JP5775712B2 - 表示装置 - Google Patents
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絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されたゲート電極及び第1信号配線と、前記ゲート電極及び前記第1信号配線を覆う第1絶縁膜と、前記ゲート電極の直上の位置を含む前記第1絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層の一部を覆うとともにその領域を挟んだ両側で前記酸化物半導体層を露出し、且つ、前記第1信号配線の直上の位置を含む前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜から露出した前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記第2絶縁膜上に形成されるとともに前記第1信号配線と交差する第2信号配線と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極の直上の位置を含む領域に形成された酸化物半導体層、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に介在する第1層間絶縁膜、前記酸化物半導体層の一部を覆うとともにその領域を挟んだ両側で前記酸化物半導体層を露出するチャネル保護膜、及び、前記チャネル保護膜から露出した前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、前記絶縁基板上に形成された第1信号配線、前記第1信号配線と交差する第2信号配線、及び、前記第1信号配線と前記第2信号配線との間に介在するとともに前記第1層間絶縁膜よりも厚い膜厚を有する第2層間絶縁膜からなる配線交差部と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されたゲート電極、第1信号配線、及び、補助容量線と、前記ゲート電極、前記第1信号配線、及び、前記補助容量線を覆う第1絶縁膜と、前記ゲート電極の直上の位置を含む前記第1絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、前記第1信号配線の直上の位置を含む前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に形成されるとともに前記第1信号配線と交差する第2信号配線と、前記補助容量線の直上の位置を含む前記第1絶縁膜上に形成された容量形成部と、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極を覆う第1絶縁膜、前記ゲート電極の直上の位置を含む前記第1絶縁膜上に形成された酸化物半導体層、及び、前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、前記絶縁基板上に形成された第1信号配線、前記薄膜トランジスタから延在し前記第1信号配線を覆う前記第1絶縁膜、前記ゲート配線の直上の位置を含む前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜、及び、前記第2絶縁膜上に形成されるとともに前記第1信号配線と交差する第2信号配線からなる配線交差部と、前記絶縁基板上に形成された補助容量線、前記配線交差部から延在し前記補助容量線を覆う前記第1絶縁膜、及び、前記補助容量線の直上の位置を含む前記第1絶縁膜上に形成された容量形成部からなるキャパシタと、を備えたことを特徴とする半導体装置が提供される。
薄膜トランジスタA、配線交差部B、キャパシタC、及び、配線引出部Dは、場合によってはさらに絶縁膜によって覆われ、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス装置などの各種アクティブマトリクスディスプレイデバイスのスイッチング素子などとして適用される。
10…絶縁基板
11…ゲート電極 12…ゲート配線 13…補助容量線
14…第1絶縁膜
15…酸化物半導体層
16…ソース電極 17…ドレイン電極
18…第2絶縁膜
19…ソース配線 20…容量形成部
A…薄膜トランジスタ
B…配線交差部
C…キャパシタ
D…配線引出部
Claims (10)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されたゲート電極、第1信号配線、及び補助容量線と、
前記ゲート電極、前記第1信号配線、及び前記補助容量線を覆う第1絶縁膜と、
前記ゲート電極の直上の位置を含む前記第1絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の一部を覆うとともに当該領域を挟んだ両側で前記酸化物半導体層を露出し、且つ、前記第1信号配線の直上の位置を含む前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜から露出した前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記第2絶縁膜上に形成されるとともに、前記第1信号配線と重なる第2信号配線と、
前記第1絶縁膜上に形成されるとともに、前記補助容量線と重なる容量形成部と、
を備え、
前記容量形成部は、前記第1絶縁膜上に位置し前記酸化物半導体層と同一材料によって形成された下地導電層と、前記下地導電層に積層された主電極部と、を備え、
前記下地導電層は、還元性のフッ素を少なくとも含むガス、あるいは、還元性のフッ素及び水素を少なくとも含むガスに晒されることによって還元され、前記酸化物半導体層よりも低抵抗化されたことを特徴とする表示装置。 - 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されたゲート電極、第1信号配線、及び補助容量線と、
前記ゲート電極、前記第1信号配線、及び前記補助容量線を覆う第1絶縁膜と、
前記ゲート電極の直上の位置を含む前記第1絶縁膜上に形成された酸化物半導体層と、
前記第1信号配線の直上の位置を含む前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜と、
前記酸化物半導体層の、前記ゲート電極の直上の位置を挟んだ両側で前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極と、
前記第2絶縁膜上に形成されるとともに、前記第1信号配線と重なる第2信号配線と、
前記第1絶縁膜上に形成されるとともに、前記補助容量線と重なる容量形成部と、
を備え、
前記容量形成部は、前記第1絶縁膜上に位置し前記酸化物半導体層と同一材料によって形成された下地導電層と、前記下地導電層に積層された主電極部と、を備え、
前記下地導電層は、還元性のフッ素を少なくとも含むガス、あるいは、還元性のフッ素及び水素を少なくとも含むガスに晒されることによって還元され、前記酸化物半導体層よりも低抵抗化されたことを特徴とする表示装置。 - 前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜は、シリコン酸化物(SiOx)、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸窒化物(SiON)のいずれかの材料によって形成されたことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表示装置。
- 前記第2絶縁膜の膜厚は、前記第1絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記第1絶縁膜の誘電率は、前記第2絶縁膜の誘電率よりも高いことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の表示装置。
- 前記第1絶縁膜は、タンタル酸化物(Ta2O5)、ハフニウム酸化物(HfO2)、ジルコニウム酸化物(ZrO2)、ハフニウムシリケート(HfSixOy)、ジルコニウムシリケート(ZrSixOy)、アルミナ(Al2O3)、ハフニウムアルミネート(Hf1−xAlxOy)、ジルコニウムアルミネート(Zr1−xAlxOy)のいずれかの材料によって形成され、
前記第2絶縁膜は、シリコン酸化物(SiOx)、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸窒化物(SiON)のいずれかの材料によって形成されたことを特徴とする請求項5に記載の表示装置。 - 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極の直上の位置を含む領域に形成された酸化物半導体層、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に介在する第1層間絶縁膜、前記酸化物半導体層の一部を覆うとともにその領域を挟んだ両側で前記酸化物半導体層を露出するチャネル保護膜、及び、前記チャネル保護膜から露出した前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、
前記絶縁基板上に形成された第1信号配線、前記第1信号配線と交差する第2信号配線、及び、前記第1信号配線と前記第2信号配線との間に介在するとともに前記第1層間絶縁膜よりも厚い膜厚を有する第2層間絶縁膜を備えた配線交差部と、
前記絶縁基板上に形成された補助容量線、前記補助容量線を覆う前記第1層間絶縁膜、及び、前記第1層間絶縁膜上に形成されるとともに、前記補助容量線と重なる容量形成部を備えたキャパシタと、
を備え、
前記容量形成部は、前記第1絶縁膜上に位置し前記酸化物半導体層と同一材料によって形成された下地導電層と、前記下地導電層に積層された主電極部と、を備え、
前記下地導電層は、還元性のフッ素を少なくとも含むガス、あるいは、還元性のフッ素及び水素を少なくとも含むガスに晒されることによって還元され、前記酸化物半導体層よりも低抵抗化されたことを特徴とする表示装置。 - 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極の直上の位置を含む領域に形成された酸化物半導体層、前記ゲート電極と前記酸化物半導体層との間に介在する第1層間絶縁膜、及び、前記酸化物半導体層の、前記ゲート電極の直上の位置を挟んだ両側で前記酸化物半導体層にそれぞれ電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと、
前記絶縁基板上に形成された第1信号配線、前記第1信号配線と交差する第2信号配線、及び、前記第1信号配線と前記第2信号配線との間に介在するとともに前記第1層間絶縁膜よりも厚い膜厚を有する第2層間絶縁膜を備えた配線交差部と、
前記絶縁基板上に形成された補助容量線、前記補助容量線を覆う前記第1層間絶縁膜、及び、前記第1層間絶縁膜上に形成されるとともに、前記補助容量線と重なる容量形成部を備えたキャパシタと、
を備え、
前記容量形成部は、前記第1絶縁膜上に位置し前記酸化物半導体層と同一材料によって形成された下地導電層と、前記下地導電層に積層された主電極部と、を備え、
前記下地導電層は、還元性のフッ素を少なくとも含むガス、あるいは、還元性のフッ素及び水素を少なくとも含むガスに晒されることによって還元され、前記酸化物半導体層よりも低抵抗化されたことを特徴とする表示装置。 - 前記第1層間絶縁膜及び前記第2層間絶縁膜は、シリコン酸化物(SiOx)、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸窒化物(SiON)のいずれかの材料によって形成されたことを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の表示装置。
- 前記第2層間絶縁膜の膜厚は、前記第1層間絶縁膜の膜厚よりも厚いことを特徴とする、請求項7乃至請求項9のいずれか1項に記載の表示装置。
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