子像素区之间的透光区。
- 根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述显示相同颜色的两个子像素区、以及位于所述两个子像素区之间的透光区均具有有机层和阴极层；所述透光区内有机层的材料，与所述显示相同颜色的两个子像素区内有机层的材料相同。
- 根据权利要求1～17中任一项所述的显示基板，其中，包括透光显示区、以及位于所述透光显示区至少一侧的主显示区；所述透光显示区的显示基板，包括如权利要求1～17中任一项所述的显示基板。
- 一种显示装置，包括如权利要求1～18中任一项所述的显示基板。
- 一种显示基板的制作方法，包括：提供一衬底，所述衬底包括第一子像素区、第二子像素区、第三子像素区、以及位于所述第一子像素区、所述第二子像素区、所述第三子像素区之间的透光区；在所述衬底上形成所述发光器件层；所述发光器件层包括第一发光器件、第二发光器件和第三发光器件，所述第一发光器件位于所述第一子像素区，所述第二发光器件位于所述第二子像素区，所述第三发光器件位于所述第三子像素区；在所述发光器件层远离所述衬底的一侧，形成光取出层；所述光取出层包括第一光取出部、第二光取出部和第三光取出部，所述第一光取出部位于 所述第一子像素区，所述第二光取出部位于所述第二子像素区，所述第三光取出部位于所述第三子像素区；其中，所述第一光取出部、所述第二光取出部和所述第三光取出部中的至少两者，在垂直于所述衬底的方向上的尺寸不同。
- 根据权利要求20所述的方法，其中，所述形成光取出层，包括：在所述发光器件层远离所述衬底的一侧，形成第一光取出薄膜；所述第一光取出薄膜位于所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区；在所述第一光取出薄膜远离所述衬底的一侧，形成第二光取出薄膜；所述第二光取出薄膜覆盖所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区中的一者或两者。
- 根据权利要求20或21所述的方法，其中，所述在所述衬底上形成所述发光器件层，包括：在所述衬底上，形成第一阴极材料层；所述第一阴极材料层覆盖所述第一子像素区、所述第二子像素区、所述第三子像素区和所述透光区；在所述第一阴极材料层上，形成位于所述透光区内的第一隔离柱；在所述第一隔离柱和所述第一阴极材料层远离形成所述衬底的一侧，形成第二阴极材料层；所述第二阴极材料层包括阴极薄膜和阴极牺牲层，所述阴极薄膜覆盖所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区，所述阴极牺牲层覆盖所述第一隔离柱；其中，所述第一隔离柱隔断相邻两个子像素区的阴极薄膜。
- 根据权利要求22所述的方法，其中，所述形成光取出层，包括：形成第一光取出材料层；所述第一光取出材料层包括第一光取出薄膜和第一牺牲薄膜，所述第一光取出薄膜位于所述第一子像素区、所述第二子像素区和所述第三子像素区，所述第一牺牲薄膜覆盖所述阴极牺牲层；其中，所述第一隔离柱隔断所述第一光取出薄膜和所述第一牺牲薄膜；在所述第一光取出材料层上，形成位于所述第三子像素区内的第二隔离柱；形成第二光取出材料层；所述第二光取出材料层包括第二光取出薄膜和第二牺牲薄膜，所述第二光取出薄膜位于所述第一子像素区和所述第二子像素区，所述第二牺牲薄膜覆盖所述第一牺牲薄膜和所述第二隔离柱；其中，所述第二隔离柱隔断所述第二光取出薄膜和所述第二牺牲薄膜；去除所述第一隔离柱和所述第二隔离柱、以及覆盖所述第一隔离柱和所 述第二隔离柱的阴极牺牲层、第一牺牲薄膜和第二牺牲薄膜，形成位于所述第一子像素区的第一光取出部、位于所述第二子像素区的第二光取出部和位于所述第三子像素区的第三光取出部。
- 根据权利要求23所述的方法，其中，在所述形成第二光取出材料层之后，还包括：在所述第二光取出材料层上，形成位于所述第二子像素区的第三隔离柱；形成第三光取出材料层；所述第三光取出材料层包括第三光取出薄膜和第三牺牲薄膜，所述第三光取出薄膜位于所述第一子像素区，所述第三牺牲薄膜覆盖所述第二牺牲薄膜和所述第三隔离柱；其中，所述第三隔离柱隔断所述第三光取出薄膜和所述第三牺牲薄膜；所述去除所述第一隔离柱和所述第二隔离柱、以及覆盖所述第一隔离柱和所述第二隔离柱的阴极牺牲层、第一牺牲薄膜和第二牺牲薄膜，包括：去除所述第一隔离柱、所述第二隔离柱和所述第三隔离柱、以及覆盖所述第一隔离柱、所述第二隔离柱和所述第三隔离柱的阴极牺牲层、第一牺牲薄膜、第二牺牲薄膜和第三牺牲薄膜。
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