TW500787B - Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence - Google Patents

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Paul E Burrows
Stephen R Forrest
Mark E Thompson
Sergey Lamansky
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500787 第891〇939〇號專利申請案 中文說明書修正頁（91年元月） 五、發明説明（
I. 發明範圍 本發明提出一種包括發射層之有機發光裝置（OLEDs)，該 發射層包含有機金屬磷光摻雜劑化合物，該裝置包含激子 阻擋層。 II. 發明背景 II.A· —般背景 有機發光裝置（OLEDs)由數種有機層組成，其中一層由有 機材料組成，可由對該裝置施加電壓使該材料電致發光， C· W·唐（Tang)等人，應用物理通信（Appl. Phys. Lett·)， 1987 ’ 51，913。某些OLEDs在作為替代性技術用於以LCD 為基礎的全色平板顯示屏時，顯示有足夠亮度、顏色範圍 及使用壽命。[S.R·弗瑞斯（Forrest)，Ρ·Ε·布若斯（Burrows) 和Μ·Ε.托馬森（Thompson)，激光中心世界（Laser Focus World) ’ 1995年2月]。由於此類裝置所用之多種有機薄膜 在可見光譜區域透明，所以容許實現一種全新類型顯示像 素’其中紅（R)、綠（G)及藍（B)光發射OLEDs係以垂直層 疊幾何結構放置提供簡單製造制程、小型R_G-B像素大小 及大型填充因素，國際專利申請案第PCT/US95/15790號。 透明OLED(TOLED)代表實現高分辨率、獨立可選址層疊R-G-B像素之重要步驟，其報告於國際專利申請案第pCT/ljS97/02681 號，其中TOLED斷開時，具大於71%之透明度，接通時，自上部 和下部裝置表面以高效率發光（接近1%量子效率）。該TQLED用透 明氧化錫銦（indium tin oxide) (ITO)用作空穴（hole) -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（21〇Χ 297公釐） 500787 A7 B7_ 五、發明說明（2 ) 注入電極，而以Mg-Ag-ITO電極層用於電子注入。在所揭 示裝置中，Mg.-Ag-ITO層之ITO侧作爲空穴-注入接觸用 於在該TOLED上部層疊第二種不同顏色發射OLED。經層 疊OLED (SOLED)中各層係獨立選址，且發射自身特徵顏 色。該有色發射能夠透過相鄰之經層疊、透明、獨立選址 有機層和透明接觸層及玻璃基材，使裝置能夠藉由改變紅 和藍色發射層之相對輸出而發出任何顏色。 PCT/US第95/15790號申請案揭示一種復合SOLED，在可 調諧顏色顯示裝置中可用外部電源獨立改變及控制光亮度 及顏色。該PCT/US第95/15790號申請案闡述一種完全復 合、完全顏色像素之方法，該像素提供高圖象分辯率，且 可由小型像素大小產生。另外，與先前技藝比較，可用相 當低代價製造技術製造此類裝置。 II.B.發射背景 該裝置使用有機光電材料層，且依一般機理導致發光。 通常，該機理係以俘獲電荷之發光復合爲基礎。具體而 言，OLED s以至少兩種有機薄層分隔該裝置之陽極和陰 極。此等層的一種材料明確以材料傳送空穴能力爲選擇基 礎（空穴傳送層）（HTL)，另一層材料以其傳送電子能力爲 基礎（電子傳送層_)(ETL)。使用如此結構，可看到在對陽 極施加之電勢高於對陰極之電勢時，該裝置作爲二極管具 正向偏壓。在此等偏壓條件下，陽極將空穴（正電荷載體） 注入空穴傳送層，而陰極將電子注入電子傳送層。因而， 與陽極鄰接之發光介質部分形成空穴注入及傳送區域，與 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------— — — — — 果.I I I (請先閱讀背面之注音？事項本頁) tl_ - -綉· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500787 第89109390號專利申請案 厂=〜一〜〜〜、 中文說明書修正頁（91年元月） A7 | ：. ： . rr：l _ __B7 I 。 〔Γ ' 五 Υ 發明説明 p~~) ~ 陰極鄰接之發光介質部分形成電子注入及傳送區域。經注 入2穴及電子分別朝相反帶電電極方向遷移。當電子和空 穴集中在同一分子時，形成弗侖克爾（Frenkel)激子。在某 些條件（較佳由光發射機制）鬆他（弛豫）發生下，電子自傳導 勢（conduction potential)下降至價帶（valence band)時 可見到該短-壽命態之再結合。在觀察操作一般薄層有機裝 置之機制下’該電致發光層包括自各電極接收流動電荷载 體（電子及空穴）之發光區域。 一般係經由螢光或磷光自OLEDs發光。使用磷光存在一 ik問遞。頃注意到在兩電泥密度時鱗光迅速降低。可能由 於長磷光壽命導致發射部位飽和，三態（triplet)•三態消失 可能產生效率損失。螢光和磷光的另一種差異為，能量自 導電主體分子至發光客體分子之三態轉移一般慢於單態 (singlet)轉移；根據自旋對稱守恒定律，長範圍偶極子-偶 極子偶合作用[弗斯特（Ferster)轉移]支配單態能量轉移， (理論上）禁戒三重態。因此，對三態而言，能量轉移一般由 激子擴散至相鄰分子產生[德克斯特（Dexter)轉移];給體和 受體的激子波函數有意義交疊對能量轉移非常關鍵。另一 問題為，三態擴散長度（如，>14〇〇A)—般比單態擴散長度 (約200A)長。因而，如果欲使磷光裝置取得其勢能，裝置 結構需對二態性能最佳。在本發明中，我們用長三態擴散 長度性能改良外量子效率。 成功利用磷光對有機電致發光裝置大有希望。例如，鱗光 的一種優勢為，在磷光裝置中以三重態為基礎之激子[由 EL(電致發光）中空穴和電子復合形成]可參與能量轉移， -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公酱） 500787 A7 B7 4 五、發明說明（ 並在某些電致發光材料中發光。相反，在螢光裝置中，單 態基礎激子只有較小百分數產生螢光發光。 (請先閱讀背面之注意事項本頁) II.C.材料背景 II.C.1.基本異質結構 因爲形成異質結構一般具至少一個電子傳送層及至少一 個空穴傳送層，所以具有多種不同材料層。產生電致發光 之材料可爲電子傳送層材料或空穴傳送層材料。其中在電 子傳送層或空穴傳送層亦作爲發射層時，該裝置具有單一 異質結構。另外，當在空穴傳送層和電子輸送層間之單獨 發射層存在電致發光材料時，稱爲具有雙異質結構。 •絲· 發射材料可作爲主要組分存在於電荷載體層[即存在於空 穴傳送層或電子傳送層，同時擔當電荷載體材料及發射材 料作用]，亦可作爲摻雜劑以相當低濃度存在於電荷載體層 中。每逢存在摻雜劑時，電荷載體層中之主要材料可稱爲 主體化合物或接受化合物。作爲主體之材料及摻雜劑係選 擇成具有自主體至摻雜材料之高水平能量轉移。而且，此 等材料需能夠產生用於OLED可接受電性能。另外，此類 主體及摻雜劑材料較佳能夠用易於以便利技術（尤其用眞空 沉積技術）加入OLED之材料加入OLED。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 II.C.2·激子阻擔層 本發明（與先前揭示的美國專利申請案序列號第 09/153,144號）所用之激子阻擋層實質上阻擋激子擴散，大 體上將激子保持在發射層内，以增強裝置效率。本發明之 阻擋層材料於其較低未佔分子軌道（LUMO)和較高已佔分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 500787 A7 B7 五、發明說明（） 子轨道（HOMO)之間具有能差（帶隙）特徵。根據本發明， 該帶隙實質上防止激子通過阻擋層擴散，然而對完全電致 發光裝置電壓接通只有最小作用。因而，該帶隙較佳大於 發射層產生激子之能級。更明確而言，該阻擋層之帶隙至 少與主體之三態和基態能差一樣大。 II.D.顏色 至於顏色，較佳用材料製造〇LEDs以接近選擇光譜區域 中心的相對窄帶（對應於三原色紅、綠和藍）提供電致發 光’使之在OLED或SOLED中用作發色層。此類化合物亦 較佳能夠易於用眞空沉積技術沉積成薄層，以易於混入完 全自眞空沉積材料製備之OLED。 美國專利第6,048,630號係提出含發射飽和紅光化合物之 OLEDs 〇 ΠI.發明概述 本發明提出一種有機發光裝置，其中發射層包括發射分 子，且視需要使用主體材料（其中發射分子作爲摻雜劑存在 於該主體材料中），當對該異質結構施加電壓時該發射分子 發光，其中該發射分子係選自磷光有機金屬錯合物群。該 發射分子可進一步選自磷光有機金屬銥或鐵錯合物，且可 更進一步選自磷光環系金屬化銥或鐵錯合物。發射分子之 具體實例爲面式-叁（2-苯基吡啶）銥，其表達式爲[Ir (ppy)3] ，即 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項本頁) ti· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500787 A7 B7 第89109390號專利申請案 中文說明書修正頁（91年元月） 五、發明説明（
[在此及以後圖中，自氮至金屬（此處為Ir)之配位键作為直 線描繪] 各層一般布置為空穴傳送層、發射層及電子傳送層。對於 空穴傳導發射層，可在發射層和電子傳送層之間具有激子 阻擋層。對電子傳導發射層而言，可在發射層和空穴傳送 層之間具有激子阻擋層。該發射層可等於空穴傳送層（此 時，激子阻擋層接近或位於陽極上）或等於電子傳送層（此 時，激子阻擔層接近或位於陰極上）。 可用主體材料形成發射層，其中該發射分子作為客體存 在，或者發射層亦可由發射分子自身形成。在前者情形 下，該主體材料可為選自經取代三-芳胺群之空穴傳送基 質。主體材料之實例為4,4’-Ν，>Γ-二咔唑-聯苯（CBP)，其 具下式：
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210X 297公釐） 500787 第89109390號專利申請案 中文說明書修正頁（91年元月） AJ ύί/^~Ί 年月 β - 芯t枚口η “⑽/ 7 X H y i 五、發明説明（7 ) 該發射層亦可含有極化分子，該極化分子係作為掺雜劑存 在於主體材料中，且具有偶極矩，在該發射性摻雜分子發 光時影響發射光波長。 電子傳送材料形成層用於將電子送入包含發射分子及（視 需要選用）主體材料之發射層。電子傳送材料可為選自金屬 0奎氧鹽、^^(oxidazoles)及三峻之群之電子傳送基質。電 子傳送材料之實例為畚-(8-¾基π奎淋）鋁（Alq3)。 空穴材料形成層用於將空穴送入包含發射分子及（視需要 選用）主體材料之發射層。空穴傳送材料之實例為4,4’ -雙 [N-(l-莕基）-N-苯基-胺基]聯苯["a - NPD"]。 極佳用激子阻擋層（勢壘層）將激子限制在發光層（發光區 域）内。對於空穴傳送主體，阻擋層可置於發光層和電子傳 送層之間。此類阻擔層所用材料之實例為2，9 -二甲基-4，7 -二本基-1，1〇-菲琳（phenanthroline)[亦稱為浴銅靈 (bathocuproine)或 BCP]，其具有下式： 裝 訂
線 當阻擋層介於空穴-傳導主體和電子傳送層之間時（如以下 貫例1之丨目形）’應哥求按相對重要次序列出的以下特 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格（210X 297公釐） 500787 A7 B7_ 五、發明說明（8 ) 徵。 ---^------------裝·-- (請先閱讀背面之注意事項本頁) 1 .阻擋層之LUMO和HOMO間之能差大於主體材料之三態 和單基態間之能差。 2 .主體材料中之三態不受阻擋層抑制。 3. 阻擋層之電離電勢（IP)大於主體之電離電勢。（即空穴保 持於主體中）。 4 ·阻擋層之LUMO之能級和主體之LUMO之能級能量足夠 接近，使裝置之總電導率變化小於50%。 5 ·阻擋層儘可能薄，但所具層厚度應足以有效阻擋激子自 發射層傳入相鄰層。 [當發射性（發射）分子不與空穴傳送主體一起使用時，以 上選擇阻擋層所用规則係由發射分子代替主體修改] 在阻擋層介於電子傳送主體和空穴傳送層間之情形下， 應尋求以下特徵（按重要性次序列出）： •線- 1 ·阻擋層之LUMO和HOMO間之能差大於主體材料之三態 和基態間之能差。 2 ·主體材料中之三態不受阻擋層抑制。 3·阻擋層之LUMO能量大於（電子傳送）主體之能量。（意味 電子保持於主體中）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4. 阻擋層之電離電勢和主體之電離電勢應使空穴易於自阻 擋體進入主體，且該裝置之總電導率變化小於50%。 5 ·阻擋層儘可能薄，但層厚應足以有效阻擋激子自發射層 傳入相鄰層。 ’[當發射性（發射）分子不與電子傳送主體一起使用時，以 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) 500787 Λ7 _W_ 五、發明說明（9 ) 上選擇阻擋層所用规則由發射分子代替主體更改]。 IV .附圖簡述 . 圖1顯示實例1之電致磷光裝置之建議能級結構。其中顯 示最高佔據分子軌道（HOMO )能量和最低未佔據分子軌道 能量（LUMO)[參閲I.G.悉爾（Hill)和A·坎恩（Kahn)，應用 物理學刊（J. Appl· Physics )( 1999)]。應注意，Ir(ppy)3 之 HOMO和LOMO能級未知。插圖顯示（a)Ir(ppy)3，（b)CBP 及（c)BCP之化學結構式。 圖2顯示使用Ir(ppy)3 : CBP發光層OLED s之外量子效 率。其中觀察6% Ir(ppy)3與CBP質量比之峰値效率。100% Ir(ppy)3裝置與圖1所示裝置稍有不同。其中，Ir(ppy)3層爲 300A厚，且無BCP阻擋層。亦顯示在無BCP層下產生6% Ir(ppy)3 : CBP裝置之效率。 圖3顯示6% Iir(ppy)3 ·· CBP裝置之功率效率及發光度。 在100坎德拉/米2(cd/m2)時，該裝置需4.3伏特，其功率效 率爲19勒姆/瓦特（lm/W)。 圖4顯示6% Ir(ppy)3 : CBP之電致發光光譜。插圖顯示 CBP中Ir(ppy)3之國際照明委員會（CIE)色度坐標與螢光綠 發射體Alq3和聚（對亞苯基亞乙烯）（PPV)之比較。 V .發明詳述 . 本發明係提出發射性分子，該分子選自磷光有機金屬錯 合物群，當對有機發光裝置之異質結構施加電壓時，該發 射性分子發光，亦提出使該發光裝置最佳發光之結構及該 結構之相關分子。有機金屬爲一般技術人員所熟悉，如加 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項本頁) -丨裝 •線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500787 A7 __B7_ , 10 五、發明說明（） 利L·密斯勒（Gary L· Miessler)和遒纳德A.塔爾（Donald A. Tarr)，普蘭提斯-豪（Prentice-Hall)( 1998)。無機化學 (Inorganic Chemistry )第二版所定義。本發明進一步提出有 機發光裝置之發射層内之發射分子，該發射分子由磷光環 系金屬錶錯合物组成。就電致發光而言，此類分子可發射 紅、藍或綠光。就顏色外觀之討論（包括CIE圖表）可發現 於顏色化學（Color Chemistry)，VCH出版，1991以及 H.J.A.達諸（Dartnall)，J.K.鮑梅（Bowmaker)和 J.D.莫命 (Mollon)，Proc. Roy. Soc. B(倫敦），1983，220，第 115-130 頁。 現在以本發明之較佳具體實施例描述本發明，但應懂 得，此等實例僅作爲説明性實例，本發明不受其限制。 實例 實例1 我們在本實例中描述利用電致磷光綠光材料面式-叁（2-苯基吡啶）銥[Ir(ppy)3]之OLED。該化合物具以下表達式：
3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1^------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項本頁) •短三態壽命及合理光致發光效率之一致容許以Ir(ppy)3爲 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 500787 第891〇939〇號專利申請案 中文說明書修正頁（91年元月） 五、發明説明（11 ) 基礎之OLED s分別獲得8.0 % [ 2 8坎德拉/安培（c d/ A)]及3 0 勒姆/瓦特之峰值量子及功率效率。當施加4.3伏特偏壓時， 發光度達到1 〇〇坎德拉/米2，量子及功率效率分別為 7·5%(26坎德拉/安培）和19勒姆/瓦特。 有機層係由高真空（1CT6托）熱蒸發方法沉積於預塗透明 性、導電氧化鍚銦之潔淨玻璃基質上。用400Α厚度4,4、雙 [Ν-( 1-莕基）-Ν -苯基-胺基]聯苯（a -NPD)層將空穴傳至發 光層，該發光層由混入CBP之Ir(ppy)3組成。用200Α厚度電 子傳送材料參- (8 -羥基喹啉）鋁（Alq3)層將電子傳入 Ir(PPy)3 : CBP層，且減少陰極吸附Ir(ppy)3發光。用1毫米 直徑開口影孔板（陰罩）界定陰極，該陰極由1000A厚度 25:1之Mg:Ag層以及500A厚度銀罩組成。如前所述[〇, 布林（Brien)等人，應用物理通信（App· Phys. Lett.)]，我們 發現，如CBP及Alq3間插入2,9-二甲基-4,7-二苯基-l，lO-菲咯啉（浴銅靈，或BCP)為限制激子於發光區域内以及保持 鬲效率所必需。在〇，布林等人，應用物理通信，i 999 , 74 ’ 422-444中，其論證該層防止三態擴散至掺雜區域外 部。並提出CBP易於傳送空穴，BCP能夠強制激子形成於發 光層内。無論何種情形，使用BCP均適於將激子俘獲在發光 區域内。OLEDs所用一些材料之分子結構式與建議能級圖 顯示於圖1中。 圖2顯示數種以lr(ppy)3為基礎〇LED s之外量子效率。掺 雜結構顯示量效率隨電流增加而緩慢降低。與Alq3 : pt〇EP 系統結果相似，該摻雜裝置以約6-8%之Ir(ppy)3 : CBP質 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Λ4規格(210 X 297公釐） 裝 訂
k 8
量比達到取大效率（〜8 % )。因而，〖r(ppy)3 : CBP中之能量 轉移路徑可能與PtOEP : Alq3中路徑相似（巴朵（Baid〇)等 人’自然（Nature)，1998，395，151 ; 0,布林，1999， op.cit·]，即，自主體三態之短範圍德克斯特（Dexter)轉 移。在低Ir(ppy)3濃度時，發光固經常超過受激Alh分子之 德克斯特轉移範圍，而在高濃度時，聚集抑制增加。應注 意到，偶極子-偶極子[弗斯特（F〇rster)]轉移禁戒三態轉 移’在PtOEP : Alqs系統中未發現明顯直接電荷俘獲。 實例2 除摻雜裝置外，我們亦製造一種發光區域爲均勻Ir(ppy)3 薄膜4異質結構。純Ir(ppy)3效率減小（至〇 8%)反映於瞬態 衰減，其壽命僅爲1〇〇毫微秒，明顯偏離單-指數特徵。無 BCP阻擋層之6% Ir(ppy)3 ·· CBp裝置與具BCp阻擋層之6% Ir(ppy)3 : Alqs顯示在一起。在此·，觀察到極低量子效率隨 電流增加。該特徵暗示，非發射部位飽和（如·激子）遷入發 光區域或與陰極相鄰的八1(13内。 實例3 在圖3中，我們以實例！裝置之發光度及功率效率作爲電 壓之函數繪製曲線。在8 %量子效率（2 8坎德安/安培）下， 峰値功率效率爲3〇勒姆/瓦特。在1〇〇坎德拉/米2發光度 時’於4.3伏電壓得到丨9勒姆/泛特之功率效率及7 5%之量 子政率（2 6坎德拉/安培）。（：31>中1]^1)1^)3之瞬態響應爲 〜500 ¾微秒之單-指數磷光衰減，而於室溫脱氣甲苯中爲2 微秒之測量壽命[如，齊英（King)等，美國化學學會刊（j· -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I--1IIIIIII--華 i I (請先閱讀背面之注意事項本頁) · 韓· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Λ7 五、發明說明（13 ) m· Chem· Soc· )’ 1985，107，143 1-1432 頁]。此等壽命 ^為明強自旋軌道偶合，且在瞬態響應中缺少Ir(ppy)3螢 光’我們預料自單態至三態具有強系統間交叉躍遷。因 而’所有發射均產生自長壽命三態。遺撼的是，緩慢三態 鬆弛把夠在電致嶙光中形成瓶頸。的一個主要優勢 爲具有短三態壽命，由之使磷光瓶頸大體放鬆。如此使效 率Ik電流增加逐漸降低，導致1〇〇,〇〇〇坎德拉/米2之最大發 光度。 實例4 圖4顯7F最高效率裝置所用Ir(ppy)3之發射光譜及國際照 明委員會（CIE)色度坐標。其峰値波長；^^^爲5 1〇毫微米， 半南锋寬度爲7〇毫微米。光譜及dE坐標（x = 0.27，y = 0.63) 不依賴於電流。即使在極高電流密度（1〇〇毫安培/厘米2)。 自CBP發射藍光亦不可忽略-表示完全能量轉移。 本發明亦可使用一般技術人員已知的其它技術。例如， 亦可在該工作中使用LiF陰極[亨（Hung)等人，應用物理通 信（Appl· Phys· Lett·)，1997，70，152-154]、成形基質[G. 古（Gu)等人，光學通信（〇ptics Letters)，1997，22，396- 398 ]以及減小工作電壓或增加量子效率之新穎空穴傳送材 料[B·齊普侖（Kippelen)等人，MRS(San Francisco， Spring)，1999]。此等方法在螢光小分子裝置中產生2〇勒 姆/瓦特功率效率（齊普侖，Id.)。此等裝置於1〇〇坎德拉/ 米2之量子效率一般S 4.6 %(低於本發明之量子效率），因 而可以預料，發射綠光的電致發光裝置具>40勒姆/瓦特之 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項本頁) 裝 .線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 500787 Λ7 H7 14 五、發明說明 功率效率〜純有機材料【何施諾（Hoshino)和蘇祖齊 i Suzuki)，應川·物理通信，1996，69，224_226]有時可能 共冇不足自旋軌道偶合，以致於室溫不能顯示強臂光。雖 然不應排除純冇機磷光體，但較佳化合物可爲具芳族配位 體之過渡金屬錯合物。過渡金屬混合單態及三態，由之增 強系統間交又躍遷及減小受激三態之壽命。 本發明並不限於實例之發射分子，爲獲得所需性能，一 般技術人員可更改lr(ppy)3之有機組份。 ，lr •I:------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項本頁) 訂； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該分子可具有烷基取代基或芳系結構原子變動
Ir； Ο 可用自商業獲得之配位體獲得與Ir(ppy)3有關的此等分 -17 .線· 本纸張尺度達同中S國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 500787
。R基團可爲烷基或芳基，且較佳位於配位體上之3、 4、7和/或8位（.空間原因）。該化合物應發射不同顏色，可 具有不同載體傳送速率。因此，可由理想方法以三種分子 修改基礎Ir(ppy)3結構改變發射特徵。 其它可能發射體如下所示。
—----------装 i. (請先閱讀背面之注意事項本頁) k 與1r(ppy)3相比，可期望該分子發射藍色光 立爲烷基或芳基。 本發明可使用有機金屬鉞化合物。實例如下:
綠 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
此等鐵錯合物爲具6d電子之八面體（與Ir類似物等電 子），且可具有良好系統間交叉躍遷效率。汉和尺，係獨立選 18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 500787 Λ7 H7 五、發明說明（16 ) 自境基和芳基组成之群。可以相信’此等化合物尚未在文 獻中報告。 .
其中，X可選自N或P。R和R，係獨立選自烷基及芳基組 成之群。 實例1之空穴傳送層分子係如下描述。 (請先閱讀背面之注意事項本頁) 裝 4σι_ · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
•用作實例1發射層之主體分子係描述如下
綠- 17 Λ7 五、發明說明（
射trr㈣於此藝者已知的其他分子作爲⑽〜之發 -取代：芳:：，王體材料可爲空穴傳送基質，五可選自 •工代一芳基胺及聚乙埽基咔唑组成之群。 =例1激子阻擋相时子係描述如下。本發明以其 激子阻制，但其條件限制其滿足發明概述中陳述 爲要0 (請先閱讀背面之注音？事項 r本頁) --裝 ·
•線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 適用作爲激子阻擋層组分之分子不必與適用於空穴阻擋 層 < 分子相同。例如，分子起空穴阻擋作用之能力決定於 犯加私壓，施加電壓越鬲，空穴阻擋能力越小。阻擋激子 之能力約略獨立於所施加電壓。 本發明之OLED可大體上用於任何由〇LED组成之裝置， 20- 本紙張尺度翻中國國家標準（CXSU4規格(_210 X 297公4 ) 500787 Λ7 H7 五、發明說明（ 18 例如在OLED中結合較大顯示屏、車輛、計算機、電視、 打印機、大面積牆壁、戲院或運動場屏幕、廣告牌或標 誌、0 請先閱讀背面之注意事項 本頁) 裝 . --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. ||9390號專利申請案 請專利範圍修正本（91年元月） A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 1· 一種電致發光層，其包括發射層，該發射層包括發射分 子’該發射分子為礙光有機金屬銀化合物或磷光有機金 屬蛾化合物。 2.根據申凊專利範圍第1項之電致發光層，其中該發射層 包括主體材料，該礙光有機金屬化合物係作為客體存在 於該主體材料中。 3·根據申請專利範圍第丨或2項之電致發光層，其中該發射 分子為磷光有機金屬銥化合物。 4·根據申請專利範圍第3項之電致發光層，其中該磷光有 機金屬銥化合物為面式-叁（2-苯基吡啶）銥，如下式所
    5·根據申請專利範圍第3項之電致發光層，其中在對該發 射層施加電壓時，該嶙光有機金屬銥化合物發射綠光。 6·根據申請專利範圍第1或2項之電致發光層，其中該發射 分子為磷光有機金屬娥化合物。 7.根據申清專利範圍第6項之電致發光層，其中該嶙光有 機金屬鐵化合物係如下式所示： 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 500787 8 8 8 8 A B c D 六、申請專利範圍
    8.根據申請專利範圍第2項之電致發光層，其中該主體材 料為空穴傳送材料，其選自由經取代三-芳基胺及聚乙烯 基咔唑組成之群。 9·根據申請專利範圍第8項之電致發光層，其中該空穴傳 送材料包括4,4’-1^，^^-二咔唑-聯苯，如下式所示：
    10.根據申請專利範圍第8項之電致發光層，其中該空穴傳 送材料包括4,4f-雙[N-(l-莕基）-N-苯基-胺基]聯苯。 11·根據申請專利範圍第2項之電致發光層，其中該主體材 料為電子傳送材料。 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
    12 寺艮 …據申清專利範圍第1 1項之電致發光層’其中該電子傳 :材料包括參-(8-輕基p奎琳）銘。 根據申請專利範圍第1或2項之電致發光層，其中該發射 層進—步包括具偶極矩之極化摻雜劑。 14 才艮4虚 申凊專利範圍第1或2項之電致發光層，其中該發射 層係與激予阻擋層接觸。 •根據申請專利範圍第14項之電致發光層，其中該激子阻 擒層包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1，10-菲啉，如下式 所示：
    16· —種包含異質結構之有機發光裝置，該異質結構包含發 射層，在對該異質結構施加電壓時，該發射層發光，其 中讀發射層包括磷光有機金屬銥化合物分子或磷光有機 金屬蛾化合物分子。 17·根據申請專利範圍第16項之有機發光裝置，其中該發射 層包括主體材料，該磷光有機金屬化合物係作為客體存 在於該主體材料中。 18.根據申請專利範圍第i 6或丨7項之有機發光裝置，其中該
    發射分子為磷光有機金屬銥化合物。 19.根據申請專利範圍第18項之有機發光裝置，其中該磷 有機金屬銥化合物為面式_叁（2_苯基吡啶）銥，如 /
    2〇·根據申請專利範圍第18項之有機發光裝置，其中在對該 發射層施加電|時’該磷光有機金屬銥化合物發射綠 光。 21·根據申請專利範圍第丨6或丨7項之有機發光裝置，其中該 發射分子為磷光有機金屬鐵化合物。 22·根據申請專利範圍第2丨項之有機發光裝置，其中該磷光 有機金屬鐵化合物係如下式所示：
    本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210Χ 297公釐） 500787 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 23·根據申請專利範圍第丨7項之有機發光裝置，其中該主體 材料為空穴傳送材料，其選自由經取代三—芳基胺及聚乙 晞基咔唑組成之群。 24·根據申請專利範圍第23項之有機發光裝置，其中該空穴 傳送材料包括4,4，-ν，ν，-二咔唑-聯苯，如下式所示：
    25·根據申請專利範圍第17項之有機發光裝置， 材料為電子傳送材料。 月庄 26·根據申請專利範圍第25項之有機發光裝置，其中該電子 傳送材料包括畚_ ( 8 •經基p奎琳）銘。 27. 根據申請專利範圍第16或17項之有機發光裝置，其中該 發射層進一步包括具偶極矩之偶極化摻雜劑。 28. 根據申請專利範圍第16或17項之有機發光裝置，其中該 發射層係與激子阻擋層接觸。 29. 根據申請專利範圍第28項之有機發光裝置，纟中該激子 阻擋層包括2,9-二甲基_4,7•二笨基_丨，1〇_菲啉，如下 式所示： -5-
    500787 8 8 8 8 A BCD 六、申請專利範圍
    30· —種裝置，其包括根據申請專利範園第1 6項之有機發光 裝置，其中該裝置係選自由顯示屏、車輛、計算機、電 視機、打印機、牆壁、戲院、運動場屏幕、廣告牌及標 諸牌組成之群。 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 χ 297公釐)
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