JP4798138B2 - 発光素子 - Google Patents
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アプライド フィジクス レターズ(Applied Physics Letters)、(米国)、1987年、51巻、12号、913−915頁 アプライド フィジクス レターズ(Applied Physics Letters)、(米国)、1999年、75巻、1号、4−6頁
X 1 は連結のための結合鎖であり、結合鎖により連結されることで、従来の単独化合物では得ることができなかった、耐熱性および薄膜形成能を付与することができ、更に、素子としての耐久性を付与することができ、有用な発光素子を得ることができる。結合鎖としては、熱的安定性や電子および/あるいは正孔輸送能を高めるための好ましい結合鎖としてスピロビフルオレン骨格を含む結合鎖が挙げられる。このような結合鎖としては、スピロビフルオレニル基や、スピロビフルオレニル基とアリール基からなる基などが挙げられる。ここでアリール基とは例えばフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基などの芳香族炭化水素基を示し、これらは無置換でも置換されていても良い。
ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子線ビーム法品)を30×40mmに切断、エッチングを行った。得られた基板を”セミコクリン56”(フルウチ化学(株)製)と超純水で各々15分間超音波洗浄して乾燥させた。この基板を発光素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10−5Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔輸送性材料として4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル(αNPD:分子量589)を60nm蒸着した。次に発光材料のホスト材料として2,2’−ビス(4−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)スピロ−9,9’−ビフルオレン(分子量:803)を、ドーパント材料としてトリス(2−フェニルピリジル)イリジウム錯体(Ir(ppy)3:分子量655)を用いて、ドーパントが8wt%になるように30nmの厚さに共蒸着した。次に正孔阻止材料として2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BTCPN:分子量360)を10nm蒸着した。次に電子輸送性材料として、トリス(8−キノリノール)アルミニウム錯体(分子量459)を50nmの厚さに蒸着した。次にリチウムを0.5nm有機層にドーピングした後、アルミニウムを200nm蒸着して陰極とし、5×5mm角の発光素子を作製した。この発光素子からはドーパント材料の燐光スペクトルと同様の発光スペクトルが観察され、色純度の良好な高輝度緑色発光が得られた。
発光材料のホスト材料として4,4’−ビス(N−カルバゾリル)ビフェニル(CBP:分子量484)を用いた以外は実施例1と全く同様にして発光素子を作製した。この発光素子からはドーパント材料の燐光スペクトルと同様の発光スペクトルが観察され、色純度の良好な高輝度緑色発光が得られたが、20mA/平方センチメートルの直流駆動で耐久性を評価したところ、100時間後には著しい輝度の低下が見られた。
発光材料のドーパント材料としてビス{2−(2−ベンゾチオフェニル)ピリジル}(アセチルアセトナート)イリジウム錯体を用いた以外は実施例1と全く同様にして発光素子を作製した。この発光素子からはドーパント材料の燐光スペクトルと同様の発光スペクトルが観察され、色純度の良好な高輝度赤色発光が得られたが、20mA/平方センチメートルの直流駆動で耐久性を評価したところ、100時間後でも色純度の良好な高輝度赤色発光が得られた。
ITO透明導電膜を150nm堆積させたガラス基板(旭硝子(株)製、15Ω/□、電子線ビーム法品)を30×40mmに切断、フォトリソグラフィ法によって300μmピッチ(残り幅270μm)×32本のストライプ状にパターン加工した。ITOストライプの長辺方向片側は外部との電気的接続を容易にするために1.27mmピッチ(開口部幅800μm)まで広げてある。得られた基板を”セミコクリン56”、超純水で各々15分間超音波洗浄してから乾燥させた。この基板を発光素子を作製する直前に1時間UV−オゾン処理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が5×10−4Pa以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正孔輸送性材料として4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル(αNPD)を60nm蒸着した。次に発光材料のホスト材料として2,2’−ビス(4−(N,N’−ジフェニルアミノ)フェニル)スピロ−9,9’−ビフルオレンを、ドーパント材料としてトリス(2−フェニルピリジル)イリジウム錯体(Ir(ppy)3)を用いて、ドーパントが8wt%になるように30nmの厚さに共蒸着した。次に正孔阻止層として2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン(BTCPN)を10nm蒸着した。次に電子輸送性材料として、トリス(8−キノリノール)アルミニウム錯体を50nmの厚さに蒸着した。次に厚さ50μmのコバール板にウエットエッチングによって16本の250μmの開口部(残り幅50μm、300μmピッチに相当)を設けたマスクを、真空中でITOストライプに直交するようにマスク交換し、マスクとITO基板が密着するように裏面から磁石で固定した。そしてリチウムを0.5nm有機層にドーピングした後、アルミニウムを200nm蒸着して32×16ドットマトリクス素子を作製した。本素子をマトリクス駆動させたところ、クロストークなく文字表示できた。
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