TW202127403A

TW202127403A - 顯示面板

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Publication number: TW202127403A
Application number: TW109134224A
Authority: TW
Inventors: 王脩華; 梁育馨; 黃景亮; 黃婉真; 鄭君丞
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2020-01-14
Filing date: 2020-09-30
Publication date: 2021-07-16
Also published as: TW202032226A; TWI745025B; TW202127653A; TWI747433B; TW202127998A; TW202127698A; TWI722908B; TWI729856B; TWI775125B; TWI735344B; TWI730855B; TWI742744B; TW202127699A; TWI735241B; TWI732551B; TWI728822B; TW202127655A; TW202127427A; TW202127405A; TWI738464B

Abstract

一種顯示面板，包括基板、有機薄膜、元件陣列層、多個導電結構、顯示元件層以及多條導線。基板具有彼此相對的第一表面與第二表面，且基板具有第一貫通孔。有機薄膜設置於基板的第一表面上及第一貫通孔中。位於第一貫通孔中的有機薄膜具有至少兩個第二貫通孔。元件陣列層設置於有機薄膜上，且元件陣列層具有對應於第二貫通孔的開孔。多個導電結構分別設置於第二貫通孔與開孔中，且分別電性連接元件陣列層。顯示元件層設置於元件陣列層上，且電性連接到元件陣列層。多條導線設置於基板的第一表面與第二表面的至少其中之一，且分別電性連接導電結構。

Description

顯示面板

本發明是有關於一種顯示面板，且特別是有關於一種具有極窄邊框的顯示面板。

在顯示器產品設計中，窄邊框(narrow border)已成趨勢，可在相同解析度下，將畫面可視範圍極大化，且在拼接成大尺寸面板時，可減小邊框的視覺干擾。

為了實現窄邊框的設計，目前的作法是：在基板正面形成元件陣列之後，使用雷射鑽孔機於基板的周邊區進行雷射鑽孔以形成貫通孔，接著，再藉由電鍍方式於貫通孔與基板的正反面沉積金屬導線，以連接基板正面的元件陣列與基板背面的線路板。

然而，一般的雷射鑽孔機所形成的貫通孔的孔徑大於15 μm，導致顯示面板的解析度有限。若採用孔徑較小的高精度雷射鑽孔機，則成本又過於昂貴。此外，利用雷射鑽孔時，易在形成的貫通孔中殘留碳化物，導致在貫通孔中不易進行金屬沉積，而不易在貫通孔中形成導電結構。

本發明提供一種顯示面板，具有極窄邊框及良好解析度。

本發明的一個實施例提出一種顯示面板，包括：基板，具有彼此相對的第一表面與第二表面，其中，基板具有第一貫通孔；有機薄膜，設置於基板的第一表面上及第一貫通孔中，其中，位於第一貫通孔中的有機薄膜具有至少兩個第二貫通孔；元件陣列層，設置於有機薄膜上，其中，元件陣列層具有對應於第二貫通孔的開孔；多個導電結構，分別設置於第二貫通孔與開孔中，且分別電性連接元件陣列層；顯示元件層，設置於元件陣列層上，且電性連接到元件陣列層；以及多條導線，設置於基板的第一表面與第二表面的至少其中之一，且分別電性連接導電結構。

在本發明的一實施例中，上述的有機薄膜的有機聚合物是選自於聚醯亞胺(polyimide, PI)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate, PET)、及其衍生物。

在本發明的一實施例中，上述的第一貫通孔的孔徑，大於每一第二貫通孔的孔徑。

在本發明的一實施例中，每一上述的第二貫通孔的孔徑介於3μm至30μm之間。

在本發明的一實施例中，相鄰的兩個上述的第二貫通孔之間的距離介於3μm至30μm之間。

在本發明的一實施例中，上述的導電結構分別電性連接元件陣列層的主動元件的源極或閘極。

在本發明的一實施例中，上述的導電結構連接到主動元件的連接位置在基板上的正投影，與第一貫通孔在基板上的正投影重疊。

在本發明的一實施例中，上述的導電結構連接到主動元件的連接位置在基板上的正投影，與第二貫通孔在基板上的正投影重疊。

在本發明的一實施例中，兩條導線設置於基板的第二表面。兩條導線從導電結構的位置，分別朝向彼此相反的方向延伸。

在本發明的一實施例中，兩條導線設置於基板的第二表面。兩條導線從導電結構的位置，分別朝向彼此垂直的方向延伸。

在本發明的一實施例中，上述的位於第一貫通孔中的有機薄膜，具有三個第二貫通孔。三條導線設置於基板的第二表面。三條導線從導電結構的位置，分別朝向不同的方向延伸。

在本發明的一實施例中，上述的位於該第一貫通孔中的該有機薄膜，具有四個第二貫通孔。四條導線設置於基板的第二表面，其中兩條導線從導電結構的位置，分別朝向相同的方向延伸，另外兩條導線從導電結構的位置，分別朝向彼此相反的方向延伸。

在本發明的一實施例中，上述的導線各自為電性獨立，分別電性連接到：元件陣列層的主動元件的閘極、元件陣列層的主動元件的源極、元件陣列層的掃描線、或元件陣列層的資料線。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括驅動元件。驅動元件包括時序電路及補償電路，其中，時序電路及補償電路分別電性連接導線。

在本發明的一實施例中，上述的顯示元件層包括：多個微型發光二極體元件、或多個有機發光二極體元件。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括：種晶層，設置於有機薄膜與導電結構之間，且設置於有機薄膜與導線之間。

在本發明的一實施例中，上述的顯示面板具有顯示區與週邊區。第一貫通孔與第二貫通孔設置於顯示區、或設置於週邊區。

本發明的另一個實施例提出一種顯示面板，包括：基板，具有彼此相對的第一表面與第二表面，其中，基板具有第一貫通孔；有機薄膜，有機薄膜的材料包括：具有醯亞胺環(imide ring)的有機聚合物，有機薄膜設置於基板的第一表面上及第一貫通孔中，其中，位於第一貫通孔中的有機薄膜具有至少一個第二貫通孔；元件陣列層，設置於有機薄膜上，其中，元件陣列層具有對應於該至少一個第二貫通孔的開孔；至少一個導電結構，設置於該至少一個第二貫通孔與該開孔中，且電性連接元件陣列層；顯示元件層，設置於元件陣列層上，且電性連接到元件陣列層；以及至少一條導線，設置於基板的第一表面與第二表面的至少其中之一，且電性連接該至少一個導電結構。

本發明實施例的顯示面板藉由設置於第一貫通孔中的有機薄膜，來形成孔徑更小的第二貫通孔，而無需使用價格昂貴的高精度雷射鑽孔機，如此一來，能夠以較低的成本製作出尺寸更小的通孔導電結構，並提升貫通孔的精度與顯示面板的解析度。再者，第二貫通孔中不會有由雷射鑽孔導致的殘留碳化物的問題，可容易在第二貫通孔中形成導電結構。另外，本發明實施例的顯示面板中的導電結構可以直接連接基板背面的導線，而使得導線無需先繞經基板的邊緣，因此，可以降低導線的斷線風險，並可不需要在周邊區設置電路佈局(circuit layout)的區域，從而實現窄邊框、甚至無邊框的顯示面板設計。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A是依照本發明一實施例的顯示面板10的上視示意圖。圖1B是圖1A的顯示面板10的區域I1的放大示意圖。圖1C是沿圖1B的線A-A’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔，圖1A省略了圖1B與圖1C中的除第二貫通孔H2以外的其他構件。圖1B省略了圖1C中的元件陣列層130、顯示元件層150以及驅動元件170。以下，請同時參照圖1A~圖1C，以清楚地理解顯示面板10的整體結構。

請參照圖1A~圖1C，顯示面板10包括：基板110、有機薄膜120、元件陣列層130、至少一個導電結構140、顯示元件層150以及至少一條導線160。基板110具有彼此相對的第一表面111與第二表面112，且基板110具有第一貫通孔H1。有機薄膜120的材料包括：具有醯亞胺環(imide ring)的有機聚合物。有機薄膜120設置於基板110的第一表面111上及第一貫通孔H1中。位於第一貫通孔H1中的有機薄膜120具有至少一個第二貫通孔H2。元件陣列層130設置於有機薄膜120上，且元件陣列層130具有對應於第二貫通孔H2的開孔TH。導電結構140設置於第二貫通孔H2與開孔TH中，且電性連接元件陣列層130。顯示元件層150設置於元件陣列層130上，且電性連接到元件陣列層130。導線160設置於基板110的第一表面111與第二表面112的至少其中之一，且電性連接導電結構140。

承上述，在本發明的一實施例的顯示面板10中，藉由設置於第一貫通孔H1中的有機薄膜120來形成孔徑更小的第二貫通孔H2，而無需使用價格昂貴的高精度雷射鑽孔機。如此一來，能夠以較低的成本製作出尺寸更小的通孔導電結構，同時提升貫通孔的精度。另外，設置於基板110的第一表面111與第二表面112的導線160可以透過導電結構140連接，而無需繞經基板110的周邊，因此，可以減小周邊區的面積，從而實現窄邊框、甚至無邊框的顯示面板設計。

以下，配合圖1A~圖1C，繼續說明顯示面板10的各個元件與膜層的實施方式，但本發明不以此為限。

請參照圖1A，顯示面板10具有顯示區AA與周邊區NA，且周邊區NA與顯示區AA相鄰。此處，顯示區AA是指：顯示面板10的主要進行影像顯示的區域。周邊區NA是指：顯示面板10的靠近邊緣的區域，可注意到，在周邊區NA中也可設置顯示元件層150，以顯示影像。在顯示面板10的顯示區AA與周邊區NA中，皆形成有多個第一貫通孔H1與第二貫通孔H2。圖1B與圖1C分別繪示了位於周邊區NA的區域I1 (如圖1A所示)的放大示意圖與剖面示意圖。然而，在其他實施例中，區域I1也可位於顯示區AA中。

基板110可以是柔性基板，其材質可以是聚醯亞胺、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚酯(polyester)、環烯共聚物(cyclic olefin copolymer, COC)、金屬鉻合物基材－環烯共聚物(metallocene-based cyclic olefin copolymer, mCOC)或其他適當材質，但本發明不以此為限。

基板110具有第一表面111與第二表面112，且第一表面111上可設置用以形成發光元件、開關元件、驅動元件、儲存電容、訊號線等的各種膜層。基板110還具有貫穿第一表面111與第二表面112的第一貫通孔H1。第一貫通孔H1的孔徑D1可以在10μm以上，例如是，孔徑D1可以介於15μm-100μm之間。第一貫通孔H1可以使用任何方式形成，例如雷射鑽孔、機械鑽孔等。

有機薄膜120設置於基板110的第一表面111上與第一貫通孔H1中。有機薄膜120的材質可以是有機聚合物，例如是：具有醯亞胺環的有機聚合物，像是聚醯亞胺或其衍生物，或是聚對苯二甲酸乙二酯或其衍生物。透過有機薄膜120的材質的適當的選擇(即，具有醯亞胺環的有機聚合物)，而可以在後續製程中，使得種晶層121能夠附著到有機薄膜120上，進而促進導電結構140的形成。在基板110上形成有機薄膜120的方式，可以採用旋塗(spin coating)製程，但本發明不限於此。

在第一貫通孔H1中的有機薄膜120可具有至少一個第二貫通孔H2。第一貫通孔H1的孔徑D1，大於第二貫通孔H2的孔徑D2。在一實施例中，在第一貫通孔H1中的有機薄膜120具有一個第二貫通孔H2。第二貫通孔H2的孔徑D2可以小於50μm，例如是，第二貫通孔H2的孔徑D2可以介於3μm至30μm之間。可以採用微影蝕刻製程(photolithography process)來形成第二貫通孔H2，而能夠製作精度高且孔徑小的第二貫通孔H2。如此一來，無需使用價格昂貴的高精度雷射鑽孔機，即能夠以較低的成本製作出尺寸更小的第二貫通孔H2。

元件陣列層130可以設置於有機薄膜120上。舉例而言，元件陣列層130可以包括：主動元件、以及連接主動元件的掃描線或資料線。主動元件例如是薄膜電晶體(Thin Film Transistor, TFT)。主動元件可以接收來自掃描線的訊號而進行開啟或關閉，並且，在主動元件的開啟時，將在資料線中傳遞的訊號，傳遞至顯示元件層150中。元件陣列層130具有開孔TH，此開孔TH對應於有機薄膜120中的第二貫通孔H2。因此，設置於第二貫通孔H2與開孔TH中的導電結構140，可以貫穿基板110與元件陣列層130。

在元件陣列層130的上表面，還可以設置接墊PD。元件陣列層130可以透過導電結構140與接墊PD而電性連接至其他元件，例如：元件陣列層130的掃描線與資料線，可以透過導電結構140而電性連接到設置於顯示面板10的周邊區NA的源極引腳與汲極引腳；另外，元件陣列層130的主動元件，可以透過接墊PD而電性連接到顯示元件層150。

顯示元件層150可設置於元件陣列層130上。顯示元件層150可以電性連接到導電結構140與元件陣列層130。顯示元件層150可以包括多個微型發光二極體元件(μ-LED)或多個有機發光二極體元件(OLED)等的自發光元件。當利用微型發光二極體元件或有機發光二極體元件等的點光源，來作為顯示元件層150的顯示元件時，還可使顯示面板10具有彎折特性。

只要顯示元件層150能夠與位於下方的元件陣列層130、導電結構140、導線160等進行電性連接，而受到驅動控制，則並不限定顯示元件層150的種類，在其他的實施例中，顯示元件層150也可以包括其他顯示元件，例如是液晶顯示元件。

可以只在基板110的第一表面111上、只在第二表面112上、或在第一表面111與第二表面112上，設置至少一條導線160；並且，導線160電性連接到導電結構140。導線160的材質可為金屬或合金，例如：金、銀、銅、鋁、鈦、鉬或其組合等，但本發明不限於此。請參照圖1C，在一實施例中，導線160可包括：位於第二表面112的導線161、與位於元件陣列層130上的導線163，導線161與導線163電性連接到導電結構140。舉例而言，導線163還可電性連接到元件陣列層130的掃描線或資料線。

顯示面板10還可以包括種晶層121。種晶層121設置於有機薄膜120與導電結構140之間，且設置於有機薄膜120與導線160之間。在電鍍製程中，種晶層121可作為電極，以利於電鍍溶液中的金屬附著到種晶層121，且使金屬進行沉積，進而形成導電結構140與導線160。種晶層121的材質可以是鎳鈀(Ni-Pd)，但本發明不限於此。種晶層121可以具有1,000Å ~3,000Å的厚度，較佳為2,000Å。

顯示面板10還可以包括驅動元件170。驅動元件170設置在基板110的第二表面112，且電性連接至導線161。驅動元件170可以包括時序電路172及補償電路174，且時序電路172及補償電路174分別電性連接到導線161。舉例而言，時序電路172發送的訊號可以經由導線161與導電結構140而傳遞至顯示元件層150，以控制顯示元件層150的發光時序。另外，補償電路174發送的訊號也可以經由導線161與導電結構140傳遞至顯示元件層150，以偵測並補償提供到顯示元件層150的發光元件的電流，使得顯示元件層150的發光元件的發光時間與光均勻度，都能夠得到精確的控制。

驅動元件170可以包括晶片，所述晶片可藉由晶粒-軟片接合製程(Chip On Film，COF)與基板110上的導線160接合。根據其它實施例，所述晶片也可藉由晶粒-玻璃接合製程(Chip On Glass，COG)、軟片式晶粒接合(Tape Automated Bonding，TAB)或其它方式與導線160接合。

承上述，元件陣列層130可以透過導線163、導電結構140以及導線161，而電性連接至基板110的背面(即，第二表面112)的驅動元件170，因此，導線163無需先繞經基板110的邊緣，而可以降低導線斷線的可能性，並可不需要在周邊區NA設置電路佈局的區域。再者，可在不使用昂貴的高精度雷射鑽孔機之前提下，製作出孔徑介於3μm至30μm之間的第二貫通孔H2，並且，進而提升第二貫通孔H2的製作精度與顯示面板10的解析度。同時，在第二貫通孔H2中並不會有由雷射鑽孔導致的殘留碳化物的問題，可容易在第二貫通孔H2中形成導電結構140。

在上述的實施例中，說明的是：在顯示面板的周邊區NA的區域I中的實施態樣。在以下的圖1D~圖6C的實施例中，說明的是：在顯示面板的顯示區AA中的實施態樣，並沿用圖1A~圖1C的實施例的元件標號與相關內容，其中，採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明，可參考圖1A~圖1C的實施例，在以下的說明中不再重述。

圖1D是沿圖1A的區域I2的線B-B’所作的剖面示意圖。與圖1A~圖1C所示的顯示面板10的區域I1中的結構相比，如圖1D所示的顯示面板10的區域I2中的結構的不同之處在於：(1)首先，區域I2位於顯示區AA；(2)再者，區域I2可以不設置驅動元件170，而由設置在區域I1的驅動元件170(如圖1C所示)來進行顯示面板10的驅動。當然，在其他實施例中，區域I2也可以設置驅動元件170，可進一步提升顯示面板10的驅動效能；(3)另外，請參照圖1D，元件陣列層130可包括：緩衝層131、半導體層132、閘極絕緣層133、閘極134、層間絕緣層135、源極136、汲極137以及平坦層138，其中，半導體層132、閘極134、源極136與汲極137構成主動元件AC。主動元件AC的半導體層132的材料，可以採用非晶矽(α-Si)、多晶矽(poly-Si)、或是氧化銦鎵鋅 (indium gallium zinc oxide, IGZO)。導電結構140的一端連接主動元件AC的源極136，導電結構140的另一端連接導線160。因此，導線160可以透過導電結構140而電性連接到主動元件AC的源極136。此外，導線160還可電性連接至設置於區域I1的驅動元件170(如圖1C所示)。

在圖1D所示的實施例中，導電結構140連接到主動元件AC的連接位置B1在基板110上的正投影，可與第一貫通孔H1在基板110上的正投影重疊。另外，導電結構140連接到主動元件AC的連接位置B1在基板110上的正投影，也可與第二貫通孔H2在基板110上的正投影重疊。如此一來，由於可以在第一貫通孔H1、第二貫通孔H2的上方直接製作元件陣列層130，所以，可降低斷線的風險，並且，可以減小導電結構140、主動元件AC及第一貫通孔H1在基板110上的正投影面積，從而提高顯示面板10的解析度。

圖1E是沿圖1A的區域I3的線C-C’所作的剖面示意圖。與圖1D所示的顯示面板10的區域I2中的結構相比，如圖1E所示的顯示面板10的區域I3中的結構的不同之處在於：導電結構140的一端連接到主動元件AC的閘極134；因此，請參照圖1E，導線160可以透過導電結構140而電性連接到主動元件AC的閘極134。此外，導線160也可電性連接至設置於區域I1的驅動元件170 (如圖1C所示)。

在圖1E所示的實施例中，導電結構140連接到主動元件AC的連接位置B2在基板110上的正投影，可與第一貫通孔H1在基板110上的正投影重疊。另外，導電結構140連接到主動元件AC的連接位置B2在基板110上的正投影，可與第二貫通孔H2在基板110上的正投影重疊。同樣地，由於可以在第一貫通孔H1、第二貫通孔H2的上方直接製作元件陣列層130，所以，可降低斷線的風險，並且，可以減小導電結構140、主動元件AC及第一貫通孔H1在基板110上的正投影面積，從而提高顯示面板10的解析度。

圖2A是依照本發明一實施例的顯示面板20A的上視示意圖。圖2B是圖2A的顯示面板的區域II的放大示意圖。圖2C是沿圖2B的線D-D’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔，圖2A省略了圖2B與圖2C中的除第二貫通孔H2以外的其他構件。圖2B省略了圖2C中的元件陣列層130與顯示元件層150。

請參照圖2A~圖2C，顯示面板20A包括：基板110、有機薄膜120、元件陣列層130、多個導電結構140、顯示元件層150以及多條導線160。基板110具有彼此相對的第一表面111與第二表面112，且基板110具有第一貫通孔H1。有機薄膜120設置於基板110的第一表面111上及第一貫通孔H1中。位於第一貫通孔H1中的有機薄膜120具有至少兩個第二貫通孔H2。元件陣列層130設置於有機薄膜120上，且元件陣列層130具有對應於第二貫通孔H2的開孔TH。多個導電結構140分別設置於第二貫通孔H2與開孔TH中，且分別電性連接元件陣列層130。顯示元件層150設置於元件陣列層130上，且電性連接到元件陣列層130。多條導線160設置於基板110的第一表面111與第二表面112的至少其中之一，且分別電性連接導電結構140。

與圖1A~圖1C所示的顯示面板10的區域I1中的結構相比，如圖2A~圖2C所示的顯示面板20A的區域II中的結構的不同之處在於：(1)首先，區域II位於顯示區AA；(2)再者，在第一貫通孔H1中的有機薄膜120具有兩個第二貫通孔H2；(3)另外，元件陣列層130的兩個開孔TH，分別對應於有機薄膜120中的兩個第二貫通孔H2；(4)並且，設置於第二貫通孔H2與開孔TH中的導電結構140包括兩個導電結構141、142；(5)顯示元件層150採用了微型發光二極體元件151，且微型發光二極體元件151的接墊Pa、Pb，分別電性連接到導電結構141、142；(6)導線160可包括：位於第二表面112的導線161、162、以及位於元件陣列層130上的導線163、164。可注意到，兩條導線161、162設置於基板110的第二表面112，並且，兩條導線161、162從導電結構141、142的位置，分別朝向彼此相反的方向延伸(如圖2B所示)；(7)而且，顯示面板20A於顯示區AA中設置驅動元件170(如圖1C所示)。

在圖2C的實施例中，微型發光二極體元件151可以透過接墊Pa、Pb而分別連接導線163、164。這些導線163、164再分別透過導電結構141、142而連接導線161、162。接著，這些導線161、162再分別連接至設置於第二表面112的驅動元件(未繪示於圖2C中)，例如，可採用圖1C所示的驅動元件170。

在一實施例中，第二貫通孔H2的孔徑D2可以小於40μm，例如是，第二貫通孔H2的孔徑D2可以介於3μm至30μm之間。另外，相鄰的兩個第二貫通孔H2之間的距離D3可以大於2μm，例如是，相鄰的兩個第二貫通孔H2之間的距離D3可以介於3μm至30μm之間。可以採用微影蝕刻製程來形成第二貫通孔H2，而能夠製作精度高且孔徑小的第二貫通孔H2。如此一來，無需使用價格昂貴的高精度雷射鑽孔機，能夠以較低的成本製作出尺寸更小的第二貫通孔H2。

上述的顯示面板20A藉由設置於第一貫通孔H1中的有機薄膜120，來形成孔徑更小的兩個第二貫通孔H2，進而提升第二貫通孔H2的製作精度與顯示面板20A的解析度。再者，第二貫通孔H2可採用微影蝕刻製程來製作，所以，不會有由雷射鑽孔所導致的殘留碳化物的問題，可有助於在第二貫通孔H2中形成導電結構141、142。另外，元件陣列層130與顯示元件層150可以通過導電結構141、142直接電性連接位於第二表面112的導線161、162，如此一來，可降低導線斷線的可能性，並減小周邊區NA的面積，從而實現窄邊框、甚至無邊框的顯示面板設計。

圖3A至圖3H為圖2C所示的顯示面板20A的製作方法的步驟流程的剖面示意圖。以下，配合圖3A~圖3H，以說明顯示面板20A的製作方法。

請參照圖3A，首先，提供載板101，並將基板110固定於載板101。舉例而言，載板101的材料可以是玻璃、不鏽鋼、或是其它可適用的材料。在一實施例中，基板110的材料可以是聚醯亞胺。

將基板110固定於載板101的方式並無特別限制。舉例而言，可以先提供一片具有第一表面111與第二表面112的基板110，接著，將基板110的第二表面112藉由壓合的方式固定於載板101上；或者，可以藉由旋塗的方式將聚醯亞胺的溶液塗佈於載板101上，以形成聚醯亞胺薄膜，之後，再對聚醯亞胺薄膜進行熱處理，即可得到如圖3A所示的固定於載板101的基板110。

接著，請參照圖3B，使用一般的雷射鑽孔機102對基板110進行雷射鑽孔，以在基板110中形成第一貫通孔H1。第一貫通孔H1具有孔徑D1，孔徑D1可以在10μm以上，例如是，孔徑D1可以介於15μm-50μm之間。舉例而言，孔徑D1可以約為20μm。

接著，請參照圖3C，在基板110的第一表面111上與第一貫通孔H1中，形成經圖案化的有機薄膜120。如前所述，有機薄膜120的材質可以是聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、或其衍生物。有機薄膜120的形成方式可以採用旋塗製程。有機薄膜120的圖案化方式可以採用微影蝕刻製程，但本發明不以此為限。經圖案化的有機薄膜120在第一貫通孔H1中具有兩個第二貫通孔H2。第二貫通孔H2的孔徑D2可以小於40μm，例如是，第二貫通孔H2的孔徑D2可以介於3μm至30μm之間，並且，相鄰的兩個第二貫通孔H2之間的距離D3可以大於2μm，例如是，相鄰的兩個第二貫通孔H2之間的距離D3可以介於3μm至30μm之間。

接著，請參照圖3D，在有機薄膜120上形成元件陣列層130，且元件陣列層130具有開孔TH。這些開孔TH對應於有機薄膜120中的第二貫通孔H2。此外，元件陣列層130的上表面還可以形成多個接墊PD，使得元件陣列層130中的主動元件或訊號線可以透過接墊PD而連接其他元件。元件陣列層130的結構類似於圖1D、圖1E所示，在此不予以重述。元件陣列層130的形成方法，可採用化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition, PVD)、旋塗等的薄膜沉積製程、以及對所沉積的薄膜進行圖案化的微影製程和蝕刻製程，可視需要使用上述製程，來形成具有開孔TH的元件陣列層130。

接著，請參照圖3E，將載板101與基板110分離。分離載板101與基板110的方式，可以使用雷射剝離、機械剝離等。

接著，請參照圖3F，將基板110及其上的有機薄膜120與元件陣列層130，浸入到裝有化學開環溶液21的槽20中，進行開環導電化處理，以在基板110與有機薄膜120的曝露表面上形成種晶層121。種晶層121的材質可以是鎳鈀(Ni-Pd)。種晶層121的厚度例如是2000Å。

接著，請參照圖3G，將基板110及其上的有機薄膜120與元件陣列層130，浸入到裝有電鍍液31的槽30中，以進行電鍍製程。電鍍液31可以是銅電鍍液，但本發明不以此為限。在此步驟中，種晶層121可作為電鍍製程的電極，因此，可以先在種晶層121的表面形成金屬層，而後，金屬層可成長並從第二貫通孔H2延伸至開孔TH及接墊PD的表面，從而形成位在開孔TH與第二貫通孔H2中的導電結構140、位在接墊PD的表面上的導線163、164、以及位在第二表面112上的導線160。導線160的厚度例如是1μm。

接著，請參照圖3H，藉由微影製程與蝕刻製程，將位於第二表面112上的導線160與種晶層121進行圖案化，以形成彼此電性獨立的導線161、162。

之後，可再藉由例如巨量轉移製程，將微型發光二極體元件151的接墊Pa、Pb分別與導線163、164接合，即可完成如圖2C所示的顯示面板20A。

在本發明的顯示面板的製作方法中，由於有機薄膜120的材料包括：具有醯亞胺環的有機聚合物，因此，可藉由有機薄膜120與基板110(含有聚醯亞胺)在化學上的同質性，使化學開環溶液21容易附著到基板110與有機薄膜120的曝露表面上，而形成種晶層121。種晶層121可於後續電鍍製程中作為電極，以便形成導電結構140與導線160。

圖4A是依照本發明一實施例的顯示面板20B的上視示意圖。圖4B是圖4A的顯示面板20B的區域III的放大示意圖。圖4C是沿圖4B的線E-E’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔，圖4A省略了圖4B與圖4C中的除第二貫通孔H2以外的其他構件。圖4B省略了圖4C中的元件陣列層130與顯示元件層150。

與圖2A~圖2C所示的顯示面板20A的區域II中的結構相比，如圖4A~圖4C所示的顯示面板20B的區域III中的結構的不同之處在於：位於第二表面112的兩條導線161、162從導電結構141、142的位置，分別朝向彼此垂直的方向延伸。如圖4B所示，兩條導線161、162的延伸方向大致相互垂直。

在圖4C的實施例中，顯示元件層150採用了微型發光二極體元件152。微型發光二極體元件152可以透過接墊Pa、Pb而分別連接導線163、164。這些導線163、164再分別透過導電結構141、142而連接導線161、162。接著，這些導線161、162再分別連接至設置於第二表面112的驅動元件(未繪示於圖4C中)，例如，可採用圖1C所示的驅動元件170。

上述的顯示面板20B藉由設置於第一貫通孔H1中的有機薄膜120，來形成孔徑更小的兩個第二貫通孔H2，進而提升第二貫通孔H2的製作精度與顯示面板20B的解析度。再者，第二貫通孔H2可採用微影蝕刻製程來製作，所以，不會有由雷射鑽孔所導致的殘留碳化物的問題，可有助於在第二貫通孔H2中形成導電結構141、142。另外，元件陣列層130與顯示元件層150可以通過導電結構141、142直接電性連接位於第二表面112的導線161、162，如此一來，可降低導線斷線的可能性，並減小周邊區NA的面積，從而實現窄邊框、甚至無邊框的顯示面板設計。

圖5A是依照本發明一實施例的顯示面板20C的上視示意圖。圖5B是圖5A的顯示面板的區域IV的放大示意圖。圖5C是沿圖5B的線F-F’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔，圖5A省略了圖5B與圖5C中的除第二貫通孔H2以外的其他構件。圖5B省略了圖5C中的元件陣列層130與顯示元件層150。

與圖2A~圖2C所示的顯示面板20A的區域II中的結構相比，如圖5A~圖5C所示的顯示面板20C的區域IV中的結構的不同之處在於：(1)首先，位於第一貫通孔H1中的有機薄膜120具有三個第二貫通孔H2；(2)再者，元件陣列層130的三個開孔TH，分別對應於有機薄膜120中的三個第二貫通孔H2；(3)接著，設置於第二貫通孔H2與開孔TH中的導電結構140包括三個導電結構143、144、145；(4)並且，顯示元件層150包括微型發光二極體元件153。微型發光二極體元件153包括接墊Pa、Pb、Pc；(5)再者，導線160包括：設置於第二表面112的三條導線161、162、165，以及設置於元件陣列層130上的三條導線163、164、166。導線161、165、162可以從導電結構143、144、145的位置，分別朝向不同的方向延伸。

在圖5C的實施例中，顯示元件層150採用了微型發光二極體元件153。微型發光二極體元件153可以透過接墊Pa、Pb、Pc而分別連接導線163、166、164。這些導線163、166、164再分別透過導電結構143、144、145而連接導線161、165、162。接著，這些導線161、165、162再分別連接至設置於第二表面112的電路，例如驅動元件或電源線。此外，微型發光二極體元件153的接墊Pa、Pb、Pc可以包括一個P型接墊與兩個N型接墊，如此一來，可有助於電流均勻分布，從而提高微型發光二極體元件153的發光效率。

圖6A是依照本發明一實施例的顯示面板20D的上視示意圖。圖6B是圖6A的顯示面板的區域V的放大示意圖。圖6C是沿圖6B的線G-G’所作的剖面示意圖。為了使圖式的表達較為簡潔，圖6A省略了圖6B與圖6C中的除第二貫通孔H2以外的其他構件。圖6B省略了圖6C中的元件陣列層130與顯示元件層150。

與圖2A~圖2C所示的顯示面板20A的區域II中的結構相比，如圖6A~圖6C所示的顯示面板20D的區域V中的結構的不同之處在於：(1)在第一貫通孔H1中的有機薄膜120具有四個第二貫通孔H2；(2)元件陣列層130的四個開孔TH分別對應於有機薄膜120中的四個第二貫通孔H2；(3)設置於第二貫通孔H2與開孔TH中的導電結構140包括四個導電結構146、147、148、149；(4)顯示元件層150可包括兩個微型發光二極體元件154。每一個微型發光二極體元件154各有兩個接墊Pa、Pb (圖6C中只繪示了一個微型發光二極體元件154)；(5)導線160包括：位於第二表面112的四條導線161、162、167、168，以及位於元件陣列層130上的兩條導線163與兩條導線164。兩條導線161、162可以分別從導電結構146、147的位置，朝向相同的方向延伸，並且，另外兩條導線167、168可以分別從導電結構148、149的位置，朝向彼此相反的方向延伸。

在圖6A~圖6C的實施例中，顯示元件層150採用了微型發光二極體元件154。兩個微型發光二極體元件154可以分別透過接墊Pa、Pb連接兩組導線163、164。兩組導線163、164再分別透過導電結構146、147、148、149連接導線161、162、167、168。導線161、162、167、168再分別連接至設置於第二表面112的電路，例如驅動元件或電源線。藉由在每一個第一貫通孔H1中的有機薄膜120，設置四個第二貫通孔H2，而能夠在單位區域中設置更多的微型發光二極體元件154，由此使得顯示面板20D的解析度更加提升。

圖7是依照本發明一實施例的顯示面板100的上視示意圖。顯示面板100是由多個顯示面板20拼接而成的大尺寸面板，例如電視牆。在一實施例中，多個顯示面板20可以是如上所述的顯示面板20A、20B、20C、20D、或其組合。雖然圖7繪示的顯示面板100是由8個顯示面板20拼接而成的，然而，顯示面板20的數量可以視需求而調整，本發明不以此為限。

由於顯示面板20A、20B、20C、20D可以實現極窄邊框或無邊框的顯示面板設計，因此，顯示面板30可極小化、甚至排除邊框的視覺干擾，從而呈現接近無縫拼接的理想畫面。

綜上所述，本發明的顯示面板至少具有以下的技術效果：藉由設置於第一貫通孔中的有機薄膜來形成孔徑更小的第二貫通孔，而無需使用價格昂貴的高精度雷射鑽孔機，如此一來，能夠以較低的成本製作出尺寸更小的通孔導電結構，並提升貫通孔的精度與顯示面板的解析度。由於主動元件或顯示元件可以經由第二貫通孔中的導電結構，而電性連接到驅動元件，因此，可以免除周邊走線的設置，同時降低導線斷線的風險，從而實現無邊框的顯示面板設計。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、20、20A、20B、20C、20D、100:顯示面板 20、30:槽 21:化學開環溶液 31:銅電鍍液 101:載板 110:基板 111:第一表面 112:第二表面 120:有機薄膜 121:種晶層 130:元件陣列層 131:緩衝層 132:半導體層 133:閘極絕緣層 134:閘極 135:層間絕緣層 136:源極 137:汲極 138:平坦層 140、141、142、143、144、145、146、147、148、149:導電結構 150:顯示元件層 151、152、153、154:微型發光二極體元件 160、161、162、163、164、165、166、167、168:導線 170:驅動元件 172:時序電路 174:補償電路 A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’、G-G’:線 AA:顯示區 AC:主動元件 B1、B2:連接位置 D1、D2:孔徑 D3:距離 H1:第一貫通孔 H2:第二貫通孔 I1、I2、I3、II、III、IV、V、:區域 NA:周邊區 Pa、Pb、Pc:接墊 PD:接墊 TH:開孔

圖1A是依照本發明一實施例的顯示面板10的上視示意圖。圖1B是圖1A的顯示面板10的區域I1的放大示意圖。圖1C是沿圖1B的線A-A’所作的剖面示意圖。圖1D是沿圖1A的區域I2的線B-B’所作的剖面示意圖。圖1E是沿圖1A的區域I3的線C-C’所作的剖面示意圖。圖2A是依照本發明一實施例的顯示面板20A的上視示意圖。圖2B是圖2A的顯示面板的區域II的放大示意圖。圖2C是沿圖2B的線D-D’所作的剖面示意圖。圖3A至圖3H為圖2C所示的顯示面板20A的製作方法的步驟流程的剖面示意圖。圖4A是依照本發明一實施例的顯示面板20B的上視示意圖。圖4B是圖4A的顯示面板20B的區域III的放大示意圖。圖4C是沿圖4B的線E-E’所作的剖面示意圖。圖5A是依照本發明一實施例的顯示面板20C的上視示意圖。圖5B是圖5A的顯示面板的區域IV的放大示意圖。圖5C是沿圖5B的線F-F’所作的剖面示意圖。圖6A是依照本發明一實施例的顯示面板20D的上視示意圖。圖6B是圖6A的顯示面板的區域V的放大示意圖。圖6C是沿圖6B的線G-G’所作的剖面示意圖。圖7是依照本發明一實施例的顯示面板100的上視示意圖。

110:基板

111:第一表面

112:第二表面

120:有機薄膜

121:種晶層

130:元件陣列層

140、141、142:導電結構

150:顯示元件層

151:微型發光二極體元件

160、161、162、163、164:導線

D-D’:線

D1、D2:孔徑

D3:距離

H1:第一貫通孔

H2:第二貫通孔

Pa、Pb:接墊

PD:接墊

TH:開孔

Claims

一種顯示面板，包括：一基板，具有彼此相對的一第一表面與一第二表面，其中，該基板具有一第一貫通孔；一有機薄膜，設置於該基板的該第一表面上及該第一貫通孔中，其中，位於該第一貫通孔中的該有機薄膜具有至少兩個第二貫通孔；一元件陣列層，設置於該有機薄膜上，其中，該元件陣列層具有對應於該些第二貫通孔的開孔；多個導電結構，分別設置於該些第二貫通孔與該些開孔中，且分別電性連接該元件陣列層；一顯示元件層，設置於該元件陣列層上，且電性連接到該元件陣列層；以及多條導線，設置於該基板的該第一表面與該第二表面的至少其中之一，且分別電性連接該些導電結構。
如請求項1所述的顯示面板，其中，該有機薄膜的有機聚合物是選自於聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、及其衍生物。
如請求項1所述的顯示面板，其中，該第一貫通孔的孔徑，大於每一該些第二貫通孔的孔徑。
如請求項1所述的顯示面板，其中，每一該些第二貫通孔的孔徑介於3μm至30μm之間。
如請求項1所述的顯示面板，其中，相鄰的兩個該些第二貫通孔之間的距離介於3μm至30μm之間。
如請求項1所述的顯示面板，其中，該些導電結構分別電性連接該元件陣列層的一主動元件的源極或閘極。
如請求項6所述的顯示面板，其中，該導電結構連接到該主動元件的連接位置在該基板上的正投影，與該第一貫通孔在該基板上的正投影重疊。
如請求項6所述的顯示面板，其中，該導電結構連接到該主動元件的連接位置在該基板上的正投影，與該第二貫通孔在該基板上的正投影重疊。
如請求項1所述的顯示面板，其中，兩條該些導線設置於該基板的該第二表面，兩條該些導線從該些導電結構的位置，分別朝向彼此相反的方向延伸。
如請求項1所述的顯示面板，其中，兩條該些導線設置於該基板的該第二表面，兩條該些導線從該些導電結構的位置，分別朝向彼此垂直的方向延伸。
如請求項1所述的顯示面板，其中，位於該第一貫通孔中的該有機薄膜，具有三個第二貫通孔，三條該些導線設置於該基板的該第二表面，三條該些導線從該些導電結構的位置，分別朝向不同的方向延伸。
如請求項1所述的顯示面板，其中，位於該第一貫通孔中的該有機薄膜，具有四個第二貫通孔，四條該些導線設置於該基板的該第二表面，其中兩條該些導線從該些導電結構的位置，分別朝向相同的方向延伸，另外兩條該些導線從該些導電結構的位置，分別朝向彼此相反的方向延伸。
如請求項1所述的顯示面板，其中，該些導線各自為電性獨立，分別電性連接到：該元件陣列層的一主動元件的一閘極、該元件陣列層的一主動元件的一源極、該元件陣列層的一掃描線、或該元件陣列層的一資料線。
如請求項1所述的顯示面板，更包括：一驅動元件，該驅動元件包括一時序電路及一補償電路，其中，該時序電路及該補償電路分別電性連接該些導線。
如請求項1所述的顯示面板，其中，該顯示元件層包括：多個微型發光二極體元件、或多個有機發光二極體元件。
如請求項1所述的顯示面板，更包括：一種晶層，設置於該有機薄膜與該些導電結構之間，且設置於該有機薄膜與該些導線之間。
如請求項1所述的顯示面板，其中，該顯示面板具有一顯示區與一週邊區，該第一貫通孔與該些第二貫通孔設置於該顯示區、或設置於該週邊區。
一種顯示面板，包括：一基板，具有彼此相對的一第一表面與一第二表面，其中，該基板具有一第一貫通孔；一有機薄膜，該有機薄膜的材料包括：具有醯亞胺環的有機聚合物，該有機薄膜設置於該基板的該第一表面上及該第一貫通孔中，其中，位於該第一貫通孔中的該有機薄膜具有至少一個第二貫通孔；一元件陣列層，設置於該有機薄膜上，其中，該元件陣列層具有對應於該至少一個第二貫通孔的開孔；至少一個導電結構，設置於該至少一個第二貫通孔與該開孔中，且電性連接該元件陣列層；一顯示元件層，設置於該元件陣列層上，且電性連接到該元件陣列層；以及至少一條導線，設置於該基板的該第一表面與該第二表面的至少其中之一，且電性連接該至少一個導電結構。